JP2004139998A - Electricity removal method - Google Patents
Electricity removal method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004139998A JP2004139998A JP2003429566A JP2003429566A JP2004139998A JP 2004139998 A JP2004139998 A JP 2004139998A JP 2003429566 A JP2003429566 A JP 2003429566A JP 2003429566 A JP2003429566 A JP 2003429566A JP 2004139998 A JP2004139998 A JP 2004139998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- water
- cleaning
- cleaned
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 50
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 7
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 61
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 208000001840 Dandruff Diseases 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003321 atomic absorption spectrophotometry Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000004138 cluster model Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004332 deodorization Methods 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、静電気を除去する除電方法に関する。 The present invention relates to a static elimination method for removing static electricity.
半導体(IC,LSI等)装置,磁気ディスク(CD),カラー液晶などの製品は、極めて微細な塵埃の混入をも許されない厳密な条件の超クリーンな清浄雰囲気中で製造され、また、半導体装置の材料であるウェハー,CDの材料であるアルミ板,カラー液晶材料であるガラス板などの部品は、製造ラインへの導入に先立って高度に洗浄される。精密機械,機器類の製造工程において、部品の洗浄処理は極めて重要なプロセスの一つである。 Products such as semiconductor (IC, LSI, etc.) devices, magnetic disks (CDs), and color liquid crystals are manufactured in an ultra-clean and clean atmosphere under strict conditions that do not allow the entry of extremely fine dust. Parts such as a wafer as a material of the above, an aluminum plate as a material of a CD, and a glass plate as a color liquid crystal material are highly cleaned prior to introduction into a production line. In the manufacturing process of precision machines and equipment, cleaning processing of parts is one of extremely important processes.
LSI製造工程におけるSiウェハーの洗浄には、Siウェハー自体の製造時の仕上げ洗浄、ウェハーメーカーからSiウェハーを購入後、LSI製造時の前処理洗浄,LSI製造時の各工程における洗浄の3つの場合がある。 There are three types of cleaning of the Si wafer in the LSI manufacturing process: finishing cleaning during the manufacturing of the Si wafer itself, purchasing a Si wafer from a wafer maker, pre-processing cleaning during the LSI manufacturing, and cleaning in each process during the LSI manufacturing. There is.
洗浄とは、いうまでもなく、洗い清めて被洗浄物に付着したり、表面で生成した汚れを取り除き、被洗浄物そのものの本来の清浄な表面状態にすることである。 Washing is, of course, washing and cleaning to remove adhered substances to the object to be cleaned or to remove dirt generated on the surface, thereby bringing the object to be cleaned to the original clean surface state.
一般に汚染物質は、次のような機構のいずれか、又はこれらの複合した力でSiウェハーなどの被洗浄物に付着しているものと考えられる。すなわち、(1)ファンデルワールス力による物理吸着、(2)クローン力のような電気的な力、(3)化学反応による化学吸着、(4)機械的な引っ掛り、これら4つの機構のうち、化学吸着による汚染は、機械的洗浄だけでは汚染物の除去は困難であり、化学洗浄が不可欠になる。その他の機構による汚染については機械的洗浄か、または化学洗浄を併用した物理洗浄でより容易に除去できる。 Generally, it is considered that the contaminant is attached to an object to be cleaned such as a Si wafer by one of the following mechanisms or a combined force of the following mechanisms. That is, (1) physical adsorption by van der Waals force, (2) electric force such as clonal force, (3) chemisorption by chemical reaction, (4) mechanical hooking. As for the contamination due to chemical adsorption, it is difficult to remove contaminants only by mechanical cleaning, and chemical cleaning becomes indispensable. Contamination due to other mechanisms can be more easily removed by mechanical cleaning or physical cleaning combined with chemical cleaning.
従来、これら部品の洗浄処理には専らフロン(R−113)が活用されていたが、フロンの使用が禁止されるようになり、現在その代替が進行中である。フロン代替洗浄剤としては、水系,準水系,溶剤系の3つに分類される。それぞれの系にはそれなりの長所があり、短所があるが、化学成分が含まれる洗浄液はいずれにしても望ましくない。この点、水、特に純水,超純水は安全であるといえる。 Conventionally, chlorofluorocarbon (R-113) has been used exclusively for the cleaning of these parts. However, the use of chlorofluorocarbon has been banned, and its replacement is currently in progress. The CFC substitute cleaning agents are classified into three types: aqueous, semi-aqueous, and solvent. Although each system has its own advantages and disadvantages, cleaning solutions containing chemical components are not desirable anyway. In this regard, water, especially pure water and ultrapure water, can be said to be safe.
参考文献として、以下を記載する。
このように洗浄は、これを大きく分けて付着汚染物を機械的に除去する物理洗浄と、溶解して除去する化学洗浄との2つに大別される。水、特に超純水はそれ自体でかなり優れた洗浄能をもつもので、超純水を用いた機械的な洗浄は半導体製造工程では重要な洗浄方法である。 洗浄 Thus, cleaning is roughly divided into two types: physical cleaning, which mechanically removes adhering contaminants, and chemical cleaning, which dissolves and removes it. Water, especially ultrapure water, has a very good cleaning ability by itself, and mechanical cleaning using ultrapure water is an important cleaning method in a semiconductor manufacturing process.
超純水洗浄における主要な課題は、(1)理論純水に近い高純度の超純水をいかに経済的に製造するかということ、(2)いかに効率よく洗浄し、乾燥するか、(3)超純水の洗浄能力をいかに上げるかということ、などであるといわれている。特に(2)及び(3)については、高温純水に注目が払われている。超純水を昇温すれば表面張力が低下し、水分子および付着物の分子運動を活発にすることによって洗浄能力を上げることができる。しかし、この方法は耐熱性のないものには適用できない(おもしろい水のはなし,久保田 昌治 日刊工業新聞社1994年 p115〜132参照)。しかも、洗浄水を用いる限り、洗浄の後処理に乾燥工程が必要となる。 The major issues in ultrapure water cleaning are (1) how to produce ultrapure water of high purity close to theoretical pure water economically, (2) how to efficiently clean and dry, (3) It is said to be how to increase the cleaning ability of ultrapure water. In particular, regarding (2) and (3), attention has been paid to high-temperature pure water. If the temperature of the ultrapure water is raised, the surface tension is reduced, and the cleaning ability can be increased by activating the molecular motion of water molecules and attached matter. However, this method cannot be applied to those having no heat resistance (interesting in interesting water, Shoji Kubota, Nikkan Kogyo Shimbun, pp. 115-132, 1994). Moreover, as long as cleaning water is used, a drying step is required for post-processing of cleaning.
本発明の目的は、活性化された空気を用いて常温乾式で静電気を除電する除電方法を提供することにある。 の An object of the present invention is to provide a static elimination method for eliminating static electricity at room temperature and dry using activated air.
上記目的を達成するため、本発明による除電方法においては空気イオンと水クラスターを含む空気により静電気を除去するものである。 In order to achieve the above object, the static elimination method according to the present invention removes static electricity by air containing air ions and water clusters.
本発明によれば、活性空気中に含まれる空気イオンと水クラスターとを作用させて帯電による付着物のほか汚染物質など被洗浄物に付着する各種付着物を有効に除去することができ、本発明方法によって処理された被洗浄物の表面には、一定期間にわたってごみなどが再付着せず、清浄な状況を維持できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the present invention, air ions contained in active air and water clusters act on each other to effectively remove various kinds of deposits such as contaminants and other contaminants adhering to an object to be washed, such as contaminants. No dust or the like re-adheres to the surface of the object to be cleaned treated by the method of the present invention for a certain period of time, so that a clean state can be maintained.
さらに、本発明処理は、洗浄液による洗浄とは異なり、活性空気は多湿空気でありながら被洗浄物に触れても被洗浄物は濡れることがなく、洗浄後の乾燥処理が不要となり、洗浄後直ちに次工程に搬入してラインの稼動時間の短縮を図ることができる。 Furthermore, the treatment of the present invention is different from washing with a washing liquid, in that the active air is humid air, but the object to be washed does not get wet even when it touches the object to be washed, so that the drying treatment after washing is not necessary, and immediately after washing. It can be carried into the next process to reduce the operating time of the line.
したがって、本発明をLSI製造工程におけるSiウェハーの洗浄をはじめ、各種の精密部品の洗浄処理に適用して優れた効果が得られる。 Therefore, excellent effects can be obtained by applying the present invention to cleaning of various precision parts, including cleaning of a Si wafer in an LSI manufacturing process.
本発明は、空気イオンと水クラスターを含む空気により静電気を除去する除電方法としたものであり、空気イオンは静電気を除去し、被洗浄物に対する付着物の接合力は水クラスターによって弱められするという作用を有する。 The present invention is a static elimination method for removing static electricity by air containing air ions and water clusters. It is said that air ions remove static electricity and the bonding strength of the attached matter to the object to be cleaned is weakened by the water cluster. Has an action.
雨、その他の降水に関連して水滴が分裂するときに付近の空気が電離される現象はレナード(Lenard)効果として古くから知られている。レナードは、水滴が金属板に衝突して分裂する場合に付近の空気中にイオンが発生する現象を発見した。その後シンプソン(Simpson)は、レナードの実験を繰返し、より精密な装置を用いて測定し、水滴が空気中で分裂するだけでレナード効果と同様な結果が起り得ること、空気中に発生したイオンは水滴の電荷の如何にかかわらず負イオンであること、水滴は分裂の際に発生したイオンと等量の正電荷を得ることを確かめてこれを報告している(気象電気学 畠山久尚,川野実 岩波書店 1965年 p26〜27参照)。 The phenomenon in which nearby air is ionized when water droplets split in connection with rain or other precipitation has long been known as the Lennard effect. Leonard discovered that when a water droplet hits a metal plate and breaks, ions are generated in the nearby air. Simpson then repeated the Leonard experiment and measured it with a more precise instrument, and found that water droplets could split in air and produce similar results to the Leonard effect. The authors report that they are negative ions irrespective of the charge of the water droplet and that the water droplet obtains the same amount of positive charge as the ion generated during fission (Meteorological Electrochemistry Hisao Nao Hatakeyama, Minoru Kawano) Iwanami Shoten 1965, pp. 26-27).
レナード効果,シンプソン効果によって発生させた負イオンは、これを水滴より分離することによって、外部へ取出すことができる。レナード効果を利用した負イオン発生装置は、特開平4−141179号に記載され、シンプソン効果を利用した負イオン発生装置は、特願平5−261396号に紹介されている。この装置は、気流の旋回流中に液体を噴射してこれを微細水滴に分裂させ、次いで気液分離を行って、負イオンを含む空気を供給空気として取り出すものであり、取り出された供給空気は、基本的に多湿である。 負 Negative ions generated by the Leonard effect and the Simpson effect can be extracted to the outside by separating them from water droplets. A negative ion generator utilizing the Leonard effect is described in JP-A-4-141179, and a negative ion generator utilizing the Simpson effect is introduced in Japanese Patent Application No. 5-261396. This device injects a liquid into a swirling flow of an air flow to break it into fine water droplets, then performs gas-liquid separation, and extracts air containing negative ions as supply air. Is basically humid.
気流の旋回流中に液体を噴出してこれを分裂させた微細水滴を含む多湿空気には、除塵,除菌,脱臭及びガス成分除去効果,調湿効果,帯電防止効果があることがわかっている。当初これらの効果は、すべて微細水滴の発生効果によるものと考えられ、次いで空気中の負イオンによる効果であると考えられるに至った。 It has been found that humid air containing fine water droplets that squirt a liquid into the swirling flow of airflow and split it has dust-removal, bacteria-removal, deodorization and gas component removal effects, humidity control effects, and antistatic effects. I have. Initially, these effects were all thought to be due to the effect of generating fine water droplets, and then to the effect of negative ions in the air.
活性化処理によって発生する成分は、空気イオンと微細水滴との2種であると考えられていたが、水のクラスターも含まれている。クラスターとは、図1の分類によれば、原子あるいは分子が2つ以上から1000個で構成される物質の構造を示していることが分かる(梶本興亜編「クラスターの化学」1992年 p3,(株)培風館参照)。 (4) The components generated by the activation treatment were thought to be two kinds, air ions and fine water droplets, but also contained water clusters. According to the classification of FIG. 1, a cluster indicates a structure of a substance composed of two to 1,000 atoms or molecules (Koji Kajimoto, “Chemistry of Clusters”, 1992, p3, ( See) Baifukan Co., Ltd.).
活性空気中に含まれる成分の大部分は、水蒸気水分であり、この水蒸気水分量に較べて負イオンや微細水滴は無視できる程度の量しか含まれていない。おそらく、活性空気中に含まれる水蒸気水分の大部分は、水クラスターであろうと推測される。 (4) Most of the components contained in the active air are water vapor and the amount of negative ions and fine water droplets is negligible compared to the water vapor content. It is presumed that most of the water vapor contained in the active air is probably water clusters.
液体の水は、水素結合によって(H2O)n(n=1,2,…∝)のような会合体−クラスターを形成し、氷はn=∝、水蒸気はnが最も小さい。nが小さい状態の水は活性が高い。クラスターモデルによれば、小さいクラスターは大きいクラスターに比べ相互作用をしている水分子の数が少ないので、より少ないエネルギーで表面積を拡げることができる。すなわち、小さい水クラスターは、表面張力も粘性率も小さい。 {Liquid water forms an aggregate-cluster such as (H2O) n (n = 1, 2,...) By hydrogen bonding, ice has n = ∝, and water vapor has the smallest n. Water in which n is small has high activity. According to the cluster model, the smaller clusters have a smaller number of interacting water molecules than the larger clusters, so the surface area can be increased with less energy. That is, small water clusters have low surface tension and low viscosity.
したがって、活性化処理によって得られた活性空気中の水クラスターは、被洗浄物の洗浄に際し、付着物の下に入り込んでこれを被洗浄物上に遊離させる重要な役割を果たす。 Therefore, the water cluster in the active air obtained by the activation treatment plays an important role in penetrating under the attached matter and releasing it on the article to be washed when the article to be washed is washed.
水の活性化処理によって得られた多湿の活性空気は、空気イオンと水クラスターとを含み、空気イオンは、被洗浄物表面に付着する雑菌類や静電気を除去し、被洗浄物に対する付着物の接合力は水クラスターによって弱められ、活性空気の流れによって被洗浄物の表面から付着物は持ち去られる。被洗浄物の設置空間内では、被洗浄物の表面に活性空気を吹付けることが必要である。付着物の除去に必要な活性空気の風速は、2m/sec以上、好ましくは5m/sec以上である。 The humid active air obtained by the water activation treatment contains air ions and water clusters, and the air ions remove bacteria and static electricity adhering to the surface of the object to be cleaned, and remove the adhering substances to the object to be cleaned. The bonding strength is weakened by the water cluster, and the deposits are removed from the surface of the object to be cleaned by the flow of the active air. In the installation space of the object to be cleaned, it is necessary to blow active air onto the surface of the object to be cleaned. The wind speed of the active air required for removing the deposit is 2 m / sec or more, preferably 5 m / sec or more.
また、被洗浄物の温度が洗浄室内の雰囲気温度より低い場合には被洗浄物に結露現象を生ずる。結露を生ずると、水滴が発生し、水滴が乾燥したときには、これがシミとして被洗浄物の表面に生ずる虞れがある。これを防止するためには、被洗浄物の温度を洗浄空間の雰囲気温度以上に保持することが必要であるが、洗浄空間の雰囲気温度よりせいぜい1℃高い温度に保つことで十分である。本発明によれば、ほぼ常温の範囲の活性空気を用いて乾燥雰囲気中で高度の洗浄が可能である。
(4) When the temperature of the object to be cleaned is lower than the ambient temperature in the cleaning chamber, a dew condensation phenomenon occurs on the object to be cleaned. When dew condensation occurs, water droplets are generated. When the water droplets are dried, they may be formed as stains on the surface of the object to be cleaned. In order to prevent this, it is necessary to maintain the temperature of the object to be cleaned at a temperature higher than the ambient temperature of the cleaning space. However, it is sufficient to maintain the temperature of the cleaning object at a
(実施の形態)
図2に本発明の基本的なシステムを示す。図2において、本発明は、洗浄室8に活性空気発生装置1を付設したものである。活性空気発生装置1は、これを大別して遠心力・コリオリ力発生装置2と、気液分離装置4との組合せからなっている。遠心力・コリオリ力発生装置2は、機能的には、イオン解離機構と、水滴の活性化機構と、気体分子のイオン化機構である。
(Embodiment)
FIG. 2 shows a basic system of the present invention. In FIG. 2, the present invention is one in which an
遠心力・コリオリ力発生装置2には、タンク9内の水をポンプ10で汲み上げて供給すると共に、洗浄室8内の空気を高速気流発生装置3で吸引して供給している。気液分離装置4は、遠心力・コリオリ力発生装置2から出力された空気を水滴から分離してこれを洗浄室8内に圧送するものである。洗浄室8には、タンク9に調温機19を付設して循環水を加温する。
水 To the centrifugal force /
なお、図2では、洗浄室8と高速気流発生装置3の入力側及び気液分離装置4の出力側とを配管によって接続している状況を示しているが、活性空気発生装置は、必ずしも洗浄室外に設置されたものであることを意味するものではない。活性空気発生装置を洗浄室8内に設置し、高速気流発生装置3の吸気口及び気液分離装置4の送気口を室内に開口しても構わない。
FIG. 2 shows a situation in which the cleaning chamber 8 and the input side of the high-
活性空気発生のメカニズムは、機能的にイオン解離機構によって行うイオン解離処理と、水滴の活性化及び気体分子のイオン化機構によって行う液滴の活性化処理及び気体分子のイオン化処理と、気液分離機構によって行う気液分離処理とを順に実行するものであるが、各々の処理は、必ずしも明確に区別しうるものではない。 The mechanism of active air generation is functionally ion dissociation processing performed by an ion dissociation mechanism, droplet activation processing and gas molecule ionization processing performed by water droplet activation and gas molecule ionization mechanisms, and gas-liquid separation mechanism And the gas-liquid separation process performed in this order, but each process is not always clearly distinguishable.
図3に具体的装置の例を示す。実施例は、シンプソン効果を利用して負イオンを発生させる装置を活性空気発生装置に用いた例を示している。 Fig. 3 shows an example of a specific device. The embodiment shows an example in which a device for generating negative ions using the Simpson effect is used for an active air generator.
図3において、遠心力・コリオリ力発生装置2は、液体のイオン解離処理と水滴の活性化処理と、気体分子のイオン化処理とを行う機構であり、実施例では横型の空気力輸送管13内に、図4に示すスパイラル状のスクリューガイド14を軸心に沿って配設し、軸心上に、ノズル配管15を設け、下周面に水槽16を付設したものである。
In FIG. 3, a centrifugal force /
タンク9内の水は、ポンプ10で水槽16内に汲み上げられ、水槽16内の水は、ポンプ17で汲み上げてノズル配管15に送水される。タンク9は、調温機19を装備しており、供給水を必要な温度に調整している。
水 The water in the
スクリューガイド14は、空気力輸送管13内で気流を誘導して管軸方向をスパイラル状に旋回させるものである。ノズル配管15は、空気力輸送管13の軸心にあって、その周囲を気体が旋回運動をすることになるため、スクリューガイド14は、必ずしも必要ではないが、実施例においては、スクリューガイド14を用いてコリオリ力が地球自転の角速度ベクトル方向を向くように気流の旋回方向の向きを規定している。もっとも、高速気流発生装置3からの気体の送気方向を空気力輸送管13内の内周に対し、接線方向に設定すれば、気流の旋回方向は右回り,左回りの旋回流に自ずから設定される。
The screw guide 14 guides the air flow in the
ノズル配管15には、その軸心に沿って周面要所にノズル18が開口され、ノズル18は、水槽16より供給された水を空気力輸送管13内の旋回気流中に噴出する。水は、ノズル18から高圧で噴出され、エネルギーを得て微細水滴に分裂する。
ノ ズ ル A
高速気流発生装置3は、送風用のファンである。実施例においては、洗浄室8内の空気を吸引し、空気力輸送管13内に吸気口5を通して送風している。
(4) The high-
気液分離装置4は、実施例ではサイクロンセパレータを用いている。サイクロンセパレータは、空気力輸送管13の排気口7から排出される微細な水滴を含む気流に一定以上の風速,風圧が得られる限り気液の遠心力分離に有効である。気液分離された空気は、供給管路11を通り、吹出孔11aから洗浄室8内に導入される。
The gas-liquid separator 4 uses a cyclone separator in the embodiment. The cyclone separator is effective for centrifugal separation of gas and liquid as long as an air flow including fine water droplets discharged from the
実施例において、高速気流発生装置3を起動し、水槽16内の水をポンプ17で汲み上げ、ノズル配管15の各ノズル18より空気力輸送管13内に生じた強力な気流の旋回流中にその流れの方向に逆らって噴出させる。
In the embodiment, the high-
空気力輸送管13内に噴出された水は、気体圧力を受け、旋回気流中で分裂してイオン解離され、且つ細かい水滴に分裂し、スクリューガイド14に沿って旋回しながら管内を空気力輸送される。この間、水滴は、気流の旋回流によって生じた遠心力と、コリオリ力との作用を受けて管壁に向かいつつ軸方向に流れ、さらに細かい水滴に分裂しつつ気体に接する水滴の界面が活性化され、水滴の表面で双極子が配向する際、気体側の界面に存在する酸素分子がイオン化され、空気は活性化される。
The water jetted into the
水滴を含む空気は、空気力輸送管13の排気口7より気液分離装置4内に流入し、空気中に残存する水滴が除去され、次いで層流化処理され、活性空気として供給管路11を通り、吹出孔11aから洗浄室8内に導入される。これによって、洗浄室8内には、多湿の活性空気の雰囲気が形成される。一方、洗浄室8内の空気は、高速気流発生装置3の吸引力を受けて吸込孔12aから戻り管路12内に吸引され、必要により新たに導入した外気を供なって再び遠心力・コリオリ力発生装置2へ圧送される。
The air containing water droplets flows into the gas-liquid separation device 4 from the
空気力輸送管13の管壁に付着した水滴及び気液分離装置で分離された水滴は、水槽16内に回収される。この水滴中には正イオンが多く含まれているため、管壁を接地して中和する。
水 Water droplets adhered to the tube wall of the
以上、実施例では、横型の遠心力・コリオリ力発生装置を示しているが、その配置方向は、何等制約されるものではない。活性空気発生装置の仕様は、例えば次のとおりである。 In the above, the embodiment shows the horizontal centrifugal force / Coriolis force generator, but the arrangement direction is not limited at all. The specification of the active air generator is, for example, as follows.
◎遠心力・コリオリ力発生装置
寸法:直径450φ×長さ900mm
入口空塔速度:12m/sec
出口空塔速度:10m/sec
◎気液分離装置
寸法:直径410φ×高さ620mm
入口空塔速度:10m/sec
出口空塔速度: 8m/sec
◎ファン
風量:Max 13m3/min
◎調温機
6.5KWヒーター
図3に示す活性空気発生装置を運転し、洗浄室8内に開口する活性空気の吹出孔11aの直近で洗浄室内の温湿度,微細水滴の粒径分布,イオン量を測定した。
◎ Centrifugal / Coriolis force generator Dimensions: 450mm diameter x 900mm length
Inlet empty tower speed: 12m / sec
Exit superficial velocity: 10m / sec
◎ Gas-liquid separation device Dimensions: 410φ in diameter x 620mm in height
Inlet empty tower speed: 10m / sec
Exit superficial velocity: 8m / sec
◎ Fan Air volume: Max 13m 3 / min
The temperature controller 6.5 KW heater The active air generator shown in FIG. 3 is operated, and the temperature and humidity in the cleaning chamber, the particle size distribution of fine water droplets, and the ions are measured immediately near the active air outlet 11 a opening into the cleaning chamber 8. The amount was measured.
微細水滴の粒径分布個数データは、RION(リオン)社のパーティクルカウンターKC−18及びKC−01Aを用いてシングルモードで測定したデータから風速4m/sec,水圧0.5kg/cm2,市水使用時のものを使用した。イオン濃度は、RION社のイオンカウンター(83−1001A)を用いて同条件で測定した。 The particle size distribution number data of the fine water droplets was obtained from data measured in a single mode using a particle counter KC-18 and KC-01A of RION (Rion), a wind speed of 4 m / sec, a water pressure of 0.5 kg / cm 2 , and city water. Used at the time of use. The ion concentration was measured under the same conditions using an ion counter (83-1001A) manufactured by RION.
測定結果は、次のとおりである。 The measurement results are as follows.
◎洗浄室の温湿度
室内温度 約22℃
室内湿度 約95%
◎微細水滴の粒径分布個数(シングルモード)
表1のとおりである。
◎ Temperature and humidity of washing room Indoor temperature about 22 ℃
Indoor humidity about 95%
◎ Number of particle size distribution of fine water droplets (single mode)
It is as shown in Table 1.
注意)0.01CF=2.8×10-4m3として計算。 Note) Calculated as 0.01 CF = 2.8 × 10 −4 m 3 .
◎イオン濃度表2のとおりである。 ◎ Ion concentration Table 2
表1,表2の結果から、微細水滴と空気イオン(特に負イオン)の存在量を重量比で求めると、以下のとおりとなる。なお、負イオン分子は、O2-(H2O)nとし、n=10と仮定した。 From the results in Tables 1 and 2, when the abundances of fine water droplets and air ions (particularly negative ions) are determined by weight ratio, the results are as follows. The negative ion molecules were assumed to be O 2- (H 2 O) n, where n = 10.
微細水滴(0.1μmから2μmまで)の総量 2〜3×10-6g/m3
負イオン量 6×10-11g/m3
一方、室温22℃,室内湿度95%の洗浄室内の空気中に含まれる水蒸気重量を空気線図から求めると、約18g/m3になる。得られた活性空気中に含まれる約18g/m3の水分量が水クラスターであると考えられる。
Total amount of fine water droplets (from 0.1 μm to 2 μm) 2-3 × 10 −6 g / m 3
Negative ion amount 6 × 10-11 g / m 3
On the other hand, the weight of water vapor contained in the air in the cleaning room at a room temperature of 22 ° C. and a room humidity of 95% is about 18 g / m 3 when calculated from a psychrometric chart. A water content of about 18 g / m 3 contained in the obtained active air is considered to be a water cluster.
遠心力・コリオリ力発生装置は水に高エネルギーを与えるために、慣性系に回転座標系を加味して、遠心力及びコリオリ力を発生させる旋回気流にしたことを特徴としている。この際、高速気流の空塔速度(m/sec)が大きい程これらのエネルギーが増大して水クラスターが多量に発生する。空塔速度を1.8m/secで実施したところ、パーティクル・カウンターで5μm粒子が50個/0.01CF検出された。 (4) The centrifugal force / Coriolis force generating device is characterized by using a rotating coordinate system in addition to an inertial system to generate centrifugal force and Coriolis force in order to give high energy to water. At this time, as the superficial velocity (m / sec) of the high-speed airflow increases, the energy increases and a large amount of water clusters are generated. When the superficial velocity was set at 1.8 m / sec, 50 particles of 5 μm / 0.01 CF were detected by the particle counter.
実施例において、洗浄室8の天井に供給管路11の吹出孔11aを開口し、底部に戻り管路12の吸込孔12aを開口し、吹出孔11aと吸込孔12a間に活性空気の流路を形成している。被洗浄物Mを搬送する搬送機20は、ヒータ21を備え、活性空気の流路に設置され、搬送機20上で被洗浄物Mを順次搬送し、ヒータ21で加温しつつそれぞれの被洗浄物Mに活性空気を吹き付けて洗浄を行う。以下に実施例を示す。
In the embodiment, the outlet 11a of the
(実施例1)
静電気中和実験各種材料を粉砕分級して−325メッシュ以下の粉末とし、BET比表面積(m2/gr)を測定して秤量し、総表面積が800〜1,000m2の範囲に入るように試料を作成した。
(Example 1)
Static neutralization experiments various materials and pulverized and classified to -325 mesh or less powder, BET specific surface area of (m 2 / gr) and weighed to measure, so that the total surface area is in the range of 800~1,000M 2 A sample was prepared.
各種粉末材料は25×25cm角,2mm厚の銅板上に均一に散布し、35W×35L×5Hcmの洗浄室内に設置して密閉後、供給空気を微風(0.1m/sec)で送入し、試料設置後、吹出孔における2分および5分経過後の正イオン量,負イオン量を測定した。結果を表3に示す。 Various powder materials are evenly spread on a 25 × 25 cm square, 2 mm thick copper plate, placed in a washing room of 35 W × 35 L × 5 Hcm, sealed, and then supplied with the supplied air by a breeze (0.1 m / sec). After the sample was set, the amount of positive ions and the amount of negative ions were measured after 2 minutes and 5 minutes in the outlet. Table 3 shows the results.
(1)実験条件は次のとおりである。 (1) The experimental conditions are as follows.
(a)洗浄室
温度:23±1℃
湿度:85±2%RH
(b)活性空気発生装置
型式:200Z
風量:1m3/min
(A) Cleaning room temperature: 23 ± 1 ° C
Humidity: 85 ± 2% RH
(B) Active air generator Model: 200Z
Air volume: 1m 3 / min
(2)考察
以上の測定結果より下記のことが考察される。
(2) Discussion The following is considered from the above measurement results.
(a)金属粉(銅粉,ステンレス粉,アルミ粉等)は静電気的には中和されている状態である。 (A) Metal powder (copper powder, stainless steel powder, aluminum powder, etc.) is in a state of being neutralized electrostatically.
(b)樹脂粉(アクリル粉,塩ビ粉等)は、負イオン,正イオン共に多量のイオンが消耗されている。このことから樹脂粉は静電気帯電をしており、帯電付着力が大きいことは容易に予測される。従って、負イオン,正イオンによる除電効果が大きいと言える。 (B) The resin powder (acrylic powder, PVC powder, etc.) has a large amount of both negative and positive ions consumed. From this, it is easily predicted that the resin powder is electrostatically charged and has a large electrostatic adhesion. Therefore, it can be said that the charge removal effect by the negative ions and the positive ions is large.
(c)綿(コットン),絹,ふけ(頭垢)等のほこりは、多量の負イオンと、少量の正イオンが消耗されている。又紙粉は、負イオンのみが多量に消耗されている。従って、負イオンによる除電効果が大きいと言える。 (C) Dust such as cotton (cotton), silk, dandruff (head scaling) and the like are consumed by a large amount of negative ions and a small amount of positive ions. Also, paper dust is consumed in large quantities only by negative ions. Therefore, it can be said that the charge removal effect by the negative ions is large.
(d)ガラス,シリカ粉では、多量の負イオンが消耗されている。従って、負イオンによる除電効果が大きいと言える。 (D) A large amount of negative ions are consumed in glass and silica powder. Therefore, it can be said that the charge removal effect by the negative ions is large.
(実施例2)
各種製造プロセス中の洗浄工程の実験
(1)試料
試料1:単結晶シリコンをスライス,ラッピング,ポリシングした半導体用6インチシリコンウェハー
試料2:ハードディスク用14インチアルミ板をチャンファリング,ラッピング,ポリシングしたもの、
(2)上記試料1,2を以下の条件で洗浄した。
(Example 2)
Experiment of cleaning process in various manufacturing processes (1) Sample Sample 1: 6-inch silicon wafer for semiconductor sliced, wrapped and polished from single crystal silicon Sample 2: 14-inch aluminum plate for hard disk chamfered, wrapped and polished ,
(2) The
(a)洗浄室
◎寸法:40W×40L×10Hcm
◎室内温度:21±1℃
室内湿度:90±2%RH
◎被洗浄物
温度:24±1℃(被洗浄物下部よりヒーター加熱)
◎供給空気
風速:5m/sec
負イオン量:220,000〜230,000個/cc
正イオン量: 1,000〜 1.300個/cc
(b)活性空気発生装置
型式:500Z
使用水:蒸留水
水温:24±1℃
(c)観察方法
被洗浄物(試料1及び2)の表面(測定面積:9cm2)に付着した粒子(粒子系:1μm以上)を光学顕微鏡(倍率:1,000)を用いて、その粒子数(個数)をクリーンチャンバー内で観察測定した。
(A) Cleaning room ◎ Dimension: 40W × 40L × 10Hcm
◎ Room temperature: 21 ± 1 ℃
Indoor humidity: 90 ± 2% RH
◎ Object to be cleaned Temperature: 24 ± 1 ° C (Heating from below the object to be cleaned)
◎ Supply air Wind speed: 5m / sec
Negative ion amount: 220,000 to 230,000 / cc
Positive ion amount: 1,000 to 1.300 / cc
(B) Active air generator Model: 500Z
Water used: distilled water Water temperature: 24 ± 1 ° C
(C) Observation method Particles (particle system: 1 μm or more) adhered to the surface (measurement area: 9 cm 2 ) of the objects to be cleaned (
(3)結果
結果を表4に示す。
(3) Results The results are shown in Table 4.
(4)考察
上記の結果は、例えば、フロン溶媒による洗浄(超音波+揺動)処理と、純水による洗浄(超音波+揺動)処理と、IPAによる乾燥前処理との3段階で行う従来の湿式洗浄法による洗浄効果とほぼ同程度である。
(4) Discussion The above results are performed in three stages, for example, a cleaning (ultrasonic wave + oscillation) process using a Freon solvent, a cleaning (ultrasound + oscillation) process using pure water, and a pre-drying process using IPA. The cleaning effect is almost the same as that of the conventional wet cleaning method.
(実施例3)
活性空気発生装置から搬送された雰囲気空気の清浄化実験
(1)洗浄室に送入された活性空気中に含まれる汚染物質の除去性能を調べるため、最も極端な汚染雰囲気と考えられる大気を活性空気発生装置に取り入れて処理実験を行った。
(Example 3)
Purification experiment of atmospheric air transported from the active air generator (1) To investigate the performance of removing contaminants contained in the active air sent into the cleaning room, activate the atmosphere considered to be the most extreme polluting atmosphere. A processing experiment was conducted by incorporating it into an air generator.
遠心力・コリオリ力発生装置には前記仕様のものを用い、気液分離装置には特願平6−5870号に記載の粒子の分離装置を用いた。この装置は、超微粒子を含めて気体中に含まれた粒子を強力に除去することを目的として開発されたものであり、概ね、図5に示す構造である。すなわち、図5において、気体の吹込み口22と吹出し口23とを有する円筒体24内に円錐筒25が上下2段に設置されている。吹込み口22は、円筒体24の胴部下周面より粒子を含む気体を円筒体内に送入する開口であり、吹出し口23は、円筒体24の頂部に設けられ、粒子が除かれた気体を排気する開口である。円錐筒25は、大小異径の開口を上下に有する円錐型の中空筒であり、大径側の開口を上向きとして吹出し口23の直下に配設されている。粒子を含む気体は、上昇旋回流Aを形成して円筒体24の内壁を上昇し、その一部は吹出し口23より排気流Cとなって排気され、上昇旋回流Aの大部分は、円筒体24の上部で反転し、下降旋回流Bを形成して円錐筒25を下降し、円錐筒25の上方空間に負圧領域を形成し、排気流C中に残存する粒子が吸引される。
A centrifugal force / Coriolis force generator having the above specifications was used, and a gas-liquid separator was a particle separator described in Japanese Patent Application No. 6-5870. This device has been developed for the purpose of strongly removing particles contained in a gas including ultrafine particles, and generally has a structure shown in FIG. That is, in FIG. 5, a
本実施例では、図2の気液分離装置に代えて図7の粒子の分離装置を用い、吹込み口22を遠心力・コリオリ力発生装置の排気口に接続し、活性空気を吹出し口23より圧出して洗浄室に送り込む。 In this embodiment, instead of the gas-liquid separator of FIG. 2, the particle separator of FIG. 7 is used, the inlet 22 is connected to the outlet of the centrifugal force / Coriolis force generator, and the active air is supplied to the outlet 23. Press out more and send to the cleaning room.
(2)実験条件
風量:2.5m3/min
使用水:蒸留水
◎取入大気条件
温度:23℃
湿度:55%RH
負イオン量:90個/cc
正イオン量:100個/cc
◎活性空気条件
温度:21℃
湿度:91%RH
負イオン量:220,000〜230,000個/cc
正イオン量: 1,000〜 1.300個/cc
(3)測定機器
粒子数:リオン(株)製パーティクルカウンター
型式:KC−01A
計測:Single Mode
(4)測定結果
測定結果を表5に示す。
(2) Experimental conditions Air volume: 2.5 m 3 / min
Water used: Distilled water ◎ Intake air condition Temperature: 23 ° C
Humidity: 55% RH
Negative ion amount: 90 / cc
Positive ion amount: 100 / cc
◎ Activated air condition Temperature: 21 ℃
Humidity: 91% RH
Negative ion amount: 220,000 to 230,000 / cc
Positive ion amount: 1,000 to 1.300 / cc
(3) Measuring instrument Number of particles: Particle counter manufactured by Rion Co., Ltd. Model: KC-01A
Measurement: Single Mode
(4) Measurement results Table 5 shows the measurement results.
(注1)供給空気を−150℃に冷却された雰囲気を通過させて、凝縮水を採集して、下記項目を測定した。 (Note 1) Supply air was passed through an atmosphere cooled to −150 ° C. to collect condensed water, and the following items were measured.
(1)蒸発残分 :重量法
(2)カチオン(Na,K,Ca,Mg等) :原子吸光光度法
(3)アニオン(C1-,NO3-,SO4−3等):イオンクロマトグラフ法
(4)けい素(Si) :吸光光度法上記いずれの項目も不検出の結果を得た。
(1) Evaporation residue: Gravimetric method (2) Cation (Na, K, Ca, Mg, etc.): Atomic absorption spectrophotometry (3) Anion ( C1- , NO3- , SO4-3, etc.): Ion chromatography Graphic method (4) Silicon (Si): Spectrophotometric method No result was obtained for any of the above items.
(5)考察測定結果より、活性空気は清浄化された雰囲気であって、パーティクル,カウンターで検出されている粒子は固体粒子でなく、水分子による水クラスターが計測されているものと考えられる。従って、洗浄室で汚染された空気は、活性空気発生装置で清浄化されることが判った。 (5) Consideration From the measurement results, it is considered that the active air is a clean atmosphere, and the particles detected by the particles and the counter are not solid particles but water clusters due to water molecules are measured. Therefore, it was found that the air contaminated in the cleaning room was cleaned by the active air generator.
本発明に係る除電方法は、静電気除去に適用でき有用である。 電 The static elimination method according to the present invention is applicable and useful for static elimination.
1 活性空気発生装置
2 遠心力・コリオリ力発生装置
3 高速気流発生装置
4 気液分離装置
5 吸気口
6 吸液口
7 排気口
8 洗浄室
9 タンク
10 ポンプ
11 供給管路
11a 吹出孔
12 戻り管路
12a 吸込孔
13 空気力輸送管
14 スクリューガイド
15 ノズル配管
16 水槽
17 ポンプ
18 ノズル
19 調温機
20 搬送機
21 ヒータ
M 被洗浄物
REFERENCE SIGNS
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003429566A JP3943075B2 (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Static elimination method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003429566A JP3943075B2 (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Static elimination method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28042694A Division JP3563462B2 (en) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | Dry cleaning method and apparatus using activated air and static elimination method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004139998A true JP2004139998A (en) | 2004-05-13 |
| JP3943075B2 JP3943075B2 (en) | 2007-07-11 |
Family
ID=32464101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003429566A Expired - Fee Related JP3943075B2 (en) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | Static elimination method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3943075B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018018669A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Esd Technology Consulting & Licensing Co., Ltd. | Static charge reduction system |
| CN113513831A (en) * | 2021-05-08 | 2021-10-19 | 珠海格力电器股份有限公司 | Static electricity removing method, device, equipment and storage medium |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003429566A patent/JP3943075B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018018669A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Esd Technology Consulting & Licensing Co., Ltd. | Static charge reduction system |
| CN113513831A (en) * | 2021-05-08 | 2021-10-19 | 珠海格力电器股份有限公司 | Static electricity removing method, device, equipment and storage medium |
| CN113513831B (en) * | 2021-05-08 | 2022-06-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | Static electricity removing method, device, equipment and storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3943075B2 (en) | 2007-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10991610B2 (en) | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures | |
| US10748789B2 (en) | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures | |
| IE70238B1 (en) | Surface cleaning using a cryogenic aerosol | |
| KR101940285B1 (en) | Waste gas treatment method via application of nano-bubble and waste gas treatment system using the same | |
| JP5565673B2 (en) | Mist etching apparatus and mist etching method | |
| JP2001118817A (en) | Surface-purifying device and method | |
| KR20140043643A (en) | Air purifier using electric field | |
| WO2012058548A1 (en) | Integrated substrate cleaning system and method | |
| JP3563462B2 (en) | Dry cleaning method and apparatus using activated air and static elimination method | |
| CN205175874U (en) | Obtain that pollutant granule bumps and testing arrangement of efficiency under environment of physics field | |
| Chuang et al. | To mitigate airborne molecular contamination through ultra-pure air system | |
| TW526527B (en) | Method and apparatus for critical flow particle removal | |
| Jones | Development of the Venturi scrubber | |
| JP2004139998A (en) | Electricity removal method | |
| Kohli et al. | Developments in Surface Contamination and Cleaning, Volume 3: Methods for Removal of Particle Contaminants | |
| KR970003673B1 (en) | Dry cleaning method and apparatus by active air | |
| Banerjee | Cryoaerosol cleaning of particles from surfaces | |
| CN112805041A (en) | Gas treatment device | |
| Liu | Analysis of production process of fine dry ice particles and application for surface cleaning | |
| JP2005169390A (en) | Apparatus and method for separating particles from thermally after-treated process waste gases | |
| TWI697953B (en) | Cleaning method | |
| Kim et al. | Nano gas cluster dry cleaning for damage free particle removal | |
| Busnaina | The removal of submicron particles using CO2 aerosol with emphasis on post-CMP applications | |
| JP2001252631A (en) | Surface cleaning device and surface cleaning method | |
| Wolf | Advances in Adhesion with CO2-based Atmospheric Plasma Surface Modification |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061031 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20070320 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20070404 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |