JP2008133538A - A method for separating and recovering target waste and indium. - Google Patents
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Abstract
【課題】ターゲット廃材からインジウムを分離し、ターゲット廃材の再利用を可能にするターゲット廃材とインジウムの分離回収方法を提供する。
【解決手段】表面にインジウムが付着したターゲット廃材を酸に浸漬してインジウムを溶解する工程、未溶解のターゲット廃材を回収する工程、上記インジウム溶解液に水酸化アルカリを添加してアルカリ性の液性下でインジウム水酸化物を沈殿させ、該沈澱を回収する工程を有することを特徴とし、好ましくは、回収したインジウム水酸化物を酸に溶解する工程、この酸溶解液からインジウムスポンジを回収する工程を有するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
【選択図】図１A method for separating and recovering target waste material and indium that separates indium from the target waste material and enables reuse of the target waste material is provided.
A target waste material having indium adhered to the surface is immersed in an acid to dissolve indium, a step of recovering undissolved target waste material, an alkali hydroxide added to the indium solution to add alkaline hydroxide. A step of precipitating indium hydroxide and recovering the precipitate, preferably a step of dissolving the recovered indium hydroxide in an acid, a step of recovering indium sponge from the acid solution A method for separating and recovering target waste material and indium.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、ターゲット廃材からインジウムを分離し、ターゲット廃材の再利用を可能にするターゲット廃材とインジウムの分離回収方法に関する。 The present invention relates to a target waste material and indium separation and recovery method that separates indium from target waste material and enables reuse of the target waste material.
半導体デバイス等の製造方法としてスパッタリング法が広く利用されている。スパッタリング法は、金属製のターゲットにアルゴンなどの加速粒子を衝突させて金属成分を放出させ、この放出金属を基板上に堆積させて成膜する方法であり、ターゲット材料としてはＷ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｂ等の高融点金属、その合金等が使用されている。 Sputtering is widely used as a method for manufacturing semiconductor devices and the like. The sputtering method is a method in which accelerated particles such as argon are collided with a metal target to release a metal component, and this released metal is deposited on a substrate to form a film. Target materials include W, Mo, Ti. , Ta, Zr, Nb, and other refractory metals, alloys thereof, and the like are used.
また、ターゲットをスパッタリング装置内に固定する手段、ないし耐熱性の向上や異常放電防止などのために、ターゲットはバッキングプレートと称する裏当て材に一体に接合された状態で使用される場合が多く、通常、ターゲットとバッキングプレートはインジウムや錫を含有する低融点ろう材を介して接合されている（特許文献１）。 Further, in order to fix the target in the sputtering apparatus, or to improve heat resistance and prevent abnormal discharge, the target is often used in a state of being integrally bonded to a backing material called a backing plate, Usually, the target and the backing plate are joined via a low melting point brazing material containing indium and tin (Patent Document 1).
このため、使用済みターゲットをバッキングプレートから取り外しても、インジウムメタル等がターゲット表面に残留しており、ターゲットとして再使用することはできなかった。ターゲットには高価なＷ金属やＭｏ金属が用いられており、使用済みターゲットを再使用できないため、高価なＷやＭｏがスクラップとなっている。
本発明は、従来の上記問題を解決したものであり、ターゲット廃材からインジウムを容易に分離し、ターゲット廃材を容易に再利用できるようにすると共に、分離したインジウムを回収して再利用することができる処理方法を提供する。なお、本発明の方法において、使用済みターゲットおよびその他のターゲットスクラップを総称してターゲット廃材と云う。 The present invention solves the above-described conventional problems, and makes it possible to easily separate indium from the target waste material and to easily reuse the target waste material, and to collect and reuse the separated indium. A processing method that can be used is provided. In the method of the present invention, used targets and other target scraps are collectively referred to as target waste.
本発明の処理方法は、以下に示す構成によって上記課題を解決したターゲット廃材とインジウムの分離回収方法である。
〔１〕表面にインジウムが付着したターゲット廃材を酸に浸漬してインジウムを溶解する工程、未溶解のターゲット廃材を回収する工程、上記インジウム溶解液に水酸化アルカリを添加してアルカリ性の液性下でインジウム水酸化物を沈殿させ、該沈澱を回収する工程を有することを特徴とするターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔２〕表面にインジウムが付着したターゲット廃材を酸に浸漬してインジウムを溶解する工程、未溶解のターゲット廃材を回収する工程、上記インジウム溶解液に水酸化アルカリを添加してアルカリ性の液性下でインジウム水酸化物を沈殿させ、該沈澱を回収する工程、回収したインジウム水酸化物を酸に溶解する工程、この酸溶解液にインジウムよりも卑な金属を添加してインジウムスポンジを析出させ、回収する工程を有する上記[１]に記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔３〕インジウムが付着したターゲット廃材の材質がタングステンまたはモリブデンである上記[１]または上記[２]に記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔４〕インジウム溶解工程において、ターゲット廃材を塩酸、硝酸、またはこれらの混酸に浸漬してターゲット廃材表面のインジウムを溶解する上記[１]〜上記[３]の何れかに記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔５〕インジウム溶解工程において、酸浸漬液の液温が１００℃以下である上記[１]〜上記[４]の何れかに記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔６〕インジウム水酸化物生成工程において、インジウム溶解液に水酸化アンモニウムおよび／またはアルカリ金属水酸化物を添加し、ｐＨ９以上のアルカリ性下で、インジウム水酸化物を沈澱させる上記[１]〜上記[５]の何れかに記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔７〕インジウム水酸化物の酸溶解工程において、インジウム水酸化物を塩酸および／または硫酸に溶解させる上記[１]〜上記[６]の何れかに記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔８〕インジウムスポンジの回収工程において、インジウム水酸化物の酸溶解液に亜鉛および／またはアルミニウムを添加してインジウムスポンジを生成させ、回収する上記[１]〜上記[７]の何れかに記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔９〕表面にインジウムが付着したターゲット廃材を酸に浸漬してインジウムを溶解する工程、未溶解のターゲット廃材を回収する工程、上記インジウム酸溶解液にインジウムよりも卑な金属を添加してインジウムスポンジを析出させ、回収する工程を有するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
〔１０〕インジウムが付着したターゲット廃材の材質がチタンまたはクロムである上記[９]に記載するターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
The treatment method of the present invention is a method for separating and recovering a target waste material and indium that solves the above-described problems with the following configuration.
[1] A step of immersing the target waste material with indium on the surface in acid to dissolve indium, a step of recovering undissolved target waste material, and adding alkali hydroxide to the indium solution to reduce the alkaline solution A method for separating and recovering target waste material and indium, comprising the steps of precipitating indium hydroxide and recovering the precipitate.
[2] A step of immersing target waste with indium on the surface in acid to dissolve indium, a step of recovering undissolved target waste, and adding alkali hydroxide to the indium solution to reduce the alkaline solution The step of precipitating indium hydroxide and recovering the precipitate, the step of dissolving the recovered indium hydroxide in acid, adding a base metal than indium to the acid solution to precipitate indium sponge, The target waste material and indium separation and recovery method according to the above [1], comprising a recovery step.
[3] The target waste material and indium separation and recovery method according to the above [1] or [2], wherein the target waste material to which indium adheres is tungsten or molybdenum.
[4] In the indium melting step, the target waste material and indium described in any one of [1] to [3] above, wherein the target waste material is immersed in hydrochloric acid, nitric acid, or a mixed acid thereof to dissolve indium on the surface of the target waste material Separation and recovery method.
[5] The target waste material and indium separation and recovery method according to any one of [1] to [4] above, wherein in the indium dissolution step, the temperature of the acid immersion liquid is 100 ° C. or lower.
[6] In the indium hydroxide generating step, ammonium hydroxide and / or alkali metal hydroxide is added to the indium solution, and the indium hydroxide is precipitated under an alkaline pH of 9 or more. [5] The method for separating and recovering the target waste material and indium according to any one of [5].
[7] The target waste material and indium separation and recovery method according to any one of [1] to [6] above, wherein indium hydroxide is dissolved in hydrochloric acid and / or sulfuric acid in the acid dissolution step of indium hydroxide.
[8] In any one of [1] to [7] above, in the step of recovering indium sponge, zinc and / or aluminum is added to an acid solution of indium hydroxide to generate and recover indium sponge. To separate and recover target waste and indium.
[9] A step of immersing the target waste material with indium on the surface in an acid to dissolve the indium, a step of recovering the undissolved target waste material, and adding a base metal to the indium acid solution to add indium A method for separating and recovering a target waste material and indium having a step of depositing and recovering a sponge.
[10] The method for separating and recovering a target waste material and indium as described in [9] above, wherein the target waste material to which indium adheres is titanium or chromium.
本発明の処理方法によれば、ターゲット廃材からインジウムを容易に分離することができるので、従来は廃棄されていたターゲット廃材を回収して再利用することができ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒなどの高価なターゲット材料を有効に再利用することができる。また、本発明の処理方法によれば、ターゲット廃材から金属インジウムを回収することができるので、インジウムの有効利用を図ることができる。 According to the treatment method of the present invention, indium can be easily separated from the target waste material, so that the target waste material that has been conventionally discarded can be recovered and reused, such as W, Mo, Ti, Cr, etc. The expensive target material can be effectively reused. Further, according to the treatment method of the present invention, metal indium can be recovered from the target waste material, so that indium can be effectively used.
以下、本発明を実施例と共に具体的に説明する。
本発明の処理方法について、第１の態様を図１に示す。図１に示す処理方法は、表面にインジウムが付着したターゲット廃材を酸に浸漬してインジウムを溶解する工程（インジウム溶解工程）、未溶解のターゲット廃材を回収する工程（ターゲット廃材回収工程）、上記インジウム溶解液に水酸化アルカリを添加してアルカリ性の液性下でインジウム水酸化物を沈殿させ、該沈澱を回収する工程（インジウム水酸化物生成工程）、回収したインジウム水酸化物を酸に溶解する工程（インジウム水酸化物の酸溶解工程）、この酸溶解液からインジウムスポンジを回収する工程（インジウムスポンジ回収工程）を有する。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with examples.
A first aspect of the processing method of the present invention is shown in FIG. The treatment method shown in FIG. 1 includes a step of dissolving indium by immersing a target waste material with indium attached to the surface in an acid (indium dissolution step), a step of recovering undissolved target waste material (target waste material recovery step), Adding alkali hydroxide to the indium solution to precipitate indium hydroxide under alkaline liquidity, recovering the precipitate (indium hydroxide generating step), dissolving the recovered indium hydroxide in acid And a step of recovering the indium sponge from the acid solution (indium sponge recovery step).
〔ターゲット廃材〕
インジウムが付着したターゲット廃材として、材質がタングステン(Ｗ)、モリブデン(Ｍｏ)、チタン(Ｔｉ)、クロム(Ｃｒ)のターゲット廃材を用いることができる。ターゲット廃材を塩酸、硝酸、またはこれらの混酸に浸漬してターゲット廃材表面のインジウムを溶解するときに、上記材質のターゲット廃材はこれらの酸に殆ど溶解しないので、溶解したインジウムから分離してターゲット廃材を回収することができる。
[Target waste]
As the target waste material to which indium adheres, target waste materials of tungsten (W), molybdenum (Mo), titanium (Ti), or chromium (Cr) can be used. When the target waste material is immersed in hydrochloric acid, nitric acid or a mixed acid thereof to dissolve indium on the surface of the target waste material, the target waste material of the above material hardly dissolves in these acids. Therefore, the target waste material is separated from the dissolved indium. Can be recovered.
〔インジウム溶解工程〕
インジウム溶解工程において、インジウムを溶解する酸としては、ターゲット廃材をできるだけ腐食しないように、塩酸、硝酸、またはこれらの混酸、塩酸と過酸化水素の混合酸などが好ましい。これらの酸濃度は、３〜１０Ｍ/Ｌが適当であり、３〜７Ｍ/Ｌが好ましい。この酸浸漬液の液温は１００℃以下が適当であり、２０℃〜６０℃が好ましい。沸騰する液温ではターゲット廃材の腐食が激しくなり、一方、液温が低すぎるとインジウムの溶解が遅く、溶解に長時間を要する。
[Indium dissolution process]
In the indium melting step, the acid that dissolves indium is preferably hydrochloric acid, nitric acid, a mixed acid thereof, a mixed acid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, or the like so as not to corrode the target waste as much as possible. These acid concentrations are suitably 3 to 10 M / L, preferably 3 to 7 M / L. The acid temperature of the acid immersion liquid is suitably 100 ° C. or lower, and preferably 20 ° C. to 60 ° C. At the boiling liquid temperature, the target waste material is corroded severely. On the other hand, when the liquid temperature is too low, the dissolution of indium is slow, and a long time is required for the dissolution.
〔ターゲット廃材の回収〕
インジウム溶解後、未溶解のターゲット廃材を回収し、水洗後、再処理工程においてターゲット材の再生処理、または新たなターゲット材の原料として使用する。なお、インジウム溶解液に未溶解のターゲット廃材が残留しないように回収するのが好ましい。未溶解のターゲット廃材を取り出したインジウム溶解液は次のインジウム水酸化物生成工程に送られる。
[Recovery of target waste]
After dissolution of indium, the undissolved target waste material is recovered, washed with water, and used as a target material regeneration process or a new target material in a reprocessing step. In addition, it is preferable to collect the undissolved target waste material so as not to remain in the indium solution. The indium solution from which the undissolved target waste material is taken out is sent to the next indium hydroxide generation step.
〔インジウム水酸化物生成工程〕
上記インジウム溶解液に水酸化アルカリを添加して加水分解し、アルカリ性の液性下でインジウム水酸化物を沈殿させる。水酸化アルカリとしては、水酸化アンモニウムおよび／またはアルカリ金属水酸化物が用いられる。ｐＨ９以上、好ましくはｐＨ１０以上のアルカリ性下でインジウム水酸化物を沈殿させる。ｐＨ７以下ではＭｏやＷのターゲット廃材との分離性が不十分であり、好ましくない。
[Indium hydroxide production process]
The indium solution is hydrolyzed by adding an alkali hydroxide to precipitate indium hydroxide under alkaline liquidity. As the alkali hydroxide, ammonium hydroxide and / or alkali metal hydroxide is used. Indium hydroxide is precipitated under alkaline conditions of pH 9 or higher, preferably pH 10 or higher. When the pH is 7 or less, the separability from the target waste material of Mo or W is insufficient, which is not preferable.
インジウムが付着しているターゲット廃材を塩酸や硝酸、これらの混酸に浸漬してインジウムを酸に溶解させると、ターゲット廃材の表面が浸食されてターゲット材の材質であるモリブデンやタングステンが僅かに溶出する。しかし、酸浸出液（インジウム溶解液）にインジウムと共にモリブデンやタングステンが僅かに溶存していても、インジウム溶解液をｐＨ９以上のアルカリ性に維持すれば、モリブデンやタングステンは液中に溶存した状態を保ち、水酸化物沈澱を生じないので、インジウム水酸化物沈澱と液中のモリブデンおよびタングステンとを分離することができる。回収したインジウム水酸化物沈澱は次の酸溶解工程に送られる。 When the target waste material with indium attached is immersed in hydrochloric acid or nitric acid or a mixed acid of these and the indium is dissolved in the acid, the surface of the target waste material is eroded and molybdenum or tungsten, which is the material of the target material, is slightly eluted. . However, even if molybdenum and tungsten are slightly dissolved together with indium in the acid leaching solution (indium solution), if the indium solution is maintained at an alkaline pH of 9 or more, the molybdenum and tungsten remain in the solution, Since no hydroxide precipitation occurs, indium hydroxide precipitation can be separated from molybdenum and tungsten in the liquid. The recovered indium hydroxide precipitate is sent to the next acid dissolution step.
〔インジウム水酸化物の酸溶解工程〕
回収したインジウム水酸化物に酸を添加して溶解する。使用する酸の種類は塩酸および／または硫酸が好ましい。酸は市販濃度のものを使用することができる。インジウム水酸化物を硝酸に溶解したものは、亜鉛やアルミニウムを添加してもスポンジ状の金属インジウムが得られない。
[Indium hydroxide acid dissolution step]
An acid is added to the recovered indium hydroxide and dissolved. The kind of acid used is preferably hydrochloric acid and / or sulfuric acid. A commercially available acid can be used. When indium hydroxide is dissolved in nitric acid, spongy metallic indium cannot be obtained even when zinc or aluminum is added.
〔インジウムスポンジ回収工程〕
インジウム水酸化物の塩酸溶解液ないし硫酸溶液に、インジウムよりも卑な金属を添加し、置換反応（セメンテーション）によってスポンジ状の金属インジウムを析出させる。添加する金属としては亜鉛および／またはアルミニウムを用いることができる。この工程で用いるインジウム水酸化物の酸溶解液は、インジウム水酸化物を酸溶解したものであり、このインジウム水酸化物は、上記生成工程において沈澱化したものであるので、ターゲット材料のモリブデンやタングステンが殆ど含まれておらず、含まれている場合でも極微量であるので、これらの不純物量が少ない金属インジウムを回収することができる。
[Indium sponge recovery process]
A base metal rather than indium is added to a hydrochloric acid solution or sulfuric acid solution of indium hydroxide to deposit sponge-like metal indium by a substitution reaction (cementation). Zinc and / or aluminum can be used as the metal to be added. The acid solution of indium hydroxide used in this process is obtained by acid-dissolving indium hydroxide, and this indium hydroxide is precipitated in the above generation process. Tungsten is hardly contained, and even if it is contained, it is extremely small, so that metal indium with a small amount of these impurities can be recovered.
本発明の処理方法について、第２の態様を図２に示す。図２に示す処理方法は、表面にインジウムが付着したターゲット廃材を酸に浸漬してインジウムを溶解する工程（インジウム溶解工程）、未溶解のターゲット廃材を回収する工程（ターゲット廃材回収工程）、インジウムの酸溶解液からインジウムスポンジを回収する工程（インジウムスポンジ回収工程）を有する。 The second aspect of the processing method of the present invention is shown in FIG. The processing method shown in FIG. 2 includes a step of dissolving indium by immersing a target waste material with indium attached to the surface in an acid (indium dissolution step), a step of recovering undissolved target waste material (target waste material recovery step), and indium. A step of recovering the indium sponge from the acid solution (indium sponge recovery step).
ターゲット廃材の材質がチタンやクロムであるときには、インジウム酸溶解液に少量のチタンやクロムが溶存していても、この溶解液に亜鉛やアルミニウムを添加して金属インジウムを析出させるときに、チタンやクロムは液中にとどまり析出しないので、インジウムの析出に先立って液中のチタンやクロムを分離する工程を必要としない。従って、図１の第１態様において設けられていたインジウム水酸化物生成工程、およびインジウム水酸化物の酸溶解工程を省略することができる。 When the target waste material is titanium or chromium, even if a small amount of titanium or chromium is dissolved in the indium acid solution, when adding zinc or aluminum to the solution to precipitate metal indium, Since chromium stays in the liquid and does not precipitate, there is no need for a step of separating titanium or chromium in the liquid prior to the precipitation of indium. Accordingly, the indium hydroxide generation step and the indium hydroxide acid dissolution step provided in the first embodiment of FIG. 1 can be omitted.
〔実施例１〕
図１に示す処理工程に従って、インジウムが付着したターゲット廃材を処理した。まず、インジウムが付着した８７.５kgのＭｏターゲット廃材を室温にて６Ｍ/Ｌ塩酸６５Ｌに１８時間浸漬し、付着インジウムを溶解した。浸漬液中のインジウム濃度およびＭｏ濃度はそれぞれ３.１ｇ/Ｌ、０.７ｇ/Ｌであった。インジウムを除去したＭｏターゲット廃材を水洗して乾燥した後に、再度、ターゲットの製造工程に返送した。一方、インジウムの溶解液には水酸化ナトリウムを添加してｐＨ１３に調整し、沈澱を生成させた。次いで、この沈殿を濾過して水洗し、Ｉｎ(ＯＨ)3沈殿２９８ｇを得た（６
６％Ｉｎ）。このＩｎ(ＯＨ)3沈殿中のインジウム量およびＭｏ量はそれぞれ１９５ｇ、１.２ｇであった。この水酸化インジウム沈殿を市販塩酸６００ｍｌと水１.４Ｌにて溶解した後、亜鉛板を添加してスポンジ状の金属インジウムを得た。このインジウムスポンジのＩｎ／(Ｉｎ＋Ｍｏ)比は９９.１％であった。この結果を表１に示した
。
[Example 1]
In accordance with the processing steps shown in FIG. 1, the target waste material to which indium adhered was processed. First, 87.5 kg of Mo target waste material to which indium adhered was immersed in 65 L of 6 M / L hydrochloric acid at room temperature for 18 hours to dissolve the deposited indium. The indium concentration and the Mo concentration in the immersion liquid were 3.1 g / L and 0.7 g / L, respectively. The Mo target waste material from which indium was removed was washed with water and dried, and then returned to the target manufacturing process again. On the other hand, sodium hydroxide was added to the dissolved solution of indium to adjust the pH to 13, thereby forming a precipitate. The precipitate was then filtered and washed with water to obtain 298 g of In (OH) 3 precipitate (6
6% In). The amounts of indium and Mo in the In (OH) 3 precipitate were 195 g and 1.2 g, respectively. This indium hydroxide precipitate was dissolved in 600 ml of commercial hydrochloric acid and 1.4 L of water, and then a zinc plate was added to obtain sponge-like metal indium. The In / (In + Mo) ratio of this indium sponge was 99.1%. The results are shown in Table 1.
〔実施例２〜６、比較例１〜３〕
実施例１と同様の方法にて、ターゲット材質、使用酸、処理温度、添加水酸化アルカリ等を代えて処理した結果を表１に示した。
[Examples 2-6, Comparative Examples 1-3]
Table 1 shows the results of processing in the same manner as in Example 1 with the target material, acid used, processing temperature, added alkali hydroxide, etc. being changed.
〔実施例７〕
図２に示す処理工程に従って、インジウムが付着したターゲット廃材を処理した。まず、インジウムが付着した３４.２kgのＴｉターゲット廃材を室温にて１１Ｍ/Ｌ-塩酸１５Ｌに１９２時間浸漬し、付着インジウムを溶解した。浸漬液中のインジウム濃度およびＴｉ濃度はそれぞれ７.０ｇ/Ｌ、３７.１ｇ/Ｌであった。インジウムを除去したＴｉターゲット廃材を水洗して乾燥した後に、再度、ターゲットの製造工程に返送した。一方、インジウムの溶解液に亜鉛板を添加してスポンジ状の金属インジウムを得た。このインジウムスポンジのＩｎ／(Ｉｎ＋Ｔｉ)比は９９.１％であった。この結果
を表２に示した。
Example 7
In accordance with the processing steps shown in FIG. 2, the target waste material to which indium adhered was processed. First, 34.2 kg of Ti target waste material to which indium adhered was immersed in 15 L of 11 M / L hydrochloric acid at room temperature for 192 hours to dissolve the deposited indium. The indium concentration and Ti concentration in the immersion liquid were 7.0 g / L and 37.1 g / L, respectively. The Ti target waste material from which indium was removed was washed with water and dried, and then returned to the target manufacturing process again. On the other hand, a zinc plate was added to a solution of indium to obtain sponge-like metal indium. The In / (In + Ti) ratio of this indium sponge was 99.1%. The results are shown in Table 2.
〔実施例８〕
実施例７と同様の方法にて、Ｃｒターゲット廃材を処理し、インジウムの溶解液にアルミニウム板を添加してスポンジ状の金属インジウムを得た。この結果を表２に示した。
Example 8
In the same manner as in Example 7, the Cr target waste material was treated, and an aluminum plate was added to the indium solution to obtain sponge-like metal indium. The results are shown in Table 2.
Claims (10)
A step of immersing the target waste material with indium on the surface in an acid to dissolve indium, a step of recovering undissolved target waste material, adding an alkali hydroxide to the indium solution and indium water under alkaline liquidity A method for separating and recovering a target waste material and indium, comprising the steps of precipitating an oxide and recovering the precipitate.
A step of immersing the target waste material with indium on the surface in an acid to dissolve indium, a step of recovering undissolved target waste material, adding an alkali hydroxide to the indium solution and indium water under alkaline liquidity A step of precipitating an oxide and recovering the precipitate, a step of dissolving the recovered indium hydroxide in an acid, a step of adding a base metal than indium to the acid solution to deposit and recover an indium sponge The method for separating and recovering target waste material and indium according to claim 1, wherein:
The method for separating and recovering a target waste material and indium according to claim 1 or 2, wherein the material of the target waste material to which indium adheres is tungsten or molybdenum.
The target waste material and indium separation and recovery method according to any one of claims 1 to 3, wherein in the indium melting step, the target waste material is immersed in hydrochloric acid, nitric acid, or a mixed acid thereof to dissolve indium on the surface of the target waste material.
The method for separating and recovering a target waste material and indium according to any one of claims 1 to 4, wherein in the indium melting step, the temperature of the acid immersion liquid is 100 ° C or lower.
6. The indium hydroxide generation step, wherein ammonium hydroxide and / or alkali metal hydroxide is added to the indium solution, and the indium hydroxide is precipitated under an alkaline pH of 9 or more. A method for separating and recovering target waste material and indium as described above.
The method for separating and recovering a target waste material and indium according to any one of claims 1 to 6, wherein the indium hydroxide is dissolved in hydrochloric acid and / or sulfuric acid in the acid dissolution step of indium hydroxide.
The target waste material and indium according to any one of claims 1 to 7, wherein in the indium sponge recovery step, zinc and / or aluminum is added to an acid solution of indium hydroxide to generate an indium sponge and recover the indium sponge. Separation and recovery method.
A step of dissolving indium by immersing the target waste material with indium on the surface in acid, a step of recovering undissolved target waste material, and adding a base metal than indium to the indium acid solution to deposit an indium sponge And collecting and recovering the target waste material and indium having a step of recovering.
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2007
- 2007-10-26 JP JP2007278459A patent/JP2008133538A/en not_active Withdrawn
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