JP2013016872A

JP2013016872A - Ｅｕｖ光学器械

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Publication number: JP2013016872A
Application number: JP2012234751A
Authority: JP
Inventors: Igor V Fomenkov; イゴーヴィーフォーメンコフ; Norbert R Bauring; ノーバートアールバウアリング
Original assignee: Cymer Inc
Current assignee: Cymer Inc
Priority date: 2006-08-16
Filing date: 2012-10-24
Publication date: 2013-01-24
Anticipated expiration: 2027-07-24
Also published as: JP2010500776A; US8907310B2; TWI367611B; JP5667615B2; US20110075253A1; WO2008020965A3; TWI489155B; US20140176926A1; WO2008020965A2; KR20090040434A; TW200820526A; KR20130119012A; US8598549B2; US20080043321A1; TW201213892A; US7843632B2

Abstract

【課題】プラズマからのＥＵＶ光を供給する超紫外線（ＥＵＶ）光発生器を提供する。
【解決手段】第１の態様では、複数の個別の基体を準備する段／段階と、各基体をそれぞれの多層コーティングで被覆する段／段階と、各基体が共通焦点に向けられた配置に被覆基体を固定する段／段階と、その後、多層コーティングの少なくとも１つを研磨する段／段階とを含むことができるＥＵＶ光源ミラーを製作する方法を開示する。別の態様では、基体と、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、及びＣｒから成る材料の群から選択され、その層材料が高エネルギ堆積条件を用いて堆積された平滑化層と、多層誘電体コーティングとを含むことができるＥＵＶ光と共に使用するための光学器械を開示する。別の態様では、ＥＵＶミラーのための耐食多層コーティングは、Ｓｉと窒素及び第５周期遷移金属を有する複合材料との交互する層を含むことができる。
【選択図】図２

Description

本出願は、２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学器械」という名称の米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号に対する優先権を請求するものであり、かつ代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ、ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号と、２００３年９月２３日に付与された「超狭帯域２チャンバ高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６、６２５、１９１号と、２００３年４月１５日に付与された「正確なタイミング制御を備えた注入シード型レーザ」という名称の米国特許第６、５４９、５５１号と、２００３年４月２０日に付与された「超狭帯域２チャンバ高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６、５６７、４５０号とに関するものであり、これらの特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
本発明の開示は、例えば約５０ｎｍ及びそれ未満の波長で例えば半導体集積回路製造フォトリソグラフィのためのＥＵＶ光源発生チャンバ外側での利用に向けて原材料から作り出され、集光されて焦点に導かれるプラズマからのＥＵＶ光を供給する超紫外線（ＥＵＶ）光発生器に関する。

ＥＵＶ光、例えば約５０ｎｍ又はそれ未満の波長を有し、約１３．５ｎｍの波長での光を含む電磁放射線（軟Ｘ線とも呼ばれることもある）は、基体、例えばシリコンウェーハ内の極めて小さな特徴部を生成するためにフォトリソグラフィ処理において使用することができる。
ＥＵＶ光を生成する方法は、輝線がＥＵＶ範囲にある元素、例えば、キセノン、リチウム又は錫、インジウム、アンチモン、テルル、アルミニウムなどを有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが必ずしもこれに限定されるわけではない。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）いうことが多い１つのこのような方法においては、所要のプラズマは、所要の線放出元素を有する材料の液滴、流れ、又はクラスターのようなターゲット材料をレーザビームで照射することにより生成することができる。

ＥＵＶ光は、発生した状態で、一般的に、集光ミラーということがある多層ミラーにより反射される。例えば、一設定においては、開口を有する垂直入射楕円反射器を使用して、レーザ光が照射部位のターゲット材料を通過及び到達することを可能にすることができる。１つの構成においては、第１の焦点が照射部位に位置し、かつＥＵＶ光を光源から出力して、例えば、集積回路リソグラフィツールへ入力することができるいわゆる中間点（中間焦点とも呼ばれる）に第２の焦点が位置決めされるように、長楕円の形をした集光ミラーを位置決めすることができる。

一部のリソグラフィツールでは、ツールのフォトマスク／レチクルを効率的に照射する円弧視野の照明視野を利用する。例えば、内容が本明細書において引用により組み込まれている２００１年４月３日にＳｗｅａｔｔ他に付与された「極ＵＶリソグラフィ凝縮器」という名称の米国特許第６、２１０、８６５号を参照されたい。従って、この形式のツールに対しては、プラズマ照射部位で生成されたＥＵＶ光は、集光され、凝縮されて、円弧視野を作り出すように成形する必要があると考えられる。一般的に、ＥＵＶ光に対しては、反射光学器械、例えば、グレージング入射及び／又は垂直入射ミラーが使用され、毎回の反射は、結果として約２０〜４０％の帯域内強度損失になる。従って、プラズマ照射部位とフォトマスク／レチクルの間では、光学器械の数をできるだけ低減することが望ましいと考えられる。

高容積ＥＵＶ光源を設計する時、考慮されることが多い別の要因は、レーザ入力窓、集光ミラー、及び／又は測定機器のようなＥＵＶ光源光学器械を損傷する可能性があるデブリの発生及び軽減である。従って、少なくとも一部の原材料に対しては、プラズマの生成により、プラズマチャンバ内で様々なプラズマチャンバ光学器械の作動効率に潜在的に損なうか又は低減する可能性がある好ましくない副産物（例えば、デブリ）が発生する恐れもある。このデブリは、帯域外光子、高エネルギイオン、及びプラズマ形成による散乱デブリ、例えば、原材料の原子及び／又は塊／微細液滴を含むことがある。このデブリは、２次スパッタリングによるチャンバ材料、及び放電形式のシステムの場合には電極材料を含む場合もある。このような理由から、１つ又はそれよりも多くの技術を使用して特定のＥＵＶ出力が得られるように、形成されるデブリの種類数、相対量、及び総量を最小にすることが望ましいことが多い。デブリを最小にするように、ターゲットサイズ、例えば、液滴直径及び／又はターゲット構成、例えば、化学的性質を選択する時に、ターゲットは、いわゆる「質量限定」ターゲットということがある。

高エネルギイオン及び／又は原材料デブリは、光学器械を加熱すること、光透過率を低減する材料で光学器械を被覆すること、光学器械に浸入して、例えば、構造的一体性及び／又は光学特性、例えば、このような短波長で光を反射するミラーの機能に損害を与えること、光学器械を腐食又は浸食し、及び／又は光学器械内に拡散することを含むいくつかの点で光学器械に悪い影響を与える可能性がある。従って、デブリの影響を低減するデブリ低減技術及び／又は適切な技術は、高容積ＥＵＶ光源の設計において考慮する必要があると考えられる。

デブリの影響を低減する１つの方法は、集光ミラーを照射部位から遠ざけることである。これは、同じ光量を集光するためのより大きな集光ミラーの使用を意味する。集光ミラーの性能、例えば、できるだけ多くの帯域内光を例えば焦点に正確に誘導する機能は、集光器の面形状精度及び表面仕上げ、例えば、粗度に依存する。予想することができるように、集光ミラーが大型化する時には、適切な面形状精度及び表面仕上げを生成しにくくなる。一般的に、これらのＥＵＶ集光ミラーは、多層誘電体コーティング、例えば、Ｍｏ／Ｓｉが被覆されたモノリシック基体を含む。用途によっては、これらの多層ミラーは、１つ又はそれよりも多くのインタフェースで堆積される薄い障壁層を含むことができ、恐らくキャップ層を含むことができる。集光ミラー基体要件には、真空適合性、機械的強さ（例えば高温強度）、高熱伝導率、低熱膨張率、寸法安定性、適切な面形状精度及び仕上げに研磨される機能、及びろう付け又は接合される機能のうちの１つ又はそれよりも多くを含むことができる。

米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号米国特許第６、６２５、１９１号米国特許第６、５４９、５５１号米国特許第６、５６７、４５０号米国特許第６、２１０、８６５号

Ｔａｋｉｎｏ他著「超紫外線リソグラフ照射システムのための複合形状ミラーの製作」、Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．４２（９）、２００３年９月Ｋｏｍａｔｓｕｄａ著「新規なＥＵＶＬのための照射システム」、講演論文集ＳＰＩＥ３９９７、７６５〜７７６頁（２０００年）

上記を念頭に置いて、本出願人は、集光ミラー、対応する製作方法、及び使用方法を含むＥＵＶ光学器械を開示する。

第１の態様では、複数の個別の基体を準備する段／段階と、各基体が共通焦点に向けられた配置に基体を固定する段／段階と、その後に基体の少なくとも１つを研磨する段／段階と、それぞれのＥＵＶ反射多層コーティングで各基体を被覆する段／段階とを含むことができるＥＵＶ光源ミラーを製作する方法を開示する。ミラーは、垂直入射ミラー又はグレージング入射ミラーとすることができる。一実施例では、この配置には、楕円を含み、１つの特定的な実施例では、楕円は、５００ｍｍを超える直径を有する。複数の基体は、９個の基体を含むことができる。コーティング基体を固定する段／段階は、接合及び／又はろう付けにより達成することができる。

別の態様では、基体と、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、及びＣｒから成る材料の群から選択された平滑化層とを含むことができ、平滑化層材料が高エネルギ堆積条件を用いて堆積され、多層コーティングが平滑化層の上に重なる、ＥＵＶ光と共に使用する光学器械を開示する。高エネルギ条件には、基体加熱及び／又は堆積中に粒子エネルギを増大させることを含むことができる。一実施形態では、平滑化層は、基体の上に重なってかつ接触し、１つの特定的な実施形態では、基体は、ＳｉＣを含む。一例として、平滑化層は、３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の厚みを有することができ、かつ非晶質材料を含むことができる。一実施例では、多層コーティングは、Ｍｏ及びＳｉの交互する層を含み、１つの特定的な実施例では、光学器械は、ＥＵＶ光源のための集光ミラーである。

特定的な態様では、ＥＵＶ光と共に使用される光学器械を生成する方法は、基体を準備する段／段階と、基体上に平滑化層を堆積させる段／段階と、平滑化層を研磨する段／段階と、多層ＥＵＶコーティングを平滑化層の上に重ねる段／段階とを含むことができる。一部の場合には、本方法は、基体を研磨する段階を更に含むことができる。例えば、基体は、ＳｉＣを含むことができ、平滑化層は、約５μｍ〜１００μｍの範囲の厚みに堆積された結晶Ｓｉを含むことができる。

実施形態の一態様では、垂直入射ＥＵＶ光源ミラーを製作する方法は、少なくとも１つがマスターパターンからの複製により製作される複数の個別の基体を準備する段／段階と、それぞれの垂直入射ＥＵＶ反射多層コーティングで各基体を被覆する段／段階と、被覆した基体を互いに固定して単一のミラーを形成する段／段階とを含むことができる。基体は、ニッケル、例えば、ニッケル合金を含むことができる。一実施例では、基体の１つ又はそれよりも多く（又は恐らく全て）は、変形可能な例えば約０．５ｍｍ〜約１．５ｍｍの範囲の厚みを有するニッケル合金とすることができる。別の実施例では、基体の１つ又はそれよりも多く（又は恐らく全て）は、剛体の例えば３．５ｍｍ〜６．５ｍｍの範囲の厚みを有するニッケル合金とすることができる。複数の基体は、共通のマスターパターンからの複製により製作することができ、一部の場合には、基体は、電気鋳造複製処理により製作することができる。

一態様に対しては、ＥＵＶ光源ミラーアセンブリは、支持構造体と、各々がそれぞれのＥＵＶ反射多層コーティングで被覆した複数の個別の基体とを含むことができ、基体の少なくとも１つは、支持構造物に対して基体の調節を可能にするために支持構造物上に移動可能に取り付けることができる。例えば、ミラーアセンブリは、アクチュエータ、例えば、支持構造体に基体を移動可能に取り付けるための例えば圧電性の電気作動可能要素を有するアクチュエータを含むことができる。一構成においては、基体は、変形可能とすることができ、アクチュエータの作動は、基体を変形させることができる。別の構成においては、基体は、剛体とすることができ、アクチュエータの作動は、基体を支持構造体に対して平行移動させることができる。基体は、共通の支持構造体上に取り付けることができ、支持構造体は、Ｓｉ−炭素繊維複合体、ＳｉＣ、不変鋼及びステンレス鋼のような低熱膨張率材料で製造することができる。一実施形態では、ミラーアセンブリは、少なくとも１つの基体が少なくとも１つのリング上に取り付けられた複数のリングと、支持構造体に対して少なくとも１つのリングを移動可能に取り付けるためのアクチュエータとを含むことができる。特定的な実施形態では、少なくとも１つの基体は、複数のリング上に取り付けられ、基体は、変形可能にすることができる。

別の態様は、支持構造体を準備する段階／段と、ＥＵＶ反射多層コーティングで複数の個別の基体を被覆する段階／段と、アクチュエータを使用して基体の少なくとも１つを支持構造体に移動可能に取り付ける段階／段と、アクチュエータを作動させて支持構造体に対して基体の少なくとも１つを調節する段階／段とを含むことができる光源集光ミラーを製作かつ整列させる方法を含む。一実施例では、ミラーは、第１及び第２の焦点を確立する楕円ミラーとすることができ、本方法は、光、例えば、第２の焦点での測定のために第１の焦点からミラーに向けて可視スペクトルの周波数を有する光を誘導する段階と、測定値を使用してアクチュエータを作動させ、基体を整列させる段階を更に含むことができる。この作動させる段階は、光源に、例えば、ＬＰＰ光源のプラズマチャンバにミラーを設置した後で、かつミラーが高温である間に実行することができる。

実施形態の別の態様では、ＥＵＶ光放出プラズマから直接に光を受光し、かつ光伝播方向に垂直な平面において予め選択された形状、例えば、円弧状を有する照明視野でリソグラフィマスクを照射するシステムと共に使用する成形ビームを生成するための垂直入射ＥＵＶ光源集光ミラーを提供する。集光ミラーは、支持構造体と、各々が輪郭形状を有する複数のファセットとを含むことができ、照明視野の予め選択された形状及びファセットの輪郭形状は、実質的に同じである。この態様に対しては、各ファセットは、回転対称反射面を含むことができ、ファセットは、支持構造体上に取り付けて、複数の焦点に向けて光束を誘導するように整列させることができる。例えば、回転対称反射面は、球面の軸外表面セグメント、非球面の表面セグメント、又は環状面の軸上表面セグメントとすることができる。一実施例では、少なくとも１つのファセットは、円弧状であり、特定的な実施例では、ミラーは、５０個を超えるファセットを含むことができる。ファセットが略楕円パターンで位置決めされる構成、ファセットが略放物線パターンで位置決めされる構成、ファセットが略近放物線パターンで位置決めされる構成を含むいくつかの構成が考えられる。一設定においては、複数のアクチュエータが設けられ、各アクチュエータは、それぞれのファセットを支持構造体に移動可能に取り付ける。

実施形態の更に別の態様では、光伝播方向に垂直な平面において予め選択された形状、例えば、円弧状を有する照明視野としてＥＵＶ光放出プラズマからマスクへの光を均質化及び成形するための光学配置を開示する。この配置には、複数の反射面を含むＥＵＶ反射ミラーと、各々が輪郭形状を有する複数のファセットを有するプラズマから直接に光を受光するための垂直入射ＥＵＶ光源集光ミラーとを含むことができ、照明視野の予め選択された形状及びファセットの輪郭形状は、実質的に同じである。この態様に対しては、この配置には、ＥＵＶ光凝縮ミラーを更に含むことができる。一実施形態では、ＥＵＶ反射ミラーの反射面は、略平面パターンに配置することができ、特定的な実施形態では、集光ミラーのファセットは、回転対称反射面を含むことができる。

別の態様では、ＥＵＶミラーのための耐食多層コーティングは、複数の２層を含むことができ、各２層は、Ｓｉを含む層と、窒素及び第５周期遷移金属（例えば、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、又はＣｄ）を有する複合材料を含む層とを有する。一実施形態では、第５周期遷移金属は、Ｎｂ、Ｍｏ、及びＲｕから成る金属の群から選択され、特定的な実施形態では、複合材料は、窒化物、例えば、ＭｏＮ、ＭｏＮｂＮ、又はＮｂＮである。

レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のための全体的な広義の概念の概略図である。ＥＵＶ光源ミラーを製作するための処理段階／段を示す流れ図である。９つの被覆した基体を互いに接合／ろう付けすることにより製作された楕円ＥＵＶ集光ミラーの正面図である。平滑化層を示すＥＵＶ光学器械の拡大断面図である。多層システムの縮尺通りでない拡大断面図である。比較的厚い平滑化層を有するＭＬＭミラーの代替的な実施形態の縮尺通りでない拡大断面図である。８つの同一に成形された被覆基体を互いに固定することにより製作された楕円垂直入射ＥＵＶ集光ミラーの正面図である。集光ミラーのためのモノリシックハニカム支持構造体の例を示す図である。集光ミラーのためのモノリシック正三角形リブ支持構造体の例を示す図である。アクチュエータを使用する支持構造体に対する各基体の調節を可能にするために複数の被覆基体を支持構造体上に移動可能に取り付けることができる集光ミラーを示す図である。円弧状照明視野としてＥＵＶ光放出プラズマからマスクへの光を均質化及び成形するための光学配置の概略図である。図１０に示す配置に使用する多面集光ミラーの正面図である。図１１に示す集光ミラーに使用するためのミラーファセットの斜視図である。図１０に示す配置に使用する多面瞳ミラーの正面図である。ＥＵＶフォトマスク／レチクルの照射に適切な寸法決めされた円弧状照明視野の例を示す図である。耐食多層ミラーの縮尺通りでない拡大断面図である。ＭｏＮ／Ｓｉ２層、ＮｂＮ／Ｓｉ２層、及びＭｏＮｂＮ／シリコン２層を有する多層ミラーに対する計算反射率を示す図である。

最初に図１を参照すると、例示的なＥＵＶ光源、例えば、実施形態の一態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の概略図が示されている。図示のように、ＬＰＰ光源２０は、パルス又は連続レーザ源２２、例えば、比較的高電力かつ高パルス繰返し数で作動する、例えばＤＣ又はＲｆ励起で例えば１０．６μｍで放射線を生成するパルスガス放電ＣＯ₂レーザ光源を含むことができる。例えば、ＭＯ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成を有する適切なＣＯ₂レーザ源は、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ、ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号に開示されており、この特許の開示全体は、引用により既に本明細書に組み込まれている。

用途により、他の形式のレーザも適切であるとすることができる。例えば、固体レーザ、エキシマ、分子フッ素レーザ、例えば、米国特許第６、６２５、１９１号、第６、５４９、５５１号、及び第６、５６７、４５０号に示すようなＭＯＰＡ構成エキシマレーザシステム、単一チャンバを有するエキシマレーザ、２つよりも多いチャンバ、例えば、発振器チャンバ及び２つの増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）を有するエキシマレーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）構成、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）構成、又は１つ又はそれよりも多くのＣＯ₂（エキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバ）にシードする固体レーザが適切であると考えられる。他の設計も可能である。

図１に更に示すように、光源２０はまた、例えば、原材料ターゲットがプラズマを生成してＥＵＶ放出を行うために１つ又はそれよりも多くの光パルス、例えば、予備パルス及び次に主パルスにより照射されることになるターゲット容積２８までチャンバ２６の内部の中に原材料の液滴を送達する原材料送達システム２４も含むことができる。原材料は、錫、リチウム、キセノン、又はその組合せを含む材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。ＥＵＶ放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノンなどは、液滴又は液滴内に含有された固体粒子の形態、又はターゲット容積までＥＵＶ放出元素を送達するあらゆる他の形態とすることができる。

引き続き図１で、光源２０は、レーザ源２２により生成された光パルスがターゲット容積２８を通過及び到達することを可能にする開口を有する例えば先端を切った楕円の形態の集光器３０、例えば、垂直入射反射器、例えば、モリブデン及びシリコンの交互する層を有する多層ミラーを含むことができる。集光器３０は、例えば、ターゲット容積２８内又はその近くに第１の焦点、及びＥＵＶ光を光源２０から出力して、例えば、集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができるいわゆる中間点４０（中間焦点４０とも呼ばれる）に第２の焦点を有する楕円ミラーとすることができる。

光源２０は、ＥＵＶ光源制御システム６０を含むことができ、ＥＵＶ光源制御システム６０は、レーザ源２２内の１つ又はそれよりも多くのランプ及び／又はレーザ源を作動させることによりチャンバ２６内への送達する光パルスを生成する発射制御システム６５を含むことができる。更に、光源２０は、液滴位置検知システムを含むことができ、液滴位置検知システムは、例えば、ターゲット容積２８に対して１つ又はそれよりも多くの液滴の位置を示す出力を供給する１つ又はそれよりも多くの液滴撮像器７０を含み、この出力を液滴位置検出フィードバックシステム６２に供給することができ、液滴位置検出フィードバックシステム６２は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができる例えば液滴位置及び軌道を計算することができる。液滴誤差は、次に、光源コントローラ６０への入力として供給することができ、光源コントローラ６０は、例えば、位置、方向、及びタイミング補正信号をレーザ源２２に供給してレーザ源タイミング回路を制御し、及び／又は例えばチャンバ２６に送達されている光パルスの位置及び／又は焦点屈折力を変えるようにビーム位置及び整形システムを制御することがきる。
図１に示すように、光源２０は、例えば、望ましいターゲット容積２８に到達する液滴における誤差を補正するために液滴送達機構９２からの原材料の放出点を修正するように、システムコントローラ６０からの信号（一部の実施例では、上述の液滴誤差又はそこから導出した何らかの量を含むことができる）に応答して作動可能な液滴送達制御システム９０を含むことができる、

図２は、図１及び３に示す楕円ミラー３０のような比較的大きなＥＵＶ光源ミラーを製作する処理段階／段を示す流れ図を示している。図示の製作工程は、必ずしも垂直入射ミラー、集光ミラー、又はあらゆる特定の形態、例えば、楕円体を有するミラーに限定されず、代わりに、２０度を超える入射角で反射するように設計されたミラー、球面ミラー、非球面光学器械などを含むグレージング入射ミラーのような他の大きなＥＵＶ光学器械を生成するためにも使用することができることは認められるものとする。

図２に示すように、ＥＵＶ光源ミラーを製作する方法は、複数の個別の基体を準備する（ボックス１００）ことにより始めることができる。次に、図２に示すように、その後、光学器械の最終の望ましい面形状精度に近似した構成に基体を位置決めする（ボックス１０２）。例えば、楕円集光ミラーに対しては、各被覆基体は、第１の楕円焦点（例えば、図１の２８）、第２の楕円焦点（例えば、図１の４０）、又は両方を確立するように位置決め及び試験することができる。適切な構成になった時に基体を互いに固定する（ボックス１０４）。固定する段／段階は、接合及び／又はろう付けにより達成することができる。接合及び／又はろう付けの代わりに、更に、他の締結技術、例えば、機械式留め具を使用して被覆基体を互いに固定することができる。組み付け後、基体を研磨して（アセンブリとして）光学器械としての精巧な面形状精度及び表面仕上げにすることができる（ボックス１０６）。研磨したら、アセンブリ内の各基体をＭｏ／Ｓｉ誘電体コーティングのような多層コーティングで被覆することができる（ボックス１０８）。

図１及び３を相互に参照すると、中央楕円状基体１１０及び８つの周辺基体１１２ａ〜ｈを含む９つの基体１１０、１１２ａ〜ｈは、単一の比較的大きな楕円ミラー３０として配置することができ、一部の場合には、５００ｍｍを超える直径ｄを有する楕円が可能であるということが見出されている。９つの基体１１０、１１２ａ〜ｈを有する実施形態が示されているが、本明細書で説明する手順を使用して９つを超える基体及び僅か２つの基体を接合することができることは認められるものとする。一部の用途に対しては、上述の技術を用いると、単一の結晶シリコンの使用により、使用しない場合では技術的及び／又は経済的に実行不可能なミラーサイズを作り出すことを可能にすることができるが、本明細書のいかなる内容も製作方法をあらゆる特定形式の基体材料又はサイズに限定しないと解釈すべきである。

図４及び図５は、図１に示す集光ミラー３０のような光学要素基体のコーティングを示している。本明細書で説明するように、図４及び図５に示すコーティング及びコーティング処理は、図１及び３に示すミラー３０のような多重基体ミラー、単一基体、例えばモノリシックミラー、集光ミラーなど垂直入射ミラー、グレージング入射ミラー、例えば、低角度（＜２０度）、一般的に金属被膜、例えば、ルテニウムを使用するグレージング入射ミラー、及び一般的に多層コーティング、例えば、誘電体多層コーティング、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層コーティングを使用する高角度（２０〜４０度）グレージング入射ミラー上で用いることができる。更に、図４及び図５に示すコーティング及びコーティング処理は、多層コーティングで被覆されるあらゆる他のＥＵＶ光学器械に対して用いることができる。

図４から始めると、１３ｎｍ光との使用に向けて、基体１１８ａは、単結晶材料及び多結晶材料、グリッドコップ、フロートガラス、ＵＬＥガラス（超低膨張ガラス）、Ｚｅｒｏｄｕｒ、石英ガラス、アルミニウム、ベリリウム、モリブデン、銅、ニッケル又はニッケル合金、高密度ＳｉＣ及び他の密度を含む炭化珪素、「ＣＶＤＳｉＣ」、「ＣＶＣＳｉＣ」のような様々な技術により生成されるＳｉＣ、反応接合ＳｉＣ、及びＳｉＣを含む他の複合材料、又は当業技術で公知の又は明らかである他の適切な基体材料を含むシリコンで製造することができる。コーティングは、図示のように、基体の表面を覆いかつ接触するように基体１１８ａ上に堆積されるいわゆる平滑化層とすることができる層１３０を含むことができる。図４は、コーティングが層１３０を覆う多層システム１３２を更に含むことができることを示している。本明細書で使用する時、用語「平滑化層」及びその派生語は、平滑化層を覆うその後に適用される層で平滑仕上げを容易にすると共に、平滑化層の上に覆われるトップコートを含むその後の層のために滑らかな表面を作り出すことによりこの機能を実行することができ、平滑化層の滑らかな表面は、堆積させたままで又はその後の作業、例えば、研磨などの後に作り出される層を含むが必ずしもこれに限定されるわけではない。

特に、平滑化層の使用は、研磨しにくい場合がある光学器械、例えば、非球面光学器械に対して適切とすることができるが、他の光学器械、例えば、平坦な光学器械及び球面光学器械に対しても用途があると考えられる。平滑化層は、多層コーティングを再付加する前に、使用済みＥＵＶ光学器械（浸食、デブリ堆積、汚濁などが発生している場合がある）の表面状態を滑らかにして改善するために付加することができる。

一実施例では、層１３０は、高エネルギ堆積条件を用いて堆積させたＳｉ、Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＣｒＳｉ₂、ＭｏＣ₂、又はＭｏＳｉ₂のような平滑化層材料を含むことができる。高エネルギ堆積条件として、標準的な堆積技術と比較して、基体加熱及び／又は粒子エネルギ増大による材料堆積を含むことができる。本明細書で使用する時、用語「粒子」及びその派生語は、特定の化学元素又は分子のイオン及びニュートラルを含むがこれらに限定されるものではない。例えば、基体は、約１００〜２００度Ｃの範囲の温度に加熱することができる。

堆積中に供給される高エネルギ（基体加熱により、又は堆積中にイオン及びニュートラルのエネルギを増大させることにより）は、堆積中に表面での原子移動度を増大させ、これは、平滑化をもたらすことができる。一般的なイオンエネルギは、数１００ｅＶ〜数１０００ｅＶの範囲とすることができる。グレージング入射イオン角度を用いてイオン研摩を通して平滑面を得ることができる。一部の場合には、平滑化層が堆積される前に暫くの間イオン衝撃により最初に表面を処理することが有利であると考えられる。それによって平滑化層付加前に基体表面上で最も粗い特徴部を排除することができる。

図４が単一の平滑化層１３０を示すが、本明細書で示す開示内容は、単一の連続的堆積処理中に堆積される単一の平滑化層に限定されるものではない。代替的に、複数の平滑化層は、平滑化材料及び／又は堆積の時間を変えて付加することができ、例えば、堆積間で他の処理段階、例えば、研磨を実行することができる。例えば、平滑化層を付加し、次に、イオン衝撃研磨を与え、かつその後に別の平滑化層を付加することができる。各層は、異なる持続時間で付加することができる。また、アルゴンイオン又は他のスパッタイオンによるイオン衝撃の異なるエネルギを堆積期間中に又はその間に使用することができる。

層３０は、熱源又は電子ビーム又はイオン補助堆積による物理堆積などであるがこれらに限定されない当業技術で公知の堆積技術を使用して堆積させることができる。層１３０の堆積の前に、基体は、超音波水性洗浄及び／又は溶剤洗浄を含むような技術の１つ又はそれよりも多くを使用して、例えば、高純度メタノール又は一部の他の適切な溶剤を使用して洗浄することができる。一部の場合には、一部の材料、例えば、炭素及び窒化珪素に対しては、層１３０は、結晶化が発生する臨界厚みよりも小さい厚み「ｔ」まで堆積させて、実質的にアモルファスコーティング１２を取得することができる。一部の実施形態に対しては、平滑化層は、３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の厚みを有することができる。使用する厚みは、一般的に、使用する材料（例えば、基体及び平滑化材料）に依存することになる。例えば、Ｓｉに対しては、５〜２０ｎｍの厚みを使用することができ、クロミウムに対しては、２０〜４０ｎｍの厚みを使用することができる。

一部の場合には、十分なエネルギを有する堆積条件中に表面原子との多価化学結合を通じて開始されるアモルファス層成長により高度な基体平滑化行うことができる。従って、炭素（Ｃ）及びシリコン（Ｓｉ）に加えて、ＳｉＣ、Ｂ₄Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄のような化合物を含む炭素又はシリコンの薄膜層を適切とすることができる。クロミウム又はＣｒＳｉ₂は、成長特性により良好な平滑化層を形成することができ、例えば、広範囲にわたる堆積パラメータに対して、クロミウムの２０ｎｍ〜４０ｎｍ厚のアモルファス層を成長させることができる。

図５は、図４に示す層１３０上に堆積させることができる多層システム１３２をより詳細に示すものである。図５に示すように、多層システム１３２は、ミラー表面にわたって漸変する場合もあれば漸変しない場合もある複数の２層１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃを含むことができる。多層システム１３２に対しては、各２層は、ｎ₁≠ｎ₂である屈折率ｎ₁を有する第１の誘電体の層及び屈折率ｎ₂を有する第２の誘電体の層を含むことができる。例えば、図示のシステム１３２に対しては、２層１３４ａは、モリブデン（Ｍｏ）の層１３６ａ及びシリコン（Ｓｉ）の層１３６ｂを有することができ、２層１３４ｂは、Ｍｏの層１３８ａ及びＳｉの層１３８ｂを有することができ、２層１３４ｃは、Ｍｏの層１４０ａ及びＳｉの層１４０ｂを有することができる。一部の設計においては、多層システム１３２の各層は、ほぼλ／４（かつ恐らくλ／２）とすることができる層厚を有することができ、ここで、λは、光学器械を照射する光の選択中心波長、例えば、１３ｎｍである。多層システム１３２の各層は、上述の技術のうちの１つを用いて堆積させることができる。

図５Ａは、滑らかな表面仕上げを有するＭＬＭミラー１４２の代替的な実施形態を示している。この実施形態に対しては、例えば、ＳｉＣとすることができる基体１４４を最初に製造し、一部の場合には研磨される。次に、約５μｍ〜１００μｍ及び一部の場合には約１０μｍ〜２５μｍの範囲の厚みの比較的厚い平滑化層１４６、例えば、結晶質Ｓｉを堆積させる。平滑化層は、電子線蒸着を用いて堆積させることができ、一般的に、上述のエネルギを有する条件は必要ではないと考えられる。次に、例えば、原子研磨を用いて平滑化層を研磨し、次に、図示のように多層コーティング１４８を付加することができる。

図６は、８つの同一に成形された被覆基体１５０ａ〜ｈ、例えば、ＥＵＶ垂直入射多層コーティングを付加した基体を互いに固定することにより製作された楕円垂直入射ＥＵＶ集光ミラーの正面図である。図６に示すミラーに対しては、各基体１５０ａ〜ｈは、マスターパターンからの複製により製作することができる。例えば、この複製は、電気鋳造複製処理を用いて実行することができ、材料、例えば、ニッケル合金を例えば電気蒸着によりマスターパターン上に堆積させ、次に、例えばニッケル合金とパターン材料の間の熱膨張率差を利用して、例えば熱分離法を用いて分離する。この処理を用いて、約０．５ｍｍ〜約１．５ｍｍの範囲の厚みを有するニッケル合金の基体を取得して変形可能な基体を生成することができ、約３．５ｍｍ〜約６．５ｍｍの範囲の厚みを有するニッケル合金の基体を取得して比較的剛体の基体を生成することができる。共通のマスターパターンからの複製により、結果として、比較的大型のＥＵＶミラーを製造する比較的廉価な製造技術をもたらすと考えられる。８つの基体１５０ａ〜ｈを図６に示すミラーに対して使用しているが、ここに開示する複製技術は、８つを超える基体及び僅か１つの基体を有するミラーを製造する（例えば、多重ミラーを生成する）ためにも用いることができ、かつこの技術を用いて一部の同一基体及び一部の同一ではない基体を有するミラー（図３に示すミラーなど）を製造することができることは認められるものとする。

接合、ろう付け、及び／又は機械的締結、例えばボルト留めにより図６に示す基体のような複数の基体を互いに固定することができる。例えば、基体１５０ａ〜ｈは、図７に示すハニカム支持構造体７００、又は図８に示す正三角形リブ構造体８００のような共通の例えばモノリシック支持構造体に固定することができる。ニッケル合金複製基体に対しては、基体及び支持構造体が類似か又は同一の熱膨張率を有するようなろう付けを助けるニッケル合金製支持構造体を製作することが望ましいであろう。支持構造体の他の適切な材料には、Ｓｉ−炭素繊維複合体、ＳｉＣ、不変鋼又はステンレス鋼のような低熱膨張率材料を含むことができる。

図９は、多重基体９００ａ〜ｈを支持構造体上に移動可能に取り付けて、アクチュエータ９０２ａ〜ｐを通じた支持構造体に対する各基体９００ａ〜ｈの調節を可能にすることができる集光ミラー３０’’の実施形態を示している。図示の実施形態に対しては、支持構造体は、各基体９００ａ〜ｈのコーナがアクチュエータ９０２ａ〜ｐに装着された状態で、複数のリング９０４、９０６を含むことができ、アクチュエータは、リング９０４、９０６の一方に装着されている。別の構成においては、基体は、リングに剛体的に装着することができ、次に、１つ又はそれよりも多くのそれぞれのアクチュエータを通じて、図７又は図８に示す構造体の１つのような支持構造体にリングを移動可能に装着する。更に別の構成においては、１つ又はそれよりも多くのそれぞれのアクチュエータを通じて、図７又は図８に示す構造体の１つのような（すなわち、リングなしで）支持構造体に基体を移動可能に装着することができる。

集光ミラー３０’’に対しては、アクチュエータ９０２ａ〜ｐは、支持構造体に基体を移動可能に取り付ける例えば圧電性の電気作動可能要素を有することができる。本明細書で使用する時、用語「電気作動可能要素」及び派生語は、電圧、電界、磁界、又はその組合せを受けた時に寸法変化が発生する材料又は構造を意味し、かつ圧電材料、電歪材料、及び磁気歪材料を含むが、これらに限定されるものではない。

上述のように、各基体９００ａ〜ｈは、変形可能とすることができ、アクチュエータ９０２ａ〜ｐの１つの作動は、基体を変形させることができる。別の構成においては、各基体９００ａ〜ｈは、剛体とすることができ、アクチュエータ９０２ａ〜ｐの１つ又はそれよりも多くの作動は、支持構造体に対して基体９００ａ〜ｈを平行移動させることができる。一部の場合には、アクチュエータ９０２ａ〜ｐを通じた基体９００ａ〜ｈの調節は、光源内、例えば、ＬＰＰ光源のプラズマチャンバ内のミラー３０’’設置後に、かつミラー３０’’が高温及び／又は高真空の間に行うことができる。この場合に対して、アクチュエータは、高温圧電材料、例えば、１５０度Ｃ時の使用に関して評価された圧電体を使用して製造することができる。

光源集光ミラーを製作及び整列させる手順は、」図１及び図９を相互に参照して説明することができる。図１に示すように、楕円ミラーにより、第１の焦点２８及び第２の焦点４０が確立され、これらの焦点を使用して、集光ミラー３０及び／又は集光ミラーを形成する個々の基体の１つ又はそれよりも多くを整列させることができる。従って、この手順は、単品基体、例えば、モノリシック基体、剛体構造を形成するために互いに固定される複数の基体、又は支持構造体／リング及び／又は互いに対して調節可能に移動可能である複数の基体に使用することができる。

この手順に対しては、光源は、プラズマチャンバの内側に位置決めし、第１の焦点、例えば点２８から、第２の焦点、例えば点４０での測定のためにミラー３０に向けて光、例えば、可視スペクトル内の周波数を有する光を誘導するように配向することができる。次に、この測定結果を使用して、アクチュエータ９０２ａ〜ｐの１つ又はそれよりも多くを選択的に作動させて、基体９００ａ〜ｈの１つ又はそれよりも多くを整列させることができる。測定段階及び作動段階は、光源内、例えば、ＬＰＰ光源のプラズマチャンバ内のミラー３０設置後に、かつミラー３０が高温及び／又は高真空の間に行うことができる。

図１０は、成形された例えば円弧状又は矩形状の照明視野、すなわち、一般的な伝播方向に垂直な平面内に予め選択された形状、例えば、円弧又は矩形を有するビームとして、ＥＵＶ光放出プラズマ１００２から平面１００４例えばマスク平面までの光を集光及び／又は均質化及び／又は成形する光学配置（全体的に１０００で指定）を示している（図１４も参照されたい）。図示のように、配置１０００は、ＥＵＶ光源集光ミラー１００６、ＥＵＶ反射ミラー１００８、例えば、瞳ミラー及び集光ミラー１０１０を含むことができる。通常、図示のように、第１のプラズマ１００２からの一部の光は、最初に集光ミラー１００６に到達し、反射してミラー１００８に導かれ、反射して集光ミラー１０１０に導かれ、反射して平面１００４に導かれる。

図１０及び図１１を相互に参照すると、集光ミラー１００６は、一部参照番号１０１２ａ〜ｃでラベル付けされた複数個の個々のファセットを含むことができることが分かる。数百のファセットが図１１に示されているが、数百を超えるファセット及び僅か２つのファセットを集光ミラー１００６において使用することができることは認められるものとする。より具体的には、約５０〜１０００個のファセットを使用することができると考えられる。

図１２は、集光ミラー１００６内に使用されるファセット１０１２の例を示している。集光ミラー１００６に対して、ファセット１０１２の１つ又はそれよりも多くは、照明視野の選択した形状、すなわち、リソグラフィマスクでの光伝播方向に垂直な平面の形状と実質的に同じ形状である輪郭形状（図１２に示すファセットに対しては、円弧状である）を有する反射面１０１４を有することができる。従って、円弧照明視野リソグラフィツールに対しては、ファセット１０１２は、円弧状である輪郭形状を有することができ、矩形照明視野リソグラフィツールに対しては、ファセット１０１２は、矩形状である輪郭形状を有することができる。

円弧照明視野を生成する円弧状ファセットを有する多面ミラーを有するＥＵＶ光源下流側ミラー対の使用は、２００３年９月にＯｐｔ．Ｅｎｇ．４２（９）で公開されたＴａｋｉｎｏ他著「超紫外線リソグラフ照射システムのための複合形状ミラーの製作」いう名称の論文、及び講演論文集ＳＰＩＥ３９９７、７６５〜７７６頁（２０００年）で公開されたＫｏｍａｔｓｕｄａ著「新規なＥＵＶＬのための照射システム」で既に開示されており、共に本明細書において引用により組み込まれている。

配置１０００に対しては、各ファセット１０１２は、凹状回転対称反射面１０１４、球面の軸外表面セグメント、非球面の表面セグメント、又は環状面の軸上表面セグメントを有することができる。更に、各ファセット１０１２は、例えば、垂直入射ＥＵＶ反射コーティング、例えば、多層誘電体コーティング、例えば、Ｍｏ／Ｓｉコーティングで被覆することができる。集光ミラーファセットの１つよりも多く及び一部の実施例では全ては、同一とすることができる。また、集光ミラーファセットの２つ又はそれよりも多く及び恐らく全ては、上述のように複製処理を用いて製造することができ、又は切断、粗研磨、及び研磨部分とすることができる。一例としてかつ非制限的に、各ファセット１０１２は、図１２に示すように矩形状及び円弧状とすることができ、かつ約４０ｍｍの長さ「Ｌ」、約１０ｍｍの幅「Ｗ」、及び約１ｍｍの厚み「Ｔ」を有することができる。この形状で、約９０％の充填率をもたらすことができる。

図１０は、ファセット１０１２ａ〜ｃを支持構造体１０１６上に取り付け、例えばパターン、略楕円体パターン、略放物線状パターン、又は略近放物線状のパターンとすることができる周期的パターンで配置することができることを示している。全体的なパターンに各ファセット１０１２ａ〜ｃを個々に整列させて、光束を特定の点に向けて誘導することができ、従って、アラインメントは、ファセット１０１２によって不均一とすることができる。

１つの設定においては、アクチュエータ１０１８、例えば、電気作動可能要素、例えば、圧電体を有するアクチュエータを設けることができ、１つ又はそれよりも多くのアクチュエータは、それぞれのファセットを支持構造体に移動可能に取り付け、例えば、２つのアクチュエータを設置して、２つの軸線、例えば、先端−傾き制御を行うことができる。代替的に、１つのアクチュエータが１つ又はそれよりも多くのファセットを移動することができる構成をもたらすことができる（図示せず）。アクチュエータは、光源／リソグラフィツールの作動前に及び／又は作動中にファセット１０１２を整列させるのに利用することができ、かつ例えば、光検出器、例えば、光検出器アレイ、波面センサなどにより生成された制御信号に応答して作動させることができる。

ミラー１００８、例えば、瞳ミラーは、図１０及び１３を相互参照した方が深く理解することができる。ミラー１００８は、参照番号１０１２ａ〜ｃがラベル付けされた複数個の個々のファセットを含むことができる。一部分だけ、例えば、約２０個のファセットが図１３に示されているが、ミラー１００８の全ての作動可能な表面は、ファセット１０２０で覆うことができることは認められるものとする。

図１３は、ファセット１０２０を六角形状とし、かつ強度損失を低減するために空間を埋める構成で準備することができることを示している。各ファセット１０１２は、例えば、垂直入射ＥＵＶ反射コーティング、例えば、多層誘電体コーティング、例えば、Ｍｏ／Ｓｉコーティングで被覆することができる。ファセット１２０の１つよりも多く及び一部の実施例では全ては、同一とすることができる。また、ミラーファセットの２つ又はそれよりも多く及び恐らく全ては、上述のように複製処理を用いて製造することができ、又は切断、粗研磨、及び研磨部分とすることができる。一例としてかつ非制限的に、各ファセット１０２０は、図１２に示すように六角形状とすることができ、かつ約１０〜３０ｍｍの幅を有することができる。

図１０は、ファセット１０２０ａ〜ｃを支持構造体１０２４上に取り付け、パターン、例えば、図示のように例えば平面的とすることができる周期的パターンに配置することができることを示している。全体的なパターンに各ファセット１０２０ａ〜ｃを個々に整列させて、集光ミラー１０１０上の特定の点に向けて光束を誘導することができ、従って、アラインメントは、ファセット１０２０によって不均一とすることができる。

１つの設定においては、アクチュエータ１０２６、例えば、電気作動可能要素、例えば、圧電体を有するアクチュエータを設けることができ、１つ又はそれよりも多くのアクチュエータは、それぞれのファセットを支持構造体に移動可能に取り付け、例えば、２つのアクチュエータを設置して、２つの軸線、例えば、先端−傾き制御を行うことができる。代替的に、１つのアクチュエータが１つ又はそれよりも多くのファセットを移動することができる構成をもたらすことができる（図示せず）。アクチュエータは、光源／リソグラフィツールの作動前に及び／又は作動中にファセット１０２０を整列させるのに利用することができ、例えば、光検出器、例えば、光検出器アレイ、波面センサなどにより生成された制御信号に応答して作動させることができる。
多面ミラー１００８から、光は、図１０に示すように平面１００４上へ集光ミラー１０１０により凝縮することができる。例えば、ミラー１０１０は、例えば、多層誘電体コーティング、例えば、Ｍｏ／Ｓｉコーティングを有する凹状ＥＵＶ垂直入射ミラーとすることができる。図１４は、平面１００４、例えば、フォトマスク／レチクル平面での寸法決めされた円弧照明視野１０２８を示している。

図１５は、基体１１８ａ及び／又は層１３０（図４を参照されたい）上に堆積させることができる多層システム１１３２をより詳細に示すものである。図１５に示すように、多層システム１１３２は、ミラー表面にわたって漸変する場合もあれば漸変しない場合もある複数個の２層１１３４ａ、１１３４ｂ、１１３４ｃを含むことができる。システム１１３２に対しては、各２層は、ｎ₁≠ｎ₂でる屈折率ｎ₁を有する第１の誘電体の層及び屈折率ｎ₂を有する第２の誘電体の層を含むことができる。例えば、図示のシステム１１３２に対しては、２層１１３４ａは、窒素及び１つ又はそれよりも多くの第５周期遷移金属（例えば、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、又はＣｄ）を有する複合材料を含む層１１３６ａ及びシリコン（Ｓｉ）の層１１３６ｂを有することができる。特に、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ（及びそれらの合金）の窒素化合物は、１３ｎｍと１４ｎｍの間の波長の光に対して比較的良好な反射率を示している。

これらの耐食ＥＵＶ反射多層コーティングは、下位材料を酸化する傾向がある環境において使用することができる。一般的に、酸化物層は、ＥＵＶ光、例えば、約１３．５ｎｍの波長の光の比較的大量の吸収を引き起こす恐れもあり、かつコーティングが劣化する原因になる場合がある。従って、殆どの場合、酸化を回避することができる場合、ミラーの高反射率化を持続することができ、かつミラー長寿命化を期待することができる。１つの酸化源は、一般的にプラズマ真空チャンバ内に存在する比較的高い水蒸気含有量のために生じる恐れもあり、及び／又はチャンバの通気時にコーティングが酸素と接触する場合もある。デブリ軽減エッチング液、例えば、ＨＢｒガスを使用する時、シリコン層は、他の２層材料（例えば、標準的なＭｏ／ＳｉのＭＬＭに対してはＭｏ）より迅速にエッチングにより除去することができ、酸化モリブデン層は、多層コーティングの上部上に形成することができる。また、時間と共に、いくつかの層は、プラズマからのイオン衝撃により、及び／又はＨＢｒ洗浄ガスからのエッチングにより除去することができることが可能である。

一般的に、遷移金属窒化物、例えば、ＴＭ_xＮ_yは、純粋な遷移金属よりも耐酸化性が高い。更に、層混合は、窒化物に対しては比較的低い傾向がある。従って、遷移金属窒化物を有するＭＬＭコーティングの方が、良好な高温安定度を有することができる。一部の遷移金属、例えば、Ｍｏｎは、例えば、１３．５ｎｍの時にはＭｏより吸収度が強いが、反射率は、それでも適切であるとすることができる。複数の２層、一部の場合には、遷移金属窒化物を有する全ての２層を用いて、犠牲層は、耐食表面を維持しながらプラズマイオン衝撃又はハロゲン含有洗浄ガスによりエッチングすることができる。

設計によっては、多層システム１１３２の各層は、ほぼλ／４（かつ恐らくλ／２）とすることができる層厚を有することができ、ここで、λは、光学器械を照射する光の選択中心波長、例えば、１３．５ｎｍである。多層システム１３２の各層は、上述の技術のうちの１つを用いて堆積させることができる。一部の実施例では、窒化物形成は、スパッタガスへの窒素の添加剤による堆積中に（すなわち、反応性スパッタリングにより）導入することができる。この実施例に対しては、窒化物形成の程度は変えることができ、かつ層の総窒素含有量は、１：１の化学量論的な窒素含有量未満に低減することができる。それによって窒素吸収剤の低減による反射率を増大させることができる。純粋なＭｏ又は純粋なＲｕの代わりにＭｏＲｕ合金ターゲットを使用することも可能であるとすることができる。この場合、ＭｏＲｕＮが形成される（Ｍｏ_xＲｕ_yＮｚ）。関連の遷移金属のうちのルテニウムは、特に酸化に強い。従って、Ｒｕ又はＲｕ含有合金を遷移金属層に使用する時、適用する窒化物形成の程度を低減することができる。

図１６は、ＭｏＮ／Ｓｉ２層、ＮｂＮ／Ｓｉ２層、及びＭｏＮｂＮ／シリコン２層を有する多層ミラーに関する計算反射率を示している。ＲｕＮ及びＲｈＮ層（図示せず）により、僅かに低いピーク反射率が得られる。この計算に対しては、０．４の層比率を使用し、使用層数は６０であった。インタフェース粗度は考慮に入れていない。ＭｏＮの層周期は６．９０ｎｍであり、ＮｂＮに対しては６．８８ｎｍであり、ＭｏＮｂＮに対しては６．８９ｎｍであった。ＭｏＮｂに対しては、１：１の合金混合は想定しなかった。図示のように、計算ピークの反射率は、約６７〜６９％の範囲にあるが、達成可能な反射率値は、一般的に、有限な層粗度のためにより低く、例えば約５５％になることになる。

以上開示した本発明の実施形態の態様は、請求項の主題の少なくとも１つの権能付与的な実施形態を開示する要件を満たし、かつ単に１つ又はそれよりも多いこのような例示的な実施形態であることを意図とするものであり、かついかなる点においても特定の開示した実施形態だけに特許請求の範囲のいずれかの範囲を限定するものではないように想定されているものであることが当業者により理解されるであろう。均等物の原則の目的のために、特に請求項の解釈に関して、当業者によって理解及び認識されると思われる特許請求の範囲の開示する主題の実施形態の開示した態様に多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、範囲及び意味において、主張する主題の実施形態の開示した態様だけでなく、当業者に明らかであると思われるこのような均等物及び他の修正及び変更を包含するように想定されている。上述の本発明の開示する主題の開示かつ請求する態様に対する変更及び修正に加えて、その他を実施することができる。

「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した「ＥＵＶ光学器械」の実施形態の特定の態様は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、請求した本発明の上述の実施形態のここで説明した態様は、請求した本発明によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるであろう。実施形態のここで説明しかつ主張する態様の範囲は、本明細書の教示内容に基づいて当業者に現在明らかであると考えられるか又は明らかになると考えられる他の実施形態を漏れなく包含するものである。本発明の「ＥＵＶ光学器械」の範囲は、単独にかつ完全に特許請求の範囲によってのみ限定され、いかなるものも特許請求の範囲の詳細説明を超えるものではない。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「作用」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。

また、米国の特許法の準拠において、本出願人が、本出願の明細書に添付されたあらゆるそれぞれの請求項、おそらく一部の場合には１つの請求項だけにおいて説明した各発明の少なくとも１つの権能付与的かつ作用する実施形態を開示したことは、当業者によって理解されるであろう。本出願の長さ及び起草時間を切り詰め、かつ本特許出願を本発明者及び他の個人により読みやすくするために、本出願人は、開示する本発明の実施形態の態様／特徴／要素、開示する本発明の実施形態の作用、又は開示する本発明の実施形態の機能性を定義し、及び／又は開示する本発明の実施形態の態様／特徴／要素のあらゆる他の定義を説明する際に随時又は本出願を通して定義的な動詞（例えば、「である」、「をする」、「を有する」、又は「を含む」など）、及び／又は他の定義的な動詞（例えば、「生成する」、「引き起こす」、「サンプリングする」、「読み取る」、又は「知らせる」など）、又は動名詞（例えば、「生成すること」、「使用すること」、「取ること」、「保つこと」、「製造すること」、「判断すること」、「測定すること」、又は「計算すること」など）を使用した。あらゆるこのような定義的語又は語句などが、本明細書で開示する１つ又はそれよりも多くの実施形態のいずれかの態様／特徴／要素、すなわち、特徴、要素、システム、サブシステム、構成要素、下位構成要素、プロセス、又はアルゴリズムの段階、又は特定の材料などを説明するのに使用されている場合は、常に、本出願人が発明及び主張したものの本発明の範囲を解釈するために、以下の制限的語句、すなわち、「例示的に」、「例えば」、「例として」、「例示的に限り」、「例示としてのみ」などの１つ又はそれよりも多く又は全てによって先行し、及び／又は語句「の場合がある」、「とすることができる」、「の場合があるであろう」、及び「とすることができるであろう」などの１つ又はそれよりも多く又は全てを含んでいると読むべきである。全てのこのような特徴、要素、段階、及び材料などは、例え特許法の要件の準拠において本出願人が特許請求の範囲の本発明の実施形態のあらゆるこのような態様／特徴／要素の又はあらゆる実施形態の権能付与的な例だけを開示したとしても、１つ又はそれよりも多くの開示した実施形態の可能な態様としてのみ、かつあらゆる１つ又はそれよりも多くの実施形態、又はあらゆる実施形態の態様／特徴／要素、及び／又は主張するような本発明の唯一の可能な実施形態の唯一の可能な例としてではなくそれを説明していると考えることができる。明示的かつ具体的に本出願又は本出願の遂行において説明されていない限り、本出願人は、あらゆる開示した実施形態の特定的な態様／特徴／要素又は特許請求の範囲の本発明のあらゆる特定の開示した実施形態が、特許請求の範囲の発明又はあらゆるそのような請求項に説明されるあらゆる態様／特徴／要素を実行する１つ及び唯一の方法になると考えており、本出願人は、本特許出願の特許請求の範囲の発明のあらゆる開示した実施形態のあらゆる開示した態様／特徴／要素の説明が、特許請求の範囲の本発明又はそのあらゆる態様／特徴／要素を実行する１つ及び唯一の方法であり、従って、特許請求の範囲の本発明の他の可能な実施例と共にあらゆるこのような開示した実施例を包含するのに十分に広範囲にわたるものであるあらゆる請求項をそのような開示した実施形態のそのような態様／特徴／要素、又はそのような開示した実施形態に限定するように解釈することができることを意図していない。本出願人は、独立請求項又は直接か間接かを問わず独立請求項の従属請求項に説明した特許請求の範囲の本発明のあらゆる態様／特徴／要素、又は段階のような更なる詳細と共に、いずれかの請求項に従属する従属請求項を有するあらゆる請求項は、独立請求項の説明事項が他の実施例と共に従属請求項における更なる詳細を包含するのに十分に広範囲にわたるものであること、及び更なる詳細があらゆるそのような独立請求項で主張する態様／特徴／要素を実行する唯一の方法ではないことを意味するように解釈することができることを具体的に、明示的に、かつ明解に意図し、従って、従属請求項の更なる詳細を独立請求項に取り込むことを含むいかなる点においてもあらゆるこのような独立請求項のより幅広い態様／特徴／要素の範囲を制限するように読まれないことも意図している。

１００複数の個別の基体を準備する段階
１０６精巧な面形状精度及び表面仕上げにする段階
１０８多層コーティングで被覆する段階

Claims

ミラーアセンブリであって、
支持構造体と、
前記支持構造体上に取り付けられた第１のミラーの複数のセグメントであって、それぞれが基体及び当該基体上のＥＵＶ反射多層コーティングを有する第１のミラーの複数のセグメントと、
基体とＥＵＶ反射多層コーティングを有する第２のミラーのセグメントであって、前記支持構造体及び前記第１のミラーの複数のセグメントの少なくとも１つに対して移動可能に前記支持構造体上に取り付けられた第２のミラーのセグメントと、
を有することを特徴とするミラーアセンブリ。
前記第２のミラーのセグメント及び前記支持構造体に機械的に接続され、前記第２のミラーのセグメントを前記支持構造体に対して移動させるアクチュエータを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のミラーアセンブリ。
前記アクチュエータは、電気作動可能要素からなることを特徴とする請求項２に記載のミラーアセンブリ。
前記第２のミラーのセグメントは変形可能であり、前記アクチュエータの作動によって前記第２のミラーのセグメントが変形されることを特徴とする請求項２に記載のミラーアセンブリ。
前記第２のミラーのセグメントは剛体であり、前記アクチュエータの作動によって前記第２のミラーのセグメントが平行移動されることを特徴とする請求項２に記載のミラーアセンブリ。
前記支持構造体は、Ｓｉ−炭素繊維複合体、ＳｉＣ、不変鋼又はステンレス鋼からなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のミラーアセンブリ。
前記第１のミラーのセグメント及び前記第２のミラーのセグメントのそれぞれは、前記基体と前記ＥＵＶ反射多層コーティングとの間に平滑化層を有することを特徴とする請求項１に記載のミラーアセンブリ。
前記平滑化層は、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ、ＳｉＣ、Ｃｒからなる群より選択され材料を含むことを特徴とする請求項７に記載のミラーアセンブリ。
前記平滑化層は、高エネルギ堆積条件を用いて前記基体上に堆積したものであることを特徴とする請求項７に記載のミラーアセンブリ。
前記高エネルギ堆積条件は、基体を１００〜２００度Ｃの範囲の温度に加熱することを含むことを特徴とする請求項９に記載のミラーアセンブリ。
前記高エネルギ堆積条件は、粒子エネルギ増大を含むことを特徴とする請求項９に記載のミラーアセンブリ。
前記平滑化層は、３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項７に記載のミラーアセンブリ。
前記平滑化層は、アモルファス材料を含むことを特徴とする請求項７に記載のミラーアセンブリ。
前記ＥＵＶ反射多層コーティングは複数の２層を含み、前記各２層は、
Ｓｉを含む第１の層と、
窒素及び第５周期遷移金属を有する複合材料を含む第２の層と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のミラーアセンブリ。
前記第５周期遷移金属は、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄからなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項１４に記載のミラーアセンブリ。
前記複合材料は、窒化物であることを特徴とする請求項１４に記載のミラーアセンブリ。