JP2007208191A - Printed circuit board - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品に損傷を与えることなく、帯電を防止することができるとともに、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性を確保することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２、ベース層３、導体パターン４およびカバー層５が順次積層され、カバー層５が開口されることにより、導体パターン４の露出部分が端子部６として形成された回路付サスペンション基板１のカバー層５の表面に、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなる半導電性層１０を形成する。その後、この半導電性層１０に、ドーピング剤が、半導電性層１０の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで浸透されるように、回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤水溶液に、１００〜２００℃、２〜１５ＭＰａ、３０分〜２４時間の浸漬条件で、浸漬する。
【選択図】図２
Provided is a printed circuit board capable of preventing charging without damaging electronic components and ensuring the stability of the surface resistance of the printed circuit board in a high temperature and high humidity atmosphere. thing.
A circuit in which a metal support substrate, a base layer, a conductor pattern, and a cover layer are sequentially laminated, and an exposed portion of the conductor pattern is formed as a terminal portion by opening the cover layer. A semiconductive layer 10 made of a semiconductive resin composition containing an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and a solvent is formed on the surface of the cover layer 5 of the attached suspension board 1. Thereafter, the suspension board with circuit 1 is added to the doping agent aqueous solution so that the doping agent penetrates into the semiconducting layer 10 to a depth of at least 0.2 μm from the surface of the semiconducting layer 10. Immerse under the immersion conditions of ° C., 2-15 MPa, 30 minutes-24 hours.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、配線回路基板、詳しくは、電気機器や電子機器に装備される配線回路基板に関する。 The present invention relates to a printed circuit board, and more particularly to a printed circuit board equipped in an electric device or an electronic device.
フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、通常、ポリイミドからなるベース層と、そのベース層の上に形成された銅箔からなる導体回路と、ベース層の上および導体回路の上に形成されたポリイミドからなるカバー層とを備えており、電子部品を実装して、各種の電気機器や電子機器に搭載されている。この配線回路基板において、配線回路基板が帯電した場合には、実装された電子部品が静電破壊するという不具合がある。 A wired circuit board such as a flexible printed circuit board or a suspension board with circuit is usually a base layer made of polyimide, a conductor circuit made of copper foil formed on the base layer, and a base layer and conductor circuit. And a cover layer made of polyimide formed thereon, mounted with various electronic devices and electronic devices by mounting electronic components. In this wired circuit board, when the wired circuit board is charged, there is a problem that the mounted electronic component is electrostatically broken.
そして、配線回路基板が帯電することを防止するために、ベース層やカバー層に、導電層によって覆われたシリカ粒子を分散させた静電気防止芳香族ポリイミドフィルムを適用することが提案されている。（例えば、特許文献１参照）。
しかし、特許文献１に記載の静電気防止芳香族ポリイミドフィルムを、配線回路基板のベース層やカバー層に適用すると、静電気防止芳香族ポリイミドフィルムの表面からシリカ粒子が脱離して、その脱離したシリカ粒子が電子部品に損傷を与えるという不具合がある。
また、配線回路基板の用途によっては、苛酷な加熱および加湿条件で使用される場合もあり、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性が要求されている。
However, when the antistatic aromatic polyimide film described in
Further, depending on the use of the wiring circuit board, it may be used under severe heating and humidification conditions, and the stability of the surface resistance of the wiring circuit board under a high temperature and high humidity atmosphere is required.
本発明の目的は、電子部品に損傷を与えることなく、帯電を防止することができるとともに、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性を確保することのできる配線回路基板を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a printed circuit board capable of preventing charging without damaging electronic components and ensuring the stability of the surface resistance of the printed circuit board in a high-temperature and high-humidity atmosphere. Is to provide.
上記目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部と、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなり、前記絶縁層の表面に形成される半導電性層とを備え、前記半導電性層には、前記導電性ポリマーに導電性を付与するドーピング剤が、前記半導電性層の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで存在していることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a wired circuit board according to the present invention comprises a conductor layer, an insulating layer adjacent to the conductor layer, a terminal portion comprising a conductor layer exposed by opening the insulating layer, an imide A semiconductive resin composition comprising a resin or imide resin precursor, a conductive polymer and a solvent, and comprising a semiconductive layer formed on the surface of the insulating layer; A doping agent that imparts conductivity to the conductive polymer is present to a depth of at least 0.2 μm from the surface of the semiconductive layer.
また、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する樹脂層と、前記樹脂層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部とを備え、前記樹脂層が、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であり、前記半導電性層には、前記導電性ポリマーに導電性を付与するドーピング剤が、前記半導電性層の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで存在していることを特徴としている。 Further, the wired circuit board of the present invention comprises a conductor layer, a resin layer adjacent to the conductor layer, and a terminal portion made of a conductor layer exposed by opening the resin layer, the resin layer comprising: , A semiconductive layer comprising a semiconductive resin composition containing an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer and a solvent, and the semiconductive layer imparts conductivity to the conductive polymer. A doping agent is present to a depth of at least 0.2 μm from the surface of the semiconductive layer.
また、本発明の配線回路基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されるベース層と、前記ベース層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー層と、前記カバー層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部とを備え、前記ベース層および／または前記カバー層が、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であり、前記半導電性層には、前記導電性ポリマーに導電性を付与するドーピング剤が、前記半導電性層の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで存在していることを特徴としている。 The wired circuit board according to the present invention is formed on a metal support layer, a base layer formed on the metal support layer, a conductor layer formed on the base layer, and the conductor layer. A cover layer and a terminal portion made of a conductor layer exposed by opening the cover layer, the base layer and / or the cover layer being an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and A semiconductive layer comprising a semiconductive resin composition containing a solvent, wherein the semiconductive layer contains at least a doping agent imparting conductivity to the conductive polymer from the surface of the semiconductive layer. It is characterized by existing to a depth of 0.2 μm.
また、本発明の配線回路基板では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性樹脂組成物が、さらに、感光剤を含有することが好適である。
In the wired circuit board of the present invention, it is preferable that the conductive polymer is polyaniline.
In the wired circuit board of the present invention, it is preferable that the semiconductive resin composition further contains a photosensitive agent.
本発明の配線回路基板では、絶縁層の表面に形成される半導電性層を備えるので、配線回路基板が帯電することを防止して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止することができる。さらに、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性を確保することができる。 In the wired circuit board of the present invention, since the semiconductive layer formed on the surface of the insulating layer is provided, it is possible to prevent the wired circuit board from being charged and to prevent electrostatic breakdown of the mounted electronic component. it can. In addition, since the conductive polymer is difficult to be detached from the semiconductive layer, it is possible to prevent the electronic component from being damaged. Furthermore, the stability of the surface resistance of the printed circuit board under a high temperature and high humidity atmosphere can be ensured.
また、本発明の配線回路基板では、樹脂層が半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であるので、配線回路基板が帯電することを防止して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止することができる。さらに、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性を確保することができる。 In the wired circuit board of the present invention, since the resin layer is a semiconductive layer made of a semiconductive resin composition, it is possible to prevent the wired circuit board from being charged and to electrostatically damage the electronic component to be mounted. Can be prevented. In addition, since the conductive polymer is difficult to be detached from the semiconductive layer, it is possible to prevent the electronic component from being damaged. Furthermore, the stability of the surface resistance of the printed circuit board under a high temperature and high humidity atmosphere can be ensured.
また、本発明の配線回路基板では、ベース層および／またはカバー層が半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であるので、配線回路基板が帯電することを防止して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止することができる。さらに、高温および高湿雰囲気下における、配線回路基板の表面抵抗の安定性を確保することができる。 In the wired circuit board of the present invention, since the base layer and / or the cover layer is a semiconductive layer made of a semiconductive resin composition, the printed circuit board is prevented from being charged and mounted on the electronic circuit board. It is possible to prevent electrostatic breakdown of parts. In addition, since the conductive polymer is difficult to be detached from the semiconductive layer, it is possible to prevent the electronic component from being damaged. Furthermore, the stability of the surface resistance of the printed circuit board under a high temperature and high humidity atmosphere can be ensured.
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う部分断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持層としての金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための導体層としての導体パターン４が一体的に形成されている。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a suspension board with circuit as an embodiment of the wired circuit board of the present invention, and FIG. 2 is a partial sectional view along the longitudinal direction of the suspension board with circuit shown in FIG.
In FIG. 1, this suspension board with
なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース層３、カバー層５および半導電性層１０を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａと、外部側接続端子部６Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂを接続するための配線７とを、一体的に連続して備えている。
In FIG. 1, a
The
配線７は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向）において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部６Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線７の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部６Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
A plurality of
A plurality of magnetic head side connection
外部側接続端子部６Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線７の後端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この外部側接続端子部６Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル８が設けられている。ジンバル８は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。
A plurality of external connection
A
この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成された絶縁層としてのベース層３と、ベース層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース層３の上に形成された絶縁層としてのカバー層５とを備えている。
また、カバー層５には、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂが配置される部分に対応して、厚さ方向を貫通する開口部９が形成されており、この開口部９から露出する導体パターン４が、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂ（以下、総称して端子部６とする。）として設けられている。なお、図２では、磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂのいずれか一方のみが示されている。
As shown in FIG. 2, the suspension board with
The
そして、カバー層５の表面には、半導電性層１０が形成されている。
半導電性層１０は、上記したカバー層５の上面のみに形成され、側面には形成されていない。また、半導電性層１０は、カバー層５の上面に加え、端子部６を囲むカバー層５の開口部９の内周側面および端子部６の周縁部にも形成されている。また、半導電性層１０は、後述する半導電性組成物から形成されている。
A
The
図３は、図２に示す回路付サスペンション基板において、半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成する工程を示す、工程図である。次に、図３を参照して、回路付サスペンション基板１に半導電性層１０を形成する方法を説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、半導電性層１０を形成するための回路付サスペンション基板１を用意する。この回路付サスペンション基板１は、半導電性層１０が形成される以前の回路付サスペンション基板１であって、上記したように金属支持基板２と、金属支持基板２の上にパターンとして形成されたベース層３と、ベース層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース層３の上にパターンとして形成されたカバー層５とを備えている。
FIG. 3 is a process diagram showing a process of forming a semiconductive layer from the semiconductive resin composition in the suspension board with circuit shown in FIG. Next, a method for forming the
In this method, first, as shown in FIG. 3A, a suspension board with
金属支持基板２は、例えば、ステンレス箔、４２アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などの金属箔からなる。金属支持基板２の厚みは、例えば、５〜１００μｍである。
ベース層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂から形成される。好ましくは、ポリイミドからなる。ベース層３の厚みは、例えば、５〜５０μｍである。
The
The
導体パターン４は、例えば、銅箔、ニッケル箔、金箔、はんだ箔またはこれらの合金箔などの導体箔からなり、上記した端子部６および配線７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成されている。この導体パターン４は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法（後述）により形成されている。導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍである。
The
カバー層５は、ベース層３と同様の合成樹脂からなり、その厚みは、例えば、３〜５０μｍである。
また、この回路付サスペンション基板１には、上記した端子部６が、カバー層５を開口させて、導体パターン４を露出させることによって、その導体パターン４の露出部分として形成されている。
The
Further, in the suspension board with
そして、この方法では、図３（ｂ）に示すように、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に、半導電性層１０を形成する。
半導電性層１０を形成するには、まず、半導電性樹脂組成物を調製する。
半導電性樹脂組成物は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有している。
In this method, as shown in FIG. 3 (b), the surface of the
In order to form the
The semiconductive resin composition contains an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and a solvent.
イミド樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。これらは、市販品として入手でき、そのような市販品として、ポリイミドとして、例えば、ＰＩ−１１３、ＰＩ−１１７、ＰＩ−２１３Ｂ（以上、丸善石油化学社製）、リカコート−２０（新日本理化社製）が挙げられる。また、ポリエーテルイミドとして、ウルテム１０００、ウルテムＸＨ６０５０（以上、日本イージープラスチック社製）が挙げられる。また、ポリアミドイミドとして、例えば、ＨＲ１６ＮＮ、ＨＲ１１ＮＮ（以上、東洋紡績社製）が挙げられる。 Examples of the imide resin include polyimide, polyether imide, and polyamide imide. These are available as commercial products, and as such commercial products, for example, PI-113, PI-117, PI-213B (manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.), Rika Coat-20 (Shin Nihon Rika Co., Ltd.) as polyimide. Manufactured). Examples of the polyetherimide include Ultem 1000 and Ultem XH6050 (manufactured by Nippon Easy Plastic Co., Ltd.). Further, examples of the polyamideimide include HR16NN and HR11NN (manufactured by Toyobo Co., Ltd.).
また、イミド樹脂前駆体としては、例えば、ポリアミック酸が挙げられる。ポリアミック酸は、通常、有機テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得ることができる。
有機テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン酸二無水物などが挙げられる。また、これら有機テトラカルボン酸二無水物は、単独使用または２種以上併用することができる。
Moreover, as an imide resin precursor, a polyamic acid is mentioned, for example. The polyamic acid can be usually obtained by reacting an organic tetracarboxylic dianhydride with a diamine.
Examples of the organic tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl). ) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propane dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfonic acid And dianhydrides. Moreover, these organic tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.
また、ジアミンとしては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−２，２−ジメチルビフェニル、２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニルなどが挙げられる。また、これらジアミンは、単独使用または２種以上併用することができる。 Examples of the diamine include m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, and 3,3′-diaminodiphenyl. Sulfone, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,4-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, diaminodiphenylmethane, 4,4′-diamino-2,2-dimethylbiphenyl, 2,2-bis (trifluoromethyl)- 4,4′-diaminobiphenyl and the like can be mentioned. These diamines can be used alone or in combination of two or more.
そして、ポリアミック酸は、これら有機テトラカルボン酸二無水物およびジアミンを、実質的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒中で、通常、０〜９０℃で１〜２４時間反応させることよって、ポリアミック酸の溶液として得ることができる。なお、ポリアミック酸の重量平均分子量は、例えば、５０００〜２０００００程度、好ましくは、１００００〜１０００００程度である。 Then, the polyamic acid is a suitable organic solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, in such a proportion that the organic tetracarboxylic dianhydride and diamine are substantially equimolar. , N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and the like, usually in a protic polar solvent at 0 to 90 ° C. for 1 to 24 hours to obtain a polyamic acid solution. . In addition, the weight average molecular weight of polyamic acid is about 5000-200000, for example, Preferably, it is about 10000-100000.
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体が挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。また、これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
また、導電性ポリマーは、好ましくは、還元体である。導電性ポリマーが酸化体であると、導電性ポリマーとポリアミック酸とを混合する場合に、ゲル化する傾向がある。また、この導電性ポリマーは、半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成した後、後述するドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
Examples of the conductive polymer include polyaniline, polypyrrole, polythiophene, or derivatives thereof. Preferably, polyaniline is used. These conductive polymers can be used alone or in combination of two or more.
The conductive polymer is preferably a reductant. If the conductive polymer is an oxidant, it tends to gel when the conductive polymer and the polyamic acid are mixed. The conductive polymer is imparted with conductivity by forming a semiconductive layer from the semiconductive resin composition and then doping with a doping agent to be described later.
また、半導電性樹脂組成物は、上記した導電性ポリマーの酸化を防止するために、好ましくは、還元剤や酸化防止剤を含有している。
還元剤としては、例えば、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ヒドラジン、フェニルヒドラジン、ヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジベンジルヒドロキシルアミン、ジメチルアミノプロピオニトリル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノプロパノール、ピペラジン、モルホリンなどが挙げられる。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤などが挙げられる。また、これら還元剤および酸化防止剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
The semiconductive resin composition preferably contains a reducing agent or an antioxidant in order to prevent oxidation of the conductive polymer.
Examples of the reducing agent include diethanolamine, triethanolamine, hydrazine, phenylhydrazine, hydroxylamine, N, N-diethylhydroxylamine, N, N-dibenzylhydroxylamine, dimethylaminopropionitrile, dimethylaminoethanol, dimethylamino. Examples include propanol, piperazine, morpholine and the like. Examples of the antioxidant include phenol-based antioxidants, amine-based antioxidants, phosphorus-based antioxidants, and sulfur-based antioxidants. These reducing agents and antioxidants can be used alone or in combination of two or more.
溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤を溶解（分散）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。なお、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体として、ポリアミック酸が用いられる場合には、ポリアミック酸を溶解する反応溶媒を、そのまま半導電性樹脂組成物の溶媒として用いることができる。 The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve (disperse) an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and, if necessary, a reducing agent or an antioxidant. For example, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) And aprotic polar solvents such as N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, and dimethyl sulfoxide. These solvents can be used alone or in combination of two or more. In addition, when a polyamic acid is used as an imide resin or an imide resin precursor, a reaction solvent that dissolves the polyamic acid can be used as it is as a solvent for the semiconductive resin composition.
そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、必要により、還元剤または酸化防止剤、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性ポリマーの配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性ポリマーの配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。また、還元剤または酸化防止剤の配合割合は、導電性ポリマー１００重量部に対して、例えば、０．１〜１０００重量部、好ましくは、１〜５００重量部である。還元剤または酸化防止剤の配合割合が、これより少ないと、パターンニングの精度が低下する場合がある。また、これより多いと、最終的な膜物性が低下する場合がある。
And a semiconductive resin composition can be prepared by mix | blending an above-described imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and a reducing agent or antioxidant as needed, and a solvent.
The blending ratio of the conductive polymer is, for example, 1 to 300 parts by weight, preferably 5 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the imide resin or imide resin precursor. When the blending ratio of the conductive polymer is less than this, the conductivity may not be sufficient. Moreover, when more than this, the favorable film | membrane characteristic of imide resin or an imide resin precursor may be impaired. Moreover, the mixture ratio of a reducing agent or antioxidant is 0.1-1000 weight part with respect to 100 weight part of conductive polymers, Preferably, it is 1-500 weight part. If the proportion of the reducing agent or antioxidant is less than this, patterning accuracy may be reduced. Moreover, when more than this, the final film | membrane physical property may fall.
また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。 The solvent is, for example, 1 to 40% by weight of the imide resin or imide resin precursor, the conductive polymer, and, if necessary, the total amount of the reducing agent or the antioxidant based on the semiconductive resin composition. (Solid content concentration), preferably 5 to 30% by weight (solid content concentration). Even if the solid content concentration is lower or higher than this, it may be difficult to control to the target film thickness.
また、半導電性樹脂組成物の調製は、特に制限されず、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤を、溶媒に配合して、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤が溶媒に対して均一に溶解（分散）するまで、撹拌混合する。また、予めイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体を溶媒に溶解（分散）した樹脂溶液と、予め導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤を溶媒に溶解させた導電性ポリマー溶液とを、混合することもできる。これによって、溶媒中において、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤が溶解（分散）される半導電性樹脂組成物が調製される。 In addition, the preparation of the semiconductive resin composition is not particularly limited. For example, an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and if necessary, a reducing agent or an antioxidant is blended in a solvent, Stir and mix until the imide resin or imide resin precursor, conductive polymer, and, if necessary, the reducing agent or antioxidant are uniformly dissolved (dispersed) in the solvent. Also, a resin solution in which an imide resin or an imide resin precursor is dissolved (dispersed) in advance in a solvent, a conductive polymer, and a conductive polymer solution in which a reducing agent or an antioxidant is dissolved in a solvent as necessary. Can also be mixed. Thereby, a semiconductive resin composition is prepared in which a imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and, if necessary, a reducing agent or an antioxidant are dissolved (dispersed) in a solvent.
このようにして得られた半導電性樹脂組成物では、後述するように、塗布および乾燥し、必要により硬化させれば、半導電性層を形成することができる。
また、この半導電性樹脂組成物には、さらに、感光剤を含有させることができる。感光剤としては、例えば、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン（ニフェジピン）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピリジン（Ｎ−メチル体）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリジン（アセチル体）などのジヒドロピリジン誘導体が挙げられる。また、これら感光剤は、単独使用または２種以上併用することができる。なお、感光剤は、例えば、ポリエチレングリコールなどの溶媒に溶解して、溶液として調製することもできる。
In the semiconductive resin composition thus obtained, a semiconductive layer can be formed by coating, drying, and curing as necessary, as will be described later.
Further, this semiconductive resin composition can further contain a photosensitizer. Examples of the photosensitizer include 4-o-nitrophenyl-3,5-dimethoxycarbonyl-2,6-dimethyl-1,4-dihydropyridine (nifedipine), 4-o-nitrophenyl-3,5-dimethoxycarbonyl- Examples include dihydropyridine derivatives such as 2,6-dimethyl-1-methyl-4-hydropyridine (N-methyl) and 4-o-nitrophenyl-3,5-diacetyl-1,4-dihydropyridine (acetyl). . These photosensitizers can be used alone or in combination of two or more. The photosensitizer can also be prepared as a solution by dissolving it in a solvent such as polyethylene glycol.
感光剤は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤とともに、溶媒に配合する。
感光剤の配合割合は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、０．１〜１００重量部、好ましくは、０．５〜７５重量部である。感光剤のイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体に対する配合割合が、これより少なくても多くても、後述する露光部と未露光部との適切な溶解速度差が得られず、パターンニングが困難な場合がある。なお、感光剤が配合される場合でも、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、必要により、還元剤または酸化防止剤、および、感光剤の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。
The photosensitive agent is blended in a solvent together with the imide resin or imide resin precursor, the conductive polymer, and, if necessary, the reducing agent or the antioxidant.
The blending ratio of the photosensitizer is, for example, 0.1 to 100 parts by weight, preferably 0.5 to 75 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the imide resin or imide resin precursor. When the blending ratio of the photosensitive agent to the imide resin or imide resin precursor is less than or greater than this, an appropriate dissolution rate difference between the exposed part and the unexposed part described later cannot be obtained, and patterning is difficult There is. Even when a photosensitizer is blended, the solvent is composed of the imide resin or imide resin precursor, conductive polymer, and if necessary, the total amount of the reducing agent or antioxidant, and the photosensitizer is a semiconductive resin composition. It mix | blends so that it may become 1 to 40 weight% (solid content concentration) with respect to a thing, Preferably, it is 5 to 30 weight% (solid content concentration).
なお、感光剤を配合する場合には、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体として、好ましくは、イミド樹脂前駆体が用いられる。
このようにして得られた、感光剤が含有された半導電性樹脂組成物（以下、感光性半導電性樹脂組成物という。）では、感光剤が含有されているので、後述する、塗布および乾燥した後に、露光および現像し、必要により硬化させれば、半導電性層を所望のパターンで形成することができる。
In addition, when mix | blending a photosensitive agent, Preferably, an imide resin precursor is used as an above-mentioned imide resin or imide resin precursor.
The thus obtained semiconductive resin composition containing a photosensitive agent (hereinafter referred to as a photosensitive semiconductive resin composition) contains a photosensitive agent. After drying, the semiconductive layer can be formed in a desired pattern by exposure and development, and if necessary, curing.
上記調製した半導電性樹脂組成物を、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に均一に塗布する。
半導電性樹脂組成物の塗布は、特に制限されず、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法が用いられる。
次いで、塗布された半導電性樹脂組成物を乾燥する。半導電性樹脂組成物の乾燥は、溶媒の種類によって適宜決定されるが、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱する。乾燥時間が、これより短いと、溶媒の除去が不十分となり、半導電性層１０の表面抵抗値が大きく変化する場合がある。また、これより長いと、生産効率が低下する場合がある。
The prepared semiconductive resin composition is uniformly applied to the surface of the
Application of the semiconductive resin composition is not particularly limited, and known application methods such as a roll coating method, a gravure coating method, a spin coating method, and a bar coating method are used.
Next, the applied semiconductive resin composition is dried. Although drying of a semiconductive resin composition is suitably determined according to the kind of solvent, For example, it is 60-250 degreeC, Preferably, it is 80-200 degreeC, for example, for 1 to 30 minutes, Preferably, it is 3 to 15 minutes Heat. If the drying time is shorter than this, the removal of the solvent becomes insufficient, and the surface resistance value of the
また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
半導電性層１０の厚みは、例えば、０．５〜５μｍ、好ましくは、０．５〜１．５μｍである。半導電性層１０の厚みが、これより薄いと、均一な層が得られない場合があり、これより厚いと、乾燥が不十分となり、かつ、コストの上昇を生じる場合がある。
Further, when the semiconductive resin composition contains an imide resin precursor, after drying, the imide resin precursor is cured (imidized) by, for example, heating at 250 ° C. or higher under reduced pressure. Let
The thickness of the
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）を除く半導電性層１０の表面を、エッチングレジスト１１で被覆する。エッチングレジスト１１は、例えば、ドライフィルムフォトレジストを半導電性層１０の表面に積層し、露光および現像する公知の方法により形成する。
Next, in this method, as shown in FIG. 3C, the metal support substrate 2 (adjacent to the metal support substrate 2) exposed from the terminal portion 6 (excluding the peripheral portion) and the
その後、この方法では、図３（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出する半導電性層１０をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
Thereafter, in this method, as shown in FIG. 3D, the
Next, in this method, as shown in FIG. 3E, the etching resist 11 is removed by etching or peeling.
これによって、半導電性層１０は、カバー層５の表面に形成される（但し、端子部６を囲むカバー層５の開口部９の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層１０が形成されている。また、カバー層５の側面には、半導電性層１０が形成されていない。）。
その後、この方法では、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。
Thereby, the
Thereafter, in this method, the conductive polymer of the
ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが挙げられる。また、これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。 The doping agent imparts conductivity to the conductive polymer. For example, p-toluenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid novolak resin, p-toluene Examples thereof include phenol sulfonic acid novolak resin and β-naphthalene sulfonic acid formalin condensate. These doping agents can be used alone or in combination of two or more.
ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが挙げられる。
溶媒は、ドーピング剤の濃度が、ドーピング剤溶液に対して、５〜８０重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、配合する。ドーピング剤の濃度がこれより低いと、ドーピングに時間がかかる場合があり、ドーピング剤の濃度がこれより高いと、ドーピング剤溶液の粘度が上昇して取扱いが困難となる場合がある。
Examples of the solvent for dissolving the doping agent include water and methanol.
A solvent is mix | blended so that the density | concentration of a doping agent may be 5 to 80 weight% with respect to a doping agent solution, Preferably, it is 10 to 50 weight%. When the concentration of the doping agent is lower than this, it may take time for doping, and when the concentration of the doping agent is higher than this, the viscosity of the doping agent solution may increase and handling may be difficult.
半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤溶液に浸漬するには、上記した回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤溶液に、例えば、３０分〜２４時間、好ましくは、１〜４時間処理する。
上記した浸漬において、ドーピング剤溶液は、その浸漬温度が、例えば、１００〜２００℃、好ましくは、１００〜１５０℃に設定される。浸漬温度がこれより低いと、ドーピング剤を半導電性層１０の内部まで十分浸透させることができない場合がある。浸漬温度がこれより高いと、浸漬するための装置が複雑となる場合がある。
In order to immerse the suspension board with
In the immersion described above, the immersion temperature of the doping agent solution is set to, for example, 100 to 200 ° C, preferably 100 to 150 ° C. If the immersion temperature is lower than this, the doping agent may not sufficiently penetrate into the
また、上記した浸漬において、浸漬圧力は、例えば、２〜２０ＭＰａ、好ましくは、２〜１５ＭＰａに設定される。浸漬圧力がこれより低いと、ドーピング剤を半導電性層１０の内部まで十分浸透させることができない場合がある。浸漬圧力がこれより高いと、浸漬するための装置が複雑となる場合がある。
上記のように導電性ポリマーをドーピングすれば、半導電性層１０には、ドーピング剤が、半導電性層１０の厚みを１００％としたときに、半導電性層１０の表面から、例えば、４％以上、通常、１０％以下の深さにわたって浸透される。より具体的には、半導電性層１０には、ドーピング剤が、半導電性層１０の表面から、例えば、０．２μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上、通常、１μｍ以下の深さにわたって浸透される。
In the above immersion, the immersion pressure is set to, for example, 2 to 20 MPa, or preferably 2 to 15 MPa. If the immersion pressure is lower than this, the doping agent may not sufficiently penetrate into the
If the conductive polymer is doped as described above, the
なお、ドーピング剤が、半導電性層１０の表面からどの深さまで浸透しているかは、例えば、ＦＩＢ（微細機械加工）−マイクロサンプリング法により、試験片を得て、半導電性層の断面薄膜試料を作製し、これをＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線）分析することにより、確認することができる。
上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
The depth of penetration of the doping agent from the surface of the
Conductivity is imparted to the conductive polymer by doping the conductive polymer of the
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１０5〜１０12Ω／□、好ましくは、１０6〜１０11Ω／□である。半導電性層１０の表面抵抗値が、これより低いと、実装された電子部品（磁気ヘッドやリード・ライト基板の端子部、以下同様。）の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。
The surface resistance value of the
なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。
導電性ポリマーのドーピング後、端子部６の表面には、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が、電解めっきまたは無電解めっきにより形成される。
In addition, the surface resistance value of the
After doping with the conductive polymer, a plating layer made of gold or nickel is formed on the surface of the
そして、この回路付サスペンション基板１は、その後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、形成される。
これによって、カバー層５の表面に半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を得ることができる。
Then, the suspension board with
Thereby, the suspension board with
図４は、図２に示す回路付サスペンション基板において、感光性半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成する工程を示す、工程図である。次に、図４を参照して、感光性半導電性樹脂組成物を用いて、回路付サスペンション基板１に半導電性層１０を所望のパターンで形成する方法を説明する。
この方法では、まず、上記と同様に、図４（ａ）に示すように、回路付サスペンション基板１を用意する。
FIG. 4 is a process diagram showing a process of forming a semiconductive layer from the photosensitive semiconductive resin composition in the suspension board with circuit shown in FIG. Next, a method of forming the
In this method, first, similarly to the above, a suspension board with
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に、感光性半導電性樹脂組成物からなる皮膜１２を形成する。皮膜１２を形成するには、まず、感光性半導電性樹脂組成物を、上記したように調製する。次いで、調製した感光性半導電性樹脂組成物を、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布された感光性半導電性樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥する。
Next, in this method, as shown in FIG. 4B, the surface of the
その後、この方法では、図４（ｃ）に示すように、皮膜１２を、フォトマスク１３を介して露光する。フォトマスク１３は、光を透過しない遮光部分１３ａと、光を透過する光透過部分１３ｂとを所望のパターンで備えており、ネガ画像でパターンニングする場合には、図４（ｃ）に示すように、半導電性層１０を形成しない部分（端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）の表面）には、遮光部分１３ａが対向し、半導電性層１０を形成する部分（カバー層５の表面（上面））には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。
Thereafter, in this method, the
次いで、必要によりネガ画像を形成するための所定温度で加熱後、図４（ｄ）に示すように、半導電性層１０における遮光部分１３ａが対向していた未露光部分、すなわち、半導電性層１０における端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）の表面に対応する部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ水溶液などを用いる、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、皮膜１２が、カバー層５の表面（上面）に、所望のパターンで形成される。
Next, if necessary, after heating at a predetermined temperature for forming a negative image, as shown in FIG. 4D, the non-exposed portion where the light-shielding
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）の表面にフォトマスク１３の光透過部分１３ｂを対向させて露光した後、必要によりポジ画像を形成するための所定温度で加熱後、現像する。
In the case of patterning with a positive image, although not shown, the reverse of the above, that is, the metal support substrate 2 (metal support) exposed from the terminal portion 6 (excluding the peripheral portion) and the
その後、この方法では、図４（ｅ）に示すように、感光性半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これによって、上記と同様に、半導電性層１０が、カバー層５の表面に形成される（但し、端子部６を囲むカバー層５の開口部９の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層１０が形成されている。また、カバー層５の側面には、半導電性層１０が形成されていない。）。
Thereafter, in this method, as shown in FIG. 4 (e), when the photosensitive semiconductive resin composition contains an imide resin precursor, the imide resin precursor is, for example, 250 under reduced pressure. It is cured (imidized) by heating at a temperature of at least ° C.
Thereby, as described above, the
その後、この方法では、上記と同様の方法により、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。
そして、この回路付サスペンション基板１では、半導電性層１０は、高温および高湿雰囲気下における、回路付サスペンション基板１の表面抵抗の安定性を確保しつつ、導電性ポリマーが脱離しにくいので、実装する電子部品に損傷を与えることを防止しながら、静電気の帯電を有効に除去して、実装する電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。
Thereafter, in this method, the conductive polymer of the
In the suspension board with
なお、半導電性層１０は、その目的および用途により、ベース層３に形成してもよく、また、ベース層３およびカバー層５の両方に形成してもよい。
また、半導電性層１０は、単一層で形成してもよく、また、多層で形成することもできる。半導電性層１０を多層で形成する場合には、カバー層５から離間するに従って、各半導電性層１０に含まれる導電性ポリマーの配合割合が少なくなるように、各半導電性層１０を形成する。
The
The
また、本発明の配線回路基板は、図５に示すように、カバー層５の表面に半導電性層１０を形成せずに、ベース層３および／またはカバー層５を、直接、半導電性層から形成することにより、形成することもできる。
すなわち、この回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２と、金属支持基板２の上にパターンとして形成されたベース層３と、ベース層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース層３の上にパターンとして形成されたカバー層５とを備えている。また、カバー層５には、開口部９が形成されており、その開口部９から露出する導体パターン４が、端子部６として設けられている。そして、この回路付サスペンション基板１では、ベース層３および／またはカバー層５が、半導電性樹脂組成物からなる半導電性層から形成されている。
Further, as shown in FIG. 5, the printed circuit board according to the present invention directly attaches the
That is, the suspension board with
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６を参照して説明する。
この方法では、図６（ａ）に示すように、まず、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２としては、例えば、上記と同様の金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。また、その厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
Next, a manufacturing method of the suspension board with
In this method, as shown in FIG. 6A, first, a
次に、この方法では、図６（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース層３を、導体パターン４を積層可能な所望のパターンとして、形成する。
ベース層３は、半導電性層または樹脂層から形成する。すなわち、ベース層３は、カバー層５を半導電性層から形成しない場合には、必ず半導電性層から形成し、カバー層５を半導電性層から形成する場合には、その目的および用途により、半導電性層または樹脂層から適宜選択して形成する。
Next, in this method, as shown in FIG. 6B, the
The
ベース層３を半導電性層から形成する場合には、例えば、まず、図７（ａ）に示すように、上記と同様の半導電性樹脂組成物を、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、半導電性層からなるベース層３を形成する。
次いで、上記のようにして形成されたベース層３を、所望のパターンに形成するには、図７（ｂ）に示すように、ベース層３の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図７（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するベース層３をエッチングにより除去した後、図７（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
When the
Next, in order to form the
エッチングレジスト１１は、例えば、ドライフィルムフォトレジストをベース層３の表面に積層し、露光および現像する公知の方法により形成する。
ベース層３のエッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ現像液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
これによって、金属支持基板２の上に、半導電性層からなるベース層３が、導体パターン４を積層可能な所望のパターンとして形成される。
The etching resist 11 is formed, for example, by a known method of laminating a dry film photoresist on the surface of the
The
Thereby, the
その後、この方法では、上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングと同様にして、ベース層３の導電性ポリマーをドーピングする。
上記のように導電性ポリマーをドーピングすれば、ベース層３には、ドーピング剤が、ベース層３の厚み（後述）を１００％としたときに、ベース層３の表面から、例えば、４％以上、通常、１０％以下の深さにわたって浸透される。より具体的には、ベース層３には、ドーピング剤が、ベース層３の表面から、例えば、０．２μｍ以上、通常、０．５μｍ以下の深さにわたって浸透される。
Thereafter, in this method, the conductive polymer of the
When the conductive polymer is doped as described above, the
上記したベース層３の導電性ポリマーのドーピングにより、ベース層３の導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層（ベース層３）の表面抵抗値は、例えば、１０5〜１０12Ω／□、好ましくは、１０6〜１０11Ω／□である。半導電性層（ベース層３）の表面抵抗値が、これより小さいと、実装された電子部品の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。
Conductivity is imparted to the conductive polymer of the
The surface resistance value of the semiconductive layer (base layer 3) doped with the conductive polymer is, for example, 10 5 to 10 12 Ω / □, preferably 10 6 to 10 11 Ω / □. When the surface resistance value of the semiconductive layer (base layer 3) is smaller than this, the mounted electronic component may malfunction, and when larger than this, the electrostatic charge may not be effectively removed. is there.
また、上記した感光性半導電性樹脂組成物を用いれば、ベース層３をエッチングせずとも、ベース層３を所望のパターンとして形成することができる。
感光性半導電性樹脂組成物から、所望のパターンでベース層３を形成するには、図８（ａ）に示すように、まず、感光性半導電性樹脂組成物を、金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥して、ベース皮膜１４を形成する。
Moreover, if the above-mentioned photosensitive semiconductive resin composition is used, the
In order to form the
その後、この方法では、図８（ｂ）に示すように、ベース皮膜１４を、フォトマスク１３を介して露光する。ネガ画像でパターンニングする場合には、図８（ｂ）に示すように、半導電性層を形成しない部分には、遮光部分１３ａが対向し、半導電性層を形成する部分には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。
次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図８（ｃ）に示すように、ベース皮膜１４における遮光部分１３ａが対向していた未露光部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ現像液などを用いて、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、ベース皮膜１４が、所望のパターンに形成される。
Thereafter, in this method, the
Next, if necessary, after heating at a predetermined temperature to form a negative image, as shown in FIG. 8C, the unexposed part of the
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち、ベース層３を形成しない部分には、光透過部分１３ｂが対向し、それ以外のベース層３を形成する部分には、遮光部分１３ａが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
その後、図８（ｄ）に示すように、感光性半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、ベース皮膜１４を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、ベース層３を形成する。
In the case of patterning with a positive image, although not shown, the reverse of the above, that is, the portion where the
Thereafter, as shown in FIG. 8D, when the photosensitive semiconductive resin composition contains an imide resin precursor, the
これによって、上記と同様に、ベース層３が、所望のパターンとして形成される。
その後、この方法では、上記と同様の方法により、ベース層３の導電性ポリマーをドーピングする。
また、ベース層３を樹脂層から形成する場合には、公知の方法に準拠すればよく、例えば、まず、図７（ａ）に示すように、ポリイミド（上記したイミド樹脂前駆体を含む。）、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂のワニスを調製して、そのワニスを、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、樹脂層からなるベース層３を形成する。
Thereby, the
Thereafter, in this method, the conductive polymer of the
Moreover, when forming the
そして、上記と同様の方法により、図７（ｂ）に示すように、ベース層３の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図７（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するベース層３をエッチングにより除去した後、図７（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
これによって、金属支持基板２の上に、樹脂層からなるベース層３が、導体パターン４を積層可能な所望のパターンとして形成される。
Then, by the same method as described above, as shown in FIG. 7B, the surface of the
Thereby, the
また、上記したワニスに、感光剤を含有させれば、ベース層３をエッチングせずとも、ベース層３を所望のパターンとして形成することができる。なお、感光剤としては、上記と同様の感光剤が挙げられる。
例えば、感光剤を含むポリイミド前駆体（以下、感光性ポリアミック酸樹脂という。）のワニスを用いる場合には、図８（ａ）に示すように、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、ベース皮膜１４を形成する。
Further, if the above varnish contains a photosensitizer, the
For example, when using a varnish of a polyimide precursor containing a photosensitizer (hereinafter referred to as photosensitive polyamic acid resin), first, as shown in FIG. The
次いで、図８（ｂ）に示すように、上記と同様の方法により、ベース皮膜１４を、フォトマスク１３を介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、図８（ｃ）に示すように、上記と同様の方法により、現像により除去する。
その後、図８（ｄ）に示すように、ベース皮膜１４を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、ベース層３を形成する。
Next, as shown in FIG. 8 (b), the
Thereafter, as shown in FIG. 8D, the
これによって、上記と同様に、ベース層３が、所望のパターンとして形成される。
また、このようにして形成されるベース層３の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、ベース層３の上に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、例えば、上記と同様の導体箔からなり、好ましくは、銅箔からなる。また、導体パターン４を形成するには、ベース層３の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体パターン４を、上記した端子部６および配線７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。
Thereby, the
Moreover, the thickness of the
Next, in this method, the
サブトラクティブ法では、まず、ベース層３の全面に、必要により接着剤層を介して導体を積層し、次いで、この導体の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体をエッチングして導体パターン４を形成し、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース層３の全面に、導体薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の表面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する。
In the subtractive method, first, a conductor is laminated on the entire surface of the
In the additive method, first, a seed film made of a conductive thin film is formed on the entire surface of the
このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、５〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
次に、この方法では、図６（ｄ）に示すように、カバー層５を、ベース層３の上に、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして、形成する。
カバー層５は、半導電性層または樹脂層から形成する。すなわち、カバー層５は、ベース層３を半導電性層から形成しない場合には、必ず半導電性層から形成し、ベース層３を半導電性層から形成する場合には、その目的および用途により、半導電性層または樹脂層から適宜選択して形成する。
The
Next, in this method, as shown in FIG. 6D, the
The
カバー層５を半導電性層から形成する場合には、例えば、まず、図９（ａ）に示すように、上記した半導電性樹脂組成物を、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法で、均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、半導電性層からなるカバー層５を形成する。
When the
そして、上記と同様の方法により、図９（ｂ）に示すように、カバー層５の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図９（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するカバー層５をエッチングにより除去した後、図９（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
これによって、ベース層３の上に、半導電性層からなるカバー層５が、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして形成される。
Then, by the same method as described above, as shown in FIG. 9B, the surface of the
As a result, the
その後、この方法では、上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングと同様にして、カバー層５の導電性ポリマーをドーピングする。
上記のように導電性ポリマーをドーピングすれば、カバー層５には、ドーピング剤が、カバー層５の厚み（後述）を１００％としたときに、カバー層５の表面から、例えば、４％以上、通常、１０％以下の深さにわたって浸透される。より具体的には、カバー層５には、ドーピング剤が、カバー層５の表面から、例えば、０．２μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上、通常、１．５μｍ以下の深さにわたって浸透される。
Thereafter, in this method, the conductive polymer of the
If the conductive polymer is doped as described above, the doping agent in the
上記したカバー層５の導電性ポリマーのドーピングにより、カバー層５の導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層（カバー層５）の表面抵抗値は、例えば、１０5〜１０12Ω／□、好ましくは、１０6〜１０11Ω／□である。半導電性層（カバー層５）の表面抵抗値が、これより小さいと、実装された電子部品の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。
Conductivity is imparted to the conductive polymer of the
Further, the surface resistance value of the semiconductive layer (cover layer 5) doped with the conductive polymer is, for example, 10 5 to 10 12 Ω / □, preferably 10 6 to 10 11 Ω / □. If the surface resistance value of the semiconductive layer (cover layer 5) is smaller than this, the mounted electronic component may malfunction, and if larger than this, the electrostatic charge may not be effectively removed. is there.
また、上記と同様に、感光性半導電性樹脂組成物を用いれば、カバー層５をエッチングせずとも、カバー層５を所望のパターンとして形成することができる。
感光性半導電性樹脂組成物から、所望のパターンでカバー層５を形成するには、図１０（ａ）に示すように、まず、感光性半導電性樹脂組成物を、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜１５を形成する。
Similarly to the above, when the photosensitive semiconductive resin composition is used, the
In order to form the
次いで、図１０（ｂ）に示すように、カバー皮膜１５を、フォトマスク１３を介して露光する。例えば、ネガ画像でパターンニングする場合には、図１０（ｂ）に示すように、カバー層５を形成しない部分には、遮光部分１３ａが対向し、それ以外のカバー層５を形成する部分には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。
Next, as shown in FIG. 10B, the
次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図１０（ｃ）に示すように、カバー皮膜１５における遮光部分１３ａが対向していた未露光部分を、上記と同様の方法で、現像により除去する。
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち、カバー層５を形成しない部分には、光透過部分１３ｂが対向し、それ以外のカバー層５を形成する部分には、遮光部分１３ａが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
Then, if necessary, after heating at a predetermined temperature to form a negative image, as shown in FIG. 10C, the unexposed portion of the
In the case of patterning with a positive image, although not shown in the drawing, the reverse of the above, that is, the part where the
その後、図１０（ｄ）に示すように、感光性半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、カバー皮膜１５を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー層５を形成する。
これによって、上記と同様に、ベース層３の上に、半導電性層からなるカバー層５が、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして形成される（図６（ｄ））。
Thereafter, as shown in FIG. 10 (d), when the photosensitive semiconductive resin composition contains an imide resin precursor, the
Thus, similarly to the above, the
その後、この方法では、上記と同様の方法により、カバー層５の導電性ポリマーをドーピングする。
また、カバー層５を樹脂層から形成する場合には、公知の方法に準拠すればよく、例えば、まず、図９（ａ）に示すように、上記と同様の樹脂層を形成するための合成樹脂のワニスを調製して、そのワニスを、上記と同様の方法により、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、樹脂層からなるカバー層５を形成する。
Thereafter, in this method, the conductive polymer of the
Moreover, when forming the
そして、上記と同様の方法により、図９（ｂ）に示すように、カバー層５の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図９（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するカバー層５をエッチングにより除去した後、図９（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
これによって、ベース層３の上に、樹脂層からなるカバー層５が、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして形成される（図６（ｄ）参照）。
Then, by the same method as described above, as shown in FIG. 9B, the surface of the
As a result, the
また、上記したワニスに、感光剤を含有させれば、カバー層５をエッチングせずとも、カバー層５を所望のパターンとして形成することができる。なお、感光剤としては、上記と同様の感光剤が挙げられる。
例えば、感光剤を含むポリイミド前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを用いる場合には、図１０（ａ）に示すように、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜１５を形成する。
Further, if the above-described varnish contains a photosensitive agent, the
For example, when a varnish of a polyimide precursor (photosensitive polyamic acid resin) containing a photosensitizer is used, first, a conductive polyamic acid resin varnish is coated with a
次いで、図１０（ｂ）に示すように、上記と同様の方法により、カバー皮膜１５を、フォトマスク１３を介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、図１０（ｃ）に示すように、上記と同様の方法により、現像により除去する。
その後、図１０（ｄ）に示すように、カバー皮膜１５を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー層５を形成する。
Next, as shown in FIG. 10 (b), the
Thereafter, as shown in FIG. 10 (d), the
これによって、上記と同様に、カバー層５が、所望のパターンとして形成される（図６（ｄ））。
また、このようにして形成されるカバー層５の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜７μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１は、その後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、形成される。なお、端子部６の表面には、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が、電解めっきまたは無電解めっきにより形成される。
As a result, the
The
Then, the suspension board with
そして、この回路付サスペンション基板１では、高温および高湿雰囲気下における、回路付サスペンション基板１の表面抵抗の安定性を確保しつつ、導電性ポリマーが脱離しにくいので、実装する電子部品に損傷を与えることを防止しながら、静電気の帯電を有効に除去して、実装する電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。しかも、この回路付サスペンション基板１では、ベース層３および／またはカバー層５が半導電性層であるため、カバー層５の表面に、さらに半導電性層１０を形成する必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。
In the suspension board with
なお、上記の回路付サスペンション基板１では、ベース層３および／またはカバー層５の少なくともいずれか一方が、半導電性層であればよく、すなわち、上記した回路付サスペンション基板１は、ベース層３およびカバー層５がともに半導電性層である態様、ベース層３が半導電性層でありカバー層５が絶縁層である態様、ベース層３が絶縁層でありカバー層５が半導電性層である態様の、３つの態様が含まれる。この回路付サスペンション基板１では、これらのうち、少なくともカバー層５が半導電性層である態様が好適である。
In the suspension board with
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。
例えば、図１１に示す片面フレキシブル配線回路基板２１では、ベース層３、導体パターン４およびカバー層５が順次積層されており、カバー層５が開口されることにより、導体パターン４の露出部分が端子部６として形成されている。そして、半導電性層１０が、端子部６の表面を除くカバー層５の表面に形成されている（但し、端子部６を囲むカバー層５の開口部９の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層１０が形成されている。また、カバー層５の側面には、半導電性層１０が形成されていない。）。
In the above description, the wired circuit board of the present invention has been described by exemplifying the suspension board with
For example, in the single-sided flexible printed
また、例えば、図１２に示す片面フレキシブル配線回路基板３１では、ベース層３、導体パターン４およびカバー層５が順次積層されており、カバー層５が開口されることにより、導体パターン４の露出部分として端子部６が形成されている。そして、この片面フレキシブル配線回路基板３１では、ベース層３およびカバー層５の少なくともいずれか一方が、半導電性層から形成されている。
For example, in the single-sided flexible printed
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
合成例１（ポリアミック酸樹脂の合成）
撹拌機および温度計を備えた１Ｌのセパラブルフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン２７．６ｇ（０．２５ｍｏｌ）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル９．０ｇ（０．０５ｍｏｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７６７ｇを添加して撹拌し、ｐ−フェニレンジアミンと４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples.
Synthesis Example 1 (Synthesis of polyamic acid resin)
In a 1 L separable flask equipped with a stirrer and a thermometer, 27.6 g (0.25 mol) of p-phenylenediamine and 9.0 g (0.05 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether were placed, and N-methyl- 767 g of 2-pyrrolidone (NMP) was added and stirred to dissolve p-phenylenediamine and 4,4′-diaminodiphenyl ether.
これに、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８８．３ｇ（０．３ｍｏｌ）を徐々に添加し、３０℃以下の温度で２時間撹拌を続け、濃度１４重量％のポリアミック酸樹脂の溶液を得た。なお、この溶液の３０℃での粘度は５００Ｐａ・ｓであった。
実施例１（カバー層の表面に半導電性層を備える回路付サスペンション基板）
ステンレス箔からなる金属支持基板の上に、ポリイミドからなるベース層、銅箔からなる導体パターン、ポリイミドからなるカバー層が、順次積層されてなる回路付サスペンション基板を用意した（図４（ａ）参照）。なお、カバー層には、開口部が形成されており、その開口部から露出する導体パターンの露出部分が端子部とされている。
To this, 88.3 g (0.3 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was gradually added, and stirring was continued for 2 hours at a temperature of 30 ° C. or less. A solution of the polyamic acid resin was obtained. The viscosity of this solution at 30 ° C. was 500 Pa · s.
Example 1 (Suspension board with circuit provided with a semiconductive layer on the surface of the cover layer)
A suspension board with circuit was prepared in which a base layer made of polyimide, a conductor pattern made of copper foil, and a cover layer made of polyimide were sequentially laminated on a metal supporting board made of stainless steel foil (see FIG. 4A). ). Note that an opening is formed in the cover layer, and an exposed portion of the conductor pattern exposed from the opening serves as a terminal portion.
別途、可溶性ポリアニリン（還元体）５ｇおよび還元剤としてフェニルヒドラジン１．５ｇをＮ―メチル―２―ピロリドン（ＮＭＰ）４５ｇに添加して撹拌し、ポリアニリンＮＭＰ溶液を調製した。
合成例１で得られたポリアミック酸樹脂の溶液１０ｇに、感光剤（ニフェジピン０．４２ｇとアセチル体０．２８ｇ）を添加して撹拌し、さらに、上記ポリアニリンＮＭＰ溶液２．８ｇを添加して撹拌し、ポリアニリンが均一に溶解した感光性半導電性樹脂組成物を得た。
Separately, 5 g of soluble polyaniline (reduced form) and 1.5 g of phenylhydrazine as a reducing agent were added to 45 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and stirred to prepare a polyaniline NMP solution.
To 10 g of the polyamic acid resin solution obtained in Synthesis Example 1, a photosensitizer (0.42 g of nifedipine and 0.28 g of acetyl compound) was added and stirred, and further, 2.8 g of the polyaniline NMP solution was added and stirred. Thus, a photosensitive semiconductive resin composition in which polyaniline was uniformly dissolved was obtained.
この感光性半導電性樹脂組成物を、上記回路付サスペンション基板の、端子部の表面を含むカバー層の表面、および、カバー層およびベース層から露出する金属支持基板の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することより、厚み７μｍの皮膜を形成した（図４（ｂ）参照）。
次いで、フォトマスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2にて、紫外線を露光し（図４（ｃ）参照）、１８０℃で１０分間露光後加熱した後、現像することにより、皮膜をネガ型画像でパターンニングした（図４（ｄ）参照）。
A spin coater is used for the photosensitive semiconductive resin composition on the surface of the cover layer including the surface of the terminal portion of the suspension board with circuit and the surface of the metal supporting substrate exposed from the cover layer and the base layer. The film was uniformly applied and heated at 90 ° C. for 10 minutes to form a 7 μm-thick film (see FIG. 4B).
Next, ultraviolet rays are exposed through a photomask at an exposure amount of 700 mJ / cm 2 (see FIG. 4 (c)), and after exposure at 180 ° C. for 10 minutes, heating is performed, and then the coating is negative. Patterned with an image (see FIG. 4D).
その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で加熱して、イミド化して、カバー層の表面に半導電性層を形成した（図４（ｅ）参照）。なお、この半導電性層の厚みは、５μｍであった。
その後、この回路付サスペンション基板を、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂（ドーピング剤）の２０重量％水溶液に浸漬し、１２０℃、１０ＭＰａで、２時間処理して、半導電性層のポリアニリンに導電性を付与した。
Then, in a state where the pressure was reduced to 1.33 Pa, the mixture was heated at 385 ° C. to imidize to form a semiconductive layer on the surface of the cover layer (see FIG. 4E). The semiconductive layer had a thickness of 5 μm.
Thereafter, this suspension board with circuit is immersed in a 20% by weight aqueous solution of p-toluenesulfonic acid novolak resin (doping agent), treated at 120 ° C. and 10 MPa for 2 hours, and conductive to the polyaniline of the semiconductive layer. Was granted.
なお、上記した回路付サスペンション基板のドーピング剤水溶液への浸漬後、別途、ＦＩＢ（微細機械加工）−マイクロサンプリング法により、試験片を得た。得られた試験片から、半導電性層の断面薄膜試料を作製し、これをＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線）分析したところ、半導電性層には、ドーピング剤に由来する硫黄（Ｓ）元素が、半導電性層の表面から０．５μｍの深さにわたって検出された。 In addition, after the above-described suspension board with circuit was immersed in a doping agent aqueous solution, a test piece was separately obtained by FIB (micromachining) -microsampling method. When a cross-sectional thin film sample of the semiconductive layer was prepared from the obtained test piece and analyzed by EDX (energy dispersive X-ray), the semiconductive layer contained sulfur (S) element derived from the doping agent. , Detected over a depth of 0.5 μm from the surface of the semiconductive layer.
その後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、半導電性層が、カバー層の表面に形成された回路付サスペンション基板を得た。
得られた回路付サスペンション基板は、半導電性層の初期の表面抵抗値が、２．５×１０10Ω／□であった。
Thereafter, the metal support substrate was cut out by chemical etching to form a gimbal and was subjected to outer shape processing to obtain a suspension board with circuit in which a semiconductive layer was formed on the surface of the cover layer.
The obtained suspension board with circuit had an initial surface resistance of the semiconductive layer of 2.5 × 10 10 Ω / □.
その後、得られた回路付サスペンション基板を、８５℃、湿度８５％の雰囲気下で、１６８時間放置したときの、半導電性層の表面抵抗値を測定したところ、３．０×１０10Ω／□であった。
実施例２（半導電性層からなるカバー層を備える回路付サスペンション基板）
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して（図６（ａ）参照）、その金属支持基板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した（図８（ａ）参照）。
Thereafter, the surface resistance of the semiconductive layer when the obtained suspension board with circuit was allowed to stand for 168 hours in an atmosphere of 85 ° C. and humidity of 85% was 3.0 × 10 10 Ω / It was □.
Example 2 (Suspension board with circuit provided with a cover layer made of a semiconductive layer)
A metal support substrate made of a stainless steel foil having a thickness of 20 μm was prepared (see FIG. 6A), and a varnish of photosensitive polyamic acid resin was uniformly applied on the metal support substrate, and then the applied varnish Was heated at 90 ° C. for 15 minutes to form a base film (see FIG. 8A).
その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ（図８（ｂ）参照）、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図８（ｃ）参照）。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、絶縁層からなる厚み１０μｍのベース層を、所望のパターンで形成した（図８（ｄ）、図６（ｂ）参照）。 Thereafter, the base film was exposed at 700 mJ / cm 2 through a photomask (see FIG. 8B), heated at 190 ° C. for 10 minutes, and then developed using an alkali developer (FIG. 8 ( c)). Thereafter, the base layer having a thickness of 10 μm made of an insulating layer was formed in a desired pattern by curing at 385 ° C. under a reduced pressure of 1.33 Pa (see FIGS. 8D and 6B). .
次いで、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、アディティブ法により形成した（図６（ｃ）参照）。
別途、可溶性ポリアニリン（還元体）５ｇおよび還元剤としてＮ，Ｎ−ジベンジルヒドロキシルアミン４ｇをＮ―メチル―２―ピロリドン（ＮＭＰ）４５ｇに添加して撹拌し、ポリアニリンＮＭＰ溶液を調製した。
Next, a 10 μm thick conductor pattern made of copper foil was formed by an additive method (see FIG. 6C).
Separately, 5 g of soluble polyaniline (reduced form) and 4 g of N, N-dibenzylhydroxylamine as a reducing agent were added to 45 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and stirred to prepare a polyaniline NMP solution.
次いで、合成例１で得られたポリアミック酸樹脂の溶液１０ｇに、感光剤（Ｎ−メチル体０．２４ｇおよびニフェジピン０．３５ｇ）を添加して撹拌し、さらに、上記ポリアニリンＮＭＰ溶液２．８ｇを添加して撹拌して、感光性半導電性樹脂組成物を得た。
次いで、上記した感光性半導電性樹脂組成物を、導体パターンを被覆するように、金属支持基板から露出するベース層およびベース層から露出する金属支持基板の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した（図１０（ａ）参照）。
Next, a photosensitizer (N-methyl derivative 0.24 g and nifedipine 0.35 g) was added to 10 g of the polyamic acid resin solution obtained in Synthesis Example 1 and stirred. Further, 2.8 g of the polyaniline NMP solution was added. The mixture was added and stirred to obtain a photosensitive semiconductive resin composition.
Next, the photosensitive semiconductive resin composition described above is uniformly applied to the base layer exposed from the metal support substrate and the surface of the metal support substrate exposed from the base layer using a spin coater so as to cover the conductor pattern. This was applied and heated at 90 ° C. for 10 minutes to form a cover film having a thickness of 7 μm (see FIG. 10A).
その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ（図１０（ｂ）参照）、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をネガ画像でパターンニングした（図１０（ｃ）参照）。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、半導電性層からなるカバー層を、開口部が形成される所望のパターンで形成した（図１０（ｄ）、図６（ｄ）参照）。なお、この半導電性層からなるカバー層の厚みは、５μｍであった。 Thereafter, the cover film is exposed through a photomask at 700 mJ / cm 2 (see FIG. 10B), heated at 180 ° C. for 10 minutes, and then developed using an alkali developer, thereby covering the cover film. The film was patterned with a negative image (see FIG. 10C). Thereafter, the cover layer made of a semiconductive layer was formed in a desired pattern in which openings were formed by curing at 385 ° C. in a state where the pressure was reduced to 1.33 Pa (FIG. 10D, FIG. 6). (See (d)). The cover layer made of this semiconductive layer had a thickness of 5 μm.
その後、この回路付サスペンション基板を、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物（ドーピング剤）の３０重量％水溶液に浸漬し、１４０℃、１５ＭＰａで、２時間処理して、カバー層のポリアニリンに導電性を付与した。
なお、上記した回路付サスペンション基板のドーピング剤水溶液への浸漬後、別途、ＦＩＢ（微細機械加工）−マイクロサンプリング法により、試験片を得た。得られた試験片から、半導電性層（カバー層）の断面薄膜試料を作製し、これをＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線）分析したところ、半導電性層（カバー層）には、ドーピング剤に由来する硫黄（Ｓ）元素が、半導電性層（カバー層）の表面から０．５μｍの深さにわたって検出された。
Thereafter, this suspension board with circuit is immersed in a 30% by weight aqueous solution of β-naphthalenesulfonic acid formalin condensate (doping agent) and treated at 140 ° C. and 15 MPa for 2 hours to make the polyaniline of the cover layer conductive. Granted.
In addition, after the above-described suspension board with circuit was immersed in a doping agent aqueous solution, a test piece was separately obtained by FIB (micromachining) -microsampling method. A cross-sectional thin film sample of a semiconductive layer (cover layer) was prepared from the obtained test piece, and this was analyzed by EDX (energy dispersive X-ray). As a result, the semiconductive layer (cover layer) contained a doping agent. The derived sulfur (S) element was detected over a depth of 0.5 μm from the surface of the semiconductive layer (cover layer).
その後、化学エッチングにより、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、ベース層が絶縁層からなり、カバー層が半導電性層からなる、回路付サスペンション基板を得た。
得られた半導電性層（カバー層）の初期の表面抵抗値は１．７×１０10Ω／□であった。
Thereafter, the metal support substrate is cut out by chemical etching to form a gimbal, and the outer shape is processed so that the base layer is made of an insulating layer and the cover layer is made of a semiconductive layer. A substrate was obtained.
The initial surface resistance value of the obtained semiconductive layer (cover layer) was 1.7 × 10 10 Ω / □.
その後、得られた回路付サスペンション基板を、８５℃、湿度８５％の雰囲気下で、１６８時間放置したときの、半導電性層（カバー層）の表面抵抗値を測定したところ、２．５×１０10Ω／□であった。
比較例１（カバー層の表面に半導電性層を備える回路付サスペンション基板）
実施例１における、回路付サスペンション基板のドーピング剤水溶液への浸漬において、１２０℃、１０ＭＰａの浸漬条件を、８０℃、１ＭＰａの浸漬条件に、変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。
Thereafter, the surface resistance value of the semiconductive layer (cover layer) when the obtained suspension board with circuit was allowed to stand for 168 hours in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity was 2.5 ×. 10 10 Ω / □.
Comparative Example 1 (Suspension board with circuit having a semiconductive layer on the surface of the cover layer)
In the immersion of the suspension board with circuit in the aqueous dopant solution in Example 1, the immersion condition at 120 ° C. and 10 MPa was changed to the immersion condition at 80 ° C. and 1 MPa, and the circuit attached was the same as in Example 1. A suspension board was obtained.
回路付サスペンション基板のドーピング剤水溶液への浸漬後、別途、ＦＩＢ（微細機械加工）−マイクロサンプリング法により、試験片を得た。得られた試験片から、半導電性層の断面薄膜試料を作製し、これをＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線）分析したところ、半導電性層には、ドーピング剤に由来する硫黄（Ｓ）元素が、半導電性層の表面から０．０５μｍの深さにわたって検出された。なお、硫黄（Ｓ）元素は、半導電性層の表面から０．２μｍおよび０．５μｍの深さのところでは、ともに検出されなかった。 After immersion of the suspension board with circuit in the doping agent aqueous solution, a test piece was separately obtained by FIB (micromachining) -microsampling method. When a cross-sectional thin film sample of the semiconductive layer was prepared from the obtained test piece and analyzed by EDX (energy dispersive X-ray), the semiconductive layer contained sulfur (S) element derived from the doping agent. Detected over a depth of 0.05 μm from the surface of the semiconductive layer. Sulfur (S) element was not detected at the depths of 0.2 μm and 0.5 μm from the surface of the semiconductive layer.
この半導電性層の初期の表面抵抗値は２．５×１０10Ω／□であった。
その後、得られた回路付サスペンション基板を、８５℃、湿度８５％の雰囲気下で、１６８時間放置したときの、表面抵抗値を測定したところ、１．０×１０13Ω／□であった。
比較例２（半導電性層からなるカバー層を備える回路付サスペンション基板）
実施例２における、回路付サスペンション基板のドーピング剤水溶液への浸漬において、１４０℃、１５ＭＰａの浸漬条件を、８０℃、１ＭＰａの浸漬条件に、変更した以外は、実施例２と同様にして回路付サスペンション基板を得た。
The initial surface resistance of this semiconductive layer was 2.5 × 10 10 Ω / □.
Thereafter, when the obtained suspension board with circuit was allowed to stand for 168 hours in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity, it was 1.0 × 10 13 Ω / □.
Comparative example 2 (suspension board with circuit provided with a cover layer made of a semiconductive layer)
In the immersion of the suspension board with circuit in the doping agent aqueous solution in Example 2, the immersion condition of 140 ° C. and 15 MPa was changed to the immersion condition of 80 ° C. and 1 MPa, and the circuit attached was the same as in Example 2. A suspension board was obtained.
回路付サスペンション基板のドーピング剤水溶液への浸漬後、別途、ＦＩＢ（微細機械加工）−マイクロサンプリング法により、試験片を得た。得られた試験片から、半導電性層（カバー層）の断面薄膜試料を作製し、これをＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線）分析したところ、半導電性層（カバー層）には、ドーピング剤に由来する硫黄（Ｓ）元素が、半導電性層（カバー層）の表面から０．０５μｍの深さにわたって検出された。なお、硫黄（Ｓ）元素は、半導電性層（カバー層）の表面から０．２μｍおよび０．５μｍの深さのところでは、ともに検出されなかった。 After immersion of the suspension board with circuit in the doping agent aqueous solution, a test piece was separately obtained by FIB (micromachining) -microsampling method. A cross-sectional thin film sample of a semiconductive layer (cover layer) was prepared from the obtained test piece, and this was analyzed by EDX (energy dispersive X-ray). As a result, the semiconductive layer (cover layer) contained a doping agent. The derived sulfur (S) element was detected over a depth of 0.05 μm from the surface of the semiconductive layer (cover layer). Sulfur (S) element was not detected at the depths of 0.2 μm and 0.5 μm from the surface of the semiconductive layer (cover layer).
この半導電性層（カバー層）の初期の表面抵抗値は３．５×１０10Ω／□であった。
その後、得られた回路付サスペンション基板を、８５℃、湿度８５％の雰囲気下で、１６８時間放置したときの、半導電性層（カバー層）の表面抵抗値を測定したところ、１．０×１０13Ω／□であった。
The initial surface resistance value of this semiconductive layer (cover layer) was 3.5 × 10 10 Ω / □.
Thereafter, the surface resistance value of the semiconductive layer (cover layer) when the obtained suspension board with circuit was allowed to stand for 168 hours in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity was found to be 1.0 × 10 13 Ω / □.
１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース層
４ 導体パターン
５ カバー層
６ 端子部
６Ａ 磁気ヘッド側接続端子部
６Ｂ 外部側接続端子部
７ 配線
１０ 半導電性層
２１、３１ 片面フレキシブル配線回路基板
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記半導電性層には、前記導電性ポリマーに導電性を付与するドーピング剤が、前記半導電性層の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで存在していることを特徴とする、配線回路基板。 Contains a conductor layer, an insulating layer adjacent to the conductor layer, a terminal portion made of a conductor layer exposed by opening the insulating layer, an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer, and a solvent. A semiconductive resin composition, comprising a semiconductive layer formed on the surface of the insulating layer;
The printed circuit board, wherein the semiconductive layer includes a doping agent that imparts conductivity to the conductive polymer to a depth of at least 0.2 μm from the surface of the semiconductive layer. .
前記樹脂層が、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であり、
前記半導電性層には、前記導電性ポリマーに導電性を付与するドーピング剤が、前記半導電性層の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで存在していることを特徴とする、配線回路基板。 A conductor layer, a resin layer adjacent to the conductor layer, and a terminal portion made of a conductor layer exposed by opening the resin layer;
The resin layer is a semiconductive layer made of a semiconductive resin composition containing an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer and a solvent,
The printed circuit board, wherein the semiconductive layer includes a doping agent that imparts conductivity to the conductive polymer to a depth of at least 0.2 μm from the surface of the semiconductive layer. .
前記ベース層および／または前記カバー層が、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有する半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であり、
前記半導電性層には、前記導電性ポリマーに導電性を付与するドーピング剤が、前記半導電性層の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで存在していることを特徴とする、配線回路基板。 A metal support layer; a base layer formed on the metal support layer; a conductor layer formed on the base layer; a cover layer formed on the conductor layer; and the cover layer being open And a terminal portion made of a conductor layer exposed by being
The base layer and / or the cover layer is a semiconductive layer made of a semiconductive resin composition containing an imide resin or an imide resin precursor, a conductive polymer and a solvent,
The printed circuit board, wherein the semiconductive layer includes a doping agent that imparts conductivity to the conductive polymer to a depth of at least 0.2 μm from the surface of the semiconductive layer. .
The printed circuit board according to claim 1, wherein the semiconductive resin composition further contains a photosensitive agent.
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH091717A (en) * | 1995-06-22 | 1997-01-07 | Nitto Denko Corp | Conductive or semi-conductive resin molding and method for producing the same |
| JPH1077406A (en) * | 1996-07-29 | 1998-03-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | Antistatic aromatic polyimide film |
| JPH11250434A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | Magnetic disk drive and head suspension assembly |
| JPH11342322A (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Nitto Denko Corp | Conductive polyaniline polyimide composition and gas separation membrane comprising the same |
| JP2004115788A (en) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Du Pont Toray Co Ltd | Polyimide film and method for producing the same |
| JP2004158480A (en) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Achilles Corp | Flexible printed circuit board |
| JP2004335700A (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Nitto Denko Corp | Manufacturing method of printed circuit board |
| JP2006332547A (en) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nitto Denko Corp | Printed circuit board |
-
2006
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH091717A (en) * | 1995-06-22 | 1997-01-07 | Nitto Denko Corp | Conductive or semi-conductive resin molding and method for producing the same |
| JPH1077406A (en) * | 1996-07-29 | 1998-03-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | Antistatic aromatic polyimide film |
| JPH11250434A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | Magnetic disk drive and head suspension assembly |
| JPH11342322A (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Nitto Denko Corp | Conductive polyaniline polyimide composition and gas separation membrane comprising the same |
| JP2004115788A (en) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Du Pont Toray Co Ltd | Polyimide film and method for producing the same |
| JP2004158480A (en) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Achilles Corp | Flexible printed circuit board |
| JP2004335700A (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Nitto Denko Corp | Manufacturing method of printed circuit board |
| JP2006332547A (en) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nitto Denko Corp | Printed circuit board |
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