[go: up one dir, main page]

JP2006007213A - 炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法 - Google Patents

炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006007213A
JP2006007213A JP2005180590A JP2005180590A JP2006007213A JP 2006007213 A JP2006007213 A JP 2006007213A JP 2005180590 A JP2005180590 A JP 2005180590A JP 2005180590 A JP2005180590 A JP 2005180590A JP 2006007213 A JP2006007213 A JP 2006007213A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
catalyst
metal precursor
substrate
catalyst metal
fine particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005180590A
Other languages
English (en)
Inventor
In-Taek Han
仁 澤 韓
Ha-Jin Kim
夏 辰 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2006007213A publication Critical patent/JP2006007213A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • DTEXTILES; PAPER
    • D01NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01FCHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F9/00Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
    • D01F9/08Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
    • D01F9/12Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

【課題】炭素ナノチューブ成長の基になる触媒微粒子を基板上にさらに均一に形成させることができる新しい方法と、均一度が向上したCNTの合成方法とを提供する。
【解決手段】触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布するステップと、基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥するステップと、前記凍結乾燥された触媒金属前駆体を触媒金属に還元させるステップとを含む触媒微粒子の形成方法であり、該触媒微粒子の形成方法は、触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥することにより、触媒微粒子の形成過程での触媒微粒子の凝集及び/または再結晶を最小化させることができる。これにより、触媒微粒子は、非常に均一な粒子サイズを有し、また基板上に非常に均一に分布する。
【選択図】図1

Description

本発明は、炭素ナノチューブ(CNT)製造用触媒の製造方法と、これを利用したCNTの製造方法に関する。
CNTは、普通数nmほどの非常に微細な直径と、10ないし1,000ほどの非常に大きい縦横比とを有する円筒形の材料である。CNTにおいて、一般的に炭素原子は、六角形の蜂の巣状に配列しており、それぞれの炭素原子は、隣接する3つの炭素原子と結合している。CNTは、その構造により、導体の性質または半導体の性質を有しうる。導体の性質を帯びるCNTの電導度は、非常に優れていることが知られている。また、CNTは、非常に強い機械的強度、テラ(tera)単位のヤング率(Young’s modulus)、優れた熱伝導度などの特性を有する。かかる優れた特性を有するCNTは、例えばフィールドエミッションディスプレイ(FED)のエミッタ、二次電池用の負極材料、燃料電池の触媒担持体、高強度複合素子などの多様な技術分野に有利に使われる。
CNTの製造方法としては、電気放電法、レーザ蒸着法、プラズマ化学気相蒸着法、化学気相蒸着法、気相合成法、電気分解法などが知られている。
気相合成法は、基板を使用せずに、反応炉内に反応ガスと触媒金属とを直接供給して気相で合成する方法であり、CNTをバルク状で合成するのに適した方法である。電気放電法とレーザ蒸着法は、CNTの合成収率が比較的低い。電気放電法とレーザ蒸着法では、CNTの直径と長さとを調節することが容易でない。また、電気放電法とレーザ蒸着法とを使用すれば、CNTだけでなく、非晶質炭素塊が多量に生成するため、複雑な精製過程が必要となる。
基板上にCNTを形成させるためには、一般的に、熱化学気相蒸着法、低圧化学気相蒸着法及びプラズマ化学気相蒸着法などの化学気相蒸着法が利用される。プラズマ化学気相蒸着法の場合、プラズマを利用してガスを活性化させるため、低温でCNTを合成できる。また、プラズマ化学気相蒸着法は、CNTの直径、長さ、密度などを比較的容易に調節できる。
化学気相蒸着法の場合に、基板上に形成されるCNTの密度を均一にするために、前もって基板上に、CNT成長の基になる触媒微粒子を分散させる。
例えば、特許文献1には、基板上に触媒金属膜を形成した後、前記触媒金属膜をエッチングガスでエッチングし、複数の触媒微粒子を形成させる方法が開示されている。
他の例として、非特許文献1には、触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布して乾燥させた後に熱処理することにより、触媒微粒子を基板上に形成させる方法が開示されている。しかし、この場合、乾燥及び熱処理過程で、触媒金属の再結晶及び凝集が発生し、基板上に形成した触媒金属微粒子の均一度が低下するという問題点が発生しうる。基板上に形成された触媒微粒子の均一度が低下すれば、それを基にして成長したCNTの直径と生成密度の均一性が低下する。
基板上に形成された触媒微粒子の均一度は、触媒微粒子の粒子サイズの均一性と触媒微粒子の生成密度の均一性とで評価できる。今まで、公知の方法によって形成された触媒微粒子の均一度は、それほど満足できるものではないことが知られている。それにより、基板上に形成された触媒微粒子の均一度を向上させるための触媒微粒子の新しい形成方法が要求されている。
大韓民国公開特許2001−0049398号公報 Chemical Physics Letter,vol.377,p.49,2003
本発明は、CNT成長の基になる触媒微粒子を基板上にさらに均一に形成させることができる新しい方法を提供することを目的とする。
本発明はまた、均一度の向上したCNT合成方法を提供することを目的とする。
本発明で提供する触媒微粒子の形成方法は、触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布するステップと、前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥するステップと、前記凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させるステップとを含む。
本発明の触媒微粒子の形成方法は、触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥することにより、触媒金属微粒子の形成過程での触媒金属微粒子の凝集及び/または再結晶を最小化させることができる。それにより、本発明の方法で形成された触媒金属微粒子は、非常に均一な粒子サイズを有し、また基板上に非常に均一に分布する。
本発明のCNTの製造方法は、触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布した後、前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥した後、前記凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させ、CNT成長の基になる触媒微粒子を基板上に形成させるステップと、前記触媒微粒子に炭素源を供給し、前記触媒微粒子上にCNTを成長させるステップとを含む。
本発明の触媒微粒子の形成方法は、触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥することにより、触媒微粒子形成過程での触媒微粒子の凝集及び/または再結晶を最小化させることができる。それにより、本発明の方法で形成された触媒微粒子は、非常に均一な粒子サイズを有し、また基板上に非常に均一に分布する。
本発明のCNTの製造方法では、前述のように、均一な粒子サイズを有し、また基板上に均一に分布する触媒微粒子を基にしてCNTを成長させるので、その結果として合成されたCNTの均一度やはり非常に向上する。
以下では、CNT成長の基になる触媒微粒子を基板上に形成させるための本発明の方法を詳細に説明する。
本発明の触媒微粒子の形成方法は、触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布するステップと、前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥(freeze−dry)するステップと、前記凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させるステップとを含む。
前記触媒金属前駆体の溶液は、触媒金属前駆体と、触媒金属前駆体を溶解させることができる溶媒とを含む。
前記触媒金属前駆体としては、CNT成長の基になりうる微粒子の金属形態に転換可能な任意の材料が使われうる。前記触媒金属前駆体としては、例えば有機金属化合物が使われうる。前記有機金属化合物は、例えばFe、Co、Ni、Y、Mo、Cu、Pt、V、及びTiのうちから選択される少なくとも1つの金属原子を含有できる。前記有機金属化合物の具体的な例としては、酢酸鉄、シュウ酸鉄(iron oxalate)、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、フェロセン、またはそれらの混合物が挙げられる。
前記溶媒としては、前記触媒金属前駆体を溶解できる任意の液状物質が使われうる。例えば、前記溶媒としては、エタノール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、それらの混合物などが挙げられる。
前記触媒金属前駆体の溶液中の前記触媒金属前駆体の含有量は、特別に制限されない。前記触媒金属前駆体の溶液中の前記触媒金属前駆体の含有量が少なすぎれば、以後のCNT製造工程で、CNTが生成せず、多すぎれば、以後のCNT製造工程で、生成したCNTの直径が非常に大きくなったり、または生成したCNTまたは炭素ナノファイバの結晶性が低下したりする。前記触媒金属前駆体の溶液中の前記触媒金属前駆体の濃度は、通常、10mMないし200mMの範囲にある。
前記基板は、触媒微粒子がその表面上に付着可能な任意の材料が使われうる。例えば、前記基板としては、Mo、Cr及びWなどの高融点を有する金属、シリコン、ガラス、プラスチック、石英などが挙げられる。
前記触媒金属前駆体の溶液を前記基板上に塗布する方法としては、基板の表面に溶液を等しくコーティングできる任意の方法が使われうる。例えば、前記触媒金属前駆体の溶液を前記基板上に塗布する方法として、浸漬法、蒸発法、スクリーンプリンティング、またはスピンコーティングなどが挙げられる。また、かかる方法を組み合わせた方法が使われることもある。
触媒金属前駆体の溶液は、基板の全表面に塗布され、または、基板の一部表面にだけ塗布されもする。
このように基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液は、凍結乾燥過程を経る。凍結乾燥というのは、基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を、前記触媒金属前駆体の溶液の氷結点以下に冷却した後、減圧条件下で前記触媒金属前駆体の溶液中の溶媒を気化(evaporate)させる過程を意味する。
触媒金属前駆体の溶液の氷結点は、触媒金属前駆体の溶液の組成によって変わりうる。すなわち、触媒金属前駆体の成分、溶媒の成分、触媒金属前駆体の含有量などの条件により、触媒金属前駆体の溶液の氷結点が決定されうる。かかる触媒金属前駆体の溶液の氷結点は、熱力学的計算または試行錯誤法により、当業者によって容易に測定可能である。また、触媒金属前駆体の溶液の組成を調節することにより、触媒金属前駆体の溶液の氷結点を選択することもできる。
基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を触媒溶液の氷結点以下に冷却する過程は、触媒金属前駆体の溶液の氷結点に適した冷却方法を使用することにより行われうる。例えば、冷凍機、液体窒素などが使われうる。液体窒素を使用する場合に、触媒金属前駆体の溶液で塗布された基板を液体窒素に浸すことにより、基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を触媒金属前駆体の溶液の氷結点以下に冷却できる。
このように基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結させた後、凍結した触媒金属前駆体の溶液中の溶媒成分を気化させるために、凍結した触媒金属前駆体の溶液が塗布されている基板を減圧環境に送る。例えば、凍結された触媒金属前駆体の溶液が塗布されている基板を真空チャンバに入れた後、真空チャンバの内部を減圧させる。
減圧は、凍結した触媒金属前駆体の溶液中の溶媒成分が気化されるのに十分なほどにせねばならない。以下では、凍結した触媒金属前駆体の溶液中の溶媒成分が気化されるのに十分なほどに減圧された圧力を、簡単に「気化圧力」とする。気化圧力は、使われた触媒金属前駆体の溶液の組成により変わりうる。すなわち、触媒金属前駆体の成分、溶媒の成分、触媒金属前駆体の含有量、凍結温度などの条件により、触媒金属前駆体の溶液の気化圧力が決定されうる。かかる触媒金属前駆体の溶液の気化圧力は、熱力学的計算または試行錯誤法により当業者によって容易に測定可能である。また、触媒金属前駆体の溶液の組成、凍結温度などを調節することにより、触媒金属前駆体の溶液中の溶媒の気化圧力を選択することもできる。
かかる気化を通じて凍結された触媒金属前駆体の溶液中の溶媒成分が除去される。その結果、基板の表面には、触媒金属前駆体の成分が微粒子状に形成される。注目する点は、本発明の方法で形成された触媒金属前駆体の微粒子は、比較的均一な粒子サイズを有し、また基板上に均一に分布されるという点である。
次に、基板の表面に形成された触媒金属前駆体の微粒子を触媒金属微粒子に還元させる。触媒金属前駆体の微粒子を触媒金属微粒子に還元させる過程は、例えば次の通り行う。まず、酸化雰囲気内での熱処理を通じ、触媒金属前駆体を酸化物に転換させた後、そのように形成された酸化物を、還元雰囲気で熱処理またはプラズマ処理し、金属に還元させる。触媒金属前駆体の還元過程は、当業界に公知の多様な方法によって行われうるので、ここではそれ以上詳細に説明しない。
図1は、本発明の一実施例により製造された触媒金属微粒子の電子顕微鏡写真である。図1を見れば、触媒金属微粒子が基板上に等しく分布しているだけではなく、触媒金属微粒子の粒子サイズが比較的均一であるということが分かる。
以下では、本発明のCNTの製造方法を詳細に説明する。
本発明のCNTの製造方法は、触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布した後、前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥した後、凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させ、CNT成長の基になる触媒微粒子を基板上に形成させるステップと、前記触媒微粒子に炭素源を供給し、前記触媒微粒子上にCNTを成長させるステップとを含む。
基板上に触媒微粒子を形成させるステップは、前述の本発明の触媒微粒子の形成方法の通りである。
触媒微粒子に炭素源を供給し、前記触媒微粒子上にCNTを成長させるステップは、CNTの製造に使われうる多様な方法により行われうる。
例えば、前記CNT成長ステップでは、反応チャンバ内に、CNT成長の基になる触媒微粒子が付着する基板を位置させ、前記反応チャンバ内に炭素前駆体のガスを供給した後、前記反応チャンバ内で前記炭素前駆体のガスを分解し、前記触媒微粒子に炭素を供給することにより、前記触媒微粒子上でCNTを成長させる。
さらに具体的な例としては、前記CNT成長ステップは、低圧化学気相蒸着法、熱化学気相蒸着法、プラズマ化学気相蒸着法により行われ、またはそれらの方法を組み合わせた方法によっても行われうる。
炭素前駆体のガスとしては、例えばアセチレン、メタン、プロパン、エチレン、一酸化炭素、二酸化炭素、アルコール、ベンゼンなどの炭素含有化合物が使われうる。
前記反応チャンバ内の温度が低すぎれば、生成したCNTの結晶性が低下し、高すぎければ、CNTが良好に形成されない。かかる点を考慮し、前記反応チャンバ内の温度は、通常、450ないし1,100℃ほどでありうる。
前記CNT成長ステップでの他の工程条件は、CNTの成長に適した一般的なものが使われ、また当業者により具体的な適用目的により容易に選択可能である。それにより、ここでは、前記CNT成長ステップでの他の工程条件について、それ以上の詳細は控える。
本発明のCNTの製造方法では、前述のように、均一な粒子サイズを有し、また基板上に均一に分布する触媒微粒子を基にしてCNTを成長させるので、その結果として合成されたCNTの均一度もやはり非常に向上する。CNTの均一度は、CNTの長さと直径の均一度とにより評価される。CNTの長さは、電子顕微鏡により測定され、直径は、透過電子顕微鏡により測定可能である。
さらに、本発明の方法で製造されたCNTの垂直配向性も非常に優れている。これは、図2の電子顕微鏡写真から確認されうる。図2は、本発明の一実施例で製造されたCNT群の側面を示す写真である。図2に示されるように、本発明の方法で製造されたCNTは、絡みつき現象を示さず、垂直方向に良好に配列している。
図3は、本発明の一実施例で製造されたCNT群の表面を示す写真である。図3から、本発明の方法で製造されたCNTの生成密度は、非常に均一である。
<実施例>
エタノール及びエチレングリコールを溶媒として使用した40mM濃度の酢酸鉄の溶液を製造した。酢酸鉄の粉末0.1gにエタノール20ml及びエチレングリコール20mlを添加し、適切な粘度の溶液を得た。このようにして得た溶液を、直径20.32cmのシリコン基板上に浸漬法を利用して塗布した。コーティングされた基板をすぐに液体窒素で冷却した後、真空チャンバに移し、0.1mmHg以下の真空状態で溶媒を蒸発させた。溶媒の残留量を最少化するため、追加的に100℃で前記基板を加熱した。
このように凍結乾燥した基板を、300℃の空気雰囲気で10分間熱処理し、酢酸鉄の成分を酸化させた。次に、600℃の水素雰囲気で基板を還元処理した。
結果的に、基板には、鉄粒子が均一に形成された。図1は、実施例により、シリコン基板上に形成された鉄微粒子の電子顕微鏡写真である。図1を見れば、鉄微粒子が基板上に等しく分布しているだけではなく、鉄微粒子の粒子サイズが比較的均一であることが分かる。
このように、鉄微粒子が形成した基板を、600℃の内部温度を有する化学気相蒸着用の反応チャンバに入れた後、前記反応チャンバの一酸化炭素と水素との質量比が1:2である混合気体を20分間供給し、鉄微粒子を基にCNTを合成した。
図2は、実施例で製造されたCNT群の側面を示す写真である。図2に示されるように、実施例で製造されたCNTは、絡みつき現象が見られず、垂直方向に良好に配列されている。図3は、実施例で製造されたCNT群の表面を示す写真である。図3から、実施例で製造されたCNTの生成密度が非常に均一であることが分かる。
このように形成されたCNTの均一度を評価するために、9等分された基板それぞれに対し、電子顕微鏡を利用したCNTの長さの測定、及び透過電子顕微鏡を利用したCNTの直径の測定を行った。その結果、9等分された基板のCNTは、+/−5%以内の均一度を有することを確認した。
<比較例>
基板上に塗布された酢酸鉄の溶液を凍結乾燥させる代わりに、大気中で自然乾燥させたことを除いては、実施例と同じ方法でCNTを合成した。
図4は、比較例で製造された鉄微粒子を示す光学顕微鏡写真である。図5は、図4の一部分を拡大した図面である。図4及び図5から、比較例で形成された鉄微粒子は、非常に不均一であるということが分かる。
図6は、比較例で合成されたCNT群の性状を示す電子顕微鏡写真である。図6に示されるように、比較例で合成されたCNTは、基板上に部分的に絡んでおり、垂直に配向されておらず、絡み合っている。
本発明のCNT製造用触媒の製造方法は、CNT関連の技術分野、例えばFEDのエミッタ、二次電池用の負極材料、燃料電池の触媒担持体、高強度複合素子などの多様な技術分野に効果的に適用可能である。
本発明の実施例により製造されたCNT製造用の触媒微粒子の一例を示す光学顕微鏡写真である。 本発明の実施例により製造されたCNT群の側面の一例を示す電子顕微鏡写真である。 本発明の実施例により製造されたCNT群の表面の一例を示す電子顕微鏡写真である。 比較例により製造されたCNT製造用の触媒微粒子を示す光学顕微鏡写真である。 図4の一部分を拡大した図面である。 比較例により製造されたCNT群の性状を示す電子顕微鏡写真である。。

Claims (6)

  1. 触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布するステップと、
    前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥するステップと、
    前記凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させるステップとを含む、炭素ナノチューブ成長の基になる触媒微粒子の製造方法。
  2. 前記触媒金属前駆体は、有機金属化合物であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記触媒金属前駆体は、Fe、Co、Ni、Y、Mo、Cu、Pt、V及びTiのうちから選択される少なくとも1つの金属原子を含有する有機金属化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記触媒金属前駆体の溶液の溶媒は、エタノール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記触媒金属前駆体の溶液中の前記触媒金属前駆体の濃度は、10mMないし200mMの範囲にあることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 触媒金属前駆体の溶液を基板上に塗布した後、前記基板上に塗布された触媒金属前駆体の溶液を凍結乾燥した後、前記凍結乾燥した触媒金属前駆体を触媒金属に還元させ、炭素ナノチューブ成長の基になる触媒微粒子を基板上に形成させるステップと、
    前記触媒微粒子に炭素源を供給し、前記触媒微粒子上に炭素ナノチューブを成長させるステップとを含む、炭素ナノチューブの製造方法。
JP2005180590A 2004-06-22 2005-06-21 炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法 Pending JP2006007213A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040046552A KR20050121426A (ko) 2004-06-22 2004-06-22 탄소나노튜브 제조용 촉매의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006007213A true JP2006007213A (ja) 2006-01-12

Family

ID=35775022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005180590A Pending JP2006007213A (ja) 2004-06-22 2005-06-21 炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070020167A1 (ja)
JP (1) JP2006007213A (ja)
KR (1) KR20050121426A (ja)
CN (1) CN1883807A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009038172A1 (ja) * 2007-09-21 2009-03-26 Taiyo Nippon Sanso Corporation カーボンナノ構造物成長用触媒層形成方法、触媒層形成用液及びカーボンナノ構造物製造方法
JP2011068509A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Aisin Seiki Co Ltd カーボンナノチューブ複合体およびその製造方法
JP2011207733A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Toshiba Corp カーボンナノチューブ集合体、太陽電池、及び導波路及びカーボンナノチューブ集合体付き基板
JP2013536796A (ja) * 2010-09-02 2013-09-26 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー カーボンナノチューブが表面に成長する金属基材及びその製造プロセス
JP2014136167A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Toyota Motor Corp 触媒担持方法
US9574300B2 (en) 2007-01-03 2017-02-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US9573812B2 (en) 2007-01-03 2017-02-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US10138128B2 (en) 2009-03-03 2018-11-27 Applied Nanostructured Solutions, Llc System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ CNT growth

Families Citing this family (390)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120189846A1 (en) * 2007-01-03 2012-07-26 Lockheed Martin Corporation Cnt-infused ceramic fiber materials and process therefor
US8158217B2 (en) * 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
US20100279569A1 (en) * 2007-01-03 2010-11-04 Lockheed Martin Corporation Cnt-infused glass fiber materials and process therefor
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
KR101281168B1 (ko) 2007-01-05 2013-07-02 삼성전자주식회사 전계 방출 전극, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 전계 방출소자
CN101185904B (zh) * 2007-01-18 2011-01-19 江苏工业学院 一种选择性液相加氢的催化剂及其制备方法及用途
US7678419B2 (en) 2007-05-11 2010-03-16 Sdc Materials, Inc. Formation of catalytic regions within porous structures using supercritical phase processing
US20090081441A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Lockheed Martin Corporation Fiber Tow Comprising Carbon-Nanotube-Infused Fibers
US20090081383A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Lockheed Martin Corporation Carbon Nanotube Infused Composites via Plasma Processing
US8575059B1 (en) 2007-10-15 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal compound catalysts
KR100905403B1 (ko) 2007-10-18 2009-06-30 한국지질자원연구원 저품위 철광석을 이용한 아세트산 철(ⅱ)의 제조방법
CN101447802A (zh) * 2007-11-27 2009-06-03 杰脉通信技术(上海)有限公司 一种捕获移动用户终端的方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
EP2398955B8 (en) * 2009-02-17 2020-06-03 Applied NanoStructured Solutions, LLC Composites comprising carbon nanotubes on fiber
WO2010141130A1 (en) * 2009-02-27 2010-12-09 Lockheed Martin Corporation Low temperature cnt growth using gas-preheat method
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
CA2757474A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc Method and apparatus for using a vertical furnace to infuse carbon nanotubes to fiber
US20100272891A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-28 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for the production of carbon nanotubes on a continuously moving substrate
KR101696212B1 (ko) * 2009-04-10 2017-01-13 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 연속하여 이동하는 기질에서 탄소 나노튜브를 제조하는 장치 및 방법
JP5465779B2 (ja) * 2009-04-24 2014-04-09 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー カーボンナノチューブベースの性質制御材料
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
EP2425364A4 (en) * 2009-04-27 2012-10-31 Applied Nanostructured Sols CNT-BASED RESISTANCE HEATING TO DECREASE COMPOSITE STRUCTURES
WO2010126840A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Lockheed Martin Corporation Method and system for close proximity catalysis for carbon nanotube synthesis
CN102470546B (zh) * 2009-08-03 2014-08-13 应用纳米结构方案公司 纳米颗粒在复合材料纤维中的结合
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN103140613B (zh) * 2009-11-02 2015-03-25 应用纳米结构方案公司 并入cnt的芳族聚酰胺纤维材料及其方法
CA2777001A1 (en) * 2009-11-23 2011-05-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-tailored composite space-based structures
KR20120117978A (ko) * 2009-11-23 2012-10-25 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 카본 나노튜브-주입된 섬유 재료를 포함하는 세라믹 복합재료 및 이의 제조방법
US20110123735A1 (en) * 2009-11-23 2011-05-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-infused fibers in thermoset matrices
EP2513250A4 (en) * 2009-12-14 2015-05-27 Applied Nanostructured Sols FIRE-RESISTANT COMPOSITE MATERIALS AND ARTICLES WITH CARBON NANOTUBES-INFUNDED FIBER MATERIALS
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US9039916B1 (en) 2009-12-15 2015-05-26 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying for copper copper-oxide
US9149797B2 (en) * 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US8652992B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US9167736B2 (en) * 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
KR101906262B1 (ko) * 2010-02-02 2018-10-10 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 평행하게-정렬된 카본 나노튜브를 포함하는 섬유
CA2789664A1 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
JP2013521656A (ja) 2010-03-02 2013-06-10 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー カーボン・ナノチューブ浸出電極材料を含む螺旋に巻き付けられた電気機器及びその生産方法並びに生産装置
CN101816956B (zh) * 2010-04-20 2011-10-19 武汉理工大学 一种提高纳米金属颗粒在石墨化碳载体表面分散的方法
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
CA2808242A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
KR101877475B1 (ko) 2010-09-22 2018-07-11 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 탄소 나노튜브가 성장된 탄소 섬유 기판 및 그의 제조 방법
WO2012040038A2 (en) 2010-09-23 2012-03-29 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR20140071364A (ko) 2011-08-19 2014-06-11 에스디씨머티리얼스, 인코포레이티드 촉매작용에 사용하기 위한 코팅 기판 및 촉매 변환기 및 기판을 워시코트 조성물로 코팅하는 방법
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
EP3024571B1 (en) 2013-07-25 2020-05-27 Umicore AG & Co. KG Washcoats and coated substrates for catalytic converters
JP2016536120A (ja) 2013-10-22 2016-11-24 エスディーシーマテリアルズ, インコーポレイテッド ヘビーデューティディーゼルの燃焼機関のための触媒デザイン
KR20160074574A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 에스디씨머티리얼스, 인코포레이티드 희박 NOx 트랩의 조성물
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9687811B2 (en) 2014-03-21 2017-06-27 SDCmaterials, Inc. Compositions for passive NOx adsorption (PNA) systems and methods of making and using same
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
KR102190543B1 (ko) * 2019-01-03 2020-12-14 한국해양대학교 산학협력단 탄소나노튜브의 대량 합성방법 및 이로부터 합성된 탄소나노튜브
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7703317B2 (ja) 2019-12-17 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
KR20210158809A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3049019B2 (ja) * 1998-09-11 2000-06-05 双葉電子工業株式会社 単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ
US20030012722A1 (en) * 2002-07-02 2003-01-16 Jie Liu High yiel vapor phase deposition method for large scale sing walled carbon nanotube preparation

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9574300B2 (en) 2007-01-03 2017-02-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US9573812B2 (en) 2007-01-03 2017-02-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
WO2009038172A1 (ja) * 2007-09-21 2009-03-26 Taiyo Nippon Sanso Corporation カーボンナノ構造物成長用触媒層形成方法、触媒層形成用液及びカーボンナノ構造物製造方法
JP5629868B2 (ja) * 2007-09-21 2014-11-26 大陽日酸株式会社 カーボンナノ構造物成長用触媒層形成方法、触媒層形成用液及びカーボンナノ構造物製造方法
US9309123B2 (en) 2007-09-21 2016-04-12 Taiyo Nippon Sanso Corporation Process for producing a carbon nanostructure
US10138128B2 (en) 2009-03-03 2018-11-27 Applied Nanostructured Solutions, Llc System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ CNT growth
JP2011068509A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Aisin Seiki Co Ltd カーボンナノチューブ複合体およびその製造方法
JP2011207733A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Toshiba Corp カーボンナノチューブ集合体、太陽電池、及び導波路及びカーボンナノチューブ集合体付き基板
JP2013536796A (ja) * 2010-09-02 2013-09-26 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー カーボンナノチューブが表面に成長する金属基材及びその製造プロセス
JP2014136167A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Toyota Motor Corp 触媒担持方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070020167A1 (en) 2007-01-25
CN1883807A (zh) 2006-12-27
KR20050121426A (ko) 2005-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006007213A (ja) 炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法
US9045344B2 (en) Method for producing aligned carbon nanotube aggregate
JP3850380B2 (ja) 炭素ナノチューブのマトリックスの成長方法
An et al. Chirality specific and spatially uniform synthesis of single-walled carbon nanotubes from a sputtered Co–W bimetallic catalyst
CN101312907B (zh) 双层碳纳米管及定向双层碳纳米管整体结构体及这些的制造方法
US20100227058A1 (en) Method for fabricating carbon nanotube array
WO2019113993A1 (zh) 一种碳纳米管及其制备方法
Guerra-Nuñez et al. Morphology and crystallinity control of ultrathin TiO 2 layers deposited on carbon nanotubes by temperature-step atomic layer deposition
JP4642658B2 (ja) 直径のそろった単層カーボンナノチューブの製造方法
Cao et al. Template-catalyst-free growth of highly ordered boron nanowire arrays
WO2012057229A1 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
CN102658153A (zh) 铜基体表面生长富勒烯掺杂多孔碳纳米纤维的制备方法
JP2007268319A (ja) カーボンナノチューブ合成用触媒及びその製造方法、触媒分散液、並びに、カーボンナノチューブの製造方法
JP2006015342A (ja) カーボンナノチューブ製造用の触媒ベースの製造方法及びそれを利用したカーボンナノチューブの製造方法
CN100445202C (zh) 一种碳纳米管制造方法
JP2004051432A (ja) カーボンナノチューブの製造用基板及びそれを用いたカーボンナノチューブの製造方法
Ghosh et al. Bamboo-shaped aligned CNx nanotubes synthesized using single feedstock at different temperatures and study of their field electron emission
JP2006298684A (ja) 炭素系一次元材料およびその合成方法ならびに炭素系一次元材料合成用触媒およびその合成方法ならびに電子素子およびその製造方法
JP4798340B2 (ja) カーボンナノチューブ成長用触媒およびその製造方法
KR102824404B1 (ko) 카본나노튜브 제조방법 및 이에 의해 제조된 카본나노튜브
Huczko et al. Plasma synthesis of nanocarbons
US7799307B2 (en) Method of growing single-walled carbon nanotubes
JP6950939B2 (ja) カーボンナノチューブ集合体合成用触媒担持体及びカーボンナノチューブ集合体合成用部材
CN116375004A (zh) 一种以甲烷为碳源、高熔点金属氧化物辅助催化生长窄直径分布的单壁碳纳米管的制备方法
KR101557198B1 (ko) 카본 나노튜브 집합체의 제조방법