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JP2015117361A - Resin composition for semiconductor encapsulation - Google Patents

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JP2015117361A
JP2015117361A JP2014191991A JP2014191991A JP2015117361A JP 2015117361 A JP2015117361 A JP 2015117361A JP 2014191991 A JP2014191991 A JP 2014191991A JP 2014191991 A JP2014191991 A JP 2014191991A JP 2015117361 A JP2015117361 A JP 2015117361A
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epoxy
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epoxy resin
semiconductor
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昇 溝部
Noboru Mizobe
昇 溝部
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Shikoku Chemicals Corp
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Shikoku Chemicals Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition for semiconductor encapsulation, which has an excellent injection property when used as an underfill, provides a cured product with excellent adhesiveness, and can suppress occurrence and propagation of a fillet crack.SOLUTION: Provided is a resin composition for semiconductor encapsulation, comprising a glycoluril compound represented by formula (I) as an epoxy compound, and a curing agent. Also provided is a resin composition for semiconductor encapsulation comprising an epoxy compound or an epoxy resin excluding the glycoluril compound represented by formula (I). (Rand Rmay be the same or different, and represent H, a lower alkyl group, or a phenyl group; and Rto Rmay be the same or different, and represent H or a glycidyl group.)

Description

本発明は、グリコールウリル化合物を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a semiconductor sealing resin composition comprising a glycoluril compound.

近年、フリップチップ型への半導体実装方法の変化に伴い、半導体素子と基板との間のクリアランスを充填し(封止)、両者を固定する樹脂組成物、即ちアンダーフィルの開発が進んでいる。   In recent years, development of a resin composition that fills (seals) a clearance between a semiconductor element and a substrate and fixes them together, that is, an underfill, is progressing with a change in a semiconductor mounting method to a flip chip type.

一般に、アンダーフィルとして使用される半導体封止用樹脂組成物には、前記のクリアランスに充填する際の良好な注入性が要求される。更に、その硬化物には、優れた密着性や、フィレットクラックと呼ばれる基板と半導体素子などの材料との熱膨張係数の差により発生するクラックの発生および進展の抑制が要求される。   In general, a resin composition for encapsulating a semiconductor used as an underfill is required to have good injectability when filling the clearance. Further, the cured product is required to have excellent adhesion and suppression of generation and progress of cracks caused by a difference in thermal expansion coefficient between a substrate called a fillet crack and a material such as a semiconductor element.

このような要求に対応するために、特許文献1には高粘度のエポキシ樹脂組成物を、作業に適した粘度に調整するために使用されるエポキシ樹脂用反応性希釈剤が提案されている。しかしながら、この文献に記載されている単官能エポキシ化合物や、多価アルコールグリシジルエーテルを希釈剤として使用した場合、硬化物のガラス転移温度(Tg)やその他の機械物性が低下してしまうといった問題があった。   In order to meet such requirements, Patent Document 1 proposes a reactive diluent for epoxy resin that is used to adjust a high-viscosity epoxy resin composition to a viscosity suitable for work. However, when the monofunctional epoxy compound or polyhydric alcohol glycidyl ether described in this document is used as a diluent, there is a problem that the glass transition temperature (Tg) of the cured product and other mechanical properties are lowered. there were.

また、フィレットクラックの抑制を目的として、樹脂組成物にゴム成分を添加する方法が知られている。しかしながら、樹脂組成物にゴム成分を添加した場合についても、前記方法と同様に、硬化物のガラス転移温度(Tg)やその他の機械物性が低下するだけでなく、樹脂組成物の粘度が上昇してしまうといった問題があった。   Moreover, a method of adding a rubber component to a resin composition is known for the purpose of suppressing fillet cracks. However, when a rubber component is added to the resin composition, not only the glass transition temperature (Tg) and other mechanical properties of the cured product are lowered, but also the viscosity of the resin composition is increased, as in the above method. There was a problem such as.

特開平6−172336号公報JP-A-6-172336

本発明は、アンダーフィルとして使用した際の注入性に優れ、且つ硬化物の密着性に優れ、フィレットクラックの発生および進展を抑制することができる半導体封止用樹脂組成物を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a resin composition for encapsulating a semiconductor that is excellent in injectability when used as an underfill, has excellent adhesion of a cured product, and can suppress the occurrence and progress of fillet cracks. And

本発明者は、前記の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、エポキシ化合物としてグリコールウリル化合物を含有する樹脂組成物とすることにより、所期の目的を達成することを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
即ち、第1の発明は、化学式(I)で示されるグリコールウリル化合物と硬化剤を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that the intended purpose is achieved by using a resin composition containing a glycoluril compound as an epoxy compound. Has been completed.
That is, the first invention is a resin composition for semiconductor encapsulation characterized by containing a glycoluril compound represented by the chemical formula (I) and a curing agent.

Figure 2015117361
(式中、RおよびRは、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、R、RおよびRは、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。)
第2の発明は、化学式(I)で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする第1の発明の半導体封止用樹脂組成物である。
第3の発明は、無機充填剤、硬化促進剤、コアシェルゴムおよび反応性希釈剤を含有することを特徴とする第1の発明または第2の発明の半導体封止用樹脂組成物である。
Figure 2015117361
(In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a phenyl group, and R 3 , R 4 and R 5 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a glycidyl group. .)
A second invention is a resin composition for encapsulating a semiconductor according to the first invention, which contains an epoxy compound or an epoxy resin excluding the glycoluril compound represented by the chemical formula (I).
3rd invention is a resin composition for semiconductor sealing of 1st invention or 2nd invention characterized by containing an inorganic filler, a hardening accelerator, core-shell rubber, and a reactive diluent.

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、アンダーフィルとして使用した際の注入性に優れ、且つ硬化物の密着性に優れ、フィレットクラックの発生および進展を抑制することができる。   The resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention is excellent in injectability when used as an underfill and excellent in adhesion of a cured product, and can suppress the occurrence and progress of fillet cracks.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の実施において使用するグリコールウリル化合物は、下記の化学式(I)で示されるエポキシ化合物であるが、例えば、
1−グリシジルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジルグリコールウリル、
1−グリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1−グリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1−グリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリルなどが挙げられる。これらのグリコールウリル化合物は、単独または2種以上を組み合わせて使用してもよい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The glycoluril compound used in the practice of the present invention is an epoxy compound represented by the following chemical formula (I).
1-glycidyl glycoluril,
1,3-diglycidyl glycoluril,
1,4-diglycidyl glycoluril,
1,6-diglycidyl glycoluril,
1,3,4-triglycidyl glycoluril,
1,3,4,6-tetraglycidylglycoluril,
1-glycidyl-3a-methylglycoluril,
1,3-diglycidyl-3a-methylglycoluril,
1,4-diglycidyl-3a-methylglycoluril,
1,6-diglycidyl-3a-methylglycoluril,
1,3,4-triglycidyl-3a-methylglycoluril,
1,3,4,6-tetraglycidyl-3a-methylglycoluril,
1-glycidyl-3a, 6a-dimethylglycoluril,
1,3-diglycidyl-3a, 6a-dimethylglycoluril,
1,4-diglycidyl-3a, 6a-dimethylglycoluril,
1,6-diglycidyl-3a, 6a-dimethylglycoluril,
1,3,4-triglycidyl-3a, 6a-dimethylglycoluril,
1,3,4,6-tetraglycidyl-3a, 6a-dimethylglycoluril,
1-glycidyl-3a, 6a-diphenylglycoluril,
1,3-diglycidyl-3a, 6a-diphenylglycoluril,
1,4-diglycidyl-3a, 6a-diphenylglycoluril,
1,6-diglycidyl-3a, 6a-diphenylglycoluril,
1,3,4-triglycidyl-3a, 6a-diphenylglycoluril,
1,3,4,6-tetraglycidyl-3a, 6a-diphenylglycoluril and the like can be mentioned. These glycoluril compounds may be used alone or in combination of two or more.

Figure 2015117361
(式中、RおよびRは、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、R、RおよびRは、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。)
Figure 2015117361
(In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a phenyl group, and R 3 , R 4 and R 5 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a glycidyl group. .)

本発明の実施において使用する硬化剤としては、アミン系または酸無水物系の硬化剤が挙げられる。これらは、種類も多く、半導体素子のパッシベーション膜(例えば、ポリイミドなど)との密着性に優れるため、半導体封止用樹脂組成物に使用した場合に、耐吸湿リフロー性試験時の剥離を防止することができる。   Examples of the curing agent used in the practice of the present invention include amine-based or acid anhydride-based curing agents. These have many types and are excellent in adhesion to a semiconductor element passivation film (for example, polyimide). Therefore, when used in a resin composition for semiconductor encapsulation, peeling during a moisture absorption reflow resistance test is prevented. be able to.

前記のアミン系硬化剤としては、公知のアミン系硬化剤を特に制限なく採用することができるが、例えば、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、m−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2−メチルペンタメチレンジアミンなどの脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ノルボルネンジアミン、1,2−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、N−アミノエチルピペラジン、1,4−ビス(2−アミノ−2−メチルプロピル)ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン、ビス(メチルチオ)トルエンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、m−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス(4−アミノベンゾエート)、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。これらは、単独または2種以上を組み合わせて使用してもよい。   As the amine-based curing agent, known amine-based curing agents can be used without particular limitation. For example, triethylenetetraamine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2- Aliphatic polyamines such as methylpentamethylenediamine, isophoronediamine, 1,3-bisaminomethylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, norbornenediamine, 1,2-diaminocyclohexane, and the like, N- Piperazine-type polyamines such as aminoethylpiperazine and 1,4-bis (2-amino-2-methylpropyl) piperazine, diethyltoluenediamine, dimethylthiotoluenediamine, 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane , Aromatic polyamines such as bis (methylthio) toluenediamine, diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, diethyltoluenediamine, trimethylenebis (4-aminobenzoate), polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate Is mentioned. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、アミン系硬化剤の使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂と、反応性希釈剤の各エポキシを合わせた全エポキシ当量に対して、0.01〜3.0当量とすることが好ましい。   In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the amount of the amine curing agent used is the total of the glycoluril compound, the epoxy compound or epoxy resin excluding the glycoluril compound, and the reactive diluent epoxy combined. It is preferable to set it as 0.01-3.0 equivalent with respect to an epoxy equivalent.

前記の酸無水物系硬化剤としては、公知の酸無水物系硬化剤を特に制限なく採用することができるが、例えば、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物、メチルナジック酸無水物、グルタル酸無水物、3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロペニル)−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物、1−イソプロピル−4−メチル−ビシクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、ジエチルグルタル酸無水物などが挙げられる。市販品としては、三菱化学社製酸無水物(グレード:YH306、YH307)などが挙げられる。これらは、単独または2種以上を組み合わせて使用してもよい。   As the acid anhydride-based curing agent, known acid anhydride-based curing agents can be used without any particular limitation. For example, methyl tetrahydrophthalic anhydride, methyl hexahydrophthalic anhydride, alkylated tetrahydro Phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyl hymic anhydride, succinic anhydride substituted with alkenyl groups, methyl nadic anhydride, glutaric anhydride, 3,4-dimethyl-6- ( 2-Methyl-1-propenyl) -1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, 1-isopropyl-4-methyl-bicyclo [2.2.2] oct-5-ene-2,3-dicarboxylic Acid anhydride, norbornane-2,3-dicarboxylic acid anhydride, methylnorbornane-2,3-dicarboxylic acid anhydride, hydrogenated methylnadic acid anhydride, diethyl Such Rutaru acid anhydride. Commercially available products include acid anhydrides (grade: YH306, YH307) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、酸無水物系硬化剤の使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂と、反応性希釈剤の各エポキシを合わせた全エポキシ当量に対して、0.5〜1.5当量とすることが好ましい。   In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the amount of the acid anhydride curing agent used is the glycoluril compound, the epoxy compound or epoxy resin excluding the glycoluril compound, and each epoxy of the reactive diluent. The total epoxy equivalent is preferably 0.5 to 1.5 equivalents.

本発明の実施において使用するグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂(以下、両者を併せてエポキシ樹脂と云う)としては、常温で液状であることが好ましいが、常温で固体であっても、他の液状であるエポキシ樹脂および/または希釈剤を加えて、液状にして使用することができる。   As an epoxy compound or an epoxy resin excluding the glycoluril compound used in the practice of the present invention (hereinafter referred to as an epoxy resin together), it is preferably liquid at room temperature, Other liquid epoxy resins and / or diluents can be added and used in a liquid state.

前記のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、エーテル系またはポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、アミノフェノール型エポキシ樹脂、シリコーンエポキシコポリマー樹脂などが挙げられる。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, and naphthalene. Type epoxy resin, ether type or polyether type epoxy resin, oxirane ring-containing polybutadiene, aminophenol type epoxy resin, silicone epoxy copolymer resin and the like.

また、前記の常温で液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂の平均分子量が約400以下のもの;p−グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールAジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビスフェノールF型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約570以下のもの;ビニル(3,4−シクロヘキセン)ジオキシド、3,4−エポキシシクロヘキシルカルボン酸(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチル、アジピン酸ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−5,1−スピロ(3,4−エポキシシクロヘキシル)−m−ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂;3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂;ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、3−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂;ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル−p−アミノフェノール、テトラグリシジル−m−キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス(アミノメチル)シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂;1,3−ジグリシジル−5−メチル−5−エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂;ナフタレン環含有エポキシ樹脂などが挙げられる。
その他、1,3−ビス(3−グリシドキシプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンのようなシリコーン骨格をもつエポキシ樹脂や、(ポリ)エチレングリコールジグリシジルエーテル、(ポリ)プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物;トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物なども挙げられる。
The epoxy resin that is liquid at room temperature is a bisphenol A type epoxy resin having an average molecular weight of about 400 or less; branched polyfunctional bisphenol A such as p-glycidyloxyphenyldimethyltrisbisphenol A diglycidyl ether. Type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; phenol novolak type epoxy resin having an average molecular weight of about 570 or less; vinyl (3,4-cyclohexene) dioxide, 3,4-epoxycyclohexylcarboxylic acid (3,4-epoxycyclohexyl) ) Methyl, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) -5,1-spiro (3,4-epoxycyclohexyl) -m-dioxane Alicyclic epoxy tree Biphenyl type epoxy resin such as 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-diglycidyloxybiphenyl; diglycidyl hexahydrophthalate, diglycidyl 3-methylhexahydrophthalate, hexahydroterephthalic acid Glycidyl ester type epoxy resin such as diglycidyl; Glycidylamine type epoxy such as diglycidyl aniline, diglycidyl toluidine, triglycidyl-p-aminophenol, tetraglycidyl-m-xylylenediamine, tetraglycidyl bis (aminomethyl) cyclohexane Resin; Hydantoin type epoxy resin such as 1,3-diglycidyl-5-methyl-5-ethylhydantoin; naphthalene ring-containing epoxy resin and the like.
In addition, epoxy resins having a silicone skeleton such as 1,3-bis (3-glycidoxypropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, (poly) ethylene glycol diglycidyl ether, (poly ) Diepoxide compounds such as propylene glycol diglycidyl ether, butanediol glycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether; and triepoxide compounds such as trimethylolpropane triglycidyl ether and glycerin triglycidyl ether.

常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用することも可能であり、そのようなエポキシ樹脂としては、高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、常温で液体であるエポキシ樹脂と組み合わせて、流動性を調整することができる。   It is also possible to use a solid or ultra-high viscosity epoxy resin at room temperature. Examples of such an epoxy resin include high molecular weight bisphenol A type epoxy resin, novolac epoxy resin, tetrabromobisphenol A type epoxy resin, and the like. It is done. These can adjust fluidity in combination with an epoxy resin that is liquid at room temperature.

常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を使用する場合は、低粘度のエポキシ樹脂、例えば、(ポリ)エチレングリコールジグリシジルエーテル、(ポリ)プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物;トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物などと組み合わせることが好ましい。   When using an epoxy resin that is solid or ultra-highly viscous at room temperature, low-viscosity epoxy resins such as (poly) ethylene glycol diglycidyl ether, (poly) propylene glycol diglycidyl ether, butanediol glycidyl ether, neopentyl glycol It is preferably combined with a diepoxide compound such as diglycidyl ether; a triepoxide compound such as trimethylolpropane triglycidyl ether or glycerin triglycidyl ether.

前記の希釈剤としては、非反応性希釈剤または反応性希釈剤の何れも使用できるが、反応性希釈剤が好ましい。本明細書において、反応性希釈剤とは、1つのエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物を云うこととし、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、例えば、ビニル、アリルなどのアルケニル基;アクリロイル、メタクリロイルなどの不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。   As the diluent, either a non-reactive diluent or a reactive diluent can be used, but a reactive diluent is preferred. In the present specification, the reactive diluent refers to a compound having one epoxy group and having a relatively low viscosity at room temperature. In addition to the epoxy group, other polymerizable functional groups such as, for example, , An alkenyl group such as vinyl and allyl; and an unsaturated carboxylic acid residue such as acryloyl and methacryloyl.

前記の反応性希釈剤としては、n−ブチルグリシジルエーテル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、p−s−ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物;アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、1−ビニル−3,4−エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物などが挙げられる。   Examples of the reactive diluent include mono-like compounds such as n-butyl glycidyl ether, 2-ethylhexyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, cresyl glycidyl ether, ps-butylphenyl glycidyl ether, styrene oxide, and α-pinene oxide. Epoxide compounds; monoepoxide compounds having other functional groups such as allyl glycidyl ether, glycidyl methacrylate, and 1-vinyl-3,4-epoxycyclohexane.

本発明の実施において使用する無機充填剤は、半導体封止用樹脂組成物に配合されて、該組成物の熱膨張係数を調整することにより、アンダーフィルとして使用した際に、耐サーマルサイクル性、耐熱性、耐湿性を向上させる。   The inorganic filler used in the practice of the present invention is blended in a resin composition for semiconductor encapsulation, and when used as an underfill by adjusting the thermal expansion coefficient of the composition, Improve heat resistance and moisture resistance.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、無機充填剤の使用量としては、無機充填剤を含まない半導体封止用樹脂組成物100重量部に対して、10〜500重量部とすることが好ましい。   In the semiconductor sealing resin composition of the present invention, the amount of the inorganic filler used is 10 to 500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the semiconductor sealing resin composition not containing the inorganic filler. preferable.

無機充填剤としては、半導体封止用やアンダーフィル用の樹脂組成物の成分として公知のものを制限なく使用することができる。例えば、シリカ、アクリルビーズ、ガラスビーズ、ウレタンビーズなどが挙げられ、コスト的な観点や、半導体封止用樹脂組成物の他の成分との相溶性の見地から、シリカが好適である。   As an inorganic filler, a well-known thing can be used as a component of the resin composition for semiconductor sealing or underfill without a restriction | limiting. Examples thereof include silica, acrylic beads, glass beads, urethane beads, and the like. From the viewpoint of cost and compatibility with other components of the semiconductor sealing resin composition, silica is preferable.

本発明の実施において使用する硬化促進剤としては、エポキシ樹脂用として公知のものを制限なく使用することができる。例えば、イミダゾール系硬化促進剤(マイクロカプセル型、エポキシアダクト型を含む)、第三級アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤などが挙げられ、特に、イミダゾール系硬化促進剤が、半導体封止用樹脂組成物の他の成分との相溶性および硬化速度の観点から好適である。   As the curing accelerator used in the practice of the present invention, those known for epoxy resins can be used without limitation. Examples include imidazole-based curing accelerators (including microcapsule type and epoxy adduct type), tertiary amine-based curing accelerators and phosphorus-based curing accelerators. From the viewpoints of compatibility with the other components of the resin composition and the curing rate.

前記のイミダゾール系硬化促進剤としては、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物などが挙げられる。
また、マイクロカプセル型イミダゾールやエポキシアダクト型イミダゾールと呼ばれるカプセル化イミダゾールも使用することができる。即ち、イミダゾール化合物を尿素やイソシアネート化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤や、イミダゾール化合物をエポキシ化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤も使用することができる。具体的には、ノバキュアHX3941HP、ノバキュアHXA3042HP、ノバキュアHXA3922HP、ノバキュアHXA3792、ノバキュアHX3748、ノバキュアHX3721、ノバキュアHX3722、ノバキュアHX3088、ノバキュアHX3741、ノバキュアHX3742、ノバキュアHX3613(いずれも旭化成イーマテリアルズ社製、製品名)などが挙げられる。なお、ノバキュアはカプセル化イミダゾールと熱硬化性エポキシ樹脂とを、ある比率にて混合した製品である。
Examples of the imidazole curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-phenyl-4-methylimidazole. And the imidazole compound.
In addition, encapsulated imidazole called microcapsule type imidazole or epoxy adduct type imidazole can also be used. That is, an imidazole-based latent curing agent encapsulated by adducting an imidazole compound with urea or an isocyanate compound and then blocking the surface with an isocyanate compound, or adducting an imidazole compound with an epoxy compound, and then further treating the surface with an isocyanate compound An imidazole-type latent curing agent encapsulated by blocking with can also be used. Specifically, NovaCure HX3941HP, NovaCure HXA3042HP, NovaCure HXA3922HP, NovaCure HXA3792, NovaCure HX3748, NovaCure HX3721, NovaCure HX3722, NovaCure HX3088, NovaCure HX3741 and NovaCure HX3741 Etc. Note that NovaCure is a product in which encapsulated imidazole and thermosetting epoxy resin are mixed in a certain ratio.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、硬化促進剤の使用量は硬化促進剤の種類によって適宜設定されるが、イミダゾール系硬化促進剤の場合は、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂を合わせた重量(100重量部)に対して、0.01〜100重量部とすることが好ましい。   In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the amount of curing accelerator used is appropriately set depending on the type of curing accelerator, but in the case of an imidazole curing accelerator, the glycoluril compound and the glycoluril compound are excluded. It is preferable to set it as 0.01-100 weight part with respect to the weight (100 weight part) which match | combined the epoxy resin.

本発明の実施において使用するコアシェルゴムは、半導体封止用樹脂組成物をアンダーフィルとして使用した際の、フィレットクラックの発生および進展を抑制する目的で使用する。具体的には、コアシェルゴムの含有により半導体封止用樹脂組成物の硬化物が低弾性化して、フィレット部に生じる応力が低減され、フィレットクラックの発生を抑制することができる。また、フィレットクラックが発生した場合には、コアシェルゴムが応力緩和剤として作用し、フィレットクラックの進展を抑制することができる。   The core-shell rubber used in the practice of the present invention is used for the purpose of suppressing the occurrence and progress of fillet cracks when the semiconductor sealing resin composition is used as an underfill. Specifically, the inclusion of the core-shell rubber lowers the elasticity of the cured resin composition for semiconductor encapsulation, thereby reducing the stress generated in the fillet portion and suppressing the occurrence of fillet cracks. Moreover, when a fillet crack occurs, the core-shell rubber acts as a stress relaxation agent, and the progress of the fillet crack can be suppressed.

本明細書において、コアシェルゴムとは、互いに異なる組成のコア層と、それを覆う1つ以上のシェル層で構成される多層構造のゴム材料を指す。コアシェルゴムとして、コア層を柔軟性に優れた材料で構成し、シェル層をグリコールウリル化合物や、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂などに対する親和性に優れた材料で構成することにより、分散性を高めつつ、低弾性化を達成する。
コア層の構成材料としては、シリコーン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、シリコーン/アクリル系複合系エラストマーなどが挙げられる。
一方、シェル層の構成材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられ、アクリル樹脂が、グリコールウリル化合物や、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂などに対する親和性の観点から好適である。
In the present specification, the core-shell rubber refers to a rubber material having a multilayer structure composed of a core layer having a different composition and one or more shell layers covering the core layer. As core-shell rubber, the core layer is composed of a material with excellent flexibility, and the shell layer is composed of a material with excellent affinity for glycoluril compounds and epoxy resins excluding glycoluril compounds, thereby increasing dispersibility. While achieving low elasticity.
Examples of the constituent material of the core layer include silicone elastomers, butadiene elastomers, styrene elastomers, acrylic elastomers, polyolefin elastomers, and silicone / acrylic composite elastomers.
On the other hand, examples of the constituent material of the shell layer include an acrylic resin and an epoxy resin, and the acrylic resin is preferable from the viewpoint of affinity for a glycoluril compound and an epoxy resin excluding the glycoluril compound.

半導体封止用樹脂組成物をアンダーフィルとして使用する際の注入性を良好にし、硬化物のフィレットクラックの発生を抑えるためには、コアシェルゴムの平均粒径は50μm以下であることが好ましい。   In order to improve the injectability when using the resin composition for semiconductor encapsulation as an underfill and to suppress the occurrence of fillet cracks in the cured product, the average particle size of the core-shell rubber is preferably 50 μm or less.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、コアシェルゴムの使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂を合わせた重量(100重量部)に対して、0.1〜200重量部とすることが好ましい。   In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the amount of the core-shell rubber used is 0.1 to 200 with respect to the combined weight (100 parts by weight) of the glycoluril compound and the epoxy resin excluding the glycoluril compound. It is preferable to use parts by weight.

本発明の実施において使用する反応性希釈剤は、半導体封止用樹脂組成物の粘度を下げる目的で使用する。反応性希釈剤は分子内にエポキシ基を有することにより、硬化剤と反応して硬化物の一部となるものであり、各種のモノエポキシ化合物や多価アルコールのグリシジルエーテル化合物が、反応性希釈剤として従来使用されていた。しかしながら、硬化剤との反応に寄与する官能基(エポキシ基)が1分子中に1つのみの化合物を反応性希釈剤として使用した場合、硬化時に三次元的な架橋を形成することができないため、半導体封止用樹脂組成物の硬化物におけるガラス転移温度(Tg)や靱性が低下するという問題があった。
本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、反応性希釈剤として、1分子中に2つ以上のグリシジル基を含む化合物からなるものを使用することで、硬化時に三次元的に架橋を形成することができる。これにより、半導体封止用樹脂組成物の硬化物におけるガラス転移温度(Tg)や靱性の低下を抑制することができる。
The reactive diluent used in the practice of the present invention is used for the purpose of lowering the viscosity of the resin composition for semiconductor encapsulation. The reactive diluent has an epoxy group in the molecule, and reacts with the curing agent to become a part of the cured product. Various monoepoxy compounds and glycidyl ether compounds of polyhydric alcohols are reactive dilutions. Conventionally used as an agent. However, when a compound having only one functional group (epoxy group) that contributes to the reaction with the curing agent is used as a reactive diluent, three-dimensional crosslinking cannot be formed during curing. There has been a problem that the glass transition temperature (Tg) and toughness of the cured resin composition for semiconductor encapsulation are lowered.
In the resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention, a crosslink is formed three-dimensionally at the time of curing by using a reactive diluent comprising a compound containing two or more glycidyl groups in one molecule. can do. Thereby, the glass transition temperature (Tg) and toughness fall in the hardened | cured material of the resin composition for semiconductor sealing can be suppressed.

反応性希釈剤としては、1分子中に2つ以上のグリシジル基を有するポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルなどが好適である。   As the reactive diluent, polypropylene glycol diglycidyl ether having two or more glycidyl groups in one molecule is suitable.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、反応性希釈剤の使用量としては、グリコールウリル化合物と、グリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂を合わせた重量(100重量部)に対して、0.1〜200重量部とすることが好ましい。   In the semiconductor sealing resin composition of the present invention, the amount of the reactive diluent used is 0.1 with respect to the combined weight (100 parts by weight) of the glycoluril compound and the epoxy resin excluding the glycoluril compound. It is preferable to set it to -200 weight part.

本発明の半導体封止用樹脂組成物において、密着性を向上させるために、シランカップリング剤を配合してもよい。
シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、ビニル系、メタクリル系、アクリル系、メルカプト系などの各種シランカップリング剤が挙げられる。これらの中でも、エポキシ系シランカップリング剤は、半導体封止用樹脂組成物をアンダーフィルとして使用した際の、密着性および機械的強度を向上させる効果に優れることから好適である。
In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, a silane coupling agent may be blended in order to improve adhesion.
Examples of the silane coupling agent include various silane coupling agents such as epoxy, amino, vinyl, methacrylic, acrylic, and mercapto. Among these, the epoxy-based silane coupling agent is preferable because it is excellent in the effect of improving the adhesion and mechanical strength when the semiconductor sealing resin composition is used as an underfill.

エポキシ系シランカップリング剤としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(商品名:KBM−303、信越化学社製)、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン(商品名:KBM−402、信越化学社製)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(商品名:KBM−403、信越化学社製)、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、(商品名:KBE−402、信越化学社製)、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン(商品名:KBE−403、信越化学社製)などが挙げられる。   Examples of the epoxy-based silane coupling agent include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (trade name: KBM-303, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3-glycidyl Sidoxypropylmethyldimethoxysilane (trade name: KBM-402, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (trade name: KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3-glycidoxypropylmethyl Examples include diethoxysilane, (trade name: KBE-402, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 3-glycidoxypropyltriethoxysilane (trade name: KBE-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and the like.

シランカップリング剤を配合する場合は、半導体封止用樹脂組成物中、シランカップリング剤が0.01〜10重量%であることが好ましい。   When mix | blending a silane coupling agent, it is preferable that a silane coupling agent is 0.01 to 10 weight% in the resin composition for semiconductor sealing.

本発明の半導体封止用樹脂組成物には、消泡剤、イオントラップ剤、界面活性剤、表面改質剤、顔料、染料、その他着色剤などを、本発明の効果を損なわない範囲において配合することができる。   In the resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention, an antifoaming agent, an ion trapping agent, a surfactant, a surface modifier, a pigment, a dye, and other colorants are blended within a range not impairing the effects of the present invention. can do.

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、前述の各成分を所定量計り取って混合することにより、調製される。混合を行うために使用する装置としては、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサーなどが挙げられる。グリコールウリル化合物またはグリコールウリル化合物を除くエポキシ樹脂が固体の場合には、加熱などにより液状化ないし流動化させて混合することが好ましい。
各成分を同時に混合しても、一部の成分を先に混合し、残りの成分を後から混合するなど、適宜の混合方法を採用しても差支えない。
The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is prepared by measuring and mixing a predetermined amount of each of the above-mentioned components. Examples of the apparatus used for mixing include a likai machine, a pot mill, a three-roll mill, a rotary mixer, and a twin screw mixer. When the epoxy resin excluding the glycoluril compound or the glycoluril compound is solid, it is preferably mixed by liquefaction or fluidization by heating or the like.
Even if each component is mixed at the same time, an appropriate mixing method such as mixing some components first and mixing the remaining components later may be employed.

本発明の半導体封止用樹脂組成物の硬化は、100〜250℃/1秒〜30分間の条件で実施することが好ましい。   It is preferable to implement hardening of the resin composition for semiconductor sealing of this invention on the conditions of 100-250 degreeC / 1 second-30 minutes.

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、アンダーフィルとして好適に使用することができる。また、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、接着剤などの用途にも使用することができる。   The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention can be suitably used as an underfill. Moreover, the resin composition for semiconductor encapsulation of this invention can be used also for uses, such as an adhesive agent.

本発明を適用し得る電子部品は、アンダーフィルを使用し、基板と半導体素子との間のクリアランス(ギャップ)を封止したものである。ここで封止を行う電子部品としては、半導体素子、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、コンデンサなどが挙げられる。   An electronic component to which the present invention can be applied uses an underfill and seals a clearance (gap) between a substrate and a semiconductor element. Here, examples of the electronic component to be sealed include a semiconductor element, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and a capacitor.

以下、本発明を実施例および比較例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention concretely, this invention is not limited to these.

<樹脂組成物の調製>
エポキシ樹脂として、1,3,4,6−テトラグリシジルグリコールウリル(四国化成工業社製:TG−G)とビスフェノールF型エポキシ樹脂(新日鐵住金化学社製:YDF8170C)を表1に示す割合で使用した。また、硬化剤として4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン(日本化薬社製:カヤハードA−A)を50重量部、無機充填剤としてエポキシ表面処理シリカフィラー(アドマテックス社製:SE5200SEE、平均粒径2μm)を200重量部、硬化促進剤として2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製:2P4MHZ)を2重量部、コアシェルゴム(コア:シリコーンゴム、シェル:アクリル樹脂、平均粒径0.3μm)を10重量部、反応性希釈剤としてポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル(エポキシ当量:320、全塩素量:1000ppm)を20重量部、シランカップリング剤として3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製:KBM403)を2重量部配合した樹脂組成物を、ロールミルを用いて混錬し、実施例1〜3、比較例1の半導体封止用樹脂組成物を調製した。
<Preparation of resin composition>
The ratio shown in Table 1 is 1,3,4,6-tetraglycidylglycoluril (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd .: TG-G) and bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .: YDF8170C) Used in. In addition, 50 parts by weight of 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .: Kayahard AA) as a curing agent, and epoxy surface-treated silica filler (manufactured by Admatechs) as an inorganic filler : SE5200SEE, 200 parts by weight of average particle size 2 μm), 2 parts by weight of 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd .: 2P4MHZ) as a curing accelerator, core shell rubber (core: silicone) Rubber, shell: 10 parts by weight of acrylic resin, average particle size 0.3 μm), 20 parts by weight of polypropylene glycol diglycidyl ether (epoxy equivalent: 320, total chlorine: 1000 ppm) as reactive diluent, silane coupling agent 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KBM) The 2 parts by weight the blended resin composition 03), and kneaded with a roll mill, Examples 1-3 were prepared semiconductor sealing resin composition of Comparative Example 1.

<粘度>
前記の操作により得られた樹脂組成物について、ブルックフィールド粘度計を用いて、25℃/50rpmの条件にて、樹脂組成物の粘度を測定した。
<Viscosity>
About the resin composition obtained by the said operation, the viscosity of the resin composition was measured on 25 degreeC / 50rpm conditions using the Brookfield viscometer.

<ガラス転移温度>
前記の操作により得られた樹脂組成物を150℃/1時間加熱硬化し、得られた硬化物について、TMA法によりガラス転移温度(Tg)を測定した。なお、測定装置としてブルカーASX製TMA4000SAを用いた。
<Glass transition temperature>
The resin composition obtained by the above operation was heat-cured at 150 ° C./1 hour, and the glass transition temperature (Tg) of the obtained cured product was measured by the TMA method. In addition, Bruker ASX TMA4000SA was used as a measuring apparatus.

<耐吸湿リフロー性>
PHASE2E175(日立超LSIシステムズ社製)をフリップチップ実装させたJKIT TypeIII基板(日立超LSIシステムズ社製)(サイズ30mm×50mm×0.7mm、ダイサイズ10mm×10mm×0.7mm、PIパッシベーションダイ、Sn−3Ag−0.5Cuバンプ、バンプピッチ175μm)の間に、前記操作により得られた樹脂組成物を注入し、150℃/1時間加熱硬化させた後、抵抗値を測定した。次に、リフロー処理(260℃)を行った後、85℃/85%の条件で24時間放置した。その後、再びリフロー処理を3回行った後、抵抗値の測定および剥離状態の観察を行い、下記の基準で耐吸湿リフロー性の評価を行った。
○=リフロー処理の前後における抵抗値の変化率が±10%未満であり、且つ剥離の発生している面積の割合が1%未満である
×=リフロー処理の前後における抵抗値の変化率が±10%以上である、および/または剥離の発生している面積の割合が1%以上である
<Hygroscopic reflow resistance>
JKIT Type III substrate (manufactured by Hitachi ULSI Systems) (with a size of 30 mm × 50 mm × 0.7 mm, die size 10 mm × 10 mm × 0.7 mm, PI passivation die) on which PHASE2E175 (manufactured by Hitachi ULSI Systems) is flip-chip mounted. (Sn-3Ag-0.5Cu bump, bump pitch 175 μm), the resin composition obtained by the above operation was injected and cured by heating at 150 ° C./1 hour, and then the resistance value was measured. Next, after performing a reflow process (260 degreeC), it was left to stand on condition of 85 degreeC / 85% for 24 hours. Then, after performing the reflow process 3 times again, the resistance value was measured and the peeled state was observed, and the moisture absorption reflow resistance was evaluated according to the following criteria.
○ = Change rate of resistance value before and after reflow treatment is less than ± 10%, and ratio of area where peeling occurs is less than 1% × = Change rate of resistance value before and after reflow treatment is ± 10% or more and / or the ratio of the area where peeling occurs is 1% or more

<耐フィレットクラック性>
前記と同様の方法によって吸湿リフロー処理を行った基板を、125℃/30分間と−55℃/30分間の加熱/冷却を1000回実施した後、基板上のフィレットクラックを観察し、下記の基準で耐フィレットクラック性の評価を行った。
○=ダイ周辺長さに対するフィレットクラックのダイと水平方向長さの割合が30%未満
×=ダイ周辺長さに対するフィレットクラックのダイと水平方向長さの割合が30%以上
<Fillet crack resistance>
The substrate subjected to the moisture absorption reflow treatment by the same method as described above was subjected to heating / cooling at 125 ° C./30 minutes and −55 ° C./30 minutes 1000 times, and then the fillet cracks on the substrate were observed. The fillet crack resistance was evaluated.
○ = Ratio of fillet crack die and horizontal length to die peripheral length is less than 30% × = Ratio of fillet crack die and horizontal length to die peripheral length is 30% or more

Figure 2015117361
Figure 2015117361

Claims (3)

化学式(I)で示されるグリコールウリル化合物と硬化剤を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
Figure 2015117361
(式中、RおよびRは、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表し、R、RおよびRは、同一または異なって、水素原子またはグリシジル基を表す。)
A resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising a glycoluril compound represented by chemical formula (I) and a curing agent.
Figure 2015117361
(In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a phenyl group, and R 3 , R 4 and R 5 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a glycidyl group. .)
化学式(I)で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物。   The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, comprising an epoxy compound or an epoxy resin excluding the glycoluril compound represented by the chemical formula (I). 無機充填剤、硬化促進剤、コアシェルゴムおよび反応性希釈剤を含有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体封止用樹脂組成物。   The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2, comprising an inorganic filler, a curing accelerator, a core shell rubber, and a reactive diluent.
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