JP2003186054A - 液晶表示セル - Google Patents
液晶表示セルInfo
- Publication number
- JP2003186054A JP2003186054A JP2001383662A JP2001383662A JP2003186054A JP 2003186054 A JP2003186054 A JP 2003186054A JP 2001383662 A JP2001383662 A JP 2001383662A JP 2001383662 A JP2001383662 A JP 2001383662A JP 2003186054 A JP2003186054 A JP 2003186054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- film
- transparent
- display cell
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 107
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 105
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 17
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 49
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 19
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 18
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 13
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 12
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 11
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- -1 r + Chemical class 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 5
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 150000001767 cationic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001411 inorganic cation Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 4
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002891 organic anions Chemical class 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- XJICSIOHTZMUNE-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCO[Ti](OCCCCCCCC)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CCCCCCCCO[Ti](OCCCCCCCC)(OC(C)C)OC(C)C XJICSIOHTZMUNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 6-fluoro-3-methyl-2h-indazole Chemical compound FC1=CC=C2C(C)=NNC2=C1 JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCIFJWVZZUDMRL-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCCCOC(=O)C=C OCIFJWVZZUDMRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100193637 Oryza sativa subsp. japonica RAG2 gene Proteins 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N butane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(O)CCO OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- ZDXQHTDPMDIGFJ-UHFFFAOYSA-N ethanolate;lead(2+) Chemical compound CCO[Pb]OCC ZDXQHTDPMDIGFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005287 vanadyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133337—Layers preventing ion diffusion, e.g. by ion absorption
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133357—Planarisation layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
高コントラスト、大画面表示などに適用できる液晶表示
セルを提供する。 【解決手段】 少なくとも一方の基板の表面には透明電
極膜、透明被膜および配向膜が順次積層されてなる一対
の透明電極膜付基板が、それぞれの透明電極膜同士が対
向するように所定の間隔をあけて配置され、この一対の
透明電極膜付基板の間にあけられた間隙に液晶が封入さ
れている液晶表示セルにおいて、(i)前記透明被膜がマ
トリックス(A)とイオン吸着性無機酸化物微粒子
(B)からなり、(ii)該イオン吸着性無機酸化物微粒子
の平均粒子径が1nm〜50nmの範囲にあり、(iii)
前記配向膜の平均表面粗さが7nm以下であり、(iv)前
記液晶が強誘電液晶または反強誘電液晶であることを特
徴とする液晶表示セル。
Description
高視野角性、双安定メモリー性、高コントラスト、大画
面表示などに優れた液晶表示セルに関する。
TOなどの透明電極膜、ポリイミドなどの高分子からな
る配向膜が順次積層されている一対の透明電極膜付基板
を、それぞれの透明電極膜同士が対向するようにスペー
サを介して対向させ、このスペーサによって所定の間隔
に開けられた隙間に液晶を封入した液晶表示セルが知ら
れている。
液晶セル内部に混入した異物やスペーサによって配向膜
が傷つけられ、その結果、上下の電極間に導通が生じ、
この導通に起因する表示不良が発生することがある。こ
のため、上記のような液晶表示セルでは、透明電極膜付
基板の透明電極膜と配向膜との間に絶縁膜を形成するこ
とが提案されている(特開昭60−260021号公
報、特開平1−150116号公報、特開平2−221
923号公報など参照)。
は、配向膜としてはポリイミド樹脂などの疎水性の強い
樹脂が多く用いられている。このような疎水性の強い樹
脂からなる配向膜を絶縁膜上に形成すると、絶縁膜と配
向膜との密着性が不充分となり、液晶表示セルに表示む
らが生じることがあった。このため、本願出願人の一人
は特開平4−247427号公報において、配向膜との
密着性に優れた絶縁膜を形成するために、特定の粒子径
を有する無機化合物を含む塗布液を提案している。
消費電力の低減を図るべく液晶材料の改良が進められて
いる。この消費電力の低減のために液晶材料として、低
い閥値電圧を示す極性の強い官能基を持つ液晶が用いら
れるようになってきている。しかしながら、このような
液晶を用いたパネルは、従来の液晶表示装置用パネルよ
りも液晶中の可動イオンによる表示不良の問題がある。
このため、液晶中の可動イオン(イオン性不純分)を低
減することが行われているが、高度にかつ効果的に除去
することが困難であり、消費電力の低減や表示不良の課
題は解決にいたっていない。
0−169766号公報において、イオン吸着能を有す
る微粒子を含む透明被膜を透明電極膜上に形成すること
で、該微粒子によって、可動イオンが吸着除去され、そ
の結果、消費電力が少なくて済み、なおかつ、表示不良
のない液晶表示セルが得られることを提案している。加
えて、来る21世紀には、マルチメディアネットワーク
の発展に伴い、伝送される情報量は103〜106倍とな
ることが予測されており、液晶表示装置には美しい動画
表示が可能であることが求められている。
の応答時間はミリ秒のオーダーであるため、きれいな動
画表示ができず、高速応答性に優れた液晶ディスプレイ
として強誘電液晶(FLC)等を用いたLCDパネルの
実用化研究が展開されている。この強誘電液晶を用いた
ディスプレイは通常セル厚を薄くし表面安定化状態で使
用され、この場合マイクロ秒の高速応答性、広視野角、
双安定メモリー性を有していると言われている。
配向膜界面状態の影響を受けることにより構造欠陥が発
生し、ディスプレイの表示品位が不充分となる問題点が
あった。本発明者の一人は、非常に平滑な低プレティル
ト配向膜を用いることにより、前記構造欠陥が発生しな
いことを見いだしてこれを開示している。(小林ら、月
刊ディスプレイ、59頁、1999年9月号)しかしな
がら、透明電極膜など下地基板の表面状態によっては無
欠陥状態を得ることが困難な場合があり、再現性よく充
分に平滑な表面を有する配向膜を得ることが困難であっ
た。さらに、表示パネルに衝撃等が加わった場合に、配
向性(結晶性)が壊れて表示性能が低下したり表示でき
なくなることがあった。
地基板について鋭意検討した結果、特定の粒子径範囲に
あるイオン吸着性無機酸化物微粒子を含んでなる透明被
膜上に配向膜を形成した場合、前記した従来の技術にお
ける問題点を解決するとともに、表面の平滑性に優れた
配向膜が得られ、このため液晶の配向性が向上するため
に構造欠陥が発生せず、ある程度の衝撃に対しても安定
な配向性を示し、液晶層中の可動イオン量を低減できる
ので動作電圧を低くできるとともに電圧保持率を向上で
きるなど液晶セルの電気光学特性を向上できることを見
いだし、本発明を完成するに至った。
液晶の配向性がよく、高速応答性、高視野角、双安定メ
モリー性、高コントラスト、大画面表示などに適用でき
る液晶表示セルを提供することを目的としている。
も一方の基板の表面には透明電極膜、透明被膜および配
向膜が順次積層されてなる一対の透明電極膜付基板が、
それぞれの透明電極膜同士が対向するように所定の間隔
をあけて配置され、この一対の透明電極膜付基板の間に
あけられた間隙に液晶が封入されている液晶表示セルに
おいて、(i)前記透明被膜がマトリックス(A)とイオ
ン吸着性無機酸化物微粒子(B)からなり、(ii)該イオ
ン吸着性無機酸化物微粒子の平均粒子径が1nm〜50
nmの範囲にあり、(iii)前記配向膜の平均表面粗さが
7nm以下であり、(iv)前記液晶が強誘電液晶または反
強誘電液晶であることを特徴としている。
はカイラルスメクティック液晶であることが好ましい。
前記強誘電液晶または反強誘電液晶とともに、さらに高
分子安定化剤を含んでいることが好ましい。前記高分子
安定化剤としては、光官能樹脂が好適である。
ついて具体的に説明する。 [液晶表示セル]本発明に係る液晶表示セルは、少なくと
も一方の基板の表面には透明電極膜、透明被膜および配
向膜が順次積層されてなる一対の透明電極膜付基板が、
それぞれの透明電極膜同士が対向するように所定の間隔
をあけて配置され、この一対の透明電極膜付基板の間に
あけられた間隙に液晶が封入されている。
を参照して具体的に説明する。図1は、本発明に係る液
晶表示セルの一態様例を模式的に表す断面図である。こ
の液晶表示セル1は、ガラス基板11の表面に透明電極
膜12、透明被膜13および配向膜14が順次積層され
てなる一対の透明電極膜付基板2、2が、それぞれの透
明電極膜12、12同士が対向するように所定の間隔d
を開けて配置され、この所定間隔dに開けられた各透明
電極膜12付き基板の隙間に液晶4が封入されて形成さ
れている。透明電極膜12間には所定の間隔dを開ける
ために。複数のスペーサ粒子5が介在していてもよい。
成用塗布液を透明電極膜12が形成された基板上に塗布
・乾燥することにより形成した膜である。従ってこの膜
は、表面が極めて平坦であり、表面硬度が高く、透明性
および耐擦傷性に優れ、絶縁抵抗が高く、透明被膜13
と配向膜14との密着性が良好である上に、液晶パネル
中の可動イオンを効果的に低減することができる。
ラス基板11と透明電極膜12との間にさらにSiO2
膜などのアルカリパッシベーション膜を形成した透明電
極膜付基板を用いてもよいなど、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で様々な変形が可能である。なお、本発明で透
明電極膜、透明被膜および配向膜の表面の平滑性に関し
ていう「平均表面粗さ」は、JIS B 0601-1982に準拠
し、この中心線平均粗さ(Ra)の2倍、即ち2(Ra)で表
示した。また、このときの表面の凹凸・高低は原子間力
顕微鏡(AMF)(セイコー電子工業(株)製:SPI
3700)によって測定した。 [透明電極膜12]ガラス基板表面に形成された透明電
極膜12としては、ITOなどの導電性酸化物、金、銀
などの金属等、従来公知の透明電極膜を用いることがで
きる。このとき、透明電極膜の平均表面粗さは特に制限
はないが30nm以下、さらに好ましくは10nm以下
である。平均表面粗さが30nmを越えると、最終的に
得られる(透明被膜上に形成される)配向膜の表面平均
粗さが7nm以下とならないことがあり、強誘電液晶を
用いる場合に構造欠陥を生じて表示性能が低下すること
がある。
や塗布法などの公知の方法で製造することができる。透
明電極膜の厚さは導通が保持でき、透明性を損なわない
程度の厚さであればよい。 [透明被膜13]透明被膜は、前記透明電極膜上に形成
されており、(A)マトリックス成分と(B)イオン吸
着性無機酸化物微粒子からなり、絶縁膜として機能す
る。
の範囲にあることが好ましい。さらに好ましくは30〜
200nmの範囲である。透明被膜の膜厚が前記下限未
満の場合は、透明被膜中にピンホール欠陥、さらに膜の
はじき等による未塗布箇所が生じやすくなり、絶縁膜と
しての機能を果たさないだけでなく、透明被膜表面の均
一な表面粗さが得られないことがある。
晶パネルの電圧駆動時に、透明被膜による電圧損失が増
大し、このため液晶パネルの消費電力が高くなり実用性
が低下する。透明被膜の細孔容積は、0.01〜0.3m
l/g、さらに好ましくは0.05〜0.2ml/gの範
囲にあり、平均細孔径が1〜10nm、さらに好ましく
は2〜8nmの範囲にある細孔を有していることが望ま
しい。
孔が少ないために無機酸化物粒子のイオン吸着能を充分
発現することが出来ず、0.3ml/gを超えると膜の
強度が不十分となることがある。また、平均細孔径が1
nm未満では、電圧を印加した際のイオンの拡散速度が
遅く、イオン吸着性無機酸化物粒子のイオン吸着能を充
分発現することが出来ないことがある。また、平均細孔
径が10nmを超えると膜の強度が不十分となることが
あり、また透明被膜表面の平均表面粗さが10nmを越
えることがある。
細孔径は、基板上に形成した透明被膜を剥離し、剥離し
た透明被膜についてN2吸着法によって測定される。こ
のような透明被膜を構成する(A)マトリックス成分と
しては、(a)アセチルアセトナトキレート化合物、
(b)有機ケイ素化合物、(c)ポリシラザンおよび
(d)金属アルコキシドから選ばれる1種または2種以
上のマトリックス形成成分から誘導されるものが望まし
い。
被膜形成性に優れるとともに、この(a)アセチルアセト
ナトキレート化合物から誘導されたマトリックス成分を
含んでいると、耐アルカリ性、耐酸性、耐塩水性、耐水
性、耐溶剤性等に優れた透明被膜を形成できる。また、
(b)有機ケイ素化合物から誘導されたマトリックス成分
を含む透明被膜は耐擦傷性、耐酸性、耐アルカリ性、耐
水性、および絶縁性に優れている。
マトリックス成分を含む透明被膜はクラックがほとんど
ない。 (d)金属アルコキシドから誘導されたマトリックス成分
を含む透明被膜は耐擦傷性、耐酸性、耐アルカリ性、耐
水性、および絶縁性に優れている。マトリックス形成成
分として2種以上併用する場合、マトリックス成分中の
(a)アセチルアセトナトキレート化合物、(b)有機
ケイ素化合物、(c)ポリシラザン、(d)金属アルコ
キシドに由来する成分をそれぞれ、酸化物、窒化物に換
算したとき、すなわち(a)アセチルアセトナトキレー
ト化合物由来成分を(M1Ox)で表し、(b)有機ケイ
素化合物由来成分を(SiO2)で表し、(c)ポリシラ
ザン由来成分を(SiN)で表し、(d)金属アルコキ
シド由来成分を(M2Ox)で表した時、各成分の重量比
が以下のような関係を満たしていることが好ましい。
む場合、前記重量比が0.001以上であると、耐アル
カリ性、耐酸性、耐塩水性、耐水性、耐溶剤性に優れた
被膜を得ることができる。一方重量比が10を越える
と、被膜の透明性が低下する傾向があり、また透明被膜
とこの上に形成される配向膜との密着性が低下する傾向
がある。
リシラザン由来成分と金属アルコキシド由来成分との配
合割合は、0≦M2Ox/(SiO2+SiN+M2Ox)≦
1.0であることが好ましい。(B)イオン吸着性無機
酸化物微粒子の平均粒子径は1nm〜50nmの範囲に
あり、さらに好ましい範囲は2〜40nmである。
均粒子径が上記範囲にあれば、透明電極膜の表面粗さに
拘わらず、10〜500nmの厚さで透明電極膜上に形
成した透明被膜は平均表面粗さが再現性よく10nm以
下の範囲となり、疎水性の配向膜との密着性に優れると
ともに、平均表面粗さが7nm以下、さらには3nm以
下の平滑な配向膜を再現性よく形成することができる。
このような無機酸化物微粒子の平均粒子径はレーザード
ップラー法またはTEM観察によって求めることができ
る。
微粒子としては、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、
SnO2、In2O3、Sb2O5等の無機酸化物、SiO2・A
l2O 3、SiO2・TiO2、In2O3・SnO2、Sb2O5・
SnO2、SnO2・In2O3・Sb2O5などの複合無機酸化
物あるいは固溶体などが挙げられる。さらに、これらの
2種以上の混合物も好適に用いることができる。
このような酸化物の中でも、結晶水(水酸基であっても
よい)を有しているものが望ましく、具体的には無機酸
化物をMOX・nH2Oと表した時に、付着水以外の結晶
水、構造水酸基、表面水酸基をH2Oに換算したときの
モル数nが0.02〜5の範囲で有している無機金属酸
化物微粒子が好ましい。さらに好ましい水のモル数nの
範囲は0.1〜5である。
の結晶水などの水のモル数nの値が0.02モル未満で
はイオン吸着容量が小さすぎて液晶中のイオンを効果的
に吸着することができず、5モルを越えて高いイオン吸
着性無機酸化物微粒子は得ることが困難であり、得られ
たとしても無機酸化物微粒子から水分子が脱離して液晶
の配向性を阻害することがある。
中の水のモル数nの値は、120℃で乾燥して恒量化し
たイオン吸着性無機酸化物微粒子の示差熱分析により、
500℃までに減少した水の量を、無機金属酸化物の合
計1モルあたりの水のモル数として計算することによっ
て求めることができる。さらに、上記(B)イオン吸着
性無機酸化物微粒子は、無機および/または有機イオ
ン、液晶中の不純物としてあるいは配向膜やシール剤か
ら溶出して液晶中に存在する無機および/または有機イ
オンを吸着しうる微粒子であって、イオン吸着容量が
0.1〜3.0mmol/gの範囲にあることが好まし
い。イオン吸着容量が前記下限より小さいと、液晶層中
の可動イオンの低減が不充分となり、高電圧保持特性が
低下し、信頼性が低下することがあり、また表示不良を
生じたり消費電力を低減できないことがある。また、イ
オン吸着容量が前記上限を越えて大きい(B)無機酸化
物微粒子は得ることが困難である。
子が吸着しうるイオンとしては、たとえば、Na+、
K+、Rb+、Cs+、Li+、Ag+、Mg+,Ca+、S
r+、Ba+、NH4 +などの無機カチオン、F-、Cl-、
SO4 2-などの無機アニオン、蟻酸イオン、酢酸イオン
などの有機アニオン、テトラエチルアンモニウムイオ
ン、テトラプロピルアンモニウムイオンなどの有機カチ
オンなどが挙げられる。
オン吸着容量は以下のような方法で測定される。(1)無機陽イオンの吸着容量の測定 濃度1重量%のNaCl水溶液100gに、120℃で
乾燥して恒量化したイオン吸着性無機酸化物微粒子1.
5gを加え、室温(25℃)で15時間撹拌した後、濾
過して濾液を採取し、濾液中のNaイオン濃度を原子吸
光法により分析し、元のNaCl水溶液のNaイオン濃
度との濃度差から、イオン吸着性無機酸化物微粒子の無
機陽イオン吸着量(mmol/g)を求めることができ
る。
乾燥して恒量化したイオン吸着性無機酸化物微粒子1.
5gを加え、室温(25℃)で15時間撹拌した後、濾
過して濾液を採取し、濾液中のClイオン濃度を原子吸
光法により分析し、元のNaCl水溶液のClイオン濃
度との濃度差から、イオン吸着性無機酸化物微粒子の無
機陰イオン吸着量(mmol/g)を求める。
サイド水溶液100gに、120℃で乾燥して恒量化し
たイオン吸着性無機酸化物微粒子1.5gを加え、室温
(25℃)で15時間撹拌した後、濾過して濾液を採取
し、濾液中のテトラメチルアンモニウムイオン濃度をイ
オンクロマト法により分析し、元の水溶液との濃度差か
ら、イオン吸着性微粒子の有機陽イオン吸着量(mmo
l/g)を求める。
して恒量化したイオン吸着性無機酸化物微粒子1.5g
を加え、室温(25℃)で15時間撹拌した後、濾過し
て濾液を採取し、濾液中の酢酸イオン濃度をイオンクロ
マト法により分析し、元の水溶液との濃度差から、イオ
ン吸着性無機酸化物微粒子の有機陰イオン吸着量(mm
ol/g)を求める。
着性無機酸化物微粒子以外の絶縁性または導電性の無機
化合物粒子を併用してもよい。この導電性無機酸化物微
粒子は、水または有機溶媒に分散したゾルの状態で用い
ることが好ましいが、無機酸化物微粒子を透明被膜形成
用塗布液中に単分散または単分散に近い状態で分散でき
ればゾル以外の状態にある無機酸化物微粒子を用いても
よい。
有量は、酸化物、窒化物換算で、30〜95重量%の範
囲にあることが好ましく、(B)イオン吸着性無機酸化
物粒子の含有量は、酸化物換算で、5〜70重量%の範
囲にあることが好ましい。このような範囲で、マトリッ
クス成分とイオン吸着性無機酸化物粒子が透明被膜中に
存在していると、透明被膜の表面に、さらにポリイミド
樹脂などの疎水性の強い樹脂からなる配向膜であっても
密着性よく形成できるとともに、液晶パネル中のイオン
を効果的に低減できる透明被膜が形成できる。透明電極
膜の表面粗さが30nm以下であれば、透明被膜の平均
表面粗さが10nm以下の平滑な透明被膜となり、さら
にポリイミド樹脂などの疎水性の強い樹脂からなる配向
膜が密着性よく形成できるとともに配向膜の平均表面粗
さが7nm以下の平滑な配向膜となり、構造欠陥を生じ
ることが無く液晶の配向性に優れた配向膜が得られる。
このため高速応答性、高視野角、双安定メモリー性、高
コントラスト、大画面表示性能などに優れた液晶表示セ
ルを得ることができる。
被膜中に存在していると、液晶中、配向膜中、シール剤
中に存在するあるいはこれらから溶出する無機カチオ
ン、無機アニオン、有機カチオン、有機アニオンを吸着
することができるので液晶層中のイオン濃度を実質的に
イオンが無い状態にすることができ、このため動作電圧
が低く、電圧保持率が高く、消費電力を少なくすること
ができる。
m以下であれば、透明被膜の平均表面粗さが10nm以
下の平滑な透明被膜を形成でき、さらにポリイミド樹脂
などの疎水性の強い樹脂からなる配向膜が密着性よく形
成できるとともに平均表面粗さが7nm以下の平滑な配
向膜を形成することが可能であり、構造欠陥を生じるこ
とがなく液晶の配向性に優れた配向膜が得ることが可能
である。なお、本発明で言う平均表面粗さは、JIS
B 0601−1982における下記中心線平均粗さ
(Ra)の2倍の値として示した。
に制限はないものの、たとえば以下に示す透明被膜形成
用塗布液を塗布・乾燥(必要に応じて焼成)することで
形成することができる。本発明に用いる透明被膜形成用
塗布液は、(A‘)マトリックス成分前駆体およびイオ
ン吸着性無機酸化物粒子が、水と有機溶媒とからなる混
合溶媒に分散されている。(A)マトリックス成分前駆体 (A)マトリックス成分前駆体としてはアセチルアセトナ
トキレート化合物、有機ケイ素化合物、ポリシラザンお
よび金属アルコキシドから選ばれる1種または2種以上
の混合物が使用される。
を配位子とするキレート化合物で、下記化学式(1)で
表される化合物またはその縮合体である。
aは0〜3であり、bは1〜4であり、Rは−CnH
2n+1(n=3または4)であり、Xは−CH3、−OC
H3、−C2H5または−OC2H5である。M1は周期率表
第IB族、第IIA、B族、第III A、B族、第IVA、B
族、第VA、B族、第VIA族、第VII A族、第VIII族か
ら選ばれる元素またはバナジル(VO)である。この
内、これらの元素などとa、bの好ましい組み合わせ
は、次表の通りである。〕
えばジブトキシ−ビスアセチルアセトナトジルコニウ
ム、トリブトキシ−モノアセチルアセトナトジルコニウ
ム、ビスアセチルアセトナト鉛、トリスアセチルアセト
ナト鉄、ジブトキシ−ビスアセチルアセトナトハフニウ
ム、モノアセチルアセトナト−トリブトキシハフニウム
などが挙げられる。
H2n+1または−C2H4OCnH2n+1であり、aは0ない
し3の整数であり、nは1ないし4の整数である。)で
示される有機ケイ素化合物が用いられる。
体的には、たとえばテトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、モノメチルトリメトキシシラン、モノエチ
ルトリエトキシシラン、モノエチルトリメトキシシラ
ン、モノメチルトリエトキシシランなどが好ましく用い
られる。これらの有機ケイ素化合物は、そのままの状態
でも、あるいは部分加水分解して用いてもよい。このよ
うな部分加水分解は、従来から行われている通常の方
法、たとえばメタノールまたはエタノールなどのアルコ
ールに有機ケイ素化合物を混合し、水と酸とを加えて部
分加水分解する方法などに従って得ることができる。
に用いる透明被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、得ら
れた被膜を乾燥・焼成すると、耐擦傷性、耐酸性、耐ア
ルカリ性、耐水性および絶縁性に優れた被膜が形成され
るとともに、ついで形成される配向膜の表面を極めて平
滑にすることが出来る。(c)金属アルコキシド また、金属アルコキシドとしては、M2(OR)n(式中、
M2は金属原子であり、Rはアルキル基または−CmH2m
O2(m=3〜10)であり、nはM2の原子価と同じ整
数である。)で表される化合物またはそれらの縮合体が
好ましく、これらの化合物またはその縮合体から選ばれ
る1種または2種以上を組み合わせて用いることができ
る。上記式中のM2は、金属であれば特に限定されるこ
とはないが、好ましいM2としては、Be、Al、Sc、T
i、V、Cr、Fe、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、
Y、Zr、Nb、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、P
b、Bi、CeまたはCuである。
体的には、テトラブトキシジルコニウム、ジイソプロポ
キシ−ジオクチルオキシチタニウム、ジエトキシ鉛など
が好ましく用いられる。上記金属アルコキシドを添加し
た透明被膜形成用塗布液を塗布・乾燥・焼成すると、こ
の金属アルコキシドの重合硬化により、耐擦傷性、耐酸
性、耐アルカリ性、耐水性および絶縁性に優れた被膜が
形成される。
繰り返し単位を有するポリシラザンが用いられる。
それぞれ水素原子または炭素原子数1〜8のアルキル基
である。〕 マトリックス成分前駆体として、前記式(3)で表され
るポリシラザンを用いる場合、アルキル基がメチル基、
エチル基、またはプロピル基であるポリシラザンが好ま
しい。この場合には、加熱時に分解するアルキル基がな
く、加熱時に膜の収縮が少なく、このため収縮ストレス
時にクラックが生じることが少なくなり、クラックのほ
とんどない表面平坦性に優れた透明被膜が得られる。
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンとが混合して含まれていてもよい。さらに、この
ようなポリシラザンの数平均分子量は、500〜10,
000、好ましくは1,000〜4,000の範囲にあ
ることが望ましい。数平均分子量が500未満では、加
熱硬化時に低分子量のポリシラザンが揮発し、得られた
透明被膜が多孔質になりやすく、また、分子量が10,
000を越えると、塗布液の流動性が低下する傾向があ
り、透明被膜の表面平坦性が低下する傾向がある。
用しても、あるいは2種以上混合して使用してもよい。透明被膜形成用塗布液組成 本発明で好適に使用できる透明被膜形成用塗布液は、
(A)マトリックス形成成分と(B)イオン吸着性無機
酸化物粒子とが水と有機溶媒からなる混合溶媒に均一に
溶解または分散されている。
れる有機溶媒としては、アルコール類、エーテル類、グ
リコール類、ケトン類などから選ばれる公知の有機溶媒
が使用される。このような有機溶媒は、単独で、または
2種以上を混合して使用してもよい。上記塗布液中の固
形分濃度は、(A)マトリックス成分前駆体および
(B)イオン吸着性無機酸化物粒子を酸化物、窒化物に
換算した合計値で、15重量%以下であることが好まし
い。この値が15重量%を越えると、塗布液の保存安定
性が低下する傾向があり、一方、この固形分濃度が極端
に低いと、透明被膜の膜厚によっても異なるが、目的の
膜厚を得るのに多数回の塗布操作を繰り返すことが必要
となるので、固形分濃度は0.1重量%以上が実用的で
ある。
窒化物換算で、形成した透明被膜中に、30〜95重量
%となるような量で塗布液中に含まれていることが好ま
しい。また、(B)イオン吸着性無機酸化物粒子は、酸
化物換算で、形成した透明被膜中に、5〜70重量%と
なるような量で塗布液中に含まれていることが好まし
い。
粒子が透明被膜中に存在していると、この塗布液から得
られた透明被膜の表面に、さらにポリイミド樹脂などの
疎水性の強い樹脂からなる配向膜であっても密着性よく
形成できるとともに、液晶パネル中のイオンを効果的に
低減できる透明被膜が形成でき、70重量%を越えると
透明被膜と透明電極膜との密着性が低下したり透明被膜
の平均表面粗さが10nm以下にならないことがある。
性無機酸化物粒子以外の絶縁性または導電性の無機化合
物微粒子が含まれている場合も、塗布液には、イオン吸
着性無機酸化物粒子とイオン吸着性無機酸化物粒子以外
の微粒子は、形成した透明被膜中に酸化物、窒化物の合
計として5〜70重量%の範囲の量で存在していること
が好ましい。
0重量%の範囲であることが好ましい。この値が0.1
重量%未満であると、アセチルアセトナトキレート化合
物、有機ケイ素化合物、ポリシラザンおよび金属アルコ
キシドの加水分解、縮重合、および複合化などが充分に
なされず、得られる被膜の耐擦傷性、耐久性が低下する
傾向にあり、また、水分濃度が50重量%を越えると、
塗布時に塗布液が基材からはじかれやすくなり、被膜を
形成しにくくなることがある。
る(A)マトリックス形成前駆体と(B)イオン吸着性
無機酸化物粒子との混合割合、(A)マトリックス成分
前駆体に含まれる金属種、(B)イオン吸着性無機酸化
物粒子の種類などによって、得られる被膜の屈折率およ
び誘電率を自由にコントロールすることができる。この
ようにして透明電極膜付基板の透明電極膜上に屈折率が
コントロールされた透明被膜を形成することにより、た
とえばこの上に形成される配向膜の屈折率より高くして
電極などが透けて見えるのを防止することができる。
上記のような透明膜形成用塗布液をディッピング法、ス
ピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印
刷などの方法で塗布し、ついで常温〜90℃で乾燥し、
さらに200℃以上、場合によっては300℃以上に加
熱して硬化するなどの方法によりにより形成することが
できる。
膜は、次のような方法で硬化促進処理が施されていても
よい。硬化促進処理として具体的には、上記塗布工程ま
たは乾燥工程の後に、あるいは乾燥工程中に、未硬化段
階の被膜に可視光線よりも波長の短い電磁波を照射した
り、未硬化段階の被膜を、硬化反応を促進するガス雰囲
気中に晒したりする処理が挙げられる。
射する電磁波としては、具体的には紫外線、電子線、X
線、γ線などが例示され、特に紫外線が好ましい。紫外
線を照射する処理を行う際には、たとえば、発光強度が
約250nmと360nmとにおいて極大となり、光強
度が10mW/cm2以上である高圧水銀ランプを紫外
線源として使用し、100mJ/cm2以上、好ましく
は1000mJ/cm2以上のエネルギー量の紫外線を
照射することが望ましい。
化反応を促進するガスとしては、たとえばアンモニア、
オゾンなどが例示される。またこのようなガス処理を行
う場合、未硬化段階の被膜を、ガス濃度が100〜10
0,000ppm、好ましくは1000〜10,000
ppmである上記活性ガス雰囲気下に、1〜60分曝す
ことが望ましい。
ても同様の効果が得られる。上述したような硬化促進処
理を行うと、透明被膜中に含まれるアセチルアセトナト
キレート化合物、有機ケイ素化合物、ポリシラザン、金
属アルコキシドなどの縮重合、複合化が促進されると同
時に、膜中に残存する水および溶媒の蒸発も促進され
る。このため、次の加熱工程において必要とされる加熱
温度、加熱時間などの加熱硬化条件が緩和され、透明被
膜付基材の製造を効率よく進めることができる。
いる配向膜は、その平均表面粗さが7nm以下であり、
好ましくは3nm以下である。配向膜の平均表面粗さが
7nmを越えると、液晶の配向が不均一となり構造欠陥
(ジグザグ欠陥)を生じることがあるので表示性能が低
下する問題がある。
ド樹脂からなる配向膜が好ましい。ポリイミド樹脂は平
均表面粗さが小さく、平滑性に優れた配向膜が得られや
すい。このようなポリイミド樹脂としては、たとえば、
日産化学工業(株)製:SE−150、RN1199、
チッソ(株)製:RIXON ARIGHNER PIA
-2910などが推奨される。
面粗さが10nm以下の透明被膜上に形成されており、
配向膜の平均表面荒さが7nm以下、好ましくは3nm
以下である。配向膜の平均表面荒さが7nm以下であれ
ば強誘電液晶、反強誘電液晶を用いた場合にも構造欠陥
(ジグザグ欠陥)を生じることが無く、高速応答性、高
視野角、双安定メモリー性、高コントラスト、大画面表
示性能などに優れた液晶表示セルを得ることができる。
成用樹脂塗料をフレキソ印刷法、ディッピング法、スピ
ンコート法、スプレー法、ロールコーター法等により塗
布し、乾燥し、ついで加熱処理する従来公知の方法によ
って形成することができる。中でもスピンコート法、フ
レキソ印刷法は平均表面粗さが小さく、平滑性に優れた
配向膜が得られやすいので好ましい。
塗料としては、前記したポリイミド樹脂の前駆体、たと
えばポリアミック酸を、必要に応じてジメチルアセトア
ミドなどの有機溶媒に分散溶解させた溶液を用いること
もできる。このような溶液を配向膜形成用樹脂塗料とし
て用いると、平均表面粗さが小さく、平滑性に優れた配
向膜が得られやすい。なお、このような場合は、最終的
に加熱処理してポリイミド化することが必要である。
液晶としては強誘電液晶または反強誘電液晶が好適に用
いられる。このような液晶は、ネマティック液晶が分子
配列の変化によるのと異なり、電圧の正または負の極性
により双極子の方向、すなわち液晶分子の向きを瞬時に
切り替えることができ、高速応答性に優れるほか、メモ
リー特性や双安定性を有している。
かでもカイラルスメクティック液晶が推奨され、カイラ
ルスメクティックC層(SmC*)、H層(SmH*)、
I層(SmI*)、J層(SmJ*)、K層(Sm
K*)、G層(SmG*)、F層(SmF*)などの液晶
が挙げられる。このような強誘電性液晶として具体的に
は下記のような強誘電性液晶が挙げられ、このとき液晶
分子の自発分極の絶対値が2〜500nC/cm2、さ
らには3〜200nC/cm2範囲にあることが好まし
い。
は、使用温度、液晶の粘度によっても異なるが応答速度
が不充分となることがある。自発分極の絶対値が前記範
囲を越えると、液晶の粘度が高くなる傾向にあり、この
場合も応答速度が不充分となることがある。上記した強
誘電液晶として、たとえば下記式で示すもの等が例示さ
れる。
ましく用いることができる。また、前記反強誘電液晶と
しては下記のものを例示することができる。
て、V字型スイッチング特性(駆動印加の極性に対して
透過率が対象となる)または半V字型スイッチング特性
(駆動印加の極性に対して透過率が対象とならない)を
示す強誘電液晶セルとして用いることもできる。高分子安定剤 本発明の液晶表示セルでは、前記液晶と共に高分子安定
化剤が含まれていてもよい。高分子安定化剤としては高
分子樹脂が用いれ、高分子安定化剤を含んでいると前記
V字型スイッチング特性または半V字型スイッチング特
性を示す液晶層を容易に形成することができる。
は、用いる液晶の種類によっても異なるが、液晶と高分
子定化剤の合計重量中液晶安定化剤が1〜30重量%、
さらには2〜10重量%の範囲にあることが好ましい。
高分子安定化剤の割合が1重量%未満の場合は、液晶の
種類によって異なるが、液晶層をたとえばSmC*層に
安定に保持できない場合があり、紫外線を照射しても前
記V字型スイッチング特性または半V字型スイッチング
特性を示す強誘電液晶セルが得られないことがある。高
分子安定化剤の割合が30重量%を越えて多い場合は高
分子安定化剤が多すぎて高速応答性、高視野角、双安定
メモリー性、コントラスト等が低下する傾向にある。
脂が用いられるが、中でも光官能樹脂が好ましく、特に
紫外線あるいは電子線硬化性の1価あるいは多価アクリ
レートモノマー、メタクリレートモノマーこれらの混合
物は好適である。具体的には、1,6ヘキサンジオールア
クリレート、2-(2-エトキシエトキシ)エチルアクリレ
ート、ステアリルアクリレート、1,3-ブタンジオールア
クリレート、シクロヘキシルメタクリレート、インデシ
ルメタクリレート等が挙げられる。
たとえば前記紫外線硬化樹脂モノマーと液晶を配合し、
これを透明電極膜付基板間に封入し、電圧を印可して前
記(SmC*)、(SmH*)、(SmI*)など無欠陥
状態の液晶層を保持した状態で紫外線を照射し、紫外線
硬化樹脂モノマーを硬化させることによって得ることが
できる。
含む液晶層を有する液晶表示セルは、無欠陥状態の結晶
層を容易に形成できるとともに、長期に安定して維持す
ることができ、このため高速応答性、高視野角、双安定
メモリー性、コントラスト等に優れている。 [スペーサ]本発明の液晶表示セルには、前記対向して
配置した透明電極膜間および/または周縁部にスペーサ
を介在させることができる。スペーサとしては従来公知
のスペーサを用いることが出来、たとえばシリカ、アル
ミナなどの無機酸化物粒子、ポリオルガノシロキサン粒
子などの有機無機複合粒子あるいは有機樹脂粒子などを
用いることが出来る。このときのスペーサの平均粒子径
は用いる液晶のらせんピッチよりも小さいことが好まし
く、通常0.5〜10μmの範囲にあることが好まし
く、さらに好ましくは1〜5μmの範囲である。
の範囲にあって、液晶層の厚みを液晶のらせんピッチよ
りも薄くすることによって、液晶のらせん構造が解消さ
れて液晶分子が一方向に揃うようになる。このような状
態で液晶に直流電圧を加えると、電圧の正または負の極
性により双極子の方向、即ち液晶分子の方向を切り替え
ることができる。本発明で、液晶として前記した強誘電
液晶あるいは反強誘電液晶を用いると、この切り替え時
間がネマティック液晶素子などに比べて非常に早く、マ
イクロ秒のオーダーの高速応答性を有する液晶表示セル
が得られる。
列状態が保持されると言うメモリー特性や、液晶分子の
向きが二つの安定な状態となる双安定性を有する液晶表
示セルが得られる。本発明に係る液晶表示セルは、上記
のようにして、ガラス基板表面に透明電極膜を形成し、
ついで透明電極膜表面に透明被膜を形成し、さらに該透
明被膜表面に配向膜を形成したのち、必要に応じてラビ
ング方向が平行になるように配向膜を1方向に1回ラビ
ング処理して、得られた一対の透明電極膜付き基板を、
一方の基板の周縁部(液晶注入口を除く)に封止材を印
刷し、さらに必要に応じて、スペーサ粒子を散布し、基
板を透明電極膜同士が互いに対向するように貼り合わ
せ、液晶及び必要に応じて高分子安定剤を注入し、つい
で注入口を封止材で封止することで作成することができ
る。
脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、ま
た前記したようにスペーサ粒子が含まれていてもよい。
晶表示セルを構成する透明被膜は特定の粒子径範囲にあ
るイオン吸着性無機酸化物粒子を含んでいるために、透
明電極膜上に形成される透明被膜表面は平滑性に優れ、
さらに該透明被膜上に形成される疎水性の配向膜との密
着性にも優れている。また、透明被膜上に形成される配
向膜の表面も極めて平滑であるので、液晶の配向性に優
れている。特に、高分子安定化剤を用いて液晶が形成さ
れているので長期にわたって構造欠陥が発生することが
なく、従って、本発明に係る液晶表示セルを用いると高
速応答性、双安定メモリー性、耐衝撃性等に優れた表示
装置が得られる。
オン吸着能を有する無機酸化物粒子を含んでいるため、
液晶層中等の可動イオンを吸着して低減することがで
き、このため動作電圧が低く、高電圧保持特性を有して
おり、消費電力を低減することができるとともに表示性
能に優れている。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
(SiO2濃度:28重量%)150gにブチルセロソル
ブ40g、ヘキシレングリコール304.4g、濃度6
1重量%の硝酸0.4gおよび純水15gを添加し室温
で2時間撹拌した。これに両イオン交換樹脂(三菱化学
(株)製:ダイヤイオン)15gを添加し1時間撹拌し
て脱イオンした後両イオン交換樹脂を除去してエチルシ
リケートの部分加水分解物(オリゴマー)分散液を得
た。
均粒径20nmの五酸化アンチモン微粒子(Sb2O5・
2.7H2O、イオン吸着容量2.4mmol/g)をヘ
キシレングリコールに均一分散させた固形分濃度10重
量%の無機イオン吸着性微粒子ゾル90gを加えて30
分間攪拌した。ついで、ジイソプロポキシ-ジオクチル
オキシチタニウムのイソプロピルアルコール溶液(Ti
O2濃度:10重量%)60g、トリブトキシ-モノアセ
チルアセトナトジルコニウムのブタノール溶液(ZrO2
濃度:13.5重量%)22.2g、ヘキシレングリコー
ル318gの混合物を加えて48時間撹拌し、固形分濃
度6.0重量%の透明被膜形成用塗布液(A)を調製し
た。
硝子(株)製:30Ω/□以下品、平均表面粗さ=26.
6nm)上にフレキソ印刷にて透明被膜形成用塗布液
(A)を塗布し、得られた塗膜を90℃で5分間乾燥さ
せた後、高圧水銀ランプで積算光量6,000mJ/cm
2(365nm用センサにて測定)の条件で紫外線を照
射し、ついで300℃で30分間焼成を行ない透明被膜
(A)を形成した。得られた透明被膜(A)の膜厚を触
針式表面粗さ計で測定したところ70nmであった。
す。液晶表示セルの作成 つぎに、透明被膜(A)上にポリイミド膜形成用塗料
(日産化学(株)製:RN1199)をフレキソ印刷法
で塗布し、100℃で5分間乾燥した後、240℃で3
0分間加熱処理して配向膜(ポリイミド膜)を形成し
た。このとき、配向膜の平均表面粗さおよび下記の密着
性を測定した。結果を表2に示す。
なるように配向膜を1方向に1回ラビング処理して、硝
子基板上に透明電極膜、透明被膜(A)およびラビング
処理した配向膜が順次積層した一対の透明電極膜付き基
板を得た。得られた一対の透明電極膜付き基板を、一方
の基板のシール部にエポキシ樹脂とシリカ微粒子(触媒
化成工業(株)製 SW−D1、平均粒子径1.8μm)
からなるシーリング用のシール材を印刷し、これらの基
板を透明電極膜同士が互いに対向するように貼り合わ
せ、強誘電液晶(Clariant Japan 社製:FELIX M4851/1
00,応答時間38μs、チルト角30.5(室温))を注入
し、ついで注入口を封止材で封止して液晶層の厚みが2
μmの液晶表示セル(A)を作成した。
記の方法で可動イオン量、表示ムラ、構造欠陥の有無、
耐衝撃性について評価した。結果を表2に示す。密着性 配向膜の表面にナイフで縦横1mmの間隔で11本の平
行な傷を付け100個の升目を作り、これにセロハンテ
ープ(商標)を接着し、ついで、セロハンテープ(商
標)を剥離したときに配向膜が剥離せず残存している升
目の数を、以下の4段階に分類して密着性を評価した。
密度測定機(東陽テクニカ社製:MTR-1)を用い
て、印加電圧10V、三角波周波数0.1Hzの条件で測
定した。
り配向した液晶の構造欠陥の有無を観察した。 欠陥が全く認められないもの :○ 欠陥がわずかに認められるもの:△ 欠陥が多く認められるもの :×耐衝撃性 上記構造欠陥が全く認められなかったものについて、1
0cmの高さからセルを落とす落下テストにより衝撃を
与え、上記と同様に構造欠陥の有無を観察した。
し、透明被膜の平均表面粗さを測定した。合計10枚の
透明被膜平均表面粗さの平均値は6.9nm、最大値は7.3n
m、最小値は6.8nmであった。
をそれぞれ形成し、合計10枚の配向膜表面粗さを測定
した。合計10枚の配向膜平均表面粗さの平均値は2.2n
m、最大値は2.3nm、最小値は2.1nmであった。
(触媒化成工業(株)製:USBゾル)を乾燥して得た
平均粒子径25nm、イオン吸着容量0.5mmol/
gのシリカ・アルミナ微粒子(0.75SiO2・0.25Al2
O3・0.3H2O)を用いた以外は実施例1と同様にして透
明被膜形成用塗布液(B)を調製した。ついで、実施例
1と同様にして、透明被膜、配向膜を形成し、配向膜の
平均表面粗さおよび密着性を測定した。
様にして液晶表示セル(B)を作成した。得られた液晶
表示セル(B)について、可動イオン量、構造欠陥の有
無、耐衝撃性について評価した。結果を表2に示す。
ち、液晶層に、光官能樹脂モノマーとしてアクリレート
モノマーUCL-003(大日本インキ(株)製)を6
重量%配合した強誘電液晶(Clariant Japan 社製:FEL
IX M4851/100,応答時間38μs、チルト角30.5(室
温))を封入し、液晶セルに電圧(交流電圧:振幅±1
0V、三角波周波数2kHZ)を印可したまま紫外線
(UV波長;365nm、照射強度;2mW/cm2)
を240秒間照射して液晶層の厚みが2μmの液晶表示
セル(C)を作成した。
動イオン量、構造欠陥の有無、耐衝撃性について評価し
た。結果を表2に示す。
(SiO2濃度 28重量%)160gにブチルセロソル
ブ40g、ヘキシレングリコール304.4g、濃度6
1重量%の硝酸0.4gおよび純水15gを添加し室温
で2時間撹拌した。これに両イオン交換樹脂(三菱化学
(株)製:ダイヤイオン)15gを添加し1時間撹拌し
て脱イオンした後両イオン交換樹脂を除去してエチルシ
リケートの部分加水分解物(オリゴマー)分散液を得
た。
チルオキシチタニウムのイソプロピルアルコール溶液
(TiO2濃度:10重量%)90g、トリブトキシ-モ
ノアセチルアセトナトジルコニウムのブタノール溶液
(ZrO2濃度:13.5重量%)44.4g、ヘキシレン
グリコール265.8gの混合物を加えて48時間撹拌
し、固形分濃度6.0重量%の透明被膜形成用塗布液
(B)を調製した。
を用いた以外は実施例1と同様にして液晶表示セル
(D)を作成した。得られた液晶表示セル(D)につい
て、可動イオン量、構造欠陥の有無、耐衝撃性について
評価した。結果を表2に示す。
し、透明被膜の平均表面粗さを測定した。合計10枚の
透明被膜平均表面粗さの平均値は12.5nm、最大値は15.3
nm、最小値は11.8nmであった。また、前記各透明被膜
(E)の上に配向膜(E)をそれぞれ形成し、合計10枚の配
向膜表面粗さを測定した。合計10枚の配向膜平均表面
粗さの平均値は3.5nm、最大値は4.1nm、最小値は2.9nm
であった。
80P、平均粒子径80nmを乾燥して得られたシリカ
粒子(SiO2・0.1H2O))を用いた以外は実施例1と
同様にして透明被膜形成用塗布液(C)を調製した。つ
いで、この透明被膜形成用塗布液(C)を用いた以外は
実施例1と同様にして液晶表示セル(E)を作成した。
動イオン量、構造欠陥の有無、耐衝撃性について評価し
た。結果を表2に示す。
と同様にして液晶表示セル(F)を作成した。得られた
液晶表示セル(F)について、可動イオン量、構造欠陥
の有無、耐衝撃性について評価した。
す。
Claims (4)
- 【請求項1】少なくとも一方の基板の表面には透明電極
膜、透明被膜および配向膜が順次積層されてなる一対の
透明電極膜付基板が、それぞれの透明電極膜同士が対向
するように所定の間隔をあけて配置され、この一対の透
明電極膜付基板の間にあけられた間隙に液晶が封入され
ている液晶表示セルにおいて、(i)前記透明被膜がマト
リックス(A)とイオン吸着性無機酸化物微粒子(B)
からなり、(ii)該イオン吸着性無機酸化物微粒子の平均
粒子径が1nm〜50nmの範囲にあり、(iii)前記配
向膜の平均表面粗さが7nm以下であり、(iv)前記液晶
が強誘電液晶または反強誘電液晶であることを特徴とす
る液晶表示セル。 - 【請求項2】前記強誘電液晶がスメクティック液晶また
はカイラルスメクティック液晶であることを特徴とする
請求項1に記載の液晶表示セル。 - 【請求項3】前記強誘電液晶または反強誘電液晶と、さ
らに高分子安定化剤を含むことを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の液晶表示セル。 - 【請求項4】前記高分子安定化剤が光官能樹脂であるこ
とを特徴とする請求項に記載の液晶表示セル。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383662A JP2003186054A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 液晶表示セル |
| KR10-2004-7009378A KR20040066913A (ko) | 2001-12-17 | 2002-12-10 | 액정 표시 셀 |
| PCT/JP2002/012916 WO2003052505A1 (fr) | 2001-12-17 | 2002-12-10 | Cellule d'affichage a cristaux liquides |
| CNA02825192XA CN1605043A (zh) | 2001-12-17 | 2002-12-10 | 液晶显示单元 |
| EP02788769A EP1465005A4 (en) | 2001-12-17 | 2002-12-10 | LIQUID CRYSTAL DISPLAY CELL |
| US10/499,045 US20050046782A1 (en) | 2001-12-17 | 2002-12-10 | Liquid crystal display cell |
| TW091136245A TW200301393A (en) | 2001-12-17 | 2002-12-16 | Liquid crystal display cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383662A JP2003186054A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 液晶表示セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003186054A true JP2003186054A (ja) | 2003-07-03 |
Family
ID=19187613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001383662A Pending JP2003186054A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 液晶表示セル |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050046782A1 (ja) |
| EP (1) | EP1465005A4 (ja) |
| JP (1) | JP2003186054A (ja) |
| KR (1) | KR20040066913A (ja) |
| CN (1) | CN1605043A (ja) |
| TW (1) | TW200301393A (ja) |
| WO (1) | WO2003052505A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008075419A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Fujitsu Limited | 液晶表示素子及びそれを用いた電子ペーパー |
| CN104098725A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种组合物、取向层及其制备方法、液晶取向单元、液晶显示面板 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006019032A1 (ja) * | 2004-08-17 | 2008-05-08 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| TWI318235B (en) * | 2005-08-29 | 2009-12-11 | Univ Chung Yuan Christian | Liquid crystal composite material |
| TW200742610A (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-16 | Tpk Touch Solutions Inc | Method of hiding transparent electrodes on a transparent substrate |
| WO2008133082A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Ube Industries, Ltd. | 片面が平滑性のポリイミドフィルム |
| FR2934380B1 (fr) * | 2008-07-25 | 2010-09-03 | Nemoptic | Procede de realisation de dispositifs a cristaux liquides nematiques bistables. |
| KR101915499B1 (ko) * | 2016-06-07 | 2018-11-08 | 주식회사 엘지화학 | 입자의 도포방법 |
| US11971560B2 (en) | 2018-07-20 | 2024-04-30 | 3M Innovative Properties Company | Optical film including polymeric optical reflector and discontinuous transparent coating |
| CN109976017B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-09-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US11502104B2 (en) | 2019-08-15 | 2022-11-15 | Sandisk Technologies Llc | Antiferroelectric memory devices and methods of making the same |
| US11430813B2 (en) | 2019-08-15 | 2022-08-30 | Sandisk Technologies Llc | Antiferroelectric memory devices and methods of making the same |
| CN114614244B (zh) * | 2020-12-04 | 2023-09-08 | 上海中航光电子有限公司 | 一种液晶天线及其制作方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0836165A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子及びそれを用いた液晶装置 |
| JP3771619B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2006-04-26 | 駿介 小林 | 液晶表示素子 |
| JPH11119263A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Citizen Watch Co Ltd | 反強誘電性液晶パネルの製造方法 |
| JP4744657B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2011-08-10 | 日揮触媒化成株式会社 | 透明イオンゲッター膜形成用塗布液、被膜付基材および液晶表示セル |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001383662A patent/JP2003186054A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-10 EP EP02788769A patent/EP1465005A4/en not_active Withdrawn
- 2002-12-10 KR KR10-2004-7009378A patent/KR20040066913A/ko not_active Withdrawn
- 2002-12-10 WO PCT/JP2002/012916 patent/WO2003052505A1/ja not_active Ceased
- 2002-12-10 US US10/499,045 patent/US20050046782A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-10 CN CNA02825192XA patent/CN1605043A/zh active Pending
- 2002-12-16 TW TW091136245A patent/TW200301393A/zh unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008075419A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Fujitsu Limited | 液晶表示素子及びそれを用いた電子ペーパー |
| CN104098725A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种组合物、取向层及其制备方法、液晶取向单元、液晶显示面板 |
| US9329437B2 (en) | 2014-06-05 | 2016-05-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Composition, alignment layer and method for preparing same, liquid crystal alignment unit and liquid crystal display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003052505A1 (fr) | 2003-06-26 |
| US20050046782A1 (en) | 2005-03-03 |
| TW200301393A (en) | 2003-07-01 |
| KR20040066913A (ko) | 2004-07-27 |
| EP1465005A4 (en) | 2006-06-21 |
| EP1465005A1 (en) | 2004-10-06 |
| CN1605043A (zh) | 2005-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003186054A (ja) | 液晶表示セル | |
| CN102317848B (zh) | 喷墨涂布用液晶取向剂、液晶取向膜及液晶显示元件 | |
| CN101523280A (zh) | 硅类液晶取向剂及液晶取向膜 | |
| CN102449115A (zh) | 制备可变透射比的表面涂层的方法以及包括该表面涂层的电光装置 | |
| JP4860263B2 (ja) | 透明被膜形成用塗布液、該被膜付基材および液晶表示セル | |
| JP2967944B2 (ja) | 透明被膜形成用塗布液、被膜付基材および液晶表示セル | |
| JP3139093B2 (ja) | 被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材 | |
| JP4744657B2 (ja) | 透明イオンゲッター膜形成用塗布液、被膜付基材および液晶表示セル | |
| JP3913483B2 (ja) | 液晶表示セル | |
| JP2006003571A (ja) | Ips用カラーフィルタおよび液晶表示装置 | |
| JP2001348531A (ja) | 透明イオンゲッター膜形成用塗布液、該膜付基材および液晶表示セル | |
| JP4033620B2 (ja) | スペーサ粒子および該スペーサ粒子を用いた液晶表示装置 | |
| JP2010012642A (ja) | 低反射部材及び製法 | |
| DE2916670A1 (de) | Verfahren zur herstellung von fluessigkristall-anzeigen | |
| JP2003149653A (ja) | 液晶表示セルおよびシール剤 | |
| JP3210513B2 (ja) | 液晶表示素子用基板 | |
| JP3153281B2 (ja) | 液晶分子の垂直配向処理方法 | |
| JPS6262328B2 (ja) | ||
| JPH0618855A (ja) | 液晶シャッター | |
| JP2790196B2 (ja) | 液晶構成体 | |
| WO2010109316A1 (en) | Optical memory device based on dhlfc material and method of preparing the same | |
| JPS61151617A (ja) | 液晶ライトバルブ | |
| KR100406814B1 (ko) | 광여기적 친수성막과 그 제조방법 | |
| JPH0588208A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2889656B2 (ja) | 液晶表示素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040910 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050425 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050713 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050909 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051026 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20051118 |