JP2006196813A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を、層状に形成することにより、良好な層間の電気的接続信頼性を保持するとともに、剥離強度を低下させることなく、高精度且つ微細な配線パターンを有する配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基板1に貫通孔2を設け、この貫通孔2内に異なる複数の種類の導電性材料3,4を充填し、前記導電性材料3,4は、前記貫通孔2内に層状に形成され、無電解めっき銅8および電気めっき銅10による配線パターンと電気的に接続していることを特徴とする配線基板である。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁性基板1に貫通孔2を設け、この貫通孔2内に異なる複数の種類の導電性材料3,4を充填し、前記導電性材料3,4は、前記貫通孔2内に層状に形成され、無電解めっき銅8および電気めっき銅10による配線パターンと電気的に接続していることを特徴とする配線基板である。
【選択図】図1
Description
本発明は導体層による配線を形成した絶縁性基板に関するものであり、特に半導体素子、集積回路、電子部品等を搭載するための配線基板およびその製造方法に関するものである。
近年、回路基板に対して電子機器の小型化や高性能化により配線パターンの微細化が求められている。一方、回路基板の層間接続においてはビアホールにかかる応力を緩和し、熱衝撃による寸法変化などに対して安定し、かつ電気的接続信頼性の高い導電性ペーストを充填した接続方式が有効である。
このような要望に対して、絶縁性基板に貫通孔を設け、この貫通孔内に導電性ペーストなどの導電性材料を充填し、加熱硬化した後に化学的に表面の粗化処理を施し、次に無電解めっきによりパターン形成し、無電解めっき後に所望配線パターンが形成できるようにめっきレジストを形成し、さらに電気めっきによりパターン形成した後、不要部の無電解めっき層を除去する方法によって、エッチング方法によるパターン形成のような、サイドエッチが無く微細なパターンの形成が可能で、層間の電気的接続信頼性の高い配線基板が提案されている。
また、絶縁性基板に貫通孔を設けて導電性材料を充填し、導電性材料の導電粒子、すなわち導電性付与のための金属粒子とは異なる材料の金属箔をプレスした後、導電性材料をエッチングせず金属箔のみエッチングするエッチング液を選択して金属箔をエッチング除去して、絶縁性基板表面に凹凸を形成した後に、所望配線パターンが形成できるようにめっきレジストパターンを形成し、めっきによりパターン形成することも提案されている。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2000−277879号公報
しかしながら上記の特許文献1に開示されている方法において、化学的に絶縁性基板表面を粗化処理、すなわち絶縁性基板を表面からエッチング処理により粗化するもので、その断面形状は、絶縁性基板表面がエッチングにより凹部の開口部の断面積が大きく、深部になるにつれて小さくなっているため、めっきによる配線パターンのアンカー効果によって基板との密着力を大きくすることができないという課題が生じていた。
また、基板表面に粗化銅箔をプレスし、後に銅箔をエッチングして凹凸を形成すれば、従来貫通孔に充填される導電性材料の導電性付与のために、抵抗率の低い銅粉が用いられているため、銅箔エッチングによって導電性材料の銅粉も同時にエッチング除去されてしまい、その結果電気抵抗が低く、安定した電気的接続が得られなくなるという課題も生じていた。
上記目的を達成するために、本発明は、貫通孔内に複数の種類の導電性材料を充填し、前記導電性材料は前記貫通孔内に層状に形成する配線基板であり、これにより、パターン配線の強度を保持することができるとともに、高精度且つ微細な配線パターンを有する配線基板を得ることが可能となる。
以上のように本発明は、微細な配線パターンを容易に形成することができ、絶縁性基板の粒状の凹凸形状が転写された形状とすることで、配線パターンが基板に食い込むために、通常の粗化銅箔と同等の密着強度が得られ、このための粒状の粗化層を有する銅箔をプレスした後にこの銅箔をエッチングしても、貫通孔表面はこのエッチングに対してマスク効果を有するため、導電性材料はそのまま残存するので、電気抵抗が低く、安定した電気的層間接続を得ることを可能とするものである。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項1〜5の発明について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項1〜5の発明について、図面を参照しながら説明する。
図1(a)〜(g)は本発明の実施の形態1における配線基板の製造方法の断面図であり、配線基板の片方の表面における貫通孔近傍部を示している。
まず、図1(a)に示すように、基板は、絶縁性基板1として、エポキシ系の接着性樹脂や半硬化の樹脂を表面に塗布したイミド系樹脂や液晶ポリマーなどの樹脂フィルムの他に、アラミド樹脂やガラス等の絶縁性繊維として、例えばガラス繊維を縦糸と横糸として布状に織ったいわゆるガラスクロス(ガラス織布)に、樹脂としてエポキシ樹脂を含浸させ、さらにガラスクロスの両面、例えば厚さ5〜20μm程度のエポキシ層半硬化状態、すなわちBステージで形成したガラスエポキシ基板を用いる。
次に絶縁性基板1に、炭酸ガスレーザーやYAGレーザー等の光学的手法や、ドリル等の機械的手法によって貫通孔2を形成する。この貫通孔2の形成には、炭酸ガスレーザーやYAGレーザー等の光学的手法を用いれば、周辺にバリ等ができない良好な貫通孔2が形成できる。
そしてこの貫通孔2に、図1(b)に示すように、1〜50μmの電気抵抗の小さい銅粒子を、樹脂や溶剤に対して30〜80容量%混入したペースト状の導電性材料3を、印刷やノズルからの噴射などによって充填する。さらに、銅箔のエッチング液である塩化鉄や塩化銅系のエッチング液によってエッチングされない金属である、粒径1〜50μmのクロム、チタン、金、またはパラジウムなどの粒子を、樹脂や溶剤に対して30〜80容量%混入したペースト状の導電性材料4を、印刷やノズルからの噴射などによって充填する。これによって、貫通孔2に、例えば銅粒子による導電性材料3の層と、クロム、チタン、金またはパラジウムなどの粒子による導電性材料4の層のような、異なる複数の金属で構成される導電性材料3,4が、層状で貫通孔2に充填形成されている。
ここで、導電性材料3は貫通孔2内の電気抵抗を小さくするものであり、一方、導電性材料4は後工程での銅箔のエッチングに対して、マスク効果によって導電性材料3をエッチング液による腐蝕から保護するだけの厚さがあれば良く、特に多く充填する必要はない。
また、導電性材料3と導電性材料4とが混ざらないように、それぞれの樹脂や溶剤を設定することが好ましい。もしくは、導電性材料4の金属粒子が、たとえば錫等のように後工程の銅箔のプレスのときに加えられる温度や圧力によって合金を形成して、後工程の銅箔のエッチングに対してマスク効果を発揮する材料であってもかまわない。
また、パラジウムのように、後工程の無電解めっきの核になる金属であれば、選択的に貫通孔2の表面層にのみ被着形成できるため、無電解めっきの前の核形成ばかりでなく、後工程の電気めっきによる所望配線パターンの銅をマスクとして、無電解めっきによる銅8をエッチングした後のパラジウム除去処理も不要とすることができる。
次に、図1(c)に示すように、表面に粗化処理が施された金属箔として、例えば銅箔6の粗化処理面5を、絶縁性基板1の表面にプレスを行う。このプレスは、銅箔の酸化や絶縁性基板1から発生するガス等を除去するために、絶縁性基板1の半硬化の樹脂が硬化する温度として、例えば100〜300℃、好ましくは250〜270℃のピーク温度で、真空雰囲気中で熱プレスを行う。
ここで、銅箔6の粗化処理面5は、銅箔6の表面に電気めっきの電流を通常の数倍にしてめっきする、すなわち異常めっき現象を利用しており、粒状の銅の細かい粒子をめっき成長させたものであるが、その粒子の大きさや粗さおよび粒状などの総合的な粗化形状が、絶縁性基板1との密着強度に重要な要因であり、銅箔メーカーにおいて最適化されており、入手も容易である。
また、真空熱プレスによって、貫通孔2に充填された導電性材料3および4が圧縮され、さらに導電性材料3および4の金属粒子同士が圧着されるため、導通抵抗が小さくなり、導電性材料4においては、銅箔の粗化処理面5による凹凸によって、導電性材料4の金属と銅箔6の粗化処理面5との接触面積が大きくなることにより、電気的な接続抵抗をさらに小さくすることができる。
次に、図1(d)に示すように、絶縁性材料1の表面に、真空熱プレスした銅箔6および粗化処理面5の銅を、例えば塩化鉄や塩化銅系の配線基板の製造に一般的に用いられている塩化鉄や塩化銅などの、銅のエッチング液によってエッチング除去する。このとき、貫通孔2の表面の導電性材料4は、これらのエッチング液のマスク効果を有するクロム、チタン、金、またはパラジウムなどの金属粒子を用いているため、金属粒子表面が銅箔6の粗化処理面5と接していてもエッチングされずに、表面に露出して容易に残存させることができる。
また、導電性材料4および絶縁性基板1の表面は、粗化処理面5の銅がエッチングされるために、銅箔6の粗化処理面5の凹凸形状が転写されて凹凸(レプリカ)による粗化処理面7が形成されている。この凹凸は、粗化処理面5が前述の如く粒状であるため、絶縁性基板1および導電性材料4の表面の凹凸形状は多くの粒状の凹部を有し、その凹部の表面積の大きさばかりでなく、凹部表面の開口部の断面積の大きさより、凹部の内部における開口部の断面積のほうが大きい部分が存在する形状で形成されており、アンカー効果を最大限にする最適な形状が得られる。
次に、図1(e)に示すように、絶縁性基板1および導電性材料4の表面に無電解めっきの核となるパラジウムを付着した後(図示せず)、無電解めっきにより電気抵抗率の小さい銅8を厚さ0.1〜5μm程度、好ましくは0.3〜2μm被着形成する。本実施の形態では1μm形成している。
なお、無電解めっき銅8は、前記形成された凹凸が埋まる必要はなく、後の電気めっきのための給電ができればよいので、厚くする必要はない。このとき、無電解めっき銅8は、絶縁性基板1および導電性材料4の表面全体に被着形成され、当然凹凸の深部にも形成される。これにより、無電解めっき銅8は、絶縁性基板1に食い込んで被着形成されるため、アンカー効果も大きく通常の粗化銅箔と同等の密着強度を有するものである。
次に、図1(f)に示すように、所望配線パターン以外の領域に、めっきマスクとして、例えば感光性樹脂9を被着形成する。この感光性樹脂9は、ドライフィルムレジストをラミネートして、所望パターン形成のための光マスクによって露光し、現像することによって容易に形成される。また、ドライフィルムレジストの代わりに、例えばポジタイプの液状レジストを、回転塗布やロールコートによって被着形成後同様に露光現像によっても可能であり、厚さ20μm程度で幅10μm程度の微細なパターン形成も可能である。
しかる後に、前記被着形成した無電解めっき銅8から給電することによって、感光性樹脂9が被着形成されていない所望配線パターン領域に、電気めっき銅10の配線を形成する。
ここで、電気めっき銅10の配線は、感光性樹脂9と同等のパターン寸法で被着形成され、エッチングによるパターン形成のようにサイドエッチが一切ないために、微細パターンであっても寸法精度をマスクとほぼ同等に形成することができる。また、電気めっき銅10の配線の厚さは、感光性樹脂9の表面より突出しない程度に形成することが好ましいが、表面を平坦にするために感光性樹脂9の表面より突出させてバフ研磨などの処理を行っても構わない。
次に、図1(g)に示すように、感光性樹脂9を除去したのち、硫酸過酸化水素系や過硫酸塩類もしくはアンモニア錯塩類系等のエッチング液によってエッチングする。ここで、無電解めっき銅8は、電気めっき銅10の配線に比較してエッチング速度が速いため、所望パターンの電気めっき銅10の配線はほとんどエッチングされず、電気めっき銅10による所望パターンの下の無電解めっき銅8は、電気めっき銅10の配線がマスクとなって保護されているため、エッチングされない。その後、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムの混合液に浸漬することによって絶縁性基板1の露出した表面に被着し、前記エッチング液でエッチングできなかったパラジウムを除去する。
以上のように、本実施の形態によれば、異なる複数の種類の導電性材料3,4を貫通孔2内に充填しているので、粗化処理面5を施した銅箔6をエッチングしても、貫通孔2に充填した導電性材料4が、導電性材料3に対するエッチングマスクとして機能するため、導電性材料3のエッチングを阻止することができるので、無電解めっき銅8と抵抗値の低い導電性材料3は、導電性材料4を介して安定した電気的接続を得ることができる。
また、絶縁性基板1は凹凸を形成しているため、無電解めっき銅8および電気めっき銅10による配線パターンと絶縁性基板1との密着強度を、粗化銅箔をエッチングしてパターン形成したものとほぼ同等にすることができ、その結果熱応力などによる寸法変化などに対しても、信頼性が高い電気接続が得られる。さらに、配線パターンを電気めっきで形成するために、微細な配線が高精度に容易に形成できるものである。
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項6〜8の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同様の構成を有するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項6〜8の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同様の構成を有するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
図2(a)〜(h)は本発明の実施の形態2における配線基板の製造方法の断面図で、配線基板の片方の表面における貫通孔近傍部を示している。
まず、図2(a)に示すように、基板は、絶縁性基板1として、エポキシ系の接着性樹脂や半硬化の樹脂を表面に塗布したイミド系樹脂や液晶ポリマーなどの樹脂フィルムの他に、アラミド樹脂やガラス等の絶縁性繊維として、例えばガラス繊維を縦糸と横糸として布状に織ったいわゆるガラスクロス(ガラス織布)に、樹脂としてエポキシ樹脂を含浸させ、さらにガラスクロスの両面、例えば厚さ5〜20μm程度のエポキシ層半硬化状態、すなわちBステージで形成したガラスエポキシ基板を用いる。
本実施の形態では、この絶縁性基板1の少なくとも一方の表面に、絶縁性層として、剥離可能なフィルム12を被着している。このフィルムは、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)やPEN(ポリエチレンナフタレート)の他に、感光性樹脂や離型処理を施した金属でも良く、後の工程で乾式によって貫通孔2に金属層4を被着形成するときに絶縁性基板1の表面を保護し、さらに被着後は容易に剥離できれば良い。
次にフィルム12を形成した絶縁性基板1に、炭酸ガスレーザーやYAGレーザー等の光学的手法やドリル等の機械的手法によって貫通孔2を形成する。この貫通孔2の形成には炭酸ガスレーザーや、YAGレーザー等の光学的手法を用いると、周辺にバリ等ができない良好な貫通孔2が形成できる。
そして図2(b)に示すように、この貫通孔2に、1〜50μmの電気抵抗の小さい銅粒子を、樹脂や溶剤に対して30〜80容量%混入したペースト状の導電性材料3を、印刷やノズルからの噴射などによって充填する。さらに、抵抗加熱蒸着や電子ビーム蒸着やスパッタ蒸着、および金属を溶融して噴射する溶射方法などの、乾式による形成方法によって、銅箔のエッチング液である塩化鉄や塩化銅系のエッチング液によってエッチングされない導電性材料4として、クロム、チタン、金、またはパラジウムなどの金属膜を、0.05〜5μmの厚さで形成する。
このとき、前述のような乾式による方式では、貫通孔2のみに形成するのは困難であり、その周辺の広い領域に被着されるため、被着に対してフィルム12はマスクとして有効である。なお、前述した本発明の実施の形態1においても、通常印刷によるペーストの充填では、スキージによるペーストの掻き取りを行うため、絶縁性基板1の表面に導電性材料3が残存することはほとんどないが、絶縁性基板1の表面にこのフィルム12を被着しても構わない。
なお、本実施の形態では、導電性材料4を乾式法により形成するとしたが、実施の形態1と同様、粒径1〜50μmのクロム、チタン、金、またはパラジウムなどの粒子を、樹脂や溶剤に対して30〜80容量%混入したペースト状のものを用いて形成しても良い。
次に、図2(c)に示すように、フィルム12を剥離することによって、異なる2種類の導電性材料3,4が、貫通孔2内にのみ層状に形成されている。ここで、フィルム12がPETやPENなど離型処理を施した金属等は容易に機械的に剥離でき、感光性樹脂の場合は水酸化ナトリウム溶液で化学的に剥離でき、感光性樹脂表面に付着した導電性材料4も同時に選択的に剥離できる、いわゆるリフトオフが可能である。
次に、図2(d)に示すように、表面に粗化処理が施された金属箔として、例えば銅箔6の粗化処理面5を、絶縁性基板1の表面にプレスを行う。このプレスは銅箔の酸化や絶縁性基板1から発生するガス等を除去するために、絶縁性基板1の半硬化の樹脂が硬化する温度として、例えば100〜300℃、好ましくは250〜270℃のピーク温度において、真空雰囲気中で熱プレスを行う。
ここで、銅箔6の粗化処理面5は、銅箔6の表面に電気めっきの異常めっき現象を利用したもので、粒状の銅の細かい粒子をめっき成長させたものである。また、真空熱プレスによって、貫通孔2に充填された導電性材料3および4が圧縮され、さらに導電性材料3および4の金属粒子同士が圧着されるため、導通抵抗が小さくなり、導電性材料4においては、銅箔の粗化処理面5による凹凸によって導電性材料4の金属と銅箔6の粗化処理面5との接触面積が大きくなることにより、電気的な接続抵抗を小さくする。
次に、図2(e)に示すように、絶縁性材料1の表面に、真空熱プレスした銅箔6および粗化処理面5の銅を、例えば塩化鉄や塩化銅系のエッチング液によってエッチング除去する。このとき、貫通孔2の表面の導電性材料4は、これらのエッチング液のマスク効果を有するクロム、チタン、金、またはパラジウムなどの金属層であるため、金属粒子表面が銅箔6の粗化処理面5と接していても、エッチングされずに表面に露出して残存する。
また、導電性材料4および絶縁性基板1の表面は、粗化処理面5の銅がエッチングされるために、銅箔6の粗化処理面5の凹凸形状が転写されて、凹凸(レプリカ)による粗化処理面7が形成されている。この凹凸は、粗化処理面5が前述の如く粒状であったため、絶縁性基板1および導電性材料4表面の凹凸形状は多くの粒状の凹部を有し、その表面積の大きさばかりでなく、凹部表面の開口部の断面積の大きさより、凹部の内部における開口部の断面積のほうが大きい部分が存在する形状で形成されており、アンカー効果を最大限にする最適形状が得られている。
次に、図2(f)に示すように、絶縁性基板1および導電性材料4の表面に、無電解めっきの核となるパラジウムを付着した後(図示せず)、無電解めっきにより、電気抵抗率の小さい銅8を厚さ0.1〜5μm程度、好ましくは0.3〜2μm被着形成する。本実施の形態では1μm形成している。
なお、無電解めっき銅8は、前記形成された凹凸が埋まる必要はなく、後の電気めっきのための給電ができればよいので、厚くする必要はない。このとき、無電解めっき銅8は、絶縁性基板1および導電性材料4の表面全体に被着形成され、当然凹部の内部にも形成される。これにより、無電解めっき銅8は、絶縁性基板1に食い込んで被着形成されるため、アンカー効果も大きく、通常の粗化銅箔と同等の密着強度を有するものである。
さらに、貫通孔2内の導電性材料4の表面は、凹凸形状の金属箔として全面を被覆しているために、無電解めっき銅8は導電性材料4の金属箔全面に被着形成され、印刷やインクジェットなどで充填される金属粒子を樹脂や溶剤に混練したペースト状材料の場合のように、金属粒子のみにしか無電解めっき銅8が被着しない場合に比べその接触面積が大きくなるので、電気的接続抵抗を小さくすることができ、安定且つ信頼性が高いばかりでなく、機械的な接着強度も大きい接続が得られる。
次に、図2(g)に示すように、所望配線パターン以外の領域に、めっきマスクとして例えば感光性樹脂9を被着形成する。この感光性樹脂9は、ドライフィルムレジストをラミネートして、所望パターン形成のための光マスクによって露光し、現像することによって容易に形成される。また、ドライフィルムレジストの代わりに、例えばポジタイプの液状レジストを、回転塗布やロールコートによって被着形成後同様に露光現像によっても可能であり、厚さ20μm程度で幅10μm程度の微細なパターン形成も可能である。
しかる後に、前記被着形成した無電解めっき銅8から給電することによって、感光性樹脂9が被着形成されていない所望配線パターン領域に、電気めっき銅10の配線を形成する。ここで、電気めっき銅10のパターンは、感光性樹脂9と同等のパターン寸法で被着形成され、エッチングによるパターン形成のようにサイドエッチが一切ないために、微細パターンであっても寸法精度をマスクとほぼ同等に形成することができる。
また、電気めっき銅10の厚さは、感光性樹脂9の表面より突出しない程度に形成することが好ましいが、表面を平坦にするために、感光性樹脂9表面より突出させてバフ研磨などの処理を行っても構わない。
次に、図2(h)に示すように、感光性樹脂9を除去したのち、硫酸過酸化水素系や過硫酸塩類もしくはアンモニア錯塩類系等のエッチング液によって、エッチングする。ここで、無電解めっき銅8は電気めっき銅10に比較してエッチング速度が速いため、所望パターンの電気めっき銅10はほとんどエッチングされず、電気めっきによる所望パターンの下の無電解めっき銅8は、電気めっき銅10がマスクとなって保護されているため、エッチングされない。
その後、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムの混合液に浸漬することによって、絶縁性基板1が露出した表面に被着し、前記エッチング液でエッチングできなかったパラジウムを除去する。
以上のように、本実施の形態によれば、絶縁性基板1にフィルム12を形成した状態で貫通孔2を形成しているので、確実に貫通孔2内にのみ複数の導電性材料3,4を充填できるとともに、エッチング時に確実にマスク効果を有するばかりでなく、真空熱プレスにおいても導電性材料3と混合することなく形成することが可能となる。
また、導電性材料4を乾式法により形成すると、エッチング時におけるマスク効果をさらに確実にすることができる。
また、実施の形態1と同様、異なる複数の種類の導電性材料3,4を、貫通孔2内に層状に充填しているので、無電解めっき銅8と抵抗値の低い導電性材料3は、導電性材料4を介して安定した電気的接続を得ることができる。
また、絶縁性基板1は凹凸を形成しているため、無電解めっき銅8および電気めっき銅10による配線パターンと絶縁性基板1との密着強度を、従来の粗化銅箔をエッチングしてパターン形成したものとほぼ同等にすることができ、その結果熱応力などによる寸法変化などに対しても、信頼性が高い電気接続を得ることができる。さらに、配線パターンを電気めっきで形成するために、微細な配線が高精度に容易に形成できるものである。
本発明は、良好な層間の接続信頼性を保ち、パターン配線の剥離強度も低下させることなく、感光性レジスト寸法と同等の高精度かつ微細な配線パターンを有する配線基板を得ることを可能とする。
1 絶縁性基板
2 貫通孔
3 導電性材料
4 導電性材料
5 銅箔の粗化処理面
6 銅箔
7 粗化処理面
8 無電解めっき銅
9 感光性樹脂
10 電気めっき銅
12 フィルム
2 貫通孔
3 導電性材料
4 導電性材料
5 銅箔の粗化処理面
6 銅箔
7 粗化処理面
8 無電解めっき銅
9 感光性樹脂
10 電気めっき銅
12 フィルム
Claims (8)
- 貫通孔を設けた配線基板において、この貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を充填し、前記導電性材料は、前記貫通孔内に層状に形成されていることを特徴とする配線基板。
- 少なくとも一方の面は、粗化処理が施された粗化処理面であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 粗化処理面は、凹部を有し、この凹部の内部における断面積が、表面の開口部の断面積よりも大きい部分が存在することを特徴とする請求項2に記載の配線基板。
- 少なくとも一方の面の表面近傍部に形成された導電性材料は、エッチングのマスク材としての機能を有することを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 基板に貫通孔を形成し、次にこの貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を層状に充填し、その後少なくとも一方の表面に粒状の粗化処理面を形成した金属層の粗化処理面を前記基板に圧着し、次に前記金属層をエッチングして配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 基板の表面に絶縁性層を形成し、次に前記基板に貫通孔を形成し、その後この貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を層状に充填し、次に少なくとも一方の表面に、粒状の粗化層を形成した金属層の粗化処理面を前記基板に圧着し、その後前記金属層をエッチングして配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 基板の表面に絶縁性層を形成し、次に前記基板に貫通孔を形成し、その後この貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を層状に充填し、次に前記導電性材料の表面にめっきの核となる材料を形成し、その後前記導電性材料の表面にめっきし、次に少なくとも一方の表面に粒状の粗化処理面を形成した金属層の粗化処理面を前記基板に圧着し、その後前記金属層をエッチングして配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 基板の表面に絶縁性層を形成し、次に前記基板に貫通孔を形成し、その後この貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を層状に充填し、次に前記導電性材料の表面に異なる金属層を乾式法により形成し、その後少なくとも一方の表面に粒状の粗化処理面を形成した金属層の粗化処理面を前記基板に圧着し、次に前記金属層をエッチングし、配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
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- 2005-01-17 JP JP2005008786A patent/JP2006196813A/ja active Pending
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