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JP2006066467A - Laser diode module multilayer substrate - Google Patents

Laser diode module multilayer substrate Download PDF

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JP2006066467A
JP2006066467A JP2004244272A JP2004244272A JP2006066467A JP 2006066467 A JP2006066467 A JP 2006066467A JP 2004244272 A JP2004244272 A JP 2004244272A JP 2004244272 A JP2004244272 A JP 2004244272A JP 2006066467 A JP2006066467 A JP 2006066467A
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JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
multilayer substrate
diode module
substrate
mounting portion
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004244272A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Tanaka
宏志 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Priority to US11/206,129 priority patent/US20060067199A1/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small and an inexpensive laser diode (LE) module multilayer substrate which realizes optical pickup of little spurious radiation. <P>SOLUTION: A low temperature calcination multilayer substrate or an organic multilayer substrate of a resin material is provided with a light emitting/receiving unit mounting part capable of mounting a light emitting/receiving unit including LD and a light receiving element, and an LD protection component mounting part capable of mounting an LD protection component protecting LD from electrostatic destruction and destruction by surge current. The multilayer substrate incorporates at least a part of circuit elements of a high frequency superposition circuit superimposing a high frequency current on LD, and at least a part of circuit elements of an EMC countermeasure circuit reducing electromagnetic wave noise generated from the high frequency superposition circuit. A coil mounting part mounting the coil of the EMC countermeasure circuit is installed on the surface of the substrate, and the capacitor of the EMC countermeasure circuit is arranged inside the substrate positioned just below the coil mounting part. A connection pattern for the flexible printed board is installed and the pattern is arranged on a substrate face opposite to the light emitting/receiving unit mounting part. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、レーザダイオードモジュール多層基板に係り、特にDVDやCD、MOドライブ等の光ディスク装置に設ける光ピックアップの半導体レーザダイオードモジュールを形成する基板構造に関する。   The present invention relates to a laser diode module multilayer substrate, and more particularly to a substrate structure for forming a semiconductor laser diode module of an optical pickup provided in an optical disc apparatus such as a DVD, CD, or MO drive.

DVD、CDまたはMOなどの光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置は、半導体レーザダイオード(以下、LDという)を内蔵した光ピックアップを備え、LDにより発生される光をディスクに照射して情報の記録再生を行う。   An optical disc apparatus using an optical disc such as a DVD, CD, or MO as a recording medium includes an optical pickup incorporating a semiconductor laser diode (hereinafter referred to as LD), and records information by irradiating the disc with light generated by the LD. Perform playback.

かかる光ピックアップは、その構成部品として上記LDのほか、LDを静電気破壊あるいはサージ電流等による電気的破壊から保護するLD保護用部品や、LDの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路、高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するEMC対策部品を含むことがあり、さらにそれらを搭載し接続するためのフレキシブルプリント基板や光学系部品、並びに光ピックアップの骨格となるフレーム、形状保持用の金属板、ビス等を備える。   In addition to the LD as a component, the optical pickup includes an LD protection component that protects the LD from electrical breakdown due to electrostatic breakdown or surge current, a high-frequency superposition circuit that superimposes a high-frequency current on the drive current of the LD, It may contain EMC countermeasure parts that reduce electromagnetic noise generated from the superimposed circuit, and it also has a flexible printed circuit board and optical parts for mounting and connecting them, a frame that forms the skeleton of the optical pickup, and a shape-preserving part Provided with metal plates, screws, etc.

また、光ピックアップ装置を開示するものとして、下記特許文献がある。
特開2002−184013号公報 特開2000−138411号公報 特開2001−014720号公報
Further, there are the following patent documents as disclosing optical pickup devices.
JP 2002-184013 A JP 2000-138411 A JP 2001-014720 A

ところで、各種の電子機器と同様に近年、光ディスク装置に対する小型・薄型・高性能化並びに低価格化の要請は強く、特にポータブルタイプの装置への要請は著しい。しかしながら、各構成部品の小型化は年々進んでいるものの、従来の光ピックアップ構造ではこれらの要請に十分に応えることが難しくなりつつあるのが現状である。   By the way, in recent years, as with various electronic devices, there has been a strong demand for optical disc apparatuses that are small, thin, high-performance, and low-priced. However, although miniaturization of each component is progressing year by year, it is difficult to sufficiently satisfy these demands with the conventional optical pickup structure.

そこで、本願発明者は、光ピックアップのより一層の小型・薄型・高性能化並びに低コスト化を図るべく、光ピックアップの構造を検討し、その改良点を見い出した。   Accordingly, the present inventor has studied the structure of the optical pickup and found an improvement in order to further reduce the size, thickness, performance, and cost of the optical pickup.

すなわち、従来の光ピックアップは、一般にパッケージされたLD部品(記憶媒体への照射光を発生させる半導体レーザダイオードと記憶媒体からの反射光を受光する受光素子を含む受発光ユニット部品)、LD保護用部品、並びに必要に応じて設けられる高周波重畳回路部品やEMC対策部品をフレキシブルプリント基板へ実装し、これらを光学部品を組み込んだフレームに組み込む構造をとっている。   That is, conventional optical pickups are generally packaged LD components (light emitting / receiving unit components including a semiconductor laser diode that generates light irradiated to a storage medium and a light receiving element that receives reflected light from the storage medium), and LD protection Components, high-frequency superimposed circuit components and EMC countermeasure components provided as necessary are mounted on a flexible printed circuit board, and these are incorporated in a frame incorporating optical components.

ところが、このように各部品を個別にフレキシブルプリント基板へ搭載して組み込むと、各部品をフレーム内に収めるにあたって無駄なスペースを生じやすく、さらなる小型化は困難である。また、各部品を個別に組み込む従来の構造では、LDと高周波重畳回路間の接続線路長を短くすることが難しく、このため不要輻射が生じやすい難もある。   However, if each component is individually mounted on the flexible printed circuit board and incorporated in this way, a wasteful space tends to be generated when the components are stored in the frame, and further miniaturization is difficult. Further, in the conventional structure in which each component is individually incorporated, it is difficult to shorten the length of the connection line between the LD and the high frequency superimposing circuit, and therefore, it is difficult to generate unnecessary radiation.

さらに、電子機器のライフサイクルは益々短くなる傾向にあり、小型・高機能化と同時に製品の開発・設計に要する期間の短縮が求められているのに対し、上記従来の組込み型のピックアップ構造では、LDと各回路(部品)同士の設計や調整、動作確認等に時間と手間を要し、コスト的にも不利な面がある。   In addition, the life cycle of electronic devices tends to become shorter and there is a need to shorten the time required for product development and design as well as miniaturization and higher functionality. In addition, it takes time and effort to design and adjust the LD and each circuit (components), check the operation, etc., which is disadvantageous in terms of cost.

またこれらの問題は、上記特許文献記載の発明によっても十分に解決することは出来ない。   Further, these problems cannot be sufficiently solved even by the invention described in the above patent document.

したがって、本発明の目的は、より小型・低コストのかつ不要輻射の少ない高性能な光ピックアップを実現する点にある。   Accordingly, an object of the present invention is to realize a high-performance optical pickup that is smaller, lower cost, and has less unnecessary radiation.

前記目的を達成して課題を解決するため、本発明の第一のレーザダイオードモジュール多層基板は、記憶媒体への照射光を発生させる半導体レーザダイオードと前記記憶媒体からの反射光を受光する受光素子とを含む受発光ユニット部品を実装可能な受発光ユニット実装部と、前記半導体レーザダイオードを電気的破壊から保護するレーザダイオード保護部品を実装可能なレーザダイオード保護部品実装部とを備える。   In order to achieve the object and solve the problem, a first laser diode module multilayer substrate of the present invention includes a semiconductor laser diode that generates irradiation light to a storage medium and a light receiving element that receives reflected light from the storage medium. A light emitting / receiving unit mounting part capable of mounting a light receiving / emitting unit part, and a laser diode protection part mounting part capable of mounting a laser diode protection part for protecting the semiconductor laser diode from electrical breakdown.

DVDやCD、MOなどの記憶媒体に対し情報の記録再生を行う光ピックアップでは、記憶媒体への照射光を発生させるLD(半導体レーザダイオード)と記憶媒体からの反射光を受光する受光素子とを含む受発光ユニット部品(例えばホログラムレーザダイオード)が設けられる。   In an optical pickup that records and reproduces information on a storage medium such as a DVD, CD, or MO, an LD (semiconductor laser diode) that generates irradiation light to the storage medium and a light receiving element that receives reflected light from the storage medium are provided. A light receiving / emitting unit component (for example, a hologram laser diode) is provided.

本発明の多層基板では、かかる受発光ユニット部品を実装可能な受発光ユニット実装部とともに、LDを電気的破壊から保護するLD保護部品を実装可能なレーザダイオード保護部品実装部を備えている。ここで、「電気的破壊」とは、静電気破壊(静電気放電(ESD)による破壊)あるいはサージ電流等による破壊をいう。したがって、LDとLD保護部品とを基板上に一体に実装してLD保護部品を備えたLDモジュールを構成することができ、これにより光ピックアップを従来より小型化し、その設計および組み立て工程を簡易化することが可能となる。   The multilayer substrate of the present invention includes a light emitting / receiving unit mounting portion on which such a light receiving / emitting unit component can be mounted, and a laser diode protection component mounting portion on which an LD protection component for protecting the LD from electrical breakdown can be mounted. Here, “electrical breakdown” refers to breakdown due to electrostatic breakdown (breakdown due to electrostatic discharge (ESD)) or surge current. Therefore, LD and LD protection components can be mounted on a substrate as a single unit to form an LD module with LD protection components. This makes the optical pickup smaller than before and simplifies the design and assembly process. It becomes possible to do.

上記本発明の多層基板は、例えばセラミック多層基板、アルミナとガラス成分を用いた低温焼成多層基板、または樹脂材料を基材とした有機多層基板とすることが出来る。尚、該有機多層基板は、樹脂材料に無機材料を混ぜた複合材料基板を含む。   The multilayer substrate of the present invention can be, for example, a ceramic multilayer substrate, a low-temperature fired multilayer substrate using alumina and a glass component, or an organic multilayer substrate based on a resin material. The organic multilayer substrate includes a composite material substrate in which an inorganic material is mixed with a resin material.

本発明の第二のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記第一のレーザダイオードモジュール多層基板において、LDの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路の少なくとも一部の回路素子と、該高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するEMC対策回路の少なくとも一部の回路素子とを基板内に内蔵させたもので、これにより光ピックアップをより一層小型化することを可能とする。   A second laser diode module multilayer substrate according to the present invention is the first laser diode module multilayer substrate, wherein at least a part of a circuit element of a high-frequency superimposing circuit that superimposes a high-frequency current on an LD drive current, and the high-frequency superimposing circuit In the circuit board, at least a part of the circuit elements of the EMC countermeasure circuit for reducing electromagnetic noise generated from the optical pickup can be built in, thereby making it possible to further reduce the size of the optical pickup.

本発明の第三のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記第二のレーザダイオードモジュール多層基板において、前記EMC対策回路を構成するコイルを実装可能なコイル実装部を基板表面に備えるとともに、前記EMC対策回路を構成するコンデンサを基板内部に備え、該コンデンサを前記コイル実装部の略直下位置に配したものである。   According to a third laser diode module multilayer substrate of the present invention, in the second laser diode module multilayer substrate, a coil mounting portion capable of mounting a coil constituting the EMC countermeasure circuit is provided on the substrate surface, and the EMC countermeasure circuit is provided. Is provided in the substrate, and the capacitor is arranged at a position almost immediately below the coil mounting portion.

光ピックアップにおいて高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するEMC対策回路は、例えばコイルとコンデンサでフィルタを形成し、これをLDの駆動電流が入力される端子と高周波重畳回路との間に挿入することにより設けられるが、当該フィルタを構成するコイルとコンデンサとが離れて実装されると、寄生リアクタンスが大きくなり、フィルタ特性の劣化を招く。   An EMC countermeasure circuit that reduces electromagnetic noise generated from a high-frequency superimposing circuit in an optical pickup, for example, forms a filter with a coil and a capacitor and inserts this between a terminal to which an LD drive current is input and the high-frequency superimposing circuit. However, if the coil and the capacitor constituting the filter are mounted apart from each other, the parasitic reactance increases and the filter characteristics are deteriorated.

これに対し、上記本発明の第三の基板構造によれば、フィルタを形成するコイルとコンデンサとを近づけ、コイルとコンデンサとの間の配線を短くすることが出来るから、寄生リアクタンスを小さく抑え、当該フィルタの共振周波数を高域側に移行させかつ当該フィルタのノッチを深くすることが出来る。したがってEMC対策に優れた高性能なレーザダイオードモジュールを実現することが可能となる。   On the other hand, according to the third substrate structure of the present invention, the coil and the capacitor forming the filter can be brought close to each other, and the wiring between the coil and the capacitor can be shortened. The resonance frequency of the filter can be shifted to the high frequency side and the notch of the filter can be deepened. Therefore, it is possible to realize a high-performance laser diode module excellent in EMC countermeasures.

本発明の第四のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記第一から第三のレーザダイオードモジュール多層基板において、当該レーザダイオードモジュール多層基板を貫通し、前記半導体レーザダイオードから発生される熱を、前記受発光ユニット実装部を設けた基板面と反対の基板面側に逃がす放熱用ビアホールを前記受発光ユニット実装部の形成領域に設けたものである。   According to a fourth laser diode module multilayer substrate of the present invention, in the first to third laser diode module multilayer substrates, the laser diode module multilayer substrate penetrates the laser diode module multilayer substrate and receives the heat generated from the semiconductor laser diode. A heat radiating via hole is provided in the formation region of the light receiving / emitting unit mounting portion to escape to the side of the substrate surface opposite to the substrate surface on which the light emitting unit mounting portion is provided.

このような第四の基板構造によれば、放熱用ビアホールを受発光ユニット実装部の形成領域に設けることにより、LDから発生される熱を基板の裏面にストレートに(最短距離で)逃がし、当該LDモジュールの放熱性を良好にすることが出来る。   According to such a fourth substrate structure, by providing the heat radiating via hole in the formation region of the light receiving and emitting unit mounting portion, the heat generated from the LD is released straight (at the shortest distance) to the back surface of the substrate, and The heat dissipation of the LD module can be improved.

上記放熱用ビアホールとしては、例えばめっきスルーホールの内部に熱伝導性材料(例えば導電性樹脂ペースト)を充填した構造とすることが出来る。また、より高い放熱性を確保する必要がある場合には、スルーホール内を埋めるようにめっき金属を析出させ、柱状にめっき金属を形成する所謂フィルドビアとすることが放熱効率の点から好ましい。   As the heat dissipation via hole, for example, a plated through hole can be filled with a heat conductive material (for example, a conductive resin paste). Further, when it is necessary to ensure higher heat dissipation, it is preferable from the viewpoint of heat dissipation efficiency to form a so-called filled via in which a plating metal is deposited so as to fill the through hole and the plating metal is formed in a columnar shape.

本発明の第五のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記第一から第四のレーザダイオードモジュール多層基板において、フレキシブルプリント基板に対する接続パターンをさらに備え、前記受発光ユニット実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の一方の面に設け、前記フレキシブルプリント基板に対する接続パターンを当該レーザダイオードモジュール多層基板の他方の面に設けたものである。   The fifth laser diode module multilayer substrate of the present invention further comprises a connection pattern for the flexible printed circuit board in the first to fourth laser diode module multilayer substrates, and the light emitting / receiving unit mounting portion is provided as the laser diode module multilayer substrate. The connection pattern for the flexible printed circuit board is provided on the other surface of the laser diode module multilayer substrate.

このように基板の一方の面に受発光ユニット実装部を、他方の面にフレキシブルプリント基板に対する接続パターンを設ければ、基板表面を効率よく利用することができ、これにより当該LDモジュールを形成する基板を小さくしてLDモジュールを小型化することが出来る。また、受発光ユニット部品は、例えばワイヤボンディング等により基板に実装されるが、このように受発光ユニット実装部とフレキシブルプリント基板に対する接続パターンとを基板の表裏各面に分けて配置すれば、LDモジュールにフレキシブルプリント基板を接続するときに、当該接続パターンを設けた基板の一方の面のみで該接続作業を行うことができ、受発光ユニット部品実装側の基板面に触れる必要がなくなるから、当該工程のハンドリング中に受発光ユニット部品を傷つけ、あるいはボンディングワイヤに触れて断線事故が生じるなどの可能性が低くなり、製品歩留りを高めることが出来る。   Thus, if the light receiving / emitting unit mounting portion is provided on one surface of the substrate and the connection pattern for the flexible printed circuit board is provided on the other surface, the substrate surface can be used efficiently, thereby forming the LD module. The LD module can be miniaturized by reducing the substrate. The light emitting / receiving unit components are mounted on the substrate by, for example, wire bonding. If the light receiving / emitting unit mounting portion and the connection pattern for the flexible printed circuit board are arranged separately on the front and back surfaces of the substrate, the LD When connecting a flexible printed circuit board to the module, the connection work can be performed only on one surface of the substrate provided with the connection pattern, and it is not necessary to touch the substrate surface on the light emitting / receiving unit component mounting side. The possibility of damage to the light emitting / receiving unit parts during handling of the process or the occurrence of a disconnection accident by touching the bonding wire is reduced, and the product yield can be increased.

また、本発明の第六のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記フレキシブルプリント基板に対する接続パターンを、前記レーザダイオードモジュール多層基板の側縁部に配列形成したもので、これにより、レーザダイオードモジュール多層基板に対するフレキシブルプリント基板の接続作業を容易にすることが出来る。   According to a sixth laser diode module multilayer substrate of the present invention, a connection pattern for the flexible printed circuit board is arranged on the side edge portion of the laser diode module multilayer substrate. Connection work of the flexible printed circuit board can be facilitated.

さらに、本発明の第七のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記レーザダイオードモジュール多層基板を貫通し、前記レーザダイオードから発生される熱を、前記受発光ユニット実装部を設けた基板面と反対の基板面側に逃がす放熱用ビアホールを前記受発光ユニット実装部の形成領域に設け、該放熱用ビアホールを形成した領域の両側に、前記フレキシブルプリント基板に対する接続パターンを配したものである。   Furthermore, the seventh laser diode module multilayer substrate of the present invention is a substrate that penetrates through the laser diode module multilayer substrate and transmits heat generated from the laser diode opposite to the substrate surface on which the light emitting / receiving unit mounting portion is provided. A heat radiating via hole that escapes to the surface side is provided in a region where the light emitting and receiving unit mounting portion is formed, and connection patterns for the flexible printed circuit board are arranged on both sides of the region where the heat radiating via hole is formed.

放熱用ビアホールとフレキシブルプリント基板に対する接続パターンの配置をこのようにすることで、LDモジュールの良好な放熱性を確保しつつ、前記第六の基板と同様にレーザダイオードモジュール多層基板に対するフレキシブルプリント基板の接続作業を容易にすることが出来る。また、上記接続パターンを放熱用ビアホールの形成領域の両側に配することで、基板の小型化を図ることが出来る。   By arranging the connection pattern with respect to the heat dissipation via hole and the flexible printed circuit board in this manner, the flexible printed circuit board with respect to the laser diode module multilayer substrate can be secured in the same manner as the sixth substrate while ensuring good heat dissipation of the LD module. Connection work can be facilitated. Further, by arranging the connection patterns on both sides of the heat-dissipating via hole forming region, the substrate can be miniaturized.

本発明の第八のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記半導体レーザダイオードの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路を構成する半導体能動素子を実装可能な能動素子実装部をさらに備え、前記受発光ユニット実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の一方の面に設け、前記能動素子実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の他方の面に設けたものである。   The eighth laser diode module multilayer substrate of the present invention further comprises an active element mounting portion capable of mounting a semiconductor active element constituting a high frequency superposition circuit for superposing a high frequency current on a driving current of the semiconductor laser diode, and receiving and emitting the light The unit mounting portion is provided on one surface of the laser diode module multilayer substrate, and the active element mounting portion is provided on the other surface of the laser diode module multilayer substrate.

また、本発明の第九のレーザダイオードモジュール多層基板は、該第八の基板において、前記受発光ユニット実装部と前記能動素子実装部との間に基準電位層を設けたものである。   According to a ninth laser diode module multilayer substrate of the present invention, a reference potential layer is provided between the light emitting / receiving unit mounting portion and the active element mounting portion in the eighth substrate.

さらに、本発明の第十のレーザダイオードモジュール多層基板は、前記基準電位層を2層以上備えたものである。   Furthermore, a tenth laser diode module multilayer substrate of the present invention comprises two or more reference potential layers.

LDと高周波重畳回路をモジュールとして一体化した場合、高周波重畳回路、特に該回路中の発振回路に含まれる半導体能動素子との電磁気的なカップリングによってLDが悪影響を受けることが懸念される。これに対し上記本発明の第九の基板構造では、受発光ユニット実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の一方の面に、能動素子実装部を他方の面に設けることにより、さらに上記本発明の第九の基板構造では、これら受発光ユニット実装部(LD)と能動素子実装部(半導体能動素子)との間に基準電位層を介在させることによって、かかるカップリングを遮断し、LDへの影響を低減しあるいは排除することが出来る。また、かかるカップリングによる影響をより確実に防ぐためには、上記本発明の第十の基板のように、基準電位層を2層以上設けることが望ましい。   When the LD and the high-frequency superimposing circuit are integrated as a module, there is a concern that the LD may be adversely affected by electromagnetic coupling with the high-frequency superimposing circuit, particularly the semiconductor active element included in the oscillation circuit in the circuit. In contrast, in the ninth substrate structure of the present invention, the light emitting / receiving unit mounting portion is provided on one surface of the laser diode module multilayer substrate, and the active element mounting portion is provided on the other surface. In the ninth substrate structure, by interposing a reference potential layer between the light emitting / receiving unit mounting part (LD) and the active element mounting part (semiconductor active element), the coupling is cut off and the influence on the LD is affected. Can be reduced or eliminated. In order to prevent the influence of the coupling more reliably, it is desirable to provide two or more reference potential layers as in the tenth substrate of the present invention.

また、上記本発明のレーザダイオードモジュール多層基板は、DVD(DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−R、DVD−RW等)、CD(CD−ROM、CD−R、CD−RW等)、MD(Mini Disk)、MO(光磁気ディスク)、光ビデオディスク、光PCMオーディオディスクその他各種の光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置(複数種類の記録媒体への記録再生が可能なコンボドライブ装置またはDVDマルチドライブ装置等を含む)に備えられる光ピックアップのレーザダイオードモジュールを形成する基板として利用することが可能である。   The laser diode module multilayer substrate of the present invention includes DVD (DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-R, DVD-RW, etc.), CD (CD-ROM, CD-R, CD-RW, etc.), MD (Mini Disk), MO (magneto-optical disc), optical video disc, optical PCM audio disc, and other optical disc devices that use various optical discs as recording media (combo drive device or DVD capable of recording / reproducing on multiple types of recording media) It can be used as a substrate for forming a laser diode module of an optical pickup provided in a multi-drive device and the like.

本発明に係るレーザダイオードモジュール多層基板によれば、より小型・低コストのかつ不要輻射の少ない高性能な光ピックアップを実現することが出来る。   According to the laser diode module multilayer substrate of the present invention, it is possible to realize a high-performance optical pickup that is smaller, lower cost, and has less unnecessary radiation.

本発明の他の目的、特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。   Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following description of embodiments of the present invention.

図1から図5は、本発明の一実施形態(以下、本実施形態という)に係るレーザダイオードモジュール多層基板を用いて構成したレーザダイオードモジュールを示し、図6Aから図6Dは、本実施形態に係るレーザダイオードモジュール多層基板を示すものである。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。   FIGS. 1 to 5 show a laser diode module configured by using a laser diode module multilayer substrate according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as this embodiment), and FIGS. 6A to 6D show the embodiment. 1 shows such a laser diode module multilayer substrate. In addition, in each figure, the same code | symbol shows the same or an equivalent part.

本実施形態に係るLDモジュール多層基板は、光ピックアップに備えられるLDモジュールを構成することが出来るものであるが、まず、本実施形態の基板を用いて構成可能なLDモジュールについて述べ、その後、本実施形態のLDモジュール多層基板について説明する。   The LD module multilayer substrate according to the present embodiment can constitute the LD module provided in the optical pickup. First, an LD module that can be configured using the substrate of the present embodiment will be described, and then the present module will be described. The LD module multilayer substrate of the embodiment will be described.

図1および図2に示すように本実施形態に係る基板により構成可能なLDモジュール11は、ホログラムレーザ素子15(受発光ユニット部品)と、該ホログラムレーザ素子15に含まれるLD15aの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路14と、高周波重畳回路14から発生される電磁波ノイズを低減するEMC対策回路13と、ホログラムレーザ素子15(LD15a)を静電気破壊やサージ電流等による破壊の電気的破壊から保護するLD保護回路16とをモジュールとして一体化したもので、これらの各素子ないし回路部品は、本実施形態に係る基板(図3以降に符号21で示す)に実装することにより一体化される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the LD module 11 that can be configured by the substrate according to the present embodiment has a high frequency to drive current of the hologram laser element 15 (light emitting / receiving unit component) and the LD 15 a included in the hologram laser element 15. The high-frequency superimposing circuit 14 for superimposing current, the EMC countermeasure circuit 13 for reducing electromagnetic wave noise generated from the high-frequency superimposing circuit 14, and the hologram laser element 15 (LD 15 a) from electrical breakdown such as electrostatic breakdown or breakdown due to surge current or the like. The LD protection circuit 16 to be protected is integrated as a module, and each of these elements or circuit components is integrated by being mounted on a substrate (indicated by reference numeral 21 in FIG. 3 and subsequent figures) according to this embodiment. .

ホログラムレーザ素子15は、シングルモードLD15aと、受光素子(図示せず)と、ホログラム素子(図示せず)とを備えている。LD15aから出射されたレーザ光は、ホログラム素子を通って光ディスクに到達し、到達したレーザ光は、光ディスクで反射され、ホログラム素子で回折されて受光素子に入射され、ディスク上に記録された情報が読み取られる。   The hologram laser element 15 includes a single mode LD 15a, a light receiving element (not shown), and a hologram element (not shown). The laser light emitted from the LD 15a reaches the optical disk through the hologram element, and the reached laser light is reflected by the optical disk, diffracted by the hologram element and incident on the light receiving element, and information recorded on the disk is recorded. Read.

ホログラムレーザ素子15には、該ホログラムレーザ素子15に対して記録再生信号の入出力等を行う信号線と、LD15aを静電気破壊(静電気放電/ESDによる破壊)やサージ電流による破壊から保護するLD保護回路(例えばバリスタ)16が接続されている。信号線は、フレキシブルプリント基板(以下、FPCという)により形成することが出来る。また、LDモジュール11は、外部接続端子12として、LD15aの駆動電流を供給する電源入力端子12bと、グランド端子12cと、LD15aの出力を監視し制御するPD(フォトディテクタ)への出力端子12aとを備えている。   The hologram laser element 15 includes a signal line for inputting / outputting a recording / reproducing signal to / from the hologram laser element 15 and LD protection for protecting the LD 15a from electrostatic breakdown (electrostatic discharge / ESD breakdown) or surge current breakdown. A circuit (for example, a varistor) 16 is connected. The signal line can be formed by a flexible printed circuit board (hereinafter referred to as FPC). In addition, the LD module 11 includes, as external connection terminals 12, a power input terminal 12b that supplies a drive current for the LD 15a, a ground terminal 12c, and an output terminal 12a to a PD (photo detector) that monitors and controls the output of the LD 15a. I have.

ホログラムレーザ素子15にはさらに、高周波重畳回路14が接続され、該高周波回路14と外部接続端子12(電源入力端子12b、グランド端子12c)との間、並びに外部接続端子12(出力端子12a)とホログラムレーザ素子15との間には、それぞれEMC対策回路13が設けられる。高周波重畳回路14は、トランジスタQ1、コイルL3、コンデンサC2〜C6、抵抗R1,R2により構成された発振回路と整合回路とを含む。また、EMC対策回路13は、電源入力端子12bと高周波重畳回路14との間に接続したコイルL2およびコンデンサC1、並びに出力端子12aとホログラムレーザ素子15との間に接続したコイルL1およびコンデンサC7により構成する。尚、上記EMC対策回路13に含まれるコンデンサC1は、上記発振回路が安定して動作するようにするための電源安定用容量としても機能する。   The hologram laser element 15 is further connected with a high frequency superimposing circuit 14 between the high frequency circuit 14 and the external connection terminal 12 (power input terminal 12b, ground terminal 12c), and with the external connection terminal 12 (output terminal 12a). An EMC countermeasure circuit 13 is provided between each of the hologram laser elements 15. The high-frequency superposition circuit 14 includes an oscillation circuit and a matching circuit configured by a transistor Q1, a coil L3, capacitors C2 to C6, and resistors R1 and R2. The EMC countermeasure circuit 13 includes a coil L2 and a capacitor C1 connected between the power input terminal 12b and the high frequency superposition circuit 14, and a coil L1 and a capacitor C7 connected between the output terminal 12a and the hologram laser element 15. Constitute. Note that the capacitor C1 included in the EMC countermeasure circuit 13 also functions as a power source stabilization capacitor for allowing the oscillation circuit to operate stably.

また、これら高周波重畳回路14およびEMC対策回路13を構成する受動素子のうち、コンデンサC1,C2,C3,C4,C5,C6およびコイルL3は、後に図6A〜図6Dを参照して述べるように本実施形態に係る基板21に内蔵させ、コンデンサC7およびコイルL1,L2は、チップ部品を使用し本実施形態に係る基板21の表面に実装する。   Among the passive elements constituting the high frequency superimposing circuit 14 and the EMC countermeasure circuit 13, the capacitors C1, C2, C3, C4, C5, C6 and the coil L3 are described later with reference to FIGS. 6A to 6D. The capacitor C7 and the coils L1 and L2 are built in the substrate 21 according to the present embodiment, and are mounted on the surface of the substrate 21 according to the present embodiment using chip components.

図3から図5は上記LDモジュール11の外観構成を示すものであり、図3は本実施形態の基板21の一方の面(説明上、仮に上面とする)を、図4は該基板21の側面を、図5は該基板21の他方の面(説明上、下面とする)を示している。これらの図に示すように本実施形態の基板21は、平面略長方形の形状を有し、図3に示すように上面に、ホログラムレーザ素子15と、上記EMC対策回路13を構成する受動素子の一部と、LD保護回路部品16とを表面実装することが出来る。   3 to 5 show the external configuration of the LD module 11. FIG. 3 shows one surface of the substrate 21 of this embodiment (for the sake of explanation, it is assumed to be the upper surface), and FIG. FIG. 5 shows the other side of the substrate 21 (for the sake of explanation, the lower side). As shown in these drawings, the substrate 21 of the present embodiment has a substantially rectangular shape in a plane, and as shown in FIG. 3, the hologram laser element 15 and the passive elements constituting the EMC countermeasure circuit 13 are formed on the upper surface. A part and the LD protection circuit component 16 can be surface-mounted.

ホログラムレーザ素子15は、基板21の長手方向の略中央位置に配置することが可能で、その両端部(したがって基板21の長手方向の両端部)には、ホログラムレーザ素子15をワイヤボンディング実装するための導体パターン22を配列形成してある(ボンディングワイヤは図示せず。以下同様)。また、基板21のホログラムレーザ素子下部領域には、LD15aから発生される熱を基板21の下面に逃がす放熱用ビアホール23を複数本設けてある(図6A〜6D参照)。   The hologram laser element 15 can be arranged at a substantially central position in the longitudinal direction of the substrate 21, and the hologram laser element 15 is wire-bonded and mounted at both ends thereof (therefore, both ends in the longitudinal direction of the substrate 21). Conductor patterns 22 are arrayed (bonding wires are not shown, and so on). In addition, a plurality of heat dissipation via holes 23 for releasing heat generated from the LD 15a to the lower surface of the substrate 21 are provided in the lower region of the hologram laser element of the substrate 21 (see FIGS. 6A to 6D).

これら放熱用ビアホール23は、ホログラムレーザ素子15の実装領域において、多層基板21の上面に形成した放熱用の導体パターン24から該多層基板21を略垂直に真っ直ぐに貫通して多層基板下面に形成したヒートシンク接続パターン25(後述する)まで延び、該ヒートシンク接続パターン25に熱伝導可能に接続してある。放熱用ビアホール23は、既に述べたように、例えばめっきスルーホールの内部に導電性樹脂ペーストを充填することにより、あるいはスルーホール内を埋めるように柱状にめっき金属を析出させたフィルドビアにより形成することが出来る。   These heat radiating via holes 23 are formed in the lower surface of the multilayer substrate through the multilayer substrate 21 through the heat radiating conductor pattern 24 formed on the upper surface of the multilayer substrate 21 in a substantially vertical direction in the mounting region of the hologram laser element 15. It extends to the heat sink connection pattern 25 (described later), and is connected to the heat sink connection pattern 25 so as to allow heat conduction. As described above, the heat radiating via hole 23 is formed, for example, by filling the plated through hole with a conductive resin paste, or by a filled via in which plated metal is deposited in a columnar shape so as to fill the through hole. I can do it.

一方、基板21の下面には、高周波重畳回路14に含まれるトランジスタQ1と、抵抗R1,R2とを表面実装してある。また、上記ホログラムレーザ素子15の実装位置に対応させ、基板21の長手方向の略中央位置にヒートシンク接続パターン25を形成してある。このヒートシンク接続パターン25には、前述の放熱用ビアホール23が接続されており、LD15aで発生される熱は、略ストレートに最短距離で基板下面に伝導され、ヒートシンク接続パターン25を通じて効率よく外部に放熱される。   On the other hand, on the lower surface of the substrate 21, the transistor Q1 included in the high-frequency superposition circuit 14 and the resistors R1 and R2 are surface-mounted. Further, a heat sink connection pattern 25 is formed at a substantially central position in the longitudinal direction of the substrate 21 so as to correspond to the mounting position of the hologram laser element 15. The heat dissipation connection hole 25 is connected to the heat sink connection pattern 25, and the heat generated by the LD 15a is conducted to the bottom surface of the substrate in a shortest distance substantially straight, and is efficiently radiated to the outside through the heat sink connection pattern 25. Is done.

基板21の長手方向に関し、ヒートシンク接続パターン25(放熱用ビアホール23の形成領域)の両脇(多層基板21の長手方向の両端部)には、FPC(フレキシブルプリント基板)を接続するための導体パターン26を、基板21の端縁(基板21の短辺)に沿って配列させ形成してある。このように基板端部にパターン26を配列することにより、LDモジュール11へのFPCの接続作業を容易に行うことが可能となる。FPC接続パターン26を構成する各端子は、基板21の左端と右端とで同数または略同数とすることが基板21の小型化を図る点から望ましい。   With respect to the longitudinal direction of the substrate 21, a conductor pattern for connecting an FPC (flexible printed circuit board) to both sides (both ends in the longitudinal direction of the multilayer substrate 21) of the heat sink connection pattern 25 (region where the heat dissipation via hole 23 is formed). 26 are arranged along the edge of the substrate 21 (the short side of the substrate 21). By arranging the pattern 26 at the end of the substrate in this way, it is possible to easily perform the operation of connecting the FPC to the LD module 11. The number of terminals constituting the FPC connection pattern 26 is preferably the same or substantially the same at the left end and the right end of the substrate 21 from the viewpoint of reducing the size of the substrate 21.

図6Aから図6Dは、本実施形態に係る基板21の各層を上面側から見た図であり、以下の説明では、基板上面から下面までを順に第1層から第20層と称する。尚、図6D(t)は、図6A(a)〜図6D(s)と同様に基板内の配線層を上面側から見たものであり、したがって図6D(t)は基板最下層(第20層)の構成を透視した状態で示している。   6A to 6D are views of each layer of the substrate 21 according to the present embodiment as viewed from the upper surface side. In the following description, the upper surface to the lower surface of the substrate are sequentially referred to as the first layer to the twentieth layer. 6D (t) is a view of the wiring layer in the substrate viewed from the upper surface side as in FIGS. 6A (a) to 6D (s). Therefore, FIG. 20 layer) is shown in a transparent state.

これらの図に示すように本実施形態に係るLDモジュール多層基板は、基板の表裏両面を含め20層の配線層を備えた低温焼成多層基板であり、第1層(基板上面)21aには、基板21の長手方向中央位置に、ホログラムレーザ素子15を実装するためのホログラムレーザ素子実装部31を設けてある。該ホログラムレーザ素子実装部31には、導体パターン24を形成し、この導体パターンには基板下面のヒートシンク接続パターン25まで基板を貫通して延びる放熱用ビアホール23を接続してある。また、第1層21aには、図3に示した各表面実装部品13,16を実装するための接続パッド32a〜32eを設ける。これら接続パッドのうち、基板21の隅角部にある接続パッド32eは、前記EMC対策回路13を構成するコイルL2を実装するためのものである。   As shown in these drawings, the LD module multilayer substrate according to this embodiment is a low-temperature fired multilayer substrate including 20 wiring layers including both the front and back surfaces of the substrate, and the first layer (substrate upper surface) 21a includes: A hologram laser element mounting portion 31 for mounting the hologram laser element 15 is provided at the center position in the longitudinal direction of the substrate 21. A conductive pattern 24 is formed on the hologram laser element mounting portion 31, and a heat radiating via hole 23 extending through the substrate to the heat sink connection pattern 25 on the lower surface of the substrate is connected to the conductive pattern. The first layer 21a is provided with connection pads 32a to 32e for mounting the surface mount components 13 and 16 shown in FIG. Among these connection pads, the connection pad 32e at the corner of the substrate 21 is for mounting the coil L2 constituting the EMC countermeasure circuit 13.

一方、前記EMC対策回路13を構成するコンデンサC1は、第4層21dに設けた導体パターンと、第3層21cおよび第5層21eに設けたグランドパターンとで形成する。   On the other hand, the capacitor C1 constituting the EMC countermeasure circuit 13 is formed by a conductor pattern provided on the fourth layer 21d and a ground pattern provided on the third layer 21c and the fifth layer 21e.

ここで、該コンデンサC1の形成位置は、上記基板上面(第1層)21aに表面実装するL2(コイルL2用の接続パッド32e)の略直下位置とし、コイルL2の実装位置にできるだけ近づけてある。EMC対策回路13を構成するコイルL2とコンデンサC1とが離れていると、寄生リアクタンスが大きくなり、当該コイルL2とコンデンサC1とによって形成されるフィルタの特性が劣化するからである。本実施形態の基板21のように、コイルL2を実装する接続パッド32eとコンデンサC1の配置位置を近づければ、コイルL2とコンデンサC1との間の配線を短くすることが出来るから、寄生リアクタンスを減らし、当該フィルタの共振周波数を高域側に移行させ、当該フィルタのノッチを深くすることによってノイズの発生をより一層低減することが可能となる。   Here, the capacitor C1 is formed at a position substantially directly below L2 (connection pad 32e for the coil L2) that is surface-mounted on the substrate upper surface (first layer) 21a, and is as close as possible to the mounting position of the coil L2. . This is because if the coil L2 and the capacitor C1 constituting the EMC countermeasure circuit 13 are separated from each other, the parasitic reactance increases, and the characteristics of the filter formed by the coil L2 and the capacitor C1 deteriorate. Since the wiring between the coil L2 and the capacitor C1 can be shortened if the connection position of the connection pad 32e on which the coil L2 is mounted and the capacitor C1 are made close as in the substrate 21 of the present embodiment, the parasitic reactance can be reduced. It is possible to further reduce the generation of noise by shifting the resonance frequency of the filter to the high frequency side and deepening the notch of the filter.

尚、上記「略直下位置」(特許請求の範囲においても同様)とは、必ずしも厳密に垂直下方にある位置(真下)のみを言うものではなく、水平方向に多少ずれていても構わない。コイルL2とコンデンサC1の距離を近づけるという目的を達成できるからである。また同様の理由から、垂直方向についても、隣接する下層にコンデンサC1が形成されている必要は必ずしもなく、2層以上離れた層にコンデンサC1が形成されていても良い。   The “substantially directly below position” (same in the claims) does not necessarily mean only a position that is strictly vertically below (directly below), and may be slightly shifted in the horizontal direction. This is because the object of reducing the distance between the coil L2 and the capacitor C1 can be achieved. For the same reason, the capacitor C1 is not necessarily formed in the adjacent lower layer in the vertical direction, and the capacitor C1 may be formed in a layer separated by two or more layers.

高周波重畳回路14を構成するコンデンサC2は、第13層21mから第18層21rに亘って形成した導体パターンにより、コンデンサC3は、第9層21iおよび第11層21kに設けたグランドパターンと第10層21jおよび第12層21lに設けた導体パターンとによりそれぞれ形成する。同じく高周波重畳回路14に含まれるコンデンサC4は、第9層21iのグランドパターンと第10層21jの導体パターンにより、コンデンサC5は、第10層21jから第13層21mに設けた各導体パターンにより、またコンデンサC6は、第5層21eから第9層21iに設けた導体パターンおよびグランドパターンによりそれぞれ形成する。さらに、高周波重畳回路14に含まれるコイルL3は、第15層21oから第18層21rに亘って設けたループ状の導体パターンにより形成する。   The capacitor C2 constituting the high frequency superimposing circuit 14 has a conductor pattern formed from the thirteenth layer 21m to the eighteenth layer 21r, and the capacitor C3 has a ground pattern provided on the ninth layer 21i and the eleventh layer 21k and the tenth pattern. The conductive patterns provided on the layer 21j and the twelfth layer 21l are respectively formed. Similarly, the capacitor C4 included in the high-frequency superimposing circuit 14 is based on the ground pattern of the ninth layer 21i and the conductor pattern of the tenth layer 21j, and the capacitor C5 is based on the conductor patterns provided on the tenth layer 21j to the thirteenth layer 21m. The capacitor C6 is formed by a conductor pattern and a ground pattern provided on the fifth layer 21e to the ninth layer 21i, respectively. Further, the coil L3 included in the high-frequency superposing circuit 14 is formed by a loop-shaped conductor pattern provided from the fifteenth layer 21o to the eighteenth layer 21r.

基板下面(第20層)21tには、前記ヒートシンク接続パターン25およびFPC接続パターン26とともに、前記高周波重畳回路14に含まれるトランジスタQ1と抵抗R1,R2を表面実装するための接続パッド33a,33b,33cを設けてある。   On the lower surface (20th layer) 21t of the substrate, together with the heat sink connection pattern 25 and the FPC connection pattern 26, connection pads 33a, 33b for surface mounting the transistor Q1 and the resistors R1, R2 included in the high frequency superposition circuit 14 are provided. 33c is provided.

尚、上記各層の導体パターンおよび接続パッド間を接続するには、例えばめっきスルーホールにより行うことが出来る。また、FPC接続パターン26や表面実装部品の接続パッド32,33、基板内部の導体パターン等の各導体パターンは、例えば基板上に導体ペーストを印刷する厚膜法により形成することも出来るし、スパッタ等の薄膜法で形成することも可能である。   In addition, in order to connect between the conductor pattern and connection pad of each said layer, it can carry out by a plating through hole, for example. Further, each of the conductor patterns such as the FPC connection pattern 26, the connection pads 32 and 33 of the surface mount component, and the conductor pattern inside the substrate can be formed by, for example, a thick film method of printing a conductor paste on the substrate. It is also possible to form it by a thin film method such as.

また、上記基板21は、本実施形態では絶縁層にアルミナとガラス成分を用いた低温焼成多層基板(LTCC基板)とするが、樹脂材料を絶縁基材とした有機多層基板、あるいは樹脂材料に無機材料を混ぜた複合材料基板とすることも可能である。   In the present embodiment, the substrate 21 is a low-temperature fired multilayer substrate (LTCC substrate) using alumina and a glass component as an insulating layer. However, the substrate 21 is an organic multilayer substrate using a resin material as an insulating base, or an inorganic resin material. It is also possible to use a composite material substrate in which materials are mixed.

前記図2の回路において、高周波重畳電流は、高周波重畳回路中の発振回路部Q1,C2,L3等からマッチング素子C4〜C6を介しLD15aに入力され、リターン経路(グランド )を通って発振回路部へ戻る。不要輻射は、この高周波電流が発振回路部から出て、戻るまでのループ回路がアンテナとなり発生する。不要輻射の発生状態は、基本的には当該ループ回路のインピーダンスと長さによって変化し、波長との関係もあるが、特に長さに比例して不要輻射は大きくなる。また、LD15aや高周波重畳回路14に接続されている他のラインからも高周波電流が漏れ、不要輻射の発生につながる。さらに、LDはパッケージされたものが一般に使用されており、この場合、パッケージの配線(端子等)もアンテナとして動作するため、不要輻射に対して悪影響を及ぼす。   In the circuit of FIG. 2, the high frequency superposition current is input to the LD 15a from the oscillation circuit portions Q1, C2, L3, etc. in the high frequency superposition circuit via the matching elements C4 to C6 and passes through the return path (ground). Return to. Unnecessary radiation is generated by the loop circuit until this high-frequency current leaves the oscillation circuit section and returns. The generation state of the unnecessary radiation basically changes depending on the impedance and the length of the loop circuit and has a relationship with the wavelength. However, the unnecessary radiation increases in proportion to the length. In addition, high-frequency current leaks from other lines connected to the LD 15a and the high-frequency superposition circuit 14, leading to generation of unnecessary radiation. Further, a packaged LD is generally used. In this case, since the package wiring (terminals, etc.) also operates as an antenna, it adversely affects unwanted radiation.

これに対し、上記実施形態の基板を用いてLDモジュールを形成すれば、高周波重畳回路14を基板表面あるいは基板内部に実装するとともに、LD15aも周辺部品を含めて当該基板に直接実装してモジュールとして一体化することが出来るから、高周波電流のループ回路および高周波電流の漏れる経路(すなわちアンテナとなる部分)の形状を短くかつ小さくすることが可能となる。したがって、不要輻射を低減することができ、またシールドケースを設けるなどの輻射対策を不要化して、光ピックアップの小型化および低コスト化を図ることも可能となる。   On the other hand, when the LD module is formed using the substrate of the above embodiment, the high frequency superimposing circuit 14 is mounted on the substrate surface or inside the substrate, and the LD 15a is also directly mounted on the substrate including peripheral components as a module. Since they can be integrated, the shape of the high-frequency current loop circuit and the path through which the high-frequency current leaks (that is, the portion serving as the antenna) can be shortened and reduced. Therefore, unnecessary radiation can be reduced, and it is possible to reduce the size and cost of the optical pickup by eliminating radiation measures such as providing a shield case.

以上、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。   The embodiments of the present invention have been described above based on the drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims. Is obvious.

本発明の一実施形態に係るLDモジュール多層基板を使用して構成可能なLDモジュールを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the LD module which can be comprised using the LD module multilayer substrate concerning one Embodiment of this invention. 前記実施形態のLDモジュール多層基板を用いて構成可能なLDモジュールを示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the LD module which can be comprised using the LD module multilayer substrate of the said embodiment. 前記実施形態のLDモジュール多層基板(LDモジュールの構成部品を実装した状態)を示す平面図である。It is a top view which shows the LD module multilayer substrate (state which mounted the component of LD module) of the said embodiment. 前記実施形態のLDモジュール多層基板(LDモジュールの構成部品を実装した状態)を示す側面図である。It is a side view which shows the LD module multilayer substrate (state which mounted the component of LD module) of the said embodiment. 前記実施形態のLDモジュール多層基板(LDモジュールの構成部品を実装した状態)を示す底面図である。It is a bottom view which shows the LD module multilayer substrate (state which mounted the component of LD module) of the said embodiment. 前記実施形態に係るLDモジュール多層基板の第1層から第5層を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing first to fifth layers of the LD module multilayer substrate according to the embodiment. 前記実施形態のLDモジュール多層基板の第6層から第10層を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 6th layer to the 10th layer of the LD module multilayer substrate of the embodiment. 前記実施形態のLDモジュール多層基板の第11層から第15層を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 11th layer to the 15th layer of the LD module multilayer substrate of the embodiment. 前記実施形態のLDモジュール多層基板の第16層から第20層を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 16th layer to the 20th layer of the LD module multilayer substrate of the embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

11 レーザダイオードモジュール
12 外部接続端子
13 EMC対策回路
14 高周波重畳回路
15 ホログラムレーザ素子(受発光ユニット部品)
16 LD保護回路
21 LDモジュール多層基板
21a〜21t LDモジュール多層基板の配線層
23 放熱用ビアホール
25 ヒートシンク接続パターン
26 FPC接続パターン
31 ホログラムレーザ素子実装部
32a〜32e,33a〜33c 表面実装部品用接続パッド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Laser diode module 12 External connection terminal 13 EMC countermeasure circuit 14 High frequency superimposition circuit 15 Hologram laser element (light emitting / receiving unit components)
16 LD protection circuit 21 LD module multilayer substrate 21a to 21t Wiring layer of LD module multilayer substrate 23 Heat radiating via hole 25 Heat sink connection pattern 26 FPC connection pattern 31 Hologram laser element mounting part 32a to 32e, 33a to 33c Surface mounting component connection pad

Claims (10)

記憶媒体への照射光を発生させる半導体レーザダイオードと前記記憶媒体からの反射光を受光する受光素子とを含む受発光ユニット部品を実装可能な受発光ユニット実装部と、
前記半導体レーザダイオードを電気的破壊から保護するレーザダイオード保護部品を実装可能なレーザダイオード保護部品実装部と、
を備えることを特徴とするレーザダイオードモジュール多層基板。
A light receiving / emitting unit mounting portion capable of mounting a light receiving / emitting unit component including a semiconductor laser diode that generates irradiation light to the storage medium and a light receiving element that receives reflected light from the storage medium;
A laser diode protection component mounting portion capable of mounting a laser diode protection component that protects the semiconductor laser diode from electrical breakdown; and
A laser diode module multilayer substrate comprising:
前記半導体レーザダイオードの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路の少なくとも一部の回路素子と、該高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するEMC対策回路の少なくとも一部の回路素子とを基板内に内蔵させた
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
At least a part of a circuit element of a high-frequency superimposing circuit that superimposes a high-frequency current on a driving current of the semiconductor laser diode, and at least a part of circuit elements of an EMC countermeasure circuit that reduces electromagnetic wave noise generated from the high-frequency superimposing circuit. The laser diode module multilayer substrate according to claim 1, wherein the laser diode module multilayer substrate is incorporated in the substrate.
前記EMC対策回路を構成するコイルを実装可能なコイル実装部を基板表面に備えるとともに、
前記EMC対策回路を構成するコンデンサを基板内部に備え、
該コンデンサを前記コイル実装部の略直下位置に配した
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
A coil mounting portion capable of mounting a coil constituting the EMC countermeasure circuit is provided on the substrate surface,
A capacitor constituting the EMC countermeasure circuit is provided inside the substrate,
The laser diode module multilayer substrate according to claim 2, wherein the capacitor is disposed at a position substantially immediately below the coil mounting portion.
前記レーザダイオードモジュール多層基板を貫通し、前記半導体レーザダイオードから発生される熱を、前記受発光ユニット実装部を設けた基板面と反対の基板面側に逃がす放熱用ビアホールを前記受発光ユニット実装部の形成領域に設けた
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
The light receiving / emitting unit mounting portion has a heat dissipation via hole that passes through the laser diode module multilayer substrate and releases heat generated from the semiconductor laser diode to the substrate surface side opposite to the substrate surface on which the light receiving / emitting unit mounting portion is provided. The laser diode module multilayer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the laser diode module multilayer substrate is provided in a formation region.
フレキシブルプリント基板に対する接続パターンをさらに備え、
前記受発光ユニット実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の一方の面に設け、
前記フレキシブルプリント基板に対する接続パターンを当該レーザダイオードモジュール多層基板の他方の面に設けた
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
A connection pattern for the flexible printed circuit board is further provided.
The light emitting / receiving unit mounting portion is provided on one surface of the laser diode module multilayer substrate,
The laser diode module multilayer substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein a connection pattern for the flexible printed circuit board is provided on the other surface of the laser diode module multilayer substrate.
前記フレキシブルプリント基板に対する接続パターンを、前記レーザダイオードモジュール多層基板の側縁部に配列形成した
ことを特徴とする請求項5に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
6. The laser diode module multilayer substrate according to claim 5, wherein a connection pattern for the flexible printed circuit board is arranged on a side edge of the laser diode module multilayer substrate.
前記レーザダイオードモジュール多層基板を貫通し、前記半導体レーザダイオードから発生される熱を、前記受発光ユニット実装部を設けた基板面と反対の基板面側に逃がす放熱用ビアホールを前記受発光ユニット実装部の形成領域に設け、
該放熱用ビアホールを形成した領域の両側に、前記フレキシブルプリント基板に対する接続パターンを配した
ことを特徴とする請求項6に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
The light receiving / emitting unit mounting portion has a heat dissipation via hole that passes through the laser diode module multilayer substrate and releases heat generated from the semiconductor laser diode to the substrate surface side opposite to the substrate surface on which the light receiving / emitting unit mounting portion is provided. In the formation region of
The laser diode module multilayer substrate according to claim 6, wherein connection patterns for the flexible printed circuit board are arranged on both sides of a region where the heat dissipation via hole is formed.
前記半導体レーザダイオードの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路を構成する半導体能動素子を実装可能な能動素子実装部をさらに備え、
前記受発光ユニット実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の一方の面に設け、
前記能動素子実装部を当該レーザダイオードモジュール多層基板の他方の面に設けた
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
An active element mounting portion capable of mounting a semiconductor active element that constitutes a high-frequency superposition circuit that superimposes a high-frequency current on the drive current of the semiconductor laser diode;
The light emitting / receiving unit mounting portion is provided on one surface of the laser diode module multilayer substrate,
The laser diode module multilayer substrate according to any one of claims 1 to 7, wherein the active element mounting portion is provided on the other surface of the laser diode module multilayer substrate.
前記受発光ユニット実装部と前記能動素子実装部との間に基準電位層を設けた
ことを特徴とする請求項8に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
The laser diode module multilayer substrate according to claim 8, wherein a reference potential layer is provided between the light emitting / receiving unit mounting portion and the active element mounting portion.
前記基準電位層を2層以上備えた
ことを特徴とする請求項9に記載のレーザダイオードモジュール多層基板。
The laser diode module multilayer substrate according to claim 9, comprising two or more reference potential layers.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8742681B2 (en) 2009-11-09 2014-06-03 Toshiba Lighting & Technology Corporation LED lighting device, illuminating device and power supply therefore having a normally-on type switching element
US9155143B2 (en) 2009-11-09 2015-10-06 Toshiba Lighting & Technology Corporation LED lighting device and illuminating device
US9392655B2 (en) 2009-11-09 2016-07-12 Toshiba Lighting & Technology Corporation LED lighting device and illuminating device
JP2011199024A (en) * 2010-03-19 2011-10-06 Toshiba Lighting & Technology Corp Led lighting device

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