JP2007048571A - 有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成し得る製造技術を提供すること。
【解決手段】 有機ＥＬ装置の製造方法であって、導電性を有する第１の膜(2)を形成する第１工程と、絶縁性を有する第２の膜(3)を第１の膜上に形成する第２工程と、第１の膜及び第２の膜をレーザエッチングによって整形することにより、第１の電極(2a)及び当該第１の電極の上面を覆う被膜(3a)を形成する第３工程と、被膜を第１の電極の外縁に沿った部分のみが残留するように整形する第４工程と、第１の電極を囲む隔壁(5)を形成する第５工程と、隔壁の内側であって第１の電極上に発光層(7)を形成する第６工程と、発光層上に第２の電極(8)を形成する第７工程と、を含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、一又は複数の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を備える有機ＥＬ装置の製造方法及び当該有機ＥＬ装置を備える電子機器に関する。

有機ＥＬ装置は、従来の液晶表示装置等の平面型表示装置を超える性能を備える表示装置を実現するためのキーデバイスとして注目されている。この有機ＥＬ装置は、二の電極（陰極、陽極）の間に有機高分子等からなる発光層を介在させてなる有機ＥＬ素子を含んで構成されている。有機ＥＬ素子を構成する電極（特に陽極）は、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜などの透明導電膜を用いて形成される場合が多い。かかる電極のパターニングには、従来はフォトリソグラフィ技術が利用されていた。しかし、フォトリソグラフィ技術には多くの機械設備や薬品等が必要となるため、近年では、コスト面や環境保護の点でより有利なレーザ照射によるパターニング（レーザエッチング）が注目されている。このレーザエッチングとは、レーザ光の照射によって加工対象物にアブレーションを生じさせることにより形状整形を行う加工技術である

上述したレーザエッチングでは、加工領域周辺にデブリと呼ばれる飛散物が付着し、製品の品質を低下させる原因になるという不都合がある。このため、上記デブリの付着を防止するために様々な手法が提案されている。例えば、特開平８−１８７５８８号公報（特許文献１）には、被加工物の表面に有機薄膜を形成しておき、この有機薄膜を介して被加工物の所定領域にレーザ光を照射してアブレーション加工を行い、その後有機薄膜を除去する、という内容のレーザ加工方法が開示されている。この技術によれば、アブレーション加工により発生したデブリは有機薄膜の表面に付着するので、有機薄膜の除去によりデブリも共に除去される。

特開平８−１８７５８８号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、有機薄膜は主として加工時におけるデブリの付着を防止する機能のみを担うものであり、アブレーション加工の後には除去する必要がある。このため、使用材料の節約や製造プロセスの簡略化といった観点からは更なる改良の余地が残されていた。

そこで、本発明は、レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成し得る製造技術を提供することを目的とする。

第１の態様の本発明は、第１の電極と第２の電極との間に発光層を介在させてなる有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、導電性を有する第１の膜を形成する第１工程と、絶縁性を有する第２の膜を上記第１の膜上に形成する第２工程と、上記第１の膜及び上記第２の膜をレーザエッチングによって整形することにより、上記第１の電極及び当該第１の電極の上面を覆う被膜を形成する第３工程と、上記被膜を上記第１の電極の外縁に沿った部分のみが残留するように整形する第４工程と、上記第１の電極を囲む隔壁を形成する第５工程と、上記隔壁の内側であって上記第１の電極上に上記発光層を形成する第６工程と、上記発光層上に上記第２の電極を形成する第７工程と、を含む。

かかる製造方法によれば、レーザエッチング時には第１の電極となるべき第１の膜が第２の膜によって覆われているので、レーザエッチングによって生じた飛散物（デブリ）が第１の電極に付着することがない。また、第２の膜は、その後更に整形して第１の電極の外縁近傍を覆う被膜とすることにより、例えば、隔壁と第１の電極との境界部において発光層等の成膜不良が生じた際における第１の電極と第２の電極との短絡を防止する機能を担うものとして流用することができる。したがって、レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成することが可能となる。

好ましくは、上記第１の膜及び上記第２の膜はともに透光性を有し、上記第２の膜の屈折率ｎ２が上記第１の膜の屈折率ｎ１よりも小さい。このような条件は、例えば、第１の膜をスズドープ酸化インジウムで構成し、第２の膜を酸化硅素又は窒化硅素で構成することによって実現し得る。

これにより、第１の膜と第２の膜との界面におけるレーザ光の反射を抑制し、加工に要するエネルギーをより低下させることが可能となる。

また、上記レーザエッチングに用いるレーザ光の波長をλとすると、上記第２の膜の膜厚は、（λ／ｎ２）×（１／４）程度又はその奇数倍とされることが好ましい。

このような膜厚調整を行うことにより、第１の膜と第２の膜との界面におけるレーザ光の反射をより効果的に抑制することが可能となる。

第２の態様の本発明は、上記第１の態様の本発明にかかる製造方法によって製造される有機ＥＬ装置を備える電子機器である。ここで「電子機器」とは、電気回路や表示部などを備えた機器一般をいい、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、テレビジョン装置、ファクシミリ、デジタルスチルカメラ、ＰＤＡ、電子手帳等が該当する。

以下、本発明の実施の態様について図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、一実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する工程断面図である。本実施形態では、予め画素領域を有機材料などからなる隔壁（バンク）によって囲んでおき、この隔壁の内側に材料液体を滴下し、固化させることによって発光層等を形成する方法を利用した有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。

（第１の膜形成工程）
まず、所定の素子形成面上（本例ではガラス基板１の一方面上）に、導電材料を有する第１の膜２を形成する（図１（Ａ））。具体的には、本実施形態では第１の膜２として、スパッタ法や蒸着法などの成膜方法を用いてＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）膜などの透明導電膜を形成する。第１の膜２の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

（第２の膜形成工程）
次に、第１の膜２の上に、絶縁性を有する第２の膜３を形成する（図１（Ｂ））。ここで、本工程において形成される第２の膜３は、後工程においてレーザエッチングを行う関係上、使用するレーザ光の波長（例えば数百ｎｍ程度）に対してある程度の透光性を有することが望ましい。また、当該第２の膜３は、後に有機ＥＬ素子の構成要素の一つとして機能する関係上、絶縁性及び親液性を有することが望まれる。これらの要望を満たす第２の膜３として、本実施形態では、ＣＶＤ法や塗布法などの成膜方法を用いて酸化硅素（ＳｉＯ₂）膜又は窒化硅素（ＳｉＮ）膜などの絶縁膜を形成する。

（レーザエッチング工程）
次に、第１の膜２及び第２の膜３をレーザエッチングによって整形することにより、第１の電極２ａ及び当該第１の電極２ａの上面を覆う被膜３ａを形成する（図１（Ｃ））。このレーザエッチングは、例えば以下のような条件で行われる。波長５３２ｎｍのレーザ光を出射するレーザ発振器を用い、周波数が１０ｋＨｚのときのパルスエネルギーが１０μＪとなるようにアッテネータで出力を調整する。焦点距離が１００ｍｍの平凸レンズと１０倍のビームエクスパンダを用い、焦点位置のビームのスポット径が１０μｍ程度となるようにする。また、パルス間のピッチが５μｍ程度となるように、ワーク（ガラス基板１等）を５０ｍｍ／秒の速度で移動させる。このようなレーザ光を第１の膜２及び第２の膜３に対して照射することにより、レーザ光が照射された部分の第１の膜２及び第２の膜３にアブレーションが生じ、当該部分が同時に除去される。このとき、図示のように、レーザエッチングによって生じる飛散物（デブリ）４は被膜３ａの上に付着することになり、飛散物４の第１の電極２への付着を回避できる。

ここで、本実施形態では、第１の膜２及び第２の膜３はともに上記レーザ光の波長（５３２ｎｍ）をある程度透過させる性質（透光性）を有する。よって、照射されたレーザ光は第２の膜３をある程度透過して第１の膜２にも到達するので、第１の膜２と第２の膜３とはほぼ同時に加工される。このとき、第２の膜３の屈折率ｎ２が第１の膜２の屈折率ｎ１よりも小さいという関係（ｎ１＞ｎ２）が満たされるようにしておくと、第１の膜２と第２の膜３との界面におけるレーザ光の反射を抑制し、加工をより効率よく行うことが可能となる。この点、本実施形態では、上記レーザ光の波長域における第１の膜２（ＩＴＯ膜）の屈折率ｎ１は２．１〜２．２程度であり、第２の膜３（酸化硅素膜又は窒化硅素膜）の屈折率ｎ２は、１．４６程度（酸化硅素膜の場合）又は２．０程度（窒化硅素膜の場合）であるため、上記の関係（ｎ１＞ｎ２）が満たされている。これにより、加工に必要なレーザ光のエネルギーを低下させることが可能となる。したがって、低出力のレーザ発振器を用いて本工程を行うことが可能となり、製造コストの削減を図ることができる。また、レーザ光を複数のビームに分岐して複数箇所を同時に加工する場合においては、分岐後の各ビームのエネルギーが小さくて済むので、ビーム分岐数をより多くして１回のビーム走査による加工箇所を増やし、スループットを向上させることが可能となる。

なお、本工程のレーザエッチングに用いるレーザ光の波長をλとすると、第２の膜３はその膜厚が（λ／ｎ２）×（１／４）程度又はその奇数倍となるように形成されることが好ましい。例えば、第２の膜３として酸化硅素膜（ｎ２＝１．４６）を選択し、レーザ光の波長λとして５３２ｎｍを選択した場合には、第２の膜３の膜厚の好適値は、約９０ｎｍ、２７０ｎｍ、…となる。かかる条件を満足することにより、レーザ光の反射が抑制され、レーザエッチング時のレーザ光の使用効率を更に向上させることが可能となる。

（被膜整形工程）
次に、第１の電極２ａを覆う被膜３ａを当該第１の電極２ａの外縁に沿った部分のみが残留するように整形する。本工程は周知のフォト・エッチング技術を用いて行われる。すなわち、レジスト膜を露光及び現像することにより、被膜３ａの残留させたい部分を覆うエッチングマスクを形成し、当該エッチングマスクを介してエッチング（ドライ又はウェット）を行い、その後エッチングマスクを除去する。これにより、被膜３ａが所望形状にパターニングされ、第１の電極２ａの大部分が露出する。このとき、被膜３ａの部分的除去に伴って、当該部分に付着していた飛散物４も同時に除去されるので、第１の電極２ａの露出面は図示のように飛散物４の付着のない清浄な表面となる。また、本工程における整形後の被膜３ａは、後述する隔壁５と第１の電極２ａとの境界部における第１の電極２ａと第２の電極８との短絡を防止する機能を担う。

（隔壁形成工程）
次に、ガラス基板１の一方面上であって第１の電極２ａの周囲に当該第１の電極２ａを囲む隔壁５を形成する（図１（Ｅ））。本実施形態の隔壁５は、第１の電極２ａの上側領域を露出させ、それ以外の領域を覆うように形成される。この隔壁５は、例えば以下のようにして形成できる。まず、ガラス基板１の一方面に第１の電極２ａ等を全て覆うようにして、感光性を有する樹脂材料を用いて樹脂膜を形成する。次に、フォトマスクを介して光（例えば、紫外線）を照射し、その後現像処理を行う。なお、樹脂材料としては、絶縁性を有するものであれば如何なるものも採用し得るが、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂などの耐熱性及び耐溶媒性を備える樹脂が好適に用いられる。

（親液化・撥液化処理工程）
次に、第１の電極２ａの表面及び被膜３ａの表面を親液性にし、隔壁５の表面を撥液性にするための処理を行う。具体的には、第１の電極２ａ及び被膜３ａに対してＯ₂プラズマ処理などの親液化処理を行った後、隔壁５の表面に対してＣＦ₄プラズマ処理などの撥液化処理を行うとよい。これらの処理によって、第１の電極２ａ及び被膜３ａの各表面は親液性を示し、隔壁５の表面は弗素化されることにより撥液性を示すようになる。これにより、後述する発光層等の形成工程において液体吐出法を採用する場合に、液体材料のパターニングが良好となる。

（発光層等の形成工程）
次に、隔壁５によって画定される空間の内側であって第１の電極２ａの上側に、正孔輸送層６及び発光層７を形成する（図１（Ｆ））。本実施形態では、上述したように液滴吐出法（インクジェットプロセス）を採用して正孔輸送層６及び発光層７が形成される。具体的には、液滴吐出装置を用いて、正孔輸送層６又は発光層７を形成するための液体材料を隔壁５の内側に適量供給し、その後、乾燥処理又は熱処理によって固化させる。正孔輸送層６の構成材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸などの混合物や、芳香族アミン誘導体（ＴＰＤ、α−ＴＰＤ等）、ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニルアミン誘導体、などを例として挙げることができる。また、発光層７の構成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、などを例として挙げることができる。また、発光層７を赤色に発光させるには、ローダミン、ＤＣＭの誘導体、ナイルレッドなどを上記の発光層構成材料に添加するとよい。同様に、発光層を緑色に発光させるには、キナクリドン、クマリン６などを上記の発光層構成材料に添加するとよい。同様に、発光層を青色に発光させるには、ペリレン、テトラフェニルブタジエンなどを上記発光層構成材料に添加するとよい。

（第２の電極等の形成工程）
次に、発光層７の上側に電子注入層（図示省略）及び第２の電極８を形成する（図１（Ｆ））。これらの電子注入層及び第２の電極８は、例えばスパッタ法や蒸着法などの成膜方法を用いて形成される。電子注入層としては、例えばＣａ、ＬｉＦ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｃｅなどの薄膜（例えば数ｎｍ程度）が挙げられる。また、第２の電極８は、導電性を有する膜であればよく、特にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金などの金属膜が好適であるなお、トップエミッション構造を採用する場合には、第２の電極８としては、ＩＴＯ膜などの透明導電膜を採用することが好適である。

（封止工程）
その後、必要に応じて、上記各工程を経て得られた有機ＥＬ装置に封止処理を行う（図示省略）。例えば、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中において、ガラス基板１の一方面側に封止基板を貼り付けることにより、封止がなされる。封止基板としては、例えば石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、珪酸塩ガラスなどの各種の透明なガラス材料からなる基板、又はポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの各種樹脂材料からなる基板を用いることができる。あるいは、封止基板に代えてこれと同等の組成を有する薄膜（封止膜）を形成してもよい。これらの封止基板等により、大気中の水分や酸素等の異物から有機ＥＬ素子を保護するガスバリア構造を実現できる。

次に、上述した本実施形態にかかる製造方法を用いて製造される有機ＥＬ装置の具体例をより詳細に説明する。

図２は、有機ＥＬ装置の配線構造の平面模式図である。図２に示す有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線に直交して配置される複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３と、各走査線１０１と各信号線１０２との交点付近にそれぞれ設けられる画素領域Ａと、を含んで構成されている。すなわち、本例の有機ＥＬ装置１００は、複数の画素がマトリクス状に配列されてなるアクティブマトリクス型の表示装置である。

各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。また、各信号線には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。各画素領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲートに供給されるスイッチングトランジスタ１１２と、このスイッチングトランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタ１１３と、この駆動用トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続されたときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）２１と、この画素電極２１と対向電極（陰極）２５との間に挟み込まれた機能層１１０と、が設けられている。これらの画素電極２１と対向電極２５と機能層１１０によって発光素子（有機ＥＬ素子）が構成されている。なお、機能層１１０は正孔輸送層、発光層、電子注入層等からなる。

この有機ＥＬ装置１００では、走査線１０１が駆動されてスイッチングトランジスタ１１２がオン状態となると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用トランジスタ１１３のオン／オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２１に電流がながれ、さらに機能層１１０を介して陰極２５に電流がながれる。機能層１１０は、この流れる電流量に応じて発光する。各機能層１１０の発光状態を制御することにより、所望の画像表示を行うことができる。

図３は、図２に示した有機ＥＬ装置１００の画素領域の構造を説明するための断面図であり、特に機能層１１０付近の構造をより詳細に示すものである。図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、上述したスイッチングトランジスタ１１２等を構成するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や走査線１０１等を構成する配線が形成された駆動回路部１０と、有機ＥＬ素子が形成された発光素子部２０と、からなる。

駆動回路部１０は、有機ＥＬ用基板１１と平坦化絶縁層１３とを含んで構成されている。有機ＥＬ用基板１１は、その一方面に有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴや配線等が形成されている。このような基板としては、石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、珪酸塩ガラスなどの各種の透明なガラス材料からなる基板、又はポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの各種樹脂材料からなる基板、或いは、単結晶を含む各種セラミックス材料や各種金属材料などからなる基板を用いることができる。ＴＦＴ１２は、多結晶シリコン等からなる半導体膜１５、ソース／ドレイン電極１６、１７、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１９を含んで構成されており、ゲート電極１８への印加電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子へ供給し、有機ＥＬ素子の発光制御を行う。平坦化絶縁層１３は、有機ＥＬ用基板１１上に設けられたＴＦＴ１２や配線などの上側を平坦にし、発光素子部２０の形成を容易にするために設けられるものである。当該機能を達成するために、平坦化絶縁層１３は、例えば２μｍ〜５μｍ程度の厚さに形成される。この平坦化絶縁層１３としては、ＳＯＧ（spin on glass）膜やＰＳＧ（phospho silicate glass）膜などの無機膜を用いてもよく、ポリイミド樹脂膜やアクリル樹脂膜などの有機膜を用いてもよく、これらの積層膜を用いてもよい。この平坦化絶縁層１３には、有機ＥＬ用基板１１上に形成されたＴＦＴ１２と、平坦化絶縁層１３上に形成される発光素子部２０との間を電気的に接続するためのコンタクトホール１４が設けられている。

発光素子部２０は、陽極２１、正孔輸送層２３、発光層２４、電子注入層（図示省略）、陰極２５、被膜２７及び隔壁２８を含んで構成されている。この発光素子部２０は、平坦化絶縁層１３の上面を素子形成面として、上述した本実施形態にかかる製造方法（図１参照）を用いることによって形成されるものである。なお、発光素子部２０の各構成要素の詳細については上述した通りであるため、ここでは詳細な説明を省略する。

次に、上述した有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。

図４は、有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図４（Ａ）は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機１０００は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１００１を備えている。図４（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１１０１を備えている。図４（Ｃ）は、電子機器の一例である携帯型情報処理装置１２００を示す斜視図である。この携帯型情報処理装置１２００は、キーボード等の入力部１２０１、演算手段や記憶手段などが格納された本体部１２０２、及び本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１２０３を備えている。

このように本実施形態によれば、レーザエッチング時には第１の電極２ａとなるべき第１の膜２が第２の膜３によって覆われているので、レーザエッチングによって生じた飛散物（デブリ）８が第１の電極２ａに付着することがない。また、第２の膜３は、その後更に整形して第１の電極２ａの外縁近傍を覆う被膜３ａとすることにより、例えば、隔壁５と第１の電極２ａとの境界部において発光層７等の成膜不良が生じた際における第１の電極２ａと第２の電極８との短絡を防止する機能を担うものとして流用することができる。したがって、レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成することが可能となる。

なお、本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では発光層等の形成を液滴吐出法によって行っていたが、これ以外の方法（例えばマスク蒸着法）を採用してもよい。またこの場合には、親液化・撥液化処理工程を省略することも可能である。

一実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する工程断面図である。 有機ＥＬ装置の配線構造の平面模式図である。 有機ＥＬ装置の画素領域の構造を説明するための断面図である。 有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。

符号の説明

１…ガラス基板、２…第１の膜、２ａ…第１の電極、３…第２の膜、３ａ…被膜、４…飛散物（デブリ）、５…隔壁、６…正孔輸送層、７…発光層、８…第２の電極

Claims (5)

1. 第１の電極と第２の電極との間に発光層を介在させてなる有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   導電性を有する第１の膜を形成する第１工程と、
   前記第１の膜上に、絶縁性を有する第２の膜を形成する第２工程と、
   前記第１の膜及び前記第２の膜をレーザエッチングによって整形することにより、前記第１の電極及び当該第１の電極の上面を覆う被膜を形成する第３工程と、
   前記被膜を前記第１の電極の外縁に沿った部分のみが残留するように整形する第４工程と、
   前記第１の電極を囲む隔壁を形成する第５工程と、
   前記隔壁の内側であって前記第１の電極上に前記発光層を形成する第６工程と、
   前記発光層上に前記第２の電極を形成する第７工程と、
   を含む、有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 前記第１の膜及び前記第２の膜はともに透光性を有し、
   前記第２の膜の屈折率ｎ２が前記第１の膜の屈折率ｎ１よりも小さい、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 前記第１の膜は、スズドープ酸化インジウムからなり、
   前記第２の膜は、酸化硅素又は窒化硅素からなる、請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 前記レーザエッチングに用いるレーザ光の波長をλとすると、前記第２の膜の膜厚は、（λ／ｎ２）×（１／４）程度又はその奇数倍とされる、請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置を備える電子機器。

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