JP2003183012A - 基板上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する方法 - Google Patents
基板上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する方法Info
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- JP2003183012A JP2003183012A JP2001383275A JP2001383275A JP2003183012A JP 2003183012 A JP2003183012 A JP 2003183012A JP 2001383275 A JP2001383275 A JP 2001383275A JP 2001383275 A JP2001383275 A JP 2001383275A JP 2003183012 A JP2003183012 A JP 2003183012A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積や曲面などに対してもサブミクロから
数ミリまでの任意の大きさのパターニングが可能であ
り、しかも面倒なエッチング処理や原版を必要とせず、
非接触方式で耐摩耗性に優れ、大量生産に適した工業的
に有利なカーボンナノチューブのパターニング方法を提
供する 【解決手段】基板上に予め触媒を配列させ、該触媒配列
箇所でカーボンナノチューブの形成・合成反応を行う
数ミリまでの任意の大きさのパターニングが可能であ
り、しかも面倒なエッチング処理や原版を必要とせず、
非接触方式で耐摩耗性に優れ、大量生産に適した工業的
に有利なカーボンナノチューブのパターニング方法を提
供する 【解決手段】基板上に予め触媒を配列させ、該触媒配列
箇所でカーボンナノチューブの形成・合成反応を行う
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン化された
カーボンナノチューブの形成方法に関するものである。
カーボンナノチューブの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電性の金属パターンを形成する
方法として、金属箔のエッチング法、フォトリソーエッ
チング法、金属ペーストの印刷法、などが知られてい
る。しかし、金属箔のエッチング法では微細な線幅が作
りにくく、せいぜい５０μｍ程度のものしか得られず、
また、フォトリソーエッチング法ではサブミクロンオー
ダの線幅は作成できるものの金属膜形成に蒸着、スパッ
タなどの真空プロセスを必要とし、またこれらの方法で
はエッチング処理が不可欠であるという問題がある。ま
た金属ペーストによる印刷法では使用できる基板がアル
ミナやセラミックスなどに限定されてしまい、その自由
度が制約されるという難点があった。
方法として、金属箔のエッチング法、フォトリソーエッ
チング法、金属ペーストの印刷法、などが知られてい
る。しかし、金属箔のエッチング法では微細な線幅が作
りにくく、せいぜい５０μｍ程度のものしか得られず、
また、フォトリソーエッチング法ではサブミクロンオー
ダの線幅は作成できるものの金属膜形成に蒸着、スパッ
タなどの真空プロセスを必要とし、またこれらの方法で
はエッチング処理が不可欠であるという問題がある。ま
た金属ペーストによる印刷法では使用できる基板がアル
ミナやセラミックスなどに限定されてしまい、その自由
度が制約されるという難点があった。
【０００３】一方、カーボンナノチューブなどの導電性
物質を樹脂などのバインダーと混合し印刷によってパタ
ーニングする方法も知られているが、この方法では超微
細化に際して原板の作成精度に一定の限界があり、また
接触型の製法であるため耐摩耗性に問題がある。また、
カーボンナノチューブをエレクトロニクス用の材料とし
て取り扱う場合、基板上にカーボンナノチューブを含ん
だ希薄溶液を滴下し基板上にランダムに配列されたナノ
チューブに対し都合のよい部分に電極を設ける方法や、
走査型顕微鏡などを用いて一本一本のナノチューブをハ
ンドリングして任意の場所や移動させたり、配列させる
方法などが知られているが、これらの方法は、実験室レ
ベルでは有効であるにしても大量生産を前提にした工業
化に適する方法とは言えなかった。
物質を樹脂などのバインダーと混合し印刷によってパタ
ーニングする方法も知られているが、この方法では超微
細化に際して原板の作成精度に一定の限界があり、また
接触型の製法であるため耐摩耗性に問題がある。また、
カーボンナノチューブをエレクトロニクス用の材料とし
て取り扱う場合、基板上にカーボンナノチューブを含ん
だ希薄溶液を滴下し基板上にランダムに配列されたナノ
チューブに対し都合のよい部分に電極を設ける方法や、
走査型顕微鏡などを用いて一本一本のナノチューブをハ
ンドリングして任意の場所や移動させたり、配列させる
方法などが知られているが、これらの方法は、実験室レ
ベルでは有効であるにしても大量生産を前提にした工業
化に適する方法とは言えなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の実情に鑑みなされたものであって、大面積
や曲面などに対してもサブミクロから数ミリまでの任意
の大きさのパターニングが可能であり、しかも面倒なエ
ッチング処理や原版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗
性に優れ、大量生産に適した工業的に有利なカーボンナ
ノチューブのパターニング方法を提供することを目的と
する。
な従来技術の実情に鑑みなされたものであって、大面積
や曲面などに対してもサブミクロから数ミリまでの任意
の大きさのパターニングが可能であり、しかも面倒なエ
ッチング処理や原版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗
性に優れ、大量生産に適した工業的に有利なカーボンナ
ノチューブのパターニング方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、基板上に予め触媒
を配列させておき、ついで該触媒上でカーボンナノチュ
ーブの形成反応（触媒反応）を行う方法が有効であるこ
とを知見し、本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明によれば、以下の発明が提供される。 （１）基板上にパターン化されたカーボンナノチューブ
を形成する方法において、予め基板上にカーボンナノチ
ューブ合成用触媒を配列させ、該触媒配列箇所でカーボ
ンナノチューブの形成反応を行うことを特徴とする基板
上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する
方法。 （２）触媒含有液をインクジェット法で基板上に配列さ
せることを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （３）上記（１）又は（２）に記載の方法でパタニーン
グされた基板を備えた電子デバイス。 （４）上記（１）又は（２）に記載の方法でパタニーン
グされた基板を備えた走査型プローブ。
を解決するために鋭意検討した結果、基板上に予め触媒
を配列させておき、ついで該触媒上でカーボンナノチュ
ーブの形成反応（触媒反応）を行う方法が有効であるこ
とを知見し、本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明によれば、以下の発明が提供される。 （１）基板上にパターン化されたカーボンナノチューブ
を形成する方法において、予め基板上にカーボンナノチ
ューブ合成用触媒を配列させ、該触媒配列箇所でカーボ
ンナノチューブの形成反応を行うことを特徴とする基板
上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する
方法。 （２）触媒含有液をインクジェット法で基板上に配列さ
せることを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （３）上記（１）又は（２）に記載の方法でパタニーン
グされた基板を備えた電子デバイス。 （４）上記（１）又は（２）に記載の方法でパタニーン
グされた基板を備えた走査型プローブ。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の主たる特徴は、基板上に
パターン化されたカーボンナノチューブを形成するに当
たり、基板上に予め触媒を配列させ、該触媒配列箇所で
カーボンナノチューブの形成反応・合成反応を行う点に
ある。
パターン化されたカーボンナノチューブを形成するに当
たり、基板上に予め触媒を配列させ、該触媒配列箇所で
カーボンナノチューブの形成反応・合成反応を行う点に
ある。
【０００７】本発明において、パターン化されたカーボ
ンナノチューブを基板上に設けるには、予め基板上に配
列させたカーボンナノチューブ合成触媒上にカーボンナ
ノチューブの原料を導入し、該触媒上でカーボンナノチ
ューブの合成反応を行えばよい。カーボンナノチューブ
の原料としては、基板上に配列させた触媒の存在下でカ
ーボンナノチューブを生成するものであれば、従来公知
のものが何れも使用できる。このような原料としては、
アセチレン、エチレン、エタン、プロピレン、プロパ
ン、ベンゼンなどの炭化水素ガスを挙げることができ
る。
ンナノチューブを基板上に設けるには、予め基板上に配
列させたカーボンナノチューブ合成触媒上にカーボンナ
ノチューブの原料を導入し、該触媒上でカーボンナノチ
ューブの合成反応を行えばよい。カーボンナノチューブ
の原料としては、基板上に配列させた触媒の存在下でカ
ーボンナノチューブを生成するものであれば、従来公知
のものが何れも使用できる。このような原料としては、
アセチレン、エチレン、エタン、プロピレン、プロパ
ン、ベンゼンなどの炭化水素ガスを挙げることができ
る。
【０００８】触媒としては、従来公知のカーボンナノチ
ューブ合成用触媒が全て使用できる。このような触媒と
しては、例えば、周期律表第V族〜VIII族の金属、具体
的にはニッケル、コバルト、モリブデン、鉄、銅、バナ
ジウム、パラジウムなどの遷移金属触媒が挙げられる。
ューブ合成用触媒が全て使用できる。このような触媒と
しては、例えば、周期律表第V族〜VIII族の金属、具体
的にはニッケル、コバルト、モリブデン、鉄、銅、バナ
ジウム、パラジウムなどの遷移金属触媒が挙げられる。
【０００９】本発明においては、かかる触媒を、適宜な
方法でその触媒液に調製する。触媒液の調製方法として
は、例えば界面活性剤を含む有機溶媒に加えた後還元し
超微粒子状の触媒金属微粒子を含むマイクロエマルジョ
ンとする方法などが例示される。
方法でその触媒液に調製する。触媒液の調製方法として
は、例えば界面活性剤を含む有機溶媒に加えた後還元し
超微粒子状の触媒金属微粒子を含むマイクロエマルジョ
ンとする方法などが例示される。
【００１０】この場合、有機溶媒としては、アルコー
ル、ケトン、エステル、炭化水素などが、界面活性剤と
してはジデシルジメチルアンモニウムブロミドなどのカ
チオン性界面活性剤等が挙げられる。
ル、ケトン、エステル、炭化水素などが、界面活性剤と
してはジデシルジメチルアンモニウムブロミドなどのカ
チオン性界面活性剤等が挙げられる。
【００１１】本発明において、これらの触媒液を基板上
に配列させるには、前記したように触媒金属を含有する
触媒液を調製し、インクジェットなどの方法により該触
媒液を基板上に付着させればよい。
に配列させるには、前記したように触媒金属を含有する
触媒液を調製し、インクジェットなどの方法により該触
媒液を基板上に付着させればよい。
【００１２】本発明方法において用いる基板としては、
従来公知のものが何れも使用できる。このような基板の
例としては、たとえば、シリコン、SiC、金属、ガラ
ス、セラミックスなどを挙げることができる。
従来公知のものが何れも使用できる。このような基板の
例としては、たとえば、シリコン、SiC、金属、ガラ
ス、セラミックスなどを挙げることができる。
【００１３】以下に、カーボンナノチューブのパターニ
ング法について詳細に説明する。
ング法について詳細に説明する。
【００１４】［触媒の調製］トルエンなどの有機溶媒中
にたとえばジドデシルメチルアンモニウムブロミドなど
の界面活性剤を溶解した液にたとえば塩化コバルト溶液
を導入する。撹拌後水素化ホウ素ナトリウムなどの還元
剤を添加しコバルトを還元しコバルトナノ粒子を調製す
る。ついでこの溶液にトリメチルホスフィンを加え撹拌
した後、トルエンを除去する。つぎに、エタノールなど
のアルコールを加え沈殿物を生成させ、この沈殿物を洗
浄し、適宜溶媒に溶解させて触媒液を調製する。
にたとえばジドデシルメチルアンモニウムブロミドなど
の界面活性剤を溶解した液にたとえば塩化コバルト溶液
を導入する。撹拌後水素化ホウ素ナトリウムなどの還元
剤を添加しコバルトを還元しコバルトナノ粒子を調製す
る。ついでこの溶液にトリメチルホスフィンを加え撹拌
した後、トルエンを除去する。つぎに、エタノールなど
のアルコールを加え沈殿物を生成させ、この沈殿物を洗
浄し、適宜溶媒に溶解させて触媒液を調製する。
【００１５】［触媒液の基板への配列］つぎに前記で調
製した触媒溶液をたとえばキャピラリー内に導入し、基
板とキャピラリー間距離をたとえば５ｃｍ以下に保つ。
ついで、基板とキャピラリー内に導入した電極間に電圧
パルスを印加し触媒の液滴を基板上に配列させる。この
インクジェット法でパターニングされた触媒はたとえば
４００℃で数時間たとえば希釈水素流中で還元される。
製した触媒溶液をたとえばキャピラリー内に導入し、基
板とキャピラリー間距離をたとえば５ｃｍ以下に保つ。
ついで、基板とキャピラリー内に導入した電極間に電圧
パルスを印加し触媒の液滴を基板上に配列させる。この
インクジェット法でパターニングされた触媒はたとえば
４００℃で数時間たとえば希釈水素流中で還元される。
【００１６】［カーボンナノチューブのパターニング］
基板上に配列された触媒上に、カーボンナノチューブの
原料たとえばアセチレンなどの炭素源を高温下で導入し
その配列された触媒上で合成反応を行えばパターン化さ
れたカーボンナノチューブを得る。
基板上に配列された触媒上に、カーボンナノチューブの
原料たとえばアセチレンなどの炭素源を高温下で導入し
その配列された触媒上で合成反応を行えばパターン化さ
れたカーボンナノチューブを得る。
【００１７】本発明方法により得られるカーボンナノチ
ューブがパターン化された基板は種々の分野例えば電子
デバイスやマイクロデバイスなどの機能材料・構造材料
に応用することができる。具体的には、大画面平面ディ
スプレイに用いられるフィールドエミッション用電子
銃、走査型プローブ（ＳＴＭ）などの短針、マイクロ用
細線、量子効果素子用細線、バイオデバイス材料、微小
構造体としての幅広い用途が期待できる。
ューブがパターン化された基板は種々の分野例えば電子
デバイスやマイクロデバイスなどの機能材料・構造材料
に応用することができる。具体的には、大画面平面ディ
スプレイに用いられるフィールドエミッション用電子
銃、走査型プローブ（ＳＴＭ）などの短針、マイクロ用
細線、量子効果素子用細線、バイオデバイス材料、微小
構造体としての幅広い用途が期待できる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 実施例１ トルエン９ｇ中にカチオン性界面活性剤であるジデシル
ジメチルアンモニウムブロミドを１ｇ溶かし１時間攪拌
した。次に塩化コバルト六水和物を１２mg溶液中に導入
し、さらに１時間攪拌した。得られる溶液は透明な水色
を示した。その後、０．００５Ｍの水素化ホウ素ナトリ
ウム水溶液を１５μl滴下するとコバルトが還元されナ
ノ粒子のコバルトが生成した。次にこの溶液にトリオク
チルホスフィンを加え８時間攪拌した後、真空蒸発によ
りトルエンを除いた。ついでエタノールを３０ml加え放
置して黒色の沈殿物を得た。上澄みを除いた沈殿物に、
エタノールを加え真空蒸発させ、再沈殿を３回行う。上
記の操作により余分な界面活性剤が除去した。つぎに、
ガラス管を直径１マイクロメートル程度に延伸切断した
ノズル（キャピラリー）内に上記触媒溶液を導入し、シ
リコン基板とキャピラリー間距離を０．１mmに保った。
ついで、キャピラリーに50 PSI以下の圧力を印可すると
ともに、基板とキャピラリー内に挿入した電極間に、５
msec〜２０msecの短時間の電圧パルスを印可し、触媒の
液滴を基板へ配列させた。このパターニングされた触媒
の電子顕微鏡写真を図１に示す。ついで、このパターニ
ングされた触媒を、４００℃で２時間希釈水素流中（H2
/N2=10vol％）、200cc/minで還元した後、この触媒上で
７００℃で１時間希釈アセチレン流中（C2H2/N2=1vol
％)、200cc/ｍinでの反応を行った。このようにして得
られた基板上にパターニングにされたパターニング材料
の100倍の走査型電子顕微鏡写真（SEM）を図２に示す。
図２からドット状にパターニングされたカーボンナノチ
ューブを得られていることが判る。図３は３０００倍に
拡大したもので、さらに図４は５万倍の拡大図で、これ
らの図から、本方法においては、触媒をパターニングし
た領域にのみマルチウォールカーボンナノチューブが生
成していることが判る。本例は、マルチウォールカーボ
ンナノチューブ用の触媒について例示したが、同様にシ
ングルウォールカーボンナノチューブの生成も、それに
適した触媒および合成条件を吟味することで、生成可能
である。
る。 実施例１ トルエン９ｇ中にカチオン性界面活性剤であるジデシル
ジメチルアンモニウムブロミドを１ｇ溶かし１時間攪拌
した。次に塩化コバルト六水和物を１２mg溶液中に導入
し、さらに１時間攪拌した。得られる溶液は透明な水色
を示した。その後、０．００５Ｍの水素化ホウ素ナトリ
ウム水溶液を１５μl滴下するとコバルトが還元されナ
ノ粒子のコバルトが生成した。次にこの溶液にトリオク
チルホスフィンを加え８時間攪拌した後、真空蒸発によ
りトルエンを除いた。ついでエタノールを３０ml加え放
置して黒色の沈殿物を得た。上澄みを除いた沈殿物に、
エタノールを加え真空蒸発させ、再沈殿を３回行う。上
記の操作により余分な界面活性剤が除去した。つぎに、
ガラス管を直径１マイクロメートル程度に延伸切断した
ノズル（キャピラリー）内に上記触媒溶液を導入し、シ
リコン基板とキャピラリー間距離を０．１mmに保った。
ついで、キャピラリーに50 PSI以下の圧力を印可すると
ともに、基板とキャピラリー内に挿入した電極間に、５
msec〜２０msecの短時間の電圧パルスを印可し、触媒の
液滴を基板へ配列させた。このパターニングされた触媒
の電子顕微鏡写真を図１に示す。ついで、このパターニ
ングされた触媒を、４００℃で２時間希釈水素流中（H2
/N2=10vol％）、200cc/minで還元した後、この触媒上で
７００℃で１時間希釈アセチレン流中（C2H2/N2=1vol
％)、200cc/ｍinでの反応を行った。このようにして得
られた基板上にパターニングにされたパターニング材料
の100倍の走査型電子顕微鏡写真（SEM）を図２に示す。
図２からドット状にパターニングされたカーボンナノチ
ューブを得られていることが判る。図３は３０００倍に
拡大したもので、さらに図４は５万倍の拡大図で、これ
らの図から、本方法においては、触媒をパターニングし
た領域にのみマルチウォールカーボンナノチューブが生
成していることが判る。本例は、マルチウォールカーボ
ンナノチューブ用の触媒について例示したが、同様にシ
ングルウォールカーボンナノチューブの生成も、それに
適した触媒および合成条件を吟味することで、生成可能
である。
【００１９】
【発明の効果】本発明方法は、大面積や曲面などに対し
てもサブミクロから数ミリまでの任意の大きさのパター
ニングが可能であり、しかも面倒なエッチング処理や原
版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗性に優れたもので
ある。従って、本発明方法は大量生産に適した工業的に
有利なパターニング方法ということができる。また、本
発明方法により得られるカーボンナノチューブがパター
ン化された基板は種々の分野に応用することができる。
具体的には、電子デバイスやマイクロデバイスなどの機
能材料・構造材料たとえば、大画面平面ディスプレイに
用いられるフィールドエミッション用電子銃、ＳＴＭな
どの短針、マイクロ用細線、量子効果素子用細線、バイ
オデバイス材料、微小構造体としての幅広い用途が期待
できる。
てもサブミクロから数ミリまでの任意の大きさのパター
ニングが可能であり、しかも面倒なエッチング処理や原
版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗性に優れたもので
ある。従って、本発明方法は大量生産に適した工業的に
有利なパターニング方法ということができる。また、本
発明方法により得られるカーボンナノチューブがパター
ン化された基板は種々の分野に応用することができる。
具体的には、電子デバイスやマイクロデバイスなどの機
能材料・構造材料たとえば、大画面平面ディスプレイに
用いられるフィールドエミッション用電子銃、ＳＴＭな
どの短針、マイクロ用細線、量子効果素子用細線、バイ
オデバイス材料、微小構造体としての幅広い用途が期待
できる。
【図１】 実施例１に係る基板上にパターニングされた
触媒の光学顕微鏡写真である。
触媒の光学顕微鏡写真である。
【図２】 実施例１に係る基板上にパターニングにされ
たカーボンナノチューブの走査型電子顕微鏡写真（１０
０倍）である。
たカーボンナノチューブの走査型電子顕微鏡写真（１０
０倍）である。
【図３】 実施例１にかかわる基板上にパターニングさ
れた触媒に対し、選択的に成長したカーボンナノチュー
ブの走査型顕微鏡写真（３０００倍）である。
れた触媒に対し、選択的に成長したカーボンナノチュー
ブの走査型顕微鏡写真（３０００倍）である。
【図４】 実施例１にかかわる基板上にパターニングさ
れた触媒に対し、選択的に成長したカーボンナノチュー
ブの走査型顕微鏡写真（５００００倍）である。
れた触媒に対し、選択的に成長したカーボンナノチュー
ブの走査型顕微鏡写真（５００００倍）である。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上にパターン化されたカーボンナノ
チューブを形成する方法において、予め基板上にカーボ
ンナノチューブ合成用触媒を配列させ、該触媒配列箇所
でカーボンナノチューブの形成反応を行うことを特徴と
する基板上にパターン化されたカーボンナノチューブを
形成する方法。 - 【請求項２】 触媒含有液をインクジェット法で基板上
に配列させることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の方法でパタニー
ングされた基板を備えた電子デバイス。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の方法でパタニー
ングされた基板を備えた走査型プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383275A JP2003183012A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 基板上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383275A JP2003183012A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 基板上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003183012A true JP2003183012A (ja) | 2003-07-03 |
Family
ID=27593375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001383275A Pending JP2003183012A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 基板上にパターン化されたカーボンナノチューブを形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003183012A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005059199A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 立体構造物の製造方法および微細立体構造物 |
| WO2010064699A1 (ja) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | ソニー株式会社 | 微粒子構造体／基体複合部材及びその製造方法 |
| US8021593B2 (en) | 2003-07-31 | 2011-09-20 | Sijtechnology, Inc. | Method of producing a three-dimensional structure and fine three-dimensional structure |
| JP2012211034A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001383275A patent/JP2003183012A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005059199A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 立体構造物の製造方法および微細立体構造物 |
| US8021593B2 (en) | 2003-07-31 | 2011-09-20 | Sijtechnology, Inc. | Method of producing a three-dimensional structure and fine three-dimensional structure |
| WO2010064699A1 (ja) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | ソニー株式会社 | 微粒子構造体／基体複合部材及びその製造方法 |
| JP2012211034A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
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