JP2004087989A

JP2004087989A - 多層配線基板

Info

Publication number: JP2004087989A
Application number: JP2002249799A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Kimura; 木村　哲也; Toshiaki Shigeoka; 重岡　俊昭; Satoshi Hamano; 濱野　智; Yasuhide Tami; 民　保秀
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-08-28
Filing date: 2002-08-28
Publication date: 2004-03-18

Abstract

【課題】銅箔等の高純度の配線層とガラスセラミックグリーンシートを同時焼成した際、層間やパターン間のデラミネーションやクラック等の発生が抑制され、更には電気特性上優れた多層配線基板を得る。
【解決手段】ガラスセラミックからなる絶縁基板１０と、該絶縁基板１０の表面及び／又は内部に金属箔で配線層３，６を形成した多層配線基板Ａにおいて、該配線層３，６の層面内における配線面積比率が５０％以上の配線層６に貫通孔１１を形成し、それぞれ隣接する該貫通孔１１のピッチを平均０．１〜２．０ｍｍとし、かつ貫通孔１１の最大径の平均を０．０５〜０．４０ｍｍとしたことを特徴とする多層配線基板Ａ。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、配線基板、例えば、半導体素子を収納するパッケージに使用される多層配線基板として、比較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミナやガラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形成されたＷやＭｏ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属からなる配線導体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるものである。
【０００３】
近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線層として銅等の低抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が１０００℃以下のいわゆるガラスセラミック配線基板が一層注目されている。
【０００４】
このようなガラスセラミック配線基板において、配線層を形成する手法としてＣｕ、Ａｇ等の金属からなる配線導体を主成分とするメタライズペーストをスクリーン印刷法等によって絶縁基板上に印刷する手法が用いられている。しかし、このような手法を用いた場合、配線幅１００μｍ以下の配線を形成するのが困難であり、今後必要とされる更なる高密度化、小型軽量化の達成を阻む原因であった。また、電気抵抗についてもペーストで配線層を形成させるために配線層内に空隙が多く存在し、低抵抗化が困難という問題があった。
【０００５】
この問題を解決する手法としては、ガラスセラミックグリーンシートにおける配線層を、エッチングした金属箔によって形成する手法が知られている（特開昭６３−９９５９６号公報）。
【０００６】
配線層を金属箔により形成することで電気抵抗を従来の印刷法を用いる場合と比較して約６０〜７０％に低下させることができ、またさらに金属箔をエッチングすることで配線幅を１００μｍ以下にすることも可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、多層配線基板中のグランド層のような大面積の配線層を金属箔によって形成する場合、焼成時に発生するバインダーの分解ガスが系外に抜けにくくなるため、層間や配線パターン間にデラミネーションやクラックが発生し、歩留まりが低下するという問題があった。
【０００８】
その対策として、グランド層等の大面積の配線層の構造をメッシュ状にする方法が一般に用いられている。
しかしながら、グランド層にメッシュ構造のような多数の貫通孔が存在すると配線基板の電気抵抗が高くなり、基板性能に影響を及ぼす問題があった。
【０００９】
本発明の目的は、銅箔等により形成された高純度で低抵抗の配線層とセラミックグリーンシートを同時焼成した際、層間やパターン間にデラミネーションやクラック等を発生させることなく、更には電気特性上優れた多層配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題について検討した結果、層面内における面積比率が５０％を越える配線層に平均ピッチと貫通孔径を規定した貫通孔を形成することによって層間やパターン間にデラミネーションやクラック等が発生せず、更には電気特性上優れた多層配線基板が得られることを見出した。
【００１１】
即ち、本発明の多層配線基板は、ガラスセラミックからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び／又は内部に金属箔で配線層を形成した多層配線基板において、該配線層の層面内における面積比率が５０％を越える配線層に貫通孔を形成し、それぞれ隣接する該貫通孔のピッチを平均０．１〜２．０ｍｍとし、かつ貫通孔の最大径の平均を０．０５〜０．４０ｍｍとしたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記金属箔がマイグレーション等の絶縁不良を起こさないためにも金属箔の素材としては銅箔が望ましく、また、金属箔の厚みが２５μｍを越えるとエッチング不良が発生する可能性があることや孔形状がテーパー状になる等の理由から、金属箔の厚みは２５μｍ以下であることが微細な回路を形成する上で望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層配線基板についての一例を示す概略断面図を基に説明する。
【００１４】
図１の多層配線基板Ａによれば、絶縁基板１０は、厚み５０〜２５０μｍの複数のガラスセラミック絶縁層１０ａ〜１０ｄを積層してなる積層体から構成され、その絶縁層１０ａ〜１０ｄ間及び絶縁基板１０表面には、厚みが３〜２５μｍ程度の高純度金属導体からなる一般の配線層３とグランド層を形成する配線層６が被着形成されている。
【００１５】
さらに、各ガラスセラミック絶縁層１０ａ〜１０ｄの厚み方向を貫くように形成された直径が５０〜２００μｍのビアホール導体２が形成され、これにより、配線層３、配線層６間を接続し所定回路を達成するための回路網が形成される。また配線層３の表面には半導体素子等の電子部品Ｂが実装搭載される。
【００１６】
また、表面の配線層３は、ＩＣチップなどの各種電子部品Ｂを搭載するためのパッドとして、あるいはシールド用導体膜として、またさらには、外部回路と接続する端子電極として用いられ、電子部品Ｂが配線層３に半田や導電性接着剤などを介して接合される。
【００１７】
尚、図示していないが、必要に応じて、多層配線基板Ａの表面には、さらに珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても構わない。
【００１８】
本発明によれば配線層３，６のうち層面内の配線面積比率が５０％以上の配線層６には、図２に示すような貫通孔１１を形成し、それぞれ隣接する該貫通孔１１のピッチを平均０．１〜２．０ｍｍとすることが重要である。
【００１９】
この際、貫通孔１１の平均ピッチが０．１ｍｍ未満の場合、貫通孔１１の数が多くなるため、電気抵抗が大きくなり電気特性に悪影響を与える。
【００２０】
また、平均ピッチが２．０ｍｍを超える場合、脱バインダー時に発生する有機成分の分解ガスが抜けにくくなるため、層間やパターン間にデラミネーションやクラックが発生する。
【００２１】
それらを考慮し、貫通孔１１間の平均ピッチは０．１〜２．０ｍｍであることが重要であり、さらに貫通孔形成の容易性の点から平均ピッチは０．３〜１．０ｍｍが最も望ましい。
【００２２】
また、貫通孔１１の径が小さすぎると脱バインダー時にガスが通過する経路としての役割を十分果たすことができず、また、貫通孔１１の径が大きすぎると配線層６の抵抗があがってしまうため、貫通孔１１の径の平均は０．０５〜０．４０ｍｍであることが重要であり、０．０８〜０．２０ｍｍが最も望ましい。
【００２３】
尚、貫通孔１１の径とは各貫通孔１１の最大径であり、貫通孔１１が四角形の場合には対角線に相当する。従って、貫通孔１１の径の平均とは各貫通孔１１の径の和を貫通孔１１の数で割ったものである。
【００２４】
また、平均ピッチと貫通孔径の平均の関係については平均ピッチ／貫通孔径の平均の比が１．２より小さいと導通抵抗が大きくなることから、平均ピッチ／貫通孔径の平均の比が１．２以上であることが望ましい。
【００２５】
本発明では平均ピッチの算出方法として図２に示すように、配線層６内部にある貫通孔ａに関しては、隣接する全ての貫通孔（ａ１〜ａ９）とのピッチから平均値を算出（（ａ１＋ａ２＋ａ３＋〜ａ９）／９）した。
【００２６】
また、配線層６の最外周部に存在する貫通孔ｂに関しては、隣接する全ての貫通孔（ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４，ｂ６）に加え、配線層６の外辺（ｂ５）も貫通孔とみなし、貫通孔ｂと貫通孔（ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４，ｂ５，ｂ６）との最短距離から平均値を算出（（ｂ１＋ｂ２＋〜ｂ６）／６）する手法を採用した。
【００２７】
尚、この場合のピッチとは貫通孔１１の中心と隣接する貫通孔１１の中心との距離であり、例えば、計算に用いたａ１は図２の貫通孔ａと貫通孔ａ１のそれぞれの中心間の距離を表すものである。
【００２８】
また、図２に示すように貫通孔１１の形状は円状である必要はなく必要に応じて多角形や楕円形を用いても良い。
【００２９】
以下に、本発明の多層配線基板の製造方法として、図１の本発明多層配線基板を例にして図３の工程図を基に説明する。
【００３０】
ここでは、絶縁基板を形成するセラミック材料として、ガラスセラミックスを例として以下に説明する。まず、平均粒径０．５〜１０μｍ、特に１〜５μｍのガラス粉末と平均粒径０．５〜１０μｍ、特に平均粒径１〜５μｍのセラミックフィラー粉末とを準備する。
【００３１】
用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ_２を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００３２】
これらのガラスは焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出するものが用いられる。
【００３３】
また、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ_２や、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。
【００３４】
上記ガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを、特に、ガラス成分１０〜９０重量％、特に５０〜８０重量％と、セラミックフィラー成分１０〜９０重量％、特に２０〜５０重量％の割合で混合する。その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約５０〜５００μｍのグリーンシート１を作製する。
【００３５】
次に、このグリーンシート１にレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径５０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体２を形成する（図３（ａ））。
【００３６】
導体ペーストは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属成分と、それ以外にアクリル樹脂などの有機バインダー、トルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成される。
【００３７】
有機バインダーは金属成分１００重量部に対して０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は固形成分及び有機バインダー１００重量部に対して５〜１００重量部の割合で混合されることが望ましい。尚、この導体ペースト中にはガラスセラミック材料との焼成収縮を合わせるため、若干のガラス成分や無機粉末等を添加してもよい。
【００３８】
次に、このグリーンシート１の表面に、配線層３と、層面内に占める配線の面積比率が５０％を越える配線層６を形成する。配線層３としては、特に配線層３の幅が７５μｍ以下、特に５０μｍ以下、かつ配線層３のピッチが１５０μｍ以下であることが望ましい。
【００３９】
特に配線幅を１００μｍ以下に微細配線化する上では、純度９９．５％以上の高純度金属、特に金属箔によって形成することが望ましい。
【００４０】
金属箔の素材としては低抵抗であることやマイグレーションを抑制しうることなどから銅であることが望ましい。配線層３，６についても同様の理由から銅箔で形成することが望ましい。
【００４１】
このような金属箔からなる配線層３、配線層６は、グリーンシート１の表面に金属箔を接着した後に周知のフォトエッチング法等の手法によって所望の回路を形成する方法が知られているが、かかる方法ではエッチング液によってグリーンシート１を変質させてしまうため、本発明においては転写法にて形成する。
【００４２】
転写法による配線層３、配線層６の形成方法としては、まず、高分子材料からなる樹脂フィルム５の一面に高純度金属導体、特に銅箔を熱可塑性樹脂からなる接着剤により接着する。
【００４３】
そしてこの金属導体の表面にレジストを鏡像の配線パターン状、あるいは貫通孔形成部分に塗布した後、エッチング処理及びレジスト除去を行う方法によって、樹脂フィルム５表面に一般の配線層３、貫通孔１１を形成したグランド層となる配線層６を形成することができる。
【００４４】
次に、前記ビアホール導体２が形成されたグリーンシート１の表面に、樹脂フィルム５上の配線層３、配線層６を位置合わせして積層圧着した後（図３（ｂ））、樹脂フィルム５を剥がすことにより、ビアホール導体２と接続した配線層３、配線層６を具備する一単位のグリーンシート１を形成することができる。
【００４５】
その後、同様にして得られた複数のグリーンシート１ａ〜１ｄを積層圧着して積層体を形成する（図３（ｃ））。
【００４６】
グリーンシート１の積層は、積み重ねられたグリーンシート１に熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着することもできる。
【００４７】
次に、焼成時に上記の積層体のＸ−Ｙ方向（平面方向）の収縮を抑制するため、グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の焼成温度で難焼結性のセラミック材料を主成分とする拘束シート８をガラスセラミックグリーンシート１ａ〜１ｄの積層体の両面又は片面に加圧積層して積層体を作製する（図３（ｄ））。
【００４８】
この拘束シート８は、難焼結性セラミック材料を主体とする無機成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。
【００４９】
難焼結性セラミック材料としては、具体的には１０００℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、具体的には平均粒径１〜２０μｍ、特に３〜１０μｍのＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＢＮ、ＴｉＯ_２の群から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複合酸化物（フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ_３）等）の粉末が挙げられる。
【００５０】
また、拘束シート８中の有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートを形成するものと同じ材料、具体的にはアクリル系樹脂、ＤＢＰ等の可塑剤、ＩＰＡ、アセトン、トルエン等の溶剤等が好適に使用できる。
【００５１】
また、この拘束シート８中にはガラス成分、言い換えれば非晶質成分を０．５〜１５重量％、特に１〜１２重量％含有することが望ましく、それによって焼成収縮の拘束力を高め、また、拘束シート８と接する部分のガラスの移動を抑制し焼結不良などの発生を防止することができる。
【００５２】
このガラス成分は、グリーンシート１中に含まれるガラス成分と異なるものであっても良いが、グリーンシート１中のガラスの拡散を防止するうえでは同一のガラス成分を用いることが望ましい。
【００５３】
次に、上記積層体を１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で加熱処理してグリーンシート１ａ〜１ｄ内やビアホール導体２中の有機成分を分解除去する。この時の条件としては、グリーンシート１中の有機成分を除去するとともに、配線層３，６を転写形成する場合に配線層３表面に形成された接着層を分解除去できる条件に設定する。
【００５４】
熱分解性に優れたアクリル系樹脂を用いた場合には、５００〜８００℃、Ｎ_２の雰囲気中で、０．５〜２時間程度保持することによって、炭素の残存をほとんど皆無とすることができる。その後、８００〜１０５０℃のＮ_２雰囲気中で同時焼成する。
【００５５】
焼成後は、拘束シート８を、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＢＮ、ＴｉＯ_２などから選ばれる少なくとも１種を含む砥粒を空気と共に０．０５〜０．５ＭＰａの圧力で吹き付けて除去することによって本発明の多層配線基板を作製することができる。
【００５６】
上記拘束シート８を用いて焼成することによって、焼成時の収縮が拘束シート８によって厚さ方向だけに抑えられているので、その積層体面内の収縮を、例えば、積層体が矩形形状の場合には、一辺の長さの収縮率が０．５％以下に抑えることが可能となり、しかもガラスセラミックグリーンシート１ａ〜１ｄは拘束シート８によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シート８の一部剥離等によって反りや変形が起こるのを防止することができる。
【００５７】
【実施例】
ＢａＯ−ＭｇＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系ガラス粉末５０重量％とセラミックフィラー粉末としてクォーツ５０重量％を秤量し、これにバインダーとしてアクリル系樹脂（主にメタクリル酸系）と、可塑剤としてＤＢＰ（ジブチルフタレート）、溶媒としてトルエンとイソプロピルアルコールを加えて混合、調製したスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ５００μｍのグリーンシートを作製した。
【００５８】
次に、平均粒径が５μｍのＣｕ粉末に対して、フィラー成分としてＳｉＯ_２粉末を８重量％と、これら無機成分に対して有機バインダーとしてアクリル系樹脂を２重量部と、溶媒としてアセトンを７５重量部との比率で添加混練し、ペースト状のビアホール導体用ペーストを作製した。そして、上記グリーンシートの所定個所にビアホールを形成し、そのビアホール内に上記ビアホール用ペーストを充填した。
【００５９】
一方、樹脂フィルムに、純度９９．５％以上、厚さ９〜３５μｍの銅箔をアクリル系樹脂からなる接着剤（ＪＩＳＺ０２３７による接着強度１６０ｇ／１０ｍｍ）により接着し、その後レジスト塗布、現像、エッチング、レジスト除去を行って円形の貫通孔を有する配線層などの所定のパターンの配線層を形成した。
【００６０】
実験では配線面積比率とデラミネーション、クラック等の関係を調べるため表１に示すように厚さ９μｍの銅箔を用いて層面内の配線面積比率を２０〜７０％の範囲で種々変化させた。
【００６１】
また、さらに層面内の面積比率が５０％を越える配線層について、表２に示すように貫通孔の平均ピッチ、貫通孔径の平均、銅箔の厚さとデラミネーション、クラック等の関係を調べるため９〜３５μｍ厚みの銅箔を用い、貫通孔を形成しない試料及び隣接する貫通孔の平均ピッチを０．０５〜２．５ｍｍ、貫通孔径の平均が０．０１〜０．５０ｍｍの範囲となるように貫通孔径が０．０１〜０．５０ｍｍの種々の貫通孔を形成した試料を作製した。
【００６２】
エッチングによる形成のため従来のスクリーン印刷法と比較して、非常に微細な配線層を形成することができた。
【００６３】
そして、上記樹脂フィルムの配線層形成表面にアクリル系樹脂からなる接着剤をスクリーン印刷によって塗布した。
【００６４】
そして、ビアホールが形成されたグリーンシートにビアホールの位置にあわせながら配線層が形成された上記樹脂フィルムを積層し、６０℃、１５ＭＰａの条件で熱圧着して配線層をグリーンシート表面に形成した。その後、３０〜５０℃の温度をかけながら樹脂フィルムを剥がすことにより、ビアホール導体を接続した配線層を具備する一単位の配線層を形成した。また、これら任意の一単位のグリーンシートを５枚積層し、積層体を形成した。
【００６５】
他方、平均粒径２μｍのアルミナ又はフォルステライトを主成分とするセラミック粉末と平均粒径５μｍのガラス粉末の組成物からなる厚さ２５０μｍの拘束シートを作製した。尚、シート作製時の有機バインダー、可塑剤、溶媒等はグリーンシートと同じ配合量とした。この拘束シートをグリーンシート積層体の両面に６０℃、２０ＭＰａで加圧積層して積層体を得た。
【００６６】
次いで、この積層体を、Ａｌ_２Ｏ_３セッターに載置して有機バインダー等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、７００℃に加熱し、さらに窒素雰囲気中、９５０℃で１時間焼成を行った。尚、焼成後の冷却速度は３００℃／ｈｒとした。
【００６７】
その後、拘束シート（焼結しない無機組成物）をＡｌ_２Ｏ_３砥粒を空気と共に０．２ＭＰａの圧力で吹き付けることで除去し、その後Ａｕメッキ処理を行い、評価用の多層配線基板を作製した。
（デラミネーション、クラック）
得られた多層配線基板について、基板断面のデラミネーション、クラックの有無を確認した。多層配線基板１００個あたりのＮＧ数が２０を超えるものをＮＧとして判定した。結果を表１、２に示す。
（導通抵抗）
また、この多層配線基板を用いて配線層の導通抵抗の評価を行った。評価については、銅箔からなる配線層（４０ｍｍ□）の両端にて配線抵抗をテスターにて測定し、配線抵抗が１６ｍΩを超えるものをＮＧとした。結果を表１、２に示す。
【００６８】
【表１】

【００６９】
表１の結果から明らかなように配線層面内の配線面積比率が５０％以下の試料Ｎｏ．１〜５ではデラミネーション、クラックともに発生せず高い歩留まりで製品が作製できた。一方、配線層面内の配線面積比率が５０％を越える試料Ｎｏ．６〜９ではデラミネーションやクラックが多発し、歩留まりが低下した。
【００７０】
【表２】

【００７１】
表２の結果から明らかなように、貫通孔が無い試料Ｎｏ１０，２６はデラミネーション及びクラックが多発しており、歩留まりは５０％に満たない結果となっており実用的でない。
【００７２】
また、貫通孔ピッチが２．０ｍｍを超える試料Ｎｏ．１８，３４は、貫通孔のない試料Ｎｏ１０，２６と比較すると改善はされているが、試料１００個中のクラック、デラミネーションの発生数が２０を超えているため実用的ではない。
【００７３】
貫通孔ピッチが０．１ｍｍ未満の試料Ｎｏ１１，２７は、導通抵抗が１６ｍΩを超えているため実用的ではない。
【００７４】
貫通孔径の平均を０．０５ｍｍより小さくした試料Ｎｏ．１９，３５では若干数のデラミネーション、クラックが発生していることから、貫通孔径の平均は０．０５ｍｍ以上にすることが必要であった。
【００７５】
また、貫通孔径の平均を０．４０ｍｍより大きくした試料Ｎｏ．２５，４１では基板導通抵抗が１６ｍΩを超えているため、貫通孔径の平均は０．４ｍｍ以下にすることが必要であった。
【００７６】
これに対して本発明の範囲内である試料Ｎｏ１２〜１７，２０〜２４，２８〜３３，３６〜４０，４２〜４４においては、クラック、デラミネーションとも皆無か非常に少なく、電気特性の問題も無いサンプルが得られた。
【００７７】
配線層の厚さが２５，３５μｍの試料Ｎｏ．４３，４４についてみると、特性上全く問題の無い結果が得られたが、配線層の厚さが３５μｍの試料Ｎｏ．４４では貫通孔の内、０．０５ｍｍ以下の貫通孔でエッチング不良が発生したため、配線層の厚みは２５μｍ以下が望ましい。
【００７８】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、ガラスセラミックからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び／又は内部に金属箔で配線層を形成した多層配線基板において、該配線層の層面内における配線面積比率が５０％以上の配線層に複数の貫通孔を形成し、それぞれ隣接する該貫通孔のピッチを平均０．１〜２．０ｍｍとし、かつ貫通孔の最大径の平均を０．０５〜０．４０ｍｍすることで、基板内部にクラック、デラミネーション等の発生が抑制され、電気特性に優れた多層配線基板を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板における貫通孔を形成した配線層を上からみた該略図である。
【図３】本発明における多層配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１　　セラミックグリーンシート
２　　ビアホール導体
３　　配線層
５　　樹脂フィルム
６　　配線層
８　　拘束シート
１０　絶縁基板
１１　貫通孔
Ａ　　多層配線基板
Ｂ　　電子部品
ａ，ａ１〜９，ｂ，ｂ１〜６　　貫通孔

Claims

セラミックからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び／又は内部に金属箔で配線層を形成した多層配線基板において、該配線層の層面内における面積比率が５０％を越える配線層に複数の貫通孔を形成し、それぞれ隣接する貫通孔のピッチを平均０．１〜２．０ｍｍとし、かつ貫通孔の最大径の平均が０．０５〜０．４０ｍｍであることを特徴とする多層配線基板。
前記金属箔が銅箔からなることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
前記配線層の厚みが２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。