JP2008511993A - 低温シリコン化合物堆積 - Google Patents

Abstract

連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する（６９０）。トリシラン流を遮断する（６９２）。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力（リモートまたはインサイチュ）を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する（６９４）。窒素ラジカル供給を停止する（６９６）。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約５〜７オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。

Description

本発明は一般に集積回路作製時のシリコン含有層の形成に関し、より詳しくは、反応速度制限プロセッシングによる均一なシリコン化合物層を形成する方法に関する。

超小型電子デバイスの寸法が小さくなるにつれて、厚さ、組成およびカバレージの均一性を含む堆積層の物理的特性が重要になってくる。これは特に集積回路の導体素子を分離する誘電体または絶縁体として作用することが可能なシリコン化合物の層または膜について言える。例えば窒化シリコン材料は半導体産業においてトランジスタゲート誘電体、金属レベル間の絶縁体、酸化または他の拡散を防止するバリア、ハードマスク、パシベーション層、トランジスタ内のスペーサ材料、反射防止コーティング材料、不揮発性メモリ内の層等として広く用いられている。酸化シリコンおよび炭化シリコン材料は同様に集積回路作製において一般的である。

現在、化学気相成長（ＣＶＤ）が基板上の薄層の堆積のために最も一般的に用いられているプロセスである。このプロセスにより最終的に堆積層を形成する分子または原子の前駆体が分子前駆体として反応チャンバ内に同時に供給される。基板は所望の原子または分子種の層が基板上に堆積されるように分子前駆体間の化学反応を促進するために最適化された温度に維持される。従来のＣＶＤによりシリコン含有薄層を形成するのに最も一般的な分子前駆体はシランであった。

ＣＶＤは比較的均一な厚さを有する層を堆積する優れた能力を有することが証明されている。加えて比較的コンフォーマルな層、すなわちそれらの層が上に堆積される表面の形状を厳密に複製する層を作製する。しかしデバイス密度が上昇し続けるとともに、形状がより複雑になっていくため、堆積プロセスはより均一且つコンフォーマルな層のニーズを満たすようにさらに改良されてきた。

これらの理由のため原子層堆積（ＡＬＤ）が半導体製造においてより広がってきた。ＡＬＤは通例多数の堆積サイクルを含み、各サイクルは薄層を堆積する。ＡＬＤは各サイクル中に単一の単分子層しか堆積しないことにより完全にコンフォーマル且つ均一な層を堆積しようとするものである。通例これは自己終結前駆体分子の使用および前駆体の濃縮および熱分解を回避するように条件を最適化することにより達成される。例えばチタニウム化合物層を堆積するためには、ＴｉＣｌ_４などのチタニウム前駆体分子を用いることができる。ＴｉＣｌ_４によればチタニウム原子が基板の表面に付着する一方で、塩素原子が基板表面と反対側のチタニウム原子の側で吸着層を終結させる。その結果基板表面がチタニウム分子の単分子層で被覆されると、チタニウム層の上部は比較的不活性で吸着プロセスを自己終結させる塩素原子を含む。

ＣＶＤとは対照的に、化合物層すなわち２つ以上の元素を含む層を作製するのに用いられるＡＬＤ分子前駆体は通例別々のパルスでＡＬＤリアクタ内に導入される。例えば第１の前駆体は第１のパルスで基板に自己制限的に吸着し、吸着種のリガンドはさらなる吸着を防止する。前駆体の導入間に反応チャンバは、異なる前駆体間の気相反応を防止するために不活性ガスで排気またはパージされる。第１の前駆体のパージ後、第２の前駆体を反応チャンバ内に導入することにより第１の前駆体の導入により堆積された層と反応する、例えばリガンドを剥離またはリガンドを置換することができる。このようにして１サイクルが完了するとともに１つの薄化合物層が基板上に堆積される。層が第２の前駆体と反応した後、第２の前駆体（および任意の副産物）を排気または不活性ガスパージにより除去することができる。これらの前駆体に加えて他の反応物も各サイクル中に反応チャンバ内にパルスで送ることができる。そして所望の厚さの化合物層が達成されるまでこのサイクルを繰り返すことができる。

ＡＬＤはＣＶＤに比べて優れた共形性および均一性をもたらすが、ＡＬＤは速度の点で比較的非効率である。所望の厚さの層は理論的には一度に１分子の単層が形成されなければならず（実際には立体障害の結果として反応部位のブロッキングにより、１分子未満の単分子層が通例である）、さらに各単分子層を形成するために多数のステップを用いなければならないため、ＡＬＤは所与の厚さを有する層の形成がＣＶＤより遅い。その結果共形性および均一性が向上する一方で、ＡＬＤはＣＶＤに比べてスループットが低下するという欠点を有する。

それにもかかわらず半導体製造は現在、数千さらに数百万のデバイスを同時に直径が２００ミリメートル（ｍｍ）の基板上に作製するプロセス中に、シリコン含有化合物膜の堆積を含むため高い共形性および均一性は重要な問題点である。さらにまたこの産業は３００ｍｍウェハに移行するとともに、将来さらに大型のウェハを使用することもある。加えてフラットパネルディスプレイの形状でさらに大型の基板等がますます一般的になってきている。製造プロセス中のシリコン含有化合物膜の厚さおよび／または組成の大きな変動は、影響を受けたデバイスが必要な性能仕様を満たさなければ製造歩留まりの低下につながる恐れがある。また特定のデバイス内の膜にわたる変化はデバイス性能および／または信頼性を低下させる恐れがある。このように回路上の多数の超小型電子デバイスの製造に対応するために基板サイズが増加するにつれて、従来のＣＶＤプロセスの短所により生じる問題も増加する。

その結果高いスループット、超小型電子デバイス内の回路のサイズの低下、および基板の表面積の増加に対する変わらぬニーズにより、高いスループットも可能にしつつ、シリコン化合物のより均一且つコンフォーマルな層を形成する方法に対して引き続きニーズがある。

本発明の一局面によれば集積回路の作製方法が提供される。この方法は複数の基板をトリシランの供給に露出することによりバッチプロセスチャンバ内で基板上にシリコン層を堆積することを含む。シリコン層の反応速度制限堆積を達成するようにプロセスチャンバ内のプロセス条件を選択する。トリシランの供給を遮断する。トリシラン供給の遮断後に、シリコン層を反応種に露出することによりシリコン化合物層を形成する。

本発明のさらに他の局面によれば半導体処理方法が提供される。この方法は反応チャンバ内に反応速度制限堆積条件を設定することを含む。複数の基板をシリコン源に露出することにより反応チャンバ内で基板の各々上にシリコン層を堆積する。シリコン層は約３Å〜約３０Åの厚さを有する。シリコン源はポリシランである。シリコン源の流れを遮断し、シリコン源を反応チャンバから除去する。シリコン層をラジカルに露出してシリコン化合物層を形成する。

本発明の他の局面において半導体リアクタが提供される。該リアクタはプロセスチャンバとプロセスチャンバ内の真空チューブとを備える。チューブは絶縁スリーブにより形成され、スリーブは電源に接続された導電性材料のコイルを収容している。チューブはスリーブの外側であるがプロセスチャンバ内にプラズマを発生するように構成されている。

好適な実施形態の詳細な説明および添付の図面（これらは本発明を図示するものであって限定するものではなく、全体を通して同様な番号は同様な部分を指す。）から本発明をより良く理解されよう。

２００２年７月１６日に出願された、上記に援用した米国特許出願第１０／６２３，４８２号明細書に対する優先権を主張する、トッド（Ｔｏｄｄ）らに与えられた特許国際公開第０４００９８６１Ａ２号パンフレットは、窒化シリコンを堆積して高均一且つコンフォーマルな膜を形成する一方法を開示している。トッド（Ｔｏｄｄ）らは、介在パージステップと交互に行われるトリシランおよび窒素源パルスを教示している。しかしトッド（Ｔｏｄｄ）らはこのような堆積に対する質量流量制限レジームの重要性を強調している。

質量流量制限レジームにおける高品質の結果がバッチシステムよりも枚葉式基板リアクタの状況においてより容易に達成されることは理解できよう。バッチシステムは、複数の基板を同時に処理することにより高スループットを可能にするため好都合である一方で、反応チャンバ内のすべての基板にわたる前駆体蒸気の均等分布を達成する際に困難に直面し得る。質量流量制限レジームにおける局所堆積速度は前駆体の局所濃度によるため、前駆体の不均等分布は、基板にわたってまたは基板のバッチにわたって不均等な堆積速度を生じ得る。そして不均等な堆積速度が不均一層を生じ得る。その一方でバッチシステムは高均一温度分布を達成するためにホットウォールリアクタの原理を採用することが多い。従って好適な実施形態による堆積を、質量移動制限レジームではなく、速度論的制限反応レジームまたは速度論的レジームとしても既知の、反応速度制限条件下で行うことが好ましく、堆積速度は温度変化に敏感であるが供給される反応物濃度には比較的影響を受けない。

好適な実施形態による堆積は、特にバッチ処理の場合、高均一且つコンフォーマルなシリコン含有化合物層の形成を可能にする。シリコン前駆体はバッチプロセスチャンバ内に流入されてシリコン層を堆積する。シリコン前駆体はその後、例えば排気によりまたはパージガスなどの他のガスによるパージにより該チャンバから除去される。他の前駆体が該チャンバ内に流入されてシリコン層と反応することにより、シリコン化合物層を形成する。他の前駆体はその後該チャンバから除去される。この前駆体の流入およびチャンバからの除去のシーケンスを所望であれば繰り返して、所望の厚さのシリコン含有化合物層を形成することができる。堆積条件は、シリコン含有化合物層の形成が速度論的レジームで生じるように選択されることが好ましい。

シリコン前駆体はシランであることが好ましく、ポリシラン（化学式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（式中、ｎ＝２〜４）を有するシラン）であることがより好ましく、ポリシランがトリシランであることが最も好ましい。窒化シリコンを形成するために、他の前駆体は窒素種、例えば窒素ラジカルを含む励起窒素種である。励起窒素種をリモートまたはインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）プラズマによって発生させることができる。いくつかの好適な実施形態において励起窒素種流はアンモニア流と混合される。他の好適な実施形態においてアンモニア流は窒素種ではない励起種流と混合される。予想に反してアンモニアと励起種との組合せは、堆積膜の品質、特に均一性を有利に向上させることが分かった。

このように好適な実施形態による堆積は、以下にさらに説明するように非常に均一且つコンフォーマルな膜の形成を有利に可能にする。

ここで図を参照するが、全体を通して同様な番号は同様な部分を指す。

好適なバッチリアクタ
図１〜６は、オランダ国ビルトホーヘン（Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ，Ｔｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ）のＡＳＭインターナショナル（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）Ｎ．Ｖ．から商品名アドバンス（Ａｄｖａｎｃｅ）４１２^ＴＭまたはＡ４１２^ＴＭで市販されている、例示的なバッチリアクタの２つの異なる型を図示する。図示のリアクタは垂直炉タイプのリアクタであり、効率的な加熱および装填シーケンスの利点があるが、当業者には本明細書に開示した原理および利点が他のタイプのリアクタに適用され得ることは理解されよう。

図１を参照すると、ガス注入器を備えた例示的な細長炉の概略的断面側面図が示されている。プロセスチューブまたはチャンバ５２６は加熱素子（図示せず）によって好適に取り囲まれている。反応空間５２９の外周を定めるライナ５２８はプロセスチャンバ５２６内に好適に設けられている。プロセスチャンバ５２６の下部においてウェハロード５５０がドア５３０によってプロセスチャンバ５２６に出入りし得ることが好ましい。前駆体原料ガスはガス注入器５４０を通過して、好適にはガス供給管５４４により注入される。ガス注入器５４０には、好適には実質的にウェハロード５５０の高さわたって延在する、あるパターンの穴５４８が設けられている。なおガスはまずガス注入器５４０の穴５４８から反応空間５２９内に導入されるため、ガスが移動するガス注入器５４０などのガス送出装置の内部は、反応空間５２９の一部ではなく、ある意味では反応空間５２９の外側である。したがって反応空間５２９は、ガス注入器５４０などのガス送出装置により占有される容積を除くプロセスチャンバ５２６の室内容積を備える。

好適な実施形態においてプロセスチャンバ５２６内では、ガスは概して上方向５５２に流された後、プロセスチャンバ５２６とライナ５２８との間の排気空間５５４を介して反応空間５２９から除去される。排気空間５５４ではガスはポンプ（図示せず）に接続された排気管５５８へと下方向５５６に流れる。ガス注入器５４０はプロセスガスをプロセスチャンバ５２６内に反応空間５２９の高さ全体にわたって好適に分配する。ガス注入器５４０自体はガス流に対する制限として作用して、管５４４により近い穴５４８が、管５４４からより遠い穴５４８よりも多くのガスを反応空間内に注入しやすくなっている。穴５４８を通過するガス流の差のこの傾向は、穴５４８が管５４４から遠く離れて位置するほど、穴５４８間の距離を低減する（すなわち穴５４８の密度を増す）ことによりある程度補償することができることが好ましい。他の実施形態において、穴５４８を構成する個々の穴のサイズが、管５４４からの距離が増すにつれて増大してもよく、または管５４４からの距離が増すにつれて穴５４８のサイズが増大するとともに穴４８間の距離も低減してもよい。しかし好適な実施形態は一定のサイズの穴５４８を備えて、穴５４８を含むガス注入器５４０の側面の表面積を最小限に抑えるように図示されており有利である。

注入器５４０はガス注入器内の圧力を低減するのに好都合に設計されていることにより、反応速度は通例圧の増加に伴って増加するため、注入器内の気相反応を低減する。このような圧力の低下はガス注入器５４０の高さにわたるガスの分布不良につながる恐れがあるが、注入器５４０の高さにわたる穴５４８の分布を選択することによりガス分布の均一性が改善される。

本発明の図示の一実施形態によるガス注入器５４０が図２に示されている。ガス注入器５４０は２つのガス注入部５４１および５４２を好適に備えており、各々別々のガス供給管接続部５４５および５４６がそれぞれ好適に設けられている。第１部５４１はガスを反応空間５２９の下方容積（図１）内に注入するとともに、第２部５４２はガスを反応空間５２９の上方容積（図１）内に注入する。部５４１および５４２は連結部５４９および５５１によって接続されている。その上端においてガス注入器５４０にフック５５３を設けて、ガス注入器５４０の上端をチャンバ５２６（図１）内のフック支持体に固定することができる。

ガス注入器５４０には、実質的にウェハロード５５０（図１）の高さ５６０（図１）にわたって延在するあるパターンの穴５４８が設けられている。穴の合計断面は好ましくは少なくとも約３０ｍｍ^２である。穴５４８の各々の直径は好適には約１ｍｍ以上であり、より好適には約２．５ｍｍ〜３．５ｍｍ、最も好適には約３ｍｍである。図２に示した図示の実施形態において、ガス注入器５４０は約２８２ｍｍ^２の合計穴断面積に対して全体で４０個の穴を有する。より一般的に言うと穴５４８の合計断面積は、好適には約３０ｍｍ^２以上、より好適には約１９６ｍｍ^２〜３８５ｍｍ^２である。

図３を参照すると、ガス注入器５４０の各部５４１および５４２はそれぞれ、ガス注入器５４０を介する原料ガスの誘導に利用可能な内部断面積５６４および５６２を有する。好適には内部断面積５６４および５６２の各々は少なくとも約１００ｍｍ^２である。図示の実施形態においてガス注入器５４０の各部５４１、５４２の断面積は約３３０ｍｍ^２である。より一般的に言うと、各部５４１、５４２の断面積は、約１４０ｍｍ^２〜６００ｍｍ^２であり、より好適には約２２５ｍｍ^２〜４５５ｍｍ^２である。

図３に示した断面はガス注入器５４０の下端を通り、ガスをプロセスチャンバ５２６の下端内に注入する、ガス注入部５４１内に設けられた一対の注入穴５４８を一直線に通っている。各ガス注入部において、穴５４８は同じ高さに対で設けられていることが好ましい。さらに２つの穴５４８は、約９０度に図示されている、約６０〜１２０度の角度５７０をなす２つの方向５６６および５６８に前駆体ガスを注入して、放射方向の均一性を改良する。さらにまた図示のようにガス注入器５４０を備えるチューブは、水平断面に見られるように楕円形状を有することが好ましい。好適には楕円形状の長径はプロセスチャンバ５２６の中心に面している。すなわち長径を有する楕円形状の側面はプロセスチャンバ５２６の中心から放射上に延びる仮想線に垂直である。

好適な実施形態においてＣＶＤモードで、二成分膜の２つの構成要素を提供する２つの前駆体原料ガスは、供給管接続部５４５および５４６（図２）によりガス注入器５４０に進入する前にガス供給システム（図示せず）内で混合される。ガス供給システム内での前駆体ガスの事前混合は、ボートの高さにわたって注入されるガスの均質組成を確実にする１つの方法である。しかしガスを事前混合せずにプロセスチャンバ５２６（図１）内に流入させることができる。他の実施形態において２つの前駆体原料ガスは、各々それらの別々のガス注入器５４０（図示せず）により注入することができるため、ガスはまず反応空間５２９内に注入された後に混合される。その結果２つ以上のガス注入器５４０をプロセスチャンバ５２６内に配置し得ることは理解されよう。

有利には、２つのガス注入部５４１および５４２の利用によりさらなる調整可能性を許容する。異なるガス注入部５４１、５４２に供給される流れを異なるように選択することにより、反応空間５２９へのガス流を微調整することができる。これによりウェハロード５５０（図１）の高さ５６０にわたる前駆体の堆積速度の均一性が向上することになる。

図４を参照するとプロセスチューブ５２６がリモートプラズマ発生器と関連して示されている。図示のリモートプラズマユニットは、米国マサチューセッツ州、ウィルミントン（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＭＡ，ＵＳＡ）のＭＫＳインスツルメンツ（Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）から市販されているマイクロ波ラジカル発生器（ＭＲＧ）を備えているとともに、作動中反応物源が流れるプラズマキャビティまたはアプリケータ５８２に結合されたマイクロ波パワージェネレータ５８０を含んでいる。マイクロ波パワーはパワージェネレータ５８０から導波管５８４を介してプラズマキャビティ５８２に結合されている。好適には図示の実施形態では窒素の供給源であり、最も好適には２原子窒素ガス（Ｎ_２）である反応物源は作動中プラズマキャビティ５８２中を流れ、プラズマ生成物が管５８６によりプロセスチャンバ５２６に搬送される。管の材料および長さは当業者には理解できるように、Ｎ_２への再結合を最小限に抑えるとともにおよびイオンの送出を最小限に抑えつつ、中性窒素種（Ｎ）の送出を最大化するように最適化されることが好ましい。管は図１〜３に図示したタイプのガス注入器に通じることができ、またはプロセスチューブ５２６の下フランジ内などのより従来のガス注入口に通じることが可能であり、そこからプラズマ生成物（および他の反応物）が上方に流れて基板表面にわたって横方向に拡散する。

リモートＭＲＧユニットの使用は特に好適な実施形態のパルス化シリコン前駆体プロセスに適用可能である。多くのバッチプロセスとは異なり、好適な実施形態の窒化（または他の化合物形成ステップ）は速度論的レジームの自己制限プロセスであり、プロセスチャンバ５２６内のラジカル分布の均一性は重要ではない。過剰反応は結果の観点から問題ではない。それでもなおラジカル分布の非均一性は、窒化プロセスを長引かせる、つまりプロセスチャンバ５２６内での各垂直位置における各ウェハにわたる完全な窒化を確実にするように窒化がより長時間行われることになるため不利である。さらにまた均一性の問題以外に、プラズマキャビティ５８２からプロセスチャンバ５２６まで、およびプロセスチャンバ５２６内で各ウェハに到達するまでの横断距離は、再結合を生じる途中の衝突による比較的低いラジカル残留率につながる。

図５を参照すると、インサイチュプラズマ源５９０をプロセスチャンバ５２６内に設けてウェハ５５０にわたるラジカルの分布を改善することができる。プラズマ源は、好適にはプロセスチャンバ５２６（図１）の高さの約半分を越えて延びており、プロセスチャンバ５２６内のウェハスタック５５０の高さの少なくとも約９０％延びていることがより好適である。

図６を参照すると、プラズマ源５９０は例えば銅で形成され、例えば石英またはより好適にはサファイアで形成された絶縁スリーブ５９４内に封止された、導電性コイル５９２を含む。場合によっては鉄またはフェライトで形成された導電性コア５９６も含まれる。絶縁スリーブ５９４により規定される容積（図１）は、好適に排気されることにより絶縁スリーブ５９４内のプラズマ発生を防止する。

作動時には電流がコイルに印加される。容易に利用可能な高周波（ＲＦ）電源例えば１３．５６ＭＨｚをこの目的のために用いることができる。プラズマ源５９０を取り囲むプロセスガスは、絶縁スリーブ５９４の外であるがプロセスチャンバ５２６（図１）の内部で、プラズマ源５９０を取り囲む環内で点火される。ウェハ５５０に近接しているため、リモートプラズマ発生器の使用と比べて、より低い電力を用いることができる。ウェハにわたる分布の対称性は作動中にウェハボートを回転させることにより提供することができる。

好適なシリコン前駆体
シランをシリコン前駆体として用いることが好適である。シランをモノシラン（ＳｉＨ_４）、ポリシラン、およびクロロシラン（ＳｉＨ_４−ｎＣｌ_ｎ（式中、ｎ＝１〜４））からなる群から選択することができる。

ポリシランを、以下に説明するようにシリコン層を形成するためのシリコン前駆体として用いることが好適である。本明細書で用いるように「ポリシラン」は化学式、Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（式中、ｎ＝２〜４）を有する。ポリシランはジシランまたはトリシランであることが好適である。ポリシランはトリシランであることが最も好適である。その結果本発明を、トリシランでＣＶＤサイクルを用いる特に好適な実施形態の状況において説明しているが、当業者には本開示の観点から、記載のプロセスのある利点を他の前駆体および／または他の堆積技術で得ることができるということが理解されよう。

トリシラン（Ｈ_３ＳｉＳｉＨ_２ＳｉＨ_３またはＳｉ_３Ｈ_８）は、２００３年７月１８日に出願された米国特許出願第１０／６２３，４８２号明細書、２００２年２月１１日に出願された米国特許出願第１０／０７４，５６４号明細書、および２００２年８月２日に発行されたＰＣＴ出願国際公開第０２／０６４，８５３号パンフレット、に開示されているように、シリコン前駆体として用いられる場合、大きな利点を提供する。これらの開示全体を本明細書に引用して援用する。例えばシラン（ＳｉＨ_４）などの他のシリコン前駆体を用いるより実質的により低い温度でトリシランを用いて膜を堆積することができる。さらにまたトリシランによる堆積速度は基板材料および厚さに比較的影響を受けない。またトリシランは非常に短い膜の核生成時間を有し、これはシリコンの局所結晶堆積のサイズを低減する。その結果堆積シリコン膜をより薄くすることができる一方でなお均一である。さらにまた膜は局所シリコン堆積のサイズの低下による表面粗さの低下を示すことになる。

加えてプロセススループットに関して、トリシランはシランに対してより高い堆積速度を示す。またトリシランはシランより低いプロセス温度の使用を可能にするためサーマルバジェットを低減する。

このように本明細書に説明した堆積方法でトリシランを用いることは多数の利点をもたらす。例えばこれらの堆積方法は均一に薄く且つ連続したシリコン含有化合物膜の作製を可能にする。これらの利点はより高い歩留まりでのデバイスの製造を可能にするとともに、より小さい回路寸法および／またはより高い信頼性を有する新たなデバイスの製造を可能にする。これらのおよび他の利点を以下に説明する。

好適なプロセスフロー
以下により詳細に説明するように、シリコン含有化合物層を形成する際、基板をシリコン前駆体に露出することにより薄いシリコン層をまず基板上に堆積させる。そしてシリコン層を他の反応種と反応させてシリコン含有化合物層を形成することができる。これらの堆積および反応の多数の連続サイクルを行うことによりシリコン含有化合物層を所望の厚さに積み重ねることができる。

図７は本発明の好適な実施形態による一般的なプロセスシーケンスを示す。基板がプロセスチャンバ内に提供されて、すべてのシーケンスステップがそのプロセスチャンバ内でその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で好適に行われる。「基板」はその一般的な意味で本明細書で用いられ、上に本発明の好適な実施形態によりシリコン含有材料が堆積または適用される任意の下層表面を含む。好適な基板は実際には、限定はしないが、金属、シリコン、ゲルマニウム、プラスチックおよび／またはガラスを含む任意の材料で作製することが可能であり、シリコン化合物（Ｓｉ−Ｏ−Ｃ−Ｈ低誘電率膜を含む）およびシリコン合金が好適である。また基板は内部に、部分作製集積回路と同様にトレンチまたは段差などの物理的構造を有することもできる。

ステップ１００において基板をシリコン前駆体に露出することによりシリコン層を基板上に堆積する。このシリコン前駆体は好適にはシランであり、より好適にはポリシランであり、最も好適にはトリシランである。シリコン前駆体は供給ガスの形態または供給ガスの成分としてプロセスチャンバ内に導入することが好ましい。供給ガスは不活性キャリアガスなどのシリコン前駆体以外のガスを含むことができる。キャリアガスは当該技術で既知のキャリアガス、例えば窒素、水素、ヘリウム、アルゴンまたはそれらの様々な組合せを含むことができる。好適には窒素をキャリアガスとして用いる。シリコン前駆体がトリシランである場合、トリシラン蒸気を搬送するために、キャリアガスと共に使用する気泡管によりトリシランをプロセスチャンバに導入することが好適であり、温度制御気泡管を利用することがより好適である。

シリコン層の形成１００において、当業者に既知の様々な堆積方法によりシリコン前駆体からの堆積を行うことができるが、堆積が本明細書で教示するＣＶＤ法により行われるときに最も大きな利点が得られる。開示する方法は、プラズマエンハンスト化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）またはより好適にはサーマルＣＶＤを含むＣＶＤを採用することにより実行することができる。

堆積条件は基板が装填される特定のタイプのリアクタにおけるプロセッシングに対して好適に調整される。一般に堆積条件は十分なエネルギーを供給して、熱い基板表面上のシリコン前駆体を熱分解または分解するように設定される。

加えて堆積条件は、シリコン前駆体の反応速度がシリコン堆積速度に対する制限変数になるように好適に設定される。このように高均一温度分布を達成するホットウォールリアクタの能力を、均一な層を形成するのに有利に適用することができる。反応速度論的制限条件下で行われる堆積は温度変化に敏感な堆積速度を有するが、高温均一性を確立する能力はこの敏感性の影響を最小限に抑える。さらにまた反応速度論的制限条件は、供給された反応物濃度に比較的影響を受けない堆積速度を有するため有利である。

反応速度論的制限レジームが主に比較的低温の使用により達成されることは理解されよう。これはバッチ炉内で好適な低成膜速度をもたらす。大きなバッチサイズのため、十分なスループットは、反応速度制限レジームに移行する温度に起因する堆積速度で達成することができる。トリシランは非常に低い温度で受容可能な堆積速度を可能にすることにより、サーマルバジェットの消費の大幅な低減を可能にするため有利である。当業者には容易に理解し得るように、サーマルバジェットは臨界寸法が低下し、拡散の許容範囲が低下し、さらに熱処理に対する耐性が低い新たな材料が導入されるにつれて常に低下する。プロセスは約６００℃未満の温度で作動されることが好適であり、約５００℃未満の温度であることがより好適であり、約３００℃〜約５００℃の温度であることがさらに好適である。

温度に加えて、当業者には速度論的レジームが反応物供給量、またはシリコン前駆体の分圧に部分的に依存していることが理解されよう。反応速度は反応物が供給される速度より遅いことが好適である。

ステップ１００で形成された膜の厚さを、所定の組の堆積パラメータ（例えば全圧および温度）に対して堆積時間および／またはガス流量を変化させることにより、当該技術で既知のように目的の用途により変化させることができる。特定の組の堆積条件に対して、シリコン層形成１００のためのシリコン堆積の継続時間は、薄いシリコン層が形成されるように好適に選択される。薄く且つ均一なシリコン層を形成することにより、層を容易に完全に反応させることができるため、均一なシリコン含有化合物層の形成を可能にする。シリコン層の厚さはシリコンの単分子層より大きいが、約２０Å未満であることが好適であり、約１０Å未満であることがより好適である。

図７を続けて参照するとシリコン層形成１００の後、任意の過剰シリコン前駆体および副産物がプロセスチャンバから除去される１１０。シリコン前駆体除去１１０は、以下の不活性ガスによるプロセスチャンバのパージ、シリコン前駆体の排気、またはシリコン前駆体ガスの反応種キャリアガスによる置換を含む除去プロセスの任意の１つまたは任意の組合せにより行うことができる。シリコン前駆体ガス除去１１０がパージにより行われる場合、プロセスチャンバを少なくとも一度チャンバ内の雰囲気を置換するのに十分に長い継続時間パージすることが好適である。

シリコン前駆体ガス除去１１０は、プロセスチャンバ内の特定の反応物の量が十分に低いレベルで、チャンバ内に進入する次の反応物との望まない副反応を最小限に抑えるように好適に行われることは理解されよう。これは転じて、形成されるシリコン含有化合物層内の不純物の好ましくない取り込みを最小限に抑える。このような低レベルの反応物は、例えば反応チャンバのパージまたは排気の継続時間を最適化することにより達成することができる。このようなレベルではプロセスチャンバは特定の反応物が実質的にないと言える。

続けて図７を参照すると、シリコン前駆体ガス除去１１０の後、シリコン層は反応種と反応１２０して、シリコン含有化合物層を形成することができる。シリコン含有化合物層は反応種のプロセスチャンバ内への導入により形成することができる。例えば窒化シリコン層の形成に対して本明細書で以下により詳細に説明するように、シリコン層を完全に反応させるとともに下層の構造へのダメージを回避するように反応条件を選択することが好適である。反応種は、記載したように窒化シリコン層を形成する反応性窒素種、または酸化シリコン層を形成する反応性酸素種を含むことができる。例示的反応性窒素種には（Ｈ_３Ｓｉ）_３Ｎ（トリシリルアミン）、アンモニア、原子状窒素、ヒドラジン（Ｈ_２Ｎ_２）、ヒドラゾイックアシッド（ＨＮ_３）、ＮＦ_３、上記の混合物、および上記と不活性ガス（例えばＨ_２、Ｎ_２、Ａｒ、Ｈｅ）との希釈物などの化学種が挙げられる。窒素ラジカルおよび／またはアンモニアが以下に説明するように反応性窒素種であることがさらに好適である。

続けて図７を参照すると、シリコン含有化合物層の形成１２０後、シリコン前駆体除去１１０に対して上述した方法のいずれかを用いて反応物除去１３０を行うことができる。しかしステップ１１０および１３０が厳密に同じ方法により行われる必要はなく、例えば一方のステップがパージを含む一方で他方のステップが排気を含み得ることは理解されよう。

従って、ステップ１００、１１０、１２０および１３０の実行は、１サイクル１４０を含むとともに、シリコン含有化合物の１層を基板上に堆積する。その後シリコン含有化合物層を所望の厚さに積み重ねるまでサイクル１４０を繰り返すことができる。

様々な他の層を堆積シリコン化合物層上に形成可能であることは理解されよう。例えばシリコン化合物層がゲート誘電体を形成する窒化シリコンである場合、当該技術分野で既知の方法によりゲート電極をゲート誘電体にわたって形成することができる。

図８Ａ〜８Ｅを参照すると、ゲート誘電体の形成に適用された上記のプロセスの結果が様式化図に示されている。図８Ａはウェハ洗浄後の基板４００を図示している。当該技術分野で既知の様々な、別の場所（ｅｘ ｓｉｔｕ）における方法およびその場における方法によって堆積前のウェハ洗浄を実行できることは理解されよう。図８Ｂは堆積層の電気性能を向上するように基板４００上に形成された界面層４１０を図示する。界面層４１０は例えば、限定されないが熱または化学酸化を含む当該技術で既知の方法、もしくは基板を酸化剤に露出することを含む他の方法、により別の場所で、あるいはその場で形成される酸化シリコン層であり得る。図８Ｃは界面層４１０上で最初のサイクル１４０（図７）を行うことにより形成された窒化シリコン層４２０を図示する。図８Ｄはサイクル１４０（図７）をその後さらに行うことにより、より厚く作製された窒化シリコン層４２０を図示する。図８Ｅはその後形成されたゲート電極４３０を図示する。

いくつかの実施形態においてシリコン含有化合物層をその後、各サイクル１４０のステップ１３０（図７）の後に、またはすべてのサイクル１４０を完了した後、反応させることが可能であることは理解されよう。例えば半導体（例えばＳｉＧｅ）として機能するシリコン含有化合物層をその後ドープすることができる。他の例において、酸素源を導入して窒化シリコンを酸化してシリコンオキシナイトライドを形成することにより、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）層を窒化シリコン層から形成することができる。このようなシリコンオキシナイトライド層を、図８Ａ〜８Ｅを参照して上述した酸化シリコン層の代わりに、誘電層を形成する界面層として用いることが可能であることは理解されよう。シリコンカーバイドナイトライド（ＳｉＣ_ｘＮ_ｙ）またはシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯ_ｘＣ_ｙ）を後の炭化、窒化または酸化ステップにより同様に形成することができる。

いくつかの実施形態において異なるシリコン源を異なるサイクル１４０（図７）で用いることができる。例えば１サイクルに対してトリシランをシリコン前駆体として用いることができるとともに、他のサイクルに対してジシランを用いることができる。サイクル１４０（図７）の最初の実行で、トリシランを用いて基板上に堆積される少なくとも第１のシリコン層を形成することが好適である。例えばハロシラン類（すなわち化学式Ｒ_４−ＸＳｉＨ_Ｘ（式中、Ｒ＝Ｃｌ、ＢｒまたはＩでありかつＸ＝０〜３）を有するシリコン化合物）または他のシラン類（Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（式中、ｎ＝１〜４でありｎ≧２が好ましい）を用いて後続のシリコン層を形成することができる。シリコン前駆体の組合せを用いることができ、例えば第１のシリコン層形成後にトリシランとジシランとを同時に用いることができることも理解されよう。

各サイクル１４０のステップ１００（図７）の温度が等温であることが好ましいが、異なるサイクル１４０に対して変化することが可能であることはさらに理解されよう。例えばシリコン層形成１００が約５２５℃未満である第１の温度で行い得るが、約５００℃未満であることが好適であり、約４７５℃未満であることが最も好適である。好適にはその層をその後数秒間放置することにより、シリコン含有化合物層の形成１２０（図７）前に、堆積した状態のシリコン層から水素を完全に排除することが可能である。好適にはその層を１０秒を超えて放置させる。シリコン含有化合物層の形成１２０（図７）の場合、その後温度を第１の温度より高い第２の温度まで上昇させる。その後のサイクル１４０（図７）をこの第２の高い温度で等温的に行って、所望の厚さのシリコン含有化合物層を堆積することが好適である。このようなプロセスは、低温および水素排除期間が基板表面との界面において低水素含有量を有する膜を生じるため、結晶シリコン（例えばＳｉＯ_２、低誘電率スピンオングラス材料、金属酸化物、金属シリケートおよび金属）以外の基板表面上の窒化シリコン膜堆積に特に有用である。その後の堆積サイクルに対するより高い温度は、低水素界面の形成後により速い堆積およびスループットの向上を可能にするため有利である。

サイクル１４０のステップ１００〜１３０のいずれかのステップまたは組合せを、次のステップに進む前に複数回実行可能であることも理解されよう。例えば各々シリコン前駆体源除去を伴う複数のシリコン前駆体パルスを行うことにより、シリコン層が反応してシリコン含有化合物層を形成する前にシリコン層を形成することができる。同様に各々反応種除去のために続けられる複数の反応種パルスを行うことにより、シリコン層を反応させて、他のシリコン層を形成する前または形成せずにシリコン含有化合物層を形成することができる。

窒化シリコン膜の堆積
図９はトリシランによるシリコン層と反応するとともにシリコン化合物層を形成するラジカルの使用に対するある局面においてより具体的な方法で窒化シリコン層の堆積のプロセスを図示する。

図９を参照するとまずトリシランを流すことによりシリコン層を堆積する６９０。上記したようにプロセス条件を速度論的レジームの堆積用に構成する。プロセスを約６００℃未満の温度で作動することが好適であり、約５００℃未満の温度がより好適であり、約４００〜４５０℃の温度がさらに好適である。加えて反応物供給量またはトリシランの分圧を十分に低いレベルに設定することにより速度論的レジームの堆積を維持する。反応速度が反応物が供給される速度より遅い限り、適切に調整されたバッチ炉（均一温度を維持することができる）における均一性は良好である。セー（Ｓｚｅ）、ＶＬＳＴ技術（ＶＬＳＩ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ）、ｐｐ．２４０〜２４１（１９８８）を参照し、その開示を本明細書に引用して援用する。図示のバッチリアクタにおいて、処理圧力は約１０Ｔｏｒｒ以下に維持され、約１Ｔｏｒｒ以下であることがより好適である。反応速度制限堆積を維持するために、トリシランを約１００ｓｃｃｍトリシラン未満で供給することが好適であり、約２０ｓｃｃｍ未満であることがより好適である。トリシランは通例、Ｎ_２、Ｈ_２、ＡｒまたはＨｅなどの非反応または不活性ガス流で希釈される。トリシラン分圧はこのように約１０ｍＴｏｒｒ未満であり、約３〜４ｍＴｏｒｒであることがより好適である。トリシランステップ６９０は約３０〜１２０秒の継続時間を有することが好適である。約３〜３０Åのシリコンが堆積ステップ６９０で堆積されることが好適であり、約３〜８Åがより好適であり、約４〜５Åが最も好適である。

堆積シリコン層の厚さを以下に説明するステップ６９４の窒化条件に基づいて選択することが好適である。これはシリコン層の窒化中、原子状窒素がシリコン層中および下層のシリコン基板内に拡散することが可能であるからである。この窒素拡散の深さは、当該技術で既知のように測定することができ、窒化温度および窒化継続時間を含む様々なプロセス条件に関係する。このように所与の組のプロセス条件に対して、原子状窒素はシリコン層内におよび場合によってはシリコン層を介して、窒化飽和深さと呼ばれる特定の深さまで拡散することになる。窒化が約１分未満しか生じない場合、窒化飽和深さを短期窒化飽和深さと呼ぶことができる。

下層基板の窒化は、論理的に予想されるものより劣る誘電特性を有する窒化シリコン層になることが見出された。したがって堆積窒化シリコン膜の誘電性能を向上するために、好適には基板上に形成された第１のシリコン層を窒化飽和深さ以上の厚さまで堆積することにより、下層基板の窒化を最小限に抑えることが好適である。続いて堆積される層は通例、この第１のシリコン層上に堆積される結果、窒化飽和深さよりも基板から遠く離間することになることは理解されよう。その結果第１の層の後に堆積されたシリコン層の厚さは、窒化飽和深さ以下である。

しかし所与の組の窒化条件の場合、第１のシリコン層の形成後、後続サイクルで形成されるシリコン層は、窒化飽和深さが比較的一定である一方で窒化シリコン層厚さが増大するためより薄くてもよい。例えば第１のシリコン層をほぼ窒化飽和深さ、例えば約８〜２０Åまで堆積することができ、後続層をより薄い厚さ、例えば１サイクル当り約３Å〜１０Åまで堆積することができる。シリコン層の厚さを変化させることに加えて、窒化温度および／または窒化継続時間などの他のプロセス条件を変化させて、窒化飽和深さがシリコン層の厚さより深くならないようにすることが可能であることは理解されよう。

堆積ステップ６９０後、トリシラン流は遮断される。図示の実施形態においてリアクタを好適には１０秒〜５分間パージする６９２ことが好適であり、約２０〜４０秒間であることが最も好適である。パージ６９２は、気相反応および粒子を不本意に生じる恐れがある、トリシランと後続のラジカルとの間の相互作用を防止する。バッチリアクタ用の例示的パージ流は５ｓｌｍＮ_２である。他の非反応ガスを用いることができるが、Ｎ_２は本明細書に記載した窒化プロセスでの効率にとって特定の利点を有する。

続いて活性種が供給されて、堆積ステップ６９０により残された薄いシリコン層と反応する。図示の実施形態において前のパージステップ６９２では窒素ガス（Ｎ_２）が流れていた。従って単にＮ_２流を継続するとともにプラズマパワーをチューニングして６９４窒素ラジカルを活性化することにより、活性種を供給することができる。
トリシラン堆積に好適な非常に低い温度条件下で非反応性であるが、プラズマパワーをチューニングすることにより活性化してシリコン層と反応するラジカルを形成するとともにシリコン化合物を形成することができる、多くの他の反応物についても同じことが言えることは当業者には理解できよう。さらにリモートプラズマ発生器（図４）に対して、またはインサイチュプラズマ源（図５〜６）に対してプラズマパワーをチューニングすることができる。

好適な実施形態において高周波電力の印加により窒素ラジカルを発生させる。好適な実施形態においてこの高周波はＧＨｚの範囲である。一例では窒素ラジカルは、２．４５ＧＨｚで３ｋＷのマイクロ波パワーの印加で１〜５ｓｌｍＮ_２をＭＲＧを通すことにより、ＭＳＫインスツルメンツ（Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）のリモートマイクロ波ラジカル発生器（ＭＲＧ）で発生させる。場合によっては１つまたは複数のガス注入器の使用により、遠隔発生させたラジカルをウェハロード全体にわたって分配することができる。代替的には炉チャンバ内で、好適には垂直細長チャンバの長さ全体にわたって窒素ラジカルを発生させることもできる。これは高周波電力のプロセスチューブ内への結合により達成することができる。図５および６の実施形態において、この結合はプロセスチャンバ５２９（図１）内に挿入されたコイル５９２を介して生じる。上記のようにコイル５９２は、電気絶縁材料の保護スリーブ５９４内に配置することが好ましく、このスリーブ５９４を約１００ｍＴｏｒｒ未満の圧力まで排気して、スリーブ５９４内のプラズマの発生を回避することが好ましい。

ラジカル反応ステップ６９４中、圧力は通例約１Ｔｏｒｒである。Ｎ_２ガスから発生したＮラジカルの場合、例えば窒化時間は通例５〜１０分である。堆積ステップ６９０により形成されたシリコンの厚さによって、形成されたシリコン化合物（この場合窒化物）の厚さは約５〜４０Åであることが好適であり、約５〜１１Åがより好適であり、さらに約５〜７Åが最も好適である。

シリコン層の窒化が完全であり、シリコン層と反応性窒素種との反応において実質的に完全な化学量論になることが好適である。このような完全反応は、不純物の組み込みが少なく、厚い膜になり、さらに厚さ制御およびステップカバレージの向上を可能にする。さらに堆積窒化シリコン層は絶縁特性が改善しているとともに、従来の絶縁薄膜より厚くすることが可能であり、拡散バリアとしてこれらの堆積層の効果が増大する。

薄いシリコン層が完全に反応して化合物シリコン層を形成した後、プラズマパワーのスイッチを切る６９６。Ｎ_２ガスの場合、Ｎ_２流を継続しつつプラズマパワーのスイッチを切ることはパージにつながり、ラジカルはパワーをオンすることなく迅速に消滅し、任意の後続のトリシランステップ６９０による反応を容易に防止することができる。

場合によってはステップ６９０〜６９６を必要な回数繰り返す６９８ことが可能であり、各サイクルは一層のシリコンを、ステップ６９６においてラジカルにより迅速且つ完全に反応することができるほど薄く堆積する６９０。１．５分のトリシランパルスの場合、５〜６Åの膜厚の窒化物がシリコン堆積および窒化の１サイクルで作製される。

シリコン化合物層の形成６９４は、異なる反応種に対して対象の原子種が同じ場合でも、２つ以上の反応種とのシリコン層の反応を含み得ることは理解されよう。例えば窒化の場合、窒素ラジカル流に加えてＮＨ_３流の利用により有益な効果が観察された。このＮＨ_３をラジカル発生器を介さずに直接プロセスチューブに供給した。非活性化ＮＨ_３は５００℃未満の温度ではシリコンとほとんど反応しないが、非活性化ＮＨ_３を窒素ラジカルに加えることによってより完全な窒化アモルファスシリコン層を生じたことに留意した。理論による限定を望まないが、リモートプラズマ発生器からの窒素ラジカルがプロセスチャンバ内でアンモニアを活性化することが考えられる。これに対してＮラジカル単体は若干シリコンリッチな窒化シリコン膜を残す。興味深いことにリモートＭＲＧを介して供給されたアンモニアは実際にＮラジカル単体に対しても窒化効果を低減した。

図１０はオランダ国ビルトホーヘン（Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ，Ｔｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ）のＡＳＭインターナショナル（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）Ｎ．Ｖ．のバッチＡ４１２^ＴＭリアクタにおける実験の結果を図示し、基板を約４３５℃に維持するとともにウェハボートを５ｒｐｍで回転させた。反応速度制限堆積条件を設定した。１．５分のシリコン堆積パルスにおいて、トリシランをリアクタの下部の入口を介して供給して約３．３ｍＴｏｒｒのトリシラン分圧を生成した。Ｎ_２を５ｓｌｍの速度でＭＲＧを介して供給した。トリシラン流を遮断して約３０秒間パージした後、リモートプラズマ電力を３，０００Ｗのレベルで約１０分間チューニングした。加えて１ｓｌｍＮＨ_３流をプロセスチャンバの下部を介して供給した。窒化ステップ中、反応チャンバ内の圧力は通例１Ｔｏｒｒである。５０サイクルを行って約２５７Åの厚さを有する窒化シリコン層を形成した。

窒素ラジカル流はトリシラン流と交互に適用される。窒素ラジカルがトリシランと同時に流れていると気相反応が発生しやすく、不要な粒子および非均一膜の形成につながる。ＮＨ_３流があるのであればトリシラン流と交互に適用することが可能であり、または連続的に適用可能であるため、ＮＨ_３もトリシランパルス中に流れている。上記のようにプラズマパワーがオフのとき（パージステップおよびシリコン堆積ステップ）Ｎ_２およびＮＨ_３が非活性化であるため、プラズマパワーのない好適な温度条件ではどちらのガスもあまり反応せず、ガスの一定の供給により圧力変動の防止などの利点を得ることができる。

実験においてすべてのガスを垂直リアクタの下部を介して供給するとともに上部から排気したが、本開示に鑑みて他の注入アレンジメントにより利点を得ることができることは理解されよう。場合によってはプロセスガスをガス注入チューブまたは多数の穴注入器（図２〜３を参照）により注入して、バッチ全体にわたる均一性を向上させることもできる。トリシランをこのような注入器を介して供給する場合、Ｎ_２を同じ注入器を介して供給することも可能であり、トリシランパルス中にキャリアガスとして、および窒化（または他の反応）パルス中に反応物（遠隔活性化であろうとその場活性化であろうと）として、さらにトリシランパルスと窒素パルスとの間のパージガスとして作用する。好適な実施形態の低温下で、アンモニアを注入器を介してまたは下部入口を介して同時にまたは間欠的に（プラズマパワーで）供給することもできる。

上記のようにプロセスを一例として窒化膜堆積プロセスを用いて説明したが、炭化シリコン、酸化シリコン、シリコンオキシナイトライドおよびシリコンゲルマニウム層などの他のシリコン化合物層をこのような方法で堆積できることは明らかであろう。このような実施形態においてトリシランステップによる堆積シリコン膜は、連続トリシランパルス間で炭化、酸化、オキシナイトライド化、またはゲルマニウム前駆体への露出が行われる。例えばシリコン含有化合物層１２０（図７）の形成中に、窒素源の導入ではなく酸素源を導入することにより、酸化シリコンを形成することもできる。酸素源は、限定しないが、原子状酸素、水、オゾン、酸素、酸化窒素、および亜酸化窒素を含む当該技術分野で既知の酸化剤を含むことができる。

当業者にはバッチリアクタにまたはバッチリアクタの作動方法に既知のさらなる変更を加えてこのプロセスのパフォーマンスを向上させることができることが理解できよう。例えばホルダボートまたはリングボートを用いて各ウェハ上の膜堆積の均一性を向上させることが可能である。

堆積シリコン含有化合物層
好適な実施形態による好適なシリコン含有化合物膜は、膜の表面にわたって高均一な厚さを有することが望ましい。膜厚均一性は多数点厚さ測定、例えば偏光解析法または断面切片法を行い、様々な厚さ測定値を平均することにより平均厚さを決定し、さらにｒｍｓ厚さ変動を決定することにより判定することが好ましい。所与の表面積にわたる比較を可能にするためにその結果を、ｒｍｓ厚さ変化を平均厚さで割って１００を掛けて算出しその結果をパーセンテージとして表わす、パーセント非均一性として表現することができる。厚さ非均一性は約２０％以下であることが好適であり、約１０％以下であることがより好適であり、約５％以下であることがさらに好適であり、約２％以下であることが最も好適である。

膜厚を測定する適当な方法には多数点偏光解析法がある。膜厚を測定する機器は周知であり市販されている。好適な機器にはカリフォルニア州サニーベール（Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）のナノメトリクス インコーポレーション（Ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃｓ，Ｉｎｃ．）のナノスペック（ＮａｎｏＳｐｅｃ）（登録商標）シリーズの機器がある。シリコン含有化合物膜の厚さは、基板の断面切片を取り厚さを適当な顕微鏡技術、最も好適には電子顕微鏡で測定することによっても決定することができる。厚さを測定するスパンは、膜の厚さの約１０倍からシリコン含有化合物膜の全体スパンまでの範囲の任意のスパンでよい。膜厚がこのスパンにわたり変動する場合には、厚さを平均厚さ、すなわち所与のスパンにわたる膜の最も厚いおよび最も薄い寸法の数値平均であると考える。

本明細書で用いるようにｒｍｓ（より適切には平均平方誤差の平方根）は所与の母集団の要素により表わされる変動量を表わす方法である。例えばｙグラムの平均重量を有する物体群において、群の各要素は（ｙ’−ｙ）として表わされるある量だけ平均から異なる重量ｙ’を有する。ｒｍｓを算出するためには、これらの差を自乗して（正の数になるようにするため）、合計してさらに平均して平均平方誤差を出す。平均平方誤差の平方根はｒｍｓ変動である。

厚さ均一性に加えて好適なシリコン含有化合物膜は、好ましくは変動トポグラフィー上にコンフォーマルコーティングを提供する。コンフォーマルコーティングは覆う構造があればその湾曲に従う層である。コンフォーマルなシリコン含有化合物膜は良好なステップカバレージを示すため好ましい。「ステップカバレージ」とは段差状表面を覆うコンフォーマル膜の厚さ均一性を指す。段差状表面は同じ水平面内に配置されていない２つ以上の平行構成要素を有する表面である。ステップカバレージは、段差の下部における膜の平均厚さを測定し、それを段差の上部における平均厚さで割って、さらに１００を掛けて、その結果をパーセントの数値で表わすことにより好ましく決定することができる。

好適なシリコン含有化合物膜は比較的高いアスペクト比でも良好なステップカバレージを有する。「アスペクト比」とは構造の水平幅に対する段差の垂直高さの比を指す。約４．５〜約６の範囲のアスペクト比において、好適なシリコン含有化合物膜は約７０％以上、より好適には８０％以上のステップカバレージを有する。約１〜約４の範囲のアスペクト比において、好適なシリコン含有化合物膜は約８０％以上、より好適には９０％以上のステップカバレージを有する。ステップカバレージは上記のように好適に算出されるが、側壁厚さを考慮することにより算出することもできる。例えばステップカバレージの代替定義には段差の上部および／または下部における平均厚さに対する側壁厚さの比がある。しかし特に明記しない限り本明細書におけるステップカバレージは上記のように、段差の下部におけるシリコン含有化合物膜の水平部分の平均厚さを測定し、それを段差の上部における水平部分の平均厚さで割り、さらに１００を掛けてその結果をパーセンテージで表わすことにより決定される。

好適なシリコン含有化合物膜の表面平滑度および厚さを、約１平方ミクロン（μｍ^２）以上、より好適には約５μｍ^２以上、さらに好適には約１０μｍ^２以上の表面積にわたり維持することが有利である。シリコン含有化合物膜は大型基板、例えばウェハのすべてまたは一部を被覆することができるため、約３００ｃｍ^２以上、好適には約７００ｃｍ^２以上の表面積を有することができる。

良好なステップカバレージが通常達成されるため、多くの場合シリコン含有化合物膜の表面粗さはそれが覆う表面の粗さと実質的に同じである。表面粗さは対象の表面の１ミクロン×１ミクロン部分上の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定されるｒｍｓ表面粗さであることが好適である。下層基板表面の粗さは約１Åｒｍｓ（原子的に平坦面）〜約２５Åｒｍｓまたはそれ以上の範囲でよい。好ましくは、下層基板表面は１０Åｒｍｓ以下、より好適には５Åｒｍｓ以下の粗さを有し、覆っているシリコン含有化合物膜が同程度の粗さを有する。所与の粗度を有する下層基板表面の場合、その上に堆積されたシリコン含有化合物膜は、約５Å以下、より好適には約３Å以下、さらに好適には約２Å以下の量だけ基板表面粗さより大きい表面粗さを有することが好ましい。例えば基板表面粗さが約７Åｒｍｓの場合には、その上に堆積されたシリコン含有化合物膜の測定表面粗さは約１２Åｒｍｓ（７Å＋５Å）以下であることが好ましい。好適には下層基板は約２Åｒｍｓ以下の粗さを有するとともに、覆っているシリコン含有化合物膜は約５Åｒｍｓ以下、より好適には約３Åｒｍｓ以下、最も好適には約２Åｒｍｓ以下の測定表面粗さを有する。

また好適な実施形態により形成されたシリコン化合物層膜は良好な化学量論および純度を示す。これらの利点はトリシランをシリコン源として用いるとともに活性化ＮＨ_３およびＮ_２を窒素源として用いた窒化シリコン層に対して図１０に示した結果で明白である。

窒化シリコンが、シリコン原子当り約１．３３窒素原子の比を有する完全に化学量論窒化シリコンＳｉ_３Ｎ_４にほぼ等しい、約Ｓｉ_４５Ｎ_５６の化学量論、すなわちシリコン原子当り約１．２５窒素原子の比を有することが分かったため、膜の分析は実質的に化学量論窒化シリコン膜を示している。加えて窒化シリコン膜は、膜内の水素濃度が約０．８原子パーセント未満の良好な組成純度を示した。このように窒化シリコン膜の分析は膜が良好な純度と化学量論とを有することを示した。

有利には、好適な実施形態により形成されたシリコン含有化合物層の高い共形性ならびに物理的および化学的均一性は、従来のプロセスにより形成された類似層に対して物理的特性が向上する。例えばシリコン化合物、例えば窒化シリコンおよび酸化シリコンの絶縁層は、部分的にはシリコン化合物を形成する際の下層基板の反応のため、さらにまた混入水素などの混入不純物のため、理論的に予想されたものより悪い絶縁特性を有することが分かった。好適な絶縁層は混入水素が少なく、下層基板の反応を最小限に抑えて、絶縁特特性を向上させることが望ましい。

特に本発明により形成された窒化シリコン膜を、シリコンオキシナイトライドなどの他の化合物が従来好まれていた用途で用いることができる。シリコンオキシナイトライドと比べてその異なる材料特性のため、このような用途における窒化シリコンの使用は、より高い誘電率とより良好なバリア特性とを有する層を生じるため望ましい。

加えて窒化シリコン層を形成する際、プロセス温度は従来のシランを利用するＣＶＤプロセスに比べて低いため好ましい。このようにシリコン誘電体界面における窒素量を慎重に制御且つ制限しなければならないゲート誘電体用途で、シリコンチャネルへの窒素拡散を低減することができる。

さらにまたその高い誘電率のため、窒化シリコン層はゲート誘電体に関するようないくつかの用途において優れている。これはデバイス臨界寸法が縮小し続けるにつれて、ゲート誘電体用途のためのＳｉＯ_２などの従来の材料の有用性が、酸化シリコンの基本的な材料特性から生じる限界のため低下しているからである。これらの限界は特に量子力学トンネル現象が誘電体層を介する漏電電流の主要なメカニズムとなる、約１５Å未満の物理的な厚さに対して特に深刻である。加えて極薄ＳｉＯ_２層は電気的活性ドーパント原子の拡散に対して不良バリアである。その結果ＳｉＯ_２より大きい誘電率を有する絶縁薄膜材料が、漏電電流性能を改善するとともにドーパント原子拡散に対してより良好なバリアとして作動するために望ましいことが分かった。ゲート誘電体用途に加えて、窒化シリコン膜を多数のトランジスタ用途でスペーサとして用いることもできる。これらの用途のすべてに対して薄い窒化シリコン膜は漏電電流性能に関して非常に優れた特性を有するため好ましい。加えてゲート誘電体用途の場合薄い窒化シリコン膜は、低い界面トラップ密度（すなわち堆積される結晶半導体表面との容認可能界面）を有することを意味する、キャリア移動度の観点から優れた電気性能を示すため好ましい。

従来の窒化シリコン膜は窒化シリコン自体のより高い誘電率のため理論的にこのニーズに適合するように見えるが、実際には従来のＣＶＤプロセスにより形成された窒化シリコン膜は、ゲート誘電体用途に必要な物理的および電気的特性を示さなかった。通例これらの膜は同程度の物理的厚さでＳｉＯ_２よりほんのわずかに良好な漏電電流を示した。これは一部には膜の化学的構成、すなわち窒化シリコン層内に混入した不純物の存在のためであると考えられる。水素、炭素および酸素などの元素は理論的予測に合わない膜特性に関与する主要不純物であると考えられる。窒化シリコン層自体「下方の」結晶シリコン表面との界面における意図的でない窒素の存在が予想より劣る電気性能の一因となるとも考えられる。下層バルク半導体内のこの窒素は窒化シリコン堆積プロセスの副産物として存在すると考えられる。

従来のＣＶＤにより形成された窒化シリコン層は上記の領域では期待外れだったが、上述したように形成された好適な窒化シリコン層は、非常に優れたウェハ内およびウェハ間厚さ、成分濃度均一性、ならびに低汚染成分濃度を有する。さらにまたこれらの好適な窒化シリコン層は従来のように形成された窒化シリコン層より不純物が少なく、理論的予想により一致する電気的特性を示す。さらにまた基板上に窒化飽和深さ以上の厚さまで第１のシリコン層を堆積することにより、窒化シリコン層の下方の窒素の存在が最小限に抑えられる。第１の層は既に窒化飽和深さ以上であるため、後続のシリコン層は窒化飽和深さと同等の厚さ未満の厚さまで堆積すればよいため有利である。このように従来のＣＶＤプロセスにより形成されたシリコン含有化合物層より均一且つコンフォーマルであることに加えて、好適な実施形態により形成されたシリコン含有化合物膜はより良好な誘電または電気特性を示すこともできる。

さらに窒化シリコン層を酸化シリコンまたはシリコンオキシナイトライド層上に形成することにより、一体化窒化シリコン膜の電気特性をさらに向上できることは理解されよう。酸化シリコンおよびシリコンオキシナイトライド層をこのように界面層として用いることができる。これらの層を上記したように、または当該技術で既知の方法で形成することができる。

加えて本発明の方法により形成された窒化シリコン層は改良された耐酸化性も示す。改良された耐酸化性は膜を、後続の層形成後のアニールなどのステップ中にクリーンルーム空気露出もしくは反応チャンバ内に存在する酸素または水分（例えば漏れまたはガス純度問題による）の影響を受けにくくする。このようなアニールを酸化または不活性環境条件下で行うことができるため有利である。

実施例１
オランダ国ビルトホーヘン（Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ，Ｔｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ）のＡＳＭインターナショナル（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）Ｎ．Ｖ．のバッチＡ４１２^ＴＭリアクタ内で窒化シリコン層を形成した。ウェハのバッチをボート内に装填するとともに、そのボートを反応チャンバ内に装填してトリシラン堆積の準備をした。ウェハの温度は各ウェハにわたる温度が約４３５℃で均一になるように安定させる。ボートを反応チャンバ内で垂直軸について５ｒｐｍの速度で回転させた。圧力を約１．３Ｔｏｒｒに設定した。不活性ガスで希釈されたトリシランを、３．３ｍＴｏｒｒのトリシラン分圧で１．５分間反応チャンバ内に流した。アモルファスシリコンの薄層が生じる。トリシラン流を遮断した。そして電力を３０００Ｗに設定して、１０分間ＭＫＳリモートマイクロ波ラジカル発生器（ＭＲＧ）を介して５ｓｌｍＮ_２を供給することにより窒化を行った。このサイクルを約５０回繰り返した。

実施例２
窒化中にマイクロ波ラジカル発生器（ＭＲＧ）を介して５ｓｌｍＮ_２に加えて反応チャンバ内にＮＨ_３を別にさらに供給したことを除き、実施例１のプロセスを用いて窒化シリコン層を形成した。

堆積膜を分析して図１０に示し且つ上記した結果を得た。

実施例３
オランダ国ビルトホーヘン（Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ，Ｔｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ）のＡＳＭインターナショナル（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）Ｎ．Ｖ．のバッチＡ４１２^ＴＭリアクタ内で窒化シリコン層を形成した。ウェハのバッチを、垂直方向に分離され且つ主面が水平に配向されているボート内に装填するとともに、そのボートを反応チャンバ内に装填してトリシラン堆積の準備をした。ウェハの温度は各ウェハにわたる温度が約４３５℃で均一になるように安定させた。ボートを反応チャンバ内で垂直軸について５ｒｐｍの速度で回転させた。プロセス条件は表１に規定した通りであった。４つの異なる窒化条件、すなわち１−窒化なし、２−Ｎ_２による窒化、３−Ｎ_２＋９０ｓｃｃｍＮＨ_３による窒化、４−Ｎ_２＋１８０ｓｃｃｍＮＨ_３による窒化を詳細に調べた。すべての場合においてトリシラン露出ステップの５０回のサイクルを用いてアモルファスシリコン膜を堆積し、各トリシラン露出ステップはパージステップと交互に行った。アモルファスシリコン堆積ステップ中、トリシランおよびＮ_２を第１の多数穴注入器を介して注入した。窒化ステップ中、Ｎ_２（およびＮＨ_３）を、炉の垂直高さにわたって延びている一対の電極を有し、２．４５ＧＨｚの周波数の高周波数電力により駆動されるインサイチュラジカル発生器に近接する第２の多数穴注入器を介して注入した。プラズマ点火のためにより高流量およびより高圧力を選択してプラズマの点火を容易にした。後続のプラズマ露出ステップ中、より低流量およびより低圧力を用いてラジカルの拡散長を増大し、垂直積層ウェハ間により容易に浸透できるようにした。

図１１に示すように、Ｎ_２流へのＮＨ_３の追加は窒化膜の膜均一性に有益な効果があった。平均膜厚の変動は約１．５Åで有利に低かった。それに対してＮ_２のみを用いて窒化した窒化シリコン膜の変動は約１３Åであり、窒化なしに堆積したアモルファスシリコン膜の変動は約５Åであった。

またＮＨ_３の追加は活性化Ｎ_２流のみによる窒化の場合より小さい平均窒化膜厚になった。平均厚さはより高いレベルのＮＨ_３を追加するにつれて低下した。窒化膜の厚さが小さいほど、膜のより完全な窒化または各窒化ステップ後のシリコン堆積に対するより長い抑制時間を示し得る、もしくはそれらの両方の組み合わせを示し得る。

プラズマ窒化ステップ中のＮ_２に対する他の添加物が同様な有益な効果を有し得ることは理解されよう。例えばＡｒ、Ｈ_２、Ｈｅまたはそれらの混合物を、ＮＨ_３との組合せであろうとなかろうとＮ_２流に添加することができる。理論により制限されることなく有益な効果はプラズマ均一性の向上、プラズマ効率の向上、より多くの反応性ラジカルの生成、またはより長い寿命を有するラジカル種の生成、もしくはこれらの効果の組合せから生じ得る。

従って当業者には、本発明の範囲から逸脱することなく上記のプロセスに対して様々な省略、追加および変更をなし得るとともに、そのような変更および変形のすべてを添付の特許請求の範囲により規定される本発明の範囲内に収めようとするものであることは理解されよう。

図１は、本発明の好適な実施形態により構成された、ガス注入器を有する細長バッチプロセスチューブの概略断面側面図である。 図２は、図１のバッチプロセスチューブとともに用いるガス注入器の正面図である。 図３は、図２のガス注入器の水平断面図である。 図４は、本発明の好適な実施形態による、プラズマ生成物をプロセスチューブに供給するリモートプラズマ発生器を有するバッチリアクタの概略側面図である。 図５は、本発明の他の実施形態による、バッチ反応チューブ内のインサイチュプラズマ源の概略断面図である。 図６は、図５のインサイチュプラズマ源の拡大概略断面図である。 図７は、本発明の好適な実施形態による、シリコン含有化合物層を形成するステップを示すフローチャートである。 図８Ａは、本発明の好適な実施形態による、ウェハ洗浄後の基板を図示する。 図８Ｂは、本発明の好適な実施形態による、酸化シリコン層の形成後の図８Ａの基板を図示する。 図８Ｃは、本発明の好適な実施形態による、図８Ｂの酸化シリコン層上に形成された窒化シリコン層を図示する。 図８Ｄは、本発明の好適な実施形態による、図８Ｃの窒化シリコン層上の後続窒化シリコン層の形成により、より厚く作製された図８Ｃの窒化シリコン層を図示する。 図８Ｅは、本発明の好適な実施形態による、図８Ｄの窒化シリコン層が好適な厚さに形成された後に形成されたゲート電極を図示する。 図９は、本発明のいくつかの好適な実施形態による、バッチリアクタ内で窒化シリコンを形成するプロセスを示すフローチャートである。 図１０は、本発明のいくつかの好適な実施形態による、堆積窒化シリコン層に対する厚さおよび屈折率（ＲＩ）を図示するグラフである。 図１１は、本発明のいくつかの好適な実施形態による、４つの異なる窒化条件を用いてバッチリアクタ内で堆積したシリコン層に対する厚さを図示するグラフである。

Claims (64)

1. 複数の基板をトリシランの供給に露出することによりバッチプロセスチャンバ内で前記基板上にシリコン層を堆積すること（ここで前記シリコン層の反応速度制限堆積を達成するように前記プロセスチャンバ内のプロセス条件を選択する）；
   前記トリシランの供給を遮断すること、及び
   前記供給の遮断後に、前記シリコン層を反応種に露出することによりシリコン化合物層を形成すること
   を含む集積回路の作製方法。
2. 前記シリコン層を堆積することが、約６００℃以下の温度で行われる請求項１に記載の方法。
3. 前記温度が約５００℃以下である請求項２に記載の方法。
4. 前記温度が約４００〜４５０℃である請求項３に記載の方法。
5. 前記基板を前記トリシランの供給に露出することが、約１０ｍＴｏｒｒ以下のトリシラン分圧を設定することを含む請求項１に記載の方法。
6. 前記トリシラン分圧が約３〜４ｍＴｏｒｒである請求項５に記載の方法。
7. 前記基板を前記トリシランの供給に露出することが、前記基板をトリシランに約３０〜１２０秒間露出することを含む請求項１に記載の方法。
8. 前記シリコン化合物層を形成することが、前記シリコン層をプラズマ活性化反応種に露出することを含む請求項１に記載の方法。
9. 前記シリコン化合物層を形成することが、リモートマイクロ波ラジカル発生器内で前記反応種を活性化させることを含む請求項８に記載の方法。
10. 前記シリコン化合物層を形成することが、前記バッチプロセスチャンバ内で前記反応種を活性化させることを含む請求項８に記載の方法。
11. 前記バッチプロセスチャンバ内で前記反応種を活性化させることが、前記バッチプロセスチャンバ内で電流を導体コイルに供給することを含む請求項１０に記載の方法。
12. 前記導体コイルが真空絶縁スリーブ内に収容されており、反応種が前記絶縁スリーブの外側かつ前記バッチプロセスチャンバ内で形成される請求項１２に記載の方法。
13. 前記プラズマ活性化反応種が窒素ラジカルを含む請求項８に記載の方法。
14. 前記プロセスチャンバにアンモニアを供給することをさらに含む請求項８に記載の方法。
15. アンモニアを供給することが、前記プロセスチャンバ内でまず前記アンモニアを前記プラズマ活性化反応種と混合することを含む請求項１４に記載の方法。
16. 前記アンモニアを前記プラズマ活性化反応種と混合することが、前記アンモニアを活性化して前記アンモニアから窒素ラジカルを形成する請求項１６に記載の方法。
17. 前記シリコン層を堆積することが、１を超えるシリコン原子層を形成することを含む請求項１に記載の方法。
18. 前記シリコン層を堆積することが、前記シリコン層を窒化飽和深さ以上の厚さに形成することを含む請求項１に記載の方法。
19. 前記反応種が窒素種を含み、前記シリコン含有化合物層が窒化シリコンを含む請求項１に記載の方法。
20. 前記窒化シリコン層が、シランによる化学気相成長によって堆積された実質的に同様な厚さの窒化シリコン層より均一である請求項１９に記載の方法。
21. 前記シリコン含有化合物層が約５％以下の厚さ非均一性を有する請求項１に記載の方法。
22. 前記シリコン含有化合物層が約８０％以上のステップカバレージを有する請求項２１に記載の方法。
23. 堆積、遮断、および形成することを複数サイクル繰り返すことをさらに含む請求項１に記載の方法。
24. 反応チャンバ内に反応速度制限堆積条件を設定すること；
    複数の基板をシリコン源に露出することにより前記反応チャンバ内で前記基板の各々上にシリコン層を堆積すること（ここで、前記シリコン層が約３Å〜約３０Åの厚さを有し、前記シリコン源がポリシランである）；
    前記シリコン源の流れを遮断して、前記シリコン源を前記反応チャンバから除去すること；及び
    前記シリコン層をラジカルに露出してシリコン化合物層を形成することと、
    を含む半導体プロセッシング方法。
25. 前記ラジカルが窒素を含み、前記シリコン化合物が窒化シリコンである請求項２４に記載の方法。
26. 前記シリコン層をラジカルに露出することが、前記シリコン層をアンモニアおよびプラズマ活性化ラジカルに露出することを含む請求項２４に記載の方法。
27. 前記プラズマ活性化ラジカルが窒素ラジカルである請求項２６に記載の方法。
28. 前記プラズマ活性化ラジカルが、アルゴン、水素、およびヘリウムラジカルからなる群から選択される１つ以上の種である請求項２６に記載の方法。
29. 前記シリコン層をラジカルに露出することが、前記プラズマ活性化ラジカルを遠隔発生させることと、前記プラズマ活性化ラジカルを前記反応チャンバに供給することを含む請求項２６に記載の方法。
30. 前記シリコン層をラジカルに露出することが、前記プラズマ活性化ラジカルをその場で（in situ）発生させることを含む請求項２４に記載の方法。
31. 前記シリコン層をラジカルに露出することが、前記シリコン層をプラズマ活性化窒素ラジカルと、アルゴン、水素、およびヘリウムラジカルからなる群から選択される１つ以上の種に露出することを含む請求項２４に記載の方法。
32. 堆積、遮断、および露出することが、前記反応チャンバ内にＮ_２を連続して流すことを含み、露出することが電力をラジカル発生器に供給してラジカルを発生させることを含む請求項２４に記載の方法。
33. 堆積、遮断、および露出することが、前記反応チャンバ内にＮＨ_３を連続して流すことをさらに含む請求項３２に記載の方法。
34. 前記絶縁シリコン化合物の層が、５６窒素原子当り約４５シリコン原子の化学量論を有する請求項２５に記載の方法。
35. 前記ラジカルが酸素を含み、前記シリコン化合物が酸化シリコンである請求項２４に記載の方法。
36. 前記シリコン層を堆積することが複数回行われて、前記基板の各々上に複数のシリコン層を堆積し、トリシランが第１のシリコン層を堆積するのに用いられる前記シリコン源である請求項２４に記載の方法。
37. 前記第１のシリコン層を堆積した後に後続のシリコン層を堆積するための前記シリコン源が、シラン化学式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（式中、ｎ＝１〜４）を有するシラン類、およびハロシラン化学式Ｒ_４−ＸＳｉＨ_Ｘ（式中、Ｒ＝Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり且つＸ＝０〜３）を有するハロシラン類からなる群から選択される１つ以上のシリコン前駆体を含む請求項３６に記載の方法。
38. 前記第１のシリコン層を堆積する第１の基板温度が約５００℃未満である請求項３７に記載の方法。
39. 堆積、遮断、および露出することが、約６００℃未満の温度で行われる請求項２４に記載の方法。
40. 前記シリコン層を堆積することが、ガス注入器を介してトリシランを供給することを含む請求項２４に記載の方法。
41. 前記ガス注入器が前記反応チャンバの高さに沿って複数の開口を有する請求項４０に記載の方法。
42. 前記シリコン源を除去することが、前記反応チャンバを不活性ガスでパージすることを含む請求項２４に記載の方法。
43. 前記シリコン源を除去することが、前記シリコン源の排気およびラジカルを搬送するガスによる前記シリコン源ガスの置換からなる群から選択される１つ以上の除去プロセスを行うことを含む請求項２４に記載の方法。
44. 前記ラジカルを除去することと、前記基板を他の反応種に露出することをさらに含む請求項２４に記載の方法。
45. 前記他の反応種がドーパントである請求項４４に記載の方法。
46. 前記シリコン層をラジカルに露出することがゲート誘電体層を形成する請求項４４に記載の方法。
47. 前記ゲート誘電体層上にゲート電極を形成することをさらに含む請求項４６に記載の方法。
48. 前記反応チャンバが複数の基板を収容するように構成されたバッチ反応チャンバである請求項２４に記載の方法。
49. 前記反応チャンバがウェハボートを収容するように構成され、前記ウェハボートが前記複数の基板を収容するように構成されている請求項４８に記載の方法。
50. プロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバ内の真空チューブを備え、前記チューブが絶縁スリーブにより形成され、前記スリーブが電源に接続された導電性材料のコイルを収容し、前記チューブが前記スリーブの外側であるが前記プロセスチャンバ内にプラズマを発生するように構成されている半導体リアクタ。
51. 前記チューブが前記プロセスチャンバ内で垂直積層ウェハボートに隣接して作動するように構成されている請求項５０に記載の半導体リアクタ。
52. 前記チューブが前記ウェハボートの高さの半分を越える高さに沿って延びている請求項５１に記載の半導体リアクタ。
53. 前記チューブの高さが前記ウェハボートの高さの約９０％より大きい請求項５２に記載の半導体リアクタ。
54. 前記スリーブが水晶を含む請求項５０に記載の半導体リアクタ。
55. 前記スリーブがサファイアを含む請求項５０に記載の半導体リアクタ。
56. 前記導電性材料が銅を含む請求項５０に記載の半導体リアクタ。
57. 導電性コアをさらに含み、前記コイルが前記導電性コアに巻き付いている請求項５０に記載の半導体リアクタ。
58. 前記導電性コアが鉄を含む請求項５７に記載の半導体リアクタ。
59. 前記電源が高周波（ＲＦ）電源である請求項５０に記載の半導体リアクタ。
60. 前記プロセスチャンバがウェハボートを収容するように構成されている請求項５０に記載の半導体リアクタ。
61. 前記プロセスチャンバとガス連通しているガス源をさらに含む請求項５０に記載の半導体リアクタ。
62. 前記ガス源がトリシラン源を含む請求項６１に記載の半導体リアクタ。
63. 前記ガス源がＮ_２源をさらに含む請求項６２に記載の半導体リアクタ。
64. 前記ガス源がＮＨ_３源をさらに含む請求項６３に記載の半導体リアクタ。

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