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JP2005039114A - Semiconductor wafer transfer equipment - Google Patents

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JP2005039114A
JP2005039114A JP2003276003A JP2003276003A JP2005039114A JP 2005039114 A JP2005039114 A JP 2005039114A JP 2003276003 A JP2003276003 A JP 2003276003A JP 2003276003 A JP2003276003 A JP 2003276003A JP 2005039114 A JP2005039114 A JP 2005039114A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
support substrate
frame
dicing
holding
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003276003A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Namioka
伸一 波岡
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

【課題】半導体ウェーハを支持基板からダイシングフレームに移し替える場合において、移し替えを容易かつ効率良く行う。
【解決手段】磁着可能な金属で形成された支持基板に固定された状態で裏面が研削された半導体ウェーハを、ダイシングフレームが貼着されたダイシングテープに貼着してダイシングフレームと一体とし、半導体ウェーハの表面から支持基板を取り外して半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替える半導体ウェーハの移し替え装置において、保持手段25に隣接して配設されダイシングテープに貼着された半導体ウェーハの表面から支持基板を取り外す支持基板取り外し手段26を備え、支持基板取り外し手段26は、磁着により支持基板を半導体ウェーハの表面から剥離させる。
【選択図】図1
When a semiconductor wafer is transferred from a support substrate to a dicing frame, the transfer is easily and efficiently performed.
A semiconductor wafer having a back surface ground while being fixed to a support substrate made of a magnetizable metal is attached to a dicing tape to which a dicing frame is attached, and is integrated with the dicing frame. In a semiconductor wafer transfer apparatus for removing a support substrate from a surface of a semiconductor wafer and transferring the semiconductor wafer to a dicing frame, the support substrate is provided from the surface of the semiconductor wafer disposed adjacent to the holding means 25 and attached to a dicing tape. The support substrate removing means 26 is provided to remove the support substrate from the surface of the semiconductor wafer by magnetic adhesion.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、表面が支持基板に固定された状態で裏面の研削が行われた半導体ウェーハをダイシングテープと一体となったダイシングフレームに移し替える半導体ウェーハの移し替え装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer transfer apparatus for transferring a semiconductor wafer whose back surface has been ground with its front surface fixed to a support substrate to a dicing frame integrated with a dicing tape.

表面に回路が複数形成された半導体ウェーハは、裏面が研削されて所定の厚さに形成された後、ダイシング装置によってダイシングされて個々の回路ごとの半導体チップに分割され、各種電子機器に用いられる。   A semiconductor wafer having a plurality of circuits formed on the front surface is ground to have a predetermined thickness after being ground, and then diced by a dicing device and divided into semiconductor chips for each circuit, and used for various electronic devices. .

研削により薄く形成された後の半導体ウェーハは、剛性が著しく低くなっているため、そのままの状態では後のダイシング工程への搬送等に不都合が生じることがある。   Since the rigidity of the semiconductor wafer after being thinly formed by grinding is remarkably low, there may be inconveniences in conveyance to the subsequent dicing process in the state as it is.

そこで、半導体ウェーハを剛性の高い金属等で形成された支持基板に固定した状態で研削を行い、その後ダイシングフレームと一体となったダイシングテープに貼り替えることも試みられている(例えば特許文献1参照)。   Then, grinding is performed in a state where the semiconductor wafer is fixed to a support substrate made of a highly rigid metal or the like, and thereafter, it is attempted to replace the wafer with a dicing tape integrated with a dicing frame (for example, see Patent Document 1). ).

特開2003−77869号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-77869

しかしながら、支持基板に固定された半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替える装置は開発されておらず、現状ではかかる移し替えを手作業にて行っており、生産性が著しく低いという問題がある。また、厚さが100μm以下、50μm以下というように研削により極めて薄くなった半導体ウェーハについては、手作業による移し替えでは取り扱いが容易でなく、破損しやすいという問題もある。   However, an apparatus for transferring a semiconductor wafer fixed to a support substrate to a dicing frame has not been developed. At present, such transfer is performed manually, and there is a problem that productivity is remarkably low. In addition, a semiconductor wafer that has become extremely thin by grinding such as a thickness of 100 μm or less or 50 μm or less has a problem that it is not easy to handle and easily breaks by manual transfer.

従って、半導体ウェーハを支持基板からダイシングフレームに移し替える場合においては、移し替えを容易かつ効率良く行うことに課題を有している。   Therefore, when the semiconductor wafer is transferred from the support substrate to the dicing frame, there is a problem in performing the transfer easily and efficiently.

上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、磁着可能な金属で形成された支持基板の上面に粘着剤を介して表面が固定された状態で裏面が研削された半導体ウェーハをダイシングテープに貼着してダイシングフレームと一体とし、半導体ウェーハの表面から該支持基板を取り外して該半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替える半導体ウェーハの移し替え装置であって、ダイシングフレームを保持するフレーム保持部と、ダイシングフレームに貼着されたダイシングテープを保持する保持面を有するチャックテーブルとを備えた保持手段と、保持手段に隣接して配設され、ダイシングテープに貼着された半導体ウェーハの表面から支持基板を取り外す支持基板取り外し手段とを含み、支持基板取り外し手段は、支持基板を磁着する磁石部と、磁石部が装着され磁着した支持基板を半導体ウェーハの表面から剥離させる方向に回動する回動アームと、該回動アームを回動自在に支持する支点部とを少なくとも備えた半導体ウェーハ移し替え装置を提供する。   As a specific means for solving the above-mentioned problems, the present invention dices a semiconductor wafer whose back surface is ground with the top surface of the support substrate made of a magnetizable metal being fixed via an adhesive. A semiconductor wafer transfer device that is attached to a tape and integrated with a dicing frame, removes the support substrate from the surface of the semiconductor wafer, and transfers the semiconductor wafer to a dicing frame, and a frame holding unit that holds the dicing frame And a holding means having a holding table for holding a dicing tape attached to the dicing frame, and a surface of the semiconductor wafer disposed adjacent to the holding means and attached to the dicing tape. Supporting substrate removing means for removing the supporting substrate, and the supporting substrate removing means magnetizes the supporting substrate. At least a rotating arm that rotates in a direction to peel the support substrate that is attached and magnetized and is attached to the surface of the semiconductor wafer, and a fulcrum that rotatably supports the rotating arm. A semiconductor wafer transfer device is provided.

そしてこの半導体ウェーハ移し替え装置は、回動アームが、支点部からチャックテーブルに保持された半導体ウェーハの直径方向に向けて延び、磁石部は、半導体ウェーハに貼着された支持基板の支点部から遠い側の外周部を磁着するように、回動アームの先端部に装着されること、支点部が、チャックテーブルの保持面より低い位置に配設されること、ダイシングフレームとダイシングテープとを貼着するダイシングテープ貼着手段と、支持基板に支持された半導体ウェーハの裏面をダイシングテープに貼着して半導体ウェーハをダイシングフレームと一体とする半導体ウェーハ貼着手段とを備えたことを付加的要件とする。   In this semiconductor wafer transfer device, the rotating arm extends from the fulcrum portion toward the diameter direction of the semiconductor wafer held on the chuck table, and the magnet portion extends from the fulcrum portion of the support substrate attached to the semiconductor wafer. Attach to the tip of the rotating arm so that the outer peripheral part of the far side is magnetically attached, the fulcrum part is disposed at a position lower than the holding surface of the chuck table, the dicing frame and the dicing tape It is additionally provided with a dicing tape adhering means for adhering and a semiconductor wafer adhering means for adhering the back surface of the semiconductor wafer supported by the support substrate to the dicing tape and integrating the semiconductor wafer with the dicing frame. As a requirement.

本発明においては、支持基板が金属で形成され、支持基板取り外し手段に磁石部を備えたことにより、磁着により支持基板を半導体ウェーハから取り外すことができるため、半導体ウェーハの支持基板からダイシングフレームへの移し替えを容易かつ効率的に行うことができ、研削により薄くなった半導体ウェーハでも破損させることなく確実に移し替えることができる。   In the present invention, since the support substrate is formed of metal and the support substrate removing means is provided with the magnet portion, the support substrate can be detached from the semiconductor wafer by magnetic attachment, and therefore, from the support substrate of the semiconductor wafer to the dicing frame. Can be easily and efficiently performed, and even a semiconductor wafer thinned by grinding can be reliably transferred without being damaged.

また、支持基板のうち、支点部から最も離れた外周部を磁着することができるため、支持基板の取り外しが確実かつ円滑に行われる。   In addition, since the outermost portion of the support substrate that is farthest from the fulcrum portion can be magnetically attached, the support substrate can be removed reliably and smoothly.

更に、回動アームの回動の支点となる支点部が、ダイシングテープを保持するチャックテーブルの保持面より低い位置にあることにより、支持基板の磁着を確実に行うことができる。   Further, since the fulcrum portion that is a fulcrum of rotation of the rotation arm is located at a position lower than the holding surface of the chuck table that holds the dicing tape, the support substrate can be reliably magnetized.

また、ダイシングフレームとダイシングテープとを貼着するダイシングテープ貼着手段と、支持基板に支持された半導体ウェーハの裏面をダイシングテープに貼着して半導体ウェーハをダイシングフレームと一体とする半導体ウェーハ貼着手段とを備えたことにより、ダイシングフレームへのダイシングテープの貼着、半導体ウェーハのダイシングフレームへの一体化も自動的に行うことができるため、半導体ウェーハの移し替えに伴うすべての作業を効率的に行うことができる。   Also, a dicing tape adhering means for adhering the dicing frame and the dicing tape, and a semiconductor wafer adhering in which the back surface of the semiconductor wafer supported by the support substrate is adhered to the dicing tape and the semiconductor wafer is integrated with the dicing frame. This means that the dicing tape can be automatically attached to the dicing frame and the semiconductor wafer can be integrated into the dicing frame automatically. Can be done.

本発明の実施の形態として、図1に示す半導体ウェーハ移し替え装置10について、適宜他の図面を参照しながら説明する。この半導体ウェーハ移し替え装置10においては、図2に示すダイシングフレーム101がフレーム収容手段100に複数収容され、フレーム収容手段載置領域11に載置される。このダイシングフレーム101は、剛性の高い部材によりリング状に形成され、中央部には開口部102が形成されている。   As an embodiment of the present invention, a semiconductor wafer transfer apparatus 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to other drawings as appropriate. In this semiconductor wafer transfer apparatus 10, a plurality of dicing frames 101 shown in FIG. 2 are accommodated in the frame accommodating means 100 and placed in the frame accommodating means placement region 11. The dicing frame 101 is formed in a ring shape with a highly rigid member, and an opening 102 is formed at the center.

図1に示したフレーム収容手段載置領域11は、基台12に対して昇降することによってフレーム収容手段100を適宜の高さに位置付けることができる。   The frame accommodating means placement region 11 shown in FIG. 1 can position the frame accommodating means 100 at an appropriate height by moving up and down with respect to the base 12.

図1に示したフレーム収容手段100に収納されたダイシングフレーム101は、X軸方向に移動可能なフレーム搬出入手段13が+X方向に移動してフレーム収容手段100に近づき、その先端に形成された挟持部13aがダイシングフレーム101を挟持し、そのままの状態で−X方向に移動することにより搬出される。そして、フレーム載置領域14において挟持状態を解除することにより、ダイシングフレーム101がフレーム載置領域14に載置される。   The dicing frame 101 housed in the frame housing means 100 shown in FIG. 1 is formed at the tip of the frame carrying-in / out means 13 that can move in the X-axis direction and approaches the frame housing means 100 by moving in the + X direction. The sandwiching portion 13a sandwiches the dicing frame 101 and is unloaded by moving in the −X direction as it is. The dicing frame 101 is placed in the frame placement area 14 by releasing the clamping state in the frame placement area 14.

フレーム載置領域14には、基台12から上方に突出してY軸方向に移動可能な一対の位置調整手段15が対峙して配設されており、一対の位置調整手段15が互いに近づく方向に移動することにより、ダイシングフレーム101が一定の位置に位置合わせされる。   In the frame mounting area 14, a pair of position adjusting means 15 that protrude upward from the base 12 and are movable in the Y-axis direction are disposed opposite to each other, and the pair of position adjusting means 15 are in a direction toward each other. By moving, the dicing frame 101 is aligned at a certain position.

こうして位置合わせされたダイシングフレーム101は、フレーム搬送手段16を構成するフレーム吸着部16aに吸着されて保持される。このフレーム搬送手段16は、ダイシングフレーム101を保持するフレーム吸着部16aと、X軸方向に架設されたレール16bと、レール16bにガイドされてX軸方向に水平移動する水平移動部16cと、水平移動部16cに連結されフレーム吸着部16aを昇降させる昇降駆動部16dとから構成される。   The dicing frame 101 thus aligned is adsorbed and held by the frame adsorbing portion 16a constituting the frame conveying means 16. The frame conveying means 16 includes a frame adsorbing portion 16a that holds the dicing frame 101, a rail 16b that extends in the X-axis direction, a horizontal moving portion 16c that is guided by the rail 16b and moves horizontally in the X-axis direction, It is comprised from the raising / lowering drive part 16d connected with the moving part 16c, and raising / lowering the flame | frame adsorption | suction part 16a.

昇降駆動部16dに駆動されてフレーム吸着部16aが下降してダイシングフレーム101を吸着保持すると、フレーム吸着部16aが上昇した後に水平移動部16cが−X方向に移動し、ダイシングフレーム101をダイシングテープ貼着手段24の直上に位置付けて停止する。そして、フレーム吸着部16aが下降し、吸着を解除することにより、ダイシングテープ貼着手段24を構成するフレーム保持テーブル24aにダイシングフレーム101が載置され、保持される。   When the frame adsorbing part 16a descends and is held by adsorbing and holding the dicing frame 101 by being driven by the elevating drive unit 16d, the horizontal moving part 16c moves in the −X direction after the frame adsorbing part 16a rises, and the dicing frame 101 is moved to the dicing tape. Position and stop just above the sticking means 24. Then, when the frame adsorbing portion 16a is lowered and the adsorbing is released, the dicing frame 101 is placed and held on the frame holding table 24a constituting the dicing tape adhering means 24.

一方、裏面研削後の半導体ウェーハWは、図3に示すように、支持基板103の上面に固定されており、図4に示すように、支持基板103と半導体ウェーハWとの間には粘着剤106が介在している。支持基板103は、厚さ0.3〜1.0mmの鉄、ステンレス等の磁着可能な金属により形成され、厚さが100μm以下、50μm以下というように薄く形成された半導体ウェーハでも安定的に支持することができる。   On the other hand, the semiconductor wafer W after the back grinding is fixed to the upper surface of the support substrate 103 as shown in FIG. 3, and an adhesive is provided between the support substrate 103 and the semiconductor wafer W as shown in FIG. 106 is interposed. The support substrate 103 is formed of a metal that can be magnetized such as iron or stainless steel having a thickness of 0.3 to 1.0 mm, and even a semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less and 50 μm or less can be stably formed. Can be supported.

こうして半導体ウェーハWが固着された基板103は、図1に示す基板収容手段200に収容されており、この基板収容手段200は、基台12に対して昇降可能な基板収容手段載置領域20に載置されている。そして、支持基板103に固定された半導体ウェーハWは、基板搬出入手段21によって搬出される。   The substrate 103 to which the semiconductor wafer W is thus fixed is accommodated in the substrate accommodation means 200 shown in FIG. 1, and this substrate accommodation means 200 is placed in the substrate accommodation means placement region 20 that can be raised and lowered relative to the base 12. It is placed. Then, the semiconductor wafer W fixed to the support substrate 103 is carried out by the substrate carry-in / out means 21.

基板搬出入手段21は、上下動及び屈曲可能なアーム部21aと、アーム部21aの先端に対して垂直方向に回動可能な保持部21bとから構成され、保持部21bは、基板収容手段200に進入して支持基板103の裏面103a(図4参照)を吸着して搬出し、基板位置調整手段22に搬送する。この搬送の途中では、保持部21bが垂直方向に180度回転することにより、半導体ウェーハW及び支持基板103の表裏を反転させ、図5に示すように、基板103の裏面103aが上を向き、半導体ウェーハWの裏面が下を向いた状態とする。   The substrate carry-in / out means 21 includes an arm portion 21a that can be vertically moved and bent, and a holding portion 21b that can be rotated in a direction perpendicular to the tip of the arm portion 21a. Then, the rear surface 103a (see FIG. 4) of the support substrate 103 is sucked and carried out, and is conveyed to the substrate position adjusting means 22. In the middle of this conveyance, the holding portion 21b rotates 180 degrees in the vertical direction to reverse the front and back of the semiconductor wafer W and the support substrate 103, and as shown in FIG. 5, the back surface 103a of the substrate 103 faces upward, It is assumed that the back surface of the semiconductor wafer W faces downward.

図1を参照して説明を続けると、基板位置調整手段22は、半導体ウェーハW及び基板103が載置される載置部22aと、載置部22aにおいて載置された半導体ウェーハW及び基板103の外周側に複数配設され載置部22aの中心に接近する方向または当該中心から離反する方向に移動可能な複数の突起状の位置合わせ部材22bとから構成され、載置部22aにおいて保持され半導体ウェーハWが固定された基板103は、すべての位置合わせ部材22bが接近する方向に同じだけ移動することにより一定の位置に位置合わせされる。   Continuing the description with reference to FIG. 1, the substrate position adjusting means 22 includes a mounting unit 22 a on which the semiconductor wafer W and the substrate 103 are mounted, and the semiconductor wafer W and the substrate 103 mounted on the mounting unit 22 a. A plurality of projecting alignment members 22b that are arranged on the outer peripheral side of the base plate and are movable in a direction approaching the center of the mounting portion 22a or in a direction away from the center, and is held by the mounting portion 22a. The substrate 103 on which the semiconductor wafer W is fixed is aligned at a fixed position by moving the same amount in the direction in which all the alignment members 22b approach.

基板位置調整手段22の近傍には、昇降及び回動可能なアーム部23aと、アーム部23aの先端部において支持基板103を吸着して保持する保持部23bとから構成される半導体ウェーハ貼着手段23が配設されており、保持部23bにおいて基板103を保持してアーム部23aが昇降及び回転することにより、基板位置調整手段22によって位置合わせされた半導体ウェーハW及び支持基板103をダイシングテープ貼着手段24に搬送する。   In the vicinity of the substrate position adjusting means 22, a semiconductor wafer adhering means comprising an arm portion 23a that can be moved up and down and a holding portion 23b that sucks and holds the support substrate 103 at the tip of the arm portion 23a. 23, and the substrate 103 is held by the holding portion 23 b and the arm portion 23 a is moved up and down and rotated, whereby the semiconductor wafer W and the support substrate 103 aligned by the substrate position adjusting means 22 are attached with a dicing tape. It is conveyed to the landing means 24.

ダイシングテープ貼着手段24は、ダイシングフレーム101を保持するフレーム保持テーブル24aと、貼着しようとするダイシングテープ104を送り出すテープ送り部24bと、ダイシングテープ104を巻き取るテープ巻き取り部24cと、回動及びX軸方向に移動可能な押圧ローラー24dと、ダイシングテープ104をダイシングフレーム101の外周に沿ってカットするテープカッター24eとから構成される。   The dicing tape attaching means 24 includes a frame holding table 24a for holding the dicing frame 101, a tape feeding portion 24b for sending out the dicing tape 104 to be attached, a tape take-up portion 24c for taking up the dicing tape 104, and a rotation. The pressure roller 24d is movable and movable in the X-axis direction, and the tape cutter 24e cuts the dicing tape 104 along the outer periphery of the dicing frame 101.

帯状のダイシングテープ104は、フレーム保持テーブル24aの上方において、粘着面が上を向いた状態でテープ送り部24bからテープ巻き取り部24cに架設されており、フレーム搬送手段16によって搬送されてきたダイシングフレーム101は、フレーム吸着部16aが下降することによって、図6(A)に示すようにダイシングテープ104の上に載置され、ダイシングテープ104を介してダイシングフレーム101が保持される。   The strip-shaped dicing tape 104 is laid from the tape feeding section 24b to the tape winding section 24c with the adhesive surface facing upward above the frame holding table 24a. The frame 101 is placed on the dicing tape 104 as shown in FIG. 6A when the frame adsorbing portion 16 a is lowered, and the dicing frame 101 is held via the dicing tape 104.

一方、半導体ウェーハ貼着手段23によって基板位置調整手段22から搬送されてきた半導体ウェーハW及び支持基板103は、半導体ウェーハWの裏面が下を向いた状態で、図6(B)に示すように、ダイシングフレーム101の開口部102においてダイシングテープ104の上に載置される。   On the other hand, the semiconductor wafer W and the support substrate 103 conveyed from the substrate position adjusting unit 22 by the semiconductor wafer adhering unit 23 are as shown in FIG. 6B with the back surface of the semiconductor wafer W facing down. Then, it is placed on the dicing tape 104 in the opening 102 of the dicing frame 101.

そして、図6(C)に示すように、押圧ローラー24dが回動及びX軸方向の移動を伴って下方に向けて押圧力を加えることにより、半導体ウェーハWの裏面がダイシングテープ104の粘着面に貼着されると共に、ダイシングフレーム101も粘着面に貼着され、テープカッター24eがダイシングフレーム101の外周に沿って作用して円形に切断し、帯状のダイシングテープ104から分離され、図7に示すように、半導体ウェーハW、基板103、及びダイシングフレーム101が円形に切断されたダイシングテープ104を介して一体となる。こうして一体となったものを、以降ではウェーハユニット105と呼ぶ。   Then, as shown in FIG. 6C, the back surface of the semiconductor wafer W is applied to the adhesive surface of the dicing tape 104 by applying a pressing force downward with the pressing roller 24d rotating and moving in the X-axis direction. In addition, the dicing frame 101 is also attached to the adhesive surface, and the tape cutter 24e acts along the outer periphery of the dicing frame 101 to cut into a circle and is separated from the belt-like dicing tape 104, as shown in FIG. As shown, the semiconductor wafer W, the substrate 103, and the dicing frame 101 are integrated through a dicing tape 104 cut into a circle. The integrated unit is hereinafter referred to as a wafer unit 105.

図1を参照して説明を続けると、次にウェーハユニット105は、フレーム吸着部16aによって保持され、フレーム吸着部16aが−X方向に移動することにより保持手段25の直上に位置付けられる。保持手段25は、ダイシングフレーム101を保持する複数のフレーム保持部25aと、ダイシングフレーム101に貼着されたダイシングテープ104を保持する保持面25bを有するチャックテーブル25cとを備えており、フレーム吸着部16aが下降してウェーハユニット105の保持が解除されると、図8(A)に示すように、半導体ウェーハW及び支持基板103がチャックテーブル25cの保持面25bに載置されて保持されると共に、ダイシングフレーム101がフレーム保持部25aによって保持される。   Continuing the description with reference to FIG. 1, the wafer unit 105 is then held by the frame suction portion 16 a and is positioned immediately above the holding means 25 by moving the frame suction portion 16 a in the −X direction. The holding means 25 includes a plurality of frame holding portions 25a for holding the dicing frame 101, and a chuck table 25c having a holding surface 25b for holding the dicing tape 104 attached to the dicing frame 101. When 16a is lowered and the holding of the wafer unit 105 is released, the semiconductor wafer W and the support substrate 103 are placed and held on the holding surface 25b of the chuck table 25c, as shown in FIG. 8A. The dicing frame 101 is held by the frame holding unit 25a.

保持手段25に隣接する位置には、ダイシングテープ104に貼着された半導体ウェーハWの表面から支持基板103を取り外す支持基板取り外し手段26が配設されている。支持基板取り外し手段26は、支持基板103を磁着する磁石部26aと、磁石部26aが先端部に装着され回動により磁着した支持基板103を半導体ウェーハWの表面から剥離させる回動アーム26bと、回動アーム26bを水平方向及び垂直方向に回動自在に支持する支点部26cとを備えている。   At a position adjacent to the holding means 25, support substrate removing means 26 for removing the support substrate 103 from the surface of the semiconductor wafer W adhered to the dicing tape 104 is disposed. The support substrate removing means 26 includes a magnet portion 26a for magnetically attaching the support substrate 103, and a rotation arm 26b for peeling the support substrate 103 attached to the tip portion and magnetized by rotation from the surface of the semiconductor wafer W. And a fulcrum portion 26c that rotatably supports the rotating arm 26b in the horizontal direction and the vertical direction.

回動アーム26bは、支点部26cからチャックテーブル25cに保持される半導体ウェーハWの直径方向に向けて延び、磁石部26aは、半導体ウェーハWに貼着された支持基板103のうち、支点部26cから遠い側の外周部を磁着するように、回動アーム26bの先端部に装着される。磁石部26aは、電磁石や永久磁石により構成され、電磁石を使用した場合には磁力の作用/非作用を自在に制御することができる。磁石部26aは、磁着する支持基板103の外周に沿うように円弧状に形成されていることが望ましい。また、支点部26cは、チャックテーブル25cの保持面25bより低い位置に配設されていることが望ましい。図示の例では、磁石部26aの下部に向けてエアーを吹き付けるエアー噴出ノズル26dも備えている。   The rotating arm 26b extends from the fulcrum portion 26c in the diameter direction of the semiconductor wafer W held on the chuck table 25c, and the magnet portion 26a is the fulcrum portion 26c of the support substrate 103 attached to the semiconductor wafer W. It attaches to the front-end | tip part of the rotation arm 26b so that the outer peripheral part on the side far from may be magnetically attached. The magnet part 26a is composed of an electromagnet or a permanent magnet, and when an electromagnet is used, the action / non-action of magnetic force can be freely controlled. The magnet part 26a is preferably formed in an arc shape along the outer periphery of the support substrate 103 to be magnetically attached. Further, it is desirable that the fulcrum portion 26c is disposed at a position lower than the holding surface 25b of the chuck table 25c. In the illustrated example, an air ejection nozzle 26d that blows air toward the lower portion of the magnet portion 26a is also provided.

なお、図示の例では、支持基板取り外し手段26の近傍には、外的刺激付与手段27が配設されている。この外的刺激付与手段27は、半導体ウェーハWと支持基板103との間に介在する粘着剤に作用する作用部27aと、作用部27aを所定角度回動させて作用位置と非作用位置とに位置付ける駆動部27bとから構成されている。   In the illustrated example, an external stimulus applying means 27 is disposed in the vicinity of the support substrate removing means 26. The external stimulus applying means 27 includes an action portion 27a that acts on an adhesive interposed between the semiconductor wafer W and the support substrate 103, and a rotation angle of the action portion 27a by a predetermined angle between an action position and a non-action position. It is comprised from the drive part 27b to position.

そして、図4に示した半導体ウェーハWと支持基板103との間に介在する粘着剤106が、外的刺激により粘着力が低下するタイプのものである場合は、磁石部26aを支持基板103に磁着させて半導体ウェーハWから取り外す前に、図8(B)に示すように、外的刺激付与手段27を構成する作用部27aを基板103の直上に移動させ、支持基板103の上方から外的刺激を与えることによって、支持基板103と半導体ウェーハWとの間に介在する粘着剤の粘着力を低下させることができる。例えば、図4に示した粘着剤106が、熱により粘着力が低下する粘着剤により構成される場合は、外的刺激として作用部27aから加熱を行うことによって粘着力を低下させることができる。   When the adhesive 106 interposed between the semiconductor wafer W and the support substrate 103 shown in FIG. 4 is of a type in which the adhesive force is reduced by an external stimulus, the magnet part 26 a is attached to the support substrate 103. Before magnetic removal and removal from the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 8 (B), the action portion 27a constituting the external stimulus applying means 27 is moved immediately above the substrate 103 so as to be removed from above the support substrate 103. By giving a mechanical stimulus, the adhesive force of the adhesive interposed between the support substrate 103 and the semiconductor wafer W can be reduced. For example, when the pressure-sensitive adhesive 106 shown in FIG. 4 is composed of a pressure-sensitive adhesive whose heat-sensitive adhesive strength is reduced, the pressure-sensitive adhesive force can be reduced by heating from the action portion 27a as an external stimulus.

また、粘着剤106が、溶剤によって溶解して粘着力が低下する粘着剤の場合には、外的刺激は溶剤の供給であり、作用部27aから粘着剤106に対して溶剤を供給する。この場合は、支持基板103の表裏を貫通する細孔を複数設け、その細孔を通って溶剤が粘着剤106に供給されるようにする。粘着剤が糊のように水によって粘着力が低下するタイプのものである場合も、作用部27aから粘着剤106に水を供給するために、支持基板103に細孔が形成される。   When the pressure-sensitive adhesive 106 is a pressure-sensitive adhesive that dissolves in a solvent and has a reduced adhesive strength, the external stimulus is supply of the solvent, and the solvent is supplied to the pressure-sensitive adhesive 106 from the action portion 27a. In this case, a plurality of pores penetrating the front and back of the support substrate 103 are provided, and the solvent is supplied to the adhesive 106 through the pores. Even when the adhesive is of a type whose adhesive strength is reduced by water, such as glue, pores are formed in the support substrate 103 in order to supply water from the action portion 27a to the adhesive 106.

図8(A)に示したようにウェーハユニット105が保持手段25において保持された後、または、ウェーハユニット105が保持手段25において保持されてから図8(B)に示したように粘着剤106に外的刺激を与えた後には、回動アーム26bの回動によって磁石部26aが下降して支持基板103を磁着し、図8(C)に示すように、回動アーム26bの回動によって磁石部26aが上昇することにより、支持基板103が持ち上げられて半導体ウェーハWから取り外される。このようにして、半導体ウェーハWのダイシングフレーム101に移し替えが行われる。   After the wafer unit 105 is held by the holding unit 25 as shown in FIG. 8A, or after the wafer unit 105 is held by the holding unit 25, as shown in FIG. After the external stimulus is applied, the magnet portion 26a is lowered by the rotation of the rotation arm 26b and the support substrate 103 is magnetically attached. As shown in FIG. 8C, the rotation of the rotation arm 26b is performed. As a result, the magnet portion 26 a is raised, whereby the support substrate 103 is lifted and removed from the semiconductor wafer W. In this way, the transfer to the dicing frame 101 of the semiconductor wafer W is performed.

支持基板103が金属で形成され、磁石部26aによる磁着により支持基板103を半導体ウェーハWから取り外すことができるため、半導体ウェーハWの支持基板103からダイシングフレームFへの移し替えが容易かつ効率的に行われる。また、研削により薄くなった半導体ウェーハでも破損させることなく確実に移し替えることができる。   Since the support substrate 103 is made of metal and can be detached from the semiconductor wafer W by magnetic attachment by the magnet portion 26a, the transfer of the semiconductor wafer W from the support substrate 103 to the dicing frame F is easy and efficient. To be done. Further, even a semiconductor wafer thinned by grinding can be reliably transferred without being damaged.

また、図8(C)に示したように、回動アーム26bは、支点部26cからチャックテーブル25cに保持された半導体ウェーハWの直径方向に向けて延び、磁石部26aは、半導体ウェーハWに貼着された支持基板103のうち、支点部26cから遠い側の外周部を磁着するため、支持基板103の取り外しが確実かつ円滑に行われる。   Further, as shown in FIG. 8C, the rotating arm 26b extends from the fulcrum portion 26c in the diameter direction of the semiconductor wafer W held on the chuck table 25c, and the magnet portion 26a extends to the semiconductor wafer W. Since the outer peripheral portion far from the fulcrum portion 26c of the attached support substrate 103 is magnetically attached, the support substrate 103 is removed reliably and smoothly.

更に、支点部26cをチャックテーブル25cの保持面25bより低い位置に配設させれば、支持基板103の磁着を確実に行うことができる。   Furthermore, if the fulcrum portion 26c is disposed at a position lower than the holding surface 25b of the chuck table 25c, the support substrate 103 can be reliably magnetically attached.

支持基板103を持ち上げる際には、図8(C)に示すように、エアー噴出ノズル26dから支持基板103と半導体ウェーハWとの間にエアーを噴射することにより、半導体ウェーハWからの取り外しをより容易に行うことができる。   When the support substrate 103 is lifted, as shown in FIG. 8C, air is ejected from the air ejection nozzle 26d between the support substrate 103 and the semiconductor wafer W, thereby removing the support substrate 103 from the semiconductor wafer W. It can be done easily.

図8(C)の例においては、磁石部26aが支持基板103の端部を保持しているため、回動アーム26bの垂着方向の回動により支持基板103が端部から上昇していき、金属により形成された支持基板103が徐々に半導体ウェーハWから分離していく。支持基板103の全面を磁着した場合には支持基板103が半導体ウェーハWから分離しにくいが、磁石部26aが支持基板103の端部を保持することにより、金属により構成される支持基板103が撓りながら徐々に半導体ウェーハWから剥離されるため、支持基板103を円滑に取り外すことができる。   In the example of FIG. 8C, since the magnet portion 26a holds the end portion of the support substrate 103, the support substrate 103 rises from the end portion by the rotation of the rotation arm 26b in the hanging direction. The support substrate 103 made of metal is gradually separated from the semiconductor wafer W. When the entire surface of the support substrate 103 is magnetically attached, the support substrate 103 is difficult to separate from the semiconductor wafer W, but the magnet portion 26a holds the end of the support substrate 103, so that the support substrate 103 made of metal is formed. Since it is gradually peeled from the semiconductor wafer W while being bent, the support substrate 103 can be removed smoothly.

こうして半導体ウェーハWから取り外され、磁石部26aによって保持された支持基板103は、回動アーム26bが水平方向に回動し、仮置きテーブル28の上に位置付けられ、回動アーム26bが垂直方向に回動して磁着を解除することにより、仮置きテーブル28の上に載置される。   The support substrate 103 thus removed from the semiconductor wafer W and held by the magnet portion 26a is positioned on the temporary table 28 with the rotating arm 26b rotating in the horizontal direction, and the rotating arm 26b in the vertical direction. It is placed on the temporary table 28 by rotating and releasing the magnetic attachment.

そして、半導体ウェーハ貼着手段23によって支持基板103が基板位置調整手段22に搬送され、ここで載置部22aに載置されると共に位置合わせ部22bによって一定の位置に位置合わせされた後、基板搬出入手段21によって基板収容手段200に収容される。こうして基板収容手段200に収容された支持基板103は、後に半導体ウェーハの裏面を研削する際に繰り返し使用することができる。   Then, the support substrate 103 is conveyed to the substrate position adjusting means 22 by the semiconductor wafer adhering means 23, and is placed on the placing portion 22a and aligned at a certain position by the aligning portion 22b. It is accommodated in the substrate accommodating means 200 by the carry-in / out means 21. The support substrate 103 thus accommodated in the substrate accommodating means 200 can be used repeatedly when the back surface of the semiconductor wafer is ground later.

一方、支持基板103が取り外された後の半導体ウェーハWをダイシングテープ104を介して支持するダイシングフレーム101は、フレーム搬送手段16を構成するフレーム保持手段16aによって保持され、+X方向に移動してフレーム載置領域14に搬送され載置された後、フレーム搬出入手段13によってフレーム収容手段100に収容される。そして、フレーム収容手段100は、次のダイシング工程に搬送される。   On the other hand, the dicing frame 101 that supports the semiconductor wafer W after the support substrate 103 is removed via the dicing tape 104 is held by the frame holding means 16a that constitutes the frame conveying means 16, and moves in the + X direction to move the frame. After being transported to and placed on the placement area 14, it is accommodated in the frame accommodation means 100 by the frame carry-in / out means 13. Then, the frame accommodating means 100 is transported to the next dicing process.

本発明は、表面が支持基板に固定されて裏面が研削された半導体ウェーハをダイシング工程に搬送するにあたり、半導体ウェーハから支持基板を取り外すと共に半導体ウェーハをダイシングテープに貼着してダイシングフレームと一体化させることを容易かつ効率的に行うことができるため、特に研削により薄くなった半導体ウェーハをダイシング工程に搬送する際の貼り替えに利用することができる。   In carrying out a semiconductor wafer having a front surface fixed to a support substrate and a back surface ground to a dicing process, the present invention removes the support substrate from the semiconductor wafer and attaches the semiconductor wafer to a dicing tape so as to be integrated with the dicing frame. Since it can be performed easily and efficiently, it can be used for reattachment when a semiconductor wafer thinned by grinding is transported to a dicing process.

本発明に係る半導体ウェーハ移し替え装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the semiconductor wafer transfer apparatus which concerns on this invention. ダイシングフレームを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a dicing frame. 支持基板に固定された半導体ウェーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the semiconductor wafer fixed to the support substrate. 支持基板と半導体ウェーハとの間に介在する粘着層を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the adhesion layer interposed between a support substrate and a semiconductor wafer. 半導体ウェーハが固定された支持基板を裏返した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which turned over the support substrate to which the semiconductor wafer was fixed. (A)は、ダイシングテープにダイシングフレームが載置された状態を示す略示的断面図であり、(B)は、支持基板に固定された半導体ウェーハをダイシングテープに載置する様子を示す略示的断面図であり、(C)は、押圧ローラーを用いて半導体ウェーハ及びダイシングフレームをダイシングテープに押圧する様子を示す略示的断面図である。(A) is schematic sectional drawing which shows the state by which the dicing frame was mounted in the dicing tape, (B) is the abbreviation which shows a mode that the semiconductor wafer fixed to the support substrate is mounted in a dicing tape. (C) is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer and a dicing frame are pressed against a dicing tape using a pressing roller. 支持基板に固定された半導体ウェーハがダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state with which the semiconductor wafer fixed to the support substrate was united with the dicing frame via the dicing tape. (A)は、半導体ウェーハが保持手段に保持された状態を示す略示的断面図であり、(B)は、粘着層に外的刺激を与える様子を示す略示的断面図であり、(C)は、支持基板を半導体ウェーハから取り外す様子を示す略示的断面図である。(A) is a schematic cross-sectional view showing a state where the semiconductor wafer is held by the holding means, (B) is a schematic cross-sectional view showing a state in which an external stimulus is applied to the adhesive layer, ( C) is a schematic cross-sectional view showing a state where the support substrate is removed from the semiconductor wafer.

符号の説明Explanation of symbols

10:半導体ウェーハ移し替え装置 11:フレーム収容手段載置領域 12:基台 13:フレーム搬出入手段 13a:挟持部 14:フレーム載置領域 15:位置調整手段 16:フレーム搬送手段 16a:フレーム吸着部 16b:レール 16c:水平移動部 16d:昇降駆動部
20:基板収容手段載置領域 21:基板搬出入手段 21a:アーム部 21b:保持部 22:基板位置調整手段 22a:載置部 22b:位置合わせ部材 23:半導体ウェーハ貼着手段 23a:アーム部 23b:保持部 24:ダイシングテープ貼着手段 24a:フレーム保持テーブル 24b:テープ送り部 24c:テープ巻き取り部 24d:押圧ローラー 24e:テープカッター 25:保持手段 25a:フレーム保持部 25b:保持面 25c:チャックテーブル 26:支持基板取り外し手段 26a:磁石部 26b:回動アーム 26c:支点部 26d:エアー噴出ノズル 27:外的刺激付与手段 27a:作用部 27b:駆動部 28:仮置きテーブル
100:フレーム収容手段 101:ダイシングフレーム 102:開口部 103:支持基板 104:ダイシングテープ 105:ウェーハユニット 106:粘着剤 200:基板収容手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Semiconductor wafer transfer apparatus 11: Frame accommodation means mounting area 12: Base 13: Frame carrying in / out means 13a: Holding part 14: Frame mounting area 15: Position adjustment means 16: Frame conveyance means 16a: Frame adsorption | suction part 16b: Rail 16c: Horizontal moving part 16d: Lifting drive part
20: Substrate accommodating means placement area 21: Substrate carry-in / out means 21a: Arm portion 21b: Holding portion 22: Substrate position adjusting means 22a: Placement portion 22b: Positioning member 23: Semiconductor wafer attaching means 23a: Arm portion 23b : Holding part 24: Dicing tape sticking means 24a: Frame holding table 24b: Tape feeding part 24c: Tape winding part 24d: Pressing roller 24e: Tape cutter 25: Holding means 25a: Frame holding part 25b: Holding surface 25c: Chuck Table 26: Support substrate removal means 26a: Magnet part 26b: Rotating arm 26c: Support point part 26d: Air ejection nozzle 27: External stimulus applying means 27a: Action part 27b: Drive part 28: Temporary placement table 100: Frame accommodation means 101: Dicing frame 102: Opening 103 : Support substrate 104: Dicing tape 105: Wafer unit 106: Adhesive 200: Substrate accommodation means

Claims (4)

磁着可能な金属で形成された支持基板の上面に粘着剤を介して表面が固定された状態で裏面が研削された半導体ウェーハをダイシングテープに貼着してダイシングフレームと一体とし、該半導体ウェーハの表面から該支持基板を取り外して該半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替える半導体ウェーハの移し替え装置であって、
ダイシングフレームを保持するフレーム保持部と、該ダイシングフレームに貼着されたダイシングテープを保持する保持面を有するチャックテーブルとを備えた保持手段と、
該保持手段に隣接して配設され、該ダイシングテープに貼着された半導体ウェーハの表面から該支持基板を取り外す支持基板取り外し手段とを含み、
該支持基板取り外し手段は、該支持基板を磁着する磁石部と、該磁石部が装着され磁着した支持基板を半導体ウェーハの表面から剥離させる方向に回動する回動アームと、該回動アームを回動自在に支持する支点部とを少なくとも備えた半導体ウェーハ移し替え装置。
A semiconductor wafer whose back surface is ground with an adhesive attached to the upper surface of a support substrate made of a magnetizable metal is adhered to a dicing tape and integrated with the dicing frame, and the semiconductor wafer A semiconductor wafer transfer apparatus for removing the support substrate from the surface of the semiconductor wafer and transferring the semiconductor wafer to a dicing frame,
A holding means comprising: a frame holding unit for holding a dicing frame; and a chuck table having a holding surface for holding a dicing tape attached to the dicing frame;
A support substrate removing means that is disposed adjacent to the holding means and removes the support substrate from the surface of the semiconductor wafer attached to the dicing tape;
The support substrate removing means includes a magnet portion for magnetizing the support substrate, a pivot arm for pivoting in a direction to peel the support substrate on which the magnet portion is attached and magnetized from the surface of the semiconductor wafer, and the pivot A semiconductor wafer transfer device comprising at least a fulcrum portion that rotatably supports an arm.
回動アームは、支点部からチャックテーブルに保持された半導体ウェーハの直径方向に向けて延び、
磁石部は、半導体ウェーハに貼着された支持基板の支点部から遠い側の外周部を磁着するように、該回動アームの先端部に装着される請求項1に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。
The rotating arm extends from the fulcrum part in the diameter direction of the semiconductor wafer held on the chuck table,
The semiconductor wafer transfer according to claim 1, wherein the magnet portion is attached to a tip portion of the rotating arm so as to magnetically attach an outer peripheral portion on a side far from a fulcrum portion of the support substrate attached to the semiconductor wafer. apparatus.
支点部は、チャックテーブルの保持面より低い位置に配設される請求項1または2に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。   The semiconductor wafer transfer device according to claim 1, wherein the fulcrum portion is disposed at a position lower than the holding surface of the chuck table. ダイシングフレームとダイシングテープとを貼着するダイシングテープ貼着手段と、支持基板に支持された半導体ウェーハの裏面を該ダイシングテープに貼着して該半導体ウェーハを該ダイシングフレームと一体とする半導体ウェーハ貼着手段とを備えた請求項1、2または3に記載の半導体ウェーハ移し替え装置。   A dicing tape adhering means for adhering the dicing frame and the dicing tape, and a semiconductor wafer adhering unit in which the back surface of the semiconductor wafer supported by the support substrate is adhered to the dicing tape and the semiconductor wafer is integrated with the dicing frame. 4. The semiconductor wafer transfer apparatus according to claim 1, 2 or 3, further comprising an attaching means.
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