JP2009004631A - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
【課題】液浸露光装置において基板の裏面の内側への液体の侵入を防止する。
【解決手段】露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する。露光装置は、基板を保持する基板チャックを備える。基板チャックは、基板12の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口50を含む。
【選択図】図4BIn an immersion exposure apparatus, liquid is prevented from entering the back side of a substrate.
An exposure apparatus projects an original pattern onto a substrate through a projection optical system and a liquid to expose the substrate. The exposure apparatus includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck includes an ejection port 50 that ejects gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate 12.
[Selection] Figure 4B
Description
本発明は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置、および、該露光装置を工程の一部で使用してデバイスを製造するデバイス製造方法。 The present invention relates to an exposure apparatus that projects an original pattern onto a substrate through a projection optical system and a liquid to expose the substrate, and a device manufacturing method that uses the exposure apparatus as part of a process to manufacture a device. .
高い解像力と大きい焦点深度を実現する露光装置として液浸露光装置が注目されている。液浸露光装置では、投影光学系と基板との間に液体を介在させた状態で原版のパターンを基板に投影する。液浸露光装置には、基板の表面の全体を液体に接触させる方式と、基板の表面の一部のみを液体に接触させる方式とがある。
図8Aは、液浸露光装置において使用される基板チャックの構成を示す図である。図8Bは、図8Aの基板チャック20におけるA部を拡大した図である。基板チャック20は、基板112の裏面を支持する複数の凸部を有する。該複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部21は、環状の凸部である。環状の凸部21の内側に配置された凸部22は、例えば、ピン状又は環状の凸部である。基板チャック20は、真空チャックとして構成され、最も外側に配置された環状の凸部21の内側の空間が減圧されることによって基板112を保持する。
FIG. 8A is a diagram showing a configuration of a substrate chuck used in the immersion exposure apparatus. FIG. 8B is an enlarged view of a portion A in the
最も外側に配置された環状の凸部21の基板支持面に傷が形成されたり、該基板支持面に異物が載ったりすると、基板112の裏面と該基板支持面との間に隙間が生じうる。これにより、液体116が基板112の裏面の内側に流入し、基板112の保持不良や液体116の液面低下等の問題が生じうる。
If scratches are formed on the substrate support surface of the
図9は、液浸露光装置において使用される基板チャックの他の構成を示す図である。基板チャック30は、静電チャックとして構成され、電極31、32に電圧を印加されることによって基板112を保持する。図9に例示するような基板チャック30においても、基板112の裏面の内側への液体116の流入は、基板112の保持不良や液体116の液面低下等の問題が生じさせうる。
FIG. 9 is a view showing another configuration of the substrate chuck used in the immersion exposure apparatus. The
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、基板の裏面の内側への液体の侵入を防止することを目的とする。 The present invention has been made with the above problem recognition as an opportunity, and an object thereof is to prevent, for example, liquid from entering the inside of the back surface of the substrate.
本発明の第1の側面に係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置として構成され、基板を保持する基板チャックを備える。前記基板チャックは、基板の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口を含む。 An exposure apparatus according to a first aspect of the present invention is configured as an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid, and includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck includes an injection port that injects gas toward an outer peripheral portion of the back surface of the substrate.
本発明の第2の側面に係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置として構成され、基板を保持する基板チャックを備える。前記基板チャックは、複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部は、環状の凸部であり、少なくとも前記環状の凸部に対して撥液コーティングが施されている。 An exposure apparatus according to a second aspect of the present invention is configured as an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid, and includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck has a plurality of convex portions, and the convex portion arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion, and at least the liquid-repellent coating is provided on the annular convex portion. It has been subjected.
本発明の第3の側面に係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する露光装置として構成され、基板を保持する基板チャックを備える。前記基板チャックは、複数の凸部を有し、少なくとも、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された第1の凸部および前記第1の凸部に最も近接して配置された第2の凸部は、環状の凸部であり、少なくとも前記第1の凸部および前記第2の凸部に対して撥液コーティングが施されている。 An exposure apparatus according to a third aspect of the present invention is configured as an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid, and includes a substrate chuck that holds the substrate. The substrate chuck has a plurality of convex portions, and at least a first convex portion arranged on the outermost side of the plurality of convex portions and a second convex portion arranged closest to the first convex portion. The convex portion is an annular convex portion, and at least the first convex portion and the second convex portion are liquid-repellent coated.
本発明によれば、例えば、基板の裏面の内側への液体の侵入を防止することができる。 According to the present invention, for example, liquid can be prevented from entering the inside of the back surface of the substrate.
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の好適な実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。図2は、図1に示された露光装置100の基板ステージ機構5およびその周辺を模式的に示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置100は、液浸露光装置として構成されている。即ち、露光装置100は、原版ステージ2に保持された原版(レチクル)を照明光学系1によって照明して該原版のパターンを投影光学系3および液体を介して基板12に投影する。これによって基板12が露光される。
FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view schematically showing the
基板ステージ機構5は、例えば、基板ステージ定盤5Aと、基板ステージ定盤5A上で移動する基板ステージ(スライダー)5Bと、基板ステージ5Bに搭載された基板チャック5Cとを含む。
The
露光装置100が走査露光装置として構成される場合には、原版ステージ2および基板ステージ5Bとが投影光学系3の倍率に応じた速度比で走査駆動されることによって基板12が走査露光されうる。
When the
基板チャック5Cは、基板12を保持する。基板チャック5Cは、基板12の全体を液体に浸けるための槽を形成するように枠5Wを有する。基板チャック5Cの詳細については後述する。
The
アライメントスコープ6は、基板12を位置決めするために、基板112に形成されているアライメントマーク及び基板ステージ5B上に配置されている基準マークを計測する。フォーカススコープ7は、基板12の表面を投影光学系3の像面に一致させるために、基板12の表面の高さ、即ち、投影光学系3の光軸方向における基板12の表面位置を計測する。
The
Xバーミラー8は、基板ステージ5BのX方向における位置をレーザー干渉計によって計測するために使用される。Yバーミラー9は、基板ステージ5BのY方向における位置をレーザー干渉計によって計測するために使用される。ステージ基準マーク10は、基板ステージ5Bに設けられていて、アライメントのための使用される。照度センサー11は、基板ステージ5Bに設けられていて、露光光の照度を計測するための使用される。
The X bar mirror 8 is used to measure the position of the substrate stage 5B in the X direction with a laser interferometer. The Y bar mirror 9 is used to measure the position of the substrate stage 5B in the Y direction with a laser interferometer. The
搬送ロボット13は、基板チャック5Cへの基板の搬送および基板チャック5Cからの基板の回収のために使用される。
The
液体タンク14は、液浸用の液体を収容し、供給回収部15に対して液体を供給し、供給回収部15から回収する。供給回収部15は、基板12に液体を供給し、基板12から液体を回収する。
The
以下、図3を参照しながら露光装置100によって基板を露光する際のシーケンスを説明する。まず、図3(a)に示すように、基板ステージ5B上の基板チャック5Cに搬送された基板12について、アライメント用の計測及びフォーカス用の計測がなされる。この状態では、基板12と投影光学系3との間には、液体は存在しない。アライメント用の計測およびフォーカス用の計測の際に、基板12と投影光学系3との間に液体が存在すると、基板上のレジストと液体との間の屈折率の差、および、液面とレジスト面との反射率の差が少ないことから、フォーカス用の計測が困難になる。
Hereinafter, a sequence when the substrate is exposed by the
アライメント用の計測およびフォーカス用の計測が終了すると、図3(b)に示すように、基板ステージ5B(基板12)が供給回収部15の下方位置に駆動され、供給回収部15から基板12に液体が供給される。ここで、液体は、基板12が完全に浸かるように基板チャック5Cの枠内に供給される。液体は、空気に比べて屈折率が大きく、投影光学系3の最終面と基板12との間の空間を液体で満たすことにより、投影光学系3の見かけ上のNAが拡大し、解像度が向上する。
When the alignment measurement and the focus measurement are completed, the substrate stage 5B (substrate 12) is driven to a position below the supply /
次に、図3(c)に示すように、基板12が液体に浸かった状態で、基板ステージ5Bが露光位置まで駆動され、図3(d)に示すように、基板12が露光される。
Next, as shown in FIG. 3C, the substrate stage 5B is driven to the exposure position while the
露光が終了すると、図3(e)に示すように、搬送ロボット13による基板の回収位置までに、基板ステージ5Bが駆動され、基板12が搬送ロボット13により回収される。
When the exposure is completed, as shown in FIG. 3E, the
次に、図3(f)に示すように、搬送ロボット13によって露光装置の外部に基板12が搬送される。次に、図3(g)に示すように、搬送ロボット13によって次の基板12が基板ステージ5B上の基板チャック5Cに搬送される。以下、上記と同様の処理が次の基板12に対してなされる。
Next, as shown in FIG. 3F, the
図4Aは、第1実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。図4Bは、図4Aの基板チャック5CにおけるA部を拡大した図である。図4Aおよび図4Bに示す基板チャック5Cは、基板12の裏面を支持する複数の凸部を有する。該複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部21は、環状の凸部である。環状の凸部21の内側に配置された凸部22は、例えば、ピン状又は環状の凸部である。基板チャック20は、真空チャックとして構成され、最も外側に配置された環状の凸部21の内側の空間が減圧されることによって基板12を保持する。
FIG. 4A is a diagram schematically showing the configuration of the
基板チャック5Cは、基板12の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口50を含む。噴射口50は、最も外側に配置された環状の凸部21の外側に配置される。基板チャック5Cは、噴射口50に加えて、又は、噴射口50に代えて、少なくとも環状の凸部21、好ましく環状の凸部21およびその外側の部分に施された撥液コーティング19を含みうる。撥液コーティング19は、例えば、90°以上のぬれ角を有することが好ましい。噴射口50から噴射される気体および/または撥液コーティング19により、基板12の裏面の内側に液体が侵入することが防止される。噴射口50から噴射される気体の圧力は、基板12の周辺部を浮き上がらせたり基板12の平坦度を悪化させたりすることがないように、基板12を真空吸着する力よりも十分に小さいものにすることが好ましい。また、噴射口50から噴射される気体は、液体16の気化を促進しないように、露光時にのみ噴射されることが好ましい。ここで、「撥液」は、液体をはじくことを意味し、液体が水である場合には、「撥水」と呼ばれる。
The
図5は、第2実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。基板チャック5Cは、静電チャックとして構成され、電極31、32に電圧を印加されることによって基板12を保持する。第2実施形態の基板チャック5Cは、基板12の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口50を含む。第2実施形態の基板チャック5Cは、噴射口50に加えて、又は、噴射口に代えて、少なくとも基板12の裏面における外周部に対向する部分に施された撥液コーティングを含みうる。
FIG. 5 is a diagram schematically showing the configuration of the
噴射口50から噴射される気体および/または撥液コーティングにより、基板12の裏面の内側に液体が侵入することが防止される。
The gas and / or liquid repellent coating sprayed from the
図6Aは、第3実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。図6Bは、図4Aの基板チャック5CにおけるA部を拡大した図である。図6Aおよび図6Bに示す基板チャック5Cは、複数の凸部を有する。該複数の凸部のうち最も外側に配置された第1の凸部25および該第1の凸部25に最も近接して配置された第2の凸部21は、環状の凸部である。第2の凸部21の内側に配置された凸部22は、例えば、ピン状又は環状の凸部である。基板チャック20は、真空チャックとして構成され、最も外側に配置された環状の凸部21の内側の空間が減圧されることによって基板12を保持する。このように基板12の真空吸着のための減圧空間を規定する環状の凸部21の外側に環状の凸部25を付加することにより、環状の凸部21の内側に液体が侵入することが防止される。ここで、第1の凸部25の幅は、第2の凸部21の幅よりも狭く構成されうる。
FIG. 6A is a diagram schematically showing a configuration of a
基板チャック5Cは、第1の凸部25と該第1の凸部25との間に溜まりうる液体を排出するための排出口を含むことが好ましい。このような液体の排出は、基板12を保持していない状態でなされうる。
The
図6Cに示すように、第1の凸部25の高さは、第2の凸部21の高さよりも低く手もよい。このような構成によれば、第1の凸部25を設けることによって、第1の凸部25と基板12との間に異物が挟まることによって基板12の平坦度が低下する可能性を低くすることができる。
As shown in FIG. 6C, the height of the first
図6Bおよび図6Cに示す構成例において、少なくとも第1の凸部25および第2の凸部21に対して撥液コーティング19が施されていることが好ましい。このような撥液コーティング19は、基板12の裏面の内側に液体が侵入することをより効果的に防止しうる。
In the configuration example shown in FIGS. 6B and 6C, it is preferable that the liquid
図6Dは、第4実施形態の基板チャック5Cの構成を模式的に示す図である。第4実施形態の基板チャック5Cは、静電チャックとして構成される。このような静電チャックにおいても、図6Bまたは図6Cに示すように、第1の凸部25および第2の凸部21を含み、少なくとも第1の凸部25および第2の凸部21に撥液コーティング19が施された構成を採用しうる。ただし、基板を吸着する面は、静電チャックとして機能するように構成される。
FIG. 6D is a diagram schematically showing the configuration of the
図7Aは、本発明の第5実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。図7Bは、図7Aに示された露光装置の一部をより詳細に示す図である。第1乃至第4実施形態では、基板の全体を液体に浸ける方式に本発明を適用した例であるが、第5実施形態は、基板の一部、より具体的には、基板に露光光が入射する領域およびその周辺のみに選択的に液体を接触させる。このような方式は、ローカルフィル方式と呼ばれることがある。 FIG. 7A schematically shows the arrangement of an exposure apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 7B is a view showing a part of the exposure apparatus shown in FIG. 7A in more detail. In the first to fourth embodiments, the present invention is applied to a method in which the entire substrate is immersed in a liquid. In the fifth embodiment, a part of the substrate, more specifically, the exposure light is applied to the substrate. The liquid is selectively brought into contact with only the incident area and its periphery. Such a method is sometimes called a local fill method.
第4実施形態の露光装置では、供給ノズル18から基板12の部分的な領域と投影光学系3の最終面との間の空間に液体を供給し、液体回収ノズル17によってその液体を回収する。典型的には、基板12に液体を接触させている間は、供給ノズル18から基板12の部分的な領域と投影光学系3の最終面との間の空間に連続的に液体を供給するとともに余分な液体を液体回収ノズル17によって連続的に回収する。
In the exposure apparatus of the fourth embodiment, liquid is supplied from the
このような露光装置においても、前述の第1乃至第4実施形態に代表されるような基板チャック5Cを使用することができる。この場合には、基板の全体を液体に浸けるための槽を形成する枠は不要であり、その代わりに、基板の表面と同一の高さを有する同面板によって基板の周囲が囲まれることが好ましい。
Also in such an exposure apparatus, the
次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図10は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル作製)では設計した回路パターンに基づいてレチクル(原版またはマスクともいう)を作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
Next, a device manufacturing method using the above exposure apparatus will be described. FIG. 10 is a diagram showing a flow of an entire manufacturing process of a semiconductor device. In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (reticle fabrication), a reticle (also referred to as an original or a mask) is fabricated based on the designed circuit pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer (also referred to as a substrate) is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the reticle and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and is an assembly process (dicing, bonding), packaging process (chip encapsulation), etc. Process. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in
図11は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(CMP)ではCMP工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ16(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ17(露光)では上記の露光装置を用いて、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ18(現像)ではウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像してレジストパターンを形成する。ステップ19(エッチング)ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ20(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。 FIG. 11 is a flowchart showing the detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (CMP), the insulating film is planarized by a CMP process. In step 16 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 17 (exposure), the above exposure apparatus is used to expose a wafer coated with a photosensitive agent through a mask on which a circuit pattern is formed, thereby forming a latent image pattern on the resist. In step 18 (development), the latent image pattern formed on the resist on the wafer is developed to form a resist pattern. In step 19 (etching), the layer or substrate under the resist pattern is etched through the portion where the resist pattern is opened. In step 20 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
1 照明系ユニット
2 原版ステージ
3 投影光学系
5 露光ステージ機構
5A 基板ステージ定盤
5B 基板ステージ(スライダー)
5C 基板チャック
6 アライメントスコープ
7 フォーカススコープ
8 Xバーミラー
9 Yバーミラー
10 基準マーク
11 照度センサー
12 基板
13 搬送ロボット
14 液体タンク
15 供給回収部
16 液体
17 回収ノズル
18 供給ノズル
19 撥液コーティング
21 凸部
22 凸部
23 凸部
31、32 電極
50 噴射口
DESCRIPTION OF
Claims (9)
基板を保持する基板チャックを備え、
前記基板チャックは、基板の裏面における外周部に向けて気体を噴射する噴射口を含む、
ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid,
A substrate chuck for holding the substrate;
The substrate chuck includes an injection port for injecting gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate.
An exposure apparatus characterized by that.
基板を保持する基板チャックを備え、
前記基板チャックは、複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された凸部は、環状の凸部であり、少なくとも前記環状の凸部に対して撥液コーティングが施されている、
ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid,
A substrate chuck for holding the substrate;
The substrate chuck has a plurality of convex portions, and the convex portion arranged on the outermost side among the plurality of convex portions is an annular convex portion, and at least the liquid-repellent coating is provided on the annular convex portion. It has been subjected,
An exposure apparatus characterized by that.
基板を保持する基板チャックを備え、
前記基板チャックは、複数の凸部を有し、少なくとも、前記複数の凸部のうち最も外側に配置された第1の凸部および前記第1の凸部に最も近接して配置された第2の凸部は、環状の凸部であり、
少なくとも前記第1の凸部および前記第2の凸部に対して撥液コーティングが施されている、
ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an original pattern onto the substrate via a projection optical system and a liquid,
A substrate chuck for holding the substrate;
The substrate chuck has a plurality of convex portions, and at least a first convex portion arranged on the outermost side of the plurality of convex portions and a second convex portion arranged closest to the first convex portion. The convex part is an annular convex part,
Liquid repellent coating is applied to at least the first and second protrusions,
An exposure apparatus characterized by that.
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 A device manufacturing method comprising:
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
Developing the substrate;
A device manufacturing method comprising:
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2007
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100129 |