JP2008263127A - Led装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】3原色LED素子を積層した可視光LED装置において、より短波長の光がより長波長のLED素子へ入射することを防ぎ、且つ所望の色を所望の強度で発光させることができる可視光LED装置を提供する。
【解決手段】緑色LED素子200上に緑色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ31を蒸着形成する。青色LED素子300上に青色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ32を蒸着形成する。フィルタ31を形成した緑色LED素子200上に透光性樹脂33を塗布して、緑色LED素子200上に赤色LED素子100を接着する。フィルタ32を形成した青色LED素子300上に、透光性樹脂34を塗布して、青色LED素子300上に緑色LED素子200を接着する。より短波長の光がより長波長のLED素子へ入射することを防ぐことができる。
【選択図】図2
【解決手段】緑色LED素子200上に緑色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ31を蒸着形成する。青色LED素子300上に青色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ32を蒸着形成する。フィルタ31を形成した緑色LED素子200上に透光性樹脂33を塗布して、緑色LED素子200上に赤色LED素子100を接着する。フィルタ32を形成した青色LED素子300上に、透光性樹脂34を塗布して、青色LED素子300上に緑色LED素子200を接着する。より短波長の光がより長波長のLED素子へ入射することを防ぐことができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、LED装置に関するものである。
従来から3原色の光のいずれかを発光する発光層を有する3種類のLED素子が積層構造をなすLED装置は知られている。
特許文献1には、半導体発光素子と、蛍光体などの波長変換材料とを種々の形態に組み合わせることにより、小型で複数の波長を有し、輝度の高い発光装置が開示されている。この特許文献には、画像表示装置の光源として、異なる発光波長を有する発光素子を積層することにより、小型の多波長型光源を構成することが記載されている。光源として、青色発光素子の上に接続手段を介して赤色発光素子が積層され、さらに接続手段を介して緑色発光素子が積層されている。このような積層された発光素子に電流を供給すると、青色発光素子からの青色光は、他の発光素子に遮蔽されずに上方に取り出すことができる。また、赤色発光素子からの赤色光は、緑色発光素子を透過して上方に取り出すことができる。そして、緑色発光素子からの緑色光は、他の発光素子に遮蔽されることなく、上方に取り出すことができる。このように各色の発光素子を積層することにより、小型で高輝度の光源を実現することができる。この装置では素子間にフィルタが配置されていない。
特許文献1には、半導体発光素子と、蛍光体などの波長変換材料とを種々の形態に組み合わせることにより、小型で複数の波長を有し、輝度の高い発光装置が開示されている。この特許文献には、画像表示装置の光源として、異なる発光波長を有する発光素子を積層することにより、小型の多波長型光源を構成することが記載されている。光源として、青色発光素子の上に接続手段を介して赤色発光素子が積層され、さらに接続手段を介して緑色発光素子が積層されている。このような積層された発光素子に電流を供給すると、青色発光素子からの青色光は、他の発光素子に遮蔽されずに上方に取り出すことができる。また、赤色発光素子からの赤色光は、緑色発光素子を透過して上方に取り出すことができる。そして、緑色発光素子からの緑色光は、他の発光素子に遮蔽されることなく、上方に取り出すことができる。このように各色の発光素子を積層することにより、小型で高輝度の光源を実現することができる。この装置では素子間にフィルタが配置されていない。
また、特許文献2には、青、緑、赤の3原色の発光層をアニールにより接着し積層することにより、多色光の発光を可能にする発光装置が開示されている。この発光装置には層間フィルタについての記述はない。このような構造では、より短波長の光がより長波長発光素子を励起することになるので、所望の色の光を発光できなくなる。また、特許文献3には、エピタキシャル成長により3原色の発光層を積層する発光装置が開示されている。この発光装置は、各発光層が光閉じ込め層を有しているため、光は層構造に対して水平方向にしか取り出せないものと認められる。またLED装置による白色照明に付いても、従来の方法では、赤色用の適当な蛍光体がまだ見出されておらず、演色性が落ちることが指摘されている。
特開平10−319877号公報
特開平8−213657号
特開平11−233827号公報
本発明は、3原色LED素子を積層した可視光LED装置において、より短波長の光がより長波長のLED素子へ入射することを防ぎ、且つ所望の色を所望の強度で発光させることができる可視光LED装置を提供する。
本発明の可視光LED装置の一態様は、3原色のいずれか1つの光を発光する発光層を有する3種類のLED素子を積層してなる可視光LED装置において、隣接する2つの前記LED素子から発光される光のうち、より短波長の光を反射もしくは吸収する光学フィルタを前記隣接する2つのLED素子間に配置したことを特徴としている。
本発明は、LED素子を積層した可視光LED装置において、より短波長の光がより長波長のLED素子へ入射することを防ぎ、且つ所望の色を所望の強度で発光させることができる。
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
以下、図1乃至図3を参照して実施例1を説明する。
図1(a)は、赤色を発光する赤色LED素子の断面図、図1(b)は、緑色を発光する緑色LED素子の断面図、図1(c)は、青色を発光する青色LED素子の断面図、図2は、青色LED素子、緑色LED素子及び赤色LED素子を積層してなる積層体の概略断面図、図3(a)は、図2の積層体からなる可視光LED装置の概略断面図、図3(b)は、図3(a)の可視光LED装置の概略平面図である。
図1(a)は、赤色を発光する赤色LED素子の断面図、図1(b)は、緑色を発光する緑色LED素子の断面図、図1(c)は、青色を発光する青色LED素子の断面図、図2は、青色LED素子、緑色LED素子及び赤色LED素子を積層してなる積層体の概略断面図、図3(a)は、図2の積層体からなる可視光LED装置の概略断面図、図3(b)は、図3(a)の可視光LED装置の概略平面図である。
図1(a)は、可視光LED装置を構成する赤色LED素子の構造を示す断面模式図である。
本実施例は、赤、緑、青色の3原色を発光するLED素子を、それぞれの基板上に成長した後、各LED間に光学フィルタを配置する形で接着し、これに電極を形成して3原色の各LED素子を1チップに形成するものである。また、この図において可視光LED装置の発光方向は下方である。
本実施例は、赤、緑、青色の3原色を発光するLED素子を、それぞれの基板上に成長した後、各LED間に光学フィルタを配置する形で接着し、これに電極を形成して3原色の各LED素子を1チップに形成するものである。また、この図において可視光LED装置の発光方向は下方である。
赤色LED素子100は、p−GaAs基板1上に、p−AlGaAs下部クラッド層2、p−AlGaAs活性層3、n−AlGaAs上部クラッド層4、n−AlGaAsコンタクト層5が形成されてなるものである。これらp−GaAs基板1上に形成された半導体層は、例えば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)法により順次形成される。
緑色LED素子200は、p−GaP基板10上に、p−GaP層11、n−GaP層12が形成されてなるものである。これらp−GaP基板1上に形成された半導体層は、例えば、LPE(Liqid Phase Epitaxy) 法により順次形成される。
緑色LED素子200は、p−GaP基板10上に、p−GaP層11、n−GaP層12が形成されてなるものである。これらp−GaP基板1上に形成された半導体層は、例えば、LPE(Liqid Phase Epitaxy) 法により順次形成される。
青色LED素子300は、サファイア基板20上に、GaNバッファー層21、n−GaNコンタクト層22、n−AlGaN下部クラッド層23、p−InGaN活性層24、p−AlGaN上部クラッド層25、p−GaNコンタクト層26が形成されてなるものである。これらサファイア基板20上に形成された半導体層は、例えば、MOCVD法により順次形成される。
図2は、これらLED素子を積層した状態を示す図である。積層されたLED素子は、この実施例の可視光LED装置の1素子を構成している。各LED素子は、基板20、10、1を下にして、青色LED素子、緑色LED素子及び赤色LED素子を積み重ねてこれらをこの実施例の可視光LED装置の1LED素子とする。
図2は、これらLED素子を積層した状態を示す図である。積層されたLED素子は、この実施例の可視光LED装置の1素子を構成している。各LED素子は、基板20、10、1を下にして、青色LED素子、緑色LED素子及び赤色LED素子を積み重ねてこれらをこの実施例の可視光LED装置の1LED素子とする。
次に、このLED素子を形成する工程を説明する。
図2に示すように、緑色LED素子200のn−GaP層12上に緑色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ31を蒸着により形成する。また、青色LED素子300のp−GaN層26上に青色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ32を蒸着により形成する。
ダイクロイックフィルタ31を形成した緑色LED素子200上に、エポキシ樹脂接着剤等の透光性樹脂33を塗布して、緑色LED素子200上に赤色LED素子100を構成する基板1を接着する。ダイクロイックフィルタ32を形成した青色LED素子300上に、エポキシ樹脂接着剤等の透光性樹脂34を塗布して、青色LED素子300上に緑色LED素子200を構成する基板10を接着する。即ち、青色LED素子には緑色LED素子が隣接し、緑色LED素子には赤色LED素子が隣接するような構造となっている。
図2に示すように、緑色LED素子200のn−GaP層12上に緑色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ31を蒸着により形成する。また、青色LED素子300のp−GaN層26上に青色以下の短波長の光を透過しないダイクロイックフィルタ32を蒸着により形成する。
ダイクロイックフィルタ31を形成した緑色LED素子200上に、エポキシ樹脂接着剤等の透光性樹脂33を塗布して、緑色LED素子200上に赤色LED素子100を構成する基板1を接着する。ダイクロイックフィルタ32を形成した青色LED素子300上に、エポキシ樹脂接着剤等の透光性樹脂34を塗布して、青色LED素子300上に緑色LED素子200を構成する基板10を接着する。即ち、青色LED素子には緑色LED素子が隣接し、緑色LED素子には赤色LED素子が隣接するような構造となっている。
次に、図2に示すLED素子を用いて可視光LED装置を形成する。
図3(b)に示されているように、LED素子の上面の一隅をフォトレジストを用い、ドライエッチングによりエッチングして、青色LED素子のn−GaNコンタクト層22及びp−GaNコンタクト層26、緑色LED素子のp−GaP基板10及びn−GaP層12、赤色LED素子のp−GaAs基板1のそれぞれを部分的に露出させる。露出された各部分及び上面のn−AlGaAsコンタクト層5には後に電極を形成する。
図3(b)に示されているように、LED素子の上面の一隅をフォトレジストを用い、ドライエッチングによりエッチングして、青色LED素子のn−GaNコンタクト層22及びp−GaNコンタクト層26、緑色LED素子のp−GaP基板10及びn−GaP層12、赤色LED素子のp−GaAs基板1のそれぞれを部分的に露出させる。露出された各部分及び上面のn−AlGaAsコンタクト層5には後に電極を形成する。
次に、エッチング処理したLED素子表面に絶縁膜40を形成する。絶縁膜40は、例えば、シリコン酸化物などから構成されている。
次に、前述した電極を形成する。電極の形成方法としては、絶縁膜40にトレンチエッチングを施して、n−GaNコンタクト層22、p−GaNコンタクト層26、p−GaP基板10、n−GaP層12、p−GaAs基板1及びn−AlGaAsコンタクト層5に達するトレンチを各層上に形成する。その後、例えば、銅などを各トレンチに埋め込んでトレンチ内及び絶縁膜40表面に電極41〜46を形成する。電極41は、n−GaNコンタクト層22に接続され、電極42は、p−GaNコンタクト層26に接続され、電極43は、p−GaP基板10に接続され、電極44は、n−GaP層12に接続され、電極45は、p−GaAs基板1に接続され、電極46は、n−AlGaAsコンタクト層5に接続されている(図3(a))。
次に、前述した電極を形成する。電極の形成方法としては、絶縁膜40にトレンチエッチングを施して、n−GaNコンタクト層22、p−GaNコンタクト層26、p−GaP基板10、n−GaP層12、p−GaAs基板1及びn−AlGaAsコンタクト層5に達するトレンチを各層上に形成する。その後、例えば、銅などを各トレンチに埋め込んでトレンチ内及び絶縁膜40表面に電極41〜46を形成する。電極41は、n−GaNコンタクト層22に接続され、電極42は、p−GaNコンタクト層26に接続され、電極43は、p−GaP基板10に接続され、電極44は、n−GaP層12に接続され、電極45は、p−GaAs基板1に接続され、電極46は、n−AlGaAsコンタクト層5に接続されている(図3(a))。
以上により、可視光LED装置の基本構造が形成される。
この可視光LED装置は、電極41及び42間に電圧を印加して青色光を発光し、電極43及び44間に電圧を印加して緑色光を発光し、電極45及び46間に電圧を印加して赤色光を発光する。発光方向は、LED素子100、200、300の積層方向であり、図の矢印方向である。電極間の電圧を調整して赤色光、緑色光及び青色光を混色して所望の可視光を発光することができる。
なお、この実施例では、光学フィルタとしてダイクロイックフィルタを用いているが、この代わりにカラーフィルタを用いても良い。ダイクロイックフィルタは、多層誘電体膜から構成され、特定の波長を透過、反射させる特性を有している。
この可視光LED装置は、電極41及び42間に電圧を印加して青色光を発光し、電極43及び44間に電圧を印加して緑色光を発光し、電極45及び46間に電圧を印加して赤色光を発光する。発光方向は、LED素子100、200、300の積層方向であり、図の矢印方向である。電極間の電圧を調整して赤色光、緑色光及び青色光を混色して所望の可視光を発光することができる。
なお、この実施例では、光学フィルタとしてダイクロイックフィルタを用いているが、この代わりにカラーフィルタを用いても良い。ダイクロイックフィルタは、多層誘電体膜から構成され、特定の波長を透過、反射させる特性を有している。
カラーフィルタは、例えば、レジスト系であり、ある特定域の波長を透過させる特性を有している。また、カラーフィルタを各LED素子間の接着剤として利用することができ、このような場合、特別に接着剤を使用しなくて済む。
また、上記実施例では青色LED素子―緑色LED素子間のフィルタ32は、青色光以下の短波長の光を透過しないようなフィルタを用いたが、青色光のみを透過しないようなフィルタを用いても良い。同様に、上記実施例では緑色LED素子―赤色LED素子間のフィルタ31は、緑色光以下の短波長の光を透過しないフィルタを用いたが、緑色光のみを透過しないフィルタを用いるものであっても良い。
また、上記実施例では光学フィルタとして、隣接するLED素子のうち、より短波長の光を透過しない特性のものを用いたが、当該光を反射させる特性を含んでいても良い。
また、上記実施例では青色LED素子―緑色LED素子間のフィルタ32は、青色光以下の短波長の光を透過しないようなフィルタを用いたが、青色光のみを透過しないようなフィルタを用いても良い。同様に、上記実施例では緑色LED素子―赤色LED素子間のフィルタ31は、緑色光以下の短波長の光を透過しないフィルタを用いたが、緑色光のみを透過しないフィルタを用いるものであっても良い。
また、上記実施例では光学フィルタとして、隣接するLED素子のうち、より短波長の光を透過しない特性のものを用いたが、当該光を反射させる特性を含んでいても良い。
また、上記実施例では、青色LED素子と緑色LED素子間のフィルタは、接着剤を用いて緑色LED素子上に形成させているが、このフィルタを、青色LED素子上に形成した後に、緑色LED素子に接着させても良い。同様のことは、緑色発光層と赤色発光層間についても当てはまる。
更に、白色光を含む多色光の発光では、3原色は、赤、緑、青色に限らないので、そのような場合(3原色が赤−緑−青以外の構造の場合)は、光学フィルタの特性も、隣接するLED素子からの光のうち、より短波長の光を透過させないように選べば良い。
また、赤色LED素子100のn−AlGaAsコンタクト層5上に赤色を反射させるフィルタを配置し、発光効率を高めるようにしても良い。
更に、白色光を含む多色光の発光では、3原色は、赤、緑、青色に限らないので、そのような場合(3原色が赤−緑−青以外の構造の場合)は、光学フィルタの特性も、隣接するLED素子からの光のうち、より短波長の光を透過させないように選べば良い。
また、赤色LED素子100のn−AlGaAsコンタクト層5上に赤色を反射させるフィルタを配置し、発光効率を高めるようにしても良い。
以上により、この実施例では、LED素子を積層した可視光LED装置において、より短波長の光がより長波長のLED素子へ入射することを防ぎ、且つ所望の色を所望の強度で発光させることができる。
100・・・赤色LED素子 200・・・緑色LED素子 300・・・青色LED素子
Claims (3)
- 3原色のいずれか1つの光を発光する発光層を有する3種類のLED素子を積層してなる可視光LED装置において、隣接する2つの前記LED素子から発光される光のうち、より短波長の光を反射もしくは吸収する光学フィルタを前記隣接する2つのLED素子間に配置したことを特徴とする可視光LED装置。
- 前記3種類のLED素子は、発光波長の長いLED素子から順に積層され、前記積層する方向に発光することを特徴とする請求項1に記載の可視光LED装置。
- 前記光学フィルタがより短波長の光を反射させる特性を有していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の可視光LED装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2007105976A JP2008263127A (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | Led装置 |
| US12/099,851 US20080251799A1 (en) | 2007-04-13 | 2008-04-09 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007105976A JP2008263127A (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | Led装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP2008263127A (ja) |
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