JP2007036012A - Chip resistor for large electric power - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は,チップ型にした絶縁基板の表面に抵抗膜を形成して成るチップ抵抗器のうち,大電力に対応できるように構成したチップ抵抗器に関するものである。 The present invention relates to a chip resistor configured to cope with high power among chip resistors formed by forming a resistance film on the surface of a chip-type insulating substrate.
従来,この種のチップ抵抗器Aは,例えば,特許文献1等に記載され,且つ,図4に示すように,長さ寸法がLで,幅寸法がWの長方形にした絶縁基板A1の上面に,抵抗膜A2を絶縁基板A1における長さ方向に延びるように形成する一方,前記絶縁基板A1における長さ方向の両端面A1′に,前記抵抗膜A2の両端に対する端子電極A3を形成して,この両端子電極A3を,プリント基板等に対して半田付けにて実装するという構成にしている。
Conventionally, this type of chip resistor A is described in, for example,
但し,この図3において符号A4は,抵抗値調整用のトリミング溝である。
前記図4に示す従来のチップ抵抗器Aにおいては,プリント基板等に対して半田付けされる左右一対の端子電極A3の間に,一つの抵抗膜A2を設けて成るという形態であることにより,両端子電極A3に対する印加電力が,その間の一つに抵抗膜A2に集中し,当該一つの抵抗膜A2における温度上昇が大きくなるから,大電力用に適用することができないという問題があった。 The conventional chip resistor A shown in FIG. 4 has a configuration in which one resistive film A2 is provided between a pair of left and right terminal electrodes A3 soldered to a printed circuit board or the like. The power applied to both terminal electrodes A3 is concentrated on the resistance film A2 in one of them, and the temperature rise in the one resistance film A2 becomes large, so that there is a problem that it cannot be applied for high power.
この場合において,図5に示すように,前記と同じ長方形サイズ(長さ寸法Lを同じにするとともに,幅寸法Wを同じにする)にした絶縁基板B1において,その上面に,当該絶縁基板B1における幅方向に延びる抵抗膜B2の複数個を,長さ方向に並列に形成する一方,前記絶縁基板B1における長さ方向の左右両側面,つまり,左右両長手側面B1′に,前記各抵抗膜B2について共通の端子電極B3を形成するというように多連のチップ抵抗器Bに構成することにより,印加電力を複数の抵抗膜B2に分散できるから,前記図4の図示したチップ抵抗器Aと同じ長方形サイズのままで,大電力化を図ることができる。 In this case, as shown in FIG. 5, in the insulating substrate B1 having the same rectangular size (the same length dimension L and the same width dimension W) as described above, the insulating substrate B1 is formed on the upper surface thereof. A plurality of resistance films B2 extending in the width direction are formed in parallel in the length direction, while the resistance films B2 are formed on both left and right side surfaces in the length direction of the insulating substrate B1, that is, on both left and right long side surfaces B1 '. By configuring the multiple chip resistors B to form a common terminal electrode B3 for B2, the applied power can be distributed to the plurality of resistive films B2, so that the chip resistor A shown in FIG. High power can be achieved with the same rectangular size.
しかし,その反面,この多連のチップ抵抗器Bにおける各抵抗膜B2は,絶縁基板B1における幅方向に延びる長さであることにより,その電流経路の長さが,前記図4のチップ抵抗器Aの場合よりも大幅に短くなるから,静電気や電源ノイズ等の影響で発生するサージ電圧が印加した場合における抵抗値の変化率が大きくて,耐サージ特性が低いという問題がある。 However, on the other hand, each resistive film B2 in this multiple chip resistor B has a length extending in the width direction of the insulating substrate B1, and therefore the length of the current path is the chip resistor of FIG. Since it is much shorter than the case of A, there is a problem that the rate of change in resistance value is large when a surge voltage generated due to the influence of static electricity or power supply noise is applied and the surge resistance is low.
本発明は,大電力に適合し,且つ,耐サージ特性の高いチップ抵抗器を提供することを技術的課題とするものである。 An object of the present invention is to provide a chip resistor that is suitable for high power and has high surge resistance.
この技術的課題を達成するため本発明の請求項1は,
「矩形にした絶縁基板における左右両側面に,半田接続用の端子電極を形成する一方,前記絶縁基板における上面のうち前記両端子電極間の部分に,両端が両端子電極に導通する複数個の抵抗膜を,並列に並べて形成し,この抵抗膜の各々を,その一端における端子電極からその他端における端子電極に向かってつづら折りに構成する。」
ことを特徴としている。
In order to achieve this technical problem,
“A plurality of terminal electrodes for solder connection are formed on both the left and right side surfaces of the rectangular insulating substrate, while both ends of the upper surface of the insulating substrate are electrically connected to both terminal electrodes. The resistive films are formed side by side, and each of the resistive films is configured to be folded from the terminal electrode at one end to the terminal electrode at the other end.
It is characterized by that.
また,請求項2は,
「前記請求項1の記載において,前記絶縁基板が長方形であり,前記両端子電極が,前記絶縁基板における左右両長手側面に形成されている。」
ことを特徴としている。
“In the first aspect of the present invention, the insulating substrate is rectangular, and the terminal electrodes are formed on both left and right longitudinal sides of the insulating substrate.”
It is characterized by that.
前記請求項1に記載した構成にすることにより,両端子電極に対する印加電力は,複数個の各抵抗膜に分散されることになるから,大電力に適応することができる一方,前記各抵抗膜は,つづら折りで電流経路の長さが長いから,サージ電圧が印加した場合における抵抗値の変化率が小さくなり,耐サージ特性を向上できる。
With the configuration described in
特に,請求項2に記載した構成によると,長方形のサイズを変更することなく,大電力化と,耐サージ特性の向上とを図ることができる。
In particular, according to the configuration described in
以下,本発明の実施の形態を図面について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1〜図3は,本発明の実施の形態によるチップ抵抗器1を示す。
1 to 3 show a
このチップ抵抗器1は,セラミック等の耐熱絶縁体製の絶縁基板2を備え,この絶縁基板2は,長さ寸法がLで,幅寸法がWの長方形に形成されている。
The
前記絶縁基板2におけるその長さ方向の左右両側面,つまり,左右両長手側面2′には,半田接続用の端子電極3を,長手側面2′に沿って延びるように形成している。
一方,前記絶縁基板2における上面のうち前記両端子電極3の間の部分には,抵抗膜4の複数個(図面は,3個にした場合を示す)が,絶縁基板2の長さ方向に適宜間隔で並列状に並べて形成されており,この各抵抗膜4は,その両端が前記両端子電極3に対して電気的に導通されている。
On the other hand, in the upper surface of the
しかも,前記各抵抗膜4は,当該抵抗膜における一方の側面4′からの複数本(図面では二本)の入り込み溝5と,他方の側面4″からの複数本(図面では二本)の入り込み溝6とを交互に設けることにより,つづら折りに構成されている。
Moreover, each of the
また,前記絶縁基板2の上面には,前記各抵抗膜4の全体を覆うカバーコート7が形成されている。
A
なお,前記各抵抗膜4は,当該抵抗膜4をスクリーン印刷にて形成するときに同時に入り込み溝5,6を設けることによって,つづら折りに構成しても良いが,前記入り込み溝5,6の一部又は全部を,スクリーン印刷した後でのレーザ光線の照射等の加工によって刻設することによって,つづら折りに構成しても良い。
Each of the
前記した構成において,両端子電極3に対する印加電力は,複数個の各抵抗膜4に分散されることになるから,大電力に適応することができる一方,前記各抵抗膜4は,つづら折りでであることにより,電流経路の長さが長いから,サージ電圧が印加した場合における抵抗値の変化率が小さくなり,耐サージ特性を向上できる。
In the above-described configuration, the applied power to both
図6及び図7は,前記図1〜図3に示す本発明によるチップ抵抗器1,前記図4に示す従来のチップ抵抗器A及び前記図5に示す多連のチップ抵抗器Bを,同じ長方形サイズ(長さ寸法Lを同じにするととにも,幅寸法Wを同じにする)して,その性能比較した実験結果を示す。
6 and 7 are the same as the
すなわち,図6は,両端子電極に対して電力を印加した場合に抵抗膜の表面における温度上昇を示すもので,前記従来のチップ抵抗器Aの場合には,温度上昇が,一点鎖線Cで示すように大きいのに対し,前記本発明によるチップ抵抗器1及び前記多連のチップ抵抗器Bの場合には,温度上昇が,実線Dで示すように大幅に低くことができるのであった。
That is, FIG. 6 shows a temperature rise on the surface of the resistance film when power is applied to both terminal electrodes. In the case of the conventional chip resistor A, the temperature rise is indicated by a one-dot chain line C. In contrast, in the case of the
次に,図7は,静電破壊試験(耐サージ特性評価)を示すもので,前記多連のチップ抵抗器Bの場合には,抵抗値の変化が,一点鎖線Eで示すように可成り大きいのに対し,前記本発明によるチップ抵抗器1及び前記従来のチップ抵抗器Aの場合には,抵抗値の変化が,実線Fで示すように大幅に小さくできることができるのであった。
Next, FIG. 7 shows an electrostatic breakdown test (evaluation of surge resistance). In the case of the multiple chip resistor B, the change in the resistance value is significant as shown by the alternate long and short dash line E. On the other hand, in the case of the
これらの実験により,本発明によると,従来のチップ抵抗器1と同じ長方形サイズにした状態のもとで,大電力化と,耐サージ特性の向上とを図ることができることが明らかになった。
From these experiments, it has been clarified that according to the present invention, the power can be increased and the surge resistance can be improved under the same rectangular size as the
なお,本実施の形態の場合,前記絶縁基板2における左右両長手側面2′には,少なくとも一つの凹所8を設けて,この凹所8の内面にも,端子電極3を形成して,プリント基板9等への半田付けに際して半田フレットが,前記凹所8内の部分にまで盛り上がるように構成することにより,半田付け強度の向上を図るようにしている。
In the case of the present embodiment, at least one
1 チップ抵抗器
2 絶縁基板
2′ 長手側面
3 端子電極
4 抵抗膜
5,6 入り込み溝
7 カバーコート
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