JP2003268594A - 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 - Google Patents
基板上への電解めっき方法および装置並びに基板Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- SRCZENKQCOSNAI-UHFFFAOYSA-H gold(3+);trisulfite Chemical compound [Au+3].[Au+3].[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O SRCZENKQCOSNAI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
させ、めっき膜の基板内厚さばらつきを抑制、さらには
歩留まりの向上が図れる半導体及び化合物基板上への電
解めっき方法及びその装置を提供する。 【解決手段】めっき槽および電極を使用して半導体ある
いは化合物基板上に電解めっきを施す電解めっき方法で
ある。前記半導体あるいは化合物基板14を保持する基
板テーブル11に載置された給電電極板13に前記半導
体あるいは化合物基板を載置し、該半導体あるいは化合
物基板の裏面、すなわち前記基板テーブル側の面から給
電する。
Description
合物基板上に電解めっきを施す電解めっき装置および方
法に関する。
めっき方法として、基板表面に付けられた金属導電膜に
給電電極を接触させて通電し、電解めっきをする方法が
知られている。さらに金属導電膜の上にレジストでパタ
ーンを形成し、その後電解めっきをすることで必要に応
じた形状の金属部品を1つの基板から複数個得ることが
出来る。このような構成は、例えば特開平2−6005
9号公報に記載されている。
きを行うと、基板表面の金属導電膜上で給電電極からの
距離に起因する電流分布が生じ、これに伴いめっき後の
金属部品の個体間に高さ寸法ばらつきが発生してしまう
恐れがあった。
高さ寸法ばらつきが発生すると、そのばらつきの大きさ
により製品不良が発生してしまう。不良の発生は歩留ま
りの低下を招き、極めて不経済である。
因する電流分布を減少させ、めっき膜の基板内厚さばら
つきを抑制、さらには歩留まりの向上が図れる半導体及
び化合物基板上への電解めっき方法及びその装置を提供
することにある。
合物基板上へ電解めっきを施す方法において、めっき電
流の給電電極部を基板裏面に設置して、裏面から部分面
的あるいは全面から給電を行うことを特徴とするもので
ある。
び方法を提供する。本発明は、めっき槽および電極を使
用して半導体あるいは化合物基板上に電解めっきを施す
電解めっき装置において、前記半導体あるいは化合物基
板を保持する基板テーブルに載置され、かつ該給電電極
板上に前記半導体あるいは化合物基板を載置する給電電
極板を備え、および前記半導体あるいは化合物基板と、
給電電極板と、および基板テーブルとを一体的に前記め
っき槽に向けて搬送する搬送装置を備える基板上への電
解めっき装置を提供する。
は化合物基板に部分面的にあるいは全面的に接触して載
置され得る。
半導体あるいは化合物基板上に電解めっきを施す電解め
っき方法において、前記半導体あるいは化合物基板を保
持する基板テーブルに載置された給電電極板に前記半導
体あるいは化合物基板を載置し、該半導体あるいは化合
物基板の裏面、すなわち前記基板テーブル側の面から給
電する基板上への電解めっき方法を提供する。
され得る。前記半導体あるいは化合物基板を前記給電電
極板に載置した状態で、前記基板テーブルと一体的に前
記めっき槽に向けて搬送し、前記半導体あるいは化合物
基板をめっき液浴に浸し得る。
面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施例である
基板裏面給電電極部を備えた縦型浸漬形の電解めっき装
置構成を示す図である。図1において、当該電解めっき
装置1は、めっき槽2,電源3,めっき槽2内に配設さ
れた電極4を有し、めっき槽2には下部においてめっき
液の供給配管6,回収配管7が設けられる。また、めっ
き槽2は開口部5を備え、これを塞ぐことによってめっ
き液を供給配管6から流入せしめることができる。
える搬送装置8が設置される。該搬送装置8は、走行レ
ール上を走行できる基台9およびその上に回転固定装置
10を備える。
が回転可能にして設けられる。基板テーブル11は、前
記の開口部5を塞ぐ蓋部12を備える。該蓋部12に、
すなわち基板テーブル11上に電極部である給電電極板
13が載置保持される。給電電極板13は板状をなし、
その全面状もしくは部分上が電極となる。
基板などの基板14が載置される。ここでは半導体ある
いは化合物基板で総称する。従って、給電電極板13
は、基板14を載置保持することができ、基板14と給
電電極板13は基板テーブル11によって保持されるこ
とになる。
3および基板テーブル11は上方を向き、水平配置とな
っており、基板14を給電電極板13に載置し易い。
極板13には陰極線18が接続され、それぞれ電源3に
結ばれる。よって、電極4は陽電極部,給電電極板13
は陰電極部の作用をなす。
を基板14の裏面に設置して、裏面から部分面的にある
いは全面的に給電を行う。よって、裏面とは、めっき液
とは反対側に配設される基板テーブル側の面ということ
になる。部分面的あるいは全面給電とすることによって
電流分布の均一化を図ることができ、全面的給電によれ
ば均一化される。電極部を板状にすることによってこの
部分面あるいは全面的な給電が可能になる。これに伴
い、めっき後の金属部品の個体間に高さ寸法のばらつき
を小さくすることが期待される。
板テーブル11に真空装置(図示せず)を結び、真空排
気して給電電極板13に基板14をその裏面で部分的あ
るいは全面的に吸着させる。
板テーブル11を90°開口部5に向けて回転させる。
これによって基板14,基板テーブル11をめっき槽2
の開口部5に対向させる。この状態を図2に示す。
を搬送装置8の走行レール上をめっき槽2に向かい走行
させる。
部12を開口部5にこれを塞ぐようにして接合し、すな
わち基板14を開口部5に適正な力で押しつけてめっき
液の漏洩が起こらないようにする。回転固定装置10は
押しつける機能を有する。
めっき液を供給し、めっき液浴31を形成する。めっき
液は、めっき槽2に供給配管6を介して常時供給され、
電極4を越えた余剰めっき液は回収配管7から回収され
ることでめっき液は常時循環する流れとなる。
7と陰極線18を介して電源3から給電がなされ、基板
14への裏面への前述した給電に伴って裏面方式による
めっきがなされる。
構成としたが、図5に示すように板状の給電電極板13
上に点在させて多数の給電点を形成するようにしてもよ
い。図5において、50は板構成物、51、51’は2
つの吸着用の溝、52は溝51に管53を介して連結さ
れた吸着用孔、そして54は、点在する多数の給電点を
示す。尚、陰極線18は各給電点54に接続されるが、
判り易くするために一部給電点のみを図示してある。
分布ばらつき状態を確認するために実験を行った。図4
は、本発明による裏面電極法と従来の前面電極法による
めっき膜厚分布ばらつきの比較を示すグラフである。め
っき液として市販の亜硫酸金めっき液を用い、電解めっ
き装置は縦型浸漬式めっき装置を用いた。被めっき基体
として表面にAuをスパッタリングしたベタ膜8インチ
Siウェハを用い、液温65℃,電流密度6mA/cm2
の条件で裏面給電によりめっきを行った。図は、測定
位置(X軸)における膜厚(Y軸)ave±μmを示す。
導電膜に給電電極を接触させて電解めっきをしためっき
膜の基板内膜厚分布,裏面電極法は基板上に裏面から給
電をして電解めっきをしためっき膜の基板内膜厚分布を
示すものである。裏面電極法は測定位置に拠らず膜厚分
布ばらつきが小さく、従来法では給電電極に近い外周部
でめっき膜厚が厚くなり、膜厚分布ばらつきが大きくな
ることがわかる。この結果から、裏面電極法の膜厚分布
ばらつきに対する有効性は明らかである。
の方法および装置が提供される。半導体及び化合物基板
上に電解めっきを施すための方法において、給電部を基
板裏面に設置し、裏面から給電をして電解めっきを行う
ことを特徴とする電解めっき方法。
すための装置において、給電部を基板裏面に設置し、裏
面から給電をして電解めっきを行うことを特徴とする電
解めっき装置。半導体及び化合物基板裏面への給電は、
基板裏面全体に均一状に行う。
るいは300φ(12インチ)等の基板に適用できる
が、特に300φ基板に適用して大きな利益をもたら
す。図6において、規定のウエハサイズ300φを有し
て、板状全面的電極をなす給電電極板13に吸着されて
載置され、裏面、すなわち給電電極板13載置用の基板
テーブル11側の面から給電されて、めっきを施されて
構成された半導体あるいは化合物基板が示される。図6
において、61は、基板を示す。本実施例で全面状ある
いは全面的にはとは、給電電極板13の表面全部60を
指す場合と、基板61を最外周62で囲む円によってカ
バーされる面全部を指す場合の双方およびいずれかを含
む。
表面の金属導電膜上で給電電極からの距離に起因する電
流分布ばらつきを大幅に減少でき、めっき後の金属部品
間高さ寸法ばらつきの発生を改善することが出来る。
成図。
示す図。
成を示す図。
極(陽)、5…開口部、6…供給配管、7…回収配管、
8…搬送装置(走行レールを含む)、9…基台、10…
回転固定装置、11…基板テーブル、12…蓋部、13
…給電電極板(陰)、14…基板、17…陽極線、18
…陰極線、31…めっき液浴。
Claims (6)
- 【請求項1】めっき槽および電極を使用して半導体ある
いは化合物基板上に電解めっきを施す電解めっき装置に
おいて、前記半導体あるいは化合物基板を保持する基板
テーブルに載置され、かつ該給電電極板上に前記半導体
あるいは化合物基板を載置する給電電極板を備え、およ
び前記半導体あるいは化合物基板と、給電電極板と、お
よび基板テーブルとを一体的に前記めっき槽に向けて搬
送する搬送装置を備えることを特徴とする基板上への電
解めっき装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記給電電極板の面
は、前記半導体あるいは化合物基板に部分面的にあるい
は全面的に接触して載置されることを特徴とする基板上
への電解めっき装置。 - 【請求項3】めっき槽および電極を使用して半導体ある
いは化合物基板上に電解めっきを施す電解めっき方法に
おいて、前記半導体あるいは化合物基板を保持する基板
テーブルに載置された給電電極板に前記半導体あるいは
化合物基板を載置し、該半導体あるいは化合物基板の裏
面、すなわち前記基板テーブル側の面から給電すること
を特徴とする基板上への電解めっき方法。 - 【請求項4】請求項3において、前記裏面に部分面的あ
るいは全面的に給電することを特徴とする基板上への電
解めっき方法。 - 【請求項5】請求項3または4において、前記半導体あ
るいは化合物基板を前記給電電極板に載置した状態で、
前記基板テーブルと一体的に前記めっき槽に向けて搬送
し、前記半導体あるいは化合物基板をめっき液浴に浸す
ことを特徴とする基板上への電解めっき方法。 - 【請求項6】規定のウエハサイズ300φ(インチ)を
有して、板状全面的電極をなす給電電極板載置用の基板
テーブル側の面から給電されてめっきを施されたことを
特徴とする半導体あるいは化合物基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066703A JP2003268594A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066703A JP2003268594A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003268594A true JP2003268594A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29198366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002066703A Pending JP2003268594A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003268594A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012508814A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | レプリサウルス グループ エスエーエス | 導電性基板をめっきするためのシステム、およびそのめっきの間に導電性基板を保持するための基板ホルダー |
| WO2013046351A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-12 JP JP2002066703A patent/JP2003268594A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012508814A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | レプリサウルス グループ エスエーエス | 導電性基板をめっきするためのシステム、およびそのめっきの間に導電性基板を保持するための基板ホルダー |
| WO2013046351A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JPWO2013046351A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-03-26 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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