JP2012160681A

JP2012160681A - 記憶素子、メモリ装置

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Publication number: JP2012160681A
Application number: JP2011021342A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Uchida; 裕行内田; Masakatsu Hosomi; 政功細見; Hiroyuki Omori; 広之大森; Kazuhiro Bessho; 和宏別所; Yutaka Higo; 豊肥後; Tetsuya Asayama; 徹哉浅山; Kazuaki Yamane; 一陽山根
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2011-02-03
Filing date: 2011-02-03
Publication date: 2012-08-23
Also published as: US20120199922A1; CN102629489A

Abstract

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子３は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして磁化固定層は、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造となっており、上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合される積層フェリピン構造であり、記憶層、絶縁層、磁化固定層を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さい。
【選択図】図２

Description

本発明は、強磁性層の磁化状態を情報として記憶する記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有し、電流を流すことにより記憶層の磁化の向きを変化させる記憶素子及びこの記憶素子を備えたメモリ装置に関する。

特開２００３−１７７８２号公報米国特許第６２５６２２３号明細書米国特許公開２００５−０１８４８３９Ａ１特開２００８−２２７３８８号公報

PHYs. Rev. B,54.9353(1996) J. Magn. Mat.,159,L1(1996) F. J. Albert et al.,Appl. Phy. Lett.,77,3809(2000) Nature Materials., 5, 210(2006)

コンピュータ等の情報機器では、ランダム・アクセス・メモリとして、動作が高速で、高密度なＤＲＡＭが広く使われている。
しかし、ＤＲＡＭは電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであるため、情報が消えない不揮発のメモリが望まれている。

そして、不揮発メモリの候補として、磁性体の磁化で情報を記録する磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）が注目され、開発が進められている。

ＭＲＡＭは、ほぼ直交する２種類のアドレス配線（ワード線、ビット線）にそれぞれ電流を流して、各アドレス配線から発生する電流磁場によって、アドレス配線の交点にある磁気記憶素子の磁性層の磁化を反転して情報の記録を行うものである。

一般的なＭＲＡＭの模式図（斜視図）を図１３に示す。
シリコン基板等の半導体基体１１０の素子分離層１０２により分離された部分に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域１０８、ソース領域１０７、並びにゲート電極１０１が、それぞれ形成されている。
また、ゲート電極１０１の上方には、図中前後方向に延びるワード線１０５が設けられている。
ドレイン領域１０８は、図中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域１０８には、配線１０９が接続されている。
そして、ワード線１０５と、上方に配置された、図中左右方向に延びるビット線１０６との間に、磁化の向きが反転する記憶層を有する磁気記憶素子１０３が配置されている。この磁気記憶素子１０３は、例えば磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）により構成される。
さらに、磁気記憶素子１０３は、水平方向のバイパス線１１１及び上下方向のコンタクト層１０４を介して、ソース領域１０７に電気的に接続されている。
ワード線１０５及びビット線１０６にそれぞれ電流を流すことにより、電流磁界を磁気記憶素子１０３に印加して、これにより磁気記憶素子１０３の記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うことができる。

そして、ＭＲＡＭ等の磁気メモリにおいて、記録した情報を安定に保持するためには、情報を記録する磁性層（記憶層）が、一定の保磁力を有していることが必要である。
一方、記録された情報を書き換えるためには、アドレス配線にある程度の電流を流さなければならない。
ところが、ＭＲＡＭを構成する素子の微細化に従い、アドレス配線も細くなるため、充分な電流が流せなくなってくる。

そこで、より少ない電流で磁化反転が可能な構成として、スピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリが注目されている（例えば、特許文献１、２、４、非特許文献１、２参照）。
スピン注入による磁化反転とは、磁性体の中を通過してスピン偏極した電子を、他の磁性体に注入することにより、他の磁性体において磁化反転を起こさせるものである。

例えば、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）や磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）に対して、その膜面に垂直な方向に電流を流すことにより、これらの素子の少なくとも一部の磁性層の磁化の向きを反転させることができる。

そして、スピン注入による磁化反転は、素子が微細化されても、電流を増やさずに磁化反転を実現することができる利点を有している。

上述したスピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置の模式図を、図１４及び図１５に示す。図１４は斜視図、図１５は断面図である。
シリコン基板等の半導体基体６０の素子分離層５２により分離された部分に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域５８、ソース領域５７、並びにゲート電極５１が、それぞれ形成されている。このうち、ゲート電極５１は、図１４中前後方向に延びるワード線を兼ねている。
ドレイン領域５８は、図１４中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域５８には、配線５９が接続されている。
そして、ソース領域５７と、上方に配置された、図１４中左右方向に延びるビット線５６との間に、スピン注入により磁化の向きが反転する記憶層を有する記憶素子５３が配置されている。
この記憶素子５３は、例えば磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）により構成される。記憶素子５３は２つの磁性層６１、６２を有する。この２層の磁性層６１，６２のうち、一方の磁性層を磁化の向きが固定された磁化固定層として、他方の磁性層を磁化の向きが変化する磁化自由層即ち記憶層とする。
また、記憶素子５３は、ビット線５６と、ソース領域５７とに、それぞれ上下のコンタクト層５４を介して接続されている。これにより、記憶素子５３に電流を流して、スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させることができる。

このようなスピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置の場合、図１３に示した一般的なＭＲＡＭと比較して、デバイス構造を単純化することができ、そのために高密度化が可能になるという特徴も有している。
また、スピン注入による磁化反転を利用することにより、外部磁界により磁化反転を行う一般的なＭＲＡＭと比較して、素子の微細化が進んでも、書き込みの電流が増大しないという利点がある。

ところで、ＭＲＡＭの場合は、記憶素子とは別に書き込み配線（ワード線やビット線）を設けて、書き込み配線に電流を流して発生する電流磁界により、情報の書き込み（記録）を行っている。そのため、書き込み配線に、書き込みに必要となる電流量を充分に流すことができる。
一方、スピン注入による磁化反転を利用する構成のメモリ装置においては、記憶素子に流す電流によりスピン注入を行って、記憶層の磁化の向きを反転させる必要がある。
そして、このように記憶素子に直接電流を流して情報の書き込み（記録）を行うことから、書き込みを行うメモリセルを選択するために、記憶素子を選択トランジスタと接続してメモリセルを構成する。この場合、記憶素子に流れる電流は、選択トランジスタに流すことが可能な電流（選択トランジスタの飽和電流）の大きさに制限される。
このため、選択トランジスタの飽和電流以下の電流で書き込みを行う必要があり、スピン注入の効率を改善して、記憶素子に流す電流を低減する必要がある。

また、読み出し信号を大きくするためには、大きな磁気抵抗変化率を確保する必要があり、そのためには記憶層の両側に接している中間層をトンネル絶縁層（トンネルバリア層）とした記憶素子の構成にすることが効果的である。
このように中間層としてトンネル絶縁層を用いた場合には、トンネル絶縁層が絶縁破壊することを防ぐために、記憶素子に流す電流量に制限が生じる。この観点からも、スピン注入時の電流を抑制する必要がある。

この電流値を下げるためには、この電流値が記憶層の膜厚に比例し、記憶層の飽和磁化の２乗に比例するので、これら（膜厚や飽和磁化）を調節すれば良いことがわかる（例えば、非特許文献３参照)。
そして、例えば特許文献３には、記録材料の磁化量(Ｍｓ)を低減すれば、電流値を低減できることが示されている。

しかしながら、一方で、電流によって書き込まれた情報を記憶しなければ不揮発性メモリとはなり得ない。つまり、記憶層の熱揺らぎに対する安定性（熱安定性）の確保が必要である。
スピン注入による磁化反転を利用する記憶素子の場合、従来のＭＲＡＭと比較して、記憶層の体積が小さくなるので、単純に考えると熱安定性は低下する方向にある。
記憶層の熱安定性が確保されていないと、反転した磁化の向きが、熱により再反転してしまい、書き込みエラーとなってしまう。
そして、スピン注入による磁化反転を利用する記憶素子の大容量化を進めた場合、記録素子の体積は一層小さくなるので、熱安定性の確保は重要な課題となる。

そのため、スピン注入による磁化反転を利用する記憶素子において、熱安定性は非常に重要な特性である。

従って、スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させる構成の記憶素子がメモリとして存在し得るためには、スピン注入による磁化反転に必要な電流をトランジスタの飽和電流以下に減らし、また、書き込まれた情報をしっかり保持する熱安定性を確保する必要がある。

以上のように、スピン注入による磁化反転に必要な電流を低減するには、記憶層の飽和磁化量Ｍｓを低減することや、記憶層を薄くすることが考えられる。例えば、上述の特許文献３のように、記憶層の材料に、飽和磁化量Ｍｓの低い材料を使用することが有効である。しかしながら、このように、単純に飽和磁化量Ｍｓの低い材料を用いた場合、情報をしっかりと保持する熱安定性を確保することができない。
そこで本発明においては、書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子、並びにこの記憶素子を有するメモリ装置を提供することを目的とする。さらに本発明では、記憶層を構成する磁性材料が３５０℃以上の熱処理された場合でも優れた特性になる記憶素子を提供することも目的とする。

本発明の記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する。そして上記磁化固定層は、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造となっており、該上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合される積層フェリピン構造であり、上記記憶層、上記絶縁層、上記磁化固定層を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さい記憶素子である。
また上記非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造が複数形成されている記憶素子である。
さらに、上記記憶層と上記絶縁層の界面を構成する強磁性材料がＣｏ−Ｆｅ−Ｂである記憶素子である。
その場合、上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_X≦４０、６０≦Ｆｅ_Y≦１００、０＜Ｂ_Z≦３０において、(Ｃｏ_X−Ｆｅ_Y)_100-Z−Ｂ_Zである。
或いは、上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zであるようにする。

また、上記磁化固定層を構成する強磁性層の材料がＣｏ−Ｆｅ−Ｂであり、該組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、０＜Ｂ_z≦３０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである。
或いは、上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zであるようにする。

また、上記磁化固定層の上記絶縁層側の非磁性層がＴａである。

本発明のメモリ装置は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、互いに交差する２種類の配線とを備え、記憶素子は上記本発明の記憶素子の構成であり、２種類の配線の間に記憶素子が配置され、これら２種類の配線を通じて、記憶素子に積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるものである。

上述の本発明の記憶素子の構成によれば、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して中間層を介して磁化固定層が設けられ、中間層が絶縁体から成り、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われるので、積層方向に電流を流してスピン偏極した電子を注入することによって情報の記録を行うことができる。
そして、記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいことにより、記憶層が受ける反磁界が低くなっており、記憶層の磁化の向きを反転させるために必要となる、書き込み電流量を低減することができる。
一方、記憶層の飽和磁化量を低減しなくても書き込み電流量を低減することができるため、記憶層の飽和磁化量を充分な量として、記憶層の熱安定性を充分に確保することが可能になる。

特に本発明の記憶素子は、記憶層及び磁化固定層は膜面に垂直な磁化を有する。面内磁気異方性を有するものよりも垂直磁気異方性を有するものの方が低電力化、大容量化に好適である。理由は垂直磁化の方がスピントルク磁化反転の際に超えるべきエネルギバリアが低く、また垂直磁化膜の有する高い磁気異方性によって記憶層の情報保持の熱安定性が有利になるためである。

また上述の本発明のメモリ装置の構成によれば、２種類の配線の間に記憶素子が配置され、これら２種類の配線を通じて記憶素子に積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるものであることにより、２種類の配線を通じて記憶素子の積層方向に電流を流してスピン注入による情報の記録を行うことができる。
また、記憶層の飽和磁化量を低減しなくても、記憶素子の書き込み電流量を低減することが可能になるため、記憶素子に記録された情報を安定して保持すると共に、メモリ装置の消費電力を低減することが可能になる。

本発明によれば、記憶層の飽和磁化量を低減しなくても、記憶素子の書き込み電流量を低減することが可能になるため、情報保持能力である熱安定性を充分に確保して、特性バランスに優れた記憶素子を構成することができる。これにより、動作エラーをなくして、記憶素子の動作マージンを充分に得ることができる。
また特に、記憶層を構成する強磁性材料をＣｏ−Ｆｅ−Ｂとし、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_X≦４０、６０≦Ｆｅ_Y≦１００、０＜Ｂ_Z≦３０において、(Ｃｏ_X−Ｆｅ_Y)_100-Z−Ｂ_Zであると垂直磁化の記憶層の形成に好適である。
さらに、熱処理温度が３５０℃〜４５０℃程度の比較的高温となる場合を考えると、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zであるようにすると、記憶層を構成する強磁性層材料が高温熱処理でも高いトンネル磁気抵抗効果を示すことになり、好適である。
さらに、磁化固定層を積層フェリピン構造とすることにより、磁化固定層の垂直磁気異方性の強化を図ることができ記憶素子の熱安定性高めることができる。
また、磁化固定層の強磁性層の材料を記憶層と同じ材料であるＣｏ−Ｆｅ−Ｂとし、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_X≦４０、６０≦Ｆｅ_Y≦１００、０＜Ｂ_Z≦３０において、(Ｃｏ_X−Ｆｅ_Y)_100-Z−Ｂ_Zであると垂直磁化の磁化固定層の形成に好適である。
さらに、熱処理温度が３５０℃〜４５０℃程度の比較的高温となる場合を考えると、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zであるようにすると、垂直磁化の磁化固定層の形成に好適である。
これらにより、安定して動作する、信頼性の高いメモリ装置を実現することができる。
また、書き込み電流を低減して、記憶素子に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
従って、メモリ装置全体の消費電力を低減することが可能になる。

本発明の実施の形態のメモリ装置の概略構成の説明図である。実施の形態の記憶素子の断面図である。実験で用いた記憶素子の試料の層構造の説明図である。０．０９×０．１８μｍサイズの記憶層のＣｏの量と、反転電流密度との関係を示した図である。０．０９×０．１８μｍサイズの記憶層のＣｏの量と、熱安定性の指標との関係を示した図である。５０ｎｍφサイズの記憶層のＣｏの量と、熱安定性の指標との関係を示した図である。実験で用いた記憶素子の試料の層構造の説明図である。実施の形態の記憶層のＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成毎のＴＭＲの熱処理温度依存性を示す図である。実施の形態の記憶層のＣｏ−Ｆｅ−Ｂについて、Ｃｏ／Ｆｅ比でＢ濃度及び熱処理温度を変えた場合のＴＭＲ特性の測定結果を示す図である。実験で用いた記憶素子の試料の層構造を表す図である。実施の形態における固定層の積層フェリピン構造の違いと、記憶素子製造段階での温度の違いによる熱処理との関係について特性変化の実験結果を示す図である。実施の形態における固定層の積層フェリピン構造内の非磁性層の厚みの違いによる特性変化の実験結果を示す図である。従来のＭＲＡＭの構成を模式的に示した斜視図である。スピン注入による磁化反転を利用したメモリ装置の概略構成の説明図である。図１４のメモリ装置の断面図である。

以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．実施の形態の記憶素子の概要＞
＜２．実施の形態の記憶層と磁化固定層の具体的構成１＞
＜３．実施の形態の記憶層と磁化固定層の具体的構成２＞
＜４．実施の形態の磁化固定層の積層フェリピン構造＞
＜５．実施の形態に関する実験＞
＜６．変形例＞

＜１．実施の形態の記憶素子の概要＞

まず、発明の実施の形態となる記憶素子の概要について説明する。
本発明の実施の形態は、前述したスピン注入により、記憶素子の記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うものである。
記憶層は、強磁性層等の磁性体により構成され、情報を磁性体の磁化状態（磁化の向き）により保持するものである。

詳しくは後述するが、記憶素子は、例えば図２に一例を示す層構造とされ、少なくとも２つの磁性層としての記憶層１７、磁化固定層１５を備え、またその２つの磁性層の間の中間層としての絶縁層１６（トンネル絶縁層）を備える。
記憶層１７は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される。
磁化固定層１５は、記憶層１７に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する。
絶縁層１６は、非磁性体であって、記憶層１７と磁化固定層１５の間に設けられる。
そして記憶層１７、絶縁層１６、磁化固定層１５を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる。

スピン注入により磁性層（記憶層１７）の磁化の向きを反転させる基本的な動作は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）もしくはトンネル磁気抵抗効果素子（ＭＴＪ素子）から成る記憶素子に対して、その膜面に垂直な方向に、ある閾値以上の電流を流すものである。このとき、電流の極性（向き）は、反転させる磁化の向きに依存する。
この閾値よりも絶対値が小さい電流を流した場合には、磁化反転を生じない。

スピン注入によって、磁性層の磁化の向きを反転させるときに、必要となる電流の閾値Ｉｃは一般的には、
Ｉｃ＝Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ・Ｈｄ／２η
により表される。
ここで、Ａ：定数、α：スピン制動定数、η：スピン注入効率、Ｍｓ：飽和磁化量、Ｖ：記憶層の体積、Ｈｄ：実効的な反磁界である。
この式で表されるように、電流の閾値は、磁性層の体積Ｖ、磁性層の飽和磁化Ｍｓ、スピン注入効率η、スピン制動定数αを制御することにより、任意に設定することが可能である。

なお厳密には、スピントルク磁化反転によって、磁性層の磁化の向きを反転させるときに、必要となる電流の閾値Ｉｃは、磁性層の磁化容易軸が面内方向であるか、垂直方向であるかによって異なる。
本実施の形態の記憶素子は垂直磁化型であるが、従前の面内磁化型の記憶素子の場合における磁性層の磁化の向きを反転させる反転電流をＩｃ＿ｐａｒａとすると、
同方向から逆方向（なお、同方向、逆方向とは、磁化固定層の磁化方向を基準としてみた記憶層の磁化方向であり、同方向は「平行」と、逆方向は「反平行」とも表現する）に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐａｒａ＝（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（０）／Ｐ）（Ｈｋ＋２πＭｓ）
となり、逆方向から同方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐａｒａ＝−（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（π）／Ｐ）（Ｈｋ＋２πＭｓ）
となる。

一方、本例のような垂直磁化型の記憶素子の反転電流をＩｃ＿ｐｅｒｐとすると、同方向から逆方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐｅｒｐ＝（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（０）／Ｐ）（Ｈｋ−４πＭｓ）
となり、逆方向から同方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐｅｒｐ＝−（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（π）／Ｐ）（Ｈｋ−４πＭｓ）
となる。

ただし、Ａは定数、αはダンピング定数、Ｍｓは飽和磁化、Ｖは素子体積、Ｐはスピン分極率、ｇ（０）、ｇ（π）はそれぞれ同方向時、逆方向時にスピントルクが相手の磁性層に伝達される効率に対応する係数、Ｈｋは磁気異方性である（非特許文献４参照）。

上記各式において、垂直磁化型の場合の（Ｈｋ−４πＭｓ）と面内磁化型の場合の（Ｈｋ＋２πＭｓ）とを比較すると、垂直磁化型が低記録電流化により適していることが理解できる。

本例の記憶素子は、トンネル磁気抵抗効果による抵抗の差で情報の読み出しを行う。つまり、トンネル磁気抵抗効果が大きい場合に出力も大きくなる。トンネル磁気抵抗効果ＴＭＲは、スピン分極率：Ｐを用いて式（１）により表される。

ここで、Ｐ１は固定層のスピン分極率、Ｐ２は記録層のスピン分極率である。式（１）において、スピン分極率が大きいときに、ＴＭＲが大きくなることが理解できる。
そして、反転電流の式との比較により、低電流化と高出力化（＝高ＴＭＲ化）が両立する関係であることも分かる。

本実施の形態では、磁化状態により情報を保持することができる磁性層（記憶層１７）と、磁化の向きが固定された磁化固定層１５とを有する記憶素子を構成する。
メモリとして存在し得るためには、書き込まれた情報を保持することができなければならない。情報を保持する能力の指標として、熱安定性の指標Δ（＝ＫＶ／ｋ_BＴ）の値で判断される。このΔは、下記式（２）により表される。

ここで、Ｈｋ：実効的な異方性磁界、ｋ_B：ボルツマン定数、Ｔ：温度、Ｍｓ：飽和磁化量、Ｖ：記憶層の体積である。

実効的な異方性磁界Ｈｋには、形状磁気異方性、誘導磁気異方性、結晶磁気異方性等の影響が取り込まれており、単磁区のコヒーレントローテンションモデルを仮定した場合、保磁力と同等である。

熱安定性の指標Δと電流の閾値Ｉｃとは、トレードオフの関係になることが多い。そのため、メモリ特性を維持するには、これらの両立が課題となることが多い。

記憶層１７の磁化状態を変化させる電流の閾値は、実際には、例えば記憶層１７の厚さが２ｎｍであり、平面パターンが１００ｎｍ×１５０ｎｍの略楕円形のＴＭＲ素子において、＋側の閾値＋Ｉｃ＝＋０．５ｍＡであり、−側の閾値−Ｉｃ＝−０．３ｍＡであり、その際の電流密度は約３．５×１０⁶Ａ／ｃｍ²である。これらは、上記のＩｃの式）にほぼ一致する。

これに対して、電流磁場により磁化反転を行う通常のＭＲＡＭでは、書き込み電流が数ｍＡ以上必要となる。
従って、スピン注入によって磁化反転を行う場合には、上述のように書き込み電流の閾値が充分に小さくなるため、集積回路の消費電力を低減させるために有効であることが分かる。
また、通常のＭＲＡＭで必要とされる、電流磁界発生用の配線（図１３の配線１０５）が不要となるため、集積度においても通常のＭＲＡＭに比較して有利である。

そして、スピン注入により磁化反転を行う場合には、記憶素子に直接電流を流して情報の書き込み（記録）を行うことから、書き込みを行うメモリセルを選択するために、記憶素子を選択トランジスタと接続してメモリセルを構成する。
この場合、記憶素子に流れる電流は、選択トランジスタで流すことが可能な電流（選択トランジスタの飽和電流）の大きさによって制限される。

選択トランジスタの飽和電流よりも、スピン注入による磁化反転の電流の閾値Ｉｃを小さくするためには、上記Ｉｃの式より、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓを減らせば良いことがわかる。
しかし、単純に飽和磁化量Ｍｓを減らした場合（例えば、特許文献３）には、記憶層１７の熱安定性が著しく損なわれ、メモリとしての機能を果せなくなる。
メモリを構成するためには、熱安定性の指標Δがある程度以上の大きさである必要がある。

そこで、本願の発明者等が種々の検討を行った結果、記憶層１７を構成する強磁性層として、例えばＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成を選定することにより、記憶層１７が受ける実効的な反磁界（Ｍeffective）の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなることを見出した。
上述の強磁性材料を用いることにより、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さい構成となる。
これにより、記憶層１７が受ける反磁界を小さくすることができるので、式（２）により表される熱安定性Δを損ねることなく、上記Ｉｃの式により表される電流の閾値Ｉｃを低減する効果が得られる。
さらに、発明者らは、上記の選定されたＣｏ−Ｆｅ−Ｂ組成の内、限られた組成範囲において、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂが膜面垂直方向に磁化し、それにより、Ｇｂｉｔクラスの容量を実現可能な極微小記録素子においても十分な熱安定性が確保可能であることを見出した。
従って、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入型磁化反転メモリにおいて熱安定性を保った状態で、低電流で情報の書き込みができる、という安定したメモリの形成を可能にする。

本実施の形態では、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さい構成、即ち、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓに対する実効的な反磁界の大きさの比の値を１より小さくする。

さらに、選択トランジスタの飽和電流値を考慮して、記憶層１７と磁化固定層１５との間の非磁性の中間層として、絶縁体から成るトンネル絶縁層（絶縁層１６）を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成する。
トンネル絶縁層を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成することにより、非磁性導電層を用いて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を構成した場合と比較して、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができ、読み出し信号強度を大きくすることができるためである。

そして、特に、このトンネル絶縁層１６の材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いることにより、これまで一般的に用いられてきた酸化アルミニウムを用いた場合よりも、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができる。
また、一般に、スピン注入効率はＭＲ比に依存し、ＭＲ比が大きいほど、スピン注入効率が向上し、磁化反転電流密度を低減することができる。
従って、中間層であるトンネル絶縁層１６の材料として酸化マグネシウムを用い、同時に上記の記憶層１７を用いることにより、スピン注入による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
これにより、ＭＲ比（ＴＭＲ比）を確保して、スピン注入による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。

このようにトンネル絶縁層１６を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜により形成する場合には、ＭｇＯ膜が結晶化していて、００１方向に結晶配向性を維持していることがより望ましい。

なお、本実施の形態において、記憶層１７と磁化固定層１５との間の中間層（トンネル絶縁層１６）は、酸化マグネシウムから成る構成とする他にも、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ₂、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂、ＣａＦ、ＳｒＴｉＯ₂、ＡｌＬａＯ₃、Ａｌ−Ｎ−Ｏ等の各種の絶縁体、誘電体、半導体を用いて構成することもできる。

トンネル絶縁層１６の面積抵抗値は、スピン注入により記憶層１７の磁化の向きを反転させるために必要な電流密度を得る観点から、数十Ωμｍ²程度以下に制御する必要がある。
そして、ＭｇＯ膜から成るトンネル絶縁層１６では、面積抵抗値を上述の範囲とするために、ＭｇＯ膜の膜厚を１．５ｎｍ以下に設定する必要がある。

また、記憶層１７の磁化の向きを、小さい電流で容易に反転できるように、記憶素子を小さくすることが望ましい。
従って、好ましくは、記憶素子の面積を０．０１μｍ²以下とする。

なお、本実施の形態における記憶層１７は組成の異なる他の強磁性層を直接積層させることも可能である。また、強磁性層と軟磁性層とを積層させたり、複数層の強磁性層を軟磁性層や非磁性層を介して積層させたりすることも可能である。このように積層させた場合でも、本発明でいう効果が得られる。
特に複数層の強磁性層を非磁性層に介して積層させた構成としたときには、強磁性層の層間の相互作用の強さを調整することが可能になるため、記憶素子の寸法がサブミクロン以下になっても、磁化反転電流が大きくならないように抑制することが可能になるという効果が得られる。この場合の非磁性層の材料としては、Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂまたはそれらの合金を用いることができる。

磁化固定層１５及び記憶層１７は、一方向の異方性を有していることが望ましい。
また、磁化固定層１５及び記憶層１７のそれぞれの膜厚は、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。

記憶素子のその他の構成は、スピン注入により情報を記録する記憶素子の従来公知の構成と同様とすることができる。

磁化固定層１５は、強磁性層のみにより、或いは反強磁性層と強磁性層の反強磁性結合を利用することにより、その磁化の向きが固定された構成とすることが出来る。
また、磁化固定層１５は、単層の強磁性層から成る構成、或いは複数層の強磁性層を非磁性層を介して積層した積層フェリピン構造とすることが出来る。
積層フェリピン構造の磁化固定層１５を構成する強磁性層の材料としては、Ｃｏ，ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ等を用いることができる。また、非磁性層の材料としては、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ等を用いることができる。

反強磁性層の材料としては、ＦｅＭｎ合金、ＰｔＭｎ合金、ＰｔＣｒＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金、ＩｒＭｎ合金、ＮｉＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃等の磁性体を挙げることができる。
また、これらの磁性体に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素を添加して、磁気特性を調整したり、その他の結晶構造や結晶性や物質の安定性等の各種物性を調整したりすることができる。

また、記憶素子の膜構成は、記憶層１７が磁化固定層１５の下側に配置される構成でも、下側に配置される構成でも全く問題はない。さらには、磁化固定層１５が記憶層１７の上下に存在する、いわゆるデュアル構造でも全く問題ない。

なお、記憶素子の記憶層１７に記録された情報を読み出す方法としては、記憶素子の記憶層１７に薄い絶縁膜を介して、情報の基準となる磁性層を設けて、絶縁層１６を介して流れる強磁性トンネル電流によって読み出してもよいし、磁気抵抗効果により読み出してもよい。

＜２．実施の形態の記憶層と磁化固定層の具体的構成１＞

続いて、本発明の実施の形態の１つの具体的構成について説明する。
１つの具体的構成としてのメモリ装置の概略構成図（斜視図）を図１に示す。
このメモリ装置は、互いに直交する２種類のアドレス配線（例えばワード線とビット線）の交点付近に、磁化状態で情報を保持することができる記憶素子３が配置されて成る。
即ち、シリコン基板等の半導体基体１０の素子分離層２により分離された部分に、各メモリセルを選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域８、ソース領域７、並びにゲート電極１が、それぞれ形成されている。このうち、ゲート電極１は、図中前後方向に延びる一方のアドレス配線（例えばワード線）を兼ねている。
ドレイン領域８は、図中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域８には、配線９が接続されている。

そして、ソース領域７と、上方に配置された、図中左右方向に延びる他方のアドレス配線（例えばビット線）６との間に、記憶素子３が配置されている。この記憶素子３は、スピン注入により磁化の向きが反転する強磁性層から成る記憶層を有する。
また、この記憶素子３は、２種類のアドレス配線１，６の交点付近に配置されている。
この記憶素子３は、ビット線６と、ソース領域７とに、それぞれ上下のコンタクト層４を介して接続されている。
これにより、２種類のアドレス配線１，６を通じて、記憶素子３に上下方向の電流を流して、スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させることができる。

また、本実施の形態のメモリ装置の記憶素子３の断面図を図２に示す。
図２に示すように、この記憶素子３は、下層側から順に、下地層１４、磁化固定層１５、絶縁層１６、記憶層１７、キャップ層１８が積層されている。

この場合、スピン注入により磁化Ｍ１７の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層１５を設けている。
スピン注入型磁化反転メモリにおいては、記憶層１７の磁化Ｍ１７と磁化固定層１５の磁化Ｍ１５の相対的な角度によって情報の「０」「１」を規定している。
記憶層１７と磁化固定層１５との間には、トンネルバリア層（トンネル絶縁層）となる絶縁層１６が設けられ、記憶層１７と磁化固定層１５とにより、ＭＴＪ素子が構成されている。
また、磁化固定層１５の下には下地層１４が形成され、記憶層１７の上にはキャップ層１８が形成されている。

記憶層１７は、磁化Ｍ１７の方向が層面垂直方向に自由に変化する磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。磁化固定層１５は、磁化Ｍ１５が膜面垂直方向に固定された磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。
情報の記憶は一軸異方性を有する記憶層１７の磁化の向きにより行う。書込みは、膜面垂直方向に電流を印加し、スピントルク磁化反転を起こすことにより行う。このように、スピン注入により磁化の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層１５が設けられ、記憶層１４の記憶情報（磁化方向）の基準とされる。
本実施の形態では、記憶層１７、磁化固定層１５としてはＣｏ−Ｆｅ−Ｂを用いる。
特に、そのＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、０＜Ｂ_z≦３０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zとする。

磁化固定層１５は情報の基準であるので、記録や読み出しによって磁化の方向が変化してはいけないが、必ずしも特定の方向に固定されている必要はなく、記憶層１７よりも保磁力を大きくするか、膜厚を厚くするか、あるいは磁気ダンピング定数を大きくして記憶層１７よりも動きにくくすればよい。
磁化を固定する場合にはＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性体を磁化固定層１５に接触させるか、あるいはそれらの反強磁性体に接触した磁性体をＲｕ等の非磁性体を介して磁気的に結合させ、磁化固定層１５を間接的に固定しても良い。

本実施の形態においては、特に、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるように、記憶素子３の記憶層１７の組成が調整されていることを特徴とする。
即ち、前述したように、記憶層１７の強磁性材料Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ組成を選定し、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさを低くして、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるようにする。

さらに、本実施の形態において、中間層である絶縁層１６を、酸化マグネシウム層とした場合には、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を高くすることができる。
このようにＭＲ比を高くすることによって、スピン注入の効率を向上して、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きを反転させるために必要な電流密度を低減することができる。

本実施の形態の記憶素子３は、下地層１４からキャップ層１８までを真空装置内で連続的に形成して、その後エッチング等の加工により記憶素子３のパターンを形成することにより、製造することができる。

上述の本実施の形態によれば、記憶素子３の記憶層１７が、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるように構成されているので、記憶層１７が受ける反磁界が低くなっており、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要となる、書き込み電流量を低減することができる。
一方、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓを低減しなくても書き込み電流量を低減することができるため、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓを充分な量として、記憶層１７の熱安定性を充分に確保することが可能になる。

このように、情報保持能力である熱安定性を充分に確保することができるため、特性バランスに優れた記憶素子３を構成することができる。
これにより、動作エラーをなくして、記憶素子３の動作マージンを充分に得ることができ、記憶素子３を安定して動作させることができる。
従って、安定して動作する、信頼性の高いメモリ装置を実現することができる。

また、書き込み電流を低減して、記憶素子３に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
従って、本実施の形態の記憶素子３によりメモリセルを構成した、メモリ装置全体の消費電力を低減することが可能になる。

従って、情報保持特性が優れた、安定して動作する信頼性の高いメモリ装置を実現することができ、記憶素子３を備えたメモリ装置において、消費電力を低減することができる。

また、図２に示した記憶素子３を備える、図１に示した構成のメモリ装置は、メモリ装置を製造する際に、一般の半導体ＭＯＳ形成プロセスを適用できるという利点を有している。
従って、本実施の形態のメモリ装置を、汎用メモリとして適用することが可能になる。

＜３．実施の形態の記憶層と磁化固定層の具体的構成２＞

実施の記憶層と磁化固定層の別の具体的構成について説明する。なお本実施の形態のメモリ装置及び記憶素子３の構成例は図１，図２と同様であるため、その重複説明は避ける。
この実施の形態は、上記具体的構成１の形態と同じく、記憶層１７、磁化固定層１５としてＣｏ−Ｆｅ−Ｂを用いるが、そのＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zとするものである。

半導体デバイスであるスピン注入型磁化反転メモリの製造を考えた場合、記憶素子３を構成する磁性材料は半導体プロセスが許容する温度範囲で優れた特性を発揮することが望まれる。
例えば、Ｓｉ基板からすべての工程を経て、チップになるまでの間に行われる半導体プロセスで加わる熱負荷は、３５０度以上になることがあるため、それを考慮すると、記憶素子３を構成する磁性材料は３５０度以上の熱処理をしたときでも優れた特性になる必要がある。
また、他方、メモリ装置の動作に必要なトランジスタは通常、例えば４５０度以上の高温にさらされると特性が劣化してしまう。このため４５０度、５００度などの高温で加熱した状態で優れた特性を示す磁性材料も好適ではない。

したがって、スピン注入型磁化反転メモリの製造を考えた場合、記憶素子３を構成する磁性材料は概ね３５０度以上から４５０度未満程度の温度範囲で良好な特性を示すことが必要である。

半導体プロセスとの熱的な親和性の観点から考えると、一般的な垂直磁化材料は２５０度以上の高温で磁気およびＴＭＲ特性を劣化させる、もしくは５００度以上の高温において磁気特性が出現することが多いため、垂直磁化膜は取り扱いが難しい。
しかしながら、上述のように垂直磁化膜は大容量、低消費電力化に適している。従って、半導体プロセスと親和性の高い熱処理条件で低反転電流かつ高出力な特性を示すスピン注入型磁化反転メモリ用の垂直磁化膜を開発することは重要である。
そこで第２の実施の形態は、上述のように大容量、低消費電力化に適した垂直磁気異方性を有する記録素子３を用いたメモリ装置において、熱処理温度が３５０度以上、４５０度未満の範囲で大きな磁気抵抗変化率を確保する必要がある、という認識に基づくものである。

上述のように記録電流を低減させるためには、垂直磁化型を採用することが望ましい。また垂直磁化膜は一般に面内磁化膜よりも高い磁気異方性を持たせることが可能であるため、上述の熱安定性Δを大きく保つ点でも好ましい。

垂直異方性を有する磁性材料には希土類−遷移金属合金（ＴｂＣｏＦｅなど）、金属多層膜（Ｃｏ／Ｐｄ多層膜など）、規則合金（ＦｅＰｔなど）、酸化物と磁性金属の間の界面異方性の利用（Ｃｏ／ＭｇＯなど）等いくつかの種類があるが。しかし、希土類−遷移金属合金は加熱により拡散、結晶化すると垂直磁気異方性を失うため、スピン注入型磁化反転メモリ用材料としては好ましくない。また金属多層膜も加熱により拡散し、垂直磁気異方性が劣化することが知られており、さらに垂直磁気異方性が発現するのは面心立方の（１１１）配向となっている場合であるため、ＭｇＯやそれに隣接して配置するＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢなどの高分極率層に要求される（００１）配向を実現させることが困難となる。
Ｌ１０規則合金は高温でも安定であり、かつ（００１）配向時に垂直磁気異方性を示すことから、上述のような問題は起こらないものの、製造時に５００℃以上の十分に高い温度で加熱する、あるいは製造後に５００℃以上の高温で熱処理を行うことで原子を規則配列させる必要があり、半導体プロセスとの親和性が低い。かつ、トンネルバリア等積層膜の他の部分における好ましくない拡散や界面粗さの増大を引き起こす可能性がある。

これに対し、界面磁気異方性を利用した材料、すなわちトンネルバリアであるＭｇＯ上にＣｏ系あるいはＦｅ系材料を積層させたものは上記いずれの問題も起こり難く、このためスピン注入型磁化反転メモリの記憶層材料として有望視されている。

そこで、本願の発明者等が種々の検討を行った結果、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂで構成される磁性材料であり、組成が０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０、［(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_z］の範囲にある場合、熱処理温度を３５０度以上にした状態でも、上記の反転電流を表す式中のスピン分極率Ｐを高く保つことが出来ることを見出した。
高出力素子はスピン分極率Ｐが高いことから、本実施の形態によれば低反転電流化も可能である。
さらに、高い磁気異方性を有する垂直磁化材料を用いることで、熱安定性を犠牲にすることなく、高出力かつ低消費電力なスピン注入型の磁化反転素子（記憶素子３）が提供可能になる。

第２の実施の形態のメモリ装置及び記憶素子３の構成は、上記図１，図２と同様であるが、記憶素子３の記憶層１７が上記組成のものとなる。
つまり第２の実施の形態の記録素子によれば、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、記憶層１７に対して、中間層である絶縁層１６を介して磁化固定層１５が設けられる。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、膜面垂直方向に磁化した記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる。ここで記憶層１７を構成する強磁性層材料として例えば上記組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂを用いることにより、高温熱処理でも高いトンネル磁気抵抗効果かつ低反転電流の特性を得ることができる。
これにより高温熱処理でも高出力、かつ低電流での磁化反転を可能とする。

またこの記憶素子３を用いたメモリ装置は、２種類の配線（図１の配線１，６）を通じて、記憶素子３に積層方向の電流が流れ、スピントランスファが起こることにより、２種類の配線を通じて記憶素子３の積層方向に電流を流してスピントルク磁化反転による情報の記録を行うことができる。

このような第２の実施の形態では、高温熱処理でも高出力かつ低電流動作といった特性が得られるため、特性バランスに優れた記憶素子３を構成することができる。
また、高い磁気異方性を有する垂直磁化膜を用いているため、情報の熱安定性が低下することも無い。
これにより、動作エラーをなくして、記憶素子３の動作マージンを充分に得ることができ、記憶素子３を安定して動作させることができる。
また、３５０度以上４５０度未満の高温熱処理ですぐれた特性を示す材料であるため、半導体プロセスとの親和性が高い。
また、記録素子３に対する書き込み電流が低減されることにより、記録素子の消費電力を低減することが可能となる
従って、本実施の形態の記憶素子３によりメモリセルを構成した、メモリ全体の消費電力を低減することが可能になる。
従って、安定して動作する、信頼性の高いメモリを実現することができる。

また、図２に示した記憶素子３を備え、図１に示した構成のメモリは、メモリを製造する際に、一般の半導体ＭＯＳ形成プロセスを適用できるという利点を有している。
従って、本実施の形態のメモリを、汎用メモリとして適用することが可能になる。
なお磁化固定層１５についても、上記組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂとしてもよい。

またこの具体例２の実施の形態においても、中間層である絶縁層１６を、酸化マグネシウム層とした場合には、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を高くすることができる。
ＭＲ比を高くすることによって、スピン注入の効率を向上して、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要な電流密度をさらに低減することができる。

また記憶素子３は、下地層１４からキャップ層１８までを真空装置内で連続的に形成して、その後エッチング等の加工により記憶素子３のパターンを形成することにより、製造することができる。

＜４．実施の形態の磁化固定層の積層フェリピン構造＞

実施の形態の磁化固定層の積層フェリピン構造について説明する。なお本実施の形態のメモリ装置及び記憶素子３の構成例は図１，図２と同様であるため、その重複説明は避ける。

磁化固定層１５は、記憶層１７による記憶情報の記憶の基準とされる。したがって、磁化固定層１５は記憶層１７への記録又は記憶層１７からの読み出しによって磁化の方向が変化しなければよく、必ずしも特定の方向に磁化の方向が固定されている必要はない。

磁化固定層１５の磁気的特性は、その保持力を記憶層１７より大きくするか、膜厚を厚くするか、あるいは磁気ダンピング定数を大きくしその磁化特性が記憶層１７の磁化特性より動きにくくすればよい。

磁化固定層１５の磁化を安定的に固定するために磁化固定層１５の構造を積層フェリピン構造とすることが考えられる。すなわち、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造とし、上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合されるものとする。磁気的に反平行に結合された、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込んだものを複数重ねた構造でもよい。
これにより、磁化固定層１５に起因する漏洩磁界を遮断するとともに磁化固定層１５の垂直磁気異方性の強化を図ることができる。
非磁性層の材料としては、すでに述べたとおりＲｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ等を用いることができる。

強磁性層の材料としてＣｏ−Ｆｅ−Ｂを用いることができる。Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_X≦４０、６０≦Ｆｅ_Y≦１００、０＜Ｂ_Z≦３０において、(Ｃｏ_X−Ｆｅ_Y)_100-Z−Ｂ_Zであると垂直磁化の磁化固定層の形成に好適である。
また、熱処理温度が３５０℃〜４５０℃程度の比較的高温となる場合を考えると、強磁性層の材料としてＣｏ−Ｆｅ−Ｂとし、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、０≦Ｃｏ_X≦４０、６０≦Ｆｅ_Y≦１００、０＜Ｂ_Z≦３０において、(Ｃｏ_X−Ｆｅ_Y)_100-Z−Ｂ_Zであると垂直磁化の磁化固定層の形成に好適である。

複数の、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込んだ構造のうち、絶縁層側の挟み込む構造を構成している非磁性層の材料をＴａとすることは好適である。
また、Ｔａに限定せず、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂまたはこれらの合金を用いることができる。これらを用いて磁気特性を調整することができる。

＜５．実施の形態に関する実験＞

ここで、本実施の形態の記憶素子の構成において、具体的に記憶層１７を構成する強磁性層の材料を選定することにより、記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさを調整して、記憶素子の試料を作製し、その特性を調べた。

実際のメモリ装置には、図１に示したように、記憶素子３以外にもスイッチング用の半導体回路等が存在するが、ここでは、記憶層１７の磁化反転特性を調べる目的で、記憶素子のみを形成したウェハにより検討を行った。

［実験１］
厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に図２に示した構成の記憶素子３を形成した。
具体的には、図２に示した構成の記憶素子３において、各層の材料及び膜厚を図３に示すように選定した。
・下地層１４：膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚２５ｎｍのＲｕ膜の積層膜
・磁化固定層１５：膜厚２．５ｎｍのＣｏＦｅＢ膜
・トンネル絶縁層１６：膜厚０．９ｎｍの酸化マグネシウム膜
・記憶層１７：磁化固定層と同じ組成のＣｏＦｅＢ膜
・キャップ層１８：膜厚３ｎｍのＴａ膜、膜厚３ｎｍのＲｕ膜、膜厚３ｎｍのＴａ膜の積層膜
このように各層を選定し、また下地層１４とシリコン基板との間に図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（後述するワード線となるもの）を設けた。
上記膜構成で、記憶層１７の強磁性層は、材質をＣｏ−Ｆｅ−Ｂの３元系合金とし、強磁性層の膜厚を２．０ｎｍに固定した。

酸化マグネシウム膜から成る絶縁層１６以外の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜から成る絶縁層１６は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
さらに、記憶素子３の各層を成膜した後に、磁場中熱処理炉で加熱処理を行った。

次に、ワード線部分をフォトリソグラフィによってマスクした後に、ワード線以外の部分の積層膜に対してＡｒプラズマにより選択エッチングを行うことにより、ワード線（下部電極）を形成した。
この際に、ワード線部分以外は、基板の深さ５ｎｍまでエッチングされた。

その後、電子ビーム描画装置により記憶素子３のパターンのマスクを形成し、積層膜に対して選択エッチングを行い、記憶素子３を形成した。記憶素子３部分以外は、ワード線のＣｕ層直上までエッチングした。
なお、特性評価用の記憶素子には、磁化反転に必要なスピントルクを発生させるために、記憶素子に充分な電流を流す必要があるため、トンネル絶縁層の抵抗値を抑える必要がある。そこで、記憶素子３のパターンを、短軸０．０９μｍ×長軸０．１８μｍの楕円形状として、記憶素子３の面積抵抗値（Ωμｍ²）が２０Ωμｍ²となるようにした。

次に、記憶素子３部分以外を、厚さ１００ｎｍ程度のＡｌ₂Ｏ₃のスパッタリングによって絶縁した。
その後、フォトリソグラフィを用いて、上部電極となるビット線及び測定用のパッドを形成した。
このようにして、記憶素子３の試料を作製した。

そして、上述の製造方法により、それぞれ記憶層１７の強磁性層のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成を変えた、記憶素子３の各試料を作製した。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、ＣｏＦｅとＢとの組成比（原子％）を８０：２０に固定して、ＣｏＦｅ中のＣｏの組成比ｘ（原子％）を、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、０％と変化させた。

以上、作製した記憶素子３の各試料に対して、それぞれ以下のようにして、特性の評価を行った。
測定に先立ち、反転電流のプラス方向とマイナス方向の値を対称になるように制御することを可能にするため、記憶素子３に対して、外部から磁界を与えることができるように構成した。
また、記憶素子３に印加される電圧が、絶縁層１６が破壊しない範囲内の１Ｖまでとなるように設定した。

（飽和磁化量の測定）
飽和磁化量Ｍｓを、試料振動型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer）を使用した、ＶＳＭ測定によって、測定した。

（実効的な反磁界の測定）
実効的な反磁界の測定用の試料として、上述した記憶素子３の試料とは別に、記憶素子３を構成する各層を形成し、これを２０ｍｍ×２０ｍｍ角の平面パターンに形成した試料を作製した。
そして、ＦＭＲ（Ferromagnetic Resonance）測定によって、実効的な反磁界の大きさＭeffectiveを求めた。
このＦＭＲ測定によって求められる、任意の外部磁場Ｈｅｘに対する共鳴周波数ｆＦＭＲは、下記の式（３）で与えられる。

ここで、式（３）中のＭeffectiveは、４πＭeffective＝４πＭｓ−Ｈ⊥（Ｈ⊥：膜面に垂直な方向の異方性磁界）で表すことができる。

（反転電流値及び熱安定性の測定）
本実施の形態による記憶素子３の書き込み特性を評価する目的で、反転電流値の測定を行った。
記憶素子３に１０μｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の記憶素子３の抵抗値を測定した。
さらに、記憶素子３に流す電流量を変化させて、この記憶素子３の記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きが反転する電流値を求めた。この電流値のパルス幅依存性をパルス幅１ｎｓに外挿した値を、反転電流値とした。
また、反転電流値のパルス幅依存性の傾きは、記憶素子３の前述した熱安定性の指標（Δ）に対応する。反転電流値がパルス幅によって変化しない（傾きが小さい）ほど、熱の擾乱に強いことを意味する。
そして、記憶素子３間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子３を２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。
さらに、測定により得られた反転電流値の平均値と、記憶素子３の平面パターンの面積とから、反転電流密度Ｊｃ０を算出した。

記憶素子３の各試料について、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成と、飽和磁化量Ｍｓ及び実効的な反磁界の大きさＭeffectiveの測定結果、さらに飽和磁化量と実効的な反磁界の大きさとの比Ｍeffective／Ｍｓを表１に示す。ここで、表１に記載の記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量は原子％で示している。

表１から、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀のＣｏ量ｘが７０％以下の場合においては、実効的な反磁界の大きさ（Ｍeffective）は飽和磁化量Ｍｓよりも小さく、つまり、Ｃｏ量ｘが７０％以下のときの比Ｍeffective／はＭｓ、１．０より小さな値になっている。
さらに、Ｃｏ量ｘが小さくなるほど、ＭeffectiveとＭｓの差が大きくなっていることが確認できる。

反転電流値の測定結果を図４に示し、熱安定性の指標の測定結果を図５に示す。
図４は、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量ｘ（ＣｏＦｅ中の含有量；原子％）と、反転電流値から求めた反転電流密度Ｊｃ０との関係を示している。
図５は、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量（ＣｏＦｅ中の含有量；原子％）と、熱安定性の指標Δ（ＫＶ／ｋ_BＴ）との関係を示している。

図４より、Ｃｏ量ｘが小さくになるにつれて、反転電流密度Ｊｃ０が小さくなっていくことがわかる。
これは、Ｃｏ量ｘが小さくなった場合、飽和磁化量Ｍｓは増加するが実効的な反磁界Ｍeffectiveが小さくなるために、両者の積（Ｍｓ×Ｍeffective）としては小さくなることに起因する。

図５より、Ｃｏ量ｘが小さくなるにつれて、熱安定性の指標Δ（＝ＫＶ／ｋ_BＴ）が大きくなっていき、Ｃｏ量ｘがある程度以上小さくなると熱安定性の指標Δが大きい値で安定することが分かる。
これは、図５に示した飽和磁化量Ｍｓの測定結果と、式（２）より熱安定性の指標Δが飽和磁化量Ｍｓに比例することとから予想される変化とよく一致している。

表１、図４、図５の結果より、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなる、Ｃｏ量ｘが７０％以下の組成において、Ｍｓを下げるといった熱安定性を犠牲にする手法を用いずに、高い熱安定性を有したまま、反転電流値Ｊｃ０を低減できることが明らかになった。

［実験２］
上記の［実験１］により、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀の場合、Ｃｏ量ｘが７０％以下の組成で高い熱安定性を有したまま、反転電流値Ｊｃ０を低減できることがわかった。
そこで、［実験２］において（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）₈₀Ｂ_z、および（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）₈₀Ｂ_z組成の記憶層１７を用いて、Ｂ量ｚがＣｏとＦｅの比とＭeffective／Ｍｓにどのような影響を与えるかを調べた。試料の詳細は［実験１]と同様である。

表２に（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）_100-zＢ_zで、Ｂ量ｚ（原子％）を５〜４０％としたＣｏＦｅＢ合金の組成と、飽和磁化量Ｍｓ及び実効的な反磁界の大きさＭeffectiveの測定結果、さらに飽和磁化量と実効的な反磁界の大きさとの比Ｍeffective／Ｍｓを示す。
また表３には、（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）_100-zＢ_zの場合で、同様に、Ｂ量ｚ（原子％）を５〜４０％としたＣｏＦｅＢ合金の組成と、飽和磁化量Ｍｓ、実効的な反磁界の大きさＭeffective、比Ｍeffective／Ｍｓを示している。

表２の結果より、（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）_100-zＢ_zのようにＣｏとＦｅの比を７０／３０で固定した場合、Ｂ量ｚ＝４０原子％以外の組成では実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなっていることが確認できる。

表３の結果より、（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）_100-zＢ_zのようにＣｏとＦｅの比を８０／２０で固定した場合、いずれの組成においても実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより大きくなっていることが確認できる。

上述の表１〜３の結果より、Ｂ量ｚが３０原子％以下の範囲であれば、飽和磁化量Ｍｓと実効的な反磁界Ｍeffectiveの大小関係はＣｏとＦｅの比で決定されることが明らかになった。
従って、記憶層１７の実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、
０≦Ｃｏ_x≦７０、
３０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである。

［実験３］
Ｇｂｉｔクラスのスピン注入型磁化反転メモリでは、記録素子のサイズが１００ｎｍφ以下になることが想定される。そこで、［実験３］において、５０ｎｍφのサイズの記録素子を用いて、熱安定性を評価した。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、ＣｏＦｅとＢとの組成比（原子％）を８０：２０に固定して、ＣｏＦｅ中のＣｏの組成比ｘ（原子％）を、９０％、８０％、７０％、６０％、５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、０％と変化させた。
素子サイズ以外の試料の詳細は［実験１］と同様である。

記録素子３のサイズが５０ｎｍφの場合のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＣｏ量（ＣｏＦｅ中の含有量；原子％）と熱安定性の指標Δ（ＫＶ／ｋ_BＴ）の関係を図６に示す。

図６より、素子サイズが５０ｎｍφになったことにより、熱安定性指数ΔのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成依存性が、図４に示した短軸０．０９μｍ×長軸０．１８μｍの楕円形状記録素子で得られたΔのＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成依存性から大きく変化したことが分かる。

図６によると、Ｆｅが６０原子％以上存在するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成の場合にのみ、高い熱安定性が保持されている。
種々の検討を行った結果、Ｆｅが６０原子％以上存在するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金が極微小な記録素子において高い熱安定性Δを示す理由は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の磁化が膜面面直方向を向いていることに起因していることが明らかになった。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の磁化が膜面面直方向になっている理由は、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより著しく小さい組成であることに起因していると思われる。
また、垂直磁化膜になると極微小素子においても熱安定性が保たれる理由は、式（２）中のＨｋ[実効的な異方性磁界]に関係しており、垂直磁化膜のＨｋは一般的に面内磁化膜よりも遥かに大きな値になる。つまり、垂直磁化膜では、大きなＨｋの効果により、面内磁化膜では十分な熱安定性Δを確保できない極微小な素子においても高い熱安定性Δを保つことが出来る。
上記の実験結果から、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀という組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金では、Ｆｅ_100-xが６０以上になる場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入を利用したメモリ装置に好適となるといえる。

［実験４］
上記［実験３］において、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀という組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金では、Ｆｅ量が６０以上になる場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入を利用したメモリ装置に好適となることを示した。［実験４］では、さらに、Ｂ量を５〜３０原子％の範囲のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金で５０ｎｍφのサイズの記録素子を作製し、熱安定性を評価した。
素子サイズ以外の試料の詳細は［実験１］と同様である。

Ｃｏ量ｘ＝５０、４０、３０、２０、１０、０およびＢ量ｚ＝５、１０、２０、３０という範囲における（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）_100-zＢ_zという組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金と熱安定性の指標Δ（ＫＶ／ｋ_BＴ）の関係を表４に示す。

表４より、Ｃｏ量ｘ＝５０かつＢ量ｚ＝５〜３０の場合を除いたすべての組成において熱安定性Δが大きく保たれていることが分かる。
つまり、［実験４］の結果と同様に、Ｃｏ量ｘ＝５０と６０がＧｂｉｔクラスのスピン注入型磁化反転メモリに対応した極微小素子で高い熱安定性を確保する際の境界線になることが明らかになった。

従って、上記の結果より、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、
６０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入型磁化反転メモリを作製するのに好適であることが判明した。

なおＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金は、ＣｏとＦｅ比のＦｅが大きい組成において、実効的な反磁界Ｍeffectiveと飽和磁化量Ｍｓの乖離が大きくなり、垂直磁化し易くなるため、熱安定性が確保し易くなる。
そのため、磁気メモリの容量が増加し、記憶素子３のサイズが小さくなったときはＦｅを多く含むＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の方が熱安定性を確保し易くなる。
そこで、例えば、Ｆｅ_yが６０、７０ｎｍφの記憶層１７でＧｂｉｔクラスのスピン注入型磁気メモリが実現できている状況を考えると、記憶素子３の直径が５ｎｍφ小さくなる毎にＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金のＦｅ量ｙは５ずつ増えた状態になっていることが望ましい。
例えばＦｅ量ｙは、上記の(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zの場合において、ＣｏＦｅ中の含有量としての原子％が６５％、７０％、７５％、８０％・・・という組成とする（Ｃｏ量ｘでいえば、３５％，３０％，２５％，２０％・・・とする）ことが、記憶素子サイズの縮小に応じてより好適な例となる。

［実験５］
実施の形態の記憶素子３の構成において、具体的に記憶層１７を構成する強磁性層の材料を選定し、記憶素子３の特性を調べた。
上述の［実験１］〜［実験４］と同様、記憶層１７の磁化反転特性を調べる目的で、記憶素子３のみを形成したウェハにより検討を行った。

厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に図２に示した構成の記憶素子３を図７に示すように形成した。
・下地層１４：膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚１０ｎｍのＲｕ膜と膜厚１０ｎｍのＴａ膜の積層膜
・磁化固定層１５：膜厚１．２ｎｍのＣｏＦｅＢ膜
・トンネル絶縁層１６：膜厚０．９ｎｍの酸化マグネシウム膜
・記憶層１７：磁化固定層と同じ組成のＣｏＦｅＢ膜
・キャップ層１８：膜厚３ｎｍのＴａ膜、膜厚３ｎｍのＲｕ膜、膜厚３ｎｍのＴａ膜の積層膜
このように各層を選定し、また下地膜１４とシリコン基板との間に図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（後述するワード線となるもの）を設けて、各層を形成した。
上記膜構成で、記憶層１７の強磁性層は、材質をＣｏ−Ｆｅ−Ｂの３元系合金とし、強磁性層の膜厚を１．５ｎｍに固定した。

酸化マグネシウム膜から成る絶縁層１６以外の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜から成る絶縁層１６は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
さらに、記憶素子３の各層を成膜した後に、磁場中熱処理炉で、各種温度・１時間の熱処理を行った。

次に、ワード線部分をフォトリソグラフィによってマスクした後に、ワード線以外の部分の積層膜に対してＡｒプラズマにより選択エッチングを行うことにより、ワード線（下部電極）を形成した。この際に、ワード線部分以外は、基板の深さ５ｎｍまでエッチングされた。

その後、電子ビーム描画装置により記憶素子３のパターンのマスクを形成し、積層膜に対して選択エッチングを行い、記憶素子３を形成した。記憶素子３部分以外は、ワード線のＣｕ層直上までエッチングした。
なお、特性評価用の記憶素子には、磁化反転に必要なスピントルクを発生させるために、記憶素子に充分な電流を流す必要があるため、トンネル絶縁層の抵抗値を抑える必要がある。そこで、記憶素子３のパターンを、短軸０．０９μｍ×長軸０．０９μｍの楕円形状として、記憶素子３の面積抵抗値（Ωμｍ²）が２０Ωμｍ²となるようにした。

そして、上述の製造方法により、それぞれ記憶層１７の強磁性層のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成を変えた、記憶素子３の各試料を作製した。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、ＣｏとＦｅの組成比（原子％）を２０：８０に固定して、Ｂの組成比ｚ（原子％）を、１０％、２０％、３０％、３５％、４０％、５０％と変化させた。

以上、作製した記憶素子３の各試料に対して、それぞれ以下のようにして、特性の評価を行った。
（ＴＭＲの測定）
本発明による記憶素子の出力特性を評価する目的で、ＴＭＲの測定を行った。
記憶素子３に磁場を３ｋＯｅの範囲で掃印しながら１００ｍＶの電圧を印加し、記憶素子３の抵抗値を測定した。
そして、記憶素子３間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子３を２０個程度作製して、上述の測定を行い、特性の平均値を求めた。

記憶素子３の各試料について、図８に記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成毎にＴＭＲの熱処理温度依存性を示す。
図８より、Ｂ濃度が１０％の場合［図中の１０Ｂ］、ＴＭＲは熱処理温度：３００度付近でピークを取っていることが分かる。
これに対して、Ｂ濃度が２０〜４０％の組成範囲の場合［図中の２０Ｂ〜４０Ｂ］、ＴＭＲのピークが熱処理温度３５０〜４００度付近へとシフトしている。
また、Ｂ濃度が５０％の場合［図中の５０Ｂ］、２００度以上の熱処理になると、ＴＭＲが観測されるようになるものの、ＴＭＲの絶対値が他の組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金と比較して極端に小さくなっていることが分かる。
Ｂ濃度が４０％の場合、Ｂ濃度が１０〜３５％の試料の最大ＴＭＲ[１１０％程度]と比較して、若干小さなＴＭＲにとどまっているが、熱処理温度３５０〜４００度付近で約８０％程度のＴＭＲは確保されており、スピン注入型磁化反転メモリに適応可能な出力に達している。
またＢ濃度が２０〜３０％の試料では４５０度付近でも十分なＴＭＲが確保されている。

結論として、Ｂ濃度が２０〜４０％の組成範囲の場合、半導体プロセスと最も適合する熱処理範囲において、最も良好なＴＭＲ特性が得られることが確認できる。
一般に、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金を用いてトンネル磁気接合を作る場合、熱処理によりＢがＭｇＯバリア（絶縁層１６）もしくはキャップ層１８側に拡散することが知られている。熱処理温度３５０度〜４００度の範囲でＢ濃度が２０〜４０％が好適となる理由は、このＢの拡散と関係しており、初期のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成としてある一定量のＢを合金膜中に存在させることにより、所望の熱処理温度範囲で優れた垂直磁気特性ならびにＴＭＲ特性が得られるＢの分布が実現し、それに伴いＭｇＯバリアとＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の界面磁気異方性を強化したためと予想される。

この予想によると、４５０度以上の高温熱処理でも優れたＴＭＲ特性が得られるＢ濃度が存在することになるが、本実験で用いた試料の場合、４５０度を越える熱処理では下地層１４のラフネスが増大し、さらに過度な下地層１４、キャップ層１８の拡散が生じたため、すべてのＢ濃度のＣｏ−Ｆｅ−ＢでＴＭＲ特性が劣化したものと考えられる。

Ｂ濃度が１０％の場合、３５０度以上の高温でＴＭＲ特性が劣化した原因は、高温で熱処理した場合にはＢ濃度が少なすぎるため、ＭｇＯバリアとＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の界面磁気異方性を強化することが出来ないことに起因すると考えられる。
また、Ｂ濃度が５０％の場合に良好なＴＭＲ特性が得られない原因は、Ｂ濃度が高すぎで飽和磁化が極端に低下したためと推察される。

以上の結果より、ＣｏとＦｅの組成比（原子％）を２０：８０に固定したＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の場合、Ｂ濃度が２０〜４０％で熱処理温度３５０度〜４５０度の範囲で高出力な記録素子３を作成できることが実証された。

［実験６］
上記の［実験５］では、特定のＣｏ／Ｆｅ比でＢ濃度を変えた場合の詳細な実験結果を示した。次に、［実験６］ではＣｏ／Ｆｅ比を４０／６０、３０／７０、１０／９０として、Ｂ濃度をそれぞれ２０％、３０％、４０％と変化させた記録素子１７を作成し、ＴＭＲ特性の評価を行った。

図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に、各Ｃｏ／Ｆｅ比でＢ濃度および熱処理温度を変えた場合のＴＭＲ特性を示す。
この結果からわかるように、いずれの組成においても［実験５］で示したＢ濃度［２０〜４０％］、熱処理範囲［３５０度〜４００度］において、高出力［＝高ＴＭＲ］となる特性が得られている。
また４５０度付近でも高出力［＝高ＴＭＲ］となる組成も見られる。例えばＢ濃度が２０〜３０％の組成である。
また、ＴＭＲの値に、Ｃｏ／Ｆｅ比に対する大きな依存性は観測されない。

以上の［実験５］および［実験６］の結果により、組成が０≦Ｃｏ_x≦４０、６０≦Ｆｅ_y≦１００、２０＜Ｂ_z≦４０において、(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zとなる垂直磁化強磁性材料Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂを用いることにより、半導体プロセスと親和性の高い熱処理温度範囲：３５０度〜４００度で高出力な記録素子が提供可能であることが示される。
また、高出力を実現したことにより、高いスピン分極率Ｐも同時に実現することによって、低消費電力化も可能となる。
このように垂直磁化の高い磁気異方性を活用することによって熱安定性を犠牲にする手法を用いることなく、高出力かつ低反転電流のスピン注入磁化反転素子が提供可能になった。

なお、上記第１の実施の形態では、Ｂ濃度については、０＜Ｂ_z≦３０の範囲で実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなり、垂直磁化に好適であると述べた。（例えば上記表２参照）。これに対し、第２の実施の形態ではＢ濃度について２０＜Ｂ_z≦４０とするものであるが、すると３０〜４０％の範囲は、適切でないように見える。
しかしながら、比較的高温の熱処理を行う場合、Ｂ濃度が３０〜４０％の範囲も、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなり、垂直磁化に好適であることがわかった。

以下の［表５］は、記憶層１７のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ組成が、(Ｃｏ₇₀−Ｆｅ₃₀)₆₅−Ｂ₃₅と、(Ｃｏ₇₀−Ｆｅ₃₀)₆₀−Ｂ₄₀の場合について、熱処理温度を４００℃とした場合の飽和磁化量Ｍｓと実効的な反磁界Ｍeffectiveについて調べたものである。

Ｂ濃度が３５％、４０％のいずれの場合も、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さく（Ｍeffective／Ｍｓ＜１）なっている。
つまり、熱処理温度が高い場合、Ｂ濃度が３０〜４０％の範囲でも、記憶層１７が受ける、実効的な反磁界の大きさが、記憶層１７の飽和磁化量よりも小さいということを満たしているものとなる。

［実験７］
本実験は、図２の記憶素子３の磁化固定層１５を積層フェリピン構造とし、記憶素子３について３００℃・１時間の熱処理を行った場合と３５０℃・１時間の熱処理を行った場合の磁化曲線を求めたものである。図１０は実験で用いた記憶素子３の試料の層構造を表す図である。本実験では試料１と試料２の２種類を用いた。各試料の磁化固定層１５の層構造は図１０のとおりである。すなわち、試料１は非磁性層のＲｕを強磁性層のＣｏ−Ｆｅ−ＢとＣｏ−Ｐｔで挟み込んだ構造となっている。
試料２は試料１に対して非磁性層のＴａを強磁性層のＣｏ−Ｆｅ−Ｂで挟み込む形で積層したものである。
磁化固定層１５以外の各層は図１０に示されているとおりである。

各試料は厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に図１０の記憶素子３を形成した。
また、下地層とシリコン基板との間には図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜を設けている（後述のワード線となる）。

絶縁層１６以外は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。絶縁層はＭｇＯから成るのでＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。更に記憶素子３の各層を成膜した後、磁場中熱加熱炉で３００℃・１時間の熱処理又は３５０℃・１時間の熱処理を行った。記憶素子３は微細加工後の素子ではなく、ウェハ上に磁化曲線評価用に設けた８ｍｍ×８ｍｍ程度のバルクフィルム部分を用いた。

図１１は試料１と試料２について磁化曲線を求めたものである。この磁化曲線は磁界を各試料の膜面垂直方向に印加しカー効果を測定するものである。図において、横軸は磁界の大きさ、縦軸は測定されたカー効果の大きさである。

図１１（ａ）は３００℃熱処理後の実験結果である。図１１（ｂ）は３５０℃熱処理後の実験結果である。（ａ）では磁化曲線の形状は、試料１と試料２とで差はない。これはＴａの有無により積層フェリピン構造の示す磁化曲線に差はないことを表している。
（ｂ）では試料１において面内成分が強くなることにより積層フェリピン構造が劣化し、垂直磁気異方性が消失している。これに対して、試料２は垂直磁気異方性は維持され積層フェリピン構造の劣化はみられない。これは非磁性層を上下に強磁性層を挟み込んだものを複数重ねた積層フェリピン構造とすると熱処理温度を高くしても垂直磁気異方性は維持されることを示している。

また、非磁性層を上下に強磁性層を挟み込んだものを複数重ねた積層フェリピン構造とすることは強磁性層の材料であるＣｏ−Ｆｅ−Ｂの膜厚を厚くできＭＲ比を向上させることができる。

さらに、Ｔａ等の非磁性層がＣｏ−Ｆｅ−Ｂに添加されることにより熱処理温度を高くしても、垂直磁化を妨げる反磁界として働き、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの飽和磁化Ｍｓを抑制することができる。

上記実験ではＣｏ−Ｆｅ−ＢのＢ組成は２０％としたが、熱処理温度との関係でＢ組成を２０％以上としてもよい。
非磁性層の材料として、Ｔａに限定されない。非磁性層の材料として、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂまたはこれらの合金を用いることができる。これらを用いて磁気特性を調整することができる。

［実験８］
本実験は、図２の記憶素子３の磁化固定層１５を積層フェリピン構造とし、強磁性層の膜厚はそのままにして非磁性層の膜厚を変化させた場合の磁化曲線の変化を調べたものである。図１０に実験で用いた記憶素子３の試料の層構造を示す。本実験では図１０に示される試料３、試料４、試料５の３種類を用いた。試料４は試料２と同じ組成構造である。

絶縁層１６以外は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。絶縁層はＭｇＯから成るのでＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。更に記憶素子３の各層を成膜した後、磁場中熱加熱炉で３５０℃・１時間の熱処理を行った。記憶素子３は微細加工後の素子ではなく、ウェハ上に磁化曲線評価用に設けた８ｍｍ×８ｍｍ程度のバルクフィルム部分を用いた。

図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ試料３、試料４、試料５の磁化曲線を求めたものである。この磁化曲線は磁界を各試料の膜面垂直方向に印加しカー効果を測定することにより求めることができる。図において、横軸は磁界の大きさ、縦軸は測定されたカー効果の大きさである。

図１２に示されるように、非磁性層であるＴａの膜厚を０．１ｎｍまで増加させても、積層フェリピン構造の劣化はみられない。このため非磁性層の膜厚は、例えば０．１ｎｍと強磁性層であるＣｏ−Ｆｅ−Ｂの磁化が消失しない範囲で増やすことができる。

［実験９］
本実験は、図２の記憶素子３の磁化固定層１５を積層フェリピン構造とし、磁気抵抗曲線、反転電流値からの熱安定性の測定を行ったものである。図１０に実験で用いた記憶素子３の試料の層構造を示す。本実験では試料６と試料７の２種類を用いた。各試料の磁化固定層１５の層構造は図１０のとおりである。試料６は試料１と同じ組成構造となっている。試料７は試料２と同じ組成構造となっている。磁化固定層１５以外の各層は図１０に示されているとおりである。

各試料は厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に図１０の記憶素子３を形成した。
また、下地層とシリコン基板との間には図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（後述するワード線となる）を形成した。

絶縁層１６以外は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。絶縁層はＭｇＯから成るのでＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。更に記憶素子３の各層を成膜した後、磁場中熱加熱炉で３００℃・１時間又は３５０℃・１時間の熱処理を行った。

その後、電子ビーム描画装置により記憶素子３のパターンのマスクを形成し、積層膜に対して選択エッチングを行い、記憶素子３を形成した。記憶素子３部分以外は、ワード線のＣｕ層直上までエッチングした。
なお、特性評価用の記憶素子には、磁化反転に必要なスピントルクを発生させるために、記憶素子に充分な電流を流す必要があるため、トンネル絶縁層の抵抗値を抑える必要がある。そこで、記憶素子３のパターンを、短軸０．０７μｍ×長軸０．０７μｍの円形状として、記憶素子３の面積抵抗値（Ωμｍ²）が２０Ωμｍ²となるようにした。

次に、記憶素子３部分以外を、厚さ１００ｎｍ程度のＡｌ₂Ｏ₃のスパッタリングによって絶縁した。
その後、フォトリソグラフィを用いて、上部電極となるビット線及び測定用のパッドを形成した。このようにして、記憶素子３の試料を作製した。
測定に先立ち、反転電流のプラス方向とマイナス方向の値を対称になるように制御することを可能にするため、記憶素子３に対して、外部から磁界を与えることができるように構成した。

また、記憶素子３に印加される電圧が、絶縁層１６が破壊しない範囲内の１Ｖまでとなるように設定した。

（磁気抵抗曲線の測定）
記憶素子３の磁気抵抗曲線を磁界を印加しながら素子抵抗を測定することで評価した。

（反転電流値及び熱安定性測定）
本実施の形態による記憶素子３の書き込み特性を評価する目的で、反転電流値の測定を行った。
記憶素子３に１０μｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の記憶素子３の抵抗値を測定した。
さらに、記憶素子３に流す電流量を変化させて、この記憶素子３の記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きが反転する電流値を求めた。この電流値のパルス幅依存性をパルス幅１ｎｓに外挿した値を、反転電流値とした。
また、反転電流値のパルス幅依存性の傾きは、記憶素子３の前述した熱安定性の指標（Δ）に対応する。反転電流値がパルス幅によって変化しない（傾きが小さい）ほど、熱の擾乱に強いことを意味する。
そして、記憶素子３間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子３を２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。

表６には、３５０℃熱処理温度での試料６、試料７の磁気抵抗曲線および電流による書込での熱安定性評価をまとめた。試料６では、ＭＲ比、熱安定性ともに熱処理温度を３５０℃に上昇させることにより顕著な劣化が見られる。それに対し、試料７では３５０℃まで熱処理温度を上げてもＭＲ比、熱安定性とも劣化は見られない。
３００℃の熱処理であれば、熱安定性は３５０℃熱処理の場合と同程度の値であり、試料６、試料７とも向上している。これは磁化固定層１５を積層フェリピン構造としたことによるものと考えられる。

＜６．変形例＞

以上実施の形態について説明してきたが、本発明では、上述の実施の形態で示した記憶素子３の膜構成に限らず、様々な層構成を採用することが可能である。
例えば実施の形態では、記憶層１７と磁化固定層１５のＣｏ−Ｆｅ−Ｂの組成を同一のものとしたが、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
また、実施の形態では、単一の下地層１４や、キャップ材料、記憶素子形状しか示していないが、それらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

また、記憶素子の膜構成は、記憶層１７が磁化固定層１５の上側に配置される構成でも、下側に配置される構成でも全く問題はない。さらには、磁化固定層１５が記憶層１７の上下に存在する、いわゆるデュアル構造でも全く問題ない。

３記憶素子、１４下地層、１５磁化固定層、１６絶縁層、１７記憶層、１８キャップ層

Claims

膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層と、
を有し、
上記磁化固定層は、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造となっており、該上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合される積層フェリピン構造であり、
上記記憶層、上記絶縁層、上記磁化固定層を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、
上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さい記憶素子。
上記非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造が複数形成されている請求項１に記載の記憶素子。
上記記憶層と上記絶縁層の界面を構成する強磁性材料がＣｏ−Ｆｅ−Ｂである請求項２に記載の記憶素子。
上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、
６０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０
において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである請求項３に記載の記憶素子。
上記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂの組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、
６０≦Ｆｅ_y≦１００、
２０＜Ｂ_z≦４０
において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである請求項３に記載の記憶素子。
上記固定層を構成する上記強磁性層の材料がＣｏ−Ｆｅ−Ｂであり、
該組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、
６０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０
において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである請求項４に記載の記憶素子。
上記固定層を構成する上記強磁性層の材料がＣｏ−Ｆｅ−Ｂであり、
該組成が、
０≦Ｃｏ_x≦４０、
６０≦Ｆｅ_y≦１００、
２０＜Ｂ_z≦４０
において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである請求項５に記載の記憶素子。
上記複数の、上記非磁性層を上下に上記強磁性層で挟み込む構造のうち、上記絶縁層側の上記挟み込む構造を構成する上記非磁性層がＴａである請求項６に記載の記憶素子。
上記複数の、上記非磁性層を上下に上記強磁性層で挟み込む構造のうち、上記絶縁層側の上記挟み込む構造を構成する上記非磁性層がＴａである請求項７に記載の記憶素子。
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、
互いに交差する２種類の配線とを備え、
上記記憶素子は、
膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有し、上記磁化固定層は、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造となっており、該上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合される積層フェリピン構造であり、上記記憶層、上記絶縁層、上記磁化固定層を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さい構成とされ、
上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、
上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入されるメモリ装置。