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JP2003515433A - ハイブリッドプラズマ処理装置 - Google Patents

ハイブリッドプラズマ処理装置

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JP2003515433A
JP2003515433A JP2001540573A JP2001540573A JP2003515433A JP 2003515433 A JP2003515433 A JP 2003515433A JP 2001540573 A JP2001540573 A JP 2001540573A JP 2001540573 A JP2001540573 A JP 2001540573A JP 2003515433 A JP2003515433 A JP 2003515433A
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plasma
hollow cathode
microwave
cathode
plasma reactor
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JP2001540573A
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バルドス ラジスラフ
バランコーバ ハナ
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ反応炉中の試料をプラズマ処理する新規なハイブリッドプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 プラズマ反応炉１内で中空の陰極５と接触しマイクロ波発生器３に接続するマイクロ波電源２の給電線、陰極電源発生器６から動力を供給される中空陰極、中空陰極の後側に設ける処理ガス７用の入口、中空陰極プラズマ９が発生する中空陰極によってプラズマ反応炉に入るのを許容される処理ガス、垂直磁場１１の生成及び／または中空陰極からの出口１３での縦の磁場１２の生成のための磁気手段１０、マイクロ波プラズマ４と中空陰極プラズマ９とからなり試料ホルダ１６上に置いた試料１５をプラズマ処理するハイブリッドプラズマ１４、中空陰極の外側でプラズマ反応炉に取り付ける追加の処理ガス１７用の入口、陰極電源発生器に接続する逆極性の電極１８からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハイブリッドプラズマ処理の装置に関連し、より詳細には、ハイブ
リッドマイクロ波と中空陰極プラズマを使用した薄膜析出と、試料表面のプラズ
マ処理に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
マイクロ波放電でのプラズマ・プロセスは電子によるプロセスである。質量が
重いイオンでは、マイクロ波の場の変化に追従することができないためである。
マイクロ波プラズマは、（ｉ）異方性の生成、及び（ｉｉ）磁場の異方性の生成
、により生じさせ得る。等方性の生成は、プラズマ中におけるマイクロ波エネル
ギーの単純な吸収として現れ、外力によって規定されるいかなる優先的方向性も
ない。等方性のプラズマは上限電子密度（いわゆる中断密度）を持つ。これは発
生周波数の２乗に線形に比例する。
【０００３】 もっとも一般的な異方性の生成は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）である
。ＥＣＲにおけるマイクロ波のパワーは、誘導Ｂ＝Ｂｃｅ＝２πｆｍ／ｅを持つ
磁場において、プラズマに吸収される。ここでｆは発生器の周波数（約２．４×
１０9ｓ-1）、ｍは電子質量（９．１×１０-31ｋｇ）、ｅは電子の電荷（１．６
×１０19）である。マイクロ波発生器のためのＥＣＲ電場の典型的な値は、Ｂｃ
ｅ＝８．５７×１０-2テスラである。異方性のマイクロ波プラズマにおいて、プ
ラズマ電子密度が中断密度を上回ることがあり得る。マイクロ波プラズマでのプ
ラズマ密度は概して高い（≧１０10のｃｍ-3）。特に低圧ＥＣＲプラズマでは高
いが、イオンエネルギーは多くの場合に不十分である。
【０００４】 これとは逆に、直流（ＤＣ）生成での、または低周波数、例えば任意のＲＦ電
極による無線周波数（ＲＦ）での生成（１０6ないし１０7Ｈｚオーダー）では、
イオンは、電場生成に追従して、十分なエネルギーを得られるかもしれない。し
かしながら、１０9Ｈｚのオーダーのような高いマイクロ波生成周波数は、同じ
電源でのいかなる低周波数生成よりも、より高いプラズマ密度を提供することが
できる。それは、許容される中断密度がより高いためである。したがって、マイ
クロ波システムにおいてイオンエネルギーを増やすためには、試料ホルダまたは
補助電極に印加される追加的ＤＣまたはＲＦバイアスがたびたび必要になる。
【０００５】 マイクロ波の生成効率は、生成システムの幾何学的配列に非常に影響される。
マイクロ波プラズマの生成が少ない従来の電極は、金属汚染が起きるのを防ぐた
め電極に金属をかぶせなければならない。しかし、そのようなシステムは、いず
れにせよイオンエネルギー制御のためにたびたび追加の電極を必要とすることに
なりやすい。さらに、マイクロ波入口で誘電窓を吸収フィルムでおおうこともあ
るので、窓には、特別な構成を必要とする。例えばＰＥＣＶＤ（プラズマ強化化
学的蒸着）を用いた技術による析出保護フィルムを設ける。
【０００６】 異なる構成のマイクロ波装置が、異なる表面処理に使用されてきた（例えばＭ
．ＭｏｉｓａｎとＪ．Ｐｅｌｌｅｔｉｅｒ等の「マイクロ波励起プラズマ」、エ
ルゼビア、アムステルダム、１９９２参照）。この１０年間に、マイクロ波プラ
ズマは、ダイヤモンドやカーボン窒化物のような炭素質のフィルムの析出のため
に多用されてきた。米国特許第４，８９８，１１８号では、マイクロ波プラズマ
の生成は、矩形の導波ガイドを貫通する反応容器内で実施している。米国特許第
４，９４０，０１５号では、矩形の導波ガイドに隣接する調整可能な真空化した
マイクロ波空洞によりダイヤモンド・フィルム合成用の反応炉を形成している。
マイクロ波電力の結合は、導波ガイド内側及び空洞の特に設計された円筒部の底
側に配置する誘電窓を通して空洞にマイクロ波電力を指向させる低圧域外のアン
テナで達成できる。米国特許第４，９５８，５９０号においては、マイクロ波プ
ラズマの発生は、指定された長さの導波ガイド内に位置する特殊な設計の反応管
内でなされる。プラズマは、伝導波モードで発生する。ＥＣＲマイクロ波プラズ
マによる装置は、米国特許第４，９１５，９７９号において開示されている。こ
の特許において、反応室の寸法は電子のＬａｒｍｏ半径に関して最適化され、プ
ラズマ電子密度の空間的一様性が改善されている。
【０００７】 スウェーデン国特許出願第９３０２２２２−６号では、等方性のマイクロ波プ
ラズマ生成のためのユニークなシステムが開示されている。このシステムは、表
面波によって発生する平板プラズマに基づき、バルクマイクロ波プラズマの生成
のためのアンテナとして共鳴器において使用される。このシステム中の追加電極
は、共鳴器でサブストレートへの電流とプラズマ・アンテナの結合制御を可能と
する（例えばＢａｒｄｏｓ等のＪ．Ｖａｃ．Ｓｃｌ．Ｔｅｃｈｎｏｌ（１９９５
）参照）。
【０００８】 Ｃ−ＮフィルムのＰＥＣＶＤに用いるマイクロ波プラズマの単純な電極生成が
最近報告された（Ｂａｒｄｏｓ等のＰｒｏｃ．ＳＶＣＴｅｃｈ．Ｃｏｎ．１９９
９参照）。このシステムは、処理済み表面でのプラズマゾーンの制限を伴い得る
効果的な低電力生成と、補助電場の簡単な応用とを組み合わせたものである。こ
の技術では、マイクロ波プラズマ中の電極を、マイクロ波アンテナとしてまたは
追加電界のための補助具としてだけ使用している。
【０００９】 マイクロ波プラズマ中の追加電場が、独立したプラズマの生成、またはプレイ
オン化に依存する本来のマイクロ波プラズマからのプラズマ生成に使われ得る。
これらの組み合わせは、より適当な先進的処理プラズマにつながり得る。これら
は通常、「二重のプラズマ」または「ハイブリッドプラズマ」と称されている。
一組の電極に印加されるＤＣとＡＣ電源と組み合わせる異方性の（磁化した）マ
イクロ波プラズマにおいて発生するハイブリッドプラズマの例は、日本国特許公
開平成０１−１９１７７９号（１９８８）において開示されている。
【００１０】 等方性のマイクロ波プラズマにおいて発生する二重のプラズマの典型的な例は
、米国特許第４，６９１，６６２号（１９８６）でＴ．Ａ．Ｒｏｐｐｅｌ等によ
って開示されている。ここでは、ディスクマイクロ波プラズマが、ハイブリッド
である第二のプラズマのために、励起イオンと遊離原子及び電子源となる働きを
する。そして、ディスクマイクロ波プラズマは、マイクロ波及び金属プレートを
通したＤＣ（またはＲＦベースのバイアス）励起双方からの要因を含む。またこ
のシステムは、ＥＣＲモード中の異方性プラズマとも作用し得る。
【００１１】 化学的処理のための、例えばプラズマ・エッチングまたはＰＥＣＶＤ等の「ソ
フトな」マイクロ波プラズマとは逆に、フィルムの物理的な蒸着（ＰＶＤ）は、
ターゲットの加熱（蒸発）のために、固体のターゲット（通常陰極）及び高イオ
ン・エネルギー（スパッタリング）または大量の電子（またはイオン）の存在を
必要とする。表面処理のための非常に効果的な「電極に基づく」放電は、中空陰
極で発生する。この陰極はＤＣジェネレータの陰極に接続し、陽極は適当な陽極
に接続している。ＤＣ電力により、中空の陰極放電をグロー放電方式またはアー
ク放電方式で励起し得る。中空陰極放電の原則は、適当な幾何学的配列に基づく
。ある陰極壁から発する電子は対向する壁で等価電界と相互に作用する。すなわ
ち電子が中空陰極の内壁間で振動し、存在するガスあるいは陰極壁から放出され
た金属のイオン化を強化し得る。
【００１２】 １９８３年以降、中空陰極グロー放電は、交流（ＡＣ）を用いても発生させて
いた。そのために用いるＡＣジェネレータの典型的な周波数は、１０-5ｓ-1ない
し１０8のｓ-1である。ＲＦ発生中空陰極中の陽極は、ＲＦプラズマ（仮想陽極
）そのものであり、ＲＦジェネレータに接続している実際の逆極性電極と接触す
る（Ｂａｒｄｏｓ等、Ｊ．ＮｏｎＣｒｙｓｔ．Ｓｏｌｉｄｓ９７／９８、２８１
（１９８７）参照）。
【００１３】 補助的追加磁場の効果は、中空陰極内で見ることができる（例えばＫ．Ｈ．Ｓ
ｃｈｏｅｎｂａｃｈによるＩＣＰＩＧ２１、Ｂｏｃｈｕｍ１９９３、ｐｒｏｃ．
ＩＩＩ、第２８７−２９６頁参照）。線形アーク放電の生成装置においては、集
中磁場がプラズマ処理（（ＬＡＤ）に使用されている（Ｂａｒｄｏｓ等のスウェ
ーデン国特許出願第９４０３９８８−０号（米国特許第５，９０８，６０２号）
参照）。この装置において、一対の電極プレートは互いに反対側に置かれて平行
板中空陰極をなし、周囲のプラズマと逆極性となる。陰極出口近傍に位置する陰
極板に対して垂直な磁場は、平行板間の出口スリットから中空陰極放電がなされ
るのを容易にする。両プレートの出口スリットに沿って、プレート表面の強化さ
れたイオン衝撃によりホットゾーンが作られる。ＬＡＤシステム中の磁場の幾何
学的配列は、時間と空間に対して固定である。
【００１４】 Ｂａｒａｎｋｏｖａ等によるスウェーデン国特許出願第９７０４２６０−０号
では、回転磁石を備えるプラズマ処理装置を、可調時間変動磁場を得るものとし
て開示している。回転する永久磁石システムは、最大１０-1テスラ以上の磁気誘
導を伴う複数の永久磁石を含み、これらを、中空陰極放電をより良く制御するた
めの線形中空陰極の出口スリットに沿って設けている。
【００１５】 グロー方式でさえ電子の生産が高いため、１９７１年以降、中空陰極がプラズ
マアシスト蒸発のためのプラズマ処理装置における電子源と作動ガスイオン化源
として使われるようになった。中空陰極は、電子の補助源としてターゲットの腐
食ゾーン近傍で使われるとき、マグネトロンのスパッタリング率を強化し得る（
Ｊ．Ｊ．クオモ等の米国特許第４，５８８，４９０号（１９８６）参照）。中空
陰極のもう一つの適当な使用形態は、アーク蒸発器との組合せである（Ａ．Ｌｕ
ｎｋ，Ｖａｃｕｕｍ，１９９０参照）。これらは、中空陰極アシストハイブリッ
ドプラズマの適用例と考えられる。
【００１６】 しかしながら、適当なハイブリッドシステムで中空陰極放電とマイクロ波プラ
ズマを同時に利用している装置は、未だ知られていなかった。また、磁化中空陰
極と他のプラズマ・システムの組合せについては先行する技術は存在しない。
【００１７】 したがって本発明の目的は、上述した先行技術の欠点を克服して、ハイブリッ
ドプラズマ処理、特に試料表面への薄膜析出とプラズマ処理を改良した装置を提
供することである。本発明に係る装置は独立項である請求項１に規定され、本発
明の異なる実施形態に係る従属請求項２ないし９が規定される。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、薄膜析出及びポンピングシ
ステムを含むプラズマ反応炉中の試料のプラズマ処理のため プラズマ反応炉内に設けられ、マイクロ波プラズマの生成のために、上記プラ
ズマ反応炉内で少なくとも一つの中空の陰極と接触し、かつマイクロ波発生器に
接続しているマイクロ波電源の少なくとも一つの給電線、 陰極電源発生器から動力を供給される中空陰極、 中空陰極の後側に設ける処理ガス用の少なくとも一つの入口、 中空陰極プラズマが発生する中空陰極によって、プラズマ反応炉に入るのを許
容される処理ガス、 垂直磁場の生成及び／または中空陰極からの出口での縦の磁場の生成のための
磁気手段、 マイクロ波プラズマと中空陰極プラズマとからなり、試料ホルダ上に置いた試
料に接触してプラズマ処理するハイブリッドプラズマ、 中空陰極の外側でプラズマ反応炉に取り付ける追加の処理ガス用のさらなる入
口、 陰極電源発生器に接続する逆極性の電極、 からなることを特徴とする。
【００１９】 請求項２に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項１の装置において、
逆極性電極が、プラズマ反応炉の伝導性の壁及び／または試料を保持する試料ホ
ルダであることを特徴とする。
【００２０】 請求項３に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項１または２の装置に
おいて、マイクロ波電源の給電線が、給電導波ガイドに結合するマイクロ波アン
テナを構成し、該マイクロ波アンテナが、誘電窓を介してプラズマ反応炉内に設
けられ、陰極電源発生器と接続する中空陰極の一部を構成し、マイクロ波アンテ
ナが処理ガスの入口として働くことを特徴とする。
【００２１】 請求項４に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項１または３の装置に
おいて、プラズマ反応炉は、チューニング要素を備え、マイクロ波発生器の周波
数に関して、マイクロ波共振する空洞をつくることを特徴とする。
【００２２】 請求項５に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項３または４の装置に
おいて、垂直な磁場及び／または磁気手段によって中空陰極領域出口に形成され
る縦の磁場の磁気誘導が、少なくともマイクロ波発生器のための電子サイクロト
ロン共鳴値Ｂｃｅに達することを特徴とする。
【００２３】 請求項６に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項４または５の装置に
おいて、磁気手段の磁気誘導が、時間及び／または空間の変数であることを特徴
とする。
【００２４】 請求項７に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項４、５またはいずれ
かの装置において、プラズマ反応炉は、少なくとも一つの出口を周囲のガスに開
口し、該出口が、中心的導体を有すると同軸導波ガイドと同心の中空陰極であり
、試料と接触して遮蔽下でハイブリッドプラズマを生成し、周囲のガスでハイブ
リッドプラズマの相互作用を減らすことを特徴とする。
【００２５】 請求項８に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項４、５または６のい
ずれかの装置において、プラズマ反応炉は少なくとも一つの出口を周囲のガスに
開口し、該出口に少なくとも一つの中空陰極を設け、先細の導波ガイドを形成す
ることを特徴とする。
【００２６】 請求項９に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、請求項７または８の装置に
おいて、プラズマ反応炉は、給電導波ガイドから絶縁体によって電気的に絶縁さ
れ、周囲のガスに出口を開口し、少なくとも一つの出口を先細の矩形導波ガイド
に形成し、少なくとも一つの中空陰極が一体化され、上記先細の導波ガイドが少
なくとも一つの中空陰極の一部として陰極電源発生器に接続し、ガス処理入口の
近傍に設けられることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１に言及して、本発明に係るハイブリッドプラズマ処理装置の第１の実施形
態を記述する。マイクロ波発生器３に接続しているマイクロ波電源２の少なくと
も一つの給電線は、プラズマ反応炉１に取り付けられ、少なくとも１本の中空陰
極５と接触し、プラズマ反応炉においてマイクロ波プラズマ４を生成する。中空
陰極は、陰極電源発生器６から動力を供給される。また処理ガス７用の少なくと
も一つの入口を含む。この入口は中空陰極の後側に設ける。陰極電源発生器はＤ
ＣまたはＡＣ電源のどちらでもよい。処理ガスは、中空陰極プラズマ９が発生す
る中空陰極によって、プラズマ反応炉に入るのを許容される。
【００２８】 プラズマ反応炉は、プラズマ反応炉からガスをポンピングするためのポンピン
グシステム８を備え、システムを大気圧より低い圧力で操作する場合にはガス圧
力を要求された値に保つ。装置を大気圧で操作する場合には、ポンピングシステ
ムは、補助機能、例えば個々の操作サイクル後の残留ガスをポンピングするため
の機能を有する。
【００２９】 磁気手段１０は、出口１３における中空陰極の軸に関して垂直な磁場１１及び
／または縦の磁場１２の生成のために設けてある。磁場には、幾何学的配列とそ
の誘導の双方に依存するいくつかの効果がある。それは、中空陰極の出口１３の
まわりにおけるプラズマの単純な磁気制限としての働きであり得る。また、電場
誘導がＢ≧Ｂｃｅであれば、マイクロ波電源の共振吸収とＥＣＲマイクロ波プラ
ズマの生成を可能とし得る。さらに、磁場を中空陰極の出口の中空陰極効果の強
化と中空陰極プラズマの生成に使用し得る。
【００３０】 マイクロ波プラズマと中空陰極プラズマの同時生成は、両方の個々のプラズマ
のプレイオン化を助けて、ハイブリッドプラズマ１４を作る。マイクロ波プラズ
マ４と中空陰極プラズマ９からなるハイブリッドプラズマを、試料ホルダ１６に
置かれた試料１５の処理に使う。処理ガス１７の他の入口を、中空陰極の外側で
プラズマ反応炉に取り付ける。陰極電源発生器に接続している逆極性電極１８は
、中空陰極プラズマ回路において、補助陽極として働く。逆極性電極は、プラズ
マ反応炉の伝導性の壁及び／または試料を保持した試料ホルダによって代替可能
である。
【００３１】 ＜例＞ 本発明に係るプラズマ処理のためのマイクロ波装置の具体例を５つ説明する。 図２に示す例１は、図１のハイブリッドプラズマ処理装置の例であり、プラズ
マ反応炉へのマイクロ波電源のフィードは、給送導波ガイド２１に結合しかつ誘
電窓２０を通してプラズマ反応炉に取り付けたマイクロ波アンテナ１９で行う。
マイクロ波アンテナ１９は、陰極電源発生器６に結合させる中空陰極の一部であ
る。またアンテナは、処理ガス７の入口としても機能し得る。中空陰極は、例え
ばアンテナとつながる単純なチューブまたは反応炉に設けたアンテナに取り付け
る平行板等として形成できる。この構造の利点は、例えば反応炉中のアンテナ中
空陰極を移動させたり、追加のバイアスを中空陰極に印加したりすることを陰極
電源発生器に重畳して行なえる可能性があることである。
【００３２】 図３に示す例２のハイブリッドプラズマ処理装置は、プラズマ反応炉１がチュ
ーニング要素２２を備え、マイクロ波発生器の周波数に関して、マイクロ波共振
空洞をつくる装置の例である。この構造の利点は、マイクロ波源の吸収を強化す
るという可能性と中空陰極が設置される反応炉中のマイクロ波プラズマの生成で
ある。
【００３３】 本発明に係る装置のもう一つのオプションは、時間及び／または空間内で磁気
手段１０の磁気誘導を整えるという可能性である。これは、ＡＣ電源等によって
動力を供給される電磁気のコイルで磁石を回転させるか、振動させることによっ
て得られる。
【００３４】 図４に示す例３のハイブリッドプラズマ処理装置の例は、反応炉１が周囲のガ
スに対して開口する少なく一つの出口を有し、この出口が、中空陰極５で表され
る中央導波部を有する同軸導波ガイド２３を形成する。高圧方式のため、中空陰
極は、対向内壁間に略１ｍｍ未満の短い間隙を持たなければならない。このハイ
ブリッドプラズマ１４は、試料１５と接触して発生する。装置の操作の間に圧力
が大気圧またはより高圧になる場合には、周囲のガス（例えば空気）は、ハイブ
リッドプラズマや試料の処理に望ましくない影響を及ぼし得る。このため、本装
置は遮蔽２４を備え、周囲のガスによるハイブリッドプラズマへの相互作用を減
らしている。
【００３５】 図５に示す例４のハイブリッドプラズマ処理装置の例は、プラズマ反応炉１が
少なくとも一つの出口を持ち、この出口が周囲のガスに開口している。この出口
には、少なくとも一つの中空陰極５を設置し、先細の導波ガイド２５を形成する
。この例では、中空陰極は導波ガイド１との電気的に非接触で設け、導波ガイド
は中空陰極に対し逆極性電極として機能する。矩形の先細導波ガイドと線形の中
空陰極という単純な構成の場合には、磁気手段は、たとえ対向する永久磁石また
は電磁気のコイルで構成し得る。反応炉１の出口は環状または楕円の形状とし得
る。また中空陰極の形状も循状や楕円状とし得るが、矩形その他の形状や、複数
の中空陰極列から形成する構造でもよい。
【００３６】 図６に示す例５のハイブリッドプラズマ処理装置は、プラズマ反応炉１が給電
導波ガイド２１から絶縁体２６によって電気的に絶縁されている例である。プラ
ズマ反応炉は少なくとも一つの出口を周囲のガスに開口し、この出口が先細で矩
形の導波ガイド形状を有し、先細の導波ガイドが少なくとも一の中空陰極５の一
部となるように一体化させる。この場合、プラズマ反応炉は二重の機能を有する
。それは、先細の出口と中空陰極または中空陰極システム、例えば複数スリット
を入れた陰極の一体化である。反応炉は、中空陰極プラズマのために、陰極電源
発生器に接続し、反応炉に到達するマイクロ波電源は中空陰極部の後部またはそ
の中でマイクロ波プラズマを励起させ得る。反応炉は、処理ガス７の入口を有す
る。その入口は追加の処理ガス１７の入口と組み合わせるか、あるいは、追加の
処理ガス入口を反応炉の出口に設けるかする。
【００３７】 本発明に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、特に非常に低いか非常に高い
ガス圧力（大気圧より高い圧力を含む）帯であることが、高いプラズマ密度にお
ける制御可能なパラメータとともに望ましい場合に有効である。両方の場合とも
、マイクロ波プラズマが中空陰極のためのプレイオン化の主たる発生源となり得
る。非常に低い圧力（１ミリトル以下）では、誘導Ｂ≦Ｂｃｅの磁場において、
有利に実行され得る。
【００３８】 本発明に係るハイブリッドプラズマ処理装置は、フィルム析出だけでなく他の
種類のプラズマ処理、例えばドライエッチング、プラズマクリーニング、酸化プ
ラズマ窒化処理等にも利用できる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明に係る中空陰極プラズマとマイクロ波プラズマの組み合せは、電子ベー
スのマイクロ波分離活性ガスのイオン化による急激な励起を可能にするとともに
、中空陰極を介したイオンエネルギー制御を可能とする。これは、マイクロ波プ
ラズマＣＶＤで合成フィルムを析出することと、アーク方式での中空陰極ＰＶＤ
を組み合わせするという独特の可能性をもたらす。
【００４０】 本発明に係るハイブリッドプラズマ処理装置の、好ましい具体例に関して以上
記述した。したがって、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、請求の範囲
求によって定義された範囲内で多数の変形例を想起可能であることが理解されよ
う。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ハイブリッドプラズマ処理装置の平面図であり、本発明に係る第１実施形態の
ハイブリッドマイクロ波と中空陰極プラズマでの薄膜析出または試料表面のプラ
ズマ処理を示す。
【図２】 本発明の第２の実施形態としてのハイブリッドプラズマ処理装置の第１の例の
平面図であり、マイクロ波アンテナをプラズマ反応炉に誘電窓を通して中空陰極
の一部として設置している。
【図３】 本発明の第３の実施形態としてのハイブリッドプラズマ処理の装置の第２の例
の平面図であり、プラズマ反応炉が、マイクロ波発生器の周波数に関してマイク
ロ波共振空洞を形成するチューニング要素を備えるとともに、磁気手段の磁気誘
導が時間及び／または空間で可変する。
【図４】 本発明の第４の実施形態としてのハイブリッドプラズマ処理装置の第３の例の
平面図であり、プラズマ反応炉は周囲のガスに対してオープンでその出口は同軸
導波ガイドの形を取り、中空陰極で表した中心導体を有する。
【図５】 本発明の第５の実施形態としてのハイブリッドプラズマ処理装置の第４の例の
平面図であり、プラズマ反応炉が周囲のガスに対してオープンした出口を有し、
出口が中空陰極を設ける先細の導波ガイドの形を有する。
【図６】 本発明の第６の実施形態としてのハイブリッドプラズマ処理装置の第５の例の
平面図であり、プラズマ反応炉が給電導波ガイドから電気的に絶縁され、出口が
二重の中空陰極を示す先細の矩形導波ガイドの形を有する。
【符号の説明】
１ プラズマ反応炉 ２ マイクロ波電源 ３ マイクロ波発生器 ４ マイクロ波プラズマ ５ 中空陰極 ６ 陰極電源発生器 ７ 処理ガス ８ ポンピングシステム ９ 中空陰極プラズマ １０ 磁気手段 １１、１２ 磁場 １３ 出口 １４ ハイブリッドプラズマ １５ 試料 １６ 試料ホルダ １７ 処理ガス １８ 逆極性電極 １９ マイクロ波アンテナ ２０ 誘電窓 ２１ 給電導波ガイド ２２ チューニング要素 ２３ 同軸導波ガイド ２４ 遮蔽 ２５ 導波ガイド ２６ 絶縁体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC06 BC10 CA26 CA42 DA02 EB01 EB41 EC21 4K030 FA01 KA30

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜析出及びポンピングシステムを含むプラズマ反応炉中の
    試料のプラズマ処理のための以下の要件からなることを特徴とするハイブリッド
    プラズマ処理装置。 プラズマ反応炉（１）内に設けられ、マイクロ波プラズマ（４）の生成のため
    に、上記プラズマ反応炉内で少なくとも一つの中空の陰極（５）と接触し、かつ
    マイクロ波発生器（３）に接続しているマイクロ波電源（２）の少なくとも一つ
    の給電線、 陰極電源発生器（６）から動力を供給される中空陰極、 中空陰極の後側に設ける処理ガス（７）用の少なくとも一つの入口、 中空陰極プラズマ（９）が発生する中空陰極によって、プラズマ反応炉に入る
    のを許容される処理ガス、 垂直磁場（１１）の生成及び／または中空陰極からの出口（１３）での縦の磁
    場（１２）の生成のための磁気手段（１０）、 マイクロ波プラズマ（４）と中空陰極プラズマ（９）とからなり、試料ホルダ
    （１６）上に置いた試料（１５）に接触してプラズマ処理するハイブリッドプラ
    ズマ（１４）、 中空陰極の外側でプラズマ反応炉に取り付ける追加の処理ガス（１７）用のさ
    らなる入口、 陰極電源発生器に接続する逆極性の電極（１８）。
  2. 【請求項２】 請求項１の装置において、逆極性電極（１８）が、プラズマ
    反応炉の伝導性の壁及び／または試料（１５）を保持する試料ホルダ（１６）で
    あることを特徴とする装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２の装置において、マイクロ波電源（２）の
    給電線が、給電導波ガイド（２１）に結合するマイクロ波アンテナ（１９）を構
    成し、該マイクロ波アンテナが、誘電窓（２０）を介してプラズマ反応炉内に設
    けられ、陰極電源発生器（６）と接続する中空陰極の一部を構成し、マイクロ波
    アンテナ（１９）が処理ガス（７）の入口として働くことを特徴とする装置。
  4. 【請求項４】 請求項１または３の装置において、プラズマ反応炉は、チュ
    ーニング要素（２２）を備え、マイクロ波発生器の周波数に関して、マイクロ波
    共振する空洞をつくることを特徴とする装置。
  5. 【請求項５】 請求項３または４の装置において、垂直な磁場及び／または
    磁気手段（１０）によって中空陰極（５）領域出口に形成される縦の磁場の磁気
    誘導が、少なくともマイクロ波発生器のための電子サイクロトロン共鳴値Ｂｃｅ
    に達することを特徴とする装置。
  6. 【請求項６】 請求項４または５の装置において、磁気手段（１０）の磁気
    誘導が、時間及び／または空間の変数であることを特徴とする装置。
  7. 【請求項７】 請求項４、５またはいずれかの装置において、プラズマ反応
    炉（１）は、少なくとも一つの出口を周囲のガスに開口し、該出口が、中心的導
    体を有すると同軸導波ガイド（２３）と同心の中空陰極（５）であり、試料（１
    ５）と接触して遮蔽（２４）下でハイブリッドプラズマを生成し、周囲のガスで
    ハイブリッドプラズマの相互作用を減らすことを特徴とする装置。
  8. 【請求項８】 請求項４、５または６のいずれかの装置において、プラズマ
    反応炉（１）は少なくとも一つの出口を周囲のガスに開口し、該出口に少なくと
    も一つの中空陰極（５）を設け、先細の導波ガイド（２５）を形成することを特
    徴とする装置。
  9. 【請求項９】 請求項７または８の装置において、プラズマ反応炉（１）は
    、給電導波ガイド（２１）から絶縁体（２６）によって電気的に絶縁され、周囲
    のガスに出口を開口し、少なくとも一つの出口を先細の矩形導波ガイドに形成し
    、少なくとも一つの中空陰極が一体化され、上記先細の導波ガイドが少なくとも
    一つの中空陰極（５）の一部として陰極電源発生器に接続し、ガス処理入口の近
    傍に設けられることを特徴とする装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230067185A (ko) * 2021-11-09 2023-05-16 한국핵융합에너지연구원 마이크로웨이브로 확장된 아크 플라즈마 제트 발생기

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10247888A1 (de) * 2002-10-14 2004-04-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Einrichtung zur Erzeugung von Plasmen durch Hochfrequenzentladungen
GB0309932D0 (en) * 2003-04-30 2003-06-04 Boc Group Plc Apparatus and method for forming a plasma
DE10341239B4 (de) * 2003-09-08 2006-05-24 Roth & Rau Ag ECR-Plasmaquelle mit linearer Plasmaaustrittsöffnung
ATE532203T1 (de) * 2004-08-27 2011-11-15 Fei Co Lokalisierte plasmabehandlung
CN100395371C (zh) * 2005-12-02 2008-06-18 太原理工大学 微波等离子体增强弧辉渗镀涂层的装置及工艺
DE102006037144B4 (de) * 2006-08-09 2010-05-20 Roth & Rau Ag ECR-Plasmaquelle
US20090255808A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Seagate Technology Llc Target for efficient use of precious deposition material
WO2009149563A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Fablab Inc. A system and method for fabricating macroscopic objects, and nano-assembled objects obtained therewith
TWI532414B (zh) 2008-08-04 2016-05-01 Ａｇｃ北美平面玻璃公司 電漿源及使用電漿增強化學氣相沉積以沉積薄膜塗層之方法
US8168268B2 (en) * 2008-12-12 2012-05-01 Ovishinsky Innovation, LLC Thin film deposition via a spatially-coordinated and time-synchronized process
EP2251452B1 (en) 2009-05-13 2018-07-18 SiO2 Medical Products, Inc. Pecvd apparatus for vessel coating
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
CN103459658B (zh) * 2011-01-13 2015-09-23 明尼苏达大学董事会 纳米颗粒沉积系统
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
KR101314666B1 (ko) * 2011-11-28 2013-10-04 최대규 하이브리드 플라즈마 반응기
EP2846755A1 (en) 2012-05-09 2015-03-18 SiO2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US20150297800A1 (en) 2012-07-03 2015-10-22 Sio2 Medical Products, Inc. SiOx BARRIER FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE AND COATING PROCESS
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
EP2925903B1 (en) 2012-11-30 2022-04-13 Si02 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
CN103227090B (zh) * 2013-02-04 2016-04-06 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 一种线性等离子体源
CN105121068A (zh) 2013-02-15 2015-12-02 明尼苏达大学董事会 颗粒功能化
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
WO2014164928A1 (en) 2013-03-11 2014-10-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coated packaging
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9431218B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Tokyo Electron Limited Scalable and uniformity controllable diffusion plasma source
US9427821B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-30 Agilent Technologies, Inc. Integrated magnetron plasma torch, and related methods
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
RU2532779C1 (ru) * 2013-04-19 2014-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ и устройство для ускоренного азотирования деталей машин с использованием импульсов электромагнитного поля
US10167556B2 (en) * 2014-03-14 2019-01-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Apparatus and method for depositing a coating on a substrate at atmospheric pressure
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US9550694B2 (en) * 2014-03-31 2017-01-24 Corning Incorporated Methods and apparatus for material processing using plasma thermal source
US9533909B2 (en) 2014-03-31 2017-01-03 Corning Incorporated Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor
MX2017007357A (es) 2014-12-05 2018-04-24 Agc Flat Glass Na Inc Fuente de plasma utilizando un revestimiento de reduccion de macro-particulas y metodo de uso de una fuente de plasma utilizando un revestimiento de reduccion de macro-particulas para la deposicion de revestimientos de pelicula delgada y modificacion de superficies.
MY192286A (en) 2014-12-05 2022-08-17 Agc Glass Europe S A Hollow cathode plasma source
US20160200618A1 (en) 2015-01-08 2016-07-14 Corning Incorporated Method and apparatus for adding thermal energy to a glass melt
EP4001456A1 (en) 2015-08-18 2022-05-25 SiO2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
TWI615504B (zh) * 2016-09-13 2018-02-21 Zhang yu shun 遠端電漿增強化學氣相沈積系統之電漿產生裝置
EP3309815B1 (de) * 2016-10-12 2019-03-20 Meyer Burger (Germany) AG Plasmabehandlungsvorrichtung mit zwei, miteinander gekoppelten mikrowellenplasmaquellen sowie verfahren zum betreiben einer solchen plasmabehandlungsvorrichtung
SE1651742A1 (en) * 2016-12-27 2018-06-28 Methods and apparatuses for deposition of adherent carbon coatings on insulator surfaces
KR102722787B1 (ko) * 2017-12-04 2024-10-25 포항공과대학교 산학협력단 이중의 고주파수를 이용한 플라즈마의 시스와 벌크의 확장방법
US10714329B2 (en) * 2018-09-28 2020-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pre-clean for contacts
US11120973B2 (en) * 2019-05-10 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus and techniques
TWI801058B (zh) * 2021-12-23 2023-05-01 明遠精密科技股份有限公司 一種複合式電漿源及其運作方法
CN120033048B (zh) * 2025-04-22 2025-07-04 华东师范大学 电离源装置及氢原子钟

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180747A (ja) * 1986-02-03 1987-08-08 Anelva Corp 放電反応装置
JPS63255383A (ja) * 1987-04-13 1988-10-21 Anelva Corp 放電化学反応装置
JPH02149339A (ja) * 1988-11-30 1990-06-07 Toshiba Corp マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0867957A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Nippon Steel Corp 非移行型プラズマ溶射肉盛方法
JPH0891988A (ja) * 1994-09-27 1996-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ化学蒸着装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5279669A (en) * 1991-12-13 1994-01-18 International Business Machines Corporation Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions
JPH07268622A (ja) * 1994-03-01 1995-10-17 Applied Sci & Technol Inc マイクロ波プラズマ付着源
TW285746B (ja) * 1994-10-26 1996-09-11 Matsushita Electric Industrial Co Ltd
DE19505268C2 (de) 1995-02-16 1999-02-18 Fraunhofer Ges Forschung CVD-Verfahren zur Beschichtung von Substratoberflächen

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62180747A (ja) * 1986-02-03 1987-08-08 Anelva Corp 放電反応装置
JPS63255383A (ja) * 1987-04-13 1988-10-21 Anelva Corp 放電化学反応装置
JPH02149339A (ja) * 1988-11-30 1990-06-07 Toshiba Corp マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0867957A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Nippon Steel Corp 非移行型プラズマ溶射肉盛方法
JPH0891988A (ja) * 1994-09-27 1996-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ化学蒸着装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230067185A (ko) * 2021-11-09 2023-05-16 한국핵융합에너지연구원 마이크로웨이브로 확장된 아크 플라즈마 제트 발생기
KR102723043B1 (ko) * 2021-11-09 2024-10-25 한국핵융합에너지연구원 마이크로웨이브로 확장된 아크 플라즈마 제트 발생기

Also Published As

Publication number Publication date
AU1567101A (en) 2001-06-04
EP1236381A1 (en) 2002-09-04
SE9904295L (sv) 2001-05-27
SE521904C2 (sv) 2003-12-16
SE9904295D0 (sv) 1999-11-26
US6899054B1 (en) 2005-05-31
WO2001039560A1 (en) 2001-05-31

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