JP2003253431A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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Abstract
成装置を提供する。 【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、真空槽2と、真
空槽2内において所定のピッチPで配設された複数のホ
スト蒸発源30及びドーパント蒸発源31から構成され
る蒸発部3とを備えている。蒸発部3は、基板5に対し
て相対的に揺動するように構成されている。蒸発部3の
揺動方向は、基板5の成膜面に対してほぼ平行である。
蒸発部3の揺動距離は、ホスト蒸発源30及びドーパン
ト蒸発源31の蒸発口34、35のピッチPと同一であ
る。ホスト蒸発源30及びドーパント蒸発源31の蒸発
口34、35は、同一の材料を収容した隣り合うものに
ついて、互いにピッチQの半分だけずらして配列されて
いる。
Description
D素子の発光層に用いられる有機薄膜を蒸着によって形
成するための薄膜形成装置に関する。
プレイ用の素子として、有機LED素子が注目されてい
る。有機LED素子は、蛍光性有機化合物を電気的に励
起して発光させる自発光型素子で、高輝度、高視野角、
面発光、薄型で多色発光が可能であり、しかも数Vとい
う低電圧の直流印加で発光する全固体素子で、かつ低温
においてもその特性の変化が少ないという特徴を有して
いる。
ための薄膜形成装置の概略構成図である。図7に示すよ
うに、この薄膜形成装置101にあっては、真空槽10
2の下部に蒸発源103が配設されるとともに、この蒸
発源103の上方に成膜対象物である基板104が配置
されている。そして、蒸発源103から蒸発される有機
材料の蒸気を、マスク105を介して基板104に蒸着
させることによって所定パターンの有機薄膜を形成する
ようになっている。
マスクのピッチのファイン化や基板の大型化に伴い、従
来の技術では均一な膜厚分布を得ることが困難になりつ
つあるというという問題がある。
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、均一な膜厚分布の有機薄膜を形成しうる薄膜形成装
置を提供することにある。
になされた請求項1記載の発明は、所定の成膜対象物に
対して薄膜を形成するための真空槽と、前記真空槽内に
所定のピッチで配設された複数の蒸発源で構成される蒸
発部とを備え、前記蒸発源は、所定のピッチで配置され
た複数の蒸発口を有し、前記蒸発部が、前記成膜対象物
に対して相対的に揺動するように構成されていることを
特徴とする薄膜形成装置である。請求項2記載の発明
は、請求項1記載の発明において、前記蒸発部の揺動方
向が前記成膜対象物の成膜面に対してほぼ平行であるこ
とを特徴とする。請求項3記載の発明は、請求項1又は
2のいずれか1項記載の発明において、前記蒸発部が、
ホスト材料を収容したホスト蒸発源とドーパント材料を
収容したドーパント蒸発源を交互に配置して構成されて
いることを特徴とする。請求項4記載の発明は、請求項
1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記蒸発
部の揺動距離が、当該蒸発源のピッチとほぼ同一である
ことを特徴とする。請求項5記載の発明は、請求項1乃
至3のいずれか1項記載の発明において、前記蒸発部の
揺動距離が、同一の蒸発材料を収容した隣り合う蒸発源
のピッチとほぼ同一であることを特徴とする。請求項6
記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項記載の発
明において、前記蒸発源が、細長形状の蒸発容器を有
し、前記複数の蒸発口が前記蒸発容器の長手方向に設け
られていることを特徴とする。請求項7記載の発明は、
請求項1乃至6のいずれか1項記載の発明において、長
手方向に所定のピッチで設けられた前記蒸発口は、隣り
合う前記蒸発源について、互いに前記ピッチの半分だけ
ずらして配列されていることを特徴とする。請求項8記
載の発明は、請求項1乃至6のいずれか1項記載の発明
において、長手方向に所定のピッチで設けられた前記蒸
発口は、同一の材料を収容した隣り合う前記蒸発源につ
いて、互いに前記ピッチの半分だけずらして配列されて
いることを特徴とする
蒸発部が成膜対象物に対して相対的に揺動するように構
成されていることから、蒸発材料の蒸気が均一な状態で
成膜対象物に到達し、その結果、マスクのピッチがファ
イン化し、また基板が大型化した場合であっても、成膜
対象物上において均一な膜厚分布を得ることができ、広
い範囲にわたって均一な膜厚分布を得ることができる。
を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係る薄膜
形成装置の好ましい実施の形態の正面側断面図であり、
有機LED素子の有機薄膜を形成するためのものであ
る。
発部の断面図、図2(b)は、同蒸発部の外観構成を示
す平面図である。図3は、本実施の形態の蒸発源の蒸発
口の位置関係を示す説明図である。
成装置1は、図示しない真空排気系に接続された真空槽
2を有し、この真空槽2の下方には後述する蒸発部3が
配設されている。
発部3から蒸発する蒸気を制御するためのシャッター7
が設けられている。
4が設けられ、この基板ホルダー4に、蒸着膜を形成す
べき基板(成膜対象物)5が固定されている。そして、
基板5の下方近傍にはマスク6が設けられている。
形態の蒸発部3は、図示しない駆動機構に連結され、基
板5の成膜面5aに対して平行な方向(揺動方向X)に
一体的に揺動(異なる方向へ移動することをいう。特に
本実施の形態においては往復動することをいう。)する
ように構成されている。
31から構成されている。本実施の形態の場合は、ホス
ト材料を蒸発させるためのホスト蒸発源30と、ドーパ
ント材料を蒸発させるためのドーパント蒸発源31とを
有している。
源31は、それぞれ細長の円筒形状の蒸発容器32、3
3を有している。
2の内部には、所定の有機系の蒸発材料(例えばAlq
3)40が収容され、この蒸発材料40は、図示しない
ヒータによって加熱されるようになっている。
と直交する方向(揺動直交方向Y)に向けて、所定のピ
ッチPをおいて平行に配列されている。
2の上部の中央部には、その長手方向に沿って所定の間
隔Qで複数の蒸発口34が直線的に設けられている。す
なわち、これら各蒸発口34は、揺動直交方向Yに沿っ
て直線的に配列され、これにより、隣接するホスト蒸発
源30の蒸発口34の、揺動方向Xに対するピッチもP
となる。
態にあっては、隣接するホスト蒸発源30の蒸発口34
が、揺動直交方向Yに半ピッチ(Q/2)ずらして配列
されている。
発源30と隣接する位置に配設され、上記同様のピッチ
Pをおいて平行に配列されている。そして、各ドーパン
ト蒸発源31の蒸発容器33の内部には、所定の有機系
の蒸発材料(例えばDCJTB(4-dicyanomethylene-6
-cp-julolidinostyryl-2-tert-butyl-4H-pyran)、ルブ
レン等)41が収容され、この蒸発材料41は、図示し
ないヒータによって加熱されるようになっている。
器33の上部の中央部には、その長手方向に沿って所定
の間隔Qで複数の蒸発口35が直線的に設けられてい
る。
30の場合と同様に、揺動直交方向Yに沿って直線的に
配列され、隣接するドーパント蒸発源31の蒸発口35
の関係についても、ホスト蒸発源30の場合と同様に、
揺動直交方向Yに半ピッチ(Q/2)ずらして配列され
ている。
きさの平板からなるもので、このシャッター7には、各
ホスト蒸発源30及びドーパント蒸発源31に対応する
スリット状の開口部70が形成されている。
駆動機構に連結され、上記揺動方向Xに移動して開閉動
作を行うとともに、蒸発部3と同期して揺動できるよう
に構成されている。
環させることによって所定の温度に制御されるようにな
っている。
いて基板5上に成膜を行う場合には、真空槽2内を所定
の圧力に調整した後、図4に示すように、シャッター7
を閉じた状態で、蒸発部3のホスト蒸発源30及びドー
パント蒸発源31内の蒸発材料40、41の加熱を開始
する。
パント蒸発源31の蒸発口35から蒸発材料40、41
の蒸気が放出される。この時点では、蒸発材料40、4
1の蒸気はシャッター7によって遮られるため、基板5
には到達しない。
所定の値に到達した時点でシャッター7を移動させ、そ
の開口部70を各ホスト蒸発源30及びドーパント蒸発
源31の蒸発口35の直上に位置させる。
ー7の開口部70を介して蒸発材料40、41の蒸気が
基板5に向かうようになる。
ャッター7を揺動させる。本実施の形態の場合は、蒸発
部3とシャッター7を同期させた状態で、上記ホストお
よびドーパント蒸発源30、31間のピッチPだけX方
向に揺動させる。
所定の膜厚が得られた時点でシャッター7を閉じて成膜
を終了する。
は、複数の蒸発口35を有する蒸発部3が基板5に対し
て相対的に揺動するように構成されていることから、蒸
発材料40、41の蒸気が均一な状態で基板5に到達
し、その結果、マスクのピッチがファイン化し、また基
板5が大型化した場合であっても、基板5上において均
一な膜厚分布を得ることが可能になる。
の揺動方向が基板5の成膜面5aに対して平行であると
ともに、蒸発部3の揺動距離が蒸発口34、35のピッ
チPと同一であり、さらに、蒸発部3の蒸発口34、3
5を当該蒸発部3の揺動方向Xに対して半ピッチずらし
て配列されているため、真空槽2内の広い空間内におい
て蒸発材料40、41の蒸気がより均一な状態で基板5
に到達し、その結果、大型の基板5上において均一な膜
厚分布を得ることができる。
状の蒸発容器32、33の長手方向に複数の蒸発口が設
けられ、この蒸発容器32、33を幅方向に揺動させる
ように構成されているため、広い範囲にわたって均一な
膜厚分布を得ることができるものである。
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
上記実施の形態においては、蒸発部側を揺動させるよう
にしたが、本発明はこれに限られず、基板側を揺動させ
るように構成することも可能である。
観点からは、蒸発部側を揺動させることが好ましい。
セスの条件や装置構成に応じて適宜変更することができ
る。
単一の蒸発源を用いることも可能である。
ッチ、数、蒸発口の数、間隔、形状、配置等について
も、プロセスの条件や装置構成に応じて適宜変更するこ
とができる。
膜を形成するための装置に限られず、種々の蒸着装置に
適用することができる。ただし、本発明は有機材料を用
いて有機LED素子の有機薄膜を形成する場合に特に有
効なものである。
クのピッチがファイン化し、また基板が大型化した場合
であっても、成膜対象物上において均一な膜厚分布を得
ることができる。
態の正面側断面図
す説明図
(その1)
(その2)
(その3)
成装置の概略構成図
(成膜対象物) 5a…成膜面 30…ホスト蒸発源
31…ドーパント蒸発源 32、33…蒸発容器 34、35…蒸発口 P…ピッチ 40、41…蒸発材
料
Claims (8)
- 【請求項1】所定の成膜対象物に対して薄膜を形成する
ための真空槽と、 前記真空槽内に所定のピッチで配設された複数の蒸発源
で構成される蒸発部とを備え、 前記蒸発源は、所定のピッチで配置された複数の蒸発口
を有し、 前記蒸発部が、前記成膜対象物に対して相対的に揺動す
るように構成されていることを特徴とする薄膜形成装
置。 - 【請求項2】前記蒸発部の揺動方向が前記成膜対象物の
成膜面に対してほぼ平行であることを特徴とする請求項
1記載の薄膜形成装置。 - 【請求項3】前記蒸発部が、ホスト材料を収容したホス
ト蒸発源とドーパント材料を収容したドーパント蒸発源
を交互に配置して構成されていることを特徴とする請求
項1又は2のいずれか1項記載の薄膜形成装置。 - 【請求項4】前記蒸発部の揺動距離が、当該蒸発源のピ
ッチとほぼ同一であることを特徴とする請求項1又はの
いずれか1項記載の薄膜形成装置。 - 【請求項5】前記蒸発部の揺動距離が、同一の蒸発材料
を収容した隣り合う蒸発源のピッチとほぼ同一であるこ
とを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の薄
膜形成装置。 - 【請求項6】前記蒸発源が、細長形状の蒸発容器を有
し、前記複数の蒸発口が前記蒸発容器の長手方向に設け
られていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか
1項記載の薄膜形成装置。 - 【請求項7】長手方向に所定のピッチで設けられた前記
蒸発口は、隣り合う前記蒸発源について、互いに前記ピ
ッチの半分だけずらして配列されていることを特徴とす
る請求項1乃至6のいずれか1項記載の薄膜形成装置。 - 【請求項8】長手方向に所定のピッチで設けられた前記
蒸発口は、同一の材料を収容した隣り合う前記蒸発源に
ついて、互いに前記ピッチの半分だけずらして配列され
ていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項
記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052673A JP2003253431A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052673A JP2003253431A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003253431A true JP2003253431A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28664307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002052673A Pending JP2003253431A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003253431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008221532A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Oshima Denki Seisakusho:Kk | 成膜装置 |
| WO2010065695A3 (en) * | 2008-12-04 | 2010-09-10 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition flow inlet elements and methods |
| CN103649364A (zh) * | 2011-07-07 | 2014-03-19 | 松下电器产业株式会社 | 真空蒸镀装置 |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002052673A patent/JP2003253431A/ja active Pending
Cited By (10)
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