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JP2009004631A - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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JP2009004631A
JP2009004631A JP2007165309A JP2007165309A JP2009004631A JP 2009004631 A JP2009004631 A JP 2009004631A JP 2007165309 A JP2007165309 A JP 2007165309A JP 2007165309 A JP2007165309 A JP 2007165309A JP 2009004631 A JP2009004631 A JP 2009004631A
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JP
Japan
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substrate
exposure apparatus
convex portion
liquid
chuck
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Application number
JP2007165309A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshikazu Oki
俊和 大木
Yukio Takabayashi
幸夫 高林
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】液浸露光装置において基板の裏面の内側への液体の侵入を防止する。
【解決手段】露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する。露光装置は、基板を保持する基板チャックを備える。基板チャックは、基板12の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口50を含む。
【選択図】図4B
In an immersion exposure apparatus, liquid is prevented from entering the back side of a substrate.
An exposure apparatus projects an original pattern onto a substrate through a projection optical system and a liquid to expose the substrate. The exposure apparatus includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck includes an ejection port 50 that ejects gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate 12.
[Selection] Figure 4B

Description

本発明は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置、および、該露光装置を工程の一部で使用してデバイスを製造するデバイス製造方法。   The present invention relates to an exposure apparatus that projects an original pattern onto a substrate through a projection optical system and a liquid to expose the substrate, and a device manufacturing method that uses the exposure apparatus as part of a process to manufacture a device. .

高い解像力と大きい焦点深度を実現する露光装置として液浸露光装置が注目されている。液浸露光装置では、投影光学系と基板との間に液体を介在させた状態で原版のパターンを基板に投影する。液浸露光装置には、基板の表面の全体を液体に接触させる方式と、基板の表面の一部のみを液体に接触させる方式とがある。
特開2005−5707号公報
An immersion exposure apparatus has attracted attention as an exposure apparatus that realizes a high resolving power and a large depth of focus. In an immersion exposure apparatus, a pattern of an original is projected onto a substrate with a liquid interposed between the projection optical system and the substrate. In the immersion exposure apparatus, there are a method in which the entire surface of the substrate is brought into contact with the liquid and a method in which only a part of the surface of the substrate is brought into contact with the liquid.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-5707

図8Aは、液浸露光装置において使用される基板チャックの構成を示す図である。図8Bは、図8Aの基板チャック20におけるA部を拡大した図である。基板チャック20は、基板112の裏面を支持する複数の凸部を有する。該複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部21は、環状の凸部である。環状の凸部21の内側に配置された凸部22は、例えば、ピン状又は環状の凸部である。基板チャック20は、真空チャックとして構成され、最も外側に配置された環状の凸部21の内側の空間が減圧されることによって基板112を保持する。   FIG. 8A is a diagram showing a configuration of a substrate chuck used in the immersion exposure apparatus. FIG. 8B is an enlarged view of a portion A in the substrate chuck 20 of FIG. 8A. The substrate chuck 20 has a plurality of convex portions that support the back surface of the substrate 112. The convex portion 21 arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion. The convex part 22 arrange | positioned inside the cyclic | annular convex part 21 is a pin-shaped or cyclic | annular convex part, for example. The substrate chuck 20 is configured as a vacuum chuck, and holds the substrate 112 by reducing the pressure inside the annular convex portion 21 disposed on the outermost side.

最も外側に配置された環状の凸部21の基板支持面に傷が形成されたり、該基板支持面に異物が載ったりすると、基板112の裏面と該基板支持面との間に隙間が生じうる。これにより、液体116が基板112の裏面の内側に流入し、基板112の保持不良や液体116の液面低下等の問題が生じうる。   If scratches are formed on the substrate support surface of the annular convex portion 21 arranged on the outermost side or foreign matter is placed on the substrate support surface, a gap may be generated between the back surface of the substrate 112 and the substrate support surface. . As a result, the liquid 116 flows into the back surface of the substrate 112, and problems such as poor holding of the substrate 112 and a decrease in the liquid level of the liquid 116 may occur.

図9は、液浸露光装置において使用される基板チャックの他の構成を示す図である。基板チャック30は、静電チャックとして構成され、電極31、32に電圧を印加されることによって基板112を保持する。図9に例示するような基板チャック30においても、基板112の裏面の内側への液体116の流入は、基板112の保持不良や液体116の液面低下等の問題が生じさせうる。   FIG. 9 is a view showing another configuration of the substrate chuck used in the immersion exposure apparatus. The substrate chuck 30 is configured as an electrostatic chuck, and holds the substrate 112 by applying a voltage to the electrodes 31 and 32. Even in the substrate chuck 30 illustrated in FIG. 9, the inflow of the liquid 116 to the inside of the back surface of the substrate 112 may cause problems such as poor holding of the substrate 112 and a decrease in the liquid level of the liquid 116.

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、基板の裏面の内側への液体の侵入を防止することを目的とする。   The present invention has been made with the above problem recognition as an opportunity, and an object thereof is to prevent, for example, liquid from entering the inside of the back surface of the substrate.

本発明の第1の側面に係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置として構成され、基板を保持する基板チャックを備える。前記基板チャックは、基板の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口を含む。   An exposure apparatus according to a first aspect of the present invention is configured as an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid, and includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck includes an injection port that injects gas toward an outer peripheral portion of the back surface of the substrate.

本発明の第2の側面に係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置として構成され、基板を保持する基板チャックを備える。前記基板チャックは、複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部は、環状の凸部であり、少なくとも前記環状の凸部に対して撥液コーティングが施されている。   An exposure apparatus according to a second aspect of the present invention is configured as an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid, and includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck has a plurality of convex portions, and the convex portion arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion, and at least the liquid-repellent coating is provided on the annular convex portion. It has been subjected.

本発明の第3の側面に係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置として構成され、基板を保持する基板チャックを備える。前記基板チャックは、複数の凸部を有し、少なくとも、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された第1の凸部および前記第1の凸部に最も近接して配置された第2の凸部は、環状の凸部であり、少なくとも前記第1の凸部および前記第2の凸部に対して撥液コーティングが施されている。   An exposure apparatus according to a third aspect of the present invention is configured as an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid, and includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck has a plurality of convex portions, and at least a first convex portion arranged on the outermost side of the plurality of convex portions and a second convex portion arranged closest to the first convex portion. The convex portion is an annular convex portion, and at least the first convex portion and the second convex portion are liquid-repellent coated.

本発明によれば、例えば、基板の裏面の内側への液体の侵入を防止することができる。   According to the present invention, for example, liquid can be prevented from entering the inside of the back surface of the substrate.

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の好適な実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。図2は、図1に示された露光装置100の基板ステージ機構5およびその周辺を模式的に示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置100は、液浸露光装置として構成されている。即ち、露光装置100は、原版ステージ2に保持された原版(レチクル)を照明光学系1によって照明して該原版のパターンを投影光学系3および液体を介して基板12に投影する。これによって基板12が露光される。   FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view schematically showing the substrate stage mechanism 5 of the exposure apparatus 100 shown in FIG. The exposure apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention is configured as an immersion exposure apparatus. That is, the exposure apparatus 100 illuminates the original (reticle) held on the original stage 2 by the illumination optical system 1 and projects the pattern of the original onto the substrate 12 via the projection optical system 3 and the liquid. As a result, the substrate 12 is exposed.

基板ステージ機構5は、例えば、基板ステージ定盤5Aと、基板ステージ定盤5A上で移動する基板ステージ(スライダー)5Bと、基板ステージ5Bに搭載された基板チャック5Cとを含む。   The substrate stage mechanism 5 includes, for example, a substrate stage surface plate 5A, a substrate stage (slider) 5B that moves on the substrate stage surface plate 5A, and a substrate chuck 5C mounted on the substrate stage 5B.

露光装置100が走査露光装置として構成される場合には、原版ステージ2および基板ステージ5Bとが投影光学系3の倍率に応じた速度比で走査駆動されることによって基板12が走査露光されうる。   When the exposure apparatus 100 is configured as a scanning exposure apparatus, the original stage 2 and the substrate stage 5B are scanned and driven at a speed ratio corresponding to the magnification of the projection optical system 3, whereby the substrate 12 can be scanned and exposed.

基板チャック5Cは、基板12を保持する。基板チャック5Cは、基板12の全体を液体に浸けるための槽を形成するように枠5Wを有する。基板チャック5Cの詳細については後述する。   The substrate chuck 5C holds the substrate 12. The substrate chuck 5C has a frame 5W so as to form a tank for immersing the entire substrate 12 in the liquid. Details of the substrate chuck 5C will be described later.

アライメントスコープ6は、基板12を位置決めするために、基板112に形成されているアライメントマーク及び基板ステージ5B上に配置されている基準マークを計測する。フォーカススコープ7は、基板12の表面を投影光学系3の像面に一致させるために、基板12の表面の高さ、即ち、投影光学系3の光軸方向における基板12の表面位置を計測する。   The alignment scope 6 measures an alignment mark formed on the substrate 112 and a reference mark arranged on the substrate stage 5B in order to position the substrate 12. The focus scope 7 measures the height of the surface of the substrate 12, that is, the surface position of the substrate 12 in the optical axis direction of the projection optical system 3 in order to make the surface of the substrate 12 coincide with the image plane of the projection optical system 3. .

Xバーミラー8は、基板ステージ5BのX方向における位置をレーザー干渉計によって計測するために使用される。Yバーミラー9は、基板ステージ5BのY方向における位置をレーザー干渉計によって計測するために使用される。ステージ基準マーク10は、基板ステージ5Bに設けられていて、アライメントのための使用される。照度センサー11は、基板ステージ5Bに設けられていて、露光光の照度を計測するための使用される。   The X bar mirror 8 is used to measure the position of the substrate stage 5B in the X direction with a laser interferometer. The Y bar mirror 9 is used to measure the position of the substrate stage 5B in the Y direction with a laser interferometer. The stage reference mark 10 is provided on the substrate stage 5B and is used for alignment. The illuminance sensor 11 is provided on the substrate stage 5B and is used for measuring the illuminance of exposure light.

搬送ロボット13は、基板チャック5Cへの基板の搬送および基板チャック5Cからの基板の回収のために使用される。   The transport robot 13 is used for transporting the substrate to the substrate chuck 5C and collecting the substrate from the substrate chuck 5C.

液体タンク14は、液浸用の液体を収容し、供給回収部15に対して液体を供給し、供給回収部15から回収する。供給回収部15は、基板12に液体を供給し、基板12から液体を回収する。   The liquid tank 14 stores liquid for immersion, supplies liquid to the supply / recovery unit 15, and recovers it from the supply / recovery unit 15. The supply / recovery unit 15 supplies the liquid to the substrate 12 and recovers the liquid from the substrate 12.

以下、図3を参照しながら露光装置100によって基板を露光する際のシーケンスを説明する。まず、図3(a)に示すように、基板ステージ5B上の基板チャック5Cに搬送された基板12について、アライメント用の計測及びフォーカス用の計測がなされる。この状態では、基板12と投影光学系3との間には、液体は存在しない。アライメント用の計測およびフォーカス用の計測の際に、基板12と投影光学系3との間に液体が存在すると、基板上のレジストと液体との間の屈折率の差、および、液面とレジスト面との反射率の差が少ないことから、フォーカス用の計測が困難になる。   Hereinafter, a sequence when the substrate is exposed by the exposure apparatus 100 will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 3A, alignment measurement and focus measurement are performed on the substrate 12 transferred to the substrate chuck 5C on the substrate stage 5B. In this state, no liquid exists between the substrate 12 and the projection optical system 3. If liquid is present between the substrate 12 and the projection optical system 3 during alignment measurement and focus measurement, the difference in refractive index between the resist on the substrate and the liquid, and the liquid level and the resist. Since the difference in reflectance from the surface is small, it is difficult to measure for focus.

アライメント用の計測およびフォーカス用の計測が終了すると、図3(b)に示すように、基板ステージ5B(基板12)が供給回収部15の下方位置に駆動され、供給回収部15から基板12に液体が供給される。ここで、液体は、基板12が完全に浸かるように基板チャック5Cの枠内に供給される。液体は、空気に比べて屈折率が大きく、投影光学系3の最終面と基板12との間の空間を液体で満たすことにより、投影光学系3の見かけ上のNAが拡大し、解像度が向上する。   When the alignment measurement and the focus measurement are completed, the substrate stage 5B (substrate 12) is driven to a position below the supply / recovery unit 15 as shown in FIG. Liquid is supplied. Here, the liquid is supplied into the frame of the substrate chuck 5C so that the substrate 12 is completely immersed. Liquid has a higher refractive index than air and fills the space between the final surface of the projection optical system 3 and the substrate 12 with the liquid, thereby increasing the apparent NA of the projection optical system 3 and improving the resolution. To do.

次に、図3(c)に示すように、基板12が液体に浸かった状態で、基板ステージ5Bが露光位置まで駆動され、図3(d)に示すように、基板12が露光される。   Next, as shown in FIG. 3C, the substrate stage 5B is driven to the exposure position while the substrate 12 is immersed in the liquid, and the substrate 12 is exposed as shown in FIG.

露光が終了すると、図3(e)に示すように、搬送ロボット13による基板の回収位置までに、基板ステージ5Bが駆動され、基板12が搬送ロボット13により回収される。   When the exposure is completed, as shown in FIG. 3E, the substrate stage 5 </ b> B is driven to the substrate collection position by the transfer robot 13, and the substrate 12 is collected by the transfer robot 13.

次に、図3(f)に示すように、搬送ロボット13によって露光装置の外部に基板12が搬送される。次に、図3(g)に示すように、搬送ロボット13によって次の基板12が基板ステージ5B上の基板チャック5Cに搬送される。以下、上記と同様の処理が次の基板12に対してなされる。   Next, as shown in FIG. 3F, the substrate 12 is transferred to the outside of the exposure apparatus by the transfer robot 13. Next, as shown in FIG. 3G, the next substrate 12 is transferred to the substrate chuck 5C on the substrate stage 5B by the transfer robot 13. Thereafter, the same processing as described above is performed on the next substrate 12.

図4Aは、第1実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。図4Bは、図4Aの基板チャック5CにおけるA部を拡大した図である。図4Aおよび図4Bに示す基板チャック5Cは、基板12の裏面を支持する複数の凸部を有する。該複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部21は、環状の凸部である。環状の凸部21の内側に配置された凸部22は、例えば、ピン状又は環状の凸部である。基板チャック20は、真空チャックとして構成され、最も外側に配置された環状の凸部21の内側の空間が減圧されることによって基板12を保持する。   FIG. 4A is a diagram schematically showing the configuration of the substrate chuck 5C of the first embodiment. FIG. 4B is an enlarged view of a portion A in the substrate chuck 5C of FIG. 4A. The substrate chuck 5C shown in FIGS. 4A and 4B has a plurality of convex portions that support the back surface of the substrate 12. The convex portion 21 arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion. The convex part 22 arrange | positioned inside the cyclic | annular convex part 21 is a pin-shaped or cyclic | annular convex part, for example. The substrate chuck 20 is configured as a vacuum chuck, and holds the substrate 12 by reducing the pressure inside the annular convex portion 21 disposed on the outermost side.

基板チャック5Cは、基板12の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口50を含む。噴射口50は、最も外側に配置された環状の凸部21の外側に配置される。基板チャック5Cは、噴射口50に加えて、又は、噴射口50に代えて、少なくとも環状の凸部21、好ましく環状の凸部21およびその外側の部分に施された撥液コーティング19を含みうる。撥液コーティング19は、例えば、90°以上のぬれ角を有することが好ましい。噴射口50から噴射される気体および/または撥液コーティング19により、基板12の裏面の内側に液体が侵入することが防止される。噴射口50から噴射される気体の圧力は、基板12の周辺部を浮き上がらせたり基板12の平坦度を悪化させたりすることがないように、基板12を真空吸着する力よりも十分に小さいものにすることが好ましい。また、噴射口50から噴射される気体は、液体16の気化を促進しないように、露光時にのみ噴射されることが好ましい。ここで、「撥液」は、液体をはじくことを意味し、液体が水である場合には、「撥水」と呼ばれる。   The substrate chuck 5 </ b> C includes an ejection port 50 that ejects gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate 12. The injection port 50 is arrange | positioned on the outer side of the cyclic | annular convex part 21 arrange | positioned on the outermost side. The substrate chuck 5 </ b> C can include at least the annular protrusion 21, preferably the annular protrusion 21, and the liquid-repellent coating 19 applied to the outer portion in addition to or instead of the injection opening 50. . The liquid repellent coating 19 preferably has a wetting angle of 90 ° or more, for example. The gas injected from the injection port 50 and / or the liquid repellent coating 19 prevents the liquid from entering the back surface of the substrate 12. The pressure of the gas injected from the injection port 50 is sufficiently smaller than the force for vacuum-adsorbing the substrate 12 so that the peripheral portion of the substrate 12 is not lifted and the flatness of the substrate 12 is not deteriorated. It is preferable to make it. Moreover, it is preferable that the gas injected from the injection port 50 is injected only at the time of exposure so as not to promote the vaporization of the liquid 16. Here, “liquid repellency” means that the liquid is repelled, and when the liquid is water, it is called “water repellency”.

図5は、第2実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。基板チャック5Cは、静電チャックとして構成され、電極31、32に電圧を印加されることによって基板12を保持する。第2実施形態の基板チャック5Cは、基板12の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口50を含む。第2実施形態の基板チャック5Cは、噴射口50に加えて、又は、噴射口に代えて、少なくとも基板12の裏面における外周部に対向する部分に施された撥液コーティングを含みうる。   FIG. 5 is a diagram schematically showing the configuration of the substrate chuck 5C of the second embodiment. The substrate chuck 5 </ b> C is configured as an electrostatic chuck, and holds the substrate 12 by applying a voltage to the electrodes 31 and 32. The substrate chuck 5 </ b> C of the second embodiment includes an ejection port 50 that ejects gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate 12. The substrate chuck 5 </ b> C of the second embodiment can include a liquid repellent coating applied to at least a portion facing the outer peripheral portion of the back surface of the substrate 12 in addition to or instead of the injection port 50.

噴射口50から噴射される気体および/または撥液コーティングにより、基板12の裏面の内側に液体が侵入することが防止される。 The gas and / or liquid repellent coating sprayed from the spray port 50 prevents the liquid from entering the back surface of the substrate 12.

図6Aは、第3実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。図6Bは、図4Aの基板チャック5CにおけるA部を拡大した図である。図6Aおよび図6Bに示す基板チャック5Cは、複数の凸部を有する。該複数の凸部のうち最も外側に配置された第1の凸部25および該第1の凸部25に最も近接して配置された第2の凸部21は、環状の凸部である。第2の凸部21の内側に配置された凸部22は、例えば、ピン状又は環状の凸部である。基板チャック20は、真空チャックとして構成され、最も外側に配置された環状の凸部21の内側の空間が減圧されることによって基板12を保持する。このように基板12の真空吸着のための減圧空間を規定する環状の凸部21の外側に環状の凸部25を付加することにより、環状の凸部21の内側に液体が侵入することが防止される。ここで、第1の凸部25の幅は、第2の凸部21の幅よりも狭く構成されうる。   FIG. 6A is a diagram schematically showing a configuration of a substrate chuck 5C of the third embodiment. FIG. 6B is an enlarged view of a portion A in the substrate chuck 5C of FIG. 4A. The substrate chuck 5C shown in FIGS. 6A and 6B has a plurality of convex portions. Of the plurality of convex portions, the first convex portion 25 disposed on the outermost side and the second convex portion 21 disposed closest to the first convex portion 25 are annular convex portions. The convex part 22 arrange | positioned inside the 2nd convex part 21 is a pin-shaped or cyclic | annular convex part, for example. The substrate chuck 20 is configured as a vacuum chuck, and holds the substrate 12 by reducing the pressure inside the annular convex portion 21 disposed on the outermost side. In this way, by adding the annular protrusion 25 to the outside of the annular protrusion 21 that defines the decompression space for vacuum suction of the substrate 12, liquid can be prevented from entering the inside of the annular protrusion 21. Is done. Here, the width of the first protrusion 25 can be configured to be narrower than the width of the second protrusion 21.

基板チャック5Cは、第1の凸部25と該第1の凸部25との間に溜まりうる液体を排出するための排出口を含むことが好ましい。このような液体の排出は、基板12を保持していない状態でなされうる。   The substrate chuck 5 </ b> C preferably includes a first protrusion 25 and a discharge port for discharging a liquid that can accumulate between the first protrusion 25. Such discharge of the liquid can be performed in a state where the substrate 12 is not held.

図6Cに示すように、第1の凸部25の高さは、第2の凸部21の高さよりも低く手もよい。このような構成によれば、第1の凸部25を設けることによって、第1の凸部25と基板12との間に異物が挟まることによって基板12の平坦度が低下する可能性を低くすることができる。   As shown in FIG. 6C, the height of the first convex portion 25 may be lower than the height of the second convex portion 21. According to such a configuration, by providing the first convex portion 25, the possibility that the flatness of the substrate 12 is lowered due to the foreign matter sandwiched between the first convex portion 25 and the substrate 12 is reduced. be able to.

図6Bおよび図6Cに示す構成例において、少なくとも第1の凸部25および第2の凸部21に対して撥液コーティング19が施されていることが好ましい。このような撥液コーティング19は、基板12の裏面の内側に液体が侵入することをより効果的に防止しうる。   In the configuration example shown in FIGS. 6B and 6C, it is preferable that the liquid repellent coating 19 is applied to at least the first convex portion 25 and the second convex portion 21. Such a liquid repellent coating 19 can more effectively prevent liquid from entering the inside of the back surface of the substrate 12.

図6Dは、第4実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。第4実施形態の基板チャック5Cは、静電チャックとして構成される。このような静電チャックにおいても、図6Bまたは図6Cに示すように、第1の凸部25および第2の凸部21を含み、少なくとも第1の凸部25および第2の凸部21に撥液コーティング19が施された構成を採用しうる。ただし、基板を吸着する面は、静電チャックとして機能するように構成される。   FIG. 6D is a diagram schematically showing the configuration of the substrate chuck 5C of the fourth embodiment. The substrate chuck 5C of the fourth embodiment is configured as an electrostatic chuck. Also in such an electrostatic chuck, as shown in FIG. 6B or FIG. 6C, the electrostatic chuck includes the first convex portion 25 and the second convex portion 21, and at least the first convex portion 25 and the second convex portion 21 include the first convex portion 25 and the second convex portion 21. A configuration to which the liquid repellent coating 19 is applied can be adopted. However, the surface that attracts the substrate is configured to function as an electrostatic chuck.

図7Aは、本発明の第5実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。図7Bは、図7Aに示された露光装置の一部をより詳細に示す図である。第1乃至第4実施形態では、基板の全体を液体に浸ける方式に本発明を適用した例であるが、第5実施形態は、基板の一部、より具体的には、基板に露光光が入射する領域およびその周辺のみに選択的に液体を接触させる。このような方式は、ローカルフィル方式と呼ばれることがある。   FIG. 7A schematically shows the arrangement of an exposure apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 7B is a view showing a part of the exposure apparatus shown in FIG. 7A in more detail. In the first to fourth embodiments, the present invention is applied to a method in which the entire substrate is immersed in a liquid. In the fifth embodiment, a part of the substrate, more specifically, the exposure light is applied to the substrate. The liquid is selectively brought into contact with only the incident area and its periphery. Such a method is sometimes called a local fill method.

第4実施形態の露光装置では、供給ノズル18から基板12の部分的な領域と投影光学系3の最終面との間の空間に液体を供給し、液体回収ノズル17によってその液体を回収する。典型的には、基板12に液体を接触させている間は、供給ノズル18から基板12の部分的な領域と投影光学系3の最終面との間の空間に連続的に液体を供給するとともに余分な液体を液体回収ノズル17によって連続的に回収する。   In the exposure apparatus of the fourth embodiment, liquid is supplied from the supply nozzle 18 to a space between a partial region of the substrate 12 and the final surface of the projection optical system 3, and the liquid is recovered by the liquid recovery nozzle 17. Typically, while the liquid is in contact with the substrate 12, the liquid is continuously supplied from the supply nozzle 18 to the space between the partial region of the substrate 12 and the final surface of the projection optical system 3. Excess liquid is continuously recovered by the liquid recovery nozzle 17.

このような露光装置においても、前述の第1乃至第4実施形態に代表されるような基板チャック5Cを使用することができる。この場合には、基板の全体を液体に浸けるための槽を形成する枠は不要であり、その代わりに、基板の表面と同一の高さを有する同面板によって基板の周囲が囲まれることが好ましい。   Also in such an exposure apparatus, the substrate chuck 5C represented by the first to fourth embodiments described above can be used. In this case, a frame for forming a tank for immersing the entire substrate in the liquid is unnecessary, and instead, it is preferable that the periphery of the substrate is surrounded by the same surface plate having the same height as the surface of the substrate. .

次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図10は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル作製)では設計した回路パターンに基づいてレチクル(原版またはマスクともいう)を作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。   Next, a device manufacturing method using the above exposure apparatus will be described. FIG. 10 is a diagram showing a flow of an entire manufacturing process of a semiconductor device. In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (reticle fabrication), a reticle (also referred to as an original or a mask) is fabricated based on the designed circuit pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer (also referred to as a substrate) is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the reticle and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and is an assembly process (dicing, bonding), packaging process (chip encapsulation), etc. Process. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).

図11は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(CMP)ではCMP工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ16(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ17(露光)では上記の露光装置を用いて、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ18(現像)ではウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像してレジストパターンを形成する。ステップ19(エッチング)ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ20(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。   FIG. 11 is a flowchart showing the detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (CMP), the insulating film is planarized by a CMP process. In step 16 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 17 (exposure), the above exposure apparatus is used to expose a wafer coated with a photosensitive agent through a mask on which a circuit pattern is formed, thereby forming a latent image pattern on the resist. In step 18 (development), the latent image pattern formed on the resist on the wafer is developed to form a resist pattern. In step 19 (etching), the layer or substrate under the resist pattern is etched through the portion where the resist pattern is opened. In step 20 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

本発明の好適な実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus of suitable embodiment of this invention. 図1に示された露光装置の基板ステージ機構およびその周辺を模式的に示す図である。FIG. 2 is a view schematically showing a substrate stage mechanism of the exposure apparatus shown in FIG. 1 and its periphery. 図1に示す露光装置によって基板を露光する際のシーケンスを説明する。A sequence when the substrate is exposed by the exposure apparatus shown in FIG. 1 will be described. 第1実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 1st Embodiment. 第1実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 1st Embodiment. 第2実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 2nd Embodiment. 第3実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 3rd Embodiment. 第3および第4実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 3rd and 4th embodiment. 第3および第4実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 3rd and 4th embodiment. 第4実施形態の基板チャックの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate chuck of 4th Embodiment. 本発明の第5実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus of 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus of 5th Embodiment of this invention. 液浸露光装置において使用される基板チャックの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the substrate chuck used in an immersion exposure apparatus. 図8Aの基板チャックにおけるA部を拡大した図である。It is the figure which expanded the A section in the substrate chuck | zipper of FIG. 8A. 液浸露光装置において使用される基板チャックの他の構成を示す図である。It is a figure which shows the other structure of the substrate chuck used in an immersion exposure apparatus. 半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of the whole manufacturing process of a semiconductor device. ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。It is a figure which shows the detailed flow of a wafer process.

符号の説明Explanation of symbols

1 照明系ユニット
2 原版ステージ
3 投影光学系
5 露光ステージ機構
5A 基板ステージ定盤
5B 基板ステージ(スライダー)
5C 基板チャック
6 アライメントスコープ
7 フォーカススコープ
8 Xバーミラー
9 Yバーミラー
10 基準マーク
11 照度センサー
12 基板
13 搬送ロボット
14 液体タンク
15 供給回収部
16 液体
17 回収ノズル
18 供給ノズル
19 撥液コーティング
21 凸部
22 凸部
23 凸部
31、32 電極
50 噴射口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Illumination system unit 2 Original stage 3 Projection optical system 5 Exposure stage mechanism 5A Substrate stage surface plate 5B Substrate stage (slider)
5C Substrate chuck 6 Alignment scope 7 Focus scope 8 X bar mirror 9 Y bar mirror 10 Reference mark 11 Illuminance sensor 12 Substrate 13 Transfer robot 14 Liquid tank 15 Supply recovery unit 16 Liquid 17 Recovery nozzle 18 Supply nozzle 19 Liquid repellent coating 21 Protrusion 22 Convex Part 23 Convex part 31, 32 Electrode 50 Injection port

Claims (9)

原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
基板を保持する基板チャックを備え、
前記基板チャックは、基板の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口を含む、
ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid,
A substrate chuck for holding the substrate;
The substrate chuck includes an injection port for injecting gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate.
An exposure apparatus characterized by that.
前記基板チャックは、基板の裏面を支持する複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部は、環状の凸部であり、前記噴射口は、前記環状の凸部の外側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The substrate chuck has a plurality of convex portions that support the back surface of the substrate, the convex portion arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion, and the injection port is the annular annular portion. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is disposed outside the convex portion. 少なくとも前記環状の凸部に対して撥液コーティングが施されている、ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein a liquid repellent coating is applied to at least the annular convex portion. 原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
基板を保持する基板チャックを備え、
前記基板チャックは、複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部は、環状の凸部であり、少なくとも前記環状の凸部に対して撥液コーティングが施されている、
ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid,
A substrate chuck for holding the substrate;
The substrate chuck has a plurality of convex portions, and the convex portion arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion, and at least the liquid-repellent coating is provided on the annular convex portion. It has been subjected,
An exposure apparatus characterized by that.
原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
基板を保持する基板チャックを備え、
前記基板チャックは、複数の凸部を有し、少なくとも、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された第1の凸部および前記第1の凸部に最も近接して配置された第2の凸部は、環状の凸部であり、
少なくとも前記第1の凸部および前記第2の凸部に対して撥液コーティングが施されている、
ことを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid,
A substrate chuck for holding the substrate;
The substrate chuck has a plurality of convex portions, and at least a first convex portion arranged on the outermost side of the plurality of convex portions and a second convex portion arranged closest to the first convex portion. The convex part is an annular convex part,
Liquid repellent coating is applied to at least the first and second protrusions,
An exposure apparatus characterized by that.
前記第1の凸部の高さが前記第2の凸部の高さよりも低く、前記第1の凸部が基板に接触しない、ことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。   6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein a height of the first convex portion is lower than a height of the second convex portion, and the first convex portion does not contact the substrate. 前記第1の凸部の幅が前記第2の凸部の幅よりも狭い、ことを特徴とする請求項5又は6に記載の露光装置。   7. The exposure apparatus according to claim 5, wherein a width of the first convex portion is narrower than a width of the second convex portion. 前記第2の凸部よりも内側の空間が減圧されることによって基板が前記基板チャックによって保持される、ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 5, wherein the substrate is held by the substrate chuck by reducing the pressure inside the second convex portion. デバイス製造方法であって、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
A device manufacturing method comprising:
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
Developing the substrate;
A device manufacturing method comprising:
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