JP2003323741A - 光学的メモリ - Google Patents
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的メモリ媒体の構造等を提供する。
【解決手段】 異方性を有する微細構造によって、メモ
リ媒体に情報を記録し、読み出す方法であって、基板に
上記異方性微細構造を有する反射表面又は透過表面を作
製することによって情報を記録し、上記反射表面又は透
過表面に光を入射させ、その反射光又は透過光の偏光状
態の変化又は上記微細構造による反射光又は透過光の強
度変化を検出することによって情報を読み出すことを特
徴とする情報の記録、読み出し方法、メモリ媒体、その
製造方法、及び情報読み取りシステム。
リ媒体に情報を記録し、読み出す方法であって、基板に
上記異方性微細構造を有する反射表面又は透過表面を作
製することによって情報を記録し、上記反射表面又は透
過表面に光を入射させ、その反射光又は透過光の偏光状
態の変化又は上記微細構造による反射光又は透過光の強
度変化を検出することによって情報を読み出すことを特
徴とする情報の記録、読み出し方法、メモリ媒体、その
製造方法、及び情報読み取りシステム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に異方性のあ
る微細構造を有する表面を作製することによって得られ
る新しい方式のメモリ媒体に関するものであり、更に詳
しくは、従来方式のような、多層膜に光を入射させ、そ
の反射光を用いる方式ではなく、多層膜の代わりに、上
記異方性微細構造を有する表面に光を入射させ、その反
射光又は透過光の偏光状態の変化を検出する方式を採用
することにより、メモリ媒体上の記録密度を増大させ、
大容量メモリ媒体を作製し、提供することを可能とす
る、新規メモリ媒体、その製造方法、情報の記録、読み
出し方法、及び情報読み取りシステムに関するものであ
る。
る微細構造を有する表面を作製することによって得られ
る新しい方式のメモリ媒体に関するものであり、更に詳
しくは、従来方式のような、多層膜に光を入射させ、そ
の反射光を用いる方式ではなく、多層膜の代わりに、上
記異方性微細構造を有する表面に光を入射させ、その反
射光又は透過光の偏光状態の変化を検出する方式を採用
することにより、メモリ媒体上の記録密度を増大させ、
大容量メモリ媒体を作製し、提供することを可能とす
る、新規メモリ媒体、その製造方法、情報の記録、読み
出し方法、及び情報読み取りシステムに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光学的メモリでは、基板上に反
射表面を作製し、この面に光を入射させ、その反射光の
強度を計測してその情報を読みとる方法が用いられてい
る。そして、従来、例えば、ＣＤのように、円形の回転
基板上に多数の微小な構造（セル）を作製し、その大き
さを小さくすることにより、記憶密度を増大させる方法
が用いられている。最近、このＣＤのような方法ではな
く、多層膜を基板上に堆積させ、この多層膜に光を入射
させ、その反射光の偏光状態を計測してその情報を読み
とる方法が提案されている（〔１〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏ
ｎ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔｒｏｍ，Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，３３，６８４３（１９９
４），〔２〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，Ｒ．Ｗｉｇｒｅｎ，
Ｋ．Ｊａｒｒｅｎｄａｈｌ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔｒｏｍ，
Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎｓ，１０４，２７７（１９９４））。
射表面を作製し、この面に光を入射させ、その反射光の
強度を計測してその情報を読みとる方法が用いられてい
る。そして、従来、例えば、ＣＤのように、円形の回転
基板上に多数の微小な構造（セル）を作製し、その大き
さを小さくすることにより、記憶密度を増大させる方法
が用いられている。最近、このＣＤのような方法ではな
く、多層膜を基板上に堆積させ、この多層膜に光を入射
させ、その反射光の偏光状態を計測してその情報を読み
とる方法が提案されている（〔１〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏ
ｎ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔｒｏｍ，Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，３３，６８４３（１９９
４），〔２〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，Ｒ．Ｗｉｇｒｅｎ，
Ｋ．Ｊａｒｒｅｎｄａｈｌ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔｒｏｍ，
Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎｓ，１０４，２７７（１９９４））。
【０００３】また、反射光ではなく、透過光の偏光状態
を計測することを特徴とする、透明基板を用いた新しい
メモリ媒体も本発明者らにより提案されている（田澤真
人、金平、特願２００１−２３０４７０）。ここで、光
の偏光状態を表す一般的なパラメータは、エリプソメト
リックパラメータと呼ばれる角度であり、通常、ΔとΨ
という記号を用いて表し、これらは、反射光、及び透過
光について、それぞれ、以下の数式を用いて定義され
る。
を計測することを特徴とする、透明基板を用いた新しい
メモリ媒体も本発明者らにより提案されている（田澤真
人、金平、特願２００１−２３０４７０）。ここで、光
の偏光状態を表す一般的なパラメータは、エリプソメト
リックパラメータと呼ばれる角度であり、通常、ΔとΨ
という記号を用いて表し、これらは、反射光、及び透過
光について、それぞれ、以下の数式を用いて定義され
る。
【０００４】
【数１】
【０００５】
【数２】
【０００６】上記数１の式において、ρは複素反射係数
比であり、ｒp とｒs は、それぞれ、ｐ偏光とｓ偏光の
複素反射係数である。また、上記数２の式において、ρ
は複素透過係数比であり、ｔp とｔs は、それぞれ、ｐ
偏光とｓ偏光の複素透過係数である。これらの複素反射
係数比又は複素透過係数比を決めるパラメータ、すなわ
ち、Δ、Ψの値は、多層膜の構造によって決まるので、
Δ、Ψを測定できれば、多層膜の構造を知ることができ
る。このことは、予め必要な情報を多層膜の構造として
基板上に作製しておけば、この多層膜の構造がメモリと
して機能することを意味する。したがって、情報の読み
出し時にはΔとΨを測定し、適当な情報処理を行えば、
多層膜の構造として記録した情報を読み取ることができ
る。これらの方式により、例えば、ＣＤのように、円形
の回転基板上に多数の微小な構造（セル）を作製するこ
とにより、大容量の記憶が可能となる。
比であり、ｒp とｒs は、それぞれ、ｐ偏光とｓ偏光の
複素反射係数である。また、上記数２の式において、ρ
は複素透過係数比であり、ｔp とｔs は、それぞれ、ｐ
偏光とｓ偏光の複素透過係数である。これらの複素反射
係数比又は複素透過係数比を決めるパラメータ、すなわ
ち、Δ、Ψの値は、多層膜の構造によって決まるので、
Δ、Ψを測定できれば、多層膜の構造を知ることができ
る。このことは、予め必要な情報を多層膜の構造として
基板上に作製しておけば、この多層膜の構造がメモリと
して機能することを意味する。したがって、情報の読み
出し時にはΔとΨを測定し、適当な情報処理を行えば、
多層膜の構造として記録した情報を読み取ることができ
る。これらの方式により、例えば、ＣＤのように、円形
の回転基板上に多数の微小な構造（セル）を作製するこ
とにより、大容量の記憶が可能となる。
【０００７】図１に、基板上に多層膜を堆積させた従来
の方式による多層膜の構造の一例を示す。これは、アル
ミニウムとモリブデンの厚さ５ｎｍの膜を、シリコン基
板上に４層作製したものである。図中、濃い灰色はアル
ミニウムの部分であり、薄い灰色はモリブデンの部分で
ある。アルミニウムを二進数の１、モリブデンを二進数
の０に対応させ、下層が上位ビットであることを、予め
決めておくことにより、図の左方より、（００００）、
（０００１）、（００１０）、（００１１）、（０１０
０）、（０１０１）、（０１１０）、（０１１１）・・
・のような情報を各セルが有することになる。
の方式による多層膜の構造の一例を示す。これは、アル
ミニウムとモリブデンの厚さ５ｎｍの膜を、シリコン基
板上に４層作製したものである。図中、濃い灰色はアル
ミニウムの部分であり、薄い灰色はモリブデンの部分で
ある。アルミニウムを二進数の１、モリブデンを二進数
の０に対応させ、下層が上位ビットであることを、予め
決めておくことにより、図の左方より、（００００）、
（０００１）、（００１０）、（００１１）、（０１０
０）、（０１０１）、（０１１０）、（０１１１）・・
・のような情報を各セルが有することになる。
【０００８】これらのセルの多層膜の構造によるΔとΨ
の値を、通常の薄膜光学の手法により計算すると、図２
のようになる。ただし、横軸はΔ、縦軸はΨを表し、各
点はその近くに記入した４桁の２進数の情報を有する。
ここでは、光の入射角を７０度、波長を６３２．８ｎｍ
とした。従って、情報の書き込み時には、この構造の薄
膜を作製し、読み出し時には、ΔとΨを測定し、それぞ
れを、４桁の２進数と対応させれば、４ビットの光学的
メモリを構成することができる。
の値を、通常の薄膜光学の手法により計算すると、図２
のようになる。ただし、横軸はΔ、縦軸はΨを表し、各
点はその近くに記入した４桁の２進数の情報を有する。
ここでは、光の入射角を７０度、波長を６３２．８ｎｍ
とした。従って、情報の書き込み時には、この構造の薄
膜を作製し、読み出し時には、ΔとΨを測定し、それぞ
れを、４桁の２進数と対応させれば、４ビットの光学的
メモリを構成することができる。
【０００９】これらの先行技術文献を提示すると、
〔１〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｉ．Ｌｕ
ｄｓｔｒｏｍ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，３３，
６８４３（１９９４），〔２〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，
Ｒ．Ｗｉｇｒｅｎ，Ｋ．Ｊａｒｒｅｎｄａｈｌ，Ｉ．Ｌ
ｕｎｄｓｔｒｏｍ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｃ
ｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１０４，２７７（１９９
４）、があげられる。
〔１〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｉ．Ｌｕ
ｄｓｔｒｏｍ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，３３，
６８４３（１９９４），〔２〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，
Ｒ．Ｗｉｇｒｅｎ，Ｋ．Ｊａｒｒｅｎｄａｈｌ，Ｉ．Ｌ
ｕｎｄｓｔｒｏｍ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｃ
ｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１０４，２７７（１９９
４）、があげられる。
【００１０】なお、上記多層膜の作製には、例えば、ス
パッタリング法、ＭＢＥ法などの薄膜作製法が用いられ
ている。また、ΔとΨの測定法は、エリプソメトリーと
呼ばれる技術において既知である（上記の〔１〕Ｒ．Ｊ
ａｎｓｓｏｎ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔｒｏ
ｍ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，３３，６８４３
（１９９４），〔２〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，Ｒ．Ｗｉｇ
ｒｅｎ，Ｋ．Ｊａｒｒｅｎｄａｈｌ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔ
ｒｏｍ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎｓ，１０４，２７７（１９９４）を参
照）。また、ΔとΨ以外にも偏光状態を表す量は何でも
よく、適当なものが用いられている。例えば、通常知ら
れている量としては、ｃｏｓΔ、ｔａｎΨがあり、ま
た、検出器から直接読み取れる２種類以上の電圧又は電
流の値でもよい。
パッタリング法、ＭＢＥ法などの薄膜作製法が用いられ
ている。また、ΔとΨの測定法は、エリプソメトリーと
呼ばれる技術において既知である（上記の〔１〕Ｒ．Ｊ
ａｎｓｓｏｎ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔｒｏ
ｍ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ，３３，６８４３
（１９９４），〔２〕Ｒ．Ｊａｎｓｓｏｎ，Ｒ．Ｗｉｇ
ｒｅｎ，Ｋ．Ｊａｒｒｅｎｄａｈｌ，Ｉ．Ｌｕｎｄｓｔ
ｒｏｍ，Ｈ．Ａｒｗｉｎ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎｓ，１０４，２７７（１９９４）を参
照）。また、ΔとΨ以外にも偏光状態を表す量は何でも
よく、適当なものが用いられている。例えば、通常知ら
れている量としては、ｃｏｓΔ、ｔａｎΨがあり、ま
た、検出器から直接読み取れる２種類以上の電圧又は電
流の値でもよい。
【００１１】しかしながら、従来の技術では、情報を記
録する方法として多層薄膜構造を使用する方法を採用し
ているために、従来のＣＤの作製に用いられるスタンパ
ー方式を用いることができず、そのために、メモリの作
製に大きなコストがかかるという問題があった。また、
ΔとΨを検出するために、光を入射角７０度程度で入射
させなければならず、そのために、メモリの面上での光
の当たる部分の大きさは、入射光ビームの幅の約３倍と
なり、メモリセルの大きさをこの程度よりも小さくする
ことができず、これにより、単位面積当たりの記録容量
が制限されるという問題があった。
録する方法として多層薄膜構造を使用する方法を採用し
ているために、従来のＣＤの作製に用いられるスタンパ
ー方式を用いることができず、そのために、メモリの作
製に大きなコストがかかるという問題があった。また、
ΔとΨを検出するために、光を入射角７０度程度で入射
させなければならず、そのために、メモリの面上での光
の当たる部分の大きさは、入射光ビームの幅の約３倍と
なり、メモリセルの大きさをこの程度よりも小さくする
ことができず、これにより、単位面積当たりの記録容量
が制限されるという問題があった。
【００１２】このように、従来の技術によれば、例え
ば、４層の多層膜を使用し、ΔとΨを読み取ることにす
れば、一つのセルに１６の異なった状態を記録させるこ
とが可能であり、大容量化につながる可能性がある。し
かしながら、上述のように、メモリの作製に従来の方法
を使用することができず、その作製が高価なものとなる
という欠点があり、更に、セル自身の大きさを小さくで
きないという欠点があった。
ば、４層の多層膜を使用し、ΔとΨを読み取ることにす
れば、一つのセルに１６の異なった状態を記録させるこ
とが可能であり、大容量化につながる可能性がある。し
かしながら、上述のように、メモリの作製に従来の方法
を使用することができず、その作製が高価なものとなる
という欠点があり、更に、セル自身の大きさを小さくで
きないという欠点があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような状況の中
で、本発明者は、上記従来技術に鑑みて、上記従来技術
の問題点を抜本的に解決し得る新しい技術を開発するこ
とを目標として鋭意研究を積み重ねた結果、従来の方法
のような、多層膜を用いる方法に代えて、異方性のある
微細構造を有する表面を用いる方法を採用することによ
って所期の目的を達成し得ることを見出し、本発明を完
成するに至った。
で、本発明者は、上記従来技術に鑑みて、上記従来技術
の問題点を抜本的に解決し得る新しい技術を開発するこ
とを目標として鋭意研究を積み重ねた結果、従来の方法
のような、多層膜を用いる方法に代えて、異方性のある
微細構造を有する表面を用いる方法を採用することによ
って所期の目的を達成し得ることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【００１４】すなわち、本発明は、基板に異方性のある
微細構造を有する表面を作製することによって情報を記
録し、この表面に光を入射させ、その反射光又は透過光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射光又は透
過光の強度変化を検出することによって情報を読み出す
方法、及び当該方法によって情報を記録したメモリ媒
体、を提供することを目的とするものである。
微細構造を有する表面を作製することによって情報を記
録し、この表面に光を入射させ、その反射光又は透過光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射光又は透
過光の強度変化を検出することによって情報を読み出す
方法、及び当該方法によって情報を記録したメモリ媒
体、を提供することを目的とするものである。
【００１５】また、本発明は、例えば、入射光を垂直入
射とすることにより、セルの大きさを入射光のビーム幅
程度まで小さくすることを可能としたメモリ構造を提供
することを目的とするものである。更に、本発明は、上
記微細構造を従来のＣＤの作製に用いられるスタンパー
方式によって作製することにより、従来の多層薄膜構造
を用いたメモリ媒体よりも制作コストを安価にすること
を可能とするメモリ媒体を提供することを目的とするも
のである。
射とすることにより、セルの大きさを入射光のビーム幅
程度まで小さくすることを可能としたメモリ構造を提供
することを目的とするものである。更に、本発明は、上
記微細構造を従来のＣＤの作製に用いられるスタンパー
方式によって作製することにより、従来の多層薄膜構造
を用いたメモリ媒体よりも制作コストを安価にすること
を可能とするメモリ媒体を提供することを目的とするも
のである。
【００１６】また、本発明は、従来の方法と比べて、エ
リプソメトリックパラメータ（ΔとΨ）の検出と同時的
に反射光又は透過光の強度を検出することによって、記
録容量の飛躍的な増大を可能とする、新しい方式の大容
量メモリ媒体、及び情報の記録、読み出し方法を提供す
ることを目的とするものである。更に、本発明は、エリ
プソメトリックパラメータではなく、反射光又は透過光
の強度変化だけを検出することによっても情報の読み出
しができる情報の記録、読み出し方法、メモリ媒体、及
び情報読み取りシステムを提供することを目的とするも
のである。
リプソメトリックパラメータ（ΔとΨ）の検出と同時的
に反射光又は透過光の強度を検出することによって、記
録容量の飛躍的な増大を可能とする、新しい方式の大容
量メモリ媒体、及び情報の記録、読み出し方法を提供す
ることを目的とするものである。更に、本発明は、エリ
プソメトリックパラメータではなく、反射光又は透過光
の強度変化だけを検出することによっても情報の読み出
しができる情報の記録、読み出し方法、メモリ媒体、及
び情報読み取りシステムを提供することを目的とするも
のである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、以下の技術的手段から構成される。 （１）異方性を有する微細構造によって、メモリ媒体に
情報を記録し、読み出す方法であって、基板に上記異方
性微細構造を有する反射表面を作製することによって情
報を記録し、上記反射表面に光を入射させ、その反射光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射光の強度
変化を検出することによって情報を読み出すことを特徴
とする情報の記録、読み出し方法。 （２）上記微細構造による反射光の偏光状態の変化と、
上記微細構造による反射光の強度変化を同時的に検出す
ることを特徴とする前記（１）に記載の情報の記録、読
み出し方法。 （３）異方性を有する微細構造によって情報を記録した
メモリ媒体であって、基板に上記異方性微細構造を有す
る反射表面を持つメモリ媒体を作製することによって情
報を記録し、上記反射表面に光を入射させ、その反射光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射光の強度
変化を検出することによって情報を読み出すようにした
ことを特徴とするメモリ媒体。 （４）基板に上記異方性微細構造を有する反射表面を持
つメモリ媒体が、（ａ）上記異方性微細構造を有する反
射表面を持つセルを作製する、（ｂ）各セルにビットデ
ータを割り当てる、（ｃ）上記セルを基板上に配列す
る、ことにより構成した光学的メモリを構成要素として
含むことを特徴とする前記（３）に記載のメモリ媒体。 （５）上記微細構造による反射光の偏光状態の変化と、
上記微細構造による反射光の強度変化を同時的に検出す
ることを特徴とする前記（３）に記載のメモリ媒体。 （６）上記反射表面が、１種類以上の物質からなる被膜
を含むことを特徴とする前記（３）に記載のメモリ媒
体。 （７）上記反射表面が、保護層を有することを特徴とす
る前記（３）に記載のメモリ媒体。 （８）異方性を有する微細構造によって、メモリ媒体に
情報を記録し、読み出す方法であって、基板に上記異方
性微細構造を有する透過表面を作製することによって情
報を記録し、上記透過表面に光を入射させ、その透過光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による透過光の強度
変化を検出することによって情報を読み出すことを特徴
とする情報の記録、読み出し方法。 （９）上記微細構造による透過光の偏光状態の変化と、
上記微細構造による透過光の強度変化を同時的に検出す
ることを特徴とする前記（８）に記載の情報の記録、読
み出し方法。 （１０）異方性を有する微細構造によって情報を記録し
たメモリ媒体であって、基板に上記異方性微細構造を有
する透過表面を持つメモリ媒体を作製することによって
情報を記録し、上記透過表面に光を入射させ、その透過
光の偏光状態の変化又は上記微細構造による透過光の強
度変化を検出することによって情報を読み出すようにし
たことを特徴とするメモリ媒体。 （１１）基板に上記異方性微細構造を有する透過表面を
持つメモリ媒体が、（ａ）上記異方性微細構造を有する
透過表面を持つセルを作製する、（ｂ）各セルにビット
データを割り当てる、（ｃ）上記セルを基板上に配列す
る、ことにより構成した光学的メモリを構成要素として
含むことを特徴とする前記（１０）に記載のメモリ媒
体。 （１２）上記微細構造による透過光の偏光状態の変化
と、上記微細構造による透過光の強度変化を同時的に検
出することを特徴とする前記（１０）に記載のメモリ媒
体。 （１３）上記透過表面が、１種類以上の物質からなる被
膜を含むことを特徴とする前記（１０）に記載のメモリ
媒体。 （１４）上記透過表面が、保護層を有することを特徴と
する前記（１０）に記載のメモリ媒体。 （１５）前記（３）から（７）のいずれかに記載の異方
性を有する微細構造によって情報を記録したメモリ媒体
を製造する方法であって、以下の工程、（ａ）上記異方
性微細構造を有する反射表面を持つセルを作製する、
（ｂ）各セルにビットデータを割り当てる、（ｃ）上記
セルを基板上に配列する、ことを構成要素として含むこ
とを特徴とする上記メモリ媒体の製造方法。 （１６）前記（１０）から（１４）のいずれかに記載の
異方性を有する微細構造によって情報を記録したメモリ
媒体を製造する方法であって、以下の工程、（ａ）上記
異方性微細構造を有する透過表面を持つセルを作製す
る、（ｂ）各セルにビットデータを割り当てる、（ｃ）
上記セルを基板上に配列する、ことを構成要素として含
むことを特徴とする上記メモリ媒体の製造方法。 （１７）前記（３）から（７）のいずれかに記載のメモ
リ媒体に記録された情報を読み取る情報読み取りシステ
ムであって、上記メモリ媒体、及び当該メモリ媒体に記
録された情報を光学的に読み出す手段を構成要素として
含み、当該手段が、上記メモリ媒体の反射表面に光を入
射させ、その反射光の偏光状態の変化及び／又は上記反
射表面の微細構造による反射光の強度変化を検出する機
能を有することを特徴とする上記情報読み取りシステ
ム。 （１８）前記（１０）から（１４）のいずれかに記載の
メモリ媒体に記録された情報を読み取る情報読み取りシ
ステムであって、上記メモリ媒体、及び当該メモリ媒体
に記録された情報を光学的に読み出す手段を構成要素と
して含み、当該手段が、上記メモリ媒体の透過表面に光
を入射させ、その透過光の偏光状態の変化及び／又は上
記透過表面の微細構造による透過光の強度変化を検出す
る機能を有することを特徴とする上記情報読み取りシス
テム。
明は、以下の技術的手段から構成される。 （１）異方性を有する微細構造によって、メモリ媒体に
情報を記録し、読み出す方法であって、基板に上記異方
性微細構造を有する反射表面を作製することによって情
報を記録し、上記反射表面に光を入射させ、その反射光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射光の強度
変化を検出することによって情報を読み出すことを特徴
とする情報の記録、読み出し方法。 （２）上記微細構造による反射光の偏光状態の変化と、
上記微細構造による反射光の強度変化を同時的に検出す
ることを特徴とする前記（１）に記載の情報の記録、読
み出し方法。 （３）異方性を有する微細構造によって情報を記録した
メモリ媒体であって、基板に上記異方性微細構造を有す
る反射表面を持つメモリ媒体を作製することによって情
報を記録し、上記反射表面に光を入射させ、その反射光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射光の強度
変化を検出することによって情報を読み出すようにした
ことを特徴とするメモリ媒体。 （４）基板に上記異方性微細構造を有する反射表面を持
つメモリ媒体が、（ａ）上記異方性微細構造を有する反
射表面を持つセルを作製する、（ｂ）各セルにビットデ
ータを割り当てる、（ｃ）上記セルを基板上に配列す
る、ことにより構成した光学的メモリを構成要素として
含むことを特徴とする前記（３）に記載のメモリ媒体。 （５）上記微細構造による反射光の偏光状態の変化と、
上記微細構造による反射光の強度変化を同時的に検出す
ることを特徴とする前記（３）に記載のメモリ媒体。 （６）上記反射表面が、１種類以上の物質からなる被膜
を含むことを特徴とする前記（３）に記載のメモリ媒
体。 （７）上記反射表面が、保護層を有することを特徴とす
る前記（３）に記載のメモリ媒体。 （８）異方性を有する微細構造によって、メモリ媒体に
情報を記録し、読み出す方法であって、基板に上記異方
性微細構造を有する透過表面を作製することによって情
報を記録し、上記透過表面に光を入射させ、その透過光
の偏光状態の変化又は上記微細構造による透過光の強度
変化を検出することによって情報を読み出すことを特徴
とする情報の記録、読み出し方法。 （９）上記微細構造による透過光の偏光状態の変化と、
上記微細構造による透過光の強度変化を同時的に検出す
ることを特徴とする前記（８）に記載の情報の記録、読
み出し方法。 （１０）異方性を有する微細構造によって情報を記録し
たメモリ媒体であって、基板に上記異方性微細構造を有
する透過表面を持つメモリ媒体を作製することによって
情報を記録し、上記透過表面に光を入射させ、その透過
光の偏光状態の変化又は上記微細構造による透過光の強
度変化を検出することによって情報を読み出すようにし
たことを特徴とするメモリ媒体。 （１１）基板に上記異方性微細構造を有する透過表面を
持つメモリ媒体が、（ａ）上記異方性微細構造を有する
透過表面を持つセルを作製する、（ｂ）各セルにビット
データを割り当てる、（ｃ）上記セルを基板上に配列す
る、ことにより構成した光学的メモリを構成要素として
含むことを特徴とする前記（１０）に記載のメモリ媒
体。 （１２）上記微細構造による透過光の偏光状態の変化
と、上記微細構造による透過光の強度変化を同時的に検
出することを特徴とする前記（１０）に記載のメモリ媒
体。 （１３）上記透過表面が、１種類以上の物質からなる被
膜を含むことを特徴とする前記（１０）に記載のメモリ
媒体。 （１４）上記透過表面が、保護層を有することを特徴と
する前記（１０）に記載のメモリ媒体。 （１５）前記（３）から（７）のいずれかに記載の異方
性を有する微細構造によって情報を記録したメモリ媒体
を製造する方法であって、以下の工程、（ａ）上記異方
性微細構造を有する反射表面を持つセルを作製する、
（ｂ）各セルにビットデータを割り当てる、（ｃ）上記
セルを基板上に配列する、ことを構成要素として含むこ
とを特徴とする上記メモリ媒体の製造方法。 （１６）前記（１０）から（１４）のいずれかに記載の
異方性を有する微細構造によって情報を記録したメモリ
媒体を製造する方法であって、以下の工程、（ａ）上記
異方性微細構造を有する透過表面を持つセルを作製す
る、（ｂ）各セルにビットデータを割り当てる、（ｃ）
上記セルを基板上に配列する、ことを構成要素として含
むことを特徴とする上記メモリ媒体の製造方法。 （１７）前記（３）から（７）のいずれかに記載のメモ
リ媒体に記録された情報を読み取る情報読み取りシステ
ムであって、上記メモリ媒体、及び当該メモリ媒体に記
録された情報を光学的に読み出す手段を構成要素として
含み、当該手段が、上記メモリ媒体の反射表面に光を入
射させ、その反射光の偏光状態の変化及び／又は上記反
射表面の微細構造による反射光の強度変化を検出する機
能を有することを特徴とする上記情報読み取りシステ
ム。 （１８）前記（１０）から（１４）のいずれかに記載の
メモリ媒体に記録された情報を読み取る情報読み取りシ
ステムであって、上記メモリ媒体、及び当該メモリ媒体
に記録された情報を光学的に読み出す手段を構成要素と
して含み、当該手段が、上記メモリ媒体の透過表面に光
を入射させ、その透過光の偏光状態の変化及び／又は上
記透過表面の微細構造による透過光の強度変化を検出す
る機能を有することを特徴とする上記情報読み取りシス
テム。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明について更に詳細に
説明する。本発明は、基板上に異方性のある微細構造を
有する表面を作製することによって情報を記録し、この
表面に光を入射させ、その反射光又は透過光の偏光状態
の変化を検出することによって情報を読み出す方法、当
該方法によって、例えば、従来のＣＤ、ＤＶＤ等よりも
大幅に容量を大きくしたメモリ媒体等に係るものであ
る。本発明は、上記異方性微細構造を有する表面で光が
反射又は透過する時の偏光状態の変化を計測して、その
情報を読み取る方法、及びその情報読み取りシステムを
実現することを可能とするものである。
説明する。本発明は、基板上に異方性のある微細構造を
有する表面を作製することによって情報を記録し、この
表面に光を入射させ、その反射光又は透過光の偏光状態
の変化を検出することによって情報を読み出す方法、当
該方法によって、例えば、従来のＣＤ、ＤＶＤ等よりも
大幅に容量を大きくしたメモリ媒体等に係るものであ
る。本発明は、上記異方性微細構造を有する表面で光が
反射又は透過する時の偏光状態の変化を計測して、その
情報を読み取る方法、及びその情報読み取りシステムを
実現することを可能とするものである。
【００１９】すなわち、本発明では、例えば、微細構造
の異方性の方位を複数ビットの２進数に対応させ、いろ
いろな方位の微細構造を作製することによって情報を記
録する（書き込む）方法、異方性のある微細構造を有す
る表面に光を入射させ、その反射光又は透過光の偏光状
態の変化を計測して、その情報を読み出す（読み取る）
方法、が用いられる。この場合、入射光は、例えば、５
００〜９００ｎｍの波長のものが例示されるが、これら
に制限されない。また、入射光の入射角についても特に
制限されない。本発明において、異方性のある微細構造
とは、基板上に光学的異方性を有するように作製された
反射表面又は透過表面の微細構造を意味する。また、本
発明において、基板とは、基体と同義のものであり、そ
の形態は、例えば、板状、筒状、ドラム状など適宜のも
のでよく、その具体的な形状、構造等は特に制限される
ものではなく、その使用目的に応じて任意に設計するこ
とができる。
の異方性の方位を複数ビットの２進数に対応させ、いろ
いろな方位の微細構造を作製することによって情報を記
録する（書き込む）方法、異方性のある微細構造を有す
る表面に光を入射させ、その反射光又は透過光の偏光状
態の変化を計測して、その情報を読み出す（読み取る）
方法、が用いられる。この場合、入射光は、例えば、５
００〜９００ｎｍの波長のものが例示されるが、これら
に制限されない。また、入射光の入射角についても特に
制限されない。本発明において、異方性のある微細構造
とは、基板上に光学的異方性を有するように作製された
反射表面又は透過表面の微細構造を意味する。また、本
発明において、基板とは、基体と同義のものであり、そ
の形態は、例えば、板状、筒状、ドラム状など適宜のも
のでよく、その具体的な形状、構造等は特に制限される
ものではなく、その使用目的に応じて任意に設計するこ
とができる。
【００２０】本発明では、基板上に上記異方性のある微
細構造を有する表面を作製する。ここで、異方性のある
微細構造を有する表面とは、非等方性の微細構造を有す
る表面であれば適宜のものでよく、その具体的な形態は
特に制限されるものではない。本発明の上記異方性微細
構造の一例を図３に示す。図３の例では、異方性のある
微細構造を有する表面として、プラスチック基板の一部
に金属被膜をその異方性の方位を特定して埋め込むこと
によって作製された所定の形状の刻線を有するセルの構
造が示されている。この例では、金属被膜は、上から見
た場合、一対の端を円周に沿った長方形をなし、一つの
セルは円形をなしている。しかし、セルの形は、円形以
外にも、例えば、長方形、正方形など何でもよく、その
形は特に制限されない。また、金属被膜の形も、長方形
以外にも集団として異方性を与えるような構造であれば
何でもよく、その形は特に制限されない。
細構造を有する表面を作製する。ここで、異方性のある
微細構造を有する表面とは、非等方性の微細構造を有す
る表面であれば適宜のものでよく、その具体的な形態は
特に制限されるものではない。本発明の上記異方性微細
構造の一例を図３に示す。図３の例では、異方性のある
微細構造を有する表面として、プラスチック基板の一部
に金属被膜をその異方性の方位を特定して埋め込むこと
によって作製された所定の形状の刻線を有するセルの構
造が示されている。この例では、金属被膜は、上から見
た場合、一対の端を円周に沿った長方形をなし、一つの
セルは円形をなしている。しかし、セルの形は、円形以
外にも、例えば、長方形、正方形など何でもよく、その
形は特に制限されない。また、金属被膜の形も、長方形
以外にも集団として異方性を与えるような構造であれば
何でもよく、その形は特に制限されない。
【００２１】更に、上記基板と金属は、プラスチックや
金属以外にも、例えば、ガラス、シリコン等の屈折率が
明確に異なる物質対であれば何でもよく、その種類は特
に制限されない。また、ここでは、金属を埋め込むこと
によって異方性のある微細構造を与えているが、この方
法以外にも、例えば、図４に示すように、微細構造を有
する基板上に金属被膜を形成して異方性を与える方法
や、部分的に金属被膜を残すことによって異方性を与え
る方法等、適宜の方法が採用される。また、ここでは、
金属による微細構造を以て異方性を与えているが、例え
ば、延伸プラスチック膜等の異方性を有する被膜であっ
てもよく、本発明では、異方性を有する微細構造を作製
できるものであれば何を用いてもよい。また、上記微細
構造を有する表面に光を入射させ、その透過光の偏光状
態の変化を検出する場合には、例えば、透明基板等の光
透過性を有する基板が使用される。
金属以外にも、例えば、ガラス、シリコン等の屈折率が
明確に異なる物質対であれば何でもよく、その種類は特
に制限されない。また、ここでは、金属を埋め込むこと
によって異方性のある微細構造を与えているが、この方
法以外にも、例えば、図４に示すように、微細構造を有
する基板上に金属被膜を形成して異方性を与える方法
や、部分的に金属被膜を残すことによって異方性を与え
る方法等、適宜の方法が採用される。また、ここでは、
金属による微細構造を以て異方性を与えているが、例え
ば、延伸プラスチック膜等の異方性を有する被膜であっ
てもよく、本発明では、異方性を有する微細構造を作製
できるものであれば何を用いてもよい。また、上記微細
構造を有する表面に光を入射させ、その透過光の偏光状
態の変化を検出する場合には、例えば、透明基板等の光
透過性を有する基板が使用される。
【００２２】本発明では、上記セルの傾きを変えること
によって、セルの異方性の方位を任意に変化させること
ができ、それぞれの方位のセルに対して、ビットデータ
を割り当てることができる。図５に２ビットデータを割
り当てた例を示す。ここでは、一例として、２ビットデ
ータを割り当てた例を示したが、本発明では、例えば、
方位をより細かく決めること、又は金属部分の幅及び／
又はそれ以外の部分の幅（ピッチ）を変えることによっ
て、３ビットデータ以上の割り当ても適宜可能である。
によって、セルの異方性の方位を任意に変化させること
ができ、それぞれの方位のセルに対して、ビットデータ
を割り当てることができる。図５に２ビットデータを割
り当てた例を示す。ここでは、一例として、２ビットデ
ータを割り当てた例を示したが、本発明では、例えば、
方位をより細かく決めること、又は金属部分の幅及び／
又はそれ以外の部分の幅（ピッチ）を変えることによっ
て、３ビットデータ以上の割り当ても適宜可能である。
【００２３】本発明では、これらのセルを基板上に配列
することによって、光学的メモリを構成することによ
り、当該光学的メモリを構成要素として含むメモリ媒体
を作製する。このような構造は、レーザーとフォトレジ
ストを用いる方法等、従来のＣＤと同様の方式を用いる
ことにより原盤として作製することができる。また、こ
の場合、半導体分野で広く利用されているフォトリソグ
ラフィ、あるいはそれらと同効の方法を用いることも可
能である。原盤が一旦できあがると、従来のＣＤの作製
方法と同様の方法によって、その大量生産が可能とな
り、また、必要に応じて表面研磨等の加工を行うことも
可能となる。
することによって、光学的メモリを構成することによ
り、当該光学的メモリを構成要素として含むメモリ媒体
を作製する。このような構造は、レーザーとフォトレジ
ストを用いる方法等、従来のＣＤと同様の方式を用いる
ことにより原盤として作製することができる。また、こ
の場合、半導体分野で広く利用されているフォトリソグ
ラフィ、あるいはそれらと同効の方法を用いることも可
能である。原盤が一旦できあがると、従来のＣＤの作製
方法と同様の方法によって、その大量生産が可能とな
り、また、必要に応じて表面研磨等の加工を行うことも
可能となる。
【００２４】更に、本発明では、セル自体の大きさを小
さくする技術と併用することによって、より大きな記録
容量を実現することができる。セル自体の大きさを小さ
くする技術としては、例えば、照射光の波長を小さくし
てセルを小さくする技術の他、近接場を用いた記録法
等、適宜の方法を用いることができる。本発明におい
て、上記異方性のある微細構造を有する表面は、適宜の
方法及び手段で作製することが可能であり、その具体的
な方法及び手段は特に制限されるものではない。また、
本発明では、上記異方性のある微細構造は、光学的異方
性材料の異方性の方位を特定して形成した反射表面又は
透過表面を、基板上に作製することで得られる。上述の
ように、基板としては、好適には、例えば、板状、筒
状、ドラム状のものが例示されるが、これらに制限され
るものではない。
さくする技術と併用することによって、より大きな記録
容量を実現することができる。セル自体の大きさを小さ
くする技術としては、例えば、照射光の波長を小さくし
てセルを小さくする技術の他、近接場を用いた記録法
等、適宜の方法を用いることができる。本発明におい
て、上記異方性のある微細構造を有する表面は、適宜の
方法及び手段で作製することが可能であり、その具体的
な方法及び手段は特に制限されるものではない。また、
本発明では、上記異方性のある微細構造は、光学的異方
性材料の異方性の方位を特定して形成した反射表面又は
透過表面を、基板上に作製することで得られる。上述の
ように、基板としては、好適には、例えば、板状、筒
状、ドラム状のものが例示されるが、これらに制限され
るものではない。
【００２５】本発明では、セルとして、基板上に光学的
異方性を有する微細構造を形成したもの、好適には、例
えば、刻線等を一定の規則性を以て複数配置したもの、
が用いられる。この場合、例えば、刻線の形状、ピッチ
等を任意に設計することができる。このようにして作製
した異方性のある微細構造を有するセルを複数作製し、
各セルの異方性の方位に対し、ビットデータを割り当て
る。しかし、セルの表面の微細構造は、これらに制限さ
れるものではなく、これらと同効のものであれば適宜の
構造のものを使用することができる。このように、本発
明では、光学的に異方性がある所定の微細構造を有する
反射表面又は透過表面を基板に作製する。また、本発明
では、必要により、上記表面上、すなわち、反射表面上
又は透過表面上に適宜の保護層を設けることができる。
この保護層としては、好適には、例えば、保護基板が例
示されるが、その形状、種類等は特に制限されるもので
はない。
異方性を有する微細構造を形成したもの、好適には、例
えば、刻線等を一定の規則性を以て複数配置したもの、
が用いられる。この場合、例えば、刻線の形状、ピッチ
等を任意に設計することができる。このようにして作製
した異方性のある微細構造を有するセルを複数作製し、
各セルの異方性の方位に対し、ビットデータを割り当て
る。しかし、セルの表面の微細構造は、これらに制限さ
れるものではなく、これらと同効のものであれば適宜の
構造のものを使用することができる。このように、本発
明では、光学的に異方性がある所定の微細構造を有する
反射表面又は透過表面を基板に作製する。また、本発明
では、必要により、上記表面上、すなわち、反射表面上
又は透過表面上に適宜の保護層を設けることができる。
この保護層としては、好適には、例えば、保護基板が例
示されるが、その形状、種類等は特に制限されるもので
はない。
【００２６】本発明では、上記メモリ媒体に記録された
情報を読み取る情報読み取りシステムとして、上記メモ
リ媒体、及び当該メモリ媒体に記録された情報を光学的
に読み出す手段を構成要素として含み、当該手段が、上
記メモリ媒体の反射表面に光を入射させ、その反射光の
偏光状態の変化及び／又は上記反射表面の微細構造によ
る反射光の強度変化を検出する機能を有することを特徴
とする情報読み取りシステムが提供される。また、本発
明では、上記メモリ媒体に記録された情報を読み取る情
報読み取りシステムとして、上記メモリ媒体、及び当該
メモリ媒体に記録された情報を光学的に読み出す手段を
構成要素として含み、当該手段が、上記メモリ媒体の透
過表面に光を入射させ、その透過光の偏光状態の変化及
び／又は上記透過表面の微細構造による透過光の強度変
化を検出する機能を有することを特徴とする情報読み取
りシステムが提供される。この場合、上記手段は、上記
特定の方式及び機能を有するものであれば適宜の手段を
使用することが可能であり、それらの具体的な構成は特
に制限されるものではなく、その使用目的に応じて任意
に設計することができる。
情報を読み取る情報読み取りシステムとして、上記メモ
リ媒体、及び当該メモリ媒体に記録された情報を光学的
に読み出す手段を構成要素として含み、当該手段が、上
記メモリ媒体の反射表面に光を入射させ、その反射光の
偏光状態の変化及び／又は上記反射表面の微細構造によ
る反射光の強度変化を検出する機能を有することを特徴
とする情報読み取りシステムが提供される。また、本発
明では、上記メモリ媒体に記録された情報を読み取る情
報読み取りシステムとして、上記メモリ媒体、及び当該
メモリ媒体に記録された情報を光学的に読み出す手段を
構成要素として含み、当該手段が、上記メモリ媒体の透
過表面に光を入射させ、その透過光の偏光状態の変化及
び／又は上記透過表面の微細構造による透過光の強度変
化を検出する機能を有することを特徴とする情報読み取
りシステムが提供される。この場合、上記手段は、上記
特定の方式及び機能を有するものであれば適宜の手段を
使用することが可能であり、それらの具体的な構成は特
に制限されるものではなく、その使用目的に応じて任意
に設計することができる。
【００２７】
【作用】本発明では、基板に上記異方性微細構造を有す
る反射表面を作製することによって情報を記録し、上記
反射表面に光を入射させ、その反射光の偏光状態の変化
を検出することによって情報を読み出すことで情報の記
録（書き込み）、読み出し（読み取り）を行うことがで
きる。また、本発明では、基板に上記微細構造を有する
透過表面を作製することによって情報を記録し、上記透
過表面に光を入射させ、その透過光の偏光状態の変化を
検出することによって情報を読み出すことで情報の記録
（書き込み）、読み出し（読み取り）を行うことができ
る。この場合、本発明では、上記微細構造による反射光
の偏光状態の変化だけでなく、上記微細構造による反射
光の強度変化も独立又は同時的に検出することができ、
また、上記微細構造による透過光の偏光状態の変化だけ
でなく、上記微細構造による透過光の強度変化も独立又
は同時的に検出することができ、それにより記録容量の
飛躍的な増大化を実現することができる。
る反射表面を作製することによって情報を記録し、上記
反射表面に光を入射させ、その反射光の偏光状態の変化
を検出することによって情報を読み出すことで情報の記
録（書き込み）、読み出し（読み取り）を行うことがで
きる。また、本発明では、基板に上記微細構造を有する
透過表面を作製することによって情報を記録し、上記透
過表面に光を入射させ、その透過光の偏光状態の変化を
検出することによって情報を読み出すことで情報の記録
（書き込み）、読み出し（読み取り）を行うことができ
る。この場合、本発明では、上記微細構造による反射光
の偏光状態の変化だけでなく、上記微細構造による反射
光の強度変化も独立又は同時的に検出することができ、
また、上記微細構造による透過光の偏光状態の変化だけ
でなく、上記微細構造による透過光の強度変化も独立又
は同時的に検出することができ、それにより記録容量の
飛躍的な増大化を実現することができる。
【００２８】
【実施例】次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもので
はない。 実施例１ 異方性のある微細構造を有する試料として、市販の３０
０ｌ（エル）の回折格子を使用し、この回折格子の刻線
の向きを変化させながら、ΔとΨを測定した。ただし、
測定装置として、ＶＡＳＥ型回転検光子エリプソメータ
ー（Ｊ．Ａ．ウーラム社製）を使用し、入射光は直線偏
光とし、電場ベクトルの向きは入射面に対して６０度と
した。入射光の波長が５００ｎｍの場合の結果を図６に
示す。
明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもので
はない。 実施例１ 異方性のある微細構造を有する試料として、市販の３０
０ｌ（エル）の回折格子を使用し、この回折格子の刻線
の向きを変化させながら、ΔとΨを測定した。ただし、
測定装置として、ＶＡＳＥ型回転検光子エリプソメータ
ー（Ｊ．Ａ．ウーラム社製）を使用し、入射光は直線偏
光とし、電場ベクトルの向きは入射面に対して６０度と
した。入射光の波長が５００ｎｍの場合の結果を図６に
示す。
【００２９】回折格子の刻線の向きを光の入射面に対し
て、０度、４５度、６８度、９０度とし、それぞれを０
０，０１，１０，１１の２進数に対応させ、その２進数
を図６の該当する測定点の近くに記載した。図６に示さ
れるように、測定誤差は、Δ、Ψともに高々数度程度で
あり、各測定点は十分に分離していることが分かる。こ
れによって、２ビットの２進数を回折格子の向きで表現
できることが示された。
て、０度、４５度、６８度、９０度とし、それぞれを０
０，０１，１０，１１の２進数に対応させ、その２進数
を図６の該当する測定点の近くに記載した。図６に示さ
れるように、測定誤差は、Δ、Ψともに高々数度程度で
あり、各測定点は十分に分離していることが分かる。こ
れによって、２ビットの２進数を回折格子の向きで表現
できることが示された。
【００３０】実施例２
上記実施例１と同様にして、入射光の波長を８００ｎｍ
とした場合のΔとΨの測定値を図７に示す。これによっ
て、本発明の方法は、５００ｎｍ以外の波長の入射光を
用いても実施可能であることが分かる。
とした場合のΔとΨの測定値を図７に示す。これによっ
て、本発明の方法は、５００ｎｍ以外の波長の入射光を
用いても実施可能であることが分かる。
【００３１】実施例３
上記実施例１，２と同様にして、入射光の電場ベクトル
の向きを入射面に対して４５度とし、入射光の波長を５
００及び８００ｎｍとした場合のΔとΨの測定値を図８
及び図９に示す。また、入射光の電場ベクトルの向きを
入射面に対して３０度とし、入射光の波長を５００及び
８００ｎｍとした場合のΔとΨの測定値を図１０及び図
１１に示す。これらによって、本発明の方法は、入射光
の偏光状態が変化した場合でも実施可能であることが分
かる。
の向きを入射面に対して４５度とし、入射光の波長を５
００及び８００ｎｍとした場合のΔとΨの測定値を図８
及び図９に示す。また、入射光の電場ベクトルの向きを
入射面に対して３０度とし、入射光の波長を５００及び
８００ｎｍとした場合のΔとΨの測定値を図１０及び図
１１に示す。これらによって、本発明の方法は、入射光
の偏光状態が変化した場合でも実施可能であることが分
かる。
【００３２】実施例４
スパッタリングによって、マグネシウム薄膜をガラス基
板上に厚さ２２０ｎｍで作製し、レーザー加工機によっ
て、図１２に示されるように、１０μｍピッチで５μの
線を５０本描いた。描いた範囲は０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍとした。図１３に示されるように、この微細構造の向
きに対して２ビットデータを割り当て、Ｍ２０００型エ
リプソメータ（Ｊ．Ａ．ウーラム社製）で入射角６０度
として測定した結果、図１４に示されるように、Δ−Ψ
平面における点と２ビットデータを関係づけることがで
きた。ただし、測定波長は１０００ｎｍとした。Δ及び
Ψの測定値の誤差は、それぞれ０．５度以下であり、こ
れらの点の判別は容易である。
板上に厚さ２２０ｎｍで作製し、レーザー加工機によっ
て、図１２に示されるように、１０μｍピッチで５μの
線を５０本描いた。描いた範囲は０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍとした。図１３に示されるように、この微細構造の向
きに対して２ビットデータを割り当て、Ｍ２０００型エ
リプソメータ（Ｊ．Ａ．ウーラム社製）で入射角６０度
として測定した結果、図１４に示されるように、Δ−Ψ
平面における点と２ビットデータを関係づけることがで
きた。ただし、測定波長は１０００ｎｍとした。Δ及び
Ψの測定値の誤差は、それぞれ０．５度以下であり、こ
れらの点の判別は容易である。
【００３３】次に、同じ厚さのマグネシウム薄膜にレー
ザー加工機によって、上記と同じピッチと太さで線を刻
むことにより情報を記録した。記録した情報は、アルフ
ァベットの「ＡＩＳＴ」であり、アスキーコードでは、
４１，４９，５３，５４である。これを２進数で書く
と、０１０００００１，０１００１００１，０１０１０
０１１，０１０１０１００のそれぞれ８ビットデータと
なる。
ザー加工機によって、上記と同じピッチと太さで線を刻
むことにより情報を記録した。記録した情報は、アルフ
ァベットの「ＡＩＳＴ」であり、アスキーコードでは、
４１，４９，５３，５４である。これを２進数で書く
と、０１０００００１，０１００１００１，０１０１０
０１１，０１０１０１００のそれぞれ８ビットデータと
なる。
【００３４】本実施例では、１セル毎に２ビットデータ
が記録できるため、１文字に４つのセルが必要となり、
合計で１６セルが必要となる。したがって、マグネシウ
ム薄膜の２ｍｍ×２ｍｍの領域に０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍを１つのセルとして１６個のセルを作製し、それぞれ
に上記の２進数の情報を図１５に示されるように記録し
た。なお、図１５では、微細構造の向きを実際よりも大
きなピッチで示し、対応する２ビットデータを、各セル
の左上に示した。
が記録できるため、１文字に４つのセルが必要となり、
合計で１６セルが必要となる。したがって、マグネシウ
ム薄膜の２ｍｍ×２ｍｍの領域に０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍを１つのセルとして１６個のセルを作製し、それぞれ
に上記の２進数の情報を図１５に示されるように記録し
た。なお、図１５では、微細構造の向きを実際よりも大
きなピッチで示し、対応する２ビットデータを、各セル
の左上に示した。
【００３５】各セルについて、ΔとΨを測定した結果、
図１６のようになり、これを図１４と比較することによ
り、記録された２ビットデータを読み取ることができ
た。００のデータは５個、０１は９個、１０は１個、１
１は１個あったが、その通りに判別することができた。
更に、アスキーコードを参照することにより、記録され
た情報はアルファベットの「ＡＩＳＴ」であることが知
られた。
図１６のようになり、これを図１４と比較することによ
り、記録された２ビットデータを読み取ることができ
た。００のデータは５個、０１は９個、１０は１個、１
１は１個あったが、その通りに判別することができた。
更に、アスキーコードを参照することにより、記録され
た情報はアルファベットの「ＡＩＳＴ」であることが知
られた。
【００３６】実施例５
上記実施例４と同様にして、マグネシウム薄膜に情報を
記録し、読み取りを行った。ただし、測定波長を９００
ｎｍとした。その結果を図１７に示す。図１７には、図
１４に相当する点を＋マークで示した。以上により、波
長を９００ｎｍとした場合でも情報の記録及び読み取り
が可能であることが示された。
記録し、読み取りを行った。ただし、測定波長を９００
ｎｍとした。その結果を図１７に示す。図１７には、図
１４に相当する点を＋マークで示した。以上により、波
長を９００ｎｍとした場合でも情報の記録及び読み取り
が可能であることが示された。
【００３７】実施例６
上記実施例４と同様にして、ガラス基板上に銀薄膜を作
製し、図１９に示されるように、アルファベット「ＡＩ
ＳＴ」を記録した。ただし、この場合には１セル当たり
に３ビットデータを記録し、３つのセルを用いた。アル
ファベット１文字当たり８ビットを必要とするので、余
った最後の１ビットはパリティチェックに使用した。す
なわち、「Ａ」についは、０１０００００１０、「Ｉ」
については、０１００１００１１、「Ｓ」については、
０１０１００１１０、「Ｔ」については、０１０１０１
００１を記録した。入射光の波長を８００ｎｍとして、
読み取った結果を図２０に示す。各点は、測定誤差と比
較して十分に離れており、読み取りが可能であった。こ
れによって、１つのセルに３ビットデータを記録した例
が得られた。
製し、図１９に示されるように、アルファベット「ＡＩ
ＳＴ」を記録した。ただし、この場合には１セル当たり
に３ビットデータを記録し、３つのセルを用いた。アル
ファベット１文字当たり８ビットを必要とするので、余
った最後の１ビットはパリティチェックに使用した。す
なわち、「Ａ」についは、０１０００００１０、「Ｉ」
については、０１００１００１１、「Ｓ」については、
０１０１００１１０、「Ｔ」については、０１０１０１
００１を記録した。入射光の波長を８００ｎｍとして、
読み取った結果を図２０に示す。各点は、測定誤差と比
較して十分に離れており、読み取りが可能であった。こ
れによって、１つのセルに３ビットデータを記録した例
が得られた。
【００３８】実施例７
ガラス基板上に厚さ約１００ｎｍのアルミニウム薄膜を
マグネトロンスパッタリング法によって堆積させ、０．
５ｍｍ×０．５ｍｍの領域にレーザー加工によって、図
２１のような格子状構造を作製した。ただし、ピッチと
アルミニウムの幅は、以下の８種類とした。 （１）ピッチ１０ミクロン、アルミニウム幅５ミクロン （２）ピッチ２０ミクロン、アルミニウム幅１５ミクロ
ン （３）ピッチ３０ミクロン、アルミニウム幅２５ミクロ
ン （４）ピッチ５０ミクロン、アルミニウム幅４５ミクロ
ン （５）ピッチ１０ミクロン、アルミニウム幅１ミクロン
以下 （６）ピッチ２０ミクロン、アルミニウム幅１０ミクロ
ン （７）ピッチ３０ミクロン、アルミニウム幅２０ミクロ
ン （８）ピッチ５０ミクロン、アルミニウム幅４０ミクロ
ン
マグネトロンスパッタリング法によって堆積させ、０．
５ｍｍ×０．５ｍｍの領域にレーザー加工によって、図
２１のような格子状構造を作製した。ただし、ピッチと
アルミニウムの幅は、以下の８種類とした。 （１）ピッチ１０ミクロン、アルミニウム幅５ミクロン （２）ピッチ２０ミクロン、アルミニウム幅１５ミクロ
ン （３）ピッチ３０ミクロン、アルミニウム幅２５ミクロ
ン （４）ピッチ５０ミクロン、アルミニウム幅４５ミクロ
ン （５）ピッチ１０ミクロン、アルミニウム幅１ミクロン
以下 （６）ピッチ２０ミクロン、アルミニウム幅１０ミクロ
ン （７）ピッチ３０ミクロン、アルミニウム幅２０ミクロ
ン （８）ピッチ５０ミクロン、アルミニウム幅４０ミクロ
ン
【００３９】これらの試料を用いて、光の入射面に対す
るアルミニウム面の長方向の向きを変化させながら、Δ
とΨを測定した。これらを横軸をΔ、縦軸をΨとして１
枚のグラフにそれぞれを点として描き、隣り合った点と
の距離が比較的はなれている１６個の点を選択した。選
択した点のデータを表１に、これをグラフにしたものを
図２２に示す。各点間の距離が十分であるために、通常
のエリプソメーターの測定による区別は可能である。し
たがって、本発明の方法によって、１セル当たり１６個
の数値、すなわち、ビットの記録が可能であることが示
された。
るアルミニウム面の長方向の向きを変化させながら、Δ
とΨを測定した。これらを横軸をΔ、縦軸をΨとして１
枚のグラフにそれぞれを点として描き、隣り合った点と
の距離が比較的はなれている１６個の点を選択した。選
択した点のデータを表１に、これをグラフにしたものを
図２２に示す。各点間の距離が十分であるために、通常
のエリプソメーターの測定による区別は可能である。し
たがって、本発明の方法によって、１セル当たり１６個
の数値、すなわち、ビットの記録が可能であることが示
された。
【００４０】
【表１】
【００４１】比較例
上記実施例４と同じサイズで同じ大きさのセルを作製し
たが、比較例として、各セルにはマグネシウム薄膜があ
るものとないものを用いて、図１８に示されるように、
１ビットデータを１６個のセルで記録した。その結果、
１６個のセルを用いてもアルファベットの２文字「Ａ
Ｉ」までの記録、読み出ししかできなかった。
たが、比較例として、各セルにはマグネシウム薄膜があ
るものとないものを用いて、図１８に示されるように、
１ビットデータを１６個のセルで記録した。その結果、
１６個のセルを用いてもアルファベットの２文字「Ａ
Ｉ」までの記録、読み出ししかできなかった。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、基板上
に異方性のある微細構造を有する表面を形成して得られ
る新しい方式の大容量メモリ媒体の構造に係るものであ
り、本発明により、以下のような効果が奏される。 （１）従来の方法のような、多層膜を用いる方法に代え
て、異方性のある微細構造を有する表面を利用した新し
い方式のメモリ媒体、及び情報読み取りシステムを提供
することができる。 （２）上記異方性微細構造を有する表面に光を入射さ
せ、その反射光又は透過光の偏光状態の変化を検出する
方式を採用することにより、メモリ媒体上の記録密度を
増大させ、大容量メモリ媒体を作製し、提供することを
可能とすることができる。 （３）入射光を垂直入射とすることにより、セルの大き
さを入射光のビーム幅程度まで小さくしたメモリ構造を
提供することができる。 （４）上記異方性を有する微細構造は、従来のＣＤの作
製に用いられるスタンパー方式によって作製が可能であ
り、それにより、多層薄膜構造を用いたメモリ媒体より
も制作コストを安価にすることができる。 （５）エリプソメトリックパラメータの検出と同時に、
反射光又は透過光の強度を検出することによって記録容
量の飛躍的な増大化が可能となる。
に異方性のある微細構造を有する表面を形成して得られ
る新しい方式の大容量メモリ媒体の構造に係るものであ
り、本発明により、以下のような効果が奏される。 （１）従来の方法のような、多層膜を用いる方法に代え
て、異方性のある微細構造を有する表面を利用した新し
い方式のメモリ媒体、及び情報読み取りシステムを提供
することができる。 （２）上記異方性微細構造を有する表面に光を入射さ
せ、その反射光又は透過光の偏光状態の変化を検出する
方式を採用することにより、メモリ媒体上の記録密度を
増大させ、大容量メモリ媒体を作製し、提供することを
可能とすることができる。 （３）入射光を垂直入射とすることにより、セルの大き
さを入射光のビーム幅程度まで小さくしたメモリ構造を
提供することができる。 （４）上記異方性を有する微細構造は、従来のＣＤの作
製に用いられるスタンパー方式によって作製が可能であ
り、それにより、多層薄膜構造を用いたメモリ媒体より
も制作コストを安価にすることができる。 （５）エリプソメトリックパラメータの検出と同時に、
反射光又は透過光の強度を検出することによって記録容
量の飛躍的な増大化が可能となる。
【図１】基板上に多層膜を堆積させた従来の方法におけ
る多層膜構造の一例を示す。
る多層膜構造の一例を示す。
【図２】通常の薄膜光学の手法により計算した図１の構
造のΔとΨの分布を示す。
造のΔとΨの分布を示す。
【図３】本発明におけるセルの構造の一例を示す。
【図４】本発明におけるセルの構造の一例を示す。
【図５】微細構造を有するセルへの２ビットデータ割り
当て例を示す。
当て例を示す。
【図６】回折格子のΔとΨの測定例（ただし、入射光は
６０度の直線偏光、波長は５００ｎｍ）を示す。
６０度の直線偏光、波長は５００ｎｍ）を示す。
【図７】回折格子のΔとΨの測定例（ただし、入射光は
６０度の直線偏光、波長は８００ｎｍ）を示す。
６０度の直線偏光、波長は８００ｎｍ）を示す。
【図８】回折格子のΔとΨの測定例（ただし、入射光は
４５度の直線偏光、波長は５００ｎｍ）を示す。
４５度の直線偏光、波長は５００ｎｍ）を示す。
【図９】回折格子のΔとΨの測定例（ただし、入射光は
４５度の直線偏光、波長は８００ｎｍ）を示す。
４５度の直線偏光、波長は８００ｎｍ）を示す。
【図１０】回折格子のΔとΨの測定例（ただし、入射光
は３０度の直線偏光、波長は５００ｎｍ）を示す。
は３０度の直線偏光、波長は５００ｎｍ）を示す。
【図１１】回折格子のΔとΨの測定例（ただし、入射光
は３０度の直線偏光、波長は８００ｎｍ）を示す。
は３０度の直線偏光、波長は８００ｎｍ）を示す。
【図１２】本発明のセルの微細構造の一例を示す。
【図１３】本発明セルの微細構造の一例の２ビットデー
タへの割り当て例を示す。
タへの割り当て例を示す。
【図１４】図１３に示したセルのΔとΨの測定例（ただ
し、入射角６０度、波長１０００ｎｍ）を示す。
し、入射角６０度、波長１０００ｎｍ）を示す。
【図１５】ガラス基板上に記録した情報例（ただし、１
セル当たり２ビットデータとし、アスキーコードで「Ａ
ＩＳＴ」と記録した）を示す。
セル当たり２ビットデータとし、アスキーコードで「Ａ
ＩＳＴ」と記録した）を示す。
【図１６】図１５の情報を読み取った例（ただし、入射
角６０度、波長１０００ｎｍ）を示す。
角６０度、波長１０００ｎｍ）を示す。
【図１７】図１５の情報を読み取った例（ただし、入射
角６０度、波長９００ｎｍ。＋印は図１２の１セルを回
転させて測定した結果）を示す。
角６０度、波長９００ｎｍ。＋印は図１２の１セルを回
転させて測定した結果）を示す。
【図１８】ガラス基板上に記録した情報例（ただし、１
セル当たり１ビットデータとし、アスキーコードで「Ａ
Ｉ」と記録した）を示す。
セル当たり１ビットデータとし、アスキーコードで「Ａ
Ｉ」と記録した）を示す。
【図１９】ガラス基板上に記録した情報例（ただし、１
セル当たり３ビットデータとした）を示す。
セル当たり３ビットデータとした）を示す。
【図２０】図１９のように書き込まれた情報を読み取っ
た結果を示す。
た結果を示す。
【図２１】レーザー加工によって作製した格子状構造を
示す。
示す。
【図２２】選択した１６個の点の位置を示す。
Claims (18)
- 【請求項１】 異方性を有する微細構造によって、メモ
リ媒体に情報を記録し、読み出す方法であって、基板に
上記異方性微細構造を有する反射表面を作製することに
よって情報を記録し、上記反射表面に光を入射させ、そ
の反射光の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射
光の強度変化を検出することによって情報を読み出すこ
とを特徴とする情報の記録、読み出し方法。 - 【請求項２】 上記微細構造による反射光の偏光状態の
変化と、上記微細構造による反射光の強度変化を同時的
に検出することを特徴とする請求項１に記載の情報の記
録、読み出し方法。 - 【請求項３】 異方性を有する微細構造によって情報を
記録したメモリ媒体であって、基板に上記異方性微細構
造を有する反射表面を持つメモリ媒体を作製することに
よって情報を記録し、上記反射表面に光を入射させ、そ
の反射光の偏光状態の変化又は上記微細構造による反射
光の強度変化を検出することによって情報を読み出すよ
うにしたことを特徴とするメモリ媒体。 - 【請求項４】 基板に上記異方性微細構造を有する反射
表面を持つメモリ媒体が、（１）上記異方性微細構造を
有する反射表面を持つセルを作製する、（２）各セルに
ビットデータを割り当てる、（３）上記セルを基板上に
配列する、ことにより構成した光学的メモリを構成要素
として含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリ媒
体。 - 【請求項５】 上記微細構造による反射光の偏光状態の
変化と、上記微細構造による反射光の強度変化を同時的
に検出することを特徴とする請求項３に記載のメモリ媒
体。 - 【請求項６】 上記反射表面が、１種類以上の物質から
なる被膜を含むことを特徴とする請求項３に記載のメモ
リ媒体。 - 【請求項７】 上記反射表面が、保護層を有することを
特徴とする請求項３に記載のメモリ媒体。 - 【請求項８】 異方性を有する微細構造によって、メモ
リ媒体に情報を記録し、読み出す方法であって、基板に
上記異方性微細構造を有する透過表面を作製することに
よって情報を記録し、上記透過表面に光を入射させ、そ
の透過光の偏光状態の変化又は上記微細構造による透過
光の強度変化を検出することによって情報を読み出すこ
とを特徴とする情報の記録、読み出し方法。 - 【請求項９】 上記微細構造による透過光の偏光状態の
変化と、上記微細構造による透過光の強度変化を同時的
に検出することを特徴とする請求項８に記載の情報の記
録、読み出し方法。 - 【請求項１０】 異方性を有する微細構造によって情報
を記録したメモリ媒体であって、基板に上記異方性微細
構造を有する透過表面を持つメモリ媒体を作製すること
によって情報を記録し、上記透過表面に光を入射させ、
その透過光の偏光状態の変化又は上記微細構造による透
過光の強度変化を検出することによって情報を読み出す
ようにしたことを特徴とするメモリ媒体。 - 【請求項１１】 基板に上記異方性微細構造を有する透
過表面を持つメモリ媒体が、（１）上記異方性微細構造
を有する透過表面を持つセルを作製する、（２）各セル
にビットデータを割り当てる、（３）上記セルを基板上
に配列する、ことにより構成した光学的メモリを構成要
素として含むことを特徴とする請求項１０に記載のメモ
リ媒体。 - 【請求項１２】 上記微細構造による透過光の偏光状態
の変化と、上記微細構造による透過光の強度変化を同時
的に検出することを特徴とする請求項１０に記載のメモ
リ媒体。 - 【請求項１３】 上記透過表面が、１種類以上の物質か
らなる被膜を含むことを特徴とする請求項１０に記載の
メモリ媒体。 - 【請求項１４】 上記透過表面が、保護層を有すること
を特徴とする請求項１０に記載のメモリ媒体。 - 【請求項１５】 請求項３から７のいずれかに記載の異
方性を有する微細構造によって情報を記録したメモリ媒
体を製造する方法であって、以下の工程、（１）上記異
方性微細構造を有する反射表面を持つセルを作製する、
（２）各セルにビットデータを割り当てる、（３）上記
セルを基板上に配列する、ことを構成要素として含むこ
とを特徴とする上記メモリ媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１０から１４のいずれかに記載
の異方性を有する微細構造によって情報を記録したメモ
リ媒体を製造する方法であって、以下の工程、（１）上
記異方性微細構造を有する透過表面を持つセルを作製す
る、（２）各セルにビットデータを割り当てる、（３）
上記セルを基板上に配列する、ことを構成要素として含
むことを特徴とする上記メモリ媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項３から７のいずれかに記載のメ
モリ媒体に記録された情報を読み取る情報読み取りシス
テムであって、 上記メモリ媒体、及び当該メモリ媒体に記録された情報
を光学的に読み出す手段を構成要素として含み、 当該手段が、上記メモリ媒体の反射表面に光を入射さ
せ、その反射光の偏光状態の変化及び／又は上記反射表
面の微細構造による反射光の強度変化を検出する機能を
有することを特徴とする上記情報読み取りシステム。 - 【請求項１８】 請求項１０から１４のいずれかに記載
のメモリ媒体に記録された情報を読み取る情報読み取り
システムであって、 上記メモリ媒体、及び当該メモリ媒体に記録された情報
を光学的に読み出す手段を構成要素として含み、 当該手段が、上記メモリ媒体の透過表面に光を入射さ
せ、その透過光の偏光状態の変化及び／又は上記透過表
面の微細構造による透過光の強度変化を検出する機能を
有することを特徴とする上記情報読み取りシステム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127818A JP2003323741A (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 光学的メモリ |
| US10/424,713 US6989185B2 (en) | 2002-04-30 | 2003-04-29 | Optical memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127818A JP2003323741A (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 光学的メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003323741A true JP2003323741A (ja) | 2003-11-14 |
Family
ID=29267664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002127818A Pending JP2003323741A (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 光学的メモリ |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP2003323741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099192A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Tohoku Univ | 情報記録媒体、情報再生方法、情報記録方法、情報記録及び／又は再生装置 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101453419B1 (ko) * | 2006-09-06 | 2014-10-23 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 2차원 인장 가능하고 구부릴 수 있는 장치 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS62270610A (ja) | 1986-05-16 | 1987-11-25 | Agency Of Ind Science & Technol | アセチレン誘導体のグラフト重合方法 |
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| JPH02175790A (ja) | 1988-06-13 | 1990-07-09 | Agency Of Ind Science & Technol | アセトン水溶液のガス燃料化法 |
| JPH0378978A (ja) | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電気化学電池の製造方法 |
| US5331626A (en) * | 1992-01-20 | 1994-07-19 | Pioneer Electronic Corporation | Recording medium and information recording and reproducing apparatus therefor |
| US5838653A (en) * | 1995-10-04 | 1998-11-17 | Reveo, Inc. | Multiple layer optical recording media and method and system for recording and reproducing information using the same |
| US5910940A (en) * | 1996-10-08 | 1999-06-08 | Polaroid Corporation | Storage medium having a layer of micro-optical lenses each lens generating an evanescent field |
| US6413680B1 (en) * | 1998-02-26 | 2002-07-02 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Optical recording method, optical recording medium, and optical recording system |
-
2002
- 2002-04-30 JP JP2002127818A patent/JP2003323741A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-29 US US10/424,713 patent/US6989185B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099192A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Tohoku Univ | 情報記録媒体、情報再生方法、情報記録方法、情報記録及び／又は再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6989185B2 (en) | 2006-01-24 |
| US20030206458A1 (en) | 2003-11-06 |
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