JP2008286877A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明の目的は、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、光硬化後に接着性を有するため、製造工程が短縮できる、光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、酸発生剤（Ｂ）と、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）とを含む、感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、酸発生剤（Ｂ）と、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）とを、含む感光性樹脂組成物を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、パターン形成後に接着性を有する感光性樹脂組成物に関する。

近年、半導体装置の高機能化に伴いパッケージ構造の複雑化が進み、ウェハーコート用感光性樹脂組成物は半導体保護膜としてだけではなく、ＭＥＭＳなどの構造体としても使われるようになってきており、これらの構造の中には構造体の上にウェハーやガラスなどを搭載した中空構造を有するものがある。このような半導体装置の一つに受光装置がある。
受光装置は、外部からの湿気やパーティクルの遮断と受光性能の保持の理由から、受光素子領域の周囲を樹脂スペーサーで囲み中空構造にする方法が知られている。（特許文献１，２）
しかし、これらに使用される樹脂スペーサーに接着性がなく、スペーサーと上部に搭載される透明基板とを接着させるために、樹脂スペーサー上に接着剤を塗布する工程が必要であった。このように接着剤を使用する場合、スクリーン印刷などで塗布するため、厚さ精度、高さ均一性に欠けるという問題や製造工程が増えると言う問題があった。

特開２００４−３１９３９号公報 特開２００２−３２９８５２号公報

本発明は、前述した問題を解決するためになされたものであり、その目的は、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、光硬化後に接着性を有するため、製造工程が短縮できる感光性樹脂組成物を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１５）に記載の本発明により達成される。
（１）光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、酸発生剤（Ｂ）と、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）とを、含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
（２）前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）が、エポキシ化合物及び／又はオキセタニル化合物である、（１）に記載の感光性樹脂組成物。
（３）前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）が常温で液状である、（１）または（２）に記載の感光性樹脂組成物。
（４）前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の重量平均分子量が、１０００未満である（１）ないし（３）のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（５）前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の含有量が、光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して、１〜５０重量部である請求項１ないし４のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（６）前記エポキシ化合物が、シクロアルカン骨格、ビスフェノール骨格、シロキサン骨格のいずれかを有するエポキシ化合物である、（２）に記載の感光性樹脂組成物。
（７）前記オキセタニル化合物が、一般式（１）で示されるオキセタニル化合物である、（２）に記載の感光性樹脂組成物。

（Ｒ₁は有機基であり、ｍは０〜１０の整数であり、ｎは０または１である。但し、ｍ＝
０の時、ｎ＝１でありｎ＝０の時、ｍ＝１である。）
（８）前記官能基を有する環状オレフィン系樹脂の官能基が、エポキシ基である（１）ないし（７）いずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（９）前記光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）を構成する環状オレフィン系樹脂が、ノルボルネン系樹脂である（１）ないし（８）のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（１０）前記ノルボルネン系樹脂がノルボルネン系モノマーの付加重合体である、（９）に記載の感光性樹脂組成物。
（１１）さらに、増感剤（Ｄ）を含むものである、（１）ないし（１０）に記載の感光性樹脂組成物。
（１２）さらに、酸拡散防止剤（Ｅ）を含むものである、（１）ないし（１１）に記載の感光性樹脂組成物。
（１３）さらに、酸化防止剤（Ｆ）を含むものである、（１）ないし（１２）に記載の感光性樹脂組成物。
（１４）基板と相手体との間に設けられるスペーサに用いられる、（１）ないし（１３）いずれかに記載の感光性樹脂組成物。
（１５）基板と前記基板と対向する相手体と、前記基板と相手体との間に設けられるスペーサと、を備え、前記スペーサが、（１）ないし（１５）のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする半導体装置。

本発明によれば、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、光硬化後に接着性を有するため感光性樹脂組成物が得られるため、製造工程が短縮できる感光性樹脂組成物を提供することができる。

以下、本発明の感光性樹脂組成物、半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
１．感光性樹脂組成物
本発明の感光性樹脂組成物は、光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）を含むことを特徴とする。特に、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）を配合することによって、感光性樹脂組成物に光照射した後でも、前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（C）が熱履歴を加えることにより反応するため、基板や半導体素子に対する接着性が
良好となる。

また、本発明は、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）として、エポキシ化合物やオキセタニル化合物を含むことを特徴とするものである。エポキシ化合物やオキセタニル化合物を含むことにより、基板や半導体素子に対する接着性や硬化後の感光性樹脂組成物の機械特性を確保することが可能となる。

また、本発明は、光反応性官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）として、エポキシ基を有するノルボルネン系樹脂を含むことを特徴とするものである。エポキシ基を有するノルボルネン系樹脂を適用することにより、硬化後の感光性樹脂組成物の耐熱性、機械強度を確保することが可能となる。
以下に本発明の感光性樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。なお、下記は例示であり、本発明は下記に限定されるものではない。

本発明の光反応性官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）を構成する環状オレフィン系樹脂は、特に制限されるものではないが、シクロヘキセン系、シクロオクテン系等の単環体オレフィン系モノマーの重合体、ノルボルネン系、ノルボルナジエン系、ジシクロペンタジエン系、ジヒドロジシクロペンタジエン系、テトラシクロドデセン系、トリシクロペンタジエン系、ジヒドロトリシクロペンタジエン系、テトラシクロペンタジエン系、ジヒドロテトラシクロペンタジエン系等の多環体オレフィン系モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも、耐湿性や耐薬品性に優れる多環体オレフィンモノマーの重合体が好ましく、その中でも、硬化後の感光性樹脂組成物の耐熱性や機械強度の観点からノルボルネン系モノマーが特に好ましい。

前記ノルボルネン系モノマーとしては、特に制限されるものではなく、２−ノルボルネン、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ペンチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−ヘプチル−２−ノルボルネン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−ノニル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、５−アリル−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２，３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（３，４−ジメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２−ジメチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２，３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、５−エチニル−２−ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチルビス(（５−ノルボルネン−
２−イル）メトキシ))シランなど、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジメチルビス（（２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル）トリシロキサンなど、アリール基を有するものとしては、５−フェニルー２−ノルボルネン、５−ナフチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニル−２−ノルボルネンなど、アラルキル基を有するものとしては、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニルメタン−２−ノルボルネン、５−（２−ペンタフルオロフェニルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−ペンタフルオロフェニルプロピル）−２−ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、５−トリメトキシシリル−２−ノルボルネン、５−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、５−（２−トリメトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（２−トリエトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−トリメトキシプロピル）−２−ノルボルネン、５−（４−トリメトキシブチル）−２−ノルボルネン、５ートリメチルシリルメチルエーテル−２−ノルボルネンなどが挙げられる。

本発明の光反応性官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）の光反応性官能基は、特に制限されるものではなく、光解像性や硬化後の機械強度の観点から、エポキシ基、、オキセタニル基、などが挙げられる。

光反応性官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）は、光反応性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの単量体だけではなく、光反応性官能基を有する環状オレフィン系モノマーと他のモノマーとの重合体でもよい。光解像性や硬化後の機械強度の観点から、光反応性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの重合割合は、２０〜８０ｍｏｌ％が好ましく、３０〜７０ｍｏｌ％が特に好ましい。

また、前記他のモノマーは、特に制限されるものではないが、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ペンチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−ヘプチル−２−ノルボルネン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−ノニル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、５−アリル−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２，３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（３，４−ジメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２−ジメチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２，３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、５−エチニル−２−ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチルビス(（５−ノルボルネン−２−イル）メトキシ)）シランなど、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジメチルビス（（２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル）トリシロキサンなど、アリール基を有するものとしては、５−フェニルー２−ノルボルネン、５−ナフチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニル−２−ノルボルネンなど、アラルキル基を有するものとしては、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニルメタン−２−ノルボルネン、５−（２−ペンタフルオロフェニルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−ペンタフルオロフェニルプロピル）−２−ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしては、５−トリメトキシシリル−２−ノルボルネン、５−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、５−（２−トリメトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（２−トリエトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−トリメトキシプロピル）−２−ノルボルネン、５−（４−トリメトキシブチル）−２−ノルボルネン、５ートリメチルシリルメチルエーテル−２−ノルボルネンなど、ヒドロキシル基、エーテル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５−ノルボルネン−２−メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、プロピオン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、酪酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、吉草酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプロン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ラウリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ステアリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、オレイン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、リノレン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボ
ルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｉ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリエチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸イソボニルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシエチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチル−２−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチルエチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｎ−ブチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｔ−ブチルカルボネート、５−メトキシ−２−ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−エチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ―プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−デシルエステルなど、エポキシ基を有するものとしては、５−[（２，３−エポキシプロポキシ）メチル]−２−ノルボルネンなど、またテトラシクロ環から成るものとして、８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−エトキシカルボニルテト
ラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｎ−プロピルカルボニ
ルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｉ−プロピルカ
ルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｎ−ブト
キシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（
２−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック
−３−エン、８−（１−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[
４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８
−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン
、８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]
−３−ドデセン、８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．
１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−エトキシカルボニ
ルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ
−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン
、８−メチル−８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（２−メチルポロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−
８−（１−メチルポロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ド
デック−３−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０
．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（４
’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−
８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−
３−ドデセン、８−メチル−８−アセトキシテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]
ドデック−３−エン、８，９−ジ（メトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（エトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−プロポキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｉ−プロ
ポキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８
，９−ジ（ｎ−ブトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデッ
ク−３−エン、８，９−ジ（ｔ−ブトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（シクロへキシロキシカロボニル）テトラシ
クロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（フェノキシロキシ
カロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−
ジ（テトラヒドロフラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]
−３−ドデセン、８，９−ジ（テトラヒドロピラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４
．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８，９−テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック
−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ド
デック−３−エン、８−エチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３
−エン、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．０^1,6]ドデック−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,12]ドデック−３−エン、８−エチリ
デンテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10０^1,6]ドデック−３−エンなどが挙げられる。

前記環状オレフィン系モノマーの重合形態は、特に制限されるものではなく、ランダム重合、ブロック重合等の公知の形態を適用することができ、また、重合方法は、付加重合法や開環重合法等が挙げられる。具体的に重合体としては、ノルボルネン系モノマ−の（共）重合体、ノルボルネン系モノマ−とα−オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物などが挙げられ、樹脂の耐熱性の観点から付加重合体が好ましい。

本発明の光反応性官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）の重量平均分子量は、特に制限されるわけではないが、溶剤に対する溶解性や感光性樹脂組成物の流動性の観点から５，０００〜５００，０００が好ましく、７，０００〜２００，０００が特に好ましい。重量平均分子量は、標準ポリノルボルネンを用いてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。（ＡＳＴＭＤＳ３６３５−９１準拠）

本発明の光反応性官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）の重量平均分子量は、重合開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。

本発明の酸発生剤（Ｂ）は、光照射や熱によりブレンステッド酸あるいはルイス酸を発生するものであれば特に制限されるものではなく、前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）を重合する機能を有する。前記酸発生剤（Ｂ）としては、特に制限されるものではなく、オニウム塩、ハロゲン化合物、硫酸塩やそれらの混合物等が挙げられる。例えばオニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、リン酸塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩等が挙げられ、前記のオニウム塩とカウンターアニオンを作ることができる化合物である限り、カウンターアニオンの制限はない。カウンターアニオンの例としては、ホウ酸、アルソニウム酸、リン酸、アンチモニック酸、硫酸塩、カルボン酸とそれらのハロゲン置換体等が挙げられる。

前記オニウム塩の酸発生剤としては、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアーセナート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォニウム、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオスルフォネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムトリフルオロボレート、４，４’，４“−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアーセネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルフォスフェート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオアンチモネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオフォスフェート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムトリフルオロスフォネート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、４，４‘−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４‘−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、（４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられ、これらを単独で使用しても混合して使用しても良い。

ハロゲンを含有している酸発生剤としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）トリアジン、２−アリル−４，６−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、α,β,α−トリブロモメチルフェニルスルフォン、α、α―２，３，５，６−ヘキサクロロキシレン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロキシレン、１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン等が挙げられ、これらを単独で使用しても混合して使用しても良い。

スルフォネート系の酸発生剤としては、具体的に２−ニトロベンジルトシレート、２，６−ジニトロベンジルトシレート、２，４−ジニトロベンジルトシレート、２−ニトロベンジルメチルスフォネート、２−ニトロベンジルアセテート、９，１０−ジメトキシアン
トラセン−２−スルフォネート、１，２，３−トリス（メタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（エタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（プロパンスルフォニルロキシ）ベンゼン等が挙げられ、これらを単独で使用しても混合して使用しても良い。

前述のような酸発生剤の中でも、４，４‘−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’，４“−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４‘−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート単体またはそれらの混合物の中から選ばれる１種以上が好ましい。これにより、酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の架橋を行うと共に基板との密着性を向上することができる。

前記酸発生剤（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、前記官能基を有する環状オレフィン系化合物（Ａ）と酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の合計１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に光解像後の開口形状、および感度に優れる。

本発明の酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）は、酸発生剤の作用により硬化反応するものであれば制限されるものではないが、光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）は除かれる。

本発明の酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）は、特に制限されるものではないが、室温で液状であるものが好ましい。室温で液状であると粘着性が発現し、被接着部材に対する濡れ性が向上するため、感光性樹脂組成物を光硬化した後の接着性をさらに向上することが可能となる。

本発明の酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の重量平均分子量は、特に制限されるものではないが、１，０００以下であることが好ましく、特に１００〜６００であることが好ましい。重量平均分子量を前記範囲とすることで、特に熱時の流動性に優れる。

本発明の酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の配合量は、特に制限されるものではないが、光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）１００重量部に対して、１〜５０重量部であることが好ましく、１０〜４０重量部が特に好ましい。上記範囲とすることで、感光性樹脂組成物が光硬化した後の接着性と適度な流動性を両立することが可能となる。

本発明の酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）としては、特に制限されるものではなく、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ビニル化合物、アクリル化合物、ポリオール、フェノール化合物等が挙げられるが、硬化性、耐熱性、耐湿性、硬化後の感光性樹脂組成物の機械特性の観点から、エポキシ化合物、オキセタン化合物が好ましく、その中でもエポキシ化合物、オキセタニル化合物が好ましい。

前記エポキシ化合物としては、特に制限されるものではないが、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタンジメタノール型等のシクロアルカン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等（シロキサン例示追加）が挙げられ、単独あるいは２種以上混合して用いてよい。
これらの中でも、樹脂との相溶性や光解像性の観点からシクロアルカン型、ビスフェノール型、シロキサン型のいずれかを有するエポキシ化合物が好ましく、シクロアルカン型が特に好ましい。
また、前記エポキシ化合物が単官能であると、架橋密度が低くなり、耐熱性が低下するため２官能以上であることが好ましい。

前記オキセタン化合物としては、特に制限されるものではないが、一般式（１）で示されるオキセタン化合物が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いても良い。

（Ｒ₁は有機基であり、ｍは０〜１０の整数であり、ｎは０または１である。但し、ｍ＝
０の時、ｎ＝１でありｎ＝０の時、ｍ＝１である。）
Ｒ₁としては、特に制限されるものはないが、水素（ｎ＝０の時のみ）、フェニル基、
ベンジル基、２-エチルヘキシル基、トリエトキシシリルプロピル基などが挙げられる。
一般式（１）で示されるオキセタン化合物の中でも、樹脂との相溶性や光解像性の観点から１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、ビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、３−エチル−３−［（２−エチルヘキシロキシ）メチル］オキセタンが好ましく、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼンが特に好ましい。

前記一般式（１）で示されるオキセタン化合物のｍは、０〜１０の整数であり、ｎは０または１である。（但し、ｍ＝０の時、ｎ＝１でありｎ＝０の時、ｍ＝１である。）
ｍを０〜１０とすることで、流動性と硬化性を両立することが可能となる。また、ｎを０または１とすることで、感光性樹脂組成物が架橋過多になることを抑制できるため、接着性と機械強度を両立することが可能となる。

本発明の感光性樹脂組成物は、酸発生剤（Ｂ）の感度を向上させる目的で増感剤（Ｄ）を含んでいても良い。増感剤としては、特に制限されるものではないが、２−イソプロピル−９Ｈ―チオキサンテン−９−エン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシ−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、フェノチアジン等のシクロ芳香族系が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いても良い。これらの中でも、酸発生剤のｉ線に対する感度を向上させる観点から、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシ−９Ｈ−チオキサンテン−９−オンが好ましく、１−クロロ−４−プロポキシ−９Ｈ−チオキサンテン−９−オンが特に好ま
しい。

本発明の感光性樹脂組成物は、感光性樹脂組成物の未露光部へ拡散する酸を吸収することで解像度を向上させる目的で、酸拡散防止剤（Ｅ）を含んでいても良い。酸拡散防止剤としては、特に制限されるものではないが、ピリジン、ルチジン、フェノチアジン、トリ−ｎ−プロピルアミンとトリエチルアミンなどの第二、第三アミン等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いても良い。これらの中でも、解像度向上の観点からフェノチアジンが特に好ましい。

本発明の感光性樹脂組成物は、感光性樹脂組成物の熱による酸化を防止する目的で、酸化防止剤（Ｆ）を含んでいても良い。酸化防止剤としては、特に制限されるものではないが、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いても良い。これらの中でも、感光性樹脂組成物の機械的強度の観点からヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が好ましく、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が特に好ましい。

本発明の感光性樹脂組成物は、上述の成分以外に、レベリング剤、難燃剤、可塑剤、シランカップリング剤等を含んでいても良い。

次に、本発明の感光性樹脂組成物の製造方法について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、前述の各成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用することが好ましい。

前記溶剤としては、樹脂や添加物のキャリアとして働き、基板や半導体素子の塗布後や硬化過程で除去される非反応性溶剤、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂と相溶性のある反応基を含んでいる反応性溶剤が挙げられる。
非反応性溶剤としては、特に制限されるものではないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン等のアルカン、シクロアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族類が挙げられる。また、必要に応じて、ジエチルエーテル類、テトラヒドロフラン、アニソール、アセテート類、エステル類、ラクトン類、ケトン類、アミド類などを用いても良い。
反応性溶剤としては、特に制限されるものではないが、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシラン等の芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等のシクロアリファティックビニルエーテル化合物、ビス（４−ビニルフェニル）メタン等の芳香族類が挙げられる
これらの中でも、感光性樹脂組成物の基板や半導体素子に対する塗布性の観点から、
メシチレン、デカヒドロナフタレン、２−ヘプタノンが好ましい。

本発明の感光性樹脂組成物は、固形分濃度が５〜６０重量％であることが好ましく、３０〜５５重量％が特に好ましく、粘度は１０〜２５，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１００〜３，０００ｍＰａ・ｓが特に好ましい。上記範囲とすることで、基板や半導体素子に対する塗布性を確保することが可能となる。

２．半導体装置
本発明の半導体装置は、基板と半導体素子とを、感光性樹脂組成物からなる樹脂スペーサーにより空隙を介している中空構造体であれば、特に制限されるものではなく、
リードフレームと半導体素子、回路基板を半導体素子、透明基板と半導体素子、半導体素子と半導体素子、半導体ウエハーと半導体ウエハー、ＭＥＭＳ素子と基板等を接着したものが挙げられる。

次に、本発明の半導体装置である中空構造体の一実施形態について、図を用いて説明する。
図１は、中空構造体を示す断面図であり、中空構造体１０は、基板１と相手体２とが樹脂スペーサー３を介して接合されている。樹脂スペーサー３は、基板１の内側の内周面に沿って配置され、基板１と相手体２との間に空隙部（中空部）１０１が形成されるようになっている。

基板１としては、例えばガラス、石英等の透明基板等が挙げられる。また、相手体２としては、半導体素子、半導体基板等を挙げることができる。これらの中でも基板１が透明基板であり、相手体２が受光部を有する半導体素子であることが好ましい。これにより、製造工程で受光部にキズが生じたり、ゴミが付着したりすることを防止することが容易になる。

次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造工程は、（１）感光性樹脂組成物塗布、乾燥工程、（２）光照射による硬化工程、（３）現像工程、（４）ダイシング工程、（５）熱圧着による貼り合わせ工程、の５つの工程から構成される。

３．半導体装置の製造方法
（１）感光性樹脂組成物塗布、乾燥工程
半導体用ウエハー２１の機能面側（図３中の上側）にスピンコーターを用いて、本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥して樹脂層３１を形成する（図３（ａ））。
（２）光照射による硬化工程
樹脂層３１を所定のマスクパターン（ここでは、格子状のマスクパターン）を有するフォトマスク４で覆い、光照射する（図３（ｂ））。光照射する照射線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、２００〜７００ｎｍの波長のものが好ましい。これにより、樹脂層３１が選択的に光硬化される。すなわち、フォトマスク４で覆われていない部分３１１の樹脂層３１が光硬化する。一方、フォトマスク４で覆われている部分の樹脂層３１は、未硬化のままである。
（３）現像工程
樹脂層３１を現像液により、フォトマスク４で覆われている部分の樹脂層３１を除去する（図３（ｃ））。これにより、樹脂層３１が格子状に残存するようになる。この格子状に残存する部分が、後に樹脂スペーサー部３１１となる。
前記現像液としては、特に制限されるものではないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等のアルカンやシクロアルカン、トルエン、メシチレン、キシレン等の芳香族炭化水素、リモネン、ジペンテン、ピネン、メクリン等のテルペン類、シクロペンタン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン類などの溶剤が、また、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液等が挙げられる。
（４）ダイシング工程
この半導体用ウエハー２１（図４）をダイシングして個片化して半導体素子２１１を得る（図５）。半導体素子２１１には、樹脂スペーサー部３１１が形成されている。
（５）熱圧着による貼り合わせ、熱硬化工程
樹脂スペーサー部３１１に接するように、透明基板１１を接合する。この際、樹脂スペーサー部３１１は、光硬化後も接着性を有する樹脂組成物で構成されているので透明基板１１と、半導体素子２１１とを樹脂スペーサー３１１を介して熱圧着して接合することできる。これにより、中空構造の半導体装置を得ることができる（図２）。このように、中空構造とすることにより、イメージセンサ部に傷が生じたり、ごみが付着したりするのを防止することができる。

≪実施例≫
実施例書いて下さい。
１．樹脂ワニス（樹脂組成物）の調製
光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂として、デシルノルボルネン／グリシジルメチルノルボルネン／フェネチルノルボルネン＝５５／３０／１５の共重合体を使用した。該樹脂の合成方法を示す。
すべてのガラス機器を６０℃、０．１Ｔｏｒｒ下で１８時間乾燥した。その後、ガラス機器をグローボックス内に備え付けた。次に、エチルアセテート（９１７ｇ）、シクロヘキサン（９１７ｇ）、デシルノルボルネン（１２９ｇ、０．５５ｍｏｌ）、グリシジルメチルエーテルノルボルネン（１７７ｇ、０．３０ｍｏｌ）、フェネチルノルボルネン（２９．７ｇ、０．１５ｍｏｌ）を反応フラスコに加えた。その反応フラスコをグローボックスから取り出し、その溶液中に窒素ガスを３０分間通して脱気した。次に、グローボックス中で触媒であるビストルエンビスパーフルオロフェニルニッケル９．３６ｇ（１９．５ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶解し、２５ｍｌのシリンジに入れ、グローボックスから取り出し、反応フラスコに加えた。その後、２０℃で５時間攪拌して反応させ、さらに、過酢酸溶液（９７５ｍｍｏｌ）を加え１８時間攪拌した。攪拌を止め、水層と溶媒層に分離した後、水層を取り除いた。残った溶液に１ｌの蒸留水を加え、２０分間攪拌した後、分離した水層を取り除いた。この洗浄工程を３回行った。その洗浄された反応溶液をメタノールに投入し、沈殿物を濾集し、水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後３０９ｇ（収率９２％）のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝３０，０００、Ｍｎ＝６８，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３であった。ポリマー組成はＨ−ＮＭＲからデシルノルボルネンが５４モル％、エポキシノルボルネンが３１モル％、フェネチルノルボルネンが１５モル％であった。
上記で得られた光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）１００重量部と、光酸発生剤（Ｂ）として（４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ローディア社製、Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ ２０７４）２重量部と、光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）としてジシクロペンタンジメタノールジグリシジルエーテル（ＡＤＥＫＡ社製、ＥＰ−４０８８Ｓ、重量平均分子量３０８）５０重量部、増感剤（Ｄ）として１−クロロ−４−プロポロキシ−９Ｈ−チオキサントン（Ｌａｍｂｓｏｎ社製、ＣＰＴＸ）０．６重量部、酸拡散防止剤（Ｅ）としてフェノチアジン（関東化学社製）０．１重量部、酸化防止剤（Ｆ）として３，５−ジｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート（チバ・スペシャルティケミカルズ社製、Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６）１．５重量部とを２−ヘプタノンに溶解して樹脂ワニスを得た。

２．半導体装置の製造
上述の樹脂ワニスを、８インチの半導体ウエハーにスピンコート法で塗布した後、ホットプレートにて１１０℃で５分乾燥し、膜厚約４０μｍの塗膜を得た。この塗膜にブロードバンドステッパー露光機（ウルトラテック（株）製）によりレチクルを通して１５００ｍＪ／ｃｍ²でダムを形成する部分の露光を行った。その後ホットプレートにて９０℃で
４分、露光部の架橋反応を促進させるため加熱した。次にシクロペンタノンに３０秒浸漬することによって未露光部を溶解除去した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで２０秒間リンスした。その結果、受光素子を囲むようにダムが成形された。
次に形成されたダムの上にガラス基板を乗せ、１．０ＭＰａの圧力をかけながら１７０℃、５分で圧着し、半導体基板とガラス基板を接着した。次にオーブンにて１７０℃、１時間で硬化した。この硬化膜の吸水率は０．２％であった。

（実施例２）
光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）として、水素添加ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（ＡＤＥＫＡ社製、ＥＰ−４０８８Ｓ、重量平均分子量３５２）を用いた以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例３）
光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）として、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン（東亜合成工業社製、ＯＸＴ−１２１、重量平均分子量３３４）を用いた以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例４）
光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）として、ビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル（東亜合成工業社製、ＯＸＴ−２２１、重量平均分子量３３４）を用いた以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例５）
実施例１において、光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）であるジシクロペンタンジメタノールジグリシジルエーテル（ＡＤＥＫＡ社製、ＥＰ−４０８８Ｓ、重量平均分子量３０８）の配合量を５重量部とした以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例６）
実施例１において、光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）であるジシクロペンタンジメタノールジグリシジルエーテル（ＡＤＥＫＡ社製、ＥＰ−４０８８Ｓ、重量平均分子量３０８）の配合量を８０重量部とした以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例７）
光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）として、エポキシ変性シロキサン（東レ・ダウコーニング社製、ＢＹ１６−１１５、重量平均分子量１，５００）２０重量部を用いた以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例８）
増感剤（Ｄ）である１−クロロ−４−プロポロキシ−９Ｈ−チオキサントン、酸拡散防止剤（Ｅ）であるフェノチアジン、酸化防止剤（Ｆ）である３，５−ジｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメートの含有量を０とした以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例９）
酸拡散防止剤（Ｅ）であるフェノチアジン、酸化防止剤（Ｆ）である３，５−ジｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメートの含有量を０とした以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（実施例１０）
増感剤（Ｄ）である１−クロロ−４−プロポロキシ−９Ｈ−チオキサントン、酸化防止
剤（Ｆ）である３，５−ジｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメートの含有量を０とした以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

（比較例１）
光酸発生剤の作用で硬化反応可能な化合物（Ｃ）であるジシクロペンタンジメタノールジグリシジルエーテル（ＡＤＥＫＡ社製、ＥＰ−４０８８Ｓ、重量平均分子量３０８）、増感剤（Ｄ）である１−クロロ−４−プロポロキシ−９Ｈ−チオキサントン、酸拡散防止剤（Ｅ）であるフェノチアジンおよび酸化防止剤（Ｆ）である３，５−ジｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメートの含有量を０とした以外は、実施例１と同様に樹脂ワニスの調整、半導体装置の製造を実施した。

各実施例および各比較例で得られた感光性樹脂組成物について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。

１．接着強度
接着強度は、以下の工程を通して試験片を作成し、せん断強度測定で評価した。
樹脂ワニスを、８インチのウエハーにスピンコート法で塗布した後、ホットプレートにて１１０℃で５分間乾燥し、膜厚約４０μｍの塗膜を得た。この塗膜にブロードバンドステッパー露光機（ウルトラテック社製）により全面露光を行った。その後ホットプレートにて９０℃で４分間、露光部の架橋反応を促進させるため加熱した。次に、シクロペンタノンに３０秒間浸漬した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで２０秒間リンスした。
次に、比較例３以外は前記のシリコンウエハーをダイシングにより小片化し、得られた半導体チップを該半導体チップより大きいサイズのガラスの上に乗せ、５分間加圧（１．０ＭＰａ）接着し、その後、オーブンにて１７０℃、１時間で硬化し、密着強度の試験片とした。また、比較例３においては、前記のシリコンウエハーをオーブンにて１７０℃、１時間で硬化した後、ダイシングにより小片化した。得られた半導体チップに接着剤を塗布し、該半導体チップより大きいサイズのガラスの上に乗せ、５分間加圧（０．１ＭＰａ）接着し、その後、オーブンにて１５０℃、３０分間で硬化し、密着強度試験片とした。１水準当たり試験片を５個成形した。その後、自動せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、チップとチップとのせん断強度とその破壊状態を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎：接着強度が１０ＭＰａ以上で、破壊状態が材料破壊であった。
○：接着強度が１０ＭＰａ以上で、破壊状態が界面剥離であった。
△：接着強度が１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ未満であった。
×：接着強度が測定できなかった。

２．光解像性
光解像性は、以下の工程を通してパターンを形成し、そのパターンの形状および開口部の残渣で評価した。
パターン形成の工程としては、樹脂ワニスを、８インチのウエハーにスピンコート法で塗布した後、ホットプレートにて１１０℃で５分間乾燥し、膜厚約４０μｍの塗膜を得た。この塗膜にブロードバンドステッパー露光機（ウルトラテック（株）製）によりレチクルを通して１，５００ｍＪ／ｃｍ²でダムを形成する部分の露光を行った。その後ホット
プレートにて９０℃で４分間、露光部の架橋反応を促進させるため加熱した。次に、シクロペンタノンに３０秒間浸漬することによって未露光部を溶解除去した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで２０秒間リンスし、所望のパターンを成形した。各符号は、以下の通りである。
◎：スカムが無く、外観も良好であった。
○：スカムが一部発生または外観が一部不良であった。
△：ダムに剥離が生じた。
×：現像できなかった。

３．厚さ精度
厚さ精度は、スピンコート法で塗布、ホットプレートで乾燥した膜の厚さを非接触型干渉膜厚計で測定し、同一ウエハー面内における膜の厚さのバラツキ幅で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：厚さのバラツキ幅が３％未満であった。
○：厚さのバラツキ幅が、３％以上、５％未満であった。
△：厚さのバラツキ幅が、５％以上、１０％未満であった。
×：厚さのバラツキ幅が、１０％以上であった。

半導体装置の一例を示す断面図である。 半導体装置の製造プロセスの一例を示す断面図である。 半導体用ウエハーに感光性樹脂組成物が塗布されている一例を示す上面 図である。 半導体素子に感光性樹脂組成物が塗布されている一例を示す上面図であ る。

符号の説明

１ 透明基板
２ 半導体素子
２１ 半導体ウエハー
３ 樹脂スペーサー
３１ 樹脂層
３１１ フォトマスクで覆われていない部分
４ フォトマスク
１０ 半導体装置
１０１ 空隙部

Claims (15)

1. 光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、
   酸発生剤（Ｂ）と、
   酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）とを、
   含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
2. 前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）が、エポキシ化合物及び／又はオキセタニル化合物である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. 前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）が常温で液状である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
4. 前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の重量平均分子量が、１０００未満である請求項１ないし３のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
5. 前記酸発生剤の作用により硬化反応可能な化合物（Ｃ）の含有量が、光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して、１〜５０重量部である請求項１ないし４のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
6. 前記エポキシ化合物が、シクロアルカン骨格、ビスフェノール骨格、シロキサン骨格のいずれかを有するエポキシ化合物である、請求項２に記載の感光性樹脂組成物。
7. 前記オキセタニル化合物が、一般式（１）で示されるオキセタニル化合物である、請求項２に記載の感光性樹脂組成物。
   

   

   （Ｒ₁は有機基であり、ｍは０〜１０の整数であり、ｎは０または１である。但し、ｍ＝
   ０の時、ｎ＝１でありｎ＝０の時、ｍ＝１である。）
8. 前記官能基を有する環状オレフィン系樹脂の官能基が、エポキシ基である請求項１ないし７いずれかに記載の感光性樹脂組成物。
9. 前記光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）を構成する環状オレフィン系樹脂が、ノルボルネン系樹脂である請求項１ないし８のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
10. 前記ノルボルネン系樹脂がノルボルネン系モノマーの付加重合体である、請求項９に記載の感光性樹脂組成物。
11. さらに、増感剤（Ｄ）を含むものである、請求項１ないし１０に記載の感光性樹脂組成物。
12. さらに、酸拡散防止剤（Ｅ）を含むものである、請求項１ないし１１に記載の感光性樹
    脂組成物。
13. さらに、酸化防止剤（Ｆ）を含むものである、請求項１ないし１２に記載の感光性樹脂組成物。
14. 基板と相手体との間に設けられるスペーサに用いられる、請求項１ないし１３いずれかに記載の感光性樹脂組成物。
15. 基板と前記基板と対向する相手体と、
    前記基板と相手体との間に設けられるスペーサと、を備え、
    前記スペーサが、請求項１ないし１４のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする半導体装置。

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