JP2006300665A - Inspection device, and conductive pattern inspection method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、ガラス基板に形成された導電パターンの良否を検査可能な検査装置および導電パターン検査方法に関するものである。 The present invention relates to, for example, an inspection apparatus and a conductive pattern inspection method capable of inspecting the quality of a conductive pattern formed on a glass substrate.
回路基板上に形成された導電パターン(導体パターン)を検査する方法としては、検査対象とする導体パターンの両端にピンを接触させて、その一端側より検査信号を供給し、他端側よりその検査信号を受電することで、その導体パターンの導通試験等を行う接触方式が知られている。この方法(ピンコンタクト方式とも呼ばれ、その詳細は、例えば、特許文献1に記載されている)は、受電端で検査信号が検出されれば、導通が確保されたとして、被検査パターンが正常状態にあり、逆に検査信号が検出されなければ、導体パターンが断線状態にあると判断するものである。 As a method for inspecting a conductive pattern (conductor pattern) formed on a circuit board, a pin is brought into contact with both ends of a conductor pattern to be inspected, an inspection signal is supplied from one end side thereof, and an inspection signal is supplied from the other end side. A contact method is known in which an inspection signal is received to perform a continuity test on the conductor pattern. In this method (also called a pin contact method, the details of which are described in, for example, Patent Document 1), if an inspection signal is detected at the power receiving end, it is assumed that conduction is ensured and the pattern to be inspected is normal. If the inspection signal is not detected, the conductor pattern is determined to be in a disconnected state.
また、被検査導体パターンに供給した検査信号が、その導体パターンを正常に通過したことを確認するだけでなく、被検査導体パターンに隣接するパターンにも検査プローブを配置し、その隣接パターンから検査信号が検出されたか否かに基づいて、被検査導体パターンと隣接パターンとの短絡(ショート)状態を判定する方法もある。 In addition to confirming that the inspection signal supplied to the conductor pattern to be inspected normally passed through the conductor pattern, an inspection probe is also placed in the pattern adjacent to the conductor pattern to be inspected, and inspection is performed from the adjacent pattern. There is also a method of determining a short-circuit state between a conductor pattern to be inspected and an adjacent pattern based on whether or not a signal is detected.
しかしながら、上記のピンコンタクト方式による検査では、検査対象とする基板の全端子に、例えば、金属性のピンプローブを立てて、これらのプローブを経由して導電パターンへ電気信号を送り込んでいる。そのため、検査信号について良好なS/N比(信号対雑音比)が得られるという利点はあるものの、近時における高密度化した導体パターンの検査に対応できないという問題がある。 However, in the inspection by the above-described pin contact method, for example, a metallic pin probe is erected on all the terminals of the substrate to be inspected, and an electric signal is sent to the conductive pattern via these probes. Therefore, although there is an advantage that a good S / N ratio (signal-to-noise ratio) can be obtained for the inspection signal, there is a problem that it is not possible to cope with the inspection of a highly dense conductor pattern in recent times.
例えば、配線ピッチ幅が50μm以下の高細密なパターンを検査する場合、狭ピッチ多本数プローブで構成されるプローブカードは製造コストが高くなる。また、断線状態を検査するためのオープン検出センサと、隣接パターンとの短絡状態(ショート状態)を検査するためのショートセンサを個別に設けることは、検査結果の解析用プログラムや検査装置の構成が複雑化するだけでなく、センサユニットそのものの小型化に限界があるため、効率的な検査ができない。 For example, when a high-definition pattern with a wiring pitch width of 50 μm or less is inspected, the manufacturing cost of a probe card composed of a narrow-pitch multiple probe is high. In addition, providing an open detection sensor for inspecting a disconnection state and a short sensor for inspecting a short-circuit state (short-circuit state) between adjacent patterns separately means that the configuration of the inspection result analysis program and the inspection apparatus Not only is it complicated, but there is a limit to downsizing the sensor unit itself, so efficient inspection cannot be performed.
一方、TFT(薄膜トランジスタ)を組み込んでなる液晶表示パネルにおけるデータラインのパターンとゲートラインのパターン間の短絡(層間ショート、あるいはクロスショートともいう)については、従来よりパターンの画像処理に基づく検査を行っていた。しかし、解像度や処理速度等の点から、このような層間ショートを確実かつ高速に検出することが困難であるという問題があった。 On the other hand, in a liquid crystal display panel incorporating a TFT (thin film transistor), a short circuit (also referred to as an interlayer short circuit or a cross short circuit) between a data line pattern and a gate line pattern is conventionally inspected based on pattern image processing. It was. However, there has been a problem that it is difficult to reliably and rapidly detect such an interlayer short in terms of resolution, processing speed, and the like.
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、導電パターンのオープン状態/ショート状態を高精度で検出できる検査装置および導電パターン検査方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an inspection apparatus and a conductive pattern inspection method that can detect an open state / short state of a conductive pattern with high accuracy.
また、本発明の他の目的は、簡易な装置構成でTFT基板における導電パターンのオープン状態/ショート状態を検出可能な検査装置および導電パターン検査方法を提供することである。 Another object of the present invention is to provide an inspection device and a conductive pattern inspection method capable of detecting an open state / short state of a conductive pattern on a TFT substrate with a simple device configuration.
かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明は、基板に配された導電パターンの状態を検査する検査装置であって、検査対象とする前記導電パターンの一方端部に検査信号を供給する信号供給手段と、前記検査対象とする導電パターンの他方端部において、少なくとも前記導電パターンとその導電パターンに隣接する導電パターンとを覆う大きさの信号検出手段と、前記導電パターンを順次走査するよう前記信号供給手段と前記信号検出手段を位置決め移動させる走査手段と、前記信号検出手段で検出された信号の変化に基づいて前記導電パターンの良否を識別する識別手段とを備え、前記信号供給手段は少なくとも前記導電パターンの配設ピッチ幅と同等あるいはそれ以下の幅の信号供給端子を有し、その信号供給端子で前記導電パターンの一方端部を順次なぞりながら前記走査方向へ移動し、前記信号検出手段は前記信号供給手段と同期して前記走査方向へ移動するとともに、前記導電パターンとの間の容量結合を介して非接触で前記検査信号を検出することを特徴とする。 As a means for achieving this object and solving the above-mentioned problems, for example, the following configuration is provided. That is, the present invention is an inspection apparatus for inspecting the state of a conductive pattern arranged on a substrate, and includes a signal supply means for supplying an inspection signal to one end of the conductive pattern to be inspected, and the inspection target. A signal detection unit having a size covering at least the conductive pattern and a conductive pattern adjacent to the conductive pattern at the other end of the conductive pattern, and the signal supply unit and the signal detection unit to sequentially scan the conductive pattern Scanning means for positioning and moving, and identification means for identifying the quality of the conductive pattern based on a change in the signal detected by the signal detection means, wherein the signal supply means is at least an arrangement pitch width of the conductive pattern A signal supply terminal having a width equal to or less than that of the conductive pattern, and sequentially tracing one end of the conductive pattern with the signal supply terminal. The signal detection means moves in the scanning direction in synchronization with the signal supply means, and detects the inspection signal in a non-contact manner through capacitive coupling with the conductive pattern. It is characterized by that.
例えば、前記識別手段は、前記信号検出手段が前記検査対象とする導電パターンより順次検出した前記検査信号のうち2つの信号が連続して正常状態時の信号レベルよりも高いレベルを示した場合に前記導電パターンが隣接パターンと短絡していると判断することを特徴とする。 For example, when the signal detection means sequentially shows two signals out of the inspection signals sequentially detected from the conductive pattern to be inspected by the signal detection means that are higher than the signal level in a normal state. It is determined that the conductive pattern is short-circuited with an adjacent pattern.
また、例えば、前記識別手段は、前記信号検出手段が前記検査対象とする導電パターンより前記検査信号を検出しない場合、その導電パターンが断線していると判断することを特徴とする。 In addition, for example, when the signal detection unit does not detect the inspection signal from the conductive pattern to be inspected, the identification unit determines that the conductive pattern is disconnected.
例えば、前記導電パターンが2つの異なる配線層に配されているとき、前記信号検出手段により検出された前記検査信号のレベルが正常状態時の信号レベルよりも低い場合、前記識別手段は、一方の配線層の導電パターンが他方の配線層の導電パターンと層間短絡していると判断することを特徴とする。 For example, when the conductive pattern is arranged on two different wiring layers, if the level of the inspection signal detected by the signal detection means is lower than the signal level in a normal state, the identification means It is determined that the conductive pattern of the wiring layer is short-circuited with the conductive pattern of the other wiring layer.
例えば、前記導電パターンが2つの異なる配線層に配されているとき、前記信号検出手段が前記検査対象とする導電パターンより順次検出した前記検査信号のうち単独の信号レベルが正常状態時の信号レベルよりも高い場合、前記識別手段は、その導電パターンが、前記信号検出手段と前記信号供給手段で挟まれた領域以外に領域において断線していると判断することを特徴とする。 For example, when the conductive pattern is arranged in two different wiring layers, the signal level of the inspection signal detected sequentially from the conductive pattern to be inspected by the signal detection means is a signal level in a normal state. If it is higher, the identification means determines that the conductive pattern is disconnected in a region other than the region sandwiched between the signal detection means and the signal supply means.
また、例えば、前記識別手段は、前記検出した検査信号の信号レベルと所定の閾値とを比較した結果をもとに前記検査対象とする導電パターンの断線および導電パターン相互の短絡を識別することを特徴とする。 Further, for example, the identifying means identifies the disconnection of the conductive pattern to be inspected and the short-circuit between the conductive patterns based on the result of comparing the signal level of the detected inspection signal and a predetermined threshold value. Features.
例えば、前記識別手段は、前記検出した検査信号各々について、その前後の信号とのレベル差より検査信号全体のレベル変化傾向を求め、前記検査対象とする導電パターンより検出した検査信号のレベル変化が前記レベル変化傾向と一致しない場合、その導電パターンに断線または隣接パターンとの短絡があると判断することを特徴とする。 For example, for each of the detected inspection signals, the identification unit obtains a level change tendency of the entire inspection signal from a level difference from the preceding and subsequent signals, and the level change of the inspection signal detected from the conductive pattern to be inspected is detected. If the level change tendency does not coincide, it is determined that the conductive pattern is disconnected or short-circuited with an adjacent pattern.
上述した課題を解決する他の手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明は、基板に配された導電パターンの状態を検査する検査装置における導電パターン検査方法であって、少なくとも前記導電パターンの配設ピッチ幅と同等あるいはそれ以下の幅の信号供給端子を有する信号供給手段より検査対象とする前記導電パターンの一方端部に検査信号を供給するステップと、前記検査対象とする導電パターンの他方端部において、少なくとも前記導電パターンとその導電パターンに隣接する導電パターンとを覆う大きさの信号検出手段によって、前記導電パターンとの間の容量結合を介して非接触で前記検査信号を検出するステップと、前記信号供給端子が前記導電パターンの一方端部を順次なぞるとともに、前記信号検出手段が前記信号供給手段と同期して前記導電パターンの他方端部を順次走査するように前記信号供給手段と前記信号検出手段を位置決め移動させるステップと、前記信号検出ステップで検出された信号の変化に基づいて前記導電パターンの状態を識別するステップとを備えることを特徴とする。 As another means for solving the above-described problem, for example, the following configuration is provided. That is, the present invention is a conductive pattern inspection method in an inspection apparatus for inspecting the state of a conductive pattern arranged on a substrate, and at least a signal supply terminal having a width equal to or less than the arrangement pitch width of the conductive pattern. A step of supplying an inspection signal to one end portion of the conductive pattern to be inspected from a signal supply means having, and at least the conductive pattern and the conductivity adjacent to the conductive pattern at the other end portion of the conductive pattern to be inspected A step of detecting the inspection signal in a non-contact manner through capacitive coupling with the conductive pattern by a signal detecting means having a size covering the pattern; and the signal supply terminal sequentially detects one end of the conductive pattern. The signal detection means sequentially scans the other end of the conductive pattern in synchronization with the signal supply means. And a step of positioning and moving the signal supply means and the signal detection means, and a step of identifying the state of the conductive pattern based on a change in the signal detected in the signal detection step. .
例えば、前記識別ステップは、前記信号検出手段が前記検査対象とする導電パターンより順次検出した前記検査信号のうち2つの信号が連続して正常状態時の信号レベルよりも高いレベルを示した場合に前記導電パターンが隣接パターンと短絡していると判断し、前記信号検出手段が前記検査対象とする導電パターンより前記検査信号を検出しない場合には、その導電パターンが断線していると判断することを特徴とする。 For example, in the identification step, when two signals among the inspection signals sequentially detected from the conductive pattern to be inspected by the signal detection unit continuously show a level higher than a signal level in a normal state. Determining that the conductive pattern is short-circuited with an adjacent pattern, and determining that the conductive pattern is disconnected when the signal detection means does not detect the inspection signal from the conductive pattern to be inspected; It is characterized by.
例えば、前記識別ステップは、前記導電パターンが2つの異なる配線層に配されているとき、前記信号検出手段により検出された前記検査信号のレベルが正常状態時の信号レベルよりも低い場合、その導電パターンが他層の導電パターンと層間短絡していると判断することを特徴とする。 For example, in the identification step, when the conductive pattern is arranged on two different wiring layers, if the level of the inspection signal detected by the signal detection means is lower than the signal level in a normal state, the conductive pattern It is determined that the pattern is short-circuited with the conductive pattern of another layer.
また、例えば、前記識別ステップは、前記導電パターンが2つの異なる配線層に配されているとき、前記信号検出手段が前記検査対象とする導電パターンより順次検出した前記検査信号のうち単独の信号レベルが正常状態時の信号レベルよりも高い場合、その導電パターンが、前記信号検出手段と前記信号供給手段で挟まれた領域以外に領域において断線していると判断することを特徴とする。 In addition, for example, the identifying step may include a single signal level among the inspection signals sequentially detected from the conductive pattern to be inspected by the signal detection means when the conductive pattern is arranged on two different wiring layers. When the signal level is higher than the signal level in the normal state, it is determined that the conductive pattern is disconnected in a region other than the region sandwiched between the signal detection unit and the signal supply unit.
例えば、前記識別ステップは、前記検出した検査信号の信号レベルと所定の閾値とを比較した結果をもとに前記検査対象とする導電パターンの断線および導電パターン相互の短絡を識別することを特徴とする。 For example, the identifying step identifies a disconnection of a conductive pattern to be inspected and a short-circuit between conductive patterns based on a result of comparing a signal level of the detected inspection signal with a predetermined threshold value. To do.
また、例えば、前記識別ステップは、前記検出した検査信号各々について、その前後の信号とのレベル差より検査信号全体のレベル変化傾向を求め、前記検査対象とする導電パターンより検出した検査信号のレベル変化が前記レベル変化傾向と一致しない場合、その導電パターンに断線または隣接パターンとの短絡があると判断することを特徴とする。 Further, for example, in the identification step, for each of the detected inspection signals, a level change tendency of the entire inspection signal is obtained from a level difference from the preceding and succeeding signals, and the level of the inspection signal detected from the conductive pattern to be inspected When the change does not coincide with the level change tendency, it is determined that the conductive pattern is disconnected or short-circuited with an adjacent pattern.
本発明によれば、検査対象である基板上の導電パターンの短絡状態等を精度よく、かつ簡単に検出できる。 According to the present invention, it is possible to accurately and easily detect a short circuit state of a conductive pattern on a substrate to be inspected.
また、本発明によれば、TFT基板における層間ショート等を含む、種々の仕様の導体パターンの短絡等を、簡単かつ簡易な制御で確実に検出することができる。 Further, according to the present invention, it is possible to reliably detect short-circuits of conductor patterns having various specifications, including interlayer short-circuits on the TFT substrate, with simple and simple control.
以下、添付図面を参照して、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する構成要素の相対配置、数値等に何ら限定されるものではなく、特定的な記載がない限り本発明の範囲を以下の記載の限定する趣旨ではない。 Embodiments according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited to the relative arrangement | positioning of a component demonstrated below, a numerical value, etc. at all, and unless there is specific description, the scope of the present invention is not the meaning which limits the following description.
図1は、本実施の形態例に係る基板検査装置における導電パターンの検査方法の原理を説明するための図である。図1に示す基板検査装置の検査対象基板10は、例えば、液晶表示パネルやタッチ式パネルであり、ここでは、ガラス製の基板上に規則的に配設された列状導電パターン15の良否(その導電パターンの断線状態、および配線パターン相互の短絡状態)を検査する。なお、各列状導電パターン15は、例えば、これらのパネルにおける張り合わせ前の配線パターンであって、ほぼ同一のパターン形状を有し、その導電性材料として、例えば、クロム、銀、アルミニウム、ITO等が使用されている。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of a conductive pattern inspection method in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment. An
プローブ30は、列状導電パターン15のピッチより十分小径の検査信号供給端子である。プローブ30の先端部は、例えば可撓性を有しており、導電パターンのいずれか一つのみに接触するように構成されている。そして、その先端部が列状導電パターン15に接触することで、検査用信号がその導電パターンに供給される。ここでは、検査対象のパターンに順次、検査用信号を供給するため、基板10の一方端部より他方端部まで、図中の矢印方向にプローブ30が走査される。その間、供給部(交流信号発生部)35からは、プローブ30に対して検査信号が供給され続ける。
The
センサ部20は、液晶表示パネルの列状導電パターン15と所定距離離間した位置に位置決めされており、プローブ30に同期して、図中の矢印方向に走査される。センサ部20は、例えば、これらの配線パターン2本分に跨る(少なくとも2本の配線パターンを覆う)大きさを有する長方形状の電極板である。検査時には、センサ部20が跨ぐ2本の配線パターンのうち、いずれか1本の配線パターンにプローブ30から検査信号が供給される。よって、列状導電パターン15に供給された検査信号は、それらの導電パターンとセンサ部20間の容量結合(静電結合)を介して、センサ部20へ到達する。
The
なお、上記の走査は、センサ部20とプローブ30を同期させて移動させるか、あるいは、センサ部20とプローブ30の位置を固定したまま、それらが基板(液晶表示パネル)10に対して、図1の矢印方向へ相対的に移動するように、基板10が載置された不図示のステージ(例えば、XYZθ角度の4軸制御により三次元位置制御が可能なもの)をμmオーダーで移動させるようにしてもよい。いずれの場合でも、センサ部20が跨ぐ2本の配線パターンのいずれかに常にプローブ30から検査信号が供給されるよう、センサ部20とプローブ30の位置制御、および走査制御が行われる。
In the scanning described above, the
センサ部20で検出した信号は微小な信号であることから、それを所定の増幅度で増幅するために増幅器25へ送られる。増幅器25は、例えば、入力インピーダンスがZの演算増幅器(オペアンプ)等で構成されている。増幅部25で増幅された信号は、検出結果を表示する表示装置26へ入力される。ここでは、センサ部20の直後に増幅器25を配することで、検出信号に対する外来ノイズ等の影響を排除している。
Since the signal detected by the
上記の構成により、検査信号供給端子(プローブ)30に交流電源35から交流検査信号を供給し、検査信号の供給されている列状導電パターン15を一方の電極とし、センサ部20を他方の電極とする静電結合を形成して、センサ部20よりの検出信号を増幅器25で増幅して、得られた検査信号を調べる。その結果、基板10上に列状に配された導電パターン15のオープン状態等を個別に検査できる。
With the above configuration, an AC inspection signal is supplied from the
すなわち、列状導電パターン15のうち、検査対象の導電パターンに検査信号が供給されると、その導電パターン幅の導体とセンサ部20の対向部分(電極板)とで形成される静電容量を介して、交流電流である検査信号が増幅器25側へ供給される。このため、増幅器25の出力端からは所定振幅の交流電圧が出力される。よって、この出力電圧は、主にセンサ部20の対向部位の面積、および導体とセンサ部間の距離(ギャップ)により定まる。
That is, when an inspection signal is supplied to the conductive pattern to be inspected among the row-shaped
例えば、液晶パネル等、隣接する導電パターンがすべて同じピッチで配設されているような場合には、導電パターンとセンサ部20の導電パターンの対向部分とで形成される静電容量は、ほぼ同じとなる。その結果、パターンに短絡等がない場合には、後述するように各導電パターンに対して、ほぼ同レベルの検出信号が得られる。
For example, when the adjacent conductive patterns are all arranged at the same pitch, such as a liquid crystal panel, the capacitance formed by the conductive pattern and the opposing portion of the conductive pattern of the
一方、導電パターンに短絡があれば、検査対象の導電パターンと、それと短絡している導電パターンの両方に検査信号が供給される。そこで、増幅器25の出力波形を監視して導電パターンが短絡しているかどうかを判断する。このようにすることで、プローブの特別な位置合わせ等を行わなくても、簡単な構成で確実に不良品を検出し、不良箇所を特定できる。
On the other hand, if there is a short circuit in the conductive pattern, an inspection signal is supplied to both the conductive pattern to be inspected and the shorted conductive pattern. Therefore, the output waveform of the
なお、検査対象とする導電パターンは、上記の列状導電パターンに限定されず、例えば、導電パターンの一端が開放され、その基部がショートバーで短絡された櫛歯状導電パターンであっても、それらを順次、走査することによって、上記と同じ原理でパターンの良否を判定できる。 In addition, the conductive pattern to be inspected is not limited to the above-described columnar conductive pattern, for example, even if the conductive pattern is a comb-like conductive pattern in which one end of the conductive pattern is opened and the base is short-circuited by a short bar, By sequentially scanning them, the quality of the pattern can be determined based on the same principle as described above.
図2は、上述した検査方法を実現する検査装置の具体的な構成例である。図2において、図1と同じ構成要素には同一の参照番号を付している。図2において、検査対象である液晶パネル10が検査位置に位置決めされ、液晶パネル10上の検査対象導電パターンの一端において、検査対象の導電パターンと非接触状態でセンサ部20が配されている。また、その導電パターンの他端には、プローブ30が、その先端部が導電パターンに接触するよう位置決めされている。
FIG. 2 is a specific configuration example of an inspection apparatus that realizes the inspection method described above. In FIG. 2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 2, the
センサ部20は、少なくとも表面に金属電極(例えば、アルミニウム(Al)電極)が配設されており、例えば、半導体を電極として使用した場合に比べて、導電パターンとの間の静電容量が大きくなるように構成されている。センサ部20が検出した信号は、アナログ信号処理回路50に送られる。そして、アナログ信号処理回路50でアナログ信号処理された信号は制御部60に送られ、配線パターンの良否が判断される。なお、制御部60は、後述するように、検査信号供給端子30に検査信号を供給する制御も行う。
The
アナログ信号処理回路50は、センサ部20からの検出信号を増幅する増幅器51、増幅器51で増幅した検出信号の雑音成分を除去し、検査信号のみを通過させるためのバンドパスフィルタ52、そのバンドパスフィルタ52からの信号を全波整流する整流回路53、整流回路53で全波整流された検出信号を平滑する平滑回路54を有している。
The analog
制御部60は、後述する検査シーケンス等の統括的な制御を含む、検査装置全体の制御を司る、例えばマイクロプロセッサからなる中央処理部(CPU)61、CPU61の制御手順、基板検査手順等をコンピュータプログラムとして記憶するROM62、CPU61の処理情報(制御データ、検査データ)等を一時的に記憶する作業領域として使用されるRAM63、アナログ信号処理回路50からのアナログ信号を対応するデジタル信号に変換するA/Dコンバータ64、検査信号供給端子30に検査信号を供給する信号供給部65、検査結果や操作指示ガイダンス等を可視表示する、例えば、CRTや液晶表示器等からなる表示部66を備えている。
The
なお、信号供給部65は、例えば、検査信号として信号レベル10Vp−p,100KHzの正弦波信号を生成し、それを検査信号供給端子30に供給する。この場合、バンドパスフィルタ52は、100KHzの信号を通過させるための帯域を有する。
The
検査信号供給端子(プローブ)30は、その先端部が検査対象である導電パターンのうち、信号の供給端子部(接続端子)等を横断するようになぞりながら移動し、各導電パターンに順次、検査信号を供給する。プローブ30の先端部は、例えば、可撓性のあるタングステン合金で形成され、検査対象パターンのパターンピッチ以下(導電パターンのパターン幅、およびパターン間隙以下)の大きさのものを使用する。例えば、基部の線径を150μm、先端部(なぞり部分)径を15μmとすることにより、検査対象パターン幅が30μmの導電パターンで、そのパターン間隙が20μm程度の基板の導電パターンを検査することができる。
The inspection signal supply terminal (probe) 30 moves while tracing the signal supply terminal portion (connection terminal) etc. of the conductive pattern whose tip is the inspection target, and sequentially inspects each conductive pattern. Supply the signal. The tip of the
ロボットコントローラ70は、制御部60の制御を受けてスカラーロボット80を制御する。スカラーロボット80は、液晶パネル10を検査位置に位置決めして保持するとともに、ロボットコントローラ70の制御に従って、検査信号供給端子30の先端部が液晶パネル10のすべての接続端子に接触する状態で保持し、先端部がすべての接続端子を順次、なぞるように走査する。
The
次に、本実施の形態例に係る基板検査装置における検査方法を説明する。図3は、本実施の形態例の検査手順を示すフローチャートである。最初に、図3のステップS1で、検査対象である液晶パネル10を不図示の搬送路に従って、基板検査装置の所定位置(検査位置)に搬送してセットする。続いて、ステップS2において、検査対象パターンに不良箇所があることを示すフラグ(NGフラグ)をリセットし、検査対象導電パターンを示すNフラグに「1」をセットして、最初の導電パターンの良否判断を行える状態にする。これにより検査開始準備が終了したことになるため、続くステップS3において、制御部60は、検査開始を示すスタート指示入力を待つ。
Next, an inspection method in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the inspection procedure of the present embodiment. First, in step S1 in FIG. 3, the
スタート指示があればステップS4に進み、ロボットコントローラ70に指示を与えてスカラーロボット80を制御し、検査信号供給端子(プローブ)30を検査対象の導電パターンの検査開始位置に移動させる。そして、ステップS5において、信号供給部65を起動して、検査信号供給端子(プローブ)30に検査信号を出力し、その先端部を検査対象導電パターンに接触させ、所定の導電パターンに信号供給部65からの検査信号が伝達、供給される状態に維持する。
If there is a start instruction, the process proceeds to step S4, where an instruction is given to the
それと同時にアナログ信号処理回路50を起動して、センサ部20からの検査信号の読込みを開始する。以後、検査信号供給端子30による“なぞり”が終了するまで、順次、一定時間ごとの検出データを取り込んで、それを、例えばRAM63に順次、格納する。検査信号供給端子30による検査対象の導電パターンに対する走査がすべて終了すると、ステップS7に進み、信号供給部65を消勢する。その後、後述する導電パターンの良否判断処理に移行する。
At the same time, the analog
図4は、本実施の形態例における基板検査装置での導電パターンの良否判断処理手順を示すフローチャートである。基板検査装置が、例えばn本目の導電パターンを検査している場合、図4のステップS11において、その導電パターン(n本目)に検査信号を供給しているときのセンサ部20の検出電圧値を読み出す。それが最初のパターン(1本目)であれば、検査信号供給端子30がなぞりを開始した位置の導電パターンに検査信号を供給している場合のセンサ部20による検出電圧値を読み出す。
FIG. 4 is a flowchart showing the pass / fail judgment processing procedure of the conductive pattern in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment. For example, when the substrate inspection apparatus is inspecting the nth conductive pattern, the detection voltage value of the
続いて、ステップS12において、センサ部20での検出電圧(出力電圧)が、パターンが正常状態にあるときの検出レベルを基準とした規定閾値以上か否か、また、検査対象配線パターン以外の隣接パターンからも信号検出されたか否かを調べる。それが規定閾値以下で、隣接パターンからも信号検出がない場合には、その配線パターンは正常であるとして、ステップS13に進む。
Subsequently, in step S12, whether or not the detection voltage (output voltage) at the
一方、ステップS12において、センサ部20で検出した信号の値が規定閾値以上であり、検査対象配線パターン以外の隣接パターンからも信号検出された場合には、ステップS15に進み、n本目の配線パターンは、それに隣接する配線パターンと短絡していると判定する。そして、続くステップS16において、NGフラグに「1」をセットしてからステップS17に進む。すなわち、検査の途中で短絡が検出された場合には、それ以上の“なぞり制御”を中止し、直ちに対象基板が不良であるとして、次の処理に移行すれば、より検査時間を短縮できる。
On the other hand, in step S12, when the value of the signal detected by the
ステップS13では、Nフラグの値を調べ、それが検査すべき配線パターンの最後の配線パターンを示しているか否かを判断する。1枚の液晶パネル10の検査対象配線パターンすべてに対して、その良否判断が終了していない場合には、ステップS14に進み、次に検査する配線パターンを特定するため、Nフラグを1だけインクリメントする(n=n+1)。そして、処理をステップS11に戻す。検査対象とするすべての配線パターンについて検査が終了したかどうかの判定は、例えば、センサ部20や検査対象基板(液晶パネル10)の移動距離が、すべての配線パターン幅の合計と、それらのパターン間隔の合計とを合算して得た距離に合致しているか否かに基づいて行うようにする。
In step S13, the value of the N flag is checked to determine whether or not it indicates the last wiring pattern of the wiring pattern to be inspected. If the pass / fail judgment has not been completed for all the wiring patterns to be inspected on one
一方、ステップS13で、検査対象の配線パターンの良否判定が最後まで終了していると判断された場合には、処理をステップS17に進める。ステップS17では、検査結果の表示を行う。例えば、NGフラグを調べ、そのNGフラグがセットされている場合には、表示部66に、液晶パネル10がその配線パターンに短絡を生じている不良パネルである旨の表示(NG表示)を行う。NGフラグがセットされていない場合には、液晶パネル10が正常であることを示す表示(OK表示)を行う。
On the other hand, if it is determined in step S13 that the quality determination of the wiring pattern to be inspected has been completed to the end, the process proceeds to step S17. In step S17, the inspection result is displayed. For example, the NG flag is checked, and when the NG flag is set, the
ステップS18では、基板検査装置より液晶パネルを取り外す(液晶パネルを搬送位置まで下降させて搬送路上に載置し、次のステージに搬送するか、あるいは、不良パネルを搬送路から外す等の処理を行う)。そして、続くステップS19で、液晶パネルの検査が終了したか否かを調べる。次に検査すべき液晶パネルがある場合には、処理を図3に示すステップS1に戻し、新たな液晶パネルのセットを行う。しかし、次に検査すべきパネルがないときには、ステップS19で検査終了として、本処理を終了する。 In step S18, the liquid crystal panel is removed from the substrate inspection apparatus (the liquid crystal panel is lowered to the transport position and placed on the transport path and transported to the next stage, or the defective panel is removed from the transport path). Do). In subsequent step S19, it is checked whether or not the inspection of the liquid crystal panel is completed. If there is a liquid crystal panel to be inspected next, the process returns to step S1 shown in FIG. 3 to set a new liquid crystal panel. However, when there is no panel to be inspected next, the inspection is terminated in step S19, and this processing is terminated.
なお、上記の例では、検査結果が得られる毎に逐一、パターンが短絡状態等か否かを判断するように制御しているが、これに限定されず、例えば、一枚の検査基板(液晶パネル)のすべての検査対象パターンからの検査結果を収集してから、一括してデータ処理等を行うことで基板の良否を判定するようにしてもよい。 In the above example, every time an inspection result is obtained, control is performed so as to determine whether the pattern is in a short circuit state or the like. However, the present invention is not limited to this. For example, a single inspection substrate (liquid crystal After the inspection results from all the inspection target patterns on the panel) are collected, the quality of the substrate may be determined by collectively performing data processing or the like.
また、検査対象である液晶パネルのセットやその取り外しについては、上記の例に限定されるものではなく、例えば、自動的に液晶パネルのセットおよび取り外しを行い、取り外した液晶パネルを、その良否判断に従って自動的に良品収納部、あるいは不良品収納部に収納するようにしてもよい。また、上記の検査工程を製造ラインの一部に組み込み、上流側から送られてきた液晶パネルを検査し、良品のみを下流に搬送するようにしてもよい。 In addition, the setting of the liquid crystal panel to be inspected and the removal thereof are not limited to the above example. For example, the liquid crystal panel is automatically set and removed, and the removed liquid crystal panel is judged as good or bad. Accordingly, the product may be automatically stored in the non-defective product storage unit or the defective product storage unit. Further, the above inspection process may be incorporated into a part of the production line, the liquid crystal panel sent from the upstream side may be inspected, and only good products may be conveyed downstream.
次に、本実施の形態例に係る基板検査装置における検査結果について具体的に説明する。図5は、本実施の形態例に係る基板検査装置において、検査対象が列状導電パターンであるときの検査結果の一例を示している。図5に示すように、プローブ30は、各導電パターン15a,15b…に交流検査信号を供給しながら矢印方向へ移動し、センサ部20もプローブ30と同期して同方向へ移動することで、検査対象である液晶パネルの導電パターン15より非接触で検査信号を検知する。検査対象の導電パターンが、図5の導電パターン15a,15bのように短絡等のない正常なパターンである場合、これらの導電パターン15a,15bに順次、検査信号が供給されると、各導電パターンと不図示のステージとの間に等価的に接続された容量(キャパシタ)があるため、センサ部20より、どのパターンからもほぼ同レベルの検出信号SG1,SG2が得られる。
Next, the inspection result in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment will be specifically described. FIG. 5 shows an example of the inspection result when the inspection target is a columnar conductive pattern in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 5, the
一方、導電パターン15c,15dのように、パターン間に短絡90がある場合、プローブ30が交流検査信号を供給している導電パターン15cのみならず、それと短絡している導電パターン15dにも検査信号が流れ込む。その結果、導電パターン15c,15dの両方から検出信号SG3,SG4が得られることになる。また、導電パターン間に短絡がある場合、短絡のない場合と比較して検出信号の強度に差異が生じ、センサ20が感知する電圧レベルにも変化が生じる。
On the other hand, when there is a
つまり、図5に示すように、短絡している導電パターン15c,15dからは、他の正常な導電パターンから得られるレベルよりも高いレベルの信号が検出される。しかも、パターン間に短絡がある場合、高レベルの信号(SG3,SG4)が時系列で2本続けて検出されるという特徴を有する。このように高レベル信号が検出されるのは、導電パターンの一部に短絡がある場合、センサ部20に対向する導電パターンの面積がパターンが正常なときの導電パターン1本分のほぼ倍の2本分の面積となるため、増幅器25の出力は、短絡のない場合に比し大幅に上昇するからである。
That is, as shown in FIG. 5, a signal having a level higher than that obtained from other normal conductive patterns is detected from the short-circuited
他方、図5の導電パターン15fのように、その一部にオープン箇所91があるときは、プローブ30がその導電パターン15fに接触し、検査信号が供給されていても、センサ20は、そのパターンからは全く信号を検出しない。そのため、増幅器25の出力端には検出信号が現れない。
On the other hand, when there is an
次に、本実施の形態例に係る基板検査装置における検査結果についての他の例を説明する。図6は、TFT(薄膜トランジスタ)を組み込んでなる、配線層が2層構造の液晶表示パネル等(以下、単にTFT基板ともいう)を検査対象とした場合のパターン検査結果の一例を示している。このTFT基板には、第1の配線層と第2の配線層が上層/下層の位置関係で積層状態に形成されており、その第1の配線層は、液晶ディスプレイに配されたTFTトランジスタ(不図示)のデータラインとしての導電パターン15が下部ガラス基板上に形成され、第2の配線層は、ゲートラインとしての導電パターン17が導電パターン15と直交するよう上部ガラス基板上に形成されてなる。また、導電パターン15は、その一端が開放され、基部は、タブ(TAB)領域18を介してショートバー19で短絡された構成を有する。
Next, another example of the inspection result in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment will be described. FIG. 6 shows an example of a pattern inspection result when a liquid crystal display panel or the like (hereinafter simply referred to as a TFT substrate) having a wiring layer having a two-layer structure incorporating TFTs (thin film transistors) is used as an inspection target. In this TFT substrate, a first wiring layer and a second wiring layer are formed in a laminated state in an upper layer / lower layer positional relationship, and the first wiring layer is a TFT transistor ( The
図6に示す2層の導電パターンを有するTFT基板においても、その導電パターンの検査において、プローブ30を矢印方向へ移動させて各導電パターン15a,15b…に交流検査信号を供給しながら、センサ部20をプローブ30と同期して同方向へ移動させる。センサ部20は、導電パターン15より非接触で検査信号を検知する。導電パターンに短絡等がない場合、それらのパターンからは、SG1,SG4,SG6,SG7等のように、ほぼ同レベルの検出信号が得られる。
Also in the TFT substrate having the two-layer conductive pattern shown in FIG. 6, in the inspection of the conductive pattern, the
導電パターン15b,15c間に短絡箇所94がある場合、導電パターン15bと、それと短絡している導電パターン15cにも検査信号が流れ込むため、それら両方の導電パターンから検出信号SG2,SG3が得られる。このとき、図5に示す場合と同様、短絡のないときの信号レベルと比較して信号強度に差異が生じ、正常時のレベルよりも高いレベルの信号(SG2,SG3)が2本続けて検出される。
When there is a short-circuited
一方、図6において×印で示すように、第1の配線層の導電パターン15eと第2の配線層の導電パターン17d間に短絡(層間ショート、あるいはクロスショートともいう)95がある場合、プローブ30より導電パターン15eに供給された検査用交流電流iは、その短絡箇所95で分流し、電流i′,i″として第2の配線層の導電パターン17dに流れる。これは、導電パターン17各々に、不図示のステージとの間に容量(キャパシタ)C1,C2が等価的に接続されているため、給電部としてのプローブ30からの信号電流が、各導電パターンを介して、これらの容量へ流れ込むからである。
On the other hand, when there is a short circuit (also referred to as an interlayer short circuit or cross short circuit) 95 between the
このように、TFT基板に層間ショートがある場合、その短絡箇所で検査信号電流が一方の層の導電パターンから他層の導電パターンへ分流する。そのため、図6において、導電パターン15e上に位置するセンサ部20で検出される信号レベルは、図6の検出信号SG5のように、短絡がないときの正常時のレベルよりも低くなる。従って、このレベルを検出するだけで、層間における短絡の有無の判定を容易に行える。
Thus, when there is an interlayer short on the TFT substrate, the inspection signal current is diverted from the conductive pattern of one layer to the conductive pattern of the other layer at the short-circuited portion. Therefore, in FIG. 6, the signal level detected by the
他方、タブ(TAB)領域18において、導電パターン15hの一部にオープン箇所96があるときは、その導電パターン15hの一方端にプローブ30より検査信号が供給されても、その検査電流のほとんどが、導電パターンとの容量結合を介してセンサ20側へ流れる。これは、タブ領域にオープン箇所があると、グランド(GND)が取れた状態になるからである。よって、この場合、センサ20で検出される信号レベルは、図6における信号SG8のように、正常時のレベルよりも高くなる。
On the other hand, in the tab (TAB)
なお、図5および図6に示す検査では、増幅器25の出力に対して一定の閾値を設定して、検出信号のレベルがその閾値以上であれば、そのときのプローブ30の位置をもとに、その導電パターンに他のパターンとの短絡箇所があると判断している。これは、短絡している導電パターンでの検出波形が正常時の検出波形とレベルに大きな差異があるため、例えば、正常時の平均検出レベルに、正常時と短絡時の検出信号の差分の半分(1/2)の値を加算した値を短絡か否かの閾値に設定しても短絡を検出できる。
In the inspections shown in FIG. 5 and FIG. 6, if a constant threshold is set for the output of the
しかし、上述したように、本実施の形態例に係る基板検査装置では、検査対象の導電パターンと非接触状態でセンサ部が配されているため、実際にはギャップ変動等の測定条件や個々の検査対象物(液晶表示パネル等)によって、そのセンサ部で検出される電圧レベルに変動が生じる。例えば、図7(b)において点線で示すように測定電圧のレベル全体に対して変動が生じる場合、図7(a)に示すように増幅器の出力電圧波形に一定の閾値Athを設定しても、正常な導電パターンと短絡等のあるパターンを、測定電圧のレベルだけに基づいて正確に識別することは困難になる。 However, as described above, in the substrate inspection apparatus according to the present embodiment, the sensor unit is disposed in a non-contact state with the conductive pattern to be inspected. The voltage level detected by the sensor unit varies depending on the inspection object (liquid crystal display panel or the like). For example, when fluctuation occurs with respect to the entire level of the measured voltage as shown by a dotted line in FIG. 7B, a constant threshold A th is set in the output voltage waveform of the amplifier as shown in FIG. 7A. However, it is difficult to accurately identify a normal conductive pattern and a pattern such as a short circuit based only on the level of the measured voltage.
そこで、図7(b)に示すように、各信号波形について、その前後の信号波形とのレベル差を求め、そのレベル差の増加あるいは減少傾向より出力電圧波形全体の変化傾向を求める。例えば、図7(b)において、各々の信号波形について、その前後の信号波形とのレベル差ΔA1〜ΔA8を求める。そして、それらのレベル差が示す変化傾向を、図7(b)の点線で示す出力電圧波形全体の変化傾向と判断する。 Therefore, as shown in FIG. 7B, for each signal waveform, the level difference from the signal waveform before and after it is obtained, and the change tendency of the entire output voltage waveform is obtained from the increasing or decreasing tendency of the level difference. For example, in FIG. 7B, for each signal waveform, level differences ΔA 1 to ΔA 8 from the signal waveforms before and after the signal waveform are obtained. And the change tendency which those level differences show is judged as the change tendency of the whole output voltage waveform shown by the dotted line of Drawing 7 (b).
図7(b)に示す例では、信号SGaと信号SGbのレベル差ΔA3と、信号SGbと信号SGcのレベル差ΔA4が、他の信号間におけるレベル差(変化傾向)と大きく異なっている。そのため、信号間のレベル差の変化傾向が、信号SGbについては、点線で示す全体の変化傾向と一致しないと判断できる。従って、この場合は、信号SGbが、短絡等のある導電パターンに対応した信号であると判定することができる。 In the example shown in FIG. 7B, the level difference ΔA 3 between the signal SGa and the signal SGb and the level difference ΔA 4 between the signal SGb and the signal SGc are greatly different from the level difference (change tendency) between the other signals. . Therefore, it can be determined that the change tendency of the level difference between the signals does not match the overall change tendency indicated by the dotted line for the signal SGb. Therefore, in this case, it can be determined that the signal SGb is a signal corresponding to a certain conductive pattern such as a short circuit.
図7(c)は、出力電圧波形全体の変化傾向が図7(b)とは異なるときの例、すなわち、点線で示すように、変化傾向が緩やかである場合を示している。この場合においても、各々の信号波形について、その前後の信号波形とのレベル差を求め、それらの変化傾向が、点線で示す出力電圧波形全体の変化傾向と一致するかどうかをもとに、短絡等のある導電パターンの有無を判定する。 FIG. 7C shows an example in which the change tendency of the entire output voltage waveform is different from that in FIG. 7B, that is, a case where the change tendency is gentle as shown by a dotted line. Even in this case, for each signal waveform, determine the level difference from the signal waveform before and after it, and check whether the change trend matches the change trend of the entire output voltage waveform indicated by the dotted line. The presence or absence of a certain conductive pattern is determined.
このように、隣接パターンの検出信号のレベル差の変化傾向に基づいて相対的な比較をすることで、導電パターンの短絡等の有無を検出する方法は、各導電パターンからの検出データをRAM等に順次、格納し、すべての導電パターンの走査終了後、一括して、それら導電パターンの良否判断処理を行う検査方法に合致するものである。 As described above, the method of detecting the presence or absence of a short circuit of the conductive pattern by performing a relative comparison based on the change tendency of the level difference of the detection signal of the adjacent pattern, the detection data from each conductive pattern is stored in the RAM or the like. The inspection method is stored in order, and after all the conductive patterns have been scanned, it conforms to the inspection method for collectively performing the pass / fail judgment process for the conductive patterns.
以上説明したように、本実施の形態例によれば、規則的に配列された導電パターンのいずれか一つの一方端のみにプローブの先端部を接触させるとともに、その導電パターンと、それに隣接するパターンとに跨る大きさのセンサ部を、それらのパターンから所定距離離間した位置に非接触状態で位置決めし、それらプローブとセンサ部とを同期させて検査対象基板上を移動させる。こうすることで、従来のように検査対象の導電パターン各々に位置決めして検査ピンを接触させる必要がなく、単に検査対象パターンをなぞり走査するだけで、導電パターンの短絡やオープン状態を検出できる。そのため、検査装置を簡略化できるとともに、確実かつ信頼性の高いパターン検査を実現することが可能となる。 As described above, according to the present embodiment, the probe tip is brought into contact with only one of the regularly arranged conductive patterns, and the conductive pattern and a pattern adjacent thereto. The sensor unit having a size over the two is positioned in a non-contact state at a position separated from the pattern by a predetermined distance, and the probe and the sensor unit are synchronized to move on the inspection target substrate. By doing so, it is not necessary to position each of the conductive patterns to be inspected and bring the inspection pins into contact with each other, and it is possible to detect a short circuit or an open state of the conductive pattern simply by tracing and scanning the inspection target pattern. Therefore, the inspection apparatus can be simplified and a reliable and highly reliable pattern inspection can be realized.
また、検査すべき導電パターンのピッチが異なっていても、特別の制御を行うことなく、単に検査プローブのなぞり位置が確実に検査対象パターンを横切るように走査させるのみで、確実に導電パターンの短絡を検出できる。しかも、検出の判断対象となる正常時の検出信号レベルと異常時の検出対象レベルの差が明確に出るだけでなく、特に、短絡がある場合、時系列で並べた信号中に高レベルの信号が2本続けて検出されるため、確実かつ信頼性の高い検査結果が得られる。 In addition, even if the pitch of the conductive pattern to be inspected is different, the conductive pattern is surely short-circuited by simply scanning so that the tracing position of the inspection probe crosses the inspection target pattern without performing special control. Can be detected. In addition, the difference between the normal detection signal level and the detection target level at the time of abnormality, which are subject to detection, not only clearly appears, but especially when there is a short circuit, a high-level signal in the signal arranged in time series Since two are detected in succession, a reliable and highly reliable test result can be obtained.
さらには、検査対象パターンのうち、例えば、その接続端子部を順次、走査するだけで足りるため、検査対象パターンのパターン配設状況が変更しても、検査ピンの正確な位置決め等が不要で、単に走査するルートを制御するのみで、複雑な配線であっても、また検査対象パターンのパターン間隔がまちまちであっても、何ら複雑な位置決め制御なしに導電パターンの短絡検査が行える。 Furthermore, among the inspection target patterns, for example, it is only necessary to sequentially scan the connection terminal portions, so even if the pattern placement status of the inspection target pattern is changed, the accurate positioning of the inspection pins is unnecessary, By simply controlling the scanning route, it is possible to perform a short circuit inspection of a conductive pattern without any complicated positioning control even if the wiring is complicated or the pattern interval of the pattern to be inspected varies.
また、配線層が2層構造のTFT基板が検査対象のときでも、第1の配線層の導電パターンと第2の配線層の導電パターンとの間で層間ショートがある場合、そのパターンからの検出信号のレベルが、短絡のない正常時のレベルよりも低くなるため、そのレベルを検出するだけで、層間における短絡の有無の判定を容易に行うことができる。 In addition, even when a TFT substrate having a two-layer wiring layer is an object to be inspected, if there is an interlayer short between the conductive pattern of the first wiring layer and the conductive pattern of the second wiring layer, detection from the pattern Since the signal level is lower than the normal level without a short circuit, it is possible to easily determine whether or not there is a short circuit between the layers simply by detecting the level.
10 基板(液晶表示パネル)
15a,15b導電パターン
18 タブ(TAB)領域
20 センサ部
25,51 増幅器
26表示装置
30 プローブ
35 交流信号発生部
50 アナログ信号処理回路
60 制御部
90,94,95 短絡箇所
91 オープン箇所
10 Substrate (liquid crystal display panel)
15a, 15b
Claims (15)
検査対象とする前記導電パターンの一方端部に検査信号を供給する信号供給手段と、
前記検査対象とする導電パターンの他方端部において、少なくとも前記導電パターンとその導電パターンに隣接する導電パターンとを覆う大きさの信号検出手段と、
前記導電パターンを順次走査するよう前記信号供給手段と前記信号検出手段を位置決め移動させる走査手段と、
前記信号検出手段で検出された信号の変化に基づいて前記導電パターンの良否を識別する識別手段とを備え、
前記信号供給手段は少なくとも前記導電パターンの配設ピッチ幅と同等あるいはそれ以下の幅の信号供給端子を有し、その信号供給端子で前記導電パターンの一方端部を順次なぞりながら前記走査方向へ移動し、前記信号検出手段は前記信号供給手段と同期して前記走査方向へ移動するとともに、前記導電パターンとの間の容量結合を介して非接触で前記検査信号を検出することを特徴とする検査装置。 An inspection device for inspecting the state of a conductive pattern arranged on a substrate,
Signal supply means for supplying an inspection signal to one end of the conductive pattern to be inspected;
A signal detecting means having a size covering at least the conductive pattern and a conductive pattern adjacent to the conductive pattern at the other end of the conductive pattern to be inspected;
Scanning means for positioning and moving the signal supply means and the signal detection means so as to sequentially scan the conductive pattern;
An identification means for identifying the quality of the conductive pattern based on a change in the signal detected by the signal detection means,
The signal supply means has at least a signal supply terminal having a width equal to or less than the arrangement pitch width of the conductive pattern, and moves in the scanning direction while sequentially tracing one end of the conductive pattern at the signal supply terminal. The signal detection means moves in the scanning direction in synchronization with the signal supply means, and detects the inspection signal in a non-contact manner through capacitive coupling with the conductive pattern. apparatus.
少なくとも前記導電パターンの配設ピッチ幅と同等あるいはそれ以下の幅の信号供給端子を有する信号供給手段より検査対象とする前記導電パターンの一方端部に検査信号を供給するステップと、
前記検査対象とする導電パターンの他方端部において、少なくとも前記導電パターンとその導電パターンに隣接する導電パターンとを覆う大きさの信号検出手段によって、前記導電パターンとの間の容量結合を介して非接触で前記検査信号を検出するステップと、
前記信号供給端子が前記導電パターンの一方端部を順次なぞるとともに、前記信号検出手段が前記信号供給手段と同期して前記導電パターンの他方端部を順次走査するように前記信号供給手段と前記信号検出手段を位置決め移動させるステップと、
前記信号検出ステップで検出された信号の変化に基づいて前記導電パターンの状態を識別するステップとを備えることを特徴とする導電パターン検査方法。 A conductive pattern inspection method in an inspection apparatus for inspecting the state of a conductive pattern arranged on a substrate,
Supplying an inspection signal to one end of the conductive pattern to be inspected from a signal supply means having a signal supply terminal having a width equal to or less than the arrangement pitch width of the conductive pattern;
At the other end portion of the conductive pattern to be inspected, the signal detecting means having a size covering at least the conductive pattern and the conductive pattern adjacent to the conductive pattern is not coupled via capacitive coupling with the conductive pattern. Detecting the inspection signal by contact;
The signal supply terminal and the signal are sequentially traced at one end of the conductive pattern, and the signal detection means sequentially scans the other end of the conductive pattern in synchronization with the signal supply means. Positioning and moving the detection means;
And a step of identifying the state of the conductive pattern based on a change in the signal detected in the signal detecting step.
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