[go: up one dir, main page]

JP2015092360A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015092360A
JP2015092360A JP2014246387A JP2014246387A JP2015092360A JP 2015092360 A JP2015092360 A JP 2015092360A JP 2014246387 A JP2014246387 A JP 2014246387A JP 2014246387 A JP2014246387 A JP 2014246387A JP 2015092360 A JP2015092360 A JP 2015092360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display
display panel
liquid crystal
screen
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2014246387A
Other languages
English (en)
Inventor
輝 田村
Teru Tamura
輝 田村
黒川　義元
Yoshimoto Kurokawa
義元 黒川
池田　隆之
Takayuki Ikeda
隆之 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2014246387A priority Critical patent/JP2015092360A/ja
Publication of JP2015092360A publication Critical patent/JP2015092360A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32—Means for saving power
    • G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32—Means for saving power
    • G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234—Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/325—Power saving in peripheral device
    • G06F1/3265—Power saving in display device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/02—Input arrangements using manually operated switches, e.g. using keyboards or dials
    • G06F3/0202—Constructional details or processes of manufacture of the input device
    • G06F3/0219—Special purpose keyboards
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/048—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI]
    • G06F3/0487—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser
    • G06F3/0488—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using a touch-screen or digitiser, e.g. input of commands through traced gestures
    • G06F3/04886—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using a touch-screen or digitiser, e.g. input of commands through traced gestures by partitioning the display area of the touch-screen or the surface of the digitising tablet into independently controllable areas, e.g. virtual keyboards or menus
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/04—Partial updating of the display screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G09G2330/022—Power management, e.g. power saving in absence of operation, e.g. no data being entered during a predetermined time
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2340/00—Aspects of display data processing
    • G09G2340/04—Changes in size, position or resolution of an image
    • G09G2340/0407—Resolution change, inclusive of the use of different resolutions for different screen areas
    • G09G2340/0435—Change or adaptation of the frame rate of the video stream
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2354/00—Aspects of interface with display user
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • User Interface Of Digital Computer (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Input From Keyboards Or The Like (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

【課題】使用者が操作、或いは自動で、一つの表示画面で動画モードと、省電力である静
止画モードを切り換えられる表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】使用者によるタッチ入力を検出するフォトセンサを有する表示パネルと、そ
の表示画面の一部にキーボード表示を行い、そのキーボード表示の静止画領域への電力制
御を行うプログラム（アプリケーションプログラム）を格納した記憶媒体を有する。静止
画領域への電力制御を行うプログラムにより省電力化を図ることができる。
【選択図】図１

Description

トランジスタで構成された回路を有する電子機器および電子システムに関する。例えば
、液晶表示パネルに代表される電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
近年、電子書籍等の表示装置の開発が活発に進められている。特に、メモリ性を有する
表示素子を用いて、画像を表示する技術は、消費電力の削減に大きく貢献するため、活発
に開発が進められている（特許文献１）。
また、タッチセンサを搭載した表示装置が注目されている。タッチセンサを搭載した表示
装置は、タッチパネル又はタッチスクリーンなどと呼ばれている（以下、これを単に「タ
ッチパネル」とも呼ぶ）。また、光方式のタッチセンサを搭載した表示装置が、特許文献
２に開示されている。
特開２００６−２６７９８２号公報 特開２００１−２９２２７６号公報
使用者が、表示装置の画面に直接触れる、または間接的に触れる、または触れることなく
指をかざして画面に影をつくることにより情報を入力でき、その入力情報を利用すること
ができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
使用者が操作、或いは自動で、一つの表示画面で動画モードと、省電力である静止画モー
ドを切り換えられる表示装置を提供することも課題の一つとする。
使用者が手で操作しやすく、且つ、低消費電力を実現することができる電子システムを提
供することも課題の一つとする。
使用者は、画面上に表示されるキーボードを視覚的に認識し、それに対応する画面上の入
力位置に指などで触れることで入力操作を行う。なお、キーボードの表示に限定されず、
アイコンやキーエリアを表示する際に、静止画表示を行う。
本明細書で開示する表示装置は、使用者によるタッチ入力操作を検出するフォトセンサを
画素部に有する表示パネルと、記憶媒体を有する。表示パネルは、その表示画面の一部に
キーボード表示を行う。また、記憶媒体は、そのキーボード表示の静止画領域への電力制
御を行うプログラム（アプリケーションプログラム）を格納する。
表示装置において１つの画面のうち、動画表示領域や静止画表示領域などの領域ごとに電
力制御するためのタッチ入力機能や、表示の切り替えのための制御プログラムを格納した
記憶媒体を有する。
ある表示領域の電気信号の供給を抑制して静止画を表示し、他の表示領域に動画を表示す
る。静止画領域への電力制御を行うプログラムにより省電力化を図ることができる。この
機能を実現する際に、静止画表示間は表示制御回路を非動作とする為、表示が薄くなる（
あるいはコントラストが低下する）ことが問題となる。画素部、もしくは表示制御回路、
センサ制御回路で酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、静止画を書
き込んだ後に表示制御回路を非動作とする期間を設けても、表示画質を保持することがで
きる。
例えば、画面にタッチ入力ボタンなどの操作ボタン（或いはキーボード）を表示する領域
は、プログラムにより表示の書き換えを最小限にとどめて静止画とし、その他の部分は、
動画表示を行う。
また、一定期間、画面にタッチ入力がなされない場合には、キーボードの表示を消し、画
面全体に静止画を表示する。静止画を表示する場合には、プログラムにより表示の書き換
えを最小限にとどめることができ、省電力化を実現できる。
また、表示パネルの表示画面に第１の画面が表示されているときに、所定のタッチ入力が
なされると、入力された情報を含む第２の画面を表示画面に表示することができる。
また、タッチ入力に限定されず、表示画面に触れることなく指をかざして画面に影をつく
ることにより情報を入力することができ、その構成は、表示画面に触れることなく指をか
ざして画面に影をつくることにより、情報を入力するフォトセンサを有する画素部を備え
た表示パネルと、フォトセンサの検出に応じて、表示画面の一部にキーボード表示を表示
させる表示制御回路と、キーボード表示の静止画領域への電力制御を行うプログラムを格
納した記憶媒体とを有する表示装置である。
また、上記表示パネルはフォトセンサを画素部に有していれば、特に限定されず、透過型
の液晶表示装置や、反射型の液晶表示装置を用いることができる。
使用者が、表示装置の画面に直接触れる、または間接的に触れる、または触れることなく
指をかざして画面に影をつくることにより情報を入力でき、その入力情報を利用して省電
力化を図ることのできる新規の電子機器を提供できる。
使用者が操作、或いは自動で、一つの表示画面で動画モードと、省電力である静止画モー
ドを切り換えられる表示装置を実現できる。
画素部、もしくは表示制御回路、センサ制御回路で酸化物半導体層を有するトランジスタ
を用いることにより、静止画を書き込んだ後に表示制御回路を非動作とする期間を設けて
も、表示画質を保持することができる。表示制御回路を非動作とする期間を長く設けるほ
ど、消費電力の節約が出来る。
本発明の一態様を示すブロック図の一例である。 本発明の一態様を示す表示画面の一例である。 本発明の一態様を示す表示画面の一例である。 本発明の一態様を示す表示画面の一例である。 本発明の一態様を示す画素断面図の一例である。 本発明の一態様を示す反射電極層とブラックマトリクスの位置関係を示す平面図の一例である。 本発明の一態様を示す画素断面図の一例である。 本発明の一態様を示す液晶表示モジュールの模式図である。 本発明の一形態である電子機器の外観を示す図。 本発明の一形態である電子機器の外観を示す図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態では、反射型の表示装置を一例に表示パネルの画面に直接触れる、または間
接的に触れる、または触れることなく指をかざして画面に影をつくることによりタッチ入
力操作を行って、画面にキーボードを表示し、さらにそのキーボードの所望のキー表示領
域に直接触れる、または間接的に触れる、または触れることなく指をかざして画面に影を
つくることにより情報を入力する処理について説明する。
なお、バックライトを有する透過型の表示装置の場合には、表示パネルの画面に直接触れ
る、または間接的に触れる、または触れることなく指をかざして画面に明るい部分、即ち
、バックライトが指に反射してできる明るい部分を検出することにより入力操作を行う。
まず、表示パネルを有する電子機器の電源ボタンなどを押して、電子機器を起動させる。
電子機器には、少なくとも表示パネルを駆動する駆動回路と、表示パネルの画素部に設け
られたフォトセンサを駆動する検出回路と、様々なデータを保存、またはプログラムを格
納する記憶媒体とを有する。
電子機器を起動させた段階では、メニュー画面や、映像信号を受信して表示されるテレビ
映像や、予め記憶媒体に格納された書籍文書データなどが表示パネルの画面に表示される
。
静止画であるメニュー画面や、記憶媒体に格納された書籍文書データを静止画として表示
している場合、静止画であることを識別し、自動で省電力モードに切り換えるプログラム
を起動させ、表示の書き換えを最小限にするように表示パネルを駆動する。また、一画面
に動画と静止画が混在している場合、動画表示領域と、静止画表示領域とに分類し、自動
で静止画表示領域のみを省電力モードに切り換えるプログラムを起動させ、静止画表示領
域における表示の書き換えを最小限にするように表示パネルを駆動する。
フォトセンサを駆動する検出回路は、画面が表示されているときに、所定のタッチ入力の
有無を一定時間の間隔で監視する。
使用者がタッチ入力操作として指で画面に触れる、または間接的に触れる、または触れる
ことなく指をかざして画面に影をつくると、フォトセンサを駆動する検出回路が、画面上
における指の位置を検知する。
以下、図１のブロック図を参照しながら、動作を制御する構成について説明する。図１は
表示装置の概略構成を示すブロック図である。
表示パネル１０１に入力されたタッチ入力情報は、記憶媒体に格納されたアプリケーショ
ンプログラム１０３によってキーボード表示の起動情報と比較されて、表示制御回路１０
２に通知される。そして、そのキーボード表示の起動情報に基づき、画面の一部にキーボ
ード表示が実行される。この段階での表示パネルの表示画面の一例を図２に示す。
図２には、画面の一部に、キーボードボタン１２や画面スクロールボタン１３を含む操作
ボタン群１１が表示されている。
なお、操作ボタン群１１は、静止画であるため、静止画であることを識別し、自動で省電
力モードに切り換えるプログラムを起動させ、表示の書き換えを最小限にすることができ
る。
例えば、操作ボタン群１１を表示させるプログラムは操作ボタン群１１の表示領域の値を
持っているため、その値を用いて表示制御回路の非動作期間を切り替える。ボタン操作の
結果が反映される領域は表示制御回路を動作させ、表示を定期的に書き換える。操作ボタ
ン領域は表示制御回路の非動作期間を設けることで、省電力モードとなる。
さらに、一定時間を空けることなく、２回目のタッチ入力操作として、キーボードボタン
１２を指で触れる、または間接的に触れる、または触れることなく指をかざして画面に影
をつくると、図３に示すようにキーボード表示を切り替えることができる。
図３には、画面の一部に、画面スクロールボタンに加えて、さらに英字などのキーボード
ボタンや、テンキー切り換えボタン２２を含む操作ボタン群２１が表示されている。勿論
、英字などのキーボードボタンをタッチ入力すれば、画面の一部に入力情報である英字な
どを表示することもできる。
なお、操作ボタン群２１は、静止画であるため、静止画であることを識別し、自動で省電
力モードに切り換えるプログラムを起動させ、表示の書き換えを最小限にすることができ
る。
さらに、一定時間を空けることなく、３回目のタッチ入力操作として、テンキー切り換え
ボタン２２を指で触れる、または間接的に触れる、または触れることなく指をかざして画
面に影をつくると、図４に示すようにキーボード表示を切り替えることができる。
図４には、画面の一部に、画面スクロールボタンに加えて、さらに数字や記号などのキー
ボードボタンや、英字切り換えボタン３２を含む操作ボタン群３１が表示されている。勿
論、数字や記号などのキーボードボタンをタッチ入力すれば、画面の一部に入力情報であ
る数字や記号を表示することもできる。
なお、操作ボタン群３１は、静止画であるため、静止画であることを識別し、自動で省電
力モードに切り換えるプログラムを起動させ、表示の書き換えを最小限にすることができ
る。
また、一定期間、画面にタッチ入力がなされない場合には、キーボードの表示を消し、画
面全体に静止画を表示する。静止画を表示する場合には、プログラムにより表示の書き換
えを最小限にとどめることができ、省電力化を実現できる。
このように、使用者が操作、或いは自動で、一つの表示画面で動画モードと、省電力であ
る静止画モードを切り換えられる表示装置を実現できる。
また、使用者がタッチ入力操作として画面上で指を動かしスライドさせることで表示その
ものをスライドさせることもできる。また、１本の指だけでなく２本以上の指を用いての
マルチタッチ入力操作も可能である。例えば、２本の指を用いて画面上で２本の指の間隔
を近づけるようにすることで、表示の縮小を電子機器に指示することもできる。また、２
本の指を用いて画面上で２本の指の間隔を遠ざけるようにすることで、表示の拡大を電子
機器に指示することもできる。
（実施の形態２）
液晶パネルとしては、画素部にフォトセンサを有する透過型の液晶パネルや、画素部にフ
ォトセンサを有する反射型の液晶パネルなどを用いることができる。
画素部にフォトセンサを有する反射型の液晶パネルの画素構成の一例について以下に説明
する。
同一基板上にフォトセンサとトランジスタを形成したアクティブマトリクス基板の断面構
造を図５に示す。
また、図６に上面図を示し、図６中の鎖線Ａ−Ｂで切断した断面図、及び鎖線Ｃ−Ｄで切
断した断面図が図５にそれぞれ対応している。
まず、基板２３０上に導電膜を形成した後、１枚目の露光マスクを用いる第１のフォトリ
ソグラフィ工程により、ゲート信号線２１３、２２７、容量配線２２４、フォトダイオー
ドリセット信号線２０８、読み出し信号線、フォトセンサ基準信号線を形成する。本実施
の形態では基板２３０としてガラス基板を用いる。
下地膜となる絶縁膜を基板２３０と導電膜との間に設けてもよい。下地膜は、基板２３０
からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化
酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造に
より形成することができる。
また、導電膜は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネ
オジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層構
造で又は積層構造として形成することができる。
次いで、これらの配線を覆う絶縁層を形成し、２枚目の露光マスクを用いる第２のフォト
リソグラフィ工程により、後に形成される配線と交差する部分にのみ絶縁層２３１を残し
て選択的にエッチングを行う。本実施の形態では、絶縁層２３１は膜厚６００ｎｍの酸化
窒化珪素膜を用いる。
次いで、ゲート絶縁層２３２及び酸化物半導体膜を形成し、３枚目の露光マスクを用いる
第３のフォトリソグラフィ工程により、ゲート絶縁層２３２を介してゲート信号線２２７
及び読み出し信号線とそれぞれ重なる第１の酸化物半導体層２３３、第２の酸化物半導体
層、第３の酸化物半導体層、及び第４の酸化物半導体層を形成する。本実施の形態では、
ゲート絶縁層２３２として膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を用い、酸化物半導体膜とし
て膜厚３０ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いる。
また、第１の酸化物半導体層２３３、第２の酸化物半導体層、第３の酸化物半導体層、及
び第４の酸化物半導体層は、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される酸化
物薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた
一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、
またはＧａ及びＣｏなどがある。また、上記酸化物薄膜にＳｉＯ２を含んでもよい。
また、酸化物薄膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組
成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の酸化物ター
ゲットを用い、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組
成に限定されず、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］
の酸化物ターゲットを用いてもよい。なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜と
は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物膜、という意
味であり、その化学量論比はとくに問わない。
次いで、酸化物半導体層に第１の加熱処理を行う。この第１の加熱処理によって酸化物半
導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第１の加熱処理の温度は、４００℃
以上７５０℃以下、または４００℃以上基板の歪み点未満とする。本実施の形態では、Ｒ
ＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用い、窒素雰囲気下で６５０
℃、６分の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、加熱処理装置の一つである電気
炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃において１時間の加熱
処理を行った後、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。
次いで、４枚目の露光マスクを用いる第４のフォトリソグラフィ工程により、ゲート絶縁
層２３２を選択的に除去して、ゲート信号線２１３に達する開口と、フォトダイオードリ
セット信号線２０８に達する開口を形成する。
次いで、ゲート絶縁層２３２、及び酸化物半導体層上に、導電膜を形成する。導電膜とし
ては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を成分とする
金属膜、または上述した元素の窒化物を成分とする合金膜か、上述した元素を組み合わせ
た合金膜等を用いることができる。本実施の形態において、導電膜は、膜厚１００ｎｍの
Ｔｉ膜と、膜厚４００ｎｍのＡｌ膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜との三層構造とする。そ
して、５枚目の露光マスクを用いる第５のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジ
ストマスクを形成し、選択的にエッチングを行って、ビデオデータ信号線２１０、フォト
センサ出力信号線、電極層２３４、２３５、２３６を形成する。
なお、図５に示すように、第１の酸化物半導体層２３３を有し、電極層２３４をソース電
極層またはドレイン電極層とするトランジスタが形成される。また、図５に示すように、
電極層２３４は、ゲート絶縁層２３２を誘電体とし、容量配線２２４と保持容量２２２を
形成する。
次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第２の加熱処理（好ましくは２
００℃以上４００℃以下、例えば２５０℃以上３５０℃以下）を行う。本実施の形態では
、窒素雰囲気下で３００℃、１時間の第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理を行うと、
酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）が絶縁層と接した状態で加熱される。
次いで保護絶縁層となる絶縁層２３７を形成し、６枚目の露光マスクを用いる第６のフォ
トリソグラフィ工程により、電極層２３５に達する開口、電極層２３４に達する開口、電
極層２３６に達する開口を形成する。本実施の形態において、絶縁層２３７は、スパッタ
法により得られる膜厚３００ｎｍの酸化シリコン膜を用いる。
次いで、プラズマＣＶＤ法により、ｐ層２３８、ｉ層２３９、及びｎ層２４０を積層成膜
する。本実施の形態では、ｐ層２３８として膜厚６０ｎｍのボロンを含む微結晶シリコン
膜を用い、ｉ層２３９として膜厚４００ｎｍのアモルファスシリコン膜を用い、ｎ層２４
０として膜厚８０ｎｍのリンを含む微結晶シリコン膜を用いる。そして、７枚目の露光マ
スクを用いる第７のフォトリソグラフィ工程により、ｐ層２３８、ｉ層２３９、及びｎ層
２４０を選択的にエッチングした後、さらにｎ層２４０の周縁部及びｉ層２３９の一部を
選択的に除去する。
次いで、感光性有機樹脂層を形成し、８枚目の露光マスクで開口となる領域を露光し、９
枚目の露光マスクで凹凸となる領域を露光し、現像して部分的に凹凸を有する絶縁層２４
１を形成する第８のフォトリソグラフィ工程を行う。本実施の形態では、感光性有機樹脂
層として、アクリル樹脂を用い、膜厚を１．５μｍとする。
次いで、反射性を有する導電膜を成膜し、１０枚目の露光マスクを用いる第９のフォトリ
ソグラフィ工程により反射電極層２４２、接続電極層２４３を形成する。反射性を有する
導電膜としてはＡｌ、Ａｇ、またはこれらの合金、例えばＮｄを含むアルミニウム、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｃｕ合金等を用いる。本実施の形態において、反射性を有する導電膜は、膜厚１
００ｎｍのＴｉ膜とその上に設けた膜厚３００ｎｍのＡｌ膜の積層を用いる。そして、第
９のフォトリソグラフィ工程後に第３の加熱処理、本実施の形態では、窒素雰囲気下２５
０℃、１時間を行う。
以上の工程により、同一基板上に反射電極層２４２と電気的に接続するトランジスタと、
ゲート信号線２１３と接続電極層２４３を介して電気的に接続するフォトダイオードとを
合計１０枚の露光マスクを用い、９回のフォトリソグラフィ工程によって作製することが
できる。
本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、カラーフィルタを設け、フルカラー表示が可能な液晶表示モジュール
とする一例を示す。
図８に液晶表示モジュール１９０の構成を示す。液晶表示モジュール１９０は液晶素子が
マトリクス状に設けられた表示パネル１２０と、表示パネル１２０と重なる偏光板及びカ
ラーフィルタ１１５を有する。また、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリント
サーキット）１１６ａ、１１６ｂは表示パネル１２０に設けた端子部と電気的に接続され
ている。表示パネル１２０は、実施の形態１の表示パネル１０１と同様の構成を有する。
ただし、フルカラー表示とする場合であるため、赤色表示素子、緑色表示素子、青色表示
素子の３つの表示素子を用い、それぞれに異なる映像信号を供給する回路構成とする。
また、図８には、外光１３９が表示パネル１２０上の液晶層を透過して反射電極で反射さ
れる様子を模式的に示してある。例えば、カラーフィルタの赤色領域と重なる画素におい
ては、外光１３９がカラーフィルタ１１５を通過した後、液晶層を通過し、反射電極で反
射され、再びカラーフィルタ１１５を通過して赤色光として取り出される。図８には、３
色の光１３５が矢印（Ｒ、Ｇ、及びＢ）で模式的に示してある。液晶素子を透過する光の
強度は、画像信号により変調されるため、観察者は外光１３９の反射光によって、映像を
捉えることができる。
また、表示パネル１２０の画素部は複数のフォトセンサを有しており、タッチ入力機能を
備えている。フォトセンサの受光領域にもカラーフィルタを重ねることにより可視光セン
サとして機能させることもできる。また、フォトセンサの光の感度を向上させるためには
、入射光を多く取り入れるため、フォトセンサの受光領域と重なる領域にはカラーフィル
タに開口を設け、フォトセンサの受光領域とカラーフィルタが重ならない構成としてもよ
い。
本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、ガラス基板上にトランジスタ及びフォトセンサを形成した後、フレキ
シブルな基板上にそのトランジスタ及びフォトセンサを搭載する例を示す。なお、ここで
はトランジスタの断面工程図を図７に示し、実施の形態２と共通する工程およびフォトダ
イオードなどの構造の詳細な説明は省略し、図５と同じ箇所には同じ符号を用いて説明す
る。
まず、基板２３０上に剥離層２６０をスパッタ法により成膜し、その上に下地膜として機
能する酸化物絶縁膜２６１を形成する。なお、基板２３０は、ガラス基板、石英基板など
を用いる。また、酸化物絶縁膜２６１は、ＰＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（Ｓ
ｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の材料を用いて形成する。
また、剥離層２６０は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができ
る。金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タン
タル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（
Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、
オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または当該元素を主成分と
する合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層構造または積層構造として形成する。
例えば、金属膜としてスパッタ法やＣＶＤ法等によりタングステン膜を設けた場合、タン
グステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステン酸化
物からなる金属酸化膜を形成することができる。他にも、例えば、金属膜（例えば、タン
グステン）を形成した後に、当該金属膜上にスパッタ法で酸化珪素等の絶縁膜を設けると
共に、金属膜上に金属酸化物（例えば、タングステン上にタングステン酸化物）を形成し
てもよい。また、プラズマ処理として、例えば高密度プラズマ装置を用いた高密度プラズ
マ処理を行ってもよい。また、金属酸化膜の他にも、金属窒化物膜や金属酸化窒化物膜を
用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸素雰囲気下でプラズマ処
理や加熱処理を行えばよい。
次いで、酸化物絶縁膜２６１上に導電膜を形成した後、実施の形態２と同様に、１枚目の
露光マスクを用いる第１のフォトリソグラフィ工程により、ゲート信号線２２７、容量配
線２２４、フォトダイオードリセット信号線、読み出し信号線、フォトセンサ基準信号線
を形成する。
以降の工程は、実施の形態２に従って、トランジスタ及び反射電極層２４２を形成する。
そして、反射電極層２４２を水溶性の樹脂層２６２で覆う。この段階での断面図を図７（
Ａ）に示す。なお、図７（Ａ）では簡略化のため、反射電極層２４２の周辺の断面構造を
示し、同一基板上に形成されているフォトダイオードは図示しない。
次いで、水溶性の樹脂層２６２を支持基板などに固定した後、剥離層へのレーザ光の照射
などにより開口を形成し、基板２３０からトランジスタを含む層を剥離する。この段階で
の断面図を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）に示すように、基板２３０に形成された剥離層
２６０と酸化物絶縁膜２６１の界面で分離する。
次いで、図７（Ｃ）に示すように、トランジスタを含む層の剥離により露出した面に、フ
レキシブルな基板２６４を接着層２６３で貼り合わせる。フレキシブルな基板２６４とし
ては、プラスチックフィルムを用いることができる。また、本実施の形態では、反射型の
液晶表示装置であるため、フレキシブルな基板２６４として薄いステンレス基板を用いる
ことができる。
次いで、水溶性の樹脂層２６２を除去した後、配向膜２４４を形成する。そして、対向電
極２６７を有する対向基板２６８とフレキシブルな基板２６４とをシール材を用いて貼り
合わせる。なお、貼り合わせる前に、対向基板２６８にも対向電極２６７を覆う配向膜２
６６を形成する。液晶滴下法を用いる場合には、閉ループのシール材に囲まれた領域に液
晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う。こうして一対の基板とシール材で
囲まれた領域に液晶層２６５を充填する。
液晶層２６５としては、特に限定されず、公知の液晶材料（代表的には、ネマチック液晶
材料やコレステリック液晶材料）を用いれば良い。中でも高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ（
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、高分子分散液
晶、ポリマー分散型液晶ともいう）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙ
ｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ））を液晶層に用いると、液晶
による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行うことができる。ＰＤＬＣやＰＮＬＣ
を液晶層に用いると、偏光板を必要とせず、紙面に近い表示が実現でき、使用者の目に優
しく、疲労感を低減させることができる。
対向基板２６８は、透光性が高く、リタデーションの少ないプラスチックフィルムを用い
ることで、フレキシブルな液晶パネルを作製することができる。
また、上述したフレキシブルな液晶パネルの作製例は一例にすぎず、例えば、基板２３０
及び対向基板２６８として用いるガラス基板をトランジスタ作製後に研磨などにより薄く
加工することでフレキシブルな液晶パネルを作製してもよい。研磨により薄くする場合は
、液晶層を充填した後で、基板２３０及び対向基板２６８の両方を研磨して薄くする。
また、本実施の形態では、対向基板に対向電極を設け、トランジスタが設けられている基
板に形成された反射電極層との間の液晶層に電界を印加する液晶パネルの例を示したが、
トランジスタが設けられている基板に画素電極層と共通電極の両方を設け、基板主表面に
対して水平方向の電界を液晶層に印加する横電界方式（ＩＰＳとも呼ぶ）の透過型液晶表
示パネルとしてもよい。
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いて透過型液晶パネルを形成してもよい
。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリッ
ク相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現
しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成
物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応
答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角
依存性が小さい。
また、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）
モードを採用した透過型液晶パネルに応用することもできる。ＯＣＢモードは、一対の基
板間の液晶層をベンド配向とよばれる状態とすることで液晶層の応答速度を向上させるも
のである。液晶層に接する第１の配向膜のプレチルト角と、液晶層に接する第２の配向膜
のプレチルト角を制御してベンド配向とする。なお、このＯＣＢモードは、液晶層を初期
のスプレイ配向からベンド配向とよばれる状態に転移させる必要がある。
また、垂直配向モードを採用した透過型液晶パネルに応用することもできる。垂直配向モ
ードを採用した透過型液晶パネルにおいて、１画素を複数のサブピクセルとし、各サブピ
クセルの中央に位置する対向基板に凸部を設けることで、１画素を配向分割（マルチドメ
イン化）し、広視野角を実現する駆動方法としてもよい。この駆動方法はサブピクセル駆
動と呼ばれる。
また、液晶材料として負の誘電率異方性を有するネマチック液晶材料を用い、配向膜とし
て垂直配向膜を用いる液晶パネルを形成してもよい。この垂直配向膜を用いる方法は、電
圧制御複屈折（ＥＣＢとも呼ぶ）方式の一つであり、液晶分子の複屈折性を利用して透過
率を制御するものである。
本実施の形態は、実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み合わせ
ることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の
例について説明する。
実施の形態２乃至４のいずれか一に示す工程により作製される液晶表示装置は、さまざま
な電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレ
ビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモ
ニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（
携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パ
チンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
図９（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置９６０１は、筐
体に表示パネル９６０３が組み込まれている。表示パネル９６０３により、映像を表示す
ることが可能である。また、ここでは、壁９６００に固定して筐体の裏側を支持した構成
を示している。
テレビジョン装置９６０１の操作は、実施の形態１に示したように、表示パネルの画素部
に設けたフォトセンサによるタッチ入力により表示パネル９６０３に表示される映像を操
作することができる。また、表示パネル９６０３にキーボードを表示して情報データを入
力することもできる。
また、筐体が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９６１０により行うことがで
きる。リモコン操作機９６１０が備える操作キー９６０９により、チャンネルや音量の操
作を行うことができ、表示パネル９６０３に表示される映像を操作することができる。ま
た、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作機９６１０から出力する情報を表示す
る表示パネル９６０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置９６０１は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
タッチ入力機能を有する表示パネル９６０３は、一方向または双方向の情報通信を行うの
に適している。
図９（Ｂ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成され
ており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示パネ
ル９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示パネル９８８３が組み込まれている。表
示パネル９８８２の画素部や表示パネル９８８３の画素部にはフォトセンサが設けられ、
タッチ入力機能を有している。また、図９（Ｂ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピー
カ部９８８４、記録媒体挿入部９８８６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９
８８５、接続端子９８８７、センサ９８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、
回転数、距離、光、音声、傾度、振動、または赤外線を測定する機能を含むもの）、マイ
クロフォン９８８９）等を備えている。図９（Ｂ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記
録されているプログラム又はデータを読み出して表示パネルに表示する機能や、他の携帯
型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。
図１０（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機１０００は、筐体１００１
に組み込まれた表示パネル１００２の他、操作ボタン１００３、外部接続ポート１００４
、スピーカ１００５、マイク１００６などを備えている。
図１０（Ａ）に示す携帯電話機１０００は、実施の形態１に示したように、フォトセンサ
を有する画素部を備えた表示パネル１００２を指などで触れることで、情報を入力するこ
とができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示パネル１００
２を指などで触れることにより行うことができる。
また、携帯電話機１０００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機１０００の向き（縦か横か）を判断して、表
示パネル１００２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示パネル１００２を触れること、又は筐体１００１の
操作ボタン１００３の操作により行われる。また、表示パネル１００２に表示される画像
の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示パネルに表示する画像
信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替え
る。
また、入力モードにおいて、表示パネル１００２の画素部に設けられたフォトセンサで検
出される信号を検知し、表示パネル１００２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合
には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
図１０（Ｂ）は、電子書籍の一例を示す斜視図である。図１０（Ｂ）に示す電子書籍は、
複数の表示パネルを有する。第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の間
に、両面表示型の第３の表示パネル４３１３を搭載し、電子書籍を見開きにした状態であ
る。
図１０（Ｂ）に示す電子書籍は、表示パネル４３０１を有する第１の表示パネル４３１１
と、操作部４３０４及び表示パネル４３０７を有する第２の表示パネル４３１２と、表示
パネル４３０２及び表示パネル４３１０を有する第３の表示パネル４３１３と、第１の表
示パネル４３１１と、第２の表示パネル４３１２と、第３の表示パネル４３１３との一端
部に設けられた綴じ部４３０８と、を有している。第３の表示パネル４３１３は、第１の
表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の間に挿入されている。図１０（Ｂ）の
電子書籍は表示パネル４３０１、表示パネル４３０７、表示パネル４３０２、及び表示パ
ネル４３１０の４つの表示画面を有している。
第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２、及び第３の表示パネル４３１３
は可撓性を有しており、曲がりやすい。これらのパネルの作製方法は、実施の形態４に従
って作製することができる。
第３の表示パネル４３１３は表示パネル４３０２及び表示パネル４３１０を有する両面表
示型パネルである。第３の表示パネル４３１３は、間にバックライト（好適には薄型のＥ
Ｌ発光パネル）を挟んだ２つの液晶表示パネルを用いる。また、３つの表示パネルのうち
、少なくとも一つの表示パネルをフルカラー表示させ、ほかの表示パネルをモノクロ表示
の表示パネルとしてもよい。
また図１０（Ｂ）に示す電子書籍において、第２の表示パネル４３１２は、操作部４３０
４を有し、電源入力スイッチや、表示切り替えスイッチなど、各機能を対応づけることが
できる。
また図１０（Ｂ）に示す電子書籍の入力操作は、画素部にフォトセンサを有する表示パネ
ル４３０１や、画素部にフォトセンサを有する表示パネル４３０７に指や入力ペンなどで
触れること、又は操作部４３０４の操作により行われる。なお、図１０（Ｂ）では、表示
パネル４３０７に表示された表示ボタン４３０９を図示しており、指などで触れることに
より入力を行うことができる。
１１：操作ボタン群
１２：キーボードボタン
１３：画面スクロールボタン
２１：操作ボタン群
２２：テンキー切り換えボタン
３１：操作ボタン群
３２：英字切り換えボタン
１００ 表示パネル
１０１：表示パネル
１０２：表示制御回路
１０３：アプリケーションプログラム
１１５ カラーフィルタ
１１６ａ、１１６ｂ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１２０ 表示パネル
１３５ 光
１３９ 外光
１９０ 液晶表示モジュール
２０７ ゲート信号線
２０８ フォトダイオードリセット信号線
２１０ ビデオデータ信号線
２１３ ゲート信号線
２２２ 保持容量
２２４ 容量配線
２２７ ゲート信号線
２３０ 基板
２３１ 絶縁層
２３２ ゲート絶縁層
２３３ 酸化物半導体層
２３４ 電極層
２３５ 電極層
２３６ 電極層
２３７ 絶縁層
２３８ ｐ層
２３９ ｉ層
２４０ ｎ層
２４１ 絶縁層
２４２ 反射電極層
２４３ 接続電極層
２４４ 配向膜
２６０ 剥離層
２６１ 酸化物絶縁膜
２６２ 樹脂層
２６３ 接着層
２６４ 基板
２６５ 液晶層
２６６ 配向膜
２６７ 対向電極
２６８ 対向基板
１０００ 携帯電話機
１００１ 筐体
１００２ 表示パネル
１００３ 操作ボタン
１００４ 外部接続ポート
１００５ スピーカ
１００６ マイク
４３０１ 表示パネル
４３０２ 表示パネル
４３０４ 操作部
４３０７ 表示パネル
４３０８ 綴じ部
４３０９ 表示ボタン
４３１０ 表示パネル
４３１１ 表示パネル
４３１２ 表示パネル
４３１３ 表示パネル
９６００ 壁
９６０１ テレビジョン装置
９６０３ 表示パネル
９６０７ 表示パネル
９６０９ 操作キー
９６１０ リモコン操作機
９７０３ 表示パネル
９８８１ 筐体
９８８２ 表示パネル
９８８３ 表示パネル
９８８４ スピーカ部
９８８５ 入力手段（操作キー
９８８６ 記録媒体挿入部
９８８７ 接続端子
９８８８ センサ
９８８９ マイクロフォン
９８９０ ＬＥＤランプ
９８９１ 筐体
９８９３ 連結部

Claims (1)

  1. 表示制御回路と、表示画面と、を有し、
    タッチセンサの第１の検出に応じて、前記表示画面の一部に第１の操作ボタン群を表示させ、
    前記タッチセンサの第２の検出に応じて、前記表示画面の一部に第２の操作ボタン群を表示させ、
    前記表示制御回路は、前記第１の操作ボタン群が表示された領域及び前記第２の操作ボタン群が表示された領域への電気信号の供給を抑制し、
    前記第１の操作ボタン群が表示された領域の大きさは、前記第２の操作ボタン群が表示された領域の大きさとは異なり、
    前記表示制御回路は、酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
JP2014246387A 2010-03-08 2014-12-05 表示装置 Withdrawn JP2015092360A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014246387A JP2015092360A (ja) 2010-03-08 2014-12-05 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010050941 2010-03-08
JP2010050941 2010-03-08
JP2014246387A JP2015092360A (ja) 2010-03-08 2014-12-05 表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011039822A Division JP5662841B2 (ja) 2010-03-08 2011-02-25 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016226130A Division JP2017084375A (ja) 2010-03-08 2016-11-21 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015092360A true JP2015092360A (ja) 2015-05-14

Family

ID=43799683

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011039822A Active JP5662841B2 (ja) 2010-03-08 2011-02-25 表示装置
JP2014246387A Withdrawn JP2015092360A (ja) 2010-03-08 2014-12-05 表示装置
JP2016226130A Withdrawn JP2017084375A (ja) 2010-03-08 2016-11-21 表示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011039822A Active JP5662841B2 (ja) 2010-03-08 2011-02-25 表示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016226130A Withdrawn JP2017084375A (ja) 2010-03-08 2016-11-21 表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110216043A1 (ja)
EP (1) EP2365417A3 (ja)
JP (3) JP5662841B2 (ja)
KR (1) KR20110102210A (ja)
CN (1) CN107102760A (ja)
TW (2) TWI594173B (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110181616A1 (en) * 2010-01-26 2011-07-28 Craig Peter Sayers Graphical effects for an electronic print media viewer
US8605059B2 (en) * 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
US10082860B2 (en) * 2011-12-14 2018-09-25 Qualcomm Incorporated Static image power management
CN103300639A (zh) * 2012-03-08 2013-09-18 程抒一 交互式智能电子橱柜
US9134864B2 (en) 2012-05-31 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device with controller and touch panel for rapid restoration from power-saving mode
US11074025B2 (en) 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2014044226A1 (zh) * 2012-09-24 2014-03-27 艾塔斯科技（镇江）有限公司 具有地址管理功能的扫描仪
KR20150085035A (ko) 2012-11-15 2015-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
JPWO2014109264A1 (ja) * 2013-01-09 2017-01-19 コニカミノルタ株式会社 タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法
JP5459420B1 (ja) 2013-01-31 2014-04-02 凸版印刷株式会社 液晶表示装置及びカラーフィルタ基板
KR102239367B1 (ko) 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
US10073571B2 (en) 2014-05-02 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor and touch panel including capacitor
TW201614626A (en) 2014-09-05 2016-04-16 Semiconductor Energy Lab Display device and electronic device
JP6564665B2 (ja) * 2014-10-02 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、及び入出力装置
US10706790B2 (en) 2014-12-01 2020-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10685614B2 (en) 2016-03-17 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP2018013765A (ja) 2016-04-28 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子デバイス
US10620689B2 (en) 2016-10-21 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and operation method thereof
JP2018072821A (ja) 2016-10-26 2018-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその動作方法
KR20190104394A (ko) * 2017-01-24 2019-09-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR20210091187A (ko) 2018-11-09 2021-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11302240B2 (en) * 2019-01-31 2022-04-12 Kunshan yunyinggu Electronic Technology Co., Ltd Pixel block-based display data processing and transmission
CN110007532B (zh) * 2019-03-29 2022-07-01 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
TWI768685B (zh) * 2021-01-27 2022-06-21 瑞昱半導體股份有限公司 多設定電視選單產生方法與系統
CN114866831B (zh) * 2021-02-03 2024-11-12 瑞昱半导体股份有限公司 多设定电视选单产生方法与系统
WO2022260631A1 (en) * 2021-06-08 2022-12-15 Kuecuekdumlu Alper Touch command control card system operating behind a metal surface

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04278627A (ja) * 1991-03-06 1992-10-05 Oki Electric Ind Co Ltd タッチパネル装置
JPH1028777A (ja) * 1996-07-18 1998-02-03 Sega Enterp Ltd コントローラ
JP2000347184A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Minolta Co Ltd 情報表示装置
JP2002006293A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Minolta Co Ltd 電子機器
WO2007146780A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-21 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
JP2008097172A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Sony Corp 表示装置および表示方法
JP2008141119A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Canon Inc 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
JP2009093154A (ja) * 2007-09-21 2009-04-30 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2009066750A1 (ja) * 2007-11-22 2009-05-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. エッチング液組成物
WO2009087756A1 (ja) * 2008-01-07 2009-07-16 Fujitsu Limited 表示装置及びその駆動方法
JP2009224595A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2010040981A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置、及び当該光電変換装置を具備する電子機器

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1109539A (en) * 1978-04-05 1981-09-22 Her Majesty The Queen, In Right Of Canada, As Represented By The Ministe R Of Communications Touch sensitive computer input device
KR100394896B1 (ko) * 1995-08-03 2003-11-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명스위칭소자를포함하는반도체장치
US20020024496A1 (en) * 1998-03-20 2002-02-28 Hajime Akimoto Image display device
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
US6747638B2 (en) * 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
JP4112184B2 (ja) 2000-01-31 2008-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エリアセンサ及び表示装置
JP2001282204A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Minolta Co Ltd 表示装置
TW518552B (en) * 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
US7430025B2 (en) * 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP4476503B2 (ja) * 2001-02-07 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 携帯型電子装置
JP3997731B2 (ja) * 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2003005912A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Hitachi Ltd タッチパネル付きディスプレイ装置及び表示方法
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP2003098992A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Nec Corp ディスプレイの駆動方法、その回路及び携帯用電子機器
EP1443130B1 (en) * 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4190862B2 (ja) * 2001-12-18 2008-12-03 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) * 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
KR100496304B1 (ko) * 2003-05-01 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 효율적인 발진기들을 가진 디스플레이 패널의 구동 장치
JP4108633B2 (ja) * 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7295199B2 (en) * 2003-08-25 2007-11-13 Motorola Inc Matrix display having addressable display elements and methods
US20070139355A1 (en) * 2004-02-17 2007-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and automobile having the same
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US20070194379A1 (en) * 2004-03-12 2007-08-23 Japan Science And Technology Agency Amorphous Oxide And Thin Film Transistor
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006079589A (ja) * 2004-08-05 2006-03-23 Sanyo Electric Co Ltd タッチパネル
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
JP4817636B2 (ja) * 2004-10-04 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
EP1815530B1 (en) * 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
AU2005302963B2 (en) * 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
EP2453480A2 (en) * 2004-11-10 2012-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
JP4134008B2 (ja) * 2004-11-19 2008-08-13 任天堂株式会社 画像処理装置および画像処理プログラム
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI481024B (zh) * 2005-01-28 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4609168B2 (ja) 2005-02-28 2011-01-12 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置の駆動方法
US20060197092A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) * 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) * 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) * 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) * 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) * 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
EP3614442A3 (en) * 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101667544B (zh) * 2005-11-15 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) * 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
KR100846497B1 (ko) * 2006-06-26 2008-07-17 삼성전자주식회사 디스플레이 버튼 입력 장치 및 이를 구비한 휴대용전자장치
JP4714904B2 (ja) * 2006-07-14 2011-07-06 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置およびこれを備える電子機器
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7679610B2 (en) * 2006-09-28 2010-03-16 Honeywell International Inc. LCD touchscreen panel with external optical path
JP2008096523A (ja) * 2006-10-06 2008-04-24 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US8094129B2 (en) * 2006-11-27 2012-01-10 Microsoft Corporation Touch sensing using shadow and reflective modes
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
US8514165B2 (en) * 2006-12-28 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) * 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) * 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) * 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US20090058823A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Apple Inc. Virtual Keyboards in Multi-Language Environment
JP2009135188A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Sony Corp 光センサーおよび表示装置
US20090141004A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US8202365B2 (en) * 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
EP2085861A1 (en) * 2008-01-29 2009-08-05 Research In Motion Limited Electronic device and touch screen display
JP4645658B2 (ja) * 2008-02-18 2011-03-09 ソニー株式会社 センシング装置、表示装置、電子機器およびセンシング方法
WO2010005064A1 (en) * 2008-07-10 2010-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
TWI475282B (zh) * 2008-07-10 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置和其製造方法
US8736587B2 (en) * 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8822995B2 (en) * 2008-07-24 2014-09-02 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same
EP2151811A3 (en) * 2008-08-08 2010-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device and electronic device
JP5374102B2 (ja) 2008-08-21 2013-12-25 京セラクリスタルデバイス株式会社 音叉型屈曲水晶振動素子及びその製造方法
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8866698B2 (en) * 2008-10-01 2014-10-21 Pleiades Publishing Ltd. Multi-display handheld device and supporting system
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US9552154B2 (en) * 2008-11-25 2017-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for providing a user interface
KR101097309B1 (ko) * 2009-05-06 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 동작 인식 방법 및 장치
US20100295821A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Tom Chang Optical touch panel
KR101264727B1 (ko) * 2009-09-24 2013-05-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 액정 표시 장치

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04278627A (ja) * 1991-03-06 1992-10-05 Oki Electric Ind Co Ltd タッチパネル装置
JPH1028777A (ja) * 1996-07-18 1998-02-03 Sega Enterp Ltd コントローラ
JP2000347184A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Minolta Co Ltd 情報表示装置
JP2002006293A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Minolta Co Ltd 電子機器
WO2007146780A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-21 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
JP2008097172A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Sony Corp 表示装置および表示方法
JP2008141119A (ja) * 2006-12-05 2008-06-19 Canon Inc 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
JP2009093154A (ja) * 2007-09-21 2009-04-30 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2009066750A1 (ja) * 2007-11-22 2009-05-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. エッチング液組成物
WO2009087756A1 (ja) * 2008-01-07 2009-07-16 Fujitsu Limited 表示装置及びその駆動方法
JP2009224595A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2010040981A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置、及び当該光電変換装置を具備する電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20110216043A1 (en) 2011-09-08
TW201203080A (en) 2012-01-16
TW201732525A (zh) 2017-09-16
EP2365417A3 (en) 2015-04-29
KR20110102210A (ko) 2011-09-16
CN102193228A (zh) 2011-09-21
JP2017084375A (ja) 2017-05-18
TWI594173B (zh) 2017-08-01
JP2011210242A (ja) 2011-10-20
EP2365417A2 (en) 2011-09-14
CN107102760A (zh) 2017-08-29
JP5662841B2 (ja) 2015-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5662841B2 (ja) 表示装置
JP5878997B2 (ja) 電子機器
KR102643613B1 (ko) 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
JP7460314B2 (ja) 表示装置の作製方法
US10324492B2 (en) Smartphone with front camera and maximized display screen
KR102031848B1 (ko) 전자 기기 및 전자 시스템
JP6143319B2 (ja) 表示装置
JP5873901B2 (ja) 画像入出力装置
TW201826521A (zh) 顯示裝置
JP2022095706A (ja) 表示装置
US20090284481A1 (en) Devices and Methods for a Backlight to Illuminate Both a Main Display and Morphable Keys or Indicators
KR20150133766A (ko) 표시 장치 및 전자 기기
CN102193228B (zh) 电子装置和电子系统
JP2018004927A (ja) 表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示方法
JP2024059675A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160223

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160418

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161121

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20161128

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20161209

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20170727