JP2004356362A

JP2004356362A - プローブカード製造用基板、検査装置、３次元造形装置および３次元造形方法

Info

Publication number: JP2004356362A
Application number: JP2003151992A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Koyagi; 康幸小八木; Hisako Shimotsuma; 央子下妻; Takayoshi Tanabe; 隆喜田辺; Takao Yashiro; 隆郎八代
Original assignee: JSR Corp; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: JSR Corp; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-05-29
Filing date: 2003-05-29
Publication date: 2004-12-16
Also published as: CN100419435C; TWI285268B; WO2004106949A1; KR20060011877A; EP1629288A1; KR100723979B1; EP1629288A4; CN1784606A; TW200506373A; US20070069744A1

Abstract

【課題】回路の電気的検査において、小さい押圧力にて確実に回路と接触するとともに位置精度良く配列された多数のプローブを有するプローブカードを提供する。
【解決手段】造形装置１は、ベース基板９を保持するステージ２、ベース基板９上に感光性材料を供給する供給部３、供給された感光性材料を均し広げて材料層を形成する層形成部４、および、材料層に対して空間変調された光ビームを照射する光照射部５とを有する。造形装置１は、材料層の形成と光の照射とを繰り返してベース基板９上に弾性を有する多数の微細なプローブ用の造形物を、狭範囲に微小間隔にて位置精度良く配列形成する。造形物は後工程においてメッキにより弾性を有するプローブとされる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路の電気的検査に使用されるプローブカードを製造する技術およびプローブカードを用いる検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体チップや液晶表示装置の基板等の回路の電気的検査には、回路の電極パッドにプローブ（探針）を接触させて信号の入力および出力信号の検出を行うプローブカードが使用される。一般的なプローブカードでは、プローブカード本体から斜めに伸びるカンチレバー型のプローブが多数設けられる。検査対象の単位面積当たりの電極パッドの数が多い場合は、プローブの先端を狭い領域に集束させたプローブカードが用いられる。
【０００３】
また、回路の電極パッド上に酸化膜等の絶縁性の膜が存在する場合は、電極パッドに押し当てたプローブの先端をずらして電極パッドの表面を削り取り、これにより、プローブと電極パッドとの導通を得るという手法が用いられることがある。
【０００４】
一方、カンチレバー型のプローブを有しないプローブカードとして、特許文献１に開示されているように、ニッケルメッキを成長させたバンプをプローブとして利用するプローブカードも提案されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−５３５５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、プローブカードでは、多数の微細なプローブを狭範囲に微小間隔にて配列する必要があるが、近年の検査対象の高精細化に伴い、単位面積当たりに必要なプローブの数がさらに増大し、また、要求されるプローブの位置精度も高くなっているため、従来のカンチレバー型のプローブカードでは検査が困難となったり、検査装置が非常に高価となる。
【０００７】
また、プローブの数が増大すると、特許文献１に記載されたプローブカードの場合、多数のプローブと電極パッドとを確実に導通させるためには大きな押圧力が必要となり、検査対象である回路の性能に影響を与える恐れがある。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、小さい押圧力にてプローブを確実に電極に当接させることができ、かつ、多数の微細なプローブが精度良く配列されたプローブカードを製造する技術を提供し、これにより、微細な回路の検査に適した検査装置を実現することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、回路の電気的検査に使用されるプローブカードの製造に用いられるプローブカード製造用基板であって、基板と、感光性材料を用いて前記基板上に積層された複数のブロックにより形成される３次元造形物とを備える。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のプローブカード製造用基板であって、前記３次元造形物が、撓むことにより前記基板から最も離れた部位を前記基板側へと移動可能とする可撓部を有する。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のプローブカード製造用基板であって、前記３次元造形物が、前記基板から突出する複数の突出部と、前記複数の突出部の先端を結合する結合部とを有する。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のプローブカード製造用基板であって、前記複数の突出部が、前記基板上において非直線状に並ぶ３カ所から突出する。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載のプローブカード製造用基板であって、前記３次元造形物を被覆する導電膜をさらに備える。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載のプローブカード製造用基板であって、前記導電膜が、無電解メッキにより形成された金属被膜である。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、回路の電気的検査を行う検査装置であって、請求項５または６に記載のプローブカード製造用基板を有するプローブカードと、検査対象となる回路に向けて前記３次元造形物を押圧する押圧機構と、前記導電膜を介して前記回路を電気的に検査する検査部とを備える。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、回路の電気的検査に使用されるプローブ用の３次元造形物を形成する３次元造形装置であって、基板を保持する保持部と、基板上に液状の感光性材料を供給する供給部と、基板の主面に沿う所定の方向に前記基板に対して相対的に移動することにより、前記基板上に供給された感光性材料の層を既存の層の上に形成し、余剰の感光性材料を前記既存の層の外側の領域へと押し出すスキージと、前記スキージを前記所定の方向に前記基板に対して相対的に移動する移動機構と、前記スキージと前記保持部との間の間隔を変更する間隔変更機構と、前記スキージの移動により形成された感光性材料の層に対して予め求められている領域に光を照射する光照射部とを備える。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の３次元造形装置であって、前記感光性材料の層の厚さが２０μｍ以下である。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、請求項８または９に記載の３次元造形装置であって、前記光照射部が、空間変調された光ビームを生成する空間光変調デバイスを有する。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、請求項８ないし１０のいずれかに記載の３次元造形装置であって、感光性材料の層上の微小領域毎に照射される光の量を制御する制御部をさらに備える。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の３次元造形装置であって、前記制御部が、基板上に形成される３次元造形物の形状データ、および、感光性材料の層上の微小領域に照射される光の量と前記層が感光する深さとの関係を実質的に示すテーブルを記憶する記憶部と、前記形状データおよび前記テーブルに基づいて前記３次元造形物を形成する際に積層される感光性材料の各層上の微小領域毎に照射される光の量を求める演算部とを有する。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、回路の電気的検査に使用されるプローブ用の３次元造形物を形成する３次元造形方法であって、基板上に液状の感光性材料を供給する供給工程と、前記基板の主面に沿う所定の方向に前記基板に対して相対的にスキージを移動することにより、前記感光性材料の層を前記基板の上に形成する層形成工程と、前記感光性材料の層に対して予め求められている領域に光を照射する光照射工程と、前記供給工程ないし前記光照射工程を複数回繰り返す繰り返し工程とを有し、前記繰り返し工程に含まれる前記層形成工程において前記感光性材料の層が既存の層の上に形成され、余剰の感光性材料が前記既存の層の外側の領域へと押し出される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る３次元造形装置（以下、単に「造形装置」という。）１の構成を示す図である。
【００２３】
造形装置１は、回路の電気的検査に使用されるプローブ用の３次元の造形物を形成する装置であり、水平に設置された基台１１、プローブカード製造用基板のベースとなるベース基板９を保持するステージ２、ベース基板９上に液状の光硬化性樹脂である感光性材料を供給する供給部３、ベース基板９上に供給された感光性材料を均し広げて所定の厚さの層を形成する層形成部４、ベース基板９上に形成された感光性材料の層に対して光ビームを照射する光照射部５、ステージ２を光照射部５に対して相対的に移動するステージ移動機構６、ステージ２を昇降するステージ昇降機構７、および、ベース基板９上のアライメントマークを撮像するカメラ５８を有する。
【００２４】
供給部３、層形成部４、光照射部５、ステージ移動機構６、ステージ昇降機構７およびカメラ５８は制御部８に接続され、これらの構成が制御部８により制御されることによりベース基板９上にプローブ用の造形物が形成される。制御部８は、各種データを記憶する記憶部８１および各種演算を行う演算部８２を有する。
【００２５】
供給部３は、ベース基板９上に感光性材料を滴下して供給するノズル３１、ノズル３１をステージ２より高い位置で支持するアーム３２、および、基台１１上に垂直に設けられてアーム３２を基台１１に対して水平に支持する支柱３３を有する。アーム３２は支柱３３の上部に回動自在に支持され、ノズル３１はアーム３２の先端に取り付けられる。アーム３２が図示省略のモータにより回動することにより、ノズル３１がベース基板９の上方の位置とベース基板９から外れた位置との間で移動可能とされる。
【００２６】
ノズル３１は、配管３１１およびバルブ３１２を介してポンプ３１３に接続され、ポンプ３１３は配管３１４およびバルブ３１５を介して材料タンク３１６に接続される。制御部８によりポンプ３１３およびバルブ３１２，３１５が制御されることにより、ノズル３１から所定量の感光性材料がベース基板９上に供給される。
【００２７】
層形成部４は、ベース基板９の主面に垂直な（かつ、図１中のＸ方向に長い）板状のスキージ４１、スキージ４１の下端（すなわち、ベース基板９の主面に近接しているエッジ）をベース基板９の主面と平行に保ちつつスキージ４１を支持するスキージ支持部４２、および、スキージ４１をベース基板９に対して図１中のＹ方向に移動するスキージ移動機構４３を有する。スキージ移動機構４３は、ボールねじ機構がモータ４３１により駆動されることによりスキージ４１をガイドレール４３２に沿ってＹ方向に移動する。
【００２８】
光照射部５は、光（例えば、波長が３００ｎｍ近傍あるいは４００ｎｍ近傍の光）を出射する半導体レーザが設けられた光源５１、および、複数の微小ミラーが２次元配列されたマイクロミラーアレイ５４（例えば、ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）であり、以下、「ＤＭＤ５４」という。）を有し、光源５１からの光ビームがＤＭＤ５４により空間変調され、ベース基板９上に照射される。
【００２９】
具体的には、光源５１に接続された光ファイバ５１１から出射された光ビームが、光学系５２によりシャッタ５３を介してＤＭＤ５４に導かれる。ＤＭＤ５４では、各微小ミラーのうち所定の姿勢（後述するＤＭＤ５４による光の照射の説明において、ＯＮ状態に対応する姿勢）にある微小ミラーからの反射光のみにより形成される光ビームが導出される。ＤＭＤ５４からの光ビームはレンズ群５５を介してミラー５６へと導かれ、ミラー５６にて反射された光ビームが対物レンズ５７によりベース基板９へと導かれる。
【００３０】
ステージ移動機構６は、ステージ２をＸ方向に移動するＸ方向移動機構６１、および、Ｙ方向に移動するＹ方向移動機構６２を有する。Ｘ方向移動機構６１は、モータ６１１、ガイドレール６１２およびボールねじ（図示省略）を有し、モータ６１１がボールねじを回転することにより、Ｙ方向移動機構６２がガイドレール６１２に沿ってＸ方向に移動する。Ｙ方向移動機構６２もＸ方向移動機構６１と同様の構成となっており、モータ６２１がボールねじ（図示省略）回転することにより、ステージ２がガイドレール６２２に沿ってＹ方向に移動する。また、ステージ移動機構６は基台１１上のステージ昇降機構７に支持されており、ステージ昇降機構７が駆動されることによりステージ２がＺ方向に移動し、スキージ４１とステージ２との間の間隔が変更される。
【００３１】
図２は、ＤＭＤ５４を示す図である。ＤＭＤ５４は、多数の微小ミラー５４１が互いに垂直な２方向（行方向および列方向）に等間隔に配列された空間光変調デバイスであり、各微小ミラー５４１に対応するメモリセルに書き込まれたデータに従って、リセットパルスの入力により一部の微小ミラー５４１が静電界作用により所定の角度だけ傾く。
【００３２】
図３は、ベース基板９上（または、ベース基板９上に形成された後述の感光性材料の層上）の照射領域の一部を示す図である。各微小ミラー５４１に対応するベース基板９上の微小な照射領域（以下、「微小領域」という。）５４２は微小ミラー５４１と同様に正方形となっており、微小ミラー５４１の配列に対応して図３中のＸ方向およびＹ方向にそれぞれ所定のピッチにて等間隔に配列される。
【００３３】
ＤＭＤ５４が制御される際には、図１中の制御部８から各微小ミラー５４１のＯＮまたはＯＦＦを示すデータ（以下、「セルデータ」という。）がＤＭＤ５４に送信されてＤＭＤ５４のメモリセルに書き込まれ、各微小ミラー５４１はセルデータに従ってリセットパルスに同期してＯＮ状態またはＯＦＦ状態の姿勢に変更される。これにより、ＤＭＤ５４の各微小ミラー５４１に照射された微小光ビームが微小ミラー５４１の傾く方向に応じて反射され、各微小ミラー５４１に対応するベース基板９上の微小領域５４２への光の照射のＯＮ／ＯＦＦが行われる。
【００３４】
すなわち、ＯＮ状態とされた微小ミラー５４１に入射する微小光ビームはレンズ群５５へと反射され、ベース基板９上の対応する微小領域５４２へと導かれる。ＯＦＦ状態とされた微小ミラー５４１に入射する微小光ビームはレンズ群５５とは異なる所定の位置へと反射され、対応する微小領域５４２には導かれない。
【００３５】
造形装置１では、ＤＭＤ５４を制御することにより、微小領域５４２毎に照射される光の量を変化することも可能とされている。具体的には、制御部８からＤＭＤ５４へ一定時間の間にリセットパルスを所定回数送信し、各微小ミラー５４１のＯＮ状態の回数（各微小ミラー５４１のＯＮ状態の累積時間に相当する。）を正確に制御することにより、微小領域５４２毎に照射される光の量が制御される（すなわち、階調制御が行われる。）。なお、リセットパルスは一定の間隔で発生される必要はなく、例えば、単位時間を１：２：４：８：１６の時間枠に分割して各時間枠の最初に１回だけリセットパルスを送信することにより、階調制御（上記例の場合、３２階調となる。）が行われてもよい。
【００３６】
以下、造形装置１によるプローブ用の造形物の形成について、まず、ＤＭＤ５４により階調制御が行われない場合の動作について図４、図５（ａ）ないし（ｄ）、並びに、図６（ａ）ないし（ｆ）参照して説明し、続いて、階調制御が行われる場合の動作について図４並びに図７（ａ）ないし（ｆ）を参照して説明する。
【００３７】
図４は、造形装置１がプローブ用の造形物を形成する動作の流れを示す図である。なお、ベース基板９の主面にはフォトリソグラフィ法等により予め狭範囲に微小間隔にて電極パッドが多数形成されており、造形装置１により、電極パッド上にプローブ用の造形物が形成される。
【００３８】
造形物の形成では、まず、造形される多数の３次元造形物を高さ方向（すなわち、図１中のＺ方向）に関して一定の厚さ（以下、「スライス幅」という。）毎にスライスした際の断面形状を示すデータ（以下、「断面データ」という。）８１１が、ＣＡＤデータ等の３次元情報から予め別途生成され、造形装置１が断面データ８１１を受け付けて制御部８の記憶部８１に記憶する（ステップＳ１１）。なお、断面データ８１１は造形物の３次元情報に基づいて演算部８２により生成されてもよい。また、１つの造形物の断面データから多数の造形物に対応する断面データが生成されてもよい。
【００３９】
続いて、制御部８からの信号を受けてカメラ５８がベース基板９上のアライメントマークを撮像し、カメラ５８から制御部８へと画像データが送信される。制御部８は、画像データに基づいて対物レンズ５７に対するベース基板９の相対位置（すなわち、ベース基板９上の基準位置と対物レンズ５７とのＸ方向およびＹ方向の距離）を検出し、検出結果に基づいてステージ移動機構６を制御してベース基板９を所定の位置へと移動する（ステップＳ１２）。
【００４０】
また、制御部８は、カメラ５８が画像データを取得した際のフォーカス調整の情報に基づいてスキージ４１とベース基板９との間の間隔（すなわち、スキージ４１の下側のエッジとベース基板９の主面との間の距離であり、以下、「スキージ間隙」という。）を検出し、検出結果と断面データ８１１に含まれるスライス幅の情報とに基づいてステージ昇降機構７を制御してスキージ間隙がスライス幅となるように調整される（ステップＳ１３）。
【００４１】
図５（ａ）ないし（ｄ）は、ベース基板９上に感光性材料が供給され、スキージ４１によって均し広げられて感光性材料の層（以下、「材料層」という。）が形成される様子を示す図であり、図６（ａ）ないし（ｆ）は、ベース基板９上に材料層が順次積層される様子をプローブ用の１つの造形物に注目して示す図である。なお、図６（ａ）ないし（ｆ）のそれぞれの上段は積層される材料層の断面を示し、下段は材料層の上面を示す。
【００４２】
スキージ間隙の調整（ステップＳ１３）が完了すると、まず、アーム３２が回動して図５（ａ）に示すようにノズル３１がベース基板９の上方へと移動する。このとき、ノズル３１はベース基板９の（−Ｙ）側（すなわち、図５（ａ）に示すスキージ４１の初期位置に近い側）のエッジの上方に配置される。続いて、制御部８の制御によりバルブ３１２，３１５が一時的に開かれて材料タンク３１６からの感光性材料がポンプ３１３により所定量だけ正確にノズル３１からベース基板９上に滴下される（ステップＳ１４）。なお、図５（ａ）（並びに、図５（ｂ）ないし（ｄ））では、ベース基板９上の感光性材料に平行斜線を付して示している。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、アーム３２が２点差線にて示す位置から矢印３２０ｂにて示すように回動してノズル３１がベース基板９の外部へと待避し、スキージ４１が２点鎖線にて示す初期位置からベース基板９の主面に沿って矢印４１０ｂにて示す方向に移動する。
【００４４】
ベース基板９上に供給された感光性材料は粘度が高いため、スキージ間隙よりも高くベース基板９上に盛られているため、ベース基板９の主面に沿ってスキージ４１の下端とベース基板の主面との間隔を一定に保ちつつスキージ４１がＹ方向に移動することにより、感光性材料がベース基板９上にスキージ間隙に等しい厚さで均し広げられ（すなわち、スキージされ）、図５（ｂ）に示すように感光性材料の最初の材料層９１がベース基板９上に形成される（ステップＳ１５）。このとき、余剰の感光性材料はベース基板９の外側の領域（すなわち、ステージ２上）へと押し出される。
【００４５】
最初の材料層９１が形成されると、次に、制御部８の制御により光源５１からの光ビームの出射が開始されるとともに、ＤＭＤ５４が制御され（ステップＳ１６）、材料層９１上に光ビームが照射される。具体的には、制御部８からＤＭＤ５４の各微小ミラー５４１に対応するメモリセルにセルデータの書き込みが行われ、制御部８がＤＭＤ５４にリセットパルスを送信することにより各微小ミラー５４１がメモリセル内のデータに応じた姿勢となり、光源５１から出射された光ビームがＤＭＤ５４により空間変調されて各微小領域５４２への光の照射が制御される。
【００４６】
これにより、図６（ａ）の下段に示すように、最初の材料層９１上の微小領域５４２のうち、断面データ８１１に基づいて予め求められている特定の微小領域５４２ａ（平行斜線を付して示す領域）に光照射部５から光が照射され、所定時間の光の照射の後、シャッタ５３が閉じられて光源５１からの光ビームの出射が停止される（ステップＳ１７）。その結果、図６（ａ）の上段に平行斜線を付して示すように、材料層９１の一部が硬化して２つの樹脂ブロック９１０が形成される。樹脂ブロック９１０（後述する他の樹脂ブロックについても同様。）は光の照射により硬化された状態で材料層９１中に存在し、後の工程において未硬化の材料が除去された後にブロックとして現れることとなる。
【００４７】
なお、造形物が形成される範囲がＤＭＤ５４による光の照射範囲よりも広い場合には、図１中に示すステージ移動機構６を駆動して照射範囲が移動され、光の照射が繰り返される。また、上記説明ではノズル３１が移動するものとして説明したが、スキージ４１の高さが十分に低く、スキージ４１よりも高い位置から感光性材料を滴下しても問題が生じず、さらに、アーム３２が光照射部５から材料層９１への光の照射の障害にもならない場合は、ノズル３１はベース基板９の上方に固定されてもよい。
【００４８】
１つの断面データ８１１に対応する樹脂ブロックの形成が完了すると、制御部８により造形物全体の形成が終了したか否かが確認された上でスキージ間隙を調整するステップＳ１３へと戻り（ステップＳ１８）、２番目の材料層の形成へと移行する。
【００４９】
ベース基板９から２番目の樹脂ブロック９１０の形成では、まず、ステージ昇降機構７が駆動されてスライス幅だけステージ２がさらに降下し、スキージ間隙がスライス幅の２倍とされる（ステップＳ１３）。これにより、スキージ４１の下端と最初の材料層９１の表面との間の距離がスライス幅と等しくなる。
【００５０】
次に、図５（ｃ）に示すように、スキージ４１が初期位置に移動し、アーム３２が回動してノズル３１がベース基板９上に位置し、ノズル３１から感光性材料がベース基板９上に供給される（ステップＳ１４）。図５（ｃ）では、最初の材料層９１と異なる平行斜線を付して新たに供給された感光性材料を示している。その後、図５（ｄ）に示すように、スキージ４１が移動してスライス幅と等しい厚さを有する２番目の材料層９２が既存の材料層９１の上に形成され、余剰の感光性材料が材料層９１の外側の領域へと押し出される（ステップＳ１５）。
【００５１】
２番目の材料層９２が形成されると、材料層９２の断面データ８１１に基づいて特定の微小領域５４２ｂ（図６（ｂ）の下段中に平行斜線を付して示す領域）に光照射部５から光が照射され、図６（ｂ）の上段中に平行斜線を付して示すように２番目の樹脂ブロック９２０が最初の樹脂ブロック９１０の上に形成される。なお、２番目の材料層９２の表面に対して照射される光は、材料層９１と材料層９２との間の境界にてある程度遮蔽されて最初の材料層９１にはほとんど到達しないため、既存の材料層の硬化状態には影響を与えない。
【００５２】
その後、スキージ間隙をスライス幅だけ増加させて材料層を形成し、空間変調された光ビームを照射する動作（ステップＳ１３〜Ｓ１７）が必要な回数だけ繰り返され（ステップＳ１８）、図６（ｃ）ないし（ｆ）に示すように材料層が積層されるとともに新たな樹脂ブロックが既存の樹脂ブロックの上に順次積層され、ベース基板９上にプローブ用の造形物９０が形成される。
【００５３】
ところで、ベース基板９または既存の材料層の上に新たな材料層を形成する場合、感光性材料の粘度を１５００ｃＰ（センチポイズ）以上（好ましくは、約２０００ｃＰ）とすることにより、材料層の厚さを２０μｍ以下とすることが可能であることが確認されている。なお、プローブ用の造形物９０の高さは、ベース基板９の主面から最大でも２ｍｍ以下とされる。材料層は微小な領域に形成されるため、既述のように造形装置１には感光性材料を貯溜する槽が不要であり、スキージ４１の移動により余剰の感光性材料を既存の材料層の外側の領域へと押し出すのみで材料層を安定して形成することができる。
【００５４】
図６（ｆ）に示すように、プローブ用の造形物９０はベース基板９の２カ所から突出する２つの突出部９０１と、２つの突出部９０１の先端（およそ突出部９０１と捉えることができる部位の上端）を結合する結合部９０２（すなわち、造形物９０の上端近傍の部位）とを有するアーチ型の構造とされ、ベース基板９上に安定して形成される。
【００５５】
また、２つの突出部９０１は、ベース基板９近傍ではベース基板９から離れるに従って先端部が互いに離れるように突出し、造形物９０の幅はベース基板９からある程度離れた位置で最大とされる。このため、後工程において不要な感光性材料が除去された後の造形物９０の先端がベース基板９に向かう力を受けた場合、最大幅近傍の部位がベース基板９に垂直な方向に対して歪む可撓部９０３としての役割を果たして造形物９０が撓み、先端が容易にベース基板９側へと移動することができる。造形物９０をこのような弾性構造（すなわち、ばね性を有する構造）とすることにより、後述する半導体基板上の回路の電気的検査時においてプローブと回路との良好な接触を得ることができる。なお、造形物９０のばね定数は、プローブと回路との良好な接触のため、およそ１０^２ないし１０^５Ｎ／ｍ程度とされることが好ましい。
【００５６】
次に、ＤＭＤ５４が階調制御される場合の造形装置１の動作について説明する。階調制御が行われる場合、造形装置１では、材料層上の１つの微小領域５４２に照射される光の量と不要な感光性材料の除去後に残存する樹脂ブロックの高さ（以下、「感光する深さ」という。）との関係を示す変換テーブル８１２が予め作成されて記憶部８１に記憶される（図１参照）（ステップＳ１１）。
【００５７】
ＤＭＤ５４が階調制御されない場合、図４のステップＳ１１において制御部８に入力される断面データは、微小領域５４２毎に光を照射するか否か、すなわち、微小領域５４２に樹脂ブロックが形成されるか否かを示す２値データであるが、階調制御が行われる場合の断面データは、微小領域５４２に樹脂ブロックが形成されるか否かの情報のみならず、微小ブロックの厚さ（正確には、材料層の上面からの厚さまたは材料層の下面からの厚さ）を示す情報も有する。以下、このような断面データを「拡張断面データ」という。
【００５８】
造形装置１では拡張断面データに基づいて、材料層上の微小領域５４２への光の照射の有無のみならず、光の照射量についても制御される。具体的には、拡張断面データおよび変換テーブル８１２に基づいて、積層される各材料層上の微小領域５４２毎に照射される光の量が演算部８２において求められ、光の照射量が演算部８２により光照射の累積時間となるように一定時間内の各リセットパルスに対応するセルデータが生成される。
【００５９】
続いて、階調制御が行われない場合と同様に、対物レンズ５７に対してベース基板９の相対位置が調整され（ステップＳ１２）、スキージ間隙が調整される（ステップＳ１３）。そして、ベース基板９上に感光性材料が供給され（ステップＳ１４）、スキージ４１によりベース基板９上の感光性材料が均し広げられて材料層が形成される（ステップＳ１５）。
【００６０】
材料層が形成されると、制御部８の制御により光源５１からの光ビームの出射が開始されるとともに、ＤＭＤ５４が制御され（ステップＳ１６）、階調制御された光の照射が開始される。すなわち、制御部８からＤＭＤ５４の各微小ミラー５４１のメモリセルへのセルデータの書き込みおよびリセットパルスの送信が高速に繰り返され、各微小領域５４２に照射される光の量が正確に調整される。
【００６１】
所定回数のリセットパルスの送信が終了すると、光源５１からの光ビームの出射が停止され（ステップＳ１７）、１層分の拡張断面データに対応する樹脂ブロックの形成が終了する。その後、階調制御が行われない場合と同様に、制御部８により造形物全体の形成が終了したか否かが確認され（ステップＳ１８）、未了の場合は、スキージ間隙の調整（ステップＳ１３）、感光性材料の供給（ステップＳ１４）、材料層の形成（ステップＳ１５）、および、光の照射（ステップＳ１６，Ｓ１７）が繰り返される。全ての樹脂ブロックの形成が完了すると、繰り返し動作が終了する（ステップＳ１８）。
【００６２】
図７（ａ）ないし（ｆ）は、光照射部５からの光の階調制御が行われる場合に造形物９０が形成される様子を示す図であり、各図の上段は材料層中の樹脂ブロックを示し、下段は光の照射の様子を示している。図７（ａ）の下段中の平行斜線を付して示す領域は、最初の材料層９１上において光が照射される微小領域であり、ＤＭＤ５４の制御により、細線の平行斜線を付す微小領域５４２ｃへの光の照射時間が太線の平行斜線を付す微小領域５４２ｄに比べて短くされる（すなわち、照射される光の累積量が少なくされる）。
【００６３】
この階調制御により、図７（ａ）の上段に示すように、最初の樹脂ブロック９１０のうち微小領域５４２ｃに対応する部位は、微小領域５４２ｄに対応する部位に比べて厚さが小さく、さらに、図７（ｂ）ないし（ｆ）に示すように、光の階調制御を行いつつ樹脂ブロックを積層することにより、階調制御を行わない場合に比べて滑らかな形状を有する造形物９０（図７（ｆ）参照）が形成される。その結果、安定したばね定数を有する造形物９０を得ることができ、後述するように造形物９０から製作されるプローブを用いることにより、半導体基板上の回路の電気的検査時においてプローブと回路との接触をより確実に行うことができる。
【００６４】
なお、実際には階調制御により感光性材料の硬化部位が薄くなるために造形物の形状が滑らかになるのではなく、後工程において未硬化の感光性材料を除去する際に、不完全な硬化部位の一部が十分に硬化している部位と一体となって残留することにより図７（ｆ）に例示するような滑らかな造形物９０が得られると考えられる。
【００６５】
以上に説明した動作により、第１の実施の形態に係る造形装置１では、ベース基板９上の電極パッド上に、積層された複数の樹脂ブロックにより形成される所定の３次元形状を有する微細なプローブ用の造形物９０が安定して形成される。また、空間変調された光ビーム（すなわち、多数の変調された微小光ビームの束）がＤＭＤ５４により生成されて材料層に高速に位置精度良く照射されるため、多数のプローブ用の造形物を高速に位置精度良く配列形成することができる。
【００６６】
さらに、造形装置１では微細な造形物を形成することを目的として、ベース基板９上に直接感光性材料を供給し、材料層の形成時に不要な感光性材料を既存の材料層の外側の領域へと押し出す手法が採用されるため、従来の一般的な光を利用した造形装置のように樹脂槽を設けることが不要とされ、造形装置１の小型化も実現される。
【００６７】
造形装置１により材料層中に造形物９０が形成されたベース基板９は、次の工程において未硬化の樹脂が除去されることにより（例えば、ベース基板９が現像液に浸されて光が照射されなかった感光性材料が溶けて除去され）、ベース基板９の主面上に積層された樹脂ブロックにより形成された多数の造形物９０を備えるプローブカード製造用基板が容易に得られる。
【００６８】
図８（ａ）ないし（ｄ）は、プローブカード製造用基板１０上の造形物９０がメッキされてプローブとされる様子を示す図であり、図９はメッキ処理の流れを示す図である。なお、以下の説明においてメッキ前のプローブカード製造用基板１０を「造形済基板１０」という。
【００６９】
図８（ａ）に示すように、造形済基板１０の主面（すなわち、図５（ａ）に示すベース基板９の表面）には既述のように電極パッド９７が形成されており、その上に造形物９０が形成されている。メッキ工程では、まず、図８（ｂ）に示すように、造形済基板１０の主面上で電極パッド９７が形成されていない部分にレジスト９８が形成される（ステップＳ２１）。次に、造形済基板１０がメッキ槽に浸されて無電解メッキが施され、図８（ｃ）に示すように、造形物９０、電極パッド９７およびレジスト９８の表面に、導電性を有するニッケル（銅等の他の金属であってもよい。）の被膜９９が形成される（ステップＳ２２）。
【００７０】
メッキが完了すると、図８（ｄ）に示すように、造形済基板１０からレジスト９８を剥離することにより不要な被膜９９が除去される（ステップＳ２３）。これにより、造形物９０および電極パッド９７を連続的に被覆する被膜（以下、「導電膜」という。）９９１を有するプローブカード製造用基板（以下、「メッキ済基板」という。）が完成する。
【００７１】
プローブカードは、メッキ済基板が別途準備された主基板の配線にワイヤーボンディング法によりボンディングされることにより製造される。なお、メッキ済基板の主基板へのボンディングは、バンプを用いる方法等によって行われてもよい。
【００７２】
図１０は、以上のようにして製造されたプローブカードを用いて半導体基板１５０上の回路１５１を検査する検査装置１００を示す図である。検査装置１００は、導電膜が表面に形成されたプローブ１１１を有するプローブカード１１０、プローブカード１１０を回路１５１に向けて押圧するプローブヘッド１２０、プローブ１１１の導電膜を介して回路１５１を電気的に検査する検査部１３０、並びに、プローブヘッド１２０および検査部１３０を制御する制御部１４０を有する。
【００７３】
プローブカード１１０では、既述のようにメッキ済基板１０ａが主基板１１２に取り付けられており、メッキ済基板１０ａのプローブ１１１が半導体基板１５０側（図１０中の（−Ｚ）側）を向くようにプローブカード１１０がプローブヘッド１２０に取り付けられる。プローブ１１１は、回路１５１の電極パッドの配列に合わせて配置されており、各プローブ１１１が形成されるメッキ済基板１０ａ上の電極パッド９７は、ビア１１３を介して上面の配線１１５と電気的に接続され、さらに金ワイヤ１１４を介して主基板１１２と電気的に接続される。主基板１１２は検査部１３０と電気的に接続される。
【００７４】
プローブヘッド１２０は、プローブカード１１０が取り付けられる取付部１２１および取付部１２１を図９中に示すＺ方向に移動して検査対象となる回路１５１に向けてプローブ１１１を押圧する押圧機構１２２を有する。
【００７５】
検査装置１００が１つの回路１５１を検査する際には、まず、半導体基板１５０上の所定の回路１５１がプローブカード１１０の真下へと移動され、制御部１４０の制御により押圧機構１２２がプローブカード１１０を下降してプローブ１１１を回路に押圧する。
【００７６】
図１１は、プローブ１１１が回路１５１に押圧されて変形する様子を示す拡大図である。図１１中では２点鎖線にて変形前のプローブ１１１も例示している。上述のようにプローブ１１１は弾性変形する形状であるため、回路１５１に押圧されて容易に撓み、小さい押圧力にて全てのプローブ１１１が回路１５１に確実に接触する。特に、図１１に例示するように半導体基板１５０に対してプローブカード１１０が僅かに傾いている場合であっても（すなわち、プローブ１１１と回路１５１との上下方向の相対的な位置関係に誤差があっても）、弾性変形により各プローブ１１１の先端と回路１５１とが適正範囲内の押圧力（いわゆるコンタクト力）にて接触する。
【００７７】
プローブカード１１０が回路１５１に接触すると、検査部１３０から検査用の電気信号が出力され、所定のプローブ１１１を介して、回路１５１（の電極パッド）に検査信号が入力され、他の電極パッドからの出力信号が検出用のプローブ１１１を介して検査部１３０に入力される。なお、回路１５１中の所定の部位の導電性を検査するのみの場合は、２つのプローブ１１１を１組として信号の入力および検出が行われる。高度な検査が行われる場合には、複数のプローブ１１１から検査信号の入力が行われ、少なくとも１つの他のプローブ１１１により、回路１５１からの出力信号が検出される。そして、検査部１３０が、検出された信号に基づいて回路１５１の良否を判定する。
【００７８】
ところで、半導体基板では一般的に、回路１５１とプローブ１１１が接触する電極パッドがアルミニウム（Ａｌ）で形成され、その表面には絶縁性の酸化膜が形成されやすい。検査装置１００ではプローブ１１１と電極パッドとの間に高電圧をかけて電極パッド上の酸化膜を絶縁破壊することにより、プローブ１１１と回路１５１との間の良好な導通を実現している。従来、電極パッド表面の酸化膜をプローブ自体で僅かに削り取ることによりプローブと電極パッドとの導通を図る手法が採用されてきたが、検査装置１００ではこのような手法が用いられないため、プローブ１１１の先端に酸化膜の削り屑が付着することはなく、プローブ１１１のメンテナンスに要する作業が低減され、検査効率を向上することが実現される。
【００７９】
以上のように検査装置１００では造形装置１により形成された造形物を利用したプローブカード１１０を使用することにより、プローブ１１１と回路１５１とを確実に接触することができる。特に、造形装置１では多数の微細なプローブ用の造形物が微小面積に位置精度良く配列形成することができるため、プローブカード１１０は半導体基板（またはチップ）上の回路の電気的検査に適している。
【００８０】
図１２は、ベース基板９上に形成されるプローブ用の造形物の他の好ましい例を示す斜視図である。造形物９０ａはベース基板９上において非直線状に並ぶ３カ所（すなわち、ベース基板９上で三角形の頂点となる３カ所であり、図１２中に符号９００を付す。）から、突出部９０１ａが互いに離れるように突出し、造形物９０ａの先端近傍の結合部９０２ａにより３つの突出部９０１ａの先端が結合される。
【００８１】
このような構造により、造形物９０ａは最も幅の広い部位（側方に突出する部位）が容易に弾性変形する可撓部９０３ａとしての役割を果たし、ベース基板９から最も離れた部位がベース基板９側へと容易に移動可能とされる。その結果、造形物９０ａに基づいて製作されるプローブは図１１に示すプローブ１１１と同様に、検査対象の回路との確実な接触を小さい押圧力にて高い位置精度で行うことができる。
【００８２】
また、突出部９０１ａが非直線状に並ぶため、ベース基板９に平行な力を受けても側方へ撓みにくいプローブとすることができる。なお、造形物９０ａを形成する際に既述のようにＤＭＤ５４の階調制御が行われてよい。
【００８３】
図１３は、第２の実施の形態に係る造形装置１ａの構成を示す図である。造形装置１ａは、図１に示す光照射部５の光学系５２に音響光学変調素子（以下、「ＡＯＭ」と略す。）５２ａが追加され、ＤＭＤ５４に代えてモータ（図示省略）により回転するポリゴンミラー５４ａが設けられる。光照射部５の他の構成および造形装置１ａの光照射部５以外の構成は図１の造形装置１と同様であり、同符号を付している。
【００８４】
光源５１から光ファイバ５１１を介して出射された光ビームは、ＡＯＭ５２ａにより変調されてシャッタ５３を介してポリゴンミラー５４ａへと向かい、回転するポリゴンミラー５４ａにより反射された光ビームはレンズ群５５を介してミラー５６へと導かれ、ミラー５６にて反射された光ビームは対物レンズ５７によりベース基板９上へと導かれる。
【００８５】
ポリゴンミラー５４ａにより光の照射位置は図１３中のＸ方向に主走査され、ベース基板９はＹ方向移動機構６２により図１３中のＹ方向へと移動されて照射位置の副走査が行われる。制御部８がポリゴンミラー５４ａの回転に同期してＡＯＭ５２ａおよびＹ方向移動機構６２を制御することにより、ベース基板９上の各微小領域への光照射のＯＮ／ＯＦＦが制御され、第１の実施の形態と同様にベース基板９上にプローブ用の造形物が形成される。
【００８６】
なお、既述の拡張断面データに基づいて走査される光の階調制御（すなわち、１つの微小領域に照射される際の光の強度の制御）が行われてもよい。
【００８７】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００８８】
例えば、スキージ４１が固定され、ステージ２に保持されるベース基板９がＹ方向移動機構６２により図１中に示すＹ方向に移動されて感光性材料が均し広げられてもよい。また、スキージ４１のベース基板９に対する相対移動の方向はベース基板９の主面に沿う方向であればよく、スキージ４１の向きは必ずしも移動方向に垂直とされる必要はない。
【００８９】
また、層形成工程において、既存の材料層の外側の領域へと押し出された余剰の感光性材料を回収するためにステージ２の脇に回収機構が設けられてもよい。
【００９０】
光照射部５は、材料層上に微小な光スポットを形成することができるのであるならば適宜変更されてよい。例えば、液晶シャッタにより空間変調された光ビームが生成されてもよく、分割されたレーザビームを個別に変調してマルチビーム（１次元の空間変調された光ビーム）を生成し、ポリゴンミラーやガルバノミラーにより走査されてもよい。
【００９１】
階調制御に利用される変換テーブル８１２は、必ずしも１つの微小領域５４２に照射される光の量と材料層の感光する深さ（正確には、不要な感光性材料の除去後に残留する部位の厚さ）との関係を直接的に示すテーブルである必要はなく、その関係を実質的に示すテーブルであればよい。例えば、光の照射時間と感光する深さとの関係を示すテーブルもしくは関数、または、ＤＭＤ５４のＯＮ状態の回数と感光する深さとの関係を示すテーブルであってもよい。
【００９２】
また、第１の実施の形態に係る造形装置１では、照射領域を連続的に移動しつつ階調制御を行うことも可能である。具体的には、ＤＭＤ５４の制御と同期してステージ移動機構６を制御し、光の照射領域が１つの微小領域分だけ移動する毎にＤＭＤ５４にリセットパルスを送信することにより、重複照射の回数による階調制御が実現される。これにより、材料層上の広い領域に速やかに実質的に階調制御された光を照射することができる。
【００９３】
造形装置によって形成されるプローブ用の造形物の形状は、図６（ｆ）、図７（ｆ）または図１２に示すものには限定されず、造形物が可撓部と捉えることができる部位を有し、可撓部が撓むことによりベース基板９から最も離れた部位がベース基板９側へと移動可能とされ、プローブと検査対象の回路との確実な接触が実現されるのであるならば、どのような形状であってもよい。
【００９４】
図１４は図６（ｆ）に示す造形物９０を２段に重ねた造形物９０ｂ（平行斜線を付して示す。）を例示する図である。造形物９０ｂでは幅の最も大きい部位近傍の上下２段の可撓部９０３により非常に弱い力であっても先端をベース基板９側へと移動することが実現される。また、図１５（ａ）中に平行斜線を付して示すように略ばね型の造形物９０ｃとされてもよい。この場合、およそベース基板９に平行に伸びる部位が主として可撓部としての役割を果たす。
【００９５】
また、感光性材料は常に液状である必要はなく、ベース基板９上に供給された後にある程度固化し、後工程におけるいわゆる現像により光が照射された部分だけがベース基板９上に残存するものであってもよい。さらに、感光性材料は光硬化性樹脂等のポジ型には限定されず、光が照射された部分のみが現像時に除去されるネガ型であってもよい。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示す略ばね型の造形物９０ｄがネガ型の感光性材料を用いて形成される様子を示す図であり、図１５（ｂ）中に平行斜線を付して示す部位が光の照射により現像時に除去される部位を示している。
【００９６】
なお、プローブに可撓性がほとんど求められない場合は、ベース基板９の主面に垂直な２つの突出部９０１の先端を、ベース基板９の主面に水平な結合部で結合したベンチ型の造形物が形成されてもよい。
【００９７】
検査装置１００により電気的に検査される回路は半導体基板（または半導体チップ）上の回路には限定されず、液晶表示装置のガラス基板やプリント配線基板等に形成された微細な回路であってもよい。
【００９８】
【発明の効果】
請求項１ないし６の発明では、感光性材料の積層されたブロックによりプローブ用の３次元造形物が形成されるため、多数のプローブ用の３次元造形物を有するプローブカード製造用基板を容易に得ることができる。
【００９９】
また、請求項２の発明に係るプローブカード製造用基板を使用してプローブカードを製造することにより、検査対象と各プローブとを小さい押圧力で確実に接触させることができる。
【０１００】
請求項８ないし１３の発明では、多数のプローブ用の３次元造形物を容易に形成することができる。
【０１０１】
また、請求項１０の発明では、光の照射を高速に位置精度良く行うことができる。
【０１０２】
さらに、請求項１１および１２の発明では、滑らかな形状の３次元造形物を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る造形装置の構成を示す図である。
【図２】ＤＭＤを示す図である。
【図３】照射領域の一部を示す平面図である。
【図４】造形物を形成する動作の流れを示す図である。
【図５】（ａ）ないし（ｄ）は材料層が形成される様子を示す図である。
【図６】（ａ）ないし（ｆ）は造形物が形成される様子を示す図である。
【図７】（ａ）ないし（ｆ）は階調制御が行われる場合の造形物が形成される様子を示す図である。
【図８】（ａ）ないし（ｄ）は造形物がメッキされる様子を示す図である。
【図９】造形物をメッキする動作の流れを示す図である。
【図１０】検査装置および回路を示す図である。
【図１１】回路に押圧されたプローブを示す拡大図である。
【図１２】造形物の他の例を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る造形装置の構成を示す図である。
【図１４】造形物のさらに他の例を示す図である。
【図１５】（ａ）および（ｂ）はさらに他の造形物を示す図である。
【符号の説明】
１，１ａ造形装置
２ステージ
３供給部
４層形成部
５光照射部
７ステージ昇降機構
８制御部
９ベース基板
１０造形済基板
１１メッキ済基板
４１スキージ
４３スキージ移動機構
５４ＤＭＤ
８１記憶部
８２演算部
９０，９０ａ〜９０ｄ造形物
９１，９２材料層
９９導電膜
１００検査装置
１１０プローブカード
１１１プローブ
１２０プローブヘッド
１２２押圧機構
１３０検査部
１４０制御部
１５１回路
５４２，５４２ａ〜５４２ｄ微小領域
８１１断面データ
８１２変換テーブル
９０１，９０１ａ突出部
９０２，９０２ａ結合部
９０３，９０３ａ可撓部
９１０，９２０樹脂ブロック

Claims

回路の電気的検査に使用されるプローブカードの製造に用いられるプローブカード製造用基板であって、
基板と、
感光性材料を用いて前記基板上に積層された複数のブロックにより形成される３次元造形物と、
を備えることを特徴とするプローブカード製造用基板。
請求項１に記載のプローブカード製造用基板であって、
前記３次元造形物が、撓むことにより前記基板から最も離れた部位を前記基板側へと移動可能とする可撓部を有することを特徴とするプローブカード製造用基板。
請求項１または２に記載のプローブカード製造用基板であって、
前記３次元造形物が、
前記基板から突出する複数の突出部と、
前記複数の突出部の先端を結合する結合部と、
を有することを特徴とするプローブカード製造用基板。
請求項３に記載のプローブカード製造用基板であって、
前記複数の突出部が、前記基板上において非直線状に並ぶ３カ所から突出することを特徴とするプローブカード製造用基板。
請求項１ないし４のいずれかに記載のプローブカード製造用基板であって、
前記３次元造形物を被覆する導電膜をさらに備えることを特徴とするプローブカード製造用基板。
請求項５に記載のプローブカード製造用基板であって、
前記導電膜が、無電解メッキにより形成された金属被膜であることを特徴とするプローブカード製造用基板。
回路の電気的検査を行う検査装置であって、
請求項５または６に記載のプローブカード製造用基板を有するプローブカードと、
検査対象となる回路に向けて前記３次元造形物を押圧する押圧機構と、
前記導電膜を介して前記回路を電気的に検査する検査部と、
を備えることを特徴とする検査装置。
回路の電気的検査に使用されるプローブ用の３次元造形物を形成する３次元造形装置であって、
基板を保持する保持部と、
基板上に液状の感光性材料を供給する供給部と、
基板の主面に沿う所定の方向に前記基板に対して相対的に移動することにより、前記基板上に供給された感光性材料の層を既存の層の上に形成し、余剰の感光性材料を前記既存の層の外側の領域へと押し出すスキージと、
前記スキージを前記所定の方向に前記基板に対して相対的に移動する移動機構と、
前記スキージと前記保持部との間の間隔を変更する間隔変更機構と、
前記スキージの移動により形成された感光性材料の層に対して予め求められている領域に光を照射する光照射部と、
を備えることを特徴とする３次元造形装置。
請求項８に記載の３次元造形装置であって、
前記感光性材料の層の厚さが２０μｍ以下であることを特徴とする３次元造形装置。
請求項８または９に記載の３次元造形装置であって、
前記光照射部が、空間変調された光ビームを生成する空間光変調デバイスを有することを特徴とする３次元造形装置。
請求項８ないし１０のいずれかに記載の３次元造形装置であって、
感光性材料の層上の微小領域毎に照射される光の量を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする３次元造形装置。
請求項１１に記載の３次元造形装置であって、
前記制御部が、
基板上に形成される３次元造形物の形状データ、および、感光性材料の層上の微小領域に照射される光の量と前記層が感光する深さとの関係を実質的に示すテーブルを記憶する記憶部と、
前記形状データおよび前記テーブルに基づいて前記３次元造形物を形成する際に積層される感光性材料の各層上の微小領域毎に照射される光の量を求める演算部と、
を有することを特徴とする３次元造形装置。
回路の電気的検査に使用されるプローブ用の３次元造形物を形成する３次元造形方法であって、
基板上に液状の感光性材料を供給する供給工程と、
前記基板の主面に沿う所定の方向に前記基板に対して相対的にスキージを移動することにより、前記感光性材料の層を前記基板の上に形成する層形成工程と、
前記感光性材料の層に対して予め求められている領域に光を照射する光照射工程と、
前記供給工程ないし前記光照射工程を複数回繰り返す繰り返し工程と、
を有し、
前記繰り返し工程に含まれる前記層形成工程において前記感光性材料の層が既存の層の上に形成され、余剰の感光性材料が前記既存の層の外側の領域へと押し出されることを特徴とする３次元造形方法。