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JP2007266464A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置の製造方法 Download PDF

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JP2007266464A JP2006091715A JP2006091715A JP2007266464A JP 2007266464 A JP2007266464 A JP 2007266464A JP 2006091715 A JP2006091715 A JP 2006091715A JP 2006091715 A JP2006091715 A JP 2006091715A JP 2007266464 A JP2007266464 A JP 2007266464A
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Abstract

【課題】DRAMキャパシタ絶縁膜に用いるイットリウム添加したハフニアを、原子層成長法で組成を高い精度で制御しながら成膜すること。
【解決手段】ハフニウム化合物原料の導入、イットリウム化合物原料の導入、酸化剤の導入を１サイクルとした原子層成長法において、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料の導入時間を制御し、試料表面OH基の各原料による置換率を制御することで、ハフニア中へのイットリウムの添加量を正確に制御する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、半導体集積回路装置に関し、高誘電率絶縁膜であるイットリウム添加ハフニアを、アスペクト比が高い試料表面の構造上にも均一に成膜を行なう技術、およびイットリウムの添加量を高い精度で制御可能な成膜方法に関する技術を提供するものである。本技術は、容量に電荷を蓄積して情報を記録するメモリであるDRAM（Dynamic Random Access Memory）の容量絶縁膜および、MIS型トランジスタのゲート絶縁膜の成膜等に関するものである。
DRAMメモリセルは、高集積化のロードマップに従い、ビット当たりの面積の微細化が進められている。一方、読み出しエラーを回避するために一定の容量を必要とするキャパシタは、ビット面積の微細化に伴い、キャパシタ構造の立体化、キャパシタ絶縁膜の薄膜化が進められてきた。キャパシタ構造の立体化では、様々な構造が提案されてきたが、現在ではトレンチ形状が主流である。しかし、現在の加工技術ではアスペクト比が２０-３０程度が限界である。キャパシタ絶縁膜は、世代が進むにつれて薄膜化し単位面積あたりの容量を増大してきたが、従来使われていた絶縁膜の二酸化シリコンは、比誘電率が３.９と小さく、薄膜化と共に直接トンネルリーク電流が顕在化し、リフレッシュの要求の満足が難しくなった。そのため、現在では、直接トンネルリーク電流の抑制が可能な、高誘電率絶縁膜の適用が必須となっている。
まず、注目された材料が、結晶状態で誘電率が約５０である五酸化タンタルである。MIS （Metal- Insulator- Semiconductor）構造では、五酸化タンタルは下部電極ポリシリコンと良好な界面が得られるため有効であったが、６５nmノード以降で適用が有力視されている、下部電極の空乏化が抑制できるため薄膜化に有利なMIM （Metal- Insulator- Metal）構造では、五酸化タンタルと下部電極窒化チタンとの界面の安定性が得られない可能性が高い。これは、五酸化タンタルに対し二酸化チタンのエネルギーが低く安定なため窒化チタン下部電極上に五酸化タンタルを成膜した場合五酸化タンタルが還元され二酸化チタンが生成するからである。そこで、異なる高誘電率絶縁膜の適用が必要とされている。
ハフニアは誘電率が約２４と二酸化シリコンに比べ大きく、下部電極窒化チタンの界面も比較的良好で、高いシリコンプロセス親和性を有し、成膜方法が確立されている点等から広く検討されている。設備投資費用や材料の研究開発費削減の観点から、同一材料の適用世代が長いことが望ましいが、ハフニアの適用世代拡張の鍵を握るのが元素添加による誘電率の増大である。現在、ハフニアの誘電率を増大させる添加元素として、イットリウムが注目されている。イットリウムはハフニウムやO等の元素に比べてイオン半径が小さく、ハフニアにイットリウムを添加すると配位数の変化に起因して誘電分極が増大し、その結果として誘電率が増大する。イットリウムを添加したハフニアは、キャパシタ評価により、ハフニアに対し薄膜化が可能であることも確認されており、その製品適用が有望視されている。現在、DRAMキャパシタは、アスペクト比が２０以上と非常に大きなトレンチ形状をしているが、そのような構造に対しても、コンフォーマルに成膜できなくてはならない。ハフニア等の成膜手法である原子層成長法は、コンフォーマルな成膜が可能であり、また膜厚制御性が非常に良いが、イットリウムを添加したハフニアの同方法による成膜技術は未開発である。
インターナショナル・エレクトロン・デバイス・ミーティング（ＩＥＤＭ）２００３ プロシーディング "A Model for Al２O３ ALD conformity and deposition rate from oxygen precursor reactivity"
アルミナのように、特定元素の酸化物のような２元材料を原子層成長法で成膜する場合、特定元素化合物原料と酸化剤を交互に供給して、表面１原子層ずつ成膜を行なう。まず、OH基が露出している試料表面上に特定元素の原料を供給し、OH基を置換する。このとき、試料表面の全てのOH基を置換すれば原子層成長となる。そのためには、少なくとも試料を特性元素の原料に暴露する時間を十分長くすればよい。次に、酸化剤を導入して、特定元素で置換された試料表面を再び酸化する。この場合、特定元素と結合している基を全てOH基で置換すればよい。そのためには、最低限、試料を酸化剤に置換する時間を十分長くすればよい。このように、従来の原子層成長法では、導入した原料で試料表面を１００％置換する工程の繰り返しで、成膜を行うため、最低限、原料の導入時間を十分確保すればよかった。しかし、イットリウムを添加したハフニアの成膜では、単純に原料の供給を１つ増やせばいいというものではない。ハフニウム化合物原料を導入し、OH基を１００％置換した後に、イットリウム化合物原料を導入しても吸着サイトが残っていないため、置換反応が進まない。また、ただ単にハフニアにイットリウムを添加し、その添加量の精度や均一性が問われないのであれば別に酸化イットリウムを成膜して積層すれば良いが、DRAMキャパシタ絶縁膜向けのイットリウムを添加した、ハフニアはイットリウムの添加量により誘電率が変化するため、膜全体にわたり高い誘電率を得るためには高い精度でイットリウムの添加量を制御する必要である。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの骨子を列挙すれば以下の通りである。
（１）本願発明の第１の形態は次の通りである。
半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、第一の元素および第二の元素および酸素から成っており、
前記絶縁膜は、第一の元素を含む化合物である第一の原料および第二の元素を含む化合物である第二の原料および酸素を含む酸化剤を交互に成膜面に暴露する方法により成膜され、
且つ前記第一の原料を試料の暴露する工程において、前記成膜の表面の吸着サイトへの前記第一の原料の吸着率が１００％以下であり、且つ残りの吸着サイトに前記第二の原料が吸着させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
（２）本願発明の第２の形態は次の通りである。
半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、第三の元素および第四の元素および酸素から成っており、
前記絶縁膜は、第三の元素を含む化合物である第三の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第一のサイクルと、前記第四の元素を含む化合物である前記第四の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第二のサイクルと、を組み合わせることにより成膜され、
且つ前記第三の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第三の原料により置換され、且つ前記第四の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第四の原料により置換されることを特徴を有する半導体集積回路装置の製造方法。
（３）本願発明の第３の形態は次の通りである。
半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、第五の元素および第六の元素および酸素から成っており、
前記絶縁膜は、第五の元素を含む化合物である第五の原料と前記第六の元素を含む化合物である第六の原料を成膜面に同時に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第三のサイクルを繰り返すことにより成膜され、
且つ前記第五の原料および前記第六の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトの１００％以下が前記第五の原料によって置換され、残りの吸着サイトが前記第六の原料によって置換されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
（４）本願発明の第４の形態は次の通りである。
半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、第七の元素および第八の元素および酸素から成っており、
前記絶縁膜は、第七の元素を含む第七の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第四の成膜サイクルと、前記第八の元素または前記第八の元素の酸化物である第八の酸化物を成膜する第五の成膜サイクルを組み合わせることにより成膜され、
且つ前記第七の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第七の原料により置換されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
以下、より具体的に、イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で成膜の例を用いて、本発明の代表的な形態を説明する。
イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で成膜するには以下の方法を用いる。原子層成長を行う際の１サイクルは次の６工程からなっている。それは、ハフニウム化合物原料の導入、排気、イットリウム化合物原料の導入、排気、酸化剤の導入、排気である。発明が解決しようとする課題で解説した、特定元素の酸化物の原子層成長法は、特定元素の原料の吸着と、その酸化の繰り返しである。反応は全て試料表面原子層１層分ずつ行なわれ、それ以上は反応は進まないため、非常にシンプルなメカニズムである。
一方、イットリウムを添加したハフニアの成膜では、特定元素の吸着を２種類の原料により行なう。具体的には、表面OH基の大部分をハフニウム化合物原料で置換し、残りのOH基をイットリウム化合物原料で置換する、という手法をとる。また、イットリウム添加量の制御は、表面OH基のハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料による置換割合で制御する。ハフニウムとOの組成比が１：２であるハフニア中に、ハフニウムの一部をイットリウムで置換して、イットリウムの原子％を１０％とするためには、原子層成長においてOH基を置換する際の、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料による置換割合は、７：３とすればよい。原料による試料表面OH基の置換率は、原料の導入時間に対し単調増加の関係があるため、原料の導入時間で制御可能である。最適なハフニウム化合物原料導入時間を用い、残りのOH基を全てイットリウム化合物原料で置換し、続いて、それらを酸化剤で酸化するという一連のプロセスを１サイクルとすることにより、イットリウム添加量を正確に１０％に制御したハフニアの原子層成長が可能である。
これら実施方法の詳細は、実施例の中で明らかになろう。
本願発明の一つの観点によれば、平面的に均一な高誘電率を有する絶縁膜を提供することが出来る。この為、この絶縁膜を情報蓄積用のキャパシタに用いて特に有用である。
更に、本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。特にDRAMを用いた例えば、高密度集積メモリ回路、およびメモリ回路と論理回路が同一半導体基板に設けられたロジック混載型メモリ、およびアナログ回路を有する半導体集積回路装置において、低消費電力化、大容量化、高速化を実現することが可能である。
尚、本願発明の絶縁膜の製造方法は、各種の絶縁膜用として用いることが出来る。最も、代表的には、半導体記憶装置の情報蓄積用キャパシタの製造に用いるものである。
その半導体記憶装置の基本構成を示せば、半導体基板上に形成された複数のワード線と、複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の所定の交点に設けられたメモリ選択用トランジスタと該メモリセル選択用トランジスタに電気的に直列に接続され、前記半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタとから構成されるメモリセルとを備えている。本願発明は６５ｎｍノード以降に十分適用可能である。
＜実施例１＞
本実施例では、イットリウムを添加したハフニアを、原子層成長法で成膜する方法、およびイットリウム添加量を制御性良く１０％とする方法を開示する。
まず初めに、本成膜を行なうために必要な装置構成を図１で説明する。本成膜を行なう装置には、内部圧力と温度を制御可能な反応チャンバ１０を有すことを特徴とする。また、反応チャンバの温度は、原子層成長が可能な２００℃から５００℃の間で制御可能であることを特徴とする。符号１１は温度制御装置である。反応チャンバ１０には、ハフニウム化合物原料（１６）、イットリウム化合物原料（１７）、酸化剤（１８）、の供給源と、反応チャンバ１０内に導入された各原料および、不純物気体の排気を行うことが出来るポンプ１９等の排気機構が接続されていることを特徴とする。また、各原料の導入機構および排気機構と反応チャンバの間には、原料の導入とその停止および排気の開始、停止が、高い時間分解能で制御することができる弁（１２、１３、１４、１５）がついている。弁は連動して動作させることが可能であり、例えばハフニウム化合物原料の導入を行なう弁が開き、ハフニウム化合物原料で反応チャンバ内を満たした後、弁を閉じることでハフニウム化合物原料の導入を止め、同時に、排気機構につながる弁が開き、反応チャンバ内のハフニウム化合物原料を速やかに除去することが可能である。その結果、反応チャンバ内の試料がハフニウム化合物原料に暴露されている時間を正確に制御することが可能であることを特徴として有する。また同様に、他の原料も高い時間分解能で暴露可能であり、例えば、ハフニウム化合物原料の導入、排気、イットリウム化合物原料の導入、排気、酸化剤の導入、排気といった一連の成膜工程を連動して行うことが可能である。
次に、原子層成長法による成膜の原理および、イットリウムを添加したハフニアに含まれる三種の元素の組成の制御方法を開示する。ここではそれに先立ち、既に手法が確立されている二種類の原料を用いた原子層成長法による成膜の原理および分析結果を元に得た最適な成膜プロセスを開示する。次に、ここで得た最適な成膜プロセスに関する知見を拡張して、三種の原料を用いた原子層成長法による成膜の原理および、三種類の元素の組成の制御方法を解説する。
まず初めに、二種類の原料を用いた原子層成長法による成膜の原理および分析結果から得た最適な成膜プロセスを開示する。ここでは特に、トリメチルアルミニウム（Al（CH３）３；以下TMA）と水（H２O）を原料に用いてアルミナ（Al２O３）を成膜する場合を例に解説を行なう。本成膜を行なうために用いた装置構成を図２に示す。イットリウムを添加したハフニアを成膜するための装置構成と異なるのは、原料供給源（２４、１８）および弁（２０、２１）が二つづつである点である。符号２２は真空ポンプ用の弁である。アルミ化合物原料（TMA）の供給源および弁と、酸化剤（水またはオゾン）の供給源および弁である。本装置を用いて反応チャンバ中の試料にアルミナを成膜する際のタイミングチャートを図３に示す。アルミナ成膜の工程は４つに分けられる。各工程はそれぞれ、TMA導入、TMA排気、酸化剤導入、酸化剤排気である。この４工程を１サイクルとして、複数サイクル繰り返すことにより、アルミナを成膜することが可能である。
それぞれの工程で、試料表面で生じている反応を模式的に示したのが図４である。まず、表面にOH基が露出している試料（a）に対し、TMAを導入すると、OH基の水素がTMAのアルミと結合する（b）。次に、TMAの排気工程では、試料表面での反応に寄与せずに反応チャンバ内に残ったTMAおよび反応副生成物のメチル等が排気される。続いて酸化剤を導入することで、表面に露出しているアルミと結合したメチル基がOHと置き換わる（c）。最後に、酸化剤の排気工程では、試料表面での反応に寄与しなかった水、およびアルミ-酸素-アルミ結合形成時の副生成物である水等が排気される。
この成膜方法の特徴は、各工程とも表面一原子層の反応であるため、膜厚制御性が非常に高いことである。本成膜方法は、DRAM向けキャパシタ絶縁膜の成膜には適した成膜方法であるが、高い絶縁性が要求されるアルミナには、高い精度で組成比が化学量論と一致することが求められる。この、アルミナの組成制御には、成膜時の各工程における表面反応の制御が重要となる。たとえば酸化剤に水を用いた場合、メチル基のOH基への置換が不十分であるとアルミナ膜中にメチルが残留してしまう。また、水の導入工程に置いて水が吸着せずに残ったメチル基には、次に導入されるTMAが吸着せず、ボイドが生じる。また逆に、メチル基のOH基への置換が完了しても尚、水が供給され続けると、水が表面に物理吸着し、次の酸化剤の排気工程で除去しきれず、アルミナ中に不純物として残る可能性がある。また次の工程で導入されたTMAと反応し、不純物を生じる可能性がある。このため、アルミナ組成の制御には、少なくとも酸化剤導入工程の制御が必要である。酸化剤の表面反応を制御するための因子は複数あると考えられるが、最も影響が大きく、また制御が容易であるのが、酸化剤の導入時間である。アルミと結合したメチル基が露出している試料表面に水を導入すると、時間と共にメチル基のOH基への置換が進むが、全てのメチル基がOH基に置換される時間に、水の導入を止め、水の排気を行なうと、組成が化学量論により近いのアルミナ成膜が可能である。
この考え方に基づいて、酸化剤に水を用いた場合のアルミナの成膜条件の最適化を行なった事例を紹介し、イットリウムを添加したハフニアの組成制御方法を考える上で必要となる知見を開示する。
図５は水導入時間を変化させた時の、成膜速度の変化を示した実験結果の例である。水排気時間が１.２秒の場合と９.６秒の場合について結果を示しているが、どちらについても、水導入時間の増加と共にアルミナの成膜速度が増大し、やがて飽和するという結果となっている。水の導入時間の増加に伴う成膜速度の増大は、図５で示したように、アルミと結合したメチル基がOH基へと置換した割合の増大と対応していると考えられる。OH基への置換が不十分だと次に導入されたTMAとの反応が十分行なうことが出来ないため、成膜速度は低下する。逆に、OH基への置換割合が増大し、１００％になると、成膜速度は増大し、やがて飽和して最大となる。つまり、成膜速度が最大となった水導入時間が、化学量論組成のアルミナ成膜のための最適な成膜条件であると考えられる。
次に最適な水の排気時間に関する検討結果を開示する。図６では、水排気時間を変化させたときのアルミナ成膜速度の変化を示した。水排気時間の増大に伴い、アルミナの成膜速度は減少している。水排気工程では、図４で説明したように、反応チャンバ内に不純物として残っている水を除去する工程である。水排気時間を増加させると、チャンバ内に気体として存在する、または試料表面に物理吸着した水の除去が進み、成膜速度が低下したと考えられる。アルミナ中の不純物は、アルミナの組成を化学量論から遠ざける原因となるため、出来るだけ除去することが望ましい。つまり、アルミナを原子層成長法で成膜する際における水排気時間は、十分長い時間を確保することが重要であると考えられる。
しかし、製品の製造には高いスループットが要求されるため、際限なく成膜時間を長くすることは得策ではない。そこで、不純物である水を除去する他の方法として、成膜時の反応チャンバの温度を増大させるという方法が考えられる。反応チャンバの温度を増大させると成膜時に試料表面に水が吸着する確率が減少して、より効率的な水の排気が可能である。図６では成膜温度を３００℃から４００℃まで上昇させた場合の成膜速度が記載されているが、３００℃では約８０秒要していた成膜速度に、４００℃では約４秒で達している。成膜速度の低減は、TMAの吸着確率の低減等他の因子も含んだ結果であるが、不純物の物理吸着は低減可能であり、反応チャンバ温度の増大は、各工程の時間短縮を可能にするものである。
最後に、以上の検討により得られた、最適な条件で成膜したアルミナで作成したキャパシタが、薄膜でより低リーク電流であるという結果を示す。図５において各水排気時間（１.２秒、９.６秒）において、水導入時間を増大させたときに、アルミナ成膜速度が増大し飽和する水導入時間を導出し、その点を結んだ直線を実線で示す。実線上の点は最適な水導入時間を有すると考え、その直線上で水排気時間を変化させた５つの条件で成膜したアルミナを絶縁膜としてキャパシタを試作した。その電気特性評価結果を図７に示す。上部電極には窒化チタン、下部電極にはリンをドーピングしたポリシリコンを用いた。横軸は、測定により求められた上部電極に１V印加した時の容量値から、酸化シリコンの誘電率を用いて見積もった酸化膜換算膜厚を示す。縦軸は、上部電極に１V印加したときの電流値を示す。水排気時間を増大させると、リーク電流値はほぼ同じ値を取るが、酸化膜換算膜厚は徐々に低下する。つまり、水排気時間の増大により、薄膜化に成功した。これは、アルミナの絶縁性が増加したことによると考えられ、成膜条件の最適化が適切であったことを示唆する。
以上、水の導入、水の排気の工程の最適化方法を開示したが、TMAの導入、TMAの排気工程の最適化も同様に行うことが可能である。また、酸化剤にオゾンを用いた場合、吸着定数が水に比べて小さいため、よりコンフォーマルな成膜が可能である一方、オゾンの最適な導入時間は水に比べて長くなる。しかし、最適な成膜条件の導出方法は水を酸化剤に用いた場合と同じである。
ここで示した成膜方法は、原子層成長法と呼ばれるが、示したような成膜条件の制御により組成の制御が可能である。この知見を応用して、イットリウムを添加したハフニアの成膜方法および、組成の制御方法を次に開示する。
イットリウムを添加したハフニアの成膜は、１サイクルが６つの工程に分けられる。そのタイミングチャートを図８に示す。まず初めに、ハフニウム化合物原料の導入、排気を行ない、次にイットリウム化合物原料の導入、排気、最後に酸化剤の導入、排気を行なう。各原料の導入、排気を一まとめにして、順序は入れ替えても構わない。まず、ハフニウム化合物原料の導入を行なう。ハフニウム化合物原料としては、塩化ハフニウム（HfCl４）、ハフニウム・タト・ブト・オキサイド（Hf［OC（CH３）３］４）、テトラキス・ジエチルアミド・ハフニウム（Hf［N（CH３）２］４）、テトラキス・ジメチルアミド・ハフニウム（Hf［N（C２H５）２］４）、テトラキス・エチル・メチル・アミド・ハフニウム（Hf［N（CH３）（C２H５）］４、以下TEMAH）等が挙げられる。続けてハフニウム化合物原料の排気を行なう。次に、イットリウム化合物原料の導入を行なう。イットリウム化合物原料としては、イットリウム・トリ・ジ・イソプロピル・アセト・アミディネート（Y［（（CH３）２CH）２CONH２］３）、トリ・ビス・トリメチル・シリル・アミド・イットリウム（［［（CH３）３Si］２N］３Y）、YBaCuOx等が挙げられる。続けてイットリウム化合物原料の排気を行なう。最後に、酸化剤の導入・排気を行なう。酸化剤としてはオゾンおよび水および過酸化水素等が挙げられる。
次に、イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で成膜する際の、試料表面の反応、およびイットリウム添加量の制御方法を解説する。アルミナを原子層成長法により成膜する際には、特定元素（Al）と酸素を試料表面に１層ずつ吸着するプロセスを繰り返している。イットリウムを添加したハフニアでは、基本的に原理は同じである。異なるのは、特定元素の吸着を２工程に分ける点である。図９に示すように、まず表面OH基の大部分にハフニウム化合物原料を吸着させ、残りのOH基にイットリウム化合物原料を吸着させる。イットリウム添加量を正確に制御するには、ハフニウム化合物原料の試料表面OH基の置換割合を正確に制御することが出来ればよい。その制御が可能であれば、次に、試料表面が全て置換されるまでイットリウム化合物原料に暴露し、ハフニウムに対しある特定の割合でイットリウムが含まれたの試料表面の組成が実現する。続けて酸化剤の導入を行ない、試料表面に吸着したイットリウム化合物およびハフニウム化合物中のイットリアおよびハフニウムに結合した基ほぼ全てをOH基に置換する。この成膜サイクルを複数回繰り返せば、イットリウム添加量が高い精度で制御されたイットリウム添加したハフニアの成膜が可能である。
そこで、次に、ハフニウムに対し、特に１０％のイットリウムを添加する方法を示す。ハフニアの化学量論組成はハフニウムと酸素の原子数の比が１：２であり、それに対し１０％程度のイットリウムを添加する場合、ハフニウムの一部をイットリウムに置き換えると考える。このように考えると、図１０に示すように原子％で１０％の添加を行なう場合、イットリウムとハフニウムと酸素の原子数の比はおよそ３：７：２０であればよい。つまり、ハフニウムとイットリウムの原子数の比が７：３であるため、成膜プロセスにおいて、試料表面のOH基のハフニウム化合物原料による置換割合は７０％として、残りの３０％をイットリウム化合物原料で置換すればよい。
次に、試料表面の原子・分子配列模式図を用いて、TEMAH、イットリウム・トリ・ジ・イソプロピル・アセト・アミディネートおよび水、以上３種の原料を用いてイットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で成膜する際の、表面反応を解説する。初めに、OH基が露出している試料表面を、ハフニウム化合物原料であるTEMAHに暴露する。すると、OH基の水素が、エチル・メチル・アミド基１つが分解したTEMAHに置換され、TEMAHの試料表面への化学吸着が始まる。試料表面に存在するOH基のTEMAHへの置換率をTEMAH置換率とし、TEMAHへの置換行なわれていない状態を０％、全てのOH基がTEMAHに置換した時を１００％と仮定する。このTEMAH置換率は、TEMAH導入開始と共に０％から時間と共に増加を初め、TEMAHが排気されると同時に増加が停止する。TEMAH導入時間と、TEMAH置換率の関係は、絶対値こそ原料の粘着定数や成膜条件が異なれば違いが生じるが、アルミナ成膜のメカニズムで解説した水導入時間と成膜レートつまりOH基への置換率の関係と定性的には同じと考えてよい。つまり、試料表面のOH基のTEMAHへの置換率は、TEMAHの導入時間で制御可能である。
次に、イットリウム添加量を高い精度で１０％とするための、TEMAHの導入時間の決定方法を開示する。図１１はイットリウムを添加したハフニア成膜速度の、TEMAH導入時間依存性である。イットリウムを添加したハフニアの成膜速度は、TEMAH導入時間の増大と共に増加する。しかし、成膜速度の増加率は次第に低下し、やがて飽和する。このような成膜速度の変化は、試料表面のOH基のTEMAHへの置換率に対応しているため、縦軸を次のように置き換えることが可能である。グラフの縦軸の第二軸として、試料表面OH基のTEMAHへの置換割合をグラフの右側に示す。TEMAH導入時間が十分短いときの、イットリウムを添加したハフニアの成膜速度が、TEMAHへの置換割合０％に対応し、TEMAH導入時間が十分長く、イットリウムを添加したハフニアの成膜速度が飽和したときの値が、TEMAHへの置換割合１００％に対応する。イットリウムを添加したハフニアのイットリウム添加量を１０％とする場合には、試料表面のOH基のTEMAHへの置換割合を７０％とすればよいことは先に述べた。そのため、TEMAHの導入時間は、図１１のグラフから試料表面のOH基のTEMAHへの置換割合が７０％となるような値を採用すればよい。ただし、完全に７０％に制御することが難しい場合は、±数％程度の余裕を持たせてハフニウム化合物原料の導入時間を決定しても良い。
次に、試料表面のOH基の７０％をハフニウム化合物原料であるTEMAHで置換し、TEMAHを排気した後の、イットリウム化合物原料の導入時間の決定方法を開示する。図１２はイットリウムを添加したハフニアの成膜速度のイットリウム化合物原料の導入時間依存性を示す。イットリウムを添加したハフニアの成膜速度は、図１１での説明と同様の理由により試料表面OH基の置換割合と置き換えることが可能である。現在、試料表面のOH基の７０％がTEMAHに置換されているため、イットリウム化合物原料の導入時間が十分短い場合、試料表面OH基の置換割合は７０％である。図１１と同様のメカニズムにより、イットリウム化合物原料の導入時間を増加すると、試料表面OH基の置換割合が増大し、やがて１００％で飽和する。試料表面のOH基の７０％をハフニウム化合物原料で、３０％をイットリウム化合物原料で置換した場合、ハフニアに対するイットリウム添加量が目標値である１０％となるため、イットリウム化合物原料の導入は、試料表面のOH基の置換割合が１００％となる時間が理想である。そのためには、少なくとも、イットリア化合物の導入時間を十分長く確保すればよい。しかし、イットリウム化合物原料の導入時間が過剰に長い場合、試料表面のOH基と反応しないイットリウム化合物原料が過剰に供給され、その結果、不純物が試料表面、または反応チャンバ内に堆積する。この不純物は、その後の工程のイットリウム化合物原料の排気工程で取り除くには多くの時間を要するためスループットを低下させ、また十分取り除かれなかった場合はその後の工程で導入される酸化剤と反応して、さらに不純物となる副生成物を発生する可能性がある。試料表面のOH基の置換割合が完全に１００％となるまでイットリウム化合物原料の導入を行なうと、等原料の導入時間が非常に長くなる不純物発生の可能性が生じる場合は、試料表面のOH基の置換割合が９９％以上となるイットリウム化合物原料の導入時間で良いと考える。
最後に、酸化剤の導入を行なう。図１３に示すように試料表面に露出したハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料の置換を行なうが、置換割合が多いほど、欠陥やボイドが少なく、化学量論組成に近い膜となる。しかし置換割合を１００％に十分近づけるために酸化剤の導入時間を長くしすぎるとスループットの低下が問題となる。そこで、試料表面のハフニウム化合物原料、およびイットリウム化合物原料の置換割合が９９％以上となる酸化剤導入時間以上を最適導入時間とする。
本成膜方法の利点は、各層においてハフニウムとイットリウムが所定の割合で成膜されるため、成膜直後で均一な組成の成膜が可能である。ただし、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料による、試料表面OH基の置換率を原料導入時間で制御する必要があるため、十分な条件出しと、各原料の導入・排気時間の高い精度での制御が必要となる。
以上、説明を行なった方法で、イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で、イットリウム添加量の制御性良く成膜可能である。また、説明を行なった三元系の材料の原子層成長法は、イットリウムを添加したハフニア以外の材料にも適用可能である。例えば、ハフニウム、アルミ、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコン等の材料をハフニア、アルミナ、イットリア、ジルコニア、三酸化ランタン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、二酸化チタン、三酸化スカンジウム、二酸化シリコンなどに添加した材料の成膜に応用可能である。
続いて、本発明によるキャパシタを有するDRAMメモリキャパシタの製造方法を開示する。図１４の断面図に示すように、公知な方法で形成されたメモリセル選択トランジスタの上にビット線１を形成し、また、選択トランジスタとキャパシタとの電気的接続を行なうポリシリコンプラグ２を形成する。図中、符号８は絶縁物層である。尚、図１４及び図１５に示された構成の下部に配される半導体集積回路の構成自体は、通例の各種のものを用いることが出来るので、図示は省略されている。本願発明の直接係る部分のみを図示した。以下、図１６より図２２までも同様である。
この上に、図１５に示すように膜厚１００ｎｍ程度の窒化シリコン膜３を化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition: 以下CVD法）によって堆積し、シリコン窒化膜３を加工する際のエッチングストッパとする。次に、図１６に示すように、窒化シリコン膜３の上部にテトラエトキシシランを原料とする酸化シリコン膜４を形成した。この酸化シリコン膜４を、図１７に示すようにフォトレジスト膜、ポリシリコン、タングステン、またはカーボン等、酸化シリコン膜とのエッチングの選択比が大きい材料をマスクとしてドライエッチング法により加工し、さらに窒化シリコン膜３のドライエッチングを続けて行い、図１８に示すようにポリシリコンプラグ２の上部に下部電極用の溝９を形成した。さらに、図１９に示すように、下部電極材料に窒化チタン膜５を３５ｎｍ堆積する。下部電極材料はタングステン、リンをドーピングしたポリシリコン、ルテニウム、金、銀、チタン、窒化タングステン、白金、銅、も適用可能である。次に、図２０に示すようなフォトレジスト膜を用いた公知のエッチバック技術によってこの窒化チタン膜５を各ビット毎に分離する。尚、装置間搬送の際に窒化チタン表面に酸化チタンが２nm程度形成する。この酸化チタンは、例えばフッ化水素酸などを用いてウエットエッチングして除去する。続けて、図２１に示すように先に示した原子層成長法により絶縁膜６に相当するイットリウムを添加したハフニアを成膜する。次に、図２２に示すように上部電極７向けの窒化チタン７をCVD法により成膜する。上部電極材料は、リンをドーピングしたポリシリコン、タングステン、窒化タングステン、ルテニウム、金、銀、チタン、白金、銅、も適用可能である。
＜実施例２＞
本実施例では、実施例１で開示した方法のような高い精度での原料導入時間の条件出し及び制御を必要としない、イットリウムを添加したハフニアの原子層成長法による成膜方法、及びイットリウム添加量を高い精度で制御する方法を開示する。
本成膜方法では、図２３に示したようにハフニウム化合物原料導入（３０）・排気（３１）と酸化剤導入（３２）・排気（３３）の４工程で成るハフニア成膜サイクルと、イットリウム化合物原料導入（３４）・排気（３５）および酸化剤導入（３６）・排気（３７）の４工程から成るイットリア成膜サイクルを、イットリウムの添加量が所望の値となるようにそれぞれ所定の回数ずつ繰り返し、成膜する方法である。ハフニア成膜サイクルとイットリア成膜サイクルの回数の比は、イットリウム添加量が少量であるためハフニア中のハフニウムの代わりにイットリウムが置き換わると考え計算した。その結果を図２４に示す。所望のイットリウム含有量（横軸）を得るために必要なハフニア成膜サイクルとイットリア成膜サイクルの回数の割合が縦軸に示されている。イットリウム含有量が増えると、ハフニア成膜サイクルの割合が減少し、イットリア成膜サイクルの割合が増大する。例えば、イットリウムを添加したハフニア中のイットリウム含有量を１０％としたい時には、ハフニア成膜プロセス回数を７０％、イットリア成膜プロセス回数を３０％とすればよい。この場合の、ハフニア成膜プロセスとイットリア成膜プロセスのタイミングチャートを図２５に示す。簡単のため、ハフニア成膜プロセスを７回、酸化イットリウム成膜プロセスが３回の場合について説明を行なう。１０サイクル中、各々のプロセスを所定の回数ずつ行なえばよいのだが、膜組成の均一性を重要視するか、ハフニアと酸化イットリウムの多結晶の混相とするかにより、各プロセスの順序が異なる。膜組成の均一性を重視する場合には、成膜例１のようにハフニア成膜プロセスと酸化イットリウム成膜プロセスが交互に行なわれるようにすべきである。一方、ハフニアと酸化イットリウムの混相としたい場合は、成膜例２のように、ハフニアの成膜プロセスおよび酸化イットリウム成膜プロセスをできるだけ続けて行うのが望ましい。
次に、本実施例で示した成膜方法において、ボイドや欠陥の少ないイットリウムを添加したハフニアを成膜が可能な、各原料の導入および排気時間を開示する。まず、はじめに、イットリア成膜プロセスについて開示を行なう。イットリア成膜プロセスは、イットリウム化合物原料の導入、イットリウム化合物原料の排気、酸化剤の導入、酸化剤の排気の４工程に分けられることは先に述べた。イットリウム化合物原料の導入では、試料表面のOH基をイットリウム化合物原料で置換するが、そのときのイットリウム化合物原料の導入時間と、イットリウムを添加したハフニアの成膜速度の関係を図２６に示す。イットリウムを添加したハフニアの成膜速度は、先に示したように、試料表面のOH基のイットリウム化合物原料への置換割合に置き換えることが可能である。イットリウム化合物原料の導入時間を増加させると、試料表面のOH基のイットリウム化合物原料への置換割合が０％から増加していき、やがて１００％で飽和する。ここでは、試料表面のOH基のイットリウム化合物原料への置換割合は１００％であることが望ましい。しかし、完全に１００％を得るためにはイットリウム化合物原料の導入時間が極端に長くなり、イットリウム化合物原料を過剰に導入したことに起因する不純物の発生の可能性があるため、９９％以上を目安とする。つまり、試料表面のOH基のイットリウム化合物原料への置換割合が９９％以上となるようにイットリウム化合物原料の導入時間を決定する。こうすることにより、置換されなかったOH基による欠陥やボイドの少ない、イットリウムを添加したハフニアの成膜が可能となる。
続いて、イットリウム化合物原料の排気を行なう。排気は、残留イットリウム化合物原料が十分少なくなるために十分な、長い時間であることが望ましい。しかし、成膜のスループット向上のためには極端に長い時間は適用できないため、成膜温度上昇による物理吸着抑制等の施策を講じ、適度な排気時間を適用すべきである。
その後、酸化剤の導入を行なう。試料表面のイットリウム化合物原料のイットリウムと結合している基を置換してOH基とする工程である。酸化剤の導入時間と、試料表面イットリウム化合物原料の酸化剤による酸化割合（OH基による置換割合）は、実施例１で示したアルミナの成膜における酸化工程と定性的に同じである。図２７では、酸化剤の導入時間に応じた、試料表面に吸着しているイットリア化合物のイットリアに結合している基の置換割合を示す。図２７に示すように、イットリウムを添加したハフニアの成膜速度が飽和する酸化剤の導入時間を選択し、試料表面のイットリウム化合物原料のOH基による置換割合を９９％以上とする。その結果、イットリウム化合物原料のイットリウムと結合している不活性な分子による不純物、欠陥およびボイドの発生を抑制できる。酸化剤の排気時間は、残留酸化剤の十分少なくなるために十分長い時間であることが望ましい。しかし、成膜のスループット向上のためには極端に長い時間は適当でないため、成膜温度上昇による物理吸着抑制等の施策を講じ、適度な排気時間を適用すべきである。
以上酸化イットリウムの成膜サイクルの詳細について開示したが、ハフニアの成膜サイクルについても、ほぼ同様のことが言える。ハフニアの成膜サイクルは、ハフニウム化合物原料の導入、ハフニウム化合物原料の排気、酸化剤の導入、酸化剤の排気の４工程に分けられる。ここで、試料表面のハフニウム化合物原料またはOH基を、OH基またはハフニウム化合物原料に置換する割合が９９％以上となるように、原料の導入時間を決定する必要がある。また、各原料の排気工程においても、各原料の残留物および副生成物が残らないように、排気時間を十分長く確保する必要がある。
ここまで示した酸化イットリウムの成膜サイクルおよびハフニアの成膜サイクルを、図２４で示した比に対応する回数だけ用いることにより、イットリウムを添加したハフニアのイットリウム添加量を正確に制御することが可能である。
本成膜方法の特徴は、各原料の導入により、試料表面の置換反応は全て９９％以上を目標としているということである。この特徴は、原料の導入による試料表面に露出している基の置換割合を、０％より大きく、９９％未満の特定の置換割合を目指す場合に比べて、原料の導入時間のマージンは大きく取れるという利点があるということを示す。それは、原料の置換割合が９９％以上であれば、導入時間は原則的に、原料の置換割合が９９％となる時間以上であれば良いためである。
ただし、本成膜方法により成膜した膜は、実施例１に示した方法に比べて、各元素の均一性に劣るという欠点がある。実施例１では、表面OH基の置換をハフニウム化合物原料で約７０％置換し、残りの約３０％をイットリウム化合物原料で置換しているため、ハフニウムとイットリウムが原子層レベルで混在しているが、本方法では、試料表面をハフニウム化合物原料で９９％以上置換し、酸化の後、次はOH基をイットリウム化合物原料で９９％以上置換している。そのため、ハフニウムを多く含む層とイットリウムを多く含む層ができるという特徴がある。本成膜方法で形成されたそのような組成ばらつきを解消する必要がある場合には、成膜後に試料に熱処理を行い各元素を拡散させることにより組成を均一化する等の施策がある。
以上、説明を行なった方法で、イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で、イットリウム添加量の制御性良く成膜可能である。また、説明を行なった三元系の材料の原子層成長法は、イットリウムを添加したハフニア以外の材料にも適用可能である。例えば、ハフニウム、アルミ、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコン等の材料をハフニア、アルミナ、イットリア、ジルコニア、三酸化ランタン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、二酸化チタン、三酸化スカンジウム、二酸化シリコンなどに添加した材料の成膜に応用可能である。
また、本絶縁膜を用いて作られるDRAMの形成プロセスの代表的なものは、実施例１で開示した方法と同じである。
＜実施例３＞
本実施例では、図２８に示すようにイットリウムを添加したハフニアの原子層成長法による成膜を、ハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料の混合気体の導入（４０）・排気（４１）、酸化剤の導入（４２）・排気（４３）の４工程に分け、ハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料の混合気体の導入工程は、各原料気体の分圧が、所望のイットリウム添加量が得られるような、粘着定数を用いて計算した吸着確率を元に見積もられた値を用いることを特徴とする。
その成膜装置の構成例を図２９に示す。ハフニウム化合物原料供給源１６およびイットリウム化合物原料供給源１７は、例えば各々流量を制御できるマスフロー（４８、４９）と弁（４４、４５）を介して反応チャンバ１０に接続されている。この部分は、各原料が反応チャンバ１０に導入される各原料の分圧が制御できる構成であれば良い。また、酸化剤（１８）は弁４６のみを介して反応チャンバに接続されている。また、ポンプ１９も弁４７を介して反応チャンバ１０に接続されている。反応チャンバは温度を２００℃から５００℃の間で制御できる温度制御装置１１が備え付けられている。尚、符号１９は真空ポンプ、符号４７はこれに対する弁である。
本実施例において、イットリウムを添加したハフニア中のイットリウム添加量を１０％とする方法は、ハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料の導入工程に置いて、試料表面のOH基７０％にハフニウム化合物原料を吸着させ、残りの３０％にイットリウム化合物原料を吸着させるという方法を用いる。ここで用いたパーセンテージは、実施例１において図１０を用いて説明した試料表面OH基の置換割合と同様の考え方による。実施例１では試料表面OH基の置換は、ハフニウム化合物原料の導入・排気、イットリウム化合物原料の導入・排気の４工程とし、ハフニウム化合物原料によるOH基の置換とイットリウム化合物原料によるOH基の置換が別の工程で行なわれる。一方、本実施例では、OH基の置換を、ハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料の導入・排気の２工程で行なうため、ハフニウム化合物原料によるOH基の置換とイットリウム化合物原料によるOH基の置換が同じ工程で同時に行われる。
試料表面にOH基が露出している試料に、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料の混合気体を暴露することにより、OH基の７０％をハフニウム化合物原料で、３０％をイットリウム化合物原料で置換する方法は、各原料の分圧を制御し、粘着定数を用いて算出される各原料の吸着確率の比を所定の値にあわせるという方法を用いる。ハフニウム化合物原料の試料表面のOH基の置換確率・分圧・粘着定数（スティッキング・コエフィシェント）をrHf・pHf・sHf、イットリウム化合物原料の試料表面のOH基の置換確率・分圧・粘着定数をrY・pY・sYとすると、
rHf∝pHf×sHf
rY∝pY×sY
の関係がある。すると、試料表面OH基のイットリウム化合物原料による置換割合（rY）と試料表面OH基のハフニウム化合物原料による置換割合（rHf）の比は、次のように表すことができる。
rY／rHf＝（pY・sY）／（pHf・sHf）
この式を用いると、実際に成膜を行なう際に適用するパラメータである、イットリウム化合物原料の分圧とハフニウム化合物原料の分圧比（pY/pHf）は、次のように表すことが可能である。
pY／pHf＝（rY／rHf）・（sHf／sY）
ここで、（rY／rHf）の値は、図３０を用いて所望のイットリウムを添加したハフニア中のイットリウム添加量に応じた値を代入する。特に、イットリウム添加量が１０％の場合は、０.４３である。また、各原料の吸着定数は、例えば参考資料１に記載されているアブ・イニシオ計算法によって算出可能である。または、分光法により実測することも可能である。図３０の縦軸は、図１０の値を用いて計算されたものである。得られたpY/pHfの値は、所望のイットリウム添加量を得るためのハフニウム化合物原料に対するイットリウム化合物原料の分圧比であり、反応チャンバ内の分圧比が求められた値になるように、マスフロー１とマスフロ２を制御する。本方法を用いることで、ハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料の導入工程により試料表面のOH基のうち７０％がハフニウム化合物原料で、３０％がイットリウム化合物原料で置換され、本サイクルで成膜を行なうことにより、イットリウム添加量が１０％であるイットリウムを添加したハフニアの成膜が可能である。
以上、説明を行なった方法で、イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で、イットリウム添加量の制御性良く成膜可能である。また、説明を行なった三元系の材料の原子層成長法は、イットリウムを添加したハフニア以外の材料にも適用可能である。例えば、ハフニウム、アルミ、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコン等の材料をハフニア、アルミナ、酸化イットリウム、ジルコニア、三酸化ランタン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、二酸化チタン、三酸化スカンジウム、二酸化シリコンなどに添加した材料の成膜に応用可能である。
また、本絶縁膜を用いて作られるDRAMの形成プロセスの代表的なものは、実施例１で開示した方法と同じである。
尚、元素の堆積に対する酸素圧との関係についての検討はなされている。例えば、インターナショナル・エレクトロン・デバイス・ミーティング（ＩＥＤＭ）２００３ プロシーディング “A Model for Al２O３ ALD conformity and deposition rate from oxygen precursor reactivity”（非特許文献１）に見られる。
＜実施例４＞
本実施例ではイットリウムを添加した酸化ハフニウムを、原子層成長法による酸化ハフニウム成膜と、CVD、または高アスペクトの形状にもコンフォーマルな成膜が可能な他の方法によるイットリウムの成膜を交互に行い形成する方法を開示する。
図３１にはその工程を示す。ハフニウム化合物原料の導入（５０）・排気（５１）および、酸化剤の導入（５２）・排気（５３）の４工程を１サイクルとし、サイクル１以上繰り返し、酸化ハフニウムを成膜する。その後、イットリウムを、CVD等、立体構造に対してもコンフォーマルな成膜（５４）が可能な方法で成膜する。
成膜直後で膜中の元素の均一性を高めたい場合、酸化ハフニウムのサイクルを少なくし、また、イットリウムの膜厚を薄くし、そのサイクルを数多く繰り返すことにより所定の膜厚成膜する方法が望ましい。成膜した膜は、深さ方向にイットリウムと酸化ハフニウムが短い周期で存在する構造となっており、組成の膜内均一性が高い。
一方、原子層成長法やCVD法による成膜において、成膜開始直後は成膜されない時間（インキュベーションタイム）が存在し、気相反応が不安定であるため、膜厚制御性が劣る。結果として、成膜した膜の組成が安定しないという欠点がある。例えば、イットリウムを添加した酸化ハフニウム中に含まれるイットリウムの含有量を、安定して１０％とすることが難しい。
そこで、成膜した膜の組成の制御性を高めるために、交互に成膜する酸化ハフニウムの膜とイットリウムの膜を、それぞれ膜厚の制御性が高い２ｎｍ以上とする。その結果、酸化ハフニウムの密度とイットリウムの密度を用いて、所定の組成比を得るために必要な各々の材料の膜厚比通りに成膜を行なえば、正確な組成比の成膜が可能である。ただし、本方法の欠点は、成膜直後の膜は、各材料を２ｎｍ以上ずつ交互に成膜しているため、組成が均一でないという点である。組成均一化のためには、本方法により成膜を行なった後、イットリウムの成膜を促し組成を均一化するために、熱処理を加える必要がある。
次に、イットリウムを添加した酸化ハフニウム中のイットリウム添加量を１０％とするための、イットリウムおよび酸化ハフニウムの膜厚比の算出方法を次に示す。ある一定の体積中にイットリウムをある割合で添加した酸化ハフニウム膜が存在し、その組成が均一であると仮定すると、イットリウム添加量に依存したイットリウムとハフニウムの原子数比は、図３２に示される値となる。特にイットリウム添加量が１０％のときは、ハフニウム原子数とイットリウム原子数の比は７０：３０である。一方、イットリウムの密度が４.４８ｇ／ｃｍ３であり、質量数が３９であり、ハフニアの密度が６.８２ｇ／ｃｍ２であり、質量数が８８であることを用い、ハフニアの膜厚をx ｃｍ、イットリウムの膜厚をy cmと表すと、イットリウムとハフニウムの原子数比はx×４.４８/３９：y×６.８２／８８と表せる。そこで、今求めた原子数比が７０：３０となるようにyとxの比を決定すると、y／xのイットリウム添加量依存性は、図３３に示す関係となる。よって、特にイットリウムの添加量を１０％とするためにはy／xの値を０.２９とすればよい。
以上、説明を行なった方法で、イットリウムを添加したハフニアを原子層成長法で、イットリウム添加量の制御性良く成膜可能である。また、説明を行なった三元系の材料の原子層成長法は、イットリウムを添加したハフニア以外の材料にも適用可能である。例えば、ハフニウム、アルミ、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコン等の材料をハフニア、アルミナ、イットリア、ジルコニア、三酸化ランタン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、二酸化チタン、三酸化スカンジウム、二酸化シリコンなどに添加した材料の成膜に応用可能である。また、本実施例で解説したイットリウムの制膜は、酸化イットリウムのように酸化物の形で成膜を行なっても良い。尚、この場合の各材料の膜厚比は上記と同様の方法で、各材料の密度・質量数を用いて計算すればよい。
また、本絶縁膜を用いて作られるDRAMの形成プロセスの代表的なものは、実施例１で開示した方法と同じである。
以上、本願発明を詳細に説明したが、以下に本願発明の主な諸形態を整理し、列挙する。
（１）半導体基板上に形成された複数のワード線と、複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の所定の交点に設けられたメモリ選択用トランジスタと該メモリセル選択用トランジスタに電気的に直列に接続され、前記半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタとから構成されるメモリセルとを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜からなることを特徴とし、前記絶縁膜は第一の元素および第二の元素および酸素から成っており、前記絶縁膜は第一の元素を含む化合物である第一の原料および第二の元素を含む化合物である第二の原料および酸素を含む酸化剤を交互に成膜面に暴露する方法により成膜されることを特徴としており、前記第一の原料を試料の暴露する工程において、試料表面の吸着サイトへの前記第一の原料の吸着率が１００％以下であることを特徴とし、残りの吸着サイトに前記第二の原料が吸着させるという特徴を有している、半導体集積回路装置の製造方法。
（２）前記第一の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法。尚、前記第一の元素は、前記群のうちの二者以上も用いうるが、そのうちの1者となすのが実際的である。
（３）前記第二の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（１）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。尚、前記第二の元素は、前記群のうちの二者以上も用いうるが、そのうちの1者となすのが実際的である。
（４）前記酸化剤は、水またはオゾンまたは過酸化水素のいずれかであることを特徴とする、前項（１）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（５）前記第一の元素および前記第二の元素の、成膜した膜中の含有量は、試料表面の吸着サイトの前記第一の原料および前記第二の原料による置換割合によって制御されることを特徴とする、前項（１）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（６）前記第一の原料がイットリウム化合物でありかつ、前記第二の元素がハフニウム化合物であることを特徴とする、前項（１）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（７）前記ハフニウム化合物を試料表面に暴露する工程に置いて、試料表面の吸着サイトへの前記ハフニウム化合物の吸着率を約６５％から７５％の間の値とし、残り約２５％から３５％の吸着サイトに前記イットリウム化合物を吸着させることを特徴とする、前項（６）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（８）イットリウムが添加されたハフニア中のイットリウムの添加量が原子量の割合で約１０％であることを特徴とする、前項（７）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（９）半導体基板上に形成された複数のワード線と、複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の所定の交点に設けられたメモリ選択用トランジスタと該メモリセル選択用トランジスタに電気的に直列に接続され、前記半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタとから構成されるメモリセルとを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜からなることを特徴とし、前記絶縁膜は第三の元素および第四の元素および酸素から成っており、前記絶縁膜は、第三の元素を含む化合物である第三の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第一のサイクルと、前記第四の元素を含む化合物である前記第四の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第二のサイクル、を組み合わせることにより成膜されることを特徴としており、前記第三の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第三の原料により置換されることを特徴とし、前記第四の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第四の原料により置換されることを特徴を有する半導体集積回路装置の製造方法。
（１０）前記第三の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（９）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
尚、前記第三の元素は、前記群のうちの二者以上も用いうるが、そのうちの一者となすのが実際的である。
（１１）前記第四の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（９）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。尚、前記第四の元素は、前記群のうちの二者以上も用いうるが、そのうちの一者となすのが実際的である。
（１２）前記酸化剤は、水またはオゾンまたは過酸化水素のいずれかであることを特徴とする、前項（９）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（１３）前記第三の元素および前記第四の元素の、成膜した膜中の含有量は、成膜時の、前記第一のサイクルのサイクル数および、前記第二のサイクルのサイクル数の、比により制御されることを特徴とする前項（９）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（１４）前記第三の元素がイットリウムであり、前記第四の元素がハフニウムであることを特徴とする、前項（１３）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（１５）成膜に用いる、前記第一サイクルのサイクル数および、前記第二のサイクルのサイクル数の比は、約３：７であることを特徴とする、前項（１４）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（１６）イットリウムが添加されたハフニア中のイットリウムの添加量が原子量の割合で約１０％であることを特徴とする、前項（１５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（１７）半導体基板上に形成された複数のワード線と、複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の所定の交点に設けられたメモリ選択用トランジスタと該メモリセル選択用トランジスタに電気的に直列に接続され、前記半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタとから構成されるメモリセルとを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜からなることを特徴とし、前記絶縁膜は第五の元素および第六の元素および酸素から成っており、前記絶縁膜は、第五の元素を含む化合物である第五の原料と前記第六の元素を含む化合物である第六の原料を成膜面に同時に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第三のサイクルを繰り返すことにより成膜されることを特徴としており、前記第五の原料および前記第六の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトの１００％以下が前記第五の原料によって置換され、残りの吸着サイトが前記第六の原料によって置換される特徴を有する半導体集積回路装置の製造方法。
（１８）前記第五の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（１７）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。尚、前記第五の元素は、前記群のうちの二者以上も用いうるが、そのうちの一者となすのが実際的である。
（１９）前記第六の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（１７）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。尚、前記第六の元素は、前記群のうちの二者以上も用いうるが、そのうちの一者となすのが実際的である。
（２０）前記酸化剤は、水またはオゾンまたは過酸化水素のいずれかであることを特徴とする、前項（１７）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２１）前記第五の元素および前記第六の元素の、成膜した膜中の含有量は、成膜時に試料表面に暴露する、前記第五の原料および、前記第六の原料の混合気体の、前記第五の原料の分圧と前記第六の原料の分圧の比によって制御されていることを特徴とする前項（１７）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２２）前記第五の元素がイットリウムであり、前記第六の元素がハフニウムであることを特徴とする、前項（２１）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２３）前記イットリウム化合物および、前記ハフニウム化合物の混合気体の、前記ハフニウム化合物の分圧に対するイットリウム化合物の分圧の比が０.４３であることを特徴とする前項（２２）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。尚、前記分圧の比０.４３は、±５％、より好ましくは±３％以内で用いられる。
（２４）イットリウムが添加されたハフニア中のイットリウムの添加量が原子量の割合で約１０％であることを特徴とする、前項（２３）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２５）半導体基板上に形成された複数のワード線と、複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の所定の交点に設けられたメモリ選択用トランジスタと該メモリセル選択用トランジスタに電気的に直列に接続され、前記半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタとから構成されるメモリセルとを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜からなることを特徴とし、前記絶縁膜は第七の元素および第八の元素および酸素から成っており、前記絶縁膜は、第七の元素を含む第七の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第四の成膜サイクルと、前記第八の元素または前記第八の元素の酸化物である第八の酸化物を成膜する第五の成膜サイクルを組み合わせることにより成膜されることを特徴としており、前記第七の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第七の原料により置換されることを特徴を有する半導体集積回路装置の製造方法。
（２６）前記第七の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（２５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２７）前記第八の元素は、イットリウム、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、ニオブ、タンタル、チタン、スカンジウム、シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（２５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２８）前記第八の酸化物は、イットリア、ハフニア、アルミナ、ジルコニア、三酸化ランタン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、二酸化チタン、三酸化スカンジウム、二酸化シリコンのいずれかであることを特徴とする、前項（２５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（２９）前記酸化剤は、水またはオゾンまたは過酸化水素のいずれかであることを特徴とする、前項（２５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（３０）前記第四の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚と、前記第五の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚は、ともに２nm未満であることを特徴とする、前項（２５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（３１）前記第四の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚と、前記第五の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚は、ともに２nm以上であることを特徴とする、前項（２５）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（３２）前記第七の元素および前記第八の元素の、成膜した膜中の含有量は、前記第四の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚と、前記第五の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚の比により制御されることを特徴とする前項（２５）請に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（３３）前記第七の元素がハフニウムであり、前記第八の元素がイットリウムであることを特徴とする、前項（３２）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（３４）前記第四の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚に対する、前記第五の成膜サイクルにより形成される物質の膜厚の比が、０.２９であることを特徴とする前項（３３）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
（３５）イットリウムが添加されたハフニア中のイットリウムの添加量が原子量の割合で約１０％であることを特徴とする、前項（３４）に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
本発明である成膜方法を実現するために必要な装置構成図である。 原子層成長法による成膜に必要な装置構成図である。 原子層成長法で成膜する際のタイミングチャート図である。 アルミナを原子層成長法で成膜する際の試料表面原子配列の模式図 アルミナ成膜速度の水導入時間依存性を示すグラフである。 アルミナ成膜速度の水排気時間依存性を示すグラフである。 膜厚・リーク電流密度の成膜条件依存性を示すグラフである。 イットリウムを添加したハフニアを成膜のタイミングチャート図である。 イットリウムを添加したハフニア成膜時の試料表面の原子配列の模式図である。 所望のイットリウム添加量を得るためのハフニウム化合物原料およびイットリウム化合物原料による試料表面OH基の置換率を示すグラフである。 イットリウム添加量を１０％とするための最適なハフニウム化合物原料の導入時間を示すグラフである。 イットリウム添加量を１０％とするための最適なイットリウム化合物原料の導入時間を示すグラフである。 最適な酸化剤の導入時間を示すグラフである。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 DRAMメモリセル近傍の断面図である。 イットリウムを添加したハフニアを原子層成長する際の工程表である。 所望のイットリウム添加量を得るための各成膜サイクル割合を示すグラフである。 イットリウムを添加したハフニア成膜のタイミングチャート図である。 イットリウム添加量を１０％とするための最適なイットリウム化合物原料の導入時間を示すグラフである。 イットリウム添加量を１０％とするための最適な酸化剤の導入時間を示すグラフである。 イットリウムを添加したハフニアを原子増成長する際の工程表である。 イットリウムを添加したハフニアを原子層成長するための装置構成図である。 所望のイットリウム添加量を得るためのイットリウム化合物原料とハフニウム化合物原料の試料表面吸着サイトへの吸着確率比を示すグラフである。 イットリウムを添加したハフニアを成膜するための工程表である。 所望のイットリウム添加量を得るためのイットリウムを添加したハフニア中の酸素以外の元素の組成割合を示すグラフである。 所望のイットリウム添加量を得るためのハフニア膜厚に対するイットリウム膜厚の比を示す図である。
符号の説明
１：ビット線、２：シリコンプラグ、３：窒化シリコン膜、４：酸化シリコン膜、５：窒化チタン膜、６：絶縁膜、７：上部電極、８：絶縁物層、１０：反応チャンバ、１１：温度制御装置、１２、１３、１４、１５：弁、１６：ハフニウム化合物原料供給源、１７：イットリウム化合物原料供給源、１８：酸化物供給源、１９：真空ポンプ、２０、２１、２２：弁、２３：真空ポンプ、２４：アルミ化合物原料供給源、３０：ハフニウム化合物原料導入、３１：ハフニウム化合物原料排気、３２：酸化物導入、３３：酸化物排気、３４：イットリウム化合物原料導入、３５：イットリウム化合物原料排気、３６：酸化物導入、３７：酸化物排気、４０：ハフニウム化合物原料・イットリウム化合物原料の導入、４１：ハフニウム化合物原料・イットリウム化合物原料の排気、４２：酸化剤導入、４３：酸化物排気、４４、４５、４６、４７：弁、４８、４９：マスフロー、５０：ハフニウム化合物原料導入、５１：ハフニウム化合物原料排気、５２：酸化物導入、５３：酸化物排気、５４：Ｙ成膜。

Claims (4)

  1. 半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
    前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
    前記絶縁膜は、第一の元素および第二の元素および酸素から成っており、
    前記絶縁膜は、第一の元素を含む化合物である第一の原料および第二の元素を含む化合物である第二の原料および酸素を含む酸化剤を交互に成膜面に暴露する方法により成膜され、
    且つ前記第一の原料を試料の暴露する工程において、前記成膜の表面の吸着サイトへの前記第一の原料の吸着率が１００％以下であり、且つ残りの吸着サイトに前記第二の原料が吸着させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  2. 半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
    前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
    前記絶縁膜は、第三の元素および第四の元素および酸素から成っており、
    前記絶縁膜は、第三の元素を含む化合物である第三の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第一のサイクルと、前記第四の元素を含む化合物である前記第四の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第二のサイクルと、を組み合わせることにより成膜され、
    且つ前記第三の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第三の原料により置換され、且つ前記第四の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第四の原料により置換されることを特徴を有する半導体集積回路装置の製造方法。
  3. 半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
    前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
    前記絶縁膜は、第五の元素および第六の元素および酸素から成っており、
    前記絶縁膜は、第五の元素を含む化合物である第五の原料と前記第六の元素を含む化合物である第六の原料を成膜面に同時に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第三のサイクルを繰り返すことにより成膜され、
    且つ前記第五の原料および前記第六の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトの１００％以下が前記第五の原料によって置換され、残りの吸着サイトが前記第六の原料によって置換されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  4. 半導体基板上に形成された情報蓄積用キャパシタを有するメモリセルを備えた半導体集積回路装置の製造方法であって、
    前記情報蓄積用キャパシタは下部電極、上部電極およびそれらに挟まれた絶縁膜を有し、
    前記絶縁膜は、第七の元素および第八の元素および酸素から成っており、
    前記絶縁膜は、第七の元素を含む第七の原料を成膜面に暴露し、その後酸素を含む酸化剤を成膜面に暴露する第四の成膜サイクルと、前記第八の元素または前記第八の元素の酸化物である第八の酸化物を成膜する第五の成膜サイクルを組み合わせることにより成膜され、
    且つ前記第七の原料を成膜面に暴露することにより成膜面の吸着サイトのほぼ全てが前記第七の原料により置換されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283658A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Elpida Memory Inc キャパシタ素子用の絶縁膜、キャパシタ素子及び半導体装置
JP2010067958A (ja) * 2008-08-11 2010-03-25 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
US8361551B2 (en) 2008-12-30 2013-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods forming high dielectric target layer
JP2014017354A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
WO2021100427A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP2021528856A (ja) * 2018-06-21 2021-10-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 酸化ハフニウムの薄膜におけるドーパント濃度のチューニング可能性
WO2025205845A1 (ja) * 2024-03-28 2025-10-02 株式会社村田製作所 膜およびその製造方法

Families Citing this family (412)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9139906B2 (en) * 2001-03-06 2015-09-22 Asm America, Inc. Doping with ALD technology
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US8076237B2 (en) * 2008-05-09 2011-12-13 Asm America, Inc. Method and apparatus for 3D interconnect
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8071452B2 (en) * 2009-04-27 2011-12-06 Asm America, Inc. Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8759234B2 (en) 2011-10-17 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Deposited material and method of formation
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9029253B2 (en) 2012-05-02 2015-05-12 Asm Ip Holding B.V. Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9040413B2 (en) * 2012-12-13 2015-05-26 Intermolecular, Inc. Using saturated and unsaturated ALD processes to deposit oxides as ReRAM switching layer
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
WO2014164742A1 (en) * 2013-03-11 2014-10-09 Intermolecular, Inc Atomic layer deposition of hfaic as a metal gate workfunction material in mos devices
US9607904B2 (en) 2013-03-11 2017-03-28 Intermolecular, Inc. Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
CN112242318A (zh) 2019-07-16 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理装置
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11735306B2 (en) 2019-11-25 2023-08-22 Dentsply Sirona Inc. Method, system and computer readable storage media for creating three-dimensional dental restorations from two dimensional sketches
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
KR20210158809A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343790A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Nec Corp 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
JP2002367982A (ja) * 2001-05-07 2002-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 多成分系薄膜及びその形成方法
JP2004056142A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Samsung Electronics Co Ltd 原子層蒸着法を利用した物質形成方法及びこれを利用した半導体装置のキャパシタ形成方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297539B1 (en) * 1999-07-19 2001-10-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same
JP2003514899A (ja) * 1999-11-23 2003-04-22 スミスクライン・ビーチャム・コーポレイション ＣＳＢＰ／ｐ３８キナーゼ阻害剤としての３，４‐ジヒドロ−（１Ｈ）−キナゾリン−２−オン化合物
JP2002285333A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6730164B2 (en) * 2002-08-28 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming strontium- and/or barium-containing layers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367982A (ja) * 2001-05-07 2002-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 多成分系薄膜及びその形成方法
JP2002343790A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Nec Corp 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
JP2004056142A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Samsung Electronics Co Ltd 原子層蒸着法を利用した物質形成方法及びこれを利用した半導体装置のキャパシタ形成方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283658A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Elpida Memory Inc キャパシタ素子用の絶縁膜、キャパシタ素子及び半導体装置
JP2010067958A (ja) * 2008-08-11 2010-03-25 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
US8361551B2 (en) 2008-12-30 2013-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods forming high dielectric target layer
JP2014017354A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法
JP2021528856A (ja) * 2018-06-21 2021-10-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 酸化ハフニウムの薄膜におけるドーパント濃度のチューニング可能性
JP7123189B2 (ja) 2018-06-21 2022-08-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 酸化ハフニウムの薄膜におけるドーパント濃度のチューニング可能性
US12261037B2 (en) 2018-06-21 2025-03-25 Applied Materials, Inc. Tunability of dopant concentration in thin hafnium oxide films
WO2021100427A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP2021082728A (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP7249930B2 (ja) 2019-11-20 2023-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
WO2025205845A1 (ja) * 2024-03-28 2025-10-02 株式会社村田製作所 膜およびその製造方法

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