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JP2012530369A - エレクトロルミネセントデバイスのための正孔輸送材料としてのフェナントロアゾール化合物 - Google Patents

エレクトロルミネセントデバイスのための正孔輸送材料としてのフェナントロアゾール化合物 Download PDF

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Abstract

本発明は、輸送／注入および／または電子遮断層の構成要素として式（Ｉ）の化合物を含むエレクトロルミネセントデバイスに関する。式（Ｉ）の化合物は、単独で、またはドーパントと組み合わせて機能して、効率性、駆動電圧および／またはエレクトロルミネセントデバイスの寿命の向上をもたらすことができる。

Description

本発明は、正孔輸送／注入および／または電子遮断層の構成要素として、式
Figure 2012530369
 の化合物を含むエレクトロルミネセントデバイスに関する。式（Ｉ）の化合物は、単独で、またはドーパントと組み合わせて機能して、効率性、駆動電圧および／またはエレクトロルミネセントデバイスの寿命の向上をもたらすことができる。
ＪＰ９０１３０２５は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｘは、Ｃ2〜Ｃ5アルキル等であり、
Ｒ1〜Ｒ8は、互いに独立して、それぞれＨ、ハロゲンまたはＣ1〜Ｃ6アルキル等である］によって表されるエレクトロルミネセント素子キノキサリン誘導体に関する。
ＪＰ１１２５１０６３には、有機ＥＬ素子の構成要素材料として使用される、
式
Figure 2012530369
 によって表されるトリフェニレン化合物が開示されている。式中、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは非置換アミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アルケニル基、置換もしくは非置換シクロアルキル基、置換もしくは非置換アルコキシ基、置換もしくは非置換芳香族炭化水素基、置換もしくは非置換芳香族複素環式基、置換もしくは非置換アラルキル基、置換もしくは非置換アリールオキシ基、置換もしくは非置換アルコキシカルボニル基またはカルボキシル基を表す。Ｒ1〜Ｒ12は、それらから２つの環を形成することができる。
ＪＰ２００６１４３８４５は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｚ1、Ｚ2は、芳香族炭化水素環、芳香族複素環式環であり、
Ｒ1〜Ｒ3は、Ｈ、置換基であり、
ｎ１＝０〜３であり、
ｎ２、ｎ３＝０〜４であり、
Ｌ１＝結合基、単一結合である］の化合物に関する。
ＪＰ２１３４６４４は、感光性層にフェナジン化合物を有する電子写真感光体に関する。フェナジン化合物は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ1〜Ｒ4は、Ｈ原子、（置換）アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基であり、Ｒ1およびＲ2並びにＲ3およびＲ4は、それぞれＮ原子と一緒に５〜７員環を形成することができ、
各Ｒ5〜Ｒ7は、Ｈ原子、（置換）アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ基である］によって表される。
ＵＳ２００６０２８９８８２は、電子抽出層が、以下の構造式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒは、水素、炭素数が１〜１０のアルキル基、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基、炭素数が１〜１０のジアルキルアミン、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮを表す］によって表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体で形成され得る有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。
ＵＳ２００７００２９９２７には、以下の一般式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立して、６〜３０個の環炭素原子を有する置換もしくは非置換アリール基または５〜３０個の環炭素原子を有する置換もしくは非置換ヘテロアリール基を表し、
Ｌ1およびＬ2は、それぞれ独立して、単一結合、６〜３０個の環炭素原子を有する置換もしくは非置換アリーレン基または５〜３０個の環炭素原子を有する置換もしくは非置換ヘテロアリーレンを表し、
しかし、Ｌ1およびＬ2の両方が単一結合であるときは、Ａｒ1およびＡｒ3の両方が、それぞれ置換もしくは非置換フェニル基を表し、さらに、Ａｒ2およびＡｒ4の両方が、それぞれ置換もしくは非置換ビフェニル基または置換もしくは非置換フェニル基を表す場合が除外され、
Ｒは置換基であり、Ｒが２つ以上存在するときは、それらは互いに結合して、環を形成することができ、
ｎは、０〜８の整数を表す］によって表される芳香族アミン誘導体、および有機エレクトロルミネセントデバイスにおけるそれらの使用が開示されている。
ＪＰ２１３４６４４は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ1〜Ｒ4は、Ｈ原子、（置換）アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基であり、Ｒ1およびＲ2並びにＲ3およびＲ4は、それぞれＮ原子と一緒に５〜７員環を形成することができ、
Ｒ5〜Ｒ7の各々は、Ｈ原子、（置換）アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ基である］のフェナジン化合物に関する。フェナジン化合物は、電子写真感光体の感光層に組み込まれる。
ＪＰ２０００３２３２７８は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基等から選択され、
Ｘ1は、結合単位であり、置換もしくは非置換芳香族環、複素環、飽和脂肪鎖等から選択され、
Ｙ1は、単一結合もしくは単一結合のいずれかの組合せ、アルキル鎖、アルキレン鎖、エーテル鎖等から選択され、
Ａｒは、置換もしくは非置換芳香族環、複素環等から選択され、
ｚは、自然数を表す］のイミダゾール構造を有する有機蛍光体を含む発光体に関する。有機蛍光体は、好ましくは、ホスト材料にドープされたゲスト材料を有する発光材料である。
ＪＰ２００１０２３７７７には、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ1〜Ｒ9は、結合、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環式基、ハロゲン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキシアニル基、および隣接置換基の間に形成された環構造を表し、
Ｚ1は、酸素、硫黄、窒素または飽和炭化水素を表す］の化合物が記載されている。フェナントロアゾール骨格を有する化合物は、正孔輸送層、電子輸送層およびルミネセント層の材料におけるホスト材料またはドーパント材料として好適である。Ｒ1〜Ｒ9のいずれかがアリール置換アミノ基である化合物は開示されていない。
ＪＰ２００１１１８６８３は、ルミネセント材料が、少なくともゲスト材料およびホスト材料で構成され、ホスト材料の発光スペクトルのピークが、３００ｎｍより大きく、４６０ｎｍより小さいルミネセント素子に関する。以下のフェナントロアゾール化合物
Figure 2012530369
 が明確に開示されている。
ＪＰ２００２０５０４７３には、発光物質が正極と負極の間に存在し、電気エネルギーによって発光し、素子が、光反応によって形成された少なくとも１種類の生成物を含む素子が記載されている。以下のフェナントロアゾール化合物
Figure 2012530369
 が明確に開示されている。
ＪＰ２００３０５９６７０には、少なくとも正極、発光層、電子伝達体層および負極がその順に積層され、電子伝達体層が発光層の電離ポテンシャルより０．１ｅＶ以上大きい電離ポテンシャルを有し、主として発光層および電子伝達体層を構成する材料が、昇華能力を有する有機化合物で構成され、さらに主として電子伝達体層を構成する有機化合物が４００以上の分子量および９０℃以上のガラス転移温度を有する構造を有する発光素子が記載されている。以下のフェナントロアゾール化合物
Figure 2012530369
 が明確に開示されている。
ＪＰ２００２３６７７８６には、少なくとも正極、発光層、正孔輸送層、電子輸送層および負極の順次積層構造を有する発光素子であって、発光層と電子輸送層との関係が（ｌｐ（ＥＴＬ）−ｌｐ（ＥＭＬ））＞（Ｅａ（ＥＴＬ）−Ｅａ（ＥＭＬ））である発光素子が記載されている。発光層および電子輸送層を含む主材料は、昇華性の有機化合物で構成され、電子輸送層を含む主材料は、分子質量が４００を下回らない有機化合物である［Ｅａ：電子親和性（ｅＶ）、ｌｐ：電離ポテンシャル（ｅＶ）、ＥＭＬ：発光層、およびＥＴＬ：電子輸送層］。以下のフェナントロアゾール化合物
Figure 2012530369
 が明確に開示されている。
ＷＯ０８／０３１７４３には、式
Figure 2012530369
 の化合物を、特にリン光化合物のためのホストとして含むエレクトロルミネセントデバイスが記載されている。それらのホストは、リン光材料として機能して、エレクトロルミネセントデバイスの効率性、安定性、製造性またはスペクトル特性の向上をもたらすことができる。
これらの開発にもかかわらず、特に、効率性、駆動電圧および／または寿命の向上をもたらす電子遮断層および／または場合によりドープ正孔輸送／注入層のための材料として、エレクトロルミネセントデバイスの効率性、安定性、製造性またはスペクトル特性の向上をもたらす正孔輸送材料のための材料を含むＥＬデバイスの必要性が已然として存在する。
したがって、本発明は、陽極、正孔輸送／注入層、場合により電子遮断層、発光層、場合により正孔もしくは励起子遮断層、電子輸送層および陰極を含むエレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイスであって、正孔輸送／注入層および／または電子遮断層が、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ1およびＲ4は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、ＣＮまたは−ＣＯ−Ｒ28であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｃ7〜Ｃ25アラルキル、ＣＮまたは−ＣＯ−Ｒ28であり、
Ｒ8は、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリールであり、
Ｒ9は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリールであり、
互いに隣接する２つの置換基Ｒ2およびＲ3および／またはＲ5およびＲ6は、一緒になって基
Figure 2012530369
 を形成し、
Ｒ105、Ｒ106、Ｒ107、Ｒ108、Ｒ106’およびＲ108’は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＥによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
Ａ1、Ａ2、Ａ1’およびＡ2’は、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基であり、あるいはＡ1およびＡ1’、および／またはＡ2およびＡ2’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、複素環式芳香族環、または
Figure 2012530369
 などの環系を形成し、
ｍ’は、０、１または２であり、
ｍは、各出現において同一であっても異なっていてもよく、０、１、２または３、特に０、１または２、特に０または１であり、
Ｒ41は、各出現において同一であっても異なっていてもよく、Ｃｌ、Ｆ、ＣＮ、Ｎ（Ｒ45）2、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基、Ｃ4〜Ｃ18シクロアルキル基、互いに隣接しない１個以上の炭素原子を−ＮＲ45−、−Ｏ−、−Ｓ−もしくはＣ（＝Ｏ）−Ｏ−で置き換えることが可能であり、かつ／あるいは１個以上の水素原子をＦで置き換えることができるＣ1〜Ｃ25アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ24アリール基、あるいは１個以上の炭素原子をＯ、ＳもしくはＮで置き換えることができ、かつ／あるいは１つ以上の非芳香族基Ｒ41によって置換され得るＣ6〜Ｃ24アリールオキシ基であり、あるいは２つ以上の基Ｒ41が環系を形成し、
Ｒ45は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基、互いに隣接しない１個以上の炭素原子を−ＮＲ45’’−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−もしくは−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で置き換えることが可能であり、かつ／あるいは１個以上の水素原子をＦで置き換えることができるＣ4〜Ｃ18シクロアルキル基、Ｃ6〜Ｃ24アリール基、あるいは１個以上の炭素原子をＯ、ＳもしくはＮで置き換えることができ、かつ／あるいは１つ以上の非芳香族基Ｒ41によって置換され得るＣ6〜Ｃ24アリールオキシ基であり、
Ｒ45’’は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基またはＣ4〜Ｃ18シクロアルキル基であり、
Ｒ65’は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基、互いに隣接しない１個以上の炭素原子を−Ｏ−もしくは−Ｓ−によって置き換えることが可能であり、かつ／あるいは１個以上の水素原子をＦで置き換えることができるＣ4〜Ｃ18シクロアルキル基、Ｃ6〜Ｃ24アリール基、あるいは１個以上の炭素原子をＯ、ＳもしくはＮで置き換えることができ、かつ／あるいはＧによって置換され得るＣ6〜Ｃ24アリールオキシ基であり、
Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｃ7〜Ｃ25アラルキル、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ127’、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ127’または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ127Ｒ126であり、あるいは互いに隣接する置換基Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、環を形成することができ、
Ｒ119およびＲ120は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシまたはＣ7〜Ｃ25アラルキルであり、あるいは
Ｒ119およびＲ120は、一緒になって式＝ＣＲ121Ｒ122の基を形成し、
Ｒ121およびＲ122は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリールであり、あるいは
Ｒ119およびＲ120は、一緒になって、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｃ7〜Ｃ25アラルキルまたは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ127’によって場合により置換され得る５または６員環を形成し、
Ｒ126、Ｒ127およびＲ127’は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＮＲ25−、−ＳｉＲ30Ｒ31−、−ＰＯＲ32−、−ＣＲ23＝ＣＲ24−または−Ｃ≡Ｃ−であり、
Ｅは、−ＯＲ29、−ＳＲ29、−ＮＲ25Ｒ26、−ＣＯＲ28、−ＣＯＯＲ27、−ＣＯＮＲ25Ｒ26、−ＣＮまたはハロゲンであり、
Ｇは、Ｅ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＥによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
Ｒ23およびＲ24は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
Ｒ25およびＲ26は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、あるいは
Ｒ25およびＲ26は、一緒になって、５もしくは６員環を形成し、
Ｒ27およびＲ28は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
Ｒ29は、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ18アリール、またはＣ1〜Ｃ18アルキルによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリールであり、
Ｒ32は、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ18アリール、またはＣ1〜Ｃ18アルキルによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリールである］の化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイスを提供する。
式Ｉの化合物は、単独で、または他の材料と組み合わせて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）におけるエレクトロルミネセントデバイスの正孔輸送層のための材料（構成要素）として使用される。式Ｉの化合物は、単独で、またはドーパントと組み合わせて機能して、エレクトロルミネセントデバイスの効率性、駆動電圧および／または寿命の向上をもたらすことができる。
代替的に、式Ｉの化合物を電子遮断層のための材料として使用することができる。式Ｉの化合物は、単独で機能して、エレクトロルミネセントデバイスの効率性、駆動電圧および／または寿命の向上をもたらすことができる。
本明細書で使用されている「正孔輸送／注入層」という用語は、発光層と陽極の間に、好ましくは陽極に隣接して配置され、主として正孔を注入／輸送する層を言及する。
好ましくは、Ｒ116およびＲ117は、互いに独立して、Ｈ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルヘキシルもしくはｎ−ヘプチルなどのＣ1〜Ｃ12アルキル、−ＣＨ2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3もしくは−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3などの、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ12アルキル、フェニル、ナフチルもしくはビフェニリルなどのＣ6〜Ｃ14アリール、シクロヘキシルなどのＣ5〜Ｃ12シクロアルキル、−Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3、−Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ6Ｈ3（ＯＣＨ3）2もしくは−Ｃ6Ｈ3（ＯＣＨ2ＣＨ3）2、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ3、−Ｃ6Ｈ3（ＣＨ3）2、−Ｃ6Ｈ2（ＣＨ3）3もしくは−Ｃ6Ｈ4ｔＢｕなどの、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ14アリールである。
好ましくは、Ｒ119およびＲ120は、互いに独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチルもしくは２−エチル−ヘキシルなどのＣ1〜Ｃ12アルキル、−ＣＨ2（ＯＣＨ2ＣＨ2）wＯＣＨ3（ｗ＝１、２、３もしくは４）などの、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ12アルキル、フェニル、ナフチルもしくはビフェニリルなどのＣ6〜Ｃ14アリール、−Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3、−Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ2ＣＨ3、−Ｃ6Ｈ3（ＯＣＨ3）2、−Ｃ6Ｈ3（ＯＣＨ2ＣＨ3）2、−Ｃ6Ｈ4ＣＨ3、−Ｃ6Ｈ3（ＣＨ3）2、−Ｃ6Ｈ2（ＣＨ3）3もしくは−Ｃ6Ｈ4ｔＢｕなどの、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ14アリールであり、あるいはＲ119およびＲ120は、一緒になって、Ｃ1〜Ｃ8アルキルによって場合により置換され得る４〜８員環、特に、シクロヘキシルまたはシクロペンチルなどの５または６員環を形成する。
Ｄは、好ましくは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＮＲ25−であり、Ｒ25は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチルもしくはｓｅｃ−ブチルなどのＣ1〜Ｃ12アルキル、またはフェニル、トリル、ナフチルもしくはビフェニリルなどのＣ6〜Ｃ14アリールである。
Ｅは、好ましくは、−ＯＲ29、−ＳＲ29、−ＮＲ25Ｒ25、−ＣＯＲ28、−ＣＯＯＲ27、−ＣＯＮＲ25Ｒ25または−ＣＮであり、Ｒ25、Ｒ27、Ｒ28およびＲ29は、互いに独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチルもしくは２−エチル−ヘキシルなどのＣ1〜Ｃ12アルキル、または場合により置換され得るフェニル、トリル、ナフチルもしくはビフェニリルなどのＣ6〜Ｃ14アリールである。
Ｇは、Ｅと同じ傾向を有し、あるいはＣ1〜Ｃ18アルキル、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチルもしくは２−エチル−ヘキシルなどのＣ1〜Ｃ12アルキル、または例えば−ＣＦ3などのＣ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルである。
Ｒ1およびＲ4は、水素であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6が互いに独立してＨ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＣ7〜Ｃ25アラルキルであり、
Ｒ8は、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルによって場合により置換されていてもよいＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
Ｒ9は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルによって場合により置換されていてもよいＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＮＲ25−、ＣＲ23＝ＣＲ24−または−Ｃ≡Ｃ−であり、
Ｒ23およびＲ24は、互いに独立してＨであり、
Ｒ25は、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ8アルキルもしくはＣ1〜Ｃ8アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ8アルキルである式Ｉの化合物がさらにより好適である。
Ｒ8は、より好ましくは、Ｃ1〜Ｃ18アルキルによって場合により置換されていてもよいＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルまたはＣ1〜Ｃ18アルコキシである。
Ｒ9は、より好ましくは、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルによって場合により置換されていてもよいＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシである。
Ｄは、−Ｓ−、−Ｏ−または−ＮＲ25−であり、
Ｒ25は、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによってによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルである。
本発明の好適な実施形態において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は水素である。
Figure 2012530369
 の例は、
Figure 2012530369
 および
Figure 2012530369
 （ｍ’＝２）
である。
好ましくは、Ａ1、Ａ2、Ａ1’およびＡ2’は、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基である。より好ましくは、Ａ1、Ａ2、Ａ1’およびＡ2’は、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基であり、Ａ1およびＡ1’、および／またはＡ2およびＡ2’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ18アルキルである］の基を形成する。Ａ1、Ａ2、Ａ1’およびＡ2’の具体的な例は、
Figure 2012530369
 である。好ましくは、Ａ1はＡ2の意味を有し、Ａ1’はＡ2’の意味を有する。
好適な実施形態において、本発明は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ａ1およびＡ1’は、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基であり、
Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ18アルキルであり、あるいはＡ1およびＡ1’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、式
Figure 2012530369
 の基を形成し、
Ｒ8は、式
Figure 2012530369
 の基であり、
Ｒ9は、式
Figure 2012530369
 の基であり、
Ｒ128、Ｒ129、Ｒ130およびＲ131は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシまたはＣ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルである］の化合物に関する。前記実施形態において、Ａ1およびＡ1’は、好ましくは、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基であり、Ｒ9は、好ましくは、式
Figure 2012530369
 の基である。
別の好適な実施形態において、本発明は、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ａ1およびＡ1’は、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基であり、あるいは
Ａ1およびＡ1’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、式
Figure 2012530369
 の基を形成し、
Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
Ｒ8は、式
Figure 2012530369
 の基であり、
Ｒ9は、式
Figure 2012530369
 の基であり、
Ｒ128、Ｒ129、Ｒ132およびＲ133は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシまたはＣ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルである］の化合物に関する。前記実施形態において、Ａ1およびＡ1’は、好ましくは、互いに独立して、式
Figure 2012530369
 の基であり、
Ｒ9は、好ましくは、式
Figure 2012530369
 の基である。
特に好適な化合物の例は、請求項１０に示される化合物Ａ−１〜Ａ−４５である。ここで、例えば化合物Ａ−１、Ａ−５、Ａ−７、Ａ−１１、Ａ−３１およびＡ−３５などの式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ａ1およびＡ1’は、互いに独立して、
Figure 2012530369
 であり、Ｒ9は、
Figure 2012530369
 である］の化合物は最も好適である。
式Ｉの化合物を、例えば、式
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｘ10は、ブロモまたはヨード、好ましくはヨードなどのハロゲンを表す］の化合物と、式ＨＮＡ1Ａ1’または
Figure 2012530369
 の化合物とを、水素化ナトリウム、炭酸カリウムまたは炭酸ナトリウムなどの塩基および銅（０）または銅（Ｉ）（銅、銅−青銅、ヨウ化臭化銅または臭化銅など）の存在下で、トルエン、ジメチルホルムアミドまたはジメチルスルホキシドなどの溶媒中にて反応させることを含む方法に従って製造することができる（ｍ’、Ａ1、Ａ1’、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ41およびｍは、以上に定義されている通りである）（ＷＯ０８／０３１７４３）。触媒として銅を使用する、ウルマン縮合と呼ばれるこの反応は、Ｙａｍａｍｏｔｏ＆Ｋｕｒａｔａ，Ｃｈｅｍ．ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ，７３７−７３８（１９８１），Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．１４（２００４）２５１６，Ｈ．Ｂ．Ｇｏｏｄｂｒａｎｄ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．６４（１９９９）６７０ ａｎｄ ｋ．Ｄ．Ｂｅｌｆｉｅｌｄ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．６５（２０００）４４７５に記載されている。また、Ｍ．Ｄ．Ｃｈａｒｌｅｓ ｅｔ ａｌ．，Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔ．７（２００５）３９６５，Ａ．Ｆ．Ｌｉｔｔｋｅ ｅｔ．ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．４１（２００２）４１７６およびそれに引用されている文献に記載されているように、アリールハロゲン化合物とアミンとのカップリングにパラジウム触媒を使用することができる。
式ＩＩの化合物は、ＷＯ０６／０９７４１９またはＷＯ０８／０３１７４３から既知であり、それらに記載されている方法に従って、または該方法と同様にして製造され得る。
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素である。
Ｃ1〜Ｃ18アルキルは、典型的には直鎖状、または可能な場合は分枝状である。例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチルおよび２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシルまたはオクタデシルである。Ｃ1〜Ｃ8アルキルは、典型的にはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチル−プロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチルおよび２−エチルヘキシルである。Ｃ1〜Ｃ4アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチルである。
Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ基は、直鎖または分枝状アルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシもしくはｔｅｒｔ−アミルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシおよびオクタデシルオキシである。Ｃ1〜Ｃ8アルコキシの例としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、２−ペンチルオキシ、３−ペンチルオキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、１，１，３，３−テトラメチルブトキシおよび２−エチルヘキシルオキシ、好ましくは、典型的にはメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどのＣ1〜Ｃ4アルコキシである。「アルキルチオ基」という用語は、エーテル結合の酸素原子が硫黄原子で置き換えられていることを除いて、アルコキシ基と同じ基を言及する。
Ｃ2〜Ｃ18アルケニル基は、直鎖または分枝状アルケニル基、例えば、ビニル、アリル、メタリル、イソプロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、イソブテニル、ｎ−ペンタ−２，４−ジエニル、３−メチル−ブタ−２−エニル、ｎ−オクタ−２−エニル、ｎ−ドデカ−２−エニル、イソドデセニル、ｎ−ドデカ−２−エニルまたはｎ−オクタデカ−４−エニルである。
Ｃ2〜Ｃ18アルキニルは、直鎖または分枝状であり、好ましくは、非置換であっても置換されていてもよいＣ2〜Ｃ8アルキニル、例えば、エチニル、１−プロピン−３−イル、１−ブチン−４−イル、１−ペンチン−５−イル、２−メチル−３−ブチン−２−イル、１，４−ペンタジイン−３−イル、１，３−ペンタジイン−５−イル、１−ヘキシン−６−イル、シス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、トランス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、１，３−ヘキサジイン−５−イル、１−オクチン−８−イル、１−ノニン−９−イル、１−デシン−１０−イルまたは１−テトラコシン−２４−イルである。
Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、特にＣ1〜Ｃ4ペルフルオロアルキルは、分枝基または非分枝基、例えば、−ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ（ＣＦ3）2、−（ＣＦ2）3ＣＦ3、および−Ｃ（ＣＦ3）3である。
「シクロアルキル基」という用語は、典型的には、Ｃ4〜Ｃ18シクロアルキル、例えば、非置換であっても置換されていてもよいシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロウンデシル、シクロドデシル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルまたはシクロオクチルである。「シクロアルケニル基」という用語は、非置換であっても置換されていてもよい、１つ以上の二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基、例えば、シクロペンテニル、シクロペンタジエニルおよびシクロヘキセニル等を指す。シクロアルキル基、特にシクロヘキシル基は、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、ハロゲンおよびシアノで１〜３回置換され得るフェニルによって１または２回縮合され得る。当該縮合シクロヘキシル基は、
Figure 2012530369
 特に
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55およびＲ56は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ1〜Ｃ8−アルコキシ、ハロゲンおよびシアノ、特に水素である］である。
アリールは、通常、場合により置換され得るＣ6〜Ｃ24アリール（Ｃ6〜Ｃ18アリール）、例えば、非置換であっても置換されていてもよいフェニル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、ナフチル、特に、１−ナフチルもしくは２−ナフチル、ビフェニリル、ターフェニリル、ピレニル、２−もしくは９−フルオレニル、フェナントリル、アントリル、テトラシル、ペンタシル、ヘキサシルまたはクアダフェニリルである。
「アラルキル」基という用語は、典型的には、脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基がともに非置換であっても置換されていてもよいＣ7〜Ｃ25アラルキル、例えば、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−ドデシル、ω−フェニル−オクタデシル、ω−フェニル−エイコシルもしくはω−フェニル−ドコシル、好ましくはＣ7〜Ｃ18アラルキル、例えば、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチルまたはω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−ドデシルまたはω−フェニル−オクタデシル、特に好ましくは、Ｃ7〜Ｃ12アラルキル、例えば、ベンジル、２−ベンジル−２−プロポキシ、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチルまたはω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチルである。
ヘテロアリールは、典型的にはＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、すなわち５〜７個の環原子を含む環、または窒素、酸素もしくは硫黄が存在し得るヘテロ原子であり、典型的には少なくとも６個の共役π電子を有する５〜３０個の原子を含む不飽和複素環式基、例えば、非置換であっても置換されていてもよいチエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チエニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、プリニル、キノリジニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シノリニル、プテリジニル、カルバゾリル、カルボニリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾキサゾリル、フェナントリジニル、アクリジニル、ピリミジニル、フェナントロリニル、フェナジニル、イソチアゾリル、フェノチアジニル、イソキサゾリル、フラザニルまたはフェノキサジニルである。
以上に挙げられている基のうち存在し得る置換基は、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、ヒドロキシル基、メルカプト基、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ8アルキルチオ、ハロゲン、ハロ−Ｃ1〜Ｃ8アルキル、シアノ基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基またはシリル基である。以上に挙げられている基のうち好適な置換基は、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ8アルキルチオおよびシアノ基である。
置換基、例えばＲ41が１つの基に２回以上出現する場合は、それは出現毎に異なり得る。
「Ｇによって置換された」という用語は、１つ以上、特に１〜３つの置換基Ｇが存在し得ることを意味する。
上記のように、前記基は、Ｅによって置換され、かつ／あるいは望まれる場合はＤによって中断されていてもよい。中断は、勿論、単一結合によって互いに結合された少なくとも２個の炭素原子を含む基の場合にのみ可能である。Ｃ6〜Ｃ24アリールは中断されない。中断アリールアルキルまたはアルキルアリールは、アルキル部分に単位Ｄを含む。１つ以上のＥによって置換され、かつ／あるいは１つ以上の単位Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルは、例えば、（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）1-9−Ｒx（ＲxはＨまたはＣ1〜Ｃ10アルキルもしくはＣ2〜Ｃ10アルカノイル（例えばＣＯ−ＣＨ（Ｃ2Ｈ5）Ｃ4Ｈ9）である）、ＣＨ2−ＣＨ（ＯＲy’）−ＣＨ2−Ｏ−Ｒy（ＲyはＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ5〜Ｃ12シクロアルキル、フェニル、Ｃ7〜Ｃ15フェニルアルキルであり、Ｒy’は、Ｒyと同じ定義を包含し、またはＨである）、Ｃ1〜Ｃ18アルキレン−ＣＯＯ−Ｒz、例えば、ＣＨ2ＣＯＯＲz、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＯＯＲz、Ｃ（ＣＨ3）2ＣＯＯＲz（ＲzはＨ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）1-9−Ｒxであり、Ｒxは、以上に示される定義を包含する）、ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−ＣＯ−Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2である。
全般的なデバイス構造
小分子材料、オリゴマー材料、ポリマー材料またはそれらの組合せを使用して多くのＯＬＥＤデバイス構成に式Ｉの化合物を使用することができる。これらは、単一の陽極および陰極を含む非常に単純な構造から、ピクセルを形成する直交配列の陽極および陰極で構成された受動マトリックス表示装置、および各ピクセルが独立して例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により制御される能動マトリックス表示装置などのより複雑なデバイスを含む。
本発明の有機発光デバイスは、陽極および陰極で構成された一対の電極と、一対の電極の間に配置された、少なくとも発光層および正孔輸送／注入層を含む有機化合物をそれぞれ含む層とを有する。
第１の構造は、基板上に順に、陽極と、正孔郵送／注入層と、発光層と、電子輸送層と、陰極とを含む。この構造では、伝達体輸送機能と発光機能が互いに区別され、正孔および電子が再統合する領域が発光層に存在する。
第２の構造は、正孔輸送／注入層が正孔注入層および正孔輸送層を含む点で上記第１の構造と異なる。この層は、正孔注入特性に対する改善効果を有し、駆動電圧を低減するのに効果的である。
第３の構造は、正孔が陰極側に向かって浸透するのを防止するための層（正孔遮断層）が発光層と電子輸送層との間に設けられる点で上記第１の構造と異なる。この構造は、大きな電離ポテンシャル（すなわち深いＨＯＭＯ）を有する化合物が正孔遮断層に使用される場合に発光効率の向上に効果的である。
式Ｉの化合物を正孔輸送／注入層の構成要素として使用することができる。正孔輸送層の主要構成要素としての式Ｉの化合物は、陽極からの正孔の注入を促進し、注入された正孔を発光層に輸送するための優れた移動性を有することが好ましい。
代替的に、式Ｉの化合物を電子遮断層の構成要素として使用することができる。
特に小分子デバイスに有用な典型的な構造は、基板、陽極、正孔輸送／注入層、場合により電子遮断層、発光層、場合により正孔または励起子遮断層、電子輸送層、および陰極で構成される。特に小分子デバイスに有用な好適な構造は、基板、陽極、正孔輸送／注入層、電子遮断層、発光層、正孔遮断層、電子輸送層および陰極で構成される。
以下にこれらの層を詳細に記載する。代替的に、基板を陰極に隣接して配置することができ、または基板は実際に陽極もしくは陰極を構成することができることに留意されたい。陽極と陰極の間の有機層を便宜的に有機ＥＬ素子と呼ぶことができる。また、有機層の総厚さは、望ましくは５００ｎｍ未満である。
リン光材料のためのホスト材料
式Ｉの化合物をリン光化合物のためのホストとして有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に使用することもできる。ＷＯ０８／０３１７４３を参照されたい。好適には、ＯＬＥＤデバイスの発光層は、発光層のためのホスト材料および１つ以上のゲスト材料を含む。発光ゲスト材料は、通常、ホスト材料の量より少ない量で存在し、典型的にはホストの１５質量％、より典型的にはホストの０．１〜１０質量％、一般にはホストの５〜１０質量％の量で存在する。便宜上、本明細書ではリン光複合ゲスト材料をリン光材料と呼ぶことができる。放射層は、輸送特性と放射特性を兼ね備えた単一の材料を含むことができる。放射材料がドーパントであるか主構成成分であるかにかかわらず、放射層は、放射層の発光を調整するドーパントなどの他の材料を含むことができる。放射層は、一緒になって所望のスペクトルの光を発光することが可能な複数の放射材料を含むことができる。
本発明に有用なホスト材料を単独で、または他のホスト材料と組み合わせて使用することができる。ホスト材料は、三重項励起子をホスト材料からリン光材料に効率的に輸送することができるように選択されるべきである。好適なホスト材料は、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／３９２３４、ＷＯ０１／９３６４２、ＷＯ０２／０７４０１５、ＷＯ０２／１５６４５、ＵＳ２００２０１１７６６２およびＷＯ０８／０３１７４３に記載されている。好適なホストは、特定のアリールアミン、トリアゾール、インドールおよびカルバゾール化合物を含む。ホストの例は、それらの誘導体を含む４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、２，２’−ジメチル−４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル、ｍ−（Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ベンゼンおよびポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）である。
望ましいホスト材料は、連続膜を形成することが可能である。発光層は、デバイスの膜形態、電気特性、発光効率および寿命を向上させるために１つ以上のホスト材料を含むことができる。発光層は、良好な正孔輸送特性を有する第１のホスト材料、および良好な電子輸送特性を有する第２のホスト材料を含むことができる。
リン光材料
リン光材料を単独で、または場合によっては互いに組み合わせて同一の層または異なる層に使用することができる。リン光材料および関連材料の例は、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／１５６４５、ＵＳ２００３／００１７３６１、ＷＯ０１／９３６４２、ＷＯ０１／３９２３４、ＵＳ６，４５８，４７５、ＷＯ０２／０７１８１３、ＵＳ６，５７３，６５１、ＵＳ２００２／０１９７５１１、ＷＯ０２／０７４０１５、ＵＳ６，４５１．４５５、ＵＳ２００３／００７２９６４、ＵＳ２００３／００６８５２８、ＵＳ６，４１３，６５６、６，５１５，２９８、６，４５１，４１５、６，０９７，１４７、ＵＳ２００３／０１２４３８１、ＵＳ２００３／００５９６４６、ＵＳ２００３／００５４１９８、ＥＰ１２３９５２６、ＥＰ１２３８９８１、ＥＰ１２４４１５５、ＵＳ２００２／０１００９０６、ＵＳ２００３／００６８５２６、ＵＳ２００３／００６８５３５、ＪＰ２００３０７３３８７、ＪＰ２００３０７３３８８、ＵＳ２００３／０１４１８０９、ＵＳ２００３／００４０６２７、ＪＰ２００３０５９６６７、ＪＰ２００３０７３６６５およびＵＳ２００２／０１２１６３８に記載されている。
緑色発光ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ2’）イリジウム（ＩＩＩ）およびビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ、Ｃ2’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトネート）などのＩｒＬ3およびＩｒＬ2Ｌ’型のシクロメタル化Ｉｒ（ＩＩＩ）錯体の発光波長を、シクロメタル化リガンドＬ上の適切な位置における電子供与または求引基の置換、またはシクロメタル化リガンドＬに対する異なる複素環の選択によってシフトさせることができる。発光波長を補助リガンドＬ’の選択によってシフトさせることもできる。赤色発光体の例は、ビス（２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ3）イリジウム（ＥＩ）（アセチルアセトネート）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）およびトリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ）イリジウム（ＩＩＩ）である。青色発光体の例は、ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ2’）イリジウム（ＩＩＩ）（ピコリネート）である。
リン光材料としてビス（２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ3）イリジウム（アセチルアセトネート）［Ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）］を使用する赤色電気リン光が報告された（Ａｄａｃｈｉ，Ｃ．，Ｌａｍａｎｓｋｙ，Ｓ．，Ｂａｌｄｏ，Ｍ．Ａ．，Ｋｗｏｎｇ，Ｒ．Ｃ．， Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，Ｍ．Ｅ．，ａｎｄ Ｆｏｒｒｅｓｔ，Ｓ．Ｒ．，Ａｐｐ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８，１６２２ １６２４（２００１））。
他の重要なリン光材料としては、シス−ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ2’）プラチナ（ＩＩ）、シス−ビス（２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ3’）プラチナ（ＩＩ）、シス−ビス（２−（２’−チエニル）キナリナト−Ｎ，Ｃ5’）プラチナ（ＩＩ）または（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−ＮＣ２’）プラチナ（ＩＩ）アセチルアセトネートなどのシクロメタル化Ｐｔ（ＩＩ）錯体が挙げられる。２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフィンプラチナ（Ｈ）などのＰｔ（ＩＩ）ポルフィリン錯体も有用なリン光材料である。
有用なリン光材料のさらに他の例としては、Ｔｈ3+およびＥｕ3+などの三価ランタニドの配位錯体が挙げられる（Ｊ．Ｋｉｄｏ ｅｔ ａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６５，２１２４（１９９４））。
他の重要なリン光材料が、ＷＯ０６／０００５４４およびＷＯ０８／１０１８４２に記載されている。
遮断層
好適なホストに加えて、リン光材料を使用するＯＬＥＤデバイスは、励起子または電子―正孔組換え中心を、ホストおよびリン光材料を含む発光層に閉じ込めるのに役立つか、あるいは電荷担体（電子または正孔）の数を減少させる少なくとも１つの励起子または正孔遮断層をしばしば必要とする。一実施形態において、当該遮断層は、電子輸送層と発光層との間に配置されることになる。この場合、遮断層の電離ポテンシャルは、ホストから電子輸送層への正孔移動のためのエネルギーバリヤが存在する電離ポテンシャルであり、電子親和性は、電子が電子輸送層から、ホストおよびリン光材料を含む発光層へより容易に移動する電子親和性であるべきである。遮断材料の三重項エネルギーがリン光材料のそれより大きいことさらに望ましいが、必須でない。好適な正孔遮断材料は、ＷＯ００／７０６５５およびＷＯ０１／９３６４２に記載されている。有用な材料の２つの例は、セシウムによってドープすることができるバソクプロイン（ＢＣＰ）およびビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）である。ＵＳ２００３００６８５２８に記載されているように、Ｂａｌｑ以外の金属錯体も正孔および励起子を遮断することが知られている。ＵＳ２００３０１７５５５３には、ｆａｃ−ｔｒｉｓ（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒｐｐｚ）を電子／励起子遮断層に使用することが記載されている。代替的に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を電子／励起子遮断層に使用することができる。
代替的に、式Ｉの化合物を電子遮断層のための材料として使用することができる。式Ｉの化合物は、単独で機能して、エレクトロルミネセントデバイスの効率性、駆動電圧および／または寿命の向上をもたらすことができる。
基板
基板は、発光の意図する方向に応じて光透過性または不透明であり得る。光透過性は、基板を通じてＥＬ発光を目視するのに望ましい。そのような場合は、透明ガラスまたはプラスチックが一般に使用される。基板は、多数の材料の層を含む複合構造であり得る。これは、典型的には、ＴＦＴがＯＬＥＤ層の下に設けられる能動マトリックス基板の場合である。基板は、少なくとも放射ピクセル化部分において、ガラスまたはポリマーなどの高度に透明な材料で構成されることが依然として必要である。ＥＬ発光が上部電極を通じて目視される用途では、下部支持体の透過性は重要でないため、光透過性、光吸収性または光反射性であり得る。この場合に使用される基板としては、ガラス、プラスチック、半導体材料、シリコン、セラミックおよび回路板材料が挙げられるが、それらに限定されない。ここでも、基板は、能動マトリックスＴＦＴ設計に見られるような多数の材料の層を含む複合構造であり得る。これらのデバイス構成に光透明性の上部電極を設けることが必要である。
陽極
所望のエレクトロルミネセント発光（ＥＬ）が陽極を通じて目視される場合は、陽極は、当該発光に対して透明または実質的に透明であるべきである。本発明に使用される一般的な透明陽極材料は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）および錫酸化物であるが、アルミニウムまたはインジウムドープ酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物およびニッケルタングステン酸化物を含むが、それらに限定されない他の金属酸化物も機能することができる。これらの酸化物に加えて、窒化ガリウムなどの金属窒化物、セレン化亜鉛などの金属セレン化物、および硫化亜鉛などの金属硫化物を陽極として使用することができる。ＥＬ発光が陰極を通じてのみ目視される用途では、陽極の透過性は重要でなく、透明性、不透明性または反射性の導電性材料を使用することができる。この用途のための導体の例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウムおよびプラチナが挙げられるが、それらに限定されない。所望の陽極材料は、一般に、蒸発、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的手段などの任意の好適な手段によって堆積される。周知のフォトリソグラフィ法を使用して陽極をパターン化することができる。場合により、他の層を塗布する前に陽極を研磨して、ショーツを最小限に抑えるか、または反射性を向上させるように表面粗さを低減することができる。
陰極
発光が陽極のみを通じて目視される場合は、本発明に使用される陰極をほぼ任意の導電性材料で構成することができる。所望の材料は、下部の有機層との良好な接触を確保し、低電圧での電子注入を促進し、良好な安定性を有するために良好な膜形成特性を有する。有用な陰極材料は、低仕事関数金属（＜４．０ｅＶ）または金属合金をしばしば含む。ＵＳ−Ａ−４，８８５，２２１に記載されているように、１つの有用な陰極材料は、銀の割合が１〜２０％であるＭｇ：Ａｇ合金で構成される。別の好適な種類の陰極材料は、導電性金属のより厚い層で被覆される有機層（例えば、電子輸送層（ＥＴＬ））と接触する、陰極および薄い電子注入層（ＥＩＬ）を含む二重層を含む。ここで、ＥＩＬは、好ましくは、低仕事関数金属または金属塩を含み、その場合は、より厚い被覆層は、低仕事金属関数を有する必要がない。１つの当該陰極は、ＵＳ−Ａ−５，６７７，５７２に記載されているように、より厚いＡｌの層を伴う薄いＬｉＦの層で構成される。アルカリ金属でドープされたＥＴＬ材料、例えば、ＬｉドープＡｌｑは、有用なＥＩＬの別の例である。他の有用な陰極材料群としては、ＵＳ−Ａ−５，０５９，８６１、５，０５９，８６２および６，１４０，７６３に開示されているものが挙げられるが、それらに限定されない。
発光が陰極を通じて目視される場合は、陰極は透明またはほぼ透明でなければならない。当該用途では、金属は薄くなければならず、または透明導電性酸化物もしくはこれらの材料の組合せを使用しなければならない。光透過性陰極は、ＵＳ−Ａ−４，８８５，２１１、５，２４７，１９０、ＪＰ３，２３４，９６３、米国特許第５，７０３，４３６号、同第５，６０８，２８７号、同第５，８３７，３９１号、同第５，６７７，５７２号、同第５，７７６，６２２号、同第５，７７６，６２３号、同第５，７１４，８３８号、同第５，９６９，４７４号、同第５，７３９，５４５号、同第５，９８１，３０６号、同第６，１３７，２２３号、同第６，１４０，７６３号、同第６，１７２，４５９号、ＥＰ１０７６３６８、ＵＳ−Ａ−６，２７８，２３６および６，２８４，３９３６に記載されている。陰極材料は、典型的には、蒸発、スパッタリングまたは化学蒸着などの任意の好適な方法によって堆積される。必要であれば、スルーマスク蒸着、ＵＳ−Ａ−５，２７６，３８０およびＥＰ０７３２８６８に記載されている一体的シャドウマスク、レーザアブレーションおよび選択的化学蒸着を含むが、それらに限定されない多くの周知の方法によりパターン化を達成できる。
正孔輸送／注入層（ＨＴＬ）
正孔輸送／注入層は、単一層に限定されず、少なくとも１つの層が式Ｉの化合物で構成される２つ以上の層を積層することができる。正孔輸送／注入層が２つ以上の層（正孔注入層／正孔輸送層）からなる場合は、式Ｉの化合物は陽極の隣の層（正孔注入層）に含まれる。有機ＥＬデバイスの正孔輸送／注入層は、少なくとも１つの式Ｉの化合物を含む。正孔輸送／注入層を式Ｉの単一化合物、または式Ｉの化合物の混合物、または式Ｉの化合物と他の化合物（所謂「ドーパント」）との混合物で形成することができる。正孔輸送／注入層は、好ましくは、式Ｉの化合物およびドーパントを含む単一層である。ドーパントは、式Ｉの化合物およびドーパントの質量に基づいて０．００１〜２０質量％、特に１〜２０質量％の量で使用される。ドーパントの例は、例えば、Ｋ．Ｗａｌｚｅｒ，Ｂ．Ｍａｅｎｎｉｇ，Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ，ａｎｄ Ｋ．Ｌｅｏ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１０７（２００７）１２３３−１２７１、ＥＰ１５９６４４５Ａ１、ＷＯ２００９／００３４５５Ａ１、ＤＥ１００３５７０４４、ＷＯ２００８／０５８５２５、ＷＯ２００８／１３８５８０、ＵＳ２００８０１７１２２８およびＵＳ２００８／０２６５２１６に記載されている。式Ｉの化合物と併用することができるドーパントの具体的な例は、酸化チタン（ＴｉＯx）、酸化バナジウム（ＶＯx）、特にＶ2Ｏ5、酸化モリブデン（ＭｏＯx）、特にＭｏＯ3、酸化タングステン（ＷＯx）、特にＷＯ3、酸化ルテニウム（ＲｕＯx）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯx）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）、酸化銀（ＡｇＯx）、酸化マンガン（ＭｎＯx）、三塩化鉄（ＦｅＣｌ3）、五塩化アンチモン（ＳｂＣｌ5）、ＷＯ２００８／０５８５２５に記載されている金属フタロシアニン化合物、ジシアノ（フタロシアナト（−１）コバルト（ＩＩＩ）、ＵＳ２００８／０２６５２１６に記載されているオキソカルボン、シュードオキソカルボンおよびラジアレン化合物、ＷＯ２００８／１３８５８０に記載のジシアノ（フタロシアナト（−１）ルテニウム（ＩＩＩ）、特にＭＯ3，２−（６−ジシアノメチレン−１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロ−６Ｈ−ナフタレン−２−イリデン）−マロノニトリル、
Figure 2012530369
 、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ4−ＴＣＮＱ）、
Figure 2012530369
 である。
具体的には、特にＭｏＯ3を正孔輸送／注入層のドーパントとして、式Ｉの化合物およびドーパントの質量に基づいて１〜２０質量％の量で使用することができる。代替的に、式Ｉの化合物と２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ4−ＴＣＮＱ）をドーパントとして、式Ｉの化合物およびドーパントの質量に基づいて１〜２０質量％の量で使用することができる。
ａ）マトリックス材料の１つの供給源およびドーパントの１つの供給源を用いて真空下で混合蒸発する方法、ｂ）マトリックス材料およびドーパントを順次堆積した後、熱処理によってドーパントを内部拡散する方法、ｃ）ドーパントの溶液によってマトリックス材料層をドープした後、熱処理によって溶媒を蒸発させる方法並びにｄ）表面に塗布されたドーパントの層によってマトリックス材料層を表面ドープする方法の１つまたは組合せによって、本発明従って使用されるドーパントで式Ｉのそれぞれの化合物（マトリックス材料）をドープすることができる。
正孔注入層に使用される代替的な材料としては、ＵＳ−Ａ−４，７２０，４３２に記載されているポルフィリン化合物、ＵＳ−Ａ−６，２０８，０７５に記載されているプラズマ蒸着フルオロカーボン、およびいくつかの芳香族アミン、例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’、４’’−トリス［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン）が挙げられる。有機ＥＬデバイスに有用であることが報告されている代替的な正孔注入材料がＥＰ０８９１１２１およびＥＰ１０２９９０９に記載されている。
正孔輸送層のための代替的な物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称ＭＴＤＡＴＡ）および４，４’−ビス［Ｎ−（スピロー９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を使用することができる。
蛍光発光材料および層（ＬＥＬ）
リン光材料に加えて、蛍光材料を含む他の発光材料をＯＬＥＤデバイスに使用することができる。「蛍光」という用語は、任意の発光材料を記載するのに広く使用されているが、この場合は、一重項励起状態から発光する材料を指す。蛍光材料をリン光材料と同じ層、隣接相、隣接ピクセルまたは任意の組合せに使用することができる。リン光材料の性能に悪影響を与える材料を選択しないように注意しなければならない。リン光材料と同じ層または隣接層の材料の三重項励起状態エネルギーを、望ましくない消光を防止するように適切に設定しなければならないことを当業者なら理解するであろう。ＵＳ−Ａ−４，７６９，２９２および５，９３５，７２１により詳細に記載されているように、有機ＥＬ素子の発光層（ＬＥＬ）は、この領域における電子−正孔対組換えの結果として電気発光がもたらされる発光性蛍光またはリン光材料を含む。発光層は、単一材料で構成され得るが、より一般的には、発光が主として発光材料から生じ、任意の色を有することができる１つ以上のゲスト発光材料でドープされたホスト材料からなる。発光層のホスト材料は、以下に定義される電子輸送材料、以上に定義されている正孔輸送材料、または正孔−電子組換えを支持する別の材料もしくは材料の組合せであり得る。蛍光発光材料は、典型的には、ホスト材料の０．０１〜１０質量％で含められる。小さな非ポリマー分子またはポリマー材料、例えばポリフルオレンおよびポリビニルアリーレン（例えばポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ＰＰＶ）であり得る。ポリマーの場合は、小分子発光材料をポリマーホストに分子分散させるか、または小構成成分を共重合することによって発光材料をホストポリマーに加えることができる。膜形成、電気特性、発光効率性、寿命または製造性を向上させるために、ホスト材料を混ぜ合わせることができる。ホストは、良好な正孔輸送特性を有する材料および良好な電子輸送特性を有する材料を含むことができる。
有用であることが既知のホスト材料および発光材料としては、ＵＳ−Ａ−４，７６８，２９２、５，１４１，６７１、５，１５０，００６、５，１５１，６２９、５，４０５，７０９、５，４８４，９２２、５，５９３，７８８、５，６４５，９４８、５，６８３，８２３、５，７５５，９９９、５，９２８，８０２、５，９３５，７２０、５，９３５，７２１および６，０２０，０７８に開示されているものが挙げられるが、それらに限定されない。
８−ヒドロキシキノリンおよび類似の誘導体の金属錯体（式Ｅ）は、電気発光を支持することが可能な１つの種類の有用なホスト化合物を構成し、例えば緑色、黄色、橙色および赤色の５００ｎｍ以上の波長の発光に特に好適である。
Figure 2012530369
 ［式中、
Ｍは金属を表し、
ｖは１〜４の整数であり、
ＺＺは、独立して、出現毎に、少なくとも２つの縮合芳香族環を有する核を完成する原子を表す。］以上から、金属は一価、二価、三価または四価金属であり得る。金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムなどのアルカリ金属、マグネシウムもしくはカルシウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウムもしくはガリウムなどの土類金属、または亜鉛もしくはジルコニウムなどの遷移金属であり得る。有用なキレート化金属であることが既知の任意の一価、二価、三価または四価金属を使用することができる。ＺＺは、その少なくとも１つがアゾールまたはアジン環である少なくとも２つの縮合芳香族環を含む複素環核を完成する。必要な場合は、脂肪族環および芳香族環の両方を含むさらなる環を２つの必要な環と縮合させることができる。機能を向上させずに分子塊を追加することを避けるために、環原子の数は、通常、１８以下に維持される。
有用なキレート化オキシノイド化合物の実例を以下に示す。
ＣＯ−１：アルミニウムトリスオキシン［アリアス、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）］
ＣＯ−２：マグネシウムビスオキシン［アリアス、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム（ＩＩ）］
ＣＯ−３：ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト］亜鉛（ＩＩ）
ＣＯ−４：ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノール−イノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
ＣＯ−５：インジウムトリスオキシン［アリアス、トリス（８−キノリノラト）インジウム］
ＣＯ−６：アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）［アリアス、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）］
ＣＯ−７：リチウムオキシン［アリアス、（８−キノリノラト）リチウム（Ｉ）］
ＣＯ−８：ガリウムオキシン［アリアス、トリス（８−キノリノラト）ガリウム（ＩＩＩ）］
ＣＯ−９：ジルコニウムオキシン［アリアス、テトラ（８−キノリノラト）ジルコニウム（ＩＶ）］
有用な蛍光発光材料としては、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ロダミンおよびキナクリドン、ジシアノメチレンエピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウムおよびチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、ビス（アジニル）メタン化合物並びにカルボスチリル化合物が挙げられるが、それらに限定されない。有用な材料の実例としては、ＵＳ７，０９０，９３０Ｂ２に記載されている化合物Ｌ１〜Ｌ５２が挙げられるが、それらに限定されない。
電子輸送層（ＥＴＬ）
本発明の有機ＥＬデバイスの電子輸送層を形成するのに使用するための好適な薄膜形成材料は、オキシン自体のキレート（一般的に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリンとも称する）を含む金属キレート化オキシノイド化合物である。当該化合物は、電子を注入および輸送するのに役立ち、高度な性能を発揮するとともに、薄膜の形で容易に作製される。考えられるオキシノイド化合物の例は、既に記載されている構造式（Ｅ）を満たすものである。
他の電子輸送材料としては、ＵＳ４，３５６，４２９に開示されている様々なブタジエン誘導体およびＵＳ４，５３９，５０７に記載されている様々な複素環式蛍光増白剤が挙げられる。
構造式（Ｇ）を満たすベンザゾールも有用な電子輸送材料である。トリアジンも有用な電子輸送材料であることは既知である。ドープを使用して、導電性を向上させることができる。Ａｌｑ3は、固有の電子輸送層の例である。ｎドープ電子輸送層の例は、ＵＳ６，３３７，１０２に記載されているように、１：１のモル比で、ＬｉでドープされたＢＰｈｅｎである。
有機層の堆積
以上に挙げられている有機材料は、有機材料の形に対して好適である任意の手段によって好適に堆積される。小分子の場合は、それらは、便宜的に熱蒸着を介して堆積されるが、膜形成を向上させるための任意の結合剤を用いて溶媒などによる他の手段によって堆積され得る。材料が可溶性であるか、またはオリゴマー／ポリマーの形である場合は、通常は、溶液処理、例えばスピン塗布、インクジェット印刷が好適である。デンドリマー置換基を使用して、溶液処理が施される小分子の能力を向上させることができる。シャドウマスク、一体的シャドウマスク（ＵＳ５，２９４，８７０）、ドナーシートからの空間定画熱染料輸送（ＵＳ５，６８８，５５１、５，８５１，７０９および６，０６６，３５７）並びにインクジェット法を使用してパターン化体積を達成することができる。
封入
殆どのＯＬＥＤデバイスは、水分もしくは酸素またはその両方に敏感であるため、一般には、アルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、クレー、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩または金属ハロゲン化物および過塩素酸塩などの乾燥剤とともに窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中に密封される。封入および乾燥のための方法としては、ＵＳ６，２２６，８９０に記載されている方法が挙げられるが、それらに限定されない。加えて、ＳｉＯｘ、テフロンおよび無機／ポリマー交互層などのバリヤ層が封入の技術分野で既知である。
本発明の実施形態に従って作製されたデバイスを、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、テレビジョン、掲示板、屋内もしくは屋外照明および／またはシグナル伝達用電灯、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザプリンタ、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、車両、劇場もしくは競技場スクリーンまたは標識を含む多種多様な消費者製品に含めることができる。様々な制御装置を使用して、受動マトリックスおよび能動マトリックスを含む、本発明に従って作製されたデバイスを制御することができる。
本発明の様々な特徴および態様を以下に続く実施例においてさらに説明する。これらの実施例は、本発明の範囲内でどのように作用するかを当業者に示すために提示されるが、それらは、本発明の範囲を限定するものとして機能するものでなく、当該範囲は、特許請求の範囲においてのみ定義される。以下の実施例および明細書の他の箇所並びに請求項の範囲において他に指定される場合を除いて、全ての部および百分率は質量部および質量百分率であり、温度は摂氏温度であり、圧力は大気圧またはその付近の圧力である。
実施例
実施例１
Figure 2012530369
ａ）５００ｍｌの氷酢酸中の３０．０ｇ（８２．０ミリモル）の２，７−ジブロモ−フェナントレン−９，１０−ジオン、１４．１ｇ（９０．２ミリモル）の１−ナフタレンカルボキサルデヒド、１５．３ｇ（１６４ミリモル）のアニリンおよび１９．０ｇ（２４６ミリモル）の酢酸アンモニウムを窒素下で４時間還流させる。生成物を濾別し、氷酢酸、水、炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗浄し、次いでトルエンおよびメチルエチルケトン中で煮沸する。
Figure 2012530369
ｂ）３．６６ｇ（３８．０ミリモル）ｔｅｒｔ−酪酸ナトリウムを２００ｍＬのトルエン中１０．００ｇ（１７．３ミリモル）の実施例１ａの生成物に添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。１９０ｍｇ（０．８６ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。３５０ｍｇ（１．７３ミリモル）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを添加する。４０ｍｌのトルエン中の７．９６ｇ（３６．３ミリモル）のＮ−フェニル−１−ナフチルアミンの脱気溶液を添加する。反応混合物をアルゴン下で９０℃にて１５時間撹拌し、トルエンとともにシリカゲルで濾過する。溶媒を真空中で除去し、生成物をジエチルエーテルから結晶化させる。生成物は、１５８℃のガラス転移温度を有する。
Figure 2012530369
実施例２
Figure 2012530369
実施例１ｂと同様にして合成を実施する。生成物は、３３４℃の融点を有する。
Figure 2012530369
実施例３
Figure 2012530369
３ａ）１５０ｍｌの氷酢酸中の１０．０ｇ（８２．０ミリモル）の２，７−ジブロモ−フェナントレン−９，１０−ジオン、３．９１ｇ（３０．１ミリモル）のベンズアルデヒド、５．０９ｇ（５４．６ミリモル）のアニリンおよび６．３２ｇ（８２．０ミリモル）の酢酸アンモニウムを窒素下で２３時間還流させる。生成物を濾別し、氷酢酸、水、炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗浄し、次いでイソプロパノール中で煮沸し、トルエンとともにシリカゲルで濾過する。
Figure 2012530369
３ｂ）２．７３ｇ（２８．４ミリモル）ｔｅｒｔ−酪酸ナトリウムを５０ｍＬのトルエン中５．００ｇ（９．４６ミリモル）の実施例３ａの生成物に添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。１０６ｍｇ（０．４７ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。トルエン中の０．９５ｍｌ（０．９５ミリモル）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンの１Ｍ溶液を添加する。５．６０ｇ（２８．４ミリモル）のジ−ｐ−トリル−アミンの脱気溶液を添加する。反応混合物をアルゴン下で１００℃にて２０時間撹拌する。反応混合物を６０ｍｌの１％シアン化ナトリウム溶液で洗浄する。有機溶媒を真空中で除去する。生成物をエタノールとともに煮沸し、ジクロロメタンに溶解させ、エタノールを添加する。ジクロロメタンを蒸留除去する。生成物を濾別する（融点：２３９℃）。
Figure 2012530369
デバイス作製および応用実施例
デバイスを高真空（＜１０-6ｍｂａｒ）中で熱蒸着によって作製する。陽極は、ガラス基板上に既に堆積された約１２００Åのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる。陰極は、１０００ÅのＡｌからなる。全てのデバイスを製造直後に、封入せずに、グローブボックスの窒素雰囲気中（Ｈ2ＯおよびＯ2が１ｐｐｍ未満）で試験する。使用する全ての材料は昇華質である。
応用実施例１
有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された正孔輸送層としての６００Åの化合物Ａ−１１と、それに続く電子遮断層としての１０Åの化合物Ａ−１１とからなる。放射層は、１０％の赤色発光体でドープされたホストとしての２００Åの化合物Ａ−１１と、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）と、それに続く正孔遮断層としての１００ÅのＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）アルミニウム−（ＩＩＩ）および６％のＣｓでドープされたＢＰｈｅｎ（４，７ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）で構成された６００Åの電子輸送材料からなる。
応用実施例２
化合物Ａ−１１の代わりに４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）をホストとして使用することを除いては応用実施例１と同じである。
応用実施例３
化合物Ａ−１１の代わりに４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を電子遮断層として使用することを除いては応用実施例２と同じである。
応用実施例４
化合物Ａ−１１の代わりに、４Ｆ−ＴＣＮＱ（１０：１）でドープされた４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を正孔輸送層として使用することを除いては応用実施例１と同じである。
応用実施例５
化合物Ａ−１１の代わりに４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）をホストとして使用することを除いては応用実施例４と同じである。
応用実施例６
化合物Ａ−１１の代わりに４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を電子遮断層として使用することを除いては応用実施例４と同じである。
比較応用例１
有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された正孔輸送層としての６００Åの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）と、それに続く電子遮断層としての１００Åのα−ＮＰＤとからなっていた。放射層は、１０％の赤色発光体でドープされたホストとしての２００Åのα−ＮＰＤと、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）と、それに続く正孔遮断層としての１００ÅのＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）アルミニウム−（ＩＩＩ）および６％のＣｓでドープされたＢＰｈｅｎ（４，７ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）で構成された６００Åの電子輸送材料からなる。
上記のように製造されたデバイスに対して測定した発光効率と開始電圧（＠１０００ｃｄ／ｍ2）および最大輝度を以下の表に報告する。
Figure 2012530369
デバイス構造に応じて、本発明のデバイスは、より低い開始電圧を有し、同等の発光効率および最大輝度で比較応用例１のデバイスと比較して、優れた寿命を示すことができる。
実施例４
Figure 2012530369
ａ）８０ｍｌの氷酢酸中の５．０ｇ（１３．６ミリモル）の２，７−ジブロモ−フェナントレン−９，１０−ジオン、２．３５ｇ（１５．０ミリモル）の２−ナフタレンカルボキサルデヒド、２．５４ｇ（２７．３ミリモル）のアニリンおよび３．１６ｇ（４１．０ミリモル）の酢酸アンモニウムを窒素下で１８時間還流させる。生成物を濾別し、氷酢酸、水、炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗浄し、次いでジエチルエーテル中で煮沸する。
Figure 2012530369
ｂ）１．７５ｇ（１８．３ミリモル）ｔｅｒｔ−酪酸ナトリウムを１００ｍＬのトルエン中４．８０ｇ（１７．３ミリモル）の実施例４ａの生成物に添加する。３．８２ｇ（１７．４ミリモル）のＮ−フェニル−１−ナフチルアミンを添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。９３ｍｇ（０．４２ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。１７０ｍｇ（８３ミリモル）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンを添加する。反応混合物をアルゴンで脱気する。反応混合物をアルゴン下で９０℃にて２１時間撹拌し、トルエンとともにシリカゲルで濾過する。溶媒を真空中で除去し、生成物をジエチルエーテル中で煮沸する。トルエン／シクロヘキサン（１／１）および次いでトルエン／シクロヘキサン（７／３）を用いたシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより化合物Ａ−４３を得る（収率：５１％）を得る。
Figure 2012530369
実施例５
Figure 2012530369
実施例３ａの生成物およびＮ−フェニル−１−ナフチルアミンから出発して実施例１ｂと同様にして化合物Ａ−５を製造する。融点：２９０℃。
Figure 2012530369
実施例６
Figure 2012530369
実施例３ａの生成物およびＮ、Ｎ−ジフェニルアミンから出発して実施例１ｂと同様にして化合物Ａ−５を製造する。融点：２７７℃。
Figure 2012530369
実施例６
Figure 2012530369
実施例１ａの生成物およびＮ−フェニル−２−ナフチルアミンから出発して実施例１ｂと同様にして化合物Ａ−４４を製造する。融点：２６８℃。
Figure 2012530369
実施例７
Figure 2012530369
実施例１ａの生成物およびＮ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミンから出発して実施例１ｂと同様にして化合物Ａ−８を製造する。融点：２８６℃。
Figure 2012530369
実施例８
Figure 2012530369
実施例１ａの生成物およびカルバゾールから出発して実施例１ｂと同様にして化合物Ａ−４５を製造する。この反応では溶媒としてキシレンを使用する。融点：２８６℃。
Figure 2012530369
応用実施例７
有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された正孔輸送層としての６００Åの化合物ＮＰＤと、それに続く電子遮断層としての１００Åの化合物Ａ−４４とからなる。放射層は、１０％の赤色発光体でドープされたホストとしての２００Åの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）と、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）と、それに続く正孔遮断層としての１００ÅのＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）アルミニウム−（ＩＩＩ）および６％のＣｓでドープされたＢＰｈｅｎ（４，７ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）で構成された６００Åの電子輸送材料からなる。
比較応用例２
有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された正孔輸送層としての６００Åの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）と、それに続く電子遮断層としての１００Åの化合物α−ＮＰＤとからなっていた。放射層は、１０％の赤色発光体でドープされたホストとしての２００Åのα−ＮＰＤと、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）と、それに続く正孔遮断層としての１００ÅのＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）アルミニウム−（ＩＩＩ）および６％のＣｓでドープされたＢＰｈｅｎ（４，７ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）で構成された６００Åの電子輸送材料からなる。
応用実施例８
正孔輸送層として、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）の代わりに、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された化合物Ａ−４４を使用することを除いては比較例１と同じ。
応用実施例９
有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、１０：１の蒸着率比で４Ｆ−ＴＣＮＱと同時蒸着された正孔輸送層としての６００Åの化合物ＮＰＤと、それに続く電子遮断層としての１００Åの化合物Ａ−２とからなる。放射層は、１０％の赤色発光体でドープされたホストとしての２００Åの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）と、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）と、それに続く正孔遮断層としての１００ÅのＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニル−フェノラト）アルミニウム−（ＩＩＩ）および６％のＣｓでドープされたＢＰｈｅｎ（４，７ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）で構成された６００Åの電子輸送材料からなる。
上記のように製造されたデバイスに対して測定した発光効率と開始電圧（＠１０００ｃｄ／ｍ2）および最大輝度を以下の表に報告する。
Figure 2012530369
デバイス構造に応じて、本発明のデバイスは、より低い電圧を有するか、または同等の発光効率および最大輝度で比較応用例２のデバイスと比較して、優れた寿命を示すことができる。

Claims (12)

  1. 陽極、正孔輸送／注入層、場合により電子遮断層、発光層、場合により正孔もしくは励起子遮断層、電子輸送層および陰極を含むエレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイスであって、正孔輸送／注入層および／または電子遮断層は、式
    Figure 2012530369
     ［式中、
    Ｒ1およびＲ4は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、ＣＮまたは−ＣＯ−Ｒ28であり、
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｃ7〜Ｃ25アラルキル、ＣＮまたは−ＣＯ−Ｒ28であり、
    Ｒ8は、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリールであり、
    Ｒ9は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリールであり、
    互いに隣接する２つの置換基Ｒ2およびＲ3および／またはＲ5およびＲ6は、一緒になって基
    Figure 2012530369
     を形成し、
    Ｒ105、Ｒ106、Ｒ107、Ｒ108、Ｒ106’およびＲ108’は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＥによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
    Ａ1、Ａ2、Ａ1’およびＡ2’は、互いに独立して、式
    Figure 2012530369
     の基であり、あるいはＡ1およびＡ1’、および／またはＡ2およびＡ2’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、複素環式芳香族環、または
    Figure 2012530369
     などの環系を形成し、
    ｍ’は、０、１または２であり、
    ｍは、各出現において同一であっても異なっていてもよく、０、１、２または３、特に０、１または２、特に０または１であり、
    Ｒ41は、各出現において同一であっても異なっていてもよく、Ｃｌ、Ｆ、ＣＮ、Ｎ（Ｒ45）2、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基、Ｃ4〜Ｃ18シクロアルキル基、互いに隣接しない１個以上の炭素原子を−ＮＲ45−、−Ｏ−、−Ｓ−もしくは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で置き換えることが可能であり、かつ／あるいは１個以上の水素原子をＦで置き換えることができるＣ1〜Ｃ25アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ24アリール基、あるいは１個以上の炭素原子をＯ、ＳもしくはＮで置き換えることができ、かつ／あるいは１つ以上の非芳香族基Ｒ41によって置換され得るＣ6〜Ｃ24アリールオキシ基であり、あるいは２つ以上の基Ｒ41が環系を形成し、
    Ｒ45は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基、互いに隣接しない１個以上の炭素原子を−ＮＲ45−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−もしくは−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で置き換えることが可能であり、かつ／あるいは１個以上の水素原子をＦで置き換えることができるＣ4〜Ｃ18シクロアルキル基、Ｃ6〜Ｃ24アリール基、あるいは１個以上の炭素原子をＯ、ＳもしくはＮで置き換えることができ、かつ／あるいは１つ以上の非芳香族基Ｒ41によって置換され得るＣ6〜Ｃ24アリールオキシ基であり、
    Ｒ45’’は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基またはＣ4〜Ｃ18シクロアルキル基であり、
    Ｒ65’は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ25アルキル基、互いに隣接しない１個以上の炭素原子を−Ｏ−もしくは−Ｓ−によって置き換えることが可能であり、かつ／あるいは１個以上の水素原子をＦで置き換えることができるＣ4〜Ｃ18シクロアルキル基、Ｃ6〜Ｃ24アリール基、あるいは１個以上の炭素原子をＯ、ＳもしくはＮで置き換えることができ、かつ／あるいはＧによって置換され得るＣ6〜Ｃ24アリールオキシ基であり、
    Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｃ7〜Ｃ25アラルキル、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ127’、 −Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ127’または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ127Ｒ126であり、あるいは互いに隣接する置換基Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、環を形成することができ、
    Ｒ119およびＲ120は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシまたはＣ7〜Ｃ25アラルキルであり、あるいは
    Ｒ119およびＲ120は、一緒になって式＝ＣＲ121Ｒ122の基を形成し、
    Ｒ121およびＲ122は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、またはＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、またはＧによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリールであり、あるいは
    Ｒ119およびＲ120は、一緒になって、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ24アリール、Ｇによって置換されたＣ6〜Ｃ24アリール、Ｃ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｇによって置換されたＣ2〜Ｃ20ヘテロアリール、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｅによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシ、Ｃ7〜Ｃ25アラルキル、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ127’によって場合により置換され得る５もしくは６員環を形成し、
    Ｒ126、Ｒ127およびＲ127’は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
    Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＮＲ25−、−ＳｉＲ30Ｒ31、−ＰＯＲ32−、−ＣＲ23＝ＣＲ24−または−Ｃ≡Ｃ−であり、
    Ｅは、−ＯＲ29、−ＳＲ29、−ＮＲ25Ｒ26、−ＣＯＲ28、−ＣＯＯＲ27、−ＣＯＮＲ25Ｒ26、−ＣＮまたはハロゲンであり、
    Ｇは、Ｅ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＥによって置換され、かつ／あるいはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
    Ｒ23およびＲ24は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
    Ｒ25およびＲ26は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、あるいは
    Ｒ25およびＲ26は、一緒になって、５もしくは６員環を形成し、
    Ｒ27およびＲ28は、互いに独立して、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
    Ｒ29は、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、または−Ｏ−によって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
    Ｒ30およびＲ31は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ18アリール、またはＣ1〜Ｃ18アルキルによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリールであり、
    Ｒ32は、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ6〜Ｃ18アリール、またはＣ1〜Ｃ18アルキルによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリールである］の化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイス。
  2. Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は水素である、請求項１に記載のＥＬデバイス。
  3. Ａ1、Ａ1’、Ａ2およびＡ2’は、互いに独立して、式
    Figure 2012530369
     の基であり、あるいは
    Ａ1およびＡ1’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、式
    Figure 2012530369
     の基を形成し、
    Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ18アルキルである、請求項１または２に記載のＥＬデバイス。
  4. Ｒ8は、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルによって場合により置換されていてもよいＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
    Ｒ9は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｄによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルによって場合により置換されていてもよいＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシ、またはＤによって中断されたＣ1〜Ｃ18アルコキシであり、
    Ｄは、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＲ25−であり、
    Ｒ25は、Ｃ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ18アルキルもしくはＣ1〜Ｃ18アルコキシによって置換されたＣ6〜Ｃ18アリール、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、または−Ｏによって中断されたＣ1〜Ｃ8アルキルである、請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬデバイス。
  5. 式Ｉの化合物は、式
    Figure 2012530369
     ［式中、
    Ａ1およびＡ1’は、互いに独立して、式
    Figure 2012530369
     の基であり、
    Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ18アルキルであり、あるいはＡ1およびＡ1’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、式
    Figure 2012530369
     の基を形成し、
    Ｒ8は、式
    Figure 2012530369
     の基であり、
    Ｒ9は、式
    Figure 2012530369
     の基であり、
    Ｒ128、Ｒ129、Ｒ130およびＲ131は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシまたはＣ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルである］の化合物である、請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬデバイス。
  6. 式Ｉの化合物は、式
    Figure 2012530369
     ［式中、
    Ａ1およびＡ1’は、互いに独立して、式
    Figure 2012530369
     の基であり、あるいは
    Ａ1およびＡ1’は、それらが結合された窒素原子と一緒になって、式
    Figure 2012530369
     の基を形成し、
    Ｒ116、Ｒ117およびＲ117’は、互いに独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ18アルキルであり、
    Ｒ8は、式
    Figure 2012530369
     の基であり、
    Ｒ9は、式
    Figure 2012530369
     の基であり、
    Ｒ128、Ｒ129、Ｒ130およびＲ131は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ1〜Ｃ18アルコキシまたはＣ1〜Ｃ18ペルフルオロアルキルである］の化合物である、請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬデバイス。
  7. 式Ｉの化合物は、式
    Figure 2012530369
     ［式中、
    −ＮＡ1Ａ1’は、
    Figure 2012530369
     である］の化合物である、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＬデバイス。
    Figure 2012530369
    Figure 2012530369
    Figure 2012530369
  8. 正孔輸送／注入層は、式Ｉの化合物およびドーパントを含み、ドーパントは、酸化チタン（ＴｉＯx）、酸化バナジウム（ＶＯx）、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、特にＭｏＯ3、酸化タングステン（ＷＯx）、酸化ルテニウム（ＲｕＯx）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯx）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）、酸化銀（ＡｇＯx）、酸化マンガン（ＭｎＯx）、三塩化鉄（ＦｅＣｌ3）、五塩化アンチモン（ＳｂＣｌ5）、金属フタロシアニン化合物、ジシアノ（フタロシアナト（−１）コバルト（ＩＩＩ）、オキソ炭素、擬似オキソ炭素およびラジアレン化合物、ジシアノ（フタロシアナト（−１）ルテニウム（ＩＩＩ）化合物、２−（６−ジシアノメチレン−１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロ−６Ｈ−ナフタレン−２−イリデン）−マロノニトリル、
    Figure 2012530369
     、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ4−ＴＣＮＱ）、
    Figure 2012530369
     から選択される、請求項１〜７のいずれかに記載のＥＬデバイス。
  9. 電子遮断層は、式Ｉの化合物を含む、請求項１〜８のいずれかに記載のＥＬデバイス。
  10. エレクトロルミネセントデバイスの正孔輸送／注入および／または電子遮断層のための材料としての請求項１に記載の式Ｉの化合物の使用。
  11. 請求項１に記載の式Ｉの化合物、および場合によりドーパントを含む、正孔輸送／注入層。
  12. 請求項１に記載の式Ｉの化合物を含む、電子遮断層。
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