JP2012036265A - 照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一次光を発光する発光素子4と、前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた照明装置10において、前記波長変換部は、少なくともナノ結晶蛍光体を含む第1の波長変換部6と、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む第2の波長変換部7とから構成され、前記発光素子4には、第1の波長変換部6、第2の波長変換部7が順に積層されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態に係る照明装置の断面図である。照明装置10は、電極1が形成された基板2と、電極1上に設けられたパッケージ3および発光素子4と、発光素子4と電極1を接続するワイヤ5、発光素子4の光路順に半導体ナノ粒子を含有する第1の波長変換部6とEu付活β型サイアロン蛍光体を含有する第2の波長変換部7が積層されたものとで構成される。
次に、上述の方法および材料により作製された、数種類の照明装置10を用い、発光強度とその発光強度の経時変化を測定した。まず、第1の波長変換部6上に、第2の波長変換部7を積層し、該第2の波長変換部のシリコーン樹脂に含まれるEu付活β型サイアロン蛍光体の量を変化させたものを3種類作製した。即ち、第2の波長変換部7のシリコーン樹脂SCR1011の1g当たりに含まれるEu付活β型サイアロン蛍光体の量が(イ)0.03g、(ロ)0.1g、(ハ)0.3gの3種類である。
次に、比較例として、第1の波長変換部6上にシリコーン樹脂のみを積層した照明装置(ニ)、第1の波長変換部上にはシリコーン樹脂も何も積層せず、空気中にさらした状態の照明装置(ホ)を作製した。図5は、第1の波長変換部6上に、シリコーン樹脂8を積層した照明装置10a(二)を示している。シリコーン樹脂8は、上述したSCR1011を用い、図1に示した第2の波長変換部とほぼ同じ厚みになるように積層した。図6は、第1の波長変換部6上には何も積層しない照明装置10b(ホ)を示している。つまり、第1の波長変換部6は、その上面は、空気中にさらされた状態である。
そこで、上記(イ)〜(ホ)の照明装置について、照明装置の作製直後、および一定時間経過後の発光積算強度を比較測定した結果を図7に示す。本実施形態では、分光光度計MCPD−7000を用いて発光スペクトルを測定し、波長630nm〜780nmの発光強度を積算した。それぞれの照明装置の作製時におけるナノ結晶である赤色蛍光体の発光積算強度を100とし、作製後30日経過した時点で、同様にしてナノ結晶である赤色蛍光体の発光積算強度を計算した。
2 基板
3 パッケージ
4 発光素子
5 ワイヤ
6 第1の波長変換部
7 第2の波長変換部
8 シリコーン樹脂
10、10a、10b 照明装置
Claims (7)
- 一次光を発光する発光素子と、
前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた照明装置において、
前記波長変換部は、少なくともナノ結晶蛍光体を含む第1の波長変換部と、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む第2の波長変換部とから構成され、
前記発光素子には、第1の波長変換部、第2の波長変換部が順に近接して積層されていることを特徴とする照明装置。 - 前記ナノ結晶蛍光体は、InおよびPを含むIII―V族化合物半導体または、CdおよびSeを含むII―VI化合物半導体よりなることを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
- 前記ナノ結晶蛍光体は、InPまたはCdSeのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項2に記載の照明装置。
- 前記希土類付活蛍光体は、付活剤としてCeもしくはEuを含むことを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
- 前記希土類付活蛍光体は、窒化物系蛍光体であることを特徴とする請求項4に記載の照明装置。
- 前記希土類付活蛍光体は、サイアロン蛍光体であることを特徴とする請求項5に記載の照明装置。
- 前記一次光の光路順に、ピーク波長の長い蛍光体順に積層することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の照明装置。
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