JP2004311848A - 半導体装置の製造方法、保護用粘着テープおよびダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】厚さが５０μｍ以下の半導体ウェハであっても、該ウェハを破損することなく、高効率で半導体装置を製造する方法を提供することである。
【解決手段】支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第１の粘着テープを回路面に貼付した半導体ウェハをバックグラインドする工程と、半導体ウェハの裏面に第２の粘着テープを貼付しダイシングする工程と、第２の粘着テープの粘着力を低下させ、第１の粘着テープが貼付された半導体チップを吸引具にてピックアップする工程と、ダイボンド工程と、第１の粘着テープを剥離する工程とを含み、第１の粘着テープと第２の粘着テープとは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）となるように構成されている。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に厚さが５０μｍ以下の半導体チップを備える半導体装置の製造方法に関する。
【従来の技術】
【０００２】
近年、携帯電話、デジタルＡＶ機器、ＩＣカード等の高機能化に伴ない、これらの機器に搭載される半導体チップには小型、薄型、高集積への要求が高まっている。特に複数の半導体チップをワンパッケージ化するためには、半導体チップの薄型化が必要である。
【０００３】
一般には、半導体ウェハをサポート冶具に固定して、回路面と反対の裏面を研削（バックグラインド）して１５０〜１００μｍの厚さにまで薄くしている。このような薄い半導体ウェハから高い歩留りで半導体チップを得るために、下記特許文献１では、下記の工程を開示している。
【０００４】
（１）前記ウェハの回路面にバックグラインド用保護テープを貼り付け、
（２）ウェハの裏面をバックグラインド処理し、
（３）バックグラインド処理したウェハ裏面にダイボンド用接着剤を貼り付け、
（４）バックグラインド用保護テープを剥がし、
（５）ダイボンド用接着剤にダイシング用支持テープを貼り付け、
（６）ダイシングを行って、ウェハを半導体チップに分割し、
（７）前記ダイシング用支持テープの接着性を低下させ、
（８）ダイボンド用接着剤の付いた半導体チップをピックアップし、
（９）ダイボンド用接着剤を利用して半導体チップをダイボンドする。
【０００５】
特許文献１には、前記バックグラインド用保護テープの接着剤として粘着性樹脂、ＵＶ硬化樹脂、熱可塑性樹脂が使用されると記載されている。また、前記ダイシング用保護テープの接着剤としてＵＶ硬化樹脂が開示されている。
【０００６】
一般には、上記保護テープとしてＵＶ硬化樹脂が使用される。このＵＶ硬化樹脂は、ＵＶ照射により接着性が低下するものである。また、特許文献１によれば、前記粘着性樹脂の場合は機械的に、熱可塑性樹脂の場合は加熱して剥がすと記載され、その後、洗浄する場合もあると記載されている（特許文献１の［００２８］を参照）。
【０００７】
しかしながら、ＵＶ硬化樹脂を用いる場合には、ＵＶ照射装置を必要とするためコスト・アップになり、またＵＶ硬化樹脂の含まれるＵＶ硬化促進剤等が半導体ウェハ表面を汚染するおそれがある。さらに、バックグラインド用保護テープおよびダイシング用保護テープは、先にいずれか一方のテープを剥がす際に、後から剥がす他方のテープも同時に接着性が低下してはならない。ところが、厚さが１００〜１５０μｍ程度のウェハであっても、該ウェハおよびダイボンド用接着剤を介して積層された２枚の保護テープのうち、一方のみにＵＶを正確に照射することは非常に困難であり、他方の保護テープもＵＶ照射の影響をうけて接着性が低下するおそれがある。
【０００８】
また、バックグラインド用保護テープの接着剤として粘着性樹脂を用いる場合、機械的に剥がすためにウェハが破損するおそれが大きい。熱可塑性樹脂の場合は加熱して剥がすといえども、バックグラインド用保護テープおよびダイシング用保護テープの両方が剥がれてしまい、ウェハのハンドリングが非常に困難である。また、粘着性樹脂や熱可塑性樹脂の場合は、剥離後の回路面に残渣が付着しているおそれがあるため、洗浄工程が必要になり、コスト・アップになる。
【０００９】
一方、ピックアップ工程において、一般にダイシング用支持テープから半導体チップのピックアップするのは、ダイシングテープの粘着剤であるＵＶ硬化樹脂を硬化状態にし、粘着力を低減させて行うが、ＵＶ硬化樹脂は、粘着力が完全に消失せず、１００ｇ／ｃｍ^２以上の粘着力が残る。ピックアップを行うには、吸引治具（エアー吸着コレット等）が一般に使用される。しかし、吸引治具の垂直剥離力は最高で５０ｇ／ｃｍ^２程度の吸引能力しかないので、吸引治具のみではピックアップができない。その為、一般にダイシングテープ下面に下からニードルを押し当てて、チップとダイシングテープとの剥離に垂直剥離力だけでなく、ピール剥離力（引き剥がし力）を加えることが必要となる。
【００１０】
しかしながら、厚さ１００μｍ以上のチップであるならば、ＵＶ硬化樹脂とニードルにより吸引治具吸着が可能であるが、厚さ１００μｍ以下の極薄チップ単体になると、ニードルをウエハに押し当てた時に発生するウエハへの曲げストレス（約６００ｇ）にウエハ自体が耐えることができずに割れてしまう（後述の参考例を参照）。このため、ニードルレス方式でチップをピックアップする方法が要望されていた。
一方、支持体に使用する粘着剤の種類として、ＵＶ硬化粘着剤並びに粘着性樹脂や熱可塑性樹脂を使用した場合は、残粘着力が高いため、ニードルレス方式での垂直剥離力のみのピックアップは不可能である。
【００１１】
ところで、バックグラインド用保護テープとして、上記のようなＵＶ硬化樹脂等に代えて、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた粘着テープを使用することが下記特許文献２および３に提案されている。このような保護テープを使用すると、加熱又は冷却するだけで簡単に粘着力が失われるので、ＵＶ照射装置などを必要とせず、またウェハの回路にも悪影響を当てる事が少ないと考えられる。
【００１２】
しかしながら、厚さが１００μｍ未満、特に厚さ５０μｍ以下にまで薄型化された半導体ウェハは、非常に曲がりやすく、わずかな衝撃や外力で簡単に破損してしまうため、保護テープとして、前記のように側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた粘着テープを使用しても、前記ピックアップ工程を含む工程全体での取り扱いは非常に困難であった。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００２−２６０３９号公報
【特許文献２】
特開平９−２４９８６０号公報
【特許文献３】
特開平９‐１６５５５８号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主たる目的は、厚さが１００μｍ未満、特に厚さが５０μｍ以下の半導体ウェハであっても、該ウェハを破損することなく、高効率で半導体装置を製造する方法を提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、特に上記製造方法に使用するのに適した保護用粘着テープおよびダイボンボンド用粘着剤付き支持用粘着テープを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、前記した支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた粘着テープとして、互いに異なる条件で粘着力が低下する２種類の粘着テープ（第１および第２の粘着テープ）を使用することにより、たとえ厚さが５０μｍ以下の半導体ウェハであっても、このウェハの両面に前記第１および第２の粘着テープを貼り付けることにより、ダイシング時のチップ外周のチッピング、ダイボンドでのピックアップ時のチップ割れ、さらにはバックグラインドからダイボンドまでのハンドリングにおける外力によって割れ等が発生するのを防止できると共に、前記第１および第２の粘着テープは異なる条件で粘着力が低下するので、これらの粘着テープをそれぞれ必要なときに個別にかつ外力を加えずにチップから簡単に剥離させることができる（例えば気体を吹き付けるなどして剥離させる）という新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】
かかる本発明の半導体装置の製造方法は、以下の構成からなる。
（１）支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第１の粘着テープを半導体ウェハの回路面に貼付する工程と、
前記第１の粘着テープを貼付した半導体ウェハの回路面と反対の裏面を研削して所定厚さに調整するバックグラインド工程と、
バックグラインドした半導体ウェハの裏面に、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第２の粘着テープを貼付する工程と、
前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープを貼付した半導体ウェハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、
ダイシング後、前記第２の粘着テープの粘着力を低下させ、前記第１の粘着テープが貼付された前記半導体チップを吸引治具にてピックアップして、前記第２の粘着テープから剥離する工程と、
ピックアップした前記半導体チップを、ダイボンド用接着剤を介して被接着体表面に接着するダイボンド工程と、
このダイボンド工程前または後に、前記第１の粘着テープの粘着力を低下させ、前記半導体チップの回路面から前記第１の粘着テープを剥離する工程とを含み、
前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）となるように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１８】
（２）支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第１の粘着テープを半導体ウェハの回路面に貼付する工程と、
前記第１の粘着テープを貼付した半導体ウェハの回路面と反対の裏面を研削して所定厚さに調整するバックグラインド工程と、
バックグラインドした半導体ウェハの裏面に、ダイボンド用接着剤と、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第２の粘着テープとをこの順に貼付する工程と、
前記第１の粘着テープ、ダイボンド用接着剤および第２の粘着テープを貼付した半導体ウェハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、
ダイシング後、前記第２の粘着テープの粘着力を低下させ、前記第１の粘着テープおよびダイボンド用接着剤が貼付された前記半導体チップを吸引治具にてピックアップして、前記第２の粘着テープから剥離する工程と、
ピックアップした前記半導体チップを、前記ダイボンド用接着剤を介して被接着体表面に接着するダイボンド工程と、
このダイボンド工程前または後に、前記第１の粘着テープの粘着力を低下させ、前記半導体チップの回路面から前記第１の粘着テープを剥離する工程とを含み、
前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）となるように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１９】
（３）前記バックグラインド工程において、前記半導体ウェハは５０μｍ以下の厚さに研削される前記（１）または（２）記載の半導体装置の製造方法。
（４） 前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープは、温度低下もしくは温度上昇で粘着力が低下する性質を有する前記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（５）前記第１の粘着テープが粘着力を低下する温度Ｔ１と、第２の粘着テープが粘着力を低下する温度Ｔ２との間に絶対値で｜Ｔ１−Ｔ２｜≧１０℃の関係が成り立つ前記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（６）前記第１の粘着テープの支持体が剛直なフィルムまたは板である前記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（７）前記第１の粘着テープが貼付された前記半導体チップを吸引治具にてピックアップして、前記第２の粘着テープの粘着面から垂直方向に剥離させる前記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（８）前記半導体チップの回路面から前記第１の粘着テープを吸引または気体吹き付けにより剥離させる前記（１）〜（７）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（９）前記バックグラインドした半導体ウェハの裏面に貼付される前記ダイボンド用接着剤と第２の粘着テープとがあらかじめ一体に貼付したものである前記（２）記載の半導体装置の製造方法。
【００２０】
また、本発明にかかる保護用粘着テープは、半導体ウェハの回路面に貼付されるものであって、剛直な支持体の片面に、側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けたことを特徴とする。この保護用粘着テープは、上記の製造方法に使用するのに適し、特に剛直な支持体を使用しているため、ダイシング後の半導体チップを吸引治具にて垂直にピックアップして剥離させるのに好適である。
【００２１】
本発明のダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープは、テープ状のダイボンド用接着剤と、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた粘着テープとを貼り合わせたことを特徴とする。特に前記粘着テープは加熱または冷却することにより粘着力が低下し、前記ダイボンド用接着剤とも簡単に分離するので、あらかじめダイボンド用接着剤と前記支持用粘着テープとを貼り合わせておくと作業効率が向上する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
まず、本発明において使用する第１および第２の粘着テープについて説明する。これらの粘着テープは互いに異なる条件で粘着力が低下する粘着剤層を基材表面に塗布したものである。粘着剤としては、例えば特許文献２，３に記載のような側鎖結晶化可能ポリマーが挙げられる。このポリマーは、所定温度以下（または以上）で粘着性を示し、それより上（またはそれより下）の温度では非粘着性を示すという特性を有する。
【００２３】
第１および第２の粘着テープの具体例としては、所定の温度（例えば２５℃）以下で粘着力がなくなる、いわゆる冷却剥離タイプと、所定の温度（例えば５０℃）以上で粘着力がなくなる、いわゆる加熱剥離タイプとが挙げられる。このような粘着テープとしては、ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ（製品名：インテリマーテープ）が好適に使用可能である。
【００２４】
また、第１および第２の粘着テープは共に冷却剥離タイプまたは加熱剥離タイプであってもよい。冷却剥離タイプおよび加熱剥離タイプを併用する場合、あるいは共に冷却剥離タイプまたは加熱剥離タイプである場合、第１および第２の粘着テープの粘着力が低下する温度Ｔ１とＴ２との温度差は絶対値で｜Ｔ１−Ｔ２｜≧１０℃があるのが好ましい。｜Ｔ１−Ｔ２｜が１０℃未満であると、第１および第２の粘着テープの一方を剥離する際に、他方の粘着テープの粘着力も低下して剥離するおそれがあるため、精密な温度管理が必要になり、煩雑である。
また、本発明では、粘着剤として上記側鎖結晶化可能ポリマーを用いた第１および第２の粘着テープであって、同一条件（例えば同じ温度）で粘着力が低下するものであっても粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）であれば使用可能である。これは、以下に説明するように、剥離が第２の粘着テープおよび第１の粘着テープの順になっているからである。
いずれの場合も、粘着力低下後の垂直剥離力は、吸引治具の垂直剥離力が最高で５０ｇ／ｃｍ^２程度であることから、５０ｇ／ｃｍ^２以下、好ましくは２０ｇ／ｃｍ^２以下であるのが好ましい。なお、垂直剥離力はＪＩＳ Ｋ ６８４９（接着剤の引っ張り接着強さ試験方法）に準拠した方法によって測定される。
上記したような冷却剥離タイプまたは加熱剥離タイプの粘着テープは、例えば特開２０００‐２３４０７９に記載されている。例えば剥離温度は、側鎖結晶化可能ポリマー中のアルキル基等の炭素鎖の長さを調整することで変更することができる。また、粘着力は、粘着剤層の厚みを変えるか、ポリマーの三次元架橋度を変えるなどによって変更することができる。すなわち、粘着剤層の厚みを薄くすると粘着力が低下する。また、ポリマーの三次元架橋度が増大すると、ポリマーが硬くなり、粘着力が低下する。
【００２５】
以下、本発明方法の一実施形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明方法を示す工程図である。
【００２６】
（第１工程）
図１（ａ）に示すように、支持体１の片面に冷却剥離タイプの側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層２を設けた第１の粘着テープ２０を半導体ウェハ３の回路面に貼付する。この粘着テープ２０は、次のバックグラインド時におけるウェハ保護材となるものである。
【００２７】
研削される前の半導体ウェハ３は厚さが４００μｍまたはそれ以上である。支持体１としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネートやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリウレタン、ガラス、シリコンウェハなどがあげられる。支持体１の厚さは５０〜５００μｍ程度であるのがよい。また、使用する支持体１は、研削されたウェハの破損を防止するうえで剛性を有するのが好ましい。剛性は、例えばウェハを搬送用ウエハカセットに入れた場合の自由二点支持の弛み量で表し、６インチウエハで３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下であるのが望ましいことから、そのような弛み量を持つようにウエハに貼付された支持体の剛性を調整する必要がある。
【００２８】
粘着層２は、設定温度以上の温度雰囲気下での研削中にずれない十分な粘着力を有し、かつバンプ作業やバッドマーク記入作業によるウェハダメージを吸収できることが必要である。具体的には設定温度以上での粘着力はＪＩＳＺ−０２３７試験で１Ｎ／２５ｍｍ以上、好ましくは３Ｎ／２５ｍｍ以上であるのがよい。また、バンプ作業やバッドマーク記入作業によるウェハダメージが生じない粘着層２の厚みは２０〜６０μｍであるのがよい。２０μｍ以下であると粘着層がバンプ作業やバッドマーク記入作業によるウエハへの衝撃を吸収することができずにウエハに亀裂が生じ易く、６０μｍ以上であるとウエハの研削作業中に粘着層内部で剪断変形が発生し易いことから、研削作業に不具合が生じる。
【００２９】
（第２工程）
第１の粘着テープ２０を貼り付けた状態で上記半導体ウェハ３の裏面（回路面の反対面）を研削（バックグラインド処理）して、図１（ｂ）に示すように所望厚さの半導体ウェハ４を得る。研削された半導体ウェハ４は厚さが５０μｍ以下に極薄化される。このような極薄化ウェハ４は、単独では後述の参考例に示す試験法（両端自由支持によるチップの抗折強度測定）で測定した剛性が１００ｇ以下であるが、回路面に貼付された第１の粘着テープ２０によって剛性が補強されているので、通常のハンドリングで充分に取り扱いできる。
【００３０】
（第３工程）
図１（ｃ）に示すように、所望厚さに研削された半導体ウェハ４の裏面に第２の粘着テープ２１を貼り付ける。この粘着テープ２１は、ダイシング時のウェハ保護材となるものであり、一般にダイシングテープと呼ばれるものに相当する。第２の粘着テープ２１は、支持体７の表面に加熱剥離タイプの側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層６を設けたものである。
【００３１】
支持体７としては、前記した支持体１と同様のフィルムまたは板が使用可能であるが、剛性は必ずしも必要ではない。支持体７の厚さはダイシング時の切りしろを考慮し５０〜１２５μｍが好ましい。粘着層６は厚さが５〜６０μｍであるのがよい。
【００３２】
（第４工程）
図１（ｄ）に示すように、第１の粘着テープ２０および第２の粘着テープ２１が両面に貼り付けられた半導体ウェハ４をダイサーにてダイシング（分割）して半導体チップ８を得る。このとき、ダイサーによる切り込み深さは、支持体７の裏面に達しない深さである。
【００３３】
一般に、厚さ５０μｍ以上の樹脂フィルムをウエハカット用のブレードでカットすると、ブレード破損、劣化、寿命が短くなる等の弊害が発生するおそれがある。ダイシング前に半導体ウェハ４から保護テープ（第１の粘着テープ２０）を剥離すれば、上記のような弊害は回避できるが、ダイシング前後のハンドリングやダイシングくずにより回路面が汚染、破壊されるおそれがあり、またピックアップとダイボンドを行う際に、極薄ウェハを単体でハンドリングしなければならないリスクがある。そこで、保護テープを貼付したまま、カットするには、２段階でカットする手法を採用するのが好ましい。この方法では、２種類のダイシング刃を使用し、例えば１段目の刃で、第１の粘着テープ２０部分の半分或いは全体をカットし、２段目の刃でウェハ４をカットすればよい。刃の太さ、カットのスピード、深さについては、その都度最良の選択を行うことができる。カットは第１の粘着テープ２０の支持体１面から行い、第２の粘着テープ２１（支持用ダイシングテープ）では粘着層６をハーフカットないし支持体７までをハーフカットとする。
【００３４】
（第５工程）
前記第２の粘着テープ２１の粘着力を低下させ、図１（ｅ）に示すように第１の粘着テープ２０が貼付された前記半導体チップ８を個別に吸引治具９（エアー吸引具）にてピックアップして、前記第２の粘着テープ２１から垂直に剥離させる。
【００３５】
ダイシング終了後、第１の粘着テープ２０が貼付された前記半導体チップ８は、粘着テープ２１をエキスパンドや熱収縮させることなくハンドリング行うのが好ましい。それは、半導体チップ８が薄く脆いため、粘着テープ２１をエキスパンドや熱収縮させるだけでチップに亀裂が発生する虞があるからである。そこで、第２の粘着テープ２１の粘着力を低下させ、チップ８を吸引治具９により垂直に取りだす際に、隣接するチップ８同士との干渉を防ぐ為、チップ８と同径のスポットヒーター型ピックアップ補助治具（図示せず）を第２の粘着テープ２１の背面よりチップ８に押し当てる。このピックアップ補助治具は、第２の粘着テープ２１が加熱剥離タイプである場合、第２の粘着テープ２１と接触する表面が（第２の粘着テープ２１の剥離温度＋０〜１６０）℃の範囲に設定されたヒーター面となっており、これにより粘着テープ２１の剥離を促進させる機能を果たす。なお、第２の粘着テープ２１が冷却剥離タイプの場合には、スポットクーラー型ピックアップ補助治具を使用し、第２の粘着テープ２１と接触する表面が（第２の粘着テープ２１の剥離温度−０〜３０）℃の温度に設定されたクーラー面を有するようにすればよい。
【００３６】
ピックアップ補助治具は、必ずしも第２の粘着テープ２１（支持用ダイシングテープ）を介してチップ８と接触しなくてもよく、例えばスポット風があたるような機能を持ったヒーター（またはクーラー）や、スポット加熱が可能な赤外線ヒーターであっても良い。加熱（または冷却）は、チップ８と第２の粘着テープ２１との粘着剤界面が理想剥離温度になればよい。
【００３７】
前記ピックアップ補助治具は、チップ８が破損しない限度内において、図２に矢印で示すように、第２の粘着テープ２１の背面を押し上げてもよい。これにより、第２の粘着テープ２１は上面が凸形になって、ピックアップするチップ８とこれに隣接する他チップ８同士との間隙が広げられるので、他チップ同士の干渉がなくなり、ピックアップが容易になる。
【００３８】
ピックアップの際、例えば第２の粘着テープ２１が加熱剥離温度５０℃以上で、第１の粘着テープ２０が冷却剥離温度２５℃以下である場合、ピックアップ時には、６０〜１２０℃の熱で剥離するのがよい。両方が共に加熱剥離タイプまたは冷却剥離タイプの場合は、剥離温度の差を１０℃以上にするか、垂直剥離粘着力に２倍以上の差を付けることにより、剥離したい箇所のみを優先的に剥離することができる。
【００３９】
剥離したチップ８は、第１の粘着テープ２０を貼り付けたまま、直接、次工程であるダイボンド工程に移すこともでき、あるいは一旦、トレイに納めることもできる。一般的な極薄ウェハ製造工程では、この段階で、極薄ウェハが非常に脆弱な状態に陥るが、本件発明では、チップと同じ大きさの第１の粘着テープ２０で保護されているため、ハンドリングが容易である。
【００４０】
（第６工程）
図１（ｆ）に示すように、吸引治具９によりピックアップした半導体チップ８を、ダイボンド用接着剤層１１を介して基板１０の表面に接着する（ダイボンド工程）。
【００４１】
ダイボンド用接着剤層１１はペーストまたはテープの形態で使用される。ダイボンド用接着剤としては、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスルホン酸などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいはアクリル樹脂、ゴム系ポリマー、フッ素ゴム系ポリマー、フッ素樹脂などが挙げられ、これらは２種以上を混合して用いてもよい。
【００４２】
この実施形態では、ダイボンド用接着剤層１１はあらかじめ基板１０の所定部位に接着しておいてもよく、あるいはピックアップした半導体チップ８に接着してもよい。ダイボンド用接着剤層１１の厚さは３〜１００μｍ、好ましくは１０〜４０μｍである。
【００４３】
接着は、半導体チップ８をダイボンド用接着剤層１１を介して基板１０の表面に載置した後、加熱して行う。加熱温度は、約６０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃程度が適当である。
ダイボンド工程においても、チップ８の回路表面は、第１の粘着テープ２０で保護されているため、回路ダメージを受けることはない。
【００４４】
（第７工程）
ダイボンド工程後、図１（ｇ）に示すように、第１の粘着テープ２０の粘着力を低下させ、吸引治具９により第１の粘着テープ２０を半導体チップ８の回路面から剥離する。
【００４５】
第１の粘着テープ２０が冷却剥離タイプの場合には剥離温度の０℃〜−３０℃で剥がすようにするのが好ましい。加熱剥離タイプの場合には剥離温度の０℃〜＋１６０℃で剥離させるのが好ましい。
【００４６】
第１の粘着テープ２０の剥離方法は、第１の粘着テープ２０を加熱または冷却して、図１（ｇ）に示すように吸引治具９によりピックアップしても良いし、スポットクーラー（またはヒーター）によるブロアーで粘着テープ２０を吹き飛ばしても良い。一般的に、吸引治具９による垂直方向へのピックアップが可能な粘着力は５０ｇ以下で、ブロアーによる吹き飛ばしが可能な粘着力は２０ｇ以下である。第１の粘着テープ２０が取り除かれたチップ８はたとえ厚さ５０μｍ以下の極薄体であっても、すでに基板１０にダイボンドされており、折れ曲がるおそれはない。
基板１０に取り付けたチップ８は１層目と捉えることができ、前記した手順を繰り返すによって、２層目、３層目が順次積層され半導体として完成される。
【００４７】
上記の本発明方法を用いることにより、新しい製造機械を導入することなく、既存設備で半導体装置を製造することができ、生産性および歩留まりを向上させることができる。
【００４８】
本発明の他の実施形態を図３および図４に基づいて以下説明する。なお、図３および図４において、図１、図２と同じ構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
この実施形態では、図３に示すように、ダイボンド用接着剤１２と、第２の粘着テープ２１とを貼り合わせたダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープ２３を使用する。第２の粘着テープ２１は、支持体７の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層６を設けたものであり、加熱剥離タイプおよび冷却剥離タイプのいずれであってもよい。ダイボンド用接着剤テープ１２には、前記したダイボンド用接着剤層１１と同じ材料が使用され、厚さは３〜１００μｍ、好ましくは１０〜２０μｍである。ダイボンド用接着剤１２は、支持体７の粘着層６表面に接着される。
【００５０】
図４（ｉ）〜（ｖ）はこの実施形態における主要な工程を示している。図４（≡）に示すように、第１の粘着テープ２０で保護され所定厚み（好ましくは５０μｍ以下）にバックグラインド処理された半導体ウェハ４は、前記ダイボンディング材２３のダイボンド用接着剤テープ１２の表面に貼り付けられる。
【００５１】
ついで、図４（ｉｉ）に示すように、半導体ウェハ４をダイシングする。カットは第１の粘着テープ２０面から行い、ダイボンド用接着剤１２までをフルカットし、第２の粘着テープ２１の粘着層６をハーフカットするか、あるいは支持体７までをハーフカットすればよい。
【００５２】
しかるのち、加熱または冷却により第２の粘着テープ２１の粘着力を低下させ、図４（ｉｉｉ）に示すように、粘着層６からダイボンド用接着剤１２を剥離して吸引治具９で半導体チップ８をピックアップする。ついで、第１の粘着テープ２０で保護された状態の半導体チップ８を下面のダイボンド用接着剤１２を介して基板１０の表面に載置し、加熱して接着する。
そして、加熱または冷却により第１の粘着テープ２０を半導体チップ８から剥離させる。
【００５３】
このように、あらかじめダイボンド用接着剤１２と、第２の粘着テープ２１とを貼り合わせたダイボンド接着剤付き支持用粘着テープ２３を使用するので、ダイボンド用接着剤を塗布するなどの工程が不要になり生産効率を高めることができる。その他は前述の実施形態と同様である。
【００５４】
【実施例】
以下、参考例、実施例を挙げて本発明方法をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
【００５５】
参考例
従来技術におけるピックアップ時に、ニードルをウエハに押し当てた時に発生するウエハへの曲げストレスを両端自由支持の中心荷重方式によるチップの抗折強度として測定した。その結果を図５に示す。図５はチップの厚みと抗折強度との関係を示したものである。さらに支持体（粘着テープ）をチップに貼った状態でも同様な測定を実施し、上記結果と比較を行った。
図５から明らかなように、チップ単体での抗折強度は、チップ厚１００μｍで約５００ｇ、同じく５０μｍで２００ｇ、２０μｍで２０ｇとなっており、特に厚みが５０μｍ以下になるとその抗折強度の低下が著しいことが判る。次にチップ表面に支持体［粘着テープ：ポリエチレンテレフタレート材（ＰＥＴ材）１８８μｍ厚に粘着層を設けたもの］を貼ったものを測定したところ、抗折強度はチップ厚５０μｍで１０００ｇ、２０μｍで５００ｇまで向上することがわかった。つまり、支持体を貼った状態であれば、チップ厚５０μｍ前後のチップでも一般的なニードル方法によるピックアップの可能性があることが見い出せる。また、チップ厚２０μｍは、ニードル方式のピックアップには耐えないまでも、単体１００μｍ厚に相当する強度を有する。このことから、本発明で使用するダイシング用支持テープが発揮する低粘着性と組み合わせることで、ニードルレスの垂直剥離力のみでピックアップが可能となることがわかる。
【００５６】
実施例１
（バックグラインド工程）
厚みが４００μｍの半導体回路パターン付きのシリコンウェハの半導体回路面に、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムに厚さ４０μｍの粘着層を設けた第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；２５℃以下に環境温度を下げたときに粘着力が低下する冷却剥離タイプ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＣＳ２１４０Ｂ１０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置（ディスコ社製のＤＦＧ−８５０）にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００５７】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；５０℃以上に環境温度を上げたときに粘着力が低下する加熱剥離タイプ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１１５Ｃ５０）は厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムに厚さ１５μｍの粘着層を設けたものである。
この第２の粘着テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ダイシング装置（ディスコ社製のＤＦＤ−６３５０）にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００５８】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で７０℃に加熱されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により第１の粘着テープが貼付された半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスでかつ、第２の粘着テープをエキスパンドや熱収縮させることなく垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は３０ｇ／ｃｍ^２であった。また、ピックアップ時のチップのクラックないし割れは１５５個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００５９】
（ダイボンド工程と第１の粘着テープ剥離工程）
半導体チップを、厚さ１５μｍのダイボンド用接着剤テープ（材質：エポキシ系接着剤に無機フィラーを混入したもの）にて被着体（基板）に接着した。ついで、１０℃に冷却し、吸引治具により第１の粘着テープを剥離し半導体装置を得た。剥離力は４０ｇ／ｃｍ^２であった。また、半導体チップの回路面に残存する粘着剤は認められなかった。製品歩留まりは１００％であった。
【００６０】
（総合評価）
トータルの製品歩留まりは９４％であり、作業性、チップなどのハンドリングも容易であった。
【００６１】
実施例２
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムに厚さ３０μｍの粘着層を設けた第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；５０℃以上に環境温度を上げたときに粘着力が低下する加熱剥離タイプ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１３０Ｂ１０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００６２】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；２５℃以下に環境温度を下げたときに粘着力が低下する冷却剥離タイプ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＣＳ２１０５Ｃ５０）の粘着層の表面に厚さ１５μｍのダイボンド用接着剤テープを貼り付けたダイボンド用粘着剤を用意した。前記第２の粘着テープは厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムに厚さ５μｍの粘着層を設けたものである。
このダイボンド用接着剤テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００６３】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で１０℃に冷却されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により第１の粘着テープが貼付された半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスでかつ、第２の粘着テープをエキスパンドや収縮させることなく垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は５０ｇ／ｃｍ^２であった。また、ピックアップ時のチップのクラックないし割れは１５５個中７個、製品歩留まりは９５％であった。
【００６４】
（ダイボンド工程と第１の粘着テープ剥離工程）
半導体チップをダイボンド用接着剤テープを介して被着体（基板）に接着した。ついで、７０℃に加熱し、吸引治具により第１の粘着テープを剥離し半導体装置を得た。剥離力は３０ｇ／ｃｍ^２であった。また、半導体チップの回路面に残存する粘着剤は認められなかった。製品歩留まりは１００％であった。
【００６５】
（総合評価）
トータルの製品歩留まりは９２％であり、作業性、チップなどのハンドリングも容易であった。
【００６６】
実施例３
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１３０Ｂ１０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００６７】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；５０℃以上に環境温度を上げたときに粘着力が低下する加熱剥離タイプ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１１５Ｃ５０）は厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムに厚さ１５μｍの粘着層を設けたものである。
第１の粘着テープと第２の粘着テープとの粘着力の関係は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の評価法で５０℃に於いて、第１の粘着テープの粘着力が第２の粘着テープの粘着力の２倍あるものとした。
この第２の粘着テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００６８】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で７０℃に加熱されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により第１の粘着テープが貼付された半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスでかつ、第２の粘着テープをエキスパンドや熱収縮させることなく垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は２０ｇ／ｃｍ^２であった。また、ピックアップ時のチップのクラックないし割れは１５５個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００６９】
（ダイボンド工程と第１の粘着テープ剥離工程）
半導体チップをの粘着層の表面に厚さ１５μｍのダイボンド用接着剤テープにて被着体（基板）に接着した。ついで、７０℃に加熱し、吸引治具により第１の粘着テープを剥離し半導体装置を得た。剥離力は４５ｇ／ｃｍ^２であった。また、半導体チップの回路面に残存する粘着剤は認められなかった。製品歩留まりは１００％であった。
【００７０】
（総合評価）
トータルの製品歩留まりは９５％であり、作業性、チップなどのハンドリングも容易であった。
【００７１】
実施例４
（バックグラインド工程）
実施例１のウェハ回路面に、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムに厚さ４０μｍの粘着層を設けた第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；１２０℃以上に環境温度を上げたときに粘着力が低下する加熱剥離タイプ、；製品名「インテリマーテープ」、品番ＨＳ２１４０Ｂ１０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００７２】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１１５Ｃ５０）の粘着層の表面に厚さ１５μｍのダイボンド用接着剤テープを貼り付けたダイボンド用粘着剤を用意した。
このダイボンド用接着剤テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中８個、製品歩留まりは９５％であった。
【００７３】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で７０℃に加熱されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により第１の粘着テープが貼付された半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスでかつ、第２の粘着テープをエキスパンドや熱収縮させることなく垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は３０ｇ／ｃｍ^２であった。また、ピックアップによるチップのクラックないし割れは１５２個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００７４】
（ダイボンド工程と第１の粘着テープ剥離工程）
半導体チップをダイボンド用接着剤テープを介して被着体（基板）に接着した。ついで、１４０℃に加熱し、吸引治具により第１の粘着テープを剥離し半導体装置を得た。剥離力は２０ｇ／ｃｍ^２であった。また、半導体チップの回路面に残存する粘着剤は認められなかった。製品歩留まりは１００％であった。
【００７５】
（総合評価）
製品歩留まりは９２％であり、作業性、チップなどのハンドリングも容易であった。
【００７６】
実施例５
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番２１４０Ｂ５０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００７７】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１１５Ｃ５０）の粘着層の表面に厚さ１５μｍのダイボンド用接着剤テープを貼り付けたダイボンド用粘着剤を用意した。
このダイボンド用接着剤テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００７８】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で７０℃に加熱されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により第１の粘着テープが貼付された、半導体チップおよびダイボンド用接着剤テープの積層体を第２の粘着テープからニードルレスでかつ、第２の粘着テープをエキスパンドや熱収縮させることなく垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は３０ｇ／ｃｍ^２であった。また、ピックアップのチップのクラックないし割れは１５５個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００７９】
（ダイボンド工程と第１の粘着テープ剥離工程）
半導体チップをダイボンド用接着剤テープにて被着体（基板）に接着した。ついで、１０℃に冷却し、吸引治具により第１の粘着テープを剥離し半導体装置を得た。剥離力は４０ｇ／ｃｍ^２であった。また、半導体チップの回路面に残存する粘着剤は認められなかった。製品歩留まりは１００％であった。
【００８０】
（総合評価）
製品歩留まりは９４％であり、作業性、チップなどのハンドリングも容易であった。
【００８１】
比較例１
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、厚さ１３５μｍのフィルムに厚さ１５μｍの粘着層を設けた第１の粘着テープ（日東電工社製の感圧粘着テープ）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であったが、チップのクラックないし割れは１６０個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００８２】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ＵＶ照射で粘着力が低下するＵＶ硬化タイプの粘着層の表面にダイボンド用接着剤テープを貼り付けたもの）を用意した。
この第２の粘着テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、粘着剤を硬化させる為にＵＶを照射し、第１の粘着テープを剥離し、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第２の粘着テープのフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１５５個中０個、チップのクラックないし割れは１５５個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００８３】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法のピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により半導体チップおよびダイボンド用接着剤テープの積層体を第２の粘着テープからニードルレスで垂直方向に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は１００ｇ／ｃｍ^２であり半導体チップの全数がピックアップミスとなった。さらに、第２の粘着テープの下方からニードルを用いピックアップを試みた。その場合、垂直剥離力は５０ｇ／ｃｍ^２まで低下したが、チップのクラックないし割れは１５０個中１５０個、製品歩留まりは０％であった。
この段階で製品が完成できなかったため、次工程のダイボンド工程は実施できなかった。
【００８４】
（総合評価）
製品歩留まりは０％であり、ほとんどがピックアップ時のニードルによるクラックであった。
【００８５】
比較例２
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＣＳ２１４０Ｂ１０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００８６】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ＵＶ照射で粘着力が低下するＵＶ硬化タイプの粘着層の表面にダイボンド用接着剤テープを貼り付けたもの）を用意した。
この第２の粘着テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、粘着剤を硬化させる為にＵＶを照射し、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中１０個、製品歩留まりは９４％であった。
【００８７】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法のピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により第１の粘着テープが貼付された半導体チップおよびダイボンド用接着剤テープの積層体を第２の粘着テープからニードルレスで垂直方向に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は１００ｇ／ｃｍ^２であり半導体チップの全数がピックアップミスとなった。さらに、第２の粘着テープの下方からニードルを用いピックアップを試みた。その場合、垂直剥離力は５０ｇ／ｃｍ^２まで低下したが、チップのクラックないし割れは１５０個中１４９個、製品歩留まりは０％であった。
この段階で製品が完成できなかったため、次工程のダイボンド工程は実施できなかった。
【００８８】
（総合評価）
製品歩留まりは０％であり、ほとんどがピックアップ時のニードルによるクラックであった。
【００８９】
比較例３
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、第１の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＣＳ２１４０Ｂ１０）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００９０】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１１５Ｃ５０）表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ついで、第１の粘着テープを１０℃に冷却し剥離し、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは２０μｍ厚みのウェハから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中３８個、製品歩留まりは７７％であった。
【００９１】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で７０℃に加熱されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスで垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は３０ｇ／ｃｍ^２であった。そのとき、ピックアップのチップのクラックないし割れは１２２個中９５個、製品歩留まりは２３％であった。
【００９２】
（ダイボンド工程）
半導体チップを粘着層の表面に厚さ１５μｍのダイボンド用接着剤テープを介して被着体（基板）に接着し半導体装置を得た。チップのクラックないし割れは２７個中２０個。製品歩留まりは２５％であった。
【００９３】
（総合評価）
ダイシング工程前に第１の保護テープを剥離し、ウェハが露出された為、全ての工程で不良が発生し、製品歩留まりは５％であった。
【００９４】
比較例４
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムに厚さ４０μｍの粘着層を設けた第１の粘着テープ（ＵＶを照射したときに粘着力が低下するＵＶ硬化タイプ）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【００９５】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ニッタ株式会社製の感温性粘着テープ；製品名「インテリマーテープ」、品番ＷＳ４１１５Ｃ５０）表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープ及び２０μｍ厚みのウェハをフルカット、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中１０個、製品歩留まりは９３％であった。
【００９６】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法で７０℃に加熱されたピックアップ補助治具の表面を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスで垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は３０ｇ／ｃｍ^２であった。そのとき、ピックアップのチップのクラックないし割れは１５０個中５個、製品歩留まりは９７％であった。
【００９７】
（ダイボンド工程と第１の粘着テープ剥離工程）
半導体チップをダイボンド用接着剤テープにて被着体（基板）に接着した。ついで、ＵＶを照射し、吸引治具により第１の粘着テープの剥離を試みたが、剥離力は１００ｇ／ｃｍ^２以上であった。この段階で、第１の粘着テープが剥離不能の為、１４５個全てが、不良となり、製品歩留まりは０％であった。
【００９８】
（総合評価）
ダイボンド工程後の第１の粘着テープ剥離工程に於いて、不良が多発し、製品歩留まりは０％であった。
【００９９】
比較例５
（バックグラインド工程）
実施例１と同様のウェハ回路面に、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムに厚さ４０μｍの粘着層を設けた第１の粘着テープ（ＵＶを照射したときに粘着力が低下するＵＶ硬化タイプ）を貼り合わせた。
ついで、バックグラインド装置にてウェハを厚さ２０μｍまで研削した。その結果、研削面の状態や粘着テープを含む研削厚みの精度は良好であった。
【０１００】
（ダイシング工程）
第２の粘着テープ（ＵＶ照射で粘着力が低下するＵＶ硬化タイプの粘着層の表面にダイボンド用接着剤テープを貼り付けたもの）を用意した。
この第２の粘着テープ表面に、第１の粘着テープで回路面が保護されたウェハの反対面を貼り付け、粘着剤を硬化させる為にＵＶを照射し、ダイシング装置にてダイシングを行い、寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップを得た。このとき、カットは第１の粘着テープから入り、第２の粘着テープのＰＥＴフィルムをハーフカットとした。
その結果、チップの飛散は１６０個中０個、チップのクラックないし割れは１６０個中１０個、製品歩留まりは９３％であった。
【０１０１】
（ピックアップ工程）
半導体チップと同寸法のピックアップ補助治具を第２の粘着テープの裏面に押し当て、吸引治具により半導体チップを第２の粘着テープからニードルレスで垂直に剥離させた。ピックアップに要した垂直剥離力は１００ｇ／ｃｍ^２であり半導体チップの全数がピックアップミスとなった。さらに、第２の粘着テープの下方からニードルを用いピックアップを試みた。その場合、垂直剥離力は５０ｇ／ｃｍ^２まで低下したが、ニードルにより、チップクラックが発生し、製品歩留まりは０％であった。
【０１０２】
（総合評価）
ピックアップ工程に於いて、不良が多発し、製品歩留まりは０％であった。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば、互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）となる２種類の粘着テープ（第１および第２の粘着テープ）を使用することにより、たとえ厚さが５０μｍ以下の半導体ウェハであっても、ダイシング時のチップ外周のチッピング、ダイボンドでのピックアップ時のチップ割れ、ハンドリングにおける外力によって割れ等が発生するのを防止できると共に、これらの粘着テープをそれぞれ必要なときに個別にかつ外力を加えずにチップから簡単に剥離させることができ、このため半導体装置（回路）の製造が容易になり、歩留まりおよび信頼性をも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す工程図である。
【図２】ピックアップ時の状態を示す説明図である。
【図３】ダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープを示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態を示す工程図である。
【図５】チップの厚みと抗折強度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１：支持体、２：粘着層、３：ウェハ、４：ウェハ、６：粘着層、７：支持体、８：半導体チップ、９：吸引治具、１１：ダイボンド用接着剤層、２０：第１の粘着テープ、２１：第２の粘着テープ、２３：ダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープ

Claims (11)

1. 支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第１の粘着テープを半導体ウェハの回路面に貼付する工程と、
   前記第１の粘着テープを貼付した半導体ウェハの回路面と反対の裏面を研削して所定厚さに調整するバックグラインド工程と、
   バックグラインドした半導体ウェハの裏面に、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第２の粘着テープを貼付する工程と、
   前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープを貼付した半導体ウェハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、
   ダイシング後、前記第２の粘着テープの粘着力を低下させ、前記第１の粘着テープが貼付された前記半導体チップを吸引治具にてピックアップして、前記第２の粘着テープから剥離する工程と、
   ピックアップした前記半導体チップを、ダイボンド用接着剤を介して被接着体表面に接着するダイボンド工程と、
   このダイボンド工程前または後に、前記第１の粘着テープの粘着力を低下させ、前記半導体チップの回路面から前記第１の粘着テープを剥離する工程とを含み、
   前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）となるように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第１の粘着テープを半導体ウェハの回路面に貼付する工程と、
   前記第１の粘着テープを貼付した半導体ウェハの回路面と反対の裏面を研削して所定厚さに調整するバックグラインド工程と、
   バックグラインドした半導体ウェハの裏面に、ダイボンド用接着剤と、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた第２の粘着テープとをこの順に貼付する工程と、
   前記第１の粘着テープ、ダイボンド用接着剤および第２の粘着テープを貼付した半導体ウェハをダイシングして半導体チップを得るダイシング工程と、
   ダイシング後、前記第２の粘着テープの粘着力を低下させ、前記第１の粘着テープおよびダイボンド用接着剤が貼付された前記半導体チップを吸引具にてピックアップして、前記第２の粘着テープから剥離する工程と、
   ピックアップした前記半導体チップを、前記ダイボンド用接着剤を介して被接着体表面に接着するダイボンド工程と、
   このダイボンド工程前または後に、前記第１の粘着テープの粘着力を低下させ、前記半導体チップの回路面から前記第１の粘着テープを剥離する工程とを含み、
   前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープは互いに異なる条件で粘着力が低下するか、あるいは同一条件で低下した粘着力が（第２の粘着テープ）＜（第１の粘着テープ）となるように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記バックグラインド工程において、前記半導体ウェハは５０μｍ以下の厚さに研削される請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１の粘着テープおよび第２の粘着テープは、温度低下もしくは温度上昇で粘着力が低下する性質を有する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１の粘着テープの粘着力が低下する温度Ｔ１と、第２の粘着テープの粘着力が低下する温度Ｔ２との間に絶対値で｜Ｔ１−Ｔ２｜≧１０℃の関係が成り立つ請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１の粘着テープの支持体が剛直なフィルム或いは板である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１の粘着テープが貼付された前記半導体チップを吸引具にてピックアップして、前記第２の粘着テープの粘着面から垂直方向に剥離させる請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記半導体チップの回路面から前記第１の粘着テープを吸引または気体吹き付けにより剥離させる請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記バックグラインドした半導体ウェハの裏面に貼付される前記ダイボンド用接着剤と第２の粘着テープとがあらかじめ一体に貼付したものである請求項２記載の半導体装置の製造方法。
10. 剛直な支持体の片面に、側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けたことを特徴とする、半導体ウェハの回路面に貼付される保護用粘着テープ。
11. テープ状のダイボンド用接着剤と、支持体の片面に側鎖結晶性ポリマーを主成分とする粘着層を設けた粘着テープとを貼り合わせたことを特徴とする、半導体ウェハのダイボンド用接着剤付き支持用粘着テープ。

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