JP2008117777A - 少なくとも2つの高周波電力発生器のドライブ制御方法、高周波電力発生器ドライブ制御装置および高周波プラズマ励起装置 - Google Patents
少なくとも2つの高周波電力発生器のドライブ制御方法、高周波電力発生器ドライブ制御装置および高周波プラズマ励起装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008117777A JP2008117777A JP2007287606A JP2007287606A JP2008117777A JP 2008117777 A JP2008117777 A JP 2008117777A JP 2007287606 A JP2007287606 A JP 2007287606A JP 2007287606 A JP2007287606 A JP 2007287606A JP 2008117777 A JP2008117777 A JP 2008117777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drive control
- frequency power
- signal
- generator
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims description 9
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 102000001690 Factor VIII Human genes 0.000 description 1
- 108010054218 Factor VIII Proteins 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】パルス信号E,Fが生成され、かつそれぞれ1つのドライブ制御信号C,Dおよびパルス信号E,Fを使用してそれぞれの高周波電力発生器によりパルス化された高周波エネルギ信号G,Hが生成される。
【選択図】図1
Description
Claims (26)
- プラズマプロセスに高周波電力を供給する少なくとも2つの高周波電力発生器(3,4)を生成される少なくとも2つのドライブ制御信号(C,D)を使用してドライブ制御するための方法において、
少なくとも1つのパルス信号(E,F)が生成され、かつそれぞれ1つのドライブ制御信号(C,D)およびパルス信号(E,F)を使用してそれぞれの高周波エネルギ電力発生器(3,4)によりパルス化された高周波電力信号(G,H)が生成される
ことを特徴とする方法。 - それぞれの高周波エネルギゼネレータ(3,4)に対してパルス信号(E,F)が生成される
請求項1記載の方法。 - 1つまたは複数のパルス信号(E,F)のパルス周波数および/または衝撃係数および/または位相位置が調整設定される
請求項1または2記載の方法。 - 異なっている高周波電力発生器(3,4)に割り当てられているパルス信号(E,F)の位相位置および/または周波数関係を調整設定する
請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。 - パルス周波数が同一の高周波電力発生器(3,4)に割り当てられているドライブ制御信号(C,D)の周波数より小さい
請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - パルス周波数が同一の高周波電力発生器(3,4)に割り当てられているドライブ制御信号(C,D)の周波数に同期または非同期に調整設定される
請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。 - それぞれの高周波電力発生器(3,4)に対してドライブ制御信号(C,D)が生成される
請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。 - ドライブ制御信号(C,D)および/またはパルス信号(E,F)がそれぞれ関数発生器(13,14;23,24)、殊にデジタル関数発生器を使用して有利にはデジタルデジタル正弦波状信号発生器を使用して生成される
請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。 - ドライブ制御信号(C,D)の位相関係および/または周波数関係は相互に調整設定される
請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。 - 少なくとも2つのドライブ制御信号(C,D)および/またはパルス信号(E,F)は異なった周波数を有している
請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。 - ドライブ制御信号(C,D)および/またはパルス信号(E,F)の調整設定は高周波電力発生器ドライブ制御装置(2)の少なくとも1つのディジタルインタフェース(20)を介して行う
請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。 - ドライブ制御信号(C,D)および/またはパルス信号(E,F)の調整設定はプログラミング可能な論理モジュール、例えばFPGAまたはプロセッサをを介して行われる
請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。 - ドライブ制御信号(C,D)の周波数は1MHz〜6MHzの整数倍、例えば3.39MHzの整数倍として選定される
請求項1から12までのいずれか1項記載の方法 - ディジタル周波数発生器(13,14;23,24)は共通のクロック周波数によってドライブ制御される
請求項1から13までのいずれか1項記載の方法。 - 高周波エネルギを供給する高周波電力発生器(3,4)を備えた少なくとも2つのプラズマプロセスをドライブ制御するための高周波電力発生器ドライブ制御装置(2)であって、該ドライブ制御装置(2)が少なくとも1つのドライブ制御信号(C,D)を生成するための少なくとも1つのドライブ制御信号生成装置(10,11)を有している形式のものにおいて、
それぞれ1つのパルス信号を生成するための少なくとも2つのパルス信号生成装置(21,22)が設けられておりまたは少なくとも2つのドライブ制御信号生成装置(10,11)および少なくとも1つのパルス信号生成装置(21,22)が設けられている
ことを特徴とする高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - パルス信号生成装置(21,22)はドライブ制御装置(2)に配置されている
請求項15記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - ドライブ制御信号生成装置(10,11)および/またはパルス信号生成装置(21,22)はそれぞれ、殊にディジタル関数発生器(13,14;23.24)、殊に正弦波状信号発生器を有している
請求項15または16記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - 関数発生器(13,14;23.24))はダイレクトディジタルシンセサイザDDSとして構成されている
請求項1から17までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - ドライブ制御信号生成装置(10,11)および/またはパルス信号生成装置(21,22)はディジタル関数発生器(13,14;23.24)に後置接続されてるフィルタ装置(15,16;25,26)を有している
請求項15から18までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - ドライブ制御信号生成装置(10,11)および/またはパルス信号生成装置(21,22)はディジタル関数発生器(17,27;28.24)に後置接続されてるフィルタ装置(15,16;25,26)はそれぞれのドライブ制御信号(C,D)またはパルス信号(E,F)を生成する比較器(17,18;27,28)を有している
請求項15から19までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - プロセッサ(12)はドライブ制御信号生成装置(10,11)および/またはパルス信号生成装置(21,22)をドライブ制御するように設定されている
請求項15から20までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - プロセッサ(12)は1つまたは複数のパルス信号(E,F)を生成する
請求項15から21までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - ドライブ制御および/またはパルス信号生成装置(10,11;21,22)および/またはプロセッサ(12)に接続されている、クロック信号を生成するための発振器(19)が設けられている
請求項15から22までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - 少なくとも1つのインタフェース(20)、例えばシリアルインタフェースおよび/またはユーザインタフェースが設けられている
請求項15から23までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - プログラミング可能な論理モジュール(40)が設けられている
請求項15から24までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置。 - 少なくとも2つの高周波電力発生器(3,4)を備えており、該高周波電力発生器は請求項15から25までのいずれか1項記載の高周波電力発生器ドライブ制御装置(2)によってドライブ制御されることを特徴とする高周波プラズマ励起装置(1)。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200610052061 DE102006052061B4 (de) | 2006-11-04 | 2006-11-04 | Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008117777A true JP2008117777A (ja) | 2008-05-22 |
| JP2008117777A5 JP2008117777A5 (ja) | 2009-03-12 |
Family
ID=39264865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007287606A Pending JP2008117777A (ja) | 2006-11-04 | 2007-11-05 | 少なくとも2つの高周波電力発生器のドライブ制御方法、高周波電力発生器ドライブ制御装置および高周波プラズマ励起装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8884523B2 (ja) |
| JP (1) | JP2008117777A (ja) |
| DE (1) | DE102006052061B4 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010007789A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | 株式会社 東芝 | 気流発生装置およびその製造方法 |
| WO2012035842A1 (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-22 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力供給装置、プラズマ処理装置及び薄膜製造方法 |
| JP2012525712A (ja) * | 2009-05-01 | 2012-10-22 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | イオンエネルギー分布を制御するための方法および装置 |
| JP2013176040A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Mks Instruments Inc | 薄膜処理におけるパルスモードスキームのための高周波電力供給システム中の複数電源のフィードバック制御およびコヒーレンス性 |
| KR20180119221A (ko) * | 2017-04-25 | 2018-11-02 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | Dds 위상 동기 검출을 이용한 고주파 전력 증폭기의 제어장치 |
| JP2020532859A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1753011B1 (de) * | 2005-08-13 | 2012-10-03 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Verfahren zur Erzeugung von Ansteuersignalen für HF-Leistungsgeneratoren |
| DE102007055010A1 (de) * | 2007-11-14 | 2009-05-28 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren und Generatorschaltung zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung |
| US7825719B2 (en) * | 2008-12-29 | 2010-11-02 | Advanced Energy Industries, Inc. | System and method for wideband phase-adjustable common excitation |
| US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
| US9117767B2 (en) * | 2011-07-21 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Negative ion control for dielectric etch |
| DE102010048809A1 (de) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Leistungsversorgungssystem für eine Plasmaanwendung und/oder eine Induktionserwärmungsanwendung |
| DE102010048810A1 (de) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | System zur Bedienung mehrerer Plasma- und/oder Induktionserwärmungsprozesse |
| JP5170216B2 (ja) * | 2010-11-16 | 2013-03-27 | 株式会社デンソー | プラズマ発生装置 |
| DE102011080035A1 (de) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von an einen Hochfrequenzgenerator angeschlossenen passiven Komponenten |
| JP6456298B2 (ja) | 2012-12-18 | 2019-01-23 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG | アーク消弧方法及び電力変換器を備えた電力供給システム |
| CN104871430B (zh) | 2012-12-18 | 2018-01-12 | 通快许廷格两合公司 | 用于产生高频功率的方法和具有用于给负载供送功率的功率转换器的功率供送系统 |
| US9336997B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | RF multi-feed structure to improve plasma uniformity |
| US10510575B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
| US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
| JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
| US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
| KR102827481B1 (ko) | 2019-01-22 | 2025-06-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 펄스 전압 파형을 제어하기 위한 피드백 루프 |
| US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
| US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
| US12394604B2 (en) | 2020-09-11 | 2025-08-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma source with floating electrodes |
| US11776793B2 (en) | 2020-11-13 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source with ceramic electrode plate |
| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
| US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
| US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
| US12394596B2 (en) | 2021-06-09 | 2025-08-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber |
| US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
| US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
| US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
| US12106938B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber |
| US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
| US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US12315732B2 (en) | 2022-06-10 | 2025-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber |
| DE102022118340A1 (de) | 2022-07-21 | 2024-02-01 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zum Zünden und/oder Aufrechterhalten eines Plasmas mit einem gepulsten Hochfrequenzsignal, Leistungsgenerator und Plasmaanordnung |
| US12272524B2 (en) | 2022-09-19 | 2025-04-08 | Applied Materials, Inc. | Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics |
| US12111341B2 (en) | 2022-10-05 | 2024-10-08 | Applied Materials, Inc. | In-situ electric field detection method and apparatus |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448726A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法 |
| JPH05205898A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
| JPH09161994A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Pearl Kogyo Kk | 放電プラズマ発生用高周波電源装置及び半導体製造装置 |
| JPH10326698A (ja) * | 1996-05-15 | 1998-12-08 | Daihen Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2000507739A (ja) * | 1996-03-29 | 2000-06-20 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ処理装置における位相差を制御するための方法及び装置 |
| JP2001156006A (ja) * | 2000-09-25 | 2001-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生方法 |
| JP2001274099A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
| JP2002110566A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高周波プラズマ生成装置 |
| JP2003257699A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ生成装置用高周波電源装置 |
| JP2003532986A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ処理のためのパルス化されたrf電力の供給 |
| WO2004064460A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Japan Science And Technology Agency | 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 |
| JP2005123654A (ja) * | 2005-01-25 | 2005-05-12 | Masayoshi Murata | 高周波プラズマ発生装置と、該高周波プラズマ発生装置により構成された表面処理装置及び表面処理方法 |
| JP2005130198A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
| JP2005527078A (ja) * | 2002-05-20 | 2005-09-08 | イーエヌアイ テクノロジー, インコーポレイテッド | 負荷不整合信頼性および安定性のあるvhfプラズマ処理のための方法および装置 |
| JP2006216679A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Ulvac Japan Ltd | パルス分割供給によるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマcvd方法 |
| JP2006304585A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mks Instr Inc | 高周波発生器の位相および周波数の外部からの制御 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3733135C1 (de) * | 1987-10-01 | 1988-09-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten oder AEtzen mittels eines Plasmas |
| US5057185A (en) * | 1990-09-27 | 1991-10-15 | Consortium For Surface Processing, Inc. | Triode plasma reactor with phase modulated plasma control |
| DE4122624C2 (de) * | 1991-07-09 | 1995-06-14 | Dressler Hochfrequenztechnik G | Schutzeinrichtung für einen Hochfrequenz-Generator, Hochfrequenz-Generator und Verfahren zum Schutz eines Hochfrequenz-Generators gegen dessen Zerstörung bei Leistungsfehlanpassung |
| KR0184675B1 (ko) | 1991-07-24 | 1999-04-15 | 이노우에 쥰이치 | 챔버내의 전극에 있어서의 실제의 rf파워를 검출 및 제어 가능한 플라즈마 처리장치 |
| JPH0673912A (ja) | 1992-08-27 | 1994-03-15 | Yoshikatsu Ijichi | 立体駐車装置 |
| DE4322608C2 (de) * | 1993-07-07 | 1996-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur Leistungsmodulation bei einer Plasmaanregung, vorzugsweise beim Einsatz von Gaslasern |
| KR100302167B1 (ko) * | 1993-11-05 | 2001-11-22 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법 |
| US5565737A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-15 | Eni - A Division Of Astec America, Inc. | Aliasing sampler for plasma probe detection |
| TW369674B (en) * | 1996-05-15 | 1999-09-11 | Daihen Corp | Plasma processing apparatus |
| US5770922A (en) | 1996-07-22 | 1998-06-23 | Eni Technologies, Inc. | Baseband V-I probe |
| KR19980012069U (ko) | 1996-08-24 | 1998-05-25 | 도상빈 | 자동차 클러치용 승압장치 |
| JPH1079372A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US6214162B1 (en) * | 1996-09-27 | 2001-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP3220394B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2001-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5929717A (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-27 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for minimizing plasma instability in an RF processor |
| US6449568B1 (en) * | 1998-02-27 | 2002-09-10 | Eni Technology, Inc. | Voltage-current sensor with high matching directivity |
| DE69840918D1 (de) | 1998-07-03 | 2009-07-30 | Shimada Tadanao | Treibstofföl-emulsion des wasser-in-öl-typs |
| US6046641A (en) | 1998-07-22 | 2000-04-04 | Eni Technologies, Inc. | Parallel HV MOSFET high power stable amplifier |
| US6222718B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-04-24 | Lam Research Corporation | Integrated power modules for plasma processing systems |
| US6849154B2 (en) | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| US6344419B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-02-05 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement |
| TW507256B (en) | 2000-03-13 | 2002-10-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Discharge plasma generating method, discharge plasma generating apparatus, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device fabrication apparatus |
| WO2002054835A2 (en) | 2001-01-08 | 2002-07-11 | Tokyo Electron Limited | Addition of power at selected harmonics of plasma processor drive frequency |
| US6417732B1 (en) | 2001-04-06 | 2002-07-09 | Eni Technology, Inc. | Controller for RF power generator with reduced cable length sensitivity |
| DE10309711A1 (de) * | 2001-09-14 | 2004-09-16 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Einätzen von Strukturen in einem Ätzkörper mit einem Plasma |
-
2006
- 2006-11-04 DE DE200610052061 patent/DE102006052061B4/de active Active
-
2007
- 2007-11-05 JP JP2007287606A patent/JP2008117777A/ja active Pending
- 2007-11-05 US US11/934,901 patent/US8884523B2/en active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448726A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法 |
| JPH05205898A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-08-13 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
| JPH09161994A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Pearl Kogyo Kk | 放電プラズマ発生用高周波電源装置及び半導体製造装置 |
| JP2000507739A (ja) * | 1996-03-29 | 2000-06-20 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ処理装置における位相差を制御するための方法及び装置 |
| JPH10326698A (ja) * | 1996-05-15 | 1998-12-08 | Daihen Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2001274099A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
| JP2003532986A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ処理のためのパルス化されたrf電力の供給 |
| JP2001156006A (ja) * | 2000-09-25 | 2001-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ発生方法 |
| JP2002110566A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高周波プラズマ生成装置 |
| JP2003257699A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ生成装置用高周波電源装置 |
| JP2005527078A (ja) * | 2002-05-20 | 2005-09-08 | イーエヌアイ テクノロジー, インコーポレイテッド | 負荷不整合信頼性および安定性のあるvhfプラズマ処理のための方法および装置 |
| WO2004064460A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Japan Science And Technology Agency | 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 |
| JP2005130198A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
| JP2005123654A (ja) * | 2005-01-25 | 2005-05-12 | Masayoshi Murata | 高周波プラズマ発生装置と、該高周波プラズマ発生装置により構成された表面処理装置及び表面処理方法 |
| JP2006216679A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Ulvac Japan Ltd | パルス分割供給によるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマcvd方法 |
| JP2006304585A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Mks Instr Inc | 高周波発生器の位相および周波数の外部からの制御 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010007789A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2012-01-05 | 株式会社東芝 | 気流発生装置およびその製造方法 |
| US8400751B2 (en) | 2008-07-17 | 2013-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Air current generating apparatus and method for manufacturing same |
| WO2010007789A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | 株式会社 東芝 | 気流発生装置およびその製造方法 |
| US8559158B2 (en) | 2008-07-17 | 2013-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Air current generating apparatus and method for manufacturing same |
| JP2012525712A (ja) * | 2009-05-01 | 2012-10-22 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | イオンエネルギー分布を制御するための方法および装置 |
| JP5638617B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2014-12-10 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力供給装置、プラズマ処理装置及び薄膜製造方法 |
| WO2012035842A1 (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-22 | 三菱電機株式会社 | 高周波電力供給装置、プラズマ処理装置及び薄膜製造方法 |
| US9509266B2 (en) | 2012-02-23 | 2016-11-29 | Mks Instruments, Inc. | Feedback control and coherency of multiple power supplies in radio frequency power delivery systems for pulsed mode schemes in thin film processing |
| JP2013176040A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Mks Instruments Inc | 薄膜処理におけるパルスモードスキームのための高周波電力供給システム中の複数電源のフィードバック制御およびコヒーレンス性 |
| KR20180119221A (ko) * | 2017-04-25 | 2018-11-02 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | Dds 위상 동기 검출을 이용한 고주파 전력 증폭기의 제어장치 |
| KR101955509B1 (ko) * | 2017-04-25 | 2019-03-08 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | Dds 위상 동기 검출을 이용한 고주파 전력 증폭기의 제어장치 |
| JP2020532859A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 |
| JP7229232B2 (ja) | 2017-08-31 | 2023-02-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 |
| JP2023062052A (ja) * | 2017-08-31 | 2023-05-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 |
| JP7471478B2 (ja) | 2017-08-31 | 2024-04-19 | ラム リサーチ コーポレーション | 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 |
| JP2024095763A (ja) * | 2017-08-31 | 2024-07-10 | ラム リサーチ コーポレーション | 小さい角発散でピークイオンエネルギ増強を達成するためのシステムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102006052061A1 (de) | 2008-05-08 |
| DE102006052061B4 (de) | 2009-04-23 |
| US8884523B2 (en) | 2014-11-11 |
| US20080105538A1 (en) | 2008-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008117777A (ja) | 少なくとも2つの高周波電力発生器のドライブ制御方法、高周波電力発生器ドライブ制御装置および高周波プラズマ励起装置 | |
| CN111524782B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| KR100849445B1 (ko) | Rf 전력 발생기용 구동 신호를 발생하기 위한 방법 | |
| JP6800216B2 (ja) | 基板処理のためのrf電力供給制御 | |
| JP7155354B2 (ja) | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及びプログラム | |
| JP6837053B2 (ja) | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 | |
| CN108028167B (zh) | 具有近似锯齿波脉冲的rf功率传输 | |
| TWI711083B (zh) | 電漿處理裝置之阻抗匹配用的方法 | |
| CN110718441B (zh) | 等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置 | |
| CN107134402A (zh) | 直流脉冲等离子体系统 | |
| JP2021534545A (ja) | プラズマ処理のための制御のシステム及び方法 | |
| US20180261430A1 (en) | Smart rf pulsing tuning using variable frequency generators | |
| KR101872763B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
| JP7060664B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20200096734A (ko) | 고주파 전원 및 플라즈마 처리 장치 | |
| CN107452589A (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | |
| JP2023046899A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| CN108471666B (zh) | 一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备 | |
| JP2019186099A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101463109B1 (ko) | 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법 | |
| JP2004096019A (ja) | 高周波プラズマ発生方法と装置 | |
| CN113284783B (zh) | 等离子体处理装置和匹配方法 | |
| KR102077512B1 (ko) | 멀티 채널 rf 전원 공급장치 | |
| JP2000323297A (ja) | Vhfプラズマ生成用電極装置 | |
| KR102809946B1 (ko) | 다중 rf 발생 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090127 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090127 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20090127 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20090209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090220 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090520 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090729 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100205 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100707 |