JP2013038231A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の配線基板1は、第一絶縁基板11と、第一絶縁基板11の一方の面11aに設けられた配線回路12と、第一絶縁基板11に内在され、配線回路12に接して第一絶縁基板11の他方の面11bに露呈する層間接続部14と、を備え、層間接続部14は、第一絶縁基板11の他方の面11b側に露呈する第一金属部15と、第一金属部15と配線回路12とを電気的に接続する第二金属部16と、から構成され、第一金属部15は導電性ペースト、第二金属部16はメッキであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
(配線基板)
図1は、本実施形態の配線基板1を示す概略側面断面図である。なお、図面は模式的なものであり、各層の厚みやその比率などは現実のものとは異なっている。
図1に示すように、本実施形態の配線基板1は、絶縁基板が複数枚(本実施形態では3枚)積層されて形成されている。
具体的には、配線基板1は、第一絶縁基板11およびその一方の面(図1における上側)11aに配線回路12を有する第一配線基材10と、第二絶縁基板21およびその一方の面(図1における上側)21aに配線回路22を有する第二配線基材20と、第三絶縁基板31および一方の面(図1における上側)31aに配線回路32を有する第三絶配線基板30とが、第一接着層41、第二接着層51を介して積層されて形成されている。
第一絶縁基板11の他方の面(図1における下側)11b上には、加熱反応型の接着剤からなる第一接着層41が設けられている。
層間接続部14は、第一接着層41の他方の面41bに露呈する第一金属部15と、第一金属部15と連続し、第一金属部15と配線回路12とを電気的に接続する第二金属部16とで形成されている。第一金属部15は、第一接着層41に形成された貫通孔17内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部16は、第一絶縁基板11に形成された貫通孔18内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部16における第一金属部15側の内側面部16aは、第一金属部15側に延在し、かつ、弓なりの曲線のような形、すなわち、弧状をなしている。
第二絶縁基板21の他方の面(図1における下側)21b上には、加熱反応型の接着剤からなる第二接着層51が設けられている。
層間接続部24は、第二接着層51の他方の面51bに露呈する第一金属部25と、第一金属部25と連続し、第一金属部25と配線回路22とを電気的に接続する第二金属部26とで形成されている。第一金属部25は、第二接着層51に形成された貫通孔27内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部26は、第二絶縁基板21に形成された貫通孔28内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部26における第一金属部25側の内側面部26aは、第一金属部25側に延在し、かつ、弧状をなしている。
また、第二金属部16における第一金属部15側の内側面部16aが、第一金属部15側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部15と第二金属部16の接触面積が大きくなり、第一金属部15と第二金属部16の接続信頼性が向上する。また、第二金属部26における第一金属部25側の内側面部26aが、第一金属部25側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部25と第二金属部26の接触面積が大きくなり、第一金属部25と第二金属部26の接続信頼性が向上する。
また、メッキ処理により第二金属部16を形成し、導電性ペーストにより第一金属部15を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、層間接続部14自体の体積抵抗値を低くすることができる。したがって、配線基板1は、高速伝送時の伝送特性の劣化が少なく、高速伝送に好適に用いられる。
次に、配線基板1の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
なお、配線基板1の製造方法は特に限定されないが、配線基板1は、一例として以下に示す各工程を経て製造される。
第一配線基材10の製造工程では、まず、図2に示すように、ポリイミド等からなる第一絶縁基板11の一方の面11aに銅箔12Aが積層された片面銅張積層板を出発材料とする。
次いで、片面銅張積層板の一方側の銅箔12Aをパターニングして、図3に示すように、第一絶縁基板11の一方の面11a上に配線回路12を形成する。片面銅張積層板の一方側の銅箔12Aのパターニングは、例えば、フォトリソグラフィ技術により銅箔12Aの表面にマスクパターンを形成した後、銅箔12Aをエッチングすることで行われる。
また、第二金属部16の形成とともに、メッキ処理により、配線回路12の一方の面12a上にメッキ層13を形成する。
第二配線基材20は、第一配線基材10と同様に製造される。
第三配線基材30は、第一配線基材10と同様にして、第三絶縁基板31の一方の面31aに配線回路32を形成することにより製造される。
積層工程では、上述のように形成された第一配線基材10、第二配線基材20および第三配線基材30を厚さ方向に重ね合わせて積層する。
積層工程では、図8に示すように、第一絶縁基板11の他方の面11bに積層された第一接着層41と、第二絶縁基板21の一方の面21aとを対向させた状態で、第二配線基材20の一方側(図8における上側)に第一配線基材10を配置する。また、第二絶縁基板21の他方の面21bに積層された第二接着層51と、第三絶縁基板31の一方の面31aとを対向させた状態で、第三配線基材30の一方側(図8における上側)に第二配線基材20を配置する。そして、第一配線基材10、第二配線基材20および第三配線基材30の位置を互いに合わせながら、加熱プレスを行う。
積層工程により各配線基板が積層され、図1に示す配線基板1が形成された時点で、配線基板1の全ての製造工程が完了する。
また、メッキ処理と導電性ペーストにより、層間接続部14を形成するので、メッキ処理のみで層間接続部を形成した場合よりも、安価に配線基板1を形成することができる。また、導電性ペーストを充填する貫通孔17の内壁面には、コロイド処理などの前処理が不要となる。
さらに、貫通孔18に対するメッキ処理において、ビアフィルメッキ法を用いることにより、第二金属部16における第一金属部15側の内側面部を、容易に弧状に形成することができる。
なお、第二配線基材20の製造においても同様の効果が得られる。
(配線基板)
図9は、本実施形態の配線基板100を示す概略側面断面図である。なお、図面は模式的なものであり、各層の厚みやその比率などは現実のものとは異なっている。
図9に示すように、本実施形態の配線基板100は、絶縁基板が複数枚(本実施形態では3枚)積層されて形成されている。
具体的には、配線基板100は、第一絶縁基板111およびその一方の面(図9における上側)111a上に配線回路112を有する第一配線基材110と、第二絶縁基板121およびその一方の面(図9における上側)121a上に配線回路122を有する第二配線基材120と、第三絶縁基板131および一方の面(図9における上側)131aに配線回路132を有する第三絶配線基板130とが、第一接着層141、第二接着層151を介して積層されて形成されている。
第一絶縁基板111の他方の面(図9における下側)111b上には、加熱反応型の接着剤からなる第一接着層141が設けられている。
層間接続部114は、第一接着層141の他方の面141bに露呈する第一金属部115と、第一金属部115と連続し、第一金属部115と配線回路112とを電気的に接続する第二金属部116とで形成されている。第一金属部115は、第一接着層141に形成された貫通孔117内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部116は、第一絶縁基板111に形成された貫通孔118内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部116における第一金属部115側の内側面部116aは、第一金属部115側に延在し、かつ、弧状をなしている。
第二絶縁基板121の他方の面(図9における下側)121b上には、加熱反応型の接着剤からなる第二接着層151が設けられている。
層間接続部124は、第二接着層151の他方の面151bに露呈する第一金属部125と、第一金属部125と連続し、第一金属部125と配線回路122とを電気的に接続する第二金属部126とで形成されている。第一金属部125は、第二接着層151に形成された貫通孔127内にはんだ等に使用される材料からなる導電性ペーストを充填することで形成されている。第二金属部126は、第二絶縁基板121に形成された貫通孔128内に銅等の金属をメッキ処理することで形成されている。また、第二金属部126における第一金属部125側の内側面部126aは、第一金属部125側に延在し、かつ、弧状をなしている。
また、第二金属部116における第一金属部115側の内側面部116aが、第一金属部115側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部115と第二金属部116の接触面積が大きくなり、第一金属部115と第二金属部116の接続信頼性が向上する。また、第二金属部126における第一金属部125側の内側面部126aが、第一金属部125側に延在し、かつ、弧状をなしているので、第一金属部125と第二金属部126の接触面積が大きくなり、第一金属部125と第二金属部126の接続信頼性が向上する。
また、メッキ処理により第二金属部116を形成し、導電性ペーストにより第一金属部115を形成するので、導電性ペーストの使用量を削減できるから、層間接続部114自体の体積抵抗値を低くすることができる。したがって、配線基板100は、高速伝送時の伝送特性の劣化が少なく、高速伝送に好適に用いられる。
次に、配線基板100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
なお、配線基板100の製造方法は特に限定されないが、配線基板100は、一例として以下に示す各工程を経て製造される。
第一配線基材110の製造工程では、まず、図10に示すように、ポリイミド等からなる第一絶縁基板111の一方の面111aにシード層113を形成する。
また、第二金属部116の形成とともに、メッキ処理により、メッキレジスト層161の開口部161a内に銅等の導電体を充填し、シード層113の一方の面113a上に、配線回路112を形成する。
次いで、図16に示すように、第一絶縁基板111の一方の面111a上に露呈しているシード層113を除去する。
第二配線基材120は、第一配線基材110と同様に製造される。
第三配線基材130は、第一配線基材110と同様にして、第三絶縁基板131の一方の面131aに配線回路132を形成することにより製造される。
積層工程では、上述のように形成された第一配線基材110、第二配線基材120および第三配線基材130を厚さ方向に重ね合わせて積層する。
積層工程では、図18に示すように、第一絶縁基板111の他方の面111bに積層された第一接着層141と、第二絶縁基板121の一方の面121aとを対向させた状態で、第二配線基材120の一方側(図18における上側)に第一配線基材110を配置する。また、第二絶縁基板121の他方の面121bに積層された第二接着層151と、第三絶縁基板131の一方の面131aとを対向させた状態で、第三配線基材130の一方側(図18における上側)に第二配線基材120を配置する。そして、第一配線基材110、第二配線基材120および第三配線基材130の位置を互いに合わせながら、加熱プレスを行う。
積層工程により各配線基板が積層され、図9に示す配線基板1が形成された時点で、配線基板9の全ての製造工程が完了する。
また、メッキ処理と導電性ペーストにより、層間接続部114を形成するので、メッキ処理のみで層間接続部を形成した場合よりも、安価に配線基板100を形成することができる。また、導電性ペーストを充填する貫通孔117の内壁面には、コロイド処理などの前処理が不要となる。
さらに、貫通孔118に対するメッキ処理において、ビアフィルメッキを用いることにより、第二金属部116における第一金属部115側の内側面部を、容易に弧状に形成することができる。
なお、第二配線基材120の製造においても同様の効果が得られる。
Claims (5)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に設けられた配線回路と、前記絶縁基板に内在され、前記配線回路に接して前記絶縁基板の他方の面に露呈する層間接続部と、を備えた配線基板であって、
前記層間接続部は、前記絶縁基板の他方の面に露呈する第一金属部と、前記第一金属部と前記配線回路とを電気的に接続する第二金属部と、から構成され、
前記第一金属部は導電性ペースト、前記第二金属部はメッキであることを特徴とする配線基板。 - 前記第二金属部における前記第一金属部側の内側面部は、前記第一金属部側に延在し、かつ、弧状をなしていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に設けられた配線回路と、前記絶縁基板に内在され、前記配線回路に接して前記絶縁基板の他方の面に露呈する層間接続部と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の一方の面に導電層を備えた基材を用い、前記絶縁基板に、前記絶縁基板の他方の面から前記導電層が露呈する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔が形成された絶縁基板の貫通孔内部に、前記貫通孔の途中までメッキ法により第二金属を充填する工程と、
前記貫通孔にメッキ法により第二金属を充填した後、前記貫通孔の残りの内部空間に、第一金属からなる導電性ペーストを充填する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記貫通孔に対するメッキをする工程は、ビアフィルメッキ法であることを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。
- 前記貫通孔に対するメッキをする工程は、貫通孔内に第二金属部を形成するとともに、前記絶縁基板の他方の面に、さらに別の導電部を形成することを特徴とする請求項3または4に記載の配線基板の製造方法。
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| JP2001217356A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Ibiden Co Ltd | 多層回路基板および半導体装置 |
| WO2004073370A1 (ja) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Fujikura Ltd. | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2009043917A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Fujikura Ltd | 多層配線板及びその製造方法 |
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2011
- 2011-08-08 JP JP2011173170A patent/JP2013038231A/ja active Pending
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