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JP2006165175A - 回路部品モジュールおよび電子回路装置並びに回路部品モジュールの製造方法 - Google Patents

回路部品モジュールおよび電子回路装置並びに回路部品モジュールの製造方法 Download PDF

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JP2006165175A
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JP
Japan
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circuit component
component module
layer
resin layer
wiring pattern
Prior art date
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Application number
JP2004352814A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiko Sasaki
順彦 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to US11/290,314 priority patent/US7514636B2/en
Priority to CNA2005101295580A priority patent/CN1791305A/zh
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Abstract

【課題】 高精度で信頼性が高く、かつローコストに生産が可能な回路部品モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 放熱板８と、放熱板８の一面８ｂに積層された樹脂層６と、樹脂層６に埋込まれるとともに一部が放熱板８に接している電子部品３１と、樹脂層６の放熱板と反対側の面６ａに埋込まれて電子部品３１とともに回路を構成する配線パターン５とを具備してなることを特徴とする回路部品モジュール１００を提供する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、回路部品モジュールおよび電子回路装置並びに回路部品モジュールの製造方法に関する。
例えば、携帯電話やＰＤＡなどの携帯電子機器では、小型軽量化およびローコスト化のために、回路基板と各種部品とを一体化した薄板状の回路部品モジュールが採用されつつある。こうした回路部品モジュールは、例えば、特許文献１や特許文献２に示すように、樹脂などの基板内に各種部品が埋め込まれ、表面に導電性の回路パターンが形成されたものであり、凹凸の少ない平板状に形成され、薄型軽量でかつ量産性に優れているので、小型軽量化が要求される携帯電子機器の部品基板として好適である。
特開２００１−３５８４６５号公報 特開平１１−２２０２６２号公報
しかしながら、特許文献１に記載された回路部品モジュールでは、部品を配置してからロールコータ等で有機ポリマーを塗布、焼成した後、配線用のコンタクトホールを形成するので、樹脂表面の凹凸による部品接合の精度を良好に保てなくなる懸念があった。また、チップパッド上の樹脂残渣による導通不良や、部品と樹脂との間に生じるストレスによる接合部での損傷などが生じやすいといった課題がある。
また、特許文献２に記載された回路部品モジュールでも、製造工程でかかる熱や応力によって、接合部での損傷などが生じやすいといった課題がある。更に、パターン同士の位置合わせ工程を多数経なければならないため、仕上がり精度の低下を招きやすく、製造コストがかかるという課題もあった。
更にまた、パワーＩＣなどの発熱量の大きな電子部品を回路部品モジュールの構成部品として採用する場合は、パワーＩＣの排熱方法を考慮する必要があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高精度で信頼性が高く、かつローコストに生産が可能な回路部品モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。また、電子部品としてパワーＩＣ等の発熱量の大きな部品を採用した場合に、モジュール外部に効率よく排熱させることを可能とする電子回路装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の回路部品モジュールは、放熱板と、前記放熱板の一面に積層された樹脂層と、前記樹脂層に埋込まれるとともに一部が前記放熱板に接している電子部品と、前記樹脂層の前記放熱板と反対側の面に埋込まれて前記電子部品とともに回路を構成する配線パターンとを具備してなることを特徴とする。
また、本発明の回路部品モジュールにおいては、上記の回路部品モジュールが２つ備えられ、各回路部品モジュールの樹脂層同士が相互に対向して配置されるとともに、各樹脂層同士の間に別の樹脂層が挟み込まれ、これらが一体に接合されてなる構成であっても良い。
また本発明の回路部品モジュールにおいては、放熱板と、前記放熱板の両面に各々積層された一対の樹脂層と、前記一対の樹脂層にそれぞれ埋込まれるとともに一部が前記放熱板にそれぞれ接している電子部品と、前記一対の樹脂層の前記放熱板と反対側の面にそれぞれ埋込まれて前記各電子部品とともに回路を構成する配線パターンとを具備してなる構成であっても良い。
上記の構成によれば、電子部品および配線パターンが各樹脂層に埋め込まれているので、配線パターンを保護することができるとともに回路部品モジュール自体の薄型化を達成できる。同時に、電子部品と配線パターンとの接続の信頼性を高めることができる。また、各電子部品が放熱板に接しているので、電子部品の駆動に伴って発生する熱をこの放熱板を介して回路部品モジュールの外部に排熱させることができる。
また、各回路部品モジュールの樹脂層同士が相互に対向するように配置させた場合には、放熱板が回路部品モジュールの外側に配置されることになり、これにより放熱板を回路部品モジュールの外装板とすることができる。また、各回路部品モジュール同士の間に別の樹脂層を挟むことにより、回路部品モジュール同士を容易に接合できる。
更に、放熱板の両面に電子部品を接合させた場合には、電子部品に対する放熱板の数を減らすことができ、構成を簡素化することができる。
また本発明の回路部品モジュールにおいては、前記電子部品が、放熱部を有する部品本体部および該部品本体部に取り付けられた端子部とから構成され、前記放熱部が前記樹脂層の放熱板側の面に露出されるとともに、前記端子部が放熱板と反対側に配設されて前記配線パターンの一部に接続されていることが望ましい。
この構成によれば、放熱部が放熱板側の面に露出されているので、熱量を効率よく排熱させることができる。また樹脂層に埋め込まれた配線パターンに端子部が接続されているので、配線パターンと端子部との接続の信頼性を向上できる。
また本発明の回路部品モジュールは、先に記載の回路部品モジュールであって、前記電子部品の放熱部と前記放熱板との間に、熱伝導性接着剤が配設されていることを特徴とする。この構成によれば、電子部品と放熱板との間の熱伝導性を高めることができ、効率よく排熱することができる。
また本発明の回路部品モジュールは、先に記載の回路部品モジュールであって、前記樹脂層に導電性ペーストが充填されてなるスルーホールが設けられ、導電性ペーストが充填されてなる各スルーホールが前記配線パターンに接続されていることを特徴とする。この構成によれば、相互に積層された回路部品モジュールの配線パターン同士をスルーホールを介して接続できるので、個々の回路部品モジュールの機能を備えたモジュールを構成できる。
また本発明の回路部品モジュールは、先に記載の回路部品モジュールであって、前記放熱板に、前記導電性ペーストが充填されてなるスルーホールを貫通させるための貫通孔が設けられていることを特徴とする。この構成によれば、スルーホールと放熱板との短絡を防止できる。
また本発明の回路部品モジュールは、先に記載の回路部品モジュールであって、前記電子部品がパワーＩＣであることを特徴とする。この構成によれば、回路部品モジュールを高周波モジュールとして利用することができる。
次に本発明の電子回路装置は、先に記載の回路部品モジュールを具備してなり、前記の各放熱板が接地端子を兼ねた外装カバーであることを特徴とする。
この電子回路装置によれば、上記の回路部品モジュールを具備しているので、電子回路装置自体の薄型化を達成できる。同時に、電子部品と配線パターンとの接続の信頼性を高めることができる。また、各電子部品が放熱板に接しているため、電子部品の駆動に伴って発生する熱量をこの放熱板を介して電子回路装置の外部に排熱させることができる。また、放熱板が接地端子を兼ねた外装カバーであるので、配線パターンを伝搬する信号に対する外部電波の影響や、当該信号自体の輻射電磁界による影響を、放熱板によって遮蔽することができる。
更に、回路部品モジュールを構成する放熱板および樹脂層並びに電子部品の相互の寸法精度が高いため、特に電子回路装置を高周波モジュールとして利用する場合において、設計性能通りのモジュール性能を発揮させることができる。
また本発明の電子回路装置は、先に記載の回路部品モジュールを具備してなり、該回路部品モジュールを構成する前記一対の樹脂層の外側にそれぞれ誘電体層が形成されるとともに、各誘電体層の外側に接地端子を兼ねた外装カバーが備えられていることを特徴とする。
上記の構成によれば、外装カバーと樹脂層との間に配置された誘電体層の厚みによって、接地端子を兼ねる外装カバーと樹脂層内部の電子部品および配線パターンとの間隔を調整することが可能となり、特に電子回路装置を高周波モジュールとして利用する場合において、設計性能通りのモジュール性能を発揮させることができる。
次に、本発明の回路部品モジュールの製造方法は、版基板の全面にシード層を形成するとともに該シード層上に複数の配線部からなる配線パターンをメッキにより形成し、更に前記配線部上に電子部品を実装する実装工程と、前記版基板の配線パターン上に、貫通孔を有する樹脂層および放熱板を順次積層してこれらを熱圧着することにより、前記配線部を前記樹脂層に埋込むとともに前記貫通孔内に前記電子部品を挿入して該電子部品を前記放熱板に接合させる積層工程と、前記版基板および前記シード層を取り除く除去工程とを備えてなることを特徴とする。
上記の構成によれば、配線パターンを樹脂層に埋め込むとともに貫通孔内部に電子部品を挿入させることによって、回路部品モジュール自体を薄型にすることができる。また、電子部品を放熱板に接合させることによって、電子部品と放熱板との間の熱伝導性を高めることができる。
また、本発明の回路部品モジュールの製造方法は、先に記載の製造方法により製造された回路部品モジュールを２つ用意し、各回路部品モジュールの樹脂層同士が相互に対向するように配置するとともに、各樹脂層同士の間に別の樹脂層を挟み込んで、これらを熱圧着してなることを特徴とする。
この構成によれば、各回路部品モジュールの樹脂層同士が相互に対向するように配置することで、放熱板が回路部品モジュールの外側に配置されることになり、これにより放熱板を回路部品モジュールの外装板とすることができる。また、各回路部品モジュール同士の間に別の絶縁層を挟むことにより、回路部品モジュール同士を容易に接合できる。
また、本発明の回路部品モジュールの製造方法は、版基板の全面にシード層を形成するとともに該シード層上に複数の配線部からなる配線パターンをメッキにより形成し、更に前記配線部上に電子部品を実装する実装工程と、放熱板の両面に貫通孔を有する樹脂層をそれぞれ積層するとともに、各樹脂層側に前記配線パターンを向けた状態で一対の前記版基板を各樹脂層に積層し、これらを熱圧着するこことにより、前記各配線部を前記各樹脂層に埋込むとともに前記各貫通孔内に前記各電子部品を挿入してこれら電子部品を前記放熱板にそれぞれ接合させる積層工程と、前記各版基板および前記各シード層を取り除く除去工程とを備えてなることを特徴とする。
上記の構成によれば、配線パターンを樹脂層に埋め込むとともに貫通孔内部に電子部品を挿入させることによって、回路部品モジュール自体を薄型にすることができる。また、電子部品を放熱板に接合させることによって、電子部品と放熱板との間の熱伝導性を高めることができる。更に、放熱板の両面に電子部品を接合させるので、電子部品に対する放熱板の数を減らすことができ、部品点数の低減が可能になって工程を簡素化することができる。
本発明によれば、高精度で信頼性が高く、かつローコストに生産が可能な回路部品モジュールおよびその製造方法を提供することができる。また、電子部品としてパワーＩＣ等の発熱量の大きな部品を採用した場合に、モジュール外部に効率よく排熱させることを可能とする電子回路装置を提供することができる。
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態である回路部品モジュールおよびその製造方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の回路部品モジュールの製造方法は、版基板にシード層および配線パターンを形成するとともに電子部品を実装する実装工程と、版基板上に樹脂層および放熱板を積層する工程と、版基板およびシード層を取り除く除去工程とから概略構成されている。
各工程の概略について説明すると、まず実装工程は、版基板上にシード層を積層するとともに該シード層上に配線パターンを形成し、更に該配線パターンに電子部品を実装する工程である。また積層工程は、貫通孔を有する樹脂層および放熱板を版基板上に配置し、前記電子部品を前記貫通孔に収納させながら前記版基板に前記樹脂層および放熱板を積層する工程である。更に、除去工程は、前記絶縁基板から前記版基板および前記シード層を除去する工程である。
以下、図面を参照して各工程の詳細について説明する。図１は実装工程を示す工程図であり、図２は積層工程および除去工程を示す工程図である。尚、本実施形態において参照する図面は回路部品モジュールおよびその製造方法を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の回路部品モジュールの寸法関係とは必ずしも一致するものではない。
「実装工程」
まず実装工程では、図１Ａに示す版基板１を用意し、次に図１Ａおよび図Ｂに示すように版基板１の一面上１ａを含む全面にシード層２を形成する。シード層２は例えば、膜厚５０ｎｍないし５００ｎｍの酸化亜鉛層２ａと、酸化亜鉛層２ａ上に積層した膜厚２μｍ程度の金属銅層２ｂとからなる積層膜を用いることができる。版基板１の表面全部にシード層２を形成することで、版基板１と後述する配線パターンとの剥離性を向上できる。酸化亜鉛層２ａは例えば、版基板１を酸化亜鉛を含むメッキ浴に投入してから無電解メッキ法で形成できる。更に金属銅層２ｂについても無電解メッキ法で形成できる。なお、シード層２は版基板１の一面１ａのみに形成してもよい。
また、版基板１は、全面が酸化シリコンで形成されているものが、シード層を構成する酸化亜鉛層２ａとの密着性を向上でき、かつ版基板１を再利用できる点で好ましい。版基板１の具体例としては、例えば、酸化ケイ素を主成分として含むガラス板、全面を熱酸化法もしくは熱ＣＶＤ法により酸化ケイ素層を形成させたシリコン基板、スパッタリング法等で酸化ケイ素層を全面に被覆させた樹脂基板または誘電体基板、などを用いることができる。また、前記のシリコン基板としてＢ，Ｐ，Ａｓ等のドーパントを添加したものを用いることもできる。更に前記の樹脂基板として柔軟性を有するものでもよく、この場合は長尺の樹脂基板をロール状に巻き取ることができるので、連続的な製造に適しており、生産性を向上できる。版基板１の厚みは特に制限はないが、例えば３０μｍないし３ｍｍのものを使用できる。
また版基板１には、硬質の基板を用いることが特に好ましい。後述する積層工程において電子部品を樹脂層に埋め込む際に、硬質の基板が配線パターンの裏当てとなり、埋め込む際の応力による配線パターンの変形を防止できる。
次に図１Ｃに示すように、シード層２上に、複数のレジスト除去部４ａを有するパターン化レジスト層４（レジストパターン）を形成する。具体的には、シード層２に例えば１０μｍ程度の感光性樹脂膜またはドライフィルム（以下レジスト層と表記）を積層してから、マスクを重ねて露光、現像を行うことにより、マスクのパターンに対応するレジスト除去部４ａを形成する。このようにしてレジスト除去部４ａを有するパターン化レジスト層４が形成される。
なお、パターン化レジスト層４を形成した後のレジスト除去部４ａには、感光性樹脂膜またはドライフィルムの残渣が残存する場合がある。この残渣が残存すると、この後に形成する配線パターンが断線したり、配線パターンとシード層２との密着性が低下して後工程である圧着工程および剥離工程において不具合が生じる可能性ある。そこで残渣の完全除去を目的として、パターンレジスト層４を形成した後に、レジスト除去部４ａにアルゴンプラズマを照射するか、あるいはレジスト除去部４ａに露出するシード層２の表面を軽くエッチングすることにより、残渣を除去することが望ましい。アルゴンプラズマを照射する場合には、たとえば、プラズマパワー５００Ｗ程度，雰囲気圧力１０Ｐａ以下、アルゴン流量５０ｓｃｃｍ、照射時間３０秒とする条件で行うと良い。また、シード層の表面を軽くエッチングするには、１０％酢酸水溶液からなるエッチャントで３０秒間処理する条件で行うと良い。このような処理を行うことで、シード層２と配線パターンとの密着強度を３Ｎ／ｃｍ以上にすることができる。
次に図１Ｄに示すように、レジスト除去部４ａにＣｕからなる配線パターン（配線部）５をメッキ法で形成する。具体的には例えば、硫酸銅等を含むメッキ液をレジスト除去部４ａ内のシード層２に接触させてから、シード層２に直流電流を印加してＣｕメッキを成長させる。配線パターン５の厚みはパターン化レジスト層４の厚みよりも薄くすることが好ましく、例えば５μｍ程度がよい。
次に図１Ｅに示すように、ウエットエッチングによりパターン化レジスト層４を除去する。このようにして、版基板１に、シード層２と配線パターン５とが形成される。
次に図１Ｆに示すように、配線パターン５上にパワーＩＣ３１（電子部品）を実装する。パワーＩＣ３１は、放熱部を有するＩＣ本体（部品本体部）３２と、ＩＣ本体３２の下側に備えられた例えば金からなるボールバンプ３３（端子部）とから概略構成されている。ＩＣ本体３２にはパワーＩＣ素子が内蔵されている。またＩＣ本体の上面は、パワーＩＣ素子から生じた熱をＩＣ本体外部に放出するための放熱部３２ａとされている。
ボールバンプ３２を配線パターン５に押し当てることにより配線パターン５にパワーＩＣ３１を実装する。パワーＩＣ３１を装着したら、配線パターン５とＩＣ本体３２の間に封止材３４を充填する。封止材３４の材質としては例えば、エポキシ樹脂等を例示できる。更に、パワーＩＣの放熱部３２ａに熱伝導性接着剤３５を塗布する。熱伝導性接着剤３５の材質としては例えば（アルミナ・窒化アルミ）フィラー入りエポキシ接着剤を例示できる。
「積層工程および除去工程」
次に図２Ａに示すように、まず貫通孔７を設けた樹脂層６と、放熱板８とを用意する。また、別の版基板１１を用意する。この版基板１１には、シード層２が全面に形成されるとともにシード層２上に配線パターン１５が形成されている。
樹脂層６の貫通孔７を平面視したときの形状は、円形、楕円形、三角形および矩形を含む多角形のいずれの形状でもよい。貫通孔７の大きさについては、パワーＩＣ３１が収まる程度の大きさで良い。貫通孔７の形成には、例えば金型を用いたパンチングやレーザー加工法といった手段を用いることができる。なお、樹脂層６の具体例としては、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を材質とした厚さ５０μｍ程度の板材や、厚さ５０μｍ程度のガラスエポキシ樹脂板を例示できる。
また放熱板８は、例えばＣｕ、Ａｌ等の熱伝導性に優れた金属板を用いることができる。放熱板８の厚みは例えば０．０２−０．２ｍｍ程度の範囲が好ましい。また図２Ａに示すように、放熱板８にはスルーホール用の貫通孔８ａを設けておくことが好ましい。
そして、版基板１上に樹脂層６および放熱板８を順次配置し、更に放熱板８上に別の版基板１１を配置する。樹脂層６を配置する際には、樹脂層６の貫通孔７と版基板１上のパワーＩＣ３１とが重なるように樹脂層６と版基板１とを位置合わせする。また、放熱板８を配置する際には、放熱板８の貫通孔８ａと、版基板１上のパワーＩＣ３１に接続されていない配線パターン５ａとが重なるように放熱板８と版基板１とを位置合わせする。更に、別の版基板１１を配置する際には、この別の基板１１に形成した配線パターン１５と放熱板８の貫通孔８ａとが重なるように位置合わせする。
次に図２Ｂに示すように、版基板１と樹脂層６と放熱板８と別の版基板１１とを積層して熱プレスする。この熱プレスの際に、配線パターン５により樹脂層６が変形して樹脂層の一面６ａ上に配線パターン５が埋込まれる。同時に、パワーＩＣ３１が貫通孔７の内部に挿入される。樹脂層６は、その厚み方向からプレスされることにより薄板状に変形し、この変形に伴って、図２Ｂに示すように、貫通孔７およびパワーＩＣ３１の間に樹脂層６の一部が押し出されて充填される。このようにして、パワーＩＣ３１が樹脂層６の内部に完全に埋め込まれる。また、貫通孔７へのパワーＩＣ３１の挿入に伴って、パワーＩＣ３１の放熱部３２ａが樹脂層６の他面６ｂ側に露出した状態となる。
また、この熱プレスによって放熱板８と樹脂層６とが接合される。このとき、樹脂層６の他面６ｂ側に露出したパワーＩＣの放熱部３２ａが熱伝導性接着剤３５を介して放熱板８に接合される。
更に、この熱プレスによって、別の版基板１１に形成された配線パターン１５が放熱板８の貫通孔８ａ内部に挿入される。この貫通孔８ａには更に、樹脂層６の変形に伴って樹脂層の一部が押し出されて充填される。この充填された樹脂層によって放熱板８と配線パターン１５とが絶縁状態になる。
熱プレス時の温度は、樹脂層６の材質にもよるが、１４０〜１８０℃の範囲が好ましい。また熱プレスの圧力は１５〜２５Ｐａ程度が好ましい。さらにプレス時間は３０〜５０分程度が好ましい。このようにして、配線パターン５およびパワーＩＣ３１が樹脂層６に埋め込まれる。
「除去工程」
次に図２Ｃに示すように、各版基板１、１１と樹脂層６および放熱板８との間に応力を与えて版基板１、１１を剥離させる。このとき、各版基板１、１１と各シード層２との間で剥離が起こり、シード層２が配線パターン５とともに樹脂層６および放熱板８側に転写される。転写された各シード層２はウエットエッチングにより除去される。エッチング液には例えば過硫酸水溶液を用いることができる。なお、剥離後の版基板１、１１については、転写されずに残存したシード層２を酸またはアルカリで除去することで、再利用することができる。
版基板１とシード層２との間で剥離が起こるのは次のようなメカニズムによると考えられる。
すなわち、版基板１を樹脂層６から剥離させると、シード層２にはその膜厚方向に引張応力が加えられる。このとき、シード層２を構成する金属銅層には配線パターン５が接合され、この配線パターン５は樹脂層６に埋込まれてこの樹脂層６と強固に接合されていることから、樹脂層６側への引張応力が勝ることになり、これにより、シード層２が配線パターン５とともに樹脂層６側に転写されるものと考えられる。また、シード層２を構成する金属銅層２ｂには、剥離の際に配線パターン５に引張られてせん断応力が加えられるが、金属銅層２ｂには酸化亜鉛層２ａが下地層として裏打ちされているので、金属銅層２ｂ自体が破れるおそれがなく、酸化亜鉛層２ａとともに版基板１からきれいに剥離される。また、酸化亜鉛層２ａ自体も５０ｎｍないし５００ｎｍの膜厚で形成されているため、酸化亜鉛層２ａの膜強度が高くなっており、酸化亜鉛層２ａ自体も破れる虞がなく、版基板１からきれいに剥離される。
別の版基板１１と、放熱板８の貫通孔８ａに充填された樹脂層６との間でも、上記と同様の現象が起こり、版基板１１とシード層２との間で剥離が起きる。
なお、上記のシード層２のエッチングの際には配線パターン５、１５も若干エッチングされるが、配線パターン５、１５の線幅が減少するおそれはない。この理由は、配線パターン５、１５の大部分が樹脂層６に埋込まれるため、配線パターン５、１５の露出部分が少なくなっており、樹脂層６により配線パターン５、１５が保護されているためである。このように配線パターン５、１５が樹脂層６で保護されているので、エッチング液による配線パターン５、１５の腐食が防止されて、配線パターン５、１５の線幅の減少を防止することができる。これにより、従来の転写法では不可能であった１０μｍ／１０μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）を実現することができる。
このようにして、上記の製造方法によって回路部品モジュール１００が製造される。
上記の製造方法によれば、配線パターン５，１５を樹脂層６に埋め込むとともに貫通孔７内部にパワーＩＣ３１を挿入させることによって、回路部品モジュール１００自体を薄型にすることができる。また、パワーＩＣ３１を放熱板８に接合させることによって、パワーＩＣ３１と放熱板８との間の熱伝導性を高めることができる。
「回路部品モジュールの一例」
図２Ｃに示す回路部品モジュール１００は、放熱板８と、放熱板８の一面８ｂに積層された樹脂層６と、樹脂層６に埋込まれるとともに一部が放熱板８に接しているパワーＩＣ（電子部品）３１と、樹脂層６の放熱板と反対側の面６ａに埋込まれてパワーＩＣ３１とともに回路を構成する配線パターン５とを具備して概略構成されている。また放熱板８には貫通孔８ａが設けられ、この貫通孔８ａ内に別の配線パターン１５が配設されている。また、貫通孔８ａと配線パターン１５の間には、樹脂層６の一部が充填されている。またこの放熱板８は、図示略の他の放熱部材に接続されるか、あるいは放熱板８自体が回路部品モジュール１００の外部雰囲気に露出されている。
パワーＩＣ３１は、放熱部３２ａを有するＩＣ本体（部品本体部）３２およびＩＣ本体３２に取り付けられたボールバンプ（端子部）３３とから構成されている。またＩＣ本体３３２には図示略のパワーＩＣ素子が内蔵されている。そして、放熱部３２ａが樹脂層６の放熱板側の面６ｂに露出されるとともに、端子部３３が放熱板８と反対側に配設されて配線パターン５の一部に接続されている。また、放熱部３２ａが熱伝導性接着剤３５を介して放熱板８に接合されている。
上記の構成によって、パワーＩＣ素子の駆動に伴って発生した熱が、ＩＣ本体３２の内部を熱伝導して放熱部３２ａまで達する。更にこの熱は、放熱部３２ａから熱伝導性接着剤３５を介して放熱板８まで伝導される。放熱板８に伝導された熱は、図示略の他の放熱部材に更に伝導されるか、あるいは放熱板８によって外部雰囲気に対して放熱される。
上記の回路部品モジュール１００によれば、パワーＩＣ３１が放熱板８に接しているので、パワーＩＣ３１の駆動に伴って発生する熱をこの放熱板８を介して回路部品モジュール１００の外部に排熱させることができる。また、パワーＩＣ３１および配線パターン５、１５が樹脂層６に埋め込まれているので、配線パターン５，１５を保護することができるとともに回路部品モジュール１００自体の薄型化を達成できる。同時に、パワーＩＣ３１と配線パターン５との接続の信頼性を高めることができる。
「スルーホールを備えた回路部品モジュールの製造方法」
次に、図２Ｃに示す回路部品モジュール１００を更に加工してスルーホールを備えてなる回路部品モジュールの製造方法について説明する。
まず図３Ａに示すように、回路部品モジュール１００にスルーホール用の貫通孔１０１、１０１を設ける。この貫通孔１０１、１０１は、樹脂層６を貫通するとともに、放熱板８の貫通孔８ａ内部に配設された配線パターン１５およびパワーＩＣ３１が接続されていない配線パターン５ａを貫通するように設ける。
次に図３Ｂに示すように、貫通孔１０１、１０１の内部に導電性ペースト１０２を充填し、更に貫通孔１０１を塞ぐ蓋メッキ１０３を形成する。蓋メッキ１０３には例えばＣｕメッキを利用できる。このようにして、導電性ペースト１０２および蓋メッキ１０３からなるスルーホール１０４が形成される。このスルーホール１０４によって、放熱板側の配線パターン１５と樹脂層側の配線パターン５とが接続される。
「回路部品モジュールを複数備えた回路部品モジュール（電子回路装置）の製造方法」
次に、図３Ｃに示すように、スルーホール１０４が形成されてなる回路部品モジュール１００，１００を２つ用意する。ここで、各樹脂層６、６が相互に対向するように各回路部品モジュール１００，１００を配置する。更に、各回路部品モジュール１００，１００の間に厚み２０μｍ−５０μｍ程度の別の樹脂層１０６を配置する。この別の樹脂層１０６には、回路部品モジュール１００のスルーホール１０４に対応する位置に導電性ペースト１０７が充填されている。樹脂層１０６の材質には、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を例示できる。
次に図３Ｄに示すように、回路部品モジュール１００，１００と樹脂層１０６とを積層して熱プレスする。この熱プレスによって、別の樹脂層１０６の両面１０６ａ、１０６ｂに、回路部品モジュール１００，１００の各樹脂層６，６が接合される。またこのとき、回路部品モジュール１００のスルーホール１０４を構成する蓋メッキ１０３と、別の樹脂層１０６の導電性ペースト１０７とが接合される。これにより、各スルーホール１０４、１０４と導電性ペースト１０７によって、各回路部品モジュール１００、１００の配線パターン５，１５を相互に接続するスルーホール１０８が形成される。このようにして図３Ｄに示す回路部品モジュール２００が製造される。
上記の製造方法によれば、各回路部品モジュール１００、１００の樹脂層６，６同士が相互に対向するように配置することで、放熱板８が回路部品モジュール２００の外側に配置されることになり、これにより放熱板８を回路部品モジュール２００の外装板とすることができる。また、各回路部品モジュール１００，１００同士の間に別の絶縁層１０６を挟むことにより、回路部品モジュール１００、１００同士を容易に接合できる。
「回路部品モジュールを２つ備えてなる回路部品モジュール（電子回路装置）」
この図３Ｄに示す回路部品モジュール２００は、図２Ｃにおける回路部品モジュール１００，１００が２つ備えられ、各回路部品モジュール１００，１００の樹脂層６，６同士が相互に対向して配置されるとともに、各樹脂層６，６同士の間に別の樹脂層１０６が挟み込まれ、これらが一体に接合されて構成されている。樹脂層６，６同士を対向配置させたことで、各放熱板８，８が回路部品モジュール２００の外側に配置され、これにより各放熱板８，８を回路部品モジュール２００の外装板とすることができる。
また各樹脂層６，６、１０６には導電性ペースト１０２，１０７が充填されてなるスルーホール１０８が設けられており、これらのスルーホール１０８が配線パターン５，１５に接続されている。これにより、各回路部品モジュール１００、１００の各パワーＩＣ３１，３１および各配線パターン５，１５を相互に接続することができる。
図３Ｄに示す回路部品モジュール２００は、パワーＩＣ３１，３１を２つ備えた電子回路装置として用いることができる。この電子装置には、外装板を兼ねる放熱板８，８が備えられており、配線パターン５，１５を伝搬する信号に対する外部電波の影響や、当該信号自体の輻射電磁界による影響を、この放熱板８，８によって遮蔽することができる。また、回路部品モジュール１００を構成する放熱板８および樹脂層６並びにパワーＩＣ３１の相互の寸法精度が高いため、特に高周波モジュールとして利用する場合において、設計性能通りのモジュール性能を発揮させることができる。
［第２の実施形態］
次に本発明の第２の実施形態である回路部品モジュールおよびその製造方法について説明する。図４には積層工程および除去工程の工程図を示す。尚本実施形態において参照する図面は回路部品モジュールおよびその製造方法を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の回路部品モジュールの寸法関係とは必ずしも一致するものではない。
「回路部品モジュールの製造方法」
まず、図４Ａに示すように、２つの版基板１，１と、２つの樹脂層６，６と、放熱板８とを用意する。
版基板１は第１の実施形態で説明した同一構成の基板であり、シード層２および配線パターン５が形成され、更にパワーＩＣ３１が実装されている。また、樹脂層６は、厚み１００μｍ−５００μｍ程度の熱可塑性樹脂板若しくはガラスエポキシ樹脂板から構成されており、貫通孔７が設けられている。また、放熱板８は、Ａｌ等の熱伝導性に優れた厚み１００μｍ程度の金属板から構成され、複数の貫通孔８ａが設けられている。
そして図４Ａに示すように、放熱板８の両面８ｂ、８ｃ側に樹脂層６，６を配置するとともに、各樹脂層６，６の外側、すなわち放熱板８とは反対側に版基板１，１を配置する。版基板１は、パワーＩＣ３１が樹脂層６の貫通孔７に重なるように位置合わせする。また、版基板１は、パワーＩＣ３１に接続されていない配線パターン５ａの形成位置が、放熱板の貫通孔８ａと重なるように位置合わせする。
次に図４Ｂに示すように、各版基板１、１と各樹脂層６、６と放熱板８とを積層して熱プレスする。この熱プレスの際に、配線パターン５により樹脂層６が変形して樹脂層６の一面６ａ上に配線パターン５が埋込まれる。同時に、パワーＩＣ３１が貫通孔７の内部に挿入される。樹脂層６は、その厚み方向からプレスされることにより薄板状に変形し、この変形に伴って、図４Ｂに示すように、貫通孔７およびパワーＩＣ３１の間に樹脂層６の一部が押し出されて充填される。このようにして、パワーＩＣ３１が樹脂層６の内部に完全に埋め込まれる。また、貫通孔７へのパワーＩＣ３１の挿入に伴って、パワーＩＣの放熱部３２ａが樹脂層の他面６ｂ側に露出した状態となる。
また、この熱プレスによって放熱板８と各樹脂層６，６とが接合される。またこのとき、放熱板８の貫通孔８ａに樹脂層６の一部が押出されて充填される。更に、樹脂層６の他面６ｂ側に露出したパワーＩＣの放熱部３２ａが、熱伝導性接着剤３５を介して放熱板８に接合される。
次に図４Ｃに示すように、各版基板１、１と樹脂層６、６との間に応力を与えて版基板１、１を剥離させる。このとき、各版基板１と各シード層２との間で剥離が起こり、シード層２が配線パターン５とともに樹脂層６側に転写される。転写された各シード層２はウエットエッチングにより除去される。
このようにして、本実施形態の一例である回路部品モジュール３００が製造される。
「回路部品モジュールの一例」
図４Ｃに示す回路部品モジュール３００は、放熱板８と、放熱板８の両面８ｂ、８ｃに各々積層された一対の樹脂層６，６と、各樹脂層６にそれぞれ埋込まれるとともに一部が放熱板８にそれぞれ接しているパワーＩＣ３１と、各樹脂層６，６の放熱板と反対側の面６ａにそれぞれ埋込まれて各パワーＩＣ３１とともに回路を構成する配線パターン５とを具備して構成されている。また放熱板８は、第１の実施形態と同様に、図示略の他の放熱部材に接続されるか、あるいは放熱板自体が回路部品モジュールの外部雰囲気に露出されている。
上記の回路部品モジュール３００によれば、パワーＩＣ３１が放熱板８に接しているので、パワーＩＣ３１の駆動に伴って発生する熱をこの放熱板８を介して回路部品モジュール３００の外部に排熱させることができる。また、パワーＩＣ３１および配線パターン５が樹脂層６に埋め込まれているので、配線パターン５を保護することができるとともに回路部品モジュール３００自体の薄型化を達成できる。同時に、パワーＩＣ３１と配線パターン５との接続の信頼性を高めることができる。更に、放熱板の両面８ｂ、８ｃにパワーＩＣ３１を接合させているので、パワーＩＣ３１に対する放熱板８の数を減らすことができ、構成を簡素化することができる。
「複数の回路部品モジュールを備えた回路部品モジュール（電子回路装置）の製造方法」
次に、図４Ｃに示す回路部品モジュール３００を更に加工して、複数の回路部品モジュールを備えてなる回路部品モジュール（電子回路装置）を製造する方法について説明する。
まず図５Ａに示すように、回路部品モジュール３００にスルーホール用の貫通孔３０１を設ける。この貫通孔３０１は、樹脂層６，６を貫通するとともに、放熱板８の貫通孔８ａを貫通するように設ける。更に貫通孔３０１は、パワーＩＣ３１に接続されていない配線パターン５ａを貫通するように設ける。
次に図５Ｂに示すように、貫通孔３０１の内部に導電性ペースト３０２を充填し、更に貫通孔３０１を塞ぐ蓋メッキ３０３を形成する。このようにして、導電性ペースト３０２および蓋メッキ３０３からなるスルーホール３０４が形成される。このスルーホール３０４によって、放熱板の両側に位置する配線パターン５ａ、５ａ同士が接続される。
次に、図５Ｃに示すように、図５Ｂに示したスルーホール３０４を具備してなる回路部品モジュール３００ａ、３００ｂを２つ用意する。このとき、一方の回路部品モジュール３００ａには、別の樹脂層３０６を予め積層しておく。この別の樹脂層３０６には導電性ペースト３０７が充填された貫通孔３０８が設けられており、この導電性ペースト３０７がスルーホール３０４に重なるように位置合わせされている。そして、他方の回路部品モジュール３００ｂのスルーホール３０４がこの導電性ペースト３０７に重なるように位置合わせする。
次に図５Ｄに示すように、回路部品モジュール３００ａ、３００ｂを積層して熱プレスする。この熱プレスによって、回路部品モジュール３００ａ，３００ｂ同士が樹脂層３０６を介して接合される。またこのとき、各回路部品モジュール３００ａ、３００ｂのスルーホール３０４を構成する蓋メッキ３０３と、別の樹脂層３０６の導電性ペースト３０７とが相互に接合される。これにより、各スルーホール３０４と導電性ペースト３０７によって、各回路部品モジュール３００ａ、３００ｂの配線パターン５ａ、５ａを相互に接続するスルーホール３１０が形成される。このようにして本実施形態の別の例である回路部品モジュール４００が製造される。
「回路部品モジュールを２つ備えてなる回路部品モジュール（電子回路装置）」
この図５Ｄに示す回路部品モジュール４００は、図４Ｃにおける回路部品モジュール３００，３００が２つ備えられ、各回路部品モジュール３００，３００同士の間に別の樹脂層３０６が挟み込まれ、これらが一体に接合されて構成されている。また樹脂層３０６には導電性ペースト３０７が充填されてなる貫通孔３０８が設けられており、各導電性ペースト３０７が各スルーホール３０４，３０４に接続されている。これにより、各回路部品モジュール３０の各パワーＩＣ３１および各配線パターン５を相互に接続することができる。
図５Ｄに示す回路部品モジュール４００は、パワーＩＣ３１を４つ備えた電子回路装置として用いることができる。この電子装置には、４つのパワーＩＣ３１に対して２枚の放熱板８，８が備えられており、パワーＩＣ３１に対する放熱板８の数を少なくすることで、構造を簡素化することができる。また、回路部品モジュール４００を構成する放熱板８および樹脂層６，３０６並びにパワーＩＣ３１の相互の寸法精度が高いため、特に高周波モジュールとして利用する場合において、設計性能通りのモジュール性能を発揮させることができる。
［第３の実施形態］
図６には、第３の実施形態である電子回路装置５００の断面模式図を示す。図６に示す電子回路装置５００は、第１の実施形態における回路部品モジュール１００，１００が２つ備えられ、各回路部品モジュール１００の樹脂層６，６同士が相互に対向して配置されるとともに、各樹脂層６，６同士の間に別の樹脂層１０６が挟み込まれ、これらが一体に接合されて構成されている。また各回路部品モジュール１００，１００には、厚み２０μｍ−５００μｍ程度の外装板を兼ねた放熱板５０８，５０８が備えられている。この放熱板５０８には導電性接着剤３５を介してパワーＩＣ３１の放熱部３２ａがそれぞれ接合されている。
上記の電子回路装置５００によれば、外装板を兼ねる放熱板５０８が備えられており、配線パターン５を伝搬する信号に対する外部電波の影響や、当該信号自体の輻射電磁界による影響を、この放熱板５０８によって遮蔽することができる。また、放熱板５０８および樹脂層６、１０６並びにパワーＩＣ３１の相互の寸法精度が高いため、当該電子回路装置５００を高周波モジュールとして利用する場合において、設計性能通りのモジュール性能を発揮させることができる。
［第４の実施形態］
図７には、第４の実施形態である電子回路装置およびその製造方法を示す。この電子回路装置６００は、図７Ａに示すように、第２の実施形態の回路部品モジュール３００の厚み方向両側に、誘電体層付き外装板６０１を誘電体層６０２が回路部品モジュール３００に向いた状態で配置する。誘電体層付き外装板６０１は誘電体層６０２と外装板６０３が積層されて構成されている。次に図７Ｂに示すように、誘電体層付き外装板６０１と回路部品モジュールと３００を相互に積層してから熱プレスすることにより製造される。熱プレスによって、回路部品モジュール３００を構成する樹脂層６，６と、誘電体層６０２が接合されて一体化される。誘電体層６０２にはエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等からなる厚み２０μｍ−２５０μｍ程度の誘電体が用いられる。誘電体層６０２の厚みによって、回路部品モジュール３００と外装板６０３との間隔が制御される。また、外装板６０３には、Ａｌ等の厚さ２００μｍ程度の金属板が用いられ、この外装板６０３は電子回路装置６００の接地端子として使用される。
上記の電子回路装置６００によれば、外装板６０３と樹脂層６との間に配置された誘電体層６０２の厚みによって、接地端子を兼ねる外装板６０３と樹脂層６内部のパワーＩＣ３１および配線パターン５との間隔を調整することが可能となり、特に電子回路装置６００を高周波モジュールとして利用する場合において、設計性能通りのモジュール性能を発揮させることができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記の各実施形態では、配線パターンとしてＣｕ単層からなるものを用いたが、図８Ａに示すように、複数の金属層からなる積層構造の配線パターン１１５を用いても良い。この配線パターン１１５は、シード層２上に形成されたＡｕ層１２１と、Ａｕ層１２１上に積層されたＣｕ層１２２と、Ｃｕ層１２２上に積層されたＮｉ層１２３と、Ｎｉ層１２３上に形成されたＡｕ層１２４とから構成されている。このように本実施形態の配線パターン１１５は、Ｃｕ層１２２とＮｉ層１２３の厚み方向両側にＡｕ層１２１，１２４が形成されてなるものである。Ａｕ層１２１の膜厚は０．０１μｍ−０．１μｍの範囲が好ましく、Ｃｕ層１２２の膜厚は５μｍ−１０μｍの範囲が好ましく、Ｎｉ層１２３の膜厚は２μｍ−４μｍの範囲が好ましく、Ａｕ層１２４の膜厚は０．１μｍ−０．５μｍの範囲が好ましい。より具体的には、Ａｕ層１２１を０．０３μｍとし、Ｃｕ層１２２を１０μｍとし、Ｎｉ層１２３を２μｍとし、Ａｕ層１２４を０．２μｍとするとよい。これらの各層はいずれも電気メッキ法で形成される。
なお、配線パターンの積層構造は図８Ａに示した形態に限定されるものではなく、例えば図８Ｂに示すように、Ａｕ層１２６、Ｎｉ層１２７，Ｃｕ層１２８、Ｎｉ層１２９およびＡｕ層１３０からなる５層構造の配線パターン１２５を用いても良い。
これらの積層構造の配線パターンには、比較的高強度のＮｉ層が含まれているので、積層工程において電子部品を樹脂層に埋め込む際に配線パターンに応力が印加された場合でも配線パターンの変形を防止することができる。また、配線パターンの表面がＡｕ層であるので、電子部品と配線パターンとの接触抵抗を低減することができ、配線パターンと電子部品との接続の信頼性を向上できる。
図１は本発明の第１の実施形態である回路部品モジュールの製造工程の一例を示す断面模式図である。 図２は本発明の第１の実施形態である回路部品モジュールの製造工程の一例を示す断面模式図である。 図３は２つの回路部品モジュールを積層する工程を示す断面模式図である。 図４は本発明の第２の実施形態である回路部品モジュールの製造工程の一例を示す断面模式図である。 図５は本発明の第２の実施形態である回路部品モジュールの製造工程の一例を示す断面模式図である。 図６は本発明の第３の実施形態である電子回路装置の一例を示す断面模式図である。 図７は本発明の第４の実施形態である電子回路装置の製造工程の一例を示す断面模式図である。 図８は配線パターンの他の例を示す断面模式図である。
符号の説明
１…版基板、２…シード層、５…配線パターン（配線部）、５ａ…電子部品に接続されていない配線パターン、６…樹脂層、６ａ…一面（樹脂層の放熱板と反対側の面）、６ｂ…（他面樹脂層の放熱板側の面）、８…放熱板、８ａ…貫通孔、８ｂ…一面、１００、３００…回路部品モジュール、１０６、３０６…別の樹脂層、３１…パワーＩＣ（電子部品）、３２…ＩＣ本体（部品本体部）、３２ａ…放熱部、３３…ボールバンプ（端子部）、３５…熱伝導性接着剤、１０２…導電性ペースト、１０４、１０８、３０４、３１０…スルーホール、４００，５００、６００…電子回路装置、５０８、６０３…放熱板（接地端子を兼ねた外装カバー）、６０２…誘電体層、６０３…外装板（接地端子を兼ねた外装カバー）

Claims (13)

  1. 放熱板と、前記放熱板の一面に積層された樹脂層と、前記樹脂層に埋込まれるとともに一部が前記放熱板に接している電子部品と、前記樹脂層の前記放熱板と反対側の面に埋込まれて前記電子部品とともに回路を構成する配線パターンとを具備してなることを特徴とする回路部品モジュール。
  2. 請求項１に記載の回路部品モジュールが２つ備えられ、各回路部品モジュールの樹脂層同士が相互に対向して配置されるとともに、各樹脂層同士の間に別の樹脂層が挟み込まれ、これらが一体に接合されてなることを特徴とする回路部品モジュール。
  3. 放熱板と、前記放熱板の両面に各々積層された一対の樹脂層と、前記一対の樹脂層にそれぞれ埋込まれるとともに一部が前記放熱板にそれぞれ接している電子部品と、前記一対の樹脂層の前記放熱板と反対側の面にそれぞれ埋込まれて前記各電子部品とともに回路を構成する配線パターンとを具備してなることを特徴とする回路部品モジュール。
  4. 前記電子部品が、放熱部を有する部品本体部および該部品本体部に取り付けられた端子部とから構成され、前記放熱部が前記樹脂層の放熱板側の面に露出されるとともに、前記端子部が放熱板と反対側に配設されて前記配線パターンの一部に接続されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路部品モジュール。
  5. 前記電子部品の放熱部と前記放熱板との間に、熱伝導性接着剤が配設されていることを特徴とする請求項４に記載の回路部品モジュール。
  6. 前記樹脂層に導電性ペーストが充填されてなるスルーホールが設けられ、導電性ペーストが充填されてなる各スルーホールが前記配線パターンに接続されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の回路部品モジュール。
  7. 前記放熱板に、前記導電性ペーストが充填されてなるスルーホールを貫通させるための貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の回路部品モジュール。
  8. 前記電子部品がパワーＩＣであることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の回路部品モジュール。
  9. 請求項２に記載の回路部品モジュールを具備してなり、前記の各放熱板が接地端子を兼ねた外装カバーであることを特徴とする電子回路装置。
  10. 請求項３に記載の回路部品モジュールを具備してなり、該回路部品モジュールを構成する前記一対の樹脂層の外側にそれぞれ誘電体層が形成されるとともに、各誘電体層の外側に接地端子を兼ねた外装カバーが備えられていることを特徴とする電子回路装置。
  11. 版基板の全面にシード層を形成するとともに該シード層上に複数の配線部からなる配線パターンをメッキにより形成し、更に前記配線部上に電子部品を実装する実装工程と、
    前記版基板の配線パターン上に、貫通孔を有する樹脂層および放熱板を順次積層してこれらを熱圧着することにより、前記配線部を前記樹脂層に埋込むとともに前記貫通孔内に前記電子部品を挿入して該電子部品を前記放熱板に接合させる積層工程と、
    前記版基板および前記シード層を取り除く除去工程とを備えてなることを特徴とする回路部品モジュールの製造方法。
  12. 請求項１１に記載の製造方法により製造された回路部品モジュールを２つ用意し、各回路部品モジュールの樹脂層同士が相互に対向するように配置するとともに、各樹脂層同士の間に別の樹脂層を挟み込んで、これらを熱圧着してなることを特徴とする回路部品モジュールの製造方法。
  13. 版基板の全面にシード層を形成するとともに該シード層上に複数の配線部からなる配線パターンをメッキにより形成し、更に前記配線部上に電子部品を実装する実装工程と、
    放熱板の両面に貫通孔を有する樹脂層をそれぞれ積層するとともに、各樹脂層側に前記配線パターンを向けた状態で一対の前記版基板を各樹脂層に積層し、これらを熱圧着するこことにより、前記各配線部を前記各樹脂層に埋込むとともに前記各貫通孔内に前記各電子部品を挿入してこれら電子部品を前記放熱板にそれぞれ接合させる積層工程と、
    前記各版基板および前記各シード層を取り除く除去工程とを備えてなることを特徴とする回路部品モジュールの製造方法。

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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071259A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Hynix Semiconductor Inc 半導体パッケージ及びその製造方法
WO2009101723A1 (ja) * 2008-02-11 2009-08-20 Ibiden Co., Ltd. 電子部品内蔵基板の製造方法
WO2009118925A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
JP2011515862A (ja) * 2008-03-27 2011-05-19 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 電子構成群を製造する方法
JP2011146497A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Toshiba Design & Manufacturing Service Corp 半導体チップを内蔵するプリント配線板
JP2012015240A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2012084717A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Toyota Motor Corp 配線基板
JP2013225622A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Jtekt Corp モーター制御用多層回路基板
KR20130139601A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 에스케이하이닉스 주식회사 복수의 유전층을 포함하는 임베디드 패키지 및 제조 방법
JP2016115870A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2019024101A (ja) * 2012-12-11 2019-02-14 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． チップ内蔵型印刷回路基板および半導体パッケージ
JP2019536283A (ja) * 2016-11-17 2019-12-12 ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフトＺｆ Ｆｒｉｅｄｒｉｃｈｓｈａｆｅｎ Ａｇ 電気部品及びヒートシンクを備える回路基板アセンブリ
WO2024080270A1 (ja) * 2022-10-14 2024-04-18 株式会社村田製作所 電子機器

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006027981A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 立体的電子回路装置とそれを用いた電子機器およびその製造方法
TWI307946B (en) * 2006-05-24 2009-03-21 Phoenix Prec Technology Corp Stack structure of circuit board having embedded with semicondutor component
US8153472B2 (en) * 2006-06-20 2012-04-10 Unimicron Technology Corp. Embedded chip package process
US20080128879A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Hem Takiar Film-on-wire bond semiconductor device
US20080131998A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Hem Takiar Method of fabricating a film-on-wire bond semiconductor device
US7800916B2 (en) * 2007-04-09 2010-09-21 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate with internal stacked semiconductor chips, method of making same, electrical assembly utilizing same and information handling system utilizing same
KR100816324B1 (ko) * 2007-05-23 2008-03-24 전자부품연구원 칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
DE102007027901A1 (de) * 2007-06-18 2008-12-24 Robert Bosch Gmbh Leistungselektronikmodul
WO2009001621A1 (ja) * 2007-06-26 2008-12-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵基板の製造方法
US7834464B2 (en) * 2007-10-09 2010-11-16 Infineon Technologies Ag Semiconductor chip package, semiconductor chip assembly, and method for fabricating a device
DE102008009220A1 (de) * 2008-02-06 2009-08-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
JP5367616B2 (ja) * 2009-02-23 2013-12-11 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP5340789B2 (ja) * 2009-04-06 2013-11-13 新光電気工業株式会社 電子装置及びその製造方法
JP5330065B2 (ja) * 2009-04-13 2013-10-30 新光電気工業株式会社 電子装置及びその製造方法
US9355962B2 (en) * 2009-06-12 2016-05-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package stacking system with redistribution and method of manufacture thereof
JP2011049367A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Panasonic Corp 基板接続構造および電子機器
US8304286B2 (en) * 2009-12-11 2012-11-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with shielded package and method of manufacture thereof
JP2011222555A (ja) * 2010-04-02 2011-11-04 Denso Corp 半導体チップ内蔵配線基板の製造方法
KR101212061B1 (ko) * 2010-06-09 2012-12-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩 및 그 반도체 패키지와 이를 이용한 스택 패키지
JP5622939B2 (ja) * 2011-08-23 2014-11-12 株式会社フジクラ 部品内蔵基板およびその製造方法
AT13432U1 (de) * 2011-08-31 2013-12-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zur integration eines bauteils in eine leiterplatte oder ein leiterplatten-zwischenprodukt sowie leiterplatte oder leiterplatten-zwischenprodukt
AT13436U1 (de) * 2011-08-31 2013-12-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zur integration eines bauteils in eine leiterplatte oder ein leiterplatten-zwischenprodukt sowie leiterplatte oder leiterplatten-zwischenprodukt
JP5167516B1 (ja) * 2011-11-30 2013-03-21 株式会社フジクラ 部品内蔵基板及びその製造方法並びに部品内蔵基板実装体
US9252734B2 (en) * 2012-09-14 2016-02-02 National Instruments Corporation High frequency high isolation multichip module hybrid package
AT514085B1 (de) 2013-06-11 2014-10-15 Austria Tech & System Tech Leistungsmodul
JP2015028986A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
WO2015077808A1 (de) 2013-11-27 2015-06-04 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Leiterplattenstruktur
AT515101B1 (de) 2013-12-12 2015-06-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum Einbetten einer Komponente in eine Leiterplatte
US9184128B2 (en) * 2013-12-13 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3DIC package and methods of forming the same
US11523520B2 (en) 2014-02-27 2022-12-06 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Method for making contact with a component embedded in a printed circuit board
AT515447B1 (de) * 2014-02-27 2019-10-15 At & S Austria Tech & Systemtechnik Ag Verfahren zum Kontaktieren eines in eine Leiterplatte eingebetteten Bauelements sowie Leiterplatte
US10257937B2 (en) * 2014-07-07 2019-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Device for electrically coupling a plurality of semiconductor device layers by a common conductive layer
DE102014118462A1 (de) * 2014-12-11 2016-06-16 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Semiflexible Leiterplatte mit eingebetteter Komponente
JP6370243B2 (ja) * 2015-03-06 2018-08-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 電子回路装置
US9837484B2 (en) * 2015-05-27 2017-12-05 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming substrate including embedded component with symmetrical structure
CN109413836B (zh) * 2017-08-15 2021-04-20 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板及其制备方法
KR20200038279A (ko) * 2017-09-11 2020-04-10 라이징 테크놀로지즈 가부시키가이샤 전자회로장치 및 전자회로장치의 제조방법
EP3483929B1 (en) 2017-11-08 2022-04-20 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier with electrically conductive and insulating layers and a component embedded therein and manufacturing method thereof
CN107949166B (zh) * 2017-11-30 2020-04-14 广州兴森快捷电路科技有限公司 埋置元件电路板的制作方法及埋置元件电路板
CN110364490A (zh) * 2018-04-11 2019-10-22 中国科学院微电子研究所 一种芯片封装结构及其封装方法
CN110364496A (zh) * 2018-04-11 2019-10-22 中国科学院微电子研究所 一种芯片封装结构及其封装方法
US20210345484A1 (en) * 2018-10-22 2021-11-04 Toyobo Co., Ltd. Method for manufacturing device connected body, and device connected body
JP7371882B2 (ja) 2019-04-12 2023-10-31 株式会社ライジングテクノロジーズ 電子回路装置および電子回路装置の製造方法
CN112335036A (zh) 2019-05-16 2021-02-05 莱新科技股份有限公司 电子电路装置以及电子电路装置的制造方法
WO2020250795A1 (ja) 2019-06-10 2020-12-17 株式会社ライジングテクノロジーズ 電子回路装置
CN112312656B (zh) * 2019-07-30 2022-09-20 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 内埋电路板及其制作方法
CN110581120B (zh) * 2019-09-11 2021-03-16 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 板级扇出封装基板的细线路结构及其制备方法
KR102882135B1 (ko) 2020-12-08 2025-11-05 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US11581233B2 (en) 2021-05-04 2023-02-14 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming electrical circuit pattern within encapsulant of SIP module
CN114204243A (zh) * 2021-10-29 2022-03-18 吉利科技集团有限公司 一种天线收发结构及天线收发组件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6038133A (en) 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
JP2000269411A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR100324333B1 (ko) * 2000-01-04 2002-02-16 박종섭 적층형 패키지 및 그 제조 방법
JP2001358465A (ja) 2000-06-16 2001-12-26 Hitachi Chem Co Ltd 多層プリント配線板およびその製造方法
JP3546961B2 (ja) 2000-10-18 2004-07-28 日本電気株式会社 半導体装置搭載用配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージ
US6861757B2 (en) 2001-09-03 2005-03-01 Nec Corporation Interconnecting substrate for carrying semiconductor device, method of producing thereof and package of semiconductor device
JP4040389B2 (ja) 2001-09-27 2008-01-30 大日本印刷株式会社 半導体装置の製造方法
JP3524545B2 (ja) 2002-01-23 2004-05-10 松下電器産業株式会社 回路部品内蔵モジュールの製造方法
TW200302685A (en) 2002-01-23 2003-08-01 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
US7365273B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Delphi Technologies, Inc. Thermal management of surface-mount circuit devices

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071259A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Hynix Semiconductor Inc 半導体パッケージ及びその製造方法
WO2009101723A1 (ja) * 2008-02-11 2009-08-20 Ibiden Co., Ltd. 電子部品内蔵基板の製造方法
US8225503B2 (en) 2008-02-11 2012-07-24 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing board with built-in electronic elements
JPWO2009118925A1 (ja) * 2008-03-27 2011-07-21 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
US8347493B2 (en) 2008-03-27 2013-01-08 Ibiden Co., Ltd. Wiring board with built-in electronic component and method of manufacturing same
JP2011515862A (ja) * 2008-03-27 2011-05-19 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 電子構成群を製造する方法
WO2009118925A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
CN102625579A (zh) * 2008-03-27 2012-08-01 揖斐电株式会社 电子部件内置线路板
JP2011146497A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Toshiba Design & Manufacturing Service Corp 半導体チップを内蔵するプリント配線板
JP2012015240A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2012084717A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Toyota Motor Corp 配線基板
JP2013225622A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Jtekt Corp モーター制御用多層回路基板
KR20130139601A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 에스케이하이닉스 주식회사 복수의 유전층을 포함하는 임베디드 패키지 및 제조 방법
KR101905893B1 (ko) * 2012-06-13 2018-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 복수의 유전층을 포함하는 임베디드 패키지 및 제조 방법
JP2019024101A (ja) * 2012-12-11 2019-02-14 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． チップ内蔵型印刷回路基板および半導体パッケージ
JP2016115870A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2019536283A (ja) * 2016-11-17 2019-12-12 ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフトＺｆ Ｆｒｉｅｄｒｉｃｈｓｈａｆｅｎ Ａｇ 電気部品及びヒートシンクを備える回路基板アセンブリ
JP7058651B2 (ja) 2016-11-17 2022-04-22 ツェットエフ、フリードリッヒスハーフェン、アクチエンゲゼルシャフト 電気部品及びヒートシンクを備える回路基板アセンブリ
WO2024080270A1 (ja) * 2022-10-14 2024-04-18 株式会社村田製作所 電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
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