JP2012018161A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、を同一の絶縁表面上に有し、
   前記第１のトランジスタは
   前記絶縁表面上の、第１のゲート電極層と、
   前記第１のゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、
   前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、を有し、
   前記第２のトランジスタは
   前記絶縁表面上の、第２のゲート電極層と、
   前記第２のゲート電極層上の、前記ゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極層と、
   前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極層と、
   前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する、第１の絶縁層と、
   前記第２の酸化物半導体と接する領域を有する、第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも、吸水性が高く、
   前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのしきい値の変化を出力する機能を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、を同一の絶縁表面上に有し、
   前記第１のトランジスタは
   前記絶縁表面上の、第１のゲート電極層と、
   前記第１のゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、
   前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する、第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
   前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、を有し、
   前記第２のトランジスタは
   前記絶縁表面上の、第２のゲート電極層と、
   前記第２のゲート電極層上の、前記ゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する、第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のソース電極層と、
   前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、第２のドレイン電極層と、
   前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する、第１の絶縁層と、
   前記第２の酸化物半導体と接する領域を有する、第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、ポリイミドを有し、
   前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのしきい値の変化を出力する機能を有することを特徴とする半導体装置。