[go: up one dir, main page]

JP2004511651A - 高純度ニオブおよびそれを含む製品、ならびにその製造方法 - Google Patents

高純度ニオブおよびそれを含む製品、ならびにその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004511651A
JP2004511651A JP2002510732A JP2002510732A JP2004511651A JP 2004511651 A JP2004511651 A JP 2004511651A JP 2002510732 A JP2002510732 A JP 2002510732A JP 2002510732 A JP2002510732 A JP 2002510732A JP 2004511651 A JP2004511651 A JP 2004511651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
niobium
metal
niobium metal
annealing
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002510732A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004511651A5 (ja
JP5341292B2 (ja
Inventor
ミカラック,クリストファー エー.
ヒューバー,ルイス イー.ジュニア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Publication of JP2004511651A publication Critical patent/JP2004511651A/ja
Publication of JP2004511651A5 publication Critical patent/JP2004511651A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5341292B2 publication Critical patent/JP5341292B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00Obtaining refractory metals
    • C22B34/20Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C22B34/24Obtaining niobium or tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B5/00General methods of reducing to metals
    • C22B5/02Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
    • C22B5/04Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes by aluminium, other metals or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

高純度金属ニオブおよびそれを含有する合金が記載されている。金属ニオブは少なくとも99.99%、そしてもっと好ましくは少なくとも99.999%の純度を有するのが好ましい。加えて、金属ニオブおよびその合金が記載され、それらは約150μm以下の粒径、または(111):(100)強度の増加対数比が約−4.0より大きく、またはこれらの性質の組合せを有する。さらに金属ニオブから製造される物品および部材が記載され、それらは、スパッタターゲット、キャパシタかん、抵抗膜、ワイヤ等を含むが、これらに限定されない。さらに高純度ニオブの製造方法が記載され、それは塩含有ニオブおよび金属塩を、塩含有ニオブをニオブに還元しうる少なくとも1つの化合物とともに、そして反応容器中で、反応させる段階を含む。反応容器もしくは反応容器の内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌機の内張りは溶融ニオブと同一以上の蒸気圧を有する金属材料から製造されている。高純度ニオブ製品は微細および均一なミクロ構造を有するのが好ましい。

Description

【0001】
発明の背景
本発明は金属、特にニオブ、および金属ニオブから製造される製品、ならびに金属ニオブを製造および加工する方法、に関する。
【0002】
産業において、種々の理由のためにもっと高純度の金属を精製する要望は常にある。ニオブに関して、もっと高純度の金属は超伝導体のためのバリア材料として、光学的コーティングのためのスパッタ源としてのニオブの使用、そしてキャパシタのような電気部材における潜在的使用のために、特に望ましい。さらに、超伝導体フィラメント、反射防止コーティング、あるいは集積回路における銅相互接続のためのバリア膜としての使用のために、高純度ニオブ−タンタル合金において関心が増大している。このように、金属中の不純物はニオブから生成される物品の性質および/または性能に望ましくない効果を与えうる。
【0003】
ニオブはコルンブ石(columbite)鉱石としてもしくはタンタル鉱石のもたらす副生物として、ほとんどもっぱら酸化物(Nb)の形態で天然に見出される。高純度金属ニオブを製造するのに用いられるプロセスは、ニオブを含むイオン塩を生成するための化学的抽出および結晶化操作、金属ニオブ焼固物(consolidate)を製造するためのイオン塩の還元、そして高純度ニオブインゴットを製造するための焼固物の真空溶融からなるのが通常である。ついで、真空鋳造ニオブインゴットは機械的に加工され、シート、ストリップ、棒、ロッドおよびワイヤのような種々の加工形態(mill forms)にされうる。高純度ニオブインゴットおよび加工形態も、水素化され、破砕され、再水素化され、ついで処理され、キャパシタもしくは他の粉末冶金製品に適したニオブ粉末を製造されうる。
【0004】
ニオブ中の不純物元素は耐熱(refractory)金属不純物、他の金属不純物、および侵入型(interstitial)不純物として分類されうる。耐熱性金属不純物はタンタル、モリブデンおよびタングステンのような元素を含む;これらの元素はニオブに無限に可溶性であり、ニオブと類似の蒸気圧を有し、真空溶融によっては容易に除去され得ない。したがって耐熱金属不純物はハロゲン化ニオブから、液−液抽出、溶融塩電解および化学蒸着(CVD)のような方法を用いてニオブ焼固(consolidation)段階の前または間に除去されなければならない。他の金属および侵入型不純物はニオブの真空溶融により除去されうる。アルカリ、遷移および希土類金属のような金属元素はもっと高い蒸気圧を有し、電子線(EB)溶融、真空アーク溶融(VAM)、真空アーク再溶融(VAR)、もしくは電子線浮遊帯溶融(EBFZM)のような真空溶融法により蒸発される。
【0005】
侵入型不純物(窒素、酸素、炭素および水素)も、真空溶融により、または強真空中で高アニール温度で金属ニオブをアニールすることにより除去されうる。水素は真空中で約400℃より高い温度で窒素から容易に脱ガスされる。溶解窒素(N)は2原子窒素(N)としてニオブから除去される;反応の動力学はSievertの法則により決定されるように、ニオブ中の平衡窒素濃度の関数である(E.FrommおよびG.HoerzのIntern.Met.Rev.,25(1980),pp.269−311、引用によりここにすべて組入れられる)。
【0006】
【化1】
Figure 2004511651
【0007】
ニオブは金属中に溶解されている、もしくは大気雰囲気からの、酸素で脱炭素され、一酸化炭素を生成されうる。炭素の平衡濃度はその場での、もしくは大気雰囲気脱炭化について次のように見積もられうる(E.FrommおよびH.JehnのMet.Trans,3(1972),pp.1685−1692、ならびにE.FrommおよびH.JehnのZ.Matallkd.,58(1968),pp.65−68、ここで引用によりすべて組入れられる)。
【0008】
【化2】
Figure 2004511651
【0009】
通常、炭素は、炭素を一酸化炭素に完全に変換する化学量論的な量もしくは過剰の酸素があることを確保することによりニオブ中で減少される。残りの酸素は非常に高真空下でニオブの融点近く、もしくは超えて加熱することにより亜酸化ニオブの形態で除去される。
【0010】
上述の方法の組合せを用いて、99.999%以上の純度を有する金属ニオブを製造できる能力が示された(A.KoetheおよびJ.I.MoenchのMat.Trans.,JIM,41,No.1(2000),pp.7−16、引用によりここにすべて組入れられる)。これら、もしくは類似の方法も99.999%の純度を有する金属タンタル製造に使用されてきた(国際出願Wo.87/07650およびヨーロッパ特許出願EP0902102A1、引用によりここにすべて組入れられる)。高純度のニオブおよびタンタルの両方を製造する能力は高純度ニオブ−タンタル合金の製造のための方法を創り出す。
【0011】
しかし、化学的純度は高純度NbもしくはNb−Ta合金の官能性および性能に重要な唯一のパラメータではない。もっと高い純度、微細な粒径、および/または均一な組織、を有する高純度NbもしくはNb−Ta製品を得る要望がある。微細な粒径および均一な組織のような品質は成形性(formability)が優れる超伝導バリアシートにとって、さらには(001)局在組織バンドのない均一ミクロ構造がスパッタ堆積膜の厚さの改良された均一性をもたらしうるスパッタターゲットにとって、重要な特性でありうる。さらに、微細粒径を有するニオブを含む他の製品は、変形の改良された均一性および深い引抜き加工性(drawability)および延伸適性(stretchability)をもたらし得、キャパシタかん、実験質用るつぼを製造し、そして、爆発的に形成される針入度計(penetrator)(EFP)の決定的破壊力(lethality)を増加させるのに有利である。タンタル含有製品における均一な組織はスパッタ効率(たとえば比較的大きいスパッタ速度)を増加させ得、そしてプリフォーム製品における垂直方向の異方性(normal anisotropy)を増加させ得る。(たとえば増加した深い引抜き加工性)(C.A.Michaluk、D.B.SmathersおよびD.P.FieldのProc.12th Int.Conf.Texture of Materials、J.A.Szpunar(ed.)のNational Research Council of Canada (1999),pp.1357−1362、引用によりすべてここに組入れられる)。
発明の要約
本発明の特徴は高純度ニオブおよびその合金に関する。
【0012】
本発明のもう1つの特徴は微細粒構造および/または均一な組織を示す高純度ニオブもしくはその合金を提供することである。
【0013】
本発明のもう1つの特徴は高純度ニオブもしくはその合金を含む物品、製品、および/または部材を提供することである。
【0014】
本発明のさらなる特徴は、高純度ニオブおよびその合金、ならびに高純度ニオブおよびその合金を含む物品、製品およびまたは部材を製造する方法を提供することである。
【0015】
本発明のさらなる特徴および利点は次の説明で部分的に示され、そしてその説明から部分的には明らかであり、または本発明の実施により修得されうる。本発明の目的および他の利点は具体的に説明および請求項で示される要素および組合せにより理解され、得られるであろう。
【0016】
これらの、そして他の利点を達成するために、さらに本発明の目的に従って、ここに具体化され広く説明されるように、本発明は少なくとも99.99%、そしてもっと好適には少なくとも99.999%の純度を有する金属ニオブに関する。好適には金属は微粒構造および/または均一な組織に関する。
【0017】
さらに本発明は金属ニオブを含む合金に関し、そこでは合金中に存在する金属ニオブは少なくとも99.99%、もっと好ましくは少なくとも99.999%の純度を有する。合金(たとえば、合金もしくは混合物中に存在する少なくとも金属ニオブ)も微粒構造および/または均一な組織を有するのが好ましい。
【0018】
さらに、本発明はスパッタターゲットとして使用するのに適した高純度金属ニオブもしくは合金に関し、約150μm以下の平均粒径を有する十分に再結晶化した粒径を有し、および/または実質的に金属ニオブの厚さにわたって、好ましくは高純度ニオブの全厚さにわたって1次の(primary)(111)型組織を有し、および/またはニオブの厚さ内で強い(100)組織バンドがない。
【0019】
さらに、本発明は、金属ニオブを平面鍛造し、圧延スラブに機械加工し、圧延スラブをアニ−ルし、プレートもしくはシートに圧延し、ついでプレートもしくはシートをアニ−ルすることにより上述の金属ニオブからプレートおよびシートを製造することに関する。
【0020】
さらに本発明は上述の金属ニオブもしくは合金を含むスパッタターゲットに関する。スパッタターゲットは、たとえば半径方向(radial)鍛造および続く円形加工によりビレットもしくはスラグを製造し、ついで鍛造され圧延されたディスクを生成し、さらに機械加工およびアニ−ルされうる、により作成されうる。
【0021】
さらに本発明は上述の金属ニオブおよび/または合金を含むバリアシート、抵抗膜(resistive films)およびキャパシタに関する。
【0022】
さらに本発明は上述の金属ニオブおよび/または合金を少なくとも部分的に含む物品、部材もしくは製品に関する。
【0023】
さらに、本発明は、上述の金属ニオブおよび/または合金の製造方法に関し、塩含有金属ニオブを、合金金属塩(たとえば、KTaF)とともに、または無しで、反応容器もしくはポットおよび攪拌機中(それらはニオブの融点で金属ニオブ以上の蒸気圧を有する金属もしくは合金からなるか、または内張りを有する)で純ナトリウムもしくは他の適切な塩と反応させることを含む。
【0024】
さらに本発明は10−2Torr以上の高真空下で粉末を溶融することにより金属ニオブ粉末または金属ニオブおよび合金粉末の混合物を処理することに関する。溶融物への圧力(above the melt)は粉末溶融原料中に存在する不純物の蒸気より低い。好適には、純金属ニオブもしくは合金の溶融は電子線溶融で達成される。
【0025】
上述の一般的説明および次の詳細な説明は例示的および説明的にすぎず、請求項に規定される本発明をさらに説明しようとするものであることが理解されるべきである。
発明の詳細な説明
本発明は少なくとも99.99%の純度を有する金属ニオブに関する。好適には、金属ニオブは少なくとも99.999%の純度を有し、そして約99.99%〜99.999%以上の純度に及びうる。他の範囲は約99.998%〜99.999%、そして約99.999%〜約99.9995%、さらには約99.999%〜約99.9999%を含む。さらに本発明は、本発明の高純度金属ニオブを含む合金金属に関し、たとえば合金成分の1つとして高純度ニオブを含むNb−Ta合金もしくは他の合金である。
【0026】
高純度金属ニオブ中に存在しうる金属不純物は0.01wt%以下であり、ニオブに無限に溶解性を有する他の体心立方(bcc)耐熱金属、たとえばタンタル、モリブデンおよびタングステンを含むのが通常である。同様に、高純度金属ニオブ中に存在しうるガス状不純物は0.20wt%以下であり、酸素、窒素および炭素のような侵入型ガスを含む。
【0027】
金属ニオブおよび金属ニオブを含むその合金は特定の最終用途、たとえばスパッタのために有利である組織を有するのが好ましい。すなわち、金属ニオブもしくはその合金が表面を有するスパッタターゲットに形成され、ついでスパッタされるとき、本発明の金属ニオブの組織は容易にスパッタされるスパッタターゲットをもたらし、スパッタターゲットの領域がスパッタに抵抗することはほとんどない。さらに、本発明の金属ニオブの組織で、スパッタターゲットによるスパッタは非常に均一なスパッタ浸食(erosion)をもたらし、したがってそれはさらに均一であるスパッタ膜を生成する。高純度、好ましくは少なくとも約99.99%の高純度を有するニオブは、約150μm以下の粒径を有するのが好ましい。もっと好ましくは、粒径は約10μm〜約150μm、あるいは約25μm〜約100μmである。好適には、金属ニオブは少なくとも部分的に再結晶化され、そしてもっと好適には金属ニオブの少なくとも約80%は再結晶化され、そしてさらにもっと好適には金属ニオブの少なくとも98%は再結晶化される。最も好適には、金属ニオブは完全に再結晶化されている。
【0028】
さらに金属ニオブは製品の厚さにわたって均一な組織を有するのが好ましい。さらに好ましくは、組織はニオブの5%増加厚さ(incremental thickness)内での(100)ピーク強度がランダム約30より小さく、および/または約−4.0より大きい(すなわち、−4.0、−3.0、−2.0、−1.5、−1.0等を意味する)同一増加分内での(111):(100)中央比強度の自然対数(Ln)比を有し,または(100)中心強度および対数比を有する。中央ピーク強度(center peak intensity)は好ましくはランダム約0〜ランダム約30であり、もっと好ましくはランダム0〜ランダム約15である。他の(100)中心強度範囲は、ランダム約1〜ランダム約10、そしてランダム約1〜ランダム約5を含むが、これらに限定されない。さらに、(111):(100)中央ピーク強度の対数比は約−4.0〜約15、そしてもっと好ましくは約−1.5〜約7.0である。対数比の他の適切な範囲は、約−4.0〜約10、そして約−3.0〜約5.0を含むが、これらに限定されない。最も好ましくは、金属ニオブは少なくとも約99.99%の望ましい純度を有し、そして好適な粒径、ならびに(100)増加強度および増加中心強度(incremental centroid intensities)の(111):(100)比に関して好ましい組織を有する。組織を特徴づけるのに用いられうる方法および装置は、AdamsらのMaterials Science Forum、Vol.157−162(1994)、pp.31−42;AdamsらのMetallurgical Transactions A、Vol.24A、April 1993−No.4,pp.819−831;WrightらのInternational Academic Publishers,137 Chaonei Dajie,Beijing,1996(「Textures of Material:Procedings of the Bleventh International Conference on Textures of Materials」);WrightのJournal of Computer−Assisted Microscopy,Vol.5,No3(1993)、引用によりすべてここに組み入れられる)。
【0029】
本発明の高純度金属ニオブは数多くの領域で使用されうる。たとえば、高純度金属ニオブは超伝導フィラメントを延伸するためのバリアシート、スパッタターゲット、または化学エネルギー(CE)弾薬の弾頭内張り(munition warhead liner)に製造されうる。さらに高純度金属はキャパシタアノードに、または抵抗膜層に使用、形成されうる。本発明の金属ニオブもしくは合金は従来のニオブもしくはタンタルが使用されるいかなる物品もしくは部材においても使用され得、そして従来のニオブを含む種々の物品もしくは部材を製造する方法および手段は高純度金属ニオブを種々の物品もしくは部材に配合するのに等しく使用されうる。たとえば、米国特許第5,753,090、5,687,600および5,522,535号に記載されるような、スパッタターゲット、たとえば基板(backing plate)を製造するのに用いられる連続法がここで使用され得、そしてこれらの特許は引用によりここにすべて組入れられる。
【0030】
一般的に、本発明の高純度金属ニオブを製造するのに用いられる方法は、精製プロセス、真空溶融プロセスおよび熱的機械加工プロセスを含む。このプロセスもしくは操作において、精製プロセスは金属ニオブを、好適には塩含有ニオブから粉末の形態で、共抽出する段階を含む。ニオブ粉末、もしくは共還元された金属ニオブおよび合金粉末、もしくはニオブと元素合金粉末の混合物はつづいて真空溶融されうる。
【0031】
精製プロセスの後に、真空溶融プロセスがニオブから、アルカリおよび遷移金属のような低融点不純物を追出すのに使用され、同時にニオブ材料を十分に緻密な、可鍛(malleable)インゴットに焼固する。好適には、溶融のために選ばれるニオブは、特に高純度タンタル、モリブデンおよびタングステンの低含量の場合に、不純物含量が低い。もっと好適には、タンタル、モリブデンおよびタングステンの量は約100ppm未満、そして最も好適には約10ppm未満である。このような選定はもっと純粋なニオブ鋳造金属をもたらす。ついで、このプロセスの後に、熱的機械加工処理が使用され得、鋳造ニオブの冷間加工およびアニ−ルの組合せを含み、仕上げ製品における好適な粒径および/または好適な組織を達成するためにアニ−ル時に材料再結晶化するのを可能にしうる。
【0032】
好適には高純度金属ニオブは、塩含有ニオブを、この塩を金属ニオブに還元しうる少なくとも1つの化学剤(agent)(たとえば化合物もしくは元素)と反応させることにより製造され得、そしてさらに反応容器中にスラグおよび/または第2の塩の生成をもたらす。反応容器は金属の反応のために通常用いられるいかなる反応容器であってもよく、約800℃〜約1200℃オーダーの高温に耐えるべきである。本発明のために,反応容器または反応容器の内張りは、塩含有ニオブおよび塩をニオブに還元しうる化学剤と接触するが、ニオブの融点で、ニオブと同一もしくは高い蒸気圧を有する材料から製造される。反応容器における攪拌機は同一の材料から製造され得、または同様に内張りされうる。内張りは塩およびニオブと接触する反応容器および攪拌の部分のみに存在しうる。内張りもしくは反応容器を形成しうるこのような金属材料の例は、ニッケル、クロム、鉄、マンガン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ルテニウム、コバルト、ロジウム、パラジウム、白金、もしくはそれらの組合せ、または合金材料が金属ニオブの融点で同一もしくはそれより高い蒸気圧を有する限り、その合金、から製造される金属系材料を含むが、これらに限定されない。
【0033】
好適には、金属はニッケルもしくはニッケル系合金、クロムもしくはクロム系合金、または鉄もしくは鉄系合金である。反応容器および/または攪拌機への内張りは、もし存在すれば、約0.5〜約3cmの厚さを有するのが通常である。他の厚さも使用されうる。上述のものと同一もしくは異なる金属材料から作製された多数層の内張りを有することも本発明の範囲内である。
【0034】
塩含有ニオブは酸化ニオブ(Nb)のような、その中に含まれるニオブを有しうるいかなる塩であってもよい。反応容器中で塩をニオブおよびスラグに還元しうる化学剤に関して、この還元をなしうる化学剤はその反応生成物がニオブ塩よりも低い生成自由エネルギー(ΔG)を有するいかなる化学剤であってもよい;たとえばニオブはNbおよびAl粉末の間のテルミット反応により生成されうる:
Nb+Al→Nb+Al
他のテルミット反応はマグネシウム、カルシウム、カリウム、炭素、ウランおよびトリウムを含むが、これらに限定されない。塩を反応容器中でニオブおよび第2の塩に還元しうる化学剤について、この還元をなしうる化学剤は、塩含有ニオブをニオブおよび他の成分(たとえば塩)に還元することをもたらす能力があるいかなる化学剤であってもよく、そこで他の成分はたとえば塩を水もしくは他の水性源で溶解することにより金属ニオブから分離されうる。好適には、この化学剤はナトリウムである。他の例はリチウム、マグネシウム、カルシウム、カリウム、炭素、一酸化炭素、イオン性水素等を含むが、これらに限定されない。本出願のために本発明に使用されうる還元プロセスの詳細はKirk−OthmerのEncyclopedia of Chemical Technology,3rd Edition,Vol.22,pp.541−564、米国特許第2,950,185;3,829,310;4,149,876;および3,767,456号に示されるが、引用によりこれらはすべてここに組入れられる。
【0035】
ニオブ粉末がこの反応から抽出されると、反応容器からの混入を含むいかなる残留不純物もニオブ粉末の溶融により除去されうる。ニオブ粉末は真空アーク再溶融および/または電子線溶融のような数多くの方法で溶融されうる。一般的に、溶融時の真空は高純度ニオブを得るために回収ニオブから実質的に存在するいかなる不純物をも除去するのに十分である。好適には、溶融は10−4Torr以上のような高真空下で生じる。好適には、溶融ニオブへの圧力は、ニッケルもしくは鉄のようなこれらの不純物が蒸発されるように金属不溶物の蒸気圧よりも低い。鋳造インゴットの径はできるかぎり大きくあるべきである。好ましくは例えば9.5インチ(約24cm)より大きい。大きい径は精製速度を向上させる真空界面に比較的大きい溶融表面を保証する。加えて、大きなインゴット径は大量の冷間作業がプロセス時に金属に与えられるのを可能にし、最終製品の性質を向上する。大部分の溶融ニオブが焼固すると、形成されたインゴットは99.99%以上、そして好ましくは99.999%以上の純度を有する。電子線処理は20,000〜40,000ボルトおよび15〜40アンペアを用いて、約1×10 〜約1×10−6Torrの真空下で、約150〜約400ポンド/時間の溶融速度で生じるのが好ましい。もっと好ましくは溶融速度は24,000〜26,000ボルトおよび17〜36アンペアを用いて、約1×10−4〜約1×10−5Torrの真空下で、約200〜約300ポンド/時間である。VAR処理に関して、溶融速度は25〜50ボルトおよび5,000〜22,000アンペアを用いて、約2×10−2〜1×10−4Torrの真空下で、約500〜約1,500ポンド/時間であるのが好ましく、そしてもっと好ましくは約30〜50ボルトおよび16,000〜18,000アンペアを用いて、約2×10−2〜1×10−4Torrの真空下で、900〜1,200ポンド/時間である。
【0036】
ついで、高純度ニオブインゴットは熱機械的に処理され、高純度ニオブを含有する製品を製造する。微細で好ましくは十分に再結晶化した粒構造および/または均一な組織が冷間および/または温間作業およびプロセス内アニ−ルの組合せにより製品に与えられる。高純度ニオブ製品は配向結像型顕微鏡法(orientation imaging microscopy)(OIM)もしくは他の受け入れられる手段により決定された厚みにわたって混合もしくは1次の(111)の均一組織を示す。熱機械的処理に関して、インゴットは圧延および/または鍛造処理に供され得、そして高純度を有する微細で、均一なミクロ構造が得られうる。高純度ニオブは優れた微細粒径および/または均一な分布を有する。高純度ニオブは約150μm以下、もっと好ましくは約100μm以下、そしてさらにもっと好ましくは約50μm以下の平均再結晶粒径を有するのが好ましい。適切な平均粒径の範囲は約25〜150μm、約30〜125μm、そして約30〜100μmを含む。
【0037】
本発明の得られる高純度金属は100ppm以下の金属不純物を有するのが好ましく、そして好ましくは200ppm以下のO、100ppm以下のN、および100ppm以下の炭素である。約99.995%の純度水準が望ましいならば、得られる高純度金属は約50ppm以下の金属不純物、そして好ましく100ppm以下のO、50ppm以下のN、および50ppm以下の炭素である。
【0038】
このインゴットを得て、スパッタターゲットを作製することに関して、次のプロセスが使用されうる。1つの態様において、高純度金属ニオブもしくは合金から製造されるスパッタターゲットは金属ニオブもしくは合金の表面を機械的もしくは化学的に清浄化することにより製造され得、そこで金属ニオブもしくは合金は以下のようについで処理する段階を可能にするのに十分な出発断面積を有する。好適には、金属ニオブもしくは合金加工物は少なくとも9.5インチの径を有する。次の段階は金属ニオブもしくは合金を平面鍛造(flat forging)して1つ以上の圧延スラブにすることを含む。圧延スラブは、下記のようにすぐにこの段階に続くアニ−ル段階の後に、実質的に均一な再結晶化を達成するのに十分な変形を有する。ついで圧延スラブは真空中で十分な温度でアニ−ルされ、圧延スラブの少なくとも部分的な再結晶化を達成する。ついで圧延スラブは出発金属(たとえば金属ニオブもしくは合金のインゴット)の軸方向に垂直および平行な両方向に冷間もしくは温間圧延に供され、少なくとも1つのプレートを生成する。ついでプレートは平坦化(flattening)(たとえば水平圧延(flat rolling))に供される。ついでプレートは約150μm以下の平均粒径および実質的に(100)組織バンドのない組織を有するのに十分な温度および十分な時間、最終時にアニ−ルされる。好適には(100)組織バンドが存在しない。ついでプレートは機械的にもしくは化学的に再度清浄化され、所望の寸法を有するスパッタターゲットに形成されうる。通常、平板鋳造は空気中に、少なくとも4時間、外気〜約370℃の範囲の温度に置かれる。さらに、好ましくは冷間圧延前に、圧延スラブは金属ニオブの少なくとも部分的な再結晶化を達成する温度(たとえば約950〜約1500℃)および時間(たとえば約0.5〜約8時間)でアニ−ルされる。好適には冷間圧延は外気温度での横(transverse)圧延であり、そして温間圧延は約370℃より低い温度である。
【0039】
ニオブプレートのアニ−ルに関して、好ましくはこのアニ−ルは金属ニオブの完全な再結晶化を達成するのに十分な温度および時間での真空アニ−ルである。この適用例はこの処理に関してさらに好適な詳細を示す。
【0040】
金属ニオブもしくは合金金属を処理してスパッタターゲットにするもう1つの方法は金属ニオブ(たとえば金属ニオブもしくは合金のインゴット)の表面を機械的もしくは化学的に清浄化することを含み、そこで金属ニオブは上述のつづく処理を可能にする十分な出発断面積を有する。次の段階は金属ニオブもしくは合金を円形鍛造して少なくとも1つのロッドにすることを含み、そこでロッドはこの段階のすぐ後に生じるアニール段階、または冷間圧延の前にアニ−ル段階、の後に実質的に均一な再結晶化を達成するのに十分な変形を有する。ついで金属ニオブもしくは合金のロッドはビレットに切断され、そして表面は機械的もしくは化学的に清浄化される。任意のアニ−ル段階は少なくとも部分的な再結晶化を得るためにその後で生じうる。ついでビレットは軸方向に鍛造され、プリフォームになる。再び、任意のアニ−ル段階がその後で生じ、少なくとも部分的に再結晶化を達成する。しかし、任意のアニ−ル段階の少なくとも1つ、または両方がなされる。ついで、プリフォームは冷間圧延に供され少なくとも1つのプレートにされる。その後、プレート表面は任意に機械的もしくは化学的に清浄化される。ついで、最終的なアニ−ル段階が行われ、平均粒径150μm以下、ならびにもし(100)組織バンドが全くないのでなくても、実質的に(100)組織バンドのない組織を生成する。円形(round)鍛造は金属ニオブもしくは合金を約370℃以下の温度にさらした後に行われるのが通常である。もっと高い温度も使用され得、増加した表面酸化をもたらす。好適には、ビレットを鍛造する前に、ビレットがアニ−ルされる。さらに、プリフォームは冷間圧延の前にアニ−ルされうる。好適には、これらのアニ−ル温度は約800℃〜約1300℃である。さらに、いかなるアニ−ルも金属ニオブもしくは合金の再結晶化を達成する十分な温度および十分な時間での真空アニールであるのが好適である。
【0041】
好適には、高純度ニオブから製造されるスパッタターゲットは、次の寸法を有する:厚さ約0.08〜約1.50インチ、そして表面積約7.0〜約1225平方インチであるが、他の寸法も可能である。
【0042】
高純度ニオブ金属もしくは 合金は1次(primary)もしくは混合(mixed)(111)組織、およびスパッタの厚さにわたって最小の(100)組織を有するのが好ましく、そして(100)組織バンドが実質的にない。
【0043】
本発明は、単に本発明の例示のためである次の例によりさらに明らかにされるであろう。
【0044】
他の本発明の態様は本明細書についての考慮およびここに開示される本発明の実施から当業者に明らかであろう。本明細書および例は説明のためであると考えられるべきであり、本発明の真の範囲および精神は請求の範囲およびその均等物により示される。

Claims (73)

  1. 少なくとも約99.99%の純度および約150μm以下の平均粒径を有する金属ニオブ。
  2. 該金属が十分に再結晶化されている請求項1記載の金属ニオブ。
  3. 該金属が少なくとも部分的に再結晶化されている請求項1記載の金属ニオブ。
  4. 該金属の約98%以上が再結晶化されている請求項1記載の金属ニオブ。
  5. 該金属の約80%以上が再結晶化されている請求項1記載の金属ニオブ。
  6. 該金属は、a)(100)極図形(pole figure)がランダム(random)約15より小さい中央ピーク強度を持つ組織、またはb)約−4.0より大きい(111):(100)中央ピーク強度の対数比、またはc)それらの両方、を有する請求項1記載の金属ニオブ。
  7. 該中央ピーク強度がランダム0〜ランダム約15である請求項6記載の金属ニオブ。
  8. 該中央ピーク強度がランダム約0〜ランダム約10である請求項6記載の金属ニオブ。
  9. 該対数比が約−4.0〜約15である請求項6記載の金属ニオブ。
  10. 該対数比が約−1.5〜約7.0である請求項6記載の金属ニオブ。
  11. 該中央ピーク強度がランダム約0〜ランダム約15であり、そして該対数比が約−4.0〜約15である請求項6記載の金属ニオブ。
  12. 純度約99.995%〜約99.999%を有する請求項1記載の金属ニオブ。
  13. 請求項1記載の金属ニオブを含む金属合金。
  14. 請求項3記載の金属ニオブを含む金属合金。
  15. 請求項6記載の金属ニオブを含む金属合金。
  16. 請求項1記載の金属ニオブを含むスパッタターゲット。
  17. 請求項3記載の金属ニオブを含むスパッタターゲット。
  18. 請求項6記載の金属ニオブを含むスパッタターゲット。
  19. 請求項1記載の金属ニオブを含むキャパシタ。
  20. 請求項3記載の金属ニオブを含むキャパシタ。
  21. 請求項6記載の金属ニオブを含むキャパシタ。
  22. 請求項1記載の金属ニオブを含む抵抗膜層。
  23. 請求項3記載の金属ニオブを含む抵抗膜層。
  24. 請求項6記載の金属ニオブを含む抵抗膜層。
  25. 請求項1記載の金属ニオブを少なくとも1成分として含む物品。
  26. 請求項3記載の金属ニオブを少なくとも1成分として含む物品。
  27. 請求項6記載の金属ニオブを少なくとも1成分として含む物品。
  28. a)平均粒径約150μm以下、またはb)(100)極図形がランダム約30以下の中央ピーク強度を有する組織、またはc)約4.0より大きい(111):(100)中央ピーク強度の対数比、を有する、金属ニオブ。
  29. 平均粒径約10〜約100μmを有する請求項28記載の金属ニオブ。
  30. (111):(100)中央ピーク強度の比が約−4.0より大きい請求項28記載の金属ニオブ。
  31. a)およびb)の両方を有する請求項28記載の金属ニオブ。
  32. 該金属が少なくともニオブ99.99%純度を有する請求項28記載の金属ニオブ。
  33. 該金属が少なくともニオブ99.999%純度を有する請求項28記載の金属ニオブ。
  34. 該金属が十分に再結晶化されている請求項28記載の金属ニオブ。
  35. 該金属が十分に再結晶化されている請求項32記載の金属ニオブ。
  36. 該金属が十分に再結晶化されている請求項33記載の金属ニオブ。
  37. 該金属の約80%以上が十分に再結晶化されている請求項28記載の金属ニオブ。
  38. 該中央ピーク強度がランダム約0〜ランダム約10である請求項28記載の金属ニオブ。
  39. 該対数比が約−4.0〜約15である請求項28記載の金属ニオブ。
  40. 請求項28記載の金属ニオブを含む物品。
  41. 請求項33記載の金属ニオブを含む物品。
  42. 請求項28記載の金属ニオブを含むスパッタターゲット。
  43. 請求項33記載の金属ニオブを含むスパッタターゲット。
  44. ニオブ含有塩および金属塩を、ニオブ含有塩をニオブに還元しうる少なくとも1つの化学剤と攪拌機をもつ反応容器中で反応させることを含み、反応容器もしくは反応器の内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌器の内張りが、ニオブの融点でニオブの蒸気圧以上を有する金属材料からなる、ことを特徴とする金属ニオブの製造方法。
  45. ニオブ含有塩が酸化ニオブを含み、金属塩がフッ化タンタルカリウムを含み、そして化学剤がナトリウムを含む請求項44記載の方法。
  46. フッ化ナトリウムおよび/または塩化ナトリウムを含む少なくとも1つの希釈剤塩を該攪拌機に添加することをさらに含む請求項45記載の方法。
  47. 反応容器もしくは内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌機の内張りが金属にもとづき、該金属がニッケル、クロム、鉄、マンガン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、テクネチウム、ルテニウム、コバルト、ロジウム、パラジウム、白金、もしくはそれらの組合せである請求項44記載の方法。
  48. 金属がニッケルもしくはニッケル系合金である請求項47記載の方法。
  49. 金属がクロムもしくはクロム系合金である請求項47記載の方法。
  50. 金属が鉄もしくは鉄系合金である請求項47記載の方法。
  51. 水性溶液中で第2の塩を溶解させることによりニオブを回収することをさらに含む請求項44記載の方法。
  52. 十分な真空中で、回収されたニオブおよび任意に該金属塩からの該金属を溶融し、該回収ニオブ中に存在する不純物を実質的に除去し、そして高純度ニオブおよび任意に該金属を得ることをさらに含む請求項51記載の方法。
  53. 真空が10−4Torr以上である請求項52記載の方法。
  54. 溶融した回収ニオブへの圧力が実質的にすべての不純物の蒸気圧よりも低い請求項52記載の方法。
  55. 不純物が不純物の蒸発により除去される請求項52記載の方法。
  56. 該溶融が電子線溶融により実施される請求項52記載の方法。
  57. 該溶融が真空アーク再溶融法により実施される請求項52記載の方法。
  58. 高純度ニオブが固形物を形成し、そして圧延プロセス、鍛造プロセス、もしくは両方に供される請求項52記載の方法。
  59. 金属ニオブが実質的に微細で、均一なミクロ構造を有する請求項1記載のニオブ。
  60. 金属ニオブが約10〜約150μmの平均粒径を有する請求項1記載の金属ニオブ。
  61. 金属ニオブが約25〜約100μmの平均粒径を有する請求項1記載の金属ニオブ。
  62. 金属ニオブが約25〜約75μmの平均粒径を有する請求項1記載の金属ニオブ。
  63. a)金属ニオブの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること、そして金属ニオブはb)〜g)の段階を可能にするのに十分な出発断面積を有する;
    b)金属ニオブを平面鍛造して少なくとも1つの圧延スラブにし、そして少なくとも1つの圧延スラブは段階d)におけるアニ−ル後に実質的に均一な再結晶化を達成するのに十分な変形を有する;
    c)少なくとも1つの圧延スラブの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること;
    d)少なくとも1つの圧延スラブを、少なくとも1つの圧延スラブの少なくとも部分的な再結晶化を達成するのに十分な温度と十分な時間でアニ−ルする;
    e)原料ニオブ金属の軸方向に垂直もしくは平行な方向の両方に少なくとも1つの圧延スラブを冷間もしくは温間圧延して少なくとも1つのプレートを形成する;
    f)少なくとも1つのプレートを平板にする;ならびに
    g)少なくとも1つのプレートをアニ−ルして、約150μm以下の平均粒径、および実質的に(100)組織バンドのない組織、を有するようにする、
    ことを含む、少なくとも99.99%の純度を有する金属ニオブからスパッタターゲットを製造する方法。
  64. 金属ニオブが少なくとも99.999%の純度を有する請求項63記載の方法。
  65. 金属ニオブが少なくとも約4時間空気中で、そして大気から約1200℃との範囲の温度に置かれた後に、平面鍛造が実施される請求項63記載の方法。
  66. 冷間圧延が大気温度での横圧延であり、そして温間圧延が約370℃より低い温度である請求項63記載の方法。
  67. プレートのアニ−ルが、金属ニオブの再結晶化を達成するのに十分な温度と時間での真空アニ−ルである請求項63記載の方法。
  68. a)金属ニオブの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること、そして金属ニオブはb)〜i)の段階を可能にするにのに十分な出発断面積を有する;
    b)金属ニオブを円形鍛造して少なくとも1つのロッドにし、そして少なくとも1つのロッドは,段階d)もしくは段階f)におけるアニ−ル後に実質的に均一な再結晶化を達成するのに十分な変形を有する;
    c)ロッドを切断してビレットにし、ビレットの表面を機械的もしくは化学的に清浄化する;
    d)任意にビレットをアニ−ルして少なくとも部分的な再結晶化を達成する;
    e)ビレットを軸方向に鍛造してプリフォームにする;
    f)任意にプリフォームをアニ−ルして少なくとも部分的に再結晶化を達成する;
    g)プリフォームを冷間圧延して少なくとも1つのプレートにする;
    h)任意に少なくとも1つのプレートの表面を機械的もしくは化学的に清浄化する;ならびに
    i)少なくとも1つのプレートをアニ−ルして、約150μm以下の平均粒径、および実質的に(100)組織バンドのない組織、を有するようにし、そこでアニ−ルは少なくとも段階d)もしくはf)またはその両方で行う、
    ことを含む少なくとも99.995%の不純物を有する金属ニオブからスパッタターゲットを製造する方法。
  69. 金属ニオブが少なくとも99.999%の純度を有する請求項68記載の方法。
  70. 円形鍛造が、金属ニオブを約370℃以下温度に供した後に行われる請求項68記載の方法。
  71. ビレットを鍛造する前に、ビレットがアニ−ルされる請求項68記載の方法。
  72. プリフォームの冷間圧延の前に、プリフォームがアニ−ルされる請求項68記載の方法。
  73. プリフォームのアニ−ルが、再結晶化を達成するのに十分な温度と時間での真空アニ−ルである請求項68記載の方法。
JP2002510732A 2000-05-22 2001-05-21 ニオブスパッタ要素、ニオブ金属およびそれを含む物品 Expired - Fee Related JP5341292B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US20615900P 2000-05-22 2000-05-22
US60/206,159 2000-05-22
PCT/US2001/016438 WO2001096620A2 (en) 2000-05-22 2001-05-21 High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004511651A true JP2004511651A (ja) 2004-04-15
JP2004511651A5 JP2004511651A5 (ja) 2008-07-17
JP5341292B2 JP5341292B2 (ja) 2013-11-13

Family

ID=22765229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002510732A Expired - Fee Related JP5341292B2 (ja) 2000-05-22 2001-05-21 ニオブスパッタ要素、ニオブ金属およびそれを含む物品

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6863750B2 (ja)
EP (1) EP1287172B1 (ja)
JP (1) JP5341292B2 (ja)
KR (1) KR100815034B1 (ja)
CN (1) CN1328409C (ja)
AT (1) ATE412782T1 (ja)
AU (1) AU2001296213A1 (ja)
DE (1) DE60136351D1 (ja)
MY (1) MY134162A (ja)
TW (1) TW587101B (ja)
WO (1) WO2001096620A2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007516352A (ja) * 2003-06-09 2007-06-21 キャボット コーポレイション 多方向変形によってスパッタリング物品を形成する方法
JP2009506219A (ja) * 2005-08-31 2009-02-12 ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド 鋳塊冶金法による微粒子マイクロアロイニオブ薄板の製造
JP2009181744A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Kobe Steel Ltd ブロンズ法Nb3Sn超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒、Nb3Sn超電導線材製造用前駆体およびその製造方法、並びにNb3Sn超電導線材
WO2014156918A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 Jx日鉱日石金属株式会社 ニオブスパッタリングターゲット
JPWO2020195121A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1257998C (zh) 2001-01-11 2006-05-31 卡伯特公司 钽和铌的坯料及其制造方法
HUP0303269A3 (en) * 2001-02-20 2004-05-28 H C Starck Inc Newton Refractory metal plates with uniform texture and methods of making the same
US7210641B2 (en) 2001-02-28 2007-05-01 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
JP4928706B2 (ja) * 2002-12-03 2012-05-09 株式会社東芝 光学薄膜形成用Nbスパッタリングターゲットの製造方法
US7067197B2 (en) 2003-01-07 2006-06-27 Cabot Corporation Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
EP1638891A2 (en) 2003-05-19 2006-03-29 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
JP2007523993A (ja) * 2003-06-20 2007-08-23 キャボット コーポレイション スパッタターゲットをバッキングプレートに結合させるための方法及び設計
WO2005080961A2 (en) * 2004-02-18 2005-09-01 Cabot Corporation Ultrasonic method for detecting banding in metals
US8252126B2 (en) * 2004-05-06 2012-08-28 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging
US7666243B2 (en) 2004-10-27 2010-02-23 H.C. Starck Inc. Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy
JP2006161066A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Seiko Epson Corp スパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッド
US7998287B2 (en) * 2005-02-10 2011-08-16 Cabot Corporation Tantalum sputtering target and method of fabrication
US8128765B2 (en) * 2005-04-05 2012-03-06 Jefferson Science Associates, Llc Large grain cavities from pure niobium ingot
CN101171362B (zh) * 2005-04-28 2010-06-09 日矿金属株式会社 溅射靶
JP4034802B2 (ja) * 2005-11-22 2008-01-16 株式会社神戸製鋼所 超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒およびNb3Sn超電導線材の製造方法
JP5114812B2 (ja) 2006-03-07 2013-01-09 キャボット コーポレイション 変形させた金属部材の製造方法
CN100357464C (zh) * 2006-06-03 2007-12-26 郭青蔚 草酸体系萃取法制取无氟氧化铌工艺
CN100529150C (zh) * 2007-12-17 2009-08-19 西部金属材料股份有限公司 一种制备金属铌带材的方法
US9834829B1 (en) 2009-07-07 2017-12-05 H.C. Starck Inc. Niobium-based alloy that is resistant to aqueous corrosion
US20110008201A1 (en) * 2009-07-07 2011-01-13 H.C. Starck Inc. Niobium based alloy that is resistant to aqueous corrosion
WO2013115401A1 (ja) * 2012-02-02 2013-08-08 しのはらプレスサービス株式会社 超伝導加速空洞の純ニオブ製エンドグループ部品の製造方法
CN103316912B (zh) * 2013-07-09 2014-12-17 武汉科技大学 一种极薄铌带的轧制方法
JP7250374B2 (ja) 2018-12-12 2023-04-03 グローバル アドバンスト メタルズ ユー.エス.エー.,インコーポレイティド 球状ニオブ合金粉末、それを含有する製品、及びその作製方法
US11885009B2 (en) * 2019-02-12 2024-01-30 Uchicago Argonne, Llc Method of making thin films
CN110983218B (zh) * 2019-12-25 2021-09-03 西部超导材料科技股份有限公司 一种组织均匀的小规格纯铌棒材的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000104164A (ja) * 1998-06-29 2000-04-11 Toshiba Corp スパッタタ―ゲット

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3085871A (en) 1958-02-24 1963-04-16 Griffiths Kenneth Frank Method for producing the refractory metals hafnium, titanium, vanadium, silicon, zirconium, thorium, columbium, and chromium
NL252366A (ja) 1958-06-13
US3110585A (en) 1959-10-21 1963-11-12 Ciba Ltd Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof
GB955832A (en) 1959-10-21 1964-04-22 Ciba Ltd Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof
US3497402A (en) 1966-02-03 1970-02-24 Nat Res Corp Stabilized grain-size tantalum alloy
CH515996A (de) 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3597192A (en) 1968-12-05 1971-08-03 Atomic Energy Commission Preparation of tantalum metal
DE2517180C3 (de) 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
US4149876A (en) 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS56145109A (en) 1980-04-12 1981-11-11 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Preparation of tantalum carbide or niobium carbide
JPS57106525A (en) 1980-12-19 1982-07-02 Rasa Kogyo Kk Manufacture of lithium niobate or lithium tantalate
JPS59202624A (ja) 1983-04-30 1984-11-16 Sharp Corp 薄膜形成用蒸発源
JPS6066425A (ja) 1983-09-22 1985-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法
JPS60124452A (ja) 1983-12-07 1985-07-03 Hitachi Ltd 高純度金属スリ−ブの製造方法
JPS619532A (ja) 1984-06-26 1986-01-17 Daido Steel Co Ltd ニオブ又はタンタルの金属鋳塊の製造方法
JPS61146717A (ja) 1984-12-18 1986-07-04 Sumitomo Chem Co Ltd タンタルの精製方法
JPS61281831A (ja) 1985-06-07 1986-12-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高純度タンタルの精製法
JPS62297A (ja) 1985-06-25 1987-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 多層分析要素
LU86090A1 (fr) 1985-09-23 1987-04-02 Metallurgie Hoboken Procede pour preparer du tantale ou du niobium affins
JPS62104180A (ja) 1985-10-31 1987-05-14 Toyo Soda Mfg Co Ltd 超高純度ニオブを用いてなるジヨセフソン素子
JPS62108517A (ja) 1985-11-06 1987-05-19 Hitachi Ltd 分子線源
JPS62158118A (ja) 1985-12-28 1987-07-14 Chiyuugai Tekunosu Kk 酸化ニオブの製法
JPS62259448A (ja) 1986-04-14 1987-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁膜形成法
JPH0621346B2 (ja) 1986-06-11 1994-03-23 日本鉱業株式会社 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法
JPS63216966A (ja) 1987-03-06 1988-09-09 Toshiba Corp スパツタタ−ゲツト
JPS6415334A (en) 1987-07-09 1989-01-19 Toho Titanium Co Ltd Production of metal from metal halide
JPS6473009A (en) 1987-09-11 1989-03-17 Showa Denko Kk Production of high purity tantalum or niobium powder
JPS6473028A (en) 1987-09-16 1989-03-17 Tosoh Corp Recovering method for high purity tantalum from scrap tantalum
JPS6475632A (en) 1987-09-18 1989-03-22 Tosoh Corp Recovering method for tantalum from scrap tantalum
JPH0173028U (ja) 1987-10-29 1989-05-17
JPH0173009U (ja) 1987-10-29 1989-05-17
JPH0244111Y2 (ja) 1987-11-10 1990-11-22
US4960163A (en) 1988-11-21 1990-10-02 Aluminum Company Of America Fine grain casting by mechanical stirring
JPH0735586B2 (ja) 1989-08-25 1995-04-19 住友金属工業株式会社 着色フェライト系ステンレス鋼とその製造方法
JPH03150828A (ja) 1989-11-07 1991-06-27 Nippon Chemicon Corp 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JP3031474B2 (ja) 1989-12-26 2000-04-10 株式会社東芝 高純度タンタル材,タンタルターゲット,薄膜および半導体装置の製造方法
US5530467A (en) 1990-02-01 1996-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target, film resistor and thermal printer head
JPH042618A (ja) 1990-04-20 1992-01-07 Nikko Kyodo Co Ltd 弗化タンタルカリウムの精製方法
JPH0421524A (ja) 1990-05-15 1992-01-24 Nikko Kyodo Co Ltd 弗化タンタルカリウムの精製方法
DE4032566C2 (de) 1990-10-13 1993-12-16 Schott Glaswerke Bleifreies optisches Glas mit negativ abweichender anomaler Teildispersion
US5269403A (en) 1992-06-15 1993-12-14 Johnson Matthey Electronics Sputtering target assembly for a sputter coating apparatus
TW234767B (ja) 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
US5693203A (en) 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
US5406850A (en) 1993-01-14 1995-04-18 Tosoh Smd, Inc. Method of non-destructively testing a sputtering target
JPH06264232A (ja) 1993-03-12 1994-09-20 Nikko Kinzoku Kk Ta製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法
US5409548A (en) 1993-05-17 1995-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Ferroelectric detector array utilizing material and fabrication technique
DE4414571C1 (de) 1994-04-27 1996-01-18 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Tantal-Niob-Konzentraten
US5442978A (en) 1994-05-19 1995-08-22 H. C. Starck, Inc. Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions
US5687600A (en) 1994-10-26 1997-11-18 Johnson Matthey Electronics, Inc. Metal sputtering target assembly
US5522535A (en) 1994-11-15 1996-06-04 Tosoh Smd, Inc. Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies
JPH08165528A (ja) 1994-12-09 1996-06-25 Japan Energy Corp 高純度高融点金属または合金の製造方法
US5590389A (en) 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
JP3852967B2 (ja) 1995-07-14 2006-12-06 株式会社アルバック 低圧スパッタリング装置
CN1289243C (zh) * 1996-11-07 2006-12-13 卡伯特公司 铌粉、铌电容器和用其降低直流电泄漏的方法
US6010676A (en) 1997-09-12 2000-01-04 Osram Sylvania Inc. Method for making a highly pure tantalum compound
US6323055B1 (en) 1998-05-27 2001-11-27 The Alta Group, Inc. Tantalum sputtering target and method of manufacture
US6348139B1 (en) 1998-06-17 2002-02-19 Honeywell International Inc. Tantalum-comprising articles
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
US6348113B1 (en) * 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
TW460883B (en) * 1999-02-16 2001-10-21 Showa Denko Kk Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000104164A (ja) * 1998-06-29 2000-04-11 Toshiba Corp スパッタタ―ゲット

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007516352A (ja) * 2003-06-09 2007-06-21 キャボット コーポレイション 多方向変形によってスパッタリング物品を形成する方法
JP2009506219A (ja) * 2005-08-31 2009-02-12 ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド 鋳塊冶金法による微粒子マイクロアロイニオブ薄板の製造
JP2009181744A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Kobe Steel Ltd ブロンズ法Nb3Sn超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒、Nb3Sn超電導線材製造用前駆体およびその製造方法、並びにNb3Sn超電導線材
WO2014156918A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 Jx日鉱日石金属株式会社 ニオブスパッタリングターゲット
JP5837214B2 (ja) * 2013-03-27 2015-12-24 Jx日鉱日石金属株式会社 ニオブスパッタリングターゲット
JPWO2020195121A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01
WO2020195121A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 Jx金属株式会社 ニオブスパッタリングターゲット
JP7076632B2 (ja) 2019-03-26 2022-05-27 Jx金属株式会社 ニオブスパッタリングターゲット
US12020916B2 (en) 2019-03-26 2024-06-25 JX Metals Corpo tion Niobium sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
AU2001296213A1 (en) 2001-12-24
WO2001096620A2 (en) 2001-12-20
ATE412782T1 (de) 2008-11-15
US6863750B2 (en) 2005-03-08
EP1287172A2 (en) 2003-03-05
CN1328409C (zh) 2007-07-25
US20020072475A1 (en) 2002-06-13
DE60136351D1 (de) 2008-12-11
TW587101B (en) 2004-05-11
CN1449452A (zh) 2003-10-15
JP5341292B2 (ja) 2013-11-13
MY134162A (en) 2007-11-30
WO2001096620A3 (en) 2002-08-08
US20050263217A1 (en) 2005-12-01
KR20030001543A (ko) 2003-01-06
KR100815034B1 (ko) 2008-03-18
EP1287172B1 (en) 2008-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5341292B2 (ja) ニオブスパッタ要素、ニオブ金属およびそれを含む物品
JP4652574B2 (ja) 高純度タンタルおよびそれを含む、スパッタターゲットのような製品
US8231744B2 (en) Tantalum and niobium billets and methods of producing the same
JP2002530534A5 (ja)
KR100438670B1 (ko) 탄탈륨 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법
EP2999661A1 (en) Process for manufacturing metal containing powder
WO2005071135A2 (en) Tantalum and other metals with (110) orientation

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080515

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110927

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111226

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120326

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20120813

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20120926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130219

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130514

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130709

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130808

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5341292

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees