[go: up one dir, main page]

JP2008276000A - 光導波路 - Google Patents

光導波路 Download PDF

Info

Publication number
JP2008276000A
JP2008276000A JP2007120892A JP2007120892A JP2008276000A JP 2008276000 A JP2008276000 A JP 2008276000A JP 2007120892 A JP2007120892 A JP 2007120892A JP 2007120892 A JP2007120892 A JP 2007120892A JP 2008276000 A JP2008276000 A JP 2008276000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
optical waveguide
metal film
substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007120892A
Other languages
English (en)
Inventor
Rahman Khan Sazzadur
サジャドウル ラフマン カーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2007120892A priority Critical patent/JP2008276000A/ja
Priority to KR1020080033542A priority patent/KR20080097337A/ko
Priority to EP08007631A priority patent/EP1988414A1/en
Priority to CNA2008100953030A priority patent/CN101299080A/zh
Priority to US12/113,412 priority patent/US7711230B2/en
Publication of JP2008276000A publication Critical patent/JP2008276000A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1221Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】製造する際の工数の低減および製造コストの低減を図ることができる光導波路を提供する。
【解決手段】光の通路であるコア3が基板1上に形成されている光導波路であって、上記コア3の少なくとも一部が金属膜Aで覆われている。
【選択図】図1

Description

本発明は、光通信,光情報処理,その他一般光学で広く用いられる光導波路に関するものである。
光導波路は、光導波路デバイス,光集積回路,光配線基板等の光デバイスに組み込まれており、光通信,光情報処理,その他一般光学の分野で広く用いられている。光導波路は、通常、光の通路であるコアが所定パターンに形成され、そのコアを覆うように、アンダークラッド層とオーバークラッド層とが形成されている(例えば、特許文献1参照)。このような光導波路を図6に示す。図6では、基板1上に、アンダークラッド層2,コア3,オーバークラッド層4がこの順で形成されて光導波路が構成されている。
上記コア3は、アンダークラッド層2およびオーバークラッド層4よりも屈折率が大きく設定され、それにより、コア3内を通る光がコア3から外部に出ないようにしている。これらコア3,アンダークラッド層2およびオーバークラッド層4は、通常、合成樹脂からなり、なかでも、感光性樹脂からなる場合は、その形成に際して、それぞれの液状材料の塗布,露光,現像および乾燥の各工程が必要となる。
特開2005−165138号公報
しかしながら、上記コア3,アンダークラッド層2およびオーバークラッド層4をそれぞれ形成する毎に、上記塗布,露光,現像および乾燥の各工程を行うと、多くの工数を要し、製造コストも高くなる。この点で、なお改善の余地がある。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、製造する際の工数の低減および製造コストの低減を図ることができる光導波路の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の光導波路は、光の通路であるコアが基板上に形成されている光導波路であって、上記コアの少なくとも一部が金属膜で覆われているという構成をとる。
本発明の光導波路は、コアの少なくとも一部が金属膜で覆われているため、その部分はクラッド層(アンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方)を形成する必要がない。上記金属膜の形成は、例えば、スパッタ法,プラズマ法,化学蒸着法,めっき法等のいずれかにより形成することができ、クラッド層を形成するよりも少ない工数で、コアの少なくとも一部を金属膜で覆うことができる。このため、その分、光導波路を製造する際の工数を低減することができ、その結果、製造コストの低減を図ることができる。
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
図1は、本発明の光導波路の第1の実施の形態を示している。この実施の形態の光導波路では、平板状の基板1の表面に金属膜Aが形成され、この金属膜Aの表面に複数のコア3が所定パターンに形成され、そのコア3を包含するようにオーバークラッド層4が形成されている。そして、コア3の底面が接触する金属膜Aの表面部分は、コア3を通る光の反射面として作用する。
このような光導波路の製造方法について説明する。
まず、図2(a)に示すように、上記基板1を準備する。この基板1としては、特に限定されないが、例えば、樹脂基板,ガラス基板,シリコン基板等があげられる。上記樹脂基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート,ポリエステル,ポリアクリレート,ポリカーボネート,ポリノルボルネン,ポリイミド等があげられる。また、上記基板1の厚みは、特に限定されないが、通常、20μm(フィルム状の基板)〜5mm(板状の基板)の範囲内に設定される。
ついで、その基板1の表面に、例えば、スパッタ法,プラズマ法,化学蒸着法,めっき法等のいずれかにより、上記金属膜Aを形成する。その金属膜Aの形成材料としては、例えば、銀,アルミニウム,ニッケル,クロム,銅等およびこれらの2種以上の元素を含む合金材料等があげられる。金属膜Aの厚みは、特に限定されないが、通常、0.1〜0.5μmの範囲内に設定される。
つぎに、図2(b)に示すように、上記金属膜Aの表面に、後の選択露光によりコア3〔図2(d)参照〕となる樹脂層3aを形成する。この樹脂層3aの形成材料としては、通常、光重合性樹脂があげられ、下記オーバークラッド層4〔図2(e)参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、コア3,オーバークラッド層4の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。そして、上記樹脂層3aの形成は、特に制限されないが、例えば、光重合性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを金属膜A上に塗布した後、乾燥することにより行われる。上記ワニスの塗布は、例えば、スピンコート法,ディッピング法,キャスティング法,インジェクション法,インクジェット法等により行われる。また、上記乾燥は、50〜120℃×10〜30分間の加熱処理により行われる。なお、金属膜Aとコア3〔図2(d)参照〕との接着性を向上させるために、上記樹脂層3aの形成に先立って、金属膜Aの表面に、プライマー樹脂処理,カップリング剤処理等を行ってもよい。
そして、図2(c)に示すように、上記乾燥させた樹脂層3aの表面を、透光性を有するカバーフィルムCで覆い、その上に、所望のコア3〔図2(d)参照〕パターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクMを設置する。その後、上記フォトマスクMおよびカバーフィルムCを介して、上記樹脂層3aを照射線により露光する。この露光された部分が、後にコア3となる。その露光用の照射線としては、例えば、可視光,紫外線,赤外線,X線,α線,β線,γ線等が用いられる。好適には、紫外線が用いられる。紫外線を用いると、大きなエネルギーを照射して、大きな硬化速度を得ることができ、しかも、照射装置も小型かつ安価であり、生産コストの低減化を図ることができるからである。紫外線の光源としては、例えば、低圧水銀灯,高圧水銀灯,超高圧水銀灯等があげられ、紫外線の照射量は、通常、10〜10000mJ/cm2 、好ましくは、50〜3000mJ/cm2 である。
上記露光後、光反応を完結させるために、加熱処理を行う。この加熱処理は、80〜250℃、好ましくは、100〜200℃にて、10秒〜2時間、好ましくは、5分〜1時間の範囲内で行う。その後、現像液を用いて現像を行うことにより、樹脂層3aにおける未露光部分を溶解させて除去し、樹脂層3aをパターン形成する〔図2(d)参照〕。そして、そのパターン形成された樹脂層3a中の現像液を加熱処理により除去し、図2(d)に示すように、コア3パターンを形成する。この加熱処理は、通常、80〜120℃×10〜30分間行われる。また、各コア3の厚みは、通常、マルチモード光導波路の場合には、20〜100μmに設定され、シングルモード光導波路の場合には、2〜10μmに設定される。さらに、上記現像は、例えば、浸漬法,スプレー法,パドル法等が用いられる。また、現像剤としては、例えば、有機系の溶媒,アルカリ系水溶液を含有する有機系の溶媒等が用いられる。このような現像剤および現像条件は、光重合性樹脂組成物の組成によって、適宜選択される。
つぎに、図2(e)に示すように、上記コア3を包含するように、オーバークラッド層4を形成する。このオーバークラッド層4の形成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,光重合性樹脂等があげられる。そして、そのオーバークラッド層4の形成方法は、特に制限されないが、例えば、上記樹脂が溶媒に溶解しているワニスを、上記コア3を包含するように塗布した後、硬化することにより行われる。上記ワニスの塗布は、例えば、スピンコート法,ディッピング法,キャスティング法,インジェクション法,インクジェット法等により行われる。また、上記硬化は、オーバークラッド層4の形成材料や厚み等により適宜行われ、例えば、オーバークラッド層4の形成材料としてポリイミド樹脂が用いられる場合は、300〜400℃×60〜180分間の加熱処理により行われ、オーバークラッド層4の形成材料として光重合性樹脂が用いられる場合は、1000〜5000mJ/cm2 の紫外線を照射した後、80〜120℃×10〜30分間の加熱処理により行われる。そして、オーバークラッド層4の厚みは、通常、マルチモード光導波路の場合には、5〜100μmに設定され、シングルモード光導波路の場合には、1〜20μmに設定される。
このようにして、基板1の表面に、金属膜Aとコア3とオーバークラッド層4とからなる光導波路(図1参照)が形成される。
なお、この第1の実施の形態では、オーバークラッド層4を形成しているが、このオーバークラッド層4は必須ではなく、場合によってオーバークラッド層4を形成しないで光導波路を構成してもよい。
図3は、本発明の光導波路の第2の実施の形態を示している。この第2の実施の形態の光導波路は、上記第1の実施の形態の光導波路において、オーバークラッド層4(図1参照)に代えて、第2の金属膜Bが形成されたものである。それ以外の部分は、上記第1の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。そして、この第2の実施の形態の光導波路でも、コア3の底面が接触する金属膜Aの表面部分ならびにコア3の側面および天井面が接触する金属膜Bの表面部分は、コア3を通る光の反射面として作用する。
この第2の実施の形態の光導波路の製造方法は、まず、上記第1の実施の形態と同様にして〔図2(a)〜(d)参照〕、基板1上に(第1の)金属膜Aおよびコア3を順に形成する〔図2(d)参照〕。その後、図3に示すように、コア3の側面および天井面に、(第1の)金属膜Aの形成方法(例えば、スパッタ法,プラズマ法,化学蒸着法,めっき法等)と同様にして、第2の金属膜Bを形成する。この第2の金属膜Bの形成材料としては、上記(第1の)金属膜Aと同様の形成材料(例えば、銀,アルミニウム,ニッケル,クロム,銅等)があげられるが、そのうち、この第2の金属膜Bの形成材料は、上記(第1の)金属膜Aの形成材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。このようにして、第2の実施の形態の光導波路が得られる。
図4は、本発明の光導波路の第3の実施の形態を示している。この第3の実施の形態の光導波路は、上記第2の実施の形態の光導波路において、(第1の)金属膜A(図3参照)に代えて、アンダークラッド層2が形成されたものである。それ以外の部分は、上記第2の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。そして、この第3の実施の形態の光導波路でも、コア3の側面および天井面が接触する金属膜Bの表面部分は、コア3を通る光の反射面として作用する。
この第3の実施の形態の光導波路の製造方法は、まず、図5(a)に示すように、上記基板1の表面に、アンダークラッド層2を形成する。このアンダークラッド層2の形成材料としては、上記オーバークラッド層4〔図2(e)参照〕と同様の材料(例えば、ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,光重合性樹脂等)があげられ、そのうち、このアンダークラッド層2の形成材料は、上記オーバークラッド層4の形成材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。そして、アンダークラッド層2の形成方法も、上記オーバークラッド層4と同様にして行われる。すなわち、上記基板1の表面に、後にアンダークラッド層2となるワニスを、上記スピンコート法等により塗布した後、アンダークラッド層2の形成材料としてポリイミド樹脂が用いられる場合は、加熱処理が行われ、光重合性樹脂が用いられる場合は、紫外線照射した後に加熱処理が行われる。これにより、アンダークラッド層2が形成される。そして、アンダークラッド層2の厚みは、通常、マルチモード光導波路の場合には、5〜50μmに設定され、シングルモード光導波路の場合には、1〜20μmに設定される。ついで、上記アンダークラッド層2の表面に、上記第1,第2の実施の形態と同様にして〔図2(b)〜(d)参照〕、図5(b)に示すように、コア3を形成し、その後、上記第2の実施の形態と同様にして(例えば、スパッタ法,プラズマ法,化学蒸着法,めっき法等により)、図5(c)に示すように、(第2の)金属膜Bを形成する。このようにして、第3の実施の形態の光導波路が得られる。
つぎに、実施例について説明する。但し、本発明は、これに限定されるわけではない。
〔オーバークラッド層の形成材料〕
ビスフェノキシエタノールフルオレンジクリシジルエーテル(成分A)35重量部、(3’,4’−エポキシシクロヘキサン)メチル3’,4’−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート(成分B)40重量部、脂環式エポキシ樹脂(ダイセル化学社製、セロキサイド2021P)(成分C)25重量部、4,4−ビス〔ジ(βヒドロキシエトキシ)フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの50%プロピオンカーボネート溶液(光酸発生剤:成分D)1重量部を混合することにより、オーバークラッド層の形成材料を調製した。
〔コアの形成材料〕
上記成分A:70重量部、1,3,3−トリス{4−〔2−(3−オキセタニル)〕ブトキシフェニル}ブタン:30重量部、上記成分D:0.5重量部を乳酸エチル28重量部に溶解することにより、コアの形成材料を調製した。
〔光導波路の作製〕
まず、ポリエチレンナフタレートフィルム〔基板:100mm×100mm×188μm(厚み)〕の表面に、スパッタリングにより、銀(Ag)膜(厚み0.15μm)を形成した。
そして、上記銀(Ag)膜の表面に、コアの形成材料をスピンコート法により塗布した後、100℃×5分間の加熱処理を行った。ついで、その表面に、透光性を有するポリカーボネート製カバーフィルム(厚み40μm)を設置し、さらにそのカバーフィルムの表面に、開口パターン(コアパターン)が形成された合成石英系のフォトマスクを設置した。そして、その上方から、紫外線を4000mJ/cm2 で照射した。ついで、上記フォトマスクおよびカバーフィルムを除去した後、80℃×15分間の加熱処理を行った。つぎに、γ−ブチロラクトン水溶液を用いて現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、100℃×15分間の加熱処理を行うことにより、コア(厚み50μm)を形成した。
ついで、上記コアを包含するように、上記オーバークラッド層の形成材料をスピンコート法により塗布した後、紫外線を2000mJ/cm2 で照射をした。つづいて、120℃×15分間の加熱処理を行うことにより、オーバークラッド層(アンダークラッド層表面からの厚み70μm)を形成した。
このようにして、基板上に、銀(Ag)膜,コアおよびオーバークラッド層が、この順で積層されてなる光導波路(図1参照)を製造することができた。
上記実施例1において、金属膜として、銀(Ag)膜に代えて、スパッタリングにより、アルミニウム(Al)膜(厚み0.15μm)を形成した。それ以外は上記実施例1と同様とした。これにより、基板上に、アルミニウム(Al)膜,コアおよびオーバークラッド層が、この順で積層されてなる光導波路(図1参照)を製造することができた。
上記実施例1において、オーバークラッド層に代えて、スパッタリングにより、上記コアの側面および天井面に、(第2の)銀(Ag)膜(厚み0.15μm)を形成した。それ以外は上記実施例1と同様とした。これにより、上記基板上に、銀(Ag)膜,コアおよび(第2の)銀(Ag)膜が、この順で積層されてなる光導波路(図3参照)を製造した。
上記実施例1において、オーバークラッド層に代えて、スパッタリングにより、上記コアの側面および天井面に、アルミニウム(Al)膜(厚み0.15μm)を形成した。それ以外は上記実施例1と同様とした。これにより、上記基板上に、銀(Ag)膜,コアおよびアルミニウム(Al)膜が、この順で積層されてなる光導波路(図3参照)を製造した。
〔光導波路の作製〕
まず、上記実施例1と同様のポリエチレンナフタレートフィルムの表面に、上記実施例1のオーバークラッド層の形成材料と同様の材料をスピンコート法により塗布した後、紫外線を2000mJ/cm2 で照射した。つづいて、100℃×15分間の加熱処理を行うことにより、アンダークラッド層(厚み20μm)を形成した。
そして、上記アンダークラッド層の表面に、上記実施例1のコアの形成材料をスピンコート法により塗布した後、100℃×15分間の乾燥処理を行った。ついで、その表面に、透光性を有するポリカーボネート製カバーフィルム(厚み40μm)を設置し、さらにそのカバーフィルムの表面に、開口パターン(コアパターン)が形成された合成石英系のフォトマスクを設置した。そして、その上方から、紫外線を4000mJ/cm2 で照射した。ついで、上記フォトマスクおよびカバーフィルムを除去した後、80℃×15分間の加熱処理を行った。つぎに、γ−ブチロラクトン水溶液を用いて現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、100℃×15分間の加熱処理を行うことにより、コア(厚み50μm)を形成した。
ついで、上記コアの側面および天井面に、スパッタリングにより、銀(Ag)膜(厚み0.15μm)を形成した。
このようにして、上記基板上に、アンダークラッド層,コアおよび銀(Ag)膜が、この順で積層されてなる光導波路(図4参照)を製造することができた。
本発明の光導波路の第1の実施の形態を模式的に示す断面図である。 (a)〜(e)は上記第1の実施の形態の光導波路の製造方法を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路の第2の実施の形態を模式的に示す断面図である。 本発明の光導波路の第3の実施の形態を模式的に示す断面図である。 (a)〜(c)は上記第3の実施の形態の光導波路の製造方法を模式的に示す断面図である。 従来の光導波路を模式的に示す断面図である。
符号の説明
1 基板
3 コア
A 金属膜

Claims (4)

  1. 光の通路であるコアが基板上に形成されている光導波路であって、上記コアの少なくとも一部が金属膜で覆われていることを特徴とする光導波路。
  2. コアの少なくとも一部が金属膜で覆われていることが、コアの底面が、基板の表面に形成された金属膜に接触した状態となっている請求項1記載の光導波路。
  3. コアの少なくとも一部が金属膜で覆われていることが、コアの底面が、基板の表面に形成された金属膜に接触した状態となっているとともに、コアの側面および天井面が金属膜で覆われた状態となっている請求項1記載の光導波路。
  4. コアがアンダークラッド層の表面に接触した状態で形成され、コアの少なくとも一部が金属膜で覆われていることが、コアの側面および天井面が金属膜で覆われた状態となっている請求項1記載の光導波路。
JP2007120892A 2007-05-01 2007-05-01 光導波路 Pending JP2008276000A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007120892A JP2008276000A (ja) 2007-05-01 2007-05-01 光導波路
KR1020080033542A KR20080097337A (ko) 2007-05-01 2008-04-11 광도파로
EP08007631A EP1988414A1 (en) 2007-05-01 2008-04-18 Optical waveguide
CNA2008100953030A CN101299080A (zh) 2007-05-01 2008-04-22 光波导
US12/113,412 US7711230B2 (en) 2007-05-01 2008-05-01 Optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007120892A JP2008276000A (ja) 2007-05-01 2007-05-01 光導波路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008276000A true JP2008276000A (ja) 2008-11-13

Family

ID=39688860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007120892A Pending JP2008276000A (ja) 2007-05-01 2007-05-01 光導波路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7711230B2 (ja)
EP (1) EP1988414A1 (ja)
JP (1) JP2008276000A (ja)
KR (1) KR20080097337A (ja)
CN (1) CN101299080A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013514540A (ja) * 2009-12-16 2013-04-25 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) オンチップ光導波路

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100936345B1 (ko) * 2003-09-01 2010-01-12 엘지이노텍 주식회사 광 분배기 및 그 제조방법
KR200433253Y1 (ko) * 2006-09-15 2006-12-08 이부규 조명등이 결합된 환풍기의 커버
JP4934068B2 (ja) * 2008-01-24 2012-05-16 日東電工株式会社 光電気混載基板の製造方法およびそれによって得られた光電気混載基板
JP4934069B2 (ja) * 2008-01-24 2012-05-16 日東電工株式会社 光電気混載基板の製造方法
JP2010282080A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Nitto Denko Corp 光導波路の製造方法
CN102316662A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 欣兴电子股份有限公司 光电线路板及其制造方法
US8837872B2 (en) * 2010-12-30 2014-09-16 Qualcomm Incorporated Waveguide structures for signal and/or power transmission in a semiconductor device
KR20120139264A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 한국전자통신연구원 광도파로를 이용하여 압력을 감지하기 위한 장치 및 그 방법
US10302847B2 (en) 2015-05-22 2019-05-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Micro injection-molded articles
US10203461B2 (en) * 2015-09-04 2019-02-12 Raytheon Company Techniques for forming waveguides for use in laser systems or other systems and associated devices
US11275208B2 (en) * 2018-02-26 2022-03-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Fabrication of polymer waveguide interconnect between chips with a gap and/or step

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5336147B1 (ja) * 1966-12-07 1978-09-30
US4376160A (en) * 1980-04-07 1983-03-08 California Institute Of Technology Method of making and structure for monolithic optical circuits
JP2003043281A (ja) * 2001-07-26 2003-02-13 Kyocera Chemical Corp 光導波回路及びその製造方法
JP2003121674A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 光導波路およびその製造方法
JP2003121668A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 光導波路およびその製造方法
JP2005507506A (ja) * 2001-11-02 2005-03-17 イメゴ アーベー 導体構成

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5659648A (en) * 1995-09-29 1997-08-19 Motorola, Inc. Polyimide optical waveguide having electrical conductivity
US6954561B1 (en) * 2001-07-16 2005-10-11 Applied Materials Inc Methods for forming thermo-optic switches, routers and attenuators
JP3846284B2 (ja) * 2001-11-26 2006-11-15 株式会社トッパンNecサーキットソリューションズ 光導波路の製造方法
US7146086B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-05 Intel Corporation Constructing well structures for hybrid optical waveguides
JP2005148468A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Sony Corp 光導波路、光源モジュール及び光情報処理装置
JP2005165138A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光導波路
JP4318036B2 (ja) * 2004-02-16 2009-08-19 オムロン株式会社 光導波路
KR100606549B1 (ko) * 2004-07-01 2006-08-01 엘지전자 주식회사 면 발광 장치용 도광판 및 그의 제조 방법
US7532790B2 (en) * 2006-03-29 2009-05-12 3M Innovative Properties Company Method of coupling light into microresonators
KR100851973B1 (ko) * 2006-11-02 2008-08-12 삼성전자주식회사 굽은 도파로, 이의 제조방법, 굽은 도파로를 이용한 광전송모듈 및 굽은 도파로를 채용한 열보조 자기기록 헤드
JP2008181411A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Nitto Denko Corp タッチパネル用光導波路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5336147B1 (ja) * 1966-12-07 1978-09-30
US4376160A (en) * 1980-04-07 1983-03-08 California Institute Of Technology Method of making and structure for monolithic optical circuits
JP2003043281A (ja) * 2001-07-26 2003-02-13 Kyocera Chemical Corp 光導波回路及びその製造方法
JP2003121674A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 光導波路およびその製造方法
JP2003121668A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 光導波路およびその製造方法
JP2005507506A (ja) * 2001-11-02 2005-03-17 イメゴ アーベー 導体構成

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013514540A (ja) * 2009-12-16 2013-04-25 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) オンチップ光導波路

Also Published As

Publication number Publication date
US20080273853A1 (en) 2008-11-06
KR20080097337A (ko) 2008-11-05
EP1988414A1 (en) 2008-11-05
US7711230B2 (en) 2010-05-04
CN101299080A (zh) 2008-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008276000A (ja) 光導波路
US7989150B2 (en) Manufacturing method of optical waveguide
JP4875537B2 (ja) 光導波路の製造方法
US7616846B2 (en) Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby
US7957622B2 (en) Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby
KR101570246B1 (ko) 광도파로의 제조 방법
JP2011039489A (ja) 光導波路装置の製造方法
US7747123B2 (en) Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby
US7587114B2 (en) Film-shaped optical waveguide production method
JP2009015307A (ja) 光導波路の製造方法
JP2010066667A (ja) 光導波路装置の製造方法
JP2010117380A (ja) 光導波路装置の製造方法
JP5106332B2 (ja) 光導波路装置の製造方法およびそれによって得られた光導波路装置
JP4791409B2 (ja) 光導波路の製造方法
KR20060046579A (ko) 광도파로의 작성 방법
JP2008298878A (ja) 光導波路デバイス
JP2008129332A (ja) 光導波路の製造方法
JP2008122685A (ja) 光導波路の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110418

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110426

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110906