JP2003119070A - 蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置 - Google Patents
蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置Info
- Publication number
- JP2003119070A JP2003119070A JP2001316658A JP2001316658A JP2003119070A JP 2003119070 A JP2003119070 A JP 2003119070A JP 2001316658 A JP2001316658 A JP 2001316658A JP 2001316658 A JP2001316658 A JP 2001316658A JP 2003119070 A JP2003119070 A JP 2003119070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- radiation
- radiation detector
- powder
- phosphor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 title abstract 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 63
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 28
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002223 garnet Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 rare earth sulfide Chemical class 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150051106 SWEET11 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光効率が高く且つ低エネルギー依存性を有す
る蛍光体素子及びそれを利用した放射線検出器、医用画
像診断装置を提供する。 【解決手段】 Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、
Ga及びOを含んだガーネット構造の母体結晶からなる蛍
光体を用いた蛍光体素子であって、相対密度99.8％以
上、且つ平均結晶粒径が4μｍ以上であり、主発光波長
が550nmである。この蛍光体素子は、波長550nmの光に対
する吸収係数μが0.6mm-1以下であって光透過性が高
い。このため低エネルギー領域の放射線に対しても感度
の低下がなく、放射線検出器、特に医用画像診断装置の
放射線検出器として好適である。
る蛍光体素子及びそれを利用した放射線検出器、医用画
像診断装置を提供する。 【解決手段】 Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、
Ga及びOを含んだガーネット構造の母体結晶からなる蛍
光体を用いた蛍光体素子であって、相対密度99.8％以
上、且つ平均結晶粒径が4μｍ以上であり、主発光波長
が550nmである。この蛍光体素子は、波長550nmの光に対
する吸収係数μが0.6mm-1以下であって光透過性が高
い。このため低エネルギー領域の放射線に対しても感度
の低下がなく、放射線検出器、特に医用画像診断装置の
放射線検出器として好適である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線、γ線など
を検出する放射線検出器、特にＸ線ＣＴ装置などの医用
画像診断装置に好適な放射線検出器に関する。
を検出する放射線検出器、特にＸ線ＣＴ装置などの医用
画像診断装置に好適な放射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｘ線ＣＴ装置などの医用画像診断
装置に用いる放射線検出器としては、Xeガス電離箱方式
のものや、CdWO4、CsI:Tlなどの単結晶シンチレータ
や、希土類酸化物系蛍光体（特公昭63-59436号、特開平
3-50991号、WO99/33934）や希土類硫化物系蛍光体（特
公昭60-4856号）を用いたセラミックシンチレータなど
の蛍光体素子と、Siフォトダイオードや光電子倍増管な
どの光電変換素子を組み合わせた固体検出器が用いられ
てきた。近年のＸ線ＣＴ装置の放射線検出器において
は、固体検出器が主流となっている。
装置に用いる放射線検出器としては、Xeガス電離箱方式
のものや、CdWO4、CsI:Tlなどの単結晶シンチレータ
や、希土類酸化物系蛍光体（特公昭63-59436号、特開平
3-50991号、WO99/33934）や希土類硫化物系蛍光体（特
公昭60-4856号）を用いたセラミックシンチレータなど
の蛍光体素子と、Siフォトダイオードや光電子倍増管な
どの光電変換素子を組み合わせた固体検出器が用いられ
てきた。近年のＸ線ＣＴ装置の放射線検出器において
は、固体検出器が主流となっている。
【０００３】このような医用画像診断装置に用いられる
放射線検出器に要求される特性としては、放射線に対す
る高い発光効率を有することと共に、広範囲のエネルギ
ーの放射線に対して感度が高いこと、すなわちエネルギ
ー依存性が小さいことが挙げられる。エネルギー依存性
が大きいと、感度の低いエネルギーの放射線に対して
は、放射線検出器の濃度分解能が低くなり、画質の低下
を招くことになる。この放射線検出器の特性は、放射線
検出器を構成する素子のうち、特に蛍光体素子の特性に
大きく依存し、発光効率が高くエネルギー依存性の小さ
い蛍光体素子を使用することが望まれる。
放射線検出器に要求される特性としては、放射線に対す
る高い発光効率を有することと共に、広範囲のエネルギ
ーの放射線に対して感度が高いこと、すなわちエネルギ
ー依存性が小さいことが挙げられる。エネルギー依存性
が大きいと、感度の低いエネルギーの放射線に対して
は、放射線検出器の濃度分解能が低くなり、画質の低下
を招くことになる。この放射線検出器の特性は、放射線
検出器を構成する素子のうち、特に蛍光体素子の特性に
大きく依存し、発光効率が高くエネルギー依存性の小さ
い蛍光体素子を使用することが望まれる。
【０００４】これまで発光効率が高くエネルギー依存性
の小さく、放射線検出器に好適な蛍光体素子に関し、い
くつかの提案がなされ、本出願人においてもCeを発光元
素とし、Gd、Al、Gaを含む希土類酸化物蛍光体を提案し
ており、CdWO4に比べ極めて高い放射線感度を実現して
いる。しかしながら、近年のＸ線ＣＴ装置においては、
被検体の周りを回転走査するＸ線の走査時間を短縮して
計測時間を短縮すると共に、検出器素子を一次元化して
小型化する傾向にあり、放射線検出器としては、さらに
高感度で低エネルギー依存性のものが求められるように
なっている。
の小さく、放射線検出器に好適な蛍光体素子に関し、い
くつかの提案がなされ、本出願人においてもCeを発光元
素とし、Gd、Al、Gaを含む希土類酸化物蛍光体を提案し
ており、CdWO4に比べ極めて高い放射線感度を実現して
いる。しかしながら、近年のＸ線ＣＴ装置においては、
被検体の周りを回転走査するＸ線の走査時間を短縮して
計測時間を短縮すると共に、検出器素子を一次元化して
小型化する傾向にあり、放射線検出器としては、さらに
高感度で低エネルギー依存性のものが求められるように
なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、発光
効率が高く且つ低エネルギー依存性を有する蛍光体素子
を提供することを目的とする。また本発明は、広範囲の
エネルギーの放射線に対し高感度な放射線検出器を提供
することを目的とする。さらに本発明は、走査時間を短
縮した場合にも高画質の画像を得ることができる医用画
像診断装置を提供することを目的とする。
効率が高く且つ低エネルギー依存性を有する蛍光体素子
を提供することを目的とする。また本発明は、広範囲の
エネルギーの放射線に対し高感度な放射線検出器を提供
することを目的とする。さらに本発明は、走査時間を短
縮した場合にも高画質の画像を得ることができる医用画
像診断装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者らは、発光効率の高いGd3(Al，Ga)5O12：Ce
系の蛍光体素子について、低エネルギー依存性を得るた
めの条件を鋭意研究した結果、図１に示すように、蛍光
体のエネルギー依存性は、その光透過率と関連し、光透
過率が高い場合には、広いエネルギー範囲に亘って、光
透過率100％の場合に比べ感度の低下が少ないが、光透
過率が低い場合には、放射線のエネルギーが小さくなる
につれ、感度の低下も大きくなることを見出した。特
に、この蛍光体の主発光波長である550nmの光に対する
吸収係数μを0.6mm-1以下とすることにより、放射線検
出器として必要な放射線吸収率を維持できる最小限の厚
さにおいて、低エネルギー放射線に対する感度低下を軽
減できることを見出し本発明に至ったものである。
に本発明者らは、発光効率の高いGd3(Al，Ga)5O12：Ce
系の蛍光体素子について、低エネルギー依存性を得るた
めの条件を鋭意研究した結果、図１に示すように、蛍光
体のエネルギー依存性は、その光透過率と関連し、光透
過率が高い場合には、広いエネルギー範囲に亘って、光
透過率100％の場合に比べ感度の低下が少ないが、光透
過率が低い場合には、放射線のエネルギーが小さくなる
につれ、感度の低下も大きくなることを見出した。特
に、この蛍光体の主発光波長である550nmの光に対する
吸収係数μを0.6mm-1以下とすることにより、放射線検
出器として必要な放射線吸収率を維持できる最小限の厚
さにおいて、低エネルギー放射線に対する感度低下を軽
減できることを見出し本発明に至ったものである。
【０００７】即ち、本発明の蛍光体素子は、Ceを発光元
素とし、少なくともGd、Al、Ga及びOを含んだガーネッ
ト構造の母体結晶からなる蛍光体を用いた蛍光体素子で
あって、波長550nmの光に対する吸収係数μが0.6mm-1以
下のものである。ここでμは、光吸収をＩ(d)=I0e-μd
（dは吸収体の厚さ）と表したときの吸収係数である。
素とし、少なくともGd、Al、Ga及びOを含んだガーネッ
ト構造の母体結晶からなる蛍光体を用いた蛍光体素子で
あって、波長550nmの光に対する吸収係数μが0.6mm-1以
下のものである。ここでμは、光吸収をＩ(d)=I0e-μd
（dは吸収体の厚さ）と表したときの吸収係数である。
【０００８】また本発明の蛍光体素子は、上記蛍光体素
子であって、相対密度が99.8％以上であり、且つ平均結
晶粒径が4μｍ以上のものである。ここで相対密度と
は、単結晶の密度（理論密度）を100％としたときの相
対的な値である。結晶粒径が大きく相対密度が高い緻密
な構造とすることにより、光の光路長を短くすることが
でき、これにより光透過率を高めることができる。
子であって、相対密度が99.8％以上であり、且つ平均結
晶粒径が4μｍ以上のものである。ここで相対密度と
は、単結晶の密度（理論密度）を100％としたときの相
対的な値である。結晶粒径が大きく相対密度が高い緻密
な構造とすることにより、光の光路長を短くすることが
でき、これにより光透過率を高めることができる。
【０００９】以下、本発明の蛍光体素子について詳述す
る。本発明の蛍光体素子は、少なくともGd、Ce、Ga、A
l、Oからなりガーネット構造の母体結晶からなる。ガー
ネット構造であるために、Gd/(Al+Ga+Gd)の原子比が0.3
3以上、0.42以下であることが好ましい。このようなガ
ーネット構造の母体結晶からなる蛍光体は、本出願人に
よる特許出願明細書（特開2001-4753号公報）に記載さ
れた蛍光体と同様であり、この明細書に記載された、蛍
光体の組成及び構造に関する説明は、本明細書の一部と
する。
る。本発明の蛍光体素子は、少なくともGd、Ce、Ga、A
l、Oからなりガーネット構造の母体結晶からなる。ガー
ネット構造であるために、Gd/(Al+Ga+Gd)の原子比が0.3
3以上、0.42以下であることが好ましい。このようなガ
ーネット構造の母体結晶からなる蛍光体は、本出願人に
よる特許出願明細書（特開2001-4753号公報）に記載さ
れた蛍光体と同様であり、この明細書に記載された、蛍
光体の組成及び構造に関する説明は、本明細書の一部と
する。
【００１０】本発明の蛍光体は、更に、波長550nmの光
に対する吸収係数μが0.6mm-1以下であり、このような
吸収係数を有するために、結晶粒径が4μｍ以上の高密
度の多結晶体であることが好ましい。このような多結晶
体からなる蛍光体は、１）構成元素の酸化物、炭酸化物
等の原料粉末を混合し、合成するプロセスと、２）合成
後の粉末を粉末焼成（焼結も含む）するプロセスを経て
製造することができ、この際、一次粒径の大きい合成粉
末を用いて焼結するか、焼結時に結晶粒が成長するよう
な焼結条件で焼結する。これにより、焼結体として結晶
粒径が大きく、相対密度の高い焼結体を得ることができ
る。なお、本明細書において、粉末の一次粒径は、粉体
粒子を構成している最小単位の粒子の粒径を意味し、焼
結体の結晶粒径は、多結晶体である焼結体を構成してい
る最小単位の結晶粒の粒径を意味する。
に対する吸収係数μが0.6mm-1以下であり、このような
吸収係数を有するために、結晶粒径が4μｍ以上の高密
度の多結晶体であることが好ましい。このような多結晶
体からなる蛍光体は、１）構成元素の酸化物、炭酸化物
等の原料粉末を混合し、合成するプロセスと、２）合成
後の粉末を粉末焼成（焼結も含む）するプロセスを経て
製造することができ、この際、一次粒径の大きい合成粉
末を用いて焼結するか、焼結時に結晶粒が成長するよう
な焼結条件で焼結する。これにより、焼結体として結晶
粒径が大きく、相対密度の高い焼結体を得ることができ
る。なお、本明細書において、粉末の一次粒径は、粉体
粒子を構成している最小単位の粒子の粒径を意味し、焼
結体の結晶粒径は、多結晶体である焼結体を構成してい
る最小単位の結晶粒の粒径を意味する。
【００１１】以下、本発明の蛍光体素子の具体的に製造
方法を説明する。合成プロセスとしては、１）通常の酸
化物混合法を主体とした方法、２）共沈法、ゾルゲル法
といった液相を介する方法、３）酸化物混合法を主体と
して合成した粉末を再度機械的に微細化する方法が挙げ
られる。
方法を説明する。合成プロセスとしては、１）通常の酸
化物混合法を主体とした方法、２）共沈法、ゾルゲル法
といった液相を介する方法、３）酸化物混合法を主体と
して合成した粉末を再度機械的に微細化する方法が挙げ
られる。
【００１２】酸化物混合法の場合、Gd2O3、Al2O3、Ga2O
3、Ce2O3等の原料粉末を、湿式混合した後、この混合粉
末を1400℃〜1700℃の大気中で数時間焼成する。この
際、原料粉末の粒径及びその後の焼結プロセスに応じて
焼成温度を適宜調整する。例えば、原料粉末の粒径が比
較的小さく、例えばサブミクロンサイズ（1μｍ以下）
の場合には、1500℃以下で焼成することが好ましい。こ
のような粒径範囲の原料粉末を1500℃以下で焼成した場
合、焼成後にできる粉末の一次粒径は原料粉末と同程度
であるが、サブミクロンサイズの粉末はその後の焼結に
よって結晶が成長し、結果として結晶粒径の大きな焼結
体を得ることができる。
3、Ce2O3等の原料粉末を、湿式混合した後、この混合粉
末を1400℃〜1700℃の大気中で数時間焼成する。この
際、原料粉末の粒径及びその後の焼結プロセスに応じて
焼成温度を適宜調整する。例えば、原料粉末の粒径が比
較的小さく、例えばサブミクロンサイズ（1μｍ以下）
の場合には、1500℃以下で焼成することが好ましい。こ
のような粒径範囲の原料粉末を1500℃以下で焼成した場
合、焼成後にできる粉末の一次粒径は原料粉末と同程度
であるが、サブミクロンサイズの粉末はその後の焼結に
よって結晶が成長し、結果として結晶粒径の大きな焼結
体を得ることができる。
【００１３】また原料粉末の粒径が比較的大きい、例え
ば0.1〜数μｍ程度の場合には、1500℃以上、好適には1
550℃〜1650℃の高温で焼成する。これにより一次粒径
の比較的大きい蛍光体粉末が得られる。具体的には平均
粒径が数μｍ以上の蛍光体粉末が得られる。このような
一次粒径の蛍光体粉末を焼結することにより、同程度の
結晶粒径を有する焼結体が得られる。焼結体としてでき
るだけ大きな結晶粒径を得るためには、焼成後さらに蛍
光体粉末を分級し、所定の大きさ以上の粉末を焼結に用
いることが好ましい。
ば0.1〜数μｍ程度の場合には、1500℃以上、好適には1
550℃〜1650℃の高温で焼成する。これにより一次粒径
の比較的大きい蛍光体粉末が得られる。具体的には平均
粒径が数μｍ以上の蛍光体粉末が得られる。このような
一次粒径の蛍光体粉末を焼結することにより、同程度の
結晶粒径を有する焼結体が得られる。焼結体としてでき
るだけ大きな結晶粒径を得るためには、焼成後さらに蛍
光体粉末を分級し、所定の大きさ以上の粉末を焼結に用
いることが好ましい。
【００１４】共沈法の場合、原料元素の硝酸塩、塩酸
塩、硫酸塩、蓚酸塩等を水に溶かして複合水溶液とし、
この複合複合水溶液に尿素、炭酸水素アンモニウム等を
添加し、Gd-Ce-Al-Ga-O前駆体を沈殿させる。この沈殿
物を洗浄し、乾燥後、1200℃程度で仮焼成し合成粉末を
得る。共沈法では、サブミクロン以下の合成粉末が得ら
れる。機械的に微細化する方法は、酸化物混合法で得ら
れた合成粉末をボールミル等の粉砕手段で微細化するも
のであり、サブミクロン以下の合成粉末を得る場合に採
用される。
塩、硫酸塩、蓚酸塩等を水に溶かして複合水溶液とし、
この複合複合水溶液に尿素、炭酸水素アンモニウム等を
添加し、Gd-Ce-Al-Ga-O前駆体を沈殿させる。この沈殿
物を洗浄し、乾燥後、1200℃程度で仮焼成し合成粉末を
得る。共沈法では、サブミクロン以下の合成粉末が得ら
れる。機械的に微細化する方法は、酸化物混合法で得ら
れた合成粉末をボールミル等の粉砕手段で微細化するも
のであり、サブミクロン以下の合成粉末を得る場合に採
用される。
【００１５】上記手法により得られた合成粉末を、所望
の形状、例えば板状に加圧成型した後、焼結する。焼結
は、ホットプレス法、ＨＩＰ法、常圧焼結法、さらには
常圧焼結法とＨＩＰ法との併用法等で行うことができ
る。このうち、特にホットプレス法、常圧焼結法が好適
である。ホットプレス法では、真空中の雰囲気下で、14
00〜1700℃の焼結温度、500kgf/cm2程度の加圧力で数時
間焼結する。常圧焼結法では、3000kgf/cm2程度の圧力
で静水圧プレスを行った後、蛍光体の融点直下の焼結温
度(具体的には1600〜1700℃)で、大気中或いは純酸素中
で数時間〜数十時間焼結する。ＨＩＰ法は、サブミクロ
ン以下の合成粉末を用いる場合に採用することができ、
金属製カプセル中に合成粉末を入れ、真空封止して、14
00℃前後の温度で2000atm程度の圧力で焼結を行う。
の形状、例えば板状に加圧成型した後、焼結する。焼結
は、ホットプレス法、ＨＩＰ法、常圧焼結法、さらには
常圧焼結法とＨＩＰ法との併用法等で行うことができ
る。このうち、特にホットプレス法、常圧焼結法が好適
である。ホットプレス法では、真空中の雰囲気下で、14
00〜1700℃の焼結温度、500kgf/cm2程度の加圧力で数時
間焼結する。常圧焼結法では、3000kgf/cm2程度の圧力
で静水圧プレスを行った後、蛍光体の融点直下の焼結温
度(具体的には1600〜1700℃)で、大気中或いは純酸素中
で数時間〜数十時間焼結する。ＨＩＰ法は、サブミクロ
ン以下の合成粉末を用いる場合に採用することができ、
金属製カプセル中に合成粉末を入れ、真空封止して、14
00℃前後の温度で2000atm程度の圧力で焼結を行う。
【００１６】また焼結時には、焼結助剤を用いることが
好ましい。焼結助剤としては、LiF、LiCl等のリチウム
化合物、K2SO4、KNO3、K2CO3、K3PO4等のカリウム化合
物、BaF2等を用いることができる。特に、LiF、LiClが
好ましい。このような焼結助剤は、蛍光体粉末に対し0.
001〜10重量％程度用いることができ、その添加によ
り、焼結時の結晶の成長を促し、結晶粒径の大きな焼結
体を得ることができる。
好ましい。焼結助剤としては、LiF、LiCl等のリチウム
化合物、K2SO4、KNO3、K2CO3、K3PO4等のカリウム化合
物、BaF2等を用いることができる。特に、LiF、LiClが
好ましい。このような焼結助剤は、蛍光体粉末に対し0.
001〜10重量％程度用いることができ、その添加によ
り、焼結時の結晶の成長を促し、結晶粒径の大きな焼結
体を得ることができる。
【００１７】既に述べたように、比較的粒径が小さな原
料粉末を焼成して得られた粒径の小さい合成粉末の場合
には、このような焼結助剤を用いなくても上述した焼結
条件において結晶が成長し、大きな結晶粒径の焼結体が
得られる。また焼成後の合成粉末を分級することによっ
て、大きな一次粒径のものを選択して焼結に供した場合
にも、焼結助剤を用いなくても大きな結晶粒径の焼結体
が得られる。従ってこれらの場合には、焼結助剤は用い
ても用いなくてもよいが、焼成後の合成粉末の粒径が比
較的大きく且つブロードな分布を有するときには、焼結
助剤を添加することが必要である。
料粉末を焼成して得られた粒径の小さい合成粉末の場合
には、このような焼結助剤を用いなくても上述した焼結
条件において結晶が成長し、大きな結晶粒径の焼結体が
得られる。また焼成後の合成粉末を分級することによっ
て、大きな一次粒径のものを選択して焼結に供した場合
にも、焼結助剤を用いなくても大きな結晶粒径の焼結体
が得られる。従ってこれらの場合には、焼結助剤は用い
ても用いなくてもよいが、焼成後の合成粉末の粒径が比
較的大きく且つブロードな分布を有するときには、焼結
助剤を添加することが必要である。
【００１８】このような条件で焼結することにより、相
対密度99.8％以上で、結晶粒径が4μｍ以上の緻密な焼
結体を得ることができる。この焼結体を、所定の厚さ、
好適には1.8mm以上に切り取り、蛍光体素子を得る。こ
のような相対密度の高い結晶においては、粒界の三重点
などにおける空孔の数や大きさが著しく減少するため、
光の散乱が減少する。これにより焼結体を透過する光の
光路長が短くなり、結果として蛍光体素子の光透過率を
向上することができる。
対密度99.8％以上で、結晶粒径が4μｍ以上の緻密な焼
結体を得ることができる。この焼結体を、所定の厚さ、
好適には1.8mm以上に切り取り、蛍光体素子を得る。こ
のような相対密度の高い結晶においては、粒界の三重点
などにおける空孔の数や大きさが著しく減少するため、
光の散乱が減少する。これにより焼結体を透過する光の
光路長が短くなり、結果として蛍光体素子の光透過率を
向上することができる。
【００１９】また本発明の蛍光体素子は、厚さを1.8mm
以上とすることにより、高い放射線吸収性を確保できる
ので、放射線検出器として用いた場合に高い検出能を発
揮することができる。具体的にはシンチレータの厚さを
1.8mm以上とすることにより、管電圧120kVのＸ線を照射
した場合に、Ｘ線を95％以上吸収させることができる。
以上とすることにより、高い放射線吸収性を確保できる
ので、放射線検出器として用いた場合に高い検出能を発
揮することができる。具体的にはシンチレータの厚さを
1.8mm以上とすることにより、管電圧120kVのＸ線を照射
した場合に、Ｘ線を95％以上吸収させることができる。
【００２０】このようにして製造された本発明の焼結体
は、放射線を吸収したときの主発光波長が550nmであ
り、この波長の光に対する吸収係数μが0.6mm-1以下で
ある。この吸収係数を、厚さ1.8mmの蛍光体素子の光透
過率に換算すると35％以上となる。光透過率が35％以上
であることにより、低エネルギー側の放射線に対する感
度低下を低減し、エネルギー依存性の小さい蛍光体素子
が得られる。
は、放射線を吸収したときの主発光波長が550nmであ
り、この波長の光に対する吸収係数μが0.6mm-1以下で
ある。この吸収係数を、厚さ1.8mmの蛍光体素子の光透
過率に換算すると35％以上となる。光透過率が35％以上
であることにより、低エネルギー側の放射線に対する感
度低下を低減し、エネルギー依存性の小さい蛍光体素子
が得られる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の蛍光体素子の実施例を説明す
る。
る。
【００２２】実施例１
出発原料粉末として、粒径が0.1〜5μｍ程度のGd2O3、A
l2O3、Ga2O3、Ce2(C2O 4)3・9H2O粉末を用い、これらを混
合した後、1550℃〜1650℃で焼成することにより、一次
粒径が2〜6μｍ程度のGd3(Al,Ga)5O12:Ce蛍光体粉末を
得た。この粉末から、一次粒径が4μｍ以上の粉末のみ
を分け取り、加圧成型し、真空中で1500℃、500kgf/cm2
にてホットプレス焼結し、蛍光体粉末とほぼ同じ結晶粒
径を持つ焼結体を得た。得られた焼結体を機械加工して
厚さ1.8ｍｍのセラミックシンチレータを作成した。
l2O3、Ga2O3、Ce2(C2O 4)3・9H2O粉末を用い、これらを混
合した後、1550℃〜1650℃で焼成することにより、一次
粒径が2〜6μｍ程度のGd3(Al,Ga)5O12:Ce蛍光体粉末を
得た。この粉末から、一次粒径が4μｍ以上の粉末のみ
を分け取り、加圧成型し、真空中で1500℃、500kgf/cm2
にてホットプレス焼結し、蛍光体粉末とほぼ同じ結晶粒
径を持つ焼結体を得た。得られた焼結体を機械加工して
厚さ1.8ｍｍのセラミックシンチレータを作成した。
【００２３】この焼結体の相対密度は99.9％であった。
またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.57mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は36％であった。この場合、60keVのＸ線に対する感
度下は、光透過率100％の感度を100としたとき76以上で
あり、低エネルギー領域についても十分な検出感度を有
することが示された。
またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.57mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は36％であった。この場合、60keVのＸ線に対する感
度下は、光透過率100％の感度を100としたとき76以上で
あり、低エネルギー領域についても十分な検出感度を有
することが示された。
【００２４】比較例１
実施例１と同様の原料粉末を用いて、温度1500℃で焼成
することにより、一次粒径が1〜3μｍ程度のGd3(Al,Ga)
5O12:Ce蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末を加圧成型
した後、実施例１と同じ焼結条件（真空中、1500℃、50
0kgf/cm2のホットプレス）で焼結し一次粒径と同様の結
晶粒径（1〜3μｍ程度）を有する焼結体を得た。これを
機械加工して、厚さ1.8ｍｍのセラミックシンチレータ
を得た。
することにより、一次粒径が1〜3μｍ程度のGd3(Al,Ga)
5O12:Ce蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末を加圧成型
した後、実施例１と同じ焼結条件（真空中、1500℃、50
0kgf/cm2のホットプレス）で焼結し一次粒径と同様の結
晶粒径（1〜3μｍ程度）を有する焼結体を得た。これを
機械加工して、厚さ1.8ｍｍのセラミックシンチレータ
を得た。
【００２５】この焼結体の相対密度は99.9％であった。
また、このシンチレータ波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.63mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は32％であった。この場合、60keVのＸ線に対する感
度は、光透過率100％の場合の感度を100とするとき68に
低下し、低エネルギー領域については十分な検出感度が
得られないことが示された。
また、このシンチレータ波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.63mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は32％であった。この場合、60keVのＸ線に対する感
度は、光透過率100％の場合の感度を100とするとき68に
低下し、低エネルギー領域については十分な検出感度が
得られないことが示された。
【００２６】実施例２
出発原料粉末として、粒径が0.01〜0.1μｍ程度のGd
2O3、Al2O3、Ga2O3、Ce2(C2O4)3・9H2O粉末を用い、これ
らを混合した後、1400℃〜1500℃で焼成することによ
り、一次粒径が0.05〜0.1μｍ程度のGd3(Al,Ga)5O12:Ce
蛍光体粉末を得た。この粉末を加圧成型し、真空中で15
00℃、500kgf/cm2にてホットプレス焼結した。この焼結
条件では、結晶が蛍光体粉末の一次粒径より大きく成長
し、約10μｍの結晶粒径を有する焼結体が得られた。こ
の焼結体を機械加工して厚さ1.8ｍｍのセラミックシン
チレータを作成した。
2O3、Al2O3、Ga2O3、Ce2(C2O4)3・9H2O粉末を用い、これ
らを混合した後、1400℃〜1500℃で焼成することによ
り、一次粒径が0.05〜0.1μｍ程度のGd3(Al,Ga)5O12:Ce
蛍光体粉末を得た。この粉末を加圧成型し、真空中で15
00℃、500kgf/cm2にてホットプレス焼結した。この焼結
条件では、結晶が蛍光体粉末の一次粒径より大きく成長
し、約10μｍの結晶粒径を有する焼結体が得られた。こ
の焼結体を機械加工して厚さ1.8ｍｍのセラミックシン
チレータを作成した。
【００２７】この焼結体の相対密度は99.9％以上であっ
た。またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸
収係数μは0.30mm-1であり、波長550nmの光に対する光
透過率は58％であった。この場合、60keVのＸ線に対す
る感度は、光透過率100％の感度を100とするとき87であ
り、実施例１のシンチレータよりも更に低エネルギー領
域の検出感度が向上した。
た。またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸
収係数μは0.30mm-1であり、波長550nmの光に対する光
透過率は58％であった。この場合、60keVのＸ線に対す
る感度は、光透過率100％の感度を100とするとき87であ
り、実施例１のシンチレータよりも更に低エネルギー領
域の検出感度が向上した。
【００２８】実施例３
実施例１と同様の原料粉末を用いて、温度1500℃で焼成
することにより、一次粒径が1〜3μｍ程度のGd3(Al,Ga)
5O12:Ce蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末に焼結助剤
としてLiFを0.1重量％添加して加圧成型した後、実施例
１と同じ焼結条件（真空中、1500℃、500kgf/cm2のホッ
トプレス）で焼結した。この焼結条件では、結晶が蛍光
体粉末の一次粒径より大きく成長し、約5μｍの結晶粒
径を有する焼結体が得られた。これを機械加工して、厚
さ1.8ｍｍのセラミックシンチレータを得た。
することにより、一次粒径が1〜3μｍ程度のGd3(Al,Ga)
5O12:Ce蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末に焼結助剤
としてLiFを0.1重量％添加して加圧成型した後、実施例
１と同じ焼結条件（真空中、1500℃、500kgf/cm2のホッ
トプレス）で焼結した。この焼結条件では、結晶が蛍光
体粉末の一次粒径より大きく成長し、約5μｍの結晶粒
径を有する焼結体が得られた。これを機械加工して、厚
さ1.8ｍｍのセラミックシンチレータを得た。
【００２９】この焼結体の相対密度は99.9％であった。
またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.53mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は39％であった。60keVのＸ線に対する感度は、光透
過率100％の感度を100とするとき78で、低エネルギー領
域についても十分な検出感度が得られることが示され
た。
またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.53mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は39％であった。60keVのＸ線に対する感度は、光透
過率100％の感度を100とするとき78で、低エネルギー領
域についても十分な検出感度が得られることが示され
た。
【００３０】実施例４
実施例１と同様の原料粉末を用いて、温度1500℃で焼成
することにより、一次粒径が1〜3μｍ程度のGd3(Al,Ga)
5O12:Ce蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末に焼結助剤
としてLiFを0.1重量％添加して加圧成型した後、この蛍
光体の融点直下の温度である1600〜1700℃で、大気中で
常圧焼結した。この焼結条件においても、結晶が蛍光体
粉末の一次粒径より大きく成長し、約5μｍの結晶粒径
を有する焼結体が得られた。これを機械加工して、厚さ
1.8ｍｍのセラミックシンチレータを得た。
することにより、一次粒径が1〜3μｍ程度のGd3(Al,Ga)
5O12:Ce蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末に焼結助剤
としてLiFを0.1重量％添加して加圧成型した後、この蛍
光体の融点直下の温度である1600〜1700℃で、大気中で
常圧焼結した。この焼結条件においても、結晶が蛍光体
粉末の一次粒径より大きく成長し、約5μｍの結晶粒径
を有する焼結体が得られた。これを機械加工して、厚さ
1.8ｍｍのセラミックシンチレータを得た。
【００３１】この焼結体の相対密度は99.9％であった。
またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.51mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は39％であった。この場合、60keVのＸ線に対する感
度は、光透過率100％の感度を100とするとき78で、低エ
ネルギー領域についても十分な検出感度が得られること
が示された。
またこのシンチレータの波長550nmの光に対する吸収係
数μは0.51mm-1であり、波長550nmの光に対する光透過
率は39％であった。この場合、60keVのＸ線に対する感
度は、光透過率100％の感度を100とするとき78で、低エ
ネルギー領域についても十分な検出感度が得られること
が示された。
【００３２】以上の実施例からわかるように、本発明の
蛍光体素子は、波長550nmの光に対する吸収係数が0.6mm
-1以下であることにより、発光効率が高く、低エネルギ
ーの放射線に対しても感度低下が少なかった。このよう
な蛍光体素子は、以下に述べるように放射線検出器用の
蛍光体素子として好適であり、高い検出能の放射線検出
器が得られる。
蛍光体素子は、波長550nmの光に対する吸収係数が0.6mm
-1以下であることにより、発光効率が高く、低エネルギ
ーの放射線に対しても感度低下が少なかった。このよう
な蛍光体素子は、以下に述べるように放射線検出器用の
蛍光体素子として好適であり、高い検出能の放射線検出
器が得られる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の放射線検出器およ
びそれを用いた医用画像診断装置について説明する。
びそれを用いた医用画像診断装置について説明する。
【００３４】図２は、本発明の放射線検出器の断面を示
したものである。この放射線検出器は、複数の蛍光体素
子１と、これら蛍光体素子１に、蛍光体素子１の発光を
吸収しない光学接着剤によってそれぞれ接着された複数
の光電変換素子２と、これら光電変換素子２を配列した
素子アレイ基盤３と、蛍光体素子１を覆い、蛍光体素子
１から光を反射し、チャンネル管のクロストークを防止
する光反射材４とを備えている。図では、蛍光体素子１
は4個のみ示されているが、蛍光体素子の数は用途によ
って任意に変更できる。また蛍光体素子及び光電変換素
子の配列は、線状或いは平面状であってもよい。例えば
後述するＸ線ＣＴ装置の放射線検出器の場合、蛍光体素
子及び光電変換素子を数100個、円弧状に配列したもの
からなる。
したものである。この放射線検出器は、複数の蛍光体素
子１と、これら蛍光体素子１に、蛍光体素子１の発光を
吸収しない光学接着剤によってそれぞれ接着された複数
の光電変換素子２と、これら光電変換素子２を配列した
素子アレイ基盤３と、蛍光体素子１を覆い、蛍光体素子
１から光を反射し、チャンネル管のクロストークを防止
する光反射材４とを備えている。図では、蛍光体素子１
は4個のみ示されているが、蛍光体素子の数は用途によ
って任意に変更できる。また蛍光体素子及び光電変換素
子の配列は、線状或いは平面状であってもよい。例えば
後述するＸ線ＣＴ装置の放射線検出器の場合、蛍光体素
子及び光電変換素子を数100個、円弧状に配列したもの
からなる。
【００３５】蛍光体素子１は、上述の、Ceを発光元素と
しGd、Al、Ga、Oを主元素とするガーネット構造のセラ
ミックシンチレータであり、主発光波長が550nmで、こ
の波長の光に対する吸収係数μが0.6mm-1以下のもので
ある。厚さは放射線を95％以上吸収できるようにするた
めに、1.8mm以上が好ましい。
しGd、Al、Ga、Oを主元素とするガーネット構造のセラ
ミックシンチレータであり、主発光波長が550nmで、こ
の波長の光に対する吸収係数μが0.6mm-1以下のもので
ある。厚さは放射線を95％以上吸収できるようにするた
めに、1.8mm以上が好ましい。
【００３６】光電変換素子２は、蛍光体素子１が発光し
た光を電気信号に変換するもので、応答速度が速く、ま
た波長550nmにおける変換効率の優れた材料が好まし
い。このような材料として、例えばSi-PINフォトダイオ
ードを用いることができる。光反射材４は、放射線は透
過するが蛍光体素子が発する光を反射する材料で、通常
TiO2樹脂が用いられるが、これに限定されない。
た光を電気信号に変換するもので、応答速度が速く、ま
た波長550nmにおける変換効率の優れた材料が好まし
い。このような材料として、例えばSi-PINフォトダイオ
ードを用いることができる。光反射材４は、放射線は透
過するが蛍光体素子が発する光を反射する材料で、通常
TiO2樹脂が用いられるが、これに限定されない。
【００３７】このような構成における放射線検出器は、
蛍光体素子１として、Gd、Al、Ga、Oを主元素とするガ
ーネット構造のセラミックシンチレータを用いているの
で、発光効率が従来のCdWO4に比べ著しく高く、しかも
波長550nmにおける吸収係数μが0.6mm-1以下、光透過率
35％以上であるので、低エネルギー側の放射線に対して
も高い感度を保つことができる。本発明の放射線検出器
は、次に説明する医用画像診断装置の放射線検出器とし
てのみならず、産業用の放射線検出器に適用することが
でき、高い放射線検出能を実現できる。
蛍光体素子１として、Gd、Al、Ga、Oを主元素とするガ
ーネット構造のセラミックシンチレータを用いているの
で、発光効率が従来のCdWO4に比べ著しく高く、しかも
波長550nmにおける吸収係数μが0.6mm-1以下、光透過率
35％以上であるので、低エネルギー側の放射線に対して
も高い感度を保つことができる。本発明の放射線検出器
は、次に説明する医用画像診断装置の放射線検出器とし
てのみならず、産業用の放射線検出器に適用することが
でき、高い放射線検出能を実現できる。
【００３８】次に上記放射線検出器を用いた医用画像診
断装置について説明する。図３は、本発明の医用画像診
断装置の一実施形態であるＸ線ＣＴ装置の概略を示す図
である。このＸ線ＣＴ装置は、被検体の撮影を行なうた
めのスキャンガントリ部10と、スキャンガントリ部10で
得られた計測データを元にＣＴ画像を再構成する画像再
構成部20とを備え、スキャンガントリ部10には、被検体
が搬入される開口部14を備えた回転円板11と、この回転
円板11に搭載されたＸ線管12と、Ｘ線管12に取り付けら
れ、Ｘ線束の放射方向を制御するコリメータ13と、Ｘ線
管12と対向して回転円板11に搭載されたＸ線検出器15
と、Ｘ線検出器15で検出されたＸ線を所定の信号に変換
する検出器回路16と、回転円板11の回転及びＸ線束の幅
を制御するスキャン制御回路17とが備えられている。
断装置について説明する。図３は、本発明の医用画像診
断装置の一実施形態であるＸ線ＣＴ装置の概略を示す図
である。このＸ線ＣＴ装置は、被検体の撮影を行なうた
めのスキャンガントリ部10と、スキャンガントリ部10で
得られた計測データを元にＣＴ画像を再構成する画像再
構成部20とを備え、スキャンガントリ部10には、被検体
が搬入される開口部14を備えた回転円板11と、この回転
円板11に搭載されたＸ線管12と、Ｘ線管12に取り付けら
れ、Ｘ線束の放射方向を制御するコリメータ13と、Ｘ線
管12と対向して回転円板11に搭載されたＸ線検出器15
と、Ｘ線検出器15で検出されたＸ線を所定の信号に変換
する検出器回路16と、回転円板11の回転及びＸ線束の幅
を制御するスキャン制御回路17とが備えられている。
【００３９】画像再構成部20は、被検者氏名、検査日
時、検査条件などを入力する入力装置21、検出器回路16
から送出される計測データＳ1を演算処理してＣＴ画像
の再構成を行なう画像演算回路22、画像演算回路22で作
成されたＣＴ画像に、入力装置21から入力された被検者
氏名、検査日時、検査条件などの情報を付加する画像情
報付加部23と、画像情報を付加されたＣＴ画像信号Ｓ2
の表示ゲインを調整してディスプレイモニタ30へ出力す
るディスプレイ回路24とを備えている。
時、検査条件などを入力する入力装置21、検出器回路16
から送出される計測データＳ1を演算処理してＣＴ画像
の再構成を行なう画像演算回路22、画像演算回路22で作
成されたＣＴ画像に、入力装置21から入力された被検者
氏名、検査日時、検査条件などの情報を付加する画像情
報付加部23と、画像情報を付加されたＣＴ画像信号Ｓ2
の表示ゲインを調整してディスプレイモニタ30へ出力す
るディスプレイ回路24とを備えている。
【００４０】上記スキャンガントリ部10と画像再構成部
20の構成は従来のＸ線ＣＴ装置と同様であるが、ここで
はＸ線検出器15として上述した本発明の放射線検出器を
用いる。即ち、Ｘ線検出器15は、シンチレータとフォト
ダイオートとを組み合わせた検出素子を多数（例えば96
0個）円弧状に配列したものであり、シンチレータを構
成する蛍光体素子として本発明の蛍光体素子を用いてい
る。
20の構成は従来のＸ線ＣＴ装置と同様であるが、ここで
はＸ線検出器15として上述した本発明の放射線検出器を
用いる。即ち、Ｘ線検出器15は、シンチレータとフォト
ダイオートとを組み合わせた検出素子を多数（例えば96
0個）円弧状に配列したものであり、シンチレータを構
成する蛍光体素子として本発明の蛍光体素子を用いてい
る。
【００４１】このＸ線ＣＴ装置では、スキャンガントリ
部10の開口部14に設置された寝台（図示せず）に被検者
を寝かせた状態で、Ｘ線管12からＸ線が照射される。こ
のＸ線はコリメータ13により指向性を得、ファンビーム
状のＸ線として被検者に照射される。そして被検者を透
過したＸ線がＸ線検出器15により検出される。この際、
Ｘ線を連続して照射するとともに回転円板11を被検者の
周りに回転させることにより、Ｘ線を照射する方向を変
えながら、透過Ｘ線を検出する。フルスキャンの場合に
は回転円板の1回転で、ハーフスキャンの場合には半回
転で、被検体のＣＴ像を得るための計測データＳ1が得
られる。
部10の開口部14に設置された寝台（図示せず）に被検者
を寝かせた状態で、Ｘ線管12からＸ線が照射される。こ
のＸ線はコリメータ13により指向性を得、ファンビーム
状のＸ線として被検者に照射される。そして被検者を透
過したＸ線がＸ線検出器15により検出される。この際、
Ｘ線を連続して照射するとともに回転円板11を被検者の
周りに回転させることにより、Ｘ線を照射する方向を変
えながら、透過Ｘ線を検出する。フルスキャンの場合に
は回転円板の1回転で、ハーフスキャンの場合には半回
転で、被検体のＣＴ像を得るための計測データＳ1が得
られる。
【００４２】この回転円板の回転時間は、近年短時間化
する傾向にあり、具体的には0.5〜1秒/回転である。Ｘ
線検出器16は、この1回転の間に数百回のオンオフを行
い、被検者を透過してきたＸ線を検出する。Ｘ線検出器
16が検出するＸ線量は、回転時間の短縮化に伴い、減少
することになるが、本発明のＸ線ＣＴ装置では、放射線
感度が高く、低エネルギー依存性のＸ線検出器16を用い
ているので、回転時間が短縮化しても高出力が得られ、
結果として高画質のＣＴ画像を得ることができる。得ら
れた画像は、ディスプレイモニタ30に表示される。
する傾向にあり、具体的には0.5〜1秒/回転である。Ｘ
線検出器16は、この1回転の間に数百回のオンオフを行
い、被検者を透過してきたＸ線を検出する。Ｘ線検出器
16が検出するＸ線量は、回転時間の短縮化に伴い、減少
することになるが、本発明のＸ線ＣＴ装置では、放射線
感度が高く、低エネルギー依存性のＸ線検出器16を用い
ているので、回転時間が短縮化しても高出力が得られ、
結果として高画質のＣＴ画像を得ることができる。得ら
れた画像は、ディスプレイモニタ30に表示される。
【００４３】なお、以上の実施形態では、医用画像診断
装置としてＸ線ＣＴ装置を例に説明したが、本発明の医
用画像診断装置は、放射線源としてγ線を用いた装置に
も適用できる。
装置としてＸ線ＣＴ装置を例に説明したが、本発明の医
用画像診断装置は、放射線源としてγ線を用いた装置に
も適用できる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、高発光効率で且つ広範
囲のエネルギーの放射線に対して感度が高い蛍光体素子
を提供することができる。またこのような蛍光体素子を
用いることにより、放射線検出能が高く低エネルギー依
存性の放射線検出器を提供することができる。さらにこ
の放射線検出器を備えたことにより、被検体を透過する
放射線の検出能に優れ、高画質なＣＴ画像を得ることが
可能な医用画像診断装置を提供することができる。
囲のエネルギーの放射線に対して感度が高い蛍光体素子
を提供することができる。またこのような蛍光体素子を
用いることにより、放射線検出能が高く低エネルギー依
存性の放射線検出器を提供することができる。さらにこ
の放射線検出器を備えたことにより、被検体を透過する
放射線の検出能に優れ、高画質なＣＴ画像を得ることが
可能な医用画像診断装置を提供することができる。
【図１】 蛍光体素子の光透過率と放射線感度のエネル
ギー依存性を説明する図
ギー依存性を説明する図
【図２】 本発明の放射線検出器の一実施形態を示す
図。
図。
【図３】 本発明の医用画像診断装置の一実施形態を示
す図。
す図。
１…蛍光体素子、２…光電変換素子、１１…回転円板、
１２…Ｘ線管、１５…Ｘ線検出器、２０…画像再構成部
１２…Ｘ線管、１５…Ｘ線検出器、２０…画像再構成部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｇ０１Ｔ 1/20 Ｇ
1/202
1/202 Ｈ０４Ｎ 5/321
Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｈ
Ｈ０４Ｎ 5/321 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ
(72)発明者 三浦 一朗
東京都千代田区内神田１丁目１番14号 株
式会社日立メディコ内
Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE02 FF02 FF04 GG10
GG19 GG20 JJ04 JJ05 JJ37
4G030 AA11 AA14 AA34 AA36 BA00
CA04 GA11 GA23
4H001 CA02 CA04 CA08 CF02 XA08
XA13 XA31 XA64 YA58
4M118 AB01 CA01 CB11
5C024 AX11 AX16 CX41 CY47 GX02
GX09
Claims (8)
- 【請求項１】 Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、
Ga及びOを含んだガーネット構造の母体結晶からなる蛍
光体を用いた蛍光体素子であって、波長550nmの光に対
する吸収係数μが0.6mm-1以下であることを特徴とする
蛍光体素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の蛍光体素子であって、相
対密度が99.8％以上であり、且つ平均結晶粒径が4μｍ
以上であることを特徴とする蛍光体素子。 - 【請求項３】 厚さが1.8mm以上であることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の蛍光体素子。 - 【請求項４】 前記蛍光体は、原料粉末を合成し、平均
粒径が４μｍ以上の蛍光体粉末を得る工程と、前記蛍光
体粉末を焼結する工程とを含む製造方法により製造され
たことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載
の蛍光体素子。 - 【請求項５】 前記蛍光体は、原料粉末を合成し、平均
粒径が１μｍ以下の蛍光体粉末を得る工程と、前記蛍光
体粉末を焼結する工程とを含む製造方法により製造され
たことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載
の蛍光体素子。 - 【請求項６】 前記蛍光体は、原料粉末を合成し、蛍光
体粉末を得る工程と、前記蛍光体粉末を融点直下の温度
で常圧焼結する工程とを含む製造方法により製造された
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の
蛍光体素子。 - 【請求項７】 放射線により発光する蛍光体素子と、前
記蛍光体による発光を検出する光電変換素子とを備えた
放射線検出器において、前記蛍光体素子として請求項１
ないし６いずれか1項記載の蛍光体素子を用いたことを
特徴とする放射線検出器。 - 【請求項８】 放射線源と、この放射線源に対向して配
置された放射線検出器と、これら放射線源及び放射線検
出器を保持し、被検体の周りで回転駆動される回転円板
と、前記放射線で検出された放射線の強度に基づき前記
被検体の断層像を画像再構成する画像再構成手段とを備
えた医用画像診断装置において、前記放射線検出器とし
て請求項７に記載の放射線検出器を用いたことを特徴と
する医用画像診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316658A JP4087093B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316658A JP4087093B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003119070A true JP2003119070A (ja) | 2003-04-23 |
| JP2003119070A5 JP2003119070A5 (ja) | 2005-06-23 |
| JP4087093B2 JP4087093B2 (ja) | 2008-05-14 |
Family
ID=19134636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001316658A Expired - Lifetime JP4087093B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4087093B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001348273A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-18 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 |
| WO2008093869A1 (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 |
| WO2009044657A1 (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | 放射線検出器 |
| WO2009113379A1 (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータ、放射線検出器およびｘ線断層写真撮影装置 |
| JP2009534863A (ja) * | 2006-04-25 | 2009-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 白色光を作る蛍光照明 |
| US7595492B2 (en) | 2004-12-21 | 2009-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
| EP2157153A1 (en) | 2008-07-31 | 2010-02-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator using same, and radiation detector using same |
| JP2010127930A (ja) * | 2009-10-23 | 2010-06-10 | Rikkyo Gakuin | 熱蛍光積層体、熱蛍光板状体、熱蛍光積層体の製造方法、熱蛍光板状体の製造方法、及び放射線の３次元線量分布の取得方法 |
| WO2010064594A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | 学校法人立教学院 | 熱蛍光積層体、熱蛍光板状体、熱蛍光積層体の製造方法、熱蛍光板状体の製造方法、及び放射線の３次元線量分布の取得方法 |
| JP2010174211A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | 固体シンチレータ、放射線検出器、放射線検査装置、固体シンチレータ製造用粉末および固体シンチレータの製造方法 |
| JP2011052179A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Rikkyo Gakuin | 熱蛍光板状体の製造方法、熱蛍光積層体の製造方法、熱蛍光板状体、及び熱蛍光積層体 |
| WO2012057133A1 (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 日立金属株式会社 | 軟x線検出用多結晶シンチレータ |
| WO2017018824A1 (ko) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 플레이트 조성물 및 이를 포함하는 차량 헤드램프용 형광체 플레이트 |
| KR20170039659A (ko) * | 2014-08-08 | 2017-04-11 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326946A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Hitachi Metals Ltd | シンチレータ材料の線質特性の測定方法 |
| JPH09202880A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-08-05 | Toshiba Corp | セラミックスシンチレータ、それを用いた放射線検出器および放射線検査装置 |
| WO1999033934A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Hitachi Medical Corporation | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same |
| JP2001004753A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| JP2001183463A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Hitachi Medical Corp | シンチレータ、それを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 |
| JP2001294853A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-23 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| JP2001348273A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-18 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001316658A patent/JP4087093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326946A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Hitachi Metals Ltd | シンチレータ材料の線質特性の測定方法 |
| JPH09202880A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-08-05 | Toshiba Corp | セラミックスシンチレータ、それを用いた放射線検出器および放射線検査装置 |
| WO1999033934A1 (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-08 | Hitachi Medical Corporation | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same |
| JP2001004753A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| JP2001183463A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Hitachi Medical Corp | シンチレータ、それを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 |
| JP2001348273A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-18 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 |
| JP2001294853A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-23 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001348273A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-18 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 |
| US7947956B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-05-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
| US7595492B2 (en) | 2004-12-21 | 2009-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
| JP2009534863A (ja) * | 2006-04-25 | 2009-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 白色光を作る蛍光照明 |
| WO2008093869A1 (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 |
| US8410446B2 (en) | 2007-02-02 | 2013-04-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator using same, and radiation detector using same |
| WO2009044657A1 (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | 放射線検出器 |
| US8552390B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-10-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Radiation detector |
| US8338789B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-12-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| WO2009113379A1 (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータ、放射線検出器およびｘ線断層写真撮影装置 |
| US8083968B2 (en) | 2008-03-10 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid scintillator, radiation detector, and X-ray tomographic imaging apparatus |
| EP2157153A1 (en) | 2008-07-31 | 2010-02-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator using same, and radiation detector using same |
| US8129685B2 (en) | 2008-07-31 | 2012-03-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator using same, and radiation detector using same |
| WO2010064594A1 (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | 学校法人立教学院 | 熱蛍光積層体、熱蛍光板状体、熱蛍光積層体の製造方法、熱蛍光板状体の製造方法、及び放射線の３次元線量分布の取得方法 |
| US8704182B2 (en) | 2008-12-01 | 2014-04-22 | Rikkyo Gakuin | Thermoluminescent layered product, thermoluminescent plate, method of producing thermoluminescent layered product, method of producing thermoluminescent plate and method of acquiring three-dimensional dose distribution of radiation |
| JP2010174211A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | 固体シンチレータ、放射線検出器、放射線検査装置、固体シンチレータ製造用粉末および固体シンチレータの製造方法 |
| JP2011052179A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Rikkyo Gakuin | 熱蛍光板状体の製造方法、熱蛍光積層体の製造方法、熱蛍光板状体、及び熱蛍光積層体 |
| JP2010127930A (ja) * | 2009-10-23 | 2010-06-10 | Rikkyo Gakuin | 熱蛍光積層体、熱蛍光板状体、熱蛍光積層体の製造方法、熱蛍光板状体の製造方法、及び放射線の３次元線量分布の取得方法 |
| WO2012057133A1 (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 日立金属株式会社 | 軟x線検出用多結晶シンチレータ |
| US8815122B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-08-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Polycrystalline scintillator for detecting soft X-rays |
| KR20170039659A (ko) * | 2014-08-08 | 2017-04-11 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기 |
| KR102179765B1 (ko) * | 2014-08-08 | 2020-11-17 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기 |
| WO2017018824A1 (ko) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 플레이트 조성물 및 이를 포함하는 차량 헤드램프용 형광체 플레이트 |
| KR20170014153A (ko) * | 2015-07-29 | 2017-02-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 플레이트 조성물 및 이를 포함하는 차량 헤드램프용 형광체 플레이트 |
| US10472566B2 (en) | 2015-07-29 | 2019-11-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Phosphor plate composition and phosphor plate for vehicle headlamp comprising same |
| KR102475228B1 (ko) | 2015-07-29 | 2022-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 플레이트 조성물 및 이를 포함하는 차량 헤드램프용 형광체 플레이트 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4087093B2 (ja) | 2008-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8431042B2 (en) | Solid state scintillator material, solid state scintillator, radiation detector, and radiation inspection apparatus | |
| US7655157B2 (en) | Doped cadmium tungstate scintillator with improved radiation hardness | |
| EP1043383B2 (en) | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same | |
| EP2826835B1 (en) | Solid scintillator, radiation detector and radiographic examination device | |
| JP4683719B2 (ja) | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 | |
| JP4290282B2 (ja) | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 | |
| JP3777486B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 | |
| EP1666566B1 (en) | Ceramic scintillator, and radiation detector and radiographic examination apparatus using same | |
| JP4087093B2 (ja) | 蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置 | |
| US8083968B2 (en) | Solid scintillator, radiation detector, and X-ray tomographic imaging apparatus | |
| EP1279717B1 (en) | Phosphor, radiation detector containing the same, and x-ray ct apparatus | |
| JP2001294853A (ja) | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 | |
| JP4429444B2 (ja) | シンチレータ、それを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 | |
| JP5241979B2 (ja) | セラミックシンチレータ材料とその製造方法、およびそれを用いた放射線検出器と放射線検査装置 | |
| JP2002082171A (ja) | 放射線検出器およびこれを用いたｘ線診断装置 | |
| JP5100050B2 (ja) | 酸化物蛍光体及び放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 | |
| JP2005095514A (ja) | 放射線検出器及びそれを用いたｘ線ｃｔ装置 | |
| JP4906322B2 (ja) | 酸化物蛍光体、放射線検出器およびｘ線ｃｔ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041007 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4087093 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |