JP2014078198A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】屋外で使用する場合でも表示画像の視認性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】下地層２０上に配設された導電膜３１と、導電膜２０上に配設された透明膜３２および半透過膜３３とを有する積層配線３０と、積層配線３０の端部に設けられ、積層配線３０と同じ積層構造を有する配線端子部３０１と、積層配線３０および配線端子部３０１を覆う絶縁膜２１とを備えている。
【選択図】図４

Description

本発明は表示装置およびその製造方法に関し、特に屋外での使用に適した表示装置に関する。

屋外で用いられる表示装置においては、太陽光下での使用等、表示装置外部からの入射光量が高い環境においても良好な表示特性が求められている。一方、表示装置の配線は、低抵抗で加工が容易であることが求められ、当該要求を満たす金属としてアルミニウム（Ａｌ）合金を用いて形成されることが多くなっている。

しかし、アルミニウム合金は反射率が高く、表示装置外部からの入射光量が高い環境においては、入射した光がアルミニウム合金配線に反射し、良好な表示特性が得られないという問題がある。

そこで、表示面側から入射する光の反射を低減するために、アルミニウム合金配線上に反射防止膜を配設することが考えられており、例えば特許文献１にはアルミニウム膜と窒化アルミニウム膜とで構成される反射防止膜が開示されている。

また、特許文献２には、ニッケルおよび窒素を含むアルミニウム合金膜を上層膜とする導電体構造が開示されている。

特開２０１０−７９２４０号公報 特開２００７−１２３６７２号公報

以上説明したように、アルミニウム合金膜等の導電膜で形成した配線を用いた場合、導電膜表面の反射率が高いため、入射した光が導電膜表面で反射し、良好な表示特性が得られないという問題がある。

本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、屋外で使用する場合でも表示画像の視認性に優れた表示装置を提供することを目的とする。

本発明に係る表示装置は、下地層上に配設された導電膜と、前記導電膜上に配設された透明膜および半透過膜と、を有する積層配線と、前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜とを備えている。

本発明に係る表示装置によれば、半透過膜と透明膜との積層膜を導電膜上に有する積層配線および配線端子部を備えることで、導電膜表面からの光の反射が抑制され視認性に優れた表示装置が得られる。

本発明に係る表示装置のタッチパネルの構成を示す平面図である。 本発明に係る表示装置の断面図である。 アレイ基板の一例を示す図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの構成を示す断面図である。 遮光部と透過部等で構成される膜パターンで半透過膜を構成する場合の膜パターンの一例を示す図である。 遮光部と透過部等とで構成される膜パターンで半透過膜を構成する場合の膜パターンの一例を示す図である。 遮光部と透過部等とで構成される膜パターンで半透過膜を構成する場合の膜パターンの一例を示す図である。 遮光部と透過部とで構成される膜パターンで半透過膜を構成する場合の断面図である。 遮光部と半透過部とで構成される膜パターンで半透過膜を構成する場合の断面図である。 透過部と半透過部とで構成される膜パターンで半透過膜を構成する場合の断面図である。 タッチパネルの端子部の断面構成を示す図である。 タッチパネルの端子部の断面構成を示す図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 表示装置の組立て工程を説明する図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの構成を示す断面図である。 本発明に係る実施の形態５のタッチパネルの構成を示す断面図である。

＜表示装置の全体構成＞
図１は本発明に係る表示装置１００のタッチパネル部を示す平面図であり、図２は、図１に該当するタッチパネルにおけるＡ−Ａ線での表示装置１００の断面図である。

図１および図２に示す表示装置１００は、屋外で使用することを前提としてタッチパネルによる入力が可能な構成となっており、手指等によるポインティング機能を有している。

図２に示すように表示装置１００は、例えば液晶ディスプレイ等の表示モジュール１１と、表示モジュール１１の表示面側に配置されたタッチパネル１２と、タッチパネル１２の表面をキズ等から保護するための保護ガラス１３と、これらを収納する筐体１４とを備えている。タッチパネル１２は、ＧＵＩ（グラフィカルユーザーインタフェース）機器を構成する表示モジュールと組み合わせて用いることで、表示装置にポインティング機能を持たせることができる。

タッチパネル１２は、投射容量方式のタッチパネルであり、ガラスやＰＥＴ（polyethylene terephthalate）等で構成される透明基板上に、列方向（図１のＹ方向）に延在するように配置されたＸ位置検知用配線２と、Ｘ位置検知用配線２の上方に配設され、Ｘ位置検知用配線２と立体的に交差するように行方向（図１のＸ方向）に延在して配置されたＹ位置検知用配線３とで構成されるマトリクス配線を有した構成となっている。

図１に示されるように、Ｘ位置検知用配線２およびＹ位置検知用配線３は、引き出し配線４を介してタッチパネル１２の端縁部に設けた外部との信号入出力用の端子部５に電気的に接続され、タッチパネル１２は、端子部５を介して図示されない制御基板などと電気的に接続されることとなる。

なお、以下の実施の形態ではＸ位置検知用配線２を下層配線（透明基板側）、Ｙ位置検知用配線３を上層配線として説明するが、上下逆に配置されていても良い。

また、タッチパネル１２の各部には、後工程用マークＭ１、ＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２およびパネル識別記号（パネルＩＤ）６などが形成されている。すなわち、図１の例では、タッチパネル１２のＹ方向上部の２つの角部にそれぞれ後工程プロセス認識用マークＭ１が形成され、Ｘ方向に延在する端子部５の両端部近傍にそれぞれＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２が形成され、タッチパネル１２のＹ方向下部の端縁部にはパネルＩＤ６が形成されている。

後工程プロセス認識用マークＭ１は、Ｘ位置検知用配線２およびＹ位置検知用配線３を形成した後の工程で使用されるマークであり、ＦＰＣ重ね合わせ用マークＭ２は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を端子部５に接続する際の位置合わせのためのマークであり、パネルＩＤ６は、タッチパネル１２を識別するための記号である。

ここで、タッチパネルや液晶パネルの製造においては複数のパネルを１つのマザー基板上に配列形成して、それらの複数のパネルに対する各種工程を同時に行い、所定の工程が終了した後に、マザー基板を分割して個々のパネルに分離する方式を採る。

このように、複数のパネルを配置したマザー基板をアレイ基板と呼称し、アレイ基板での工程においては、パネルＩＤによりパネルを識別し、アレイ基板を識別するためにアレイ基板のどこかにシートＩＤを付与する。

図３にはアレイ基板の一例を示す。図３においては１枚のマザー基板ＭＢ上に６枚のタッチパネル１２が形成される例を示しており、６枚のタッチパネル１２は、Ｙ方向に３枚、Ｘ方向に２枚配列されている。そして、マザー基板ＭＢの各部には、シートＩＤ７の他に、下層配線パターンに対して上層配線パターンを重ねる際の写真製版処理および下層配線パターンおよび上層配線パターンに対して端子開口パターンを合わせる際の写真製版処理に用いるアライメントマークＭ３およびマザー基板ＭＢを切断してそれぞれのタッチパネル１２を分離する切断用マークＭ４が形成されている。すなわち、図３の例では、マザー基板ＭＢの２つの角部にそれぞれ切断用マークＭ４が形成され、４つの切断用マークＭ４の近傍にはアライメントマークＭ３が形成され、シートＩＤ７は、マザー基板ＭＢのＸ方向の端縁部のＹ方向下部の切断用マークＭ４の近傍に形成されている。

＜実施の形態１＞
以下、タッチパネル１２の断面構成を用いて、本発明に係る実施の形態１について説明する。図４は、図１に示すＢ−Ｂ線でのタッチパネル１２の断面構成を示す図である。

図４に示すように、タッチパネル１２は、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０（マザー基板と等価）上に、導電膜３１、透明膜３２および半透過膜３２の順で配設された積層配線で構成される下層配線３０が配設され、下層配線３０を覆うように層間絶縁膜２１が配設された構成となっている。下層配線３０が図１に示すＸ位置検知用配線２に相当する。なお、透明基板２０は、下層配線３０を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。

そして、層間絶縁膜２１上には、導電膜４１、透明膜４２および半透過膜４３の順で配設された積層配線で構成される上層配線４０が配設され、上層配線４０を覆うように保護絶縁膜２２が配設された構成となっている。上層配線４０が図１に示すＹ位置検知用配線２に相当する。なお、層間絶縁膜２１は、上層配線４０を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。

導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

透明膜３２は、例えばＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。また、半透過膜３３は、例えばＭｏ（モリブデン）膜で構成され、その厚さは例えば５ｎｍである。層間絶縁膜２１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。

導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。透明膜４２は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。また、半透過膜４３は、例えばＭｏ膜で構成され、その厚さは例えば５ｎｍである。保護絶縁膜２２は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

なお、導電膜３１および４１は可視光領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）での平均反射率が５０％以上、室温での抵抗率が２０μΩｃｍ以下の材料で構成される。また、低抵抗材料とは、抵抗率が１０μΩｃｍ以下の材料を指すものとする。

上記では、導電膜３１および３２にＡｌＮｉＮｄを用いた例を説明したが、Ａｌや他のＡｌ系合金、ＡｇおよびＡｇ系合金、ＣｕおよびＣｕ系合金等、またＣｒ（クロム）とＡｌ合金の積層膜、ＭｏとＡｌ合金との積層膜を用いても良い。

また、透明膜３２および４２は、可視光領域での光の透過率が７０％以上の膜で構成される。

上記では透明膜３２および４２をＩＺＯ膜で構成し、その膜厚を５０ｎｍとした例を示したが、これに限定されるものではなく、光路長が０．０９〜０．１４μｍとなるように調整された透明膜であれば、導電膜３１および４１からの光の反射を低減できる。上記のように光路長を調整するには、膜厚を調整することでも実現できるが、屈折率を調整することで光路長を調整することができる。

また、材質としては、例えばＩＴＯ（インジウム酸化スズ）等の透明導電膜でも同じ効果を奏し、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、透明ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２等の透明絶縁膜でも良い。

また、上記では半透過膜３３および４３をＭｏ膜で構成し、その膜厚を５ｎｍとした例を示したが、これに限定されるものではなく、光の透過率が２０％〜７０％の間となる厚さに調整された膜であれば良い。さらには、透過率＞反射率となる膜が望ましい。例えばＣｒ、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タイミング）等の金属、あるいはそれらを主成分とする合金、例えばＣｒ系合金などを使用し、その膜厚を２〜７ｎｍ、望ましくは５〜６ｎｍとすることで、導電膜３１および４１からの光の反射を低減できる。

なお、図２においてタッチパネル１２を裏返してタッチパネル１２の裏面側（透明基板２０において膜が積層されていない側）が表示装置１００の表面となる場合には、今まで説明してきた半透過膜、透明膜、導電膜の積層構造の上下関係は入れ替わることになる。この場合、下地層側より半透過膜、透明膜、導電膜とした構成を採ることで、表示装置１００の表面側でありタッチパネル１２の裏面側、言い換えれば下地層側から入射する光の反射を低減できる。

また、タッチパネル１２を裏返した場合においては膜の積層構造の上下関係が入れ替わることについて説明したが、保護ガラス１３に膜の積層構造を形成する場合にも適用することができる。すなわち、保護ガラス１３において表示装置１００の表面側とは反対側の面に、半透過膜、透明膜、導電膜の積層構造を形成する場合にも同様の積層構成とすることにより、下地層側から入射する光の反射を低減できる。

なお、上記ではＹ位置検知用配線である上層配線４０は下層配線３０より配線長が長くなるので、配線抵抗低減のため下層配線３０の導電膜３１より上層配線４０の導電膜４１を厚く形成しているが、下層配線３０および上層配線４０の導電膜の膜厚は必要とする抵抗値に基づいて任意に決定すれば良い。

また、層間絶縁膜２１の膜厚は、所望の静電容量等に基づいて任意に決定すれば良く、保護絶縁膜２２の膜厚については、ドライエッチングプロセス処理時のレジストとの選択比および処理時間等により決定すれば良いが、厚い方が下層配線３０との色目および反射率の差が小さくなる場合が多いので、可能であれば１μｍ前後、望ましくは１．３μｍ以上に設定する。

また、上記では層間絶縁膜２１および保護絶縁膜２２をシリコン酸化膜で構成する例を示したが、配線部以外の光透過部において透過光の色づきに問題なければシリコン酸化膜に限定されず、例えば塗布型のＳＯＧ（spin on glass）膜などを用いても良い。なお、ＳＯＧ膜を層間絶縁膜に用いることで上層配線が下層配線と交差する場所での断線が抑制できるという効果もある。

なお、半透過膜３３および４３は、透過率が２０％〜７０％となるのであれば一様な厚さの膜である必要はなく、例えば、遮光部と透過部とで構成される膜パターンを用いるようにしても良い。その一例を図５〜図７に示す。

図５にはグリッド状の膜パターンを示しており、グリッドＧＲを遮光部とし、開口部ＯＰを透過部とし、開口部ＯＰの占める割合が２０％〜７０％となるようにグリッドＧＲを形成することで、透過率が２０％〜７０％の半透過膜を得ることができる。

図６にはストライプ状の膜パターンを示しており、ストライプＳＲを遮光部とし、スリット状の開口部ＯＰを透過部とし、開口部ＯＰの占める割合が２０％〜７０％となるようにストライプＳＲを形成することで、透過率が２０％〜７０％の半透過膜を得ることができる。

図７には水玉状の膜パターンを示しており、水玉ＰＲを遮光部とし、水玉ＰＲ以外の開口部ＯＰを透過部とし、開口部ＯＰの占める割合が２０％〜７０％となるように水玉ＰＲを形成することで、透過率が２０％〜７０％の半透過膜を得ることができる。

ここで、図５におけるＤ−Ｄ線での断面構成を図８に示す。図８に示すように、透明膜３２上に遮光部３３３が間隔を空けて配設されており、遮光部３３３間が透過部３３４となって半透過膜３３Ａを構成している。図５のグリッド状の膜パターンでは、遮光部３３３がグリッドＧＲに相当し、透過部３３４が開口部ＯＰに相当する。なお、この断面構成は、図６および図７においても同じである。

また、図５〜図７を用いて説明した膜パターンは、遮光部と透過部との組み合わせで構成されるものであったが、図９に示すような遮光部と半透過部、または図１０に示すような透過部と半透過部との組み合わせで構成することもできる。

すなわち、図９においては、透明膜３２上に遮光部３３３が間隔を空けて配設されており、遮光部３３３間が遮光部３３３よりも厚みが薄くなった半透過部３３５となって半透過膜３３Ｂを構成している。図５のグリッド状の膜パターンでは、遮光部３３３がグリッドＧＲに相当し、半透過部３３５が開口部ＯＰに相当する。

また、図１０においては、透明膜３２上に半透過部３３５が間隔を空けて配設されており、半透過部３３５間が透過部３３４となって半透過膜３３Ｃを構成している。図５のグリッド状の膜パターンでは、半透過部３３５がグリッドＧＲに相当し、透過部３３４が開口部ＯＰに相当する。

ここで、遮光部とは透過率が２０％以下の部分を指し、透過部は透過率が７０％以上の部分を指し、半透過部は透過率が２０〜７０％の部分を指すものとする。

図１１は、図１に示すタッチパネル１２の端子部５のＣ−Ｃ線での断面構成を示す図である。端子部５には、下層配線３０が接続される下層配線端子３０１と、上層配線４０が接続される上層配線端子４０１を有し、下層配線端子３０１は下層配線３０と同じ工程で形成され、上層配線端子４０１は上層配線４０と同じ工程で形成される。

図１１に示すように、下層配線端子３０１は、透明基板２０上に導電膜３１、透明膜３２および半透過膜３３の順で配設された積層配線で構成され、下層配線端子３０１の上部に該当する部分の層間絶縁膜２１および保護絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールＣＨ１が形成されている。なお、コンタクトホールは開口部とも呼称する。

また、上層配線端子４０１は、層間絶縁膜２１上に導電膜４１、透明膜４２および半透過膜４３の順で配設された積層配線で構成され、上層配線端子４０１の上部に該当する部分の保護絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。このコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２を介して制御基板等がＦＰＣを介して電気的に接続される。

導電膜３１および４１にＮｉ含有のＡｌ合金を用い、透明膜３２および４２に透明導電膜として、例えばＩＺＯを用いることで、導電膜と上層の透明膜との接触抵抗の上昇を抑制することができる。

また、透明膜３２および４２に、透明導電膜として、例えばＩＺＯを用い、半透過膜３３および４３にＭｏを用いることで透明導電膜と半透過膜との接触抵抗の上昇を抑制することができ、ＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film）を用いたＦＰＣの接続においても端子部５の開口部の半透過膜および透明膜を除去せずとも、低抵抗な接触抵抗を得ることが可能となる。

なお、選択する半透過膜と透明膜の組み合わせにおいて接触抵抗が高くなる場合は、図１２に示すように、半透過膜および透明膜を除去した構成によりＦＰＣと端子との接触抵抗を低くすることができる。

すなわち、図１２に示すように、下層配線端子３０１の上部に該当する部分の層間絶縁膜２１および保護絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールＣＨ１が、透明膜３２および半透過膜３３を貫通して導電膜３１に達し、上層配線端子４０１の上部に該当する部分の保護絶縁膜２２を貫通するコンタクトホールＣＨ２が、透明膜４２および半透過膜４３を貫通して導電膜４１に達するように構成すれば良い。

これにより、信号のＳ／Ｎ比の向上が可能となるとともに、安定した端子の接触抵抗を得ることができるので信頼性が向上する。

以上説明したように、導電膜、透明膜および半透過膜の積層膜で配線を形成することで、外部から入射し、半透過膜を透過し導電膜で反射して出射する光と、半透過膜表面で反射する光とを、光干渉効果により相殺することができるので、配線を低反射とすることができ、表示装置での表示の視認性を向上させることができる。

なお、導電膜の材料はＡｌ系合金に限定されず、各種プロセスに適応が可能である。さらに、結晶化しにくいＩＺＯを用いることで、加工が容易となる。結晶化しにくいため加工中の透過率の変化は結晶化しやすいＩＴＯよりは小さくできる。また、半透過膜にＭｏを用いることで面内の反射率のバラツキを抑制でき、表示面内で反射率が均一な低反射な配線を有する表示装置を得ることができる。ここで、透過膜および半透過膜の積層膜は、光干渉効果により反射を抑制するので反射抑制膜と呼称することができる。

次に、タッチパネル１２の製造工程を順に示す断面図である図１３〜図２２を用いて、本発明に係る実施の形態１の表示装置の製造方法について説明する。

まず、図１３に示す工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１上にスパッタリング法によりＩＺＯ膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＩＺＯ膜３２１上にスパッタリング法によりＭｏ膜３３１を５ｎｍの厚さに成膜する。

次に、Ｍｏ膜３３１上にレジスト材を塗布した後、下層配線、下層配線端子およびマークのパターンを露光し、現像することで、図１４に示すように下層配線、下層配線端子およびマーク類（マークやＩＤなど）のパターンを有するレジストマスクＲＭ１をパターニングする。なお、以下の図においては、下層配線が形成される領域を下層配線領域、下層配線端子が形成される領域を下層配線端子領域、マーク類が形成される領域をマーク領域と呼称する。また、図１４〜図２２では、下層配線領域、下層配線端子領域およびマーク領域が並列して形成されるように示しているが、これは便宜的なものであり、発明の概念を判りやすく説明するための措置である。

次に、図１５に示すように、レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてＭｏ膜３３１をエッチングし、続いて蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜３２１をエッチングして、それぞれ半透過膜３３および透明膜３２をパターニングする。そして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、導電膜３１をパターニングする。

次に、レジストマスクＲＭ１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等のレジスト剥離液を用いて除去することにより、図１６に示す下層配線３０、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫが形成される。

次に、図１７に示すように、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により下層配線３０、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫを覆うように厚さ６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成する。

次に、図１８に示すように、層間絶縁膜２１上にスパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜４１１を４００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＡｌＮｉＮｄ膜４１１上にスパッタリング法によりＩＺＯ膜４２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＩＺＯ膜４２１上にスパッタリング法によりＭｏ膜４３１を５ｎｍの厚さに成膜する。

次に、Ｍｏ膜４３１上にレジスト材を塗布した後、上層配線および上層配線端子のパターンを露光し、現像することで、図１９に示すように上層配線および上層配線端子のパターンを有するレジストマスクＲＭ２をパターニングする。

次に、図２０に示すように、レジストマスクＲＭ２をエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてＭｏ膜４３１をエッチングし、続いて蓚酸溶液を用いてＩＺＯ膜４２１をエッチングして、それぞれ半透過膜４３および透明膜４２をパターニングする。そして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、導電膜４１をパターニングする。

次に、レジストマスクＲＭ２を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等のレジスト剥離液を用いて除去することにより、図２１に示す上層配線４０および上層配線端子４０１が形成される。なお、以下の図においては、上層配線が形成される領域を上層配線領域、上層配線端子が形成される領域を上層配線端子領域と呼称する。

次に、図２２に示すように、例えばＣＶＤ法により上層配線４０および上層配線端子４０１を覆うように厚さ３００ｎｍ程度のＳｉＯ_２膜を成膜することで保護絶縁膜２２を形成する。

そして保護絶縁膜２２上にレジスト材を塗布した後、下層配線端子３０１、上層配線端子４０１およびマーク類ＭＫの開口パターンを露光し、現像することで、下層配線端子３０１、上層配線端子４０１の開口パターンを有するレジストマスク（図示せず）をパターニングする。その後、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、下層配線端子３０１上方の保護絶縁膜２２および層間絶縁膜２１をドライエッチングにより除去し、半透過膜３３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成すると共に、上層配線端子４０１の上方の保護絶縁膜２２を除去して、半透過膜４３に達するコンタクトホールＣＨ２を形成する。このようにして図４に示す配線、および図１１に示す配線端子が形成されたタッチパネルが形成される。

以上説明したような製造方法を採用することで、新たに工程を追加することなく、低反射の配線、配線端子およびマーク類を形成することが可能となる。

配線や配線端子の形成が終了した後は、ホイールカッターを用いたスクライブ法やレーザ光を用いたレーザ割断法等によりマザー基板を切断し、タッチパネルを個片化する。

その後、図２３に示す手順で、表示装置を組み立てる。すなわち、図２３の（ａ）部に示すように、パネル洗浄の後に実装時のキズ防止のための表面保護シート１５をタッチパネル１２のタッチ面側に貼り付ける。なお、タッチ面の裏面側にも保護シートを貼り付けてもよい。

次に、図２３の（ｂ）部に示すように、配線端子上にＡＣＦ１５１を配置し、熱圧着によりＦＰＣ１５２を実装する。

その後、タッチパネル１２の表面保護シート１５を剥がし、代わりに図２３の（ｃ）部に示すように、両面粘着シート１６を貼り付け、両面粘着シート１６を用いて保護ガラス１３を接着する。

次に、図２３の（ｄ）部に示すように、タッチパネル１２の裏面（タッチ面とは反対側の面）に両面粘着シート１７を貼り付け、両面粘着シート１７を用いて表示モジュール１１を接着する。なお、タッチ面の裏面側に保護シートを貼り付けた場合は両面粘着シート17の貼り付け前に裏面側保護シートを剥がす。

タッチパネル１２に実装されたＦＰＣ１５２は、表示モジュール１１の背面に設置されたタッチパネルコントロール基板ＴＣのコネクタへ接続するが、接続状態の図示は省略している。その後、筐体に組み込むことにより図２に示した表示装置１００が得られる。

このように、タッチパネル１２の裏面側に表示モジュール１１が配置され、外光は表示モジュール１１とは反対側から入射することとなるが、タッチパネル１２の前面側には低反射の配線が配置されているので、導電膜表面に入射した外光の反射が抑制され視認性に優れた表示装置が得られる。

なお、上記手順と必ずしも同一である必要はなく、例えばタッチパネルの裏面を低反射面にした場合は保護ガラスを使用しない構成を採ることもでき、２つのタッチパネルを接着し形成する構成を採ることもできる。

＜実施の形態２＞
次に、図２４〜図２８を用いて、本発明に係る実施の形態２について説明する。なお、図１３〜図２２を用いて説明した実施の形態１の製造方法と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

まず、図２４に示す工程において、透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、導電膜としてＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１上にスパッタリング法により透明膜としてＩＴＯ膜３２１を６０ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＩＴＯ膜３２１上にスパッタリング法により半透過膜としてＣｒ膜３３１を５ｎｍの厚さに成膜する。次に、スパッタリング法によりＣｒ膜３３１上に非低反射膜としてＭｏ膜３４１を１０ｎｍの厚さに成膜する。

次に、Ｍｏ膜３４１上にレジスト材を塗布した後、下層配線、下層配線端子およびマークのパターンを露光し、現像することで、図２５に示すように下層配線、下層配線端子およびマーク類（マークやＩＤなど）のパターンを有するレジストマスクＲＭ３をパターニングする。

次に、図２６に示すように、レジストマスクＲＭ３をエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてＭｏ膜３４１をエッチングし、引き続き、硝酸と硝酸セリウムアンモニウムの混合液を用いてＣｒ膜３３１をエッチングし、続いて蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３２１をエッチングして、それぞれ非低反射膜３４、半透過膜３３、透明膜３２をパターニングする。そして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、導電膜３１をパターニングする。

次に、図２７に示すように、レジストマスクＲＭ３を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等のレジスト剥離液を用いて除去する。

その後、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いて非低反射膜３４を除去することにより、図２８に示す下層配線３０、下層配線端子３０１およびマーク類ＭＫが形成される。

なお、上層配線４０、上層配線端子４０１の製造方法は実施の形態１と同じであるので説明は省略する。

以上のように実施の形態２の製造方法では半透過膜３３１の上に、一旦、非低反射膜３４１を形成するが、非低反射膜３４１は、下層配線形成時の写真製版工程で、所定膜厚のレジスト材を塗布し、露光を行う際に、基板全面においてフォーカス動作を安定して行うための膜であり、フォーカス動作用光源に対して、例えば反射率が２５％以上となる膜である。

なお、非低反射膜３４１は、導電膜３１１とのエッチング選択性が高い材料を選ぶことが望ましいが、エッチング選択性が低い場合は、上記反射率を満たす範囲で極力薄い膜とすることで、配線が庇状となることを抑制することが可能である。

このように、下層配線、下層配線端子およびマークのパターンの形成時に非低反射膜を形成することで、パネルＩＤの印字やシートＩＤの印字が容易となり、アレイ工程での装置トラブル発生時でもトレーサビリティーが確保できるので品質の安定化に寄与することができる。

＜変形例＞
以上説明した実施の形態２では、半透過膜の上に非低反射膜を形成する構成について示したが、透明膜の上に非低反射膜を設ける構成としてしても良い。以下、図２９〜図３３を用いて当該構成の製造方法について説明する。

まず、図２９に示す工程において、透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、導電膜としてＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１上にスパッタリング法により透明膜としてＩＴＯ膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＩＴＯ膜３２１上にスパッタリング法により非低反射膜としてＭｏ膜３４１を１０ｎｍの厚さに成膜する。

次に、Ｍｏ膜３４１上にレジスト材を塗布した後、下層配線、下層配線端子およびマークのパターンを露光し、現像することで、図３０に示すように下層配線、下層配線端子およびマーク類（マークやＩＤなど）のパターンを有するレジストマスクＲＭ４をパターニングする。

次に、図３１に示すように、レジストマスクＲＭ４をエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてＭｏ膜３４１をエッチングし、引き続き、蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３２１をエッチングして、それぞれ非低反射膜３４および透明膜３２をパターニングする。そして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、導電膜３１をパターニングする。

次に、図３２に示すように、レジストマスクＲＭ４を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等のレジスト剥離液を用いて除去する。

その後、図３３に示すように、非低反射膜３４をハーフエッチングし、その膜厚を５ｎｍ前後に薄くすることで、光透過性を持たせ、半透過膜３３として使用する。

なお、ハーフエッチングの方法として例えばＣＦ_４ガス等を用いたドライエッチング処理や、Ｏ_２プラズマを用いた表面酸化と、酸化されたＭｏ表面の除去とを組み合わせた処理等が挙げられる。

なお、上層配線４０、上層配線端子４０１の製造方法は実施の形態１と同じであるので説明は省略する。

以上の製造方法を採ることで、非低反射膜および半透過膜の両方を形成する場合に比べて、光学的に機能させる膜の形成工程を削減することができるので、成膜材料やエッチング装置を削減でき加工プロセスのコスト削減が可能となる。

＜実施の形態３＞
図３４は、実施の形態３に係るタッチパネル１２の断面構成を示す断面図である。図３４に示すように、実施の形態３に係るタッチパネル１２では、透明基板２０上に、導電膜３１、透明膜３２、半透過膜３３および透明膜３５の順で配設された積層配線で構成される下層配線３０Ｂ、下層配線端子３０１Ｂおよびマーク類ＭＫ１が配設され、これらを覆うように層間絶縁膜２１が配設されている。

そして、層間絶縁膜２１上には、導電膜４１、透明膜４２、半透過膜４３および透明膜４５の順で配設された積層配線で構成される上層配線４０Ｂおよび上層配線端子４０１Ｂが配設され、これらを覆うように保護絶縁膜２２が配設されている。

導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

透明膜３２は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。また、半透過膜３３は、例えばＭｏ膜で構成され、その厚さは例えば８ｎｍである。透明膜３５は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば６０ｎｍである。層間絶縁膜２１は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。

導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。透明膜４２は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。また、半透過膜４３は、例えばＭｏ膜で構成され、その厚さは例えば８ｎｍである。透明膜４５は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば６０ｎｍである。保護絶縁膜２２は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

そして、下層配線端子３０１Ｂにおいては、保護絶縁膜２２と層間絶縁膜２１を貫通して透明膜３５に達するコンタクトホールＣＨ１が形成されて、上層配線端子４０１Ｂにおいては、保護絶縁膜２２を貫通して透明膜４５に達するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。

なお、図３５に示されるように、コンタクトホールＣＨ１は、透明膜３５、半透過膜３３および透明膜３２を貫通して導電膜３１に達するように形成し、コンタクトホールＣＨ２は、透明膜４５、半透過膜４３および透明膜４２を貫通して導電膜４１に達するように形成しても良い。これにより、ＦＰＣと端子との接触抵抗を低くすることができる。

また、コンタクトホールＣＨ１は、透明膜３５、半透過膜３３および透明膜３２の全てを貫通するのではなく、積層膜の幾つかを貫通するようにしても良く、コンタクトホールＣＨ２は、透明膜４５、半透過膜４３および透明膜４２の全てを貫通するのではなく、積層膜の幾つかを貫通するようにしても良い。これによりＦＰＣと端子との接触抵抗を低くすることができる。

以上説明した実施の形態３に係るタッチパネル１２では、半透過膜を透明膜で覆う構成を採るので、層間絶縁膜２１および保護絶縁膜２２の形成までの間に、積層膜に熱工程を加えたような場合に、半透過膜が酸化し透過率および反射率が変化することを抑制できるので安定した低反射構造が得られる。

また、導電膜、透明膜、半透過膜および透明膜の積層膜で配線を形成することで、層間絶縁膜又は保護絶縁膜と透明膜との界面での反射光と、透過した光による下層からの反射光との干渉の効果を相乗することでより低反射とすることができる。

なお、上記では透明膜３２および４２をＩＺＯ膜で構成し、その膜厚を５０ｎｍとした例について説明したが、これに限定されるものではなく、光路長として０．０９〜０．１４μｍに調整された透明膜であれば導電膜３１および４１からの光の反射を低減できる。

また、ＩＴＯ等の透明導電膜でも、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、透明ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２等の透明絶縁膜でも同じ効果を奏する。

さらに、上記では透明膜３５および４５をＩＺＯ膜で構成し、その膜厚を６０ｎｍとした例について説明したが、これに限定されるものではなく、透明膜３５および４５の屈折率は外光入射側の絶縁膜の屈折率より高い材料で構成されていれば有効な反射防止効果が得られる。

また、膜厚も、光路長として０．０２〜０．２０μｍ、より望ましくは０．０７〜０．１５μｍに調整された透明膜であれば、導電膜３１および４１からの光の反射を低減できる。

また、透明膜３２の光路長＜透明膜３５の光路長、および透明膜４２の光路長＜透明膜４５の光路長の関係となるように設定されていることが望ましい。このように、透明膜３５および４５の光路長を透明膜３２および４２よりも長くすることで、下層側で可視光の短波長側領域の反射を十分に低下させ、上層および上層と下層で他の領域の反射をそれぞれ低下させることで、導電膜による反射光をより確実に低減できる。

なお、図２においてタッチパネル１２を裏返してタッチパネル１２の裏面側（透明基板２０において膜が積層されていない側）が表示装置１００の表面となる場合には、今まで説明してきた透明膜、半透過膜、透明膜、導電膜の積層構造の上下関係は入れ替わることになる。この場合、下地層側より透明膜、半透過膜、透明膜、導電膜とした構成を採ることで、表示装置１００の表面側でありタッチパネル１２の裏面側、言い換えれば下地層側から入射する光の反射を低減できる。

また、タッチパネル１２を裏返した場合においては膜の積層構造の上下関係が入れ替わることについて説明したが、保護ガラス１３に膜の積層構造を形成する場合にも適用することができる。すなわち、保護ガラス１３において表示装置１００の表面側とは反対側の面に、透明膜、半透過膜、透明膜、導電膜の積層構造を形成する場合にも同様の積層構成とすることにより、下地層側から入射する光の反射を低減できる。なお、本構成の場合は、下地層側の透明膜の屈折率は下地層の屈折率より高い材料で構成する。

また、材質は、例えばＩＴＯ等の透明導電膜でも良く、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、透明ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２等の透明絶縁膜でも良い。

また、上記では半透過膜３３および４３をＭｏ膜で構成し、その膜厚を８ｎｍとした例について説明したが、これに限定されるものではなく、透過率が１０％〜７０％の間となる厚さに調整された膜であれば良い。例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属、あるいはそれらを主成分とする合金、例えばＣｒ系合金などを使用し、その膜厚を２〜１２ｎｍ、望ましくは８ｎｍ前後とする。

また、上記では、導電膜３１および３２にＡｌＮｉＮｄを用いた例を説明したが、Ａｌや他のＡｌ系合金、ＡｇおよびＡｇ系合金、ＣｕおよびＣｕ系合金等、またＣｒとＡｌ合金の積層膜、ＭｏとＡｌ合金との積層膜を用いても良い。

なお、透明膜３５および４５の製造方法は、透明膜３２および４２と同様にスパッタリング法を用いれば良く、他の膜は実施の形態１において製造方法を説明しているので、製造方法の説明は省略する。

＜変形例＞
以上説明した実施の形態３のタッチパネル１２の断面構成において、実施の形態２と同様に、下層配線成膜時に最表面に非低反射膜を成膜し、下層配線パターニング後に非低反射膜を除去する構成としても良い。

すなわち、透明膜３５上に非低反射膜としてＭｏ膜を１０ｎｍの厚さに成膜し、写真製版によるパターニングの後、最表面の非低反射膜をエッチングにより除去する。このように、下層配線、下層配線端子およびマークのパターンの形成時に非低反射膜を形成することで、パネルＩＤの印字やシートＩＤの印字が容易となり、アレイ工程での装置トラブル発生時でもトレーサビリティーが確保できるので品質の安定化に寄与することができる。

なお、透明膜とのエッチングの選択比を高くするため非低反射膜を除去する前に、例えば２３０℃程度のアニールを行い、透明膜を結晶化させても良い。この場合、透明膜はＩＴＯ等の加熱処理で結晶化する材料で形成されていることが望ましい。

＜実施の形態４＞
図３６は、実施の形態４に係るタッチパネル１２の断面構成を示す断面図である。図３６に示すように、実施の形態４に係るタッチパネル１２では、透明基板２０上に、導電膜３１および透明膜３２の順で配設された積層配線で構成される下層配線３０Ｃ、下層配線端子３０１Ｃおよびマーク類ＭＫ２が配設され、これらを覆うように層間絶縁膜２１が配設されている。

そして、層間絶縁膜２１上には、導電膜４１および透明膜４２の順で配設された積層配線で構成される上層配線４０Ｃおよび上層配線端子４０１Ｃが配設され、これらを覆うように保護絶縁膜２２が配設されている。

導電膜３１は、Ｍｏ系合金、例えばＭｏＮｂで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

透明膜３２は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば６０ｎｍである。層間絶縁膜２１は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。

導電膜４１は、Ｍｏ系合金、例えばＭｏＮｂで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。

透明膜４２は、例えばＩＺＯ膜で構成され、その厚さは例えば６０ｎｍである。保護絶縁膜２２は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

そして、下層配線端子３０１Ｃにおいては、保護絶縁膜２２と層間絶縁膜２１を貫通して透明膜３２に達するコンタクトホールＣＨ１が形成されて、上層配線端子４０１Ｃにおいては、保護絶縁膜２２を貫通して透明膜４２に達するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。

以上説明した実施の形態４に係るタッチパネル１２では、導電膜と透明膜との間に半透過膜を形成しないので、成膜プロセスの管理が容易となる。

なお、上記では透明膜３２および４２をＩＺＯ膜で構成し、その膜厚を６０ｎｍとした例について説明したが、これに限定されるものではなく、透明膜３２および４２の屈折率は外光入射側の絶縁膜の屈折率より高い材料で構成されていれば良い。また、膜厚も、光路長として０．０２〜０．２０μｍ、より望ましくは０．０７〜０．１５μｍに調整された透明膜であれば良い。

また、材質も、例えばＩＴＯ等の透明導電膜でも良く、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、透明ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２等の透明絶縁膜でも良い。

また、上記では、導電膜３１および３２にＭｏＮｂを用いた例を説明したが、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗ等の可視光量域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で反射率が７０％以下の導電膜を用いれば光の反射を低減できる。

さらに下層にＡｌ合金等の室温での抵抗率が１０μΩｃｍ以下の導電膜を形成して積層構造とすることで、光の反射を低減できると共に、配線の抵抗を低減することができる。

＜実施の形態５＞
図３７は、実施の形態５に係るタッチパネル１２の断面構成を示す断面図である。図３７に示すように、実施の形態５に係るタッチパネル１２では、透明基板２０上に、導電膜３１で構成される下層配線３０Ｄ、下層配線端子３０１Ｄおよびマーク類ＭＫ３が配設され、これらを覆うように反射防止膜としての透明膜３６が配設され、透明膜３６を覆うように層間絶縁膜２１が配設されている。

そして、層間絶縁膜２１上には、導電膜４１で構成される上層配線４０Ｄおよび上層配線端子４０１Ｄが配設され、これらを覆うように反射防止膜としての透明膜４６が配設され、透明膜４６を覆うように保護絶縁膜２２が配設されている。

導電膜３１は、Ｍｏ系合金、例えばＭｏＮｂで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

透明膜３６は、例えばＳｉＮ膜で構成され、その厚さは例えば５５ｎｍである。層間絶縁膜２１は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。

導電膜４１は、Ｍｏ系合金、例えばＭｏＮｂで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。

透明膜３６は、例えばＳｉＮ膜で構成され、その厚さは例えば５５ｎｍである。保護絶縁膜２２は、例えばシリコン酸化膜で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。

そして、下層配線端子３０１Ｄにおいては、保護絶縁膜２２、透明膜４６、層間絶縁膜２１および透明膜３６を貫通して導電膜３１に達するコンタクトホールＣＨ１が形成されて、上層配線端子４０１Ｄにおいては、保護絶縁膜２２および透明膜４６を貫通して導電膜４１に達するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。

以上説明した実施の形態５に係るタッチパネル１２では、配線側面も透明膜で覆われるため、配線側面での反射を抑制することが可能となり、タッチパネルの開口率を高くするために配線幅を細くし、配線膜厚を厚くした場合においても良好な低反射配線を実現できる。

また、配線構造が単純なので、成膜やパターニング工程が簡略化でき、製造工程を削減できる。さらに、透明膜３６および４６をＣＶＤ法により成膜する場合は、基板端により近い領域まで低反射構造を形成できるので、１枚のマザー基板から得られるパネルの枚数を増やすことも可能となり、製造コストの低減が可能となる。

なお、上記では透明膜３６および４６をＳｉＮ膜で構成し、その膜厚を５５ｎｍとした例について説明したが、これに限定されるものではなく、透明膜３６および４６の屈折率は外光入射側の絶縁膜の屈折率より高い材料で構成されていれば有効な反射防止効果が得られる。

また、膜厚も、光路長として０．０２〜０．２０μｍ、より望ましくは０．０７〜０．１５μｍに調整された透明膜であれば導電膜３１および４１からの光の反射を低減できる。

また、材質も、例えばＡｌ_２Ｏ_３、透明ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２等の透明絶縁膜でも良い。

なお、配線が形成されていない部分の透過光が白色に近くなるような材質および膜厚を設定することが望ましい。

また、上記では、導電膜３１および３２にＭｏＮｂを用いた例を説明したが、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗ等の可視光量域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で反射率が７０％以下の導電膜を用いれば光の反射を低減できる。

＜変形例１＞
以上説明した実施の形態５においては、下層配線３０Ｄおよび上層配線４０Ｄはそれぞれ導電膜３１および４１で構成された単層構造を有していたが、図３８に示すように、２層の積層配線としても良い。

すなわち、図３８に示す下層配線３０Ｅにおいては、可視光量域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で反射率が７０％以下の導電膜、例えばＭｏ系合金膜３０２０の下層に、室温での抵抗率が１０μΩｃｍ以下の低抵抗導電膜、例えばＡｌ系合金膜３０１０が配設された構成となっている。

図３８に示すように、Ｍｏ系合金膜３０２０は、断面形状が台形状のＡｌ系合金膜３０１０を、側面も含めて覆うように形成され、反射防止膜としての透明膜３６が下層配線３０Ｅを含む透明基板２０上全体を覆うように形成されている。なお、下層配線端子、上層配線端子およびマーク類等も同じような構成となる。

このような構成を採ることで、光の反射を低減できると共に、配線の抵抗を低減することができる。

また、図３９に示すように、透明膜３６は下層配線３０Ｅと同様のパターンとなるようにパターニングされていても良く、必ずしも透明基板２０上全体を覆っていなくても良い。

このように透明膜がパターニングされている場合は、透明絶縁膜に限らず透明導電膜でも良い。

なお、導電膜のパターンエッジと透明膜のパターンエッジの位置関係は、透明膜の形成プロセスにより両者が同一となる場合、導電膜のエッジが外側となる場合、図３９のように透明膜のエッジが外側となる場合があるが、何れの位置関係を採っても良いが、透明膜のエッジが外側にある方が望ましい。

次に、図４０〜図４３を用いて実施の形態５の変形例１の製造方法について説明する。なお、以下では、図３８に示す下層配線３０Ｅのみを示し、下層配線端子、上層配線端子およびマーク類の図示は省略する。

図４０に示すように、透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、低抵抗導電膜としてＡｌＮｉＮｄ膜を３００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ＡｌＮｉＮｄ膜上にレジスト材を塗布し、写真製版工程により下層配線、下層配線端子およびマーク類のレジストマスクを形成する。

そして、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、ＡｌＮｉＮｄ膜をエッチングし、Ａｌ系合金膜３０１０をパターニングする。

次に、図４１に示すように、Ａｌ系合金膜３０１０上に、例えばスパッタリング法によりＭｏＮｂ膜３０２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。

次に、Ａｌ系合金膜３０１０およびその上のＭｏＮｂ膜３０２１を覆うようにレジストマスクを形成し、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、燐酸、硝酸、酢酸の混酸を用いて、レジストマスクに覆われない部分のＭｏＮｂ膜３０２１をエッチングにより除去することで、Ａｌ系合金膜３０１０がＭｏ系合金膜３０２０で覆われた図４２に示す構成を得る。

なお、この工程でマーク類上からはＭｏＮｂ膜３０２１を除去するようにすれば、透明膜３６の形成後にマーク類上の反射率の低下を抑えることができ、端子部の開口工程でＭｏＮｂ膜３０２１を除去せずとも、後の工程でのマーク認識率を向上させることが可能となる。

その後、図４３に示すように、Ｍｏ系合金膜３０２０上を含む透明基板２０上全体を覆うように、例えばＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を５０ｎｍの厚さに形成して、透明膜３６を得る。

次に、層間絶縁膜２１として例えばシリコン酸化膜をＣＶＤ法により６００ｎｍの厚さに形成することで図３８に示す構成を得る。なお、透明膜３６と層間絶縁膜２１とを同一のＣＶＤ装置を用いて、真空雰囲気内で連続した成膜工程により形成しても良い。

なお、図３９に示す構成を得るには、図４３に示した透明膜３６の形成後、Ａｌ系合金膜３０１０の上方を覆うレジストマスクを形成し、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、透明膜３６エッチングし、レジストマスクを除去した後、層間絶縁膜２１として例えばシリコン酸化膜をＣＶＤ法により形成する。

また、図４１に示した工程の後、図４４に示すように、ＭｏＮｂ膜３０２１上に、例えばスパッタリング法によりＩＺＯ膜を６０ｎｍの厚さに形成して、透明膜３６１を得るようにしても良い。

そして、Ａｌ系合金膜３０１０の上方を覆うレジストマスクを形成し、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、蓚酸を用いて透明膜３６１をエッチングし、引き続き燐酸、硝酸、酢酸の混酸を用いてＭｏＮｂ膜３０２１をエッチングし、レジストマスクを除去する。この状態の断面を図４５に示す。このようにして透明膜３６１とＭｏ系合金膜３０２０とを１回の写真製版にてパターニングしても良い。

さらに、低抵抗導電膜としてＡｌ系合金膜３０１０の代わりに、Ｃｕ−Ｍｏ合金を使用し、熱処理等による析出によりＭｏ系膜をＣｕ−Ｍｏ合金表面に形成しても良い。

また、上記では、Ｍｏ系合金膜３０２０としてＭｏＮｂを用いた例を説明したが、Ｍｏ系合金膜ではなくＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗ等の可視光量域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で反射率が７０％以下の導電膜を用いても良い。

＜変形例２＞
以上説明した実施の形態５においては、層配線３０Ｄおよび上層配線４０Ｄまたは、下層配線３０Ｅおよび上層配線４０Ｅはそれぞれ反射率が70%以下の膜の表面を透明膜３６および透明膜４６単層で覆う構造を有していたが、図４６および図４７に示すように多層膜で覆う構造としても良い。

すなわち、図４６に示す下層配線３０Ｆにおいては、室温での抵抗率が１０μΩｃｍ以下の低抵抗導電膜、例えばＡｌ系合金膜３０１０の上面および側面を透明膜３０２０が覆い、透明膜３０２０上を半透過膜３０３０で覆った構成となっている。透明膜３０２０および半透過膜３０３０は反射防止膜として機能する。

また、図４７に示す下層配線３０Ｇにおいては、Ａｌ系合金膜３０１０の上面および側面を透明膜３０２０が覆い、透明膜３０２０上を半透過膜３０３０が覆い、半透過膜３０３０上を透明膜３０４０が覆った構成となっている。

このような構成を採ることで実施の形態１および実施の形態３と同様の効果を得ることができる。なお、透明膜や半透過膜の材質や厚さは、実施の形態１および実施の形態３と同様に設定すれば良い。

以上説明した実施の形態１〜５においては、層間絶縁膜や保護絶縁膜にシリコン酸化膜を用いた例を示したが、配線部以外の光透過部において透過光の色づきが問題ない絶縁膜を用いれば良く、例えば塗布型のＳＯＧ膜などを用いても良い。なお、ＳＯＧ膜を層間絶縁膜２１に用いることで上層配線が下層配線と交差する場所での断線が抑制できる。

また、実施の形態１〜５ではタッチパネル用の配線について適用例を示したが、表示デバイスの配線に適用しても良く、さらに反射を低減する遮光層として適用しても良い。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

３０，３０Ａ〜３０Ｇ 下層配線、３２，３５，４２，４５ 透明膜、３３，４３ 半透過膜、３４ 非低反射膜、４０，４０Ａ〜４０Ｄ 上層配線、３０１，３０１Ａ〜３０１Ｄ 下層配線端子、４０１，４０１Ａ〜４０１Ｄ 上層配線端子。

Claims (28)

1. 下地層上に配設された導電膜と、
   前記導電膜上に配設された透明膜および半透過膜と、を有する積層配線と、
   前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。
2. 前記透明膜および前記半透過膜は、前記導電膜上にこの順に積層される、請求項１記載の表示装置。
3. 下地層上に配設された半透過膜と、
   前記半透過膜上に配設された透明膜と、その上に配設された導電膜と、を有する積層配線と、
   前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。
4. 前記透明膜の光路長は、０．０９〜０．１４μｍに設定される、請求項２または請求項３記載の表示装置。
5. 前記透明膜は、
   酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか１つを含む酸化物群、
   シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
   シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される１つの材質を含む、請求項１記載の表示装置。
6. 前記配線端子部において、
   前記絶縁膜を貫通すると共に、前記半透過膜および前記透明膜の少なくとも一方を貫通する開口部を有する、請求項１記載の表示装置。
7. 下地層上に配設された導電膜と、
   前記導電膜上に配設された第１および第２の透明膜と、前記第１および第２の透明膜の間に配設された半透過膜と、を有する積層配線と、
   前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。
8. 前記第１および第２の透明膜のうち、上層側となる方は、前記絶縁層の屈折率より高い屈折率を有する、請求項７記載の表示装置。
9. 前記第１および第２の透明膜および前記半透過膜は、前記導電膜上に、前記第１の透明膜、前記半透過膜および前記第２の透明膜の順に積層される、請求項７記載の表示装置。
10. 下地層上に配設された第１の透明膜と、前記第１の透明膜上に配設された半透過膜と、その上に配設された第２の透明膜と、その上に配設された導電膜と、を有する積層配線と、
    前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と少なくとも同じ積層構造を有する配線端子部と、前記積層配線および少なくとも前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。
11. 前記第１の透明膜の光路長は、０．０９〜０．１４μｍに設定され、
    前記第２の透明膜の光路長は、０．０２〜０．２０μｍに設定される、請求項９または請求項１０記載の表示装置。
12. 前記第２の透明膜の光路長は、前記第１の透明膜の光路長よりも長く設定される、請求項１１記載の表示装置。
13. 前記第１の透明膜は、
    酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか１つを含む酸化物群、
    シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
    シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される１つの材質を含み、
    前記第２の透明膜は、
    酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか１つを含む酸化物群、
    アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
    シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される１つの材質を含む、請求項７記載の表示装置。
14. 前記配線端子部において、
    前記絶縁膜を貫通すると共に、前記第１および第２の透明膜および、前記半透過膜の何れかを貫通する開口部を有する、請求項７記載の表示装置。
15. 下地層上に配設された導電膜と、
    前記導電膜上に配設された透明膜と、を有する積層配線と、
    前記積層配線の端部に設けられ、前記積層配線と同じ積層構造を有する配線端子部と、
    前記積層配線および前記配線端子部を覆う絶縁膜と、を備え、
    前記透明膜の光路長は、０．０２〜０．２０μｍに設定され、
    前記透明膜の屈折率は、前記絶縁膜の屈折率より高く設定される表示装置。
16. 前記導電膜は、
    Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗの中から選択される１つの材質を含む、請求項１５記載の表示装置。
17. 前記導電膜は、
    Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗの中から選択される１つの材質を含む第１の導電膜と、
    室温での抵抗率が１０μΩｃｍ以下の第２の導電膜との積層膜で構成される、請求項１５記載の表示装置。
18. 前記半透過膜は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗの中から選択される１つの材質を含む、請求項１または請求項７記載の表示装置。
19. 下地層上に配設された導電膜を有する配線層と、
    前記配線層の端部に設けられ、前記配線層と同じ構造を有する配線端子部と、
    前記導電膜の上面および側面を覆う反射防止膜と、
    前記反射防止膜を覆う絶縁膜と、を備えた表示装置。
20. 前記反射防止膜は、透明絶縁膜であって前記下地層の全面を覆い、
    前記透明絶縁膜の光路長は、０．０２〜０．２０μｍに設定され、
    前記透明絶縁膜の屈折率は、前記絶縁膜の屈折率より高く設定される、請求項１９記載の表示装置。
21. 前記導電膜は、
    室温での抵抗率が１０μΩｃｍ以下の第２の導電膜と
    前記第２の導電膜の上面および側面を覆う、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗの中から選択される１つの材質を含む第１の導電膜との積層膜で構成される、請求項１９記載の表示装置。
22. 前記反射防止膜は、
    前記導電膜上に、透明膜、半透過膜の順に配設された多層膜で構成される、請求項１９記載の表示装置。
23. 前記透明膜は、
    酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか１つを含む酸化物群、
    シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
    シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される１つの材質を含み、
    前記半透過膜は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗの中から選択される１つの材質を含む、請求項２２記載の表示装置。
24. 前記反射防止膜は、
    前記導電膜上に、第１の透明膜、半透過膜、第２の透明膜の順に配設された多層膜で構成される、請求項１９記載の表示装置。
25. 前記第１の透明膜は、
    酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか１つを含む酸化物群、
    シリコン、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
    シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される１つの材質を含み、
    前記第２の透明膜は、
    酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの何れか１つを含む酸化物群、
    アルミニウム、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、ニオブ、チタンの何れかを主成分とする酸化物群、および
    シリコン、アルミニウムの何れかを主成分とする窒化物群の中から選択される１つの材質を含み、
    前記半透過膜は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗの中から選択される１つの材質を含む、請求項２４記載の表示装置。
26. 前記下地層の前記積層配線および前記配線端子部が設けられた主面とは反対側の主面側に設けられた画像表示モジュールを備える、請求項１、７、１５および１９の何れか１項に記載の表示装置。
27. （ａ）下地層上に導電膜を形成し、前記導電膜上に、非低反射膜が最上層となるように、透明膜、半透過膜および前記非低反射膜を形成する工程と、
    （ｂ）前記非低反射膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
    （ｃ）前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記非低反射膜、前記半透過膜、前記透明膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記非低反射膜を除去して前記導電膜、前記透明膜および前記半透過膜を含む積層配線および該積層配線の端部の配線端子部を形成する工程と、
    （ｆ）前記積層配線および前記配線端子部上を絶縁膜で覆う工程と、を備え、
    前記工程（ａ）は、
    前記非低反射膜を、前記レジストマスクの写真製版工程での露光の際のフォーカス動作用光源に対して、反射率が２５％以上となる膜で形成する工程を含む、表示装置の製造方法。
28. （ａ）下地層上に導電膜を形成し、前記導電膜上に、透明膜および非低反射膜をこの順に形成する工程と、
    （ｂ）前記非低反射膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
    （ｃ）前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記非低反射膜、前記透明膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記非低反射膜の膜厚を減じて半透過膜とし、前記導電膜、前記透明膜および前記半透過膜を含む積層配線および該積層配線の端部の配線端子部を形成する工程と、
    （ｆ）前記積層配線および前記配線端子部上を絶縁膜で覆う工程と、を備え、
    前記工程（ａ）は、
    前記非低反射膜を、前記レジストマスクの写真製版工程での露光の際のフォーカス動作用光源に対して、反射率が２５％以上となる膜で形成する工程を含む、表示装置の製造方法。

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