JP2005506190A - コバルト触媒を活性化するための方法 - Google Patents

Abstract

コバルトを含浸させた触媒担体を含む粒子状未還元コバルト担持フィッシャー−トロプシュ合成触媒前駆体を、純水素還元ガスを用いて所定の第１供給ガス空間速度ＳＶ１及び第１加熱速度ＨＲ１で処理し、部分的に還元された前駆体を得る。前記担体は、コバルト原子の各モルが４／３モルを超える酸素原子と結合した化学式単位を有し、Ｃｏ₃Ｏ₄スピネルの比表面積と少なくとも同等な還元可能な酸化コバルト比表面積を示す、焼成状態の還元可能な酸化コバルトを含有する。次いで、その部分的に還元された前駆体を、純水素還元ガスを用いて所定の第２供給ガス空間速度ＳＶ２及び第２加熱速度ＨＲ２で処理し、活性化されたフィッシャー−トロプシュ担持触媒を得る。但し、ＳＶ２≦ＳＶ１及び／又はＨＲ２≧ＨＲ１であるが、ＳＶ２＝ＳＶ１の場合はＨＲ２≠ＨＲ１、ＨＲ２＝ＨＲ１の場合はＳＶ２≠ＳＶ１である。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒に関する。詳細には、本発明はフィッシャー−トロプシュ担持触媒を製造するための方法及び当該方法によって得られる触媒に関する。
【背景技術】
【０００２】
担持フィッシャー−トロプシュ触媒に関しては、金属前駆体及び粒子状担体を使用して、その触媒の前駆体を調製することがよく知られている。その触媒前駆体の調製には幾つかの様々な触媒調製段階が含まれる。その触媒前駆体は、次いで、活性化工程又は段階において水素を用いて還元され、触媒の活性成分として金属微結晶を含む、活性化されたフィッシャー−トロプシュ触媒を得る。典型的には、その金属はコバルトとすることができる。
【０００３】
本出願人の承知している担持フィッシャー−トロプシュコバルト触媒の前駆体を活性化するための公知の方法、すなわち、流動水素又は水素含有ガス流中における高温度での還元では、好ましい触媒前駆体は、Ｃｏ_３Ｏ_４を最も多量に含む前駆体である。さらに、炭化水素合成触媒の活性は、活性化段階中の最大水分圧（温度傾斜スケジュールやガス空間速度などの因子によって影響される）をコントロールすることによって最大化されるが、活性化段階は２４時間もかかることがある。活性化の時間（したがって、コバルト担持触媒前駆体をバッチ式連続的商業スケールで活性化する際のサイクル時間）は、最大水分圧をコントロールできなくなり、その結果、活性が最大化されていない炭化水素合成触媒が得られることになる危険を冒すことなしには、容易に短縮することはできない。その触媒前駆体が、Ｃｏ_３Ｏ_４を最も多量に含む触媒前駆体種に対する場合よりも最大水分圧をコントロールするのが（例えば、同じような温度傾斜スケジュール及びガス空間速度で）より困難な種である場合に、この危険はより大きくなる。
【０００４】
したがって、本発明の目的は、これらの危険を克服又は少なくとも低減させる、フィッシャー−トロプシュ担持触媒を製造するための方法を提供することである。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、担持フィッシャー−トロプシュ触媒を製造するための方法であって、
第１活性化段階において、コバルトが含浸されており、還元可能な酸化コバルトを焼成状態で含み、コバルト原子の各モルが４／３モルを超える酸素原子と結合した化学式単位を有し、Ｃｏ_３Ｏ_４スピネルの比表面積と少なくとも同等な還元可能な酸化コバルト比表面積を示す触媒担体を含む粒子状未還元コバルト担持フィッシャー−トロプシュ合成触媒前駆体を、純水素還元ガスを用いて所定の第１供給ガス空間速度ＳＶ１及び第１加熱速度ＨＲ１で処理して、部分的に還元された触媒前駆体を得るステップ、及び
その後、第２活性化段階において、前記の部分的に還元された触媒前駆体を純水素還元ガスを用いて所定の第２供給ガス空間速度ＳＶ２及び第２加熱速度ＨＲ２で処理して、活性化された担持フィッシャー−トロプシュ触媒を得るステップを含み、ＳＶ２≦ＳＶ１及び／又はＨＲ２≧ＨＲ１であるが、但し、ＳＶ２＝ＳＶ１の場合はＨＲ２≠ＨＲ１であり、ＨＲ２＝ＨＲ１の場合はＳＶ２≠ＳＶ１である、上記方法が提供される。
【０００６】
すなわち、ＳＶ２がＳＶ１に等しい場合には、ＨＲ２はＨＲ１に等しくなく、ＨＲ２がＨＲ１に等しい場合には、ＳＶ２はＳＶ１に等しくない。
【０００７】
担持される酸化コバルトの典型的な化学式単位の例、すなわち、採用可能な化学式単位は、ＷＯ０１／３９８８２Ａ１号に開示されているような、ＣｏＯ_ａＨ_ｂ（式中、ａ≧１．７且つｂ＞０）、或いは、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｔｅｒ．、２０００年、１２巻、３４５９−３４６５頁に記載されているようなＣｏ^ｉｉ _０．７４Ｃｏ^ｉｉｉ _０．２６（ＯＨ）_２．０１（ＮＯ_３）_０．２１（ＣＯ_３）_０．０２０．６Ｈ_２Ｏ及びＣｏ^ｉｉ _０．７４Ｃｏ^ｉｉｉ _０．２６（ＯＨ）_１．９９（ＣＯ_３）_０．１３（ＮＯ_３）_０．０１０．７Ｈ_２Ｏの単一金属ハイドロタルサイト様化合物である。
【０００８】
この定義された未還元の還元可能な酸化コバルト相は、Ｃｏ_３Ｏ_４とは区別されるものであり、以下「適用性を付与された（ｌａｂｉｌｉｚｅｄ）酸化コバルト」という。
【０００９】
本発明による還元又は活性化方法を利用して前駆体を活性化すると、驚くべきことに、全ての還元可能なコバルトが適用性を付与された酸化コバルトとして存在する前駆体から、高度の固有活性を有するフィッシャー−トロプシュ・コバルト担持触媒が得られることが見出された。
【００１０】
すなわち、前記の未還元触媒前駆体においては、その触媒前駆体中に存在する酸化状態＞０の還元可能なコバルトのすべてが適用性を付与された酸化コバルトに含まれる。したがって、その触媒前駆体は、その中に存在する還元可能なコバルトの全て、すなわち、酸素並びに水素、窒素及び／又は炭素などの元素と結合したコバルトが、アルミン酸コバルト又はケイ酸コバルトの形成など、酸化コバルトの還元可能性を低下させるコバルト−担体間の相互作用をせずに、適用性を付与された酸化コバルトとして存在するようにコントロールされた方法でコバルトを含浸し、焼成した触媒担体を含む。酸化コバルトについての用語「化学式単位（ｆｏｒｍｕｌａ−ｕｎｉｔ）」は、未還元の触媒前駆体（すなわち、焼成中間体）中に存在する全ての還元可能な酸化コバルト種、すなわち、選択された担体材料、例えばＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＺｎＯ又はＴｉＯ_２などと、酸化コバルトの還元可能性を低下させるアルミン酸コバルト又はケイ酸コバルトの形成などの、観測し得るほどの相互作用を示さない酸化コバルト種のＣｏ及びＯ元素、またＨ、Ｎ、及び／又はＣ元素の１種又はそれ以上を含む元素間の正規化された原子比を表す。これらの還元可能な酸化コバルト種の全てをひとまとめにした化学式単位は、典型的な担体元素、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｚｎ又はＴｉを含まず、したがって、ＣｏＯ_ａＨ_ｂＮ_ｃＣ_ｄ（式中、ａ＞４／３、ｂ＞０、ｃ及びｄのそれぞれ≧０）、すなわち前に定義された酸化コバルトの式で表される。
【００１１】
前記適用性を付与された酸化コバルトの金属前駆体は、金属状態への活性化（Ｈ_２による還元）の一部分としてＣｏＯに変換する間に、還元可能コバルトの単位量当たり、Ｃｏ_３Ｏ_４スピネルに比べて少なくとも同程度に速い速度で、より多くの水分を生じる。したがって、金属前駆体がＣｏ_３Ｏ_４スピネルである場合、高い初期相対固有フィッシャー−トロプシュ合成活性係数（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ Ａｃｔｉｖｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ、「ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ」）を有する担持コバルト系フィッシャー−トロプシュ合成触媒を与える活性化条件は、適用性を付与された酸化コバルトが金属前駆体である場合には、必ずしもあてはまらない。
【００１２】
未還元の触媒前駆体が所定の触媒調製方法Ｘに厳密に従って調製された担持コバルトスラリー相触媒、すなわち触媒前駆体Ｘ、の相対固有フィッシャー−トロプシュ合成活性係数（「ＲＩＡＦ_ｘ」）は次式で定義される。
【００１３】
【数１】

但し、式中、
ａ）Ａ_ｘは、任意の還元方法によって活性化された触媒前駆体Ｘのアレニウス前指数項であり、
ｂ）Ａ_ｘ，ｂは、以下の標準的還元方法：
以下の温度プログラム：
２５℃〜４２５℃まで１℃／分で加熱し、４２５℃の等温に１６時間保持を適用しながらの、総供給物として１グラムの還元可能なコバルトに対して１時間当たり１３００Ｎｍｌの空間速度で非希釈Ｈ_２還元ガス（純度５．０）を用いた大気圧における、１５±５ｇの触媒前駆体Ｘ（すなわち、未還元触媒マス）の固定床（内径２０ｍｍ）還元を利用した、実際条件下における１５時間の流動スラリー相連続攪拌槽型反応器（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｓｔｉｒｒｅｄ Ｔａｎｋ Ｒｅａｃｔｏｒ、ＣＳＴＲ）のフィッシャー−トロプシュ合成実験から算出された触媒前駆体Ｘのアレニウス前指数項であり、
ｃ）前指数項Ａ、すなわちＡ_ｘ及びＡ_ｘ，ｂの双方に適用可、は一般に認められているコバルト系フィッシャー−トロプシュ経験速度式：
【００１４】
【数２】

で定義される。故に、
【００１５】
【数３】

式中、ｒ_ＦＴは、未還元状態の触媒前駆体の単位質量あたり単位時間にフィッシャー−トロプシュ合成生成物に変換されるＣＯのモル数によって表される。
【００１６】
さらに、初期ＲＩＡＦ_ｘ、すなわちＲＩＡＦ_ｘ，ｉは、以下のとおり定義される：
ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ＝実際の条件下における流動スラリー相ＣＳＴＲフィッシャー−トロプシュ合成実験における１６．５±１．５時間におけるＲＩＡＦ_ｘ
ここで実際のスラリー相ＣＳＴＲフィッシャー−トロプシュ合成条件は、以下の通りである：
反応器温度 ：２２０．０±０．５℃
反応器圧力 ：２０．５±０．７バール
％（Ｈ_２＋ＣＯ）変換率 ：６０±１３
供給ガス組成
Ｈ_２ ：約５０容積％
ＣＯ ：約２５容積％
残り ：Ａｒ、Ｎ_２、ＣＨ_４、及び／又はＣＯ_２
【００１７】
第１及び第２活性化段階の処理は、少なくとも原則的には、還元ガスが流動化媒体として機能する触媒前駆体粒子の流動床、還元ガスがその中を通過する触媒前駆体粒子の固定床等のような、触媒前駆体と還元ガスの任意の適切な接触形状を使用することにより実施することができる。しかし、流動床形状が好ましい。
【００１８】
触媒の活性化方法については、次の標準的手法が考えられる。すなわち、ＳＶ２＝ＳＶ１＝ＳＶ_ｃ及びＨＲ２＝ＨＲ１＝ＨＲ_ｃである。換言すれば、供給ガスの空間速度及び加熱速度は、全ての活性化処理、すなわち第１及び第２活性化段階の双方にわたって一定に保持され、下付き添字「ｃ」は全ての活性化処理にわたって空間速度及び加熱速度が一定に保持されることを表す。
【００１９】
ＳＶ_ｃとＨＲ_ｃの様々な組合せを考え、ＲＩＡＦ_ｘ，ｉに対するその影響について評価することができる。
ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ＜０．８は望ましくない、
０．８≦ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≦１．０は好ましい、
ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ＞１．０は最も好ましい、
という仮定に基づき、ＨＲ１及びＳＶ１の組合せに対する「望ましくない」、「好ましい」、「最も好ましい」範囲を以下のように導くことができる（図２を参照して以下により詳細に扱いもするとおり）。ＨＲ_ｃ，１は、選択されたＳＶ_ｃ値においてＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≧０．８とするＨＲ_ｃの最大値と定義され、したがってＨＲ_ｃ，１＝ｆ（ＳＶ_ｃ）であることを暗示する。ＨＲ_ｃ，２は、選択されたＳＶ_ｃ値においてＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≧１．０とするＨＲ_ｃの最大値と定義され、したがってＨＲ_ｃ，２＝ｆ（ＳＶ_ｃ）であることを暗示する。ＨＲ１に対する望ましくない、好ましい、最も好ましい範囲については、以下のように定義される。
０＜ＨＲ１＜ＨＲ_ｃ，２は最も好ましい、
ＨＲ_ｃ，２≦ＨＲ１≦ＨＲ_ｃ，１は好ましい、
ＨＲ１＞ＨＲ_ｃ，１は望ましくない。
【００２０】
流動床で還元を実施する場合には、最小許容ＳＶ１（すなわちＳＶ１_ｍｉｎ）及び最大許容ＳＶ１（すなわちＳＶ１_ｍａｘ）の定量は、第１触媒活性化段階の全期間中にわたる適切な流動化の条件によって左右される。すなわち、ＳＶ１＜ＳＶ１_ｍｉｎ及びＳＶ１＞ＳＶ１_ｍａｘは範囲外、すなわち適用不可である。同じ適切な流動化の条件を第２活性化段階の全期間中にも適用する。すなわち、最小許容ＳＶ２（すなわちＳＶ２_ｍｉｎ）及び最大許容ＳＶ２（すなわちＳＶ２_ｍａｘ）の存在が示唆される。適切に流動化するかどうかは、反応器の形状及び触媒の特性による。流動化の好ましい方式は、乱流流動、攪拌流動及びバブリング／スラギング流動方式であり、乱流及び攪拌流動がより好ましく、攪拌流動が最も好ましい（Ｄｅｓｉｇｎ Ｍａｎｕａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ｓｏｌｉｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ（ＰＲＳＩ）、米国、１９９３年９月、を参照のこと）。当業者は、ＰＲＳＩ設計マニュアルを利用し、選択された反応器の形状及び触媒特性を適用して、目標とする流動化方式を与えるＳＶ１_ｍｉｎ、ＳＶ１_ｍａｘ、ＳＶ２_ｍｉｎ、及びＳＶ２_ｍａｘの適正値を決定することができる。さらに、ＳＶ２≦ＳＶ２_β（ここでＳＶ２_βはＳＶ１及びＳＶ２_ｍａｘの最小値である）であり、ＨＲ２≧ＨＲ１である。これらの制約内で、ＳＶ２とＨＲ２の様々な組合せを考え、それらのＲＩＡＦ_ｘ，ｉに対する影響について評価することが可能である。上に示したとおり、
ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ＜０．８は望ましくない、
０．８≦ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≦１．０は好ましい、
ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ＞１．０は最も好ましい、
という仮定に基づき、ＨＲ１及びＳＶ１の特定の組合せに対するＨＲ２とＳＶ２の許容される組合せについての「望ましくない」、「好ましい」、「最も好ましい」範囲が以下のように導かれた（図３を参照して以下により詳細に扱いもするとおり）。ＨＲ２_βは、選択されたＳＶ２の値、すなわちＳＶ２_ｍｉｎ≦ＳＶ２≦ＳＶ２_β（ＳＶ２_βはＳＶ１とＳＶ２_ｍａｘの最小値である）においてＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≧０．８とするＨＲ２の最大値として定義され、ＨＲ２_αは、選択されたＳＶ２の値、すなわちＳＶ２_ｍｉｎ≦ＳＶ２≦ＳＶ２_β（ＳＶ２_βはＳＶ１とＳＶ２_ｍａｘの最小値である）においてＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≧１．０とするＨＲ２の最大値として定義される。
【００２１】
上に設定したことの基本前提は、第１活性化段階における処理の間、一定の空間速度が維持され、すなわちＳＶ１が一定であり、かつ、第２活性化段階における処理の間も、一定の空間速度が維持され、すなわちＳＶ２が一定であり、かつ、ＳＶ２≦ＳＶ１であることである。すなわち、このことは本発明のこの側面の第１の実施形態に合致している。
【００２２】
第１活性化段階は、純粋の未還元触媒前駆体（すなわち、すべての還元可能なコバルトを適用性を付与された酸化コバルトとして含み、物理的に吸着された水分など、貯蔵及び／又は取扱い中に蓄積されたいかなる物質も含まない中間生成物）を、ＨＲ１を直ちに適用しつつ、ＳＶ１にて純水素雰囲気に供した時点で開始する。未還元触媒前駆体が吸湿してしまっている場合には、適用性を付与された酸化コバルトの純度を回復するために予備乾燥の段階を適用することができる。その後、第１活性化段階の処理は、還元可能なコバルトの全てが定量的にＣｏＯに変換され、部分的に還元された触媒前駆体が得られる段階まで続けることができ、これは１５０℃〜２８０℃の床温度、すなわち、後で考察する図１のＴ^＊で期待される。すなわち、第２活性化段階の処理の開始時点で、第２活性化段階の温度、すなわち部分的に還元された触媒前駆体の温度は、１５０℃〜２８０℃の範囲の値を有するはずである。その後、第２活性化段階の処理を、第２処理段階の温度、すなわち活性化されたフィッシャー−トロプシュ触媒の温度が、約３００℃〜約６００℃の範囲、好ましくは３００℃〜５００℃の範囲、最も好ましくは３００℃〜４５０℃の範囲に達するまで継続する。
【００２３】
本発明の第２の実施形態では、第１及び／又は第２活性化段階中の空間速度は、以下の条件を満たすことを条件に変更することができる。
【００２４】
第１活性化段階（「段階１」）：ＳＶ１_ｔを、段階１中の時間ｔにおける支配的な純水素空間速度として定義し、ＳＶ１_ｆを段階１の終期の純水素空間速度として定義する。ＳＶ１_ｔ及びＳＶ１_ｆに関する制限は次のとおりである：ＳＶ１_ｔ≧ＳＶ１_ｆ、ＳＶ１_ｔ≦ＳＶ１_ｍａｘ、かつ、（ＨＲ１、ＳＶ１_ｆ）の組合せは、上に説明したように、ＨＲ１及びＳＶ１の組合せに適用可能な、好ましい、又はより好ましい、最も好ましい範囲内にある。
【００２５】
第２活性化段階（「段階２」）：ＳＶ２_ｔを、段階２中の時間ｔにおける支配的な純水素空間速度として定義し、ＳＶ２_ｆを段階２の終期の純水素空間速度として定義する。ＳＶ２_ｔ及びＳＶ２_ｆに関する制限は次のとおりである：ＳＶ２_ｔ≧ＳＶ２_ｆ、ＳＶ２_ｔ≦ＳＶ２_β（空間速度が変化する場合のＳＶ２_βはＳＶ１_ｆ及びＳＶ２_ｍａｘの最小値である）であり、（ＨＲ２、ＳＶ２_ｆ）の組合せは、ＨＲ２及びＳＶ２の組合せに適用可能な、好ましい、又はより好ましい、最も好ましい範囲内にある。
【００２６】
本発明の第１側面であるこの実施形態は、ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≧０．８である最終触媒を生成しつつ、活性化段階１及び／又は活性化段階２の間の見かけガス速度を固定することが望まれる状況に応えるものである。見かけ又は線速度は還元反応器の単位断面積当たりのガスの容積流速（容器温度、圧力における）である。線（見かけ）速度をＳＶ（ＳＶ１_ｔ；ＳＶ２_ｔ）値に変換するには温度、圧力、断面積及び反応器に仕込んだ還元可能なコバルトの質量について補正する必要がある。
【００２７】
２つの活性化段階で使用される「純水素還元ガス」により、９０容積％以上のＨ_２と１０容積％以下の不活性ガス、好ましくは９７容積％以上のＨ_２と３容積％以下の不活性成分を含む水素含有ガス混合物が意味される。不活性成分は、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ_２及びＨ_２Ｏの任意の組合せとすることができ、その純水素還元ガスの露点は、好ましくは４℃以下、より好ましくは−３０℃以下である、
【００２８】
第１及び第２活性化段階における処理は、双方ともほぼ大気圧、好ましくは０．６〜１．５バール（絶対圧）、最も好ましくは０．８〜１．３バール（絶対圧）で実施できる。
【００２９】
新たに活性化したフィッシャー−トロプシュ触媒、すなわち第２活性化段階の終期の触媒であって、それゆえ未だ高温状態にあるものを、純水素中で温度Ｔ_ｃまで冷却し、その後さらに実質的に純粋な窒素中で室温まで冷却できる。この冷却段階の末尾で窒素が不活性物質として振舞うことを保証するために、温度Ｔ_ｃは十分低くなければならない。切替え温度Ｔ_ｃは、ＲＩＡＦをＴ_ｃの関数としてプロットすることによって容易に定められる。Ｔ_ｃについての好ましい値は、０．８から１．０のＲＩＡＦ_ｘ，ｉを保証する値が好ましく、Ｔ_ｃについての最も好ましい値は、ＲＩＡＦ_ｘ，ｉ≧１．０を与える値である。
【００３０】
粒子状未還元コバルト担持フィッシャー−トロプシュ合成触媒前駆体は、活性フィッシャー−トロプシュ触媒を得るために活性化すなわち還元を必要とする、任意の適当な触媒前駆体とすることができる。しかし、それは、粒子状触媒担体、活性成分前駆体としてのコバルト化合物及び水のスラリーを形成し、その触媒担体をコバルト化合物による含浸に供し、その含浸した触媒担体を乾燥し、その含浸担体を焼成して触媒前駆体を得ることによって得られるものであることが好ましい。しかし、このようにして得られた触媒前駆体は、フィッシャー−トロプシュ反応を触媒するために使用するに先立って、さらに活性化又は還元されなければならず、この還元又は活性化は本発明の方法により実施される。かくして得られた触媒は、すなわち活性化されたフィッシャー−トロプシュ触媒である。
【００３１】
Ａｌ_２Ｏ_３、シリカ（ＳｉＯ_２）、チタニア（ＴｉＯ_２）、マグネシア（ＭｇＯ）、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような任意の商業的に入手可能な予備成形した多孔性酸化物の触媒用担体を使用することができる。これらの担体は、好ましくは８〜５０ナノメートル、より好ましくは１０〜１５ナノメートルの平均細孔径を有する。担体の細孔容積は、０．１〜１．０ｍｌ／ｇ、好ましくは０．３〜０．９ｍｌ／ｇとすることができる。平均粒子径は、好ましくは１〜５００マイクロメートル、より好ましくは１０〜２５０マイクロメートル、なお好ましくは４５〜２００マイクロメートルである。
【００３２】
担体は、欧州特許出願第９９９０６３２８．２号（ヨーロッパ公報第１０５８５８０号、以後参照により本明細書の記載の一部とする）に記載されているように、例えば変性成分としてシリコンを含む、保護し変性した触媒担体とすることができる。
【００３３】
コバルトの付着量は５ｇＣｏ／１００ｇ担体から７０ｇＣｏ／１００ｇ担体まで、好ましくは２０ｇＣｏ／１００ｇ担体から４０ｇＣｏ／１００ｇ担体とすることができる。
【００３４】
コバルト塩としては特に硝酸コバルト、Ｃｏ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏとすることができる。
【００３５】
触媒担体への含浸は、原則としては、初期湿気含浸（ｉｎｃｉｐｉｅｎｔ ｗｅｔｎｅｓｓ ｉｍｐｒｅｇｎａｔｉｏｎ）又はスラリー含浸などの任意の公知方法又は手順によって実施できる。しかし、含浸は、特に、米国特許第６４５５４６２号又は同第５７３３８３９号（それゆえ、これらを参照により本明細書の記載の一部とする）に記載の方式によって実施することができる。担体への含浸は、２段階スラリー相含浸工程を含み、その工程は所望のコバルト付着量及び触媒担体の細孔容積によって異なる。
【００３６】
担体への含浸及び乾燥は、典型的には回転スクリューの付いたコニカル真空乾燥機、又は揺動真空乾燥機中で実施することができる。
【００３７】
コバルトを含浸する段階の途中で、活性成分の還元力を増強できるドーパントとして、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）又はこれらの混合物の水可溶性前駆体塩を添加することができる。使用する場合には、これらドーパントのコバルトに対する質量比は０．０１：１００から０．３：１００までとすることができる。
【００３８】
含浸し乾燥した材料の焼成は、例えば２００〜３５０℃で流動床式焼成炉、又はロータリーキルン式焼成炉中で、当業者に知られている任意の方法を用いて行うことができる。焼成は、特に、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ０１／３９８８２号に記載したように実施することができ、したがって、この出願を参照により本明細書の記載の一部とする。
【００３９】
含浸方法及び／又は乾燥方法及び／又は焼成方法は、それゆえ、触媒前駆体において、担体中に存在する全ての還元可能なコバルトが適用性を付与された酸化コバルトの形態とするように選択するとよい。これは、例えば、ＷＯ０１／３９８８２に記載された焼成方法を採用することによって達成することができる。
【００４０】
本発明は、その触媒が本発明の第１の態様の方法によって得られる場合には、活性化されたフィッシャー−トロプシュ触媒にも及ぶものである。
【００４１】
活性化されたフィッシャー−トロプシュ触媒を、炭化水素を製造するための方法において使用することが可能であり、その方法は、水素（Ｈ_２）及び一酸化炭素（ＣＯ）を含む合成ガスを、上記したような活性化されたフィッシャー−トロプシュ触媒と１８０℃〜２５０℃の高温及び１０〜４０バールの加圧下で接触させるステップ、水素と一酸化炭素とのスラリー相フィッシャー−トロプシュ反応を使用するステップを含む。
【００４２】
以下の図面及び付随する非限定的な例を参照して、本発明をより詳細に説明する。
【実施例】
【００４３】
例１
触媒前駆体Ｘの１つの具体例として、ＷＯ０１／３９８８２中に完全に記載されているような、本出願人が独占権を有する３０ｇＣｏ／１００ｇＡｌ_２Ｏ_３のスラリー相フィッシャー−トロプシュ合成触媒を検討する。その厳密な手順に従って調製された未還元の触媒前駆体又は中間体（Ｘ１と名づける）をさらに以下の標準的還元方法、すなわち、
２５℃〜４２５℃まで１℃／分で加熱し、４２５℃の等温に１６時間保持する温度プログラムを適用し、１グラムの還元可能なコバルトに対して１時間当たり１３００Ｎｍｌの空間速度で、総供給物として非希釈Ｈ_２還元ガス（純度５．０）を使用し、大気圧にて、１５±５ｇの触媒前駆体Ｘ１（すなわち、未還元触媒体）を固定床（内径２０ｍｍ）で還元する方法
に供すると、次のアレニウス前指数項、
Ａ_ｘ１，ｂ＝１３８５４６［モルＣＯ／（ｇ焼成触媒．秒．バール^２）が得られる。
【００４４】
この未還元の触媒前駆体（すなわち前駆体Ｘ１）の代表的なバッチを次のようにして具体的に調製した。１７．４ｋｇのＣｏ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ、９．６ｇの（ＮＨ_３）_４Ｐｔ（ＮＯ_３）_２及び１１ｋｇの蒸留水の溶液を、担体を溶液に添加することによって、２０．０ｋｇのガンマアルミナ担体（Ｐｕｒａｌｏｘ ＳＣＣａ ５／１５０、細孔容積０．４８ｍｌ／ｇ、Ｕｂｅｒｓｅｅｒｉｎｇ ４０、２２２９７ Ｈａｍｂｕｒｇ、ＧｅｒｍａｎｙのＳＡＳＯＬ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨより入手）と混合した。このスラリーをコニカル真空乾燥機に入れ、連続的に混合した。このスラリーの温度を６０℃まで上昇させ、その後、２０ｋＰａ（絶対圧）の圧力を適用した。乾燥段階の最初の３時間の間、温度は徐々に上昇し、３時間後に９５℃に達した。３時間後、圧力を３〜１５ｋＰａ（絶対圧）まで下げ、その初期湿り度点（ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｉｎｃｉｐｉｅｎｔ ｗｅｔｎｅｓｓ）で２．５ｍ％／ｈｒの乾燥速度を使用した。完全な含浸及び乾燥段階には９時間を費やした。その後、含浸し乾燥した触媒担体を直ちに且つ直接に流動床式焼成炉に仕込んだ。含浸乾燥した触媒担体の温度は、焼成炉への仕込み時において約７５℃であった。仕込みには約１〜２分が必要であった。焼成炉の内部温度は約７５℃の設定温度に保たれた。乾燥含浸触媒担体を、０．５℃／分の加熱速度、及び１．０Ｎｍ^３／ｋｇＣｏ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ／ｈの空気空間速度で、７５℃から２５０℃まで加熱し、２５０℃で６時間保持した。コバルトの付着量が３０ｇＣｏ／１００ｇＡｌ_２Ｏ_３である触媒を得るために、第２の含浸／乾燥／焼成段階を実施した。９．４ｋｇのＣｏ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ、１５．７ｇの（ＮＨ_３）_４Ｐｔ（ＮＯ_３）_２、及び１５．１ｋｇの蒸留水の溶液を、触媒前駆体を溶液に添加することによって、第１の含浸及び焼成によって得られた２０．０ｋｇの触媒前駆体と混合した。スラリーを円錐形真空乾燥機に入れ、連続的に混合した。このスラリーの温度を６０℃まで上昇させ、その後、２０ｋＰａ（絶対圧）の圧力を適用した。乾燥段階の最初の３時間の間、温度は徐々に上昇し、３時間後には９５℃に達した。３時間後、圧力を３〜１５ｋＰａ（絶対圧）まで下げ、初期湿り度点で２．５ｍ％／ｈｒの乾燥速度を使用した。完全な含浸及び乾燥段階には９時間を費やした。その後、処理した触媒担体を直ちに且つ直接に流動床式焼成炉に仕込んだ。含浸乾燥した触媒担体の温度は、焼成炉への仕込み時において約７５℃であった。仕込みには約１〜２分が必要であった。焼成炉の内部温度は約７５℃の設定温度に保たれた。乾燥含浸触媒を、０．５℃／分の加熱速度、及び１．０Ｎｍ^３／ｋｇＣｏ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ／ｈの空気空間速度で、７５℃から２５０℃まで加熱し、２５０℃で６時間保持した。このようにしてアルミナ担体上に担持させたコバルト触媒前駆体を得た。
【００４５】
例２
例１のコバルト触媒前駆体、すなわち触媒前駆体Ｘ１を用いて温度プログラム化還元（「ＴＰＲ」）実験を行った。ＴＰＲ実験は、固定床反応器中で、２℃／ｍｉｎの加熱速度（ｈｅａｔｉｎｇ ｒａｔｅ、ＨＲ）、及び約１０．７Ｎｍ_３／ｋｇ_Ｃｏｈｒの純水素供給速度を使用し、大気圧下で行った。結果を図１に示す。図１から、活性化は２つの活性化段階で起こり、活性化段階１の終期がＴ^＊＝２５０℃で画されることがわかる。
【００４６】
例３
例１で調製したと同様のコバルト触媒前駆体を、表１及び表２に示したような異なる活性化方法に従って還元し、以下のフィッシャー−トロプシュ合成実験に供した。すなわち、３８ミクロンから１５０ミクロンの範囲の得られた還元済触媒の１０ｇから３０ｇを、３００ｍｌの融解ワックスに懸濁し、内容積５００ｍｌのＣＳＴＲに仕込んだ。供給ガスは水素と一酸化炭素から構成され、そのＨ_２／ＣＯモル比は１．５／１から２．３／１であった。この反応器を電気で加熱し、攪拌速度を十分に高速とし、気−液物質移動上の制約を排除した。供給流速はＢｒｏｏｋｓ質量流量調節器によって制御し、２〜４Ｎｍ^３／ｋｇ_ｃａｔｈｒの範囲の空間速度を使用した。生成物スペクトルを解析するために、永久ガス及び揮発性塔頂炭化水素のＧＣ分析を使用した。
【００４７】
これらのスラリー相ＣＳＴＲフィッシャー−トロプシュ合成実験からそれぞれのＲＩＡＦ_ｘ１，ｉを見積り（表５に示すとおり）、表１及び表２の選択された活性化方法と関連づけた（図２及び図３に示すとおり）。
【００４８】
例４
例１で調製したと同様のコバルト触媒前駆体を、表３に示したような異なる露点をもつ水素供給ガス中で還元し、例３に記載したフィッシャー−トロプシュ合成試験に供した。これらのスラリー相ＣＳＴＲフィッシャー−トロプシュ合成実験からそれぞれのＲＩＡＦ_ｘ１，ｉを見積もった（表５に示すとおり）。
【００４９】
例５
例１で調製したと同様のコバルト触媒前駆体を、表４に示したような異なる水素含量をもつ供給ガス中で還元し、例３に記載したフィッシャー−トロプシュ合成試験に供した。これらのスラリー相ＣＳＴＲフィッシャー−トロプシュ合成実験からそれぞれのＲＩＡＦ_ｘ１，ｉを見積もった（表５に示すとおり）。
【００５０】
【表１】

【００５１】
【表２】

【００５２】
【表３】

【００５３】
【表４】

【００５４】
【表５】

【００５５】
触媒活性化中の供給ガス空間速度は、活性化段階１及び活性化段階２において、単位時間及び還元可能なコバルトの単位質量当たり、反応器に供給される還元ガスの標準状態における容積（Ｎｍ^３／ｋｇ_Ｃｏ・ｈｒ）であり、ここで下付き文字Ｃｏは還元可能なコバルトを指す。これに対して、フィッシャー−トロプシュ合成実験中の供給ガスの空間速度は、単位時間及び焼成した触媒の単位質量当たり、反応器に供給される供給ガス総量の標準状態における容積である。
【００５６】
本発明によって触媒前駆体の還元を実施するに際しては、還元が行われる還元反応器への充填中、及び、保持時間を複数含んでいてもよいが、６００℃を超えない最終温度、好ましくは５００℃を超えない最終温度、最も好ましくは４５０℃を超えない温度への加熱、最終温度での保持時間を含み、次いで１８０℃を超えず典型的にはほぼ周囲温度である充填状態解除温度まで冷却する加熱プログラム中に起こる様々な段階は以下の如くである。
【００５７】
乾燥段階が第１活性化段階に先行する。乾燥段階中においては、次の操作条件（ガス環境及び温度）の組合せが許容できる。すなわち、動的純水素ガス環境（好ましくは４℃以下、より好ましくは−３０℃以下の露点をもつ）と段階１の活性化の開始を示す温度よりわずかに低い温度であるが同時に乾燥段階（すなわち、貯蔵及び／又は取扱い中に吸収されていた水分の定量的除去）が１時間以内を完了させるのに十分な高さの温度との組合せ、或いは、動的不活性ガス（例えば純窒素）環境（好ましくは４℃以下、より好ましくは−３０℃以下の露点をもつ）と乾燥段階を１時間以内に完了させるのに十分な高さの温度（但し、未還元触媒前駆体の調製中に加えられる焼成温度を超えない）との組合せである。乾燥段階は、デルタ露点（すなわちテールガスの露点−総供給ガスの露点）２℃以下の時点で完了したと考えられる。動的不活性ガスによる乾燥段階中のデルタ露点が２℃未満に低下した後、不活性ガスを段階１の活性化を示す温度よりわずかに低い温度で純水素に置換し、次いでＨＲ１を適用する。動的純水素ガスによる乾燥段階中のデルタ露点が２℃未満に低下した後、ＨＲ１を適用することができる。
【００５８】
活性化段階１は、純未還元触媒前駆体（すなわち、すべての還元可能なコバルトを、物理的に吸着した水分など、貯蔵及び／又は取扱い中に蓄積されたいかなる物質をも含まない適用性を付与された酸化コバルトとして含む中間生成物）を、直ちにＨＲ１を適用するとともに、ＳＶ１において純水素雰囲気に供することにより開始する。活性化段階１は、全ての還元可能なコバルトが２＋の酸化状態に還元されたときの（具体的な加熱プログラムに対する）温度において終了する。これは、同一加熱プログラムの下で得られる典型的なＴＰＲプロフィールから、たたみこみ積分の逆計算をすることによって決定することができる。このようなたたみこみ積分の逆計算（ｄｅｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎ）の結果を図１に示すが、ここでＴ^＊が活性化段階１の終期を示している。この温度Ｔ^＊は２つのピーク間の谷の温度より高くなる。
活性化段階２：ＨＲ１により還元床温度がＴ^＊に到達すること（図１）は、第２還元段階の開始を示している。この段階は、６００℃を超えない、好ましくは５００℃を超えない、最も好ましくは４５０℃を超えない温度において、還元可能なコバルトに関して所望の還元度が得られた時点で終了する。還元可能なコバルトに関する所望の還元度は好ましくは５０％〜１００％、より好ましくは６０％〜８０％で得られる。
【００５９】
冷却段階は、活性化段階２の完了直後に始まり、また純水素環境下で実施される。還元床温度は純水素環境下で温度≦Ｔ_ｃまで冷却する。温度≦Ｔ_ｃで純水素環境を１００％不活性環境（すなわち、Ｈ_２及びＯ_２を含まない、例えば純Ｎ_２）に置換し、その後、完全に活性化した触媒を、以下参照により本明細書の記載の一部とするＺＡ２０００／５６６６に記載されているようにフィッシャー−トロプシュ合成反応器ワックスで被覆することができる。
【００６０】
図２及び図３は、表１及び２に示した数値から作製したものである。図２は、許容されるＨＲ１及びＳＶ１の組合せに対する、上に述べた「望ましくない」、「好ましい」、「最も好ましい」範囲の境界を図示するものである。図３は、許容されるＨＲ２及びＳＶ２の組合せに対する、上に述べた「望ましくない」、「好ましい」、「最も好ましい」範囲の境界を、ＨＲ１＝１．０℃／ｍｉｎ、及びＳＶ１＝１３．７Ｎｍ^３／（ｋｇ_Ｃｏ・ｈ）の場合について図示するものである。選択された（ＨＲ１、ＳＶ１）のそれぞれの組に対して、図３と同様に、別個のグラフを作製すべきであることは理解されるであろう。
【００６１】
この分野の従来技術によれば、高い固有活性をもったフィッシャー−トロプシュコバルト担持触媒を得るための活性化方法には、
・調製の最終段階（一般的には最終焼成段階）の後の金属前駆体がＣｏ_３Ｏ_４を最大量成分とすること、
・Ｃｏ_３Ｏ_４の還元速度は水蒸気の存在によって阻害されるので、水分圧のレベルを活性化工程のどの時点においても一定限度未満に保持することが保証できるようにガス空間速度及び加熱速度などの活性化条件を設定すること、
・Ｃｏ_３Ｏ_４の金属状態への活性化（還元）が、単一回又は単一段階では行われず、複数（例えば２つ）の連続した段階で進行すること、
・純水素、又は窒素などの不活性希釈剤を含有する希釈水素のいずれかを使用すること、
が必須であると予想されていた。
【００６２】
しかし、本出願人は、驚くべきことに、以下のことがらを見出した。
・最終含浸や焼成段階などの最終調製段階後、活性化工程の開始時点における金属前駆体がＣｏ_３Ｏ_４でない場合には、主としてＣｏ_３Ｏ_４から成る酸化コバルトを高い固有活性を有するフィッシャー−トロプシュコバルト担持触媒へと活性化する方法に関する従来技術の教示は適用できない。
・従来技術から公知であるような、金属前駆体がＣｏ_３Ｏ_４である場合の金属前駆体の還元速度、及びその還元速度に対する水蒸気の阻害効果の定量化は、金属前駆体がＣｏ_３Ｏ_４でない場合には適用できない。また、Ｃｏ_３Ｏ_４の場合に対して導かれる活性化条件（例えば、ガス空間速度及び加熱速度）、すなわち水分圧を一定限度未満に保持するということは、金属前駆体がＣｏ_３Ｏ_４でない場合には適用できない。
・高温における活性化工程中では純水素のみを使用すべきであること。及び、
・２つ以上の連続した活性化段階で金属前駆体をその金属状態に活性化する場合には、全体に適合した（すなわち全ての活性化段階に適用可能な）活性化条件を、部分に適合した（すなわち１つの活性化段階に適用可能な）活性化条件に落とすことが可能である。任意の具体的な活性化段階の開始と終了とを特徴付ける特定の化学種、その活性化段階の間の還元速度、及びその活性化段階の間の還元速度に対する水蒸気の阻害効果が、その段階についてのその段階に適合した活性化条件を決定する。例えば、触媒活性に対する水蒸気蓄積の負の効果は、末期段階に対するよりも初期段階に対する方がより著しいかもしれない。すなわち、初期段階は、末期段階ほどには低い空間速度（例えば、水素のポンプ循環量を減少するため）及び高い加熱速度（例えば、還元総時間を短縮するため）を許容できず、これらの段階中の水分圧を抑制する。換言すれば、本発明によるフィッシャー−トロプシュ合成触媒を製造する方法においては、第１活性化段階の間において、（硝酸塩の還元によるものであれ、炭酸塩の還元によるものであれ、及び／又は高酸化状態の酸化コバルトから酸化コバルト（ＩＩ）への還元によるものであれ）Ｃｏ_３Ｏ_４の場合に予想される水分よりも、還元可能なコバルト原子当たり、より多量の水が生成するであろう。
【００６３】
− 活性化の第１段階において、水の生成速度は（多分、好ましい適用性を付与された酸化コバルト相がより多孔性であるため）Ｃｏ_３Ｏ_４の場合よりも速い。
− このことは、第１活性化段階の間においてはより遅い加熱速度／より速い空間速度が必要とされるので、水分圧のコントロールが（Ｃｏ_３Ｏ_４の場合に比べて）第１活性化段階の間においての方が第２活性化段階の間においてよりも一層困難と考えられることを意味する。
【００６４】
本発明者らは、かくして、優れたフィッシャー−トロプシュ合成作用をもたらす、担持コバルト触媒の活性化法を開発した。驚くべきことに、その全ての還元可能なコバルトが、コバルト原子１モル当たり４／３モルを超える酸素原子を含む化学式単位（例えば、ＷＯ ０１／３９８８２Ａ１に開示されているような、ＣｏＯ_ａＨ_ｂ（式中、ａ≧１．７であり、ｂ＞０である）、或いは、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｔｅｒ．、２０００年、１２巻、３４５９−３４６５頁に記載されているようなＣｏ^ｉｉ _０．７４Ｃｏ^ｉｉｉ _０．２６（ＯＨ）_２．０１（ＮＯ_３）_０．２１（ＣＯ_３）_０．０２０．６Ｈ_２Ｏ及びＣｏ^ｉｉ _０．７４Ｃｏ^ｉｉｉ _０．２６（ＯＨ）_１．９９（ＣＯ_３）_０．１３（ＮＯ_３）_０．０１０．７Ｈ_２Ｏの単一金属ハイドロタルサイト様化合物）で表すことのできる、担持コバルト触媒前駆体の活性化が、第２活性化段階がより速い加熱速度及び／又はより遅い供給ガス空間速度を有する、２段階活性化方法によって実施できることが見出された。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】例１のコバルト触媒前駆体Ｘ１の温度プログラム化還元（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ、ＴＰＲ）プロフィール（大気圧下における還元、還元ガス＝純水素、２℃／ｍｉｎの線形加熱速度、１０．７Ｎｍ^３／ｋｇ_Ｃｏｈｒの総供給ガス速度、流動化床のほぼ無勾配の条件に匹敵する差動条件下で操作された固定床）を示す図である。
【図２】許容されるＨＲ１とＳＶ１の組合せに対する「望ましくない」、「好ましい」、「最も好ましい」領域の境界を示す概略グラフに、コバルト触媒前駆体Ｘ１に適用可能なデータを重ね合わせたものである。
【図３】（ＨＲ１、ＳＶ１）値の特定の組、すなわちＨＲ１＝１．０℃／ｍｉｎ及びＳＶ１＝１３．７Ｎｍ^３／（ｋｇ_Ｃｏ・ｈ）において、許容されるＨＲ２とＳＶ２の組合せに対する「好ましい」、「最も好ましい」領域の境界を示す概略グラフに、コバルト触媒前駆体Ｘ１に適用可能なデータを重ね合わせたものである。

Claims (13)

1. 担持フィッシャー−トロプシュ触媒を製造するための方法であって、
   第１活性化段階において、コバルトが含浸されており、還元可能な酸化コバルトを焼成状態で含み、コバルト原子の各モルが４／３モルを超える酸素原子と結合した化学式単位を有し、Ｃｏ_３Ｏ_４スピネルの比表面積と少なくとも同等な還元可能な酸化コバルト比表面積を示す触媒担体を含む粒子状未還元コバルト担持フィッシャー−トロプシュ合成触媒前駆体を、純水素還元ガスを用いて所定の第１供給ガス空間速度ＳＶ１及び第１加熱速度ＨＲ１で処理して、部分的に還元された触媒前駆体を得るステップ、及び
   その後、第２活性化段階において、前記の部分的に還元された触媒前駆体を純水素還元ガスを用いて所定の第２供給ガス空間速度ＳＶ２及び第２加熱速度ＨＲ２で処理して、活性化された担持フィッシャー−トロプシュ触媒を得るステップを含み、ＳＶ２≦ＳＶ１及び／又はＨＲ２≧ＨＲ１であるが、但し、ＳＶ２＝ＳＶ１の場合はＨＲ２≠ＨＲ１であり、ＨＲ２＝ＨＲ１の場合はＳＶ２≠ＳＶ１である、
   上記方法。
2. 前記の担持された即ち適用性を付与された酸化コバルトが、ＣｏＯ_ａＨ_ｂ（式中、ａ≧１．７及びｂ＞０）並びにＣｏ^ｉｉ _０．７４Ｃｏ^ｉｉｉ _０．２６（ＯＨ）_２．０１（ＮＯ_３）_０．２１（ＣＯ_３）_０．０２０．６Ｈ_２Ｏ及びＣｏ^ｉｉ _０．７４Ｃｏ^ｉｉｉ _０．２６（ＯＨ）_１．９９（ＣＯ_３）_０．１３（ＮＯ_３）_０．０１０．７Ｈ_２Ｏの単一金属ハイドロタルサイト様化合物を含む化学式単位から選択される、請求項１に記載の方法。
3. 前記の第１及び第２活性化段階の処理が、前記触媒前駆体粒子の流動床を使用することにより実施され、前記還元ガスが前記粒子の床を流動化するための流動化媒体として機能する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
4. （ｉ）前記第１活性化段階における処理中、一定の空間速度を維持して、ＳＶ１を一定とし、（ｉｉ）前記第２活性化段階における処理中、一定の空間速度を維持して、ＳＶ２を一定とし、且つ、ＳＶ２≦ＳＶ１である、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法。
5. （ｉ）前記第１活性化段階における処理中、一定の加熱速度を維持して、ＨＲ１を一定とし、（ｉｉ）前記第２活性化段階における処理中、一定の加熱速度を維持して、ＨＲ２を一定とし、且つ、ＨＲ２≧ＨＲ１である、請求項４に記載の方法。
6. 前記触媒に対するＲＩＡＦ_ｘ，ｉが少なくとも０．８である、請求項４又は請求項５に記載の方法。
7. 前記触媒に対するＲＩＡＦ_ｘ，ｉが１．０より大きい、請求項４又は請求項５に記載の方法。
8. 水の生成が初めて水素の消費を伴う時、前記第１活性化段階が、還元可能なコバルトの還元の開始時と同一の温度で開始し、その第１活性化段階の処理が、１５０℃〜２８０℃の範囲の値を有する床温度で、還元可能なコバルトのすべてが定量的にＣｏＯに還元されてしまうまで継続し、その結果、前記第２活性化段階の処理の開始時点において、その第２活性化段階の温度が１５０℃〜２８０℃の範囲の前記の値にあり、前記第２活性化段階の処理が、その第２処理段階の温度が３００℃〜６００℃の範囲の値を有するまで継続する、請求項４から７までのいずれか一項に記載の方法。
9. 前記の第１及び／又は第２活性化段階における処理中の供給ガス空間速度が一定でない即ち変動する、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法。
10. 前記触媒に対するＲＩＡＦ_ｘ，ｉが少なくとも０．８である、請求項９に記載の方法。
11. 前記触媒に対するＲＩＡＦ_ｘ，ｉが１．０より大きい、請求項９に記載の方法。
12. 前記第１及び第２活性化段階で使用される純水素還元ガスが、９０容積％以上のＨ_２及び１０容積％以下の不活性ガスを含む水素ガス含有混合物であり、その純水素還元ガスの露点が４℃未満である、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の方法。
13. 前記第１及び第２活性化段階の双方の処理を０．６〜１．５バール（絶対圧）で実施する、請求項１から１２までのいずれか一項に記載の方法。

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