JP2005222751A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、有機薄膜層が均一で良好な接合界面を有し、発光効率や耐久性にも優れる有機電界発光素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】押圧部材上に有機薄膜層が真空製膜法により形成された転写材料を用い、前記有機薄膜層側が電極を有する第一の基板の電極側と対面するように、前記転写材料と前記第一の基板とを重ねて加圧し、前記押圧部材を引き剥がすことにより前記第一の基板上に前記有機薄膜層を転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機薄膜層の少なくとも一層が発光性有機薄膜層であり、前記発光性有機薄膜層が電子輸送性材料、正孔輸送材料及び発光材料を含む有機電界発光素子の製造方法。該方法により得られる有機電界発光素子。
【選択図】 なし

Description

本発明はフルカラーディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンター等の光源アレイ等に有効に利用できる有機電界発光素子（以下、有機電界発光素子及び有機ＥＬ素子ともいう。）の製造方法、及びその製造方法により作製される有機電界発光素子に関する。

有機物質を使用した有機電界発光素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機電界発光素子は、発光性有機薄膜層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光性有機薄膜層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。

このような有機電界発光素子の場合、無機ＬＥＤ素子や蛍光管に比べ駆動耐久性が劣っているという大きな問題がある。
耐久性劣化の原因としては、水分や酸素の侵入によるダークスポットの増加、電極の剥がれ等の外因的要因、材料の電気化学的な酸化還元による分解、結晶化、ホスト材料や発光材料の励起子からの分解等の内因的要因が挙げられる。外因的要因については、素子作成工程、封止工程、封止方法により改良される。内因的要因の改良については、様々な材料や素子構成の検討が行われている。例えば、発光性有機薄膜層に用いられる電子輸送性ホスト材料（特にアルミキノリン錯体）の正孔に対する安定性を増す目的で正孔輸送材料を添加し両極性化して高耐久化を図った例（非特許文献１参照）、同様に発光性有機薄膜層を両極性化し、正孔輸送性化合物として特定のアントラセン誘導体を用いて高耐久化を図った例（特許文献１参照）、発光性有機薄膜層内の正孔輸送性ホスト材料と電子輸送性ホスト材料、発光材料のエネルギーギャップを規定して励起子のエネルギー移動を容易にして高耐久化を図った例（特許文献２、３及び４参照）等を挙げることができる。

しかしながらこれらの文献では、正孔輸送性有機薄膜層の正孔輸送材料と発光性有機薄膜層の正孔輸送材料とを同じ材料を用いたり、また電子輸送性有機薄膜層の電子輸送材料と発光性有機薄膜層の電子輸送材料とを同じ材料を用いたりしている。また異なる場合でもイオン化ポテンシャルや電子親和力が同程度の大きさの材料を用いているため、正孔や電子のつつ抜けがが起こり、そのため発光効率の低下を招き、耐久性の改良には限度があるものであった。
そのため、上記のような正孔や電子のつつ抜けが起こらず、発光効率が高くて、耐久性が優れている有機電界発光素子の実現が強く望まれている。

ところで、有機電界発光素子の有機薄膜形成の多くは蒸着法により製造されている。有機薄膜層の形成方法としては、マイカ又はフイルムの仮基板上に予め有機薄膜層を均一に蒸着法により形成し、次いで基板と有機薄膜層を近接させ、加熱蒸着する方法が提案されている（例えば、特許文献５及び６参照）。しかしながら、これらの方法では、基板上に有機薄膜層を蒸着させる際に有機薄膜層のパターニングのためマスクを用いており、このマスクと基板上の被形成面とに隙間が生じるため、有機薄膜層の製膜部分と非製膜部分との境界（輪郭）部分で、膜厚が均一にならず、発光が不均一になったり、ショートなどを発生しやすいという問題がある。

有機電界発光素子を作製する他の方法としては、有機薄膜と光熱変換層を有するドナーシートを用い、レーザーにより基板上に熱転写する方法が提案されている（例えば、特許文献７参照）。ところがこのような熱転写の場合、有機薄膜層の界面の状態により有機ＥＬ素子の発光効率や耐久性、更に発光面状の均一性が異なり、有機薄膜層の接合界面に気体が巻き込まれると、素子機能が悪化するという問題がある。

有機電界発光素子を作製するさらに別の方法としては、押圧部材と仮支持体上に有機薄膜層が設けられた転写材料とを用い、熱及び／又は圧力により基板上に有機薄膜層を転写する方法が提案されている（例えば、特許文献８参照）。ところがこのような転写の場合、仮支持体が熱及び／又は圧力により変形してしまい、転写後の仮支持体は繰り返し用いることができず、コスト面や廃材が多量に発生してしまう点が問題である。更に、転写層をパターン状に形成する場合、押圧部材の凸形状が仮支持体の厚みで緩和されるために、凸形状の鮮明性が欠け、微細なパターンを正確に形成しづらいという問題がある。なお、この場合、仮支持体自身に凸部を形成すると、廃材となる仮支持体が安価に製造できないという問題が生じる。
特開２００１−２８４０５０号公報 特開２００２−１９８１８３号公報 特開２００２−２６０８６１号公報 米国特許５８５３９０５号明細書 特開平９−１６７６８４号公報 特開２０００−１９５６６５号公報 国際公開第００／４１８９３号パンフレット 特開２００２−２８９３４６号公報 アプライド フィジクス レターズ，1999年，75巻，172頁

本発明者等は鋭意研究を行った結果、上記問題点を改良する有機電界素子を作製する方法として、押圧部材上に有機薄膜層が真空製膜法により形成された転写材料を用い、前記有機薄膜層側が電極を有する第一の基板の電極側と対面するように、前記転写材料と前記第一の基板とを重ねて加圧し、前記押圧部材を引き剥がすことにより前記第一の基板上に前記有機薄膜層を転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法を見出した（特願２００２−１６６５３３）。しかし、転写工程を速く行うために転写時の加熱温度を高くすると、有機薄膜層の素材が熱により影響を受けて結晶化を引き起こし、そのため駆動時の耐久性が悪化するという問題があることが判明した。

したがって、上記の状況に鑑み、本発明の目的は、有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、有機薄膜層が均一で良好な接合界面を有し、発光効率や耐久性にも優れる有機電界発光素子を製造する方法を提供することである。
また、本発明の目的は、均一な有機薄膜層を簡便で効率良く形成でき、発光効率や耐久性に優れる有機電界発光素子、さらには微細なパターンを有し高精細な有機薄膜層を形成でき、さらにまた素材の凝集や熱による結晶化を起こさず均一な有機薄膜層を形成できる有機電界発光素子の製造方法を提供することである。
さらに、本発明の目的は、発光輝度が高く、発光効率及び耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。
（１）押圧部材上に少なくとも一層の有機薄膜層が真空製膜法により形成された転写材料を用い、前記有機薄膜層側が電極を有する第一の基板の電極側と対面するように、前記転写材料と前記第一の基板とを重ねて加圧し、前記押圧部材を引き剥がすことにより前記第一の基板上に前記有機薄膜層を転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機薄膜層の少なくとも一層が発光性有機薄膜層であり、前記発光性有機薄膜層が電子輸送性材料、正孔輸送材料及び発光材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
（２）前記押圧部材の線熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（３）前記押圧部材が、有機薄膜層が設けられる面に凸部を有していることを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（４）前記押圧部材の有機薄膜層が設けられる面が、表面撥水処理が施された又は剥離層が設けられた面であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
（５）前記押圧部材の剥離層がケイ素含有化合物、フッ素含有化合物、ワックス、無機フィラー、有機フィラー、界面活性剤及び金属石鹸からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有することを特徴とする上記（４）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（６）前記発光性有機薄膜層中の電子輸送材料が金属錯体化合物であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
（７）前記発光性有機薄膜層中の正孔輸送材料が縮合芳香族化合物であることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
（８）前記発光性有機薄膜層中の正孔輸送材料が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。

一般式（１）中、Ａｒは多価の芳香族環基を表し、Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹はそれぞれ独立にアリーレン基を表し、Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²はそれぞれ独立に置換基又は水素原子を表す。ただし、Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹、Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²の少なくとも２つは３環以上の縮合芳香族炭素環又は縮合芳香族複素環である。

（９）前記発光性有機薄膜層中の正孔輸送材料が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。

一般式（２）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に、アリール基、炭素数１〜２４のアルキル基、又は水素原子を表す。

（１０）前記第一の基板上に転写された前記有機薄膜層上に、電極を有する第二の基板の電極側を貼り合せる工程をさらに有することを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
（１１）一対の電極間に有機薄膜層を有する有機電界発光素子であって、上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の製造方法により得られることを特徴とする有機電界発光素子。
（１２）前記有機薄膜層が電子輸送性有機薄膜層を有し、前記電子輸送性有機薄膜層中の電子輸送材料が分子内にヘテロ原子を１個以上有する芳香族ヘテロ環化合物であることを特徴とする上記（１１）に記載の有機電界発光素子。
（１３）電極を有する第一の基板及び第二の基板の少なくとも一方の基板及び該基板が有する電極が透明であることを特徴とする上記（１１）または（１２）に記載の有機電界発光素子。

本発明によれば、耐久性が極めて優れ、かつ発光輝度、発光効率が極めて高い有機電界発光素子を非常に簡便な方法で高精細に作製することができる。
本発明によれば、特に下記の優れた効果を有する。
（１）真空製膜法の採用により、転写材料が押圧部材の凸部上に選択的に存在するために、凸部の転写材料のみが転写されるためにパターンの端切れがよく、微細加工が求められる有機電界発光素子にとっては有効である。
（２）マスクを用いる従来の蒸着法では、押圧部材上の端部の転写材料が薄くなり、厚い部分より抵抗が低く電流が流れやすくなり短絡が多くなるが、本発明では均一に転写材料が押圧部材の凸部上に形成されるために短絡が極めて少なくなる。
（３）圧力をかけても変形を抑えることのできる厚みや剛性を備える押圧部材は、繰り返し利用が可能となり廃棄物が少なくなる。
（４）本発明では、有機層の少なくとも一層が発光性有機層であり、前記発光性有機層が電子輸送性材料、正孔輸送材料、及び発光材料を含む（ダブルホスト）層を採用するために、転写するときの熱や圧力により、発光層の有機材料が結晶化しにくいために層中での短絡などが発生しにくく、有機電界発光素子の耐久性向上に有効である。

本発明の有機電界発光素子の製造方法は、転写面の全面を均一に押圧できる押圧部材上に少なくとも一層の有機薄膜層が真空製膜法により形成された転写材料を用い、転写材料の有機薄膜層が一部又は全面に電極を有する第一の基板の電極側に対面するように、転写材料と第一の基板とを重ねて加圧し、押圧部材を引き剥がすことにより有機薄膜層を第一の基板の電極側に均一に転写する工程を有する方法（剥離転写法）であり、同一又は異なる組成の有機薄膜層を有する一種以上の転写材料を使用するか、同一又は異なる組成の一種以上の有機薄膜層を有する転写材料を使用することにより、第一の基板上に少なくとも一層の有機薄膜層を転写し、有機薄膜層の少なくとも一つが発光性有機薄膜層であり、発光性有機薄膜層中に少なくとも一種の電子輸送性材料、少なくとも一種の正孔輸送材料、及び少なくとも一種の発光材料を含むことを特徴とする。
本発明の製造方法では、転写材料として有機薄膜層を設けた押圧部材を用いているので、電子輸送材料、正孔輸送材料及び発光材料を含む発光性有機薄膜層を均一な膜厚で形成でき、発光効率や耐久性に優れ、有機薄膜層全面からのムラなく発光する素子を得ることができる。また、仮支持体を用いず押圧部材を直接転写材料に用いているため、有機薄膜層を効率良く転写でき、さらに繰り返し使用することができコスト面でも有利である。

本発明の製造方法で用いる押圧部材の線熱膨張係数は２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。線熱膨張係数が小さく、耐熱性の高い押圧部材を使用することにより、転写を高温で行い製造速度を速くすることができる。さらに、押圧部材の耐久性もよくなる。

押圧部材は、有機薄膜層を設ける面に凸部を有していることができる。凸部を有すると、有機薄膜層の高精細なパターン形成に有利であり、特にパターン端部における有機薄膜層の端切れを良くし膜厚の変動を小さくすることができる。
また、押圧部材の有機薄膜層を設ける面、すなわち押圧部材表面又は凸部表面には、表面撥水処理を施す又は剥離層を設けることが、均一で良好な接合界面を有する有機薄膜層を得る上で好ましく、剥離層としてはケイ素含有化合物、フッ素含有化合物、ワックス、無機フィラー、有機フィラー、界面活性剤及び金属石鹸からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有することが好ましい。

本発明の製造方法では、さらに、有機薄膜層が転写された第一の基板の有機薄膜層上に一部又は全面に電極を有する第二の基板の電極側を貼り合せる工程を組み合わせることができる。また、第一の基板と第二の基板の両方又はどちらか一方の電極側表面に有機薄膜層を有していてもよい。

以下、まず、転写材料を説明し、次いで有機電界発光素子の製造方法を説明し、最後に有機電界発光素子を説明する。

［１］転写材料
（１）構成
転写材料は、押圧部材と押圧部材上に形成された有機薄膜層とを少なくとも有する。有機薄膜層は押圧部材の表面上に少なくとも一層形成されている。複数の有機薄膜層を転写する場合は、有機薄膜層を設けた転写材料は、個々独立した転写材料として作製してもよいし、面順次に設けてもよい。すなわち、進行方向順に複数の有機薄膜層を１枚の押圧部材上に設けてもよい。この面順次の転写材料を使用すれば、転写材料の交換の必要なしに、複数の有機薄膜層を連続的に形成することができる。

押圧部材の表面上に２層以上の有機薄膜層を予め積層した転写材料を使用すれば、１回の転写工程で基板に少なくとも電極が形成された第一の基板の被成膜面に多層膜を積層することができる。押圧部材の表面上に予め積層する場合、積層される各有機薄膜層の界面が均一でないと正孔や電子の移動にムラが生じてしまうので、界面を均一にするために製膜条件を慎重に選ぶ必要がある。

基板上に少なくとも電極が形成された第一及び第二の基板の少なくとも一つに複数の有機薄膜層を形成する場合、本発明の剥離転写法に加え、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の湿式製膜法、印刷法等を併用することもできる。

（２）押圧部材
転写面の全面を均一に押圧できる押圧部材は透明又は不透明のいずれのものも用いることができる。但し、多色のために押圧部材側から観察して位置を合わせる場合、散乱、減衰を抑えるため無色透明であることが好ましい。押圧部材の材料は必要な物性を満足すれば特に限定されない。具体的には、イットリウムF安定化ジルコニア（YSZ）、ガラス等からなる無機材料シート、アルミニウム、銅、ステンレス、金、銀等からなる金属箔、ポリイミド、液晶性ポリマー、フッ素樹脂［例えば４フッ化エチレン樹脂（PTFE）、３フッ化塩化エチレン樹脂（PCTFE）等］、ポリエチレンナフタレート（PEN）、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン（PES）、硬質塩化ビニル等からなるプラスチックシート、これらの積層体等が挙げられる。中でも加工のしやすさやコストの点からガラス板、ステンレス箔、ポリイミドシート、ポリカーボネートシート等が好ましい。

本発明に用いる押圧部材の構造、大きさ等は特に制限されず、製造設備の仕様、目的等に応じて適宜選択することができる。押圧部材の厚さは製造設備に組み込まれる仕様に合わせて適宜選択することができる。押圧部材の形状は、ロール、板状又はシート状が好ましい。押圧部材は、シート状の場合可撓性があっても連続ウエブであってもよい。

押圧部材を用いた転写工程の好ましい実施形態を図１及び図２に示す。図１はロールの場合を示し、図２はシート状の場合を示す。図１に示す例では、ロール状に作製した押圧部材1100に有機薄膜層1101を設けた転写材料1102と、被転写材料1103を重ねて転写する。図２に示す例では、シート状に作製した押圧部材1100により転写面の全面を均一に押圧して転写する。

前述のとおり、本発明の押圧部材は凸部を有することが好ましい。凸部高さの好ましい範囲は有機薄膜層の膜厚や転写圧力や被転写材料（有機薄膜層）と転写材料の弾性により異なるが、有機薄膜層膜厚の０．１倍から１００，０００倍が好ましく、更に好ましくは１倍から１０，０００倍、特に好ましくは１０倍から５，０００倍である。０．１倍未満では被成膜面全面と接触するため、重ねた時に気泡が入り易い（気泡の抜け道がない）という問題があり、１００，０００倍を超えると凸部分が繰り返し使用する時に折れたりするので好ましくない。
また、凸部でなく凹部に有機薄膜層を設ける場合、作製時に材料ロスが生じるため好ましくない。また、凸部でなく孔を設ける場合、有機薄膜が孔の中に残り材料ロスが生じるため好ましくない。

本発明の有機薄膜層が形成された押圧部材を用いる転写工程を図３及び図４に示す。凸部自身のパターン形状や、凸間の距離や間隔から形成されるパターン形状は、特に限定されることはない。
（ａ）：有機薄膜層の形成工程
図３に示すように、本発明の凸部表面を有する押圧部材101を用意する（図３（ａ））。次に、真空槽（ベルジャー）301内にて、有機薄膜層形成用組成物302を蒸発源303に設置加熱して、有機薄膜層形成用組成物302を蒸着させて、凸部を有する押圧部材101上に真空製膜することにより、有機薄膜層203を有する転写材料204を作製する（図３（ｂ）：真空製膜工程）。

（ｂ）：転写工程
続いて、図４に示すように、作製した転写材料204と電極を有する第一の基板である被転写材料205とを、有機薄膜層を間に挟んで重ねて（多色の場合、位置合わせもする）、加圧工程（図４（ｂ））を行い、押圧部材を剥離する（図４（ｃ）：剥離工程）。加圧工程においては、同時に加熱してもよい。

本発明の製造方法では、多色パターンの有機薄膜層を有する有機電界発光素子を形成することができる。図５に多色パターンを有する被転写材料（３色の例）を示す。図５に示すような色違いの有機薄膜層（３色の場合、例：赤、青、緑）207〜209からなる多色パターンを有する被転写材料210は、有機薄膜層の形成工程（ａ）と転写工程（ｂ）を繰り返し行うことで作製することができる。

本発明の押圧部材の熱線膨張係は２０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。熱膨張係数は、一定速度で加熱し、試料の長さの変化を検知する方法（例えばＴＭＡ法）により測定することができる。熱線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃よりも大きいと、貼合わせ工程や使用時の熱等で電極や有機薄膜層の剥がれの原因となり、耐久性悪化の原因となる。

本発明に用いる押圧部材は、被転写材料と接触する面に表面撥水処理を施すか、剥離層を設けることが好ましい。
剥離層とは、離型効果を有する成分（離型剤）を含む層である。離型効果とは、転写材料を基板に重ねて加圧し、押圧部材を引き剥がすときに有機薄膜層が押圧部材側に融着せず、効率よく基板に転写される効果である。

本発明の表面撥水処理としては、フッ素化処理を挙げることができる。フッ素化処理としては、フロロカーボンガス（CF₄ガス等）を用いたプラズマ処理や、フッ素アルキルカップリング剤（例えばパーフルオロアルキル官能性シラン、好ましくはパーフロロアルキルトリメトシキシラン等）の蒸気に曝す方法等が挙げられる。

剥離層としては発光等の性能を悪くしなければ特に限定されないが、剥離層がケイ素含有化合物、フッ素含有化合物、ワックス、無機フィラー、有機フィラー、界面活性剤及び金属石鹸からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有することが好ましい。

剥離層を形成する材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリスチレン等のビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチレン、プロピレン等のオレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体、アイオノマー、エチルセルロース、酢酸セルロース等のセルロース系樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。中でもビニル系樹脂及びポリエステル系樹脂が好ましい。これらの樹脂は単独でも用いても２種以上を混合して用いてもよい。

また、剥離層を形成する材料は熱又は紫外線による付加重合又は開環重合により樹脂を形成する化合物、例えば紫外線硬化性有機化合物、電子線硬化性有機化合物、又は熱硬化性有機化合物であってもよく、紫外線や電子線、熱により硬化されていてもよい。
紫外線硬化性有機化合物、電子線硬化性有機化合物、又は熱硬化性有機化合物となるモノマーは特に限定されず、付加重合性を有する化合物としてはエチレン性不飽和結合を有する化合物等が挙げられ、開環重合性を有する化合物としてはエポキシ基を有する化合物等が挙げられる。

付加重合性を有するエチレン性不飽和結合を有する化合物は、好ましくは炭素−炭素不飽和結合を一個以上有するエチレン性不飽和基を有する化合物であり、例えばアクリル酸及びその塩、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸及びその塩、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、マレイン酸エステル類、イタコン酸エステル類、スチレン類、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、Ｎ−ビニル複素環類、アリルエーテル類、アリルエステル類及びそれらの誘導体等が挙げられる。具体的にはアクリロイル基、メタクリロイル基、エタクリロイル基、アクリルアミド基、アリル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基等を含む化合物が挙げられる。これらのモノマーは単独で使用しても２種以上を併用してもよい。モノマーはエポキシ環を１個又は２個以上有する化合物、例えばグリシジルアクリレート等であってもよい。また、モノマーは上記化合物の単量体、オリゴマー及び高分子量体のいずれであってもよい。以下に代表的なモノマーを例示するが、これらに限定されるものではない。

剥離層は離型剤を含有してもよい。離型剤としては、ケイ素含有化合物（シラン化合物、シリコーンオイル、シリコーンゴム及びシリコーン樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましい。）、フッ素含有化合物（フッ素系界面活性剤、フッ素系オイル、フッ素ゴム及びフッ素樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましい。）、ワックス、無機及び／又は有機フィラー、界面活性剤、金属石鹸等が挙げられる。これらの離型剤は単独で用いても２種以上を併用してもよい。

離型剤は、押圧部材の表面及び／又は剥離層を形成する樹脂と反応する官能基を有していてもよい。例えば、押圧部材の表面及び／又は剥離層を形成する樹脂として水酸基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、アクリル基、メタクリル基等の反応性基を有する樹脂を用い、これら反応性基に、末端にカルボキシル基、水酸基、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するケイ素含有化合物、フッ素含有化合物等の上記離型剤を反応させることにより、押圧部材に剥離層を固定することができる。また、剥離層を形成する樹脂として水酸基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、アクリル基、メタクリル基等の反応性基を有する樹脂を用い、上記官能基を有するケイ素含有化合物、フッ素含有化合物等の上記離型剤を用いて剥離層内で反応させてもよい。剥離層内で架橋させることにより、剥離層が硬化し離型効果を高めることができる。官能基を有する離型剤は押圧部材の表面及び剥離層を形成する樹脂の両方に反応してもよい。

押圧部材表面の反応性基（水酸基等の親水基）はコロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン処理、火炎処理、グロー放電処理等の活性化処理によって形成してもよい。官能基を有する離型剤と押圧部材の表面及び／又は剥離層を形成する樹脂との反応は熱、光等により行うことができる。従って、押圧部材上に剥離層を形成した後、加熱乾燥する工程により反応を行うことができる。

上記官能基を有する離型剤としては、エポキシ変性、ビニル変性、アルキル変性、アミノ変性、カルボキシル変性、アルコール変性、フッ素変性、アルキルアラルキルポリエーテル変性、エポキシ・ポリエーテル変性、ポリエーテル変性等の変性シリコーンオイル、変性シリコーン樹脂、変性フッ素樹脂、変性フッ素ゴム等が挙げられる。

以下、本発明に用いる離型剤についてさらに詳細に説明する。
（Ａ）ケイ素含有化合物
（ａ）シラン化合物
シラン化合物としては、Si(OCH₃)₄、CH₃Si(OCH₃)₃、HSi(OCH₃)₃、(CH₃)₂Si(OCH₃)₂、CH₃Si(OCH₃)₂、C₆H₅Si(OCH₃)₃、Si(OC₂H₅)₄、CH₃Si(OC₂H₅)₃、(CH₃)₂Si(OC₂H₅)₂、H₂Si(OC₂H₅)₂、C₆H₅Si(OC₂H₅)₃、(CH₃)₂CHCH₂Si(OCH₃)₃、CH₃(CH₂)₁₁Si(OC₂H₅)₃、CH₃(CH₂)₁₅Si(OC₂H₅)₃、CH₃(CH₂)₁₇Si(OC₂H₅)₃、(CH₃)₃SiNHSi(CH₃)₃、((CH₃)₂SiNH)₂CO、tert-C₄H₉(CH₃)₂SiCl、HSC₃H₆Si(OCH₃)₃、シランカップリング剤、フッ素含有シラン化合物、イソシアネートシラン化合物、これらの加水分解物、部分加水分解物等が挙げられる。これらの中でフッ素含有シラン化合物としては、CF₃(CH₂)₂Si(OCH₃)₃、C₆F₁₃C₂H₄Si(OCH₃)₃、C₇F₁₅CONH(CH₂)₃Si(OC₂H₅)₃、C₈F₁₇C₂H₄Si(OCH₃)₃、C₈F₁₇C₂H₄SiCH₃(OCH₃)₂、C₈F₁₇C₂H₄Si(ON=C(CH₃)(C₂H₅))₃、C₉F₁₉C₂H₄Si(OCH₃)₃、C₉F₁₉C₂H₄Si(NCO)₃、(NCO)₃SiC₂H₄C₆F₁₂C₂H₄Si(NCO)₃、C₉F₁₉C₂H₄Si(C₂H₅)(OCH₃)₂、(CH₃O)₃SiC₂H₄C₈F₁₆C₂H₄Si(OCH₃)₃、(CH₃O)2(CH₃)SiC₉F₁₈C₂H₄Si(CH₃)(OCH₃)₂等が挙げられる。 またイソシアネートシラン化合物としては、(CH₃)₃SiNCO、(CH₃)₂Si(NCO)₂、CH₃Si(NCO)₃、ビニルシリルトリイソシアネート、C₆H₅Si(NCO)₃、Si(NCO)₄、C₂H₅OSi(NCO)₃、C₈H₁₇Si(NCO)₃、C₁₈H₃₇Si(NCO)₃、(NCO)₃SiC₂H₄(NCO)₃等が挙げられる。

（ｂ）シリコーンゴム
シリコーンゴムとしては、ミラブル型シリコーンゴム（ジメチル系、メチルビニル系、メチルフェニルビニル系、メチルフルオロアルキル系等）、及び液状シリコーンゴム（縮合型シリコーンゴム、付加型シリコーンゴム、紫外線硬化型シリコーンゴム等）が挙げられる。これらのシリコーンゴムは、エポキシ変性、ビニル変性、アミノ変性、カルボキシル変性、アルコール変性等の変性シリコーンゴムであってもよい。

（ｃ）シリコーン樹脂
シリコーン樹脂としては、一般に高重合度のシリコーンレジンと比較的低分子量のシリコーンワニスが挙げられる。シリコーンワニスとしては、シリコーンアルキドワニス、シリコーンエポキシワニス、シリコーンポリエステルワニス、これらとアクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂等を反応させた変性ワニス等が挙げられる。シリコーン樹脂は、エポキシ変性、ビニル変性、アミノ変性、カルボキシル変性、アルコール変性等の変性シリコーン樹脂であってもよい。

（ｄ）シリコーンオイル
シリコーンオイルとしては、ジメチルポリシロキサンやメチルフェニルポリシロキサンタイプのシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、分子中に反応基を導入した変性シリコーンオイル等が挙げられる。

変性シリコーンオイルは、カルボキシル変性、アミノ変性、エポキシ変性、ポリエーテル変性、アルキル変性等の変性シリコーンオイルを用いることができる。例えば、「変性シリコーンオイル」技術資料（信越シリコーン（株）発行）の６〜18B頁に記載の変性シリコーンオイルを挙げることができる。有機溶剤系の剥離層形成樹脂に添加する場合は、樹脂の反応性基（例えばイソシアネート）と反応しうる基を有するアミノ変性シリコーンオイルが好ましく、また水溶性樹脂中に乳化分散して添加する場合は、カルボキシル変性シリコーンオイル（例えば信越シリコーン（株）製：商品名X-22-3710）が好ましい。変性シリコーンオイルとしては、例えば以下の骨格構造及びその化合物が挙げられる。

（Ｂ）フッ素含有化合物
フッ素含有化合物は低分子でも高分子でもよい。低分子のフッ素含有化合物としては、米国特許第3775126号、同3589906号、同3798265号、同3779768号、同4407937号、西独特許第1293189号、英国特許第1259398号、特開昭48-87826号、同49-10722号、同49-46733号、同50-16525号、同50-113221号、同50-161236号、同50-99525号、同50-160034号、同51-43131号、同51-106419号、同51-7917号、同51-32322号、同51-151125号、同51-151126号、同51-151127号、同51-129229号、同52-127974号、同52-80023号、同53-84712号、同53-146622号、同54-14224号、同54-48520号、同55-7762号、同56-55942号、同56-114944号、同56-114945号、特公昭57-8456号、同57-12130号、同57-12135号、同58-9408号等に記載の化合物が挙げられる。また、高分子のフッ素含有化合物としては、米国特許第4175969号、同4087394号、同4016125号、同3676123号、同3679411号、同4304852号、特開昭52-129520号、同54-158222号、同55-57842号、同57-11342号、同57-19735号、同57-179837号、「化学総説No．27、新しいフッ素化学」（日本化学会編、1980年）、「機能性含フッ素高分子」（日刊工業新聞社編、1982年）等に記載の化合物を挙げることができる。これらのフッ素含有化合物は、上記関係文献に記載の方法により製造することができる他、相当する炭化水素類のフッ素化により合成することができる。炭化水素類のフッ素化は「新実験化学講座」Vol．14 [I]（丸善、1977年）、308〜331頁に記載されている方法を用いることができる。

本発明で用いるフッ素含有化合物の好ましい例を以下に示す。
（ａ）フッ素系界面活性剤

その他に大日本インキ（株）製のメガファックF-171〜173、F-141〜144、F170〜173、F-180〜184、F-192〜195、F-522；旭硝子（株）製のサーフロンS-111〜113、S-131〜133、S-141、S-101、S-105、S-381、S-382；ネオス（株）製のフタージェント400S等が挙げられる。これらの中でもベタイン系界面活性剤が好ましく用いられる。

（ｂ）フッ素系オイル（又はグリース）
フッ素系オイルとしては以下の構造の化合物が挙げられる。フッ素系オイルはイソシアネート変性、カルボキシル変性等の変性物であってもよい。例えば、分子の末端にOCN-C₆H₃(CH₃)NHCO-を有する場合はイソシアネート変性物であり、-COOHを有する場合はカルボキシル変性物であり、-CH₂OH、-CF₂CH₂(OCH₂CH₂)_nOH等を有する場合はアルコール変性物であり、-COOR（R:アルキル基）を有する場合はエステル変性物である。

（ｃ）フッ素樹脂
フッ素樹脂としては、フッ化エチレン樹脂（四フッ化エチレン樹脂、三フッ化エチレン樹脂、二フッ化エチレン樹脂等）、四フッ化エチレンテロマー、三フッ化塩化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、六フッ化プロピレン・四フッ化エチレン共重合体、四フッ化エチレンとパーフロロアルコキシエチレンの共重合体、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、四フッ化エチレンとエチレンの共重合体、変性フッ素樹脂等が挙げられる。

変性フッ素樹脂は、上記各フッ素樹脂の合成時に官能基を含む又は多官能のコモノマー（ビニル化合物等）を共重合するか、グラフト共重合、置換反応等によりポリマーの主鎖又は側鎖に反応性を有する官能基を導入することによりフッ素樹脂本来の特性を阻害しない範囲で変性したものである。反応性を有する官能基としては、カルボキシル基、酸無水物、エポキシ基、水酸基、クロロメチル基、イソシアネート基、アミノ基、アルデヒド基等を挙げることができる。中でも官能基の導入の容易さ及びアミノ基との反応性の観点から、カルボキシル変性、エポキシ変性等の変性フッ素樹脂が好ましい。

（ｄ）フッ素ゴム
フッ素ゴムとしては、フッ化ビニリデンとパーフルオロプロペンとの共重合体（ＦＫＭ）、フッ化ビニリデンと三フッ化塩化エチレンとの共重合体、四フッ化エチレンとプロピレンとの交互共重合体、四フッ化エチレンとパーフルオロメチルビニルエーテルとの共重合体（ＦＦＫＭ）等が挙げられる。フッ素ゴムはポリマーの主鎖又は側鎖に反応性を有する官能基を導入した変性フッ素ゴムであってもよい。

（Ｃ）ワックス
ワックスとしては、マイクロクリスタリンワックス、カルナバワックス、パラフィンワックス、フィッシャートロプシュワックス、モンタンワックス、サゾールワックス、各種低分子量ポリエチレン、木ロウ、ミツロウ、鯨ロウ、イボタロウ、羊毛ロウ、セラックワックス、キャンデリラワックス、ペトロラクタム、ポリエステルワックス、一部変性ワックス、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、ステロールワックス等が挙げられる。

（Ｄ）無機フィラー、有機フィラー
有機フィラーとしては、四フッ化エチレン樹脂、エチレン−四フッ化エチレン共重合体等のフッ素系樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の有機樹脂からなるフィラーが挙げられる。無機フィラーとしては、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、カオリン、クレー、炭酸カルシウム、タルク、二酸化チタン、炭酸カルシウム等が挙げられる。フィラーの平均粒径は０．１〜１０μｍが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満であると離型効果が充分に得られず、１０μｍを超えると転写ムラが生じる。

（Ｅ）界面活性剤
界面活性剤として、例えばアニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が挙げられる。特に上記フッ素系界面活性剤、及びリン酸エステル系界面活性剤等の常温で液体の活性剤を用いるのが好ましい。

（Ｆ）金属石鹸
金属石鹸は、長鎖脂肪酸塩であり、例えば、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸ストロンチウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸リチウム、12−ヒドロキシステアリン酸リチウムや、ラウリン酸亜鉛、ラウリン酸カルシウム、ラウリン酸バリウム、安息香酸鉛、パラターシャリーブチル安息香酸亜鉛、パラターシャリーブチル安息香酸バリウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、オレイン酸ナトリウム等が挙げられる。また、リン酸エステル系金属塩として、ステアリルアシッドホスフェイト、マグネシウムステアリルアシッドホスフェイト、アルミニウムステアリルアシッドホスフェイト、カルシウムステアリルアシッドホスフェイト、ジンクスステアリルアシッドホスフェイト、バリウムステアリルアシッドホスフェイト、ジンクベヘニルアシッドホスフェイトを用いることができる。

上記離型剤の含有量は、剥離層を形成する樹脂に対して好ましくは０．０１〜５０質量％、より好ましくは０．１〜４０質量％である。含有量が多すぎると離型剤が析出して膜質を悪化することがあり、また、含有量が少なすぎると転写率が低下する。また剥離層には、本発明の効果を妨げない範囲で他の成分を含有していてもよい。剥離層は湿式法により形成するのが好ましい。これには、剥離層用材料を有機溶剤に所望の濃度に溶解し、得られた溶液を版に塗布する。塗布法としては、均一な膜厚分布が得られれば特に制限はなく、スピンコート法、グラビアコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、エクストルージェンコート法、インクジェット塗布法等が挙げられる。剥離層の乾燥膜厚は好ましくは０．５〜１０ｎｍである。

剥離層の表面は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９８２で規定される最大表面粗さＲｍａｘが、転写材料の有機薄膜層の膜厚を100とした場合に0〜50であることが好ましく、0〜25であるのが好ましく、0.0001〜10であるのが特に好ましい。50を超えると製膜性、膜強度等の低下により剥離層の膜質が低下したり、転写率が低下するので好ましくない。

最大表面粗さＲｍａｘを測定する方法としては、原子間力顕微鏡法、共焦点顕微鏡法、触針法、光学顕微干渉法、多重干渉法、光切断法等が挙げられるが、原子間力顕微鏡法及び共焦点顕微鏡法によるのが好ましい。

本発明の押圧部材の有機薄膜層を設ける面には、上述の表面処理や、剥離層を形成する前処理として、アンダーコート層を設けて密着を向上させてもよい。また、コロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン処理、火炎処理、グロー放電処理等の活性化処理を行い、接触角を調整してもよい。

本発明の押圧部材の有機薄膜層を設ける面は、純水との接触角が、５０°以上１８０°以下が好ましく、更に７０°以上１８０°以下が好ましく、特に９０°以上１８０°以下が好ましい。５０°未満では有機薄膜層が押圧部材と密着するため転写しなくなる。上限については特に限定されることはないが、製造工程の中で有機薄膜層が搬送ロールなどの他面に接触する場合、接触した際に有機薄膜層が剥れることにより欠陥とならないように調整する。
前述の純水との接触角とは、押圧部材の表面と純水の接触点から水滴へ引いた接線とのなす角のことである。測定法としては、滴下直後の静置された水滴を測定する一般の接触角測定機であれば特に限定されない。具体的には協和界面科学社製の型番ＣＡ−Ｘで測定することができる。測定環境としては、温度２１〜２４℃、相対湿度４５〜５５％の一定条件で測定するのが好ましい。
図６に接触角を求める時の液滴の側面図を示した。接触角θを求めるには、押圧部材10の表面11に滴下した液滴2の頂点13と、押圧部材10の表面11と純水の接触点15からθ/2を測定し、接線14とのなす角である接触角θを求める。

剥離層は硬膜剤によって硬化されていてもよい。有機溶剤系のポリマーを硬化する場合には、特開昭61-199997号、同58-215398号各公報等に記載されている硬膜剤が使用できる。水溶性ポリマーの硬化には、米国特許第4,678,739号明細書第41欄、特開昭59-116655号、同62-245261号、同61-18942号各公報等に記載の硬膜剤が適している。具体的には、アルデヒド系硬膜剤（ホルムアルデヒド等）、アジリジン系硬膜剤、エポキシ系硬膜剤、ビニルスルホン系硬膜剤（Ｎ，Ｎ'−エチレン−ビス（ビニルスルホニルアセタミド）エタン等）、Ｎ−メチロール系硬膜剤（ジメチロール尿素等）、又は高分子硬膜剤（特開昭62-234157号各公報等に記載の化合物）が挙げられる。

剥離層には、酸化防止剤、帯電防止剤、分散剤、安定剤、滑剤等の各種の添加剤が適宜組み合わされて添加されていてもよい。更に乾燥剤が添加されていてもよい。乾燥剤は特に限定されず、半導体分野で一般的なものを用いることができる。例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、有機物、有機金属化合物等を用いることができる。

剥離層には、塗布助剤、帯電防止、搬送滑剤等の目的で種々の界面活性剤が添加されていてもよい。界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤及びカチオン性界面活性剤を用いることができる。これらの界面活性剤の具体例は特開昭62-173463号、同62-183457号各公報等に記載されている。
また剥離層に有機フルオロ化合物が添加されていてもよい。有機フルオロ化合物の代表例としては、特公昭57-9053号公報第８〜17欄、特開昭61-20944号、同62-135826号各公報等に記載されているフッ素系界面活性剤、オイル状フッ素系化合物（フッ素油等）、固体状フッ素化合物樹脂（四フッ化エチレン樹脂等）等の疎水性フッ素化合物が挙げられる。

（３）パターニング
本発明の押圧部材の凸部は目的に応じて、所定のパターンを形成することが好ましい。 有機薄膜層は所定のパターンの凸部表面上だけでなく、押圧部材全面へ形成する。その際、凸部表面が均一に形成されることが望ましく、凸部表面に形成された有機薄膜層が被転写材料と接触することが好ましい。本発明の押圧部材は所定パターンを正確に作成できるように、凸部がテーパしているのが好ましい。
また、複数回繰り返して有機薄膜層を転写する場合、複数種類の凸形状を同一押圧部材上に設けてもよいし、同一又は異なる凸形状の押圧部材を複数用いてもよい。更に、位置合せのためにマーキングしてもよい。マーキング法としては、一般に知られている公知の方法を適宜用いることができる。

（４）有機薄膜層
有機薄膜層は有機電界発光素子を構成する層であり、それぞれの特質から発光性有機薄膜層、電子輸送性有機薄膜層、正孔輸送性有機薄膜層、電子注入層、正孔注入層等が挙げられる。また発色性を向上するための種々の層を挙げることができる。各層に用いる化合物の具体例については、例えば「月刊ディスプレイ」1998年10月号別冊の「有機ＥＬディスプレイ」（テクノタイムズ社）等に記載されている。
本発明においては、発光性有機薄膜層に用いる正孔輸送材、電子輸送材料は、正孔輸送性有機薄膜層や電子輸送性有機薄膜層に用いる正孔輸送材料および電子輸送材料と異なるものを用いるのが好ましい。

有機薄膜層自体又はその中の成分のガラス転移温度は40℃以上で、かつ転写温度＋40℃以下が好ましく、更に50℃以上で、かつ転写温度＋20℃以下が好ましく、特に60℃以上で、かつ転写温度以下が好ましい。また転写材料の有機薄膜層自体又はその中の成分の流動開始温度は40℃以上で、かつ転写温度＋40℃以下が好ましく、更に50℃以上で、かつ転写温度＋20℃以下が好ましく、特に60℃以上で、かつ転写温度以下が好ましい。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）により測定することができる。また流動開始温度は、例えば島津製作所（株）製のフローテスターCFT-500を用いて測定することができる。

（ａ）発光性有機薄膜層
本発明の発光性有機薄膜層は、電子輸送性材料、正孔輸送材料、及び発光材料を含む。 なお、電子輸送性材料、正孔輸送材料、発光材料は同一の材料で兼ねることもできる。 電子輸送材料、正孔輸送材料、発光材料をそれぞれ含有させることが、発光性有機薄膜層における電子や正孔のつつ抜けを防止し、耐久性を向上させる上では、好ましい。以下に、電子輸送性材料、正孔輸送材料、発光材料について説明する。

（ａ−１）発光性有機薄膜層内の電子輸送材料
本発明に用いられる発光性有機薄膜層内の電子輸送材料としては、特に限定されることはなく、例えば以下の材料を挙げることができる。
トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。

中でも、本発明においては耐久性の点から金属錯体化合物が好ましい。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも１つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体であり、金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、亜鉛イオンである。

前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社 H.Yersin著 １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 １９８２年発行 等に記載の配位子が挙げられる。

前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であってもよい。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、

ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、シロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子が挙げられる。

（ａ−２）発光性有機薄膜層内の正孔輸送材料
本発明に用いられる発光性有機薄膜層内の正孔輸送材料としては、特に限定されることはなく、例えば以下の材料を挙げることができる。
縮合芳香族化合物、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物等を挙げることができる。

中でも本発明においては、耐久性の点から縮合芳香族化合物が好ましく、下記一般式（１）で表される化合物又は下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。

一般式（１）中、Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹は、それぞれ独立に、アリーレン基を表し、Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²は、それぞれ独立に、置換基又は水素原子を表す。Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹、Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²の少なくとも２つは３環以上の縮合芳香族炭素環または縮合芳香族複素環である。

一般式（２）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に、アリール基、炭素数１〜２４のアルキル基、又は水素原子を表す。

一般式（１）について説明する。Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹は、アリーレン基を表す。アリーレン基の炭素数は６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１６がさらに好ましい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられ、これらのアリーレン基はさらに下記の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していてもよい。

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、

ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）など。
これらの置換基は更に置換基群Ａから選ばれる置換基で置換されてもよい。

前記Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹は、好ましくはフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ビフェニレン基、４環以上のアリーレン基（例えばピレニレン基、ペリレニレン基）であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントレン基、４環以上のアリーレン基であり、さらに好ましくは、フェニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基であり、特に好ましくは、ピレニレン基である。

前記Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²は、置換基又は水素原子を表す。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。
Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²としては、好ましくは水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルケニル基であり、より好ましくは、水素原子、アリール基、ヘテロアリール基であり、さらに好ましくは水素原子、アリール基であり、特に好ましくは、水素原子、ピレニル基である。

Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹、Ａｒ¹²、Ａｒ²²及びＡｒ³²の少なくとも２つは、３環以上の縮合芳香族炭素環または縮合芳香族複素環であり、好ましくは３環以上の縮合芳香族炭素環である。

３環以上の縮合芳香族炭素環としては、好ましくは、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、より好ましくは、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環であり、さらに好ましくは、フェナントレン環、４環以上のアリール環であり、特に好ましくは、ピレン環である。

３環以上の縮合芳香族複素環としては、好ましくは、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、アクリジン環、フェナントリジン環、フタラジン環、フェナントロリン環であり、より好ましくは、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、フェナントロリン環である。

一般式（１）におけるＡｒは、多価の芳香族環基を表す。具体的には、３価以上の基であるアリーレン基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜１６、例えばフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントレン基、ピレニレン基、トリフェニレン基などが挙げられる。）、ヘテロアリーレン基（ヘテロ原子として好ましくは窒素原子、硫黄原子、酸素原子、より好ましくは窒素原子、好ましくは炭素数２〜３０より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１６、例えばピリジレン基、ピラジレン基、チオフェニレン基、キノリレン基、キノキサリレン基、トリアジレン基などが挙げられる）を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。置換基としては例えば、前記置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。 なお、ここでは３価以上の基を２価の基の名称で代表して記載している。
Ａｒは、フェニレン基（ベンゼントリイル）、ナフチレン基（ナフタレントリイル）、アントラセニレン基（アントラセントリイル）、ピレニレン基（ピレントリイル）、トリフェニレン基であることが好ましく、フェニレン基であることがより好ましく、無置換（Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹以外は水素原子）フェニレン基、アルキル置換フェニレン基であることがさらに好ましい。

次に一般式（１）表される縮合芳香族化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。

一般式（１）で表される縮合芳香族化合物は、特開２００２−３３８９５７号公報等に記載の方法によって合成できる。

一般式（２）について説明する。一般式（２）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴が表すアリール基としては、置換基を有してもよいフェニル基、ナフチル基、アントラニル基が好ましい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴が表す炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましい。アリール基、アルキル基は置換基を有していてよく、置換基としては前記置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。
一般式（２）で表されるアントラセン化合物としては、具体的には、例えば特開２００２−２６０８６１号公報（一般式（１−ａ）又は（１−ｂ）が好ましい）や特開２００１−２８４０５０号公報（段落００１７〜００２０に記載の化合物）に開示されている化合物を好適に用いることができる。

（ａ−３）発光性有機薄膜層内の発光材料
本発明に用いられる発光性有機薄膜層内の発光材料は、特に限定的されることはなく、蛍光発光性化合物であっても燐光発光性化合物であってもよく、蛍光発光性化合物及び燐光発光性化合物を組み合わせて用いてもよい。
例えば以下の材料を挙げることができる。

本発明の発光材料は一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、又は、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであっても良い。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられる。

本発明の発光材料は好ましくは、縮合芳香族化合物、スチリル化合物、ジケトピロロピロール化合物、オキサジン化合物、ピロメテン金属錯体、遷移金属錯体、ランタノイド錯体が挙げられる。縮環芳香族炭化水素化合物として好ましくは、ナフタセン、ピレン、クリセン、トリフェニレン、ベンゾ[ｃ]フェナントレン、ベンゾ[ａ]アントラセン、ベンタセン、ペリレン、フルオランテン、アセナフソフルオランテン、ジベンゾ[a,j]アントラセン、ジベンゾ[a,h]アントラセン、ベンゾ[a]ナフタセン、ヘキサセン、アンタントレンなどが挙げられ、縮合芳香族複素環としては、ナフト[2,1-f]イソキノリン、α−ナフタフェナントリジン、フェナントロオキサゾール、キノリノ[6,5-f]キノリン、ベンゾチオファントレンなどが挙げられる。これらは置換基としてアリール基、複素芳香環基、ジアリールアミノ基、アルキル基を有していてもよい。

本発明において、正孔輸送材料の発光性有機薄膜層中の濃度は、１質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。

電子輸送材料の発光性有機薄膜層中の濃度は、１質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。

発光材料の発光性有機薄膜層中の濃度は、０．０１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。

正孔輸送材料と電子輸送材料の発光性有機薄膜層中の質量比は５：１００〜１００：５が好ましく、１：１０〜１０：１がより好ましく、１：５〜５：１がさらに好ましい。

正孔輸送材料と電子輸送材料の和と発光材料の発光性有機薄膜層中の質量比は１００：０．０１〜１００：５０が好ましく、１００：０．１〜１００：３０がより好ましい。

（ｂ）電子輸送性有機薄膜層
本発明に用いられる電子輸送性有機薄膜層中の電子輸送材料は、特に限定されることはなく、例えば以下の材料を挙げることができる。
トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。

なかでも分子内にヘテロ元素を１個以上有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましい。
本発明で用いる電子輸送材料は上記の中でもアゾ−ル骨格を有することが好ましい。アゾール骨格を有する化合物とは、炭素原子、水素原子以外のヘテロ原子を基本骨格内に２つ以上有するヘテロ環骨格を有する化合物であり、単環又は縮環であってもよい。ヘテロ環骨格としては、好ましくはＮ、Ｏ、Ｓ原子から選ばれる原子を２つ以上有するものであり、更に好ましくは少なくとも１つＮ原子を骨格内に有する芳香族ヘテロ環であり、特に好ましくはＮ原子を骨格内に２つ以上有する芳香族ヘテロ環である。また、ヘテロ原子は縮合位置にあっても、非縮合位置にあってもよい。

ヘテロ原子を２つ以上含むヘテロ環骨格を有する化合物としては、例えばピラゾール、イミダゾール、ピラジン、ピリミジン、インダゾール、プリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、ペリミジン、フェナントロリン、ピロロイミダゾール、ピロロトリアゾール、ピラゾロイミダゾール、ピラゾロトリアゾール、ピラゾロピリミジン、ピラゾロトリアジン、イミダゾイミダゾール、イミダゾピリダジン、イミダゾピリジン、イミダゾピラジン、トリアゾロピリジン、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、トリアジンなどが挙げられ、好ましくはイミダゾピリダジン、イミダゾピリジン、イミダゾピラジン、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール等の縮合アゾール骨格を有する化合物又はトリアジン骨格を有する化合物であり、特に好ましくはイミダゾピリジンである。

アゾール骨格を有する化合物として好ましくは下記一般式（３）で表される化合物である。

上記一般式（３）中、Ｒは水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。
ＸはＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ^a（Ｒ^aは水素原子、脂肪族炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基）又はヘテロ環基（例えば、チエニル基、イミダゾリル基、ピリジル基）を表す。）を表す。
Ｑは、Ｎ及びＸと結合してヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。
また、ＲとＸ、ＲとＱは可能な場合には結合して環を形成しても良い。

以下に、本発明で用いる電子輸送材料の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明で用いる一般式（３）で表される化合物は、特公昭４４−２３０２５号公報、同４８−８８４２号公報、特開昭５３−６３３１号公報、特開平１０−９２５７８号公報、米国特許３，４４９，２５５号明細書、同５，７６６，７７９号明細書、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９４，２４１４（１９７２）、Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，６３，４１３（１９８０）、Ｌｉｅｂｉｇｓ Ａｎｎ．Ｃｈｅｍ．，１４２３（１９８２）などに記載の方法を参考にして合成できる。

（ｃ）正孔輸送性有機薄膜層
本発明に用いられる正孔輸送性有機薄膜層中の正孔輸送材料としては、特に限定されることはなく、例えば以下の材料を挙げることができる。
縮合芳香族化合物、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物等を挙げることができる。

正孔注入層には正孔輸送材料が、電子注入層には電子輸送材料が好適に用いられ、正孔輸送材料、電子輸送材料は、それぞれ前述の正孔輸送性有機薄膜層、電子輸送性有機薄膜層の説明で記載した材料を用いることができる。

有機薄膜層の膜厚は、発光性有機薄膜層、正孔輸送性薄膜層、電子輸送性薄膜層など層によって異なっていてよいが、各層それぞれ、通常０．１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、０．３〜３００ｎｍであることがより好ましく、１〜１００ｎｍがさらに好ましい。

［２］有機電界発光素子の製造方法
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、押圧部材上に少なくとも一層の有機薄膜層を真空製膜法により形成することにより転写材料を作製し、転写材料の有機薄膜層側が一部又は全面に電極を有する第一の基板の電極側に対面するように、転写材料と第一の基板とを重ねて加圧し、押圧部材を引き剥がすことにより第一の基板の電極側に少なくとも一層の有機薄膜層を転写する方法（剥離転写法）である。転写材料は１種であっても良いし、同一又は異なる組成の有機薄膜層を有する２種以上の転写材料を使用してもよい。更に、第一の基板に転写された有機薄膜層に、一部又は全面に電極を有する第二の基板の電極側を貼り合せる工程を組み合わせることができる。

本発明で押圧部材上など有機薄膜層を形成する際に行う真空製膜法は公知の方法を用いることができる。例えば物理的な真空製膜法としては、真空蒸着、電子ビーム蒸着、レーザアブレーションＭＢＥ、ＭＯＭＢＥ、反応性蒸着、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、グロー放電スパッタリング、イオンビームスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。化学的な真空製膜法としては、熱ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）、ＲＦプラズマＣＶＤ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ、水銀増感法等を用いることができる。これらの方法の詳細については〔図解〕薄膜技術, 日本表面科学会編, 1999年発行に記載されている。

剥離転写法は、転写材料を加圧することにより、基板の被成膜面に接着した後、押圧部材を剥離することにより有機薄膜層だけを被成膜面に残留させる方法（剥離転写方法）である。加圧と同時に加熱し、有機薄膜層を軟化させてもよい。加熱手段や加圧手段としては公知の方法を用いることができ、例えばラミネータ、赤外線ヒータ、熱ヘッド、熱板、プレス機等を用いることができる。ラミネータとしては、ファーストラミネータVA-400III（大成ラミネータ（株）製）、熱転写プリント用の熱ヘッド、熱板プレス機等を用いることができる。

転写温度は特に限定的でなく、有機薄膜層の材質や加熱部材によって変更することができるが、一般に40〜250℃が好ましく、更に50〜200℃が好ましく、特に60〜180℃が好ましい。ただし転写温度の好ましい範囲は、加熱部材、転写材料及び基板の耐熱性に関係しており、耐熱性が向上すればそれにともなって変化する。
２種以上の転写材料を使用する場合には、最初に転写する転写材料の転写温度が次に転写する転写材料の転写温度以上であり、２種以上の有機薄膜層を有する転写材料を使用する場合には、最初に転写する有機薄膜層の転写温度が次に転写する有機薄膜層の転写温度以上であるのが好ましい。転写圧力は特に限定的でなく、有機薄膜層の材質や加圧部材によって変更することができるが、一般に０〜１０ＭＰａが好ましく、０〜５ＭＰａがより好ましく、０〜２ＭＰａ特に好ましい。ただし転写圧力の好ましい範囲は、加圧部材、転写材料及び基板の耐圧性に関係しており、耐圧性が向上すればそれにともなって変化する。

有機薄膜層又はその高分子成分のガラス転移温度又は流動開始温度は40℃以上で、かつ転写温度＋40℃以下であるのが好ましい。転写前に、基板及び／又は転写材料を予熱してもよい。基板及び／又は転写材料の予熱温度は30℃以上で、かつ転写温度＋20℃以下であるのが好ましい。また押圧部材を引き剥がす時の温度は-50℃以上で、かつ転写温度以下であるのが好ましい。押圧部材を剥離した後で転写された有機薄膜層を再度加熱及び／又は加圧してもよい。

転写材料に形成された有機薄膜層が、少なくとも一部又は全面に電極が形成された基板の被成膜面に対面するように転写材料を基板に重ねる際に、転写材料の基板に対する進入角度を高くするほうが気泡などの巻込みが少ないので好ましい。また押圧部材を基板上に転写された有機薄膜層から引き剥がす際に、押圧部材の有機薄膜層に対する剥離角度を高くするのが好ましい。

有機薄膜層は少なくとも発光性有機化合物又はキャリア輸送性有機化合物を有するのが好ましい。また転写する２種以上の有機薄膜層は少なくとも１種の共通成分を含有してもよい。本発明では、転写・剥離工程を繰返し行い、複数の有機薄膜層を基板上に積層することもできる。複数の有機薄膜層は同一の組成であっても異なっていてもよい。同一組成の場合、転写不良や剥離不良による層の抜けを防止することができるという利点がある。 また異なる層を設ける場合、機能を分離して発光効率を向上する設計とすることができ、例えば、本発明の転写法により被成膜面に、透明電極／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極、透明電極／正孔注入層／正孔輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極をこの順、又は、逆の順に積層することができる。

上記基板に転写した有機薄膜層に対して、あるいは先に転写した有機薄膜層に転写した新たな有機薄膜層に対して、必要に応じて再加熱及び／又は再加圧するのが好ましい。再加熱及び／又は再加圧により有機薄膜層は基板又は先に転写した有機薄膜層にいっそう密着する。再加熱温度は転写温度±50℃の範囲であるのが好ましい。再加圧力は先の加圧力の±100%の範囲であるのが好ましい。

先の転写層が次の転写層に逆転写されないように、先の転写工程と次の転写工程の間で、被成膜面に密着力を向上するような表面処理を施してもよい。このような表面処理としては、例えばコロナ放電処理、火炎処理、グロー放電処理、プラズマ処理等の活性化処理が挙げられる。表面処理を併用する場合、逆転写しなければ、先の転写材料の転写温度が次の転写材料の転写温度未満であってもよい。

本発明の有機電界発光素子の製造装置は、押圧部材の表面上に真空製膜法により有機薄膜層を形成した転写材料を送給する装置と、転写材料を加圧、さらに必要に応じて加熱しながら基板の被成膜面に押し当てることにより、有機薄膜層を基板の被成膜面に転写する装置と、転写後に押圧部材を有機薄膜層から引き剥がす装置とを有する装置を用いることができる。製造装置は、転写装置に送給する前に転写材料及び／又は基板を予熱する手段を有するのが好ましい。また転写装置の後段に冷却装置を有してもよい。転写装置の前面には、転写材料の基板に対する進入角度を高くする進入角度調整部を設けてもよく、また転写装置又は冷却装置の後面には、押圧部材の有機薄膜層に対する剥離角度を高くする剥離角度調整部を設けてもよい。以上の有機電界発光素子の製造法・装置についての詳細は特開2002-260854号、特開2002-289346号等に記載されている。

［３］有機電界発光素子
（１）構成
有機電界発光素子は、一対の電極間に発光性有機薄膜層を含む少なくとも一層の有機薄膜層を有する。前記有機層の前記有機電界発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、透明電極又は背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、該有機化合物層は、透明電極又は背面電極上の前面又は一面に形成される。具体的な有機電界発光素子の全体構成としては、基板上に透明電極／発光性有機薄膜層／背面電極、透明電極／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／背面電極、透明電極／正孔輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／背面電極、透明電極／正孔輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／背面電極、透明導電層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極、透明電極／正孔注入層／正孔輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層／電子輸送性有機薄膜層／電子注入層／背面電極等をこの順に積層した構成、これらを逆に積層した構成等が挙げられる。基板は、透明電極側にあっても、背面電極側にあっても、またその両方にあってもよく、本発明の製造方法における第一及び第二の基板のいずれも素子の基板とすることができる。

（２）有機薄膜層
複数の有機薄膜層の形成する場合、本発明の剥離転写法以外に蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の湿式製膜法、印刷法等を併用することもできる。転写剥離法を用いない場合には、前記［１］転写材料の（４）有機薄膜層に記載した発光性有機薄膜層、正孔輸送性有機薄膜層又は電子輸送性有機薄膜層に必要に応じて下記の電気的に不活性なポリマーバインダーを加えて有機薄膜層を形成してもよい。

ポリマーバインダーとしては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能である。これらは単独で使用しても良いし、２種以上を併用してもよい。ポリマーバインダーを含有する発光性有機薄膜層は、湿式製膜法により容易に大面積に塗布形成することができる。

有機薄膜層を湿式製膜法により塗布形成する場合、該有機化合物層の材料を溶解して塗布液を調製する際に用いる溶剤は特に制限されず、正孔輸送材料、オルトメタル化錯体、ホスト材、ポリマーバインダー等の種類に応じて適宜選択することができる。溶剤の例としては、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン形容剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル等のエステル系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。塗布液中の固形分量溶剤に対する固形分量は特に制限はされず、その粘度も湿式製膜方法に応じて任意に選択することができる。

（２）基板
基板を形成する材料としては、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性及び加工性に優れ、且つ低通気性及び低吸湿性に優れ、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させなければ特に限定されない。具体的には、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス箔、金箔、銀箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルやポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、液晶性ポリマー、フッ素樹脂［例えば４フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、３フッ化塩化エチレン樹脂（ＰＣＴＦＥ）］、硬質塩化ビニル等のプラスチックシート等の有機材料が挙げられる。有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、前記形状としては、板状である。前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であってもよいし、有色透明であってもよいが、前記発光性有機薄膜層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させることがない点で、発光を利用する側は無色透明であることが好ましい。透明とする場合、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。嗜好に合わせて色付けすることもある。

基板には、その表面又は裏面（前記透明電極側）に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。該透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
基板には、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

電極を形成して有機電界発光素子を作製したときに短絡しない可撓性基板として、金属箔の片面又は両面に絶縁層を設けた基板が好ましい。金属箔は特に限定されず、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス箔、金箔、銀箔等の金属箔を用いることができる。中でも加工の容易さ及びコストの観点からアルミニウム箔又は銅箔が好ましい。絶縁層は特に限定的でなく、例えば無機酸化物や無機窒化物等の無機物や、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、ポリイミド等のプラスチックにより形成することができる。

基板はその熱線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。熱膨張係数は、一定速度で加熱し、試料の長さの変化を検知する方法で測定することができ、主にＴＭＡ法により測定することができる。熱線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃よりも大きいと、貼合せ工程や使用時の熱等で電極や有機層の剥がれの原因となり、耐久性悪化の原因となる。

基板に設けた絶縁層の熱線膨張係数も２０ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。熱線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層を形成する材料としては、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅等の金属酸化物や、窒化珪素、窒化ゲルマニウム、窒化アルミニウム等の金属窒化物が好ましく、これらを一種又は二種以上を組合わせて用いることができる。金属酸化物及び／又は金属窒化物の無機絶縁層の厚さは10〜1000ｎｍであるのが好ましい。無機絶縁層が10ｎｍより薄いと絶縁性が低すぎる。また。無機絶縁層が1000ｎｍより厚いとクラックが生じやすくなり、ピンホ−ルができて絶縁性が低下する。金属酸化物及び／又は金属窒化物の絶縁層を製膜する方法は限定的でなく、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の乾式法や、ゾル−ゲル法等の湿式法、又は金属酸化物及び／又は金属窒化物の粒子を溶剤に分散し塗布する方法等を利用することができる。

熱線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下のプラスチック材料としては、特にポリイミドや液晶ポリマーが好ましく用いることができる。これらのプラスチック材料の性質等の詳細については「プラスチック・データブック」（旭化成アミダス（株）「プラスチック」編集部編）等に記載されている。ポリイミド等を絶縁層として用いる場合にはポリイミド等のシートとアルミニウム箔を積層するのが好ましい。ポリイミド等のシートの厚さは10〜200μｍであるのが好ましい。ポリイミド等のシートの厚さが10μｍより薄いと積層時のハンドリングが困難になる。またポリイミド等のシートの厚さが200μｍよりも厚いと可撓性が損なわれ、ハンドリングが不便になる。絶縁層は金属箔の片面だけに設けても良いが、両面に設けても良い。両面に設ける場合、両面とも金属酸化物及び／又は金属窒化物であっても良く、また両面ともポリイミドのようなプラスチック絶縁層であっても良い。 また一方の片面が金属酸化物及び／又は金属窒化物からなる絶縁層であり、他方の片面がポリイミドシート絶縁層であってもよい。

金属箔の片面又は両面に絶縁層を設けた基板が好ましい。金属箔は特に限定されず、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス箔、金箔、銀箔等の金属箔を用いることができる。中でも加工の容易さ及びコストの観点からアルミニウム箔又は銅箔が好ましい。絶縁層は特に限定的でなく、例えば無機酸化物や無機窒化物等の無機物や、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジギリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、ポリイミド等のプラスチックにより形成することができる。

基板の水分透過率は0.1g/m²・day以下であるのが好ましく、0.05g/m²・day以下であるのがより好ましく、0.01g/m²・day以下であるのが特に好ましい。また、酸素透過率は0.1ml/m²・day・atm以下であるのが好ましく、0.05ml/m²・day・atm以下であるのがより好ましく、0.01ml/m²・day・atm以下であるのが特に好ましい。水分透過率はJIS K 7129B法に準拠した方法（主としてMOCON法）により測定できる。酸素透過率はJIS K 7126B法に準拠した方法（主としてMOCON法）により測定できる。このようにすることにより、有機電界発光素子内に耐久性悪化の原因となる水分や酸素の侵入を防ぐことが可能となる。

基板の表面は平滑であるのが好ましい。最大表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９８２で規定される）は、有機薄膜層の膜厚を100とした場合に50以下であることが好ましく、更に０〜25が好ましく、特に0.0001〜10が好ましい。50を超えると転写法による有機層の製膜不良（接合界面の密着不良など）を生じ、性能の不均一（短絡や欠落による発光不良）を発生するので好ましくない。基板の電極側の面に平滑層を設けてもよい。

（２）電極
透明導電層・背面電極のどちらでも陰極又は陽極として用いることができ、いずれかは有機電界発光素子を構成する組成によって決まる。

（ａ）陽極
陽極は、通常、有機薄膜層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
陽極の材料としては、例えば金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、好ましくは仕事関数が4.0eV以上の材料を用いる。具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ATO、FTO）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ITO）、酸化亜鉛インジウム（IZO）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、半導性金属酸化物又は金属化合物の分散物、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物等が挙げられる。

陽極は、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式等によって基板上に形成することができる。形成方法は陽極材料との適性を考慮して適宜選択すればよい。例えば、陽極の材料としてITOを用いる場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等を用いればよい。また陽極の材料として有機導電性化合物を用いる場合には湿式製膜法をもちいてよい。

陽極の有機電界発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

陽極のパターニングは、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザー等による物理的エッチング等により行うことができる。また、マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング法、リフトオフ法、印刷法等によりパターニングしてもよい。

陽極の厚さは、材料に応じて適宜選択すればよいが、通常10ｎｍ〜50μｍであり、好ましくは50ｎｍ〜20μｍである。陽極の抵抗値は、10³Ω／□以下が好ましく、10²Ω／□以下がより好ましい。10²Ω／□以下の場合、バスライン電極を設置することにより性能の優れた大面積有機電界発光素子を得ることができる。

陽極は無色透明であっても、有色透明であっても、不透明であっても良い。透明陽極側から発光を取り出す場合には陽極を透明陽極とし、その透過率は60％以上が好ましく、70％以上がより好ましい。透過率は、分光高度計を用いた公知の方法に従って測定できる。透明陽極としては「透明導電膜の新展開」（沢田豊監修、シーエムシー刊、1999年）等に詳細に記載されている電極も本発明に適用できる。特に耐熱性の低いプラスチック基板を用いる場合は、透明陽極材料としてITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で製膜するのが好ましい。

（ｂ）陰極
陰極は、通常、有機薄膜層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限されず、有機電界発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。

陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関数が4.5eV以下の材料を用いる。具体例としてはアルカリ金属（Li、Na、K、Cs等）、アルカリ土類金属（Mg、Ca等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、希土類金属（イッテルビウム等）等が挙げられる。これらは、単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を併用するのが好ましい。これらの材料の中でも、電子注入性の観点からは、アルカリ金属及びアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性の観点からは、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料としては、アルミニウム単独のみならず、又はアルミニウムと0.01〜10質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金、又は混合物（リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金等）が挙げられる。

陰極側から光を取り出す場合は透明陰極を使用する。透明陰極は、光に対して実質的に透明（観察時に必要量を満足する光量が得られる透明性）であればよい。電子注入性と透明性を両立するためには、薄膜の金属層と透明な導電層の２層構造とすることもできる。 薄膜金属層の材料としては、特開平2-15595号公報、特開平5-121172号公報に詳述されている材料を用いることができる。薄膜の金属層の厚さは１ｎｍ〜50ｎｍであるのが好ましい。１ｎｍ未満であると、均一に薄膜層を製膜することが困難になる。また50ｎｍよりも厚いと光に対する透明性が悪くなる。

２層構造の透明陰極に用いる材料としては、導電性又は半導性を有する透明材料であれば特に限定されず、上記陽極に使用した材料を好ましく用いることがでる。好ましい材料としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ATO、FTO）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ITO）、酸化亜鉛インジウム（IZO）等を挙げることができる。透明陰極の厚さは30〜500ｎｍであるのが好ましい。30ｎｍより薄いと導電性又は半導性が劣り、500ｎｍより厚いと生産性が悪くなる。

陰極の形成法は特に制限されず、公知の方法を採用することができるが、真空機器内で行うのが好ましい。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式等によって形成することができる。形成方法は陰極材料との適性を考慮して適宜選択すればよい。陰極材料として２種以上の金属等を用いる場合には、同時又は順次にスパッタ法等により形成できる。また、陰極材料として有機伝導性材料を用いる場合には湿式製膜法を用いてもよい。

陰極の有機電界発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機化合物層上に形成されるのが好ましい。この場合、該陰極は、前記有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

陰極のパターニングは、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザー等による物理的エッチング等により行うことができる。またマスクを用いた真空蒸着やスパッタリング法、リフトオフ法、印刷法等によりパターニングしてもよい。

陰極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍであり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、前記陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚みに薄く製膜し、更に前記ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

陰極と有機薄膜層との間にアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚さで設置してもよい。また誘電体層は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

（３）その他の層
有機電界発光素子を構成する層として、発光性能の劣化を防止するために保護層や封止層を設けるのが好ましい。さらに転写材料においては発光性能に影響しなければ、転写性を向上するために押圧部材と有機薄膜層の間に前述の剥離層を設けたり、有機薄膜層と被成膜面の間に接着層を設けてもよい。

（ａ）保護層
有機電界発光素子は、特開平7-85974号、同7-192866号、同8-22891号、同10-275682号、同10-106746号等に記載の保護層を有していてもよい。保護層は有機電界発光素子の最上面に形成する。ここで最上面とは、例えば基板、透明電極、有機薄膜層及び背面電極をこの順に積層する場合には背面電極の外側表面を指し、また例えば基板、背面電極、有機薄膜層及び透明電極をこの順に積層する場合には透明電極の外側表面を指す。保護層の形状、大きさ、厚さ等は特に限定的でない。保護層の材料としては、水分や酸素等の有機電界発光素子を劣化させ得るものが素子内に侵入又は透過するのを抑制する機能を有しているものであれば特に限定されず、例えば一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、一酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム等が好ましい。

保護層の形成方法は特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子センエピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等が適用できる。

（ｂ）封止層
有機電界発光素子には水分や酸素の侵入を防止するための封止層を設けるのが好ましい。封止層を形成する材料としては、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとの共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン又はジクロロジフルオロエチレンと他のコモノマーとの共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質、金属（In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等）、金属酸化物（MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe₂O₃、Y₂O₃、TiO₂等）、金属フッ化物（MgF₂、LiF、AlF₃、CaF₂等）、液状フッ素化炭素（パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等）、液状フッ素化炭素に水分や酸素の吸着剤を分散させたもの等が使用可能である。

外部からの水分や酸素を遮断する目的で、有機薄膜層を封止板、封止容器等の封止部材により封止するのが好ましい。封止部材を背面電極側のみに設置しても、電極及び有機薄膜層からなる発光積層体全体を封止部材で覆ってもよい。有機薄膜層を封止でき外部の空気を遮断することができれば、封止部材の形状、大きさ、厚さ等は特に限定されない。封止部材に用いる材料としては、ガラス、ステンレススチール、金属（アルミニウム等）、プラスチック（ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリエステル、ポリカーボネート等）、セラミック等を用いることができる。

封止部材を発光積層体に設置する際には、適宜封止剤（接着剤）を用いてもよい。発光積層体全体を封止部材で覆う場合は、封止剤を用いずに封止部材同士を熱融着してもよい。封止剤としては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、二液型硬化樹脂等が使用可能である。

さらに封止容器と有機電界発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を挿入してもよい。水分吸収剤は特に限定されず、具体例としては酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化リン、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等が挙げられる。不活性液体としてはパラフィン類、流動パラフィン類、フッ素系溶剤（パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等）、塩素系溶剤、シリコーンオイル類等を用いることができる。

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２〜４０Ｖ）、又は直流電流を印加することにより、発光させることができる。有機電界発光素子の駆動については、特開平2-148687号、同6-301355号、同5-29080号、同7-134558号、同8-234685号、同8-241047号、米国特許5828429号、同6023308号、日本特許第2784615号等に記載の方法を利用することができる。

以下に、本発明の有機電界発光素子の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。

（実施例１）
（Ａ）押板部材の作製
下記の表面撥水処理又は剥離層を表面に設けた本発明の押圧部材１〜17を作製した。
いずれの押圧部材においても、線熱膨張係数４ｐｐｍ／℃の白板ガラス（５ｃｍ×５ｃｍ、厚み２ｍｍ）を使用した（線熱膨張係数はＴＭＡ測定により測定した、昇温速度10℃／min）。
押圧部材１〜13については、それぞれ下記の剥離層用塗布液１〜13を、バーコーターにより塗布し、80℃で２時間真空乾燥して下記に示す乾燥膜厚の剥離層を形成した。
押圧部材14〜17については、それぞれ下記に示す処理ガスを用いたプラズマ処理により表面撥水処理を行った。プラズマ処理はパワー300Ｗ、押圧部材と電極との距離１ｍｍ、キャリアガスにはヘリウムを用い、雰囲気圧力は大気圧の条件で、押圧部材の搬送速度を変えることで接触角を調整した。接触角の測定は、有機薄膜層を設ける表面の純水との接触角を協和界面科学社製CZ-Xにて測定した。

（押圧部材１）
下記剥離層用塗布液１を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材１を作製した。

（剥離層用塗布液１）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・シリコーン変性アクリル樹脂溶液（東亜合成化学（株）製、US-3700） 10質量部
・メチルエチルケトン 30質量部
・トルエン 30質量部

（押圧部材２）
下記剥離層用塗布液２を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材２を作製した。

（剥離層用塗布液２）
・ポリエステル樹脂 18質量部
（日本合成化学（株）製、HP301、ガラス転移温度62℃、軟化点105℃）
・上記ポリエステル樹脂と反応をするシリコーン ２質量部
（マツモト交商製、オルガチックスSI220）
・メチルエチルケトン 40質量部
・トルエン 40質量部

（押圧部材３）
下記剥離層用塗布液３を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材３を作製した。

（剥離層用塗布液３）
・ポリエステル樹脂 17質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・シルコーンオイル（信越化学工業（株）製、KF54） ３質量部
・メチルエチルケトン 40質量部
・トルエン 40質量部

（押圧部材４）
下記剥離層用塗布液４を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材４を作製した。

（剥離層用塗布液４）
・ポリエステル樹脂 15質量部
（日本合成化学（株）製、HP301、ガラス転移温度62℃、軟化点105℃）
・ビニル変性シリコーン（東芝シリコーン製、XF40-A1987） ５質量部
・白金触媒 0.01質量部
・メチルエチルケトン 40質量部
・トルエン 40質量部

（押圧部材５）
下記剥離層用塗布液５用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材５を作製した。

（剥離層用塗布液５）
・ポリエステル樹脂 16質量部
（日本合成化学（株）製、HP301、ガラス転移温度62℃、軟化点105℃）
・エポキシ変性シリコーン（東芝シリコーン製、XF42-A4439） ４質量部
・メチルエチルケトン 40質量部
・トルエン 40質量部

（押圧部材６）
下記剥離層用塗布液６を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材６を作製した。

（剥離層用塗布液６）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・フッ素系離型剤（三井フロロケミカル社製、FC430） １質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材７）
下記剥離層用塗布液７を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材７を作製した。

（剥離層用塗布液７）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・カルナバワックス ３質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材８）
下記剥離層用塗布液８を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材８を作製した。

（剥離層用塗布液８）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・フィッシャートロシュプワックス（サゾール製、H1） ３質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材９）
下記剥離層用塗布液９を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材９を作製した。

（剥離層用塗布液９）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・ステロールワックス ３質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材10）
下記剥離層用塗布液10を用いて、乾燥後の膜厚6.0μｍの剥離層を有する押圧部材10を作製した。下記剥離層用塗布液10は溶剤中に樹脂を溶かした後、シリカ粒子を分散させて調製した。

（剥離層用塗布液10）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・シリカ粒子（粒径５μｍ） 0.6質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材11）
下記剥離層用塗布液11を用いて、乾燥後の膜厚6.0μｍの剥離層を有する押圧部材11を作製した。

（剥離層用塗布液11）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・有機フィラー（綜研化学（株）製、MR-7G、PMMA粒子、粒径５μ、） 0.6質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材12）
下記剥離層用塗布液12を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材12を作製した。

（剥離層用塗布液12）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・リン酸エステル（堺化学製、LBT-100、融点70℃） ３質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材13）
下記剥離層用塗布液13を用いて、乾燥後の膜厚3.0μｍの剥離層を有する押圧部材13を作製した。

（剥離層用塗布液13）
・ポリエステル樹脂 30質量部
（日本合成化学（株）製、HP320、ガラス転移温度62℃、軟化点95℃）
・金属石鹸（ステアリン酸亜鉛、SZ-2000、融点125℃） ３質量部
・メチルエチルケトン 35質量部
・トルエン 35質量部

（押圧部材14）
処理ガスとしてフロロカーボン（CF₄）を用い、純水に対する接触角が70°になるように表面撥水処理を施して、押圧部材14を作製した。

（押圧部材15）
処理ガスとしてフロロカーボン（CF₄）を用い、純水に対する接触角が90°になるように表面撥水処理を施して、押圧部材15を作製した。

（押圧部材16）
処理ガスとしてフロロカーボン（CF₄）を用い、純水に対する接触角が110°になるように表面撥水処理を施して、押圧部材16を作製した。

（押圧部材17）
処理ガスとして酸素を用い、純水に対する接触角が45°になるように表面撥水処理を施して、押圧部材17を作製した。

（Ｂ）転写材料の作製
作製した押圧部材1〜17上に、真空蒸着法にて発光性有機薄膜層を形成し、発光性有機薄膜層を有する転写材料1-1〜1-17を作製した。
発光性有機薄膜層は、正孔輸送材料として前記化合物（１−１）、電子輸送材料としてＡｌｑ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）、発光材料としてルブレンを５０／５０／１の割合で共蒸着して形成し、膜厚が０．０４μｍとなるようにした。

（Ｃ）基板（陽極、有機薄膜層の作製）
0.5mm×2.5cm×2.5cmの白板ガラスを準備し、真空チャンバー内に導入し、SnO₂含有率が10質量％のITOターゲット（インジウム：錫＝95：５（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング（条件：基板の温度250℃、酸素圧１×10^-3Ｐａ）により、厚さ０．２μｍのITO薄膜からなる透明電極（陽極）を形成した。ITO薄膜の表面抵抗は10Ω／□であった。透明電極（ITO）を形成したガラス板を洗浄容器に入れ、イソプロピルアルコール（IPA）により洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を30分行った。処理した透明電極の表面に、正孔注入層として銅フタロシアニンを真空蒸着法にて、１ｎｍ／秒の速度で０．０１μｍの膜厚で設けた。その上に正孔輸送性有機薄膜層中の正孔輸送材料としてとして、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジジン（NPD）を真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で０．０５μｍの膜厚で設けた。

（Ｄ）有機薄膜層の転写による形成
陽極、有機薄膜層（正孔注入層、正孔輸送性有機薄膜層）を設けた基板と、発光性有機薄膜層を設けた転写材料とを、有機薄膜層同士が重なるように設置し、０．１ＭＰａの圧力で加圧し、１対のローラー（両方が９０℃の加熱ローラー）の間を０．１ｍ／分の速度で通すことにより同時に加熱加圧を行った。次に、押圧部材を引き剥がすことにより、基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送性有機薄膜層の上面に発光性有機薄膜層を形成した。

（Ｅ）素子の作製
上記（Ｄ）で得られた基板の発光性有機薄膜層の上面に、電子輸送性材料として前記化合物（３−２７）を真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、０．０２μｍの電子輸送性有機薄膜層を設けた。
さらにこの電子輸送性有機薄膜層上に、パターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて０．００１μｍの電子注入層を設けた。この上にアルミニウムを真空蒸着法にて０．１５μｍの陰極を設けた。 陽極及び陰極より、それぞれアルミニウムのリード線を結線した。
このものを、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止し、本発明の有機電界発光素子1-1〜1-17をそれぞれ作製した。

（Ｆ）評価
有機電界発光素子1-1〜1-17を以下の方法で評価した。評価結果を表１に示す。
（転写性）
転写性は、上記（Ｅ）にて電子輸送性有機薄膜層を設ける前に転写された発光性有機薄膜層の表面の２ｍｍ²面積を蛍光顕微鏡にて観察を行い、その面積領域内で発光性有機薄膜層が転写されている面積割合を求め評価した。転写性の評価基準は下記の通りである。
Ａ：発光性有機薄膜層が95%以上転写した場合
Ｂ：80%以上95%未満：Ｂ
Ｃ：80%未満

（発光ムラ）
KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電圧を有機電界発光素子に印加し発光させた。２００ｃｄで発光させた有機電界発光素子の発光面を５０倍の顕微鏡で観察し発光ムラを調べた。発光ムラの評価基準は下記の通りである。
Ａ：９割以上の領域が均一に発光した場合
Ｂ：発光に濃淡があるが、７割以上の領域が均一に発光した場合
Ｃ：発光に濃淡があり、７割未満の領域しか均一に発光しなかった場合

（発光性能）
発光性能は、東洋テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機電界素子に印加し発光させた。その時の最高輝度をＬｍａｘ、Ｌｍａｘが得られた時の電圧をＶｍａｘとした。さらに２００Ｃｄ／ｍ²時の発光効率をη₂₀₀とした。
また、この有機電界発光素子を初期輝度２０００Ｃｄ／ｍの条件で連続駆動試験をおこない、輝度が１０００Ｃｄ／ｍ²になった時間を輝度半減時間Ｔ1/2とした。

（実施例２）
実施例１において電子輸送性有機薄膜層に用いる電子輸送材料を化合物（３−２７）の代わりに化合物（３−２８）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子2-1〜2-17を作成し、評価した。その結果を表２に示した。

（実施例３）
実施例１において電子輸送性有機薄膜層に用いる電子輸送材料を化合物（３−２７）の代わりに化合物（３−２４）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子3-1〜3-17を作成し、評価した。その結果を表３に示した。

（実施例４）
実施例１において電子輸送性有機薄膜層に用いる電子輸送材料を化合物（３−２７）の代わりに下記のオキサジアゾール化合物（４）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子4-1〜4-17を作成し、評価した。その結果を表４に示した。

（実施例５）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに前記化合物（１−２）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子5-1〜5-17を作成し、評価した。その結果を表５に示した。

（実施例６）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに前記化合物（１−２５）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子6-1〜6-17を作成し、評価した。その結果を表６に示した。

（実施例７）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに前記化合物（１−３９）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子7-1〜7-17を作成し、評価した。その結果を表７に示した。

（実施例８）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに前記化合物（１−５０）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子8-1〜8-17を作成し、評価した。その結果を表８に示した。

（実施例９）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに下式アントラセン化合物（５）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子9-1〜9-17を作成し、評価した。その結果を表９に示した。

（実施例１０）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに下式アントラセン化合物（６）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子10-1〜10-17を作成し、評価した。その結果を表10に示した。

（比較例１）
実施例１において発光性有機薄膜層中に用いる正孔輸送材料を化合物（１−１）の代わりに下式アリールアミン化合物（７）を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子H1-1〜H1-17を作成し、評価した。その結果を表11に示した。

（比較例２）
実施例１において電子輸送性有機薄膜層中に用いる電子輸送材料を化合物（３−２７）の代わりにＡｌｑ₃を用いる以外は実施例１と同じ方法で有機電界発光素子H2-1〜H2-17を作成し、評価した。その結果を表１２に示した。

（実施例１１）
押圧部材の凸部間のパターン形状は図７、８に示すように２種類作成し、高精彩パターン用押圧部材Ａ（図７）は、凸部が100μｍ×100μｍ、凸部間は25μｍとし、凸部の高さは５μｍとした。微細パターン用押圧部材Ｂ（図８）は、凸部が200μｍ×100μｍ、凸部間は50μｍとし、凸部の高さは５μｍとした。なお、表１に押圧部材の材質と熱線膨張係数も示す（ＴＭＡ測定）。
実施例１と同様にして有機電界発光素子11-1〜11-17を作成し、転写性と発光ムラについて実施例１と同様に評価した。また、３回繰り返して転写を行い、一ヶ所の角端から１ｃｍ×１ｃｍ離れた対角位置の凸部のズレを測定した（○：ズレが２５μｍ未満、×：ズレが２５μｍ以上）。結果を表１３に示した。

（比較例３）
押圧部材を厚み30μｍのアルミ箔の両面に、ポリエチレンテレフタレート(PET)シート（厚み100μｍ、ルミラーT-100、東レ製）に接着剤を介してラミネートした線熱膨張係数５５ｐｐｍ／℃に、実施例１の押圧部材1-16と同様にして剥離層を設けた押圧部材を作成した。それ以外は実施例１１と同じ方法で有機電界発光素子を作成し、評価した。その結果を表１３に示した。

（比較例４）
−仮支持体を用いる転写法で有機薄膜層を形成する例−
実施例１１の転写材料11-16において押圧部材の替わりに仮支持体（線熱膨張係数１０ｐｐｍ／℃、厚み５０μｍのポリイミドシート（宇部興産製、ユーピレックス５０Ｓ））を用いた以外には同様にして転写材料を作製した。この転写材料を、実施例１で作製した陽極と有機薄膜層（正孔注入層、正孔輸送性有機薄膜層）を有する基板と有機薄膜層同士が対面させるように重ねて、転写材料の重ね合わせた面と反対面側から実施例１１の転写材料11-16に用いた押圧部材を用いて加圧し、実施例１と同じ転写条件で有機薄膜層を基板上に転写させ、その後工程は実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子について実施例１１と同様な評価を行った。結果は表１３に示した実施例１１の素子11-16と同じであったが、転写されたパターンが丸状又は長丸状となり、発光のパターン形状が鮮明にならなかった。また、発光部面積が小さくなってしまい、２０ｃｍ離れた位置で目視観察すると発光画素が粗く不鮮明であった。

（比較例５、６）
−蒸着法で発光性有機薄膜層を形成する例−
（Ａ）陽極、有機薄膜層の作製
0.5mm×2.5cm×2.5cmの白板ガラスを準備し、真空チャンバー内に導入し、SnO₂含有率が10質量％のITOターゲット（インジウム：錫＝95：５（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング（条件：基板の温度250℃、酸素圧１×10^-3Ｐａ）により、厚さ０．２μｍのITO薄膜からなる透明電極（陽極）を形成した。ITO薄膜の表面抵抗は10Ω／□であった。透明電極（ITO）を形成したガラス板を洗浄容器に入れ、イソプロピルアルコール（IPA）により洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を30分行った。処理した透明電極の表面に、正孔注入層として銅フタロシアニンを真空蒸着法にて、１ｎｍ／秒の速度で０．０１μｍの膜厚で設けた。その上に正孔輸送性有機薄膜層中の正孔輸送材料としてとして、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジジン（NPD）を真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で０．０５μｍの膜厚で設けた。

（Ｂ）発光性有機薄膜層の形成
作製した基板、陽極、正孔輸送性有機薄膜層上に図９、１０に示すパターニング用マスクを設置し、発光性有機薄膜層を、正孔輸送材料として前記化合物（１−１）、発光性有機薄膜層中の電子輸送材料としてＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）、発光材料としてルブレンを５０／５０／１の割合で共蒸着して、０．０４μｍの発光性有機薄膜層を形成した。

（Ｃ）素子の作製
上記（Ｂ）で作成した基板の発光性有機薄膜層の上面に、電子輸送性材料として前記化合物（３−２７）を真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、０．０２μｍの電子輸送性有機薄膜層を設けた。
さらにこの電子輸送性有機薄膜層上に、パターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて０．００１μｍの電子注入層を設けた。この上にアルミニウムを真空蒸着法にて０．１５μｍの陰極を設けた。 その後、陽極及び陰極より、それぞれアルミニウムのリード線を結線した。
このものを、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止し、比較例５、６の有機電界発光素子を作製した。なお、比較例５が図９に示すパターニング用マスクを用いて、比較例６が図１０に示すパターニング用マスクを用いて、それぞれ発光性有機薄膜層を作製した素子である。

（Ｄ）評価
実施例１１の有機電界発光素子11-1と比較例５，６について以下の評価を行った。結果は表１４に示す。
（発光不均一性）
KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電圧を印加し２００Ｃｄで発光させた有機電界発光素子について、パターン30箇所を50倍の顕微鏡で観察を行い、パターン端部の発光不均一性を評価した。発光不均一の評価基準は下記の通りである。
Ａ：全てが均一に発光している場合
Ｂ：端部の発光に濃淡がある場合

（発光性能）
発光性能は、東洋テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機電界素子に印加し発光させた。その時の最高輝度をＬｍａｘ、Ｌｍａｘが得られた時の電圧をＶｍａｘとした。さらに２００Ｃｄ／ｍ²時の発光効率をη₂₀₀とした。
また、この有機電界発光素子を初期輝度２０００Ｃｄ／ｍの条件で連続駆動試験をおこない、輝度が１０００Ｃｄ／ｍ²になった時間を輝度半減時間Ｔ1/2とした。

なお、表１４において、パターン「Ａ」とは図７に示す押圧部材又は図９に示すパターニング用マスクを用いて作製したパターンを示し、パターン「Ｂ」とは図８に押圧部材又は図１０に示すパターニング用マスクを用いて作製したパターンを示す。

表１４から、電子輸送性材料、正孔輸送材料、発光材料を含む発光性有機薄膜層を、押圧部材を用いた本発明の剥離転写法に形成した素子の方が、蒸着法で形成した素子よりも、パターン端部の発光不均一がなく、耐久性も向上していることが分かる。

（実施例１２、比較例７、８）
−陰極側基板が被転写材料となる転写法の例−
実施例１〜１０及び比較例１、２において押圧部材16を用いた転写材料（1-16、2-16などの素子の作製に用いた転写材料）をそれぞれ転写材料12-1〜12-10及び比較例７、８の転写材料とした（転写材料作製工程（Ａ）（Ｂ））。

（Ｃ）被転写材料（第１基板側、陰極及び電子輸送性有機薄膜層の作製）
厚み30μｍのアルミ箔の両面に、PETシート（厚み50μｍ、ルミラーT-60、東レ（株）製）に接着剤を介してラミネートし、得られたPETシート付きアルミ箔の片面に紫外線硬化樹脂〔アロニックスＭ-450（東亞合成（株）製）に10質量％のイルガキュア651（チバスペシャリティケミカルズ（株）製）〕をバーコーターにより乾燥膜厚が３μｍとなるように塗布し、600Ｗ高圧水銀灯により５ｃｍの高さから５分間照射することにより製膜し、第１基板とした。
第１基板の紫外線硬化樹脂を形成した片面上に、真空蒸着法により、パターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、アルミニウムを真空蒸着法にて０．１５μｍの陰極を設けた。次に、アルミニウムのリード線を結線し、更にこの上に、電子輸送性材料として前記化合物（３−２７）に対しＬｉＦが１０質量％となるように各々の材料の蒸着速度を調整し、１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、０．０２μｍの電子輸送性有機薄膜層を積層することで、陰極及び電子輸送性有機薄膜層を有する第１基板（被転写材料）を作製した。

（Ｄ）第１基板上への転写による発光性有機薄膜層の形成
上記（Ｃ）で作製した第１基板と、転写材料12-1〜12-18とを、有機薄膜層同士が重なるように設置し、０．３ＭＰａの圧力で加圧し、１対のローラー（両方が９０℃の加熱ローラー）の間を０．１ｍ／分の速度で通すことにより同時に加熱加圧を行った。ついで転写材料12-1〜12-18から押圧部材を引き剥がすことにより、第１基板／陰極／電子輸送性有機薄膜層の上面に発光性有機薄膜層を形成した。

（Ｅ）第２基板側への陽極、正孔注入層、正孔輸送性有機薄膜層の作製
熱線膨張係数が４ｐｐｍ／℃（ＴＭＡ測定、20℃）でサイズ0.7mm×2.5cm×2.5cmの白板ガラスを準備し、真空チャンバー内に導入し、SnO₂含有率が10質量％のITOターゲット（インジウム：錫＝95：５（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング（条件：基板支持体の温度250℃、酸素圧１×10^-3Ｐａ）により、厚さ0.2μｍのITO薄膜からなる透明電極（陽極）を形成した。ITO薄膜の表面抵抗は10Ω／□であった。透明電極を形成したガラス板を洗浄容器に入れ、イソプロピルアルコール（IPA）により洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を３０分行った。処理した透明電極の表面に、正孔注入層として銅フタロシアニンを真空蒸着法にて、１ｎｍ／秒の速度で０．０１μｍ設けた。その上に正孔輸送性有機薄膜層中の正孔輸送材料としてとして、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジジン（NPD）を真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で０．０５μｍ設けた。

（Ｆ）素子の作製
上記（Ｄ）で作製した基板／陰極／電子輸送性有機薄膜層／発光性有機薄膜層の順で積層された第１基板と、上記（Ｅ）で作製した基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送性有機薄膜層の順で積層された第２基板とを両方の材料の有機薄膜層側を合わせて重ね、０．３ＭＰａの圧力で加圧し、１対のローラー（両方が１５０℃の加熱ローラー）の間を０．１ｍ／分の速度で通すことにより有機電界発光素子を作製した。
続いて、陽極と陰極とをリード線で結線し、このものをアルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて淵の部分を封止し、本発明の有機電界発光素子を得た。

（Ｇ）評価
得られた素子を実施例１と同様に評価した。その結果を表１５に示す。

（実施例１３、比較例９）
−転写法で転写温度を変える例−
実施例１で作製した素子1-11で用いた転写材料と比較例１で作製した素子H1-1で作製した転写材料H1-1とを用いて転写温度を表１６に示したように変えて、他は実施例１と同様にして有機電界発光素子13-1〜13-5と比較例9-1〜9-5を作製した。評価は発光性能と連続駆動試験を実施例１と同様にして行った。結果を表１６に示す。

表１６から、発光性有機薄膜層中に電子輸送性材料、正孔輸送材料、及び発光材料を含んでいる有機電界発光素子は、転写時の温度を高くしても、最高輝度の低下や、発光効率の低下や、耐久性の悪化が少ないので、転写工程を速やかに行うことができることが分かる。

以上の結果から、本発明により簡便な方法で製造でき、かつ、本発明の発光性有機薄膜層を有する有機電界発光素子は、微細パターンでも発光が均一で、発光効率、耐久性ともに大幅に向上することが分かる。更に、腺熱係数が２０ｐｐｍ／℃以下である押圧部材により、所定パターン状の発光部を高精細に簡便な方法で作成することができる。更にまた、転写温度を高くして製造速度を速くすることができる。

本発明の凸部が形成された押圧部材がロール状である場合の転写工程の好ましい実施形態の一例を示す図である。 本発明の凸部が形成された押圧部材がシート状である場合の転写工程の好ましい実施形態の一例を示す図である。 本発明の凸部を有する押圧部材上に、真空製膜法により有機薄膜層を形成し、転写材料を作製する工程の一例を示す図である。 本発明の有機電界発光素子を作製する剥離転写工程の一例を示す図である。（ａ）は転写材料を示す図、（ｂ）は転写工程の一例を示す図、（ｃ）は剥離工程の一例を示す図である。 多色パターンの有機薄膜層を有する被転写材料の一例を示す図である。 本発明の接触角を求める時の液滴の側面図である。 基板上に有機薄膜層をパターニングするための押圧部材の一例を示す図であり、(x)は上面図であり、(y)は断面図である。 基板上に有機薄膜層をパターニングするための押圧部材の一例を示す図であり、(x)は上面図であり、(y)は断面図である。 蒸着法により有機薄膜層形成する際に用いるパターニング用マスクの一例を示す図である。 蒸着法により有機薄膜層形成する際に用いるパターニング用マスクの一例を示す図である。

符号の説明

1100：全面均一に押圧できる押圧部材
1101：有機薄膜層
1102：転写材料
1103：被転写材料
101：凸部を有する押圧部材
201：凸部の表面
203：有機薄膜層
204：転写材料
205：被転写材料
206：所定のパターン状に有機薄膜層を有する被転写材料
207〜209：色違いの有機薄膜層（３色の場合、例：赤、青、緑）
210：多色パターンを有する被転写材料
301：真空槽（ベルジャー）
302：有機薄膜層形成用組成物
303：蒸発源
θ：接触角
10：押圧部材
11：押圧部材の表面
12：液滴
13：液滴の頂点
14：接線
15：押圧部材と純水の接触点
30：押圧部材
31：本体部
32：凸部
33：剥離層
34：パターニングしたマスク
35：マスク部分
36：切り抜き部分

Claims (12)

1. 押圧部材上に少なくとも一層の有機薄膜層が真空製膜法により形成された転写材料を用い、前記有機薄膜層側が電極を有する第一の基板の電極側と対面するように、前記転写材料と前記第一の基板とを重ねて加圧し、前記押圧部材を引き剥がすことにより前記第一の基板上に前記有機薄膜層を転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機薄膜層の少なくとも一層が発光性有機薄膜層であり、前記発光性有機薄膜層が電子輸送性材料、正孔輸送材料及び発光材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
2. 前記押圧部材の線熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
3. 前記押圧部材が、有機薄膜層が設けられる面に凸部を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
4. 前記押圧部材の有機薄膜層が設けられる面が、表面撥水処理が施された又は剥離層が設けられた面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
5. 前記押圧部材の剥離層がケイ素含有化合物、フッ素含有化合物、ワックス、無機フィラー、有機フィラー、界面活性剤及び金属石鹸からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
6. 前記発光性有機薄膜層中の電子輸送材料が金属錯体化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
7. 前記発光性有機薄膜層中の正孔輸送材料が縮合芳香族化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
8. 前記発光性有機薄膜層中の正孔輸送材料が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
   

   

   一般式（１）中、Ａｒは多価の芳香族環基を表し、Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹はそれぞれ独立にアリーレン基を表し、Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²はそれぞれ独立に置換基又は水素原子を表す。ただし、Ａｒ¹¹、Ａｒ²¹、Ａｒ³¹、Ａｒ¹²、Ａｒ²²、Ａｒ³²の少なくとも２つは３環以上の縮合芳香族炭素環又は縮合芳香族複素環である。
9. 前記発光性有機薄膜層中の正孔輸送材料が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
   

   

   一般式（２）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に、アリール基、炭素数１〜２４のアルキル基、又は水素原子を表す。
10. 前記第一の基板上に転写された前記有機薄膜層上に、電極を有する第二の基板の電極側を貼り合せる工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
11. 一対の電極間に有機薄膜層を有する有機電界発光素子であって、請求項１〜１０のいずれかに記載の製造方法により得られることを特徴とする有機電界発光素子。
12. 前記有機薄膜層が電子輸送性有機薄膜層を有し、前記電子輸送性有機薄膜層中の電子輸送材料が分子内にヘテロ原子を１個以上有する芳香族ヘテロ環化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。

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