JP2003012777A - 白色電界発光高分子化合物およびこれを用いた有機電界発光素子 - Google Patents
白色電界発光高分子化合物およびこれを用いた有機電界発光素子Info
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の二量体カルバゾールよりさらに優れた
光伝導性、光起電性、光屈折性、電気的活性を有するカ
ルバゾール系高分子化合物からなる白色電界発光高分子
化合物およびこれを用いた有機電界発光素子を提供す
る。 【解決手段】 一般式１： 【化１】 で示される、主鎖に３，３’−ビカルバゾール構造を含
むことを特徴とする白色電界発光高分子化合物、および
これを用いた有機電界発光素子である。当該高分子化合
物は、環構造を含む主鎖にＮ，Ｎ'位置が置換された
３，３’−ビカルバゾール構造を導入することによっ
て、既存のポリマーブレンド系樹脂の限界を克服したも
のである。
光伝導性、光起電性、光屈折性、電気的活性を有するカ
ルバゾール系高分子化合物からなる白色電界発光高分子
化合物およびこれを用いた有機電界発光素子を提供す
る。 【解決手段】 一般式１： 【化１】 で示される、主鎖に３，３’−ビカルバゾール構造を含
むことを特徴とする白色電界発光高分子化合物、および
これを用いた有機電界発光素子である。当該高分子化合
物は、環構造を含む主鎖にＮ，Ｎ'位置が置換された
３，３’−ビカルバゾール構造を導入することによっ
て、既存のポリマーブレンド系樹脂の限界を克服したも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、白色電界発光高分
子化合物およびこれを用いた有機電界発光素子に関す
る。
子化合物およびこれを用いた有機電界発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】有機素材を用いた電界発光現象は、１９
６３年Ｐｏｐｅ等によって初めて発表され、続いて１９
８７年にＴａｎｇ等（Appl. Phys. Lett., 51 (1987) 9
13）によって、アルミニウムキノリン錯体であるＡｌｑ
3（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム）とい
うπ−共役構造の色素を用いて製作された緑色発光素子
が発表されている。この緑色発光素子は、１０Ｖ以下
で、量子効率が１％、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2の多層
構造をもつ高輝度高効率発光素子である。このような発
光素子が発表された後、さらに多くの研究が全世界で盛
んに行われている。特に低分子有機材料は、適切な分子
設計を達成しやすく、かつ合成経路が簡単であるため、
可視光領域の三原色である赤色、緑色および青色の発光
材料を多様に合成し得る長所がある。このような低分子
材料を表示素子として適用することによって、現在、単
純マトリックス方式のフルカラーディスプレーは約１０
インチ寸法の大きさが、そしてＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）技術を採用したアクティブマトリックス方式のカラ
ーディスプレーは約１３インチ寸法までの大きさが可能
である。
６３年Ｐｏｐｅ等によって初めて発表され、続いて１９
８７年にＴａｎｇ等（Appl. Phys. Lett., 51 (1987) 9
13）によって、アルミニウムキノリン錯体であるＡｌｑ
3（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム）とい
うπ−共役構造の色素を用いて製作された緑色発光素子
が発表されている。この緑色発光素子は、１０Ｖ以下
で、量子効率が１％、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2の多層
構造をもつ高輝度高効率発光素子である。このような発
光素子が発表された後、さらに多くの研究が全世界で盛
んに行われている。特に低分子有機材料は、適切な分子
設計を達成しやすく、かつ合成経路が簡単であるため、
可視光領域の三原色である赤色、緑色および青色の発光
材料を多様に合成し得る長所がある。このような低分子
材料を表示素子として適用することによって、現在、単
純マトリックス方式のフルカラーディスプレーは約１０
インチ寸法の大きさが、そしてＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）技術を採用したアクティブマトリックス方式のカラ
ーディスプレーは約１３インチ寸法までの大きさが可能
である。
【０００３】しかし、この時点で克服すべき最も大きな
問題は、素子の発光効率および寿命と言える。各色の単
色素子における寿命の具体例を挙げると、出光興産株式
会社製の青色素子が２０，０００時間、コダック社製の
緑色素子が５０，０００時間、コダック社製の赤色が２
０，０００時間であって、ある程度の長寿命が達成され
てはいる。しかしながらより優れたフルカラーディスプ
レーを実現するためには赤色や青色の発光効率をさらに
改善する必要があるが、依然として多くの問題がある。
問題は、素子の発光効率および寿命と言える。各色の単
色素子における寿命の具体例を挙げると、出光興産株式
会社製の青色素子が２０，０００時間、コダック社製の
緑色素子が５０，０００時間、コダック社製の赤色が２
０，０００時間であって、ある程度の長寿命が達成され
てはいる。しかしながらより優れたフルカラーディスプ
レーを実現するためには赤色や青色の発光効率をさらに
改善する必要があるが、依然として多くの問題がある。
【０００４】発光効率の改善においては、積層システム
を利用することによって高効率、高輝度の発光特性を可
能にすることができる。通常、積層システムとしては、
バッファー層、正孔輸送層（hole transporting laye
r；以下、ＨＴＬ）、電子輸送層（electron transporti
ng layer；以下、ＥＴＬ）、正孔遮断層（hole blockin
g layer；以下、ＨＢＬ）などからなる積層構造が挙げ
られる。
を利用することによって高効率、高輝度の発光特性を可
能にすることができる。通常、積層システムとしては、
バッファー層、正孔輸送層（hole transporting laye
r；以下、ＨＴＬ）、電子輸送層（electron transporti
ng layer；以下、ＥＴＬ）、正孔遮断層（hole blockin
g layer；以下、ＨＢＬ）などからなる積層構造が挙げ
られる。
【０００５】一方、発光素子が高分子の場合は、低分子
のものに比べて駆動電圧が２〜３Ｖ程度低いため、スピ
ンコーティングやロールコーティングにより、柔軟性を
有する基板上にも使用し得る長所がある。高分子からな
る発光素子は、低分子系物質に比べてまったく遜色ない
性能を発揮することができる。しかしながら、フルカラ
ー方式に適用する場合、インクジェットプリントによっ
て素子を塗り分けることができるという大きな利点を有
するものの、量産化システムに適用できる条件が未だ備
わっていないという欠点がある。また材料確保面におい
ては、特に長寿命、高純度の青色発光材料が確保されな
かったということが致命的な障害となっている。
のものに比べて駆動電圧が２〜３Ｖ程度低いため、スピ
ンコーティングやロールコーティングにより、柔軟性を
有する基板上にも使用し得る長所がある。高分子からな
る発光素子は、低分子系物質に比べてまったく遜色ない
性能を発揮することができる。しかしながら、フルカラ
ー方式に適用する場合、インクジェットプリントによっ
て素子を塗り分けることができるという大きな利点を有
するものの、量産化システムに適用できる条件が未だ備
わっていないという欠点がある。また材料確保面におい
ては、特に長寿命、高純度の青色発光材料が確保されな
かったということが致命的な障害となっている。
【０００６】一方、自動車用ドームライト、ＬＣＤのバ
ックライト、またはカラーフィルタと併合したフルカラ
ーディスプレー開発において、高効率の白色発光素子の
研究は重要な主題である。特に優れたフルカラー方式を
実現するために、高分子電界発光素子における白色光と
カラーフィルタの組合せが一つの重要な解決策と見なさ
れている。一般的に、白色発光現象を誘導するための方
法には大きく二つに分類される。第一の方法は、発光層
に使用する主物質に発光色素をドーピングさせる方法で
ある。この方法は、エネルギーバンドギャップの大きい
ホスト物質から相対的にエネルギーバンドギャップの小
さいドーパントにエネルギーが伝達されるか、または、
ドーパント部位にキャリアがトラッピングされて発光が
起こることによる方法であるが、前者の場合、エネルギ
ー伝達が不完全であるためホスト物質やドーパントが各
々発光してしまう。低分子系物質を積層してなる素子で
は最小３〜４枚の層を使用して白色発光を実現している
が、高分子系物質を用いる場合、高分子マトリックスに
色素（マトリックスより長波長発光の高分子または低分
子色素）を適当量混合して使用するが、その最適な条件
を見つけることが困難である。さらに高分子系物質を用
いる場合における最も大きな問題点の一つは長時間駆動
する際に生じる相分離によるデバイス特性の劣化と色相
の変化である。白色光において、色純度は最も重要な達
成されるべき要素の一つであり、色純度の安定性は何よ
りも重要であると考えられている。従って、相分離の起
こらない、つまり形態学的安定性を備えた高分子系物質
が切実に要求されているのが実情である。第二の方法
は、低分子系物質を積層してなる素子でのみ使用され得
る方法であって、励起子再結合領域の空間的な位置、す
なわちＨＴＬとＥＴＬとの間に、特定のキャリア（正孔
または電子）をブロッキングするための正孔遮断層を導
入することによって、各層の発光を別々に放出させる、
という方法である。しかしながら当該方法で純粋な白色
発光を実現するには、使用されるドーパントの濃度や各
層の厚さなどをよく考慮する必要があり、制御が困難で
ある。
ックライト、またはカラーフィルタと併合したフルカラ
ーディスプレー開発において、高効率の白色発光素子の
研究は重要な主題である。特に優れたフルカラー方式を
実現するために、高分子電界発光素子における白色光と
カラーフィルタの組合せが一つの重要な解決策と見なさ
れている。一般的に、白色発光現象を誘導するための方
法には大きく二つに分類される。第一の方法は、発光層
に使用する主物質に発光色素をドーピングさせる方法で
ある。この方法は、エネルギーバンドギャップの大きい
ホスト物質から相対的にエネルギーバンドギャップの小
さいドーパントにエネルギーが伝達されるか、または、
ドーパント部位にキャリアがトラッピングされて発光が
起こることによる方法であるが、前者の場合、エネルギ
ー伝達が不完全であるためホスト物質やドーパントが各
々発光してしまう。低分子系物質を積層してなる素子で
は最小３〜４枚の層を使用して白色発光を実現している
が、高分子系物質を用いる場合、高分子マトリックスに
色素（マトリックスより長波長発光の高分子または低分
子色素）を適当量混合して使用するが、その最適な条件
を見つけることが困難である。さらに高分子系物質を用
いる場合における最も大きな問題点の一つは長時間駆動
する際に生じる相分離によるデバイス特性の劣化と色相
の変化である。白色光において、色純度は最も重要な達
成されるべき要素の一つであり、色純度の安定性は何よ
りも重要であると考えられている。従って、相分離の起
こらない、つまり形態学的安定性を備えた高分子系物質
が切実に要求されているのが実情である。第二の方法
は、低分子系物質を積層してなる素子でのみ使用され得
る方法であって、励起子再結合領域の空間的な位置、す
なわちＨＴＬとＥＴＬとの間に、特定のキャリア（正孔
または電子）をブロッキングするための正孔遮断層を導
入することによって、各層の発光を別々に放出させる、
という方法である。しかしながら当該方法で純粋な白色
発光を実現するには、使用されるドーパントの濃度や各
層の厚さなどをよく考慮する必要があり、制御が困難で
ある。
【０００７】一般的に、有機材料を用いた電界発光素子
において、駆動電圧を支配するのは正孔注入の容易度で
あり、発光効率は電子注入がどのくらい効率的であるか
にかかっている。また通常、発光層への正孔注入は容易
であるのに対し、電子注入は比較的難しい。しかも、電
荷移動度においては正孔の移動度が電子の移動度に対し
て約数十倍も速いため、素子内の電荷キャリアは主に正
孔となる。
において、駆動電圧を支配するのは正孔注入の容易度で
あり、発光効率は電子注入がどのくらい効率的であるか
にかかっている。また通常、発光層への正孔注入は容易
であるのに対し、電子注入は比較的難しい。しかも、電
荷移動度においては正孔の移動度が電子の移動度に対し
て約数十倍も速いため、素子内の電荷キャリアは主に正
孔となる。
【０００８】通常の電界発光素子の発光は、陽極に正孔
が、陰極には電子が注入され、これら正孔と電子とが発
光層で出会い再結合することによって、一重項励起子を
形成し、該一重項励起子が放射により減衰しながら物質
のバンドギャップに該当する波長の光を放出することに
よる。またこの際、発光効率も決定される。つまり、注
入された正孔と電子とのバランスが良い場合に最大の発
光効率が実現できる。
が、陰極には電子が注入され、これら正孔と電子とが発
光層で出会い再結合することによって、一重項励起子を
形成し、該一重項励起子が放射により減衰しながら物質
のバンドギャップに該当する波長の光を放出することに
よる。またこの際、発光効率も決定される。つまり、注
入された正孔と電子とのバランスが良い場合に最大の発
光効率が実現できる。
【０００９】従って、キャリアの輸送がほぼ同一に行わ
れるためには、注入された正孔および電子の移動度、な
らびに密度に対するバランスをとることが重要である。
しかし、一般的には正孔の輸送が遥かに有利なので、キ
ャリア間の不均衡が生じ、効率を低下させる。これを補
完するために、電子の移動度に優れた電子輸送層を導入
した多層構造を有する素子が求められている。
れるためには、注入された正孔および電子の移動度、な
らびに密度に対するバランスをとることが重要である。
しかし、一般的には正孔の輸送が遥かに有利なので、キ
ャリア間の不均衡が生じ、効率を低下させる。これを補
完するために、電子の移動度に優れた電子輸送層を導入
した多層構造を有する素子が求められている。
【００１０】一方、カルバゾールは、強い蛍光性と高い
正孔輸送能を有するため、光伝導性、光起電性、光屈折
性、電気的活性を有する材料として、これまで多用され
ている。特に有機ＥＬ分野で、正孔輸送能としてカルバ
ゾール分子が分岐状に導入されたポリ（Ｎ−ビニルカル
バゾール）（ＰＶＫ）が今日広く使用されている。一
方、このようなカルバゾールに比べて、二量体カルバゾ
ール誘導体は、熱安定性や電界化学的安定性がさらに向
上され、かつ共役が広がった構造であるためにその酸化
電位も低くなり、正孔輸送能または発光層材料として有
用であるという長所がある。
正孔輸送能を有するため、光伝導性、光起電性、光屈折
性、電気的活性を有する材料として、これまで多用され
ている。特に有機ＥＬ分野で、正孔輸送能としてカルバ
ゾール分子が分岐状に導入されたポリ（Ｎ−ビニルカル
バゾール）（ＰＶＫ）が今日広く使用されている。一
方、このようなカルバゾールに比べて、二量体カルバゾ
ール誘導体は、熱安定性や電界化学的安定性がさらに向
上され、かつ共役が広がった構造であるためにその酸化
電位も低くなり、正孔輸送能または発光層材料として有
用であるという長所がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】すなわち本発明の目的
は、従来の二量体カルバゾールよりさらに優れた光伝導
性、光起電性、光屈折性、電気的活性を有するカルバゾ
ール系高分子化合物を開発することによって、優れた白
色電界発光高分子化合物およびこれを用いた有機電界発
光素子を提供することである。
は、従来の二量体カルバゾールよりさらに優れた光伝導
性、光起電性、光屈折性、電気的活性を有するカルバゾ
ール系高分子化合物を開発することによって、優れた白
色電界発光高分子化合物およびこれを用いた有機電界発
光素子を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族環
や複素環などの環構造を含む主鎖に、Ｎ，Ｎ'位置が置
換された３，３’−ビカルバゾール構造を導入すること
によって、真空伝達特性、ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯエネルギ
ー準位、熱安定性、放出波長などの調節を可能にし、こ
のような高分子化合物を用いてなる発光素子が色純度に
優れた白色発光を実現できることを見出し、本発明を完
成するに至った。
や複素環などの環構造を含む主鎖に、Ｎ，Ｎ'位置が置
換された３，３’−ビカルバゾール構造を導入すること
によって、真空伝達特性、ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯエネルギ
ー準位、熱安定性、放出波長などの調節を可能にし、こ
のような高分子化合物を用いてなる発光素子が色純度に
優れた白色発光を実現できることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【００１３】すなわち本発明は、一般式１：
【００１４】
【化５】
【００１５】（式中、Ａｒは炭素数６〜２６の二価の芳
香族基または炭素数４〜１４の二価の複素環基であり、
前記芳香族基または複素環基は炭素数１〜１２の直鎖、
分岐鎖もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基または
アミノ基で一ヶ所以上置換されていてもよく、二ヶ所以
上置換される場合は複数の置換基が連結していてもよ
く、Ｒは同一または異なっていてもよく水素原子、炭素
数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基、
または、炭素数６〜１４の芳香族基であり、前記芳香族
基は炭素数１〜１２のアルキル基、アルコキシ基または
アミノ基で置換されていてもよく、ｍおよびｎは、０．
１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９、０．１≦ｎ／（ｍ＋ｎ）
≦０．９を満たす値である。）で示される、主鎖に３，
３’−ビカルバゾール構造を含むことを特徴とする白色
電界発光高分子化合物である。
香族基または炭素数４〜１４の二価の複素環基であり、
前記芳香族基または複素環基は炭素数１〜１２の直鎖、
分岐鎖もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基または
アミノ基で一ヶ所以上置換されていてもよく、二ヶ所以
上置換される場合は複数の置換基が連結していてもよ
く、Ｒは同一または異なっていてもよく水素原子、炭素
数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基、
または、炭素数６〜１４の芳香族基であり、前記芳香族
基は炭素数１〜１２のアルキル基、アルコキシ基または
アミノ基で置換されていてもよく、ｍおよびｎは、０．
１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９、０．１≦ｎ／（ｍ＋ｎ）
≦０．９を満たす値である。）で示される、主鎖に３，
３’−ビカルバゾール構造を含むことを特徴とする白色
電界発光高分子化合物である。
【００１６】さらに本発明は、前記一般式１のＡｒは、
一般式２および３：
一般式２および３：
【００１７】
【化６】
【００１８】（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して
炭素数１〜１２のアルキル基またはアルコキシ基であ
る。）、ならびに、
炭素数１〜１２のアルキル基またはアルコキシ基であ
る。）、ならびに、
【００１９】
【化７】
【００２０】（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して
炭素数１〜１２のアルキル基である）。からなる群から
選択されることを特徴とする、前記白色電界発光高分子
化合物である。
炭素数１〜１２のアルキル基である）。からなる群から
選択されることを特徴とする、前記白色電界発光高分子
化合物である。
【００２１】さらに本発明は、前記一般式１のＡｒは、
【００２２】
【化８】
【００２３】であることを特徴とする、前記白色電界発
光高分子化合物である。
光高分子化合物である。
【００２４】さらに本発明は、重量平均分子量が３，０
００〜２００，０００であり、分子量分布が１．５〜５
であることを特徴とする、前記白色電界発光高分子化合
物である。
００〜２００，０００であり、分子量分布が１．５〜５
であることを特徴とする、前記白色電界発光高分子化合
物である。
【００２５】さらに本発明は、前記白色電界発光高分子
化合物を発光層として導入した有機電界発光素子であ
る。
化合物を発光層として導入した有機電界発光素子であ
る。
【００２６】さらに本発明は、陽極／発光層／陰極、陽
極／バッファー層／発光層／陰極、陽極／バッファー層
／正孔輸送層／発光層／陰極、陽極／バッファー層／正
孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、および、陽極／
バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／陰極
からなる群から選択される構造をもつことを特徴とす
る、前記有機電界発光素子である。
極／バッファー層／発光層／陰極、陽極／バッファー層
／正孔輸送層／発光層／陰極、陽極／バッファー層／正
孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、および、陽極／
バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／陰極
からなる群から選択される構造をもつことを特徴とす
る、前記有機電界発光素子である。
【００２７】さらに本発明は、前記バッファー層は、ポ
リチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピ
ロール、ポリフェニレンビニレン、またはそれらの誘導
体からなることを特徴とする、前記有機電界発光素子で
ある。
リチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピ
ロール、ポリフェニレンビニレン、またはそれらの誘導
体からなることを特徴とする、前記有機電界発光素子で
ある。
【００２８】さらに本発明は、前記正孔遮断層は、Ｌｉ
ＦまたはＭｇＦ2からなることを特徴とする、前記有機
電界発光素子である。
ＦまたはＭｇＦ2からなることを特徴とする、前記有機
電界発光素子である。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００３０】本発明の白色電界発光高分子化合物は、有
用な特性を持つカルバゾールの二量体からなる、Ｎ，
Ｎ'位置が置換された３，３’−ビカルバゾール構造：
用な特性を持つカルバゾールの二量体からなる、Ｎ，
Ｎ'位置が置換された３，３’−ビカルバゾール構造：
【００３１】
【化９】
【００３２】を、環構造を含む主鎖に導入したことを特
徴とするもので、その構造は一般式１：
徴とするもので、その構造は一般式１：
【００３３】
【化１０】
【００３４】で示される。また、本発明において「環構
造を含む主鎖」とは、前記一般式１において、−（Ａ
ｒ）m−のことである。
造を含む主鎖」とは、前記一般式１において、−（Ａ
ｒ）m−のことである。
【００３５】本発明の白色電界発光高分子化合物は、上
記の３，３'−ビカルバゾール構造を、環構造を含む主
鎖に導入することによって、真空伝達特性、ＨＯＭＯ／
ＬＵＭＯエネルギー準位、熱安定性、放出波長などの調
節を可能にしたものである。特に本発明の白色電界発光
高分子化合物は、エキシマまたはエキシプレックスによ
って緑色領域において発光を誘導し、ポリマー主鎖自体
の青色発光と合わせて白色発光を結果的に誘導すること
ができる。またその色座標は、本発明の発光高分子化合
物を構成するモノマーの種類、その相対的な比、および
ビカルバゾール構造の窒素原子に結合する置換基（Ｒ）
の種類によって調節可能である。
記の３，３'−ビカルバゾール構造を、環構造を含む主
鎖に導入することによって、真空伝達特性、ＨＯＭＯ／
ＬＵＭＯエネルギー準位、熱安定性、放出波長などの調
節を可能にしたものである。特に本発明の白色電界発光
高分子化合物は、エキシマまたはエキシプレックスによ
って緑色領域において発光を誘導し、ポリマー主鎖自体
の青色発光と合わせて白色発光を結果的に誘導すること
ができる。またその色座標は、本発明の発光高分子化合
物を構成するモノマーの種類、その相対的な比、および
ビカルバゾール構造の窒素原子に結合する置換基（Ｒ）
の種類によって調節可能である。
【００３６】以下、前記一般式１で示される本発明の発
光高分子化合物について詳述する。前記一般式１におい
て、Ａｒは、炭素数６〜２６の二価の芳香族基または炭
素数４〜１４の二価の複素環基である。また本発明にお
いて当該芳香族基または複素環基は、単環の化合物から
誘導されたものでもよいし、複数の環構造が縮合した縮
合多環の化合物から誘導されたものでもよい。いずれの
場合にしても、構造単位同士が重合される際に関与する
炭素原子は特には限定されず、いずれの位置の炭素でも
重合に関与し得る。
光高分子化合物について詳述する。前記一般式１におい
て、Ａｒは、炭素数６〜２６の二価の芳香族基または炭
素数４〜１４の二価の複素環基である。また本発明にお
いて当該芳香族基または複素環基は、単環の化合物から
誘導されたものでもよいし、複数の環構造が縮合した縮
合多環の化合物から誘導されたものでもよい。いずれの
場合にしても、構造単位同士が重合される際に関与する
炭素原子は特には限定されず、いずれの位置の炭素でも
重合に関与し得る。
【００３７】Ａｒにおいて、前記炭素数６〜２６の二価
の芳香族基とは、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメ
ン、メシチレン、ナフタレン、インデン、フルオレン、
フェナレン、フェナントレン、アントラセン、
の芳香族基とは、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメ
ン、メシチレン、ナフタレン、インデン、フルオレン、
フェナレン、フェナントレン、アントラセン、
【００３８】
【化１１】
【００３９】などの芳香族化合物より誘導される二価の
基である。該芳香族基は、炭素数１〜１２の直鎖、分岐
鎖もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基またはアミ
ノ基で一ヶ所以上置換されていてもよく、二ヶ所以上置
換される場合は置換基同士が連結していてもよい。これ
ら置換基の付加する位置はとくには限定されず、いずれ
の位置にも置換可能である。
基である。該芳香族基は、炭素数１〜１２の直鎖、分岐
鎖もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基またはアミ
ノ基で一ヶ所以上置換されていてもよく、二ヶ所以上置
換される場合は置換基同士が連結していてもよい。これ
ら置換基の付加する位置はとくには限定されず、いずれ
の位置にも置換可能である。
【００４０】Ａｒにおいて、前記炭素数４〜１４の二価
の複素環基とは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン
原子など１以上の炭素以外の原子（ヘテロ原子）が含ま
れる複素環式化合物から誘導される基であり、ヘテロ原
子として好ましくは窒素原子または硫黄原子である。こ
のような複素環基としては、フラン、チオフェン、ピロ
ール、オキサゾール、チオラン、同一または異なってい
てもよく、イミダゾール、ピラゾール、フラザン、ピラ
ン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジンなど
の複素環化合物から誘導される二価の基が挙げられる。
該複素環基は、炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは
環状のアルキル基、アルコキシ基またはアミノ基で一ヶ
所以上置換されていてもよく、二ヶ所以上置換される場
合は置換基同士が連結していてもよい。これら置換基の
付加する位置は特には限定されず、いずれの位置にも置
換可能である。
の複素環基とは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン
原子など１以上の炭素以外の原子（ヘテロ原子）が含ま
れる複素環式化合物から誘導される基であり、ヘテロ原
子として好ましくは窒素原子または硫黄原子である。こ
のような複素環基としては、フラン、チオフェン、ピロ
ール、オキサゾール、チオラン、同一または異なってい
てもよく、イミダゾール、ピラゾール、フラザン、ピラ
ン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジンなど
の複素環化合物から誘導される二価の基が挙げられる。
該複素環基は、炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは
環状のアルキル基、アルコキシ基またはアミノ基で一ヶ
所以上置換されていてもよく、二ヶ所以上置換される場
合は置換基同士が連結していてもよい。これら置換基の
付加する位置は特には限定されず、いずれの位置にも置
換可能である。
【００４１】Ａｒにおける前記芳香族基および複素環基
を置換し得る炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環
状のアルキル基としては、本発明の発光高分子化合物に
要求される特性などに応じて適宜選択され、特に制限さ
れるものではない。例えば、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、１，２
−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、１，３−ジメチルブチル基、
１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル
基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２
−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−
３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、シクロオクチル
基、２−、３−メチルヘキシル基、２−、３−エチルヘ
キシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデ
シル基などが挙げられる。これらのうち、２−エチルヘ
キシル基、オクチル基が好ましい。
を置換し得る炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環
状のアルキル基としては、本発明の発光高分子化合物に
要求される特性などに応じて適宜選択され、特に制限さ
れるものではない。例えば、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、１，２
−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、１，３−ジメチルブチル基、
１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル
基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２
−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−
３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、シクロオクチル
基、２−、３−メチルヘキシル基、２−、３−エチルヘ
キシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデ
シル基などが挙げられる。これらのうち、２−エチルヘ
キシル基、オクチル基が好ましい。
【００４２】Ａｒにおける前記芳香族および複素環基を
置換し得る炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状
のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、
イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ネオペ
ントキシ基、１，２−ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキ
シルオキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−イソ
プロピルプロポキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、
ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキ
シ基、２−メチル−１−イソプロピルプロポキシ基、１
−エチル−３−メチルブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ
基、２−、３−メチルヘキシルオキシ基、２−、３−エ
チルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
置換し得る炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状
のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、
イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ネオペ
ントキシ基、１，２−ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキ
シルオキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−イソ
プロピルプロポキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、
ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキ
シ基、２−メチル−１−イソプロピルプロポキシ基、１
−エチル−３−メチルブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ
基、２−、３−メチルヘキシルオキシ基、２−、３−エ
チルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
【００４３】Ａｒにおける前記芳香族および複素環基を
置換し得る炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状
のアミノ基とは、本発明において一般式：Ｒ4ＮＨ−
（Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖ま
たは環状の炭化水素基である。）で示されるアミン化合
物から誘導される基が選択可能である。例えば、メチル
アミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミ
ノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅ
ｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−
ペンチルアミノ基、イソペンチルアミノ基、ネオペンチ
ルアミノ基、１，２−ジメチルプロピルアミノ基、ｎ−
ヘキシルアミノ基、１，３−ジメチルブチルアミノ基、
１−イソプロピルプロピルアミノ基、１，２−ジメチル
ブチルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、１，４−ジメ
チルペンチルアミノ基、２−メチル−１−イソプロピル
プロピルアミノ基、１−エチル−３−メチルブチルアミ
ノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−、３−メチルヘキシ
ルアミノ基などのアルキルアミノ基；フェニルアミノ
基、ジフェニルアミノ基などのアリールアミノ基などが
挙げられる。
置換し得る炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状
のアミノ基とは、本発明において一般式：Ｒ4ＮＨ−
（Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖ま
たは環状の炭化水素基である。）で示されるアミン化合
物から誘導される基が選択可能である。例えば、メチル
アミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミ
ノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅ
ｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−
ペンチルアミノ基、イソペンチルアミノ基、ネオペンチ
ルアミノ基、１，２−ジメチルプロピルアミノ基、ｎ−
ヘキシルアミノ基、１，３−ジメチルブチルアミノ基、
１−イソプロピルプロピルアミノ基、１，２−ジメチル
ブチルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、１，４−ジメ
チルペンチルアミノ基、２−メチル−１−イソプロピル
プロピルアミノ基、１−エチル−３−メチルブチルアミ
ノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−、３−メチルヘキシ
ルアミノ基などのアルキルアミノ基；フェニルアミノ
基、ジフェニルアミノ基などのアリールアミノ基などが
挙げられる。
【００４４】以上述べたような、Ａｒにおける二価の芳
香族基および二価の複素環基として、以下の一般式２お
よび３で示されるものが好ましい。
香族基および二価の複素環基として、以下の一般式２お
よび３で示されるものが好ましい。
【００４５】
【化１２】
【００４６】（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して
炭素数１〜１２のアルキル基またはアルコキシ基であ
る。）
炭素数１〜１２のアルキル基またはアルコキシ基であ
る。）
【００４７】
【化１３】
【００４８】前記一般式２において、Ｒ1およびＲ2にお
ける前記炭素数１〜１２のアルキル基またはアルコキシ
基は、直鎖、分岐鎖もしくは環状のいずれでもよく、上
記Ａｒの説明において列挙したアルキル基またはアルコ
キシ基と同様である。
ける前記炭素数１〜１２のアルキル基またはアルコキシ
基は、直鎖、分岐鎖もしくは環状のいずれでもよく、上
記Ａｒの説明において列挙したアルキル基またはアルコ
キシ基と同様である。
【００４９】前記一般式３において、Ｒ1およびＲ2にお
ける前記炭素数１〜１２のアルキル基は、直鎖、分岐鎖
もしくは環状のいずれでもよく、上記Ａｒの説明におい
て列挙したアルキル基またはアルコキシ基と同様であ
る。なかでも好ましくはエチルヘキシル基、オクチル基
である。
ける前記炭素数１〜１２のアルキル基は、直鎖、分岐鎖
もしくは環状のいずれでもよく、上記Ａｒの説明におい
て列挙したアルキル基またはアルコキシ基と同様であ
る。なかでも好ましくはエチルヘキシル基、オクチル基
である。
【００５０】Ａｒとして、前記一般式２および３で示さ
れる構造を含むことによって、発光特性を向上させるこ
とができる。なかでも、
れる構造を含むことによって、発光特性を向上させるこ
とができる。なかでも、
【００５１】
【化１４】
【００５２】で示される、９位の炭素原子に置換基を有
するアルキルフルオレンからなる二価の基が好ましい。
このようなアルキルフルオレン構造を含むことによっ
て、発光特性を向上させることに加え、９位に様々な置
換基を導入することができるために所望の特性を追加し
やすい、という利点がある。例えば９位に置換基として
可溶性部分を有する基を導入することによって、ポリマ
ーの可溶性を増すことができる。該アルキルフルオレン
からなる二価の基としてより具体的には、９，９'−ジ
（２−エチルヘキシル）−ブロモフルオレン、９，９'
−ジオクチル−フルオレンなどの化合物から誘導される
二価の基が好ましい。
するアルキルフルオレンからなる二価の基が好ましい。
このようなアルキルフルオレン構造を含むことによっ
て、発光特性を向上させることに加え、９位に様々な置
換基を導入することができるために所望の特性を追加し
やすい、という利点がある。例えば９位に置換基として
可溶性部分を有する基を導入することによって、ポリマ
ーの可溶性を増すことができる。該アルキルフルオレン
からなる二価の基としてより具体的には、９，９'−ジ
（２−エチルヘキシル）−ブロモフルオレン、９，９'
−ジオクチル−フルオレンなどの化合物から誘導される
二価の基が好ましい。
【００５３】前記一般式１において、３，３’−ビカル
バゾール構造におけるＲは、同一または異なっていても
よく、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしく
は環状のアルキル基、または、炭素数６〜１４の芳香族
基である。
バゾール構造におけるＲは、同一または異なっていても
よく、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしく
は環状のアルキル基、または、炭素数６〜１４の芳香族
基である。
【００５４】Ｒにおいて、前記アルキル基としては、本
発明の発光高分子化合物に要求される特性などに応じて
適宜選択され、特に制限されるものではない。例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル
基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、シクロペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、
ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロ
ピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、
１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−イソプ
ロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、
ｎ−オクチル基、シクロオクチル基、２−、３−メチル
ヘキシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソ
デシル基などが挙げられる。これらのうち、エチル基が
好ましい。
発明の発光高分子化合物に要求される特性などに応じて
適宜選択され、特に制限されるものではない。例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル
基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル
基、シクロペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、
ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロ
ピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、
１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−イソプ
ロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、
ｎ−オクチル基、シクロオクチル基、２−、３−メチル
ヘキシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソ
デシル基などが挙げられる。これらのうち、エチル基が
好ましい。
【００５５】Ｒにおいて、前記芳香族基は、本発明の発
光高分子化合物に要求される特性などに応じて適宜選択
され、特に制限されるものではない。例えば、フェニル
基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、
ベンジル基、フェネチル基、ナフタレニル基、インデニ
ル基、フルオレニル基、フェナレニル基、ビフェニル
基、トリフェニル基、テトラフェニル基、アントラセニ
ル基などが挙げられる。
光高分子化合物に要求される特性などに応じて適宜選択
され、特に制限されるものではない。例えば、フェニル
基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、
ベンジル基、フェネチル基、ナフタレニル基、インデニ
ル基、フルオレニル基、フェナレニル基、ビフェニル
基、トリフェニル基、テトラフェニル基、アントラセニ
ル基などが挙げられる。
【００５６】Ｒにおける前記芳香族基は、炭素数１〜１
２のアルキル基、アルコキシ基またはアミノ基で置換さ
れていてもよく、これら置換基であるアルキル基、アル
コキシ基およびアミノ基は、前述のＡｒの説明で列挙さ
れたものと同様のものが用いられる。このような基によ
って置換された芳香族基として好ましくは、３−メチル
フェニル基である。
２のアルキル基、アルコキシ基またはアミノ基で置換さ
れていてもよく、これら置換基であるアルキル基、アル
コキシ基およびアミノ基は、前述のＡｒの説明で列挙さ
れたものと同様のものが用いられる。このような基によ
って置換された芳香族基として好ましくは、３−メチル
フェニル基である。
【００５７】３，３'−ビカルバゾール構造のＮ，Ｎ'位
置は、水素原子でも（すなわち置換されていなくても）
よく、水素原子以外でも（すなわち置換されていても）
良いが、優れた溶解度および熱的、電界的物性を実現す
るためには、適切な置換基によって置換し各種特性を調
節することが好ましい。また、本発明の高分子化合物を
構成する３,３’−ビカルバゾール構造は、一種類のみ
を用いてもよいし、複数の異なる３,３’−ビカルバゾ
ール構造を用いても良い。
置は、水素原子でも（すなわち置換されていなくても）
よく、水素原子以外でも（すなわち置換されていても）
良いが、優れた溶解度および熱的、電界的物性を実現す
るためには、適切な置換基によって置換し各種特性を調
節することが好ましい。また、本発明の高分子化合物を
構成する３,３’−ビカルバゾール構造は、一種類のみ
を用いてもよいし、複数の異なる３,３’−ビカルバゾ
ール構造を用いても良い。
【００５８】このような３,３’−ビカルバゾール構造
としては、Ｎ，Ｎ'−ジエチル−３，３'−ビカルバゾー
ル、または、Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−
３，３'−ビカルバゾールから誘導される構造が挙げら
れ、これらは優れた光学的特性、電界発光特性を実現す
ることができるため本発明において好ましく用いられ
る。
としては、Ｎ，Ｎ'−ジエチル−３，３'−ビカルバゾー
ル、または、Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−
３，３'−ビカルバゾールから誘導される構造が挙げら
れ、これらは優れた光学的特性、電界発光特性を実現す
ることができるため本発明において好ましく用いられ
る。
【００５９】また前記一般式１において、ｍおよびｎ
は、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９、０．１≦ｎ／
（ｍ＋ｎ）≦０．９を満たしていればよい。ｍおよびｎ
が上記範囲を満たしていれば、上述した主鎖および３,
３’−ビカルバゾール構造がそれぞれ適切に含まれるた
め、本発明の高分子化合物は所望の白色発光を実現する
ことができる。
は、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９、０．１≦ｎ／
（ｍ＋ｎ）≦０．９を満たしていればよい。ｍおよびｎ
が上記範囲を満たしていれば、上述した主鎖および３,
３’−ビカルバゾール構造がそれぞれ適切に含まれるた
め、本発明の高分子化合物は所望の白色発光を実現する
ことができる。
【００６０】以上説明したような二価の芳香族基または
二価の複素環基、および、３,３’−ビカルバゾール構
造を含む本発明の白色電界発光高分子化合物として具体
的には、ポリ［９，９'−ジ（２−エチルヘキシル）−
フルオレニル−ｃｏ−６，６'−Ｎ，Ｎ'−ジエチル−
３，３'−ビカルバゾリル］（ｍ：ｎ＝３：１）、ポリ
［９，９'−ジオクチル−フルオレニル−ｃｏ−６，６'
−Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−３，３'−ビカ
ルバゾリル］（ｍ：ｎ＝１：１）などが挙げられ、いず
れも色純度に優れた白色発光を示すため好ましい。
二価の複素環基、および、３,３’−ビカルバゾール構
造を含む本発明の白色電界発光高分子化合物として具体
的には、ポリ［９，９'−ジ（２−エチルヘキシル）−
フルオレニル−ｃｏ−６，６'−Ｎ，Ｎ'−ジエチル−
３，３'−ビカルバゾリル］（ｍ：ｎ＝３：１）、ポリ
［９，９'−ジオクチル−フルオレニル−ｃｏ−６，６'
−Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−３，３'−ビカ
ルバゾリル］（ｍ：ｎ＝１：１）などが挙げられ、いず
れも色純度に優れた白色発光を示すため好ましい。
【００６１】本発明の白色電界発光高分子化合物は、従
来用いられてきた一般的な製造方法によって製造するこ
とが可能である。その一例を、図１を参照しながら説明
する。図１は、主鎖として、第９位の炭素原子にアルキ
ル基が置換されたアルキルフルオレンを用いた発光高分
子化合物の製造方法を示す概略図である。
来用いられてきた一般的な製造方法によって製造するこ
とが可能である。その一例を、図１を参照しながら説明
する。図１は、主鎖として、第９位の炭素原子にアルキ
ル基が置換されたアルキルフルオレンを用いた発光高分
子化合物の製造方法を示す概略図である。
【００６２】まず前記一般式１で示されるカルバゾール
構造を構成するカルバゾール化合物を、酸化剤を用いて
二量体にする。得られた二量体に臭素を反応させて、
３，６位に臭素原子が導入されたカルバゾール二量体
（ビカルバゾール）を得る。この際、各段階とも定量的
に行われる。
構造を構成するカルバゾール化合物を、酸化剤を用いて
二量体にする。得られた二量体に臭素を反応させて、
３，６位に臭素原子が導入されたカルバゾール二量体
（ビカルバゾール）を得る。この際、各段階とも定量的
に行われる。
【００６３】一方、アルキルフルオレンモノマーは下記
のような過程を経て合成される。まず、フルオレンの第
９位の炭素原子にアルキル基を導入する。所望のアルキ
ル基に対応する臭化アルキル化合物を、水酸化カリウム
などの塩基存在下、ＤＭＳＯなどの溶媒中でフルオレン
に反応させ、アルキルフルオレンを得る。アルキル基を
２個導入する場合は、導入は一回の反応で行っても良い
し、二段階の反応に分けて行っても良い。次に、得られ
たアルキルフルオレンに臭素を反応させて、２，７位に
臭素原子が導入されたジブロモアルキルフルオレンモノ
マーを得る。
のような過程を経て合成される。まず、フルオレンの第
９位の炭素原子にアルキル基を導入する。所望のアルキ
ル基に対応する臭化アルキル化合物を、水酸化カリウム
などの塩基存在下、ＤＭＳＯなどの溶媒中でフルオレン
に反応させ、アルキルフルオレンを得る。アルキル基を
２個導入する場合は、導入は一回の反応で行っても良い
し、二段階の反応に分けて行っても良い。次に、得られ
たアルキルフルオレンに臭素を反応させて、２，７位に
臭素原子が導入されたジブロモアルキルフルオレンモノ
マーを得る。
【００６４】このよう方法で得られたビカルバゾールお
よびジブロモアルキルフルオレンを、ニッケルやパラジ
ウム等を含む金属触媒、例えばＮｉ（ＣＯＤ）2などを
用いて、２，２’−ジピリジル−１，５−シクロオクタ
ジエン、ＤＭＦまたはトルエン中で共重合して本発明の
白色電界発光高分子化合物を製造する。
よびジブロモアルキルフルオレンを、ニッケルやパラジ
ウム等を含む金属触媒、例えばＮｉ（ＣＯＤ）2などを
用いて、２，２’−ジピリジル−１，５−シクロオクタ
ジエン、ＤＭＦまたはトルエン中で共重合して本発明の
白色電界発光高分子化合物を製造する。
【００６５】本発明の白色電界発光高分子化合物の重量
平均分子量（ＭＷ）は、３，０００〜２００，０００で
あることが好ましい。前記重量平均分子量が３，０００
未満の場合、均一な薄膜を形成しにくく、形成された膜
に多くのピンホールが形成される恐れがある。一方、上
述したようなニッケルやパラジウム等を含む金属触媒を
用いた共重合反応では重量平均分子量が２００，０００
を超過することは通常ないので、本発明において白色電
界発光高分子化合物の重量平均分子量の上限を２００，
０００としている。
平均分子量（ＭＷ）は、３，０００〜２００，０００で
あることが好ましい。前記重量平均分子量が３，０００
未満の場合、均一な薄膜を形成しにくく、形成された膜
に多くのピンホールが形成される恐れがある。一方、上
述したようなニッケルやパラジウム等を含む金属触媒を
用いた共重合反応では重量平均分子量が２００，０００
を超過することは通常ないので、本発明において白色電
界発光高分子化合物の重量平均分子量の上限を２００，
０００としている。
【００６６】さらに本発明の白色電界発光高分子化合物
の分子量分布（ＭＷＤ）は、１．５〜５であることが好
ましい。一般的に、分子量分布が広い発光素子用ポリマ
ーは、分子量分布が狭いものに比べて、発光効率、特に
寿命の面で劣ることが知られている。従って、本発明に
おいて白色電界発光高分子化合物の分子量分布は、でき
る限り狭いほうが好ましく、具体的には１．５〜５であ
ることが好ましい。
の分子量分布（ＭＷＤ）は、１．５〜５であることが好
ましい。一般的に、分子量分布が広い発光素子用ポリマ
ーは、分子量分布が狭いものに比べて、発光効率、特に
寿命の面で劣ることが知られている。従って、本発明に
おいて白色電界発光高分子化合物の分子量分布は、でき
る限り狭いほうが好ましく、具体的には１．５〜５であ
ることが好ましい。
【００６７】なお本発明において、上述した重量平均分
子量および分子量分布は、標準物質としてポリスチレン
を用いたゲルろ過クロマトグラフィーで測定された値を
用いることとする。
子量および分子量分布は、標準物質としてポリスチレン
を用いたゲルろ過クロマトグラフィーで測定された値を
用いることとする。
【００６８】次に、本発明の白色電界発光高分子化合物
を発光層として導入した有機電界発光素子について説明
する。
を発光層として導入した有機電界発光素子について説明
する。
【００６９】本発明の有機電界発光素子は、前記白色電
界発光高分子化合物で発光層を形成してなるものであ
る。本発明の有機電界発光素子は、陽極／発光層／陰
極、陽極／バッファー層／発光層／陰極、陽極／バッフ
ァー層／正孔輸送層／発光層／陰極、陽極／バッファー
層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、および、
陽極／バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層
／陰極からなる群から選択される構造をもつものが好ま
しく、使用目的や使用状況、所望の特性などに応じて適
切な積層構造を選択することが好ましい。以下、各層に
ついて詳述する。
界発光高分子化合物で発光層を形成してなるものであ
る。本発明の有機電界発光素子は、陽極／発光層／陰
極、陽極／バッファー層／発光層／陰極、陽極／バッフ
ァー層／正孔輸送層／発光層／陰極、陽極／バッファー
層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、および、
陽極／バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層
／陰極からなる群から選択される構造をもつものが好ま
しく、使用目的や使用状況、所望の特性などに応じて適
切な積層構造を選択することが好ましい。以下、各層に
ついて詳述する。
【００７０】前記陽極としては、陽極として機能し得る
もので発光素子に用いられ得るものであれば特に限定さ
れないが、一般的にはＩＴＯが用いられる。前記陰極と
しては、陰極として機能し得るもので発光素子に用いら
れ得るものであれば特には限定されないが、一般的には
Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ／Ａｌ電極が用いられる。
もので発光素子に用いられ得るものであれば特に限定さ
れないが、一般的にはＩＴＯが用いられる。前記陰極と
しては、陰極として機能し得るもので発光素子に用いら
れ得るものであれば特には限定されないが、一般的には
Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ／Ａｌ電極が用いられる。
【００７１】前記バッファー層とは、一般的に電極と発
光層との密着性を向上したり、素子の輝度や寿命を向上
したりするために設けられる層であり、導電性を有する
物質であればいずれも使用可能である。例えば、銅フタ
ロシアニン（ＣｕＰｃ）、ポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビ
ニレンもしくはそれらの誘導体、またはそれらの共重合
体など、導電性プラスチックがより好ましく、これらは
一種でも、二種以上を用いてもよい。なかでも、ポリチ
オフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロー
ル、ポリフェニレンビニレン、特にポリチオフェンが高
い導電性を有し、優れた輝度を実現できるため好まし
い。なお、本発明においてポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビ
ニレンはいずれも、アルキル基やヒドロキシアルキル
基、水酸基、アミノメチル基などの反応性基で置換され
たものも包含し、有機溶媒への溶解性など所望の特性に
鑑みて適切なものを選択することが好ましい。
光層との密着性を向上したり、素子の輝度や寿命を向上
したりするために設けられる層であり、導電性を有する
物質であればいずれも使用可能である。例えば、銅フタ
ロシアニン（ＣｕＰｃ）、ポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビ
ニレンもしくはそれらの誘導体、またはそれらの共重合
体など、導電性プラスチックがより好ましく、これらは
一種でも、二種以上を用いてもよい。なかでも、ポリチ
オフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロー
ル、ポリフェニレンビニレン、特にポリチオフェンが高
い導電性を有し、優れた輝度を実現できるため好まし
い。なお、本発明においてポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビ
ニレンはいずれも、アルキル基やヒドロキシアルキル
基、水酸基、アミノメチル基などの反応性基で置換され
たものも包含し、有機溶媒への溶解性など所望の特性に
鑑みて適切なものを選択することが好ましい。
【００７２】前記正孔輸送層とは、電極から発光層への
正孔注入効率を高めるために設けられる層であり、正孔
輸送能を有する物質であればいずれも正孔輸送層を形成
し得る。そのような物質として具体的には、ポリチオフ
ェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、
ポリフェニレンビニレン、ポリ（ビニルカルバゾー
ル）、またはそれらの誘導体などが挙げられ、本発明に
おいて好ましく使用することができる。
正孔注入効率を高めるために設けられる層であり、正孔
輸送能を有する物質であればいずれも正孔輸送層を形成
し得る。そのような物質として具体的には、ポリチオフ
ェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、
ポリフェニレンビニレン、ポリ（ビニルカルバゾー
ル）、またはそれらの誘導体などが挙げられ、本発明に
おいて好ましく使用することができる。
【００７３】前記正孔遮断層とは、励起子再結合領域に
おいて特定のキャリア（正孔または電子）をブロッキン
グするために設けられる層であり、キャリア（正孔また
は電子）ブロッキング能を有する物質であればいずれも
正孔遮断層を形成し得る。そのような物質として具体的
には、ＬｉＦ、ＭｇＦ2などが挙げられ、本発明におい
て好ましく使用することができる。
おいて特定のキャリア（正孔または電子）をブロッキン
グするために設けられる層であり、キャリア（正孔また
は電子）ブロッキング能を有する物質であればいずれも
正孔遮断層を形成し得る。そのような物質として具体的
には、ＬｉＦ、ＭｇＦ2などが挙げられ、本発明におい
て好ましく使用することができる。
【００７４】前記電子輸送層とは、電極から発光層への
電子注入効率を高めるために設けられる層であり、電子
輸送能を有する物質であればいずれも電子輸送層を形成
し得る。そのような物質として具体的には、Ａｌｑ
3（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム）、Ｂ
ｅＢｑ3（ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリ
ネート）ベリリウム）、ｔ−ＢｕＰＢＤ（２−（４−ビ
フェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサチアゾール）、ベンゾキサゾール誘導
体、芳香族イミン、ベンゾイミダゾール誘導体などが挙
げられ、本発明において好ましく使用することができ
る。
電子注入効率を高めるために設けられる層であり、電子
輸送能を有する物質であればいずれも電子輸送層を形成
し得る。そのような物質として具体的には、Ａｌｑ
3（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム）、Ｂ
ｅＢｑ3（ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリ
ネート）ベリリウム）、ｔ−ＢｕＰＢＤ（２−（４−ビ
フェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサチアゾール）、ベンゾキサゾール誘導
体、芳香族イミン、ベンゾイミダゾール誘導体などが挙
げられ、本発明において好ましく使用することができ
る。
【００７５】本発明の有機電界発光素子は、従来用いら
れてきた一般的な製造方法によって製造することが可能
である。その一例を説明する。
れてきた一般的な製造方法によって製造することが可能
である。その一例を説明する。
【００７６】まず基板を準備する。基板はガラス基板、
シリコン基板、サファイア基板、チタン酸ストロンチウ
ム基板など一般的なものが使用される。次に該基板上に
ＩＴＯ等をコーティングし、陽極を形成する。その上
に、必要に応じて、バッファー層、正孔輸送層等を一般
的技術によって形成する。一方、本発明の白色電界発光
高分子化合物をトルエンなどの溶媒に溶解し、ポリマー
溶液を調製する。上記で得られたガラス基板上に、該ポ
リマー溶液をコーティングする。コーティング方法は特
には限定されないが、好ましくはスピンコーティング法
である。該ポリマー溶液がコーティングされた基板をベ
ーク処理し、溶媒を完全に揮発させ、発光層を得る。次
に発光層が形成された基板に、必要に応じて、バッファ
ー層、電子輸送層等を一般的技術によって形成する。続
いて、Ｃａ，Ａｌなどの金属を真空蒸着することによっ
て陰極を形成し、本発明の発光素子を完成する。
シリコン基板、サファイア基板、チタン酸ストロンチウ
ム基板など一般的なものが使用される。次に該基板上に
ＩＴＯ等をコーティングし、陽極を形成する。その上
に、必要に応じて、バッファー層、正孔輸送層等を一般
的技術によって形成する。一方、本発明の白色電界発光
高分子化合物をトルエンなどの溶媒に溶解し、ポリマー
溶液を調製する。上記で得られたガラス基板上に、該ポ
リマー溶液をコーティングする。コーティング方法は特
には限定されないが、好ましくはスピンコーティング法
である。該ポリマー溶液がコーティングされた基板をベ
ーク処理し、溶媒を完全に揮発させ、発光層を得る。次
に発光層が形成された基板に、必要に応じて、バッファ
ー層、電子輸送層等を一般的技術によって形成する。続
いて、Ｃａ，Ａｌなどの金属を真空蒸着することによっ
て陰極を形成し、本発明の発光素子を完成する。
【００７７】
【実施例】合成例１：Ｎ，Ｎ'−ジエチル−３，３'−ビ
カルバゾールの合成 ２５０ｍｌのシュレンク管に、Ｎ−エチルカルバゾール
２０ｇ（９９．３５ｍｍｏｌ）を入れ、約１５０ｍｌの
クロロホルムに溶解した後、約４．０ｅｑのＦｅＣｌ3
６４．４６ｇ（０．３９７ｍｏｌ）を１００ｍｌ程度の
クロロホルムに分散して得た溶液を、前記シュレンク管
内に滴下した。この反応中、反応液はカルバゾール陽イ
オンラジカルの形成によって次第に暗緑色に変化した。
２４時間後、反応液を多量のメタノールに注いだ後、生
成された固体をフィルタリングして、引き続き多量のメ
タノールと水で３回洗浄した。乾燥後、得られた反応生
成物の収率は９５％であった。その構造を図２に示すよ
うに1Ｈ−ＮＭＲを通して確認した。
カルバゾールの合成 ２５０ｍｌのシュレンク管に、Ｎ−エチルカルバゾール
２０ｇ（９９．３５ｍｍｏｌ）を入れ、約１５０ｍｌの
クロロホルムに溶解した後、約４．０ｅｑのＦｅＣｌ3
６４．４６ｇ（０．３９７ｍｏｌ）を１００ｍｌ程度の
クロロホルムに分散して得た溶液を、前記シュレンク管
内に滴下した。この反応中、反応液はカルバゾール陽イ
オンラジカルの形成によって次第に暗緑色に変化した。
２４時間後、反応液を多量のメタノールに注いだ後、生
成された固体をフィルタリングして、引き続き多量のメ
タノールと水で３回洗浄した。乾燥後、得られた反応生
成物の収率は９５％であった。その構造を図２に示すよ
うに1Ｈ−ＮＭＲを通して確認した。
【００７８】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）：ｄ １．５０（ｔ，６Ｈ，２−ＣＨ3），４．４
５（ｑｕａｒｔｅｔ，４Ｈ，２−ＮＣＨ2）、７．２６
〜８．５（ｍ，１４Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｐｒｏｔｏ
ｎｓ）。
ｌ3）：ｄ １．５０（ｔ，６Ｈ，２−ＣＨ3），４．４
５（ｑｕａｒｔｅｔ，４Ｈ，２−ＮＣＨ2）、７．２６
〜８．５（ｍ，１４Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｐｒｏｔｏ
ｎｓ）。
【００７９】合成例２：Ｎ，Ｎ'−ジエチル−６，６'−
ジブロモ−３，３'−ビカルバゾールの合成 １００ｍｌのシュレンク管にＮ，Ｎ'−ジエチル−３，
３'−ビカルバゾール４ｇ（１０ｍｍｏｌ）を入れ、約
５０ｍｌのクロロホルムに溶解した後、約３．０ｅｑの
臭素５．０ｇ（３１ｍｍｏｌ）を１０ｍｌ程度のクロロ
ホルムに溶解して得た溶液を、前記シュレンク管内に滴
下した。この際、温度は冷却槽を利用して０℃に保持し
た。この反応中、反応液は次第に暗緑色に変化した。約
３０〜４０分後、反応液を多量の水に注いだ後、１．０
Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で数回洗浄した。クロロホル
ム層を分取し、これを再びメタノールに注いだ後、固体
をフィルタリングし、引き続き多量のメタノールと水で
数回洗浄した。乾燥後、得られた反応生成物の収率は９
０％であった。その構造を図３に示すように1Ｈ−ＮＭ
Ｒを通して確認した。
ジブロモ−３，３'−ビカルバゾールの合成 １００ｍｌのシュレンク管にＮ，Ｎ'−ジエチル−３，
３'−ビカルバゾール４ｇ（１０ｍｍｏｌ）を入れ、約
５０ｍｌのクロロホルムに溶解した後、約３．０ｅｑの
臭素５．０ｇ（３１ｍｍｏｌ）を１０ｍｌ程度のクロロ
ホルムに溶解して得た溶液を、前記シュレンク管内に滴
下した。この際、温度は冷却槽を利用して０℃に保持し
た。この反応中、反応液は次第に暗緑色に変化した。約
３０〜４０分後、反応液を多量の水に注いだ後、１．０
Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で数回洗浄した。クロロホル
ム層を分取し、これを再びメタノールに注いだ後、固体
をフィルタリングし、引き続き多量のメタノールと水で
数回洗浄した。乾燥後、得られた反応生成物の収率は９
０％であった。その構造を図３に示すように1Ｈ−ＮＭ
Ｒを通して確認した。
【００８０】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）：ｄ１．４６（ｔ，６Ｈ，２−ＣＨ 3）、４．３４
（ｑｕａｒｔｅｔ，４Ｈ，２ＮＣＨ2），７．２６〜
８．３３（ｍ，１２Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｐｒｏｔｏ
ｎｓ）。
ｌ3）：ｄ１．４６（ｔ，６Ｈ，２−ＣＨ 3）、４．３４
（ｑｕａｒｔｅｔ，４Ｈ，２ＮＣＨ2），７．２６〜
８．３３（ｍ，１２Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｐｒｏｔｏ
ｎｓ）。
【００８１】合成例３：Ｎ−（３−メチルフェニル）カ
ルバゾールの合成 ２５０ｍｌのシュレンク管に、活性化Ｃｕ４．２ｇ（６
５．８ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ）、Ｋ2ＣＯ3 １２．４ｇ
（８９．７ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ）、カルバゾール１０
ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）、クラウンエーテルである１８
−ｃｒｏｗｎ−６ ０．４７ｇ（３ｍｏｌ％）および３
−ヨードトルエン１３．７ｇ（６２．８ｍｍｏｌ，１．
０５ｅｑ）を、無水１，２−ジクロロベンゼン１００ｍ
ｌに溶かした後、１８０℃で２４時間反応させた。反応
終了後、フィルタリングして未反応のＣｕおよび塩など
を除去し、減圧蒸留して溶媒を除去した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで精製した。反応生成物は無色液体
で、収率は８８．３％（１５，５ｇ）であった。
ルバゾールの合成 ２５０ｍｌのシュレンク管に、活性化Ｃｕ４．２ｇ（６
５．８ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ）、Ｋ2ＣＯ3 １２．４ｇ
（８９．７ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ）、カルバゾール１０
ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）、クラウンエーテルである１８
−ｃｒｏｗｎ−６ ０．４７ｇ（３ｍｏｌ％）および３
−ヨードトルエン１３．７ｇ（６２．８ｍｍｏｌ，１．
０５ｅｑ）を、無水１，２−ジクロロベンゼン１００ｍ
ｌに溶かした後、１８０℃で２４時間反応させた。反応
終了後、フィルタリングして未反応のＣｕおよび塩など
を除去し、減圧蒸留して溶媒を除去した後、シリカゲル
クロマトグラフィーで精製した。反応生成物は無色液体
で、収率は８８．３％（１５，５ｇ）であった。
【００８２】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ
３）：δ８．１７（２Ｈ，ｄ），７．５１−７．２７
（１０Ｈ，ｍ），２．５１（３Ｈ，ｓ）。
３）：δ８．１７（２Ｈ，ｄ），７．５１−７．２７
（１０Ｈ，ｍ），２．５１（３Ｈ，ｓ）。
【００８３】合成例４：Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェ
ニル）−３，３'−ビカルバゾールの合成 ５００ｍｌのフラスコに、Ｎ−（３−メチルフェニル）
カルバゾール１５ｇ（５１ｍｍｏｌ）を入れ、２００ｍ
ｌのＣＨＣｌ3で溶かした後、予め用意しておいた無水
ＦｅＣｌ3（３３ｇ、４ｅｑ）／ＣＨＣｌ3スラリーを徐
々に添加し、常温で６時間反応させた。反応終了後、フ
ィルタリングして固体を除去し、濾過液を濃縮しメタノ
ールで沈殿を形成した後、数回洗浄した。反応生成物は
薄黄色の固体で、収率は８７％（２０ｇ）であった。
ニル）−３，３'−ビカルバゾールの合成 ５００ｍｌのフラスコに、Ｎ−（３−メチルフェニル）
カルバゾール１５ｇ（５１ｍｍｏｌ）を入れ、２００ｍ
ｌのＣＨＣｌ3で溶かした後、予め用意しておいた無水
ＦｅＣｌ3（３３ｇ、４ｅｑ）／ＣＨＣｌ3スラリーを徐
々に添加し、常温で６時間反応させた。反応終了後、フ
ィルタリングして固体を除去し、濾過液を濃縮しメタノ
ールで沈殿を形成した後、数回洗浄した。反応生成物は
薄黄色の固体で、収率は８７％（２０ｇ）であった。
【００８４】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）：δ８．５０（２Ｈ，ｍ），８，２７（２Ｈ，
ｄ），７．８１（２Ｈ，ｄ），７．５５−７．２８（１
６Ｈ，ｍ），２．５３（６Ｈ，ｓ）。
ｌ3）：δ８．５０（２Ｈ，ｍ），８，２７（２Ｈ，
ｄ），７．８１（２Ｈ，ｄ），７．５５−７．２８（１
６Ｈ，ｍ），２．５３（６Ｈ，ｓ）。
【００８５】合成例５：Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェ
ニル）−６，６'−ジヨード３，３'−ビカルバゾールの
合成 ５００ｍｌフラスコにＮ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニ
ル）−３，３'−ビカルバゾール５ｇ（８５．４ｍｍｏ
ｌ）を３００ｍｌの酢酸に溶かした後、ヨウ化カリウム
２．９８ｇ（２．１ｅｑ）とヨウ素酸カリウム３．８４
ｇ（２．１ｅｑ）を添加し、温度を８０℃に昇温した。
ＴＬＣで反応終結を確認した後、ＣＨＣｌ 3／ＮａＯＨ
（ａｑ）溶液を用いて抽出し、有機層を乾燥濃縮した
後、メタノールで沈殿を形成し、得られた沈殿を数回洗
浄した。反応生成物は薄黄色の固体で、収率は８０％
（５．７ｇ）であった。
ニル）−６，６'−ジヨード３，３'−ビカルバゾールの
合成 ５００ｍｌフラスコにＮ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニ
ル）−３，３'−ビカルバゾール５ｇ（８５．４ｍｍｏ
ｌ）を３００ｍｌの酢酸に溶かした後、ヨウ化カリウム
２．９８ｇ（２．１ｅｑ）とヨウ素酸カリウム３．８４
ｇ（２．１ｅｑ）を添加し、温度を８０℃に昇温した。
ＴＬＣで反応終結を確認した後、ＣＨＣｌ 3／ＮａＯＨ
（ａｑ）溶液を用いて抽出し、有機層を乾燥濃縮した
後、メタノールで沈殿を形成し、得られた沈殿を数回洗
浄した。反応生成物は薄黄色の固体で、収率は８０％
（５．７ｇ）であった。
【００８６】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）：δ８．５６（２Ｈ，ｓ），８．３９（２Ｈ，
ｓ），７．８０ （２Ｈ，ｄ），７．７７（２Ｈ，
ｄ），７．５５−７．２１（１２Ｈ，ｍ），２．５１
（６Ｈ，ｓ）。
ｌ3）：δ８．５６（２Ｈ，ｓ），８．３９（２Ｈ，
ｓ），７．８０ （２Ｈ，ｄ），７．７７（２Ｈ，
ｄ），７．５５−７．２１（１２Ｈ，ｍ），２．５１
（６Ｈ，ｓ）。
【００８７】合成例６：９，９'−ジ（２−エチルヘキ
シル）−２，７−ジブロモフルオレンの合成 ２，７−ジブロモフルオレン２５ｇ（７７ｍｍｏｌ）お
よび２−エチルヘキシルブロミド３６ｇ（１８５ｍｍｏ
ｌ）をトルエン１００ｍｌに溶かし、ＴＢＡＢ（テトラ
ブチルアンモニウムブロミド）１．２５ｇ（３．８５ｍ
ｍｏｌ）を添加した。ＮａＯＨ３１ｇ（７７０ｍｍｏ
ｌ）を水５０ｍｌに溶かした水溶液を添加した後、２日
間還流した。反応終了後、水とＣＨＣｌ3を用いて抽出
し、有機層をＭｇＳＯ4で乾燥した後濃縮し、シリカゲ
ルカラム（へキサン溶出）を通過させ、蒸留過程を通じ
て反応せずに残っている２−エチルヘキシルブロミドを
除去し、３６ｇの反応生成物を得た。反応生成物の収率
は８５％であった。
シル）−２，７−ジブロモフルオレンの合成 ２，７−ジブロモフルオレン２５ｇ（７７ｍｍｏｌ）お
よび２−エチルヘキシルブロミド３６ｇ（１８５ｍｍｏ
ｌ）をトルエン１００ｍｌに溶かし、ＴＢＡＢ（テトラ
ブチルアンモニウムブロミド）１．２５ｇ（３．８５ｍ
ｍｏｌ）を添加した。ＮａＯＨ３１ｇ（７７０ｍｍｏ
ｌ）を水５０ｍｌに溶かした水溶液を添加した後、２日
間還流した。反応終了後、水とＣＨＣｌ3を用いて抽出
し、有機層をＭｇＳＯ4で乾燥した後濃縮し、シリカゲ
ルカラム（へキサン溶出）を通過させ、蒸留過程を通じ
て反応せずに残っている２−エチルヘキシルブロミドを
除去し、３６ｇの反応生成物を得た。反応生成物の収率
は８５％であった。
【００８８】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）：δ０．５４（ｍ，１２Ｈ），０．６０−１．０
２（ｍ，１８Ｈ），１．９４（ｄ，４Ｈ），７．４９
（ｍ，６Ｈ）。
ｌ3）：δ０．５４（ｍ，１２Ｈ），０．６０−１．０
２（ｍ，１８Ｈ），１．９４（ｄ，４Ｈ），７．４９
（ｍ，６Ｈ）。
【００８９】合成例７：９，９'−ジ（ｎ−オクチル）
−２，７−ジブロモフルオレンの合成 ２，７−ジブロモフルオレン２５ｇ（７７ｍｍｏｌ）と
ｎ−オクチルブロミド３６ｇ（１８５ｍｍｏｌ）をトル
エン１００ｍｌに溶かし、ＴＢＡＢ１．２５ｇ（３．８
５ ｍｍｏｌ）を添加した。ＮａＯＨ３１ｇ（７７０ｍ
ｍｏｌ）を水５０ｍｌに溶かした水溶液を添加した後、
２日間還流した。反応後水とＣＨＣｌ3を用いて抽出
し、有機層をＭｇＳＯ4で乾燥した後、濃縮し、シリカ
ゲルカラム（へキサン溶出）を通過させ、蒸留過程を通
して反応せずに残っているｎ−オクチルブロミドを除去
して４０ｇの結果物を得た。収率は９５％で、その構造
を図２に示すように1Ｈ−ＮＭＲで確認した。
−２，７−ジブロモフルオレンの合成 ２，７−ジブロモフルオレン２５ｇ（７７ｍｍｏｌ）と
ｎ−オクチルブロミド３６ｇ（１８５ｍｍｏｌ）をトル
エン１００ｍｌに溶かし、ＴＢＡＢ１．２５ｇ（３．８
５ ｍｍｏｌ）を添加した。ＮａＯＨ３１ｇ（７７０ｍ
ｍｏｌ）を水５０ｍｌに溶かした水溶液を添加した後、
２日間還流した。反応後水とＣＨＣｌ3を用いて抽出
し、有機層をＭｇＳＯ4で乾燥した後、濃縮し、シリカ
ゲルカラム（へキサン溶出）を通過させ、蒸留過程を通
して反応せずに残っているｎ−オクチルブロミドを除去
して４０ｇの結果物を得た。収率は９５％で、その構造
を図２に示すように1Ｈ−ＮＭＲで確認した。
【００９０】1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）：δ０．６５（ｂｒｏａｄ ｓ，４Ｈ），０．８
７（ｍ，６Ｈ），１．２１（ｍ，２０Ｈ），１．９３
（ｍ，４Ｈ），７．４８（ｍ，４Ｈ），７．５４（ｍ，
２Ｈ）実施例１：ポリ［９，９'−ジ（２−エチルヘキシル）
−２，７−フルオレニル−ｃｏ−６，６'−Ｎ，Ｎ'−ジ
エチル−３，３'−ビカルバゾリル］（ｍ：ｎ＝３：
１）の合成 ９，９'−ジ（２−エチルヘキシル）−２，７−ジブロ
モフルオレン０．３７４ｇ（０．６８３ｍｍｏｌ）と
Ｎ，Ｎ'−ジエチル−６，６'−ジブロモ−３，３'−ビ
カルバゾール０．１２５ｇ（０．２２８ｍｍｏｌ）を、
５ｍｌのトルエンに添加し、モノマー溶液を得た。この
モノマー溶液を、５０ｍｌシュレンク管中で窒素ガスに
より脱気し、窒素雰囲気下で保存した。一方で、触媒と
してＮｉ（ＣＯＤ）2 ０．４４ｇ（１．７ｅｑ）、
１，４−シクロオクタジエン（ＣＯＤ）０．１７ｇ
（１．７ｅｑ）、および、ビピリジル０．２５ｇ（１．
７ｅｑ）を他の５０ｍｌシュレンク管に添加し、これを
反応器とした。続いて、反応器に、窒素ガスで脱気した
トルエン５ｍｌと、ＤＭＦ５ｍｌとをさらに加え、８０
℃で３０分攪拌した。保存してあった上記モノマー溶液
をトルエン５ｍｌで洗浄した後に上記反応器に添加し、
８０℃で７２時間重合させた。重合終了後、反応液に、
２−ブロモフルオレン（１０ｅｑ）をトルエン１０ｍｌ
に溶解した溶液を添加し、２４時間反応させた。反応終
了後、反応液を、塩酸：アセトン：メタノール＝１：
１：１の溶液３００ｍｌに添加して未反応触媒を除去
し、フィルタリングし、沈殿を得た。得られた沈殿をク
ロロホルムに溶解し、セライトで再びフィルタリングし
て残存する触媒を除去し、濃縮して、メタノールを添加
することによって再び沈殿を得た。この沈殿をソクスレ
ー抽出器で２４時間洗浄し反応生成物を得た。その構造
を図４に示すように1Ｈ−ＮＭＲを通して確認した。収
率：７０％、分子量：Ｍｎ＝３，１００、Ｍｗ＝５，７
００、ＭＷＤ＝１.８４。
ｌ3）：δ０．６５（ｂｒｏａｄ ｓ，４Ｈ），０．８
７（ｍ，６Ｈ），１．２１（ｍ，２０Ｈ），１．９３
（ｍ，４Ｈ），７．４８（ｍ，４Ｈ），７．５４（ｍ，
２Ｈ）実施例１：ポリ［９，９'−ジ（２−エチルヘキシル）
−２，７−フルオレニル−ｃｏ−６，６'−Ｎ，Ｎ'−ジ
エチル−３，３'−ビカルバゾリル］（ｍ：ｎ＝３：
１）の合成 ９，９'−ジ（２−エチルヘキシル）−２，７−ジブロ
モフルオレン０．３７４ｇ（０．６８３ｍｍｏｌ）と
Ｎ，Ｎ'−ジエチル−６，６'−ジブロモ−３，３'−ビ
カルバゾール０．１２５ｇ（０．２２８ｍｍｏｌ）を、
５ｍｌのトルエンに添加し、モノマー溶液を得た。この
モノマー溶液を、５０ｍｌシュレンク管中で窒素ガスに
より脱気し、窒素雰囲気下で保存した。一方で、触媒と
してＮｉ（ＣＯＤ）2 ０．４４ｇ（１．７ｅｑ）、
１，４−シクロオクタジエン（ＣＯＤ）０．１７ｇ
（１．７ｅｑ）、および、ビピリジル０．２５ｇ（１．
７ｅｑ）を他の５０ｍｌシュレンク管に添加し、これを
反応器とした。続いて、反応器に、窒素ガスで脱気した
トルエン５ｍｌと、ＤＭＦ５ｍｌとをさらに加え、８０
℃で３０分攪拌した。保存してあった上記モノマー溶液
をトルエン５ｍｌで洗浄した後に上記反応器に添加し、
８０℃で７２時間重合させた。重合終了後、反応液に、
２−ブロモフルオレン（１０ｅｑ）をトルエン１０ｍｌ
に溶解した溶液を添加し、２４時間反応させた。反応終
了後、反応液を、塩酸：アセトン：メタノール＝１：
１：１の溶液３００ｍｌに添加して未反応触媒を除去
し、フィルタリングし、沈殿を得た。得られた沈殿をク
ロロホルムに溶解し、セライトで再びフィルタリングし
て残存する触媒を除去し、濃縮して、メタノールを添加
することによって再び沈殿を得た。この沈殿をソクスレ
ー抽出器で２４時間洗浄し反応生成物を得た。その構造
を図４に示すように1Ｈ−ＮＭＲを通して確認した。収
率：７０％、分子量：Ｍｎ＝３，１００、Ｍｗ＝５，７
００、ＭＷＤ＝１.８４。
【００９１】実施例２：ポリ［９，９'−ジオクチル−
２，７−フルオレニル−ｃｏ−６，６'−Ｎ，Ｎ'−ジ
（３−メチルフェニル）−３，３'−ビカルバゾリル］
（ｍ：ｎ＝１：１）の合成 ９，９'−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン
０．２５０ｇ（０．４５５ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ'−ジ
（３−メチルフェニル）−６，６'−ジヨード−３，３'
−ビカルバゾール０．３４８ｇ（０．４５５ｍｍｏｌ）
を、５ｍｌのトルエンに添加し、モノマー溶液を得た。
このモノマー溶液を、５０ｍｌシュレンク管中で窒素ガ
スにより脱気し、窒素雰囲気下で保存した。一方で、触
媒としてＮｉ（ＣＯＤ）2 ０．４４ｇ（１．７ｅ
ｑ）、１，４−シクロオクタジエン（ＣＯＤ）０．１７
ｇ（１．７ｅｑ）、および、ビピリジル０．２５ｇ
（１．７ｅｑ）を他の５０ｍｌシュレンク管に添加し、
これを反応器とした。続いて、反応器に、窒素ガスで脱
気したトルエン５ｍｌと、ＤＭＦ５ｍｌとをさらに加
え、８０℃で３０分攪拌した。保存してあった上記モノ
マー溶液をトルエン５ｍｌで洗浄した後に上記反応器に
添加し、８０℃で７２時間重合させた。重合終了後、２
−ブロモフルオレン（１０ｅｑ）をトルエン１０ｍｌに
溶解して反応溶液に添加し、２４時間反応させた。反応
終了後、反応液を、塩酸：アセトン：メタノール＝１：
１：１の溶液３００ｍｌに添加して未反応触媒を除去
し、フィルタリングした、沈殿を得た。得られた沈殿を
クロロホルムに溶解し、セライトで再びフィルタリング
し触媒残量を除去し、濃縮して、メタノールを添加する
ことによって再び沈殿を得た。この沈殿をソクスレー抽
出器で２４時間洗浄し反応生成物を得た。得られた反応
生成物の構造を、ＢＯＭＥＭ−１００ＦＴ−ＩＲ分光計
で確認した。結果を図５に示す。収率：６５％、分子
量：Ｍｎ＝８，０００、Ｍｗ＝１１，０００、ＭＷＤ＝
１.３８。
２，７−フルオレニル−ｃｏ−６，６'−Ｎ，Ｎ'−ジ
（３−メチルフェニル）−３，３'−ビカルバゾリル］
（ｍ：ｎ＝１：１）の合成 ９，９'−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン
０．２５０ｇ（０．４５５ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ'−ジ
（３−メチルフェニル）−６，６'−ジヨード−３，３'
−ビカルバゾール０．３４８ｇ（０．４５５ｍｍｏｌ）
を、５ｍｌのトルエンに添加し、モノマー溶液を得た。
このモノマー溶液を、５０ｍｌシュレンク管中で窒素ガ
スにより脱気し、窒素雰囲気下で保存した。一方で、触
媒としてＮｉ（ＣＯＤ）2 ０．４４ｇ（１．７ｅ
ｑ）、１，４−シクロオクタジエン（ＣＯＤ）０．１７
ｇ（１．７ｅｑ）、および、ビピリジル０．２５ｇ
（１．７ｅｑ）を他の５０ｍｌシュレンク管に添加し、
これを反応器とした。続いて、反応器に、窒素ガスで脱
気したトルエン５ｍｌと、ＤＭＦ５ｍｌとをさらに加
え、８０℃で３０分攪拌した。保存してあった上記モノ
マー溶液をトルエン５ｍｌで洗浄した後に上記反応器に
添加し、８０℃で７２時間重合させた。重合終了後、２
−ブロモフルオレン（１０ｅｑ）をトルエン１０ｍｌに
溶解して反応溶液に添加し、２４時間反応させた。反応
終了後、反応液を、塩酸：アセトン：メタノール＝１：
１：１の溶液３００ｍｌに添加して未反応触媒を除去
し、フィルタリングした、沈殿を得た。得られた沈殿を
クロロホルムに溶解し、セライトで再びフィルタリング
し触媒残量を除去し、濃縮して、メタノールを添加する
ことによって再び沈殿を得た。この沈殿をソクスレー抽
出器で２４時間洗浄し反応生成物を得た。得られた反応
生成物の構造を、ＢＯＭＥＭ−１００ＦＴ−ＩＲ分光計
で確認した。結果を図５に示す。収率：６５％、分子
量：Ｍｎ＝８，０００、Ｍｗ＝１１，０００、ＭＷＤ＝
１.３８。
【００９２】試験：光学的特性評価
実施例１および２で製造された発光高分子化合物をクロ
ロベンゼンに溶かし、石英上にスピンコーティングして
高分子薄膜を形成した後、可視・紫外分光分析（Ｕ
Ｖ）、フォトルミネセンス（ＰＬ）、電界発光（ＥＬ）
を分光蛍光計を用いて測定し、得られたそれぞれのスペ
クトルを図６および７に示す。実施例１の高分子化合物
は、図６に示すように、最大ＵＶ吸収ピークは３５７ｎ
ｍであり、励起波長を３５７ｎｍとして測定したＰＬス
ペクトルにおけるＰＬ最大ピークは４１６ｎｍであっ
た。実施例２の高分子化合物は、図７に示すように、最
大ＵＶ吸収ピークは３１２ｎｍであり、励起波長を３１
２ｎｍとして測定したＰＬスペクトルにおけるＰＬ最大
ピークは４３６ｎｍであった。
ロベンゼンに溶かし、石英上にスピンコーティングして
高分子薄膜を形成した後、可視・紫外分光分析（Ｕ
Ｖ）、フォトルミネセンス（ＰＬ）、電界発光（ＥＬ）
を分光蛍光計を用いて測定し、得られたそれぞれのスペ
クトルを図６および７に示す。実施例１の高分子化合物
は、図６に示すように、最大ＵＶ吸収ピークは３５７ｎ
ｍであり、励起波長を３５７ｎｍとして測定したＰＬス
ペクトルにおけるＰＬ最大ピークは４１６ｎｍであっ
た。実施例２の高分子化合物は、図７に示すように、最
大ＵＶ吸収ピークは３１２ｎｍであり、励起波長を３１
２ｎｍとして測定したＰＬスペクトルにおけるＰＬ最大
ピークは４３６ｎｍであった。
【００９３】実施例３：電界発光素子の製作
実施例１および実施例２で製造された発光高分子化合物
を用いて電界発光素子を製作した。その構造を図８に示
す。まず、陽極としてＩＴＯをガラス基板上にコーティ
ングした透明電極基板を厳密に洗浄した後、ＩＴＯを所
望の形態に感光性樹脂とエッチング剤を用いてパタニン
グし、再び厳密に洗浄した。その上にバッファー層とし
てチオフェン系導電性高分子（ＰＥＤＯＴ）（Ｂａｔｒ
ｏｎ Ｐ４０８３，バイエル社製）を約５００〜１１０
０Åの厚さにコーティングした後、１８０℃で約１時間
ベークした。クロロベンゼンまたはトルエンに実施例１
または２で得られた発光高分子化合物をそれぞれ溶解
し、２種類の高分子溶液を得た。該高分子溶液を、０．
２μｍフィルタでフィルタリングしてスピンコーティン
グし、ベーク処理した後に、真空オーブン中で溶媒を完
全に除去し、発光層を形成した。この際、発光層厚さは
高分子溶液の濃度とスピン速度を調節することによって
調節された。形成された発光層厚さは約５０〜１００ｎ
ｍ程度であった。次に前記発光層上に、陰極としてＣａ
／Ａｌ電極を、真空蒸着機を用いて真空度を４×１０-6
ｔｏｒｒ以下に保持しながら蒸着して形成し、２種類の
ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光層／Ｃａ／Ａｌ構造の単層型
電界発光素子を完成した。蒸着膜の厚さおよび膜の成長
速度はクリスタルセンサを用いて調節した。発光面積は
４ｍｍ2であり、駆動電圧は直流電圧であって、順方向
バイアス電圧を使用した。
を用いて電界発光素子を製作した。その構造を図８に示
す。まず、陽極としてＩＴＯをガラス基板上にコーティ
ングした透明電極基板を厳密に洗浄した後、ＩＴＯを所
望の形態に感光性樹脂とエッチング剤を用いてパタニン
グし、再び厳密に洗浄した。その上にバッファー層とし
てチオフェン系導電性高分子（ＰＥＤＯＴ）（Ｂａｔｒ
ｏｎ Ｐ４０８３，バイエル社製）を約５００〜１１０
０Åの厚さにコーティングした後、１８０℃で約１時間
ベークした。クロロベンゼンまたはトルエンに実施例１
または２で得られた発光高分子化合物をそれぞれ溶解
し、２種類の高分子溶液を得た。該高分子溶液を、０．
２μｍフィルタでフィルタリングしてスピンコーティン
グし、ベーク処理した後に、真空オーブン中で溶媒を完
全に除去し、発光層を形成した。この際、発光層厚さは
高分子溶液の濃度とスピン速度を調節することによって
調節された。形成された発光層厚さは約５０〜１００ｎ
ｍ程度であった。次に前記発光層上に、陰極としてＣａ
／Ａｌ電極を、真空蒸着機を用いて真空度を４×１０-6
ｔｏｒｒ以下に保持しながら蒸着して形成し、２種類の
ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／発光層／Ｃａ／Ａｌ構造の単層型
電界発光素子を完成した。蒸着膜の厚さおよび膜の成長
速度はクリスタルセンサを用いて調節した。発光面積は
４ｍｍ2であり、駆動電圧は直流電圧であって、順方向
バイアス電圧を使用した。
【００９４】試験：電界発光素子の特性評価
実施例３で製作された電界発光素子の電界発光特性を評
価した。その結果を図９〜１２に示す。図９は、当該素
子の電圧に対する電流密度曲線を示すグラフである。図
１０は、当該素子の電圧に対する輝度曲線を示すグラフ
である。図１１は、当該素子の電流密度に対する輝度曲
線を示すグラフである。図１２は、当該素子のＣＩＥ
１９３１色座標を示すグラフである。
価した。その結果を図９〜１２に示す。図９は、当該素
子の電圧に対する電流密度曲線を示すグラフである。図
１０は、当該素子の電圧に対する輝度曲線を示すグラフ
である。図１１は、当該素子の電流密度に対する輝度曲
線を示すグラフである。図１２は、当該素子のＣＩＥ
１９３１色座標を示すグラフである。
【００９５】実施例３で製造されたＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ
／発光層／Ｃａ／Ａｌ構造の単層型電界発光素子はいず
れも典型的な整流ダイオードの特性を表した。発光層が
実施例１の発光高分子化合物からなる発光素子の場合、
図９に示されるように、駆動電圧約９．０Ｖで発光し始
めた。なお当該素子の最大輝度は、図１０に示されるよ
うに、３２５０ｃｄ／ｍ2であり、最大発光効率は０．
３５ｃｄ／Ａであった。発光層が実施例２の発光高分子
化合物からなる発光素子の場合、図９に示されるよう
に、駆動電圧９．７Ｖで発光し始めた。当該素子の最大
輝度は、図１０に示されるように、６５０ｃｄ／ｍ2で
あり、最大発光効率は０．０６ｃｄ／Ａであった。なお
発光効率は、計算式：発光効率＝（π×Ｌ）／（Ｊ×
Ｖ）（式中、Ｌは輝度、Ｊは電流密度、Ｖは電圧であ
る。）を用いて計算された。
／発光層／Ｃａ／Ａｌ構造の単層型電界発光素子はいず
れも典型的な整流ダイオードの特性を表した。発光層が
実施例１の発光高分子化合物からなる発光素子の場合、
図９に示されるように、駆動電圧約９．０Ｖで発光し始
めた。なお当該素子の最大輝度は、図１０に示されるよ
うに、３２５０ｃｄ／ｍ2であり、最大発光効率は０．
３５ｃｄ／Ａであった。発光層が実施例２の発光高分子
化合物からなる発光素子の場合、図９に示されるよう
に、駆動電圧９．７Ｖで発光し始めた。当該素子の最大
輝度は、図１０に示されるように、６５０ｃｄ／ｍ2で
あり、最大発光効率は０．０６ｃｄ／Ａであった。なお
発光効率は、計算式：発光効率＝（π×Ｌ）／（Ｊ×
Ｖ）（式中、Ｌは輝度、Ｊは電流密度、Ｖは電圧であ
る。）を用いて計算された。
【００９６】これら２種類の素子の電流密度に対する輝
度曲線は図１１に示されるとおりである。また、これら
２種類の素子の１９３１ＣＩＥ色座標は、図１２に示さ
れるように、実施例１の高分子の場合、１０００ｃｄ／
ｍ2で（０．３２１，０．３３８）であり、実施例２の
高分子の場合、６５０ｃｄ／ｍ2で（０．３３１，０．
３９９）であった。これら２種類の素子の電界発光スペ
クトルは、図６および７に示すように、３８０〜７００
ｎｍ以上の全可視光領域で発光、すなわち白色発光する
ことが分かった。またこれら２種類の電界発光素子は、
数回繰り返し駆動した後にも初期の電圧−電流密度特性
をそのまま保持する安定性を実現することができた。
度曲線は図１１に示されるとおりである。また、これら
２種類の素子の１９３１ＣＩＥ色座標は、図１２に示さ
れるように、実施例１の高分子の場合、１０００ｃｄ／
ｍ2で（０．３２１，０．３３８）であり、実施例２の
高分子の場合、６５０ｃｄ／ｍ2で（０．３３１，０．
３９９）であった。これら２種類の素子の電界発光スペ
クトルは、図６および７に示すように、３８０〜７００
ｎｍ以上の全可視光領域で発光、すなわち白色発光する
ことが分かった。またこれら２種類の電界発光素子は、
数回繰り返し駆動した後にも初期の電圧−電流密度特性
をそのまま保持する安定性を実現することができた。
【００９７】
【発明の効果】本発明の白色電界発光高分子化合物は、
環構造を含む主鎖にＮ，Ｎ'位置が置換された３,３’−
ビカルバゾール構造を導入することによって、真空伝達
特性、ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯエネルギー準位、熱安定性、
放出波長などの調節を可能にしたものである。本発明の
発光高分子化合物は、このような構造を有することによ
って、光伝導性、光起電性、光屈折性、電気的活性を有
し、かつ、既存のポリマーブレンド系樹脂が原因で生じ
る相分離によるデバイス特性の劣化やカラーの変化問題
を解決し、色純度に優れた白色発光素子を実現するもの
である。
環構造を含む主鎖にＮ，Ｎ'位置が置換された３,３’−
ビカルバゾール構造を導入することによって、真空伝達
特性、ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯエネルギー準位、熱安定性、
放出波長などの調節を可能にしたものである。本発明の
発光高分子化合物は、このような構造を有することによ
って、光伝導性、光起電性、光屈折性、電気的活性を有
し、かつ、既存のポリマーブレンド系樹脂が原因で生じ
る相分離によるデバイス特性の劣化やカラーの変化問題
を解決し、色純度に優れた白色発光素子を実現するもの
である。
【図１】 本発明の白色電界発光高分子化合物の合成過
程を示す概略図である。
程を示す概略図である。
【図２】 本発明の合成例７で製造された９，９'−ジ
（ｎ−オクチル）−２，７−ジブロモフルオレンの1Ｈ
−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
（ｎ−オクチル）−２，７−ジブロモフルオレンの1Ｈ
−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図３】 本発明の合成例２で製造されたＮ，Ｎ'−ジ
エチル−６，６'−ジブロモ−３，３'−ビカルバゾール
の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
エチル−６，６'−ジブロモ−３，３'−ビカルバゾール
の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図４】 実施例１で製造された白色電界発光高分子化
合物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
合物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図５】 実施例２で製造された白色電界発光高分子化
合物のＦＴ−ＩＲスペクトルを示すグラフである。
合物のＦＴ−ＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図６】 実施例１で製造された白色電界発光高分子化
合物の、可視・紫外分光分析（ＵＶ）、フォトルミネセ
ンス（ＰＬ）、電界発光（ＥＬ）のスペクトルを表すグ
ラフである。
合物の、可視・紫外分光分析（ＵＶ）、フォトルミネセ
ンス（ＰＬ）、電界発光（ＥＬ）のスペクトルを表すグ
ラフである。
【図７】 実施例２で製造された白色電界発光高分子化
合物の、可視・紫外分光分析（ＵＶ）、フォトルミネセ
ンス（ＰＬ）、電界発光（ＥＬ）のスペクトルを表すグ
ラフである。
合物の、可視・紫外分光分析（ＵＶ）、フォトルミネセ
ンス（ＰＬ）、電界発光（ＥＬ）のスペクトルを表すグ
ラフである。
【図８】 実施例３で製作された発光素子の断面図であ
る。
る。
【図９】 実施例３で製造された素子を用いて測定され
た、電圧に対する電流密度曲線を示すグラフである。
た、電圧に対する電流密度曲線を示すグラフである。
【図１０】 実施例３で製造された素子を用いて測定さ
れた、電圧に対する輝度曲線を示すグラフである。
れた、電圧に対する輝度曲線を示すグラフである。
【図１１】 実施例３で製造された素子を用いて測定さ
れた、電流密度に対する輝度曲線を示すグラフである。
れた、電流密度に対する輝度曲線を示すグラフである。
【図１２】 実施例３で製造された素子のＣＩＥ １９
３１色座標を示すグラフである。
３１色座標を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｄ
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 CB04 DB03
4J032 BA12 BA13 BA15 BA25 BB05
BB06 BB09 CG01
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式１： 【化１】 （式中、Ａｒは炭素数６〜２６の二価の芳香族基または
炭素数４〜１４の二価の複素環基であり、前記芳香族基
または複素環基は炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしく
は環状のアルキル基、アルコキシ基またはアミノ基で一
ヶ所以上置換されていてもよく、二ヶ所以上置換される
場合は複数の置換基が連結していてもよく、Ｒは同一ま
たは異なっていてもよく水素原子、炭素数１〜１２の直
鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基、または、炭素数
６〜１４の芳香族基であり、前記芳香族基は炭素数１〜
１２のアルキル基、アルコキシ基またはアミノ基で置換
されていてもよく、ｍおよびｎは、０．１≦ｍ／（ｍ＋
ｎ）≦０．９、０．１≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．９を満た
す値である。）で示される、３，３’−ビカルバゾール
構造を含む白色電界発光高分子化合物。 - 【請求項２】 前記一般式１のＡｒは、一般式２および
３： 【化２】 （式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して炭素数１〜１
２のアルキル基またはアルコキシ基である。）、ならび
に、 【化３】 （式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して炭素数１〜１
２のアルキル基である）。からなる群から選択されるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の白色電界発光高分子
化合物。 - 【請求項３】 前記一般式１のＡｒは、 【化４】 であることを特徴とする、請求項２に記載の白色電界発
光高分子化合物。 - 【請求項４】 重量平均分子量が３，０００〜２００，
０００であり、分子量分布が１．５〜５であることを特
徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の白色電
界発光高分子化合物。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の白
色電界発光高分子化合物を発光層として導入した有機電
界発光素子。 - 【請求項６】 陽極／発光層／陰極、陽極／バッファー
層／発光層／陰極、陽極／バッファー層／正孔輸送層／
発光層／陰極、陽極／バッファー層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／陰極、および、陽極／バッファー層／
正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／陰極からなる群から
選択される構造をもつことを特徴とする、請求項５に記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項７】 前記バッファー層は、ポリチオフェン、
ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフ
ェニレンビニレン、またはそれらの誘導体からなること
を特徴とする、請求項６に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項８】 前記正孔遮断層は、ＬｉＦまたはＭｇＦ
2からなることを特徴とする、請求項６または７に記載
の有機電界発光素子。
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