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JP2013521666A - 波長ビーム結合システムおよび方法 - Google Patents

波長ビーム結合システムおよび方法 Download PDF

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JP2013521666A JP2012556271A JP2012556271A JP2013521666A JP 2013521666 A JP2013521666 A JP 2013521666A JP 2012556271 A JP2012556271 A JP 2012556271A JP 2012556271 A JP2012556271 A JP 2012556271A JP 2013521666 A JP2013521666 A JP 2013521666A
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Abstract

複数のレーザ・エレメントを利用または結合するときに、出力パワー、ならびに空間的輝度および/またはスペクトル輝度を高めるシステムおよび方法を提供する。
【選択図】図2A

Description

関連出願に対する相互引用
本願は、2010年3月5日に出願された米国仮特許出願第61/310,777号、2010年3月5日に出願された米国仮特許出願第61/310,781号、および2010年11月26日に出願された米国仮特許出願第61/417,394号の優先権を主張するものである。これらの出願をここで引用したことにより、その内容全体が本願にも含まれるものとする。
1.発明の分野
本実施形態は、一般にはレーザ・システムに関し、更に特定すれば、波長ビーム結合システムおよび方法に関するものである。
従来技術
2.従来技術の説明
波長ビーム結合(WBC:wavelength beam combining)は、ダイオード・バーおよびスタックからの出力のパワーおよび輝度をスケーリング(scaling)する。
WBC方法は、各エミッタの遅相次元(slow dimension)および各エミッタの進相次元(fast dimension)に沿ったビームを結合するために開発されてきた。例えば、米国特許第6,192,062号、第6,208,679号、および米国特許出願公開2010/0110556号を参照のこと。しかしながら、ここに記載した従前からの方法は、システムの全体的なフットプリントをスケーリングする際に柔軟性向上を考慮しておらず、キロワットのパワー、数十および数百キロワットのパワー、そしてメガワットものパワーをも生成するために出力のパワーおよび明るさをスケーリングしつつ、アパーチャが大きい光学系の懸念に取り組む際における柔軟性も考慮していない。種々の工業用途、科学用途、および防衛用途に答えるためには、スペクトル輝度および出力パワー増大に合わせた、方法およびシステムの改良が必要とされる。
本出願は、上述した課題を解決することを追求する。
レーザには、多数の工業用途、科学用途、および防衛用途がある。工業用途には、金属切断、スポット溶接、シーム溶接、穿孔、精密切断、およびけがき(marking)が含まれる。科学用途には、天文学用レーザ・ガイド星(laser-guide star for astronomy)、重力波検出、レーザ冷却および捕獲、ならびにレーザに基づく粒子加速が含まれる。防衛用途には、レーザに基づく兵器、レーザ誘起火花、およびLIDARが含まれる。
前述のように応用可能なレーザの例には、高平均および高ピークのパワー・ファイバ・レーザおよび増幅器、高平均および高ピークのパワー・アイセーフ(eye-safe)エルビウム・ドープ(Er−ドープ)ファイバ・レーザおよび増幅器、工業用レーザの準連続波(QCW:quasi-continuous wave)あるいはパルス状動作または長パルス状動作、工業用レーザの短パルス状(数nsから数百nsのパルス幅)動作等が含まれる。
前述したような、応用可能なレーザを含む、本明細書に記載したレーザのいずれかに波長ビーム結合を応用すると、レーザ利用に影響を及ぼす関連要因の多くを大幅に改善することが可能になる。パワー出力のような側面(aspects)を大幅に増大させることができ、輝度を大幅に高めることができ、コストを劇的に低減することができ、熱およびファイバに関する光学系の課題を容易に克服すること、または重大ではないところまで軽減することができ、全体的なサイズを縮小することができる等である。これらおよびその他の要因の結果を、波長ビーム結合によって、2桁以上改良することができる場合もある。
レーザ(LASERS)
以下の概略的な説明において記載するレーザのようなレーザは、本明細書において記載するイノベーションについての実施形態と関連付けて使用することができる。
レーザは、一般に、光の誘導放出によって可視光または不可視光を生成するデバイスと定義することができる。「レーザ(Laser)」は、本来、「輻射の誘導放出による光増幅(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)」の頭文字語であり、1957年にレーザの開発者であるGordon Gouldによって名付けられたが、現在では、一般にレーザの原理を使用して光を生成するデバイスに専ら使用されている。
レーザは、通常、種々の用途においてこれらが有用となる特性を有する。レーザの特性は、以下のことを含むことができる。光をレーザ・ビームとして放出する。レーザ・ビームは、大きく拡散することなく、長い距離を伝搬することができ、非常に小さな点に合焦することができる。非常に広いスペクトルを生成する殆どの他の光源と比較して、帯域幅が非常に狭い。光を連続的に放出することができ、あるいは僅か数フェムト秒も可能な短いバースト(パルス)で放出することもできる。
レーザは、種々のタイプで市販されることがある。極普通のレーザ・タイプには、半導体レーザ、ソリッド・ステート・レーザ、ファイバ・レーザ、およびガス・レーザが含まれる。
半導体レーザ(殆どのレーザ・ダイオード)は、電気的または光学的に励起され (pump)、通常非常に高い出力パワーを効率的に発生することができるが、乏しいビーム品質を犠牲にする場合が多い。半導体レーザは、CDおよびDVDプレーヤにおける用途に合わせて、優れた空間特性で低いパワーを生成することもできる。更に他の半導体レーザには、高いパルス・レート、低いパワーのパルス(例えば、電気通信用途用)を生成するのに適したものもある。特殊なタイプの半導体レーザには、量子カスケード・レーザ(中間赤外線光用)、および表面放出半導体レーザ(VCSELおよびVECSEL)が含まれ、後者は高いパワーのパルス発生にも適している。更に、半導体レーザについては、「レーザ・ダイオード(LASER DIODE)」という題の下で本明細書の他のところで説明する。
ソリッド・ステート・レーザは、イオン・ドープ・クリスタルまたはガラス(例えば、ドープ絶縁レーザ)に基づくことができ、放電ランプまたはレーザ・ダイオードによって励起し、高い出力パワーを発生することができる。あるいは、ソリッド・ステート・レーザは、非常に高いビーム品質、スペクトル純度、および/または安定性(例えば、測定の目的のため)で低いパワー出力を生成することもできる。ソリッド・ステート・レーザの中には、ピコ秒またはフェムト秒期間の超短パルスを生成できるものもある。ソリッド・ステート・レーザで使用される共通の利得媒体(gain media)には、Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:YLF、Nd:ガラス、Yb:YAG、Yb:ガラス、Ti:サファイア、Cr:YAG、およびCr:LiSAFが含まれる。
ファイバ・レーザは、ファイバ・コア内に何らかのレーザ活性イオンがドープされた光学グラス・ファイバに基づくことができる。ファイバ・レーザは、波長同調動作(wavelength-tuning operation)を妨げてきた、高いビーム品質で非常に高い出力パワー(キロワットまで)を達成することができる。狭幅ライン幅動作(narrow line width operation)等も、ファイバ・レーザによってサポートすることができる。
ガス・レーザは、ヘリウム−ネオン・レーザ、CO2レーザ、アルゴン・イオン・レーザなどを含み、通例放電によって励起されるガスに基づくことができる。頻繁に使用されるガスには、CO2、アルゴン、クリプトン、およびヘリウム−ネオンのようなガス混合体が含まれる。加えて、エキシマ・レーザは、ArF、KrF、XeF、およびF2の内いずれかに基づくことができる。その他の余り一般的でないタイプのレーザには、化学および核励起レーザ、自由電子レーザ、およびX−線レーザが含まれる。
レーザ・ダイオード(LASOR DIODE)
以下の概略的な説明において説明するレーザ・ダイオードのような、レーザ・ダイオードは、本明細書において記載するイノベーションの実施形態と関連付けて、そして本明細書において引用する証拠において、使用することができる。
レーザ・ダイオードは、一般に、光子(光)の放出をサポートする単純なダイオード構造を基本とする。しかしながら、効率、パワー、ビーム品質、輝度、同調可能性(tunability)等を改良するために、この単純な構造を修正して、種々の多くの実用的なタイプのレーザ・ダイオードを提供するのが一般的である。レーザ・ダイオードは、端面放出に様々な細かい変化を含み、高いビーム品質のビームで数ミリワットから凡そ半ワットの出力パワーを発生するタイプがある。レーザ・ダイオードの構造タイプには、2つの高バンドギャップ層の間に狭持された低バンドギャップ材料の層を含む二重ヘテロ−構造レーザ、非常に薄い中間層(量子井戸層)を含み、レーザのエネルギの高い効率および量子化が得られる量子井戸レーザ、1つよりも多い量子井戸層を含み、利得特性を改良する多重量子井戸レーザ、中間層をワイヤまたはドットと置き換えて、更に高い効率の量子井戸レーザを生成する量子ワイヤまたは量子の海(quantum sea)(ドット)レーザ、比較的長い波長においてレーザ動作を可能とし、量子層の厚さを変えることによって波長に同調することができる量子カスケード・レーザ、最も一般的に市販されているレーザ・ダイオードであり、量子井戸層の上下に他にも2層を含み、生成された光を効率的に閉じ込める分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(separate confinement heterostructure laser)、厳しい光通信用途において一般に使用され、集積された回折格子を含み、1つの波長を反射させて利得領域に戻すことによって製造中に安定した波長セットを発生し易くした分散フィードバック・レーザ、光が端面からではなく表面から放出されるということから、他のレーザ・ダイオードとは異なる構造を有する垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL)、主に二重ヘテロ構造ダイオードを使用し、格子または多重プリズム格子構成を含む同調可能なレーザである、垂直外部キャビティ面発光レーザ(VECSEL)および外部キャビティ・ダイオード・レーザが含まれる。外部キャビティ・ダイオード・レーザは、多くの場合波長が同調可能であり、小さな放出ライン幅を呈する。また、レーザ・ダイオードのタイプには、種々の高パワー・ダイオード系レーザも含まれる。高パワー・ダイオード系レーザには、1×100μmの矩形出力ファセットを有するマルチモード・ダイオードを特徴とし、通常ビーム品質は乏しいが数ワットのパワーを発生するブロード・エリア・レーザ(broad area laser)、1×100μmのテーパー状出力ファセットを有する非点モード・ダイオードを特徴とし、ブロード・エリア・レーザと比較すると、改良されたビーム品質および輝度を呈するテーパー状レーザ、1×4μmの楕円形出力ファセットを有する楕円モード・ダイオードを特徴とするリッジ導波路レーザ、および4×4μmのより大きな出力ファセットを有する円形モード・ダイオードを特徴とし、ほぼ円断面の回折限界ビームにおいてワット・レベルの出力を発生することができるスラブ結合光導波路レーザ(SCOWL:slab-coupled optical waveguide laser)が含まれる。以上に記載したものに加えて、他のタイプのダイオード・レーザも報告されている。
レーザ・ダイオード・アレイ(配列)、バー、およびスタック(積み重ね)(LASER DIODE ARRAYS, BARS AND STACKS)
レーザ・ダイオード・アレイ、バー、および/またはスタックは、本明細書において記載するイノベーションの実施形態と関連付けて、そして本明細書において引用する証拠において、使用することができる。
レーザ・ダイオードは、一般に、一次元の行/アレイ(ダイオード・バー)または二次元のアレイ(ダイオード・バー・スタック)に、個別にまたは纏めてパッケージ化することができる。ダイオード・アレイ・スタックは、一般に、ダイオード・バーの垂直スタックである。レーザ・ダイオード・バーまたはアレイでは、一般に、同等の1つのブロード・エリア・ダイオードよりも遙かに高いパワー、および価格効率性が得られる。高パワー・ダイオード・バーは、一般に、ブロード・エリア・エミッタのアレイを内蔵し、比較的乏しいビーム品質で、数十ワットを発生する。ブロード・エリア・レーザ・ダイオードよりもパワーは高いのであるが、輝度はこれよりも低い場合が多い。高パワー・ダイオード・バーをスタックして、数百または数千ワットという非常に高いパワーを発生するための高パワー・スタック・ダイオード・バーを生成することができる。レーザ・ダイオード・アレイは、自由空間またはファイバ内にビームを入射させるように構成することができる。ファイバ結合ダイオード・レーザ・アレイは、ファイバ・レーザおよびファイバ増幅器のための励起源(pumping source)として便利に用いることができる。
ダイオード・レーザ・バーは、ブロード・エリア・エミッタの一次元アレイを内蔵する、または代わりに10から20個の狭い帯状エミッタ(narrow stripe emitter)を内蔵する半導体レーザの一タイプである。ブロード・エリア・ダイオード・バーは、通例、19から49個のエミッタを内蔵し、各エミッタは、例えば、1×100μm程度の幅となっている。1μm次元即ち進相軸に沿ったビーム品質は、通例、回折制限を受ける。100μm次元即ち遅相軸、または配列次元(array dimension)に沿ったビーム品質は、通例、何倍も回折制限を受ける。通例、商用のダイオード・バーは、長さが1から4mm程度のレーザ・キャビティを有し、幅が約10mmであり、数十ワットの出力パワーを発生する。殆どのダイオード・バーは、780から1070nmの波長領域で動作し、808nm(ネオジム・レーザを励起するため)および940nm(Yb:YAGを励起するため)が最も突出している。915から976nmの波長範囲は、エルビウム・ドープまたはイットリウム・ドープの高パワー・ファイバ・レーザおよび増幅器を励起するために使用される。
通常取り組まれるダイオード・バーの特性は、出力空間ビーム・プロファイル(output spatial beam profile)である。殆どの用途では、ビーム・コンディショニング光学系が必要となる。したがって、ダイオード・バーまたはダイオード・スタックの出力をコンディショニングするために、多くの場合多大な労力が必要となる。コンディショニング技法には、ビーム品質を保存しつつビームを平行化するために非球面レンズを使用することが含まれる。進相軸に沿った出力ビームを平行化するために、微小光学進相軸コリメータが使用される。非球面円筒形レンズのアレイが、アレイ即ち遅相軸に沿った各レーザ・エレメントの平行化に、多くの場合使用される。ほぼ円形のビーム・ウェストを有するビームを得るためには、各ダイオード・バーまたはアレイのビーム品質を対称にするための特殊ビーム・シェーパを適用することができる。ダイオード・バーの劣化特性(degrading property)は、「スマイル」(smile)、即ち、本質的に平面状に接続されるエミッタにおける小さな湾曲である。スマイルの不具合(smile error)は、ダイオード・バーからのビームを合焦する能力に、有害な影響を与える可能性がある。他の劣化特性に、遅相および進相軸の平行化誤差がある。例えば、進相軸平行化レンズを捻ると、事実上のスマイルが生ずる。これは、合焦する能力に有害な影響を及ぼす。スタックにおいて、各バーの「指向」誤差が最も目立つ影響である。指向誤差(pointing error)は、平行化誤差となる。これは、進相軸レンズからアレイまたはバーが偏倚した結果である。1μmの偏倚は、アレイ全体が1μmのスマイルを有することと同じである。
ダイオード・バーおよびダイオード・アレイは、横断方向またはフィラメント形成における増幅自発放出または寄生レーザ発振というような、非常に広い単一エミッタの欠点を解消する。また、ダイオード・アレイはより安定なモードのプロファイルで動作することができる。何故なら、各エミッタがそれ自体のビームを生成するからである。隣り合うエミッタのコヒーレント結合をある程度利用する技法では、ビーム品質を高めることができる。このような技法は、ダイオード・バーの製作において含めることができるが、他の技法では外部キャビティを必要とする場合もある。ダイオード・アレイの他の利点は、このアレイの幾何学的形状が、ダイオード・バーおよびアレイを、遙かに高いビーム品質を得るためのコヒーレントまたはスペクトル・ビーム結合に非常に適したものにすることである。
バーまたはアレイを加工せずに提供することに加えて、ダイオード・アレイはファイバ結合形式でも入手可能である。何故なら、こうする方が、光が使用される場所からある距離だけ離れてダイオードの冷却が行われるように、 各エミッタの出力を利用すること、およびダイオード・バーを装着することが遙かに容易となるからである。通常、単純な進相軸コリメータを使用し遅相軸方向ではビーム・コンディショニングを行わずに、または輝度をより良く保存するために一層複雑なビーム・シェーパを使用して、光は1本のマルチモード・ファイバに結合される。また、エミッタからファイバの束(エミッタ毎に1本のファイバ)にビームレットを発射することも可能である。
ダイオード・バーまたはダイオード・アレイの放出帯域幅は、用途によっては、重要な考慮事項となる。光フィードバック(例えば、体積型ブラッグ格子からの)は、波長許容範囲(wavelength tolerance)および放出帯域幅を大幅に改良することができる。加えて、帯域幅および正確な中心波長も、スペクトル・ビーム結合には重要となる可能性がある。
ダイオード・スタックは、単に、非常に高い出力パワーを送り出すことができる、多数のダイオード・バーの配列に過ぎない。ダイオード・レーザ・スタック、マルチバー・モジュール、または二次元レーザ・アレイとも呼ばれる、最も一般的なダイオード・スタックの配列は、事実上端面放射型発光ダイオード(edge emitter)の二次元アレイである、垂直スタックのそれである。このようなスタックは、ダイオード・バーを薄いヒート・シンクに取り付け、ダイオード・バーおよびヒート・シンクの周期的なアレイを得るようにこれらの組立体をスタックすることによって製作することができる。また、水平ダイオード・スタック、および二次元スタックもある。
高ビーム品質を得るためには、一般に、ダイオード・バーをできるだけ互いに近づけなければならない。一方、効率的な冷却には、バーの間に装着するヒート・シンクには何らかの最小厚さが必要となる。このダイオード・バーの間隔のトレードオフの結果、垂直方向におけるダイオード・スタックのビーム品質(そして、その結果、その輝度も)、単一のダイオード・バーのそれよりも遙かに低くなる。しかしながら、例えば、異なるダイオード・スタックの出力の空間的交互配置によって、偏光結合(polarization coupling)によって、または波長多重化によって、この問題を大幅に軽減する様々な技法がある。このような目的のために、種々のタイプの高パワー・ビーム・シェーパおよび関連デバイスが開発されている。ダイオード・スタックは、非常に高い出力パワー(例えば、数百または数千ワット)を供給することができる。
また、水平ダイオード・スタックもあり、ここでは、ダイオード・スタックが横に並んで配列され、長い直線状のエミッタのアレイとなる。このような配列は、垂直に向けられたダイオード・バー間に発生する自然対流冷却によって、一層容易に冷却することができ、したがってエミッタ毎の出力パワー増大を図ることができる。一般に、水平スタックにおけるダイオード・バーの数(したがって、全出力パワー)は、垂直スタックにおけるよりも一層制限される。
ダイオード・バーおよびダイオード・スタックは、数百ミリ秒の期間と、数十ヘルツのパルス繰り返し率とを有するパルスを発生することを含む準連続波動作を適用することによって、重大な冷却の課題もなく、非常に高いパワーを得ることができる。
波長ビーム結合(WAVELENGTH BEAM COMBINING)
以下の概略的な説明において記載するような、波長ビーム結合の技術および実施形態は、本明細書において記載するイノベーションの実施形態と関連付けて、そして本明細書において引用する証拠において、使用することができる。
レーザ・ダイオードによって放出された光が線形に偏光されると、2つのダイオードの出力を、偏光ビーム・スプリッタによって結合することが可能になるので、1つのダイオードの2倍のパワーがあるが同じビーム品質のビームを得ることができる(これは、多くの場合、偏光多重化と呼ばれている)。あるいは、ダイクロイック・ミラーを使用して、多少異なる波長のレーザ・ダイオードのビームをスペクトル的に結合することも可能である。ビーム結合手法を更に系統立てることによって、高い出力ビーム品質で、更に多くのエミッタを結合することが可能になる。
ビーム結合は、通常、多数のデバイスの出力を結合することによって、レーザ・ソースのパワーをスケーリングするために使用される。ビーム結合の原理は、本質的に、多数のレーザ・ソースの出力を、多くの場合、レーザ・アレイの形態で結合して1つの出力ビームを得るというように記述することができる。スケーラブルなビーム結合技術を応用することによって、結合されるビームに寄与する1つ1つのレーザがスケーラブルではなくても、パワーがスケーラブルなレーザ・ソースを生成することができる。ビーム結合は、通常、出力パワーと(ほぼ)同じだけ輝度を高めるように、ビーム品質を保存しつつ、出力パワーを倍増させることを目標とする。
輝度向上を伴うビーム結合には多くの異なる手法があると考えられるが、全ての手法は3つのカテゴリ、コヒーレント、偏光、および波長ビーム結合の内1つに分類することができる。コヒーレント・ビーム結合は、互いにコヒーレントなビームにおいてうまく作用する。単純な例では、光周波数が同じである単色ビームを結合することができる。しかしながら、コヒーレント・ビーム結合の方式の中には、遙かに洗練されたものもあり、したがって、これらの方式は多数の周波数に跨がって行われる放出と合わせるとうまく作用し、全てのエミッタの放出スペクトルが同じものとなる。
偏光ビーム結合は、2本の直線偏光ビームをポラライザ(例えば、薄膜ポラライザ)によって結合する。勿論、この方法は反復可能ではない。何故なら、これは非偏光出力を発生するからである。したがって、この方法では、厳密な意味ではパワー・スケーリングが可能ではない。これら3つの技法の各々は、例えば、レーザ・ダイオード(特に、ダイオード・バー)およびファイバ増幅器に基づいて、種々のレーザ・ソースだけでなく、高パワー・ソリッド・ステート・バルク・レーザおよびVECSELにも適用することができる。
波長ビーム結合(スペクトル・ビーム結合または非コヒーレント・ビーム結合とも呼ばれる)は、相互コヒーレンスを必要としない。何故なら、これは光スペクトルが重複しないエミッタを採用し、波長結合ビームを生成するために、そのビームが、プリズム、回折格子、ダイクロイック・ミラー、立体ブラッグ格子等のような、波長感応ビーム・コンバイナに供給されるからである。WBCの発明および実施態様は、米国特許第6,192,062号、第6,208,679号、および米国特許出願公開2010/110556号に記載されている。波長ビーム結合は、ビーム品質に重大な損失を全く生ずることなく、一層容易にビーム結合を首尾良く達成する。また、波長ビーム結合は、単一の高パワー・レーザ・ダイオードよりも信頼性が高い。何故なら、1つのエミッタが故障すると、単純に、出力パワーがそれに応じて低下するだけであるからである。
波長ビーム結合の概略的な原理は、光スペクトルが重複しない数個のレーザ・ダイオード・ビームを発生し、波長感応ビーム・コンバイナにおいてこれらを結合し、その結果同じ方向にこれらのビームが全て伝搬するようにすることである。
多くのダイオード・レーザを結合し高いビーム品質を得るために、結合されるレーザ・ダイオードは、各々、利得帯域幅の小さな一部分でしかない放出帯域幅を有していなければならない。更に、波長ビーム結合の間におけるビーム品質は、ビーム・コンバイナの角度分散による影響を受ける。ビーム・コンバイナを、分散が十分に強く波長が安定しているレーザ・ダイオードと共に用いると、波長ビーム結合の間に高いビーム品質を得るのに大いに役立つ。波長ビーム結合をやりやすくするためにレーザ・ダイオードの波長を同調させる技法は、各レーザを所定の波長に独立して同調させることから、結合されたビーム・パスに対するその空間位置に基づいて、各レーザ・ダイオードのビーム波長を自動的に調節することまでに亘る。
波長ビーム結合は、パワー・スケーリングに使用することもできる。ほぼ無限のパワー・スケーリングの単純な例を挙げるとすると、独立して動作及び隣接する多数のレーザからの平行化ビームを重なり合わないように並べることであろうが、結合されたパワーはレーザの個数に比例して増大するものの、結合された出力のビーム品質は低下し、一方輝度はせいぜい単一のレーザと同等に過ぎない。通例、システムの輝度は、単一エレメントよりも遙かに低くなる。したがって、ビーム結合エレメントのビーム品質を保存するパワー・スケーリング方法は、非常に望ましいことが分かるであろう。
波長ビーム結合は、ダイオード・バー、ダイオード・スタックなどを含む、種々のタイプのレーザ・ダイオード構成に応用することができる。ダイオード・バーは、ブロード・エリア・レーザ・エミッタの一次元アレイであり、種々のファイバおよび光学システムと組み合わせて、1つ以上の波長結合ビームを生成することができる。ダイオード・バーは、2つから50個以上のレーザ・エミッタを1つの直線状基板上に含むことができる。ダイオード・スタックは、本質的に、ダイオードの二次元アレイである。ダイオード・バーは、垂直スタックまたは水平スタック配置でダイオード・スタックに製作することができる。
本明細書において記載するシステムおよび方法は、高い輝度およびパワーを生成するためのスケーリングWBC方法を対象とする。本明細書において記載する実施形態の一部は、複数のモジュール状レーザ入力デバイスを使用し、各デバイスは、スケーラブルなシステムを形成するために複数のレーザ・エレメントで構成される。モジュール状レーザ入力デバイスを用いてスケーリングを可能にすることによって、必要に応じてパワーを増減することに適用する際に柔軟性が得られ、必要とされる光学系のサイズを縮小し、場合によっては、システムの全体的なフットプリントも縮小することができ、これによって、小型でロバストなシステムが生み出される。このシステムは、キロワット、数十および数百キロワット、そしてメガワットのパワー出力、ならびに輝度までにもスケーリングすることができる。
図1Aは、エミッタの単一ダイオード・レーザ・バーの配列次元に沿った、波長ビーム結合(WBC)方法の模式図である。 図1Bは、エミッタの二次元アレイの配列次元に沿ったWBC方法の模式図である。 図1Cは、エミッタの二次元アレイのスタック(積み重ね)次元に沿ったWBC方法の模式図である。 図2Aは、WBCシステムを数十キロワット以上にスケーリングする実施形態を示す模式図である。 図2Bは、WBCシステムを数十キロワット以上にスケーリングする実施形態を示す他の模式図であり、テレスコープ光学系が組み込まれている。 図3は、種々の半導体、ダイオード・バー、および他のレーザ・アレイ・エミッタの共通の欠点を示す。 図4は、波長狭域化およびダイオード・アレイおよびスタックの安定化のため、ならびに各ダイオード・バーのビーム品質を同時に改良するために、球面テレスコープ(telescope)および回折格子を使用して、スマイルおよびその他の指向誤差に取り組む基本的な外部キャビティ構造を示す。 図5は、ダイオード・バーおよびスタックにおける欠陥には関係なく、全てのレーザ・エレメントが同じ狭域波長において、場合によっては1つの周波数で動作する構造を示す。 図6は、スマイルのあるダイオード・レーザ・スタックの基本的な一次元アーキテクチャを示し、この場合配列次元に沿ってWBCが行われる。 図7は、キャビティによって欠点が完全に補償された場合の、配列次元に沿った2−Dダイオード・レーザ・エレメントの1−D WBCの基準アーキテクチャを示す。 図8は、ダイオード・バーおよびスタックにおけるいずれの欠陥にも関係なく、理想的なまたはほぼ理想的なビームを生成する、スタック次元に沿った1−D WBCキャビティ結合の基準アーキテクチャを示す。 図9は、ダイオード・アレイおよびダイオード・スタックにおける欠陥を補正するために使用される関連技術の方法を示す。 図10は、非対称的なビームの拡散を示す。 図11は、欠陥を低減するためにガラス・ブロックを使用した回折共振システムを示す。 図12は、スマイルを有する共振システムを示す。 図13は、図8における実施形態の構成の計算的光学モデルである。
態様および実施形態は、一般に、外部キャビティを使用してレーザ・ソースを高パワーおよび高輝度にスケーリングする分野に関し、更に特定すれば、一次元または二次元レーザ・ソース双方を使用する、外部キャビティ・ビーム結合方法および装置に関するものである。更に、態様および実施形態は、10から数百、更には数メガワットもの出力パワーの重複ビームまたは同軸ビームを発生する、高パワーおよび/または高輝度多重波長外部キャビティ・レーザに関するものである。
とりわけ、態様および実施形態は、個々のレーザ・エミッタを組み合わせてモジュール状ユニットにし、これらの複数のモジュール状ユニットを全て単一のシステムにおいて組み合わせて、輝度およびパワーがスケーリングされた単一出力プロファイルを生成する方法および装置を対象とする。本明細書において提供する発明の利点の1つは、システムをスケーリングするために必要となる光学エレメントのサイズ縮小である。他の利点は、波長ビーム結合(WBC)システムの全体的なフットプリントのサイズを縮小できることである。
多くの場合、光学システムを「簡素化する」ことは、個々のシステムの中にある光学エレメントの数を減少させることと考えられていた。光学エレメントの数を増加させることは、システムまたはシステムの生産性の複雑度を増大させるように思われる。しかしながら、本明細書において記載する実施形態の一部は、WBCシステムにおける光学エレメントの数を増大させることによって、ある種の光学エレメントのアパーチャを縮小するというような、以前に論じた利点の内一部を達成する。
例えば、図1aに基本的なWBCアーキテクチャを示す。4つのレーザ・エレメントを有するアレイ102が示されている。しかしながら、アレイ102は、それよりも遙かに多いレーザ・エレメントを有することもできる。アレイ102は、単一ダイオード・レーザ・バーとして示されている。しかしながら、エレメントのアレイ即ち行が、多数のエレメントを有するファイバ・レーザであること、横に並べられた多数の個々のレーザ・エミッタであること、または一次元アレイに配列されたレーザ・エレメントの他のいずれかの組み合わせであることも可能であり、この場合、各エミッタが1つ以上の電磁ビームを放出し、このビームの遅相発散次元(slow diverging dimension)が配列次元即ち行次元に沿って整列されることを前もって考慮する。個々のビーム104は、図では破線または1本の線で示されており、ビームの長さ、即ち、長い方の次元は遅相発散次元を表し、高さ、即ち、短い方の次元は進相発散次元を表す。各ビームを進相次元に沿って平行化するために、1つの平行化光学系106が使用されている。変換光学系(1つまたは複数)108は、円筒形または球面のレンズまたはミラーあるいは組み合わせとすることができ、入力正面ビュー112によって示されるように、WBC次元110に沿って各ビーム104を結合するために使用される。次いで、変換光学系108は、結合されたビームを分散性エレメント(dispersive element)(回折格子を使用して示されている)114上に重ね合わせ、次いで結合されたビームは、単一出力プロファイルとして、出力カプラ116上に伝えられる。この出力カプラは、次に、出力正面ビュー118によって示されるように、結合ビーム120を伝える。出力カプラは、部分的に反射し、この外部共振システム100aにおける全てのレーザ・エレメントに対して、共通フロント・ファセット(front facet)として作用する。外部キャビティとは、レーザ発生システムであり、各レーザ・エミッタの放出アパーチャまたはファセット(表示されていない)からある距離だけ離れたところに、副ミラーが転置させられている。一般に、放出アパーチャまたはファセットと出力カプラまたは部分的反射面との間に、追加の光学系が配置される。
同様に、図1Bは、3つのレーザ・アレイまたはバー102のスタック(積み重ね)150を示し、各アレイが4つのエミッタを有する。図1Aにおけると同様、図1Bの入力正面ビュー112は、この場合はビームの二次元アレイであるが、ビームの配列次元に沿って結合され、出力正面ビュー118、即ち、ビームの単一列の単一出力プロファイル120を生成する。
図1Cに示す他のWBC方法は、エミッタの二次元アレイを形成するレーザ・アレイ102のスタック150を示し、図1Aおよび図1Bにおけるようにビームを遅相次元に沿って結合する代わりに、WBC次元110は、ここでは、二次元プロファイルで配列されたビームのスタック次元(stack dimension)に従う(follow)。ここでは、それぞれの進相発散次元即ち軸に沿って、ビーム120の単一列が示される出力正面ビュー118を生成するように、入力正面ビュー112が結合されている。
以上の図1Aから図1CのWBC方法の例示では、1つの変換光学システムを利用する方法を示した。一次元または二次元入力プロファイル全体は、1つの変換光学システムによって、単一出力プロファイルに縮小される。しかしながら、列即ちスタック次元あるいはアレイ即ち行次元のような1つの次元に沿ってビームの数が増大すると、一次元または二次元プロファイル全体を受け入れるために、開口数のサイズを空間的に増大しなければならない。加えて、エミッタ間の空間が広がると、変換の開口数も同様に、更に広がる、即ち、空間的に離されるエミッタを受け入れるために、サイズを増大させる必要がある。例えば、典型的なCOTSダイオード・スタックは、バー間に2mmのピッチを有する。つまり、100個のバーを組み合わせようとする場合、変換光学系のアパーチャは、少なくとも200mmでなければならない。殆どのCOTS光学系の直径は75mm未満であり、25mmが最も一般的である。
WBCシステムの設計目標の1つが、多数のビームを結合する小型のシステムを生成することである場合、または個々のビームが空間的に広げられる場合、これは問題となる。ビームの数が増えると、またはビーム間が空間的に広がると、一次元または二次元ビーム・プロファイルが大きくなる。このため、変換光学系は、十分に大きなアパーチャを有することが必要となる。
変換光学系のアパーチャが大きくなり過ぎると、製造が一層難しくなり、光学系のコストが通常上昇する。アパーチャが大きく収差が少ない光学系を作るのは、困難な作業である。容認可能な品質を有する市販の既製光学系は、直径が約5から6インチに制限され、1インチが最も一般的である。
一般的な「既製」の高パワー・レーザ・ダイオード・アレイおよびスタックに基づくレーザ・ソースは、ブロード・エリア・ダイオード・レーザ・エレメントに基づく。通例、これらのエレメントのビーム品質は、進相軸に沿って回折制限を受け、更にレーザ・エレメントの遅相軸に沿って何倍も回折制限を受ける。尚、以下の論述は主にレーザ・ダイオード、ダイオード・バー、およびダイオード・スタックに言及すると考えればよいが、本発明の実施形態は、レーザ・ダイオードには限定されず、ファイバ・レーザ、個別にパッケージングされたダイオード・レーザ、半導体レーザ、およびその他のタイプのレーザを含む、多くの異なるタイプのレーザ・エミッタとでも使用できることは認められてしかるべきである。更に、本明細書において使用する場合、「アレイ(配列)」という用語は、横に並べられた1つ以上のレーザ・エレメントを指す。図1Aから図1Cにおける配列次元(array dimension)は、ブロード・エリア・エミッタについては遅相軸に沿った方向である。しかしながら、配列次元に沿って整列させられた個々のエミッタが、進相軸に沿っていること、遅相軸からある角度だけずれていること、あるいはアレイまたは列に沿った各エミッタに対して不規則に並べられていることもあり得ると考えられる。本明細書において使用する場合、「スタック(積み重ね)」という用語は、一緒にスタックされた2つ以上のアレイを指す。スタックは、機械的または光学的に配列することができる。一例では、機械的に配列されたスタックが2つ以上のアレイを含み、これらのアレイは物理的に互いの上にスタックされて出力ビームを生成し、これらのビームが互いの上にスタックされる。光学的に配列されたスタックは、方向転換ミラーのような光学素子を使用することによって得ることができ、出力ビームが互いの上にスタックされるように、2つ以上のアレイからの出力ビームを配列し、各ビームは対応するアレイから放出される。図1Aから図1Cにおけるスタック次元は、進相軸に沿っている。しかしながら、スタック次元即ち列次元に沿って整列された個々のエミッタが、遅相軸に沿っていること、遅相軸からある角度だけずれていること、あるいはスタック即ち列に沿った各エミッタに対して不規則に並べられていることもあり得ると考えられる。レーザは、準連続波(QCW)またはCWとして動作させることができ、出力パワーはミリワット未満から数十ワット以上となる。
注記したように、レーザ・エレメントの波長ビーム結合(WBC)は、レーザ・システムからのパワーおよび輝度をスケーリングするための魅力的な方法である。輝度は、N*P/(λ*M*M )iの積であり、ここでNは結合エレメントの総数であり、Pは各エレメントの出力パワーであり、λは動作波長であり、M , M は、二次元に沿ったビーム品質であり、N*Pはパワーである。
図1は、一般的な、部分的に反射する外部カプラを使用するWBCキャビティの3つの変形を示す。1)図1aは、一次元アレイの波長ビーム結合を示し、ここでは、遅相次元でもある配列次元に沿って、ビーム結合が行われる。入力ビュー112および出力ビュー118が、図1Aの左側に示されている。出力ビームは単一エレメントのそれである。2)図1Bは、遅相次元でもある、配列次元に沿った波長ビーム結合のための基準キャビティを示す。その結果、ビームの単一列が得られる。3)図1Cは、第3のWBC外部キャビティを示す。波長ビーム結合は、進相次元でもある、スタック次元に沿って行われる。これは、キャビティ100aおよび100bにおいて示すように、WBC次元の逆である。結果的に得られる出力は、ビームのアレイとなる。
一般に、3つのWBCキャビティは全て、レーザ・エレメントのアレイまたはスタック、変換光学系(円筒形または球面のレンズあるいはミラー)、分散性エレメント(回折格子を使用して示されている)、および部分的に反射する出力カプラで構成されている。変換光学系(1つまたは複数)は、レーザ・アレイの後ろに配置されている。変換光学系の位置は、光源によって異なる。理想的な点光源では、光源から焦点距離だけ離れたところに配置される。分散性エレメントは、全てのビームが空間的に重なり合うところに配置され、名目上は(nominally)変換光学系の後部焦点面となる。分散性エレメントがこの名目的位置に配置されない場合、その結果出力ビーム品質の劣化が生ずる。出力カプラは、一次回折ビームの経路上に配置される。したがって、理想的には、レーザ・エレメントからの全ての出力ビームは、図1Aから図1Cに示したように、変換光学系によって、格子上において空間的に重ね合わされる。部分的に反射する出力カプラおよび格子は、レーザ・エレメントの一意の波長制御のためのフィードバックを与え、近場(出力カプラにおける)および遠場においてビームを重ね合わせる。その結果、理想的には、出力ビームは単一ビーム結合エレメントと同じビーム品質を有するが、パワーは全てのレーザ・エレメントからの総和となる。
更に高いパワーおよび高い輝度にスケーリングするためには、以上で論じた3つのWBCキャビティに対するこの基本的な光学設定では限界があり、ときとして非実用的であることもある。例示するために、図1Cに示したキャビティを使用する例を用いる。3000ワットのWBCシステムが望ましいと仮定する。典型的な市販されている既製品(COTS)の多数のエミッタを有するレーザ・ダイオード・バーでは、バー当たりの全出力パワーが100ワットに定められている(rated)。つまり、3000ワットを得るためには、100ワットのレーザ・ダイオード・バーが30本必要となる。このタイプのダイオード・バー間のピッチは、通例、約2.0mmである。したがって、図1cにおける構成と同様に30本のバーをスタックすると、スタック次元に沿ったスタックの幅は、29×2=58mmとなる。ビーム・プロファイル全体を受光するために必要とされる変換光学系の直径は、それよりも多少大きくなければならないので、標準的なサイズの75mm、即ち、3インチが適したサイズとなる。収差が少ない光学素子は、この直径では、市販されているが、一層高価となり一般的でなくなる。
以上の例示を3000ワットから10キロワット・システムにスケーリングするには、光学素子のサイズを3.3倍大きくする必要がある。即ち、約191.4mm(〜10インチ)にする必要がある。直径が10インチで収差が少ない光学素子を生産するには、非常に費用がかかり、時間がかかる特別な光学素子の製作が必要となる。これでは、市場では競争力のない10キロワット・システムとなる。加えて、3000Wおよび10kWのスペクトル帯域幅が同じであると仮定すると、10インチの焦点距離では、変換光学系/ミラーから回折格子までの距離が、大まかに3倍長くなることになる。
より大きなアパーチャを有する光学エレメントを使用する問題に取り組む一実施形態を図2Aに示す。ここでは、複数のエミッタを単一出力プロファイルにスケーリングするためにWBC方法を使用する、外部キャビティ200aが、複数のより小さな変換光学系208を使用して、構成されている。エミッタのスタックを分析して、より小さなビーム−入力プロファイルを有する個々のモジュールを得ることによって、より小さな開口数を有する光学エレメントを使用することが可能になる。加えて、スタックのモジュール化によって、システムの柔軟性を高めることが可能になる。この柔軟性は、一度に1つのモジュールを交換できること、パワー増大が要求されるときに追加のモジュールをシステムに加入させること、および当業者には明白になるその他の利点を含む。
キャビティ200aは、一次元または二次元プロファイルを生成する複数のレーザ・エレメント250、レーザ・エレメント250の1組毎の変換光学系、分散性エレメント(透過回折格子(transmission diffraction grating)が示されている)、および出力カプラによって構成されている。キャビティ200aの個々のレーザ入力モジュール252は、一次元または二次元プロファイルを形成する1組の複数のレーザ・エレメント250と、1つの変換光学系208とによって構成されている。加えて、図2Aに示すように、レーザ入力モジュールは、平行化光学系、例えば、進相軸に沿ってビームを平行化するように構成されている、進相軸平行化光学系、即ち、FAC光学系206を含むことができる。他の光学エレメントも含むことができるが、基本的なレーザ入力モジュールは、少なくとも2つのエミッタと1つの変換光学系とを含む。レーザ・エミッタ250および変換光学系208の各組は、全てのレーザ・エミッタからの全てのビームが回折格子214上で空間的に重ね合わされるように、方向付けられている。各スタックの変換光学系は、FAC光学系206の後方焦点面から1焦点距離だけ離れたところに配置するとよい。回折格子214は、全てのビームが重ね合わせられるところに配置するとよい。名目的に、これは、変換光学系208の各焦点面となる。出力カプラ216は、通常、一次回折ビームの経路に配置される。この実施形態では、出力カプラ216を部分的に反射型にして、回折格子214と組み合わせたときに、レーザ・エミッタの一意の波長制御のためにフィードバックを供給することができる。これをウェーブ・ロッキング(wave locking)と呼ぶことがある。加えて、格子および出力カプラは、近場(出力カプラにおいて)および遠場双方にビームの重なり合いを生成することによって、単一出力プロファイルを形成する。
許容される最大の光学エレメントが3インチであると仮定したレーザ・ダイオード・バーを使用する先の例示を続けると、レーザ・エレメント250は、30個のダイオード・バーを含むスタックで構成されることになる。つまり、各レーザ入力モジュール252は、3000ワットの総パワーを生成し、3つのレーザ入力モジュールを有する図2Aに示したような外部キャビティ200aは、100%の効率を仮定すると、9000ワットを生成することになる。第4のレーザ入力モジュールまたはn番目のレーザ入力モジュールを追加すると、追加の3000ワット分外部キャビティの出力が増大する。
他の実施態様を図2Bに示す。高パワーのレーザ・システムを設計するときにおける、実用上の考慮点の一部には、レーザ・エレメントの有限利得帯域幅、分散性エレメントの受入角度、分散性エレメント上におけるスポット・サイズ、およびシステムの全体的なサイズが含まれる。外部キャビティ200bは、全体的なプロファイルのアパーチャ・サイズ、およびレーザ入力モジュール252の各々からの個々のビームを縮小する、テレスコープ・システム(telescoping system)264を形成するように構成されている副テレスコープ光学系262を含む。このプロファイルの縮小によって、変換光学系208が更に小さなアパーチャを有することが可能になり、一方、このために変換光学系208と回折格子214との間の距離270を短縮するのにも役立つ。外部キャビティ200bにおけるレーザ入力モジュール252は、図示のように、レーザ・エレメント250、FAC光学系206、および主テレスコープ光学系260によって構成されている。主テレスコープ光学系260は、副テレスコープ光学系262と結合されると、テレスコープ・システム264を形成する。図2Aにおける実施形態と同様、図2Bにおけるレーザ入力モジュール250は、追加の光学エレメントを含むこともできるが、基本的形態では、少なくとも2つのレーザ・エミッタと、少なくとも1つの次元に沿った、ビーム間の距離を空間的に短縮するように構成された光学エレメントがあればよい。基本的なレーザ入力モジュールにおけるこれらの光学エレメントは、円筒形または球面のレンズあるいはミラーを含むことができる。この追加のテレスコープ(telescope)は、これらの殆どを軽減するのに役立つ。全体的なサイズは、変換光学系の焦点距離によって決まる。例えば、f=100mmの変換光学系を有し10mm幅で976nmのダイオード・アレイ、およびミリメートル当たり1600ラインの格子を使用すると、1つの次元に沿ったサイズは、大まかに、変換光学系の焦点距離の2倍、即ち、約200mmとなる。しかしながら、f=10mmおよびf=1mmのテレスコープ、およびf=10mmの変換光学系を使用すると、約42mmという遙かに小さなサイズが得られる。出力ビーム特性は、単一のf=100mmの変換光学系と全く同じである。双方の場合の空間帯域幅は、約39nmである。39nmは、ほぼ976nmのダイオード・レーザの利得帯域幅である。つまり、単一変換光学系のキャビティにレーザ・エレメントを更に追加しても、うまく作用しない。しかしながら、第2の例において、変換光学系をf=20mmに交換すると、空間帯域幅はの縮小は2倍になる。または、同じ空間帯域幅に対して、2つの10−mm幅のバーを波長ビーム結合することができる。これによって、全体的なサイズが大凡42mmから62mmに増大する。変換レンズを100mmに交換すると、全体的なサイズは約222mmとなり、単一変換光学系の設計に相当するが、この場合、10倍多いレーザ・エレメントを結合することができる。即ち、大凡10倍明るいシステムとなる。
また、テレスコープの追加によって、格子上のスポット・サイズも小さくなる。例えば、典型的なダイオード・バーには、f=900μmの平行化光学系が取り付けられている。理想的な平行化を仮定すると、平行化されたビームは、約1mradの発散角度(divergence angle)を有する。つまり、f=100mmの変換光学系を使用すると、格子上におけるスポット・サイズは、WBC次元に沿って約100μmとなる。このような小さなスポット・サイズは望まれない。格子上のスポット・サイズが小さいと、このために、格子上のパワー密度が非常に高くなる。この結果、格子に光学的な損傷を及ぼす危険性が高くなる。
追加のテレスコープによって、格子上のスポット・サイズを、テレスコープの倍率だけ増大させることができる。f=10mm、f=1mm、即ち、10倍の倍率を使用した先の例では、格子上のスポット・サイズは、100μmではなく、1mmとなる。同時に、空間帯域幅は、バー当たり39nmから3.9nmに減少する。つまり、先に述べたように、10本のバーを結合して、39nm帯域幅の全てを使用することができる。図2Bに示したような一例は、多数のダイオード・スタックと、レンズのアレイおよび共通レンズを使用したテレスコープと、変換光学系と、格子と、WBC次元に沿ったテレスコープと、WBC以外の次元に沿ったテレスコープと、出力カプラとによって構成されている。WBC次元に沿って、図2Bに示すように、レンズ260のアレイおよび共通レンズ262が、テレスコープ264のアレイを形成する。各レーザ・モジュールは、それ自体のテレスコープを有する。レーザ・モジュールおよびテレスコープのアレイは、全てのビームが名目的に、テレスコープの後に互いに平行になるように位置付けられる。つまり、その機能は、各エミッタのサイズを縮小し、全てのレーザ・モジュールからの全体的なサイズをしかるべき所望のサイズに縮小することである。テレスコープの後ろにおけるビーム・サイズの縮小によって、格子上におけるビーム・サイズが大きくなり、つまり、パワー密度が同じ倍率だけ低下することになる。このスタック・サイズの縮小によって、以上の例に示したように、スペクトル帯域幅を一層良く利用できるようになる。つまり、スタックの縮小画像が、テレスコープの共通光学系の焦点面において形成される。変換光学系は、これらを回折格子上に重ね合わせる。格子および出力カプラは、各レーザ・バーを一意の制御された波長で動作させる。このように、全てのビームが、近場および遠場双方において、空間的に重ね合わせられる。格子と出力カプラとの間にあるテレスコープは、ビーム結合次元に沿ったビーム・サイズを縮小するために使用される。WBC以外の次元に沿って、非ビーム結合次元に沿った全てのビームが、出力カプラに対して垂直に伝搬するように、追加の光学素子が必要となる。例えば、図示のように、格子と出力カプラとの間においてWBC以外の次元に沿ったテレスコープは、レーザ・アレイを出力カプラ上に再撮像する。このように、結果的に得られる出力ビームは、単一バーのそれと同じになる。尚、一層ロバストで損失が少ないキャビティを形成するために、図示しない追加の光学素子が必要となる場合もあることは、注記してしかるべきである。
設計の一例として、レンズ・アレイが球面レンズであり、焦点距離が300mm、直径が3インチの光学素子であると仮定する。スタックは、2mmピッチの30本のバーで構成されている。共通テレスコープ光学系は、円筒形光学系で、焦点距離が2.8mmであると仮定する。また、格子はミリメートル当たり1760ラインの溝密度を有すると仮定する。変換光学系の焦点距離は、200mmである。このため、レーザ・スタックの帯域幅は約0.78nmとなる。30本のバーで構成されるスタックを10個スタックすると、帯域幅は約10×0.78/ffとなる。ここで、ffはスタック間の充填率である。スタック間充填率が0.9の場合、帯域幅は約8.7nmとなる。格子上におけるビーム・サイズは、約100mmとなる。空間インターリーバ(spatial interleaver)を使用して、偏光多重化(polarization multiplexing)を行うと、10(スタック数)×30(スタック当たりのバー数)×2(空間インターリーバの効果)×2(偏光による)=1200バーまで結合することができ、単一バーと同じ出力ビーム品質、1200×100W=120,000Wのバー・パワー、および約8.7nmの空間ライン幅を得ることができる。
低コスト、高信頼性、高輝度ダイオード・レーザ・システム
非常に信頼性が高いダイオード・レーザ・システムは、工業用途のために強く求められている。工業界における顧客は、通例、システムが100,000時間まで、即ち、11年よりも長く存続することを求める。レーザの寿命は、レーザのタイプによって様々である。マイクロ・チャネル・クーラを使用して能動的に冷却するダイオードの寿命は、約10,000時間以上である。受動的に冷却するダイオード・レーザは、約20,000時間以上の寿命がある。密閉管CO2レーザの寿命は、約35,000時間である。保守は殆ど行われない。密閉管CO2レーザは、数百ワットが限界である。高パワーのkWクラスのCO2レーザ・システムは、通例、100,000時間以上存続する。しかしながら、これらは1,000時間毎に保守を必要とし、8,000時間毎に完全な光学系の分解修理を必要とする。ランプ励起ソリッド・ステート・レーザは、高パワーCO2レーザとほぼ同じサイクル・タイムを有する。ファイバおよびバルク・ソリッド・ステートを含む、ダイオード励起ソリッド・ステート・レーザの寿命は、CO2レーザよりも遙かに短い。最長でも、寿命はレーザ・ダイオードの寿命が限界となる。本開示では、本発明の高輝度WBCダイオード・レーザが、保守の必要性が全くなく、50,000時間まで、100,000時間、またはそれ以上の寿命を有することができることを示す。
図1は、1つの基礎的な波長ビーム結合(WBC)キャビティを示す。このキャビティは、本発明者の「新たな」WBC外部キャビティに基づいており、スタック次元に沿ってビームを結合するものである。通常、各ビームの進相軸は、スタック次元と合わせられている。WBCキャビティは、ソース・ダイオード・レーザ・スタックを含む。これは、機械的または光学的にスタックすることができ、あるいは機械的および光学的なスタックの組み合わせでもよい。また、この外部キャビティは、変換光学系、格子、および出力カプラも含む。出力カプラの後ろに、ビーム伝達のために、ビーム・シェーパ、ファイバ結合光学系、および出力処理ファイバが必要となる。あるいは、自由空間出力も可能なビーム伝達の選択肢である。WBCキャビティでは、「新」WBC、「旧」WBC、「新−新」WBC、および「新−旧」WBCを含む、本発明者が発明した範囲のWBCキャビティ、ならびに本発明者が発明した範囲のダイオード・レーザのためのビーム結合技術および輝度向上技術を使用することが可能である。
殆どの場合、ダイオード・レーザの出力パワーは、時間に対して線形依存性を有し、近似的に次のように表される。
ここで、Pは初期パワーであり、P(t)は時間t後におけるレーザ・パワーであり、βは劣化率である。受動的に冷却するダイオード・バーでは、劣化率は毎時約β〜1×10−5となる。したがって、受動的に冷却するダイオード・バーでは、約20,000時間で寿命の終末が来る。ここで、寿命の終末とは、出力パワーが初期値の80%になったときと定義する。本システムの本質的な利点を例示するために、1,000Wシステムについて検討する。ダイオード・レーザのコストが10/Wドルであると仮定する。つまり、1,000Wシステムでは、ダイオードのコストは10,000ドルとなる。本システムが100,000時間存続することを要求されることもあると仮定する。本発明者が、本システムにおいて1,000Wのダイオード・レーザを用いてシステムを構築する場合、ダイオード・レーザを20,000時間毎に交換しなければならない。つまり、4,000W相当分のダイオード・レーザを交換しなければならない。したがって、この交換のコストは、40,000ドルに作業を加えたものとなる。バルクNd:YAG、薄型ディスク、およびファイバ・レーザを含む全てのダイオード励起ソリッド・ステート・レーザは、この様式に従わなければならない。これは、ダイオード励起ソリッド・ステート・レーザ用のレーザ・キャビティの基本である。例えば、バルクNd:YAGレーザでは、一旦ダイオードがその寿命終末状態に達したなら、それを交換しなければならない。それを交換しなければならず、そしてレーザ全体を光学的に整列し直さなければならない。基本的に、この要件はWBCシステムには適用しなくてもよい。本システムでは、出力ビームはレーザ・バーの数、エレメントの数、または本システムの出力パワーに関して不変(invariant)である。たとえば、1,000Wのシステムを設計する場合、本システムに多数の1,000Wダイオード・レーザ集合体を実装し、一度に1集合体ずつオンに切り替えることができる。20,000時間の終了時に、単に最初のダイオード・レーザ集合体をオフに切り替え、そして第2集合体または組み合わせをオンにする。このように、本システムに対する交換および/または整列し直しは不要である。これは、本システムの基本的な特性である。本システムに本質的なこととして、ダイオード・レーザは20,000時間しか存続しないが、100,000時間存続するレーザ・システム、または所望される時間長であればどれだけでも存続するレーザ・システムを作ることができる。先に述べた単純な例から要求される交換レーザ・ダイオードの数を減少させることができる。例えば、本レーザ・ダイオード・システムを製造するとき、合計で2,000W相当分のパワーのダイオード・レーザを実装する。2,000Wのレーザは、ダイオード・レーザのクラスタ5つで構成される。最初のクラスタは、1,200Wのパワー・レベルを有する。残りのクラスタは、各々、200Wである。最初の20,000時間、その寿命終末まで、1200Wのクラスタを単に1000Wのパワー・レベルで動作させる。20,000時間の終了時に、クラスタ1およびクラスタ2を動作させる。40,000時間の終了時に、クラスタ1、2、および3を動作させる。60,000時間の終了時に、クラスタ1,2,3,および4を動作させる。80,000時間の終了時に、これらのクラスタ全てを動作させる。本システムからの出力パワーは、いずれの所与の時点でも、常に約1,000Wとなる。この例では、ダイオード・レーザの総コストは、先の例の50,000ドル(初期ダイオードのための10,000ドルに加えて、交換ダイオードのための40,000ドル)の代わりに、20,000ドルとなる。更に重要なのは、保守を予定する必要がないことである。本システムを交換し整列し直すために、密閉されたレーザ・システムを開く必要はない。本システムの一部として、クラスタ動作がプログラミングされており、単純なパワー閾値検出器を用いたコンピュータによって制御する。ダイオード・レーザが、平均寿命から予測されるよりも信頼性が高いことが分かった場合、コンピュータは、システム・パワーが予め設定された閾値よりも低くなるまで、追加のクラスタをオンにする必要はなく、これによって更に動作時間を延長することができる。以上の例は、種々のクラスタを動作させるときに可能な1つのシーケンスを示すに過ぎない。可能なシステムのシナリオは多数存在する。更に、この手法を、ダイオード・レーザの各クラスタからのパワーを下げることと組み合わせることも可能であり、これによって、各クラスタに予測される基準寿命が更に恐らくは劇的に改良される結果となる。
単一周波数ダイオード・アレイおよびスタック(SINGLE FREQUENCY DIODE ARRAYS AND STACKS)
アルカリ・レーザの励起、およびスピン交換光励起(spin-exchange optical pumping)というような、多くの用途におけるダイオード・バーおよびスタックの最大限の利用は、広い出力スペクトルによって限定される。ダイオード・バーおよびスタックの出力スペクトル帯域幅は、約3から5nmである。用途の中には、0.05nm未満の出力スペクトル帯域幅が要求される場合もある。更に、出力スペクトルは、通例、波長が安定しない(not wavelength-stabilized)。このため、中心波長が動作温度の関数として変動する。多くの用途において、これは望ましくなく、レーザ・システムの破滅的損傷に至る可能性がある。温度による波長の典型的な変化は、摂氏1度毎に約0.33nmである。用途の中には、励起アルカリ・レーザのように、約0.05nmのシフトが、レーザ・システムがレーザ発生を停止する原因となる場合もある。
ライン狭幅および波長安定ダイオード・アレイおよびスタックの方法は、大まかに3つある。第1の方法は、レーザ製造プロセスの一部として、内部格子を使用する。例えば、分散フィードバック(DFB)レーザおよび分散ブラッグ反射(DBR)レーザである。様々な会社が、内部波長安定ダイオード・アレイおよびスタックを提供している。第1の方法の欠点は、ダイオード・レーザの性能が、通例、内部格子の加入によって損なわれることである。第2の方法は、外部体積型ブラッグ格子(VBG)を使用する。VBGを提供する種々の会社がある。双方の方法は、時間がかかり費用もかかる。更に、結果的に得られるライン幅は約0.5nmであり、摂氏1度当たり約0.1nmの波長対温度係数を有する。通例、VBGには吸収があり、このため能動的冷却が必要となることもある。第3の方法は、外部回折格子を使用する。この第3の方法は、最も高い分散を有し、原理的に、非常に狭いライン幅を得ることができる。
方法2および3では、結果的に得られるライン幅は、本システムが可能である幅よりも遙かに広い。出力スペクトルが広がるのは、レーザ・エミッタにおける欠陥が主な原因である。レーザ・ダイオード・バーにおいて現れるこれらの欠陥の一部を図3に示す。図3の行1は、全く誤差のない単一レーザ・ダイオード・バー302を示す。図示する実施形態は、ヒート・シンク上に取り付けられ、進相軸平行化光学系306によって平行化されたダイオード・バーの一例である。列Aは、平行化光学系306を通過する出力ビーム311の軌道の斜視図または3−D図を示す。列Dは、放出され平行化光学系306を通過したビーム311の軌道の側面図を示す。列Bは、レーザ・ファセットの正面ビューを示し、個々のレーザ・エレメント313各々の平行化光学系306に対する位置を示す。行1に示すように、レーザ・エレメント313は完全に直線状である。加えて、平行化光学系306は、全てのレーザ・エレメント313に対して中心に位置付けられている。列Cは、この種の入力によって、システムから予測される出力ビームを示す。行2は、指向誤差があるダイオード・レーザ・アレイを示す。行2の列Bによって示されるように、レーザ・エレメントおよび平行化光学系は、互いに多少偏倚している。その結果、図示のように、放出されたビームは望ましくない軌跡を有し、外部キャビティに対するレーザ発生効率を低下させる可能性がある。加えて、出力プロファイルが偏倚されて、システムを非効率的にしたり、または余分な変更を行わせたりする可能性もある。行3は、パッケージングの不具合があるアレイを示す。レーザ・エレメントはもはや直線上に並んでおらず、バーの湾曲がある。これは「スマイル」(smile)と呼ばれることもある。行3に示すように、スマイルは、均一の経路がない、即ち、システムに共通の方向がないので、一層厳しい軌跡の問題を招く可能性がある。行3の列Dは、更に、種々の角度で射出するビーム311を示す。行4は、平行化レンズが歪んでまたは傾いて、レーザ・エレメントと整列していない状態を示す。その結果、出力ビームは全体的に最も大きな平行化誤差または歪み誤差を有するので、恐らく、全ての内で最悪となる。殆どのシステムでは、ダイオード・アレイおよびスタックにおける実際の不具合は、行2、3、および4における不具合の組み合わせである。VBGおよび回折格子を使用する方法2および3の双方では、欠陥のあるレーザ・エレメントによって、出力ビームは光軸に対して平行に向かわなくなる。これらの光軸から外れたビームのために、レーザ・エレメントの各々は異なる波長でレーザ発振する結果となる。複数の異なる波長がシステムの出力スペクトルを広げるので、前述のように、広くなる。
図3において紹介した欠陥に取り組む1つの試みに、図4に示す外部キャビティ400システムがある。400は、波長狭域化、ならびにダイオード・バー402およびダイオード・バー450のスタックの安定化のために、回折光学系414を使用して設計された。光学系は、球面テレスコープ409、回折格子414、および出力カプラ416によって構成されている。ダイオード・アレイ402およびスタック450は、第1球面レンズ410aの焦点面と平行化光学系406の焦点距離を加算した和のところに配置されている。2つの光学系の隔たりは、それらの焦点距離の和となる。格子414は、第2球面レンズ410bのほぼ焦点面のところに配置されている。出力カプラ416は、回折ビームの出力アームに配置されている。この構成において、何らかの欠陥があるレーザ・エレメントが異なる角度で格子に向いている。これは、破線で示されている。例えば、スタック450の中にある第1ダイオード・アレイ403がスマイルを有する場合を考える。平行化光学系の焦点面において、全てのビームが空間的に重ね合わせられる。球面テレスコープ410は、重ね合わされたビームを取り込み、それを格子414上に位置付ける。回折格子および出力カプラの組み合わせによって、全てのビームが出力カプラに対して垂直に伝搬させられる。これを遂行することができる方法は、バーの中にあり欠陥がある各レーザ・エレメントに、キャビティによって決定される一意の波長で動作させることである。言い換えると、各バーからの出力スペクトルを、欠点に比例する量だけ、広げるのである。
システム400に対するスマイルの影響を比較する分析(ZEMAXを使用する)を行った。そのモデルは、3−バー・ダイオード・スタックを内蔵した。各エミッタの中心波長は、980nmの波長であった。各バーには、山から谷の間で、10μmのスマイルがあった。各バーは、f=1mm進相軸平行化光学系によって平行化される。球面テレスコープは、f=100のレンズ2枚で構成されている。格子は、1mm当たり600ラインの溝密度を有する。+5μmのスマイルを有する最上位のエレメントは、約972.16nmで動作させられ、−5μmのスマイルを有するエレメントは987.82nmで動作させられる。スマイルが全くないエレメントは、980nmで動作する。したがって、各バーおよびスタック全体のスペクトルは、ここでは、約15.66nmとなる。通例、一つ一つのレーザ・エレメントのスペクトル帯域幅は、3〜5nmである。技術的現状のダイオード・アレイおよびスタックでは、スマイルの近似範囲は約3ミクロンであり、このモデルの下では、約5nmのスペクトル帯域幅となる。このように、スペクトル輝度を目的とするこのタイプのシステムは、自走スペクトル同様全く良くないと考えられる。
図5は、ダイオード・アレイおよびスタックの波長狭域化ならびに波長安定化のために回折を使用し、欠陥とは無関係である新たな基準キャビティ500を示す。この光学構成は、分散方向に沿った円筒形レンズ・アレイ533と、2つの円筒形テレスコープ509と、回折格子514と、出力カプラ516とによって構成されている。円筒形レンズ・アレイ533は、ダイオード・スタック550と同じピッチを有する。2つの円筒形テレスコープ509がある。第1円筒形テレスコープ(510cおよび510d)は、配列次元に沿った撮像のためにある(紙面から出る方向)。第2円筒形望遠鏡(510aおよび510b)は、スタック方向(図5に対して垂直)に沿った撮像のためにある。
円筒形レンズ・アレイ533は、この円筒形レンズ・アレイの焦点面および平行化光学系506の焦点距離の和にあたるところに配置されている。また、ダイオード・スタック550は、アレイ・テレスコープの第1光学系501cの焦点面にある。出力カプラは、アレイ・テレスコープ510dの第2光学系の焦点面にある。この隔たりは、これらの焦点距離の和となる。図5に示すように、スタック次元に沿って、スタック・テレスコープの第1光学系510aが、円筒形レンズ・アレイ533の焦点距離とスタック・テレスコープの第1光学系510aの焦点距離との和にあたるところに配置されている。このスタック・テレスコープの2つの光学系間の隔たりは、これらの焦点距離の和となる。格子514は、円筒形テレスコープの最後の光学系510bと出力カプラ516との間に配置されている。出力カプラ516は、回折ビームの出力アームに配置されている。この配列では、何らかの欠陥があるエレメントが全て、格子514上に対して同じ角度で向いている。全てのエレメントが同じ角度で向いているので、これらの全ては正確に同じ波長でレーザ発振する。
この構成のZEMAXモデルも分析した。パラメータは、先のモデルにおけると同一であり、円筒形レンズ・アレイ533が含まれている。この円筒形レンズ・アレイは、焦点距離が100mmである。全てのエレメントは、正確に同じ波長で動作する。原理的には、出力スペクトルは単一周波数になることができる。このため、MHzおよびkHz範囲で動作する波長が高いスペクトル輝度を必要とする場合に多数の用途がある。また、このタイプのシステムは、温度の上昇または低下によるレーザ発振波長の変化に対して非熱的(athermal)、即ち、影響を受けないということから、ロバストでもある。
表1は、この光学発信機を競合する技法と比較する。図5におけるキャビティの設定の方が大きいが、これは全てのダイオード・レーザ・バーおよびスタックでもうまく作用するということから万能である。これは、前述のようなひどい欠陥のあるアレイやスタックだけでなく、完全なアレイでもうまく作用する。出力スペクトルは、同調可能かつ非熱的な特性で、1つの周波数を生成する。これは、多くの用途において非常に望まれる。
ダイオード・レーザ・エレメントの二次元アレイの配列次元に沿った、波長ビーム結合(WBC)外部キャビティにおける円筒形レンズ・アレイの利用
図1Bに、WBCが配列次元に沿って行われる、従来の外部キャビティ1−D波長ビーム結合(WBC)アーキテクチャを示す。このキャビティは、進相軸平行化(FAC)レンズ、円筒形変換レンズ/ミラー、回折エレメント/格子、および部分的に反射する出力カプラを有するレーザ・エレメントのスタックによって構成されている。円筒形変換レンズ/ミラーは、FAC光学系の後方焦点面から焦点距離のところに配置されている。回折格子は、円筒形変換光学系の後方焦点面に配置されている。出力カプラは、一次回折ビームの経路上に配置されている。したがって、レーザ・エレメントからの出力ビームは、変換光学系によって、格子において空間的に重ね合わせられる。反射型出力カプラおよび格子は、レーザ・エレメントの一意の波長制御のためのフィードバックを与え、近場(出力カプラにおいて)および遠場においてビームを重ね合わせる。WBCは、配列次元に沿って行われる。スタックは、パワー・スケーリングのためであり、輝度スケーリングのためにあるのではない。
図1Bをモデリングする分析(ZEMAXを使用する)では、スマイルが皆無であり,平行化誤差もない3つのダイオード・バーを仮定する。FAC光学系106は、焦点距離が1mmであるが、これはCOTS FAC光学系の典型である。このモデルは、FAC光学系106を有する3つのダイオード・バー102、変換光学系108、回折格子114、および出力カプラ116によって構成されている。変換光学系108は、焦点距離が100mmである。入力ビームおよび戻りビームは完全に重ね合わされており、したがってレーザ・キャビティに対する要件を満たすことが、図から見て取ることができる。
平行化ダイオード・エレメントのスマイルおよび指向誤差が少ないことは、ロバストで効率的な波長ビーム結合に非常に望まれる主要特性の内の2つである。スマイル、即ち、パッケージングの間におけるレーザ・ダイオード・アレイの物理的な屈曲、および平行化マイクロ・レンズの位置ずれによって生ずる指向誤差は、出力ビーム品質を劣化させ、ビーム結合効率を低下させる。外部キャビティの動作は、スマイルおよび平行化誤差の量によって非常に左右される。図1Bに示すような以前のWBCキャビティは、非常に少量のスマイルおよび平行化誤差しか許容することができない。キャビティが許容することができる誤差の量は、現在の技術的現状によって可能なものよりも、1桁厳しくなる。
以前のWBCキャビティ(図1B)の主な欠点(drawback)は、外部キャビティがダイオード・アレイおよびスタックにおける欠陥(imperfection)の量に非常に左右されることである。今日入手可能な最良のダイオード・アレイおよびスタックでさえも(約1ミクロンのスマイルがある)、先に論じたように、第2光学モデルを実行するには十分に満足できる訳ではない。本願では、外部キャビティ動作がスマイルおよび平行化誤差の量には無関係なWBCアーキテクチャの実施形態を開示する。
図6は、スマイルがあり、WBC以外の軸に沿った、図1Bと同じWBCキャビティを示す。図6における破線は、スマイルのあるエレメント603に対応する。スマイルのために、出力カプラ616からの戻りビーム637は、入射ビームと重なり合わない。つまり、外部キャビティの動作は不可能である。
図1Bに基づく第2光学モデル(ZEMAXを使用する)は、2ミクロンの山対谷差のスマイルを有する各バーを含む。加えて、3つのエレメントには、0、1、およびマイナス・ミクロンのスマイルがモデリングされている。スマイルが0のエレメントは、完全にそれ自体に戻ってくる。1ミクロンのスマイルがあるエレメントは、FAC光学系(図1Bにおける106)を完全に逸脱し(FAC光学系の直径は1mmである)、したがって外部キャビティ動作は不可能である。−1ミクロンのスマイルがあるエレメントも、FAC光学系を逸脱する。
図7は、非ビーム結合次元に沿った基本的な光学レイアウトを示す。このキャビティは、空間輝度を高めるように設計されている。キャビティ700は、平行化光学系706を有するダイオード・スタック750、円筒形レンズ・アレイ733、および出力カプラ716によって構成されている。円筒形変換光学系708および格子714は、ビーム結合次元に沿っている。円筒形レンズ・アレイ733は、平行化光学系706の後方焦点面から離れた焦点面に配置されている。円筒形レンズ・アレイ733は、ダイオード・スタック750のピッチと同じピッチを有する。ダイオード・スタック750および格子714は、円筒形変換光学系708の焦点面に配置されている。このようなキャビティでは、外部キャビティはダイオード・バーおよびスタックにおけるいずれの欠陥にも無関係となる。
キャビティ700の図7のモデリング(ZEMAXを使用する)は、20ミクロンのスマイル(山対谷)を呈しFAC光学系706を有するダイオード・バー703のパラメータを含む。これは、図1Bの第2光学モデルにおいて以前に論じたスマイルよりも10倍多いことに注意すること。ここでは、円筒形レンズ・アレイ733は、焦点距離が100mmである。その結果、戻りビーム737は入射ビームと重なり合い、スマイルおよび平行化誤差がなく、これらには無関係な外部キャビティ動作が得られる。このタイプの設計によるレーザ・キャビティは、高パワー・レーザ切断業界や、その他の分野において多くの用途がある。
ダイオード・アレイおよびスタックの欠陥には無関係な2−Dダイオード・レーザ・エレメントの外部キャビティ一次元(1−D)波長ビーム結合(WBC)
関連技術として、以前の2−Dレーザ・エレメントの外部キャビティ1−D WBCアーキテクチャを図1Cに示す。ここでは、ビーム結合はスタック次元に沿って行われる。このキャビティは、進相軸平行化(FAC)光学系を有する2−Dダイオード・レーザ・エレメントまたはダイオード・レーザ・スタック、円筒形変換レンズ/ミラー、回折エレメント/格子(進相軸即ちスタック次元に沿った分散がある)、および部分的に反射する出力カプラによって構成されている。変換レンズ/ミラーは、FAC光学系の後方焦点面から焦点距離のところに配置されている。回折格子は、変換光学系の焦点面に配置されている。出力カプラは、一次回折ビームの経路上に配置されている。したがって、理想的には、レーザ・エレメントからの全ての出力ビームは、図1Cに示すように、変換光学系によって格子において空間的に重ね合わせられる。反射型出力カプラおよび格子は、レーザ・エレメントの一意の波長制御のためにフィードバックを与え、近場(出力カプラにおいて)および遠場においてビームを重ね合わせる。WBCは、スタック次元に沿って行われる。これは、主に各ビームに対する進相軸次元である。配列次元は、パワーのスケーリングに使用され、輝度のスケーリングに使用されるのではない。図3において示したように、外部キャビティ動作は、スマイル、指向誤差、またはFAC歪み誤差には無関係である。回折損失を低減するために、配列次元に沿った円筒形テレスコープが、配列次元即ち遅相軸に沿った各エミッタを出力カプラ上に撮像する。この次元に沿って、円筒形テレスコープおよび回折格子は何もしない。
光学的に図1Cをモデリングすると(ZEMAXを使用する)、ダイオード・スタックからの出力ビームは1つの回折限界ビームであることが示される。このモデルに限って、3つのダイオード・バーはスマイルが皆無であり、平行化誤差がないと仮定する。FAC光学系106は、焦点距離が1mmであり、これはCOTS FAC光学系の典型である。変換光学系108は、焦点距離が100mmである。全ての光学コンポーネントは理想的である(概念を明示するためにのみ)と仮定する。このモデルには出力カプラ116を含めなかった。加えて、変換光学系の焦点面において、または回折格子において、全てのビームは完全に重ね合わせられる。全てのエレメントからの全てのビームが回折格子上で空間的に重ね合わせられるので、出力ビームは、キャビティにおいて動作するときには、1つの回折限界ビームとなる。
図12は、スマイルがあり、WBC次元に沿ったWBCキャビティを示し、円筒形レンズ・テレスコープ109aおよび109bを除いて同じである。円筒形テレスコープは、非ビーム結合方向に沿っているので、関係がない。図12における破線は、スマイルのあるエレメント1203に対応する。図12をモデリングしたとき、各バーが山対谷で20ミクロンのスマイルを有することを除いて、使用したパラメータは以前の図1Cのモデリングの場合と同一であった。スマイル1203または平行化誤差があるエレメントは、図12に示すように、回折格子1214において空間的に重ね合わせられない。しかしながら、これらのエレメントは、格子1214および出力カプラ1216の機能によって、変わりなく動作する。しかしながら、出力ビーム・カプラに劣化が生ずる。出力ビームは、出力プロファイル1291に示すように、もはや1つのビームではなくなる。スマイルがあるエレメントを含む所与のバーの中にある全てのエレメントは、名目上同じ波長でレーザ発振する。位置とスペクトルとの間には1対1の対応があるので、この結果、出力カプラの後にビーム・サイズが広がることになる。しかしながら、スマイルまたは平行化誤差がある全てのエレメントに対して有効なフィードバックは、本質的に100%であり、スマイルまたはいずれの平行化誤差の量にも無関係である。
このWBCキャビティの主な欠点は、出力ビームの品質が、ダイオード・バーおよびスタックにおける欠陥(スマイルおよび平行化誤差)の量に比例して劣化することである。これらの誤差は、10倍という多さで、出力ビームの品質を劣化させる可能性がある。スマイルおよび平行化誤差が少ないダイオード・バーおよびスタックも入手可能であるが(通例、出力ビームの品質において2倍から3倍の劣化に至る)、これらの方が高価である場合が多い。本願では、新たなWBCアーキテクチャの実施形態について述べる。ここでは、ビーム結合次元に沿った出力ビームの品質は、ほぼ回折限界であり、スマイルおよび平行化誤差の量には無関係である。
図8は、この基本的な光学レイアウトを示す。キャビティは、FAC光学系806を有するダイオード・スタック850、円筒形レンズ・アレイ833、円筒形変換光学系808、格子814(スタック次元に沿った分散がある)、および出力カプラ816によって構成されている。アレイ即ち非ビーム結合次元に沿った円筒形テレスコープ809が、アレイを出力カプラ816上に撮像するために使用されている。円筒形レンズ・アレイ833は、FAC光学系806の後方焦点面から離れた焦点面に配置されている。この円筒形レンズ・アレイは、ダイオード・スタック850のピッチと同じピッチを有する。変換光学系808は、円筒形レンズ・アレイ833の後方焦点面から焦点距離のところに配置されている。格子814は、変換光学系808の後方焦点面に配置されている。
図13は、WBCキャビティのビーム結合次元に沿ったこの回折限界出力プロファイルのZEMAXモデルを示す。図13の左側の部分は、20ミクロンのスマイル(山対谷)があり、FAC光学系を有するダイオード・バーを示す。図13の中間部分は、キャビティの一部を示す。円筒形変換光学系および円筒形レンズ・アレイは双方共、焦点距離は100mmである。図13の右側の部分は、回折格子上において空間的に重ね合わせされた全てのビームを示す。スマイルまたは平行化誤差には関係なく、全てのエレメントからの全てのビームが回折格子上で空間的に重ね合わせられるので、キャビティにおいて動作するとき、出力ビームは1つの回折限界ビームとなる。
ダイオード・アレイおよびスタックのビーム不具合補正
ソリッド・ステート・レーザの励起や材料加工における直接使用というような、多くの用途におけるダイオード・バーおよびスタックの最大限の利用は、貧弱な出力ビームによって限定されてしまう。更に、ダイオード・アレイおよびスタックの出力ビームの品質は、個々のエミッタ各々のビーム品質に対して、実際に可能なものよりも遙かに劣る。この劣化は、主に、パッケージングの不具合および平行化誤差によるものである。これらの不具合は、図3に示され、既に説明した。
図9は、ダイオード・アレイおよびスタックにおける欠陥を補正するために使用される極普通の方法の関連技術を示す。図9の左側の部分は、Power Photonic社(http://www.powerphotonic.co.uk/)の市販製品を示す。この製品は、位相のばらつき(phase variations)がある一片のガラスである。位相板は、殆どの欠陥を補正することができる。図9の右側の部分は、2つのタイプのスマイル補正用有形光学系(shaped optics)を示す。この有形光学系は、指向および歪みの不具合を補正することはできない。先に示した3つの方法は、非常にカスタム化されている。各ダイオード・アレイおよびスタックの欠陥を正確に測定する必要はない。一旦欠陥が分かったなら、位相板または有形レンズをカスタム製作する。これらの位相板または有形レンズは、他のアレイやスタックには使用することはできない。
図11は、ダイオード・アレイおよびスタックにおける殆どの欠陥を補正するための基準光学設定の他の実施形態を示す。この光学的構成は、球面テレスコープ1109、ガラス・ブロック1181、格子1114、および出力カプラ1116によって構成されている。他の可能な構成では、2つの円筒形テレスコープによって構成される。分散次元に沿ったテレスコープは、所与のバー内の全てのビームを回折格子上で重ね合わせる。非ビーム結合次元に沿ったテレスコープは、各エミッタを、部分的に反射するミラー上で結合する。ダイオード・アレイ1102および1103は、第1球面レンズ1110aの焦点面と平行化レンズ1106の焦点距離とを加算した和のところに配置されている。2つのレンズの隔たりは、それらの焦点距離の和となる。格子1114は、第2球面光学系1110bの焦点面に配置されている。格子1114は、光軸からある角度をなして位置付けられているので、ガラス・ブロックのアレイが必要となる。出力カプラ1116は、回折ビームの出力アームに配置されている。この配列では、ダイオード・アレイおよびスタックにおけるいずれの結果も、完全に補正される。例えば、第1ダイオード・アレイ1103がスマイルを有する場合を考える。平行化光学系の焦点面において、全てのビームが空間的に重ね合わせられる。球面テレスコープ1109は、この重ね合わされたビームを取り込み、それを格子1114上に位置付ける。回折格子1114および出力カプラ1116の組み合わせによって、全てのビームを出力カプラ1116に対して垂直に伝搬させる。このため、出力ビームは単に1つのビームとなる。この状態を実現することができる唯一の方法は、欠陥があるバーの中にある各レーザ・エレメントを、キャビティによって決められる一意の波長において動作させることである。
図11の概念および本質の構成をモデリングすることは、欠陥がない3バー・ダイオード・スタックを使用し、980nmの波長で動作させることを含む。各バーは、f=1mmの進相軸平行化光学系によって平行化される。球面テレスコープは、2つのf=100mm光学系によって構成されている。格子は、1mm当たり600ラインである。予測されるように、キャビティからの出力ビームは、入力ビームと同じである。技術的現状のダイオード・バーおよびスタックにおけるよりも約50倍多いスマイルである、100μmの山対谷のスマイルを有する最上位アレイおよび最下位アレイのような、同じキャビティでありながらダイオード・アレイに欠陥があるものをモデリングする場合、中間のバーは、50mradの指向誤差を有する。これは、技術的現状のダイオード・バーおよびスタックにおける指向誤差よりも25倍多い。この大きなスマイルおよび指向誤差があっても、得られるビームは、スマイルや指向誤差がない最初のモデルのビームと全く同じである。これを達成するためには、例えば、50μmのスマイルがある最上位および最下位のバーにおけるエレメントは901.08nmで動作し、一方−50μmのスマイルがある最上位および最下位のバーにおけるエレメントは1057.5nmで動作する。スマイルが全くないエレメントは、980nmで動作する。50mradの指向誤差がある中間バーは、901.08nmで動作する。尚、これは、バーおよびスタックの不具合補償に対するこの技法の効力を例示する極端な例であることは、述べておくべきであろう。実際には、技術的現状のバーのスマイルは2マイクロメートルの範囲であり、実際の補正キャビティにおいて得られるライン幅は約0.5nmである。この一層実用的な例は、本技法の狭帯域幅能力を示す。本明細書において説明したこの実施形態を使用すると、スマイル、指向、または歪みの不具合に関係なく、出力ビームの品質は最大限補償され、単一エレメントのそれと同じとなる。
表1は、本光学キャビティを競合と比較したものである。本設定の唯一の欠点は、これの方が大きいことである。本設定は、スマイル、指向、および歪みの不具合を最大限補償することができる。本設定は万能である。この設定は、原理的に、全てのレーザでうまく作用する。ダイオード・レーザ・バーおよびスタックの欠陥を測定したり、カスタムの補正用光学系を製作する必要はない。本手法は、完全なアレイおよびスタックからひどく欠陥のあるアレイおよびスタックまでうまく作用する。本設定は回折格子を必要とするので、出力スペクトルは狭いライン幅、同調可能、そして非熱的となる。これらの特性は、多くの用途において非常に望ましいものである。

Claims (22)

  1. スケーラブルな波長ビーム結合システムであって、
    複数のモジュール状レーザ入力デバイスを備えており、各モジュール状レーザ入力デバイスが、
    電磁ビームを生成するように構成されている少なくとも1つのレーザ・エレメントと、
    少なくとも1つの変換光学系であって、各変換光学系が、放出されたビームを分散性エレメントにおいて重ね合わせ、前記分散性エレメントが、前記重ね合わされたビームを、単一出力プロファイルとして透過させる、変換光学系と、
    を含む、スケーラブルな波長ビーム結合システム。
  2. 請求項1記載のシステムであって、更に、前記分散性エレメントを透過した前記単一出力プロファイルを受けて、前記単一出力プロファイルの一部を反射して前記レーザ・エレメントに戻すように構成されている出力カプラを含む、システム。
  3. スケーラブルな波長ビーム結合システムであって、
    複数のモジュール状レーザ入力デバイスを備えており、各モジュール状レーザ入力デバイスが、
    各々が電磁ビームを生成するように構成されている1つ以上のレーザ・エレメントと、
    前記ビームを受けるように構成されている少なくとも1つの主テレスコープ光学系と、
    前記主テレスコープ光学系の各々と共にテレスコープ・システムを形成するように整列されている副テレスコープ光学系であって、前記テレスコープ・システムが前記ビームを互いに平行に整列する、副テレスコープ光学系と、
    前記平行なビームを受け、ビーム結合次元に沿って前記平行なビームを結合するように構成されている変換光学系と、
    前記結合ビームの重複領域に位置付けられ、前記ビームを受けて透過させる分散性エレメントであって、出力プロファイルが形成される、分散性エレメントと、
    を含む、スケーラブルな波長ビーム結合。
  4. 請求項3記載のシステムであって、更に、前記分散性エレメントから前記出力プロファイルを受け、この出力プロファイルの一部を反射して前記レーザ・エレメントに戻すように構成されている出力カプラを含む、システム。
  5. 請求項3記載のシステムにおいて、前記変換光学系が、5インチ以下の直径を有する、システム。
  6. 請求項3記載のシステムにおいて、前記変換光学系が、直径が5インチ以下の湾曲ミラーである、システム。
  7. WBCシステムをスケーリングする方法であって、
    複数の変換光学系を、各々が少なくとも1つの放出電磁ビームを受け、分散性エレメント上に重ね合わせるように配列するステップと、
    前記重ね合わされたビームから、単一の出力プロファイルを透過させるステップと、
    を備えている、方法。
  8. WBCシステムをスケーリングする方法であって、
    1つ以上のレーザ・エレメントのモジュールから放出された電磁ビームを、1つよりも多い入力面を有する光学テレスコープ・システムに受け入れさせるステップであって、前記テレスコープ・システムが、モジュール毎に入力面を有する、ステップと、
    前記受け入れられたビーム全てを互いに平行に整列するステップと、
    前記平行なビームを分散性エレメント上に重ね合わせるステップと、
    前記分散性エレメントから単一の出力プロファイルを透過させるステップと、
    を備えている、方法。
  9. 拡張出力波長ビーム結合システムであって、
    選択的にオンまたはオフに切り替えられるように構成されている複数のレーザ入力モジュールであって、各モジュールが1つ以上のレーザ・エレメントを含む、レーザ入力モジュールと、
    各モジュールから放出される電磁ビームを受けて、これらの放出ビームを重ね合わせるように構成されている変換光学系と、
    前記重ね合わせの領域に配置され、単一出力プロファイルを受けて透過させる分散性エレメントと、
    を備えている、システム。
  10. 請求項9記載のシステムであって、更に、前記単一出力プロファイルを受け、この単一出力プロファイルの一部を反射して前記レーザ・エレメントに戻し、前記単一出力プロファイルを透過させるように構成されている出力カプラを備えており、外部キャビティが形成される、システム。
  11. 請求項9記載のシステムにおいて、前記単一出力プロファイルが、最小輝度および出力パワーを、少なくとも50,000時間維持する、システム。
  12. 請求項9記載のシステムにおいて、前記単一出力プロファイルが、最小輝度および出力パワーを、少なくとも100,000時間維持する、システム。
  13. 請求項9記載のシステムであって、更に、前記単一出力プロファイルのデータを検出するように構成されている検知システムを含む、システム。
  14. 請求項13記載のシステムであって、更に、前記出力データを受け取り、選択的にレーザ入力モジュールをオンまたはオフに切り替えるように構成されているコントローラを含む、システム。
  15. 請求項9記載のシステムであって、更に、レーザ入力モジュール毎に動作時間数を追跡するように構成されているカウンタを含む、システム。
  16. 請求項9記載のシステムにおいて、多数のレーザ入力モジュールがオンに切り替えられる、システム。
  17. 外部キャビティ・システムであって、
    電磁放射線を放出するように構成されている複数の固定位置レーザ・エレメントと、
    前記放出された放射線を受けて、第1次元に沿って前記放射線を平行化するように構成されているマイクロ・レンズのアレイと、
    前記平行化された放射線を受けて、ビーム結合次元に沿って前記放射線を結合するように構成されている変換レンズと、
    前記結合の重ね合わせ領域に位置付けられ、前記結合放射線を受けて、単一出力プロファイルを透過させる分散性エレメントと、
    前記単一出力プロファイルを受け、その一部を反射して前記レーザ・エレメントに戻すように構成されている、出力カプラと、
    を備えている、外部キャビティ・システム。
  18. 請求項17記載のシステムであって、更に、前記マイクロ・レンズのアレイと共にテレスコープ・システムを形成するように構成されている第2のマイクロ・レンズのアレイを含む、システム。
  19. 請求項17記載のシステムであって、更に、前記放出された放射線を受け、第2次元に沿って平行化するように構成されている、第2のマイクロ・レンズのアレイを含む、システム。
  20. 外部キャビティ・システムであって、
    電磁放射線を放出するように構成されている複数の固定位置レーザ・エレメントと、
    少なくとも2つのレーザ・エレメントの放出経路内に配置されている少なくとも1つの平行化光学系であって、前記放射線が1つの次元に沿って平行化される、平行化光学系と、
    各レーザ・エレメントによって放出された放射線を受けて、前記システムの好ましい光軸に沿って前記複数のエレメントを整列させるように構成されているマイクロ・レンズのアレイと、
    前記整列された放射線を受け、ビーム結合次元に沿って前記放射線を結合するように構成されている変換光学系と、
    前記結合放射線の重ね合わせ領域に位置付けられ、前記結合放射線を受けて、単一出力プロファイルを透過させる分散性エレメントと、
    前記単一出力プロファイルを受け、前記プロファイルの一部を反射して前記分散性エレメントに向けて戻すように構成されている、出力カプラと、
    を備えている、外部キャビティ・システム。
  21. 請求項21記載のシステムにおいて、前記マイクロ・レンズのアレイが、前記平行化光学系から焦点距離のところに配置されている、システム。
  22. 請求項21記載のシステムにおいて、前記結合次元が、各レーザ・エミッタの進相軸に沿っている、システム。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015015305A (ja) * 2013-07-03 2015-01-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ装置
JP2015153889A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 三菱電機株式会社 レーザ合成光学装置
WO2016059893A1 (ja) * 2014-10-15 2016-04-21 株式会社アマダホールディングス 半導体レーザ発振器
US9331457B2 (en) 2012-12-03 2016-05-03 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor laser apparatus
JP2016082219A (ja) * 2014-10-15 2016-05-16 株式会社アマダホールディングス 半導体レーザ発振器
JP2016096333A (ja) * 2014-11-10 2016-05-26 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JPWO2016060103A1 (ja) * 2014-10-15 2017-07-20 株式会社アマダホールディングス 半導体レーザ発振器
WO2017126035A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 三菱電機株式会社 レーザ光源装置およびその製造方法
JP2017139355A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ光源装置
JP2017142465A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 古河電気工業株式会社 光操作装置および光源装置
JP2017204530A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 三菱電機株式会社 外部共振半導体レーザ装置
JP2018061006A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2018518048A (ja) * 2015-05-13 2018-07-05 トルンプフ レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Laser GmbH 可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合
US10359584B2 (en) 2016-09-30 2019-07-23 Nichia Corporation Light source device
DE112017005416T5 (de) 2017-02-13 2019-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Laseroszillator
JP2019525475A (ja) * 2016-08-05 2019-09-05 テラダイオード, インコーポレーテッド モジュール式ダイオード源を有する高出力レーザシステム
JP2019526165A (ja) * 2016-06-20 2019-09-12 テラダイオード, インコーポレーテッド 高出力レーザデバイスのためのパッケージ
JP2019175974A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2020505776A (ja) * 2017-01-26 2020-02-20 テラダイオード, インコーポレーテッド ビーム成形のためのセルラコア光ファイバ利用するレーザシステム
JP2020515878A (ja) * 2016-12-02 2020-05-28 テラダイオード, インコーポレーテッド 電力送達およびビーム切り替えのためのファイバ束を利用するレーザシステム
US10714902B2 (en) 2017-03-01 2020-07-14 Mitsubishi Electric Corporation Laser oscillator
JP2020134872A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置、および光結合器
JP2021073681A (ja) * 2015-07-15 2021-05-13 ヌブル インク レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム
JP2021086960A (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 パナソニック株式会社 レーザ装置
JP2022508765A (ja) * 2018-10-15 2022-01-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 階段状スロー軸コリメータを有するレーザシステム
JP7098090B1 (ja) * 2022-01-28 2022-07-08 三菱電機株式会社 レーザ装置およびレーザ加工機
JP2022543152A (ja) * 2019-08-06 2022-10-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 デュアル波長レーザシステム及びそのシステムを用いた材料加工
JP2023148360A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 パナソニックホールディングス株式会社 光学システム及びLiDARシステム

Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9124065B2 (en) 2010-03-05 2015-09-01 TeraDiode, Inc. System and method for wavelength beam combination on a single laser emitter
US8912492B2 (en) 2010-10-13 2014-12-16 Lasermax, Inc. Thermal marking systems and methods of control
US9062932B2 (en) 2010-10-13 2015-06-23 Lasermax, Inc. Thermal marking systems and methods of control
EP2715888A4 (en) 2011-05-23 2015-03-11 Miikka M Kangas SMALL HAND LASER WEAPON
US8891579B1 (en) 2011-12-16 2014-11-18 Nlight Photonics Corporation Laser diode apparatus utilizing reflecting slow axis collimators
TWI573650B (zh) * 2011-12-16 2017-03-11 應用材料股份有限公司 輻射源及用於結合同調光束的光束組合器
US9325144B2 (en) 2012-02-14 2016-04-26 TeraDiode, Inc. Two-dimensional multi-beam stabilizer and combining systems and methods
US9104029B2 (en) 2012-02-22 2015-08-11 TeraDiode, Inc. Multi-wavelength beam combining system and method
US9746679B2 (en) 2012-02-22 2017-08-29 TeraDiode, Inc. Wavelength beam combining laser systems utilizing lens roll for chief ray focusing
US9823480B2 (en) 2012-02-22 2017-11-21 TeraDiode, Inc. Wavelength beam combining laser systems with micro-optics
US9255841B2 (en) 2012-04-30 2016-02-09 Pendar Technologies, Llc Spectroscopy systems and methods using quantum cascade laser arrays with lenses
US9865985B1 (en) 2012-06-20 2018-01-09 TeraDiode, Inc. Widely tunable infrared source system and method
US8896827B2 (en) * 2012-06-26 2014-11-25 Kla-Tencor Corporation Diode laser based broad band light sources for wafer inspection tools
US9466941B2 (en) 2012-07-31 2016-10-11 Barco Nv Patterned retarder and optical engine for laser projection apparatus
AT513254B1 (de) * 2012-08-03 2014-03-15 Daniel Dr Kopf Pumpeinrichtung zum Pumpen eines verstärkenden Lasermediums
US9952388B2 (en) * 2012-09-16 2018-04-24 Shalom Wertsberger Nano-scale continuous resonance trap refractor based splitter, combiner, and reflector
US8958452B2 (en) * 2012-09-19 2015-02-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration System, apparatus and method employing a dual head laser
JP5693541B2 (ja) * 2012-10-05 2015-04-01 Hoya Candeo Optronics株式会社 光照射装置
US20140098534A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Lawrence Livermore National Security, Llc System and method for laser diode array
DE102013102599A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Beleuchtungsvorrichtung
US8922782B2 (en) 2013-03-15 2014-12-30 Axsun Technologies, Inc. OCT medical imaging system using gain waveguide array swept source
US9690107B2 (en) * 2013-03-15 2017-06-27 Trumpf Laser Gmbh Device for wavelength combining of laser beams
JP6036479B2 (ja) * 2013-03-28 2016-11-30 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置
US10562132B2 (en) 2013-04-29 2020-02-18 Nuburu, Inc. Applications, methods and systems for materials processing with visible raman laser
ES2666379T3 (es) 2013-04-29 2018-05-04 Mark S. Zediker Sistema y método de impresión tridimensional utilizando una fuente de luz láser visible
US11612957B2 (en) * 2016-04-29 2023-03-28 Nuburu, Inc. Methods and systems for welding copper and other metals using blue lasers
US10971896B2 (en) * 2013-04-29 2021-04-06 Nuburu, Inc. Applications, methods and systems for a laser deliver addressable array
DE102013105467B4 (de) * 2013-05-28 2016-11-03 Lumics Gmbh Diodenlaser, Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbehandlungsvorrichtung
US9391713B2 (en) 2013-10-14 2016-07-12 Trumpf Laser Gmbh High brightness dense wavelength multiplexing laser
EP3032330B1 (en) 2013-10-17 2018-12-12 Sony Corporation Light-source device, light-source unit, and image display device
US9306369B2 (en) 2013-11-22 2016-04-05 Trumpf Laser Gmbh Wavelength selective external resonator and beam combining system for dense wavelength beam combining laser
US9190807B2 (en) * 2013-12-16 2015-11-17 TeraDiode, Inc. Method for improving performance of wavelength beam combining diode laser systems
US9240839B2 (en) 2014-01-07 2016-01-19 Nokia Corporation Transmitting data to a rolling shutter sensor array via a light emitter array
US10401633B2 (en) 2015-06-23 2019-09-03 TeraDiode, Inc. Optical element arrangements for varying beam parameter product in laser delivery systems
US11204506B2 (en) * 2014-03-05 2021-12-21 TeraDiode, Inc. Polarization-adjusted and shape-adjusted beam operation for materials processing
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
WO2015134931A1 (en) 2014-03-06 2015-09-11 Nlight Photonics Corporation High brightness multijunction diode stacking
DE102014008047B4 (de) 2014-05-28 2019-05-09 TeraDiode, Inc. Stabilisierte Wellenlängenstrahlvereiniger, Verfahren zur Wellenlängenstrahlvereinigung und stabilisiertes Multiwellenlängenlasersystem
WO2015191659A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 TeraDiode, Inc. Optical alignment systems and methods for wavelength beam combining laser systems
WO2015191451A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 TeraDiode, Inc. Wavelength beam combining laser systems utilizing lens roll for chief ray focusing
US11646549B2 (en) 2014-08-27 2023-05-09 Nuburu, Inc. Multi kW class blue laser system
US9614344B2 (en) 2014-09-17 2017-04-04 TeraDiode, Inc. Fiber-based output couplers for wavelength beam combining laser systems
WO2016094609A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 TeraDiode, Inc. Optical cross-coupling mitigation systems for wavelength beam combining laser systems
US10158210B2 (en) 2014-12-17 2018-12-18 Nlight, Inc. Optical loss management in high power diode laser packages
US9209605B1 (en) 2015-01-23 2015-12-08 Lumentum Operations Llc Laser diode subassembly and method of generating light
KR101587788B1 (ko) * 2015-02-13 2016-01-22 주식회사 크레모텍 레이저다이오드 액정 프로젝터
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
CN104868363B (zh) * 2015-05-28 2018-10-26 北京工业大学 一种单管半导体激光光纤耦合系统
US10551626B2 (en) * 2015-09-22 2020-02-04 Ram Photonics, LLC Method and system for multispectral beam combiner
WO2017054036A1 (en) 2015-09-28 2017-04-06 Baraja Pty Ltd Spatial profiling system and method
US10268043B2 (en) 2016-01-20 2019-04-23 TeraDiode, Inc. Wavelength beam combining laser systems utilizing prisms for beam quality improvement and bandwidth reduction
WO2017134911A1 (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 古河電気工業株式会社 レーザ装置
EP3417340A1 (en) 2016-02-16 2018-12-26 NLIGHT, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
CN109075524B (zh) 2016-03-18 2021-09-03 恩耐公司 用以提高亮度的光谱复用二极管泵浦模块
WO2017176862A1 (en) 2016-04-06 2017-10-12 TeraDiode, Inc. Optical fiber structures and methods for varying laser beam profile
US12172377B2 (en) 2016-04-29 2024-12-24 Nuburu, Inc. Blue laser metal additive manufacturing system
CN114160813A (zh) 2016-04-29 2022-03-11 努布鲁有限公司 可见光激光增材制造
JP7316791B2 (ja) 2016-04-29 2023-07-28 ヌブル インク モノリシック可視波長ファイバーレーザー
KR20210134087A (ko) * 2016-04-29 2021-11-08 누부루 인크. 반도체 패키징, 자동차 전기 장치, 배터리 및 기타 부품에 대한 가시 레이저 용접 방법
US20220072659A1 (en) * 2016-04-29 2022-03-10 Nuburu, Inc. Methods and Systems for Reducing Hazardous Byproduct from Welding Metals Using Lasers
US11095091B2 (en) 2016-06-20 2021-08-17 TeraDiode, Inc. Packages for high-power laser devices
CN106067657A (zh) * 2016-07-12 2016-11-02 中国科学院半导体研究所 一种n×1反向合束耦合装置及耦合系统
JP6783374B2 (ja) 2016-07-15 2020-11-11 テラダイオード, インコーポレーテッド 可変ビーム形状を有するレーザを利用する材料処理
US10338354B2 (en) * 2016-07-18 2019-07-02 Coherent, Inc. Achromatic anastigmatic anamorphic objective
JP2019532497A (ja) 2016-08-30 2019-11-07 テラダイオード, インコーポレーテッド カーボンナノチューブを利用した高出力レーザパッケージング
US11422238B2 (en) 2016-11-16 2022-08-23 Baraja Pty Ltd. Optical beam director
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
KR102656372B1 (ko) 2016-12-30 2024-04-12 세욘드, 인크. 다중파장 라이다 설계
WO2018134966A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 三菱電機株式会社 レーザ装置
JP6911153B2 (ja) 2017-01-31 2021-07-28 ヌブル インク 青色レーザーを使用して銅を溶接するための方法及びシステム
WO2018176972A1 (zh) * 2017-04-01 2018-10-04 北科天绘(苏州)激光技术有限公司 一种激光雷达装置及其通道选通方法
KR102423330B1 (ko) 2017-04-21 2022-07-20 누부루 인크. 다중-피복 광섬유
WO2018200587A1 (en) 2017-04-24 2018-11-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10817670B2 (en) 2017-05-10 2020-10-27 Oracle International Corporation Enabling chatbots by validating argumentation
US12141535B2 (en) 2017-05-10 2024-11-12 Oracle International Corporation Techniques for maintaining rhetorical flow
DE102017208898A1 (de) 2017-05-26 2018-11-29 Robert Bosch Gmbh Verfahren und LIDAR-Vorrichtung zum Abtasten eines Abtastbereiches durch Strahlen mit angepasster Wellenlänge
EP3639332A4 (en) * 2017-06-13 2021-03-17 Nuburu, Inc. COMBINED LASER SYSTEM WITH VERY DENSE WAVELENGTHS
US11100144B2 (en) 2017-06-15 2021-08-24 Oracle International Corporation Data loss prevention system for cloud security based on document discourse analysis
US11688997B2 (en) * 2018-01-09 2023-06-27 Daylight Solutions, Inc. Laser assembly with beam combining
US11070032B2 (en) * 2018-01-09 2021-07-20 Daylight Solutions, Inc. Laser assembly with spectral beam combining
US10559943B2 (en) * 2018-01-09 2020-02-11 Daylight Solutions, Inc. Laser assembly with spectral beam combining
CN108241145B (zh) * 2018-01-15 2024-02-27 深圳市速腾聚创科技有限公司 激光雷达及提高激光雷达发射点频的方法
DE102018201506B4 (de) 2018-02-01 2025-07-17 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit und LIDAR-Vorrichtung zum Abtasten eines Abtastbereichs
CN111919352B (zh) 2018-02-06 2024-04-26 恩耐公司 具有fac透镜面外波束转向的二极管激光设备
WO2019165130A1 (en) 2018-02-21 2019-08-29 Innovusion Ireland Limited Lidar detection systems and methods with high repetition rate to observe far objects
US11927696B2 (en) * 2018-02-21 2024-03-12 Innovusion, Inc. LiDAR systems with fiber optic coupling
WO2019165289A1 (en) 2018-02-22 2019-08-29 Innovusion Ireland Limited Receive path for lidar system
US11422234B2 (en) 2018-02-23 2022-08-23 Innovusion, Inc. Distributed lidar systems
CN108490444A (zh) * 2018-04-03 2018-09-04 深圳市速腾聚创科技有限公司 激光雷达及激光雷达控制方法
JP7038323B2 (ja) * 2018-04-24 2022-03-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ発振器及びそれを用いたレーザ加工装置、レーザ発振器の点検方法
CN112119547B (zh) * 2018-04-24 2024-09-03 贝克顿·迪金森公司 具有经修改的光束轮廓的多激光器系统及其使用方法
CN108321677A (zh) * 2018-04-28 2018-07-24 上海高意激光技术有限公司 一种半导体激光器合束装置
DE112019002619T5 (de) 2018-05-22 2021-03-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Leistungs- und spektralüberwachung bei wellenlängenstrahlkombinierenden lasersystemen
US11579300B1 (en) 2018-08-21 2023-02-14 Innovusion, Inc. Dual lens receive path for LiDAR system
US11611189B2 (en) 2018-10-15 2023-03-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Systems and methods for addressing pumping of thermal interface materials in high-power laser systems
WO2020107030A1 (en) 2018-11-23 2020-05-28 Nuburu, Inc Multi-wavelength visible laser source
US11086058B2 (en) 2018-12-06 2021-08-10 Beijing Voyager Technology Co., Ltd Transmitter having a light modulator for light detection and ranging (LIDAR)
US10884252B2 (en) 2018-12-26 2021-01-05 Raytheon Company Compact transform optics for spectral beam combining
CN111381235B (zh) * 2018-12-27 2022-05-27 深圳市速腾聚创科技有限公司 激光雷达发射系统
CN111446345A (zh) 2019-01-16 2020-07-24 隆达电子股份有限公司 发光元件的封装结构
JP7296605B2 (ja) 2019-01-28 2023-06-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長ビーム結合共振器のアライメントのためのシステムおよび方法
JP2022523725A (ja) 2019-02-02 2022-04-26 ヌブル インク 高信頼性、高パワー、高輝度の青色レーザーダイオードシステムおよびその製造方法
US11095084B1 (en) * 2019-02-07 2021-08-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Laser system with isolated optical cavity
CN113891777B (zh) 2019-03-28 2024-10-25 松下知识产权经营株式会社 利用高频光束整形的材料加工
US10732265B1 (en) 2019-04-11 2020-08-04 Analog Devices, Inc. Optical illuminator module and related techniques
EP4027468A4 (en) * 2019-09-06 2022-11-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Laser oscillation device
US20210119421A1 (en) * 2019-10-16 2021-04-22 Panasonic intellectual property Management co., Ltd Cold-start acceleration for wavelength-beam-combining laser resonators
WO2021076836A1 (en) 2019-10-16 2021-04-22 TeraDiode, Inc. Packages for high-power laser devices
CN111162454B (zh) * 2020-01-02 2021-03-12 中国科学院半导体研究所 一种宽波段调谐系统及调谐方法
DE102020200098A1 (de) * 2020-01-08 2021-07-08 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung LIDAR-Sensor und Verfahren zur optischen Erfassung eines Sichtfeldes
JP7411957B2 (ja) 2020-01-28 2024-01-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長ビーム結合システム
JP7462219B2 (ja) * 2020-05-08 2024-04-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ加工装置
US20220009027A1 (en) 2020-07-07 2022-01-13 Panasonic Intellectual Property Management Co. Ltd Step-core fiber structures and methods for altering beam shape and intensity
DE102020208790A1 (de) 2020-07-15 2022-01-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lidar-Sensor
US11848541B2 (en) * 2020-12-15 2023-12-19 Ii-Vi Delaware, Inc. Spectral beam combiner with independent wavelength stabilization
US20230152066A1 (en) * 2021-02-09 2023-05-18 Will Ragan Efficient transmission of matter and energy via quantum phase modulation
JP7697828B2 (ja) * 2021-06-18 2025-06-24 パナソニックホールディングス株式会社 外部共振型のレーザー発振器及び加工装置
WO2023287954A1 (en) 2021-07-16 2023-01-19 Panasonic Intellectual Property Management Co, Ltd Single emitter stacking for wavelength-beam-combining laser systems

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60108802A (ja) * 1983-11-18 1985-06-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光ビ−ム合成方法及び装置
WO2002091077A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Aculight Corporation Spectrally beam combined display system
US6584133B1 (en) * 2000-11-03 2003-06-24 Wisconsin Alumni Research Foundation Frequency-narrowed high power diode laser array method and system
US20060109876A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-25 Selim Shahriar Method and system for combining multiple laser beams using transmission holographic methodologies
JP2006189728A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Ricoh Co Ltd 光源ユニット、光走査装置及び画像形成装置等
WO2006097531A1 (fr) * 2005-03-18 2006-09-21 Thales Dispositif optique de multiplexage en longueur d'onde
US20070002925A1 (en) * 2004-10-25 2007-01-04 Nuvonyx, Inc. External cavity laser diode system and method thereof
WO2010053911A2 (en) * 2008-11-04 2010-05-14 Massachusetts Institute Of Technology External-cavity one-dimensional multi-wavelength beam combining of two-dimensional laser elements

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US6044096A (en) * 1997-11-03 2000-03-28 Sdl, Inc. Packaged laser diode array system and method with reduced asymmetry
US6192062B1 (en) 1998-09-08 2001-02-20 Massachusetts Institute Of Technology Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power
US6208679B1 (en) 1998-09-08 2001-03-27 Massachusetts Institute Of Technology High-power multi-wavelength external cavity laser
US6327292B1 (en) * 1998-09-08 2001-12-04 Massachusetts Institute Of Technology External cavity laser source using spectral beam combining in two dimensions
US6356576B1 (en) * 1999-11-29 2002-03-12 Cymer, Inc. Deep ultraviolet catadioptric anamorphic telescope
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6763054B2 (en) * 2002-11-19 2004-07-13 The Boeing Company Optical system for improving the brightness of a stack of lensed diode lasers
EP2034570A1 (en) * 2003-07-03 2009-03-11 PD-LD, Inc. Use of volume bragg gratings for the conditioning of laser emission characteristics
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7233442B1 (en) * 2005-01-26 2007-06-19 Aculight Corporation Method and apparatus for spectral-beam combining of high-power fiber lasers
US7515346B2 (en) * 2006-07-18 2009-04-07 Coherent, Inc. High power and high brightness diode-laser array for material processing applications
US8634053B2 (en) * 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2131241B1 (en) * 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
SG159467A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-30 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010251745A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Asml Netherlands Bv 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60108802A (ja) * 1983-11-18 1985-06-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光ビ−ム合成方法及び装置
US6584133B1 (en) * 2000-11-03 2003-06-24 Wisconsin Alumni Research Foundation Frequency-narrowed high power diode laser array method and system
WO2002091077A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-14 Aculight Corporation Spectrally beam combined display system
US20070002925A1 (en) * 2004-10-25 2007-01-04 Nuvonyx, Inc. External cavity laser diode system and method thereof
US20060109876A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-25 Selim Shahriar Method and system for combining multiple laser beams using transmission holographic methodologies
JP2006189728A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Ricoh Co Ltd 光源ユニット、光走査装置及び画像形成装置等
WO2006097531A1 (fr) * 2005-03-18 2006-09-21 Thales Dispositif optique de multiplexage en longueur d'onde
WO2010053911A2 (en) * 2008-11-04 2010-05-14 Massachusetts Institute Of Technology External-cavity one-dimensional multi-wavelength beam combining of two-dimensional laser elements

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN5013004733; Chuck Hamilton, et. al.: 'HIGH POWER LASER SOURCE WITH SPECTRALLY BEAM COMBINED DIODE LASER BARS' Proceedings of SPIE Vol.5336, 20040101, P.1-10 *

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9331457B2 (en) 2012-12-03 2016-05-03 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor laser apparatus
JP2015015305A (ja) * 2013-07-03 2015-01-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ装置
US10133079B2 (en) 2013-07-03 2018-11-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser device having semiconductor laser array stacks
JP2015153889A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 三菱電機株式会社 レーザ合成光学装置
WO2016059893A1 (ja) * 2014-10-15 2016-04-21 株式会社アマダホールディングス 半導体レーザ発振器
JP2016082219A (ja) * 2014-10-15 2016-05-16 株式会社アマダホールディングス 半導体レーザ発振器
JPWO2016060103A1 (ja) * 2014-10-15 2017-07-20 株式会社アマダホールディングス 半導体レーザ発振器
JP2016096333A (ja) * 2014-11-10 2016-05-26 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2018518048A (ja) * 2015-05-13 2018-07-05 トルンプフ レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Laser GmbH 可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合
JP2021073681A (ja) * 2015-07-15 2021-05-13 ヌブル インク レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム
WO2017126035A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 三菱電機株式会社 レーザ光源装置およびその製造方法
JP2017139355A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ光源装置
JP2017142465A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 古河電気工業株式会社 光操作装置および光源装置
JP2017204530A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 三菱電機株式会社 外部共振半導体レーザ装置
JP2019526165A (ja) * 2016-06-20 2019-09-12 テラダイオード, インコーポレーテッド 高出力レーザデバイスのためのパッケージ
JP2019525475A (ja) * 2016-08-05 2019-09-05 テラダイオード, インコーポレーテッド モジュール式ダイオード源を有する高出力レーザシステム
JP2018061006A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10359584B2 (en) 2016-09-30 2019-07-23 Nichia Corporation Light source device
JP7089148B2 (ja) 2016-09-30 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2020515878A (ja) * 2016-12-02 2020-05-28 テラダイオード, インコーポレーテッド 電力送達およびビーム切り替えのためのファイバ束を利用するレーザシステム
JP7042823B2 (ja) 2016-12-02 2022-03-28 テラダイオード, インコーポレーテッド レーザビームに関連する方法およびレーザシステム
JP2020505776A (ja) * 2017-01-26 2020-02-20 テラダイオード, インコーポレーテッド ビーム成形のためのセルラコア光ファイバ利用するレーザシステム
JP7123061B2 (ja) 2017-01-26 2022-08-22 テラダイオード, インコーポレーテッド ビーム成形のためのセルラコア光ファイバ利用するレーザシステム
DE112017005416B4 (de) 2017-02-13 2022-02-24 Mitsubishi Electric Corporation Laseroszillator
US10840670B2 (en) 2017-02-13 2020-11-17 Mitsubishi Electric Corporation Laser oscillator
DE112017005416T5 (de) 2017-02-13 2019-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Laseroszillator
US10714902B2 (en) 2017-03-01 2020-07-14 Mitsubishi Electric Corporation Laser oscillator
DE112017005700B4 (de) 2017-03-01 2021-12-30 Mitsubishi Electric Corporation Laseroszillator
JP2019175974A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 日亜化学工業株式会社 光源装置
US11031750B2 (en) 2018-03-28 2021-06-08 Nichia Corporation Light source device
JP7053993B2 (ja) 2018-03-28 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 光源装置
US11664641B2 (en) 2018-03-28 2023-05-30 Nichia Corporation Light source device
JP2022508765A (ja) * 2018-10-15 2022-01-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 階段状スロー軸コリメータを有するレーザシステム
JP7153862B2 (ja) 2018-10-15 2022-10-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 階段状スロー軸コリメータを有するレーザシステム
JP7277716B2 (ja) 2019-02-25 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置、および光結合器
JP2020134872A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置、および光結合器
JP2022543152A (ja) * 2019-08-06 2022-10-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 デュアル波長レーザシステム及びそのシステムを用いた材料加工
JP7445879B2 (ja) 2019-08-06 2024-03-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 デュアル波長レーザシステム及びそのシステムを用いた材料加工
JP2021086960A (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 パナソニック株式会社 レーザ装置
JP7098090B1 (ja) * 2022-01-28 2022-07-08 三菱電機株式会社 レーザ装置およびレーザ加工機
WO2023144995A1 (ja) * 2022-01-28 2023-08-03 三菱電機株式会社 レーザ装置およびレーザ加工機
JP2023148360A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 パナソニックホールディングス株式会社 光学システム及びLiDARシステム

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