JP2003338377A - 有機el素子 - Google Patents
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 69
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 332
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 203
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 98
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 97
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 66
- -1 nitrogen-containing heterocyclic compound Chemical class 0.000 claims description 63
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 57
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 55
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 54
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 49
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 46
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 42
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 39
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 8
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 claims description 7
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005108 alkenylthio group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- OZKOMUDCMCEDTM-UHFFFAOYSA-N 1,7-phenanthroline Chemical compound C1=CC=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=N1 OZKOMUDCMCEDTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HBBKKZVRZMEYOS-UHFFFAOYSA-N 1,8-phenanthroline Chemical compound N1=CC=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 HBBKKZVRZMEYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AJCSVUVYIMRJCB-UHFFFAOYSA-N 1,9-phenanthroline Chemical compound C1=NC=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 AJCSVUVYIMRJCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CHTLVASIXCFOHC-UHFFFAOYSA-N 2,7-phenanthroline Chemical compound C1=NC=C2C3=CC=CN=C3C=CC2=C1 CHTLVASIXCFOHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XRZWQEBDHIAHDX-UHFFFAOYSA-N 2,8-phenanthroline Chemical compound C1=NC=CC2=C(C=NC=C3)C3=CC=C21 XRZWQEBDHIAHDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CFOIBEJBQITLOX-UHFFFAOYSA-N 2,9-phenanthroline Chemical compound C1=CN=CC2=C(C=NC=C3)C3=CC=C21 CFOIBEJBQITLOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SWSBZLMSDYTUAA-UHFFFAOYSA-N 3,8-phenanthroline Chemical compound N1=CC=C2C(C=CN=C3)=C3C=CC2=C1 SWSBZLMSDYTUAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WIAWDMBHXUZQGV-UHFFFAOYSA-N heptacyclo[13.10.1.12,6.011,26.017,25.018,23.010,27]heptacosa-1(25),2,4,6(27),7,9,11,13,15(26),17,19,21,23-tridecaene Chemical group C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=CC=CC2=C1C3=C1C=C3C=CC=CC3=C1C2 WIAWDMBHXUZQGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HLTQJJLFTXOYSX-UHFFFAOYSA-N 3,7-phenanthroline Chemical compound N1=CC=C2C3=CC=CN=C3C=CC2=C1 HLTQJJLFTXOYSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 claims 2
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 claims 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 96
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 51
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 49
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 10
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 10
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 8
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 7
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 7
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 5
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 5
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100132433 Arabidopsis thaliana VIII-1 gene Proteins 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 4
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001691 aryl alkyl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 125000004915 dibutylamino group Chemical group C(CCC)N(CCCC)* 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001715 oxadiazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 2
- DATYUTWESAKQQM-UHFFFAOYSA-N 4,7-phenanthroline Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CN=C3C=CC2=N1 DATYUTWESAKQQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N Acridone Natural products C1=C(O)C=C2N(C)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1O GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DRSHXJFUUPIBHX-UHFFFAOYSA-N COc1ccc(cc1)N1N=CC2C=NC(Nc3cc(OC)c(OC)c(OCCCN4CCN(C)CC4)c3)=NC12 Chemical compound COc1ccc(cc1)N1N=CC2C=NC(Nc3cc(OC)c(OC)c(OCCCN4CCN(C)CC4)c3)=NC12 DRSHXJFUUPIBHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAMYVSCDDLXAQW-AOIWZFSPSA-N Thermopsosid Natural products O(C)c1c(O)ccc(C=2Oc3c(c(O)cc(O[C@H]4[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](CO)O4)c3)C(=O)C=2)c1 GAMYVSCDDLXAQW-AOIWZFSPSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 2
- FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N acridone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005196 alkyl carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229930003944 flavone Natural products 0.000 description 2
- 150000002212 flavone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 235000011949 flavones Nutrition 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 2
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 2
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- VHBFFQKBGNRLFZ-UHFFFAOYSA-N vitamin p Natural products O1C2=CC=CC=C2C(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 VHBFFQKBGNRLFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006734 (C2-C20) alkoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002030 1,2-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([*:2])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 1
- CAMPQFALWQQPAZ-UHFFFAOYSA-N 1-n-(4-methylphenyl)-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 CAMPQFALWQQPAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVVVFGSFGDHACP-UHFFFAOYSA-N 1h-indole;1h-pyrrole Chemical class C=1C=CNC=1.C1=CC=C2NC=CC2=C1 UVVVFGSFGDHACP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZJYZNVZBUZORU-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)aniline;1,1'-biphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 OZJYZNVZBUZORU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIVQQUNOTICCSA-UHFFFAOYSA-N ANTU Chemical compound C1=CC=C2C(NC(=S)N)=CC=CC2=C1 PIVQQUNOTICCSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006848 alicyclic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005090 alkenylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005193 alkenylcarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005092 alkenyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005741 alkyl alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 125000003336 coronenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C1C1=C6C5=C4C3=C21)* 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N diindenoperylene Chemical group C12=C3C4=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=CC=C3C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005824 oxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005429 oxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
EL素子を提供する。 【解決手段】 陽極側より、それぞれ、少なくとも1層
の、好ましくは正孔注入輸送層、発光層、電子輸送層、
および電子注入層が順次積層された構造を持つ有機EL
素子において、前記電子輸送層がナフタセン誘導体およ
び/またはアントラセン誘導体(好ましくはナフタセン
誘導体)を含有し、好ましくは前記電子注入層(好まし
くは0.6〜20nm、特に好ましくは1〜10nmの厚
さ)が、好ましくは有機化合物(特に、好ましくはフェ
ナントロリン誘導体)を含有する有機EL素子。
Description
光)素子に関し、詳しくは、有機化合物からなる薄膜に
電界を印加して光を放出する素子に関する。
む薄膜を、電子注入電極(陰極)とホール注入電極(陽
極)とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子およびホー
ルを注入して再結合させることにより励起子(エキシト
ン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放
出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子である。
蛍光性有機化合物を含む薄膜からなる発光層のほかに、
発光層に注入される電子あるいホールの適正化を図り、
発光効率を改善する目的で、電子注入および/または輸
送性の層として、電子注入層、電子輸送層、電子輸送層
と称される層や、ホール注入および/または輸送性の層
として、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入輸送
層と称される層が設けられるのが一般的である。
(例えば、特許文献1参照)、複素環化合物を用いた例
があり、複素環化合物としては、フェナントロリン系化
合物(例えば、特許文献2、3参照)、インドール(ピ
ロール)系化合物(例えば、特許文献4〜7参照)、キ
ノキサリン系化合物(例えば、特許文献8〜12参
照)、オキサジアゾール系化合物(例えば、特許文献1
3〜19参照)、カルバゾール系化合物(例えば、特許
文献20、21参照)などがあり、また、これらの電子
注入輸送材料にドナー性ドーパントまたはアルカリ金属
をドーピングした層を用いた例(例えば、特許文献22
〜24参照)、電子輸送層に炭化水素化合物を含有させ
た例(例えば、特許文献25、26参照)などが開示さ
れている。
(例えば、特許文献27参照)や電子注入層と電子注入
陰極の間に接着改善層を設けた例(例えば、特許文献2
8参照)なども開示されており、接着改善層に用いる材
料を表面エネルギーによって限定している例もある。
化の手段として、蛍光量子収率の大きい蛍光性色素を少
量ドーピングする方法は多く報告・開示されている。例
えば、ペリレン誘導体をトリス(8−キノリノラト)ア
ルミニウム(Alq3)等の有機金属錯体またはアリー
ルアミン、オキサジアゾール、カルバゾール誘導体等に
ドープた赤色発光素子が開示されている(例えば、特許
文献29、30参照)。また、高効率な素子を得るため
に好ましいホストとドーパントの好ましい組合せについ
てイオン化ポテンシャル(IP)と電子親和力(Ea)
とによって限定した例も開示されている(例えば、特許
文献31参照)。
は、電子注入性の良い材料を電子注入輸送層に用いるこ
とにより、陰極より電子を効率良く注入することは可能
であるが、電子注入性の高い材料にはキャリア移動度
(電子輸送性)の低いものが多い。電子輸送層のキャリ
ア移動度(電子輸送性)が低い場合、電子輸送層中のキ
ャリアを発光層へ移動させるために強い電界を必要と
し、その結果として素子の駆動電圧を上昇させ、素子の
発光効率を下げる原因となってしまっている。
得るには発光層と陰極との距離をコントロールする必要
があり、発光層と陰極との距離のコントロールは電子輸
送層の膜厚を変化させることにより行うことができる。
しかしながら、従来の素子では電子輸送層のキャリア輸
送性が低いため、電子輸送層の膜厚を変化させた際の駆
動電圧の変化が大きく、光学的外部取り出し効率の最適
化と低電圧駆動の両立が困難であった。さらに、電子輸
送層のキャリア移動度(電子輸送性)が小さい場合、電
子輸送層のキャリア濃度が増加し、電子輸送層に正孔
(ホール)が進入するため、電子輸送層でキャリアの再
結合が起こる確率が増大し、電子輸送材料が発光して本
来発光層のみが発光した場合に得られる色純度が得られ
ない場合もある。また、このような発光層以外でのキャ
リアの再結合は素子寿命にも悪影響を及ぼす。
ーメントが大きい極性分子が多く、これらの分子が発光
層と接することにより、発光材料との相互作用が生じ励
起子のエネルギーを損失させる場合も考えられる。
陰極との密着性、電子注入性を併せ持つものがなく、こ
のような材料を電子注入輸送層に用いると、均一な発光
が得られない場合が多い。
離した場合でも、それぞれの機能を最適に発揮する材料
の組合せが見出されておらず、十分な素子特性を得るに
至っていない。
ドーピングによって発光材料の濃度消光を抑えて効率を
向上させることができ、またホストとドーパントの組合
せをそれらの材料のIP,Eaの値で限定することによ
りドーパントにキャリアをトラップし、再結合効率を向
上させることも可能である。
度(電子輸送性)が小さい場合、発光層中のキャリアが
ホスト材料に局在化し、ホスト材料分子上で再結合する
確率が増加してしまう。この場合、ドーパントが発光す
るには励起状態のホストからドーパントへのエネルギー
移動が必要となり、その過程でのエネルギー移動効率が
低い場合、損失が生じてしまう。また、ホール輸送性と
のバランスがとれず、ホールが電子輸送層まで突き抜け
てしまう場合もあり、素子の発光効率を低下させる原因
となる。また、ホストからドーパントへのエネルギー移
動が不十分である場合には、ホスト自身が発光してしま
い、素子の色純度を悪化させる場合もある。
る。
率で耐久性に優れ、かつ高色純度の有機EL素子を提供
することである。
明によって達成される。 (1) 陽極側より、それぞれ少なくとも1層の発光
層、電子輸送層、および電子注入層が順次積層された構
造を持つ有機EL素子において、前記電子輸送層がナフ
タセン誘導体および/またはアントラセン誘導体を含有
する有機EL素子。 (2) 発光層の陽極側に少なくとも1層の正孔注入輸
送層を有する上記(1)の有機EL素子。 (3) 電子注入層が有機化合物を含有する上記(1)
または(2)の有機EL素子。 (4) 電子注入層の厚さが0.6〜20nmである上記
(1)〜(3)のいずれかの有機EL素子。 (5) 電子注入層の厚さが1〜10nmである上記
(4)の有機EL素子。 (6) 電子注入層が複素環化合物を含有する上記
(1)〜(5)のいずれかの有機EL素子。 (7) 電子注入層が含窒素複素環化合物を含有する上
記(1)〜(6)のいずれかの有機EL素子。 (8) 電子注入層が1,10-フェナントロリン、1,9-フ
ェナントロリン、1,8-フェナントロリン、1,7-フェナン
トロリン、2,9-フェナントロリン、2,8-フェナントロリ
ン、2,7-フェナントロリン、3,8-フェナントロリン、3,
7-フェナントロリン、4,7-フェナントロリンおよびこれ
らのフェナントロリン骨格の1つ以上を分子中に有する
フェナントロリン誘導体のうちの1種以上を含有する上
記(1)〜(7)のいずれかの有機EL素子。 (9) 電子注入層が含有するフェナントロリンまたは
フェナントロリン誘導体が下記式(1a)または式(1
b)で表される上記(8)の有機EL素子。
一でも異なるものであってもよく、水素、アリール基、
アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキ
シ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル
基、アミノ基または複素環基を表し、これら隣接する2
個以上が互いに結合して環を形成してもよい。式(1
b)中、AおよびBは、それぞれ同一でも異なるもので
あってもよく、式(1c)で表される基を表し、Lは単
結合または二価の連結基を表す。式(1c)中、Y12〜
Y19は、それぞれ同一でも異なるものであってもよく、
式(1a)中のY2〜Y9と同義のものである。ただし、
式(1c)中のY12〜Y19のうちの1つは、Lを構成す
るが、Lを構成するY12〜Y19は、AおよびBにおいて
同一であっても異なっていてもよい。] (10) 電子輸送層がナフタセン誘導体を含有する上
記(1)〜(9)のいずれかの有機EL素子。 (11) 電子輸送層が含有するナフタセン誘導体が下
記式(2)で表される上記(10)の有機EL素子。
Q50、Q60、Q70、Q80、Q110、Q1 20、Q130および
Q140は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、ア
ミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ
基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基また
は複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであっ
てもよい。] (12) 電子輸送層に含有される式(2)で表される
ナフタセン誘導体におけるQ10、Q20、Q30、Q40、Q
50,Q60,Q70およびQ80の少なくとも1つ以上がアリ
ール基である上記(11)の有機EL素子。 (13) 電子輸送層に含有される式(2)で表される
ナフタセン誘導体におけるQ10 、Q20 、Q30 および
Q40 の少なくとも1つ以上がアリール基である上記
(11)または(12)の有機EL素子。 (14) 電子輸送層が含有するナフタセン誘導体が下
記式(2a)で表される上記(9)〜(13)のいずれ
かの有機EL素子。
16は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ
基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複
素環基を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。Q21〜Q25、およびQ51〜Q55は、それぞれ水
素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリーロキシ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよく、これ
ら隣接する2個以上が互いに結合して環を形成してもよ
い。] (15) 電子輸送層が含有するナフタセン誘導体が炭
化水素化合物である上記(9)〜(14)のいずれかの
有機EL素子。 (16) 発光層がホスト材料とドーパント材料とを含
有し、ホスト材料がナフタセン誘導体を含有する上記
(1)〜(15)のいずれかの有機EL素子。 (17) 発光層が含有するナフタセン誘導体が下記式
(2)で表される上記(16)の有機EL素子。
Q50,Q60,Q70、Q80、Q110、Q1 20、Q130および
Q140は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、ア
ミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ
基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基また
は複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであっ
てもよい。] (18) 発光層に含有される式(2)で表されるナフ
タセン誘導体におけるQ10 、Q20 、Q30 、Q40 、Q
50 ,Q60 ,Q70 およびQ80 の少なくとも1つ以上が
アリール基である上記(17)の有機EL素子。 (19) 発光層に含有される式(2)で表されるナフ
タセン誘導体におけるQ10 、Q20 、Q30 およびQ40
の少なくとも1つ以上がアリール基である上記(17)
または(18)の有機EL素子。 (20) 発光層のホスト材料が含有するナフタセン誘
導体が下記式(2a)で表される上記(16)〜(1
9)のいずれかの有機EL素子。
16は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ
基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複
素環基を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。Q21〜Q25、およびQ51〜Q55は、それぞれ水
素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリーロキシ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよく、これ
ら隣接する2個以上が互いに結合して環を形成してもよ
い。] (21) 発光層が含有するナフタセン誘導体が炭化水
素化合物である上記(16)〜(20)のいずれかの有
機EL素子。 (22) 発光層のドーパント材料がフルオランテン誘
導体を含有する上記(16)〜(21)のいずれかの有
機EL素子。 (23) フルオランテン誘導体が下記式(3a)で表
されるインデノペリレン誘導体である上記(22)の有
機EL素子。
Z11〜Z16,Z19およびZ20は、それぞれ水素、ハロゲ
ン、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アル
ケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳
香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳
香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香環オキシ基、
芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環
基、アミノ基、シアノ基、水酸基、−COOR1(ここ
で、R1は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含
有アルキル基または芳香環基を表す)、−COR2(こ
こで、R2は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環
含有アルキル基、芳香環基またはアミノ基を表す)、ま
たは−OCOR3(ここで、R3はアルキル基、アルケニ
ル基、芳香環含有アルキル基または芳香環基を表す)を
表し、さらに、Z1〜Z6,Z9,Z10 ,Z11 〜Z16,
Z19、Z20のなかで隣接する基は互いに結合して、置換
している炭素原子と共に環を形成していてもよい。] (24) 電子輸送層の以下に定義される電子輸送性μ
aが80nm/V以上である上記(1)〜(23)のいずれ
かの有機EL素子(ただし、電子輸送性μaは、上記
(1)の有機EL素子において、電子輸送層の厚さを変
化させた際の100mA/cm2の電流を流すのに要する駆動
電圧の変化によって、以下のように定義されるパラメー
タであり、電子輸送層の厚さ(nm)をd1、d2(但しd
1>d2)としたときの100mA/cm2駆動時の駆動電圧
(V)を、それぞれV1、V2としたとき、μa=(d1−
d2)/(V1−V2)で示されるものである)。 (25) 電子輸送層と発光層とのイオン化ポテンシャ
ルの値の差が0.1eV以下である上記(1)〜(24)
のいずれかの有機EL素子。 (26) 電子輸送層に用いられる材料の双極子モーメ
ントの値が1.0Debye以下である上記(1)〜(2
5)のいずれかの有機EL素子。 (27) 発光層がホスト材料とドーパント材料とを含
有し、ホスト材料の双極子モーメントの値が1.0Deby
e以下である上記(16)〜(26)のいずれかの有機
EL素子。
本発明の有機EL素子は、陽極を有し、陽極(ホール注
入電極)側より、それぞれ、少なくとも1層の、好まし
くは正孔注入輸送層、発光層、電子輸送層および電子注
入層が順次積層された構造を持ち、電子注入層上には陰
極(電子注入電極)が設けられる。このように、電子輸
送層と電子注入層とを分けて設けることにより、各層に
適した特性の最良の材料を選択することが可能になる。
そこで、本発明では、電子輸送層にナフタセン誘導体お
よび/またはアントラセン誘導体を含有させ、電子注入
層には陰極材料や電子輸送層との密着性に優れた材料を
含有させており、好ましくは、電子注入層には有機化合
物が含有される。
し、電子注入層用、および電子輸送層用の材料として好
適な化合物を選択し、かつその組み合わせを選択するこ
とにより、高効率な有機EL素子を得ることができる。
すなわち、本発明の構成により、電子輸送層にかかる電
界強度を低下させ、低電圧駆動を可能にできる。また、
これによって、電子輸送層の厚さを変化させた際の電圧
変化を小さくできるため、発光の最適な外部取り出し効
率を得るための光学膜厚の調整が電圧変化を伴わずに行
うことができ、高効率な有機EL素子が得られる。さら
には、電子輸送層におけるキャリア(電子)濃度を低く
できるため、電子輸送層への正孔(ホール)の突き抜け
が防止でき、電子輸送層での励起子の生成が抑えられ、
電子輸送層からの発光がほとんど無い高色純度な有機E
L素子が得られる。また、同様の理由により、素子の長
寿命化が図られる。
ーメントの小さな非極性分子を用いることにより、上記
のような電子輸送性の高い電子輸送層を得ることができ
る。
とにより、発光層界面での発光材料との相互作用が抑え
られるため、界面での励起子のエネルギー損失を防ぐ効
果もあると考えられる。
て用いられる発光層は、ホスト材料とドーパント材料と
を含有することが好ましく、ホスト材料として、電子輸
送層用の材料として好ましく用いられるナフタセン誘導
体を用いることが好ましい。
い材料を発光層のホスト材料として用い、ドーパント材
料として上記ホスト材料中で電子をトラップすることが
可能な材料を用いることにより、発光層中の電子を高い
確率でドーパントのトラップ順位に局在化させ、高効
率、高色純度な有機EL素子が得られる。また、発光層
のホスト材料としては双極子モーメントが小さく、電子
輸送性が高いことが好ましい。すなわち、発光層のホス
ト材料に電子輸送性の高い材料を用い、ホスト材料より
も電子親和力の大きな化合物をドーピングすることによ
って、発光層中のキャリア(電子)がドーパント分子に
局在化する確率を向上することができ、効率良くドーパ
ントの励起子が生成され、かつホストの励起子が生成さ
れにくくなるため、高い効率と色純度を有する有機EL
素子が得られる。また、非極性分子をホスト材料に用い
ることにより、ドーパント材料との相互作用が抑えられ
るため、相互作用による効率や色純度の低下を防ぐ効果
もあると考えられる。
誘導体(ナフタセンも含む。)および/またはアントラ
セン誘導体を含有する。
で表されるものが好ましい。
ある。A101 は、モノフェニルアントリル基またはジフ
ェニルアントリル基を表し、n101が2のとき、これら
は同一でも異なるものであってもよい。L101は水素、
単結合または二価の連結基を表す。
基またはジフェニルアントリル基は、無置換でも置換基
を有するものであってもよく、置換基を有する場合の置
換基としては、アルキル基、アリール基、複素環基、ア
ルコキシ基、アリーロキシ基、アミノ基等が挙げられ、
これらの置換基はさらに置換されていてもよい。これら
の置換基については後述するが、特に好ましいのはアリ
ール基である。また、このような置換基の置換位置は特
に限定されないが、アントラセン環ではなく、アントラ
セン環に結合したフェニル基であることが好ましい。
の結合位置はアントラセン環の9位、10位であること
が好ましい。
または二価の連結基を表すが、L101で表される二価の
連結基としてはアルキレン基等が介在してもよいアリー
レン基が好ましい。このようなアリーレン基については
後述する。
誘導体のなかでも、式(4a)、式(4b)で表される
ものが好ましい。
a)において、M1 およびM2 は、各々アルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロ
キシ基、アミノ基または複素環基を表し、特に好ましく
はアリール基である。
は、置換基を有していてもよく、直鎖状でも分岐を有す
るものであってもよく、炭素数1〜10、さらには1〜
4の置換もしくは無置換のアルキル基が好ましい。特
に、炭素数1〜4の無置換のアルキル基が好ましく、具
体的にはメチル基、エチル基、(n−,i−)プロピル
基、(n−,i−,s−,t−)ブチル基等が挙げられ
る。
しては、置換基を有していてもよく、シクロヘキシル
基、シクロペンチル基等が挙げられる。
は、炭素数6〜20のものが好ましく、さらにはフェニ
ル基、トリル基等の置換基を有するものであってもよ
い。具体的には、フェニル基、(o−,m−,p−)ト
リル基、ピレニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフ
ェニル基、フェニルアントリル基、トリルアントリル基
等が挙げられる。
は、総炭素数6〜50のものが好ましく、無置換のもの
であってもよいが、置換基を有するものであってもよ
く、置換基を有する方が好ましい。このときの置換基と
しては、フェニル基等のアリール基が好ましい。具体的
には、トリフェニルビニル基、トリトリルビニル基、ト
リビフェニルビニル基等が挙げられる。
は、アルキル部分の炭素数が1〜6のものが好ましく、
具体的にはメトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。ア
ルコキシ基は、さらに置換されていてもよい。
ては、置換基を有していてもよく、フェノキシ基等が挙
げられる。
でも置換基を有するものであってもよいが、置換基を有
することが好ましく、この場合の置換基としてはアルキ
ル基(メチル基、エチル基等)、アリール基(フェニル
基等)などが挙げられる。具体的にはジエチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、ジ(m−トリル)アミノ基等
が挙げられる。
ビピリジル基、ピリミジル基、キノリル基、ピリジル
基、チエニル基、フリル基、オキサジアゾイル基等が挙
げられる。これらは、メチル基、フェニル基等の置換基
を有していてもよい。
各々、0または1〜5の整数を表し、特に、0または1
であることが好ましい。q1およびq2が、各々、1〜
5の整数、特に1または2であるとき、M1 およびM2
は、各々、アリール基であることが好ましい。
でも異なるものであってもよく、M 1 とM2 とが各々複
数存在するとき、M1 同士、M2 同士は各々同一でも異
なるものであってもよく、M1 同士あるいはM2 同士は
結合してベンゼン環等の環を形成してもよく、環を形成
する場合も好ましい。
る。
またはアリーレン基を表す。L10で表されるアリーレン
基としては、置換基を有していてもよいが、無置換であ
ることが好ましく、具体的にはフェニレン基、ビフェニ
レン基、アントリレン基等の通常のアリーレン基の他、
2個ないしそれ以上のアリーレン基が直接連結したもの
が挙げられる。L10としては、単結合、p−フェニレン
基、4,4′−ビフェニレン基等が好ましい。
換基を有していてもよく、2個ないしそれ以上のアリー
レン基がアルキレン基、−O−、−S−または−NR−
が介在して連結するものであってもよい。ここで、Rは
アルキル基またはアリール基を表す。アルキル基として
はメチル基、エチル基等が挙げられ、アリール基として
はフェニル基等が挙げられる。なかでも、アリール基が
好ましく、上記のフェニル基のほか、A101 であっても
よく、さらにはフェニル基にA101 が置換したものであ
ってもよい。また、アルキレン基としてはメチレン基、
エチレン基等が好ましい。
示す。
(4b)において、M3 およびM4は式(4a)におけ
るM1 およびM2 と、またq3およびq4は式(4a)
におけるq1およびq2と、さらにL20は式(4a)に
おけるL10とそれぞれ同義であり、好ましいものも同様
である。
でも異なるものであってもよく、M 3 とM4 が各々複数
存在するとき、M3 同士、M4 同士は、各々同一でも異
なるものであってもよく、M3 同士あるいはM4 同士は
結合してベンゼン環等の環を形成してもよく、環を形成
する場合も好ましい。
を以下に例示するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。なお、化17、化19、化21、化23、化
25、化27、化29、化32では一般式を示し、化1
8、化20、化22、化24、化26、化28、化3
0、化31、化33で、各々対応する具体例をM11〜M
15、M21〜M25あるいはM31〜M35、M41〜M45の組み
合わせで示している。
下記式(2)で表されるものが好ましい。
50、Q60、Q70、Q80、Q110、Q1 20、Q130およびQ
140は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミ
ノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ
基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基また
は複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであっ
てもよい。
(まとめてQ10〜Q40と表す。)は水素、またはアルキ
ル基、アリール基、アミノ基、複素環基およびアルケニ
ル基のいずれかであることが好ましい。また、より好ま
しくはアリール基である。また、特に、Q10,Q40が水
素かつQ20,Q30が上記置換基であるものも好ましい。
ぞれ同じものであることが好ましいが異なっていてもよ
い。
てQ50 〜Q80と表す。)は、水素、アルキル基、アリ
ール基、アミノ基、アルケニル基および複素環基のいず
れかが好ましく、特に好ましくは水素またはアリール基
である。また、Q50とQ60、Q70とQ80は、それぞれ同
じものであることが好ましいが、異なっていても良い。
また、Q110、Q120、Q130およびQ140(まとめてQ
110〜Q140と表す。)は水素が好ましい。
表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよ
く、炭素数が1〜6のものが好ましく、直鎖状であって
も分岐を有していても良い。アルキル基の好ましい具体
例としては、メチル基、エチル基、(n,i)−プロピ
ル基、(n,i,sec,tert)−ブチル基、
(n,i,neo,tert)−ペンチル基等が挙げら
れる。
で表されるアリール基としては、単環もしくは多環のも
のであって良く、縮合環や環集合も含まれる。総炭素数
は、6〜30のものが好ましく、置換基を有していても
良い。Q10〜Q40、Q50〜Q 80、Q110〜Q140で表され
るアリール基としては、好ましくはフェニル基、(o
−,m−,p−)トリル基、ピレニル基、ペリレニル
基、コロネニル基、(1−、および2−)ナフチル基、
アントリル基、(o−,m−,p−)ビフェニリル基、
ターフェニル基、フェナントリル基等である。
表されるアミノ基としては、無置換であってもよいが、
置換基を有する方が好ましく、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基、アラルキルアミノ基等いずれでも良い。
これらは、総炭素数1〜6の脂肪族、および/または1
〜4環の芳香族炭素環を有することが好ましい。具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビ
スジフェニリルアミノ基、ビスナフチルアミノ基等が挙
げられる。
表される複素環基としては、置換基を有していてもよ
く、ヘテロ原子としてO,N,Sを含有する5員または
6員環の好ましくは芳香族複素環基、および炭素数2〜
20の縮合多環芳香族複素環基等が挙げられる。芳香族
複素環基および縮合多環芳香族複素環基としては、例え
ばチエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キ
ノリル基、キノキサリル基等が挙げられる。
表されるアルケニル基としては、少なくとも置換基の1
つにフェニル基を有する(1−、および2−)フェニル
アルケニル基、(1,2−、および2,2−)ジフェニ
ルアルケニル基、(1,2,2−)トリフェニルアルケ
ニル基等が好ましいが、無置換のものであっても良い。
表されるアルコキシ基、アルキルチオ基としては、置換
基を有していてもよく、前述のアルキル基を有するもの
が好ましい。
表されるアリーロキシ基、アリールチオ基としては、置
換基を有していてもよく、総炭素数6〜18のアリール
基を有するものが好ましく、具体的には、アリーロキシ
基として(o−,m−,p−)フェノキシ基等であり、
アリールチオ基としては(o−,m−,p−)フェニル
チオ基等である。
表されるアラルキル基としては、置換基を有していても
よく、総炭素数7〜30のものが好ましく、具体的には
ベンジル基、フェネチル基等である。
置換基を有する場合、特にQ10〜Q 40ではこれらの置換
基のうちの少なくとも2つがアリール基、アミノ基、複
素環基、アルケニル基およびアリーロキシ基のいずれか
であることが好ましく、特に好ましくはアリール基であ
る。アリール基、アミノ基、複素環基およびアルケニル
基については上記Q10 〜Q40 と同様である。
ていてもよい。また、さらに置換されていても良く、そ
の場合の好ましい置換基としては上記と同様である。
置換基を有する場合、特に、Q10〜Q40のうちの少なく
ともその2種以上が上記置換基を有することが好まし
い。その置換位置としては特に限定されるものではな
く、Q10〜Q40がフェニル基を有するものであるとき、
メタ、パラ、オルト位のいずれでも良い。
とも1つ以上、さらにはQ10〜Q40の少なくとも1つ以
上が置換または無置換のアリール基であることが好まし
い。
(2a)で表されるものが好ましく、また式(2b)で
表されるものも好ましい。まず、式(2a)について説
明する。
それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ基、ア
ルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
Q21〜Q25、およびQ51〜Q55は、それぞれ水素、アル
キル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリーロキシ基、アリールチオ基、アルケニ
ル基、アラルキル基または複素環基を表し、これらは同
一でも異なるものであってもよく、これら隣接する2個
以上が互いに結合して環を形成してもよい。
等と同義のものである。
25は水素、アリール基、アミノ基、複素環基、アリーロ
キシ基およびアルケニル基のいずれかが好ましく、特に
好ましくはアリール基である。また、これらのうちの少
なくとも1群中にはアリール基、アミノ基、複素環基お
よびアリーロキシ基のいずれか、特に好ましくはアリー
ル基を置換基として有することが好ましい。これらの隣
接する2個以上が縮合環を形成していてもよい。アリー
ル基、アミノ基、複素環基およびアリーロキシ基の好ま
しい態様としては上記Q10〜Q40と同様である。
れ同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。
Q51〜Q55およびQ21〜Q25の置換基となるアミノ基と
しては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラル
キルアミノ基等いずれでも良い。これらは、総炭素数1
〜6の脂肪族、および/または1〜4環の芳香族炭素環
を有することが好ましい。具体的には、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ
基等が挙げられる。
ン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノ
リン、イソキノリン、キノクサリン、フェナジン、アク
リジン、インドール、カルバゾール、フェノキサジン、
フェノチアジン、ベンゾチアゾール、ベンゾチオフェ
ン、ベンゾフラン、アクリドン、ベンズイミダゾール、
クマリン、フラボン等を挙げることができる。
Q50,Q60,Q70、Q80とそれぞれ同義のものである。
またQ11〜Q16としては特に水素が好ましい。
31〜Q35、Q41〜Q45、Q61〜Q65、Q71〜Q75は式
(2)のQ10等と同義のものである。
Q31〜Q33およびQ41〜Q43は水素、アリール基、アミ
ノ基、複素環基、アリーロキシ基およびアルケニル基の
いずれかであることが好ましく、特に好ましくはアリー
ル基である。また、これらのうちの少なくとも1群中に
はアリール基、アミノ基、複素環基およびアリーロキシ
基のいずれかを置換基として有することが好ましく、特
に好ましくはアリール基である。これらの2個以上が結
合して環を形成していてもよい。アリール基、アミノ
基、複素環基およびアリーロキシ基の好ましい態様とし
ては式(2)中のQ10 〜Q40 と同様である。また、Q
71〜Q73とQ41〜Q43、Q61〜Q63とQ31〜Q33は、そ
れぞれ同じであることが好ましいが、異なっていてもよ
い。
びQ41〜Q43の置換基となるアミノ基としては、アルキ
ルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等
いずれでもよい。これらは、総炭素数1〜6の脂肪族、
および/または1〜4環の芳香族炭素環を有することが
好ましい。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基等が挙げられ
る。
ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリ
ン、isoキノリン、キノクサリン、フェナジン、アク
リジン、インドール、カルバゾール、フェノキサジン、
フェノチアジン、ベンゾチアゾール、ベンゾチオフェ
ン、ベンゾフラン、アクリドン、ベンズイミダゾール、
クマリン、フラボン等を挙げることができる。
Q50〜Q80と同義のものであり、Q 11〜Q14、Q74、Q
75、Q64、Q65、Q44、Q45、Q34、Q35は特に水素が
好ましい。
素化合物であることが好ましい。
ましい具体例を、式(2)のQ10,Q20,Q30、Q40、
Q50,Q60,Q70、Q80の組み合わせ(ただし、Q110
〜Q1 40は水素である。)を用いて、以下に示すが、こ
れらに限定されるものではない。
ン誘導体は、電子輸送層に、1種のみ用いても、2種以
上を併用してもよい。2種以上用いるときは、ナフタセ
ン誘導体同士あるいはアントラセン誘導体同士としても
よく、ナフタセン誘導体とアントラセン誘導体との組み
合わせであってもよい。
び/またはアントラセン誘導体の含有量は80%(質量
百分率)以上が好ましく、他の電子輸送材料(例えば金
属錯体化合物、キノキサリン系化合物、アゾール系化合
物、ジアゾール系化合物)を併用することも可能である
が、電子輸送層は、ナフタセン誘導体および/またはア
ントラセン誘導体のみからなることが好ましい。なかで
も、ナフタセン誘導体の使用が好ましく、特には、式
(2)(さらには式(2a)、(2b)、特に式(2
a))で表されるナフタセン誘導体の使用が好ましい。
セン誘導体も含めて、電子輸送層に用いられる材料は、
双極子モーメントの値が1.0Dybye以下であることが
好ましく、さらには0.1〜0.3Dybyeであることが
好ましい。この場合の双極子モーメントは、半経験的分
子軌道法プログラム(MPAC)を用い、AM1法によ
って求めたものである。
極性分子を用いることにより、電子輸送性が高くなる。
電子輸送性μaは、本発明の構成の有機EL素子を用い
て電子輸送層の厚さを変化させたときに100mA/cm2の
電流を流すのに要する駆動電圧の変化によって、以下の
ように定義されるパラメータであり、電子輸送層の厚さ
(nm)をd1、d2(但しd1>d2)としたときの駆動電
圧(V)をV1、V2としたとき、μa=(d1−d2)/
(V1−V2)で示される。このμaが80nm/V以上、さ
らには100nm/V以上であることが好ましい。電子輸送
性が高いほど低電圧で駆動できる素子が作成できるた
め、この上限に特に制限はないが、ホール注入・輸送層
や発光層の構成によっては電子輸送性が高すぎるために
キャリアバランスを崩す可能性もあるので、本発明の素
子構成においては、600nm/V程度を上限とするのがよ
い。
を用いることにより、低電圧駆動が可能になり、発光効
率が向上する。また、本発明では、電子注入電極である
陰極側から電子注入層、電子輸送層、発光層の順に積層
されるが、本発明の電子輸送層を選択することにより、
電子輸送層にかかる電界強度を低くできるため、電子輸
送層の膜厚を変化させて光学的外部取り出し効率の最適
化を行った場合でもほとんど駆動電圧の変化が無く、低
い駆動電圧と高い外部取り出し効率を両立させた素子を
作成することができる。また、正孔(ホール)の突き抜
けによって、電子輸送層でキャリアの再結合が起こる確
率が減少するので、発光層以外での発光が抑えられ、色
純度および素子寿命の低下が防止される。
分子であるため、発光層界面での発光材料との相互作用
が起こりにくく、界面での励起子のエネルギー損失を防
ぐ効果もあると考えられる。
によって異なるが、5〜100nmが好ましく、さらに好
ましくは10〜60nmである。このような厚さとするこ
とにより、最適な光学干渉の効果が得られ、良好な外部
取り出し効率が得られる。また、上記のような範囲であ
れば電子輸送層の膜厚を変えても顕著な駆動電圧の変化
がないため、光学干渉による効率、色純度の調整を容易
に行うことができる。
で効率、色純度、素子寿命を向上させるための手段とし
て発光層と電子輸送層との間に発光層よりもイオン化ポ
テンシャル(IP)の大きな材料をホールブロック層と
して設ける方法があるが、この方法では発光層の電子輸
送層側で励起子の生成が集中的に起こるため、逆に素子
寿命を低下させる弊害がある。本発明の電子輸送層と発
光層の組合せでは、電子輸送層の電子輸送層が高く発光
層に良好に電子を注入することができ、注入された電子
はドーパント分子に局在化するため、陽極側から注入さ
れたホールと効率よく再結合することができる。その結
果としては発光層と陰極との間にホールをブロックする
ような障壁を設けなくとも電子輸送層にホールが注入さ
れることはない。したがって、発光層と電子輸送層との
イオン化ポテンシャル(IP)の差を小さくすることに
より上記のような弊害を防ぐことができる。
とのイオン化ポテンシャル(IP)の差は0.1eV以
下、特に0〜0.1eVであることが好ましい。
て用いられる電子注入層としては、陰極および電子輸送
層の双方との密着性が良く、陰極から電子を効率よく注
入でき、高いキャリア濃度が得られる材料を用いること
が好ましい。この場合、無機化合物からなる電子注入層
も考えられるが、有機化合物を選択して用いることが好
ましい。有機化合物によっては、特に、アルカリ金属や
アルカリ金属化合物などを電子注入電極に用いた場合は
アルカリ金属原子と錯形成することも可能となり、さら
に密着性が向上し、高い電子注入性が得られる。この場
合の有機化合物は、一般的な炭素化合物のほか、金属錯
体など、金属を含むものであってもよい。
ト)アルミニウム(Alq3)等の8−キノリノールな
いしその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノ
リン誘導体、フェナントロリンないしフェナントロリン
誘導体、インドール誘導体(インドールも含む)、カル
バゾール誘導体(カルバゾールも含む)、オキサジアゾ
ール誘導体(オキサジアゾールも含む)、ペリレン誘導
体、ピリジン誘導体、アクリジン誘導体、ピリミジン誘
導体、キノキサリン誘導体、フェナジン誘導体、ジフェ
ニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等の種
々の材料を用いることができる。
しく、特に含窒素複素環を有する化合物が好ましい。
アルミニウムなどの使用も一般的であるが、陰極との密
着性および電子注入性が良好なことからフェナントロリ
ンないしフェナントロリン誘導体の使用が好ましい。フ
ェナントロリンないしフェナントロリン誘導体の使用が
最も好ましいが、インドール誘導体、カルバゾール誘導
体、キノキサリン誘導体、フェナジン誘導体、アクリジ
ン誘導体、オキサジアゾール誘導体等を用いても良好な
特性が得られる。
具体的に説明する。
ロリン誘導体としては、1,10-フェナントロリン、1,9-
フェナントロリン、1,8-フェナントロリン、1,7-フェナ
ントロリン、2,9-フェナントロリン、2,8-フェナントロ
リン、2,7-フェナントロリン、3,8-フェナントロリン、
3,7-フェナントロリン、4,7-フェナントロリンおよびこ
れらのフェナントロリン骨格の1つ以上を分子中に有す
る有機化合物が好ましい。
誘導体としては、特開平5−331459号および特開
2001−267080号に開示されているものが使用
可能であるが、特に、式(1a)、式(1b)で表され
るものが好ましい。
でも異なるものであってもよく、水素、アリール基、ア
ルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、
アミノ基または複素環基を表し、これら隣接する2個以
上が環を形成してもよいが、好ましくはアリール基、ア
ルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ
基、アルキル基、アミノ基、複素環基であり、特に好ま
しくはアリール基、芳香族複素環基である。
キル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、アミノ基、アルケニル基、複素環
基の具体例は、式(2)のQ10等で表されるものと同様
である。
基、ピリジル基であることが好ましい。
一でも異なるものであってもよく、式(1c)で表され
る基を表し、式(1c)中のY12〜Y19は、式(1a)
中のY2〜Y9と同義のものである。ただし、式(1c)
中のY12〜Y19のうちの1つは、Lを構成する。Lは単
結合または二価の連結基を表し、Lで表される二価の連
結基としては、式(4)、式(4a)、式(4b)で表
されるアントラセン誘導体のところで述べたL101、L
10、L20と同様のものが挙げられ、好ましいものも同様
である。また、二価の連結基としては、二価の芳香族複
素環基(例えばピリジンジイル基等)も挙げられる。
12〜Y19は、AおよびBにおいて同一でも異なっていて
もよい。すなわち、式(1b)において、2個のフェナ
ントロリン骨格を有する環A、Bの結合位置に特に制限
はなく、Y2(2位)、Y3(3位)、Y4(4位)同士
の結合が一般的であるが、Y2(2位)とY4(4位)の
ような異なる部位での結合であってもよい。また、2個
のフェナントロリン骨格を有する環A、Bは、それぞれ
同一でも異なるものであってもよく、その置換基等は同
一でも異なるものであってもよい。
しフェナントロリン誘導体の具体例を以下に示すが、本
発明はこれらに限定されるものではない。式(f−1)
〜式(f−4)中の表示に従って具体例を示す。
材料はフェナントロリン誘導体が最も良好であるが、以
下に示すような基本骨格を有する含窒素複素環化合物を
用いても良好である。
ルキル基,アリール基,アルコキシ基,アリーロキシ
基,アルキルチオ基,アリールチオ基,アルケニル基,
複素環基,ハロゲン原子,シアノ基を示し、それぞれ同
一でも異なるものであっても良い。更に,隣接する基は
互いに結合あるいは縮合して置換している炭素原子とと
もに脂肪族環あるいは芳香族環を形成しても良い。
体的に例示するが、本発明において良好な電子注入材料
はこれに限定されるものではない。
される骨格を有するインドール誘導体が好ましい。
ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキル基(例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等)、アルケニル基(例
えば、エチニル基等)、アリール基(例えば、フェニル
基、ビフェニル基、テルフェニル基等)、アリールオキ
シ基(例えば、フェニルオキシ基等)、アルキルオキシ
基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アリールカ
ルボニル基(例えば、フェニルカルボニル基等)または
アルキルカルボニル基(例えば、アセチル基、プロピオ
ニル基等)であり、前記各基は、アルキルオキシ基、ア
ルキル基、アリール基、ニトロ基、シアノ基、アミノ
基、ハロゲン原子等の置換基を1つまたは複数有してい
てもよい。
つは、アリール基またはアリール基を有する基であるこ
とが好ましく、これら全てがアリール基であることがよ
り好ましい。
合物が好ましい。
43は、アルコキシ基(好ましくは炭素数が1〜5、特に
炭素数1)、アルキル基(好ましくは炭素数が1〜
5)、ジアルキルアミノ基(好ましくはアルキルの炭素
数が1〜5)またはニトロ基である。p、q、rは0〜
3の整数であり、p+q+r≧1、好ましくはp+q+
r≦6である。R41、R42およびR43は、通常、パラ位
に結合するが、オルト位に結合することもある。
いに結合して5または6員、特に6員の縮合環を形成し
ていてもよい。
炭素数が1〜5であることが好ましい。また、アリール
基としてはフェニル基が好ましい。
成しているものには、式(5b)、(5c)で示される
化合物が挙げられる。また、式(5d)で示される骨格
を有する化合物も好ましい。
R14は、上記したR1 〜R7 と同様のものから選択する
ことが好ましく、具体的には例えば、R1 〜R3 、R11
〜R 14、R6 〜R7 の全てが水素であるものが好まし
い。
R24は、上記したR1 〜R7 と同様のものから選択する
ことが好ましく、具体的には例えば、R1 〜R5 、R21
〜R 24の全てが水素であるものが好ましい。
R34、R35、R36は、前記R1 〜R 7 と同様のものから
選択することが好ましい。また、Xは、結合手、1,4
−フェニレン、4,4’−ビフェニレン等であり、具体
的には例えば、Xが結合手、1,4−フェニレンまたは
4,4’−ビフェニレンであって、R2 〜R7 、R31〜
R36の全てが水素であるものが好ましい。
が、これらに限定されるものではない。式(Id−1)
〜式(Id−4)中の表示に従って具体例を示す。
表されるものが好ましい。 Qm−L100(6)
子を0〜2個含む六員芳香環が縮合したピラジニル基を
表す。mは2または3であり、この場合のm個のQは各
々同一でも異なるものであってもよい。Qを形成する六
員芳香環としてはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン
環、ピリダジン環等が好ましい。このような六員芳香環
とピラジン環との縮合位置には特に制限はないが、縮合
位置には炭素原子が存在することが好ましく、窒素原子
は存在しない方が好ましい。したがって、ピラジン環で
は位置番号2,3の辺または位置番号5,6の辺で縮合
することが好ましく、ピリジン環では位置番号2,3
(もしくは5,6)の辺または位置番号3,4(もしく
は4,5)の辺、ピリミジン環では位置番号4,5(も
しくは5,6)の辺、ピリダジン環では位置番号3,4
(もしくは5,6)の辺または位置番号5,4の辺で縮
合することが好ましい。
2価または3価の基を表す。2価の基としてはアレーン
ジイル基が好ましく、具体的にはフェニレン基、ビフェ
ニルジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイ
ル基、ピレンジイル基等が好ましく挙げられ、3価の基
としてはアレーントリイル基(具体的にはベンゼントリ
イル基等)、窒素原子、トリアリールアミントリイル基
(具体的にはトリフェニルアミントリイル基等)などが
好ましい。
ていてもよく、このような置換基としてはQを含むもの
であってもよく、1分子中のQの総数は2〜10個が好
ましく、さらには2〜4個が好ましい。
でも異なるものであってもよいが、合成上の便宜等から
は通常同一であることが好ましい。
サリン誘導体のなかでも式(VIII)で表される化合物が
好ましい。
I)において、Zはピラジン環の2個の炭素原子ととも
にベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環またはピリダ
ジン環を形成するのに必要な原子群を表す。
ていてもよく、縮合環を有していてもよい。Zで完成さ
れる環のピラジン環に対する好ましい縮合位置は式
(6)の説明で示したものと同様のものが挙げられる。
を表し、kは0、1または2である。Zで完成される環
の置換基やA1で表される置換基の好適例は、後述の式
(VIII−a)〜式(VIII−m)におけるA13等と同じであ
るので、そこで詳述する。
0 は単結合、フェニレン基、ビフェニルジイル基または
ナフタレンジイル基を表し、mが3のときL100 はベン
ゼントリイル基、窒素原子またはトリフェニルアミント
リイル基を表し、これらについても式(VIII−a)〜式
(VIII−n)のところで詳述する。
も異なるものであってもよいが、式(6)のところでの
説明と同様に同一であることが好ましい。
におけるL100 との結合位置はいずれであってもよい。
物のなかでも式(VIII−a)〜式(VIII−n)で表される
化合物が好ましい。
結合である場合の式(VIII−a)〜式(VIII−f)、およ
び式(VIII−m)について説明する。式(VIII−a)〜式
(VIII−f)、および式(VIII−m)において、L111 は
フェニレン基、ビフェニルジイル基またはナフタレンジ
イル基を表す。
o−、m−、p−フェニレン基のいずれであってもよい
が、特にp−フェニレン基が好ましい。
ては、4,4’−ビフェニル−1,1’−ジイル基等が
好ましい。
ては、1,5−ナフタレンジイル基等が好ましい。
が、場合によってはアルキル基、アリール基等の置換基
を有していてもよい。
23、A25〜A28、式(VIII−b)中のA13、A16〜
A18、A23、A26〜A28、式(VIII−c)中のA13、A
15、A17、A18、A23、A25、A27、A28、式(VIII−
d)中のA13、A16、A18、A23、A26、A28、式(VII
I−e)中のA13、A17、A18、A23、A27、A28、式
(VIII−f)中のA13、A15、A18、A23、A25、
A28、および式(VIII−m)中のA1 2、A13、A15、A
17、A18、A22、A23、A25、A27、A28 は、各々水
素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、
ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルコ
キシ基、アリーロキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基または複素環基を表し、各式中において
これらは同一でも異なるものであってもよい。
フッ素原子、塩素原子等が挙げられる。
〜6のものが好ましく、直鎖状であっても分岐を有する
ものであってもよい。また無置換のものが好ましいが、
置換基(例えばF、Cl等のハロゲン原子)を有してい
てもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基等が挙げられる。
〜30のものが好ましく、単環であっても多環(縮合多
環や環集合)であってもよく、置換基を有していてもよ
い。置換基としては、例えばF、Cl等のハロゲン原子
やメチル基等のアルキル基などのほか、複素環基等も挙
げられ、この場合の複素環基は、例えば式(VIII−a)
におけるキノキサリニル基のように、L111 に結合する
縮合ピラジニル基と同一のものが好ましい。A13等のア
リール基の具体例としては、フェニル基、1−ナフチル
基、2−ナフチル基、2−ビフェニリル基、3−ビフェ
ニリル基、4−ビフェニリル基等、さらにはこれらにキ
ノキサリニル基等の縮合ピラジニル基が置換したものな
どが挙げられる。
ル部分の炭素数が1〜6のものが好ましく、置換基を有
していてもよいが、無置換のものが好ましい。具体的に
はメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基等が挙げられる。
は、フェノキシ基等が挙げられる。
ていてもよく、置換基としてはアルキル基、アリール基
等が挙げられる。具体的にはアミノ基、メチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニル
アミノ基等が挙げられる。
メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。
フェニルチオ基等が挙げられる。
基、チェニル基、ピロール基、ピリジル基、キノリル基
等が挙げられる。このほか、式(VIII−a)におけるキ
ノキサリニル基のようなL1 に結合するものと同じ縮合
ピラジニル基であってもよい。
25〜A28のなかの隣接するもの同士、式(VIII−b)に
おいて、A16〜A18、A26〜A28のなかの隣接するもの
同士、式(VIII−c)において、A17とA18、A27とA
28、式(VIII−e)において、A17とA18、A27と
A28、式(VIII−m)において、A12とA13、A17とA
18、A22とA23、A27とA28は、各々互いに結合して環
を形成してもよい。この場合の環としては、ベンゼン環
等が好ましく、さらには形成されるベンゼン環同士が縮
合していてもよく、これらによって形成されたベンゼン
環はさらに縮合環を有していてもよい。
A13、A23は、および式(VIII−m)において、A12、
A13、A22、A23、はアリール基などが好ましい。ま
た、式(VIII−a)のA15〜A18、A25〜A28は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基あるいは隣接するもの同
士が結合してベンゼン環を形成するものなどが好まし
い。また、式(VIII−b)のA16〜A18、A26〜A28、
式(VIII−c)のA15、A17、A18、A25、A27、
A28、式(VIII−d)のA16、A18、A26、A28、式(V
III−e)のA17、A18、A27、A28、式(VIII−f)の
A15、A18、A25、A28および式(VIII−m)のA15、
A17、A18、A25、A27、A28 各々水素原子などであ
ることが好ましい。
式(VIII−g)〜式(VIII−l)、式(VIII−n)につい
て説明する。式(VIII−g)〜式(VIII−l)、式(VIII
−n)において、L112 はベンゼントリイル基、窒素原
子またはトリフェニルアミントリイル基を表す。
ては1,3,5−ベンゼントリイル基等が好ましい。
イル基としては4,4’,4”−トリフェニル−1,
1’,1”−トリイル基等が好ましい。
が、場合によってはアルキル基、アリール基等の置換基
を有していてもよい。
23、A25〜A28、A33、A35〜A38、式(VIII−h)中
のA13、A16〜A18、A23、A26〜A28、A33、A36〜
A38、式(VIII−i)中のA13、A15、A17、A18、A
23、A25、A27、A28、A33、A35、A37、A38、式
(VIII−j)中のA13、A16、A18、A23、A26、
A28、A33、A36、A38、式(VIII−k)中のA13、A
17、A18、A23、A27、A28、A33、A37、A38、式
(VIII−l)中のA13、A15、A18、A23、A25、
A28、A33、A35、A38、式(VIII−n)中のA12、A
13、A15、A17、A18、A22、A23、A25、A27、
A28、A32、A33、A35、A37、A38は、各々水素原
子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、アリーロキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリ
ールチオ基または複素環基を表し、各式中においてこれ
らは同一でも異なるものであってもよい。これらの基の
具体例としては式(VIII−a)〜式(VIII−f)のところ
で挙げたものと同様のものが挙げられる。また、式(VI
II−g)において、A15〜A18、A2 5〜A28、A35〜A
38のなかの隣接するもの同士、式(VIII−h)におい
て、A16〜A18、A26〜A28、A36〜A38のなかの隣接
するもの同士、式(VIII−i)において、A17とA18、
A27とA28、A37とA38、式(VIII−k)において、A
17とA18、A27とA28、A37とA38、式(VIII−n)に
おいて、A12とA13、A17とA18、A22とA23、A27と
A28、A32とA33、A37とA38は、各々互いに結合して
環を形成してよく、具体例としては式(VIII−a)〜式
(VIII−f)のところのものと同様のものが挙げられ
る。また、式(VIII−a)〜式(VIII−l)において、A
13、A23、A33としては、水素原子、フェニル基等のア
リール基などが好ましい。
〜A28、A35〜A38は水素原子あるいは隣接するもの同
士が結合してベンゼン環を形成するものなどが好まし
い。
〜A28、A36〜A38、式(VIII−i)のA15、A17、A
18、A25、A27、A28、A35、A37、A38、式(VIII−
j)のA16、A18、A26、A28、A36、A38、式(VIII
−k)のA17、A18、A27、A28、A37、A38、式(VII
I−l)のA15、A18、A25、A28、A35、A38、式(VI
II−n)のA12、A13、A15、A17、A18、A22、
A23、A25、A27、A28、A32、A33、A35、A37、A
38は各々水素原子などであることが好ましい。
(6)で表されるキノキサリン誘導体の具体例を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。ここでは、
式(VIII−a)〜式(VIII−m)中のL111 、L112 、A
13等の組み合わせで表示し、A 13とA23が異なるときは
表中で別々に示している。なお、式(VIII−a)〜式(V
III−m)での表示は代表例であり、実際得られる化合物
は、通常、合成経路上、構造異性体の混合物であるの
で、これらの表示は対応する構造異性体を含む趣旨であ
る。
(7)で表されるものが好ましい。
基(例えば、メチル基、エチル基等)、アリール基(例
えば、フェニル基、ナフチル基等)、アルコキシ基(例
えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アリーロキシ基
(例えば、フェノキシ基等)、複素環基(例えば、ピリ
ジル基、チエニル基等)、ニトロ基、シアノ基、アミノ
基、水酸基、カルボキシル基またはアルケニル基を表
し、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロ
キシ基、複素環基、アミノ基、アルケニル基はさらに置
換基を有していてもよく、これらの基として、具体的に
は一部上述したが、式(2)のQ10等と同様のものが挙
げられる。Z0としては、フェニル基等のアリール基な
どが好ましく、さらに、置換基を有していてもよく、そ
の場合の置換基としては、Z0で表される置換基(アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、複
素環基等)と同様のものであってよい。n50は1、2ま
たは3であり、2、3が好ましい。
換基または水素であり、n50=2の場合、2つのオキサ
ジアゾリル基を連結する二価の連結基(例えば、フェニ
レン基、ビフェニルジイル基等)、n50=3の場合、3
つのオキサジアゾリル基を連結する三価の連結基(例え
ば、ベンゼントリイル基等)である。また、n50=2、
3の場合、X50によって連結される複数のオキサジアゾ
リル基は同一のものでも異なるものであってもよい。
を示すが、これらに限定されるものではない。式(7−
1)、式(7−2)中の表示に従って具体例を示す。
表されるものが好ましい。
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基等)、アリー
ル基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、アルコキ
シ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基等)、アリーロ
キシ基(例えばフェノキシ基等)、複素環基(例えば、ピ
リジル基、チエニル基等)、ニトロ基、シアノ基、アミ
ノ基、水酸基、カルボキシル基またはアルケニル基を表
し、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロ
キシ基、複素環基、アミノ基、アルケニル基は、さらに
置換基を有していてもよく、これらの基として、具体的
には、一部上述したが、式(2)のQ10等と同様のもの
が挙げられる。n51は1または2であり、2が好まし
い。X51は、n51=1の場合、R52〜R59と同様の置換
基または水素であり、n52=2の場合、2つのカルバゾ
リル基を連結する二価の連結基(例えば、フェニレン基
等)である。また、n=2の場合、X51で連結するカル
バゾリル基は同一でも異なっていてもよい。
すが、これらに限定されるものではない。式(8−1)
中の表示に従って具体例を示す。
ラシクロペンタジエン誘導体等の一般的な電子注入材料
を用いても本発明の効果が得られる。
挙げられる。
アルキル基,アリール基,アルコキシ基,アリーロキシ
基,アルキルチオ基,アリールチオ基,アルケニル基,
複素環基,ハロゲン原子,シアノ基,アルキルボリル
基、アリールボリル基を示す。Arはアリール基,複素環
基を示す。
ものではない。これらの化合物は、特開2001−23
3882号公報、Polymer Preprints, Japan, Vol.48,
No.9, 2047-2048, 1999、International Symp. on func
tional dyes, 36, 1999などに記載されている。
次のようなものが挙げられる。
アルキル基,アリール基,アルコキシ基,アリーロキシ
基,アルキルチオ基,アリールチオ基,アルケニル基,
複素環基,ハロゲン原子,シアノ基,アルキルボリル
基、アリールボリル基を示す。更に、隣接する基は互い
に結合あるいは縮合して置換している炭素原子とともに
脂肪族環あるいは芳香族環を形成しても良い。
ものではない。これらの化合物は、特開2002−33
8581号公報、特開2002−216972号公報な
どに記載されている。
公報、特開2000−306670号公報、特開200
2−38141号公報、特開2001−57292号公
報、特開2001−244076号公報、特開平5−2
1165号公報、特開2001−335776号公報、
特開平7−82552号公報、特開平10−25163
4号公報、特開平9−3448号公報などに記載の化合
物を使用することができる。これらの化合物も含めて、
本発明に使用できる化合物を例示する。
み用いても2種以上併用してもよい。2種以上用いると
きは、同種のものを用いても異なるものを用いてもよ
い。
体、特に式(1a)、式(1b)で表されるフェナント
ロリンないしフェナントロリン誘導体を用いることが好
ましく、フェナントロリンないしフェナントロリン誘導
体を80%(質量百分率)以上含有することが好まし
く、特に、フェナントロリンないしフェナントロリン誘
導体からなることが好ましい。
には1〜10nmが好ましい。このような厚さの範囲にお
いて、駆動電圧を低下させることができる。これに対
し、電子注入層が薄くなると、臨界的に上記の駆動電圧
が上昇し、厚くなっても上記の駆動電圧が上昇する。こ
れは、薄すぎる場合、陰極との密着性が低下し、電子注
入性が悪くなるためであり、また、電子注入層の材料は
電子輸送性が低いため、厚すぎると電圧が上昇すると考
えられる。
さは5〜100nmであることが好ましい。このような合
計厚さとすることにより電子の注入および輸送を効率よ
く行うことができ、かつ光学的に良好な外部取出し効率
が得られる。これに対し、これらの合計厚さが厚くなる
と、駆動電圧の上昇を招き、薄くして駆動電圧を下げた
場合でも、光学的に最適な膜厚でない場合、外部取り出
し効率の低下を招く。
られる発光層は、ホスト材料とドーパント材料とを含有
するものであることが好ましい。
ン誘導体、アントラセン誘導体、テトラアリールジアミ
ン誘導体、キノキサリン誘導体、金属錯体化合物などが
あるが、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体を用い
ることが好ましく、ナフタセン誘導体は特に好ましい。
のものと同様のものを用いることができ、好ましいもの
も同様であり、特に好ましくは式(2)(さらには、式
(2a)、(2b)、特には式(2a))で表されるナ
フタセン誘導体である。
Dybe以下、さらには0.5〜0Dybeであるものが好まし
く、このような非極性分子を用いることにより電子輸送
性が高くなり、ドーパント材料による電子のトラップが
起こりやすくなり、ドーパントに電子が局在化するた
め、ドーパント材料の発光が促進されるとともに、ホス
ト材料での発光を抑えることができる。また、ホスト分
子とドーパントとの相互作用を抑えることもできる。こ
のため、高効率で色純度の高い素子が得られる。
しく用いられるナフタセン誘導体の電子親和力は、電子
輸送層の電子親和力より大きいかまたは同じであること
が望ましい。また、ホール注入輸送層を設ける場合、ホ
ール注入輸送層の電子親和力より大きいことが好まし
い。発光層に含有されるホスト材料の電子親和力が、電
子輸送層の電子親和力より大きいと、発光層への電子の
注入効率が向上し、また、ホール注入輸送層の電子親和
力より大きいとホール注入輸送層の界面では電子がブロ
ックされるため発光効率が向上し、素子寿命も向上す
る。
子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結
合により励起子を生成させる機能を必要とするため、ホ
ストには、比較的電子的にニュートラルな化合物を用い
ることで、電子とホールを容易かつバランスよく注入・
輸送することができる。
0〜99.9%(質量百分率)含有されていることが好
ましく、特に90〜99.9%(質量百分率)、さらに
は95.0〜99.5%(質量百分率)含有されている
ことが好ましい。
する厚みから、素子中の有機化合物層の全厚未満とする
ことが好ましく、具体的には1〜85nmとすることが好
ましく、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとする
ことが好ましい。
で発光し、かつホスト材料中で電子をトラップすること
が可能な材料であればいずれであってもよいが、フルオ
ランテン誘導体を用いることが好ましい。
で表されるものが好ましい。
1〜Z10、およびn10=1のときのL11 ,L12 は水
素、ハロゲン、置換基を有していてもよい直鎖、分岐ま
たは環状のアルキル基、置換基を有していてもよい直
鎖、分岐または環状のアルキル部分を有するアルコキシ
基、置換基を有していてもよい直鎖、分岐または環状の
アルキル部分を有するアルキルチオ基、置換基を有して
いてもよい直鎖、分岐または環状のアルケニル基、置換
基を有していてもよい直鎖、分岐または環状のアルケニ
ル部分を有するアルケニルオキシ基、置換基を有してい
てもよい直鎖、分岐または環状のアルケニル部分を有す
るアルケニルチオ基、置換または無置換の芳香環含有ア
ルキル基、置換または無置換の芳香環アルキル含有オキ
シ基、置換または無置換の芳香環含有アルキルチオ基、
置換または無置換の芳香環基、置換または無置換の芳香
環オキシ基、置換または無置換の芳香環チオ基、置換ま
たは無置換のアミノ基、シアノ基、水酸基、−COOR
1 (ここで、R1は水素、置換基を有していてもよい直
鎖、分岐または環状のアルキル基、置換基を有していて
もよい直鎖、分岐または環状のアルケニル基、置換また
は無置換の芳香環基含有アルキル基、あるいは置換また
は無置換の芳香環基を表す)、−COR2(ここで、R2
は水素、置換基を有していてもよい直鎖、分岐または環
状のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖、分岐
または環状のアルケニル基、置換または無置換の芳香環
含有アルキル基、置換または無置換の芳香環基、あるい
はアミノ基を表す)、あるいは−OCOR3(ここで、
R3は置換基を有していてもよい直鎖、分岐または環状
のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖、分岐ま
たは環状のアルケニル基、置換または無置換の芳香環含
有アルキル基、あるいは置換または無置換の芳香環基を
表す)を表し、さらに、Z1〜Z10およびL11,L12か
ら選ばれる2つ以上の隣接する基は互いに結合して、置
換している炭素原子と共に、置換または無置換の脂肪族
炭素環、芳香環、あるいは脂肪族炭素環と芳香環との縮
合環を形成していてもよい。また、n10=2であって、
L11,L12のうちの少なくとも一方が単結合であると
き、他方はn10=1のときと同様の基を表し、上記と同
様に環を形成してもよいことは同様である。また、
L11,L12の両方が単結合であってもよく、この場合も
上記と同様に環を形成してもよいことは同様である。
L11,L12から選ばれる2つ以上の隣接する基が互いに
結合して、置換している炭素原子と共に、置換または無
置換の脂肪族炭素環、芳香環、あるいは脂肪族炭素環と
芳香環との縮合環を形成していることが好ましい。ま
た、n10=2のとき、L11,L12の両方が単結合である
ことも好ましい。
も、特に式(3a)で表されるジインデノ[1,2,3-cd:
1',2',3'-lm]ペリレン誘導体が好ましい。
11 〜Z16,Z19およびZ20は水素、ハロゲン、置換基
を有していてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル
基、置換基を有していてもよい直鎖、分岐または環状の
アルキル部分を有するアルコキシ基、置換基を有してい
てもよい直鎖、分岐または環状のアルキル部分を有する
アルキルチオ基、置換基を有していてもよい直鎖、分岐
または環状のアルケニル基、置換基を有していてもよい
直鎖、分岐または環状のアルケニル部分を有するアルケ
ニルオキシ基、置換基を有していてもよい直鎖、分岐ま
たは環状のアルケニル部分を有するアルケニルチオ基、
置換または無置換の芳香環含有アルキル基、置換または
無置換の芳香環含有アルキルオキシ基、置換または無置
換の芳香環含有アルキルチオ基、置換または無置換の芳
香環基、置換または無置換の芳香環オキシ基、置換また
は無置換の芳香環チオ基、置換または無置換の芳香環ア
ルケニル基、置換または無置換のアルケニル芳香環基、
置換または無置換のアミノ基、シアノ基、水酸基、−C
OOR1(ここで、R1は水素、置換基を有していてもよ
い直鎖、分岐または環状のアルキル基、置換基を有して
いてもよい直鎖、分岐または環状のアルケニル基、置換
または無置換の芳香環含有アルキル基、あるいは置換ま
たは無置換の芳香環基を表す)、−COR2(ここで、
R2は水素、置換基を有していてもよい直鎖、分岐また
は環状のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖、
分岐または環状のアルケニル基、置換または無置換の芳
香環含有アルキル基、置換または無置換の芳香環基、あ
るいはアミノ基を表す)、あるいは−OCOR3(ここ
で、R3は置換基を有していてもよい直鎖、分岐または
環状のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖、分
岐または環状のアルケニル基、置換または無置換の芳香
環含有アルキル基、あるいは置換または無置換の芳香環
基を表す)を表し、さらに、Z1〜Z6,Z9,Z10 ,Z
11 〜Z16,Z19、Z20から選ばれる隣接する基から選
ばれる基は互いに結合して、置換している炭素原子と共
に、置換または無置換の脂肪族炭素環、芳香環、あるい
は脂肪族炭素環と縮合芳香環との縮合環を形成していて
もよい。
基、ナフチル基などの芳香族炭化水素基(アリール基)
と、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基などの
芳香族複素環基とを意味するが、なかでもアリール基が
好ましい。以下においても同様である。
〜Z6,Z9,Z10 ,Z11 〜Z16,Z19,Z20で表され
る直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐また
は環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルキ
ルチオ基、直鎖、分岐または環状のアルケニル基、直
鎖、分岐または環状のアルケニルオキシ基、および直
鎖、分岐または環状のアルケニルチオ基は、それぞれ、
さらに、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲ
ン、炭素数4〜20の芳香環基、炭素数1〜20のアル
コキシ基、炭素数2〜20のアルコキシアルコキシ基、
炭素数2〜20のアルケニルオキシ基、炭素数4〜20
の芳香環含有アルキルオキシ基、炭素数5〜20の芳香
環含有アルキルオキシアルコキシ基、炭素数3〜20の
芳香環オキシ基、炭素数4〜20の芳香環オキシアルコ
キシ基、炭素数5〜20の芳香環アルケニル基、炭素数
6〜20の芳香環含有アルキルアルケニル基、炭素数1
〜20のアルキルチオ基、炭素数2〜20のアルコキシ
アルキルチオ基、炭素数2〜20のアルキルチオアルキ
ルチオ基、炭素数2〜20のアルケニルチオ基、炭素数
4〜20の芳香環含有アルキルチオ基、炭素数5〜20
の芳香環含有アルキルオキシアルキルチオ基、炭素数5
〜20の芳香環含有アルキルチオアルキルチオ基、炭素
数3〜20の芳香環チオ基、炭素数4〜20の芳香族オ
キシアルキルチオ基、炭素数4〜20の芳香環チオアル
キルチオ基、炭素数4〜20の脂環式複素環基などで単
置換または多置換されていてもよい。さらに、これらの
置換基に含まれる芳香環基は、さらにハロゲン、炭素数
1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ
基、炭素数3〜10の芳香環基、炭素数4〜10の芳香
環含有アルキル基などで置換されていてもよい。
Z9,Z10 ,Z11 〜Z16,Z19,Z20で表される芳香
環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香
環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香環オキシ基、お
よび芳香環チオ基中の芳香環基は置換基を有していても
よく、例えば、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2
〜20のアルケニル基、炭素数4〜20の芳香環含有ア
ルキル基、炭素数3〜20の芳香環基、炭素数1〜20
のアルコキシ基、炭素数2〜20のアルコキシアルキル
基、炭素数2〜20のアルコキシアルキルオキシ基、炭
素数2〜20のアルケニルオキシ基、炭素数3〜20の
アルケニルオキシアルキル基、炭素数3〜20のアルケ
ニルオキシアルキルオキシ基、炭素数4〜20の芳香環
含有アルキルオキシ基、炭素数5〜20の芳香環含有ア
ルキルオキシアルキル基、炭素数5〜20の芳香環含有
アルキルオキシアルキルオキシ基、炭素数3〜20の芳
香環オキシ基、炭素数4〜20の芳香環オキシアルキル
基、炭素数4〜20の芳香環オキシアルキルオキシ基、
炭素数2〜20のアルキルカルボニル基、炭素数3〜2
0のアルケニルカルボニル基、炭素数5〜20の芳香環
含有アルキルカルボニル基、炭素数4〜20の芳香環カ
ルボニル基、炭素数2〜20のアルコキシカルボニル
基、炭素数3〜20のアルケニルオキシカルボニル基、
炭素数5〜20の芳香環含有アルキルオキシカルボニル
基、炭素数4〜20の芳香環オキシカルボニル基、炭素
数2〜20のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数3〜
20のアルケニルカルボニルオキシ基、炭素数5〜20
の芳香環含有アルキルカルボニルオキシ基、炭素数4〜
20の芳香環カルボニルオキシ基、炭素数1〜20のア
ルキルチオ基、炭素数4〜20の芳香環含有アルキルチ
オ基、炭素数3〜20の芳香環チオ基、ニトロ基、シア
ノ基、ホルミル基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、
水酸基、アミノ基、炭素数1〜20のN−モノ置換アミ
ノ基、炭素数2〜40のN,N−ジ置換アミノ基などの
置換基で単置換あるいは多置換されていてもよい。
基は、さらにハロゲン、炭素数1〜10のアルキル基、
炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数6〜10のアリ
ール基、炭素数7〜10のアラルキル基などで置換され
ていてもよい。
Z9,Z10 ,Z11 〜Z16,Z19,Z20で表されるアミ
ノ基は置換基を有していてもよく、例えば、炭素数1〜
20のアルキル基、炭素数4〜20の芳香環含有アルキ
ル基、あるいは炭素数3〜20の芳香環基でモノ置換ま
たはジ置換されていてもよい。
ないしアシル基中のR1、R2およびR3で表されるアル
キル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基およびア
リール基は置換基を有していてもよく、例えば、Z1〜
Z6,Z9,Z10 ,Z11 〜Z1 6,Z19,Z20で挙げた置
換基で単置換または多置換されていてもよい。
19,Z20は、好ましくは、Z5,Z6,Z9,Z10,
Z15,Z16,Z19およびZ20が水素であり、且つZ1〜
Z4,Z11〜Z14が水素、ハロゲン、置換基を有してい
てもよい総炭素数1〜24の直鎖、分岐または環状のア
ルキル基、置換基を有していてもよい総炭素数1〜24
の直鎖、分岐または環状のアルキル部分を有するアルコ
キシ基、置換基を有していてもよい総炭素数2〜24の
直鎖、分岐または環状のアルケニル基、またはこのよう
なアルケニル基を有するアルケニルアリール基あるいは
アリールアルケニル基(総炭素数8〜30)、置換また
は無置換の総炭素数7〜24のアラルキル基、置換また
は無置換の総炭素数6〜24のアリール基あるいはアリ
ールオキシ基、シアノ基、複素環基、水酸基、−COO
R1、−COR2、あるいは−OCOR3(但し、ここ
で、R1〜R3は前記に同じ意味を表す)である。
Z1〜Z6,Z9およびZ10,式(3a)においてZ1〜Z
6,Z9,Z10,Z11〜Z16,Z19およびZ20から選ばれ
る隣接する基は互いに結合して、置換している炭素原子
と共に、置換または無置換の脂肪族炭素環、芳香環、あ
るいは脂肪族炭素環と芳香環との縮合環を形成する態様
も好ましい。
らに下記式(3b)で表される化合物、特にジベンゾ
[f,f']ジインデノ[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]ペリレン誘導
体であることが好ましい。
(3a)におけるZ1 〜Z20と同義である。
て、Z1 〜Z20、または式(3b)で表される化合物に
おいてZ1 〜Z44 は、置換もしくは無置換のアリール
基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基およびア
リールオキシ基のいずれかであることが好ましい。
いて、Z1 〜Z20、または式(3b)で表される化合物
においてZ1 〜Z44 のいずれか1種以上は、オルト置
換フェニル基であることが好ましい。
は式(3b)で表される化合物において、Z1とZ4のい
ずれか一方または両方、および/またはZ11 とZ14 の
いずれか一方または両方は、オルト置換フェニル基であ
ることが好ましい。
ことにより、昇華精製時の分解性を抑制することができ
る。また、オルト位に置換基を導入することにより、蛍
光性も向上する。
ことで、EL素子の蛍光輝度が向上し、濃度消光性が抑
制されるためELドーパントとしてのマージンが向上
し、設計の自由度が向上する。
ることによって、その立体障害によりペリレン骨格の会
合性をコントロールすることができ、溶媒に対する溶解
性が向上し、高純度に精製を行うことが可能となる。ま
た、同様の理由から、より低い温度で昇華精製を行うこ
とができ、昇華精製時の分解が起こり難く、この点でも
高純度な材料を得るために有効であり、その材料を用い
て有機EL素子を作製した場合は、不純物により励起子
の失活が少なく、高い発光効率を得ることができる。
理由として、発光層中での同一分子間、あるいは異分子
間での会合が抑えられることによる濃度消光性の抑制が
挙げられる。
以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではな
い。特に好ましい式(3b)で表される化合物の好まし
い具体例は化289〜化295(G−1〜G−10
0)、化313〜化317に示すものである。具体例
は、各々示した構造式の表示に従っている。なお、Ph
はフェニル基を表す。
のみ用いても2種以上併用してもよい。特に、式(3
a)の化合物の使用は好ましい。
分として発光層に用いると、従来にはない、高輝度で耐
久性に優れた有機EL素子が得られる。また、駆動時の
温度による発光効率の低下が少なく、温度特性に優れた
ものとなる。
てナフタセン誘導体を用いることが好ましく、特に、ナ
フタセン誘導体とフルオランテン誘導体との組合せは好
ましく、強い発光が得られる。
は、ナフタセン誘導体とフルオランテン誘導体はエキサ
イプレックスの生成等の相互作用が生じることのない理
想的な組み合わせであると考えられる。また、前述した
ようなドーパントのキャリアトラップによるドーパント
励起子の生成・発光に加えて、ホストの励起子が生成し
た場合にも、そのエネルギーが効率よくドーパントに移
動し、ドーパントが発光する発光機構も考えられる。こ
の組み合わせにおいてこのような効率の良いホストから
ドーパントへのエネルギー移動が起こる理由としては、
エネルギーギャップが比較的ドーパント材料のそれと近
いため、電子交換によるエネルギー移動に加えて発光再
吸収によるエネルギー移動現象も生じており、このよう
な高い発光強度が得られると考えられる。
組み合わせにより、ドーパントの濃度消光性は非常に小
さく抑えることができることもこのような強い発光強度
に寄与している。
非常に良好な発光効率は、上記の強い蛍光強度が得られ
る機構に加えて、発光層におけるキャリアの再結合確率
の向上、さらにはナフタセンの三重項励起状態からのエ
ネルギー移動によるドーパントの一重項励起状態の生成
などの効果によるものもあると考えられる。
ントによるキャリアトラップにより駆動電圧が高くなっ
てしまうのに対し、上記発光層を用いた有機EL素子の
駆動電圧が非常に低いのは、発光層のキャリア輸送性が
高いことに加えて、ドーパントのキャリアトラップ以外
にも、上記のような機構で高効率な発光を実現している
ためである。さらには、発光層へのキャリアの注入が容
易であることも考えられる。また、ホストの電子輸送性
が大きいため、大きな駆動電圧上昇を伴わずにキャリア
がドーパントに局在化することができることも考えられ
る。
り、キャリアの注入に対する耐久性が高いため、ナフタ
セン誘導体をホスト材料とし、フルオランテン誘導体を
ドーパント材料とした組み合わせの素子は非常に長寿命
である。
層は、ホール注入電極からのホールの注入を容易にする
機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる
機能を有し、発光層に注入されるホールを増大し、閉じ
こめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善す
る。
開昭63−295695号公報、特開平2−19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平
5−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は2種以上を併用してもよく、併用すると
きは別層にして積層したり、混合したりすればよい。
輸送層とに分けて設層してもよく、この場合は、ホール
注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択
して用いることができる。このとき、ホール注入電極
(ITO等)側からイオン化ポテンシャルの小さい化合
物の層の順に積層することが好ましい。またホール注入
電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ま
しい。このような積層順については、ホール注入輸送層
を2層以上設けるときも同様である。このような積層順
とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの
発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができ
る。また、素子化する場合、蒸着を用いているので1〜
10nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリーとす
ることができるため、ホール注入層にイオン化ポテンシ
ャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用い
ても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防
ぐことができる。
領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度もしくは1
/10〜10倍程度とすればよい。ホール注入輸送層の
厚さは特に限定されず、形成方法によっても異なるが、
通常、5〜500nm程度、特に10〜300nmとするこ
とが好ましい。注入層と輸送層を分ける場合は、注入層
は1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。こ
のときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層
で500nm程度、輸送層で500nm程度である。このよ
うな膜厚については注入輸送層を2層設けるときも同じ
である。
ール注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できるこ
とから真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法
を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.
1μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1
μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動
電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注入効率
も著しく低下する。
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりするこ
とができる。
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
しては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましい
が、蒸気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場
合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着
することもできる。混合層は化合物同士が均一に混合し
ている方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状
に存在するものであってもよい。
関数が4eV以下の金属、合金または金属間化合物から構
成される。仕事関数が4eVを超えると、電子の注入効率
が低下し、ひいては発光効率も低下する。仕事関数が4
eV以下の電子注入電極膜の構成金属としては、例えば、
Li、Na、K等のアルカリ金属、Mg、Ca、Sr、
Ba等のアルカリ土類金属、La、Ce等の希土類金属
や、Al、In、Ag、Sn、Zn、Zr等が挙げられ
る。、仕事関数が4eV以下の膜の構成合金としては、例
えばAg・Mg(Ag:原子比で0.1〜50%)、A
l・Li(Li:原子比で0.01〜12%)、In・
Mg(Mg:原子比で50〜80%)、Al・Ca(C
a:原子比で0.01〜20%)等が挙げられる。これ
らは単独で、あるいは2種以上の組み合わせとして存在
してもよく、これらを2種以上組み合わせた場合の混合
比は任意である。また、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、希土類金属の酸化物やハロゲン化物を薄く成膜し、
アルミニウム等の支持電極(補助電極、配線電極)を用
いてもよい。
によって形成できる。
入を十分行える一定以上の厚さとすればよく、0.1nm
以上とすればよい。また、その上限値には特に制限はな
いが、通常膜厚は0.1〜500nm程度とすればよい。
くは発光した光の透過率が80%以上となるような材料
および厚さを決定することが好ましい。具体的には、酸
化物透明導電薄膜が好ましく、例えば、錫ドープ酸化イ
ンジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZ
O)、酸化インジウム(In2O3 )、酸化スズ(Sn
O2 )および酸化亜鉛(ZnO)のいずれかを主組成と
したものが好ましい。これらの酸化物はその化学量論組
成から多少偏倚していてもよい。In2 O3 に対しSn
O2 の混合比は、1〜20%(質量百分率)が好まし
く、さらには5〜12%(質量百分率)が好ましい。I
n2 O3 に対しZnOの混合比は、12〜32%(質量
百分率)が好ましい。
50〜800nm、特に各発光光に対する光透過率が80
%以上、特に90%以上であることが好ましい。通常、
発光光はホール注入電極を通って取り出されるため、そ
の透過率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰さ
れ、発光素子として必要な輝度が得られなくなる傾向が
ある。ただし、発光光を取り出す側が80%以上であれ
ばよい。
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
が好ましい。スパッタ法としてはRF電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜するホール注入電
極の膜物性の制御のし易さや、成膜面の平滑度等を考慮
するとDCスパッタ法を用いることが好ましい。
い。保護膜はSiOX 等の無機材料、テフロン(登録商
標)等の有機材料等を用いて形成することができる。保
護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さは
50〜1200nm程度とする。保護膜は前記した反応性
スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法等によ
り形成すればよい。
ために素子上に封止層を設けることが好ましい。封止層
は、湿気の侵入を防ぐために市販の低吸湿性の光硬化性
接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架橋
エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シート等の接着性
樹脂層を用いて、ガラス板等の封止板を接着し密封す
る。ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用い
ることもできる。
を取り出す構成の場合、ガラスや石英、樹脂等の透明な
いし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜
や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を
用いて発光色をコントロールしてもよい。また、前記逆
積層の場合には、基板は透明でも不透明であってもよ
く、不透明である場合にはセラミックス等を使用しても
よい。
イ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良い
が、有機ELの発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収するよ
うな短波長の外光をカットできるカラーフィルターを用
いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向上す
る。また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラ
ーフィルターの代わりにしても良い。
型、パルス駆動型のEL素子として用いられるが、交流
駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、2〜30
V 程度とされる。
明する。比較例を併記する。以下の実施例および比較例
において用いた化合物を以下に示す。
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥した。透明電極表面をUV/O3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、
槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。次いで、減圧状
態を保ったまま、ホール注入層としてN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス[N−(4−メチルフェニル)−
N一フェニル−(4−アミノフェニル)]−1,1’−
ビフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着速度0.1nm/s
ecで60nmの膜厚に蒸着した。次いで、ホール輸送層と
してN,N,N’,N’−テトラキス(m−ビフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンを蒸
着通度0.1nm/secで10nmの厚さに蒸着した。
なる化合物I(Naph)とドーパント材料となる化合物II
(インデノペリレン)を、質量比を99:1で、全体の
蒸着速度0.15〜0.20nm/secとして40nmの厚さ
に蒸着し、発光層とした。
aph)を蒸着速度0.1nm/secとして25nmの厚さに蒸着
し電子輸送層とした。
I(B-phen)を蒸着速度0.1nm/secで5nmの厚さに蒸著
し、電子注入層とした。
で0.3nmの厚さに蒸着し、電子注入電極とし、保護電
極としてAlを150nmの厚さに蒸着し有機EL素子を
得た。
期には10mA/c2の電流密度で、駆動電圧が3.9Vで、
660cd/m2の発光が確認できた。このときの発光極大
波長λmax=610nm、色度座標は(x,y)=(0.
66,0.34)であった。この時の効率は5.3 1
m/Wであった。
流し、連続発光させたところ、初期輝度3100cd/m2
で、2000時間経過時の輝度減衰は15%であった。
機EL素子において、電子輸送層および電子注入層に用
いる化合物を、それぞれ、表1に示すようにかえ、その
ほかは同様にして有機EL素子を得た。これらについ
て、実施例1と同様にして、特性を評価した。評価結果
を実施例1と共に表1に示す。
子モーメントは、半経験的分子軌道法プログラム(MO
PAC)により求めたものである。発光層のホスト材料
である化合物Iの双極子モーメントも同じである。
ポテンシャル(IP)は大気中光電子分光法で、または
サイクリックボルタンメトリー法で測定し、その差を求
めて表1に示した。
電子輸送層の膜厚を25nmと60nmにした素子をそれぞ
れ構成し、100mA/cm2の電流を流すのに要する駆動電
圧(V)を求め、前記の関係式から算出したものであ
る。このなかで、実施例1と比較例2において、膜厚を
変化させたときの駆動電圧(V)の値を表2に示す。
よび色度座標は実施例1とほぼ同じあり、比較例2、3
では電子輸送層が発光してしまうため、(x,y)=
(0.65,0.35)であり、比較例1では実施例1
と同様であった。
さを30nmとしたままで、電子注入層の厚さを表3のよ
うにかえたときの素子を得た。これらをサンプルNo.1
−1〜No.1〜7とする。なお、サンプルNo.1−5は実
施例1と同じものである。これらについて、実施例1と
同様にして初期特性を評価した結果を表3に示す。ま
た、電子注入層の厚さに対する駆動電圧の関係を図1に
示す。
材料を化合物IX(ピラン)とし、電子輸送材料を化合物
VI(Alq)とした他は実施例1と同様にして素子を作
成し、評価した。結果を以下に示す。
1,0.39)であった。なお、電子輸送層のμa は1
9.4nm/V、双極子モーメントは6.57Debye、発光
層とのIp差は0eVであった。
子輸送層との密着性に優れた材料を用い、電子輸送層に
電子輸送性の高い材料を用いているため、発光層への電
子輸送を効率的に行うことができ、低電圧駆動を可能に
できると共に、電流密度に対して高い発光効率が得られ
る。また、電子輸送層の膜厚を変えた際の電圧変化が少
なく、光学膜厚の調整が電圧上昇を伴わず行うことがで
きるため、高い外部取り出し効率が得られる。さらに
は、電子輸送層からの発光がほとんど無い高色純度な素
子が得られる。また、連続駆動時の駆動電圧上昇、輝度
の低下が極めて小さい高耐久性・長寿命な素子が得られ
る。
すグラフである。
Claims (27)
- 【請求項1】 陽極側より、それぞれ少なくとも1層の
発光層、電子輸送層、および電子注入層が順次積層され
た構造を持つ有機EL素子において、 前記電子輸送層がナフタセン誘導体および/またはアン
トラセン誘導体を含有する有機EL素子。 - 【請求項2】 発光層の陽極側に少なくとも1層の正孔
注入輸送層を有する請求項1の有機EL素子。 - 【請求項3】 電子注入層が有機化合物を含有する請求
項1または2の有機EL素子。 - 【請求項4】 電子注入層の厚さが0.6〜20nmであ
る請求項1〜3のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項5】 電子注入層の厚さが1〜10nmである請
求項4の有機EL素子。 - 【請求項6】 電子注入層が複素環化合物を含有する請
求項1〜5のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項7】 電子注入層が含窒素複素環化合物を含有
する請求項1〜6のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項8】 電子注入層が1,10-フェナントロリン、
1,9-フェナントロリン、1,8-フェナントロリン、1,7-フ
ェナントロリン、2,9-フェナントロリン、2,8-フェナン
トロリン、2,7-フェナントロリン、3,8-フェナントロリ
ン、3,7-フェナントロリン、4,7-フェナントロリンおよ
びこれらのフェナントロリン骨格の1つ以上を分子中に
有するフェナントロリン誘導体のうちの1種以上を含有
する請求項1〜7のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項9】 電子注入層が含有するフェナントロリン
またはフェナントロリン誘導体が下記式(1a)または
式(1b)で表される請求項8の有機EL素子。 【化1】 [式(1a)中、Y2〜Y9は、それぞれ同一でも異なる
ものであってもよく、水素、アリール基、アルキル基、
アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アミノ基ま
たは複素環基を表し、これら隣接する2個以上が互いに
結合して環を形成してもよい。式(1b)中、Aおよび
Bは、それぞれ同一でも異なるものであってもよく、式
(1c)で表される基を表し、Lは単結合または二価の
連結基を表す。式(1c)中、Y12〜Y19は、それぞれ
同一でも異なるものであってもよく、式(1a)中のY
2〜Y9と同義のものである。ただし、式(1c)中のY
12〜Y19のうちの1つは、Lを構成するが、Lを構成す
るY12〜Y19は、AおよびBにおいて同一であっても異
なっていてもよい。] - 【請求項10】 電子輸送層がナフタセン誘導体を含有
する請求項1〜9のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項11】 電子輸送層が含有するナフタセン誘導
体が下記式(2)で表される請求項10の有機EL素
子。 【化2】 [式(2)中、Q10、Q20、Q30、Q40、Q50、Q60、
Q70、Q80、Q110、Q1 20、Q130およびQ140は、それ
ぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ基、アリールチ
オ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。] - 【請求項12】 電子輸送層に含有される式(2)で表
されるナフタセン誘導体におけるQ10、Q20、Q30、Q
40、Q50,Q60,Q70およびQ80の少なくとも1つ以上
がアリール基である請求項11の有機EL素子。 - 【請求項13】 電子輸送層に含有される式(2)で表
されるナフタセン誘導体におけるQ10 、Q20 、Q30
およびQ40 の少なくとも1つ以上がアリール基である
請求項11または12の有機EL素子。 - 【請求項14】 電子輸送層が含有するナフタセン誘導
体が下記式(2a)で表される請求項9〜13のいずれ
かの有機EL素子。 【化3】 [式(2a)中、Q5〜Q8、Q11〜Q16は、それぞれ水
素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ
基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。Q21
〜Q25、およびQ51〜Q55は、それぞれ水素、アルキル
基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリーロキシ基、アリールチオ基、アルケニル
基、アラルキル基または複素環基を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよく、これら隣接する2個以
上が互いに結合して環を形成してもよい。] - 【請求項15】 電子輸送層が含有するナフタセン誘導
体が炭化水素化合物である請求項9〜14のいずれかの
有機EL素子。 - 【請求項16】 発光層がホスト材料とドーパント材料
とを含有し、ホスト材料がナフタセン誘導体を含有する
請求項1〜15のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項17】 発光層が含有するナフタセン誘導体が
下記式(2)で表される請求項16の有機EL素子。 【化4】 [式(2)中、Q10、Q20、Q30、Q40、Q50,Q60,
Q70、Q80、Q110、Q1 20、Q130およびQ140は、それ
ぞれ水素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アリーロキシ基、アリールチ
オ基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。] - 【請求項18】 発光層に含有される式(2)で表され
るナフタセン誘導体におけるQ10 、Q20 、Q30 、Q
40 、Q50 ,Q60 ,Q70 およびQ80 の少なくとも1
つ以上がアリール基である請求項17の有機EL素子。 - 【請求項19】 発光層に含有される式(2)で表され
るナフタセン誘導体におけるQ10 、Q20 、Q30 およ
びQ40 の少なくとも1つ以上がアリール基である請求
項17または18の有機EL素子。 - 【請求項20】 発光層のホスト材料が含有するナフタ
セン誘導体が下記式(2a)で表される請求項16〜1
9のいずれかの有機EL素子。 【化5】 [式(2a)中、Q5〜Q8、Q11〜Q16は、それぞれ水
素、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ
基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アラルキル基または複素環基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。Q21
〜Q25、およびQ51〜Q55は、それぞれ水素、アルキル
基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリーロキシ基、アリールチオ基、アルケニル
基、アラルキル基または複素環基を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよく、これら隣接する2個以
上が互いに結合して環を形成してもよい。] - 【請求項21】 発光層が含有するナフタセン誘導体が
炭化水素化合物である請求項16〜20のいずれかの有
機EL素子。 - 【請求項22】 発光層のドーパント材料がフルオラン
テン誘導体を含有する請求項16〜21のいずれかの有
機EL素子。 - 【請求項23】 フルオランテン誘導体が下記式(3
a)で表されるインデノペリレン誘導体である請求項2
2の有機EL素子。 【化6】 [式(3a)中、Z1〜Z6,Z9,Z10,Z11〜Z16,
Z19およびZ20は、それぞれ水素、ハロゲン、アルキル
基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、ア
ルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アル
キル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アル
キルチオ基、芳香環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ
基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ
基、シアノ基、水酸基、−COOR1(ここで、R1は水
素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基
または芳香環基を表す)、−COR2(ここで、R2は水
素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル
基、芳香環基またはアミノ基を表す)、または−OCO
R3(ここで、R3はアルキル基、アルケニル基、芳香環
含有アルキル基または芳香環基を表す)を表し、さら
に、Z1〜Z6,Z9,Z10 ,Z11 〜Z16,Z19、Z20
のなかで隣接する基は互いに結合して、置換している炭
素原子と共に環を形成していてもよい。] - 【請求項24】 電子輸送層の以下に定義される電子輸
送性μaが80nm/V以上である請求項1〜23のいずれ
かの有機EL素子(ただし、電子輸送性μaは、請求項
1の有機EL素子において、電子輸送層の厚さを変化さ
せた際の100mA/cm2の電流を流すのに要する駆動電圧
の変化によって、以下のように定義されるパラメータで
あり、電子輸送層の厚さ(nm)をd1、d2(但しd1>
d2)としたときの100mA/cm2駆動時の駆動電圧
(V)を、それぞれV1、V2としたとき、μa=(d1−
d2)/(V1−V2)で示されるものである)。 - 【請求項25】 電子輸送層と発光層とのイオン化ポテ
ンシャルの値の差が0.1eV以下である請求項1〜24
のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項26】 電子輸送層に用いられる材料の双極子
モーメントの値が1.0Debye以下である請求項1〜2
5のいずれかの有機EL素子。 - 【請求項27】 発光層がホスト材料とドーパント材料
とを含有し、ホスト材料の双極子モーメントの値が1.
0Debye以下である請求項16〜26のいずれかの有機
EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003065672A JP4299028B2 (ja) | 2002-03-11 | 2003-03-11 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002065472 | 2002-03-11 | ||
| JP2002-65472 | 2002-03-11 | ||
| JP2003065672A JP4299028B2 (ja) | 2002-03-11 | 2003-03-11 | 有機el素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008000142A Division JP5002758B2 (ja) | 2002-03-11 | 2008-01-04 | 有機el素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338377A true JP2003338377A (ja) | 2003-11-28 |
| JP4299028B2 JP4299028B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=29713980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003065672A Expired - Lifetime JP4299028B2 (ja) | 2002-03-11 | 2003-03-11 | 有機el素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4299028B2 (ja) |
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| US11594687B2 (en) | 2015-09-28 | 2023-02-28 | Novaled Gmbh | Organic electroluminescent device |
| JP2019500752A (ja) * | 2015-12-18 | 2019-01-10 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | 有機発光ダイオード(oled)用の電子注入層 |
| JP7022063B2 (ja) | 2015-12-18 | 2022-02-17 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | 有機発光ダイオード(oled)用の電子注入層 |
| KR102719280B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2024-10-17 | 노발레드 게엠베하 | 유기 발광 다이오드(oled)용 전자 주입층 |
| KR20180097653A (ko) * | 2015-12-18 | 2018-08-31 | 노발레드 게엠베하 | 유기 발광 다이오드(oled)용 전자 주입층 |
| WO2020039708A1 (ja) | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4299028B2 (ja) | 2009-07-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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