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JP2005266744A - 高分子ネットワーク液晶配列方法 - Google Patents

高分子ネットワーク液晶配列方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、配向膜コーティング及びラビング工程の必要のない高分子ネットワーク液晶配列方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、高分子ネットワーク液晶配列方法に関し、配向力を有するモノマー物質に直線偏光されたUVを照射して配向力を有す高分子物質とし、その過程でバルク状態の液晶配列を制御して高分子と液晶との相分離後、初期状態を透明に具現するモードであって、紫外線硬化モノマーが高分子となる過程でバルク状態の液晶配列を制御して初期透明状態を具現する。電圧の印加によって、上下電極による垂直電気場及び水平方向での高分子鎖による配向力により液晶等をばらついて配列させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、高分子ネットワーク液晶配列方法に関し、より詳細には、配向力を有するモノマー物質に直線偏光されたUVを照射して形成された高分子物質自体の配向力を用いて、バルク状態の液晶配列を制御して配向膜がなくても初期状態に透明な状態を具現するノーマリ透明配列フリー(Normally Transparent Alignment Free;NTAF)高分子ネットワーク液晶(Polymer Network Liquid Crystal;PNLC)配列方法に関する。
高分子と液晶との相分離を通じてディスプレイを具現する散乱型モードの液晶表示装置は、プロジェクション、スイッチング可能なウィンドウ等、多様な分野で応用されている。しかし、このような散乱型モードの液晶表示装置は、初期状態が透明なリバースタイプである場合、配向膜により液晶の初期配列を制御する必要があるので、従来の散乱型モードの液晶表示装置では、配向膜をコーティングしなければならないし、また、ラビング工程も必要となる。
従って、散乱型モードの液晶表示装置では上記の2つの工程が追加されなければならないので、その製造工程が複雑であるのみならず、ラビング工程がUV照射による光配向を用いることに関連して、前記ラビング工程過程において、静電気発生、ラビング布によるムラ等が生じて、歩留まりの低下をもたらす。
ラビング工程を簡略化する方法としては、例えば特許文献1には有機モノマーを塗布し、紫外線を照射して高分子化すると同時に配向性を有する膜とする技術が開示されている。しかし、この方法でも、配向膜をコーティングする工程は依然として必要である。
特開2001−48904号公報
本発明は従来技術の問題を解決するために案出されたものであって、配向膜コーティング及びラビング工程の必要のない高分子ネットワーク液晶配列方法を提供することを目的とする。
本発明に係る高分子ネットワーク液晶配列方法は、(a)配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射するステップと、(b)前記直線偏光された紫外線の照射により前記紫外線硬化モノマーが高分子となる過程で、バルク状態の液晶配列を制御して初期透明状態を具現するステップと、(c)電圧の印加によって上下電極による垂直電場及び水平方向での高分子鎖による配向力により液晶を不規則に配列させるステップとを含むことを特徴とする。
また、(i)配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射するステップと、(ii)前記直線偏光された紫外線の照射により前記紫外線硬化モノマーが高分子となる過程でバルク状態の液晶配列を制御し、上部及び下部電極に各々取付けられた第1及び第2偏光板により暗状態である初期透明状態を具現するステップと、(iii)上下電極間に電場を形成するために電圧を印加し、誘電率異方性が正の液晶分子が一方向に配列させて白を具現するステップとを含むことを特徴とする。
また、(ィ)配向力を有する紫外線硬化用モノマーに直線偏光された紫外線を照射するステップと、(ロ)前記直線偏光された紫外線の照射により前記紫外線硬化用モノマーが高分子となる過程でバルク状態の液晶配列を制御し、上部電極の上部及び下部電極の下部に各々取付けられた偏光板及び反射板により暗を具現する初期透明状態を具現するステップと、(ハ)上下電極間に電場を形成するために電圧を印加し、誘電率異方性が正の液晶分子が一方向に配列させて白を具現するステップとを含むことを特徴とする。
本発明は、配向力を有するモノマーを用いてバルク状態の液晶配列を制御することを特徴とする。即ち、液晶との相分離のために使用する紫外線硬化モノマーが露光時間または露光温度等の露光条件によって一方向に整列しながら配向膜の機能まで遂行する。従って、逆PNLCモードにおいて、配向膜をコーティングし、かつ、ラビングする2つのステップの工程を低減することができる。また、ラビング工程で示される静電気発生、ラビング布によるムラの発生等を防止することができるので、歩留まりが向上する効果がある。
以下、図を参照しながら本発明の望ましい実施の形態をより詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るNTAF PNLC配列方法における紫外線照射過程及び初期透明状態の具現過程を説明する図である。
図1に示すように、下部電極102上にスペーサ114を形成してから配向力を有する紫外線硬化モノマー104と液晶106との混合物を配置する。上板を覆って前記混合物に直線偏光された紫外線を照射する。
図3は、本発明の実施の形態に使用される紫外線硬化モノマーの例を示す化学式である。
紫外線硬化モノマー104は、図3に示すように、ポリイミド(polyimide)系物質またはアクリル(acrylate)系物質であることが望ましい。直線偏光された紫外線の照射の際、露光強さ及び温度を制御して高分子鎖110によるプレチルト角を制御する。このステップの実施に際し、露光温度を30ないし80℃に調節し、紫外線硬化モノマー104を高分子化させると共に、紫外線硬化モノマー104が溶解されていた溶媒を蒸発させる。
直線偏光された紫外線の照射により紫外線硬化モノマー104が高分子108となる過程で、バルク状態の液晶配列を制御して初期透明状態を具現する。紫外線硬化モノマー104と液晶106の短軸の屈折率が互に同じであり、液晶106の屈折率異方性が0.15以下であり、高分子108と液晶106が初期に水平配列されることが望ましい。
紫外線硬化モノマー104が高分子108となる過程で、直線偏光された紫外線により高分子108は一方向に整列することになり、高分子108と液晶106との相分離の際、高分子108によりバルク状態の液晶が一方向に整列することになる。このステップにおいて、直線偏光された紫外線の照射により高分子鎖110が所定の方向に配列してバルク状態の液晶配列を制御する。このステップは、直線偏光された紫外線の照射により高分子鎖110を分解させ、液晶106を高分子108が分解された所に配列させながら初期透明状態を具現する。
図2は、本発明の第1の実施の形態に係るNTAF PNLC配列方法における電圧印加による液晶配列過程を説明する図である。
電圧印加の際、誘電率異方性が正の液晶106は、電気場の方向に沿って垂直に起立しようとし、水平方向に位置している高分子108の配向力が液晶106を初期状態に維持しようとするので、これらの相互間の作用により液晶分子等が全ての方向で、ばらついて配列するようになる。即ち、電圧の印加により上部電極112及び下部電極102による垂直電気場及び水平方向における高分子鎖110による配向力により液晶106を不規則に配列させる。従って、前記高分子108と前記液晶106との間の屈折率の差により散乱が生じる。
以下、本発明の第2の実施の形態に係る透過型高分子ネットワーク液晶配列方法を図4を参照しながら説明する。
図4は、本発明の第2の実施の形態に係る透過型高分子ネットワーク液晶配列方法を説明する図である。
配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射する。直線偏光された紫外線の照射により紫外線硬化モノマーが高分子402となる過程でバルク状態の液晶配列を制御し、上部電極404及び下部電極406に各々取付けられた第1及び第2偏光板408及び410により暗状態を具現する初期透明状態を具現する。
電圧の印加により前記上部電極404と下部電極406との間の電場により誘電率異方性が正の液晶分子等が一方向に配列されて白状態を具現する。第1及び第2偏光板408及び410を上部電極404及び下部電極406に互に交叉するように位置させ、下部ラビング方向と偏光板の透過軸とを一致させる。従って、初期状態が状態暗、電圧印加時に白状態を具現する。
以下、本発明の第3の実施の形態に係る反射型高分子ネットワーク液晶配列方法を図5を参照しながら説明する。
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る反射型高分子ネットワーク液晶配列方法を説明する図である。
配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射する。直線偏光された紫外線の照射により紫外線硬化モノマーが高分子502となる過程でバルク状態の液晶配列を制御し、上部電極504の上部及び下部電極506の下部に各々取付けられた偏光板508及び反射板510により暗状態を具現する初期透明状態を具現する。下部電極506と反射板510との間にλ/4フィルム512を位置させて入射された直線偏光された光の偏光状態を円偏光に変更する。
電圧の印加により上下電極による電場により誘電率異方性が正の液晶分子514が一方向に配列させながら白状態を具現する。入射光が前記偏光板508により直線偏光され、液晶層と補償フィルムであるλ/4フィルム512を通過した後、更に反射板510により液晶層を通過して前記入射光と90°捩れた直線偏光された光を出力し、初期の暗状態を具現する。電圧の印加された時、不規則な液晶配列により、入射光を90°捩れた直線偏光に変える代わりに、光が漏れを起こさせて白状態を具現する。
以上、本発明の望ましい実施の形態を説明したが、本発明は前記の実施の形態に限られるものではなく、特許請求範囲の技術的思想の範囲内で当業者であれば多様な変更が可能である。
本発明の第1の実施の形態に係るノーマリ透明配列フリー高分子ネットワーク液晶配列方法における紫外線照射過程及び初期透明状態の具現過程を説明する図である。 本発明の第1の実施の形態に係るノーマリ透明配列フリー高分子ネットワーク液晶配列方法における電圧印加の液晶配列過程を説明する図である。 本発明の実施の形態に使用される紫外線硬化モノマーの例を示す化学式。 本発明の第2の実施の形態に係る透過型高分子ネットワーク液晶配列方法を説明する図である。 本発明の第3の実施の形態に係る透過型高分子ネットワーク液晶配列方法を説明する図である。
符号の説明
102 下部電極
104 紫外線硬化モノマー
106 液晶
108 高分子
110 高分子鎖
112 上部電極
114 スペーサ
402 高分子
404 上部電極
406 下部電極
408 第1偏光板
410 第2偏光板
502 高分子
504 上部電極
506 下部電極
508 偏光板
510 反射板
512 λ/4フィルム

Claims (16)

  1. (a)配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射するステップと、
    (b)前記直線偏光された紫外線の照射により前記紫外線硬化モノマーが高分子となる過程で、バルク状態の液晶配列を制御して初期透明状態を具現するステップと、
    (c)電圧の印加により上下電極による垂直電場及び水平方向での高分子鎖による配向力により液晶を不規則に配列させるステップと、
    を含むことを特徴とする高分子ネットワーク液晶配列方法。
  2. 前記紫外線硬化モノマーは、ポリイミド系物質又はアクリル系物質中のいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  3. 前記直線偏光された紫外線の照射の際、露光強さ及び温度を制御して高分子鎖によるプレチルト角を制御することを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  4. 前記紫外線硬化用モノマーと液晶分子の短軸の屈折率が互いに同じであり、前記液晶の屈折率異方性が0.15以下であり、前記高分子と前記液晶分子が初期状態では水平に配列されることを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  5. ステップ(a)の遂行中に、露光温度を30ないし80℃に調節し、前記モノマーを高分子化させると共に、前記モノマーが溶解されていた溶媒を蒸発させることを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  6. ステップ(a)は、下部電極上にスペーサを形成させてから紫外線硬化モノマーと前記液晶の混合物を配置するステップと、
    上板を覆って前記混合物に直線偏光された紫外線を照射するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  7. ステップ(b)において、前記モノマー物質が高分子となる過程において、前記高分子は直線偏光された紫外線により一方向に整列され、前記高分子と液晶との相分離の際、前記高分子によりバルク状態の液晶が一方向に整列されることを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  8. ステップ(b)は、前記直線偏光された紫外線の照射により高分子鎖が所定の方向に配列して前記バルク状態の液晶配列を制御するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  9. ステップ(b)は、前記直線偏光された紫外線の照射により高分子鎖を分解させ、前記液晶を前記高分子が分解された所に配列させながら前記初期透明状態を具現するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  10. ステップ(c)における液晶の不規則な配列により前記高分子と前記液晶との間の屈折率の差により散乱が生じることを特徴とする請求項1に記載の高分子ネットワーク液晶配列方法。
  11. (i)配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射するステップと、
    (ii)前記直線偏光された紫外線の照射により前記紫外線硬化用モノマーが高分子となる過程でバルク状態の液晶配列を制御し、上部及び下部電極に各々取付けられた第1及び第2偏光板により暗状態である初期透明状態を具現するステップと、
    (iii)上下電極間に電場を形成するために電圧を印加し、誘電率異方性が正の液晶分子を一方向に配列させて白状態を具現するステップと、
    を含むことを特徴とする透過型高分子ネットワーク液晶配列方法。
  12. 前記第1及び第2偏光板をそれらの透過軸が相互に交叉するように、前記上板及び下板に各々配置させて、前記暗状態を具現することを特徴とする請求項11に記載の透過型高分子ネットワーク液晶配列方法。
  13. (ィ)配向力を有する紫外線硬化モノマーに直線偏光された紫外線を照射するステップと、
    (ロ)前記直線偏光された紫外線の照射により前記紫外線硬化用モノマーが高分子となる過程でバルク状態の液晶配列を制御し、上部電極の上部及び下部電極の下部に各々取付けられた偏光板及び反射板により暗状態を具現する初期透明状態を具現するステップと、
    (ハ)上下電極間に電場を形成するために電圧を印加し、誘電率異方性が正の液晶分子を一方向に配列させて白状態を具現するステップと、
    を含むことを特徴とする反射型高分子ネットワーク液晶配列方法。
  14. 前記下部電極と前記反射板との間に補償フィルムを位置させて入射された直線偏光された光の偏光状態を円偏光に変更することを特徴とする請求項13に記載の反射型高分子ネットワーク液晶配列方法。
  15. 入射光は前記偏光板により直線偏光され、液晶層と補償フィルムとを通過した後、更に前記反射板により液晶層を通過して前記入射光と90°捩れた直線偏光された光を出力し、初期の暗状態を具現することを特徴とする請求項13に記載の反射型高分子ネットワーク液晶配列方法。
  16. 電圧が印加された時、不規則な液晶の配列により入射光を90°捩れた直線偏光に変える代わりに、光の漏れを起こさせ、白状態を具現することを特徴とする請求項13に記載の反射型高分子ネットワーク液晶配列方法。
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