JP2009530847A - 向上した効率を示す光電子デバイス - Google Patents
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Abstract
本明細書中には、1種以上のゼロ原子価金属からなる陰極、陽極及び光電子活性有機材料を含んでなる有機光電子デバイスであって、前記陰極が1種以上の有機アンモニウム塩に接触している有機光電子デバイスが記載されている。若干の実施形態では、有機アンモニウム塩は構造式(I)を有する。式中、R1〜R4は各々独立にC1〜C20脂肪族基、C3〜C20脂環式基又はC3〜C20芳香族基であり、X−は一価無機陰イオン、一価有機陰イオン、多価無機陰イオン、多価有機陰イオン及びこれらの混合物からなる群から選択される。
【選択図】 図1、化1
【選択図】 図1、化1
Description
本発明は、一般的には電気光学の分野に関し、さらに詳しくは有機電気光学デバイス及びそれの製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は現在知られているデバイスに比べて向上した効率で動作する有機電気光学デバイスに関する。
ある種類の有機電気光学デバイス、即ち電気エネルギーを光に変換するデバイスである有機発光ダイオード(OLED)は、フラットパネルディスプレイや一般照明のような用途での使用可能性のため、広汎な研究開発努力の対象となっている。別の種類の有機電気光学デバイス、即ち光エネルギーを電気エネルギーに変換するデバイスである光起電デバイスも同様な関心を集めている。現在利用できる有機電気光学デバイス(例えば、OLEDや光起電デバイス)の有用性及び商業的魅力は、かかるデバイスを(例えば、OLEDの場合には消費される電気エネルギーの単位当たりに放出される光の量を増加させることにより)一層高い効率で動作させることができれば向上するであろう。
有機電気光学デバイスの効率向上については印象的な進歩が達成されているものの、一層高い経済性をもって動作させることができるデバイスを得るためにはさらなる向上が必要である。
一実施形態では、本発明は、(a)1種以上のゼロ原子価金属からなる陰極、(b)陽極、及び(c)前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性有機材料を含んでなる有機光電子デバイスであって、前記陰極が1種以上の有機アンモニウム塩に接触している有機光電子デバイスを提供する。
別の実施形態では、本発明は、(a)1種以上のゼロ原子価金属からなる陰極、(b)陽極、及び(c)前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性有機材料を含んでなる有機光電子デバイスであって、前記陰極が下記の構造式(I)を有する1種以上の有機アンモニウム塩に接触している有機光電子デバイスを提供する。
別の実施形態では、本発明は、(a)1種以上のゼロ原子価金属からなる陰極、(b)陽極、(c)前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性有機材料、及び(d)下記の構造式(I)を有する1種以上の有機アンモニウム塩を含んでなるOLEDデバイスであって、前記アンモニウム塩が光電子活性有機材料と陰極との間に配設され、前記アンモニウム塩が陰極に接触している有機発光ダイオードを提供する。
図面の簡単な説明
本発明の上記その他の特徴、態様及び利点は、添付の図面を参照しながら以下の詳しい説明を読んだ場合に一層よく理解されよう。添付の図面中では、図面全体を通じて類似の部品は同一の符号で表されている。
本発明の上記その他の特徴、態様及び利点は、添付の図面を参照しながら以下の詳しい説明を読んだ場合に一層よく理解されよう。添付の図面中では、図面全体を通じて類似の部品は同一の符号で表されている。
図1は、本発明の実施形態に従って有機アンモニウム塩に接触した陰極を含む第1の光電子デバイス構造の略図である。
図2は、本発明の実施形態に従って有機アンモニウム塩及び電荷注入材料層を含む第2の光電子デバイス構造の略図である。
図3は、本発明の実施形態に従って有機アンモニウム塩からなる層を含む第3の光電子デバイス構造の略図である。
図4は、光電子活性材料としての発光ポリマー(LEP)及び陰極としてのアルミニウム(Al)を含むデバイスである比較例1(C.Ex.1)のOLEDデバイスに関する効率対電流密度プロットを示している。
図5は、順バイアス及び逆バイアス下における実施例1のOLEDデバイスのI−V挙動を示している。
図6は、実施例1のOLEDの効率を電流密度の関数としてプロットしたグラフである。
図7は、照明下及び暗所において測定した本発明の例示的な実施形態の電流対バイアス電圧のプロットである。
本発明の好ましい実施形態及びその実施例に関する以下の詳しい説明を参照することで本発明の理解を深めることができよう。本明細書及び特許請求の範囲では多くの用語を用いるが、これらは以下の意味をもつものと定義される。
単数形で記載したものであっても、前後関係から明らかでない限り、複数の場合も含めて意味する。
「任意の」又は「任意には」という用語は、その用語に続いて記載された事象又は状況が起きても起きなくてもよいことを意味しており、かかる記載はその事象が起こる場合と起こらない場合を包含する。
本明細書中で使用する「芳香族基」という用語は、1以上の芳香族原子団を含む原子価1以上の原子配列をいう。1以上の芳香族原子団を含む原子価1以上の原子配列は、窒素、硫黄、セレン、ケイ素及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。本明細書中で使用する「芳香族基」という用語は、特に限定されないが、フェニル基、ピリジル基、フラニル基、チエニル基、ナフチル基、フェニレン基及びビフェニル基を包含する。上述の通り、芳香族基は1以上の芳香族原子団を含む。芳香族原子団は常に4n+2(式中、「n」は1以上の整数である。)の「非局在化」電子を有する環状構造であり、フェニル基(n=1)、チエニル基(n=1)、フラニル基(n=1)、ナフチル基(n=2)、アズレニル基(n=2)、アントラセニル基(n=3)などで例示される。芳香族基はまた、非芳香族成分も含み得る。例えば、ベンジル基はフェニル環(芳香族原子団)及びメチレン基(非芳香族成分)からなる芳香族基である。同様に、テトラヒドロナフチル基は芳香族原子団(C6H3)が非芳香族成分−(CH2)4−に縮合してなる芳香族基である。便宜上、本明細書中での「芳香族基」という用語は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロアルキル基、ハロ芳香族基、共役ジエニル基、アルコール基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボン酸基、アシル基(例えば、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体)、アミン基、ニトロ基などの広範囲の官能基を含むものと定義される。例えば、4−メチルフェニル基はメチル基を含むC7芳香族基であり、メチル基がアルキル基である官能基である。同様に、2−ニトロフェニル基はニトロ基を含むC6芳香族基であり、ニトロ基が官能基である。芳香族基は、4−トリフルオロメチルフェニル、ヘキサフルオロイソプロピリデンビス(4−フェニルオキシ)(即ち、−OPhC(CF3)2PhO−)、4−クロロメチルフェニル、3−トリフルオロビニル−2−チエニル、3−トリクロロメチルフェニル(即ち、3−CCl3Ph−)、4−(3−ブロモプロピル)フェニル(即ち、4−BrCH2CH2CH2Ph−)などのハロゲン化芳香族基を包含する。芳香族基のさらに他の例には、4−アリルオキシフェノキシ、4−アミノフェニル(即ち、4−H2NPh−)、3−アミノカルボニルフェニル(即ち、NH2COPh−)、4−ベンゾイルフェニル、ジシアノメチリデンビス(4−フェニルオキシ)(即ち、−OPhC(CN)2PhO−)、3−メチルフェニル、メチレンビス(4−フェニルオキシ)(即ち、−OPhCH2PhO−)、2−エチルフェニル、フェニルエテニル、3−ホルミル−2−チエニル、2−ヘキシル−5−フラニル、ヘキサメチレン−1,6−ビス(4−フェニルオキシ)(即ち、−OPh(CH2)6PhO−)、4−ヒドロキシメチルフェニル(即ち、4−HOCH2Ph−)、4−メルカプトメチルフェニル(即ち、4−HSCH2Ph−)、4−メチルチオフェニル(即ち、4−CH3SPh−)、3−メトキシフェニル、2−メトキシカルボニルフェニルオキシ(例えば、メチルサリチル)、2−ニトロメチルフェニル(即ち、2−NO2CH2Ph)、3−トリメチルシリルフェニル、4−t−ブチルジメチルシリルフェニル、4−ビニルフェニル、ビニリデンビス(フェニル)などがある。「C3〜C10芳香族基」という用語は、3以上で10以下の炭素原子を含む芳香族基を包含する。芳香族基1−イミダゾリル(C3H2N2−)はC3芳香族基を代表する。ベンジル基(C7H8−)はC7芳香族基を代表する。
本明細書中で使用する「脂環式基」という用語は、環状であるが芳香族でない原子配列を含む原子価1以上の基をいう。本明細書中で定義される「脂環式基」は、芳香族原子団を含まない。「脂環式基」は1以上の非環式成分を含み得る。例えば、シクロヘキシルメチル基(C6H11CH2−)は、シクロヘキシル環(環状であるが芳香族でない原子配列)及びメチレン基(非環式成分)からなる脂環式基である。脂環式基は、窒素、硫黄、セレン、ケイ素及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。便宜上、本明細書中での「脂環式基」という用語は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロアルキル基、共役ジエニル基、アルコール基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボン酸基、アシル基(例えば、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体)、アミン基、ニトロ基などの広範囲の官能基を含むものと定義される。例えば、4−メチルシクロペンチル基はメチル基を含むC6脂環式基であり、メチル基がアルキル基である官能基である。同様に、2−ニトロシクロブチル基はニトロ基を含むC4脂環式基であり、ニトロ基が官能基である。脂環式基は、同一のもの又は相異なるものであり得る1以上のハロゲン原子を含み得る。ハロゲン原子には、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素がある。1以上のハロゲン原子を含む脂環式基には、2−トリフルオロメチルシクロヘキシル、4−ブロモジフルオロメチルシクロオクチル、2−クロロジフルオロメチルシクロヘキシル、ヘキサフルオロイソプロピリデン−2,2−ビス(シクロヘキサ−4−イル)(即ち、−C6H10C(CF3)2C6H10−)、2−クロロメチルシクロヘキシル、3−ジフルオロメチレンシクロヘキシル、4−トリクロロメチルシクロヘキシルオキシ、4−ブロモジクロロメチルシクロヘキシルチオ、2−ブロモエチルシクロペンチル、2−ブロモプロピルシクロヘキシルオキシ(例えば、CH3CHBrCH2C6H10O−)などがある。脂環式基のさらに他の例には、4−アリルオキシシクロヘキシル、4−アミノシクロヘキシル(即ち、H2NC6H10−)、4−アミノカルボニルシクロペンチル(即ち、NH2COC5H8−)、4−アセチルオキシシクロヘキシル、2,2−ジシアノイソプロピリデンビス(シクロヘキサ−4−イルオキシ)(即ち、−OC6H10C(CN)2C6H10O−)、3−メチルシクロヘキシル、メチレンビス(シクロヘキサ−4−イルオキシ)(即ち、−OC6H10CH2C6H10O−)、1−エチルシクロブチル、シクロプロピルエテニル、3−ホルミル−2−テトラヒドロフラニル、2−ヘキシル−5−テトラヒドロフラニル、ヘキサメチレン−1,6−ビス(シクロヘキサ−4−イルオキシ)(即ち、−OC6H10(CH2)6C6H10O−)、4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル(即ち、4−HOCH2C6H10−)、4−メルカプトメチルシクロヘキシル(即ち、4−HSCH2C6H10−)、4−メチルチオシクロヘキシル(即ち、4−CH3SC6H10−)、4−メトキシシクロヘキシル、2−メトキシカルボニルシクロヘキシルオキシ(2−CH3OCOC6H10O−)、4−ニトロメチルシクロヘキシル(即ち、NO2CH2C6H10−)、3−トリメチルシリルシクロヘキシル、2−t−ブチルジメチルシリルシクロペンチル、4−トリメトキシシリルエチルシクロヘキシル(例えば、(CH3O)3SiCH2CH2C6H10−)、4−ビニルシクロヘキセニル、ビニリデンビス(シクロヘキシル)などがある。「C3〜C10脂環式基」という用語は、3以上で10以下の炭素原子を含む脂環式基を包含する。脂環式基2−テトラヒドロフラニル(C4H7O−)はC4脂環式基を代表する。シクロヘキシルメチル基(C6H11CH2−)はC7脂環式基を代表する。
本明細書中で使用する「脂肪族基」という用語は、環状でない線状又は枝分れ原子配列からなる原子価1以上の有機基をいう。脂肪族基は1以上の炭素原子を含むものと定義される。脂肪族基をなす原子配列は、窒素、硫黄、ケイ素、セレン及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。便宜上、本明細書中での「脂肪族基」という用語は、「環状でない線状又は枝分れ原子配列」の一部として、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロアルキル基、共役ジエニル基、アルコール基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボン酸基、アシル基(例えば、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体)、アミン基、ニトロ基などの広範囲の官能基を含むものと定義される。例えば、4−メチルペンチル基はメチル基を含むC6脂肪族基であり、メチル基がアルキル基である官能基である。同様に、4−ニトロブチル基はニトロ基を含むC4脂肪族基であり、ニトロ基が官能基である。脂肪族基は、同一のもの又は相異なるものであり得る1以上のハロゲン原子を含むハロアルキル基であり得る。ハロゲン原子には、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素がある。1以上のハロゲン原子を含む脂肪族基には、ハロゲン化アルキルであるトリフルオロメチル、ブロモジフルオロメチル、クロロジフルオロメチル、ヘキサフルオロイソプロピリデン、クロロメチル、ジフルオロビニリデン、トリクロロメチル、ブロモジクロロメチル、ブロモエチル、2−ブロモトリメチレン(例えば、−CH2CHBrCH2−)などがある。脂肪族基のさらに他の例には、アリル、アミノカルボニル(即ち、−CONH2)、カルボニル、2,2−ジシアノイソプロピリデン(即ち、−CH2C(CN)2CH2−)、メチル(即ち、−CH3)、メチレン(即ち、−CH2−)、エチル、エチレン、ホルミル(即ち、−CHO)、ヘキシル、ヘキサメチレン、ヒドロキシメチル(即ち、−CH2OH)、メルカプトメチル(即ち、−CH2SH)、メチルチオ(即ち、−SCH3)、メチルチオメチル(即ち、−CH2SCH3)、メトキシ、メトキシカルボニル(即ち、CH3OCO−)、ニトロメチル(即ち、−CH2NO2)、チオカルボニル、トリメチルシリル(即ち、(CH3)3Si−)、t−ブチルジメチルシリル、3−トリメトキシシリルプロピル(即ち、(CH3O)3SiCH2CH2CH2−)、ビニル、ビニリデンなどがある。さらに他の例としては、C1〜C10脂肪族基は1以上で10以下の炭素原子を含む。メチル基(即ち、CH3−)はC1脂肪族基の例である。デシル基(即ち、CH3(CH2)9−)はC10脂肪族基の例である。
前述の通り、本発明は、1種以上のゼロ原子価金属を含む陰極、陽極、及び前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性有機材料を含んでなる有機光電子デバイスであって、前記陰極が1種以上の有機アンモニウム塩に接触している有機光電子デバイスを提供する。一実施形態では、陰極は下記の構造式(I)を有する1種以上の有機アンモニウム塩に接触している。
一実施形態では、陰極は負電荷キャリヤー(電子)を電気活性有機層中に注入する目的に役立つ。一実施形態では、陰極は、K、Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、Au、In、Sn、Zn、Zr、Sc、Y、ランタニド系列の元素、これらの合金又はこれらの混合物のような金属からなる。陰極層を形成するための好適な合金材料は、Ag−Mg、Al−Li、In−Mg、Al−Ca及びAl−Au合金である。金属(例えば、カルシウム)又は金属フッ化物(例えば、LiF)の薄層をゼロ原子価金属(例えば、アルミニウム又は銀)の厚い層で被覆したもののような層状の非合金構造物も使用可能である。一実施形態では、陰極はゼロ原子価金属からなる。一実施形態では、陰極は、アルミニウム、銅、亜鉛、銀、ニッケル、パラジウム、白金、イリジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム及び上述のものの2種以上の混合物からなる群から選択されるゼロ原子価金属からなる。陰極は、物理蒸着、化学蒸着、スパッタリング又は類似の技法によって下方に位置する構成要素上に堆積させることができる。一実施形態では、陰極は透明である。「透明」という用語は、10度以下の入射角で可視波長域の光の50%以上、通常は80%以上、さらに通常は90%以上を透過させることを意味する。これは、「透明」として記載されたデバイス又は物品(例えば、透明な陰極)が約10度以下の入射角でデバイス又は物品に入射した可視域の光の50%以上を透過させることを意味する。
陽極は、一般に、四点プローブ技法で測定して100ジーメンス/センチメートル以上のバルク導電率を有する材料からなる。陽極としては、酸化インジウムスズ(ITO)が通例使用される。これは、ITOが光の透過に対して実質的に透明であり、したがって電気活性有機層から放出された光が顕著な減衰なしにITO陽極層を通って脱出することを容易にするからである。陽極層として使用できる他の材料には、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛インジウムスズ、酸化アンチモン及びこれらの混合物がある。陰極及び陽極は「導電層」といわれる。
本発明のデバイスの製造に際しては、物理蒸着、化学蒸着、スパッタリング又は類似の方法によって下方に位置する構成要素上に導電層を堆積させることができ、或いは上述の技法の2以上の組合せを使用することもできる。各導電層の厚さは独立に変化し得るが、一般的には約10〜約500ナノメートルの範囲内にある。即ち、一実施形態では、導電層の厚さは一実施形態では約10〜約500ナノメートル、別の実施形態では約10〜約200ナノメートル、さらに別の実施形態では約50〜約200ナノメートルの範囲内にある。例えば約50ナノメートル未満の厚さを有する薄くて実質的に透明な金属層を好適な導電層として使用することもできる。好適で例示的な金属には、銀、銅、タングステン、ニッケル、コバルト、鉄、セレン、ゲルマニウム、金、白金、アルミニウム又は上述のものの2種以上の混合物、及び上述のものの1種以上を含む合金がある。一実施形態では、陽極は実質的に透明な基板(例えば、ガラス基板又は有機ポリマー基板)上に配設される。
一実施形態では、光電子活性材料は層として配設され、光電子デバイス中において正孔及び電子の両方に対する輸送媒体として役立つ。OLEDでは、光電子デバイス中の正孔及び電子が結合して励起状態の化学種を形成し、これが可視域内の電磁放射を放出する。若干の実施形態では、OLEDにおいて電気エネルギーを光エネルギーに変換するために使用される電気バイアスを逆転することで、OLEDは光エネルギーを電気エネルギーに変換する光起電デバイスに転換される。光起電デバイスでは、光電子活性材料に入射する光及び印加される電圧バイアスの総合効果によって正孔及び電子が生成される。次いで、こうして生成された正孔及び電子が電流の流れを生じる。かくして本発明の光電子デバイスは、電気エネルギーを光エネルギーに変換する能力によって特徴づけられる(OLED)と共に、電圧バイアスを逆転することで、光エネルギーを電気エネルギーに変換する能力によって特徴づけられる(光起電デバイス(PV))。光電子活性有機材料は、通例、所望の波長範囲内でエレクトロルミネセンスを示すように選択される。
上述の通り、光電子活性材料は通例は光電子デバイス中に光電子活性層として配設され、前記層はデバイスの導電層間に配設される。光電子活性層の厚さは、通例、約10〜約300ナノメートルの例示的な範囲内にある。光電子活性層を形成するために使用される光電子活性材料は、ポリマー、コポリマー、ポリマー又はコポリマーの混合物、或いは不飽和結合を有する低分子量有機分子であり得る有機材料である。かかる材料は一般に非局在化π電子系を有しており、それによってポリマー鎖又は有機分子は比較的高い移動度を有する正及び負電荷キャリヤーを支持できるのが通例である。好適な光電子活性ポリマーは、ポリ(n−ビニルカルバゾール)(「PVK」、約380〜約500ナノメートルの波長範囲内の紫色ないし青色の光を放出する)及びポリ(n−ビニルカルバゾール)誘導体、ポリフルオレン及びポリ(アルキルフルオレン)(例えば、ポリ(9,9−ジヘキシルフルオレン)(約410〜約550ナノメートルの波長範囲内の光を放出する)、ポリ(ジオクチルフルオレン)(436ナノメートルのピークエレクトロルミネセント(EL)発光波長)及びポリ{9,9−ビス(3,6−ジオキサヘプチル)フルオレン−2,7−ジイル}(約410〜約550ナノメートルの波長範囲内の光を放出する))のようなポリフルオレン誘導体、ポリ(パラフェニレン)(「PPP」)及びポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(約400〜約550ナノメートルの波長範囲内の光を放出する)やポリ(2,5−ジヘプチル−1,4−フェニレン)のようなそれの誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)(「PPV」)及びジアルコキシ置換PPVやシアノ置換PPVのようなそれの誘導体、ポリチオフェン及びポリ(3−アルキルチオフェン)やポリ(4,4′−ジアルキル−2,2′−ビチオフェン)やポリ(2,5−チエニレンビニレン)のようなそれの誘導体、ポリ(ピリジンビニレン)及びそれの誘導体、ポリキノキサリン及びそれの誘導体、並びにポリキノリン及びそれの誘導体である。これらのポリマーの混合物及び/又は上述のポリマーの2種以上に共通する構造単位を含むコポリマーも、有機光電子デバイス(例えば、OLED)から放出される光の色を調整するために使用できる。
光電子活性有機材料として使用できる別の部類の好適な有機材料はポリシランである。通例、ポリシランは各種のアルキル基及び/又はアリール基で置換された線状のケイ素主鎖ポリマーである。ポリシランは、ポリマー主鎖に沿って非局在化σ共役電子を有する準一次元物質である。好適なポリシランの例には、特に限定されないが、ポリ(ジ−n−ブチルシラン)、ポリ(ジ−n−ペンチルシラン)、ポリ(ジ−n−ヘキシルシラン)、ポリ(メチルフェニルシラン)及びポリ{ビス(p−ブチルフェニル)シラン}がある。これらのポリシランは、一般に約320〜約420ナノメートルの範囲内の波長の光を放出する。
若干の実施形態では、約5000グラム/モル未満の分子量を有すると共に1以上の芳香族基を含む有機材料も、発光性の光電子活性有機材料として適用できる。かかる材料の例は1,3,5−トリス{n−(4−ジフェニルアミノフェニル)フェニルアミノ}ベンゼンであり、これは約380〜約500ナノメートルの波長範囲内の光を放出する。発光性有機層はまた、フェニルアントラセン、テトラアリールエテン、クマリン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、これらの誘導体、又は上述のものの2種以上の組合せのようなさらに低分子量の有機分子も含み得る。これらの材料は、一般に約520ナノメートルの最大波長を有する光を放出する。さらに他の有利な材料は、約415〜約457ナノメートルの波長範囲内の光を放出するアルミニウムアセチルアセトネートやガリウムアセチルアセトネートやインジウムアセチルアセトネートのような低分子量の金属有機錯体である。約420〜約433ナノメートルの波長範囲内の光を放出するスカンジウム−(4−メトキシ−ピコリルメチルケトン)−ビス(アセチルアセトネート)も使用できる。若干の実施形態(例えば、白色光用途)では、有益な発光性有機材料は青緑色波長範囲内の光を放出するものである。
可視波長範囲内の光を放出すると共に、本発明の技法で使用できる他の光電子活性有機材料は、U.Mitschke and P.Bauerle,“The Electroluminescence of Organic Materials”,J.Mater.Chem.,Vol.10,pp.1471−1507(2000)(その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす)に開示されているトリス(8−キノリノラト)アルミニウム及び他の物質のような8−ヒドロキシキノリンの有機金属錯体である。本発明の光電子活性層中で使用できる追加の例示的な有機材料には、Akcelrudが“Electroluminescent Polymers”,Progress in Polymer Scienc,Vol.28(2003),pp.875−962(その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす)に開示したものがある。本発明で使用される光電子活性有機材料は、活性を示すことが当技術分野で知られ又はそれを示すことが予想される構造又は構造単位と、デバイス性能を高める他の機能(例えば、正孔輸送、電子輸送、電荷輸送及び電荷閉込めなど)を果たすことが知られ又は果たすことが潜在的に予想される構造との様々な組合せを含む構造を有するポリマー材料を包含し得る。
一実施形態では、本発明によって提供される有機光電子デバイスは光電子活性有機材料を含む複数の層を含み、前記層は同一の又は相異なる光電子活性有機材料を含む。一実施形態では、本発明は、各々が光電子活性有機材料を含む複数の電気活性層を含む有機光電子デバイスを提供する。この場合、前記層は、光電子活性有機材料を含む1つの層上に光電子活性有機材料を含む別の層を順次に堆積させることで形成される。一実施形態では、各層は異なる波長範囲内の光を放出する異種の光電子活性有機材料を含む。本発明の別の実施形態では、各層は2種以上の光電子活性有機材料の混合物を含む。一実施形態では、有機光電子デバイスは複数の電気活性層を含むOLEDであり、前記層の各々は異種の発光性有機材料を含み、前記異種の発光性有機材料の各々は異なる波長範囲内の光を放出する。
本発明の様々な実施形態では、陰極は有機アンモニウム塩に接触しており、この有機アンモニウム塩は若干の実施形態では下記の構造式(I)を有する有機アンモニウム塩である。
一実施形態では、構造式(I)で表されるアンモニウム塩中のR1、R2、R3及びR4は同一のもの又は相異なるものであり、各々は1〜20の炭素原子を有する炭化水素基を表す。この場合、R1、R2、R3及びR4は各々独立に脂肪族及び芳香族炭化水素基からなる群から選択される。例えば、R1、R2、R3及びR4は、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、アリル、n−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、2−ブテニル、1−ペンチル、2−ペンチル、3−ペンチル、2−メチル−1−ブチル、イソペンチル、tert−ペンチル、3−メチル−2−ブチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、4−メチル−2−ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、1−ヘプチル、3−ヘプチル、1−オクチル、2−オクチル、2−エチル−1−ヘキシル、1,1−ジメチル−3,3−ジメチルブチル(慣用名:tert−オクチル)、ノニル、デシル、フェニル、4−トルイル、ベンジル、1−フェニルエチル及び2−フェニルエチルであり得る。一実施形態では、R1、R2、R3及びR4は1〜12の炭素原子を有する脂肪族炭化水素基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、tert−ブチル、tert−ペンチル及び1,1−ジメチル−3,3−ジメチルブチルである。
別の実施形態では、R1、R2、R3及びR4は1以上のヘテロ原子を含む環状構造を形成できる。例えば、R1及びR2の両方が同じ窒素原子に結合しかつR1及びR2の両方が脂肪族基を表す場合、R1及びR2は一緒になって1以上のヘテロ原子を含む環状構造を形成できる。
構造式Iの陰イオン化学種X−は、一価無機陰イオン、一価有機陰イオン、多価無機陰イオン、多価有機陰イオン及びこれらの混合物からなる群から選択される。一価無機陰イオンには、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、メタンスルホン酸イオン、硫酸水素イオン、重炭酸イオンなどがある。多価無機陰イオンには、炭酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオンなどがある。一価有機陰イオンには、メタンスルホン酸イオン、酢酸イオン、アルコキシドイオン、アセチルアセトン酸イオンなどがある。多価有機陰イオンには、マロン酸イオン、コハク酸イオン、エチレンスルホン酸イオン(即ち、−O3SCH2CH2SO3 −)などがある。
多種多様の有機アンモニウム塩が本発明の有機光電子デバイスの構成材料として使用できる。使用できる有機アンモニウム塩には、下記の構造式(I)を有するアンモニウム塩があり、これらは表1中に例示されている。(破線(------)は基の結合点を示している。)当業者には、構造式(I)が本発明で使用できるすべての好適な有機アンモニウム塩を例示するものでないことが理解されよう。例えば、イミダゾリウム塩である1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド及び1−エチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェートは構造式(I)で定義される部類の範囲外にあるが、それでも本発明の実施に際して有機アンモニウム塩として使用できる。その上、当業者には容易に理解される通り、有機アンモニウム塩の混合物も本発明の実施に際して有利に使用できる。当業者にはさらに、使用する有機アンモニウム塩の構造及び/又は物理的性質を変化させることにより、本発明の有機光電子デバイスの性能特性を調整できることが理解されよう。一実施形態では、有機アンモニウム塩はイオン性液体であるアンモニウム塩である。別の実施形態では、2種以上の有機アンモニウム塩を含む混合物が使用される。使用する有機アンモニウム塩は、本質的に純粋な形態で使用してもよいし、或いは有機アンモニウム塩及び1種以上のアジュバントを含む混合物として使用してもよい。好適なアジュバントには、溶媒、油、ろうむなどがある。
一実施形態では、有機アンモニウム塩は、トリヘキシルテトラデシルアンモニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、トリヘキシル(テトラデシル)アンモニウムヘキサフルオロホスフェート、トリヘキシル(テトラデシル)アンモニウムジシアナミド、メチルトリイソブチルアンモニウムトシレート、テトラデシルトリヘキシルアンモニウムデカノエート、テトラデシルトリヘキシルアンモニウムビス(2,4,4−トリメチルペンチル)ホスフィネート、テトラデシルトリヘキシルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムテトラフルオロボレート、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート及びこれらの混合物からなる群から選択される。
図1〜3は本発明の実施形態を示している。図1には、陰極10及び陽極14間に印加された電圧バイアスの作用下で光を放出する光電子活性有機材料中に有機アンモニウム塩を分散させた例示的な光電子デバイスを示す。アンモニウム塩及び光電子活性有機材料の組合せは、層12として図1中に示されている。有機アンモニウム塩は光電子活性有機材料中に分散させたことによって陽極に接触しており、陰極と光電子活性有機材料との間に介在層は存在していない。図2は、構造式(I)を有するアンモニウム塩を光電子活性有機材料中に分散させた混合物からなる層12に接触した陰極10を含む光電子デバイスである本発明の別の実施形態を示している。図2に示す光電子デバイスは、陽極14及び電荷注入層16も含んでいる。図3は、陰極10が構造式(I)を有するアンモニウム塩を含むイオン性液体の層18に直接接触している本発明のさらに別の実施形態を示している。イオン性液体の層18は光電子活性有機材料を含む層20との間の介在層として役立ち、この光電子活性有機材料は一実施形態では2種以上の電気活性ポリマーの混合物である。図3の有機光電子デバイスは、陰極10及び陽極14間に電圧バイアスを印加することでOLEDとして動作させることができる。図3の有機光電子デバイスは、陰極10及び陽極14間に(光電子デバイスをOLEDとして動作させる場合に使用する電圧バイアスに対して)逆の電圧バイアスを印加することで光起電(PV)デバイスとして動作させることができる。
本発明によって提供される有機光電子デバイス中には、光電子材料を含む層に加えて、導電層間に配設された1以上の層も存在できる。かかる層は、通例は光電子材料を含む層と1以上の導電層との間に位置するので、時には「介在層」といわれる。例えば図3は、陽極14と光電子活性有機材料を含む層12との間に介在層16を含んでいる。例示的な光電子デバイスの効率をさらに高めるため、各種の介在層を光電子デバイス中に含めることができる。例えば、介在層は光電子デバイス中への正電荷(「正孔」)の注入及び/又は輸送を向上させるために役立ち得る。これらの層の各々の厚さは、通例、500ナノメートル未満、通常は100ナノメートル未満に保たれる。これらの介在層用の例示的な材料は、若干の実施形態では、(二三の例を挙げれば)低分子量ないし中分子量(例えば、分子量約2000グラム/モル未満)の有機分子、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(「PEDOT:PSS」)及びポリアニリンである。これらは、吹付け塗り、漬け塗り、物理蒸着又は化学蒸着及び他の方法のような通常の方法により、デバイスの製造中に適用できる。本発明の一実施形態では、所定の順バイアスの下で一層高い注入電流を得るため及び/又はデバイスの破損までに一層高い最大電流を得るため、陽極層と活性有機材料層との間に正孔注入増強層を導入できる。このようにすれば、正孔注入増強層は陽極からの正孔の注入を容易にする。正孔注入増強層用の例示的な材料は、米国特許第5,998,803号(その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす)に開示されているもののようなアリーレン系化合物である。特定の例には、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びビス(1,2,5−チアジアゾロ)−p−キノビス(1,3−ジチオール)がある。
一実施形態では、例示的なデバイスは正孔輸送層である介在層を含んでいる。一実施形態では、正孔輸送層は正孔注入増強層と光電子活性有機材料を含む層との間に配設される。正孔輸送層は正孔を輸送すると共に電子の輸送をブロックする結果、正孔及び電子が活性有機材料層中で実質的に最適に結合できる。正孔輸送層用の例示的な材料には、若干の例を挙げれば、トリアリールアミン、トリアリールジアミン、テトラフェニルジアミン、芳香族第三アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、及びポリチオフェンがある。
他の実施形態では、介在層は追加層として「電子注入及び輸送増強層」を含み、これは通例は電子供与材料と光電子活性有機材料層との間に配設される。電子注入及び輸送増強層として使用される典型的な材料には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムのような有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体及びニトロ置換フルオレン誘導体などがある。
一実施形態では、光電子活性材料は、母材ポリマーとして役立ち得るポリマー材料と混合することもできる。一般に、公知ポリマー材料のいずれもが使用できる。
一実施形態では、光電子活性材料を含む層はさらに、蛍光染料又はりん光染料を含む。一実施形態では、本発明は有機発光ダイオード(OLED)である有機光電子デバイスを提供し、前記OLEDはフォトルミネセント(「PL」)層を含む。一実施形態では、フォトルミネセント層は1種以上の蛍光物質を含む蛍光層である。本発明の別の実施形態では、フォトルミネセント層は1種以上のりん光物質を含むりん光層である。一実施形態では、本発明によって提供される光電子デバイスは蛍光層及びりん光層の両方を含む。かかる層中で使用するための好適なフォトルミネセント物質は、例えば、米国特許第6,847,162号に開示されているものである。
本発明によって提供される光電子デバイスは、一般に、1種以上のゼロ原子価金属からなりかつ構造式(I)を有する有機アンモニウム塩に接触している陰極、陽極、介在層及び光電子活性有機材料層を含んでいる。一実施形態では、陰極及び陽極の少なくとも一方が透明である。別の実施形態では、光電子デバイス中に存在するすべての層が本明細書中に定義されたように透明である。一実施形態では、本発明によって提供される光電子デバイスは、一実施形態では約90%以上、別の実施形態では95%以上の光透過率を示す透明電極を含んでいる。一実施形態では、本発明は、透明電極と隣接する活性有機材料との間の界面を横切る効率的な電子輸送を示す光起電(「PV」)セルである光電子デバイスを提供する。
別の実施形態では、本発明は光電子デバイスの動作方法を包含する。かかる方法は、光電子デバイスに電界又は光エネルギーを印加して電気エネルギー及び光エネルギーの間で変換を行うことを含んでいる。さらに別の実施形態では、光電子デバイスは有機光起電デバイス、光検出器、ディスプレイデバイス及び有機発光デバイスであり得る。ディスプレイデバイスは、ビジュアルサイン伝達のために使用されるデバイスによって例示される。一実施形態では、かかるデバイスは直流モードで動作させることができる。別法として、かかるデバイスは交流モードで動作させることができる。
一般手順:
以下の実施例では、ポリスチレンスルホネートをドープしたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)は、Bayer CorporationからBaytron(登録商標)Pの商品名で購入した。緑色発光ポリマー(LEP)は、Dow Chemical CompanyからLumation(登録商標)1304の商品名で商業的に入手した。デバイスは以下のようにして製造した。陽極基板として使用する予備パターン化ITO被覆ガラスを紫外線−オゾンで10分間クリーニングした。次いで、スピンコーティングにより、{ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホネート}(PEDOT:PSS)ポリマーの層(60nm)をITO上に堆積させ、この集成体を空気中において180℃で約1時間ベークした。発光層は、発光ポリマーLumation 1304とアンモニウム塩イオン性液体との混合物からなっていた。比較例1では、発光層中にアンモニウム塩イオン性液体を含めなかった。発光層は、LEP及びアンモニウム塩イオン性液体の溶液をPEDOT:PSS層上にスピンコートすることで形成した。次いで、アルゴン(水分及び酸素は公称的にそれぞれ1ppm未満及び10ppm未満であった。)を満たしたグローブボックス内に試料を移した。次いで、発光層上に110nmのAl陰極層を熱蒸着した。金属被覆後、Norland products,Inc.(クランベリー、米国ニュージャージー州08512)から入手した光学接着剤NORLAND 68でシールしたカバーガラスを用いてデバイスを封入した。活性面積は約0.2cm2であった。
以下の実施例では、ポリスチレンスルホネートをドープしたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)は、Bayer CorporationからBaytron(登録商標)Pの商品名で購入した。緑色発光ポリマー(LEP)は、Dow Chemical CompanyからLumation(登録商標)1304の商品名で商業的に入手した。デバイスは以下のようにして製造した。陽極基板として使用する予備パターン化ITO被覆ガラスを紫外線−オゾンで10分間クリーニングした。次いで、スピンコーティングにより、{ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホネート}(PEDOT:PSS)ポリマーの層(60nm)をITO上に堆積させ、この集成体を空気中において180℃で約1時間ベークした。発光層は、発光ポリマーLumation 1304とアンモニウム塩イオン性液体との混合物からなっていた。比較例1では、発光層中にアンモニウム塩イオン性液体を含めなかった。発光層は、LEP及びアンモニウム塩イオン性液体の溶液をPEDOT:PSS層上にスピンコートすることで形成した。次いで、アルゴン(水分及び酸素は公称的にそれぞれ1ppm未満及び10ppm未満であった。)を満たしたグローブボックス内に試料を移した。次いで、発光層上に110nmのAl陰極層を熱蒸着した。金属被覆後、Norland products,Inc.(クランベリー、米国ニュージャージー州08512)から入手した光学接着剤NORLAND 68でシールしたカバーガラスを用いてデバイスを封入した。活性面積は約0.2cm2であった。
比較例1
一般手順に記載したようにしてOLEDを製造した。発光層中にアンモニウム塩を含めなかった点を除けば、このOLEDは実施例1及び2のOLEDと全く同じであった。
実施例1及び2のOLED並びに比較例1のOLEDの性能を、各OLEDの電流−電圧−輝度(I−V−L)特性を測定することで評価した。輝度計(Minolta LS−110)で較正したフォトダイオードを用いて輝度を(カンデラ/平方メートル(cd/m2)単位で)測定した。各デバイスに関し、それのI−V−Lデータから、(カンデラ/アンペア(cd/A)単位で測定した)効率を(ミリアンペア/平方センチメートル(mA/cm2)単位で測定した)電流密度の関数としてプロットしたグラフを得た。図4は、光電子活性材料としての発光ポリマー(LEP)及び陰極としてのアルミニウム(Al)を含むデバイスである比較例1(C.Ex.1)のOLEDデバイスに関する効率対電流密度プロットを示している。
実施例1(Ex.1)
一般手順に記載したようにして例示的なOLEDを製造した。使用したアンモニウム塩は、Sigma−Aldrich社から入手したイオン性液体トリヘキシルテトラデシルアンモニウムテトラフルオロボレート{CH3(CH2)5}4N(BF4)(CAS#15553−50−1)であった。LEP及びイオン性液体の溶液は、LEPの1.0wt%テトラヒドロフラン溶液2ミリリットル及びトリヘキシルテトラデシルアンモニウムテトラフルオロボレートの0.5%テトラヒドロフラン溶液0.20ミリリットルを混合することで調製した。
一般手順に記載したようにして例示的なOLEDを製造した。使用したアンモニウム塩は、Sigma−Aldrich社から入手したイオン性液体トリヘキシルテトラデシルアンモニウムテトラフルオロボレート{CH3(CH2)5}4N(BF4)(CAS#15553−50−1)であった。LEP及びイオン性液体の溶液は、LEPの1.0wt%テトラヒドロフラン溶液2ミリリットル及びトリヘキシルテトラデシルアンモニウムテトラフルオロボレートの0.5%テトラヒドロフラン溶液0.20ミリリットルを混合することで調製した。
図5及び6を考察すれば、高度に非対称的なI−V曲線(図5)(即ち、順バイアス下での電流が逆バイアス下での電流より5桁以上も大きいこと)によって証明されるように、アンモニウム塩イオン性液体を含むOLEDが有機発光ダイオードとして機能することがはっきりとわかる。図5に示すI−V測定では、バイアス電圧を0.2Vのステップで−10ボルトから10ボルトまで変化させた。効率対電流密度プロットを示す図6は、実施例1の例示的なOLEDの効率が比較例1で観察された効率より優れていることを示している(図4及び図6を比較されたい)。
実施例2
実施例1と同様にして、OLED及び光起電デバイス(例えば、光検出器)の両方として使用できる例示的な有機光電子デバイスを製造した。使用したアンモニウム塩は、イオン性液体トリヘキシルテトラデシルアンモニウムテトラフルオロボレートであった。図7は、紫外線照明下及び暗所における実施例2のデバイスのI−V特性を示している。このデバイスを光起電デバイスとして動作させた場合、364nmで約3mW/cm2の強度を有するハンドヘルド長波長紫外線ランプを照明光源として使用した。デバイスは透明なITO電極を通して照明された。
実施例1と同様にして、OLED及び光起電デバイス(例えば、光検出器)の両方として使用できる例示的な有機光電子デバイスを製造した。使用したアンモニウム塩は、イオン性液体トリヘキシルテトラデシルアンモニウムテトラフルオロボレートであった。図7は、紫外線照明下及び暗所における実施例2のデバイスのI−V特性を示している。このデバイスを光起電デバイスとして動作させた場合、364nmで約3mW/cm2の強度を有するハンドヘルド長波長紫外線ランプを照明光源として使用した。デバイスは透明なITO電極を通して照明された。
図7からわかる通り、例示的なデバイスは(約1×10−5mA/cm2に相当する)約2×10−6アンペアの短絡電流(Isc)を示しているが、これは2.05Vの開放電圧で暗所において測定した電流より3桁以上高い。観察された光応答は、例示的なデバイスが光起電デバイスとして使用できることをはっきりと示している。図7では、照明下及び暗所において、電流を印加される電圧バイアスに対してプロットした。図7では、「Isc」(「短絡電流」)とは照明下において測定したゼロ電圧バイアスでの電流をいい、「Voc」(「開放電圧」)とは電流が最小値に達した場合に対応する電圧をいう。
上述の実施例は単に本発明を例示するものであって、本発明の特徴の一部のみを例示するために役立つにすぎない。特許請求の範囲は想定された限り広い範囲で本発明を権利主張するものであり、本明細書中に示した実施例は多数のあらゆる可能な実施形態から選択された実施形態を例示している。したがって、本出願人は、特許請求の範囲が本発明の特徴を例示するために使用した実施例の選択によって限定されるべきでないことを意図している。特許請求の範囲中で使用する「を含む」という用語及びその文法的変形は、論理的には、範囲の異なる語句(例えば、特に限定されないが、「から実質的になる」及び「からなる」)を内包しかつ包含している。必要な範囲が提示された場合、これらの範囲はその範囲内のすべての部分範囲を包含している。これらの範囲内での変更は当業者に想起されるものと予想すべきであり、既に公共の用に供されていない場合には、これらの変更は可能ならば特許請求の範囲に包含されると解すべきである。また、科学及び技術の進歩が言葉の不正確さのために現在想定されていない同等例及び置換例を可能にすることも予想されるが、これらの変更も可能ならば特許請求の範囲に包含されると解すべきである。
以上、本明細書中には本発明の若干の特徴のみを例示し説明してきたが、当業者には多くの修正及び変更が想起されるであろう。したがって、特許請求の範囲は本発明の真の技術思想の範囲内に含まれるすべてのかかる修正及び変更を包括するものであることを理解すべきである。
10 陰極
12 アンモニウム塩と光電子活性有機材料の混合物
14 陽極
12 アンモニウム塩と光電子活性有機材料の混合物
14 陽極
Claims (26)
- 1種以上のゼロ原子価金属からなる陰極、陽極、及び前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性有機材料を含んでなる有機光電子デバイスであって、前記陰極が1種以上の有機アンモニウム塩に接触している、有機光電子デバイス。
- 前記アンモニウム塩が下記の構造式(I)を有する、請求項1記載のデバイス。
(式中、R1〜R4は各々独立にC1〜C20脂肪族基、C3〜C20脂環式基又はC3〜C20芳香族基であり、X−は一価無機陰イオン、一価有機陰イオン、多価無機陰イオン、多価有機陰イオン及びこれらの混合物からなる群から選択される。) - 前記光電子活性有機材料が前記有機アンモニウム塩に接触している、請求項1記載のデバイス。
- 有機発光ダイオードである、請求項1記載のデバイス。
- 有機光起電デバイスである、請求項1記載のデバイス。
- 直流モードで動作し得る、請求項1記載のデバイス。
- 交流モードで動作し得る、請求項1記載のデバイス。
- 前記ゼロ原子価金属が、アルミニウム、銅、亜鉛、銀、ニッケル、パラジウム、白金、イリジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、ストロンチウム及び上述のものの2種以上の混合物からなる群から選択される、請求項1記載のデバイス。
- 前記ゼロ原子価金属がアルミニウムからなる、請求項1記載のデバイス。
- 前記陰極が透明である、請求項1記載のデバイス。
- 前記陽極が、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛インジウムスズ、酸化アンチモン及びこれらの混合物からなる群から選択される1種以上の材料からなる、請求項1記載のデバイス。
- 前記光電子活性有機材料が、ポリ(n−ビニルカルバゾール)、ポリ(n−ビニルカルバゾール)の誘導体、ポリフルオレン、ポリフルオレンの誘導体、ポリ(パラフェニレン)、ポリ(パラフェニレン)の誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)の誘導体、ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体及びこれらの混合物からなる群から選択される1種以上の材料からなる、請求項1記載のデバイス。
- 前記アンモニウム塩が、トリヘキシルテトラデシルアンモニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、トリヘキシル(テトラデシル)アンモニウムヘキサフルオロホスフェート、トリヘキシル(テトラデシル)アンモニウムジシアナミド、メチルトリイソブチルアンモニウムトシレート、テトラデシルトリヘキシルアンモニウムデカノエート、テトラデシルトリヘキシルアンモニウムビス(2,4,4−トリメチルペンチル)ホスフィネート、テトラデシルトリヘキシルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムテトラフルオロボレート、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1記載のデバイス。
- 構造式(I)を有する1種以上の有機アンモニウム塩がテトラヘキシルアンモニウムテトラフルオロボレートから本質的になる、請求項2記載のデバイス。
- 前記アンモニウム塩がイオン性液体である、請求項1記載のデバイス。
- 1種以上の有機アンモニウム塩が前記陰極の表面上に配設される、請求項1記載のデバイス。
- 1種以上の有機アンモニウム塩が光電子活性有機材料中に配設される、請求項1記載のデバイス。
- さらに介在層を含む、請求項1記載のデバイス。
- 前記介在層が、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層及び電子注入層からなる群から選択される、請求項18記載のデバイス。
- 1種以上の有機アンモニウム塩が1以上の介在層中に配設される、請求項1記載のデバイス。
- 1種以上のゼロ原子価金属からなる陰極、陽極、前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性有機材料、及び下記の構造式(I)を有する1種以上の有機アンモニウム塩を含んでなる有機発光ダイオードであって、前記アンモニウム塩が光電子活性有機材料と陰極との間に配設され、前記アンモニウム塩が陰極に接触している、有機発光ダイオード。
(式中、R1〜R4は各々独立にC1〜C20脂肪族基、C3〜C20脂環式基又はC3〜C20芳香族基であり、X−は一価無機陰イオン、一価有機陰イオン、多価無機陰イオン、多価有機陰イオン及びこれらの混合物からなる群から選択される。) - 1種以上の有機アンモニウム塩が光電子活性有機材料中に配設される、請求項21記載のデバイス。
- さらに介在層を含む、請求項21記載のデバイス。
- 前記介在層が、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層及び電子注入層からなる群から選択される1以上である、請求項23記載のデバイス。
- 1種以上の有機アンモニウム塩が1以上の介在層中に配設される、請求項23記載のデバイス。
- ゼロ原子価金属からなる陰極、酸化インジウムスズからなる陽極、前記陰極と前記陽極との間に配設された光電子活性ポリフルオレン、及び1種以上の有機アンモニウム塩を含んでなる有機発光ダイオードデバイスであって、前記アンモニウム塩が光電子活性有機材料と陰極との間に配設され、前記アンモニウム塩が陰極に接触している、有機発光ダイオードデバイス。
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