[go: up one dir, main page]

JP2005352434A - Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2005352434A
JP2005352434A JP2004212604A JP2004212604A JP2005352434A JP 2005352434 A JP2005352434 A JP 2005352434A JP 2004212604 A JP2004212604 A JP 2004212604A JP 2004212604 A JP2004212604 A JP 2004212604A JP 2005352434 A JP2005352434 A JP 2005352434A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
electro
antennas
optical device
display unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004212604A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Jun Saito
潤 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004212604A priority Critical patent/JP2005352434A/en
Publication of JP2005352434A publication Critical patent/JP2005352434A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】 製造の工程を削減する。
【解決手段】 表示部となる画素電極110と表示部駆動配線が設けられたアレイ基板102に複数の独立したアンテナ120,122が配置されている。画素電極110または表示部駆動配線形成する工程と同時に、画素電極110または表示部駆動配線と同じ導電材または半導体材により、アンテナ120,122の各層を形成する。
【選択図】 図11
PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce manufacturing steps.
A plurality of independent antennas (120, 122) are arranged on an array substrate (102) provided with a pixel electrode (110) serving as a display portion and display portion drive wiring. Simultaneously with the step of forming the pixel electrode 110 or the display portion drive wiring, the layers of the antennas 120 and 122 are formed using the same conductive material or semiconductor material as the pixel electrode 110 or the display portion drive wiring.
[Selection] FIG.

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus.

他の機器と無線により通信する機能を備えた種々の電子機器が従来から広く普及している。例えば、利用者や物品を識別するためのRFID(Radio Frequency Identification)を利用した技術のもとでは、種々のデータが記憶されたICタグ(RFID)と、このICタグに対して非接触にてデータの書込みや読出しを行なう機器(以下「リーダライタ」という)とが利用される。RFIDおよびリーダライタにはそれぞれアンテナと、電磁波を変復調する通信チップが設けられている。   Various electronic devices having a function of communicating with other devices wirelessly have been widely used. For example, under a technology using RFID (Radio Frequency Identification) for identifying a user or an article, an IC tag (RFID) in which various data is stored and the IC tag are contactless. A device for writing and reading data (hereinafter referred to as “reader / writer”) is used. Each of the RFID and the reader / writer is provided with an antenna and a communication chip that modulates and demodulates electromagnetic waves.

RFIDおよびリーダライタでは、アンテナは通常ループアンテナであり、各機器に1つのアンテナのみが設けられている。これらのアンテナについては、通信相手の機器からの距離が離れたり、アンテナと通信相手の機器の間に電波を遮蔽または障害する物体、例えば金属または液体が存在したりしても、確実に通信することが望まれている。また、一般的には、各機器は単一の通信チップしか有していないので、アンテナの使用可能な周波数帯域が広くても、単一種類の情報しか利用することはできない。   In the RFID and the reader / writer, the antenna is usually a loop antenna, and only one antenna is provided for each device. These antennas communicate reliably even when the distance from the communication partner device is long, or even if an object that shields or obstructs radio waves, such as metal or liquid, exists between the antenna and the communication partner device. It is hoped that. In general, since each device has only a single communication chip, only a single type of information can be used even if the usable frequency band of the antenna is wide.

一方、移動体通信端末の技術分野では、受信感度や送信電波強度を上げるために利得の高いヘリカルアンテナを使用する提案や、複数の通信モードを実行できるように複数の通信制御処理部を使用する提案がすでになされている(例えば特許文献1)。   On the other hand, in the technical field of mobile communication terminals, a proposal is made to use a helical antenna with a high gain to increase reception sensitivity and transmission radio wave intensity, and a plurality of communication control processing units are used so that a plurality of communication modes can be executed. Proposals have already been made (for example, Patent Document 1).

特開平11−215022号公報(図7、図8)JP 11-215022 (FIGS. 7 and 8)

通信を行う電子機器には表示装置を有するものが多い。例えば、現在ではほとんどの移動体通信端末に表示装置が設けられているし、RFIDのリーダライタでも同様である。またリーダライタで読み書きされるRFIDにも人間への情報提供のために表示装置が設けられることがある。これらの技術において、アンテナは表示装置とは別個に製造されている。製造コストを減少させるにはより工程を簡略化することが必要である。   Many electronic devices that perform communication have a display device. For example, most mobile communication terminals are now equipped with a display device, and the same applies to RFID reader / writers. An RFID that is read and written by a reader / writer may be provided with a display device for providing information to humans. In these technologies, the antenna is manufactured separately from the display device. In order to reduce the manufacturing cost, it is necessary to simplify the process.

本発明は、製造の工程を削減することが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供する。   The present invention provides an electro-optical device, a method of manufacturing an electro-optical device, and an electronic apparatus that can reduce manufacturing steps.

本発明に係る電気光学装置は、表示部および前記表示部を駆動する表示部駆動配線が設けられた少なくとも一つの基板と、各々の少なくとも一部が前記基板に配置された複数の独立したアンテナと、前記複数のアンテナにそれぞれ電気的に接続され、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する複数の通信回路とを備える。そして、前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ層にある。
このように、基板に配置されたアンテナの部分が、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ層にあるので、アンテナを表示部または表示部駆動配線と同工程または連続した工程で製造することが可能になる。従って、製造の工程を簡略化することが可能である。また、基板に配置された複数のアンテナは互いに独立し、複数の通信回路にそれぞれ電気的に接続されているので、それぞれ異なる周波数を使用することができる。例えば異なる周波数チャネルを用いた複数種類の情報の受信や送信が実現できる。
The electro-optical device according to the present invention includes at least one substrate provided with a display unit and a display unit drive wiring for driving the display unit, and a plurality of independent antennas each of which is disposed on the substrate. And a plurality of communication circuits that are electrically connected to the plurality of antennas and control transmission / reception of data via the connected antennas. And the part arrange | positioned at the said board | substrate among each of these antennas exists in the same layer as the electrically conductive material or semiconductor material which comprises the said display part or the said display part drive wiring.
As described above, the antenna portion disposed on the substrate is in the same layer as the conductive material or the semiconductor material constituting the display unit or the display unit driving wiring. It becomes possible to manufacture in the process. Therefore, the manufacturing process can be simplified. Further, since the plurality of antennas arranged on the substrate are independent from each other and are electrically connected to the plurality of communication circuits, respectively, different frequencies can be used. For example, reception and transmission of a plurality of types of information using different frequency channels can be realized.

別の観点からは本発明に係る電気光学装置は、前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材から形成されていてもよい。
このように、基板に配置されたアンテナの部分が、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材から形成されているので、アンテナを表示部または表示部駆動配線と同工程または連続した工程で製造することが可能になる。従って、製造の工程を簡略化することが可能である。また、基板に配置された複数のアンテナは互いに独立し、複数の通信回路にそれぞれ電気的に接続されているので、それぞれ異なる周波数を使用することができる。例えば異なる周波数チャネルを用いた複数種類の情報の受信や送信が実現できる。本発明に係る電気光学装置としては、液晶表示装置、OLED(Organic Light Emitting Diode)表示装置、プラズマ表示装置、および電気泳動などが例示される。
From another point of view, in the electro-optical device according to the invention, a portion of each of the plurality of antennas disposed on the substrate is the same as the conductive material or the semiconductor material constituting the display unit or the display unit drive wiring. It may be formed from a conductive material or a semiconductor material.
As described above, the antenna portion arranged on the substrate is formed of the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductor material constituting the display portion or the display portion drive wiring. It can be manufactured in the same process as the drive wiring or in a continuous process. Therefore, the manufacturing process can be simplified. Further, since the plurality of antennas arranged on the substrate are independent from each other and are electrically connected to the plurality of communication circuits, respectively, different frequencies can be used. For example, reception and transmission of a plurality of types of information using different frequency channels can be realized. Examples of the electro-optical device according to the present invention include a liquid crystal display device, an OLED (Organic Light Emitting Diode) display device, a plasma display device, and electrophoresis.

好ましくは、前記複数のアンテナの少なくとも一つは、導電材または半導体材からなる複数の導電層から形成されている。
アンテナが複数の導電層から形成されている形態には、複数の形態がありうる。一つは、アンテナが螺旋状に形成されている(各導電層は完結的に閉じたループを構成せず、しかも一つの導電層の一端部は近接する他の導電層に接続されているが、他端部は当該他の導電層に接続されていない)形態である。この場合には、各アンテナは、本質的に、複数巻きのヘリカルアンテナであり、単巻きのアンテナに比べて、通信の信頼性すなわち受信感度や送信電波強度が高い。
他の一つの形態では、アンテナが格子状に形成されている(互いに離間した複数の箇所で、導電層が相互に電気的に接続されている)。この場合には、各アンテナは、並列に接続された複数の導電層を有するが、本質的に単巻きのアンテナと等価である。従って、その受信感度や送信電波強度は高くないが、導電層が並列であるために、一つの導電層が断線しても他の導電層が有効に接続されている限り、アンテナの機能が維持される。
Preferably, at least one of the plurality of antennas is formed of a plurality of conductive layers made of a conductive material or a semiconductor material.
There may be a plurality of forms in which the antenna is formed of a plurality of conductive layers. One is that the antenna is formed in a spiral (each conductive layer does not form a completely closed loop, and one end of one conductive layer is connected to another adjacent conductive layer. The other end is not connected to the other conductive layer. In this case, each antenna is essentially a multi-turn helical antenna, and has higher communication reliability, that is, reception sensitivity and transmission radio wave intensity than a single-turn antenna.
In another embodiment, the antennas are formed in a lattice shape (the conductive layers are electrically connected to each other at a plurality of locations separated from each other). In this case, each antenna has a plurality of conductive layers connected in parallel, but is essentially equivalent to a single turn antenna. Therefore, although its reception sensitivity and transmission radio wave intensity are not high, the function of the antenna is maintained as long as the other conductive layer is effectively connected even if one conductive layer is disconnected because the conductive layers are parallel. Is done.

いずれの場合にも、互いに近接し合う前記導電層が複数の接続部で互いに電気的に接続されているとさらに好ましい。これによれば、一つの接続部が断線しても他の接続部が有効に接続されている限り、導電層同士の間の導通が維持される。   In any case, it is more preferable that the conductive layers adjacent to each other are electrically connected to each other through a plurality of connecting portions. According to this, even if one connection part is disconnected, as long as another connection part is effectively connected, conduction between the conductive layers is maintained.

本発明に係る電気光学装置を製造する方法は、前記基板に前記表示部駆動配線を形成する工程と、前記基板に前記表示部を形成する工程と、前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により、前記アンテナのうち前記基板に配置された部分を形成する工程とを備える。
このように基板に配置されたアンテナの部分を、表示部または表示部駆動配線と同工程で同じ導電材または半導体材により形成することによって、製造の工程を簡略化することが可能である。
The method of manufacturing the electro-optical device according to the invention includes a step of forming the display unit driving wiring on the substrate, a step of forming the display unit on the substrate, and forming the display unit or the display unit driving wiring. And a step of forming a portion of the antenna disposed on the substrate with the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductor material constituting the display portion or the display portion drive wiring.
Thus, the manufacturing process can be simplified by forming the portion of the antenna arranged on the substrate using the same conductive material or semiconductor material in the same process as the display portion or the display portion drive wiring.

この方法において、前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により、前記複数の通信回路のうち少なくとも一つを形成してもよい。これによれば、さらに製造の工程を簡略化することが可能である。   In this method, at the same time as the step of forming the display unit or the display unit drive wiring, the plurality of communications is performed using the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductor material constituting the display unit or the display unit drive wiring. At least one of the circuits may be formed. According to this, it is possible to further simplify the manufacturing process.

本発明に係る電気光学装置は様々な電子機器に設けることが可能である。例えば、電子機器としては、RFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされるRFIDでもよい。   The electro-optical device according to the invention can be provided in various electronic apparatuses. For example, the electronic device may be an RFID reader / writer or an RFID read / written by the reader / writer.

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、以下に示す図面においては、各部の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。   Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the respective parts are appropriately changed from the actual ones.

<1.電気光学装置>
以下の説明では、本発明の実施形態に係る電気光学装置として液晶表示パネルを例とする。図1に示すように、液晶表示パネル(電気光学装置)100は、互いに対向するアレイ基板102および対向基板104を有する。アレイ基板102の周縁部と対向基板104の周縁部の間には、周辺シール材106が配置されて、この周辺シール材106が基板102,104を接合する。基板102,104の間には多数の球形のスペーサ108が配置されており、スペーサ108によって両者は平行に保たれている。基板102,104および周辺シール材106により画定された空間には、電気光学材料としての液晶105が充填されている。
<1. Electro-optical device>
In the following description, a liquid crystal display panel is taken as an example of the electro-optical device according to the embodiment of the invention. As shown in FIG. 1, a liquid crystal display panel (electro-optical device) 100 includes an array substrate 102 and a counter substrate 104 that face each other. A peripheral sealing material 106 is disposed between the peripheral edge of the array substrate 102 and the peripheral edge of the counter substrate 104, and the peripheral sealing material 106 bonds the substrates 102 and 104 together. A large number of spherical spacers 108 are arranged between the substrates 102 and 104, and both are kept parallel by the spacers 108. A space defined by the substrates 102 and 104 and the peripheral sealing material 106 is filled with a liquid crystal 105 as an electro-optical material.

アレイ基板102の一方の面(対向基板104に対向する面)には透明な画素電極110および画素電極を駆動する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下適宜、TFTと称す)が形成されている。対向基板104の一方の面(アレイ基板102に対向する面)には透明な共通電極112が形成されている。これらの電極を含めてアレイ基板102および対向基板104は、液晶表示パネルの技術分野で知られた材料から製造することが可能である。即ち、基板102,104は、支持基板としての透明基板に透明電極駆動用のTFTをなす半導体および透明電極となるITO(indium tin oxide)等を堆積させることにより製造することができる。画素電極110および共通電極112は、それぞれ配向膜114,116により被覆されている。図示しないが、対向基板104には、複数のカラーフィルタおよびブラックマトリクスを設けてもよい。   A transparent pixel electrode 110 and a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT as appropriate) for driving the pixel electrode are formed on one surface of the array substrate 102 (surface facing the counter substrate 104). A transparent common electrode 112 is formed on one surface of the counter substrate 104 (the surface facing the array substrate 102). The array substrate 102 and the counter substrate 104 including these electrodes can be manufactured from materials known in the technical field of liquid crystal display panels. That is, the substrates 102 and 104 can be manufactured by depositing a semiconductor forming a transparent electrode driving TFT and ITO (indium tin oxide) forming a transparent electrode on a transparent substrate as a support substrate. The pixel electrode 110 and the common electrode 112 are covered with alignment films 114 and 116, respectively. Although not illustrated, the counter substrate 104 may be provided with a plurality of color filters and a black matrix.

アレイ基板102には、二つのアンテナすなわち第1のアンテナ120および第2のアンテナ122が互いに重なり合うように配置されている。第1のアンテナ120はアレイ基板102に完全に埋設されている。一方、第2のアンテナ122の下部はアレイ基板102に埋設されており、最上部が画素電極110と同じ高さにあってアレイ基板102に接合されている。   Two antennas, that is, a first antenna 120 and a second antenna 122 are arranged on the array substrate 102 so as to overlap each other. The first antenna 120 is completely embedded in the array substrate 102. On the other hand, the lower portion of the second antenna 122 is embedded in the array substrate 102, and the uppermost portion is at the same height as the pixel electrode 110 and is joined to the array substrate 102.

図1には示さないが、アンテナ120,122の各々は、別個のICチップに接続されている。各ICチップは通信回路を内包しており、この通信回路は電磁波を変復調することが可能であって、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する。従って、アンテナとICチップは非接触通信を行う通信装置を構成する。電磁波による通信に加えてアンテナ120,122は電磁誘導の原理を用いた充電のために使用されてもよい。また各ICチップは通信したデータを格納する記憶回路や通信するデータを生成する制御回路を内包していてもよい。   Although not shown in FIG. 1, each of the antennas 120 and 122 is connected to a separate IC chip. Each IC chip includes a communication circuit, which can modulate and demodulate electromagnetic waves and controls data transmission / reception via a connected antenna. Therefore, the antenna and the IC chip constitute a communication device that performs non-contact communication. In addition to electromagnetic communication, the antennas 120 and 122 may be used for charging using the principle of electromagnetic induction. Each IC chip may include a storage circuit for storing the communicated data and a control circuit for generating the data to be communicated.

これらのアンテナ120,122は、アレイ基板102の製造時に製造される。より具体的には、アレイ基板102に表示部としての画素電極110または画素電極駆動用の駆動配線(TFTを含む)を形成する工程と同時に、画素電極110または画素電極駆動用の駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により形成される。以下、アレイ基板102の製造方法を説明する。TFTおよび駆動配線の具体的構成も製造方法の説明を通じて明らかにする。   These antennas 120 and 122 are manufactured when the array substrate 102 is manufactured. More specifically, the pixel electrode 110 or the drive wiring for driving the pixel electrode is configured simultaneously with the step of forming the pixel electrode 110 as the display unit or the drive wiring (including TFT) for driving the pixel electrode on the array substrate 102. The conductive material or semiconductor material is the same as the conductive material or semiconductor material. Hereinafter, a method for manufacturing the array substrate 102 will be described. The specific configuration of the TFT and the drive wiring will also be clarified through the description of the manufacturing method.

まず図2に示すように、例えばガラスまたは石英製の支持基板10の上に、合金アンテナ最下層12および遮光層(ブラックマトリクス)14を同一の導電材から同時に形成する。具体的には、支持基板10の全面に、好ましくは不透明な高融点金属であるTi、Cr、W、Ta、Mo及びPbのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金またはシリサイドの膜を、スパッタリングにより堆積させる。そして、この膜をエッチングすることにより、アンテナ最下層12と遮光層14をパターニングする。   First, as shown in FIG. 2, an alloy antenna bottom layer 12 and a light shielding layer (black matrix) 14 are simultaneously formed from the same conductive material on a support substrate 10 made of, for example, glass or quartz. Specifically, a film of a simple metal, an alloy, or a silicide including at least one of Ti, Cr, W, Ta, Mo, and Pb, which is preferably an opaque refractory metal, is formed on the entire surface of the support substrate 10. And deposited by sputtering. The antenna bottom layer 12 and the light shielding layer 14 are patterned by etching this film.

次に、図3に示すように、アンテナ最下層12および遮光層14の上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁層16を堆積させる。さらに図4に示すように、アンテナ最下層12に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール18を下地絶縁層16に形成する。   Next, as shown in FIG. 3, a base insulating layer 16 made of a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like is deposited on the antenna bottom layer 12 and the light shielding layer 14. Further, as shown in FIG. 4, a hole reaching the antenna lowermost layer 12, that is, an antenna contact hole 18 is formed in the base insulating layer 16.

次に、図5に示すように、下地絶縁層16の上にトランジスタ能動層22とアンテナ中間層20を同一の半導体材から同時に形成する。この時、アンテナコンタクトホール18もアンテナ中間層20の半導体材で埋められる。アンテナ中間層20はアンテナ最下層12に接してこれの上方に形成され、トランジスタ能動層22は遮光層14と間隔をおいてこれの上方に形成される。   Next, as shown in FIG. 5, the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20 are simultaneously formed on the base insulating layer 16 from the same semiconductor material. At this time, the antenna contact hole 18 is also filled with the semiconductor material of the antenna intermediate layer 20. The antenna intermediate layer 20 is formed above and in contact with the lowermost antenna layer 12, and the transistor active layer 22 is formed above the light shielding layer 14 at a distance.

この半導体材は、好ましくは抵抗値の小さい半導体、例えばポリシリコン膜である。具体的には、ポリシリコン膜の形成は、例えばアモルファスシリコン膜を下地絶縁層16の上に堆積させた後、アモルファスシリコン膜にアニール処理を施せばよい。アモルファスシリコン膜を堆積させずに、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を下地絶縁層16の上に直接堆積させてもよい。そして、この膜をエッチングすることにより、トランジスタ能動層22とアンテナ中間層20をパターニングする。好ましくは、アンテナ中間層20には、さらにその抵抗を低下させる処理が施される。例えば、Pイオンを内部に拡散することにより導電化することができる。   This semiconductor material is preferably a semiconductor having a low resistance value, such as a polysilicon film. Specifically, the polysilicon film may be formed by, for example, depositing an amorphous silicon film on the base insulating layer 16 and then annealing the amorphous silicon film. Instead of depositing the amorphous silicon film, a polysilicon film may be deposited directly on the base insulating layer 16 by a low pressure CVD method or the like. Then, the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20 are patterned by etching this film. Preferably, the antenna intermediate layer 20 is further subjected to a process for reducing its resistance. For example, it can be made conductive by diffusing P ions inside.

次に、図6に示すように、トランジスタ能動層22とアンテナ中間層20を覆うゲート絶縁膜23を形成する。ゲート絶縁膜23は、熱酸化シリコン膜24と高温酸化シリコン膜(HTO膜)26を有する。熱酸化シリコン膜24は、約900〜1300℃の温度でトランジスタ能動層22とアンテナ中間層20のポリシリコン膜の表面を酸化させることにより得られる。HTO膜26は、減圧CVD法等により堆積することにより得られる。さらに図7に示すように、アンテナ中間層20に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール28をゲート絶縁膜23に形成する。   Next, as shown in FIG. 6, a gate insulating film 23 covering the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20 is formed. The gate insulating film 23 includes a thermal silicon oxide film 24 and a high temperature silicon oxide film (HTO film) 26. The thermally oxidized silicon film 24 is obtained by oxidizing the surface of the polysilicon film of the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20 at a temperature of about 900 to 1300 ° C. The HTO film 26 is obtained by being deposited by a low pressure CVD method or the like. Further, as shown in FIG. 7, a hole reaching the antenna intermediate layer 20, that is, an antenna contact hole 28 is formed in the gate insulating film 23.

次に、図8に示すように、ゲート絶縁膜23の上にゲート電極(走査線)32とアンテナ最上層30を同一の導電材または半導体材から同時に形成する。この時、アンテナコンタクトホール28もアンテナ最上層30の導電材または半導体材で埋められる。アンテナ最上層30はアンテナ中間層20に接してこれの上方に形成され、ゲート電極(走査線)32はトランジスタ能動層22と間隔をおいてその上方に形成され、紙面に対する垂直方向に延びている。   Next, as shown in FIG. 8, the gate electrode (scanning line) 32 and the antenna uppermost layer 30 are simultaneously formed on the gate insulating film 23 from the same conductive material or semiconductor material. At this time, the antenna contact hole 28 is also filled with a conductive material or a semiconductor material of the antenna uppermost layer 30. The antenna top layer 30 is formed above and in contact with the antenna intermediate layer 20, and the gate electrode (scanning line) 32 is formed above and spaced from the transistor active layer 22 and extends in a direction perpendicular to the paper surface. .

ゲート電極32とアンテナ最上層30を形成する導電材または半導体材は、金属単体、合金またはシリサイドの膜でもよいし、ポリシリコンの膜でもよい。例えば、金属単体、合金またはシリサイドの膜を、スパッタリングにより堆積させ、この膜をエッチングすることにより、アンテナ最上層30とゲート電極32をパターニングしてよい。また、ポリシリコン膜の内部にPイオンを拡散させて導電化したアンテナ最上層30とゲート電極32を得ることもできる。この時点で、アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の三つの導電層を有する第1のアンテナ120が形成される。   The conductive material or semiconductor material forming the gate electrode 32 and the antenna uppermost layer 30 may be a single metal, alloy or silicide film, or a polysilicon film. For example, the antenna top layer 30 and the gate electrode 32 may be patterned by depositing a film of a simple metal, an alloy, or a silicide by sputtering and etching the film. It is also possible to obtain the antenna uppermost layer 30 and the gate electrode 32 which are made conductive by diffusing P ions inside the polysilicon film. At this point, the first antenna 120 having three conductive layers of the antenna bottom layer 12, the antenna intermediate layer 20, and the antenna top layer 30 is formed.

次に、図9に示すように、ゲート電極32とアンテナ最上層30を覆う層間絶縁膜34を形成する。層間絶縁膜34は例えばCVD法等により酸化シリコンまたは窒化シリコンを堆積させることにより形成できる。さらに、トランジスタ能動層22に到達する対になった穴を層間絶縁膜34およびゲート絶縁膜23に形成し、これらの穴を埋めるソース電極36およびドレイン電極37を導電材から形成する。ソース電極36およびドレイン電極37の形成と同時に、別のアンテナ(第2のアンテナ122)のアンテナ最下層38を同じ導電材によって形成することができる。図示の形態では、アンテナ最下層38は、既に形成された第1のアンテナ120の上方に形成されているが、他の箇所に形成してもよい。   Next, as shown in FIG. 9, an interlayer insulating film 34 that covers the gate electrode 32 and the antenna uppermost layer 30 is formed. The interlayer insulating film 34 can be formed by depositing silicon oxide or silicon nitride by, for example, CVD. Further, a pair of holes reaching the transistor active layer 22 is formed in the interlayer insulating film 34 and the gate insulating film 23, and a source electrode 36 and a drain electrode 37 filling the holes are formed from a conductive material. Simultaneously with the formation of the source electrode 36 and the drain electrode 37, the antenna bottom layer 38 of another antenna (second antenna 122) can be formed of the same conductive material. In the illustrated form, the antenna bottom layer 38 is formed above the already formed first antenna 120, but may be formed at another location.

さらに、ソース電極36、ドレイン電極37およびアンテナ最下層38を覆う層間絶縁膜40を形成する。層間絶縁膜40も層間絶縁膜34と同様に形成できる。また、アンテナ最下層38に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール42を層間絶縁膜40に形成する。   Further, an interlayer insulating film 40 that covers the source electrode 36, the drain electrode 37, and the antenna bottom layer 38 is formed. The interlayer insulating film 40 can be formed in the same manner as the interlayer insulating film 34. In addition, a hole reaching the antenna bottom layer 38, that is, an antenna contact hole 42 is formed in the interlayer insulating film 40.

次に、図10に示すように、層間絶縁膜40の上に容量電極(容量電極線)46とアンテナ中間層48を同一の導電材または半導体材から同時に形成する。この時、アンテナコンタクトホール42もアンテナ中間層48の導電材または半導体材で埋められる。アンテナ中間層48はアンテナ最下層38に接してこれの上方に形成され、容量電極46はゲート電極(走査線)32と間隔をおいてその上方に形成され、紙面に対する垂直方向に延びている。容量電極46とアンテナ中間層48を形成する導電材または半導体材は、前述のゲート電極32とアンテナ最上層30を形成する導電材または半導体材と同様でよく、同様に形成することができる。   Next, as shown in FIG. 10, a capacitor electrode (capacitor electrode line) 46 and an antenna intermediate layer 48 are simultaneously formed on the interlayer insulating film 40 from the same conductive material or semiconductor material. At this time, the antenna contact hole 42 is also filled with the conductive material or semiconductor material of the antenna intermediate layer 48. The antenna intermediate layer 48 is formed above and in contact with the lowermost antenna layer 38, and the capacitor electrode 46 is formed above and spaced from the gate electrode (scanning line) 32, and extends in a direction perpendicular to the paper surface. The conductive material or semiconductor material forming the capacitor electrode 46 and the antenna intermediate layer 48 may be the same as or similar to the conductive material or semiconductor material forming the gate electrode 32 and the antenna uppermost layer 30 described above.

次に、図11に示すように、容量電極46とアンテナ中間層48を覆う層間絶縁膜50を形成する。層間絶縁膜50も例えばCVD法等により酸化シリコンまたは窒化シリコンを堆積させることにより形成できる。さらに、ソース電極36とドレイン電極37に到達する対になった穴を層間絶縁膜50,40に形成するとともに、アンテナ中間層48に到達する穴(アンテナコンタクトホール)を層間絶縁膜50に形成する。そして、これらの穴を導電材で埋めることにより、アンテナ中間層52、ソース電極(データ線)54およびドレイン電極55を形成する。このようにして同一の導電材によりアンテナ中間層52、ソース電極54およびドレイン電極55は同時に形成される。アンテナ中間層52はアンテナ中間層48と接してこれの上方に形成され、ソース電極54はソース電極36と接してこれの上方に形成され、ドレイン電極55はドレイン電極37と接してこれの上方に形成されている。   Next, as shown in FIG. 11, an interlayer insulating film 50 that covers the capacitor electrode 46 and the antenna intermediate layer 48 is formed. The interlayer insulating film 50 can also be formed by depositing silicon oxide or silicon nitride by, for example, the CVD method. Further, a pair of holes reaching the source electrode 36 and the drain electrode 37 are formed in the interlayer insulating films 50 and 40, and a hole reaching the antenna intermediate layer 48 (antenna contact hole) is formed in the interlayer insulating film 50. . Then, the antenna intermediate layer 52, the source electrode (data line) 54, and the drain electrode 55 are formed by filling these holes with a conductive material. In this way, the antenna intermediate layer 52, the source electrode 54, and the drain electrode 55 are simultaneously formed of the same conductive material. The antenna intermediate layer 52 is formed above and in contact with the antenna intermediate layer 48, the source electrode 54 is formed above and in contact with the source electrode 36, and the drain electrode 55 is in contact with and above the drain electrode 37. Is formed.

さらにソース電極54、ドレイン電極55およびアンテナ中間層52を覆う層間絶縁膜56を形成する。層間絶縁膜56も層間絶縁膜34と同様に形成できる。また、ドレイン電極55およびアンテナ最下層38に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール42を層間絶縁膜56に形成する。この後、これらの穴をITO(Indium Tin Oxide)で埋めることにより、画素電極110およびアンテナ最上層58を形成する。このようにして同一の導電材により画素電極110およびアンテナ最上層58は同時に形成される。画素電極110はドレイン電極55と接してこれの上方に形成され、ソース電極54はソース電極36と接してこれの上方に形成され、ドレイン電極55はドレイン電極37と接してこれの上方に形成されている。この時点で、アンテナ最下層38、アンテナ中間層48,52およびアンテナ最上層58の四つの導電層を有する第2のアンテナ122が形成される。   Further, an interlayer insulating film 56 covering the source electrode 54, the drain electrode 55, and the antenna intermediate layer 52 is formed. The interlayer insulating film 56 can be formed in the same manner as the interlayer insulating film 34. Also, a hole reaching the drain electrode 55 and the antenna lowermost layer 38, that is, an antenna contact hole 42 is formed in the interlayer insulating film 56. Thereafter, these holes are filled with ITO (Indium Tin Oxide) to form the pixel electrode 110 and the antenna uppermost layer 58. In this way, the pixel electrode 110 and the antenna uppermost layer 58 are simultaneously formed of the same conductive material. The pixel electrode 110 is formed on and above the drain electrode 55, the source electrode 54 is formed on and above the source electrode 36, and the drain electrode 55 is formed on and above the drain electrode 37. ing. At this point, the second antenna 122 having four conductive layers of the antenna bottom layer 38, the antenna intermediate layers 48 and 52, and the antenna top layer 58 is formed.

以上のようにして、表示部としての画素電極110と、画素電極駆動用の駆動配線(TFTを含む)と、第1のアンテナ120と、第2のアンテナ122を備えたアレイ基板102が形成される。このようにアレイ基板102に配置されたアンテナの部分を、表示部または表示部駆動配線と同工程で同じ導電材または半導体材により形成することによって、製造の工程を簡略化することが可能である。   As described above, the array substrate 102 including the pixel electrode 110 serving as a display portion, pixel electrode driving wiring (including TFTs), the first antenna 120, and the second antenna 122 is formed. The Thus, the manufacturing process can be simplified by forming the antenna portion arranged on the array substrate 102 with the same conductive material or semiconductor material in the same process as the display portion or the display portion drive wiring. .

図12は、アレイ基板102の一例の透視斜視図である。この図では、第1のアンテナ120および第2のアンテナ122を重視し、画像範囲となる画素電極および駆動配線の図示を省略している。第1のアンテナ120は、アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の三つの導電層を備えており、格子状に形成されている。つまり互いに離間した複数の箇所で、導電層が相互に電気的に接続されている。アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の各々には、導電性のない隙間S1が設けられている。   FIG. 12 is a perspective view of an example of the array substrate 102. In this figure, the first antenna 120 and the second antenna 122 are emphasized, and illustration of pixel electrodes and drive wirings that form an image range is omitted. The first antenna 120 includes three conductive layers of an antenna lowermost layer 12, an antenna intermediate layer 20, and an antenna uppermost layer 30, and is formed in a lattice shape. That is, the conductive layers are electrically connected to each other at a plurality of locations separated from each other. A non-conductive gap S <b> 1 is provided in each of the antenna bottom layer 12, the antenna intermediate layer 20, and the antenna top layer 30.

第1のアンテナ120には、上述した通信回路などを内包したICチップ124が接続されている。ICチップ124の両方の端子から延びた接続線125は、隙間S1を挟んだアンテナ最上層30の両端に接続されている。   The first antenna 120 is connected to an IC chip 124 that includes the communication circuit described above. Connection lines 125 extending from both terminals of the IC chip 124 are connected to both ends of the antenna uppermost layer 30 across the gap S1.

また、第2のアンテナ122は、アンテナ最下層38、アンテナ中間層48、アンテナ中間層52およびアンテナ最上層58の四つの導電層を備えており、やはり格子状に形成されている。アンテナ最下層38、アンテナ中間層48、アンテナ中間層52およびアンテナ最上層58には、導電性のない隙間S2が設けられている。   The second antenna 122 includes four conductive layers of an antenna bottom layer 38, an antenna intermediate layer 48, an antenna intermediate layer 52, and an antenna top layer 58, which are also formed in a lattice shape. A non-conductive gap S <b> 2 is provided in the antenna bottom layer 38, the antenna intermediate layer 48, the antenna intermediate layer 52, and the antenna top layer 58.

第2のアンテナ122には、上述した通信回路などを内包したICチップ126が接続されている。ICチップ126の両方の端子は、隙間S2を挟んだアンテナ最上層58の両端に接続されている。   The second antenna 122 is connected to an IC chip 126 that includes the communication circuit described above. Both terminals of the IC chip 126 are connected to both ends of the antenna top layer 58 across the gap S2.

この例では、格子状に形成されたアンテナ120,122の各々は、並列に接続された複数の導電層を有するが、本質的に単巻きのアンテナと等価である。従って、その受信感度や送信電波強度は高くないが、導電層が並列であるために、一つの導電層が断線しても他の導電層が有効に接続されている限り、アンテナの機能が維持される。また、互いに近接し合う導電層が複数の接続部で互いに電気的に接続されているので、一つの接続部が断線しても他の接続部が有効に接続されている限り、導電層同士の間の導通が維持される。   In this example, each of the antennas 120 and 122 formed in a lattice shape has a plurality of conductive layers connected in parallel, but is essentially equivalent to a single-turn antenna. Therefore, although its reception sensitivity and transmission radio wave intensity are not high, the function of the antenna is maintained as long as the other conductive layer is effectively connected even if one conductive layer is disconnected because the conductive layers are parallel. Is done. In addition, since the conductive layers adjacent to each other are electrically connected to each other at a plurality of connection portions, even if one connection portion is disconnected, as long as the other connection portions are effectively connected, the conductive layers The continuity between them is maintained.

図13は、アレイ基板102の他の例の透視斜視図である。この図でも図13と同様に、第1のアンテナ120および第2のアンテナ122を重視し、画像範囲となる画素電極および駆動配線の図示を省略している。第1のアンテナ120は、アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の三つの導電層を備えており、螺旋状に形成されている。つまり各導電層は完結的に閉じたループを構成せず、しかも一つの導電層の一端部は近接する他の導電層に接続されているが、他端部は当該他の導電層に接続されていない。ICチップ124の両方の端子から延びた接続線125は、アンテナ最上層30の一端とアンテナ最下層12の一端に接続されている。   FIG. 13 is a perspective view of another example of the array substrate 102. In this figure as well, as in FIG. 13, the first antenna 120 and the second antenna 122 are emphasized, and the illustration of the pixel electrode and the drive wiring that become the image range is omitted. The first antenna 120 includes three conductive layers of an antenna lowermost layer 12, an antenna intermediate layer 20, and an antenna uppermost layer 30, and is formed in a spiral shape. That is, each conductive layer does not form a completely closed loop, and one end of one conductive layer is connected to another adjacent conductive layer, but the other end is connected to the other conductive layer. Not. A connection line 125 extending from both terminals of the IC chip 124 is connected to one end of the antenna uppermost layer 30 and one end of the antenna lowermost layer 12.

また、第2のアンテナ122は、アンテナ最下層38、アンテナ中間層48、アンテナ中間層52およびアンテナ最上層58の四つの導電層を備えており、やはり螺旋状に形成されている。ICチップ126は、アンテナ最上層58の一端とアンテナ最下層38の一端に接続されている。この例では、アンテナ120,122の各々は、本質的に、複数巻きのヘリカルアンテナであり、単巻きのアンテナに比べて、通信の信頼性すなわち受信感度や送信電波強度が高い。この例でも、図示のように、導電層の端部は、複数の接続部で互いに電気的に接続されているので、一つの接続部が断線しても他の接続部が有効に接続されている限り、導電層同士の間の導通が維持される。   The second antenna 122 includes four conductive layers of an antenna lowermost layer 38, an antenna intermediate layer 48, an antenna intermediate layer 52, and an antenna uppermost layer 58, and is also formed in a spiral shape. The IC chip 126 is connected to one end of the antenna uppermost layer 58 and one end of the antenna lowermost layer 38. In this example, each of the antennas 120 and 122 is essentially a multi-turn helical antenna, and has higher communication reliability, that is, reception sensitivity and transmission radio wave intensity than a single-turn antenna. Also in this example, as shown in the figure, the end portions of the conductive layer are electrically connected to each other through a plurality of connection portions, so that even if one connection portion is disconnected, the other connection portions are effectively connected. As long as it is present, conduction between the conductive layers is maintained.

図12および図13に示されたいずれの例でも、アレイ基板102に配置された複数のアンテナ120,122は互いに独立し、ICチップ124,126にそれぞれ電気的に接続されているので、それぞれ異なる周波数帯を使用することができる。従って、この液晶表示パネルを持つ電子機器としては、例えば異なる周波数チャネルを用いた複数種類の情報の受信や送信が実現できる。   12 and 13, the plurality of antennas 120 and 122 arranged on the array substrate 102 are independent from each other and are electrically connected to the IC chips 124 and 126, respectively. A frequency band can be used. Therefore, as an electronic apparatus having this liquid crystal display panel, for example, reception and transmission of a plurality of types of information using different frequency channels can be realized.

図12および図13に示されたいずれの例でも、アンテナ120,122と同様に、ICチップ124,126とアンテナ120,122とを接続する接続線(例えば接続線125)を、表示部または表示部駆動配線を形成する工程と同時に、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により形成してもよい。   12 and 13, similarly to the antennas 120 and 122, the connection lines (for example, the connection lines 125) that connect the IC chips 124 and 126 and the antennas 120 and 122 are displayed or displayed. Simultaneously with the step of forming the portion drive wiring, the display portion or the display portion drive wiring may be formed of the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductor material.

ICチップ124,126は、アレイ基板102の内部に配置せずに別個に製造してアレイ基板102に実装することができる。但し、ICチップ124,126と等価な通信回路を、表示部または表示部駆動配線を形成する工程と同時に、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により形成してもよい。これによれば、さらに製造の工程を簡略化することが可能である。この場合、アレイ基板102内の通信回路が配置される位置(高さ)は任意である。   The IC chips 124 and 126 can be separately manufactured and mounted on the array substrate 102 without being arranged inside the array substrate 102. However, the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductor material constituting the display unit or display unit drive wiring is formed simultaneously with the step of forming the display unit or display unit drive wiring for the communication circuit equivalent to the IC chips 124, 126. May be formed. According to this, it is possible to further simplify the manufacturing process. In this case, the position (height) where the communication circuit in the array substrate 102 is arranged is arbitrary.

図14から図17は、画素領域130の周囲に設けられたアンテナ120,122の配置例である。このようにアンテナ120,122は様々なパターンで配置することができる。このほかのパターンを採用することもできる。なお、液晶表示パネルでは、走査線、データ線等が画素領域130の外部の駆動回路に接続されているので、アンテナ120,122を構成する導電層がこれらの線に接することなく避けるように配置しなければならない。尚、アンテナ同士を互いに重ならないように配置すると、受信状態等がより向上される。個々のアンテナは、アンテナ部分を形成していない層のパターン等の遮蔽物と重ならないように配置すると、受信状態等がより向上される。アンテナを表示部駆動配線と重ならないように配置すると、カップリング容量等の増加による表示部駆動配線の駆動信号の遅延や液晶への書込み能力の低下等によるコントラスト等のパネル特性の低下を防ぐこともできる。   14 to 17 are arrangement examples of the antennas 120 and 122 provided around the pixel region 130. As described above, the antennas 120 and 122 can be arranged in various patterns. Other patterns can be employed. Note that in the liquid crystal display panel, the scanning lines, the data lines, and the like are connected to a driving circuit outside the pixel region 130, so that the conductive layers constituting the antennas 120 and 122 are arranged so as not to be in contact with these lines. Must. If the antennas are arranged so as not to overlap each other, the reception state and the like are further improved. If the individual antennas are arranged so as not to overlap with a shielding object such as a pattern of a layer not forming the antenna portion, the reception state and the like are further improved. Arranging the antenna so that it does not overlap the display drive wiring prevents the deterioration of the panel characteristics such as the contrast due to the delay of the drive signal of the display drive wiring due to the increase of the coupling capacity, etc. You can also.

以上、電気光学装置100として液晶表示パネルを例示したが、電気光学装置100の構成の如何は不問である。例えば、有機EL(Electroluminescent)表示パネルなどのOLED(Organic Light Emitting Diode)表示パネル、プラズマ表示パネル、電気泳動表示パネルなど各種の表示パネルに本発明が適用され得る。   As described above, the liquid crystal display panel is exemplified as the electro-optical device 100, but the configuration of the electro-optical device 100 is not limited. For example, the present invention can be applied to various display panels such as OLED (Organic Light Emitting Diode) display panels such as organic EL (Electroluminescent) display panels, plasma display panels, and electrophoretic display panels.

<2.電子機器>
図18は、本発明に係る電気光学装置を備える携帯型電子機器140を示す。携帯型電子機器140はRFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされるRFIDでもよい。図示のように、携帯型電子機器140では、電気光学装置の画素領域142の周囲にアンテナ120,122が配置されている。この携帯型電子機器140には、入力装置としての各種のボタンおよびキーが設けられており、その中のボタン144は、第1のアンテナ120とICチップ124を有する非接触通信装置と、第2のアンテナ122とICチップ126を有する非接触通信装置のいずれを使用するか選択的に切り替えるために押し下げられる。
<2. Electronic equipment>
FIG. 18 shows a portable electronic device 140 including the electro-optical device according to the invention. The portable electronic device 140 may be an RFID reader / writer or an RFID read / written by the reader / writer. As illustrated, in the portable electronic device 140, antennas 120 and 122 are disposed around the pixel region 142 of the electro-optical device. The portable electronic device 140 is provided with various buttons and keys as input devices. Among these buttons 144, the button 144 includes a non-contact communication device having the first antenna 120 and the IC chip 124, and a second one. It is pushed down to selectively switch which non-contact communication device having the antenna 122 and the IC chip 126 is used.

要するに、この携帯型電子機器140は、ある周波数帯を用いて第1のアンテナ120とICチップ124によってある種の情報の受信または送信を行う第1の通信モードと、他の周波数帯を用いて第2のアンテナ122とICチップ126によって他の種の情報の受信または送信を行う第2の通信モードで動作できる。そしてボタン144は、第1の通信モードと第2の通信モードとを切り替える。   In short, the portable electronic device 140 uses a first communication mode in which certain information is received or transmitted by the first antenna 120 and the IC chip 124 using a certain frequency band, and another frequency band. The second antenna 122 and the IC chip 126 can operate in a second communication mode in which other types of information are received or transmitted. The button 144 switches between the first communication mode and the second communication mode.

図19は、本発明に係る電気光学装置を備える他の携帯型電子機器150を示す。携帯型電子機器150もRFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされるRFIDでもよい。図示のように、携帯型電子機器150は、表示部筐体156と操作部筐体158とを備える。   FIG. 19 shows another portable electronic device 150 including the electro-optical device according to the invention. The portable electronic device 150 may also be an RFID reader / writer, or an RFID read / written by the reader / writer. As illustrated, the portable electronic device 150 includes a display unit casing 156 and an operation unit casing 158.

表示部筐体156および操作部筐体158はヒンジ部160により連結されている。ヒンジ部160を中心として操作部筐体158に対して表示部筐体156は相対的に回転する。つまり、携帯型電子機器150は折り畳み式であり、図19(A)に示す開いた姿勢と、図19(B)に示す閉じた姿勢(筐体156,158が重なった姿勢)を取ることができる。   The display unit housing 156 and the operation unit housing 158 are connected by a hinge unit 160. The display unit housing 156 rotates relative to the operation unit housing 158 around the hinge unit 160. That is, the portable electronic device 150 is a foldable type, and can take an open posture illustrated in FIG. 19A and a closed posture illustrated in FIG. 19B (a posture in which the housings 156 and 158 overlap). it can.

操作部筐体158には入力装置としての各種のボタンおよびキーが設けられ、表示部筐体156には主画面152および副画面154が設けられている。主画面152は表示部筐体156の内面にて露出する。この内面とは、図19(A)に示す開いた姿勢で現れ、図19(B)に示す閉じた姿勢では操作部筐体158に覆われて隠れてしまう面である。他方、副画面154は表示部筐体156の外面に露出する。この外面とは上記の内面の裏側にあり、携帯型電子機器150の姿勢に関わらず常に現れている面である。   The operation unit housing 158 is provided with various buttons and keys as input devices, and the display unit housing 156 is provided with a main screen 152 and a sub screen 154. The main screen 152 is exposed on the inner surface of the display unit casing 156. This inner surface is a surface that appears in the open posture shown in FIG. 19A and is covered and hidden by the operation unit housing 158 in the closed posture shown in FIG. 19B. On the other hand, the sub screen 154 is exposed on the outer surface of the display unit housing 156. The outer surface is a surface that is on the back side of the inner surface and always appears regardless of the posture of the portable electronic device 150.

主画面152および副画面154は、二つの電気光学装置の各々の表示面でよいし、デュアルエミッションタイプ(両面発光形式:反対の二方向に発光する形式)の一つの電気光学装置の両方の発光面でよい。実現されているデュアルエミッションタイプの電気光学装置としては、有機EL表示パネルが知られている。デュアルエミッションタイプの電気光学装置には、表示する画像を瞬時に左右反転できる機能を有しており、主画面および副画面の両方に同じ画像を同時に表示することができるものがあるが、この電気光学装置を用いてもよい。   The main screen 152 and the sub screen 154 may be the display surfaces of each of the two electro-optical devices, or the light emission of both electro-optical devices of a dual emission type (double-sided emission type: a type that emits light in the opposite two directions). In terms of surface. An organic EL display panel is known as a dual emission type electro-optical device that has been realized. Some dual-emission type electro-optical devices have a function that allows the image to be displayed to be instantaneously reversed, and the same image can be simultaneously displayed on both the main screen and the sub-screen. An optical device may be used.

表示部筐体156では、画素領域(主画面152および副画面154)の周囲にアンテナ120,122が配置されている。第1のアンテナ120は主画面152が露出した内面に近い層に設けられており、第2のアンテナ122は副画面154が露出した外面に近い層に設けられている。   In the display unit housing 156, antennas 120 and 122 are arranged around the pixel region (the main screen 152 and the sub screen 154). The first antenna 120 is provided in a layer near the inner surface where the main screen 152 is exposed, and the second antenna 122 is provided in a layer near the outer surface where the sub-screen 154 is exposed.

表示部筐体156には突起164が形成されており、操作部筐体158にはボタン166が設けられている。ボタン166は、第1のアンテナ120とICチップ124を有する非接触通信装置と、第2のアンテナ122とICチップ126を有する非接触通信装置のいずれを使用するか選択的に切り替えるために設けられている。   A protrusion 164 is formed on the display unit housing 156, and a button 166 is provided on the operation unit housing 158. The button 166 is provided to selectively switch between a non-contact communication device having the first antenna 120 and the IC chip 124 and a non-contact communication device having the second antenna 122 and the IC chip 126. ing.

要するに、この携帯型電子機器150は、ある周波数帯を用いて第1のアンテナ120とICチップ124によってある種の情報の受信または送信を行う第1の通信モードと、他の周波数帯を用いて第2のアンテナ122とICチップ126によって他の種の情報の受信または送信を行う第2の通信モードで動作できる。そしてボタン166は、第1の通信モードと第2の通信モードとを切り替える。具体的には、図19(B)に示す閉じた姿勢では突起164でボタン166が押し下げられ、携帯型電子機器150の動作モードは第2の通信モードになる。また、図19(A)に示す開いた姿勢では突起164がボタン166から離れ、携帯型電子機器150の動作モードは第1の通信モードになる。   In short, the portable electronic device 150 uses a first communication mode in which certain information is received or transmitted by the first antenna 120 and the IC chip 124 using a certain frequency band, and another frequency band. The second antenna 122 and the IC chip 126 can operate in a second communication mode in which other types of information are received or transmitted. The button 166 switches between the first communication mode and the second communication mode. Specifically, in the closed posture shown in FIG. 19B, the button 166 is pushed down by the protrusion 164, and the operation mode of the portable electronic device 150 becomes the second communication mode. In the open posture shown in FIG. 19A, the protrusion 164 moves away from the button 166, and the operation mode of the portable electronic device 150 becomes the first communication mode.

<3.変形例>
上記実施形態に対しては種々の変形が施される。具体的な変形の態様は以下の通りである。以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
<3. Modification>
Various modifications are made to the above embodiment. Specific modes of deformation are as follows. The following aspects may be appropriately combined.

(1)上記の実施形態では、アンテナ120,122の全体がアレイ基板102の製造と同時に形成されているが、アンテナの一部だけをアレイ基板102と同時に製造し、アンテナの他の部分がアレイ基板102とは別個に製造して、アレイ基板102上のアンテナの部分と接続してもよい(例えば、他のフィルムや板の上に形成されていてもよい)。 (1) In the above embodiment, the entire antennas 120 and 122 are formed at the same time as the manufacture of the array substrate 102. However, only a part of the antenna is manufactured at the same time as the array substrate 102, and the other part of the antenna is an array. It may be manufactured separately from the substrate 102 and connected to a portion of the antenna on the array substrate 102 (for example, it may be formed on another film or plate).

(2)図18および図19に示す携帯型電子機器140,150には、第1の通信モードと第2の通信モードとを切り替えるボタンが設けられている。但し、通信モードの切り替えを行わずに、第1のアンテナ120とICチップ124を有する非接触通信装置と、第2のアンテナ122とICチップ126を有する非接触通信装置の両方を継続的に同時に使用するようにしてもよい。すなわち両方の周波数帯を使用して別個の種類の通信を継続的に行うようにしてもよい。 (2) The portable electronic devices 140 and 150 shown in FIGS. 18 and 19 are provided with buttons for switching between the first communication mode and the second communication mode. However, both the non-contact communication apparatus having the first antenna 120 and the IC chip 124 and the non-contact communication apparatus having the second antenna 122 and the IC chip 126 are continuously and simultaneously performed without switching the communication mode. It may be used. That is, separate types of communication may be continuously performed using both frequency bands.

(3)上記の実施形態においては、一つの電気光学装置が二つのアンテナ120,122およびICチップ124,126を有するが、アンテナおよびICチップの個数を実施形態に限定する意図ではない。三つ以上のアンテナおよびICチップを設けることも可能である。電気光学装置の表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材のいずれをアンテナの導電層と同じ層にするのかも実施形態に限定されずに、変更してよい。 (3) In the above embodiment, one electro-optical device has the two antennas 120 and 122 and the IC chips 124 and 126, but the number of antennas and IC chips is not intended to be limited to the embodiment. It is also possible to provide more than two antennas and IC chips. Whether the conductive material or the semiconductor material constituting the display unit of the electro-optical device or the display unit drive wiring is made the same layer as the conductive layer of the antenna is not limited to the embodiment and may be changed.

本発明の実施形態に係る電気光学装置である液晶表示パネルを示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display panel that is an electro-optical device according to an embodiment of the invention. 本発明の実施形態において、アンテナを形成しながら液晶表示パネルのアレイ基板を製造する方法の最初の工程を示す断面図である。In embodiment of this invention, it is sectional drawing which shows the 1st process of the method of manufacturing the array board | substrate of a liquid crystal display panel, forming an antenna. 図2の次の工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 2. 図3の次の工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 3. 図4の次の工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 4. 図5の次の工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 5. 図6の次の工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 6. 図7の次の工程を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 7. 図8の次の工程を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the next step of FIG. 8. 図9の次の工程を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 9. 図10の次の工程を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a step subsequent to FIG. 10. 前記方法で製造されたアレイ基板の一例の透視斜視図である。It is a see-through | perspective perspective view of an example of the array substrate manufactured by the said method. 前記方法で製造されたアレイ基板の他の例の透視斜視図である。It is a see-through | perspective perspective view of the other example of the array substrate manufactured by the said method. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the pattern of the antenna which can be manufactured by this invention. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of the pattern of the antenna which can be manufactured by this invention. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of the pattern of the antenna which can be manufactured by this invention. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの他の例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of the pattern of the antenna which can be manufactured by this invention. 本発明の実施形態に係る電気光学装置を備える携帯型電子機器を示す正面図である。1 is a front view illustrating a portable electronic device including an electro-optical device according to an embodiment of the invention. (A)は本発明の実施形態に係る電気光学装置を備える他の携帯型電子機器の開いた状態を示す正面図であり、(B)はこの携帯型電子機器の閉じた状態を示す背面図である。(A) is a front view which shows the open state of the other portable electronic device provided with the electro-optical apparatus which concerns on embodiment of this invention, (B) is a rear view which shows the closed state of this portable electronic device. It is.

符号の説明Explanation of symbols

10…支持基板、12…アンテナ最下層、14…遮光層、16…下地絶縁層、18…アンテナコンタクトホール、20…アンテナ中間層、22…トランジスタ能動層、23…ゲート絶縁膜、24…熱酸化シリコン膜、26…高温酸化シリコン膜(HTO膜)、28…アンテナコンタクトホール、30…アンテナ最上層、32…ゲート電極(走査線)、34…層間絶縁膜、36…ソース電極、37…ドレイン電極、38…アンテナ最下層、40…層間絶縁膜、42…アンテナコンタクトホール、46…容量電極、48…アンテナ中間層、50…層間絶縁膜、52…アンテナ中間層、54…ソース電極(データ線)、55…ドレイン電極、56…層間絶縁膜、58…アンテナ最上層、100…電気光学装置、102…アレイ基板、104…対向基板、110…画素電極、112…共通電極、120…第1のアンテナ、122…第2のアンテナ、124,126…ICチップ、140…携帯型電子機器、150…携帯型電子機器、152…主画面、154…副画面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Support substrate, 12 ... Antenna bottom layer, 14 ... Light shielding layer, 16 ... Underlayer insulating layer, 18 ... Antenna contact hole, 20 ... Antenna intermediate layer, 22 ... Transistor active layer, 23 ... Gate insulating film, 24 ... Thermal oxidation Silicon film, 26 ... high temperature silicon oxide film (HTO film), 28 ... antenna contact hole, 30 ... antenna top layer, 32 ... gate electrode (scanning line), 34 ... interlayer insulating film, 36 ... source electrode, 37 ... drain electrode 38 ... antenna bottom layer, 40 ... interlayer insulating film, 42 ... antenna contact hole, 46 ... capacitive electrode, 48 ... antenna intermediate layer, 50 ... interlayer insulating film, 52 ... antenna intermediate layer, 54 ... source electrode (data line) 55 ... Drain electrode, 56 ... Interlayer insulating film, 58 ... Antenna top layer, 100 ... Electro-optical device, 102 ... Array substrate, 104 ... Opposing group 110 ... Pixel electrode, 112 ... Common electrode, 120 ... First antenna, 122 ... Second antenna, 124,126 ... IC chip, 140 ... Portable electronic device, 150 ... Portable electronic device, 152 ... Main screen 154 ... Sub-screen.

Claims (10)

表示部および前記表示部を駆動する表示部駆動配線が設けられた少なくとも一つの基板と、
各々の少なくとも一部が前記基板に配置された複数の独立したアンテナと、
前記複数のアンテナにそれぞれ電気的に接続され、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する複数の通信回路とを備え、
前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ層にある電気光学装置。
At least one substrate provided with a display unit and a display unit drive wiring for driving the display unit;
A plurality of independent antennas each at least a portion of which is disposed on the substrate;
A plurality of communication circuits that are electrically connected to the plurality of antennas and control transmission / reception of data via the connected antennas;
An electro-optical device in which a portion of each of the plurality of antennas arranged on the substrate is in the same layer as a conductive material or a semiconductor material constituting the display portion or the display portion drive wiring.
表示部および前記表示部を駆動する表示部駆動配線が設けられた少なくとも一つの基板と、
各々の少なくとも一部が前記基板に配置された複数の独立したアンテナと、
前記複数のアンテナにそれぞれ電気的に接続され、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する複数の通信回路とを備え、
前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材から形成されている電気光学装置。
At least one substrate provided with a display unit and a display unit drive wiring for driving the display unit;
A plurality of independent antennas each at least a portion of which is disposed on the substrate;
A plurality of communication circuits that are electrically connected to the plurality of antennas and control transmission / reception of data via the connected antennas;
An electro-optical device in which a portion of each of the plurality of antennas arranged on the substrate is formed of the same conductive material or semiconductor material as that of the display portion or the display portion drive wiring.
前記複数のアンテナの少なくとも一つは、導電体または半導体材からなる複数の導電層から形成されている請求項1または請求項2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the plurality of antennas is formed from a plurality of conductive layers made of a conductor or a semiconductor material. 互いに近接し合う前記導電層が複数の接続部で互いに電気的に接続されている請求項3に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 3, wherein the conductive layers adjacent to each other are electrically connected to each other through a plurality of connecting portions. 請求項1または請求項2に記載の電気光学装置を製造する方法であって、
前記基板に前記表示部駆動配線を形成する工程と、
前記基板に前記表示部を形成する工程と、
前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導電体材と同じ導電材または半導体材により、前記アンテナのうち前記基板に配置された部分を形成する工程とを備える電気光学装置の製造方法。
A method for manufacturing the electro-optical device according to claim 1, comprising:
Forming the display unit drive wiring on the substrate;
Forming the display on the substrate;
Simultaneously with the step of forming the display portion or the display portion drive wiring, the substrate of the antenna is made of the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductive material constituting the display portion or the display portion drive wiring. Forming a portion disposed in the electro-optical device.
前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により、前記複数の通信回路のうち少なくとも一つを形成する工程をさらに備える請求項5に記載の電気光学装置の製造方法。   Simultaneously with the step of forming the display unit or the display unit drive wiring, at least of the plurality of communication circuits by the same conductive material or semiconductor material as the conductive material or semiconductor material constituting the display unit or the display unit drive wiring. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, further comprising a step of forming one. 前記複数のアンテナの各々のうち少なくとも一つは、前記アンテナの各々の部分を構成していない層と重ならない位置に形成されている請求項1または請求項4に記載の電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of each of the plurality of antennas is formed at a position that does not overlap with a layer that does not constitute each part of the antenna. 前記複数のアンテナのうち少なくとも一つは、前記表示部または前記表示部駆動配線と重ならない位置に形成されている請求項1または請求項4に記載の電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the plurality of antennas is formed at a position that does not overlap the display unit or the display unit drive wiring. 前記複数のアンテナのうち少なくとも一つは、前記複数のアンテナのうちの他のアンテナと互いに重ならない位置に形成されている請求項1または請求項4に記載の電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the plurality of antennas is formed at a position that does not overlap with another antenna of the plurality of antennas. 請求項1ないし請求項4のうちいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP2004212604A 2004-05-11 2004-07-21 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus Withdrawn JP2005352434A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004212604A JP2005352434A (en) 2004-05-11 2004-07-21 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004141106 2004-05-11
JP2004212604A JP2005352434A (en) 2004-05-11 2004-07-21 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005352434A true JP2005352434A (en) 2005-12-22

Family

ID=35586930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004212604A Withdrawn JP2005352434A (en) 2004-05-11 2004-07-21 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005352434A (en)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007105607A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007108371A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2007257548A (en) * 2006-03-24 2007-10-04 Matsushita Electric Works Ltd Authentication system
JP2008058554A (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Sony Corp Display device
JP2009020835A (en) * 2007-07-13 2009-01-29 Murata Mfg Co Ltd Radio ic device
JP2009025855A (en) * 2007-07-17 2009-02-05 Murata Mfg Co Ltd Wireless ic device
US7759788B2 (en) 2007-08-30 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
JP2010204772A (en) * 2009-02-27 2010-09-16 Dainippon Printing Co Ltd Electronic apparatus manufacturing method, and electronic apparatus and electronic device
US7808206B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US7839124B2 (en) 2006-09-29 2010-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power storage device comprising battery, semiconductor device including battery, and method for operating the wireless power storage device
US7932589B2 (en) 2007-07-27 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011095982A (en) * 2009-10-29 2011-05-12 Fujitsu Frontech Ltd Communication system, method for producing rfid tag, and the rfid tag
US8344888B2 (en) 2006-08-31 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8463332B2 (en) 2006-08-31 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless communication device
JP5225458B2 (en) * 2009-03-05 2013-07-03 シャープ株式会社 LCD panel
US8692653B2 (en) 2006-03-15 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014160388A (en) * 2013-02-20 2014-09-04 Sato Holdings Corp Point management device
US9022293B2 (en) 2006-08-31 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and power receiving device
US9711994B2 (en) 2014-01-31 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its operation system
US9710033B2 (en) 2014-02-28 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8232880B2 (en) 2006-03-10 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007105607A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7710270B2 (en) 2006-03-15 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
WO2007108371A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8692653B2 (en) 2006-03-15 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2007257548A (en) * 2006-03-24 2007-10-04 Matsushita Electric Works Ltd Authentication system
JP2008058554A (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Sony Corp Display device
US9022293B2 (en) 2006-08-31 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and power receiving device
US9531214B2 (en) 2006-08-31 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and power receiving device
US8463332B2 (en) 2006-08-31 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless communication device
US10256669B2 (en) 2006-08-31 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and power receiving device
US8344888B2 (en) 2006-08-31 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7839124B2 (en) 2006-09-29 2010-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power storage device comprising battery, semiconductor device including battery, and method for operating the wireless power storage device
US7928697B2 (en) 2006-09-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power storage device, semiconductor device including the wireless power storage device, and method for operating the same
US8169192B2 (en) 2006-09-29 2012-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power storage device, semiconductor device including the wireless power storage device, and method for operating the same
US7898215B2 (en) 2006-10-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US10910884B2 (en) 2006-10-31 2021-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US7808206B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US11621443B2 (en) 2006-10-31 2023-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US8674655B2 (en) 2006-10-31 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US9831707B2 (en) 2006-10-31 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US8054037B2 (en) 2006-10-31 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US10658877B2 (en) 2006-10-31 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US11929470B2 (en) 2006-10-31 2024-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
US12300794B2 (en) 2006-10-31 2025-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric power charge and discharge system
JP2009020835A (en) * 2007-07-13 2009-01-29 Murata Mfg Co Ltd Radio ic device
JP2009025855A (en) * 2007-07-17 2009-02-05 Murata Mfg Co Ltd Wireless ic device
US8872331B2 (en) 2007-07-27 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9412060B2 (en) 2007-07-27 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7932589B2 (en) 2007-07-27 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7759788B2 (en) 2007-08-30 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
JP2010204772A (en) * 2009-02-27 2010-09-16 Dainippon Printing Co Ltd Electronic apparatus manufacturing method, and electronic apparatus and electronic device
JP5225458B2 (en) * 2009-03-05 2013-07-03 シャープ株式会社 LCD panel
JP2011095982A (en) * 2009-10-29 2011-05-12 Fujitsu Frontech Ltd Communication system, method for producing rfid tag, and the rfid tag
JP2014160388A (en) * 2013-02-20 2014-09-04 Sato Holdings Corp Point management device
US10530189B2 (en) 2014-01-31 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its operation system
US11043851B2 (en) 2014-01-31 2021-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its operation system
US12271241B2 (en) 2014-01-31 2025-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device including two batteries and two display panels
US9711994B2 (en) 2014-01-31 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its operation system
US10809784B2 (en) 2014-02-28 2020-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11474646B2 (en) 2014-02-28 2022-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US10139879B2 (en) 2014-02-28 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11899886B2 (en) 2014-02-28 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9710033B2 (en) 2014-02-28 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US12197682B2 (en) 2014-02-28 2025-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005352434A (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US12086348B2 (en) Display apparatus
US11340744B2 (en) Touch sensor and display device including the same
US10845905B2 (en) Display device
US9158398B2 (en) Display device having touch screen sensing function
JP4445343B2 (en) IC tag mounted liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP3794411B2 (en) Display device and electronic device
US11782544B2 (en) Image display device with touch sensor and antenna electrode at the same level
US7692378B2 (en) Display device including an insulating layer with an opening
CN101322170B (en) Display module and electronic device using the same
US20110090194A1 (en) Pixel array and display panel having the same
CN111381712A (en) Display device with integrated antenna
CN112349211A (en) Display device and electronic apparatus
JP7583146B2 (en) Light-emitting device
JP2011028115A (en) Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2002245443A (en) Fingerprint image input device provided with display function
US12414440B2 (en) Display device
KR20250114469A (en) Display apparatus
JP2006114954A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
CN119206803A (en) Electronic Devices
CN113272965A (en) Display panel and display device
US11574592B2 (en) Display device
US20060046374A1 (en) Conducting line terminal structure for display device
KR102510942B1 (en) Organic light emitting display device
JP4023507B2 (en) Display device and electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20071002