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JP2003501676A - 電子アセンブリのウェブ・プロセス相互接続 - Google Patents

電子アセンブリのウェブ・プロセス相互接続

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Publication number
JP2003501676A
JP2003501676A JP2000605264A JP2000605264A JP2003501676A JP 2003501676 A JP2003501676 A JP 2003501676A JP 2000605264 A JP2000605264 A JP 2000605264A JP 2000605264 A JP2000605264 A JP 2000605264A JP 2003501676 A JP2003501676 A JP 2003501676A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
flexible layer
layer
blocks
interconnect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000605264A
Other languages
English (en)
Inventor
ジェイコブセン，ジェフリイ・ジェイ
ジェンゲル，グレン・ウィルヘルム
ハドレイ，マーク・エイ
クレイグ，ゴードン・エス・ダブリュ
スミス，ジョン・スティーブン
Original Assignee
エイリアン・テクノロジイ・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイリアン・テクノロジイ・コーポレーション filed Critical エイリアン・テクノロジイ・コーポレーション
Publication of JP2003501676A publication Critical patent/JP2003501676A/ja
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Abstract

(57)【要約】 ディスプレイを形成する機器と方法を特許請求する。本発明の一実施形態は、複数のブロックを基板に堆積することに関しており、堆積された可撓性の層に相互接続が結合されている。本発明の別の実施形態は、回路要素の載った複数の要素を含んでいるスラリを可撓性の層の上に流し、可撓性の層にある凹型領域または穴に滑り込ませて、可撓性の層の長辺に沿ってディスプレイを形成することに関する。次いで相互接続をその上に堆積する。別の実施形態では、相互接続を可撓性の層に配置した後で、複数の要素を含んだスラリが続く。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （背景の情報） １．発明の分野 本発明は、一般に基板に設けた機能ブロックを含む電気アセンブリを製造する
技術分野に関する。
【０００２】 ２．関連技術の説明 種類の異なる様々なアセンブリが、別個に製造され、次いで基板の受け取り部
領域に配置された機能ブロックを含んでいる。この種のアセンブリの１つがディ
スプレイ・パネルである。ディスプレイ・パネルの製造方法は、当技術分野で周
知である。ディスプレイ・パネルは、アクティブ・マトリクスまたはパッシブ・
マトリクスのパネルとして構成することができる。アクティブ・マトリクス型パ
ネルとパッシブ・マトリクス型パネルは、透過型でも反射型でもよい。透過型デ
ィスプレイには、ポリシリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ディスプレイ、およ
び高解像度ポリシリコン・ディスプレイが含まれる。反射型ディスプレイは、一
般に反射型ピクセルを有する単結晶シリコン集積回路基板を備える。
【０００３】 液晶、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料、有機発光ダイオード（ＯＬＥ
Ｄ）、アップコンバージョンおよびダウンコンバージョン蛍光体（Ｕ／ＤＣＰ）
、電気泳動（ＥＰ）材料、または発光ダイオード（ＬＥＤ）をフラットパネル・
ディスプレイ・パネルの製造に使用することができる。これらは当技術分野で周
知であるが、次に簡単に説明する。
【０００４】 液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、薄膜トランジスタがＬＣＤピクセルと並存す
るアクティブ・マトリクスのバックプレーンを有することができる。ＬＣＤを使
用するフラットパネル・ディスプレイは一般に、５つの異なる要素または層、す
なわち白色またはシーケンシャルな赤、緑、青の光源、ＴＦＴを配列してピクセ
ルを構成した回路パネルの片側に取り付けられた第１偏光フィルタ、ピクセルに
配置した少なくとも３原色を含むフィルタ・プレート、及び第２偏光フィルタを
含む。回路パネルとフィルタ・プレートの間のボリュームに液晶材料が充填され
ている。この材料は、回路パネルとフィルタ・プレートまたはカバー・ガラスに
固定された透明な接地電極との間に電界が加えられると、偏光を回転させる。そ
のため、ディスプレイの特定のピクセルをターン・オンすると、第２偏光フィル
タを通過するように液晶材料を透過した偏光をその液晶材料が回転させる。ただ
し、一部の液晶材料は偏光子を必要としない。ＬＣＤは、通常、液晶材料をはさ
んだ２枚の帯状電極であるパッシブ・マトリクス型バックプレーンを有してもよ
い。しかし、パッシブ・マトリクスは一般に、アクティブ・マトリクスに比べて
表示の品質が低い。Ｕ／ＤＣＰおよびＥＰのディスプレイも、アクティブ媒体が
異なる（たとえば、アップコンバージョン・ガス、ダウンコンバージョン・ガス
、電気泳動材料）ことを別にすれば、同様な方法で形成する。
【０００５】 ＥＬディスプレイには、交流（ＡＣ）が通電される１つまたは複数のピクセル
があり、この交流は行と列が相互接続された各ピクセルに供給される。ＥＬディ
スプレイは一般に低輝度出力を有するが、これはピクセルの蛍光体を励起させる
受動回路が、蛍光体材料の輝度減衰時間に対して低いピクセル励起周波数で動作
するためである。しかし、アクティブ・マトリクスでは相互接続のキャパシタン
スが下がるので、ピクセル蛍光体のエレクトロルミネッセンスを効率的に得るた
めに高い周波数の交流が利用できる。その結果、ディスプレイの輝度が増す。
【０００６】 ＬＥＤディスプレイもまたフラットパネル・ディスプレイに使用される。ＬＥ
Ｄは、通電すると光を放つ。ＯＬＥＤもＬＥＤと同じように動作するが、ＯＬＥ
Ｄはダイオードの形成に有機材料を使用する点が異なる。
【０００７】 使用するアクティブ媒体の種類にかかわらず、ディスプレイは一般に、少なく
とも基板とバックプレーンで構成される。バックプレーンはディスプレイの電気
的な相互接続を形成し、少なくともバックプレーンの一部の実施形態は、電極、
コンデンサ、トランジスタを備えている。
【０００８】 図１Ａは、アクティブ・マトリクス型ディスプレイのバックプレーン１０が剛
性基板１２に結合された剛性ディスプレイ・デバイスを示す。典型的なアクティ
ブ・マトリクス型ディスプレイのバックプレーンも剛性である。図１Ｂは、別の
剛性ディスプレイを示す。ここでは、アクティブ・マトリクス型ディスプレイの
バックプレーン１０が剛性基板１２（たとえば、ガラス）に結合される。また、
複数のブロック１４も示されている。これらのブロックは、別個に作成してから
、フルーイディック・セルフ・アセンブリ（ＦＳＡ）という方法によって基板１
２の穴に配置させることができる。この方法の一例は、米国特許第５，５４５，
２９１号に記載されている。これらのブロックは、それぞれピクセル電極を駆動
するドライバ回路（たとえば、ＭＯＳＦＥＴおよびキャパシタ）を含むことがで
きる。アクティブ・マトリクスのバックプレーンは、透明なピクセル電極、およ
びブロック１４を電気的に相互接続するための行／列の相互接続（図示せず）を
含む。複数のブロック１４は、アクティブ・マトリクス型ディスプレイのバック
プレーン１０および剛性基板１２に結合される。図１Ｃは、剛性基板１２に結合
された反射型ディスプレイ１６を示す。図１Ｄは、剛性基板１２に結合された反
射型ディスプレイ１６を示す。複数のブロック１４が反射型ディスプレイ１６お
よび剛性基板１２に結合される。
【０００９】 ピクセル・ドライバなどの要素を剛性基板上に配置することは周知である。従
来の技法は、一般に決定論的方法とランダム法の２種類に分けることができる。
ピック・アンド・プレースなどの決定論的方法は、ヒトまたはロボットのアーム
を使用して各要素を拾い上げ、異なる基板内の対応する場所にそれを配置する。
ピック・アンド・プレース法は一般に１つずつデバイスを配置するので、アクテ
ィブ・マトリクス型液晶ディスプレイなどの大規模アレイに必要とされるような
非常に小型の要素や数の多い要素には一般に適用されない。
【００１０】 ランダム配置技法は、配置する要素が適切な形状である場合にはさらに効果的
であり、高い収量が得られる。米国特許第５，５４５，２９１号は、ランダム配
置を使用する方法を記載している。この方法では、流体輸送によって異なる基板
上に微細構造を組み立てる。これはフルーイディック・セルフ・アセンブリと呼
ばれることもある。この技法を使用すると、それぞれに機能構成要素が含まれる
様々なブロックを１枚の基板上で製作した後で、その基板から分離して、ＦＳＡ
プロセスによって別の剛性基板上に組み立てることができる。基板の受け取り部
領域上に収容させるブロックは、ＬＥＤ、ピクセル・ドライバ、センサなどの多
数の異なる機能構成要素をいくつでも含むことができる。特定の種類のブロック
とその機能構成要素の一例は、発明者Ｊｏｈｎ Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｓｍｉｔｈの
１９９９年２月１６日出願の「Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｄｉｅ」という名称の同時係属の米
国特許出願第０９／２５１，２２０号に記載されている。この出願を参照により
本明細書の一部とする。
【００１１】 上記で指摘したように、図１Ｂおよび１Ｄは、ブロック１４を剛性基板１２に
設けたディスプレイ基板１２を示す。これらのブロック１４は、ＦＳＡプロセス
によって収容させることもできる。ＦＳＡプロセスでは、ブロック１４を含んだ
スラリを剛性基板１２の上に堆積させると、ブロック１４が基板１２の対応する
開口内に落ち着く。
【００１２】 図２は、ブロック１４と、ブロック１４の上面１８上の回路要素（図示せず）
を示す。一般にブロック１４は、ブロックの上部がブロック１４の下部よりも広
い台形の断面を有する。
【００１３】 図３は、剛性基板１２の凹型領域内のブロック１４を示す。ブロック１４と剛
性基板の間には共晶層１３がある。ブロック１４は上面１８を有する。
【００１４】 図４は、剛性ディスプレイのバックプレーンに結合された剛性基板の二次元側
面図であり、ディスプレイのバックプレーン３０と基板１２の間に複数のブロッ
クがある。この複数のブロックは、機能的にディスプレイのバックプレーン３０
の一部であり、基板１２の受け取り部領域に収容される。各ブロックは、少なく
とも１つの透明なピクセル電極を駆動する。ピクセル電極は、ブロック内に製作
したトランジスタの上に形成される。
【００１５】 図５は、アクティブ・マトリクス型ディスプレイのバックプレーン内にあるア
レイの一部を示す。このデバイスの制御線の行３１および３２は、行に沿ってゲ
ート電極に結合され、制御線の列３４および３５は、ピクセル電極に印加される
ピクセル電圧を供給するデータ・ドライバに結合している。列の線３４は、電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）３６のソース電極に接続される。別の列線３５は、
ＦＥＴ３７のソース電極に結合している。行線３２は、ＦＥＴ３６および３７両
方のゲートに結合している。ＦＥＴ３６のドレインは、コンデンサ３８を介して
、行３２に沿ってＦＥＴ３６および３７によって形成される透明なピクセル電極
に結合し、ＦＥＴ３７のドレインは、コンデンサを介して、行に沿った別のピク
セル電極に結合している。典型的な一例では、バックプレーンはＦＳＡ技法を使
用して剛性基板（たとえば、ガラス）にブロックを収容させることによって形成
できる。各ブロックはＦＥＴおよびコンデンサを備え、剛性基板に形成された列
導体および行導体によって他のブロックに相互接続し、コンデンサは剛性基板上
に形成された別の導体によってピクセル電極に結合している。アクティブ媒体（
たとえば、液晶）を少なくともピクセル電極に付着させる。ピクセル電極は、そ
れが発生する電圧または電流の組み合わせに応答してアクティブ媒体の特性を光
学的に変化させる。所与のピクセル電極４２にあるアクティブ媒体は、ディスプ
レイの碁盤状マトリックス行列全体の中で方形または点として見える。ＦＥＴお
よびピクセル電極４２の実際寸法は、原寸に比例して示されておらず、例示のた
めに概略的に示したものである。
【００１６】 関連技術に関しては、いくつかの短所がある。可撓性ディスプレイの表示解像
力は、可撓性基板に配置された相互接続の量によって制限される。相互接続を非
常に多くして電流のコンダクタンスを高めると、プラスチック製の基板を損なう
ことがある。それゆえに、大量のウェブ・プロセス相互接続をディスプレイで使
用して、解像力を高める一方、可撓性基板（たとえば、プラスチック基板）が相
互接続によって損なわれる問題を回避することが望ましい。
【００１７】 （発明の簡単な概要） 本発明は、電気相互接続のあるアセンブリを作成する機器および方法を提供す
る。複数のブロックは基板上に堆積させる。相互接続層は、基板に結合している
可撓層上に配置する。
【００１８】 本発明の例としてアセンブリ用の構成要素のアレイ（たとえば、ディスプレイ
構成要素）について述べてきたが、Ｘ線検出器、レーダ検出器、マイクロ−エレ
クトロ−メカニカル構造要素（ＭＥＭＳ）、または一般にセンサあるいはアクチ
ュエータのアセンブリや回路要素のアセンブリなどの他のアセンブリ用アレイも
また、特許請求された発明を使用して製作できる。したがって、たとえば可撓性
アンテナ、その他のセンサ、検出器、または回路要素のアレイは、本発明の一実
施態様を使用して製造できる。本発明のその他の態様と方法、ならびにこれらの
方法を使って形成される機器は、さらに以下の図と併せて次に記載する。
【００１９】 本発明を例示のために示す。本発明は、似たような引例が類似の要素を示して
いる添付の図面の図に限らない。図の要素が原寸に比例して示されていないこと
にも留意されたい。
【００２０】 （詳細な説明） 本発明は、基板を有するアセンブリを形成する機器と方法に関する。以下の記
述と図面は本発明の例示であり、発明を限定するものとは解釈しない。
【００２１】 一実施形態には、相互接続を堆積させた複数のブロックを有するウェブ材料を
備え、このウェブ材料は、後で任意選択で基板と結合される。これらのディスプ
レイは、アクティブ・マトリクス型ディスプレイ・デバイスまたはパッシブ・マ
トリクス型ディスプレイとして製造することができる。これらの可撓性ディスプ
レイは、剛性物にも可撓性物にも、および表面の平坦でない物体にも適合させら
れる。本発明の別の実施形態は、ウェブ材料上に堆積した後で、回路要素の載っ
たブロックをウェブ材料内の凹型領域または穴に収納した相互接続に関する。本
発明の別の実施形態は、多数の可撓性ディスプレイが形成された連続する可撓性
基板にブロックを有するウェブ材料を結合させることを含む。この多数の可撓性
ディスプレイは、同じ大きさでも異なる大きさでもよい。これらのディスプレイ
は、基板がウェブ・プロセス機器を通って進むにつれて１枚ずつ分離される。デ
ィスプレイのバックプレーンは、各ブロックが回路要素を有している複数のブロ
ックで構成することができる。ブロックは、可撓性基板上に堆積されたスラリに
包含されている。ブロックは、単結晶シリコン、またはブロックを剛性化するそ
の他の同等な材料で構成することができるが、これらのブロックの寸法（５０×
１００ミクロンまたは１００×１００ミクロン）が可撓性基板に比べて小さいた
め、基板はなおも可撓性であることができる。可撓性基板は、ディスプレイのバ
ックプレーンの一部を形成する。可撓性ディスプレイは、アクティブ・マトリク
ス型ディスプレイでもパッシブ・マトリクス型ディスプレイでもよい。
【００２２】 本発明の別の実施形態は、相互接続を堆積したテープを有する反射型ディスプ
レイ用バックプレーンのある可撓性基板に関する。
【００２３】 基板上に微細構造を組み立てる方法を述べた米国特許第５，５４５，２９１号
を参照により組み込む。この方法はＦＳＡ（フルーイディック・セルフ・アセン
ブリ）と称することがあり、この方法をウェブ材料で実行することができる。本
発明のある実施形態では、ウェブ材料がウェブ・プロセス機器を通って進む。Ｆ
ＳＡプロセスはウェブ材料上に複数のブロックを堆積させ、このときブロックは
、ウェブ材料にある凹型領域の中に入る。次いでウェブ材料は、さらに相互接続
層を堆積するプロセス地点へ進む。一実施形態では、相互接続に多層相互接続を
実現するための誘電体層を含む。ウェブ材料が進むうちに、ディスプレイ用テー
プは、ウェブ材料がディスプレイ用テープと結合される地点に進む。次いでこの
アセンブリは、可撓性基板または剛性基板に結合される（あるいは基板を必要と
しない）。
【００２４】 結合する前に、ある実施形態では、相互接続のパターンをバックプレーンの形
成に使用するウェブ材料上に配置する。次いで表示材料をディスプレイ用テープ
上に堆積させる。表示材料は、コレステリック液晶、ポリマー分散液晶、または
その他の種類の材料でよい。表示材料は、ディスプレイ用テープに積層またはパ
ターン付けする。ディスプレイ用テープは電気相互接続（たとえば、カバー「ガ
ラス」電極）を含むこともでき、この相互接続は、表示材料上に堆積および／ま
たはエッチングすることができる。これは、レーザ・エッチング、インク・ジェ
ット、スクリーン印刷、堆積、紫外線（ＵＶ）、またはリソグラフィおよびエッ
チングを使用して行う。
【００２５】 本発明のある実施形態のような連続工程は、生産するフラットパネル・ディス
プレイの数量を増やせる利点と、それによってディスプレイの製造コストが削減
される利点がある。目的物の回路要素付きのブロックをウェブ・プロセス材料上
に配置する決定論的方法（たとえば、「ピック・アンド・プレース」）を併用し
たＦＳＡも開示する。本発明のこの態様では、ウェブ材料の凹型領域が空きの領
域かどうかを検査する。ウェブ材料に空きの凹型領域がある場合は、物体がロボ
ットで空きの凹型領域に配置される。ウェブ材料の空きの凹型領域にロボットで
物体を配置することから得られる利点は、全体的な効果とディスプレイの品質が
高まることである。
【００２６】 以下の記述では、本発明を十分に理解してもらうため、特定の材料、加工パラ
メータ、加工ステップなどの多数の具体的な詳細を示す。特許請求された発明を
実践するためであっても、特にこれらの詳細に固執する必要はないことを当業者
なら理解するであろう。別の事例では、本発明をあいまいにしないため、周知の
加工ステップ、材料などは示さない。
【００２７】 図７Ａから７Ｆは、ブロックをウェブ材料に配置した後に単層または多層の相
互接続が続く本発明の一実施形態を示す。図７Ａは、可撓性ウェブ材料でもよい
基板５９を示す。図７Ｂは、凹型領域または穴を有するウェブ材料５９の二次元
側面図を示す。これらの凹型領域または穴は、様々な方法で作成できる。たとえ
ば、Ｊｅｆｆｒｅｙ Ｊａｙ Ｊａｃｏｂｓｅｎの「Ａｐｐａｒａｔｕｓｅｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ａｓｓｅｍｂｌｉｅｓ」（
整理番号００３４２４．Ｐ０１６）という名称の米国特許出願に記載されている
突出構造を有するウェブ・ホイール、ローラ、テンプレートによって作成できる
。穴は円形でよいが、ウェブ材料を小片として切り離さない。別の方法は、ブロ
ックを有するテンプレートを使用し、ブロックをウェブ材料５９に押し込んで、
ウェブ材料５９に凹型領域または穴を作ることを含む（ドナー転写法について述
べた「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ Ｅｌｅｍｅｎｔｓ
Ｆｒｏｍ ａ Ｔｅｍｐｌａｔｅ ｔｏ ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ」（整理番
号００３４２４．Ｐ００９）という名称の米国特許出願参照）。図７Ｃは、ブロ
ックが凹型領域または穴に収納されたウェブ材料５９の二次元側面図を示す。ブ
ロック１４は、画像要素（図示せず）を駆動するアクティブ回路要素（図示せず
）を備える。穴は、これを使用して、穴の中の導体を介してウェブ材料の片側か
ら反対側へ電気相互接続を形成することができる。
【００２８】 図７Ｄは、電気相互接続がウェブ材料５９上に堆積されたウェブ材料５９の二
次元側面図を示す。相互接続は、導電性ポリマー、金属（たとえば、アルミニウ
ム、銅、銀、金など）、金属粉、導電性有機化合物、または導電性酸化物で構成
できる。半導体業界のテープ・オートメーテッド・ボンディング（ＴＡＢ）テー
プの作成に使用する技法を使用して、可撓性相互接続層を作成することができる
。相互接続を堆積させる多数の方法を次に詳しく記載する。相互接続は、これを
パターン付けして、アクティブ・マトリクス型ディスプレイ用バックプレーンの
行および／または列の相互接続などの複雑な配線パターンを作成できる。
【００２９】 一般にロール・プロセスを伴うウェブは２５：１以上（長さ対幅）などの非常
に高いアスペクト比の可撓性シートであることに留意されたい。たとえば、広げ
た場合のペーパー・タオルのロールはウェブ形態にあるといい、ウェブ・プロセ
スという周知の方法で製造される。ウェブが巻かれているとロール形態になる。
【００３０】 図７Ｅは、相互接続６５が堆積された状態のウェブ材料５９を示す。図７Ｆは
、図７Ｅの相互接続６５が基板５０に面している状態のウェブ材料５９を示す。
図７Ｇは、相互接続６５が図７Ｆの基板５０に結合された状態のウェブ材料５９
を示す。図７Ｈは、ウェブ材料にある凹型領域または穴にブロックが置かれたウ
ェブ材料を示す。薄いポリマー層が、ウェブ材料およびブロックの上部に堆積さ
れる。このポリマー層は、厚さが１ミクロン〜５ミクロンの範囲とすることがで
きる。これに対して相互接続層は、厚さが１，０００オングストローム〜１ミク
ロンの範囲になる。一実施形態では、ポリマー層を介してビアを形成し、アルミ
ニウム合金などの導電性材料をビア内に形成して、ブロックを相互接続に接続す
る。
【００３１】 相互接続パターン（たとえば、図５の行および列）は、多数の可撓性テープ層
、または可撓性テープ上に（導電性の層の間に誘電体層を設けて）多数の相互接
続層を必要とすることがあることを理解されたい。１つの層から次の層への信号
は、一般に層内のビアを介して伝送される。さらに、上部相互接続層は一般に、
外部回路を結合できるコンタクト・パッドを備える。二次元側面図の多くは、存
在する可能性のある実際の電気相互接続パターンの代表（または例示）ではない
ことも理解されたい。実際のパターンは応用例に応じて決まる。図７Ｉおよび７
Ｊは、可撓性ウェブ・テープ材料などの可撓性相互接続層上に作成される可能性
がある実際の電気パターンの一例を示す。可撓性相互接続層１００１は、導電性
のある相互接続層を保持するように設計されたウェブ・テープ材料に適する多種
の材料の１つで作成できる。これらの材料は、導電性微量金属を堆積したポリイ
ミド・テープを含む。この金属は、（たとえば、ブランケット堆積によって）テ
ープ上に直接堆積させ、次いでエッチングによってパターン付けすることもでき
、あるいはフォトレジスト層を付着させてパターン付けして、金属を堆積できる
溝を残すこともできる。図７Ｉは、その上に複数の行相互接続を作成する可撓性
相互接続層１００１の二次元上面図を示す。これらの行相互接続は、図５の行相
互接続（たとえば、３１および３２）と電気的に同等である。行相互接続部１０
０２ａまたは１００２ｂまたは１００２ｎなどの各行相互接続は、コンタクト・
パッド１００４などの、行沿いのすべてのコンタクト・パッドに行信号を供給す
るために使用される端子１００３ａまたは端子１００３ｂまたは端子１００３ｎ
などの端子を含む。相互接続層１００１がアクティブ・マトリックス液晶ディス
プレイのバックプレーンに使用される一実施形態では、コンタクト・パッドが、
ディスプレイの行に沿ったＦＥＴ（たとえば、ＦＥＴ３６およびＦＥＴ３７）の
ゲートに結合され、これらのＦＥＴは、ＦＳＡプロセスによって基板５９などの
基板に収容されたブロック（たとえば、ブロック１４）に設けられることが理解
されよう。この実施形態では、各ブロックは一般に、液晶ディスプレイ内の特定
のピクセル用のピクセル駆動回路を含み、可撓性相互接続テープ１００１は、行
に沿った各ブロックのＦＥＴのゲートに電気的な相互接続をしていることが理解
されよう。テープ１００１の相互接続材料は、ブロック上のコンタクト・パッド
に直接接続することもできるが、あるいは可撓性相互接続テープ１００１とブロ
ック１４の間にはさまれているテープのビアを介して電気的に貫通接続すること
もできる。テープは、それを作成した後、基板上の構成要素を電気的に相互接続
するために基板（または基板上の別のテープ）に貼付することもできる。テープ
は、別のテープのトレースに電気的に接続することもできる。可撓性相互接続層
１００１は、ウェブ・プロセスで製作してから、ウェブ・プロセスでもウェブ・
プロセスの外部でもよいが、ブロック１４を有する基板に位置合わせできること
が理解されよう。さらに、基板は剛性（また、ウェブ・プロセスで製作しないも
の）でもよいが、あるいは基板を可撓性とし、ウェブ・プロセスでも作成できる
ことが理解されよう。別の相互接続テープに相対して、または相互接続テープが
基板または別の相互接続テープ結合されている場合は、ブロックのある基板に相
対して相互接続テープを適正に位置合わせするためには、従来技法を使用した位
置合わせ操作が必要な場合があることも理解されよう。
【００３２】 図７Ｊは、図７Ｉのテープ１００１の断面を、図７Ｉに示す線７Ｊ−７Ｊ沿い
に取ったテープ１００１の断面図を示す。図７Ｊに示すとおり、行相互接続１０
０２ａ、１００２ｂおよび１００２ｎなどの複数の行相互接続が、可撓性相互接
続層１００１の本体１０１０に取り付けられた誘電体層１０１１内に形成されて
いる。誘電体層１０１１は、行相互接続を電気的に絶縁し、フラットな平面を得
る働きをしている。あるいは、行相互接続は、それが表面から突出するように本
体１０１０の表面に形成することができる。誘電体層は、パターン付けしたフォ
トレジストで行相互接続用の溝を作成してから、溝に堆積して形成することもで
きる。ビア１００９を図７Ｊの本体１０１０内に示している。このビアは図７Ｉ
の線７Ｊ−７Ｊでの断面にはなく、この断面の奥にこのビアがあるため、破線で
図示されている。このビア１００９は、テープの本体１０１０の片側にある行相
互接続１００２ａからテープの本体１０１０の反対側への電気相互接続用の開口
部となっている。ビア１００９内の導電性のポストは、行相互接続１００２ａに
電気的に結合している端子１００３ａとなっている。同様に、各行相互接続は、
ポストから、テープ１００１の本体１０１０を介して行相互接続に行選択信号を
供給するため、ビア内（図示せず）のポストに結合される。
【００３３】 図８Ａから８Ｄは、まず相互接続を可撓性ウェブ材料に堆積した後でブロック
を収容する本発明の別の実施形態を示す。図８Ａは、ウェブ材料５９の二次元側
面図を示す。図８Ｂは、ウェブ材料５９の凹型領域を示す。図８Ｃは、ウェブ材
料５９上に堆積した全体の相互接続を示す。図８Ｄは、グロス相互接続層の上に
ファイン相互接続の層が堆積された図８Ｃのデバイスを示す。誘電体層によって
ファイン相互接続とグロス相互接続が電気的に絶縁されるように分離することも
できる。一部の実施形態では、ブロックを収容する前に、ウェブ材料上に相互接
続層を１層だけ堆積する。図８Ｅは、ウェブ材料５９に結合された相互接続上に
（たとえば、ＦＳＡプロセスによって）配置した複数のブロックを示す。好まし
い実施形態は、最初にウェブ材料（または基板）上にグロス相互接続を堆積する
ことであるが、別の実施形態は、まずファイン相互接続を配置した後で、ウェブ
材料（または基板）上にグロス相互接続を配置する。図８Ａから８Ｅの側面図は
、このファインおよびグロス導電性相互接続層（たとえば、パターン付きトレー
ス）が重なっているために電気的接触をしているように見えることを示すが、必
ずしも重なり合って電気的接触をするとは限らず、そうならないことも多い。そ
れどころか、まずグロス相互接続層を堆積して第１パターンを作成して（可撓性
基板５９上にトレースを作成し）、次いでファイン相互接続層を堆積して第２パ
ターンを作成すると、２つのパターンのトレースは電気回路に必要とされるある
地点で相互接続できる。したがって、図８Ａから８Ｅの図は、２つの層が電気的
に接触する箇所では通常重なり合うが、必ずしも２つの相互接続層が重なり合っ
ていることを表してはいないことが理解されよう。図８Ａから図８Ｅの実施形態
で、単層の相互接続層を使用できることも理解されよう。グロス相互接続とファ
イン相互接続という用語は、２種の相互接続のトレースの線幅および／または間
隔および／またはトレースのピッチの違いを指すことが理解されよう。一般にフ
ァイン相互接続のトレースのほうがグロス相互接続のトレースよりも線幅が細く
、間隔が狭い（ピッチが狭い）。ファイン相互接続は、これを使用して基板上の
ブロック１４内の小さいデバイス（たとえば、小さいＦＥＴ）を接続できる一方
、グロス相互接続は、大きいデバイスや導電性要素（たとえば、ピクセル電極）
を接続するために使用できる。図８Ｆは、可撓性ウェブ材料５９の凹型領域内に
堆積された相互接続層の凹型領域に、（たとえば、ＦＳＡプロセスによって）ブ
ロックを収納したアセンブリの一例を示す。基板は、ブロックおよび相互接続層
の上に任意選択で配置する。
【００３４】 図９Ａから９Ｆは、ウェブ材料上にブロックを配置した後に、単層または多層
の相互接続層を配置した本発明の一実施形態を示す。図９Ａは、ウェブ材料５９
の二次元側面図を示す。図９Ｂは、凹型領域または穴を有するウェブ材料５９の
二次元側面図を示す。これらの凹型領域または穴は、様々な方法によって作成で
きる。図９Ｃは、凹型領域または穴にブロックが収納されたウェブ材料５９の二
次元側面図を示す。このブロックは、一実施形態では、画像要素（図示せず）を
駆動するアクティブ回路要素（図示せず）を備える。図９Ｄは、相互接続がウェ
ブ材料５９に堆積された図９Ｃのウェブ材料５９の二次元側面図を示す。この相
互接続６５は、銅、アルミニウム、または上記のその他の導電性材料で構成する
ことができる。相互接続を堆積させる多数の方法を次に詳しく記載する。ファイ
ン相互接続が示されているが、グロス相互接続をファイン相互接続の場所に使用
することや、ウェブ材料上にグロス相互接続を堆積した後で、それに続く誘電体
層と、さらにそれに続くファイン相互接続を堆積することも可能である。
【００３５】 図１０は、本発明の実施形態に従って、可撓性基板７０Ａの長辺に沿って可撓
性ディスプレイを組み立てる一方法を示す。まず、ブロックを可撓性基板の開口
部内に組み立てる。ＦＳＡプロセスを使用して複数のブロックをスラリで堆積す
ると、ブロックが基板の凹型領域に入る。基板へブロックを収容したアセンブリ
を平坦化するのが、次の操作７２になる。押出棒コーティングは、ウェブ材料を
平坦化するのに使用できる多数の方法の１つである。次いでブロックは、操作７
４で可撓性相互接続層を使用して電気的に相互接続できる。次いでディスプレイ
は、操作７６で基板に結合できる。ディスプレイは、操作７８で目的物の形状に
合わせることができる。ディスプレイを形成する操作は、図１０に示された順番
と異なる順番で行うこともできるため、操作７８を操作８０の後で行ってもよい
。表示発生基板（たとえば、ＰＤＬＣ層）は、操作８０でアクティブ・マトリク
ス用バックプレーンに結合する。
【００３６】 図１１は、ウェブ・プロセスの場合のように可撓性基板に多数のディスプレイ
を製造する方法を示す。多数のディスプレイ構成要素は、操作２００で可撓性基
板に作成する。相互接続はウェブ材料上に堆積される。相互接続は、スクリーン
印刷、レーザ・エッチング、容器からの表示材料の滴下などの様々な方法によっ
て堆積できる。可撓性基板は、操作２０２で基板上の第２領域へ進む。新しいデ
ィスプレイ構成要素は、操作２０６で可撓性基板を機器のウェブ工程に通し、操
作２０８で表示材料を基板に結合することによって、可撓性基板上で操作２０４
の基板の異なる領域に作成する。ディスプレイ・パネルの分離は、操作２１０の
加工終了時に行う。
【００３７】 図１２Ａから１２Ｂは、反射型ディスプレイを組み立てる本発明の別の実施形
態を示す。図１２Ａは、可撓性反射型ディスプレイを示す。ブロック１４は、基
板５９、および可撓性相互接続層１２４５と１２４８に結合される。図８Ｄの場
合と同様に、層１２４５と１２４８は、電気的な相互接続にとって望ましい箇所
を除き、図１２Ａに示すように重なり合っている必要はない。可撓性基板５９に
は、可撓性反射板１２４７が結合している。図１２Ｂは、凹型領域が反射性材料
１２６４を含む可撓性反射型ディスプレイを示す。可撓性相互接続層１２４５は
、複数のブロックと基板５９との間に配置できることに留意されたい。相互接続
は微細でも粗でも、あるいは両方でもよい。
【００３８】 図１３は、基板５０と他の基板が加工されて、後で結合されるディスプレイ・
デバイスの製造方法を示す。ここでは、基板５０は操作５００で工程ラインに沿
って進む。複数のブロックを含んだスラリが操作５０２で基板上に塗布される。
複数のブロックを含んだ第２スラリがさらに基板上に塗布される。余分なスラリ
は容器に回収してリサイクルする。ブロックは、基板の凹型領域に入る。操作５
０４で接着剤およびスペーサが基板上に堆積される。表示材料は、操作５０８で
基板上に配置される。この材料は、ポリマー分散液晶、コレステリック液晶、電
気泳動液晶、アップコンバージョン蛍光体、またはダウンコンバージョン蛍光体
を含むことができる。
【００３９】 図１４は、ウェブ材料１２０とディスプレイ・テープ１６０が別々に加工され
、後で結合されるディスプレイ・デバイスの製造方法全体を示す。ここでは、ウ
ェブ材料は最初の工程ラインに沿って進み、第１組のサポート・メンバ１２２を
通る。複数のブロックを含んだ第１スラリ１２４が基板上に塗布される。複数の
ブロックを含んだ第２スラリ１２６がさらに基板上に塗布される。余分なスラリ
は容器１２８に回収してリサイクルする。ブロックが基板の凹型領域に入る。基
板１２０は、第２組のサポート・メンバ１３０を通る。次いで相互接続１３２が
基板１２０上に堆積される。一実施形態では、相互接続が可撓性テープ、すなわ
ち別のウェブ・プロセスで作成され、そこでこのテープが基板１２０に接合され
る可撓性テープでもよい。基板は次に１３４地点へ進む。この工程に加えて、デ
ィスプレイ・テープ１６０は別に工程される。表示材料は、ディスプレイ・テー
プ１６０の少なくとも片側に配置される。ディスプレイ・テープ１６０は、第１
組のサポート・メンバ１６４を通る。表示材料は、１６８地点でパターン付けま
たは積層される。この表示材料は、ポリマー分散液晶、コレステリック液晶、電
気泳動液晶、アップコンバージョン蛍光体、またはダウンコンバージョン蛍光体
を含むことができる。ディスプレイ・テープ１６０は、第２組のサポート・メン
バ１７０を通る。相互接続１７２は、ディスプレイ・テープ１６０上へ堆積また
はエッチングされる。次いでディスプレイ・テープは、基板にディスプレイ・テ
ープを結合する１３４地点へ進む。このアセンブリ（加工された基板１２０とデ
ィスプレイ・テープ１６０の組み合わせ）は、剛性基板または可撓性基板に結合
される。コンベヤ・ベルト１７４は、サポート・メンバを囲む。
【００４０】 図１５は、ＦＳＡプロセスを基板に適用した後で、基板上に物体をピック・ア
ンド・プレースする方法に関する。複数の物体を含んだスラリを操作９０で基板
上に塗布する。物体は基板の凹型領域に入る。余分なスラリは、操作９１で回収
してリサイクルする。基板は、操作９２で空きの凹型領域がないかを検査する。
この検査は、基板を表示するカメラで行う。操作９４で、基板に見つかった空き
領域に物体がロボットで配置される。金属化材料を基板表面の少なくとも１つに
配置し、操作９６でパターン付けまたはエッチングする。このディスプレイ・テ
ープは、操作９８で基板に結合される。
【００４１】 図１６は、本発明のインライン・プロセス全体の実施形態を示す。ウェブ機器
の機械１１９は、基板の加工に使用する。操作１２０で材料が広げられ、基板に
アパーチャが作成される。これらのアパーチャは数多くの方法で作成できる。た
とえば、基板にアパーチャを打ち抜くことができる。別の方法は、テンプレート
を使用してアパーチャを作成することを含む。レーザを使用してアパーチャを作
成することもできる。基板は複数のサポート・メンバ１２２を通る。ＦＳＡプロ
セスをウェブ材料に適用する。ＦＳＡは、複数の機能ブロックを含んだスラリを
含む。これらのブロックは、一実施形態では、画像要素（図示せず）を駆動する
回路要素（図示せず）を有する。ＦＳＡプロセスはブロック１２４で行う。次い
でさらに１２６でも適用する。余分なスラリは、容器１２８に回収する。次いで
基板はサポート・メンバ１３０を通る。基板は次いで、可撓性基板１３２の上部
に相互接続１３１が堆積される。得られた可撓性基板は、ガイド・メンバを通っ
て１３４地点で交わり、ここでは、一実施形態では可撓性基板であるディスプレ
イ・テープ、すなわち、それぞれがこの可撓性基板の表示材料を有する別個の領
域を含んだ、可撓性基板であるディスプレイ・テープと結合される。本工程のう
ち異なる部分は、ディスプレイ・テープ１６０を含む。ディスプレイ・テープを
基板に結合する前に、ディスプレイ・テープは、次に記載する独自の別個の工程
を通る。
【００４２】 ディスプレイ・テープは、少なくともディスプレイ・テープの片側に表示材料
１６２が堆積される。表示材料をディスプレイ・テープ上に堆積できる様々な方
法がある。たとえば、表示材料をディスプレイ・テープ上に吹き付けることがで
き、表示材料をディスプレイ・テープの上でスクリーン上に配置することもでき
るが、あるいは表示材料の入った容器の中にディスプレイ・テープを配置するこ
ともできる。ディスプレイ・テープはサポート・メンバ１６４を通る。ディスプ
レイ・テープは次いで、１６８で表示材料がディスプレイ・テープ上で積層また
はパターン付けされる。次いでこのディスプレイ・テープは、別の複数のサポー
ト・メンバ１７０を通る。次いで、大面積の金属相互接続がディスプレイ・テー
プ１７２上へ堆積またはエッチングされる。これは、インク・ジェット、リソグ
ラフィおよびエッチング、スクリーン印刷、レーザ・エッチング、または堆積に
よって行うことができる。本発明の一実施形態では、この大型相互接続がカバー
・ガラス電極である。１３４地点では、ディスプレイ・テープが基板に結合され
る。
【００４３】 図１７は、スクリーン１８０を介してディスプレイ・テープ１６８上に配置さ
れた表示材料を示す。スクリーン１８０は、スクリーン１８０を貫通する穴によ
って作成される所望のパターンを有する。この所望のパターンは、顧客が指図す
ることも製造者が指図することもできる。
【００４４】 表示材料をディスプレイ・テープ上に配置する別の方法を図１８に示す。図１
８は、ディスプレイ・テープ１６８上でレーザ・エッチングされた表示材料の上
面図を示す。エッチングは、レーザ１８２からの高輝度光線がディスプレイ・テ
ープ１６８の上部の表示材料に当たったときに行われる。パターンは、レーザ１
８２によって表示材料に作成される。
【００４５】 表示材料を堆積する別の方法を図１９に示す。図１９は、表示材料にパターン
付けするのに使用されるリソグラフィを示す。リソグラフィは、ブロック１８３
の底面にパターンの刻まれたブロック１８３を使用することを含む。ブロック１
８３の底面は表示材料に接する。
【００４６】 図２０は、表示材料をディスプレイ・テープ上に堆積する別の方法を示す。こ
こでは、表示材料があるパターンでディスプレイ・テープ１６８上に堆積される
。表示材料は、表示材料の入った容器１８４によって堆積する。容器１８４は、
ディスプレイ・テープ１６８の上に配置する。表示材料は、あるパターンでディ
スプレイ・テープ１６８の上に滴下させられる。
【００４７】 本発明の例としてアセンブリ用の構成要素のアレイ（たとえば、ディスプレイ
構成要素）について述べてきたが、Ｘ線検出器、レーダ検出器、マイクロ−エレ
クトロ−メカニカル構造要素（ＭＥＭＳ）、または一般にセンサあるいはアクチ
ュエータのアセンブリや回路要素の他のアセンブリ用のアレイもまた、特許請求
された発明を使用して製作できる。したがって、たとえば可撓性アンテナ、その
他のセンサ、検出器、または回路要素のアレイは、本発明の一実施形態を使用し
て製造できる。本発明のその他の態様と方法、ならびにこれらの方法を使って形
成される機器は、さらに以下の図と併せて次に記載する。
【００４８】 下記は、本明細書に記載された本発明の方法および装置に対する様々な改良を
記載した関連の米国特許出願である。これらの特許出願および米国特許は、参照
により組み込む。
【００４９】 Ｊｅｆｆｒｅｙ Ｊ．Ｊａｃｏｂｓｅｎにより提出され、本発明と同じ譲受人
に譲渡された「Ａｐｐａｒａｔｕｓｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｆ
ｏｒｍｉｎｇ Ａｓｓｅｍｂｌｉｅｓ」（整理番号００３４２４．Ｐ００８）と
いう名称の同時係属の米国特許出願第 号は、可撓性ディスプレイ
を組み立てる方法および機器について記載している。この同時係属の出願は、参
照により本明細書の一部とする。
【００５０】 Ｊｅｆｆｒｅｙ Ｊ．Ｊａｃｏｂｓｅｎ、Ｍａｒｋ Ａ．Ｈａｄｌｅｙ、およ
びＪｏｈｎ Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｓｍｉｔｈにより提出され、本発明と同じ譲受人
に譲渡された「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ Ｅｌｅｍ
ｅｎｔｓ Ｆｒｏｍ Ａ Ｔｅｍｐｌａｔｅ Ｔｏ Ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ」
（整理番号００３４２４．Ｐ００９）という名称の同時係属の米国特許出願第 号は、別の基板への転写を伴うテンプレート上のＦＳＡについて記
載している。これらの同時係属の出願は、参照により本明細書の一部とする。
【００５１】 Ｊｅｆｆｒｅｙ Ｊ．Ｊａｃｏｂｓｅｎ、Ｇｌｅｎｎ Ｗｉｌｈｅｌｍ Ｇｅ
ｎｇｅｌ、およびＧｏｒｄｏｎ Ｓ．Ｗ．Ｃｒａｉｇにより提出され、本発明と
同じ譲受人に譲渡された「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓｅｓ
ｆｏｒ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ Ａ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｍｏｄｕｌｅ Ａｓ
ｓｅｍｂｌｙ」（整理番号００３４２４．Ｐ０１０）という名称の同時係属の米
国特許出願第 号は、電子モジュール型アセンブリについて記載し
ている。この同時係属の出願は、参照により本明細書の一部とする。
【００５２】 Ｊｅｆｆｒｅｙ Ｊ．Ｊａｃｏｂｓｅｎ、Ｇｌｅｎｎ Ｗｉｌｈｅｌｍ Ｇｅ
ｎｇｅｌ、およびＪｏｈｎ Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｓｍｉｔｈにより提出され、本発
明と同じ譲受人に譲渡された「Ａｐｐａｒａｔｕｓｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
ｓ Ｕｓｅｄ ｉｎ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ａｓｓｅｍｂｌ
ｉｅｓ」（整理番号００３４２４．Ｐ０１１）という名称の同時係属の米国特許
出願第 号は、物質を成形する方法について記載している。この同
時係属の出願は、参照により本明細書の一部とする。
【００５３】 Ｊｅｆｆｒｅｙ Ｊ．Ｊａｃｏｂｓｅｎにより提出され、本発明と同じ譲受人
に譲渡された「Ａｐｐａｒａｔｕｓｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｆ
ｏｒｍｉｎｇ Ａｓｓｅｍｂｌｉｅｓ」（整理番号００３４２４．Ｐ０１６）と
いう名称の同時係属の米国特許出願第 号は、ロールでブロックを
凹型領域に入れる方法について記載している。この同時係属の出願は、参照によ
り本明細書の一部とする。
【００５４】 Ｊｏｈｎ Ｓ．ＳｍｉｔｈおよびＨｓｉ−Ｊｅｎ Ｊ．Ｙｅｈにより提出され
た「Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂ
ｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」という名称の特許第５，５４５，
２９１号は、１９９６年８月１３日に発行された。
【００５５】 前記の詳細説明では、その特定の実施形態を参照して本発明を述べた。しかし
、特許請求の範囲に述べられた本発明の広い精神および範囲から逸脱することな
く、本発明に様々な修正および変更を加えることができることは明らかであろう
。それゆえに、明細書および図面は、制約的な意味ではなく例示的と考えるもの
とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】 剛性基板に結合された様々なアクティブ・マトリクス型ディスプレイ用バック
プレーンの二次元側面図である。
【図２】 回路要素ブロックの上側面斜視図である。
【図３】 剛性基板の凹型領域内のブロックと、ブロックの金属化表面の二次元側面図で
ある。
【図４】 ディスプレイのバックプレーンと基板の間に複数のブロックがある剛性ディス
プレイ用バックプレーンに結合された剛性基板の二次元側面図である。
【図５】 アクティブ・マトリクス型バックプレーンのアレイの一部を表す概略図である
。
【図６】 バックプレーンにある複数のピクセル電極の上面図である。
【図７】 ブロックを中に堆積し、相互接続の層がそれに続くディスプレイのアセンブリ
を示す図である。次いでウェブ材料が基板に結合される。
【図７Ｇ】 ブロックを中に堆積し、相互接続の層がそれに続くディスプレイのアセンブリ
を示す図である。次いでウェブ材料が基板に結合される。
【図７Ｈ】 相互接続（または誘電体層）とウェブ材料との間にあるポリマー層を示す図で
ある。
【図７Ｉ】 パターン付き相互接続層を有する可撓性（「テープ」）相互接続層の一例の上
面図である。図７Ｊは、図７Ｉのテープの断面図である。
【図８】 本発明の別法による実施形態を示す図である。この実施形態では、まず相互接
続がウェブ材料に堆積され、それに続いてウェブ材料の凹型領域または穴にブロ
ックが堆積される。
【図９】 ブロックがウェブ材料に堆積され、相互接続の層がそれに続く本発明の別の実
施形態を示す図である。
【図１０】 ウェブ・プロセス相互接続がウェブ材料に結合されるディスプレイ装置の製造
方法の流れ図である。
【図１１】 相互接続を有するウェブ材料を使用して多数のディスプレイを組み立てる方法
の流れ図である。
【図１２】 ウェブ材料を使用して反射型ディスプレイを組み立てる本発明の別の実施形態
を示す図である。
【図１３】 ウェブ材料および基板が加工され、後で結合されるディスプレイ装置の製造方
法を示す図である。
【図１４】 ウェブ材料およびディスプレイ・テープが加工され、後で結合される、ディス
プレイ装置を製造する全体工程を示す図である。
【図１５】 ＦＳＡプロセスをウェブ材料に適用した後で、ウェブ材料上に物体をピック・
アンド・プレースする方法に関する図である。
【図１６】 本発明のインライン・プロセス全体の実施形態を示す図である。
【図１７】 スクリーン印刷する表示材料を示す図である。
【図１８】 レーザ・エッチングする表示材料の上面図である。
【図１９】 表示材料のパターン付けに使用するリソグラフィを示す図である。
【図２０】 あるパターンで堆積される表示材料を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 ５Ｇ４３５ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｂ 27/12 33/00 Ｌ 29/786 Ｈ０５Ｂ 33/02 33/00 33/14 Ａ Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｄ 33/14 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ハドレイ，マーク・エイ アメリカ合衆国・94560・カリフォルニア 州・ニューアーク・353・セダー ブーレ バード・39887 (72)発明者 クレイグ，ゴードン・エス・ダブリュ アメリカ合衆国・93401・カリフォルニア 州・パロ アルト・ダナ アベニュ・1476 (72)発明者 スミス，ジョン・スティーブン アメリカ合衆国・94709・カリフォルニア 州・バークレイ・オクスフォード ストリ ート・1438 Ｆターム(参考） 2H092 GA45 GA59 NA27 3K007 AB18 BA06 BB07 CA06 DA01 DB03 EA01 EB00 FA01 FA02 5C094 AA21 AA43 AA48 BA03 BA27 BA43 CA19 DA06 DA09 DA12 DA13 DB01 DB04 EA04 EB02 EB04 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GB10 5F041 CA35 DA13 DA20 DB08 DC04 DC08 DC10 DC25 DC64 DC76 FF06 5F110 AA30 BB01 QQ16 5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 EE34 EE41 HH12 HH13 HH14 HH18 KK05 KK09 KK10

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれが少なくとも１つの機能構成要素を含む複数のブロ
    ックを有する基板を用意し、 電気相互接続層を可撓性の層上に形成させ、 前記可撓性の層を前記基板に取り付け、 前記電気相互接続層を前記ブロックの少なくとも１つに電気的に結合する 電子アセンブリを製造する方法。
  2. 【請求項２】 前記少なくとも１つの機能構成要素が電気的構成要素であり
    、前記ブロックが前記基板から別個に製造されて前記基板に取り付けられる請求
    項１の方法。
  3. 【請求項３】 前記基板が可撓性であり、前記ブロックが前記基板の凹型領
    域に収容される請求項１の方法。
  4. 【請求項４】 前記基板がウェブ・プロセス機器内で前記可撓性の層に取り
    付けられる請求項３の方法。
  5. 【請求項５】 可撓性の層が、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフ
    タレート、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンス
    ルフィド、ポリプロピレン、ポリエステル、アラミド、ポリアミドイミド、ポリ
    イミド、芳香族ポリイミド、ポリエーテルイミド、金属材料、アクリロニトリル
    ブタジエンスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ナイロン、ポリブチレンナ
    フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、およびポ
    リシクロオレフィンからなる群から選択されている請求項１の方法。
  6. 【請求項６】 前記複数のブロックを含むスラリが可撓性の層の上に堆積さ
    れる請求項１の方法。
  7. 【請求項７】 前記ブロックを有するテンプレートを基板に押し付けてブロ
    ックを前記基板に転写する請求項１の方法。
  8. 【請求項８】 ブロックが空きの凹型領域にロボットで配置される請求項３
    の方法。
  9. 【請求項９】 レーザによって相互接続をウェブ材料に形成させることをさ
    らに含む請求項１の方法。
  10. 【請求項１０】 フォトリソグラフィによって相互接続を可撓性の層に形成
    させることをさらに含む請求項１の方法。
  11. 【請求項１１】 スクリーン印刷によって相互接続を可撓性の層に形成させ
    ることをさらに含む請求項１の方法。
  12. 【請求項１２】 インク・ジェット・プロセスによって相互接続を可撓性の
    層に形成させることをさらに含む請求項１の方法。
  13. 【請求項１３】 紫外線によって相互接続を可撓性の層に形成させることを
    さらに含む請求項１の方法。
  14. 【請求項１４】 テンプレートによって複数のブロックを可撓性の層に転写
    することをさらに含む請求項１の方法。
  15. 【請求項１５】 電気相互接続層が、アルミニウム、銅、銀、および金から
    なる群から選択される請求項１の方法。
  16. 【請求項１６】 電子アセンブリであって、 前記基板の受け取り部領域に収容された複数のブロックを有する基板であって
    、前記ブロックのそれぞれが少なくとも１つの機能構成要素および少なくとも１
    つの電気端子を含む基板と、 電気相互接続層を含み、前記基板に取り付けられた可撓性の層と を含み、前記電気相互接続層が少なくとも前記１つの電気端子に結合している電
    子アセンブリ。
  17. 【請求項１７】 前記少なくとも１つの機能構成要素が電気的構成要素であ
    り、前記ブロックが前記基板から別個に製造されて前記基板に取り付けられる請
    求項１６に記載の電子アセンブリ。
  18. 【請求項１８】 前記基板が可撓性であり、ウェブ・プロセスで前記可撓性
    の層に取り付けられる請求項１６に記載の電子アセンブリ。
  19. 【請求項１９】 前記電気相互接続層がウェブ・プロセスで前記可撓性の層
    に取り付けられる請求項１６に記載の電子アセンブリ。
  20. 【請求項２０】 電気相互接続層がファイン相互接続である請求項１６に記
    載の電気アセンブリ。
  21. 【請求項２１】 電気相互接続層がグロス相互接続である請求項１６に記載
    の電気アセンブリ。
  22. 【請求項２２】 電気相互接続層が、アルミニウム、銅、銀、および金から
    なる群から選択される請求項１６に記載の電気アセンブリ。
  23. 【請求項２３】 それぞれが少なくとも１つの機能構成要素を含む複数のブ
    ロックを有する可撓性の層を用意し、 電気相互接続層を可撓性の層上に形成させ、 前記可撓性の層を基板に取り付け、 前記電気相互接続層を前記ブロックの少なくとも１つに電気的に結合する 電子アセンブリを製造する方法。
  24. 【請求項２４】 可撓性の層が、アルミニウム、銅、銀、金、金属、ポリエ
    ーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニ
    レンスルフィド、ポリプロピレン、ポリエステル、アラミド、ポリアミドイミド
    、ポリイミド、芳香族ポリイミド、ポリエーテルイミド、アクリロニトリルブタ
    ジエンスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ナイロン、ポリブチレンナフタ
    レート（ＰＢＮ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、お
    よびポリシクロオレフィンからなる群から選択された材料を含む請求項２３の方
    法。
  25. 【請求項２５】 可撓性の層が反射型である請求項２３の方法。
  26. 【請求項２６】 電気相互接続層を可撓性の層上に形成させ、 それぞれが少なくとも１つの機能構成要素を含む複数のブロックを可撓性の層
    に塗布し、 前記可撓性の層を基板に取り付け、 前記電気相互接続層を前記ブロックの少なくとも１つに電気的に結合する 電子アセンブリを製造する方法。
  27. 【請求項２７】 可撓性の層が、アルミニウム、銅、銀、金、金属、ポリエ
    ーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニ
    レンスルフィド、ポリプロピレン、ポリエステル、アラミド、ポリアミドイミド
    、ポリイミド、芳香族ポリイミド、ポリエーテルイミド、アクリロニトリルブタ
    ジエンスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ナイロン、ポリブチレンナフタ
    レート（ＰＢＮ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、お
    よびポリシクロオレフィンからなる群から選択された材料を含む請求項２６の方
    法。
  28. 【請求項２８】 可撓性の層が反射型である請求項２６の方法。
  29. 【請求項２９】 アセンブリがＯＬＥＤを有する請求項２６の方法。
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