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JP2010098141A5 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は半導体装置に関し、特に、ＧａＮ系半導体装置上にゲート絶縁膜が形成された半導体装置に関する。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
本半導体装置は、基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、前記ＧａＮ系半導体層の表面にＡＬＤ装置で形成された酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート絶縁膜の炭素濃度は２×１０ ２０ ／ｃｍ ３ 以下である。この構成によれば、ゲート絶縁膜中のＣ濃度を低減し、リーク電流を抑制することができる。その結果、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。
上記構成において、前記ＧａＮ系半導体層の表面に、前記ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極を有する構成とすることができる。
上記構成において、前記ＧａＮ系半導体層の表面に形成されたソース電極と、前記基板の前記ＧａＮ系半導体層が形成された面と反対側の面に形成されたドレイン電極とを有する構成とすることができる。
本半導体装置によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。

Claims (3)

  1. 基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
    前記ＧａＮ系半導体層の表面にＡＬＤ装置で形成された酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有し、
    前記ゲート絶縁膜の炭素濃度は２×１０ ２０ ／ｃｍ ３ 以下であることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記ＧａＮ系半導体層の表面に、前記ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記ＧａＮ系半導体層の表面に形成されたソース電極と、
    前記基板の前記ＧａＮ系半導体層が形成された面と反対側の面に形成されたドレイン電極とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
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