JP2003195518A - フォトレジスト用現像液 - Google Patents
フォトレジスト用現像液Info
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- epoxy
- composition
- surfactant
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】新規なフォトレジスト用現像液の提供。
【解決手段】アルカリビルダー、ホスホン酸またはホス
フェートであるフッ素非含有界面活性剤、およびフッ素
含有界面活性剤とを含む、フォトレジスト用現像液。
フェートであるフッ素非含有界面活性剤、およびフッ素
含有界面活性剤とを含む、フォトレジスト用現像液。
Description
【０００１】本発明は、フォトレジストの現像液に関す
る。本発明の現像液はフォトレジストの現像液として好
適に使用され、さらに詳細にはウェハーレベルチップサ
イズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）、特にビアホールやト
レンチを有するＷＬ−ＣＳＰの作成の際のフォトレジス
トの現像において有用に使用される。
る。本発明の現像液はフォトレジストの現像液として好
適に使用され、さらに詳細にはウェハーレベルチップサ
イズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）、特にビアホールやト
レンチを有するＷＬ−ＣＳＰの作成の際のフォトレジス
トの現像において有用に使用される。
【０００２】近年、ＷＬ−ＣＳＰ製造においてより良い
物性を得るため、従来のレジストにエポキシ化合物を加
えたフォトレジストの使用が提案されている。このタイ
プのフォトレジストは、従来の現像液に対する溶解性が
低いため、よりアルカリ性の強い現像液を使用する必要
があるが、アルカリが強すぎるとビア形成時にアンダー
カットが発生するという問題があった。そのため、かか
る不都合を生じない現像液が求められていた。
物性を得るため、従来のレジストにエポキシ化合物を加
えたフォトレジストの使用が提案されている。このタイ
プのフォトレジストは、従来の現像液に対する溶解性が
低いため、よりアルカリ性の強い現像液を使用する必要
があるが、アルカリが強すぎるとビア形成時にアンダー
カットが発生するという問題があった。そのため、かか
る不都合を生じない現像液が求められていた。
【０００３】本発明者は、フッ素非含有界面活性剤とフ
ッ素含有界面活性剤とを併用することにより、かかる課
題を解決できることを見いだした。すなわち、本発明
は、アルカリビルダー、フッ素非含有界面活性剤、およ
びフッ素含有界面活性剤とを含む、フォトレジスト用現
像液に関する。
ッ素含有界面活性剤とを併用することにより、かかる課
題を解決できることを見いだした。すなわち、本発明
は、アルカリビルダー、フッ素非含有界面活性剤、およ
びフッ素含有界面活性剤とを含む、フォトレジスト用現
像液に関する。
【０００４】アルカリビルダーとしては、任意のアルカ
リ物質を使用することができ、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウムのようなアルカリ金属の水
酸化物；オルト珪酸ナトリウム、オルト珪酸カリウム、
メタ珪酸ナトリウム、メタ珪酸カリウムのような珪酸ア
ルカリ金属塩；第３リン酸ナトリウム、第３リン酸カリ
ウムのようなリン酸アルカリ金属塩などが例示され、こ
れらは単独で使用し得る他、必要により２種以上を併用
することができる。好ましいアルカリビルダーは、水酸
化カリウムである。本発明の現像液は、アルカリ性であ
り、好ましくはｐＨ１２以上、より好ましくはｐＨ１３
以上である。
リ物質を使用することができ、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウムのようなアルカリ金属の水
酸化物；オルト珪酸ナトリウム、オルト珪酸カリウム、
メタ珪酸ナトリウム、メタ珪酸カリウムのような珪酸ア
ルカリ金属塩；第３リン酸ナトリウム、第３リン酸カリ
ウムのようなリン酸アルカリ金属塩などが例示され、こ
れらは単独で使用し得る他、必要により２種以上を併用
することができる。好ましいアルカリビルダーは、水酸
化カリウムである。本発明の現像液は、アルカリ性であ
り、好ましくはｐＨ１２以上、より好ましくはｐＨ１３
以上である。
【０００５】本発明の現像液で使用されるフッ素非含有
界面活性剤は、ホスホン酸またはホスフェートの形態で
あり、好ましくはアルキルフェノキシポリアルコキシア
ルキルホスフェートであり、最も好ましくは、オクチル
フェノキシポリエトキシエチルホスフェートである。フ
ッ素非含有界面活性剤は必要により２種以上を併用でき
る。フッ素非含有界面活性剤の添加量は、実験的に当業
者が適宜決定しうる事項である。典型的には、添加量は
０．０１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌであり、より典型的には
０．１ｇ／Ｌから５ｇ／Ｌである。
界面活性剤は、ホスホン酸またはホスフェートの形態で
あり、好ましくはアルキルフェノキシポリアルコキシア
ルキルホスフェートであり、最も好ましくは、オクチル
フェノキシポリエトキシエチルホスフェートである。フ
ッ素非含有界面活性剤は必要により２種以上を併用でき
る。フッ素非含有界面活性剤の添加量は、実験的に当業
者が適宜決定しうる事項である。典型的には、添加量は
０．０１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌであり、より典型的には
０．１ｇ／Ｌから５ｇ／Ｌである。
【０００６】フッ素含有界面活性剤とは、フッ素原子を
少なくとも１個含み、界面活性機能を有する任意の化合
物を言う。フッ素系界面活性剤としては、任意の公知の
界面活性剤が使用でき、たとえばパーフルオロアルキル
基含有オリゴマー、パーフルオロアルキルスルホン酸
塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロ
アルキルリン酸エステル、パーフルオロアルキルアンモ
ニウムヨウ化物、パーフルオロアルキルアミンオキサイ
ド、パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩等
が使用される。好ましくはパーフルオロアルキル基含有
オリゴマー、またはパーフルオロアルキルスルホン酸塩
が使用される。これらは、たとえば大日本インキ株式会
社から、ＭＥＧＡＦＡＣ Ｆ−１７９およびＦ−１６０
としてそれぞれ入手可能である。これらは単独で使用し
得る他、必要により２種以上を併用することができる。
フッ素含有界面活性剤の添加量は、実験的に当業者が適
宜決定しうる事項である。典型的には、添加量は０．０
０１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌであり、より典型的には０．
０１ｇ／Ｌから５ｇ／Ｌである。
少なくとも１個含み、界面活性機能を有する任意の化合
物を言う。フッ素系界面活性剤としては、任意の公知の
界面活性剤が使用でき、たとえばパーフルオロアルキル
基含有オリゴマー、パーフルオロアルキルスルホン酸
塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロ
アルキルリン酸エステル、パーフルオロアルキルアンモ
ニウムヨウ化物、パーフルオロアルキルアミンオキサイ
ド、パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩等
が使用される。好ましくはパーフルオロアルキル基含有
オリゴマー、またはパーフルオロアルキルスルホン酸塩
が使用される。これらは、たとえば大日本インキ株式会
社から、ＭＥＧＡＦＡＣ Ｆ−１７９およびＦ−１６０
としてそれぞれ入手可能である。これらは単独で使用し
得る他、必要により２種以上を併用することができる。
フッ素含有界面活性剤の添加量は、実験的に当業者が適
宜決定しうる事項である。典型的には、添加量は０．０
０１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌであり、より典型的には０．
０１ｇ／Ｌから５ｇ／Ｌである。
【０００７】本発明の現像液は、エポキシ含有物質を含
むアルカリ可溶性フォトレジストの現像に好適に使用さ
れる。すなわち、本発明は、 １）エポキシ含有物質を含むアルカリ可溶性フォトレジ
スト組成物を塗布し、 ２）基体上のフォトレジスト組成物の層を露光し、現像
し、フォトレジストレリーフイメージを得ることを含
む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法であっ
て、該現像液が本発明にかかる現像液である、フォトレ
ジストレリーフイメージの形成方法を提供する。
むアルカリ可溶性フォトレジストの現像に好適に使用さ
れる。すなわち、本発明は、 １）エポキシ含有物質を含むアルカリ可溶性フォトレジ
スト組成物を塗布し、 ２）基体上のフォトレジスト組成物の層を露光し、現像
し、フォトレジストレリーフイメージを得ることを含
む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法であっ
て、該現像液が本発明にかかる現像液である、フォトレ
ジストレリーフイメージの形成方法を提供する。
【０００８】本発明で使用されるフォトレジストは、エ
ポキシ含有物質を含む。エポキシ含有物質は、開環によ
って重合できるオキシラン環を１つ以上有する任意の有
機化合物である。この物質は広い意味でエポキシドと呼
ばれ、モノマーエポキシ化合物並びに、脂肪族、脂環
式、芳香族又は複素環式であってよいオリゴマー及びポ
リマーエポキシドを含む。この種の好ましい物質は通
常、平均して分子当たり２個以上の重合可能エポキシ基
を有する。ポリマーエポキシドとしては、末端エポキシ
基を有する線状ポリマー（例えばポリオキシアルキレン
グリコールのジグリシジルエーテル）、骨格オキシラン
単位を有するポリマー（例えばポリブタジエンポリエポ
キシド）、及び側基としてのエポキシ基を有するポリマ
ー（例えばグリシジルメタクリレートポリマーもしくは
コポリマー）が挙げられる。エポキシドは純粋な化合物
であってもよいが、通常は分子当たり１個、２個又はそ
れ以上のエポキシ基を含む混合物である。
ポキシ含有物質を含む。エポキシ含有物質は、開環によ
って重合できるオキシラン環を１つ以上有する任意の有
機化合物である。この物質は広い意味でエポキシドと呼
ばれ、モノマーエポキシ化合物並びに、脂肪族、脂環
式、芳香族又は複素環式であってよいオリゴマー及びポ
リマーエポキシドを含む。この種の好ましい物質は通
常、平均して分子当たり２個以上の重合可能エポキシ基
を有する。ポリマーエポキシドとしては、末端エポキシ
基を有する線状ポリマー（例えばポリオキシアルキレン
グリコールのジグリシジルエーテル）、骨格オキシラン
単位を有するポリマー（例えばポリブタジエンポリエポ
キシド）、及び側基としてのエポキシ基を有するポリマ
ー（例えばグリシジルメタクリレートポリマーもしくは
コポリマー）が挙げられる。エポキシドは純粋な化合物
であってもよいが、通常は分子当たり１個、２個又はそ
れ以上のエポキシ基を含む混合物である。
【０００９】有用なエポキシ含有物質は、低分子量モノ
マー物質及びオリゴマーから比較的高い分子量のポリマ
ーに至るまで様々であり、主鎖及び置換基の種類も極め
て多様である。例えば、主鎖は任意のタイプであり得、
置換基は室温でオキシラン環と反応する置換基を有して
いない任意の基であり得る。適当な置換基の具体例とし
ては、ハロゲン、エステル基、エーテル、スルホネート
基、シロキサン基、ニトロ基、ホスフェート基等が挙げ
られる。
マー物質及びオリゴマーから比較的高い分子量のポリマ
ーに至るまで様々であり、主鎖及び置換基の種類も極め
て多様である。例えば、主鎖は任意のタイプであり得、
置換基は室温でオキシラン環と反応する置換基を有して
いない任意の基であり得る。適当な置換基の具体例とし
ては、ハロゲン、エステル基、エーテル、スルホネート
基、シロキサン基、ニトロ基、ホスフェート基等が挙げ
られる。
【００１０】本発明において有用な別のエポキシ含有物
質はグリシジルエーテルである。その具体例としては、
多価フェノールを過剰量のクロロヒドリン、例えばエピ
クロロヒドリンと反応させることによって得られる多価
フェノールエーテル（例えば２，２−ビス−（２，３−
エポキシ−プロポキシフェノール）プロパンのジグリシ
ジルエーテル）が挙げられる。この種のエポキシドの別
の具体例は米国特許第３，０１８，２６２号に記載され
ている。本発明において使用できる市販のエポキシ含有
物質も多数ある。特に、容易に入手できるエポキシドと
しては、エピクロロヒドリン、グリシドール、グリシジ
ルメタクリレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの
グリシジルエーテル（例えばＣｅｌａｎｅｓｅ社の商品
名“Ｅｐｉ−Ｒｅｚ”５０１４の製品）；Ｂｉｓｐｈｅ
ｎｏｌ Ａのジグリシジルエーテル（例えばＳｈｅｌｌ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の商品名“Ｅｐｏｎ ８２
８”、“Ｅｐｏｎ １００４”及び“Ｅｐｏｎ １０１
０”の製品；並びにＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の
“ＤＥＲ−３３１”、“ＤＥＲ−３３２”及び“ＤＥＲ
−３３４”）、ビニルシクロヘキセンジオキシド（例え
ばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−
４２０６”）、３，４−エポキシ−６−メチル−シクロ
ヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキセンカルボキシレート（例えばＵｎｉｏｎＣａｒｂ
ｉｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−４２０１”）、ビス
（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチ
ル）アジペート（例えばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃ
ｏｒｐ．の“ＥＲＬ−４２８９”）、ビス（２，３−エ
ポキシシクロペンチル）エーテル（例えばＵｎｉｏｎ
Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−０４０
０”）、ポリプロピレングリコールで改質した脂肪族エ
ポキシ（例えばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐ．
の“ＥＲＬ−４０５０”及び“ＥＲＬ−４２６９”）、
ジペンテンジオキシド（例えばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉ
ｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−４２６９”）、難燃性エ
ポキシ樹脂（例えばＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の
臭素化ビスフェニル型エポキシ樹脂“ＤＥＲ−５８
０”）、フェノールホルムアルデヒドノボラックの１，
４−ブタンジオールジグリシジルエーテル（例えばＤｏ
ｗ ＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．の“ＤＥＮ−４３１”及び
“ＤＥＮ−４３８”）並びにレゾルシノールジグリシジ
ルエーテル（例えばＫｏｐｐｅｒｓ Ｃｏｍｐａｎｙ，
Ｉｎｃ．の“Ｋｏｐｏｘｉｔｅ”）が挙げられる。
質はグリシジルエーテルである。その具体例としては、
多価フェノールを過剰量のクロロヒドリン、例えばエピ
クロロヒドリンと反応させることによって得られる多価
フェノールエーテル（例えば２，２−ビス−（２，３−
エポキシ−プロポキシフェノール）プロパンのジグリシ
ジルエーテル）が挙げられる。この種のエポキシドの別
の具体例は米国特許第３，０１８，２６２号に記載され
ている。本発明において使用できる市販のエポキシ含有
物質も多数ある。特に、容易に入手できるエポキシドと
しては、エピクロロヒドリン、グリシドール、グリシジ
ルメタクリレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの
グリシジルエーテル（例えばＣｅｌａｎｅｓｅ社の商品
名“Ｅｐｉ−Ｒｅｚ”５０１４の製品）；Ｂｉｓｐｈｅ
ｎｏｌ Ａのジグリシジルエーテル（例えばＳｈｅｌｌ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の商品名“Ｅｐｏｎ ８２
８”、“Ｅｐｏｎ １００４”及び“Ｅｐｏｎ １０１
０”の製品；並びにＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の
“ＤＥＲ−３３１”、“ＤＥＲ−３３２”及び“ＤＥＲ
−３３４”）、ビニルシクロヘキセンジオキシド（例え
ばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−
４２０６”）、３，４−エポキシ−６−メチル−シクロ
ヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキセンカルボキシレート（例えばＵｎｉｏｎＣａｒｂ
ｉｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−４２０１”）、ビス
（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチ
ル）アジペート（例えばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃ
ｏｒｐ．の“ＥＲＬ−４２８９”）、ビス（２，３−エ
ポキシシクロペンチル）エーテル（例えばＵｎｉｏｎ
Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−０４０
０”）、ポリプロピレングリコールで改質した脂肪族エ
ポキシ（例えばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏｒｐ．
の“ＥＲＬ−４０５０”及び“ＥＲＬ−４２６９”）、
ジペンテンジオキシド（例えばＵｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉ
ｄｅ Ｃｏｒｐ．の“ＥＲＬ−４２６９”）、難燃性エ
ポキシ樹脂（例えばＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の
臭素化ビスフェニル型エポキシ樹脂“ＤＥＲ−５８
０”）、フェノールホルムアルデヒドノボラックの１，
４−ブタンジオールジグリシジルエーテル（例えばＤｏ
ｗ ＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．の“ＤＥＮ−４３１”及び
“ＤＥＮ−４３８”）並びにレゾルシノールジグリシジ
ルエーテル（例えばＫｏｐｐｅｒｓ Ｃｏｍｐａｎｙ，
Ｉｎｃ．の“Ｋｏｐｏｘｉｔｅ”）が挙げられる。
【００１１】本発明で使用されるフォトレジストは、エ
ポキシ基を含まない樹脂バインダーを含むことができ
る。樹脂バインダーは、組成物の１種類以上の成分との
間で光開始架橋反応を起こす種々の物質のうち任意のも
のであってよい。適当な樹脂としては、１つ以上の反応
部分、例えば反応性水素を有する官能基を含むものが挙
げられる。フェノール樹脂は特に適当な反応性樹脂であ
り、組成物のコーティング層を水溶液又は半水溶液で現
像できるようにするのに十分な濃度で使用するのが好ま
しい。適当なフェノール樹脂としては、例えば、当業者
にノボラック樹脂として知られているフェノールアルデ
ヒド縮合体、アルケニルフェノールのホモポリマー及び
コポリマー、部分的に水素化したノボラック及びポリ
（ビニルフェノール）樹脂、並びにＮ−ヒドロキシフェ
ニル−マレイミドのホモポリマー及びコポリマーが挙げ
られる。
ポキシ基を含まない樹脂バインダーを含むことができ
る。樹脂バインダーは、組成物の１種類以上の成分との
間で光開始架橋反応を起こす種々の物質のうち任意のも
のであってよい。適当な樹脂としては、１つ以上の反応
部分、例えば反応性水素を有する官能基を含むものが挙
げられる。フェノール樹脂は特に適当な反応性樹脂であ
り、組成物のコーティング層を水溶液又は半水溶液で現
像できるようにするのに十分な濃度で使用するのが好ま
しい。適当なフェノール樹脂としては、例えば、当業者
にノボラック樹脂として知られているフェノールアルデ
ヒド縮合体、アルケニルフェノールのホモポリマー及び
コポリマー、部分的に水素化したノボラック及びポリ
（ビニルフェノール）樹脂、並びにＮ−ヒドロキシフェ
ニル−マレイミドのホモポリマー及びコポリマーが挙げ
られる。
【００１２】樹脂バインダーとして適しているフェノー
ル樹脂の中でも、フェノールホルムアルデヒドノボラッ
クは好ましい物質である。なぜなら、ノボラックは水性
現像可能な光画像形成性コーティング組成物を形成でき
るからである。これらの樹脂は、多くの出版物、例えば
ＤｅＦｏｒｅｓｔ，Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅ
ｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ，，ＭｃＧｒａ
ｗ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｎｅｗ Ｙｏ
ｒｋ，ｃｈ．２，１９７５；Ｍｏｒｅａｕ，Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｉｎｃ
ｉｐｌｅｓ，Ｐｒａｃｒｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ，Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，
ｃｈｓ．２及び４，１９８８；Ｋｎｏｐ及びＰｉｌａｔ
ｏ，Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅ
ｒ−Ｖｅｒｌａｇ，１９８５に記述されている公知の方
法で製造される。
ル樹脂の中でも、フェノールホルムアルデヒドノボラッ
クは好ましい物質である。なぜなら、ノボラックは水性
現像可能な光画像形成性コーティング組成物を形成でき
るからである。これらの樹脂は、多くの出版物、例えば
ＤｅＦｏｒｅｓｔ，Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅ
ｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ，，ＭｃＧｒａ
ｗ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｎｅｗ Ｙｏ
ｒｋ，ｃｈ．２，１９７５；Ｍｏｒｅａｕ，Ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｉｎｃ
ｉｐｌｅｓ，Ｐｒａｃｒｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ，Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，
ｃｈｓ．２及び４，１９８８；Ｋｎｏｐ及びＰｉｌａｔ
ｏ，Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅ
ｒ−Ｖｅｒｌａｇ，１９８５に記述されている公知の方
法で製造される。
【００１３】ノボラック樹脂はフェノールとアルデヒド
との熱可塑性縮合生成物である。ノボラック樹脂を製造
するために、アルデヒド、特にホルムアルデヒドと縮合
させるのに適したフェノールの具体例としては、フェノ
ール、ｍ−クレゾール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、チモー
ル及びこれらの混合物が挙げられる。酸触媒縮合反応で
は、分子量約５００〜１００，０００ダルトンの適当な
ノボラック樹脂が形成される。
との熱可塑性縮合生成物である。ノボラック樹脂を製造
するために、アルデヒド、特にホルムアルデヒドと縮合
させるのに適したフェノールの具体例としては、フェノ
ール、ｍ−クレゾール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、チモー
ル及びこれらの混合物が挙げられる。酸触媒縮合反応で
は、分子量約５００〜１００，０００ダルトンの適当な
ノボラック樹脂が形成される。
【００１４】別の好ましいフェノール樹脂はポリ（ビニ
ルフェノール）樹脂である。ポリ（ビニルフェノール）
は、陽イオン触媒の存在下で、対応するモノマーのブロ
ック重合、乳化重合又は溶液重合を行うことによって形
成し得る熱可塑性材料である。ポリ（ビニルフェノー
ル）樹脂の製造に使用するビニルフェノールは、例えば
市販のクマリン又は置換クマリンを加水分解し、得られ
たヒドロキシ桂皮酸を脱カルボキシル化することによっ
て調製し得る。有用なビニルフェノールはまた、対応す
るヒドロキシアルキルフェノールの脱水、又は置換もし
くは未置換ヒドロキシベンズアルデヒドとマロン酸との
反応によって得たヒドロキシ桂皮酸の脱カルボキシル化
によっても調製し得る。このようなビニルフェノールを
用いて調製した好ましいポリ（ビニルフェノール）樹脂
は、約２，０００〜約１００，０００ダルトンの分子量
を有する。ポリ（ビニルフェノール）樹脂の製造方法は
米国特許第４，４３９，５１６号にも開示されている。
ルフェノール）樹脂である。ポリ（ビニルフェノール）
は、陽イオン触媒の存在下で、対応するモノマーのブロ
ック重合、乳化重合又は溶液重合を行うことによって形
成し得る熱可塑性材料である。ポリ（ビニルフェノー
ル）樹脂の製造に使用するビニルフェノールは、例えば
市販のクマリン又は置換クマリンを加水分解し、得られ
たヒドロキシ桂皮酸を脱カルボキシル化することによっ
て調製し得る。有用なビニルフェノールはまた、対応す
るヒドロキシアルキルフェノールの脱水、又は置換もし
くは未置換ヒドロキシベンズアルデヒドとマロン酸との
反応によって得たヒドロキシ桂皮酸の脱カルボキシル化
によっても調製し得る。このようなビニルフェノールを
用いて調製した好ましいポリ（ビニルフェノール）樹脂
は、約２，０００〜約１００，０００ダルトンの分子量
を有する。ポリ（ビニルフェノール）樹脂の製造方法は
米国特許第４，４３９，５１６号にも開示されている。
【００１５】別の適当な反応性樹脂は、フェノール単位
と非芳香族環状アルコール単位とを含み、ノボラック樹
脂及びポリ（ビニルフェノール）樹脂と類似の構造を有
するポリマーである。この種のコポリマー樹脂は、１９
９０年１２月１２日に公開された欧州特許出願公開第０
４０１ ４９９号に記載されている。
と非芳香族環状アルコール単位とを含み、ノボラック樹
脂及びポリ（ビニルフェノール）樹脂と類似の構造を有
するポリマーである。この種のコポリマー樹脂は、１９
９０年１２月１２日に公開された欧州特許出願公開第０
４０１ ４９９号に記載されている。
【００１６】更に別の適当なフェノール系反応性樹脂類
としては、Ｎ−ヒドロキシフェニルマレイミドのホモポ
リマー及びコポリマーが挙げられる。この種の物質は欧
州特許出願公開第０，２５５，９８９号の２ページ４５
行目から５ページ５１行目に記載されている。
としては、Ｎ−ヒドロキシフェニルマレイミドのホモポ
リマー及びコポリマーが挙げられる。この種の物質は欧
州特許出願公開第０，２５５，９８９号の２ページ４５
行目から５ページ５１行目に記載されている。
【００１７】本発明で使用されるフォトレジストは、好
ましくはアミンベースの物質、例えばメラミンモノマ
ー、オリゴマー又はポリマー；種々の樹脂、例えばメラ
ミンホルムアルデヒド、ベンゾグアナミン−ホルムアル
デヒド、尿素−ホルムアルデヒド及びグリコルリル−ホ
ルムアルデヒド樹脂；並びにこれらを組合わせたもので
ある架橋剤を含む。特に適当なアミンベースの架橋剤と
しては、ニュージャージー州、ＷａｙｎｅのＡｍｅｒｉ
ｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏｍｐａｎｙが製造してい
るメラミン、例えばＣｙｍｅｌ（登録商標）３００、３
０１、３０３、３５０、３７０、３８０、１１１６及び
１１３０；Ｃｙｍｅｌ（登録商標）１１２３及び１１２
５のようなベンゾグアナミン；グリコルリル樹脂Ｃｙｍ
ｅｌ（登録商標）１１７０、１１７１及び１１７２；並
びに尿素ベースの樹脂Ｂｅｅｔｌｅ（登録商標）６０、
６５及び８０が挙げられる。他にも多くの類似のアミン
ベース化合物が様々な製造業者から市販されている。
ましくはアミンベースの物質、例えばメラミンモノマ
ー、オリゴマー又はポリマー；種々の樹脂、例えばメラ
ミンホルムアルデヒド、ベンゾグアナミン−ホルムアル
デヒド、尿素−ホルムアルデヒド及びグリコルリル−ホ
ルムアルデヒド樹脂；並びにこれらを組合わせたもので
ある架橋剤を含む。特に適当なアミンベースの架橋剤と
しては、ニュージャージー州、ＷａｙｎｅのＡｍｅｒｉ
ｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏｍｐａｎｙが製造してい
るメラミン、例えばＣｙｍｅｌ（登録商標）３００、３
０１、３０３、３５０、３７０、３８０、１１１６及び
１１３０；Ｃｙｍｅｌ（登録商標）１１２３及び１１２
５のようなベンゾグアナミン；グリコルリル樹脂Ｃｙｍ
ｅｌ（登録商標）１１７０、１１７１及び１１７２；並
びに尿素ベースの樹脂Ｂｅｅｔｌｅ（登録商標）６０、
６５及び８０が挙げられる。他にも多くの類似のアミン
ベース化合物が様々な製造業者から市販されている。
【００１８】前記アミンベース架橋剤のうち、好ましい
のはメラミン樹脂である。特に好ましいのはメラミンホ
ルムアルデヒド樹脂、即ちメラミンとホルムアルデヒド
との反応生成物である。これらの樹脂は通常、トリアル
キロールメラミン及びヘキサアルキロールメラミンのよ
うなエーテルである。アルキル基は炭素原子を１〜８個
又はそれ以上含み得るが、好ましくはメチルである。反
応条件及びホルムアルデヒド濃度次第で、メチルエーテ
ルを相互に反応させてより複雑な単位を形成してもよ
い。
のはメラミン樹脂である。特に好ましいのはメラミンホ
ルムアルデヒド樹脂、即ちメラミンとホルムアルデヒド
との反応生成物である。これらの樹脂は通常、トリアル
キロールメラミン及びヘキサアルキロールメラミンのよ
うなエーテルである。アルキル基は炭素原子を１〜８個
又はそれ以上含み得るが、好ましくはメチルである。反
応条件及びホルムアルデヒド濃度次第で、メチルエーテ
ルを相互に反応させてより複雑な単位を形成してもよ
い。
【００１９】本発明で使用されるフォトレジスト組成物
は更に、放射線感受性成分を含む。放射線感受性成分は
通常は組成物への添加物質であるが、放射線感受性成分
が組成物の別の成分、例えば光活性側基を含む樹脂バイ
ンダー、又はポリマー鎖の単位として光活性基を含む結
合剤の一部分をなすような組成物であってもよい。放射
線感受性成分は、活性化用放射線にさらすと酸を生成す
ることができる化合物（即ち酸生成物質）、及び活性化
用放射線にさらすと塩基を生成することができる化合物
（即ち塩基生成物質）から選択される。任意の公知の放
射線感受性成分が使用できる。
は更に、放射線感受性成分を含む。放射線感受性成分は
通常は組成物への添加物質であるが、放射線感受性成分
が組成物の別の成分、例えば光活性側基を含む樹脂バイ
ンダー、又はポリマー鎖の単位として光活性基を含む結
合剤の一部分をなすような組成物であってもよい。放射
線感受性成分は、活性化用放射線にさらすと酸を生成す
ることができる化合物（即ち酸生成物質）、及び活性化
用放射線にさらすと塩基を生成することができる化合物
（即ち塩基生成物質）から選択される。任意の公知の放
射線感受性成分が使用できる。
【００２０】通常好ましい光酸生成物質はオニウム塩、
好ましくは弱い求核性の陰イオンを有するオニウム塩で
ある。前記陰イオンは二価〜七価の金属又は非金属、例
えばＳｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｄ、Ｃｒ、Ｈｆ及びＣｕ並びにＢ、Ｐ
及びＡｓのハロゲン錯体陰イオンである。適当なオニウ
ム塩の具体例としては、ジアリールジアゾニウム塩並び
に周期表のＶａ族、Ｖｂ族、Ｉａ族、Ｉｂ族及びＩ族の
オニウム塩、例えばハロニウム塩、特に芳香族ヨードニ
ウム及びヨードキソニウム塩、第四アンモニウム、ホス
ホニウム及びアルソニウム塩、芳香族スルホニウム塩並
びにスルホキソニウム塩又はセレノニウム塩が挙げられ
る。別の適当な酸生成物質はヨードニウム塩である。こ
の種の好ましい塩類は、例えば米国特許第４，６８３，
３１７号に記載のようなアリールヨードソトシレート及
びアリールケトンから生成したものである。
好ましくは弱い求核性の陰イオンを有するオニウム塩で
ある。前記陰イオンは二価〜七価の金属又は非金属、例
えばＳｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｄ、Ｃｒ、Ｈｆ及びＣｕ並びにＢ、Ｐ
及びＡｓのハロゲン錯体陰イオンである。適当なオニウ
ム塩の具体例としては、ジアリールジアゾニウム塩並び
に周期表のＶａ族、Ｖｂ族、Ｉａ族、Ｉｂ族及びＩ族の
オニウム塩、例えばハロニウム塩、特に芳香族ヨードニ
ウム及びヨードキソニウム塩、第四アンモニウム、ホス
ホニウム及びアルソニウム塩、芳香族スルホニウム塩並
びにスルホキソニウム塩又はセレノニウム塩が挙げられ
る。別の適当な酸生成物質はヨードニウム塩である。こ
の種の好ましい塩類は、例えば米国特許第４，６８３，
３１７号に記載のようなアリールヨードソトシレート及
びアリールケトンから生成したものである。
【００２１】酸生成物質のうち、少なくとも幾つかの非
イオン有機化合物は適当なものである。好ましい非イオ
ン有機酸生成物質としては、ハロゲン化非イオン化合
物、例えば１，１−ビス［ｐ−クロロフェニル］−２，
２，２−トリクロロエタン（ＤＤＴ）；１，１−ビス
［ｐ−メトキシフェニル］−２，２，２−トリクロロエ
タン（メトキシクロル（登録商標））；１，２，５，
６，９，１０−ヘキサブロモシクロドデカン；１，１０
−ジブロモデカン；１，１−ビス［ｐ−クロロフェニ
ル］２，２−ジクロロエタン；４，４’−ジクロロ−２
−（トリクロロメチル）ベンズヒドロール、１，１−ビ
ス（クロロフェニル）２−２，２−トリクロロエタノー
ル（Ｋｅｌｔｈａｎｅ（登録商標））；ヘキサクロロジ
メチルスルホン；２−クロロ−６−（トリクロロメチ
ル）ピリジン；０，０−ジエチル−０−（３，５，６−
トリクロロ−２−ピリジル）ホスホロチオエート（Ｄｕ
ｒｓｂａｎ（登録商標））；１，２，３，４，５，６−
ヘキサクロロシクロヘキサン；Ｎ（１，１−ビス［ｐ−
クロロフェニル］−２，２，２−トリクロロエチルアセ
トアミド，トリス［２，３−ジブロモプロピル］イソシ
アヌレート；２，２−ビス［ｐ−クロロフェニル］−
１，１−ジクロロエチレン；及びこれらの異性体、類似
体、同族体及び残存化合物が挙げられる。これらの物質
のうち、トリス［２，３−ジブロモプロピル］イソシア
ヌレートは特に好ましいものである。適当な酸生成物質
は欧州特許出願公開第０２３２９７２号にも記載されて
いる。前述の残存化合物とは、前記ハロゲン化有機化合
物の合成中に生成されて、これらの有機化合物を多量含
む製品中に少量存在し得る、前記ハロゲン化有機化合物
の密接に関連した不純物又は他の変性物を意味する。
イオン有機化合物は適当なものである。好ましい非イオ
ン有機酸生成物質としては、ハロゲン化非イオン化合
物、例えば１，１−ビス［ｐ−クロロフェニル］−２，
２，２−トリクロロエタン（ＤＤＴ）；１，１−ビス
［ｐ−メトキシフェニル］−２，２，２−トリクロロエ
タン（メトキシクロル（登録商標））；１，２，５，
６，９，１０−ヘキサブロモシクロドデカン；１，１０
−ジブロモデカン；１，１−ビス［ｐ−クロロフェニ
ル］２，２−ジクロロエタン；４，４’−ジクロロ−２
−（トリクロロメチル）ベンズヒドロール、１，１−ビ
ス（クロロフェニル）２−２，２−トリクロロエタノー
ル（Ｋｅｌｔｈａｎｅ（登録商標））；ヘキサクロロジ
メチルスルホン；２−クロロ−６−（トリクロロメチ
ル）ピリジン；０，０−ジエチル−０−（３，５，６−
トリクロロ−２−ピリジル）ホスホロチオエート（Ｄｕ
ｒｓｂａｎ（登録商標））；１，２，３，４，５，６−
ヘキサクロロシクロヘキサン；Ｎ（１，１−ビス［ｐ−
クロロフェニル］−２，２，２−トリクロロエチルアセ
トアミド，トリス［２，３−ジブロモプロピル］イソシ
アヌレート；２，２−ビス［ｐ−クロロフェニル］−
１，１−ジクロロエチレン；及びこれらの異性体、類似
体、同族体及び残存化合物が挙げられる。これらの物質
のうち、トリス［２，３−ジブロモプロピル］イソシア
ヌレートは特に好ましいものである。適当な酸生成物質
は欧州特許出願公開第０２３２９７２号にも記載されて
いる。前述の残存化合物とは、前記ハロゲン化有機化合
物の合成中に生成されて、これらの有機化合物を多量含
む製品中に少量存在し得る、前記ハロゲン化有機化合物
の密接に関連した不純物又は他の変性物を意味する。
【００２２】適当な光塩基生成化合物は、活性化用放射
線にさらすと光分解して（例えば光開裂して）塩基を生
成する。塩基生成物質は通常、光活性化によって塩基
（例えばアミンのような有機塩基）を生成する中性化合
物である。種々の塩基生成物質が本発明の組成物で使用
するのに適していると考えられる。適当な塩基生成物質
としては、有機化合物、例えばカルバミン酸ベンジル及
びカルバミン酸ベンゾインを含む光活性カルバメートが
挙げられる。別の適当な有機塩基生成物質としては、Ｏ
−カルバモイルヒドロキシルアミン、Ｏ−カルバモイル
オキシム、芳香族スルホンアミド、α−ラクトン、アミ
ド類、例えばＮ−（２−アリールエチエニル）アミド及
びアミドが挙げられる。
線にさらすと光分解して（例えば光開裂して）塩基を生
成する。塩基生成物質は通常、光活性化によって塩基
（例えばアミンのような有機塩基）を生成する中性化合
物である。種々の塩基生成物質が本発明の組成物で使用
するのに適していると考えられる。適当な塩基生成物質
としては、有機化合物、例えばカルバミン酸ベンジル及
びカルバミン酸ベンゾインを含む光活性カルバメートが
挙げられる。別の適当な有機塩基生成物質としては、Ｏ
−カルバモイルヒドロキシルアミン、Ｏ−カルバモイル
オキシム、芳香族スルホンアミド、α−ラクトン、アミ
ド類、例えばＮ−（２−アリールエチエニル）アミド及
びアミドが挙げられる。
【００２３】特に好ましい有機塩基生成物質としては、
２−ヒドロキシ−２−フェニルアセトフェノンＮ−シク
ロヘキシルカルバメート、ｏ−ニトロベンジルＮ−シク
ロヘキシルカルバメート、Ｎ−シクロヘキシル−２−ナ
フタレンスルホンアミド、３，５−ジメトキシベンジル
Ｎ−シクロヘキシルカルバメート、Ｎ−シクロヘキシル
ｐ−トルエンスルホンアミド及びジベンゾインイソホロ
ンジカルバメートが挙げられる。活性化用放射線にさら
すと塩基を生成する金属配位錯体、例えばＪ．Ｃｏａｔ
ｉｎｇｓ Ｔｅｃｈ．，６２，ｎｏ．７８６，６３−６
７（１９９０年６月）に記載のようなコバルト（ＩＩ
Ｉ）錯体も適当な物質である。
２−ヒドロキシ−２−フェニルアセトフェノンＮ−シク
ロヘキシルカルバメート、ｏ−ニトロベンジルＮ−シク
ロヘキシルカルバメート、Ｎ−シクロヘキシル−２−ナ
フタレンスルホンアミド、３，５−ジメトキシベンジル
Ｎ−シクロヘキシルカルバメート、Ｎ−シクロヘキシル
ｐ−トルエンスルホンアミド及びジベンゾインイソホロ
ンジカルバメートが挙げられる。活性化用放射線にさら
すと塩基を生成する金属配位錯体、例えばＪ．Ｃｏａｔ
ｉｎｇｓ Ｔｅｃｈ．，６２，ｎｏ．７８６，６３−６
７（１９９０年６月）に記載のようなコバルト（ＩＩ
Ｉ）錯体も適当な物質である。
【００２４】光酸又は光塩基生成物質は、活性化用放射
線での露光と、必要であれば露光後ベークした後で、組
成物のコーティング層を現像できるようにするのに十分
な量でフォトレジスト組成物に含ませる。より具体的に
は、光酸生成物質又は光塩基生成物質は通常、組成物の
全固体の約１〜１５重量％、より典型的には組成物の全
固体の約１〜６重量％の濃度で使用する。但し、光活性
成分の適当な濃度は使用する特定物質に応じて変化させ
得る。
線での露光と、必要であれば露光後ベークした後で、組
成物のコーティング層を現像できるようにするのに十分
な量でフォトレジスト組成物に含ませる。より具体的に
は、光酸生成物質又は光塩基生成物質は通常、組成物の
全固体の約１〜１５重量％、より典型的には組成物の全
固体の約１〜６重量％の濃度で使用する。但し、光活性
成分の適当な濃度は使用する特定物質に応じて変化させ
得る。
【００２５】１つ以上の求電子性多重結合を含む化合物
は、少なくとも、光塩基生成化合物を含む組成物に適し
た架橋剤である。求電子性多重結合の具体例としては、
マレイミド、α，β−不飽和ケトン、エステル、アミ
ド、ニトリル及び他のα，β−不飽和電子吸引基が挙げ
られる。求電子性多重結合を含む架橋物質のうち特に好
ましいのは、１つ以上のマレイミド基を含む物質であ
り、特にビスマレイミドが好ましい。特に好ましい化合
物は、１，１’−（メチレンジ−１，４−フェニレン）
ビスマレイミドである。別の適当なマレイミドは、例え
ば無水マレイン酸とＲ（ＮＨ２）２［式中、Ｒは式
（Ｉ）に関して説明した意味を有する］に対応する構造
の化合物との熱又は酸縮合反応のような公知の方法で容
易に合成できる。これについては、Ｉ．Ｖａｒｍａら，
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｗｓ，ｖｏｌ．１２，２９４−３
０６（１９８７）を参照されたい。
は、少なくとも、光塩基生成化合物を含む組成物に適し
た架橋剤である。求電子性多重結合の具体例としては、
マレイミド、α，β−不飽和ケトン、エステル、アミ
ド、ニトリル及び他のα，β−不飽和電子吸引基が挙げ
られる。求電子性多重結合を含む架橋物質のうち特に好
ましいのは、１つ以上のマレイミド基を含む物質であ
り、特にビスマレイミドが好ましい。特に好ましい化合
物は、１，１’−（メチレンジ−１，４−フェニレン）
ビスマレイミドである。別の適当なマレイミドは、例え
ば無水マレイン酸とＲ（ＮＨ２）２［式中、Ｒは式
（Ｉ）に関して説明した意味を有する］に対応する構造
の化合物との熱又は酸縮合反応のような公知の方法で容
易に合成できる。これについては、Ｉ．Ｖａｒｍａら，
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｗｓ，ｖｏｌ．１２，２９４−３
０６（１９８７）を参照されたい。
【００２６】求電子性多重結合を含む樹脂、又はエポキ
シと求電子性多重結合とを含む樹脂も、本発明の組成物
で適当な架橋物質として使用することができる。多くの
適当な樹脂が市販されており、例えばローヌ・プラン社
の商品名Ｋｅｒｉｍｉｄのビスマレイド樹脂、及びＫｅ
ｎｎｅｄｙ ａｎｄ Ｋｌｉｍ，Ｉｎｃ．のＴｈｅｒｍａ
ｘ ＭＢ−８０００のビスマレイド樹脂等がある。適当
なマレイミド樹脂は前出のＩ．Ｖａｒｍａらの論文、及
び米国特許第４，９８７，２６４号にも記載されてい
る。
シと求電子性多重結合とを含む樹脂も、本発明の組成物
で適当な架橋物質として使用することができる。多くの
適当な樹脂が市販されており、例えばローヌ・プラン社
の商品名Ｋｅｒｉｍｉｄのビスマレイド樹脂、及びＫｅ
ｎｎｅｄｙ ａｎｄ Ｋｌｉｍ，Ｉｎｃ．のＴｈｅｒｍａ
ｘ ＭＢ−８０００のビスマレイド樹脂等がある。適当
なマレイミド樹脂は前出のＩ．Ｖａｒｍａらの論文、及
び米国特許第４，９８７，２６４号にも記載されてい
る。
【００２７】別の適当な架橋剤は１つ以上のアリル置換
基を含む芳香族化合物（即ち、１つ以上の環位置がアル
キレン基のアリル炭素で置換された芳香族化合物）であ
る。適当なアリル芳香族としてはアリルフェニル化合物
が挙げられる。より好ましいのはアリルフェノール化合
物である。アリルフェノール硬化剤は、１つ以上のフェ
ノール単位を含み、これらのフェノール単位が１つ以上
の環位置でアルキレン基のアリル炭素により置換されて
いるモノマー、オリゴマー又はポリマーであり得る。一
般的には、１種類以上の架橋剤の適当な濃度は、組成物
の全固体の約５〜３０重量％、好ましくは全固体の約１
０〜２０重量％である。
基を含む芳香族化合物（即ち、１つ以上の環位置がアル
キレン基のアリル炭素で置換された芳香族化合物）であ
る。適当なアリル芳香族としてはアリルフェニル化合物
が挙げられる。より好ましいのはアリルフェノール化合
物である。アリルフェノール硬化剤は、１つ以上のフェ
ノール単位を含み、これらのフェノール単位が１つ以上
の環位置でアルキレン基のアリル炭素により置換されて
いるモノマー、オリゴマー又はポリマーであり得る。一
般的には、１種類以上の架橋剤の適当な濃度は、組成物
の全固体の約５〜３０重量％、好ましくは全固体の約１
０〜２０重量％である。
【００２８】本発明で使用されるフォトレジスト組成物
では、光増感剤も好ましい添加剤として使用され、波長
感光度を増加させるに十分な量で組成物に加える。適当
な増感剤としては例えば、２−エチル−９，１０−ジメ
トキシアントラセン、９，１０−ジクロロアントラセ
ン、９，１０−フェニルアントラセン、１−クロロアン
トラセン、２−メチルアントラセン、９−メチルアント
ラセン、２−ｔ−ブチルアントラセン、アントラセン、
１，２−ベンズアントラセン、１，２，３，４−ジベン
ズアントラセン、１，２，５，６−ジベンズアントラセ
ン、１，２，７，８−ジベンズアントラセン、９，１０
−ジメトキシジメチルアントラセン等が挙げられる好ま
しい増感剤としては、２−エチル−９，１０−ジメトキ
シアントラセン、Ｎ−メチルフェノチアジン及びイソプ
ロピルチオキサントンが挙げられる。
では、光増感剤も好ましい添加剤として使用され、波長
感光度を増加させるに十分な量で組成物に加える。適当
な増感剤としては例えば、２−エチル−９，１０−ジメ
トキシアントラセン、９，１０−ジクロロアントラセ
ン、９，１０−フェニルアントラセン、１−クロロアン
トラセン、２−メチルアントラセン、９−メチルアント
ラセン、２−ｔ−ブチルアントラセン、アントラセン、
１，２−ベンズアントラセン、１，２，３，４−ジベン
ズアントラセン、１，２，５，６−ジベンズアントラセ
ン、１，２，７，８−ジベンズアントラセン、９，１０
−ジメトキシジメチルアントラセン等が挙げられる好ま
しい増感剤としては、２−エチル−９，１０−ジメトキ
シアントラセン、Ｎ−メチルフェノチアジン及びイソプ
ロピルチオキサントンが挙げられる。
【００２９】本発明で使用されるフォトレジスト組成物
は任意にその他の添加剤、例えば染料、充填剤、湿潤
剤、難燃剤等も含み得る。適当な充填剤は例えばＣｙｐ
ｒｕｓＣｈｅｍｉｃａｌ社の製品ＴＡＬＣであり、適当
な染料は例えばチバガイギー社の製品Ｏｒａｓｏｌ Ｂ
ｌｕｅである。充填剤及び染料は高濃度で使用し得、例
えば組成物の固体成分全体の５〜３０重量％で添加し得
る。別の任意的な添加剤、例えば湿潤剤、発泡剤、均染
剤等は通常比較的低い濃度で含ませ、例えば組成物の全
固体の約３重量％以下で使用する。
は任意にその他の添加剤、例えば染料、充填剤、湿潤
剤、難燃剤等も含み得る。適当な充填剤は例えばＣｙｐ
ｒｕｓＣｈｅｍｉｃａｌ社の製品ＴＡＬＣであり、適当
な染料は例えばチバガイギー社の製品Ｏｒａｓｏｌ Ｂ
ｌｕｅである。充填剤及び染料は高濃度で使用し得、例
えば組成物の固体成分全体の５〜３０重量％で添加し得
る。別の任意的な添加剤、例えば湿潤剤、発泡剤、均染
剤等は通常比較的低い濃度で含ませ、例えば組成物の全
固体の約３重量％以下で使用する。
【００３０】液体コーティング組成物を製造する場合
は、適当な溶剤、例えばエチレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテルのような１
種類以上のグリコールエーテル；メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテートのようなエステ
ル；二塩基エステル、炭酸プロピレン、γ−ブチロラク
トンのような他の溶剤；並びにｎ−プロパノールのよう
なアルコールに組成物の成分を溶解する。
は、適当な溶剤、例えばエチレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテルのような１
種類以上のグリコールエーテル；メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテートのようなエステ
ル；二塩基エステル、炭酸プロピレン、γ−ブチロラク
トンのような他の溶剤；並びにｎ−プロパノールのよう
なアルコールに組成物の成分を溶解する。
【００３１】液体コーティング組成物を形成するために
は乾燥成分を溶剤に溶解する。固体濃度は、基板への適
用方法といった幾つかの因子に依存する。一般的には、
溶剤中の固体濃度はコーティング組成物の総重量の約１
０〜７０重量％又はそれ以上にし得る。より特定的に
は、フローコーティング組成物の場合には、固体濃度を
組成物の総重量の約４０〜５０重量％又はそれ以上にし
得る。
は乾燥成分を溶剤に溶解する。固体濃度は、基板への適
用方法といった幾つかの因子に依存する。一般的には、
溶剤中の固体濃度はコーティング組成物の総重量の約１
０〜７０重量％又はそれ以上にし得る。より特定的に
は、フローコーティング組成物の場合には、固体濃度を
組成物の総重量の約４０〜５０重量％又はそれ以上にし
得る。
【００３２】フォトレジスト組成物は、スクリーン印
刷、フローコーティング、ローラー塗、スロットコーテ
ィング、スピンコーティング、流し塗、静電吹付け、吹
付け塗、漬け塗を含む一般的な方法を用いて、またドラ
イフィルムとして、基板上に塗布し得る。前述のよう
に、フォトレジストの組成物の粘度は、低粘度を要する
方法の場合には溶剤を更に加え、あるいは高粘度を要す
る方法の場合には増粘剤及び充填剤を加えることによ
り、使用する各方法の要件を満たすように調整し得る。
コーティング後は、液体組成物層を乾燥して溶剤を除去
し、必要により、加熱して架橋を起こさせる。
刷、フローコーティング、ローラー塗、スロットコーテ
ィング、スピンコーティング、流し塗、静電吹付け、吹
付け塗、漬け塗を含む一般的な方法を用いて、またドラ
イフィルムとして、基板上に塗布し得る。前述のよう
に、フォトレジストの組成物の粘度は、低粘度を要する
方法の場合には溶剤を更に加え、あるいは高粘度を要す
る方法の場合には増粘剤及び充填剤を加えることによ
り、使用する各方法の要件を満たすように調整し得る。
コーティング後は、液体組成物層を乾燥して溶剤を除去
し、必要により、加熱して架橋を起こさせる。
【００３３】すなわち、本発明は、
１）基体上に、エポキシ含有物質を含むアルカリ可溶性
フォトレジスト組成物を塗布し、 ２）基体上のフォトレジスト組成物の層を露光し、露光
部分を硬化し、現像し、フォトレジストレリーフイメー
ジを得ることを含む、フォトレジストレリーフイメージ
の形成方法であって、現像液が本発明にかかる現像液で
ある、フォトレジストレリーフイメージの形成方法を提
供する。
フォトレジスト組成物を塗布し、 ２）基体上のフォトレジスト組成物の層を露光し、露光
部分を硬化し、現像し、フォトレジストレリーフイメー
ジを得ることを含む、フォトレジストレリーフイメージ
の形成方法であって、現像液が本発明にかかる現像液で
ある、フォトレジストレリーフイメージの形成方法を提
供する。
【００３４】本発明で使用されるフォトレジストはネガ
型、ポジ型のいずれであってもよく、露光後必要に応じ
て架橋された後、ネガ型では非露光部分が、ポジ型では
露光部分が現像液により除去されて、レリーフイメージ
が形成される。本発明の現像方法によれば、エポキシ含
有物質を含むアルカリ可溶性フォトレジスト組成物によ
り形成されるビアを有するレリーフイメージを、良好に
得ることができる。得られたレリーフイメージを利用し
て、その後公知の種々の処理を行い、回路を形成するこ
とができる。
型、ポジ型のいずれであってもよく、露光後必要に応じ
て架橋された後、ネガ型では非露光部分が、ポジ型では
露光部分が現像液により除去されて、レリーフイメージ
が形成される。本発明の現像方法によれば、エポキシ含
有物質を含むアルカリ可溶性フォトレジスト組成物によ
り形成されるビアを有するレリーフイメージを、良好に
得ることができる。得られたレリーフイメージを利用し
て、その後公知の種々の処理を行い、回路を形成するこ
とができる。
【００３５】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
るが、かかる実施例は例示のために記載され、本発明の
範囲を何ら制限するものではない。 実施例 現像試験 ノボラック樹脂を約２５重量％、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂を約３０重量％、溶剤を約４０重量％、開始
剤などの成分を約５重量％含むフォトレジストを使用し
て実験を行った。スピンコーターを用い、約１０ミクロ
ンの厚さに塗布した。コンベクションオーブン中で９０
℃で３０分、ベーキングした後、ＵＳＨＩＯ ＵＶ１０
００ＳＡ（ウシオ電機株式会社製）を使用し、１０００
ｍＪで露光した。その後７０℃で２０分ベーキングした
後、３５℃で２−３分間現像し、脱イオン水で３分間リ
ンスした。
るが、かかる実施例は例示のために記載され、本発明の
範囲を何ら制限するものではない。 実施例 現像試験 ノボラック樹脂を約２５重量％、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂を約３０重量％、溶剤を約４０重量％、開始
剤などの成分を約５重量％含むフォトレジストを使用し
て実験を行った。スピンコーターを用い、約１０ミクロ
ンの厚さに塗布した。コンベクションオーブン中で９０
℃で３０分、ベーキングした後、ＵＳＨＩＯ ＵＶ１０
００ＳＡ（ウシオ電機株式会社製）を使用し、１０００
ｍＪで露光した。その後７０℃で２０分ベーキングした
後、３５℃で２−３分間現像し、脱イオン水で３分間リ
ンスした。
【００３６】比較例１
現像液として、以下の組成のものを用い、形成された５
０−２０ミクロンのビア形状を金属顕微鏡または走査型
電子顕微鏡で観察した。 クエン酸 ０．００５Ｍ キレート剤 ０．００５Ｍ ＣａＣｌ２・Ｈ２Ｏ ０．００５Ｍ ＫＯＨ溶液 ０．４２Ｎ Ｔｒｉｔｏｎ ＱＳ−４４ ３ｇ／Ｌ 注）キレート剤としては、１−ヒドロキシエチリデン−
１，１−ジホスホン酸を使用し、０．００５Ｍ加えた。
Ｔｒｉｔｏｎ ＱＳ−４４は界面活性剤であり、ユニオ
ンカーバイド社製の、オクチルフェノキシポリエトキシ
エチルホスフェートである。また添加量は製品としての
重量である。得られたビアのプロフィルはアンダーカッ
トを示していた。
０−２０ミクロンのビア形状を金属顕微鏡または走査型
電子顕微鏡で観察した。 クエン酸 ０．００５Ｍ キレート剤 ０．００５Ｍ ＣａＣｌ２・Ｈ２Ｏ ０．００５Ｍ ＫＯＨ溶液 ０．４２Ｎ Ｔｒｉｔｏｎ ＱＳ−４４ ３ｇ／Ｌ 注）キレート剤としては、１−ヒドロキシエチリデン−
１，１−ジホスホン酸を使用し、０．００５Ｍ加えた。
Ｔｒｉｔｏｎ ＱＳ−４４は界面活性剤であり、ユニオ
ンカーバイド社製の、オクチルフェノキシポリエトキシ
エチルホスフェートである。また添加量は製品としての
重量である。得られたビアのプロフィルはアンダーカッ
トを示していた。
【００３７】実施例および比較例
比較例１で使用した現像液において、表中に示した種類
および量の界面活性剤を使用し、他の成分は変えずに、
同様の実験を行った。実施例Ｎｏ．においてＣを付すも
のは比較例であり、Ｅを付すものは実施例である。
および量の界面活性剤を使用し、他の成分は変えずに、
同様の実験を行った。実施例Ｎｏ．においてＣを付すも
のは比較例であり、Ｅを付すものは実施例である。
【００３８】
【表１】
【００３９】注）ＭＥＧＡＦＡＣ Ｆ１７９は大日本イ
ンキ化学株式会社製の、パーフルオロアルキル基含有オ
リゴマーである。ＭＥＧＡＦＡＣ Ｆ１６０は大日本イ
ンキ化学株式会社製の、パーフルオロアルキルアミノス
ルホン酸塩である。Ｐｈｏｓｐｈａｎｏｌは、いずれも
東邦化学工業株式会社製の、特殊リン酸エステル型界面
活性剤である。ポリティ ＰＳ−１９００は、ライオン
株式会社製の、ポリスチレンスルホン酸型高分子アニオ
ン性界面活性剤である。リン酸水素二カリウムは、和光
純薬工業株式会社製の試薬を使用した。Ｅｔｈｏｍｅｅ
ｎ Ｃ−３５は、ライオン・アクゾ株式会社製の、エト
キシル化（１５）ココアルキルアミンである。Ｓｕｒｆ
ｏｎｉｃ Ｎ−１０２は、Ｈｕｎｔｓｍａｎ Ｃｏｒ
ｐ．製のノニルフェノールの１０．２モルエチレンオキ
サイド付加物である。Ｉｇｅｐａｌ ＣＯ−７３０は、
ローヌ・プラン社製のポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテルである。
ンキ化学株式会社製の、パーフルオロアルキル基含有オ
リゴマーである。ＭＥＧＡＦＡＣ Ｆ１６０は大日本イ
ンキ化学株式会社製の、パーフルオロアルキルアミノス
ルホン酸塩である。Ｐｈｏｓｐｈａｎｏｌは、いずれも
東邦化学工業株式会社製の、特殊リン酸エステル型界面
活性剤である。ポリティ ＰＳ−１９００は、ライオン
株式会社製の、ポリスチレンスルホン酸型高分子アニオ
ン性界面活性剤である。リン酸水素二カリウムは、和光
純薬工業株式会社製の試薬を使用した。Ｅｔｈｏｍｅｅ
ｎ Ｃ−３５は、ライオン・アクゾ株式会社製の、エト
キシル化（１５）ココアルキルアミンである。Ｓｕｒｆ
ｏｎｉｃ Ｎ−１０２は、Ｈｕｎｔｓｍａｎ Ｃｏｒ
ｐ．製のノニルフェノールの１０．２モルエチレンオキ
サイド付加物である。Ｉｇｅｐａｌ ＣＯ−７３０は、
ローヌ・プラン社製のポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテルである。
【００４０】上記の試験結果から明らかなように、ホス
フェートであるフッ素非含有界面活性剤およびフッ素含
有界面活性剤の両者を含む場合にのみ良好な結果が得ら
れる。
フェートであるフッ素非含有界面活性剤およびフッ素含
有界面活性剤の両者を含む場合にのみ良好な結果が得ら
れる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 神田 隆
新潟県北蒲原郡笹神村大字女堂字金屋原
300 シプレイ・ファーイースト株式会社
笹神工場内
(72)発明者 近藤 正樹
新潟県北蒲原郡笹神村大字女堂字金屋原
300 シプレイ・ファーイースト株式会社
笹神工場内
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 AA27 BA20 GA08
GA09 GA11
5F046 LA12
Claims (6)
- 【請求項１】アルカリビルダー、ホスホン酸またはホス
フェートであるフッ素非含有界面活性剤、およびフッ素
含有界面活性剤とを含む、フォトレジスト用現像液。 - 【請求項２】アルカリビルダーが水酸化カリウムであ
る、請求項１記載の現像液。 - 【請求項３】フッ素非含有界面活性剤がオクチルフェノ
キシポリエトキシエチルホスフェートである、請求項１
または２記載の現像液。 - 【請求項４】フッ素含有界面活性剤がパーフルオロアル
キル基含有オリゴマー、パーフルオロアルキルスルホン
酸塩、およびこれらの混合物からなる群から選択され
る、請求項１から３のいずれか１項記載の現像液。 - 【請求項５】１）基体上に、エポキシ含有物質を含むア
ルカリ可溶性フォトレジスト組成物を塗布し、 ２）基体上のフォトレジスト組成物の層を露光し、現像
し、フォトレジストレリーフイメージを得ることを含
む、フォトレジストレリーフイメージの形成方法であっ
て、現像液が請求項１から４のいずれか１項記載の現像
液である、フォトレジストレリーフイメージの形成方
法。 - 【請求項６】１）基体上に、エポキシ含有物質を含むア
ルカリ可溶性フォトレジスト組成物を塗布し、 ２）基体上のフォトレジスト組成物の層を露光し、露光
部分を硬化し、現像し、フォトレジストレリーフイメー
ジを得ることを含む、フォトレジストレリーフイメージ
の形成方法であって、現像液が請求項１から４のいずれ
か１項記載の現像液である、フォトレジストレリーフイ
メージの形成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382220A JP2003195518A (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | フォトレジスト用現像液 |
| AU2002366469A AU2002366469A1 (en) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | Developing solution for photoresist |
| PCT/JP2002/013103 WO2003052519A1 (fr) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | Solution de developpement pour resine photosensible |
| CNA028275721A CN1618042A (zh) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | 光致抗蚀剂用显影液 |
| TW091136317A TW200301408A (en) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | Developing solution for photoresist |
| KR10-2004-7009187A KR20040074087A (ko) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | 포토레지스트용 현상액 |
| US10/498,724 US20050112503A1 (en) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | Developing solution for photoresist |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382220A JP2003195518A (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | フォトレジスト用現像液 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003195518A true JP2003195518A (ja) | 2003-07-09 |
Family
ID=19187428
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001382220A Withdrawn JP2003195518A (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | フォトレジスト用現像液 |
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|---|---|
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| AU (1) | AU2002366469A1 (ja) |
| TW (1) | TW200301408A (ja) |
| WO (1) | WO2003052519A1 (ja) |
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| JP2008016780A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
| WO2010134639A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | 株式会社トクヤマ | レジストパターンの形成方法および現像液 |
| JP7218027B1 (ja) | 2022-06-09 | 2023-02-06 | 竹本油脂株式会社 | 可溶化剤、可溶化製剤、及び現像液組成物 |
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| US20040170925A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-09-02 | Roach David Herbert | Positive imageable thick film compositions |
| US7402373B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-07-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | UV radiation blocking protective layers compatible with thick film pastes |
| KR20070034519A (ko) * | 2004-05-27 | 2007-03-28 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 광감성 중합체 보호층용 현상제 |
| KR101209049B1 (ko) | 2004-12-24 | 2012-12-07 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을 포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법 |
| US7094523B1 (en) * | 2005-11-30 | 2006-08-22 | Kesheng Feng | Developer solution and process for use |
| CN101441422B (zh) * | 2007-11-22 | 2011-04-27 | 乐凯集团第二胶片厂 | 热敏阳图ctp版用显影液 |
| JP5206622B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2013-06-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた金属微細構造体の製造方法 |
| US20120129093A1 (en) | 2010-11-18 | 2012-05-24 | Moshe Levanon | Silicate-free developer compositions |
| CN102314098A (zh) * | 2011-05-10 | 2012-01-11 | 刘华礼 | 一种热敏ctp版显影液及其制备方法 |
| KR101920766B1 (ko) | 2011-08-09 | 2018-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| DE102013105972B4 (de) * | 2012-06-20 | 2016-11-03 | Lg Display Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung |
| US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
| US20170066208A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10134588B2 (en) * | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| KR102092026B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2020-03-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 현상액 조성물 |
| US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
| KR102863608B1 (ko) * | 2022-07-05 | 2025-09-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속 함유 포토레지스트 현상액 조성물, 및 이를 이용한 현상 단계를 포함하는 패턴 형성 방법 |
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-
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- 2001-12-14 JP JP2001382220A patent/JP2003195518A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-12-13 TW TW091136317A patent/TW200301408A/zh unknown
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