JP2007191715A - 有機発光ダイオードの改善のためのポリチオフェン配合物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】A)一般式(I−a)及び/又は(I−b)[式中、A、Y、R、xは明細書中に記載される意味を有する]で示される繰返単位を有する少なくとも1種のポリチオフェンと、B)SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種のポリマーと、C)SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種の部分的にフッ素化された又は過フッ素化されたポリマーとを含有する配合物を提供する。
【選択図】なし
Description
1 キャリヤー、基板
2 ベース電極
3 正孔注入層
4 電子ブロック層
5 発光体層
6 正孔ブロック層
7 電子注入層
8 トップ電極
9 接点
10 カバー、封止
この構造は、最も詳細な事例を表しており、1つの層が幾つかの働きに取って代わるのであれば、個々の層を省くことによってその構造を簡易化することができる。最も簡単な事例では、EL装置は2つの電極を有し、それらの間には発光を含む全ての機能を満たす有機層が存在する。
A)一般式(I−a)及び/又は(I−b)
Aは、置換されていてよいC1〜C5−アルキレン基、有利には置換されていてよいエチレン基又はプロピレン基、特に有利には1,2−エタンジイル基を表し、
Yは、互いに無関係に、O又はSを表し、
Rは、直鎖状又は分枝鎖状のC1〜C18−アルキル基、有利には直鎖状又は分枝鎖状のC1〜C14−アルキル基、特に有利にはメチル基又はエチル基、C5〜C12−シクロアルキル基、C6〜C14−アリール基、C7〜C18−アラルキル基、C1〜C4−ヒドロキシアルキル基又はヒドロキシル基を表し、
xは、0〜8の整数、有利には0、1又は2、特に有利には0又は1を表し、
幾つかの基RがAに結合されている場合に、これらは同一又は異なってよい]で示される繰返単位を有する少なくとも1種のポリチオフェン(その際、一般式(I−a)においてYがOを表す場合に、該ポリチオフェンは、更に、一般式(I−a)で示され、その式中、YがSを表す繰返単位を有するか、又は一般式(I−b)で示される繰返単位を有する)と、
B)SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種のポリマー(その際、M+は、H+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+又はNH4 +、有利にはH+、Na+又はK+を表す)と、
C)SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種の部分的にフッ素化された又は過フッ素化されたポリマー(その際、M+は、H+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+又はNH4 +、有利にはH+、Na+又はK+を表す)と
を含有する配合物を提供する。
で示される繰返単位を全体でn個有し、その際、nは、2〜2000、有利には2〜100の整数であってよい。一般式(I−a)及び/又は(I−b)の繰返単位は、それぞれの場合において、ポリチオフェン内では同一又は異なってよい。有利なポリチオフェンは、それぞれの場合に一般式(I−a)で示され、その式中、YがSを表す同一の繰返単位を有するポリチオフェン、それぞれの場合に一般式(I−b)で示され、その式中、YがSを表す同一の繰返単位を有するポリチオフェン、及び一般式(I−a)で示され、その式中、YがOとSの両者を表す繰返単位を有するコポリマー又は一般式(I−a)及び(I−b)の繰返単位を有するコポリマーである。これらは、特に有利には一般式(I−aa)で示され、その式中、YがSを表す繰返単位のホモポリチオフェン又は一般式(I−bb)の繰返単位のホモポリチオフェン、非常に特に有利には式(I−aa−2)又は(I−bb−1)の繰返単位のホモポリチオフェンである。更に特に有利なポリチオフェンは、一般式(I−aa)で示され、その式中、YがOとSの両者を表す繰返単位又は一般式(I−aa)及び(I−bb)の繰返単位のコポリチオフェン、非常に特に有利には一般式(I−aa−1)及び(I−aa−2)の繰返単位のコポリチオフェン、一般式(I−aa−1)及び(I−bb−1)の繰返単位のコポリチオフェンもしくは一般式(I−aa−2)及び(I−bb−1)の繰返単位のコポリチオフェンである。
a)金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)、スズ酸化物(NESA)、ドープされたスズ酸化物、ドープされた亜鉛酸化物など、
b)半透明金属薄膜、例えばAu、Pt、Ag、Cuなど、
c)半透明の導電性ポリマー、例えばポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロールなど
である。
ポリ(エチレンオキシチアチオフェン)−PPS錯体とNafion(登録商標)とのその混合物の製造
1.06gのPSS(分子量Mw=48000)、0.47gのEOTT及び0.25gのヨウ素酸ナトリウムを103.7gの水中に溶かした溶液を、50℃で7日間撹拌した。次いで、その深青色の反応混合物を、それぞれ9gのカチオン及びアニオン交換体(Lewatit(登録商標)S100及びLewatit(登録商標)MP62)で8時間脱イオン化し、そして次いで該イオン交換樹脂を濾別した。イオン含量:1ppmの硫酸イオン、14ppmのNa+、<20ppmのヨウ化物イオン。
19.6gの前記の脱イオン化配合物
(これは0.225gのPEOTT−PSS錯体に相当する)
12.97gの水
12.1gのエタノール
10.75gのLiquion(登録商標)1100(Ion Power Inc.社(米国)製のNafion(登録商標)を含有する溶液、2−プロパノール/H2O中の5質量%濃度溶液、1100当量)
(これは0.5gのNafion(登録商標)に相当する)
このために、エタノールと水を、まずLiquion(登録商標)1100中に計量し、該混合物を23℃で1/4時間撹拌し、そして次いでPEOTT−PSS錯体を計量供給して、その後に該混合物を23℃で更に1/2時間撹拌した。
ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸と過フッ素化されたポリマーとの混合物の製造
ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸溶液(H.C.Starck GmbH社、脱塩されたBaytron(登録商標)PH)を、Nafion(登録商標)溶液(Liquion(登録商標)1100、2−プロパノール/H2O中5質量%濃度溶液、1100当量、Ion Power Inc.社(米国))と、PEDT:PSS:Nafion(登録商標)の質量比1:2.5:7.5で混合した。
実施例1からの本発明による配合物を使用して、有機発光ダイオード(OLED)を構築した。OLEDの製造の手順は以下のとおりである:
1. ITO被覆基板の製造
ITO被覆ガラス(Merck Balzers AG社、FL、部品番号253674XO)を、50mm×50mmのサイズの小片(基板)に切断した。次いでそれらの基板を、3%濃度のMucasol水溶液中で超音波浴において15分間清浄化した。次いで、それらの基板を蒸留水ですすぎ、そして遠心分離器中でスピン乾燥させた。このすすぎと乾燥の作業は10回繰り返した。被覆直前に、ITO被覆側を、UV/オゾンリアクター(PR−100、UVP Inc.社(英国ケンブリッジ在)において10分間清浄化させた。
約10mlの、実施例1からの本発明による配合物を濾過した(Millipore HV、0.45μm)。清浄化したITO被覆基板を、塗料用スピンコーターに載置し、そして濾過された溶液を、基板のITO被覆側にわたって分配させた。次いで上澄み溶液を、500rpmでのプレートの回転によって30秒間の期間にわたり蓋を閉じて振り落とした。次いで、前記のように被覆された基板を、ホットプレート上で200℃で5分間乾燥させた。その層厚は、50nmであった(Tencor、Alphastep 500)。
発光体Green 1300 LUMATION(商標)(Dow Chemical Company社)の1質量%濃度のキシレン溶液5mlを濾過(Millipore HV、0.45μm)し、そして乾燥された正孔注入層上に分配させた。次いで発光体の上澄み溶液を、500rpmでのプレートの回転によって30秒間の期間にわたり蓋を閉じて振り落とした。次いで、その層をホットプレート上で110℃で5分間にわたり乾燥させた。全層厚は、130nmであった。
金属電極は、発光体層上にカソードとして蒸着させた。このために、発光体層を有する基板を、2.5mm直径の穿孔を有するストリップマスクの下に載置した。5nm厚のBa層と、次いで200nm厚のAg層とを、連続的に2つの蒸着用ボートから、圧力p=10−3Paで蒸着させた。蒸着速度は、Baについては10Å/秒であり、かつAgについては20Å/秒である。隔離された金属電極は、4.9mm2の面積を有していた。
有機LEDの2つの電極を、電圧源に電気リードを介して接続(接触)させた。陽極を、ITO電極に接続し、そして陰極を、金属電極に薄い可撓性のAuワイヤを介して接続した。OLED電流と電界発光強度(検出はホトダイオード(EG&G C30809E)を用いた)の電圧に対する依存性を記録した。次いで寿命を、I=0.32mA(8mA/cm2)の定電流を該装置に流し、そして電圧と光強度とを時間の関数としてモニタリングすることによって測定した。
ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸とNafion(登録商標)との混合物を正孔注入層として用いたOLEDの製造
手順は、実施例3と同様であるが、方法工程2に以下の変更を加えた:
2. 正孔注入層の適用
実施例2からの約10mlの溶液を濾過した(Millipore HV、0.45μm)。次いでITO被覆基板を、塗料用スピンコーターに載置し、そして濾過された溶液を、基板のITO被覆側にわたって分配させた。次いで上澄み溶液を、850rpmでのプレートの回転によって30秒間の期間にわたり蓋を閉じて振り落とした。次いで、前記のように被覆された基板を、ホットプレート上で200℃で5分間乾燥させた。層厚は50nmであった。
ポリ(チエノ[3,4−b]チオフェン)/ポリスチレンスルホン酸錯体及びそのNafion(登録商標)との混合物の製造
1.25gのPSS(分子量Mw=460000g/モル)、195.6gの水及び1.44gの水中1%濃度の硫酸鉄(III)溶液の溶液を、室温で撹拌した。285mgのチエノ[3,4−b]チオフェンを添加し、そして該溶液を1時間撹拌した。726mgのペルオキソ二硫酸ナトリウムを添加した。3時間撹拌した後に、215mgのチエノ[3,4−b]チオフェンを添加し、そして更に15分後に、474mgのペルオキソ二硫酸ナトリウムを添加した。18時間撹拌した後に、該混合物を10gのカチオン交換体及び6gのアニオン交換体(Lewatit(登録商標)S100及びLewatit(登録商標)MP62)で8時間脱イオン化させ、そして該イオン交換樹脂を次いで濾別した。ポリ(チエノ[3,4−b]チオフェン)/ポリスチレンスルホン酸(PTT/PSS)の分散液を、回転蒸発器上で半分の容量にまで濃縮した。
20gの前記の脱イオン化配合物
(これは0.3gのPTT−PSS錯体に相当する)
13gの水
12.1gのエタノール
13.82gのLiquion(登録商標)1100(Ion Power Inc.社(米国)製のNafion(登録商標)を含有する溶液、2−プロパノール/H2O中の5質量%濃度溶液、1100当量)
(これは0.64gのNafion(登録商標)に相当する)
このために、エタノールと水を、まずLiquion(登録商標)1100中に計量し、該混合物を23℃で1/4時間撹拌し、そして次いでPTT−PSS錯体を計量供給して、その後に該混合物を23℃で更に1/2時間撹拌した。
Claims (15)
- 以下の
A)一般式(I−a)及び/又は(I−b)
[式中、
Aは、置換されていてよいC1〜C5−アルキレン基、有利には置換されていてよいエチレン基又はプロピレン基を表し、
Yは、互いに無関係に、O又はSを表し、
Rは、直鎖状又は分枝鎖状のC1〜C18−アルキル基、C5〜C12−シクロアルキル基、C6〜C14−アリール基、C7〜C18−アラルキル基、C1〜C4−ヒドロキシアルキル基又はヒドロキシル基を表し、
xは、0〜8の整数を表し、
幾つかの基RがAに結合されている場合に、これらは同一又は異なってよい]で示される繰返単位を有する少なくとも1種のポリチオフェン(その際、一般式(I−a)においてYがOを表す場合に、該ポリチオフェンは、更に、一般式(I−a)で示され、その式中、YがSを表す繰返単位を有するか、又は一般式(I−b)で示される繰返単位を有する)と、
B)SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種のポリマー(その際、M+は、H+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+又はNH4 +、有利にはH+、Na+又はK+を表す)と、
C)SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種の部分的にフッ素化された又は過フッ素化されたポリマー(その際、M+は、H+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+又はNH4 +、有利にはH+、Na+又はK+を表す)と
を含有する配合物。 - 請求項1から3までのいずれか1項記載の配合物であって、一般式(I−a)及び/又は(I−b)の繰返単位を有する少なくとも1種のポリチオフェンが、それぞれの場合に一般式(I−a)で示され、その式中、YがSを表す同一の繰返単位を有するポリチオフェン、それぞれの場合に一般式(I−b)で示され、その式中、YがSを表す同一の繰返単位を有するポリチオフェン、又は一般式(I−a)で示され、その式中、YがOとSの両者を表す繰返単位を有するコポリマー、又は一般式(I−a)及び(I−b)で示される繰返単位を有するコポリマーであることを特徴とする配合物。
- 請求項1から4までのいずれか1項記載の配合物であって、一般式(I−a)及び/又は(I−b)で示される繰返単位を有する少なくとも1種のポリチオフェンに加えて、他の導電性ポリマー、例えばポリアニリン、ポリピロール又はポリチオフェン、有利にはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を含有することを特徴とする配合物。
- 請求項1から5までのいずれか1項記載の配合物であって、SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種のポリマーB)として、ポリスチレンスルホン酸(PSS)を含有することを特徴とする配合物。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載の配合物であって、SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種の部分的にフッ素化された又は過フッ素化されたポリマーC)として、テトラフルオロエチレンと、ポリ(ヘキサフルオロプロピレンオキシド)モノ(テトラフルオロビニルスルホン酸)エーテルのトリフルオロビニルエーテルとのコポリマーを含有することを特徴とする配合物。
- 請求項1から8までのいずれか1項記載の配合物であって、1種又は複数種のポリチオフェンA)と、SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する1種又は複数種の部分的にフッ素化された又は過フッ素化されたポリマーC)との質量比が、1:2〜1:15であることを特徴とする配合物。
- 請求項1から9までのいずれか1項記載の配合物であって、1種又は複数種のポリチオフェンA)と、SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する1種又は複数種のポリマーB)との質量比が、1:2〜1:25であることを特徴とする配合物。
- 請求項1から10までのいずれか1項記載の配合物であって、追加的に、少なくとも1種の極性希釈剤を含有することを特徴とする配合物。
- 請求項11記載の配合物であって、極性希釈剤D)として、水、アルコール、特にメタノール、エタノール、n−プロパノール、2−プロパノール又はn−ブタノールからなる系列のアルコール又はこれらの希釈剤の少なくとも1つを含有する任意の所望の混合物を使用することを特徴とする配合物。
- 請求項1から12までのいずれか1項記載の配合物の製造方法において、SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種のポリマーB)及び少なくとも1種のポリチオフェンA)を含有する混合物を、場合により希釈剤の存在下で溶液又は分散液の形で、SO3 −M+基又はCOO−M+基を有する少なくとも1種の部分的にフッ素化された又は過フッ素化されたポリマーC)と、場合により希釈剤の存在下で溶液又は分散液の形で、混合することを特徴とする方法。
- 請求項1から12までのいずれか1項記載の配合物を、電界発光装置、有機太陽電池、有機レーザダイオード、有機薄膜トランジスタ又は有機電界効果トランジスタ中の正孔注入層又は正孔輸送層の製造のために、電極又は導電性コーティングの製造のために用いる使用。
- 少なくとも2つの電極を有し、そのうち場合により少なくとも1つが、場合により透明な基板に適用されており、それらの2つの電極の間に少なくとも1つの発光体層を有し、かつ該2つの電極の1つと発光体層との間に少なくとも1つの正孔注入層を有する電界発光装置、特に発光ダイオードであって、該正孔注入層が請求項1から12までのいずれか1項記載の配合物を含有することを特徴とする電界発光装置。
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